JP2018064048A - Laser irradiation device, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an excellent laser irradiation device, an excellent laser irradiation method, and an excellent method of manufacturing a semiconductor manufacturing device.SOLUTION: A laser irradiation device 1 according to one embodiment includes: a laser generator 14 for generating laser beams; a floating unit 10 for floating an object to be processed 16 which is to be irradiated with laser beams; and a transport unit 11 for transporting the floating object to be processed 16. The transport unit 11 includes: a holding mechanism 12 for holding the object to be proceeded 16 by absorbing the object to be processed 16 via a porous body 151; and a movement mechanism 13 for moving the holding mechanism 12 in the transport direction.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明はレーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a laser irradiation apparatus, a laser irradiation method, and a semiconductor device manufacturing method.

シリコン基板やガラス基板などに形成された非晶質膜にレーザ光を照射して非晶質膜を結晶化させるレーザアニール装置が知られている。特許文献1には、浮上ユニットを用いて基板を浮上させながら、搬送ユニットを用いて基板を搬送して、基板にレーザ光を照射するレーザアニール装置が開示されている。   There is known a laser annealing apparatus that crystallizes an amorphous film by irradiating an amorphous film formed on a silicon substrate or a glass substrate with laser light. Patent Document 1 discloses a laser annealing apparatus that transports a substrate using a transport unit and irradiates the substrate with laser light while the substrate is levitated using a levitation unit.

特開2002−231654号公報JP 2002-231654 A

特許文献1に開示されている技術では、浮上ユニットを用いて基板を浮上させながら、搬送ユニットを用いて基板を搬送して、基板にレーザ光を照射している。搬送ユニットを用いて基板を搬送する際は、搬送ユニットを用いて基板を把持している。   In the technique disclosed in Patent Literature 1, the substrate is transported using the transport unit while the substrate is levitated using the levitation unit, and the substrate is irradiated with laser light. When the substrate is transported using the transport unit, the substrate is gripped using the transport unit.

レーザアニール装置において基板を搬送する場合、スループットの向上のため、基板を高速に搬送することが好ましい。また、連続して基板にレーザ光を照射することや、レーザ光の無駄打ちを減らすことが望まれる。また、歩留まり改善のために、レーザ光を基板に均一に照射して、照射ムラを抑制することが好ましい。さらに、レーザアニール装置では、生産性の向上のため、基板の大型化が望まれている。したがって、基板の大型化に伴い、種々の課題が発生する。   When transporting a substrate in a laser annealing apparatus, it is preferable to transport the substrate at a high speed in order to improve throughput. In addition, it is desired to continuously irradiate the substrate with laser light and to reduce waste of laser light. In order to improve the yield, it is preferable to uniformly irradiate the substrate with laser light to suppress uneven irradiation. Furthermore, in the laser annealing apparatus, it is desired to increase the size of the substrate in order to improve productivity. Therefore, various problems occur with the increase in size of the substrate.

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。   Other problems and novel features will become apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.

一実施の形態にかかるレーザ照射装置は、多孔質体を介して被処理体を吸着することで、被処理体を保持する保持機構と、被処理体を浮上する浮上ユニットと、浮上ユニットで浮上した被処理体にレーザ光を照射するレーザ発生装置と、を備えている。   A laser irradiation apparatus according to an embodiment adsorbs an object to be processed through a porous body, thereby holding the object to be processed, a floating unit for levitating the object to be processed, and a levitating unit A laser generator for irradiating the processed object with laser light.

前記一実施の形態によれば、優れたレーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法を提供することができる。   According to the one embodiment, an excellent laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and semiconductor device manufacturing method can be provided.

実施の形態1にかかるレーザ照射装置の構成を模式的に示す平面図である。1 is a plan view schematically showing a configuration of a laser irradiation apparatus according to a first embodiment. 図1のII−II断面図であるIt is II-II sectional drawing of FIG. 図1のIII−III断面図である。It is III-III sectional drawing of FIG. 搬送ユニットの保持機構を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the holding mechanism of a conveyance unit. 搬送ユニットの保持機構を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the holding mechanism of a conveyance unit. 保持機構が被処理体を保持した状態を示す図である。It is a figure which shows the state in which the holding mechanism hold | maintained the to-be-processed object. 変形例にかかる保持機構を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the holding mechanism concerning a modification. 変形例にかかる保持機構が被処理体を保持した状態を示す側面図である。It is a side view which shows the state in which the holding mechanism concerning a modification hold | maintained the to-be-processed object. 多孔質体の外周部におけるガスの流入を説明するための図である。It is a figure for demonstrating inflow of the gas in the outer peripheral part of a porous body. 変形例に係る保持機構において、多孔質体よりも小さい被処理体を吸着した構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure which adsorb | sucked the to-be-processed object smaller than a porous body in the holding mechanism which concerns on a modification. 保持機構が被処理体を保持した状態でのガスの流入部分を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the inflow part of the gas in the state in which the holding mechanism hold | maintained the to-be-processed object. 保持機構の制御系を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the control system of a holding mechanism. 基板吸着時の処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process at the time of board | substrate adsorption | suction. 基板吸着解除時の処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process at the time of board | substrate suction | release cancellation | release. 実施の形態2にかかるレーザ照射装置の全体構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the whole structure of the laser irradiation apparatus concerning Embodiment 2. FIG. 実施の形態2にかかるレーザ照射装置の構成を模式的に示す平面図である。FIG. 6 is a plan view schematically showing a configuration of a laser irradiation apparatus according to a second exemplary embodiment. 実施の形態2にかかるレーザ照射装置の搬送動作を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a conveying operation of the laser irradiation apparatus according to the second exemplary embodiment. 実施の形態2にかかるレーザ照射装置の搬送動作を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a conveying operation of the laser irradiation apparatus according to the second exemplary embodiment. 実施の形態2にかかるレーザ照射装置の搬送動作を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a conveying operation of the laser irradiation apparatus according to the second exemplary embodiment. 実施の形態2にかかるレーザ照射装置の搬送動作を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a conveying operation of the laser irradiation apparatus according to the second exemplary embodiment. 実施の形態2にかかるレーザ照射装置の搬送動作を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a conveying operation of the laser irradiation apparatus according to the second exemplary embodiment. 実施の形態2にかかるレーザ照射装置の搬送動作を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a conveying operation of the laser irradiation apparatus according to the second exemplary embodiment. 実施の形態2にかかるレーザ照射装置の搬送動作を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a conveying operation of the laser irradiation apparatus according to the second exemplary embodiment. 実施の形態2にかかるレーザ照射装置の搬送動作を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a conveying operation of the laser irradiation apparatus according to the second exemplary embodiment. 実施の形態2にかかるレーザ照射装置の搬送動作を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a conveying operation of the laser irradiation apparatus according to the second exemplary embodiment. 実施の形態2にかかるレーザ照射装置の搬送動作を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a conveying operation of the laser irradiation apparatus according to the second exemplary embodiment. 実施の形態2にかかるレーザ照射装置の搬送動作を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a conveying operation of the laser irradiation apparatus according to the second exemplary embodiment. 実施の形態2にかかるレーザ照射装置の搬送動作を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a conveying operation of the laser irradiation apparatus according to the second exemplary embodiment. 第4の領域における回転動作を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating rotation operation in the 4th field. 第1の領域におけるアライメント動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the alignment operation | movement in a 1st area | region. アライメント動作を行うためのカメラの配置を示す平面図である。It is a top view which shows arrangement | positioning of the camera for performing alignment operation. 被処理体の持ち替え動作を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the change operation | movement of a to-be-processed object. 浮上ユニットの構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows the structure of a floating unit typically. 浮上ユニットの構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of a floating unit typically. 精密浮上ユニットの構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of a precision levitation unit typically. 精密浮上ユニットの構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows the structure of a precision levitation unit typically. 精密浮上ユニット上における被処理体の搬送を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically conveyance of the to-be-processed object on a precision levitation unit. ラフ浮上ユニットの構成を模式的に示す断面図であるIt is sectional drawing which shows the structure of a rough levitation unit typically ラフ浮上ユニットの構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows the structure of a rough levitation unit typically. ラフ浮上ユニット上における被処理体の搬送を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically conveyance of the to-be-processed object on a rough levitation unit. 溝を形成していないラフ浮上ユニットを用いて被処理体を搬送している状態を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the state which has conveyed the to-be-processed object using the rough levitation | floating unit which has not formed the groove | channel. ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the other structural example of a rough levitation unit. 浮上ユニット上を搬送される被処理体のたわみを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the bending of the to-be-processed object conveyed on the floating unit. 浮上ユニットの構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of a floating unit typically. モニタ領域に設けられた構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure provided in the monitor area | region. モニタ領域に設けられた構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure provided in the monitor area | region. モニタ領域の準精密浮上ユニットの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the semi-precision levitation unit of a monitor area | region. 第4の領域の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of a 4th area | region. 第4の領域における搬入動作を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the carrying-in operation | movement in a 4th area | region. レーザ照射装置の分割構成を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the division | segmentation structure of a laser irradiation apparatus. レーザ照射装置の分割構成を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the division | segmentation structure of a laser irradiation apparatus. TFT製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows a TFT manufacturing method. 有機EL表示パネルの断面図である。It is sectional drawing of an organic electroluminescence display panel.

以下、図面を参照して本実施の形態にかかるレーザ照射装置、レーザ照射方法、半導体装置の製造方法について説明する。なお、以下の説明において、レーザが照射される被処理体をアモルファスシリコン膜付きガラス基板であるとして説明するが、被処理体は、特に限定されるものではない。   Hereinafter, a laser irradiation apparatus, a laser irradiation method, and a semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. In the following description, the target object to be irradiated with laser is described as a glass substrate with an amorphous silicon film, but the target object is not particularly limited.

レーザ照射装置の一例は、基板上に形成されたアモルファスシリコン膜にレーザ光を照射して、ポリシリコン膜を形成するエキシマレーザアニール装置である。したがって、レーザ照射装置は、液晶表示パネルや有機EL(ElectroLuminescence)表示パネルの製造工程において、TFT(Thin Film transistor)アレイ基板を製造するために使用される。すなわち、レーザ照射装置は、TFTアレイ基板などの半導体装置の製造工程に用いられる。   An example of a laser irradiation apparatus is an excimer laser annealing apparatus that forms a polysilicon film by irradiating an amorphous silicon film formed on a substrate with laser light. Therefore, the laser irradiation apparatus is used for manufacturing a TFT (Thin Film Transistor) array substrate in a manufacturing process of a liquid crystal display panel or an organic EL (ElectroLuminescence) display panel. That is, the laser irradiation apparatus is used in a manufacturing process of a semiconductor device such as a TFT array substrate.

実施の形態1.
(レーザ照射装置の基本構成)
本実施の形態にかかるレーザ照射装置は、例えば、低温ポリシリコン(LTPS:Low Temperature Poly-Silicon)膜を形成するエキシマレーザアニール(ELA:Excimer laser Anneal)装置である。まず、レーザ照射装置の基本構成について、図1〜図3を用いて説明する。図1は、レーザ照射装置の基本構成を説明するための平面図である。図2は、図1に示すレーザ照射装置の切断線II−IIにおける断面図である。図3は、図1に示すレーザ照射装置の切断線III−IIIにおける断面図である。
Embodiment 1 FIG.
(Basic configuration of laser irradiation device)
The laser irradiation apparatus according to the present embodiment is, for example, an excimer laser annealing (ELA) apparatus that forms a low temperature poly-silicon (LTPS) film. First, the basic configuration of the laser irradiation apparatus will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view for explaining the basic configuration of the laser irradiation apparatus. 2 is a cross-sectional view of the laser irradiation apparatus shown in FIG. 1 taken along a cutting line II-II. 3 is a cross-sectional view of the laser irradiation apparatus shown in FIG. 1 taken along section line III-III.

なお、以下に示す図では、説明の簡略化のため、適宜、xyz3次元直交座標系を示している。z方向は鉛直上下方向であり、y方向はライン状のレーザスポットに沿った方向であり、x方向は、搬送方向である。x方向に搬送(スキャン)しながら、y方向に沿ったライン状のレーザ光を基板に照射している。また、x方向とy方向は矩形状の被処理体16の端辺に沿った方向である。   In addition, in the figure shown below, xyz three-dimensional orthogonal coordinate system is suitably shown for the simplification of description. The z direction is a vertical vertical direction, the y direction is a direction along a line-shaped laser spot, and the x direction is a transport direction. The substrate is irradiated with a linear laser beam along the y direction while being transported (scanned) in the x direction. Further, the x direction and the y direction are directions along the edge of the rectangular object 16.

図1〜図3に示すように、レーザ照射装置1は、浮上ユニット10、搬送ユニット11、及びレーザ発生装置14を備える。図2に示すように、浮上ユニット10は、浮上ユニット10の表面からガスを噴出するように構成されており、浮上ユニット10の表面から噴出されたガスが被処理体16の下面に吹き付けられることで、被処理体16が浮上する。例えば、被処理体16はガラス基板である。被処理体16が搬送される際、浮上ユニット10は被処理体16の上側に配置されている他の機構(不図示)に被処理体16が接触しないように浮上量を調整している。   As shown in FIGS. 1 to 3, the laser irradiation apparatus 1 includes a levitation unit 10, a transport unit 11, and a laser generator 14. As shown in FIG. 2, the levitation unit 10 is configured to eject gas from the surface of the levitation unit 10, and the gas ejected from the surface of the levitation unit 10 is sprayed on the lower surface of the workpiece 16. Thus, the workpiece 16 is lifted. For example, the workpiece 16 is a glass substrate. When the workpiece 16 is conveyed, the levitation unit 10 adjusts the flying height so that the workpiece 16 does not come into contact with another mechanism (not shown) disposed above the workpiece 16.

搬送ユニット11は、浮上している被処理体16を搬送方向(x方向)に搬送する。図1、図3に示すように、搬送ユニット11は、保持機構12と移動機構13とを備える。保持機構12は、被処理体16を保持する。例えば、保持機構12は、多孔質体を備える真空吸着機構を用いて構成することができる。保持機構12(真空吸着機構)は、排気ポート(不図示)に接続されており、排気ポートはエジェクタや真空ポンプなどに接続されている。よって、保持機構12にはガスを吸引するための負圧が作用するため、保持機構12を用いて被処理体16を保持することができる。   The conveyance unit 11 conveys the workpiece 16 that is floating in the conveyance direction (x direction). As shown in FIGS. 1 and 3, the transport unit 11 includes a holding mechanism 12 and a moving mechanism 13. The holding mechanism 12 holds the workpiece 16. For example, the holding mechanism 12 can be configured using a vacuum suction mechanism including a porous body. The holding mechanism 12 (vacuum adsorption mechanism) is connected to an exhaust port (not shown), and the exhaust port is connected to an ejector, a vacuum pump, or the like. Therefore, since the negative pressure for sucking the gas acts on the holding mechanism 12, the workpiece 16 can be held using the holding mechanism 12.

また、保持機構12は吸着動作を行うための昇降機構を備えている。昇降機構は、例えば、エアシリンダやモータなどのアクチュエータ等を備えている。例えば、保持機構12は吸着位置まで上昇した状態で、被処理体16を吸着する。また、保持機構12は、吸着を解除した状態で、待機位置まで下降する。   The holding mechanism 12 includes an elevating mechanism for performing an adsorption operation. The elevating mechanism includes, for example, an actuator such as an air cylinder or a motor. For example, the holding mechanism 12 sucks the workpiece 16 in a state where the holding mechanism 12 is raised to the suction position. Further, the holding mechanism 12 is lowered to the standby position in a state where the suction is released.

本実施の形態では、図3に示すように、保持機構12は、被処理体16のレーザ光が照射される面(上面)と逆側の面(下面)、つまり、被処理体16の浮上ユニット10と対向する側の面を吸引することで、被処理体16を保持している。また、保持機構12は、被処理体16の+y方向における端部(つまり、被処理体16の搬送方向と垂直な方向における端部)を保持している。   In this embodiment, as shown in FIG. 3, the holding mechanism 12 has a surface (upper surface) opposite to the surface (upper surface) irradiated with the laser light of the object to be processed 16, that is, the surface of the object 16 to float. The workpiece 16 is held by sucking the surface facing the unit 10. Further, the holding mechanism 12 holds the end of the workpiece 16 in the + y direction (that is, the end in the direction perpendicular to the transport direction of the workpiece 16).

搬送ユニット11が備える移動機構13は保持機構12と連結されている。移動機構13は、保持機構12を搬送方向(x方向)に移動可能に構成されている。搬送ユニット11(保持機構12及び移動機構13)は、浮上ユニット10の+y方向の端部側に設けられており、保持機構12で被処理体16を保持しつつ、移動機構13が搬送方向に移動することで被処理体16が搬送される。   The moving mechanism 13 included in the transport unit 11 is connected to the holding mechanism 12. The moving mechanism 13 is configured to be able to move the holding mechanism 12 in the transport direction (x direction). The transport unit 11 (the holding mechanism 12 and the moving mechanism 13) is provided on the + y-direction end side of the floating unit 10, and the moving mechanism 13 moves in the transport direction while holding the workpiece 16 by the holding mechanism 12. The to-be-processed object 16 is conveyed by moving.

図1に示すように、例えば、移動機構13は浮上ユニット10の+y方向の端部を+x方向に沿ってスライドするように構成されており、移動機構13が浮上ユニット10の端部を+x方向に沿ってスライドすることで、被処理体16がx方向に沿って搬送される。このとき、移動機構13の移動速度を制御することで、被処理体16の搬送速度を制御することができる。移動機構13は、例えば、図示しないモータなどのアクチュエータとリニアガイド機構やエアベアリング等を備えている。   As shown in FIG. 1, for example, the moving mechanism 13 is configured to slide along the + x direction end of the floating unit 10 along the + x direction, and the moving mechanism 13 moves the end of the floating unit 10 in the + x direction. , The workpiece 16 is transported along the x direction. At this time, the conveyance speed of the workpiece 16 can be controlled by controlling the movement speed of the movement mechanism 13. The moving mechanism 13 includes, for example, an actuator such as a motor (not shown), a linear guide mechanism, an air bearing, and the like.

図1、図2に示すように、被処理体16にはレーザ光15(以下、レーザ光の照射位置も符号15で示す)が照射される。例えば、レーザ照射装置はレーザアニール装置であり、この場合はレーザ発生装置14にエキシマレーザ等を用いることができる。レーザ発生装置14から供給されたレーザ光は、シリンドリカルレンズを有する光学系(不図示)においてライン状となる。被処理体16にはライン状、具体的には焦点がy方向に伸びるレーザ光15(ラインビーム)が照射される(図1参照)。換言すると、レーザ光15の被処理体16上における照射位置は被処理体16の搬送方向(x方向)と垂直な方向(y方向)に伸びている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the object 16 is irradiated with a laser beam 15 (hereinafter, a laser beam irradiation position is also indicated by reference numeral 15). For example, the laser irradiation apparatus is a laser annealing apparatus. In this case, an excimer laser or the like can be used for the laser generation apparatus 14. The laser beam supplied from the laser generator 14 becomes a line shape in an optical system (not shown) having a cylindrical lens. The object 16 is irradiated with a laser beam 15 (line beam) having a line shape, specifically, a focal point extending in the y direction (see FIG. 1). In other words, the irradiation position of the laser beam 15 on the workpiece 16 extends in a direction (y direction) perpendicular to the conveyance direction (x direction) of the workpiece 16.

被処理体16は、例えば、非晶質膜(アモルファスシリコン膜)が形成されたガラス基板である。非晶質膜にレーザ光15を照射してアニール処理することで、非晶質膜を結晶化させることができる。例えば、アモルファスシリコン膜を、多結晶シリコン膜(ポリシリコン膜)に変換することができる。   The object 16 is, for example, a glass substrate on which an amorphous film (amorphous silicon film) is formed. The amorphous film can be crystallized by irradiating the amorphous film with laser light 15 and annealing. For example, an amorphous silicon film can be converted into a polycrystalline silicon film (polysilicon film).

図1〜図3に示すレーザ照射装置1では、浮上ユニット10を用いて被処理体16を浮上させながら、搬送ユニット11を用いて被処理体16の下面を保持して、被処理体16を搬送方向に搬送している。このとき、レーザ照射装置1が備える搬送ユニット11は、被処理体16を搬送した際に、平面視において(つまりz方向からみて)、搬送ユニット11がレーザ照射位置15と重畳しない位置を保持して被処理体16を搬送している。つまり、図1に示すように、被処理体16を搬送方向に搬送した際に、搬送ユニット11が被処理体16を保持する位置(保持機構12の位置に対応)が、レーザ照射位置15と重畳しないようにしている。   In the laser irradiation apparatus 1 shown in FIGS. 1 to 3, the object 16 is held by using the transfer unit 11 while holding the lower surface of the object 16 while the object 16 is levitated by using the levitation unit 10. It is transported in the transport direction. At this time, the transport unit 11 included in the laser irradiation apparatus 1 holds a position where the transport unit 11 does not overlap the laser irradiation position 15 in plan view (that is, viewed from the z direction) when the workpiece 16 is transported. The workpiece 16 is conveyed. That is, as shown in FIG. 1, when the object 16 is conveyed in the conveyance direction, the position where the conveyance unit 11 holds the object 16 (corresponding to the position of the holding mechanism 12) is the laser irradiation position 15. I try not to overlap.

例えば、被処理体16の平面形状は4辺を有する四角形(矩形状)であり、搬送ユニット11(保持機構12)は、被処理体16の4辺中の1辺のみを保持している。そして、搬送ユニット11(保持機構12)は、被処理体16が搬送されている期間においてレーザ光が照射されない位置を保持している。   For example, the planar shape of the workpiece 16 is a quadrangle (rectangular shape) having four sides, and the transport unit 11 (holding mechanism 12) holds only one of the four sides of the workpiece 16. The transport unit 11 (holding mechanism 12) holds a position where the laser beam is not irradiated during the period in which the workpiece 16 is transported.

このような構成とすることで、搬送ユニット11が被処理体16を保持する位置(保持機構12の位置に対応)とレーザ照射位置15とを離間させることができる。よって、レーザ照射時における被処理体16のたわみの影響を低減させることができる。   With such a configuration, the position where the transport unit 11 holds the workpiece 16 (corresponding to the position of the holding mechanism 12) and the laser irradiation position 15 can be separated. Therefore, the influence of the deflection of the object 16 during laser irradiation can be reduced.

(多孔質体を用いた保持機構12)
保持機構12は、多孔質体を用いて、被処理体16を吸着することが好ましい。以下、多孔質体を用いた保持機構12の好適な一例について、図4〜図6を用いて説明する。図4は、保持機構12の構成を模式的に示す平面図であり、図5は、図4のV−V断面図である。図6は、被処理体16を吸着した状態を示す断面図である。また、図5、図6では、負圧を発生させるための構成を合わせて示している。保持機構12は、多孔質体151と、台座153と、継手141と、バルブ142と、レギュレータ143と、真空発生源144と、配管146〜148と、圧力計149と、を備えている。
(Holding mechanism 12 using porous body)
The holding mechanism 12 preferably uses a porous body to adsorb the object to be processed 16. Hereinafter, a suitable example of the holding mechanism 12 using a porous body will be described with reference to FIGS. 4 is a plan view schematically showing the configuration of the holding mechanism 12, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV of FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state where the workpiece 16 is adsorbed. 5 and 6 also show a configuration for generating a negative pressure. The holding mechanism 12 includes a porous body 151, a pedestal 153, a joint 141, a valve 142, a regulator 143, a vacuum generation source 144, pipes 146 to 148, and a pressure gauge 149.

図5に示すように、板状の台座153の上面に多孔質体151が貼り付けられている。台座153は、例えばアルミニウムやステンレスなどの金属製の板状部材である。台座153は、負圧空間155を形成するための凹部153aを有している。すなわち、多孔質体151の外周縁部分のみが台座153に固定されている。台座153と多孔質体151とで囲まれた空間が負圧空間155となる。さらに、台座153の底部には、負圧空間155に到達する吸引ポート156が形成されている。   As shown in FIG. 5, the porous body 151 is attached to the upper surface of the plate-like pedestal 153. The pedestal 153 is a plate member made of metal such as aluminum or stainless steel. The pedestal 153 has a recess 153 a for forming the negative pressure space 155. That is, only the outer peripheral edge portion of the porous body 151 is fixed to the pedestal 153. A space surrounded by the base 153 and the porous body 151 becomes a negative pressure space 155. Furthermore, a suction port 156 that reaches the negative pressure space 155 is formed at the bottom of the base 153.

なお、図5では、多孔質体151の外周縁部分のみが台座153に保持されているが、台座153が保持する箇所は、外周縁部分に限定されるものではない。台座153に流路となる溝を設けている場合、流路以外の部分で、台座153と多孔質体151とが固定される。この場合、流路が負圧空間となる。   In FIG. 5, only the outer peripheral edge portion of the porous body 151 is held by the pedestal 153, but the location held by the pedestal 153 is not limited to the outer peripheral edge portion. When a groove serving as a flow path is provided in the pedestal 153, the pedestal 153 and the porous body 151 are fixed at a portion other than the flow path. In this case, the flow path becomes a negative pressure space.

多孔質体151は、平板状に形成されており、上面151aと下面151bを有している。多孔質体151の上面151aが、被処理体16を吸着する吸着面となる。多孔質体151の下面151bが、負圧空間155と接する。多孔質体151の内部には、微細な気孔(すなわち細孔)が設けられている。よって、負圧空間155が負圧となると、多孔質体151の上面151aに配置された被処理体16が吸着される。また、被処理体16が多孔質体151の上にない場合、多孔質体151の上側のガス(空気)が細孔を通過して、負圧空間155に流入する。   The porous body 151 is formed in a flat plate shape, and has an upper surface 151a and a lower surface 151b. The upper surface 151 a of the porous body 151 is an adsorption surface that adsorbs the object 16 to be processed. The lower surface 151 b of the porous body 151 is in contact with the negative pressure space 155. Inside the porous body 151, fine pores (that is, pores) are provided. Therefore, when the negative pressure space 155 becomes negative pressure, the target object 16 disposed on the upper surface 151a of the porous body 151 is adsorbed. Further, when the object 16 is not on the porous body 151, the gas (air) on the upper side of the porous body 151 passes through the pores and flows into the negative pressure space 155.

さらに、多孔質体151は、貫通穴152を備えている。貫通穴152は、上面151aから下面151bに到達している。すなわち、z方向における貫通穴152の長さは、多孔質体151の厚みと同じとなっている。貫通穴152は、負圧空間155に到達している。なお、貫通穴152を設ける理由については後述する。多孔質体151は、例えば、アルミナセラミックスなどの多孔質セラミックスであることが好ましい。あるいは、多孔質体151として、多孔質カーボン、多孔質金属を用いることも可能である。   Further, the porous body 151 includes a through hole 152. The through hole 152 reaches the lower surface 151b from the upper surface 151a. That is, the length of the through hole 152 in the z direction is the same as the thickness of the porous body 151. The through hole 152 reaches the negative pressure space 155. The reason for providing the through hole 152 will be described later. The porous body 151 is preferably a porous ceramic such as alumina ceramic. Alternatively, as the porous body 151, porous carbon or porous metal can be used.

xy平面において、多孔質体151はx方向のサイズが280mmであり、y方向のサイズが10mmの矩形状になっている。また、多孔質体151の厚さは5mm程度となっている。多孔質体151は、接着剤で台座153に接着されている。あるいは、ボルトなどで、多孔質体151を台座に固定してもよい。xy平面において、貫通穴152は、直径1.5mmの円形となっている。また、ここでは、x方向に70mmピッチで3つの貫通穴152が形成されている。もちろん、多孔質体151のサイズ、貫通穴152のサイズや数は、上記の値に限定されるものではない。   In the xy plane, the porous body 151 has a rectangular shape with a size in the x direction of 280 mm and a size in the y direction of 10 mm. Moreover, the thickness of the porous body 151 is about 5 mm. The porous body 151 is bonded to the base 153 with an adhesive. Alternatively, the porous body 151 may be fixed to the pedestal with a bolt or the like. In the xy plane, the through hole 152 has a circular shape with a diameter of 1.5 mm. Here, three through holes 152 are formed at a pitch of 70 mm in the x direction. Of course, the size of the porous body 151 and the size and number of the through holes 152 are not limited to the above values.

台座153の吸引ポート156には継手141が接続されている。継手141は、例えばチーズユニオン等のT字継手である。継手141は、さらに、圧力計149と配管146とに接続されている。配管146はバルブ142と継手141とを接続している。バルブ142は、配管147を介して、レギュレータ143に接続されている。レギュレータ143は、配管148を介して、真空発生源144に接続されている。   A joint 141 is connected to the suction port 156 of the base 153. The joint 141 is a T-shaped joint such as a cheese union, for example. The joint 141 is further connected to a pressure gauge 149 and a pipe 146. The pipe 146 connects the valve 142 and the joint 141. The valve 142 is connected to the regulator 143 through the pipe 147. The regulator 143 is connected to the vacuum generation source 144 via the pipe 148.

真空発生源144は、真空ポンプやエジェクタなどの排気機構である。ここでは、真空発生源144として、到達圧−90kPa、吸込流量100l/minとなっている。なお、圧力は大気圧を0Paとするゲージ圧とする。真空発生源144は、配管148、レギュレータ143、配管147、バルブ142、配管146、継手141、吸引ポート156を介して、負圧空間155に連通している。よって、真空発生源144は、負圧空間155を負圧とするため、負圧空間155内のガスを排気する。レギュレータ143は、真空発生源144の排気量を制御して、負圧空間155の圧力を調整する。例えば、レギュレータ143の設定圧力は、−50kPaに設定されている。   The vacuum generation source 144 is an exhaust mechanism such as a vacuum pump or an ejector. Here, as the vacuum generation source 144, the ultimate pressure is -90 kPa, and the suction flow rate is 100 l / min. Note that the pressure is a gauge pressure in which the atmospheric pressure is 0 Pa. The vacuum generation source 144 communicates with the negative pressure space 155 through the pipe 148, the regulator 143, the pipe 147, the valve 142, the pipe 146, the joint 141, and the suction port 156. Therefore, the vacuum generation source 144 exhausts the gas in the negative pressure space 155 in order to set the negative pressure space 155 to a negative pressure. The regulator 143 adjusts the pressure in the negative pressure space 155 by controlling the exhaust amount of the vacuum generation source 144. For example, the set pressure of the regulator 143 is set to −50 kPa.

バルブ142は、例えば、制御信号によって開閉制御されるエアオペレートバルブである。バルブ142が開くと、真空発生源144が負圧空間155を排気するため、被処理体16が吸着される。バルブ142が閉じると、負圧空間155の排気が停止される。そして、多孔質体151を介して、ガスが負圧空間155に流入するため、被処理体16の吸着が解除される。   The valve 142 is, for example, an air operated valve that is controlled to open and close by a control signal. When the valve 142 is opened, the vacuum generation source 144 evacuates the negative pressure space 155, so that the workpiece 16 is adsorbed. When the valve 142 is closed, the exhaust of the negative pressure space 155 is stopped. Then, since the gas flows into the negative pressure space 155 through the porous body 151, the adsorption of the workpiece 16 is released.

圧力計149は、継手141を介して負圧空間155と連通している。したがって、圧力計149は、負圧空間155の圧力を測定する。なお、圧力計149を取り付ける位置は、負圧空間155の圧力を測定することができる位置であれば特に限定されるものではない。例えば、台座153には、圧力計149を取り付けるポートを別途設けてもよい。圧力計149の圧力によって、被処理体16が吸着されているか否かの判定が行われる。具体的には、圧力計149で測定された圧力値としきい値を比較することで、吸着が完了したか否かの判定が行われる。この吸着判定処理については後述する。   The pressure gauge 149 communicates with the negative pressure space 155 through the joint 141. Therefore, the pressure gauge 149 measures the pressure in the negative pressure space 155. The position where the pressure gauge 149 is attached is not particularly limited as long as the pressure gauge 149 can be measured at the position where the pressure in the negative pressure space 155 can be measured. For example, the pedestal 153 may be separately provided with a port for attaching the pressure gauge 149. The pressure of the pressure gauge 149 determines whether or not the workpiece 16 is adsorbed. Specifically, it is determined whether or not the adsorption is completed by comparing the pressure value measured by the pressure gauge 149 with a threshold value. This adsorption determination process will be described later.

図6に被処理体16を吸着した状態の保持機構12を示す。多孔質体151の上には、被処理体16が載置されている。すなわち、多孔質体151の上面151aが、被処理体16の下面と当接している。上記のように、真空発生源144が負圧空間155を負圧とする。よって、多孔質体151を介して、被処理体16を吸着することが可能になる。   FIG. 6 shows the holding mechanism 12 in a state where the workpiece 16 is adsorbed. An object to be processed 16 is placed on the porous body 151. That is, the upper surface 151 a of the porous body 151 is in contact with the lower surface of the object 16 to be processed. As described above, the vacuum generation source 144 sets the negative pressure space 155 to a negative pressure. Therefore, the object 16 can be adsorbed through the porous body 151.

ここで、貫通穴152は、被処理体16の直下に配置されている。換言すると、被処理体16で覆われる位置に貫通穴152が形成されている。よって、吸着時には、貫通穴152が被処理体16で塞がれるため、貫通穴152を介して、エアが負圧空間155に流入されない。これにより、保持機構12が、被処理体16を確実に吸着することができる。   Here, the through hole 152 is disposed immediately below the workpiece 16. In other words, the through hole 152 is formed at a position covered with the workpiece 16. Accordingly, during suction, the through hole 152 is blocked by the workpiece 16, so that air does not flow into the negative pressure space 155 through the through hole 152. Thereby, the holding mechanism 12 can adsorb | suck the to-be-processed object 16 reliably.

また、多孔質体151に貫通穴152を形成することで、吸着判定を確実に行うことができる。この理由について説明するため、貫通穴152を形成していない多孔質体151を用いた変形例1を、図7、図8に示す。図7、図8に示す変形例1では、多孔質体151に貫通穴152が形成されていない点以外は、図4〜図6に示す保持機構12と同様の構成となっている。図7では、多孔質体151上に被処理体16が配置されていない状態を示し、図8は多孔質体151上に被処理体16が配置されている状態を示している。   Further, by forming the through hole 152 in the porous body 151, it is possible to reliably perform the adsorption determination. In order to explain the reason, FIG. 7 and FIG. 8 show Modification 1 using the porous body 151 in which the through hole 152 is not formed. 7 and FIG. 8 has the same configuration as the holding mechanism 12 shown in FIGS. 4 to 6 except that the through hole 152 is not formed in the porous body 151. 7 shows a state in which the object to be processed 16 is not arranged on the porous body 151, and FIG. 8 shows a state in which the object to be processed 16 is arranged on the porous body 151.

多孔質体151上に被処理体16が配置されていない場合、図7の矢印のように、多孔質体151の上面全体からエアが負圧空間155に流入する。一方、多孔質体151上に被処理体16が配置されている場合、図8の矢印のように、多孔質体151の外周部のみからエアが負圧空間155に流入する。   When the workpiece 16 is not disposed on the porous body 151, air flows into the negative pressure space 155 from the entire upper surface of the porous body 151 as indicated by the arrow in FIG. 7. On the other hand, when the object 16 is disposed on the porous body 151, air flows into the negative pressure space 155 only from the outer peripheral portion of the porous body 151 as indicated by the arrow in FIG. 8.

具体的には、図9に示すように、被処理体16の端部では、被処理体16と多孔質体151との間に隙間が生じる。したがって、被処理体16と多孔質体151の隙間からガスが流入する。   Specifically, as shown in FIG. 9, a gap is generated between the object to be processed 16 and the porous body 151 at the end of the object to be processed 16. Therefore, gas flows from the gap between the object 16 and the porous body 151.

ここで、多孔質体151の気孔率、気孔径、厚さなどを変えることで、ガスの流入に対する抵抗を大きくすることができる。多孔質体151の抵抗を大きくすると、図10に示すように多孔質体151の一部にしか被処理体16が載置されていない状態であっても、十分な吸着力を得ることができる。多孔質体151の抵抗が大きい場合、真空発生源144による吸引流量が、多孔質体151からの流入流量より十分に大きくなる。よって、多孔質体151を介して負圧空間155にガスが流入したとしても、負圧空間155の圧力を真空に保つことが可能となる。   Here, by changing the porosity, pore diameter, thickness, and the like of the porous body 151, the resistance to gas inflow can be increased. When the resistance of the porous body 151 is increased, a sufficient adsorbing force can be obtained even when the object to be processed 16 is placed only on a part of the porous body 151 as shown in FIG. . When the resistance of the porous body 151 is large, the suction flow rate by the vacuum generation source 144 is sufficiently larger than the inflow flow rate from the porous body 151. Therefore, even if gas flows into the negative pressure space 155 through the porous body 151, the pressure in the negative pressure space 155 can be kept in vacuum.

しかしながら、小さいサイズの多孔質体151を用いた場合、多孔質体151の抵抗が大きいと、吸着前後における負圧空間155の圧力の差が小さくなってしまう。あるいは、図10に示すように、多孔質体151に対して小さい被処理体16を吸着する場合、多孔質体151の抵抗が大きいと、吸着前後における負圧空間155の圧力の差が小さくなってしまう。   However, when the porous body 151 having a small size is used, if the resistance of the porous body 151 is large, the difference in the pressure in the negative pressure space 155 before and after the adsorption becomes small. Alternatively, as shown in FIG. 10, when the small object 16 is adsorbed to the porous body 151, if the resistance of the porous body 151 is large, the difference in the pressure of the negative pressure space 155 before and after the adsorption becomes small. End up.

以下、多孔質体151を介して、負圧空間155に流入するガスの流量について説明する。図7に示すように、多孔質体151上に被処理体16が載っていない場合、多孔質体151の上面151a全体からエアが負圧空間155に流入する。一方、多孔質体151上に被処理体16が載っている場合、図8、図9に示すように、多孔質体151の外周部からガスが負圧空間155に流入する。本実施の形態では、保持機構12が被処理体16の一部を吸着するため、多孔質体151が小型となっている。具体的な一例では、x方向のサイズが280mmでy方向のサイズが10mmである小型の多孔質体151が用いられている。この場合、被処理体16の有無に応じて、多孔質体151を介して負圧空間155に流入するガス流量の差が小さくなる。   Hereinafter, the flow rate of the gas flowing into the negative pressure space 155 through the porous body 151 will be described. As shown in FIG. 7, when the object 16 is not placed on the porous body 151, air flows into the negative pressure space 155 from the entire upper surface 151 a of the porous body 151. On the other hand, when the object 16 is placed on the porous body 151, as shown in FIGS. 8 and 9, the gas flows into the negative pressure space 155 from the outer periphery of the porous body 151. In the present embodiment, since the holding mechanism 12 adsorbs a part of the workpiece 16, the porous body 151 is small. In a specific example, a small porous body 151 having a size in the x direction of 280 mm and a size in the y direction of 10 mm is used. In this case, the difference in the flow rate of gas flowing into the negative pressure space 155 through the porous body 151 is reduced depending on the presence or absence of the object 16 to be processed.

なお、具体的な一例として、x方向のサイズが1850mmでy方向のサイズが1500mmの被処理体16を保持する場合を説明する。この具体例では、x方向のサイズが280mmでy方向のサイズが10mmの多孔質体151を有する保持機構12を6個用意する。そして、6個の保持機構12を被処理体16の1850mmの1辺に沿って1列に並べて、被処理体16の端部を保持する。もちろん、被処理体16のサイズ等に応じて、多孔質体151のサイズや数を変えることができる。   As a specific example, a case will be described in which the workpiece 16 having a size in the x direction of 1850 mm and a size in the y direction of 1500 mm is held. In this specific example, six holding mechanisms 12 having a porous body 151 having a size in the x direction of 280 mm and a size in the y direction of 10 mm are prepared. Then, the six holding mechanisms 12 are arranged in a line along one side of 1850 mm of the workpiece 16 to hold the end portion of the workpiece 16. Of course, the size and number of the porous bodies 151 can be changed according to the size of the object 16 to be processed.

例えば、被処理体16が多孔質体151の上に載せられている状態では、図11に示すように多孔質体151の外周縁から3mmまでの矩形枠状の流入領域1511からガスが流入しているとする(図9を合わせて参照)。この場合、矩形枠状の流入領域1511の内側にある矩形状の非流入領域1512からは、ガスが流入しない。   For example, in a state where the object to be processed 16 is placed on the porous body 151, the gas flows in from a rectangular frame-shaped inflow region 1511 extending from the outer peripheral edge of the porous body 151 to 3 mm as shown in FIG. (See also FIG. 9). In this case, gas does not flow in from the rectangular non-inflow region 1512 inside the rectangular frame-shaped inflow region 1511.

上記の具体例において、xy平面における1つの多孔質体151の面積は、2800mm(280mm×10mm)である。1つの多孔質体151における非流入領域1512の面積は、幅3mmの矩形枠を除いた部分であるため、1096mm(=274mm×4mm)となる。したがって、1つの多孔質体151における流入領域1511の面積は、1704mm(=2800mm−1096mm)となる。換言すると、被処理体16を多孔質体151の上に配置されていたとしても、多孔質体151の面積の約60%からガスが流入してしまう。 In the above specific example, the area of one porous body 151 in the xy plane is 2800 mm 2 (280 mm × 10 mm). Since the area of the non-inflow region 1512 in one porous body 151 is a portion excluding a rectangular frame having a width of 3 mm, it is 1096 mm 2 (= 274 mm × 4 mm). Therefore, the area of the inflow region 1511 in one of the porous body 151 becomes 1704mm 2 (= 2800mm 2 -1096mm 2 ). In other words, even if the target object 16 is disposed on the porous body 151, gas flows from about 60% of the area of the porous body 151.

したがって、被処理体16の有無による圧力差の検知が困難になる。例えば、図7に示すように、多孔質体151の上に被処理体16が配置されていない状態では、圧力計149で測定された負圧空間155の圧力は−25kPaとなる。一方、図8に示すように、多孔質体151の上に被処理体16が配置されている状態では、圧力計149で測定された負圧空間155の圧力は−28kPaとなる。よって、被処理体16の有無による負圧空間155の圧力差が3kPaしかない。   Therefore, it becomes difficult to detect the pressure difference due to the presence or absence of the workpiece 16. For example, as shown in FIG. 7, in a state where the object 16 is not disposed on the porous body 151, the pressure in the negative pressure space 155 measured by the pressure gauge 149 is −25 kPa. On the other hand, as shown in FIG. 8, in the state where the object 16 is disposed on the porous body 151, the pressure in the negative pressure space 155 measured by the pressure gauge 149 is −28 kPa. Therefore, the pressure difference in the negative pressure space 155 due to the presence or absence of the workpiece 16 is only 3 kPa.

一方、本実施の形態のように、多孔質体151に貫通穴152が設けられている場合、貫通穴152を介して負圧空間155が外部と連通する。したがって、被処理体16のない場合、負圧空間155がほぼ大気圧、つまり0kPaに近くなる。一方、貫通穴152は、多孔質体151の外周縁の近くには形成されていない。換言すると、全ての貫通穴152が図11で示した非流入領域1512に設けられており、流入領域1511には貫通穴152が設けられていない。このため、多孔質体151の上に被処理体16が配置されている状態では、貫通穴152が被処理体16で塞がれる。したがって、図6に示すように、多孔質体151の上に被処理体16が配置されている状態では、圧力計149で測定された負圧空間155の圧力は−28kPaとなる。よって、被処理体16の有無による負圧空間155の圧力差が28kPaとなる。   On the other hand, when the through hole 152 is provided in the porous body 151 as in the present embodiment, the negative pressure space 155 communicates with the outside through the through hole 152. Therefore, in the absence of the object 16 to be processed, the negative pressure space 155 becomes almost atmospheric pressure, that is, close to 0 kPa. On the other hand, the through hole 152 is not formed near the outer peripheral edge of the porous body 151. In other words, all the through holes 152 are provided in the non-inflow region 1512 illustrated in FIG. 11, and no through hole 152 is provided in the inflow region 1511. For this reason, in the state where the object to be processed 16 is disposed on the porous body 151, the through hole 152 is blocked by the object to be processed 16. Therefore, as shown in FIG. 6, in the state where the object 16 is disposed on the porous body 151, the pressure in the negative pressure space 155 measured by the pressure gauge 149 is −28 kPa. Therefore, the pressure difference in the negative pressure space 155 depending on the presence or absence of the workpiece 16 is 28 kPa.

このようにすることで、吸着判定を確実に行うことができる。すなわち、圧力計149で測定された圧力値に応じて吸着検知を適切に行うことができる。例えば、圧力計149で測定された圧力値としきい値とを比較して、比較結果に応じて吸着が完了したか否かを判定することができる。すなわち、非吸着時の負圧空間155の圧力はほぼ大気圧となり、吸着時の負圧空間155の圧力は真空となる。このように、被処理体16の有無に応じた圧力差が大きいため、吸着/非吸着の判断が容易になる。   By doing in this way, adsorption | suction determination can be performed reliably. That is, the adsorption detection can be appropriately performed according to the pressure value measured by the pressure gauge 149. For example, the pressure value measured by the pressure gauge 149 can be compared with a threshold value, and it can be determined whether the adsorption has been completed according to the comparison result. That is, the pressure in the negative pressure space 155 at the time of non-adsorption is almost atmospheric pressure, and the pressure of the negative pressure space 155 at the time of adsorption is a vacuum. Thus, since the pressure difference according to the presence / absence of the workpiece 16 is large, the determination of adsorption / non-adsorption becomes easy.

上記の観点から、貫通穴152は、多孔質体151の外周縁の近傍に形成しないことが好ましい。本実施の形態では、全ての貫通穴152を多孔質体151の周縁部を除いた中央部に形成している。   From the above viewpoint, it is preferable that the through hole 152 is not formed in the vicinity of the outer peripheral edge of the porous body 151. In the present embodiment, all the through holes 152 are formed in the central part excluding the peripheral part of the porous body 151.

そして、被処理体16の吸着が完了したと判定された場合に、移動機構13が保持機構12を移動させる(図1等を参照)。すなわち、被処理体16の吸着検知を被処理体16の搬送開始のトリガーとすることができる。以下、被処理体16の吸着判定と、移動機構13の動作を行うための制御系について図12を用いて説明する。   And when it determines with adsorption | suction of the to-be-processed object 16 having been completed, the moving mechanism 13 moves the holding mechanism 12 (refer FIG. 1 etc.). That is, the adsorption detection of the workpiece 16 can be used as a trigger for starting the conveyance of the workpiece 16. Hereinafter, a control system for performing the suction determination of the workpiece 16 and the operation of the moving mechanism 13 will be described with reference to FIG.

レーザ照射装置1は、A/Dコンバータ52と、制御部53と、モータドライバ56と、モーションコントローラ54と、モータ57とを備えている。モータ57は、移動機構13に設けられたアクチュエータであり、保持機構12を搬送方向(図1の+x方向)に移動させる。モータドライバ56はモータ57を駆動する。また、レーザ照射装置1は、上記した搬送ユニット11、保持機構12、移動機構13、浮上ユニット10等を備えている。   The laser irradiation apparatus 1 includes an A / D converter 52, a control unit 53, a motor driver 56, a motion controller 54, and a motor 57. The motor 57 is an actuator provided in the moving mechanism 13 and moves the holding mechanism 12 in the transport direction (+ x direction in FIG. 1). The motor driver 56 drives the motor 57. Further, the laser irradiation apparatus 1 includes the above-described transport unit 11, a holding mechanism 12, a moving mechanism 13, a floating unit 10, and the like.

圧力計149は、負圧空間155の圧力を測定して、測定圧力に応じた測定信号をA/Dコンバータ52に出力する。A/Dコンバータ52はアナログの測定信号をA/D変換する。そして、A/Dコンバータ52はデジタルの測定信号を制御部53に出力する。制御部53は、CPUやメモリ等を備える演算処理装置である。また、制御部53は、レーザ照射装置1に設けられた各機器(例えば、バルブ142、モータ、シリンダ等の各種アクチュエータ、レーザ発生装置14等)を制御している。   The pressure gauge 149 measures the pressure in the negative pressure space 155 and outputs a measurement signal corresponding to the measured pressure to the A / D converter 52. The A / D converter 52 A / D converts an analog measurement signal. Then, the A / D converter 52 outputs a digital measurement signal to the control unit 53. The control unit 53 is an arithmetic processing device that includes a CPU, a memory, and the like. The control unit 53 controls each device provided in the laser irradiation apparatus 1 (for example, various actuators such as a valve 142, a motor and a cylinder, the laser generator 14 and the like).

制御部53は、予め設定されたしきい値と測定信号の値(測定圧力)を比較することで、吸着判定を行う。すなわち、制御部53は、測定圧力がしきい値よりも低い場合、吸着が完了した判定する。制御部53は、測定圧力がしきい値以上の場合、吸着が完了していない判定する。このように制御部53は、吸着判定を行う判定部となる。   The control unit 53 performs adsorption determination by comparing a preset threshold value with the value of the measurement signal (measurement pressure). That is, the control unit 53 determines that the adsorption has been completed when the measured pressure is lower than the threshold value. The control unit 53 determines that the adsorption has not been completed when the measured pressure is equal to or greater than the threshold value. In this way, the control unit 53 serves as a determination unit that performs adsorption determination.

制御部53は、吸着判定の結果に応じた動作指令をモーションコントローラ54に出力する。すなわち、吸着が完了した判定された場合、制御部53は、動作指令をモーションコントローラ54に出力する。動作指令が移動開始のトリガーとなっているため、移動機構13による移動が開始する。   The controller 53 outputs an operation command corresponding to the result of the suction determination to the motion controller 54. That is, when it is determined that the suction has been completed, the control unit 53 outputs an operation command to the motion controller 54. Since the operation command is a trigger for starting movement, movement by the moving mechanism 13 starts.

具体的には、モーションコントローラ54がパルス又は通信により、制御信号をモータドライバ56に出力する。これにより、モータドライバ56は、制御信号に応じた駆動信号をモータ57に出力する。よって、移動機構13のモータ57が+x方向に保持機構12を移動させる。保持機構12に保持された被処理体16が+x方向に搬送される。   Specifically, the motion controller 54 outputs a control signal to the motor driver 56 by pulse or communication. As a result, the motor driver 56 outputs a drive signal corresponding to the control signal to the motor 57. Therefore, the motor 57 of the moving mechanism 13 moves the holding mechanism 12 in the + x direction. The workpiece 16 held by the holding mechanism 12 is conveyed in the + x direction.

また、モータ57のエンコーダからは、モータドライバ56にエンコーダ値が出力されている。モータドライバ56は、エンコーダ値に応じたフィードバック信号をモーションコントローラ54に出力する。そして、モーションコントローラ54は、フィードバック信号に応じたフィードバック制御を行う。これにより、被処理体66が所定の搬送速度で、所定の搬送距離だけ+x方向に搬送される。   The encoder value of the motor 57 is output to the motor driver 56. The motor driver 56 outputs a feedback signal corresponding to the encoder value to the motion controller 54. The motion controller 54 performs feedback control according to the feedback signal. As a result, the workpiece 66 is transported in the + x direction by a predetermined transport distance at a predetermined transport speed.

次に、図13を用いて、被処理体16を吸着して、搬送する処理について説明する。図13は、被処理体16を吸着して、搬送する処理を示すフローチャートである。   Next, a process for attracting and transporting the workpiece 16 will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a flowchart showing a process for attracting and transporting the workpiece 16.

まず、保持機構12が上昇する(S11)。すなわち、被処理体16の下方に配置された保持機構12が被処理体16と当接する位置まで、+z方向に移動する。そして、保持機構12による吸着をオンする(S12)。具体的には、制御部53は、図4等に示すバルブ142を開く。これにより、負圧空間155が排気され、負圧となる。次に、吸着が完了したか否かの判定を制御部53が行う(S13)。すなわち、制御部53が圧力計149の測定値としきい値とを比較して、比較結果に応じて吸着判定を行う。吸着が完了していないと判定された場合(S13のNO)、吸着が完了するまでS13の吸着判定を繰り返す。すなわち、負圧空間155の圧力がしきい値以上の場合、負圧空間155の圧力がしきい値未満になるまで搬送を待機する。   First, the holding mechanism 12 is raised (S11). That is, the holding mechanism 12 disposed below the object to be processed 16 moves in the + z direction to a position where the holding mechanism 12 contacts the object to be processed 16. Then, the suction by the holding mechanism 12 is turned on (S12). Specifically, the control unit 53 opens the valve 142 shown in FIG. Thereby, the negative pressure space 155 is exhausted and becomes a negative pressure. Next, the control part 53 determines whether adsorption | suction was completed (S13). That is, the control unit 53 compares the measured value of the pressure gauge 149 with a threshold value, and performs adsorption determination according to the comparison result. When it is determined that the adsorption is not completed (NO in S13), the adsorption determination in S13 is repeated until the adsorption is completed. That is, when the pressure in the negative pressure space 155 is equal to or higher than the threshold value, the conveyance is waited until the pressure in the negative pressure space 155 becomes less than the threshold value.

吸着が完了したと判定された場合(S13のYES)、被処理体16を搬送する(S14)。すなわち、負圧空間155の圧力がしきい値よりも低くなった場合、移動機構13のモータ57が動作を開始する。これにより、保持機構12に保持された被処理体16が+x方向に搬送される。   When it is determined that the suction has been completed (YES in S13), the workpiece 16 is transported (S14). That is, when the pressure in the negative pressure space 155 becomes lower than the threshold value, the motor 57 of the moving mechanism 13 starts operating. Thereby, the workpiece 16 held by the holding mechanism 12 is conveyed in the + x direction.

次に、被処理体16の吸着を解除する処理について、図14を用いて説明する。図14は、吸着解除の処理を示すフローチャートである。   Next, a process for releasing the suction of the workpiece 16 will be described with reference to FIG. FIG. 14 is a flowchart showing the suction release processing.

まず、被処理体16の吸着をオフ(解除)する(S21)。具体的には、制御部53は、図4等に示すバルブ142を閉じると、負圧空間155の圧力が上昇する。次に、吸着の解除が完了したか否かの判定を制御部53が行う(S22)。すなわち、制御部53が圧力計149の測定値としきい値とを比較して、比較結果に応じて吸着解除の判定を行う。吸着解除が完了していないと判定された場合(S22のNO)、吸着解除が完了するまでS22の吸着判定を繰り返す。すなわち、負圧空間155の圧力がしきい値未満の場合、負圧空間155の圧力がしきい値以上になるまで待機する。   First, the suction of the workpiece 16 is turned off (released) (S21). Specifically, when the control unit 53 closes the valve 142 shown in FIG. 4 and the like, the pressure in the negative pressure space 155 increases. Next, the control part 53 determines whether the cancellation | release of adsorption | suction was completed (S22). That is, the control unit 53 compares the measurement value of the pressure gauge 149 with the threshold value, and determines whether to release the adsorption according to the comparison result. If it is determined that the suction release has not been completed (NO in S22), the suction determination in S22 is repeated until the suction release is completed. That is, when the pressure in the negative pressure space 155 is less than the threshold value, the process waits until the pressure in the negative pressure space 155 becomes equal to or higher than the threshold value.

吸着解除が完了したと判定された場合(S22のYES)、保持機構12が下降する(S23)。すなわち、被処理体16と当接していた保持機構12が被処理体16と離れる位置まで−z方向に移動する。これにより、吸着解除の処理が終了する。   When it is determined that the suction release has been completed (YES in S22), the holding mechanism 12 is lowered (S23). That is, the holding mechanism 12 that has been in contact with the object to be processed 16 moves in the −z direction to a position away from the object to be processed 16. Thereby, the suction release processing is completed.

このように、本実施の形態では、圧力計149が測定した圧力に応じて、吸着判定、及び吸着解除判定を行っている。すなわち、圧力測定値としきい値とを比較することで、保持機構12が被処理体16を吸着しているか否かの判定が行われる。このようにすることで、吸着されているかを適切かつ迅速に判定することができる。特に、本実施の形態にかかる保持機構12では、多孔質体151に貫通穴152が設けられている。このため、被処理体66の有無によって、負圧空間155の圧力差が大きくなる。よって、圧力判定を適切かつ迅速に行う事ができる。   As described above, in the present embodiment, the adsorption determination and the adsorption release determination are performed according to the pressure measured by the pressure gauge 149. That is, it is determined whether the holding mechanism 12 is adsorbing the workpiece 16 by comparing the pressure measurement value with the threshold value. By doing in this way, it can be determined appropriately and rapidly whether it is adsorbed. In particular, in the holding mechanism 12 according to the present embodiment, the through hole 152 is provided in the porous body 151. For this reason, the pressure difference of the negative pressure space 155 increases depending on the presence or absence of the object 66. Therefore, pressure determination can be performed appropriately and quickly.

保持機構12が被処理体16を吸着したと制御部53が判定した後、移動機構13が移動を開始する。保持機構12が被処理体16を吸着していないと制御部53が判定した後、保持機構12が昇降する。これにより、搬送ユニット11の動作を迅速に行うことができるため、タクトタイムを短縮することができる。さらに、吸着が完了する前に、保持機構12が移動することを防ぐことができる。   After the control unit 53 determines that the holding mechanism 12 has sucked the workpiece 16, the moving mechanism 13 starts moving. After the control unit 53 determines that the holding mechanism 12 is not adsorbing the workpiece 16, the holding mechanism 12 moves up and down. Thereby, since operation | movement of the conveyance unit 11 can be performed rapidly, tact time can be shortened. Furthermore, it is possible to prevent the holding mechanism 12 from moving before the adsorption is completed.

実施の形態2.
本実施の形態2にかかるレーザ照射装置2について図15、図16を用いて説明する。図15は、レーザ照射装置2の主要部分の構成を示す斜視図である。図16は、レーザ照射装置2の主要部分の構成を示すxy平面図である。なお、実施の形態1と重複する構成については適宜説明を省略する。例えば、搬送ユニット61_1〜61_4、保持機構62_1〜62_4、移動機構63_1〜63_4の基本的な構成については、実施の形態1に示した搬送ユニット11、保持機構12、移動機構13と同様であるため、適宜説明を省略する。さらには、図12で示した制御系を用いて、図13、図14に示す処理を行うことが可能である。また、本実施の形態においても、実施の形態1と同様にレーザ発生装置からのレーザ光65を被処理体66に照射することで、アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変換している。
Embodiment 2. FIG.
The laser irradiation apparatus 2 concerning this Embodiment 2 is demonstrated using FIG. 15, FIG. FIG. 15 is a perspective view showing the configuration of the main part of the laser irradiation apparatus 2. FIG. 16 is an xy plan view showing the configuration of the main part of the laser irradiation apparatus 2. Note that the description of the same components as those in Embodiment 1 is omitted as appropriate. For example, the basic configurations of the transport units 61_1 to 61_4, the holding mechanisms 62_1 to 62_4, and the moving mechanisms 63_1 to 63_4 are the same as those of the transport unit 11, the holding mechanism 12, and the moving mechanism 13 described in the first embodiment. The description will be omitted as appropriate. Furthermore, the processing shown in FIGS. 13 and 14 can be performed using the control system shown in FIG. Also in the present embodiment, the amorphous silicon film is converted into a polysilicon film by irradiating the object 66 with the laser beam 65 from the laser generator as in the first embodiment.

浮上ユニット60は、浮上ユニット60の表面からガスを噴出するように構成されており、浮上ユニット60の表面から噴出されたガスが被処理体66の下面に吹き付けられることで、被処理体66が浮上する。浮上ユニット60は架台400の上に配置されている。   The levitation unit 60 is configured to eject gas from the surface of the levitation unit 60. The gas ejected from the surface of the levitation unit 60 is blown onto the lower surface of the object to be processed 66, so that the object to be processed 66 is Surface. The levitation unit 60 is disposed on the gantry 400.

また、xy平面視において矩形状の浮上ユニット60が6つの領域60a〜60fに分割されている。具体的には、浮上ユニット60が第1の領域60a〜第4の領域60dと、照射領域60eと、モニタ領域60fとを備えている。第1の領域60aは、‐x側かつ+y側の角(図16における左上角)を含む矩形状の領域である。第2の領域60bは、+x側かつ+y側の角(図16における右上角)を含む矩形状の領域である。第3の領域60cは、+x側かつ‐y側の角(図16における右下角)を含む矩形状の領域である。第4の領域60dは、‐x側かつ‐y側の角(図16における左下角)を含む矩形状の領域である。   Moreover, the rectangular floating unit 60 in the xy plan view is divided into six regions 60a to 60f. Specifically, the levitation unit 60 includes a first region 60a to a fourth region 60d, an irradiation region 60e, and a monitor region 60f. The first region 60a is a rectangular region including a −x side and + y side corner (upper left corner in FIG. 16). The second region 60b is a rectangular region including the + x side and + y side corners (upper right corner in FIG. 16). The third region 60c is a rectangular region including a + x side and −y side corner (lower right corner in FIG. 16). The fourth region 60d is a rectangular region including a corner on the −x side and a −y side (lower left corner in FIG. 16).

照射領域60eは、第1の領域60aと第2の領域60bとの間に配置されている。照射領域60eは、レーザ光が照射される領域である。すなわち、照射領域60eにレーザ照射位置65が含まれている。モニタ領域60fは、第3の領域60cと第4の領域60dとの間に配置されている。したがって、浮上ユニット60の+y側の半分の領域(図16の上半分の領域)は、−x側(図16の左側)から順に、第1の領域60a、照射領域60e、第2の領域60bとなっている。浮上ユニット60の‐y側の半分の領域(図16の下半分の領域)は、+x側から順に、第3の領域60c、モニタ領域60f、第4の領域60dとなっている。   The irradiation region 60e is disposed between the first region 60a and the second region 60b. The irradiation region 60e is a region irradiated with laser light. That is, the laser irradiation position 65 is included in the irradiation region 60e. The monitor area 60f is disposed between the third area 60c and the fourth area 60d. Therefore, the + y side half area (the upper half area in FIG. 16) of the levitating unit 60 is in order from the −x side (left side in FIG. 16), the first area 60a, the irradiation area 60e, and the second area 60b. It has become. A half region (lower half region in FIG. 16) on the −y side of the levitation unit 60 is a third region 60c, a monitor region 60f, and a fourth region 60d in order from the + x side.

xy平面視において、第1の領域60a〜第4の領域60dはほぼ同じ面積となっていてもよい。xy平面視において、照射領域60eと、モニタ領域60fとは、ほぼ同じ面積の矩形状となっていてもよい。この場合、第1の領域60aと第4の領域60dがy方向に並んで配置されている。第2の領域60bと第4の領域60dがy方向に並んで配置されている。照射領域60eとモニタ領域60fがy方向に並んで配置されている。   In the xy plan view, the first region 60a to the fourth region 60d may have substantially the same area. In the xy plan view, the irradiation region 60e and the monitor region 60f may have a rectangular shape with substantially the same area. In this case, the first region 60a and the fourth region 60d are arranged side by side in the y direction. The second region 60b and the fourth region 60d are arranged side by side in the y direction. An irradiation area 60e and a monitor area 60f are arranged side by side in the y direction.

また、第1の領域60aにはアライメント機構69が設けられている。第4の領域60dには、回転機構68が設けられている。さらに、第4の領域60dの外側には、補助浮上ユニット67が設けられている。補助浮上ユニット67は、第4の領域60dの−y側と−x側にそれぞれ配置されている。回転機構68、アライメント機構69、及び補助浮上ユニット67の動作については後述する。   An alignment mechanism 69 is provided in the first region 60a. A rotation mechanism 68 is provided in the fourth region 60d. Further, an auxiliary levitation unit 67 is provided outside the fourth region 60d. The auxiliary levitation units 67 are respectively disposed on the −y side and the −x side of the fourth region 60d. The operations of the rotation mechanism 68, the alignment mechanism 69, and the auxiliary levitation unit 67 will be described later.

被処理体66は、第1の領域60a〜第4の領域60dを順次搬送される。すなわち、被処理体66は、第1の領域60aから+x方向に搬送されると、照射領域60eを通過して、第2の領域60bまで移動する。照射領域60eを通過する際に、被処理体66にレーザ光が照射される。被処理体66は第2の領域60bから‐y方向に搬送されると、第3の領域60cまで移動する。   The object 66 is sequentially conveyed through the first region 60a to the fourth region 60d. That is, when the object 66 is conveyed in the + x direction from the first area 60a, the object 66 passes through the irradiation area 60e and moves to the second area 60b. When passing through the irradiation region 60e, the workpiece 66 is irradiated with laser light. When the object 66 is conveyed in the −y direction from the second region 60b, the object 66 moves to the third region 60c.

被処理体66が第3の領域60cから‐x方向に搬送されると、モニタ領域60fを通過して、第4の領域60dに移動する。モニタ領域60fでは、レーザ光の照射ムラをモニタする。照射ムラのモニタについては後述する。被処理体66が第4の領域60dから+y方向に搬送されると、第1の領域60aに移動する。   When the workpiece 66 is transported from the third region 60c in the −x direction, it passes through the monitor region 60f and moves to the fourth region 60d. In the monitor area 60f, the laser beam irradiation unevenness is monitored. The irradiation unevenness monitor will be described later. When the workpiece 66 is transported from the fourth region 60d in the + y direction, it moves to the first region 60a.

このように、被処理体66は、+x方向、−y方向、−x方向、+y方向と方向を変えて搬送されていく。換言すると、被処理体66は、第1の領域60a〜第4の領域60dを循環するように搬送される。なお、厳密には、第4の領域60dが被処理体66の搬入/搬出位置となっているため、被処理体66は、第4の領域60d、第1の領域60a、第2の領域60b、第3の領域60cの順番で搬送されていく。もちろん、搬入/搬出位置は、第4の領域60dに限られるものではない。   As described above, the object to be processed 66 is transported while changing its direction from the + x direction, the −y direction, the −x direction, and the + y direction. In other words, the workpiece 66 is conveyed so as to circulate through the first region 60a to the fourth region 60d. Strictly speaking, since the fourth region 60d is the loading / unloading position of the object 66, the object 66 is divided into the fourth region 60d, the first region 60a, and the second region 60b. , And are conveyed in the order of the third region 60c. Of course, the loading / unloading position is not limited to the fourth area 60d.

さらには、被処理体66を反対方向に循環してもよい。例えば、第4の領域60d、第3の領域60c、第2の領域60b、第1の領域60aの順番で被処理体66を搬送してもよい。すなわち、図16の平面図において、搬送方向は、時計回りでもよく、反時計回りでもよい。レーザ照射装置2の処理に応じて、搬送方向を適宜切り替えるようにしてもよい。   Furthermore, the workpiece 66 may be circulated in the opposite direction. For example, the object 66 may be transported in the order of the fourth region 60d, the third region 60c, the second region 60b, and the first region 60a. That is, in the plan view of FIG. 16, the conveyance direction may be clockwise or counterclockwise. Depending on the processing of the laser irradiation apparatus 2, the conveyance direction may be switched as appropriate.

上記のように、被処理体66を循環して搬送するため、レーザ照射装置2は、4つの搬送ユニット61_1〜61_4を備える。搬送ユニット61_1〜61_4は浮上ユニット60の外側であって、浮上ユニット60の各辺の近傍に設けられている。   As described above, in order to circulate and convey the workpiece 66, the laser irradiation apparatus 2 includes the four conveyance units 61_1 to 61_4. The transport units 61_1 to 61_4 are provided outside the levitation unit 60 and in the vicinity of each side of the levitation unit 60.

浮上ユニット60はxy平面視した際の形状が矩形状であり、各々の搬送ユニット61_1〜61_4は、浮上ユニット60の各々の辺に沿って被処理体66を搬送するように設けられている。なお、各搬送ユニット61_1〜61_4は、浮上ユニット60の各辺の外側に設けられているが、浮上ユニット60の内側に設けられていてもよい。   The floating unit 60 has a rectangular shape when viewed from the xy plane, and each of the transport units 61_1 to 61_4 is provided so as to transport the object 66 along each side of the floating unit 60. In addition, although each conveyance unit 61_1-61_4 is provided in the outer side of each side of the levitation unit 60, it may be provided in the levitation unit 60 inside.

具体的には、搬送ユニット61_1は浮上ユニット60の+y方向側の辺に設けられており、保持機構62_1と移動機構63_1とを備える。そして、保持機構62_1で被処理体66を保持しつつ、移動機構63_1が+x方向に移動することで、被処理体66を第1の領域60aから第2の領域60bに搬送することができる。搬送ユニット61_1による搬送で、被処理体66が照射領域60eを通過する。よって、被処理体66が第1の領域60aから第2の領域60bに搬送される際にレーザ光65が被処理体66に照射される。   Specifically, the transport unit 61_1 is provided on the side of the floating unit 60 on the + y direction side, and includes a holding mechanism 62_1 and a moving mechanism 63_1. Then, the object 66 can be transported from the first area 60a to the second area 60b by moving the moving mechanism 63_1 in the + x direction while holding the object 66 by the holding mechanism 62_1. By the conveyance by the conveyance unit 61_1, the workpiece 66 passes through the irradiation region 60e. Therefore, when the workpiece 66 is transported from the first region 60a to the second region 60b, the laser beam 65 is irradiated to the workpiece 66.

さらに、搬送ユニット61_1は、保持機構62_11と移動機構63_11とを備えている。保持機構62_11と移動機構63_11は、保持機構62_1と移動機構63_1と同様に動作する。すなわち、保持機構62_11が被処理体66を保持しつつ、移動機構63_11が+x方向に移動することで、被処理体66を第1の領域60aから第2の領域60bに搬送することができる。搬送ユニット61_1による搬送で、被処理体66が照射領域60eを通過する。よって、被処理体66が第1の領域60aから第2の領域60bに搬送される際にレーザ光65が被処理体66に照射される。   Further, the transport unit 61_1 includes a holding mechanism 62_11 and a moving mechanism 63_11. The holding mechanism 62_11 and the moving mechanism 63_11 operate in the same manner as the holding mechanism 62_1 and the moving mechanism 63_1. That is, when the moving mechanism 63_11 moves in the + x direction while the holding mechanism 62_11 holds the workpiece 66, the workpiece 66 can be transported from the first region 60a to the second region 60b. By the conveyance by the conveyance unit 61_1, the workpiece 66 passes through the irradiation region 60e. Therefore, when the workpiece 66 is transported from the first region 60a to the second region 60b, the laser beam 65 is irradiated to the workpiece 66.

保持機構62_1と保持機構62_11とはy方向の位置が異なっている。より具体的には、保持機構62_11が保持機構62_1の+y方向側に配置されている。よって、保持機構62_1と保持機構62_11では、被処理体66の吸着位置が異なっている。保持機構62_11、移動機構63_11の基本的な構成、及び動作は、保持機構62_1、移動機構63_1と同様であるため、適宜説明が省略されている。さらに、後に示すいくつかの図面においては、保持機構62_11、移動機構63_11の図示が省略されている。   The holding mechanism 62_1 and the holding mechanism 62_11 have different positions in the y direction. More specifically, the holding mechanism 62_11 is disposed on the + y direction side of the holding mechanism 62_1. Therefore, the holding position of the object 66 is different between the holding mechanism 62_1 and the holding mechanism 62_11. The basic configuration and operation of the holding mechanism 62_11 and the moving mechanism 63_11 are the same as those of the holding mechanism 62_1 and the moving mechanism 63_1, and thus description thereof is omitted as appropriate. Further, in some drawings shown later, the holding mechanism 62_11 and the moving mechanism 63_11 are not shown.

保持機構62_11と移動機構63_11は、保持機構62_1と移動機構63_1と独立して動作する。移動機構63_1、63_2が、保持機構62_1と保持機構62_11とを独立に移動する。このように、搬送ユニット61_1は、2つの保持機構62_1、62_11と、2つの移動機構63_1、63_11とを備えることで、スループットを短縮することができる。この点については後述する。   The holding mechanism 62_11 and the moving mechanism 63_11 operate independently of the holding mechanism 62_1 and the moving mechanism 63_1. The movement mechanisms 63_1 and 63_2 move the holding mechanism 62_1 and the holding mechanism 62_11 independently. As described above, the transport unit 61_1 includes the two holding mechanisms 62_1 and 62_11 and the two moving mechanisms 63_1 and 63_11, thereby reducing the throughput. This point will be described later.

搬送ユニット61_2は浮上ユニット60の+x方向側の辺に設けられており、保持機構62_2と移動機構63_2とを備える。そして、保持機構62_2で被処理体66を保持しつつ、移動機構63_2が‐y方向側に移動することで、被処理体66を第2の領域60bから第3の領域60cに搬送することができる。   The transport unit 61_2 is provided on the side of the floating unit 60 on the + x direction side, and includes a holding mechanism 62_2 and a moving mechanism 63_2. Then, while the object 66 is held by the holding mechanism 62_2, the moving mechanism 63_2 moves to the −y direction side, so that the object 66 can be transferred from the second region 60b to the third region 60c. it can.

搬送ユニット61_3は浮上ユニット60の‐y方向側の辺に設けられており、保持機構62_3と移動機構63_3とを備える。そして、保持機構62_3で被処理体66を保持しつつ、移動機構63_3が‐x方向に移動することで、被処理体66を第3の領域60cから第4の領域60dに搬送することができる。搬送ユニット61_3による搬送で、被処理体66がモニタ領域60fを通過する。   The transport unit 61_3 is provided on the side of the floating unit 60 on the -y direction side, and includes a holding mechanism 62_3 and a moving mechanism 63_3. Then, while the workpiece 66 is held by the holding mechanism 62_3, the moving mechanism 63_3 moves in the −x direction, so that the workpiece 66 can be transferred from the third region 60c to the fourth region 60d. . The object 66 passes through the monitor region 60f by the conveyance by the conveyance unit 61_3.

搬送ユニット61_4は浮上ユニット60の‐x方向側の辺に設けられており、保持機構62_4と移動機構63_4とを備える。そして、保持機構62_4で被処理体66を保持しつつ、移動機構63_4が+y方向に移動することで、被処理体66を第4の領域60dから第1の領域60aに搬送することができる。   The transport unit 61_4 is provided on the side of the floating unit 60 on the −x direction side, and includes a holding mechanism 62_4 and a moving mechanism 63_4. And while the to-be-processed object 66 is hold | maintained with the holding mechanism 62_4, the to-be-processed object 66 can be conveyed from the 4th area | region 60d to the 1st area | region 60a because the moving mechanism 63_4 moves to + y direction.

保持機構62_1〜62_4は、実施の形態1と同様の構成となっており、被処理体66を吸着する。保持機構62_2、62_4は、保持機構62_1、62_11、62_3と異なる向きで配置されている。より具体的には、xy平面視において、保持機構62_1、62_11、62_3は、図4で示したように、x方向を長手方向とする矩形状になっている。また、保持機構62_2、62_4は、図4で示した矩形状になっているが、設置方向が90°異なっている。すなわち、保持機構62_1、62_11、62_3では長手方向がx方向、短手方向がy方向になっているのに対して、保持機構62_2、62_4では長手方向がy方向、短手方向がx方向になっている。保持機構62_1〜62_4は、その移動方向が長手方向となるように設けられている。   The holding mechanisms 62_1 to 62_4 have the same configuration as that of the first embodiment, and suck the workpiece 66. The holding mechanisms 62_2 and 62_4 are arranged in a different direction from the holding mechanisms 62_1, 62_11, and 62_3. More specifically, in the xy plan view, the holding mechanisms 62_1, 62_11, 62_3 have a rectangular shape with the x direction as the longitudinal direction, as shown in FIG. The holding mechanisms 62_2 and 62_4 have the rectangular shape shown in FIG. 4, but the installation directions are different by 90 °. That is, in the holding mechanisms 62_1, 62_11, and 62_3, the longitudinal direction is the x direction and the short direction is the y direction, whereas in the holding mechanisms 62_2 and 62_4, the long direction is the y direction and the short direction is the x direction. It has become. The holding mechanisms 62_1 to 62_4 are provided such that the moving direction is the longitudinal direction.

さらに、矩形状の被処理体66の短辺と長辺のいずれを保持するかに応じて、保持機構62_1〜62_4のサイズを変えてもよい。例えば、図16では、x方向が被処理体66の長辺方向となっており、y方向が短辺方向となっている。具体的には、被処理体66のx方向のサイズは、1850mm、y方向のサイズは1500mm程度となる。よって、保持機構62_1、62_11、62_3は、被処理体66の長辺を保持し、保持機構62_2、62_4は短辺を保持する。この場合、保持機構62_1、62_11、62_3のy方向のサイズを10mm程度とし、保持機構62_2、62_4のy方向のサイズを30mm程度とする。短辺を保持する保持機構62_2、62_4の幅を、長辺を保持する保持機構62_1、62_11、62_3の幅よりも広くする。短辺を保持する場合、長辺を保持する場合よりも大きなモーメントが被処理体66にかかるため、保持機構62_2、62_4にはより大きな吸着力が必要となるからである。保持機構62_1〜62_4は、被処理体66の端部を幅10〜30mm程度で吸着して、被処理体66を保持する。また、図16では、保持機構62_1〜62_4のそれぞれが被処理体66の1辺全体に設けられている構成が示されているが、被処理体66の1辺全体に設けられていなくてもよい。すなわち、保持機構62_1〜62_4のそれぞれが被処理体66の1辺を部分的に保持してもよい。具体的には、隣の辺を保持する保持機構と被処理体66の保持位置が重複しないように配置する。さらに、実施の形態1で示したように280mmの長さの保持機構を用いる場合、複数の保持機構を用いて、被処理体66の1辺を保持してもよい。   Furthermore, the size of the holding mechanisms 62_1 to 62_4 may be changed depending on whether the short side or the long side of the rectangular object 66 is held. For example, in FIG. 16, the x direction is the long side direction of the workpiece 66, and the y direction is the short side direction. Specifically, the size of the workpiece 66 in the x direction is 1850 mm, and the size in the y direction is about 1500 mm. Therefore, the holding mechanisms 62_1, 62_11, and 62_3 hold the long side of the workpiece 66, and the holding mechanisms 62_2 and 62_4 hold the short side. In this case, the size in the y direction of the holding mechanisms 62_1, 62_11, and 62_3 is set to about 10 mm, and the size in the y direction of the holding mechanisms 62_2 and 62_4 is set to about 30 mm. The widths of the holding mechanisms 62_2 and 62_4 that hold the short sides are made wider than the widths of the holding mechanisms 62_1, 62_11, and 62_3 that hold the long sides. This is because when the short side is held, a larger moment is applied to the object 66 than when the long side is held, and thus the holding mechanisms 62_2 and 62_4 require a larger suction force. The holding mechanisms 62_1 to 62_4 hold the object 66 by adsorbing the end of the object 66 with a width of about 10 to 30 mm. Further, FIG. 16 shows a configuration in which each of the holding mechanisms 62_1 to 62_4 is provided on the entire one side of the object to be processed 66, but the holding mechanisms 62_1 to 62_4 may not be provided on the entire one side of the object to be processed 66. Good. That is, each of the holding mechanisms 62_1 to 62_4 may partially hold one side of the workpiece 66. Specifically, the holding mechanism for holding the adjacent side and the holding position of the object to be processed 66 are arranged so as not to overlap. Furthermore, as shown in Embodiment Mode 1, when a holding mechanism having a length of 280 mm is used, one side of the object 66 may be held using a plurality of holding mechanisms.

ここで、実施の形態2にかかるレーザ照射装置2では、レーザ照射位置65のy方向における長さは、被処理体66のy方向における長さの半分程度の長さである。よって、被処理体66がレーザ照射位置65を通過した際に、被処理体66のy方向の半分の領域にレーザ光が照射される。したがって、被処理体66が、浮上ユニット60の上を2回循環するように搬送されていく。このようにすることで、被処理体66のほぼ全面に、レーザ光が照射される。   Here, in the laser irradiation apparatus 2 according to the second exemplary embodiment, the length of the laser irradiation position 65 in the y direction is about half the length of the workpiece 66 in the y direction. Therefore, when the object to be processed 66 passes the laser irradiation position 65, the laser beam is irradiated to a half region in the y direction of the object to be processed 66. Therefore, the workpiece 66 is conveyed so as to circulate twice on the floating unit 60. By doing so, the laser beam is irradiated on almost the entire surface of the object 66.

このように被処理体66のほぼ全面にレーザ光を照射する場合は、図15、16に示すように、浮上ユニット60の第4の領域60dに、被処理体66の水平面(xy平面)を保持しながら被処理体66を180度回転させる回転機構68を設ける。つまり、搬送ユニット61_1を用いて被処理体66を第1の領域60aから第2の領域60bに搬送して被処理体66にレーザ光65を照射した後、搬送ユニット61_2〜61_4を用いて被処理体66を搬送させつつ、回転機構68を用いて被処理体を180度回転させる。そして、再度、搬送ユニット61_1を用いて被処理体66を領域60aから領域60bに搬送して被処理体66にレーザ光65を照射することで、被処理体66の全面にレーザ光65を照射することができる。   When the laser beam is irradiated on almost the entire surface of the object 66 as described above, as shown in FIGS. 15 and 16, the horizontal plane (xy plane) of the object 66 is placed in the fourth region 60 d of the levitation unit 60. A rotation mechanism 68 that rotates the object 66 while being held is rotated 180 degrees. That is, the object to be processed 66 is conveyed from the first region 60a to the second region 60b using the conveyance unit 61_1, and the object 66 is irradiated with the laser beam 65, and then the object to be processed is conveyed using the conveyance units 61_2 to 61_4. While the processing object 66 is being conveyed, the object to be processed is rotated 180 degrees using the rotation mechanism 68. Then, the object 66 is again conveyed from the region 60a to the region 60b using the conveyance unit 61_1, and the object 66 is irradiated with the laser beam 65, so that the entire surface of the object 66 is irradiated with the laser beam 65. can do.

(搬送動作)
以下、搬送ユニット61_1〜61_4による搬送動作について図17〜図28を用いて詳細に説明する。図17〜図28の説明では、説明の簡略化のため、搬送ユニット61_1のうち、保持機構62_1と移動機構63_1のみを用いる場合を説明する。したがって、図17〜図28では、保持機構62_11と移動機構63_11の図示を省略している。
(Transport operation)
Hereinafter, the conveyance operation by the conveyance units 61_1 to 61_4 will be described in detail with reference to FIGS. In the description of FIGS. 17 to 28, a case where only the holding mechanism 62 </ b> _ <b> 1 and the moving mechanism 63 </ b> _ <b> 1 are used in the transport unit 61 </ b> _ <b> 1 will be described for simplification of description. Accordingly, in FIGS. 17 to 28, the holding mechanism 62_11 and the moving mechanism 63_11 are not shown.

レーザ照射装置2を用いて被処理体66にレーザ光65を照射する場合は、まず、図17に示すように、第4の領域60dに被処理体66が搬入される。例えば、図示しない移載ロボットが被処理体66を第4の領域60dに搬入する。被処理体66の搬入処理については後述する。   In the case of irradiating the object 66 with the laser beam 65 using the laser irradiation apparatus 2, the object 66 is first carried into the fourth region 60d as shown in FIG. For example, a transfer robot (not shown) carries the workpiece 66 into the fourth area 60d. The carrying-in process of the workpiece 66 will be described later.

次に、被処理体66の‐x方向側の端部の下面を、搬送ユニット61_4の保持機構62_4を用いて保持する。その後、保持機構62_4が被処理体66を保持した状態で、搬送ユニット61_4の移動機構63_4を+y方向側に移動させて、被処理体66を+y方向側に搬送する。これにより、図18に示すように、被処理体66が第1の領域60aに移動する。   Next, the lower surface of the end on the −x direction side of the workpiece 66 is held using the holding mechanism 62_4 of the transport unit 61_4. Thereafter, with the holding mechanism 62_4 holding the object to be processed 66, the moving mechanism 63_4 of the transfer unit 61_4 is moved to the + y direction side, and the object to be processed 66 is transferred to the + y direction side. Thereby, as shown in FIG. 18, the to-be-processed object 66 moves to the 1st area | region 60a.

被処理体66が第1の領域60aに移動すると、アライメント機構69の上に被処理体66が載せられる。そして、アライメント機構69が被処理体66のアライメントを行う。なお、アライメント機構69によるアライメント動作については後述する。   When the object to be processed 66 moves to the first region 60a, the object to be processed 66 is placed on the alignment mechanism 69. Then, the alignment mechanism 69 aligns the workpiece 66. The alignment operation by the alignment mechanism 69 will be described later.

アライメント後、被処理体66の+y方向側の端部の下面を、搬送ユニット61_1の保持機構62_1を用いて保持する。その後、図19に示すように、保持機構62_1が被処理体66を保持した状態で、搬送ユニット61_1の移動機構63_1を+x方向側に移動させて、被処理体66を+x方向側に搬送する。これにより、被処理体66は、照射領域60eを通過する。したがって、被処理体66の片側半分の領域にレーザ光65が照射されていく(レーザ光が照射されている領域を結晶化領域71として示す)。結晶化領域71では、非晶質膜(アモルファスシリコン膜)が結晶化して、多結晶膜(ポリシリコン膜)が形成されている。   After the alignment, the lower surface of the + y-direction end of the workpiece 66 is held using the holding mechanism 62_1 of the transport unit 61_1. After that, as shown in FIG. 19, with the holding mechanism 62_1 holding the object to be processed 66, the moving mechanism 63_1 of the transfer unit 61_1 is moved to the + x direction side, and the object to be processed 66 is transferred to the + x direction side. . Thereby, the to-be-processed object 66 passes the irradiation area | region 60e. Therefore, the laser beam 65 is irradiated to the half region on one side of the object 66 (the region irradiated with the laser beam is shown as a crystallization region 71). In the crystallization region 71, an amorphous film (amorphous silicon film) is crystallized to form a polycrystalline film (polysilicon film).

図20に示すように、被処理体66が浮上ユニット60の第2の領域60bに到達すると、被処理体66を保持する保持機構を保持機構62_1から保持機構62_2に変更する。具体的には、保持機構62_1が被処理体66を吸着するとともに、保持機構62_4が被処理体66の吸着を解除する。すなわち、保持機構62_1と保持機構62_2とが被処理体66の持ち替え動作を行う。被処理体66の持ち替え動作について後述する。また、搬送ユニット61_1を元の位置(第1の領域60a)に戻す。図20では、被処理体66が照射領域60eを1回通過しているため、被処理体66の−y側のほぼ半分が結晶化領域71となっている。なお、図20では、被処理体66の半面全体にレーザ光を照射しているが、被処理体66の半面の一部のみにレーザ光を照射するようにしてもよい。   As shown in FIG. 20, when the object to be processed 66 reaches the second region 60b of the levitation unit 60, the holding mechanism for holding the object to be processed 66 is changed from the holding mechanism 62_1 to the holding mechanism 62_2. Specifically, the holding mechanism 62_1 sucks the workpiece 66, and the holding mechanism 62_4 releases the suction of the workpiece 66. That is, the holding mechanism 62_1 and the holding mechanism 62_2 perform the operation of changing the object 66. The operation of changing the object 66 will be described later. In addition, the transport unit 61_1 is returned to the original position (first region 60a). In FIG. 20, since the object 66 passes through the irradiation region 60 e once, almost half of the object 66 on the −y side is the crystallization region 71. In FIG. 20, the entire half surface of the object to be processed 66 is irradiated with laser light, but only a part of the half surface of the object to be processed 66 may be irradiated with laser light.

その後、図21に示すように、保持機構62_2が被処理体66を保持した状態で、搬送ユニット61_2の移動機構63_2を−y方向側に移動させて、被処理体66を−y方向側に搬送する。   Then, as shown in FIG. 21, with the holding mechanism 62_2 holding the object to be processed 66, the moving mechanism 63_2 of the transport unit 61_2 is moved to the -y direction side, and the object to be processed 66 is moved to the -y direction side. Transport.

図22に示すように、被処理体66が浮上ユニット60の第3の領域60cに到達すると、被処理体66を保持する保持機構を保持機構62_2から保持機構62_3に変更する。すなわち、保持機構62_2と保持機構62_3とが被処理体66の持ち替え動作を行う。また、搬送ユニット61_2を元の位置(第2の領域60b)に戻す。その後、保持機構62_3が被処理体66を保持した状態で、搬送ユニット61_3の移動機構63_3を−x方向側に移動させて、被処理体66を−x方向側に搬送する。   As shown in FIG. 22, when the object to be processed 66 reaches the third region 60c of the levitation unit 60, the holding mechanism for holding the object to be processed 66 is changed from the holding mechanism 62_2 to the holding mechanism 62_3. That is, the holding mechanism 62_2 and the holding mechanism 62_3 perform the operation of changing the object 66. Further, the transport unit 61_2 is returned to the original position (second region 60b). Thereafter, with the holding mechanism 62_3 holding the object to be processed 66, the moving mechanism 63_3 of the transfer unit 61_3 is moved to the −x direction side, and the object to be processed 66 is transferred to the −x direction side.

そして、図23に示すように、被処理体66が浮上ユニット60の第4の領域60dに搬送されて、回転機構68の上に到達した後、保持機構62_3から回転機構68への持ち替え動作が行われる。具体的には、保持機構62_3が保持している被処理体66を回転機構68が吸着体を介して保持する。そして、保持機構62_3の保持状態を解放して、保持機構62_3が被処理体66を保持していない状態とする。保持機構62_3が被処理体66を解放した後、搬送ユニット61_3は元の位置(第4の領域60d)に戻る。   Then, as shown in FIG. 23, after the workpiece 66 is transported to the fourth region 60d of the levitation unit 60 and reaches the rotation mechanism 68, the holding mechanism 62_3 is switched to the rotation mechanism 68. Done. Specifically, the rotating mechanism 68 holds the workpiece 66 held by the holding mechanism 62_3 via the adsorbent. Then, the holding state of the holding mechanism 62_3 is released, and the holding mechanism 62_3 does not hold the workpiece 66. After the holding mechanism 62_3 releases the workpiece 66, the transport unit 61_3 returns to the original position (fourth region 60d).

そして、回転機構68の上に被処理体66が載っている状態で、回転機構68を180度回転させる。これにより被処理体66が180度回転して、図24に示すように、被処理体66の結晶化領域71が−y方向側から+y方向側になる。その後、保持機構62_4が被処理体66を保持する。すなわち、回転機構68から保持機構62_4に被処理体66が持ち替えられる。そして、保持機構62_4が被処理体66を保持した状態で、搬送ユニット61_4の移動機構63_4を+y方向側に移動させて、被処理体66を+y方向側に搬送する。   Then, the rotating mechanism 68 is rotated 180 degrees in a state where the workpiece 66 is placed on the rotating mechanism 68. As a result, the object to be processed 66 is rotated by 180 degrees, and the crystallization region 71 of the object to be processed 66 is changed from the −y direction side to the + y direction side as shown in FIG. Thereafter, the holding mechanism 62_4 holds the workpiece 66. That is, the object 66 is transferred from the rotation mechanism 68 to the holding mechanism 62_4. Then, with the holding mechanism 62_4 holding the workpiece 66, the moving mechanism 63_4 of the transport unit 61_4 is moved to the + y direction side, and the workpiece 66 is transported to the + y direction side.

図25に示すように、被処理体66が浮上ユニット60の第1の領域60aに到達すると、被処理体66を保持する保持機構を保持機構62_4から保持機構62_1に変更する。また、搬送ユニット61_4を元の位置(第4の領域60d)に戻す。図25に示す位置において、保持機構62_1が被処理体66を保持する前に、アライメント機構69によりアライメント動作を行ってもよい。   As shown in FIG. 25, when the object 66 reaches the first region 60a of the levitation unit 60, the holding mechanism for holding the object 66 is changed from the holding mechanism 62_4 to the holding mechanism 62_1. Further, the transport unit 61_4 is returned to the original position (fourth region 60d). At the position shown in FIG. 25, the alignment mechanism 69 may perform an alignment operation before the holding mechanism 62_1 holds the workpiece 66.

その後、図26に示すように、保持機構62_1が被処理体66を保持した状態で、搬送ユニット61_1の移動機構63_1を+x方向側に移動させて、被処理体66を+x方向側に搬送する。これにより、被処理体66が照射領域60eを通過する。被処理体66の他方の半分の領域にレーザ光65が照射されていく。したがって、被処理体66の残り半分の非晶質膜が結晶化されていき、結晶化領域71となっていく。   Thereafter, as shown in FIG. 26, in a state where the holding mechanism 62_1 holds the object to be processed 66, the moving mechanism 63_1 of the transfer unit 61_1 is moved to the + x direction side, and the object to be processed 66 is transferred to the + x direction side. . Thereby, the to-be-processed object 66 passes the irradiation area | region 60e. The laser beam 65 is irradiated to the other half region of the workpiece 66. Therefore, the remaining half of the amorphous film of the object 66 is crystallized and becomes a crystallized region 71.

そして、図27に示すように、第2の領域60bまで被処理体66を搬送することで、被処理体66のほぼ全面にレーザ光を照射することができる。そして、図20〜図23に示した搬送動作と同様の搬送動作を行うと、被処理体66が第4の領域60dに移動する。   And as shown in FIG. 27, the to-be-processed object 66 is conveyed to the 2nd area | region 60b, and a laser beam can be irradiated to the to-be-processed object 66 almost the whole surface. Then, when a transport operation similar to the transport operation illustrated in FIGS. 20 to 23 is performed, the workpiece 66 moves to the fourth region 60d.

このように、本実施の形態では、被処理体66が浮上ユニット60上を複数回循環するように搬送されている。ここでは、第4の領域60dから、第1の領域60a、第2の領域60b、第3の領域60cを経由して、第4の領域60dに戻る搬送動作を1回の循環搬送とする。上記の循環搬送動作を複数回繰り返すことで、被処理体66がレーザ照射位置65を複数回通過するようにすることができる。2回の循環搬送を行う事で、被処理体66のほぼ全面にレーザ光が照射される。さらに、3回以上循環搬送することで、被処理体66の同一箇所に複数回レーザ光を照射することができる。そして、所定の回数だけ循環搬送したら、第4の領域60dから被処理体66を搬出する。   Thus, in this Embodiment, the to-be-processed object 66 is conveyed so that it may circulate on the floating unit 60 in multiple times. Here, a transport operation that returns from the fourth region 60d to the fourth region 60d via the first region 60a, the second region 60b, and the third region 60c is defined as one circulation transport. By repeating the above-described circulation conveyance operation a plurality of times, the object 66 can pass through the laser irradiation position 65 a plurality of times. By performing the circulating conveyance twice, the laser beam is irradiated on almost the entire surface of the workpiece 66. Further, by circulating and transporting three or more times, it is possible to irradiate the same portion of the workpiece 66 with laser light a plurality of times. Then, after circulating and conveying a predetermined number of times, the object 66 is unloaded from the fourth region 60d.

浮上ユニット60上を被処理体66が2回循環搬送される場合、例えば、被処理体66に対して、以下の動作が実施される。
(1)第4の領域60dへの搬入動作
(2)第4の領域60dから第1の領域60aへの+y方向搬送動作
(3)第1の領域60aでのアライメント動作
(4)第1の領域60aから第2の領域60bへの+x方向搬送動作(照射領域60eにおけるレーザ照射を含む)
(5)第2の領域60bから第3の領域60cへの‐y方向搬送動作
(6)第3の領域60cから第4の領域60dへの‐x方向搬送動作
(7)第4の領域60dでの回転動作
(8)第4の領域60dから第1の領域60aへの+y方向搬送動作
(9)第1の領域60aでのアライメント動作
(10)第1の領域60aから第2の領域60bへの+x方向搬送動作(照射領域60eにおけるレーザ照射を含む)
(11)第2の領域60bから第3の領域60cへの‐y方向搬送動作
(12)第3の領域60cから第4の領域60dへの‐x方向搬送動作
(13)第4の領域60dからの搬出動作
When the workpiece 66 is circulated and transported twice on the floating unit 60, for example, the following operation is performed on the workpiece 66.
(1) Loading operation to the fourth region 60d (2) + y direction transfer operation from the fourth region 60d to the first region 60a (3) Alignment operation in the first region 60a (4) First + X direction conveyance operation from the region 60a to the second region 60b (including laser irradiation in the irradiation region 60e)
(5) -y direction transport operation from the second region 60b to the third region 60c (6) -x direction transport operation from the third region 60c to the fourth region 60d (7) fourth region 60d (8) + y direction transfer operation from the fourth region 60d to the first region 60a (9) Alignment operation in the first region 60a (10) From the first region 60a to the second region 60b + X direction transport operation (including laser irradiation in irradiation region 60e)
(11) -y direction transport operation from second region 60b to third region 60c (12) -x direction transport operation from third region 60c to fourth region 60d (13) fourth region 60d Unloading operation from

さらに、(6)、及び(11)の動作では、被処理体66がモニタ領域60fを通過する。(6)、及び(11)の少なくとも一方において、モニタ領域60fにおいて、ポリシリコン膜のムラをモニタすることができる。このモニタ領域60fにおける動作については後述する。   Furthermore, in the operations (6) and (11), the object 66 passes through the monitor region 60f. In at least one of (6) and (11), the unevenness of the polysilicon film can be monitored in the monitor region 60f. The operation in the monitor area 60f will be described later.

なお、上記で説明したレーザ照射装置2では、回転機構68を浮上ユニット60の領域60dに設けた場合について説明したが、本実施の形態では回転機構68を設ける場所は浮上ユニット60の第4の領域60d以外であってもよい。すなわち、レーザ照射位置65を通過した後、再度レーザ照射位置65を通過する前に被処理体66を180度回転させればよいので、回転機構68を設ける場所は浮上ユニットの第1の領域60a〜第4の領域60dのいずれかであればよい。   In the laser irradiation apparatus 2 described above, the case where the rotation mechanism 68 is provided in the region 60d of the levitation unit 60 has been described. However, in the present embodiment, the place where the rotation mechanism 68 is provided is the fourth position of the levitation unit 60. It may be other than the region 60d. That is, after passing through the laser irradiation position 65 and before passing through the laser irradiation position 65 again, the workpiece 66 has only to be rotated 180 degrees, so the place where the rotation mechanism 68 is provided is the first region 60a of the levitation unit. To any of the fourth region 60d.

また、本実施の形態にかかるレーザ照射装置2では、被処理体66を第4の領域60d、第1の領域60a、第2の領域60b、第3の領域60cの順に搬送して被処理体66にレーザ光65を照射しているので、同時に複数枚の被処理体66を循環搬送することができる。   In the laser irradiation apparatus 2 according to the present embodiment, the object to be processed 66 is conveyed in the order of the fourth region 60d, the first region 60a, the second region 60b, and the third region 60c. Since 66 is irradiated with the laser beam 65, a plurality of workpieces 66 can be simultaneously circulated and conveyed.

つまり、本実施の形態にかかるレーザ照射装置2では、被処理体66にレーザ光65を照射している間に、別の被処理体66を搬送したり、回転機構68で回転させたり、被処理体66を搬入、搬出することができる。よって、被処理体66にレーザ光65を照射した後、すぐに他の被処理体にレーザ光65を照射することができるので、レーザ光65が被処理体に照射されない時間を削減することができる。すなわち、本実施の形態では、レーザ照射装置2のスループットを向上させることができる。なお、この場合は、回転機構68を第1の領域60a、第2の領域60b以外の領域に設けることが好ましく、例えば、回転機構68を第4の領域60dに設けることが好ましい。   That is, in the laser irradiation apparatus 2 according to the present exemplary embodiment, another object to be processed 66 is transported or rotated by the rotation mechanism 68 while the object 66 is irradiated with the laser beam 65, The processing body 66 can be carried in and out. Therefore, after the object 66 is irradiated with the laser beam 65, the other object to be processed can be irradiated with the laser beam 65 immediately, so that the time during which the object 65 is not irradiated with the laser beam 65 can be reduced. it can. That is, in this embodiment, the throughput of the laser irradiation apparatus 2 can be improved. In this case, the rotation mechanism 68 is preferably provided in a region other than the first region 60a and the second region 60b. For example, the rotation mechanism 68 is preferably provided in the fourth region 60d.

(2つの被処理体66の連続処理)
本実施の形態では、搬送ユニット61_1が2つの保持機構62_1、62_11と2つの移動機構63_1、63_11を備えている。これにより、2つの被処理体66に対して、連続してレーザ光を照射することができる。よって、スループットを向上することができる。この点について、以下に詳述する。
(Continuous processing of two workpieces 66)
In the present embodiment, the transport unit 61_1 includes two holding mechanisms 62_1 and 62_11 and two moving mechanisms 63_1 and 63_11. Thereby, it is possible to continuously irradiate the two workpieces 66 with laser light. Thus, throughput can be improved. This point will be described in detail below.

本実施の形態にかかるレーザ照射装置2では、保持機構62_1、及び移動機構63_1を用いて被処理体66を搬送する際に被処理体66にレーザ光65が照射される。よって、保持機構62_1、及び移動機構63_1が第2の領域60bに移動した後、再び第1の領域60aに戻るまでの間は被処理体66にレーザ光65を照射することができない。しかし、例えば、保持機構62_1、及び移動機構63_1とは別に、第1の領域60aから第2の領域60bに被処理体66を搬送する保持機構62_11、及び移動機構63_11を設けて、交互に被処理体66を搬送するようにすることで、保持機構62_1、及び移動機構63_1が第1の領域60aから第2の領域60bに戻るまでの時間においても別の保持機構62_11、及び移動機構63_11を用いて被処理体にレーザ光65を照射することができる。よって、レーザ照射装置2のスループットを更に向上させることができる。   In the laser irradiation apparatus 2 according to this embodiment, the object to be processed 66 is irradiated with the laser beam 65 when the object to be processed 66 is transported using the holding mechanism 62_1 and the moving mechanism 63_1. Therefore, after the holding mechanism 62_1 and the moving mechanism 63_1 move to the second region 60b and before returning to the first region 60a again, the object 66 cannot be irradiated with the laser beam 65. However, for example, separately from the holding mechanism 62_1 and the moving mechanism 63_1, a holding mechanism 62_11 and a moving mechanism 63_11 for transporting the object to be processed 66 from the first area 60a to the second area 60b are provided, and alternately covered. By conveying the processing body 66, another holding mechanism 62_11 and moving mechanism 63_11 can be moved in the time until the holding mechanism 62_1 and the moving mechanism 63_1 return from the first area 60a to the second area 60b. The laser beam 65 can be irradiated to the object to be processed. Therefore, the throughput of the laser irradiation apparatus 2 can be further improved.

この点について、図28を用いて説明する。図28は、図16と同様に、レーザ照射装置2のxy平面図である。また、図28では、浮上ユニット60に1枚目の被処理体66aと、2枚目の被処理体66bとを同時に浮上している。もちろん、浮上ユニット60が3枚以上の被処理体66を同時に浮上してもよい。   This point will be described with reference to FIG. FIG. 28 is an xy plan view of the laser irradiation apparatus 2 as in FIG. Further, in FIG. 28, the first object 66a and the second object 66b are levitated simultaneously in the levitation unit 60. Of course, the levitating unit 60 may levitate three or more workpieces 66 simultaneously.

図28に示すように、移動機構63_1が1枚目の被処理体66aを第2の領域60bに搬送した後、保持機構62_1が第1の領域60aに戻る前に、保持機構62_11が2枚目の被処理体66bを保持する。例えば、1枚目の被処理体66aが第2の領域60bまでの搬送中に、搬送ユニット61_4が2枚目の被処理体66bを第1の領域60aに搬送する。そして、搬送ユニット61_4の保持機構62_4から搬送ユニット61_1の保持機構62_11への持ち替え動作や、2枚目の被処理体66bのアライメント動作や、搬送動作を行う。このようにすることで、保持機構62_1が第1の領域60aに戻る前に、持ち替え動作やアライメント動作や次の被処理体66bの搬送動作を行うことができる。   As shown in FIG. 28, after the moving mechanism 63_1 transports the first object 66a to the second area 60b, the holding mechanism 62_1 has two sheets before the holding mechanism 62_1 returns to the first area 60a. The target object 66b is held. For example, the transport unit 61_4 transports the second target object 66b to the first region 60a while the first target object 66a is transporting to the second region 60b. Then, a holding operation from the holding mechanism 62_4 of the transport unit 61_4 to the holding mechanism 62_11 of the transport unit 61_1, an alignment operation of the second object 66b, and a transport operation are performed. By doing in this way, before the holding mechanism 62_1 returns to the first region 60a, it is possible to perform a holding change operation, an alignment operation, and a next transfer operation of the workpiece 66b.

これにより、保持機構62_1によって保持されている被処理体66aの搬送中に、保持機構62_11、及び移動機構63_11による被処理体66bの搬送が行われる。したがって、2つの被処理体66a、66bに対して、連続してレーザ光を照射することができる。より具体的には、保持機構62_1によって保持された被処理体66aにレーザが照射された後、第2の領域60bに搬送されるまでの間に、保持機構62_11によって保持された被処理体66bが照射領域60eへ移動することができる。1枚目の被処理体66aのレーザ照射終了後、速やかに2枚目の被処理体66bのレーザ照射を行うことができる。よって、レーザ光の無駄打ちを減らすことができる。なお、レーザ光の無駄打ちとは、被処理体66が照射領域60eにないときに、レーザ光を遮光シャッタ等で遮光することをいう。すなわち、レーザ照射装置2は、被処理体66が照射領域60eにないときに、浮上ユニット60等にレーザ光が照射されないように、レーザ光を遮光シャッタなどによって遮光している。本実施の形態では、被処理体66を連続して照射領域60eに搬送することができるため、1枚目の被処理体66aと2枚目の被処理体66bがレーザ照射位置65を通過する時間間隔を短くすることができる。よって、レーザ光の無駄打ちを減らすことができる。無駄打ちを減らすことで、1つのレーザ発生装置の寿命内において、処理可能な被処理体66の数を増やすことができる。よって、レーザ照射装置2の性能を向上することができる。   Accordingly, the object 66b is conveyed by the holding mechanism 62_11 and the moving mechanism 63_11 while the object 66a held by the holding mechanism 62_1 is being conveyed. Therefore, it is possible to continuously irradiate the two processing objects 66a and 66b with the laser beam. More specifically, the object to be processed 66b held by the holding mechanism 62_11 after the laser is irradiated to the object to be processed 66a held by the holding mechanism 62_1 and before being conveyed to the second region 60b. Can move to the irradiation region 60e. After the laser irradiation of the first object 66a is completed, the laser irradiation of the second object 66b can be performed promptly. Therefore, it is possible to reduce the useless laser beam. In addition, useless laser light means that the laser light is shielded by a light shielding shutter or the like when the object 66 is not in the irradiation region 60e. That is, the laser irradiation apparatus 2 shields the laser light by a light shielding shutter or the like so that the laser beam is not irradiated to the floating unit 60 or the like when the object 66 is not in the irradiation region 60e. In the present embodiment, since the object 66 can be continuously conveyed to the irradiation region 60e, the first object 66a and the second object 66b pass through the laser irradiation position 65. The time interval can be shortened. Therefore, it is possible to reduce the useless laser beam. By reducing wastefulness, the number of processable objects 66 that can be processed can be increased within the lifetime of one laser generator. Therefore, the performance of the laser irradiation apparatus 2 can be improved.

一般に、搬送ユニット61_1〜61_4の搬送速度を速くすることで、スループットを短縮することができる。しかしながら、搬送ユニット61_1における搬送速度は、レーザ照射条件によって制限される。換言すると、ポリシリコン膜の特性が良好になるように、搬送ユニット61_1における搬送速度が決められる。一方、搬送ユニット61_2、搬送ユニット61_3、搬送ユニット61_4は、レーザ照射条件による搬送速度の制限がない。搬送ユニット61_2、搬送ユニット61_3、搬送ユニット61_4の搬送速度は、搬送ユニット61_1の搬送速度よりも速くすることができる。   Generally, the throughput can be shortened by increasing the transport speed of the transport units 61_1 to 61_4. However, the conveyance speed in the conveyance unit 61_1 is limited by the laser irradiation conditions. In other words, the transport speed in the transport unit 61_1 is determined so that the characteristics of the polysilicon film are improved. On the other hand, the transport unit 61_2, the transport unit 61_3, and the transport unit 61_4 are not limited by the transport speed due to the laser irradiation conditions. The transport speed of the transport unit 61_2, the transport unit 61_3, and the transport unit 61_4 can be higher than the transport speed of the transport unit 61_1.

換言すると、搬送ユニット61_1の搬送速度は他の搬送ユニット61_2〜61_4よりも遅くなる。そこで、本実施の形態では、複数の被処理体66を効率よく処理するため、搬送ユニット61_1が2つの保持機構62_1、62_11と2つの移動機構63_1、63_11とを備えている。このようにすることで、複数の被処理体66が連続して照射領域60eを通過することができるため、スループットを短縮することができる。   In other words, the transport speed of the transport unit 61_1 is slower than the other transport units 61_2 to 61_4. Therefore, in this embodiment, the transport unit 61_1 includes two holding mechanisms 62_1 and 62_11 and two moving mechanisms 63_1 and 63_11 in order to efficiently process the plurality of objects to be processed 66. By doing so, the plurality of objects to be processed 66 can pass through the irradiation region 60e in succession, so that the throughput can be shortened.

なお、2つの保持機構62_1、62_11を用いる場合、2つの保持機構62_1、62_11をy方向にずらして配置することができる。ここでは、保持機構62_11による被処理体66の保持位置が、保持機構62_1による被処理体66の保持位置よりも+y側になっている。   Note that in the case of using the two holding mechanisms 62_1 and 62_11, the two holding mechanisms 62_1 and 62_11 can be arranged to be shifted in the y direction. Here, the holding position of the target object 66 by the holding mechanism 62_11 is on the + y side of the holding position of the target object 66 by the holding mechanism 62_1.

(第4の領域60dでの回転動作)
上記のように、第4の領域60dには、被処理体66の水平を保ちながら、被処理体66を回転する。回転機構68が設けられている。回転機構68は、実施の形態1の保持機構12と同様に、多孔質体を介して被処理体66を吸着して保持する。そして、回転機構68は、z方向と平行な回転軸(以下、z軸)周りに被処理体66を回転する。また、回転機構68は、被処理体66をz軸周りに回転するモータ等のアクチュエータを備えている。
(Rotation operation in the fourth region 60d)
As described above, the object to be processed 66 is rotated in the fourth region 60d while the object to be processed 66 is kept horizontal. A rotation mechanism 68 is provided. Similar to the holding mechanism 12 of the first embodiment, the rotating mechanism 68 adsorbs and holds the object 66 through the porous body. Then, the rotation mechanism 68 rotates the workpiece 66 around a rotation axis (hereinafter, z axis) parallel to the z direction. The rotation mechanism 68 includes an actuator such as a motor that rotates the workpiece 66 around the z-axis.

回転機構68による被処理体66の回転中に、図29に示すように、被処理体66の一部が浮上ユニット60の外側にはみ出してしまう。なお、図29は、図23に示す状態から、被処理体66が45°回転した状態を示している。   During the rotation of the object to be processed 66 by the rotation mechanism 68, a part of the object to be processed 66 protrudes outside the floating unit 60 as shown in FIG. FIG. 29 shows a state in which the object 66 is rotated by 45 ° from the state shown in FIG.

被処理体66の浮上ユニット60の外側にはみ出した部分では、浮上ユニット60による浮上力が発生せずに、被処理体66のたわみ量が大きくなってしまうおそれがある。そこで、本実施の形態では、浮上ユニット60の外側に補助浮上ユニット67を設けている。例えば、被処理体66の角部でたわみ量が大きくなると、被処理体66の角部が浮上ユニット60の外側から浮上ユニット60の上に戻る際に、被処理体66の角部が浮上ユニット60と接触して損傷してしまうおそれがある。回転動作による被処理体66の損傷を防ぐため、補助浮上ユニット67が設けられている。   In the portion of the workpiece 66 that protrudes outside the levitation unit 60, the levitation force by the levitation unit 60 is not generated, and the amount of deflection of the workpiece 66 may increase. Therefore, in the present embodiment, the auxiliary levitation unit 67 is provided outside the levitation unit 60. For example, when the amount of deflection increases at the corner of the object to be processed 66, the corner of the object to be processed 66 returns from the outside of the levitation unit 60 to the surface of the levitation unit 60. There is a risk of contact with 60 and damage. An auxiliary levitation unit 67 is provided to prevent damage to the object 66 due to the rotation operation.

補助浮上ユニット67は、浮上ユニット60と同様に、ガスを噴出する多孔質体を備えている。補助浮上ユニット67の表面から噴出されたガスが被処理体66の下面に吹き付けられることで、被処理体66の浮上ユニット60からはみ出した部分に浮上力が発生する。このようにすることで、被処理体66を損傷することなく、回転機構68が被処理体66を回転させることができる。   Similar to the levitation unit 60, the auxiliary levitation unit 67 includes a porous body that ejects gas. As the gas ejected from the surface of the auxiliary levitation unit 67 is blown onto the lower surface of the object to be processed 66, a levitation force is generated at the portion of the object 66 that protrudes from the levitation unit 60. By doing so, the rotation mechanism 68 can rotate the object 66 without damaging the object 66.

なお、補助浮上ユニット67は、回転機構68が設けられた第4の領域60dの−y側、及び−x側にそれぞれ配置されている。そして、xy平面視において、補助浮上ユニット67は、浮上ユニット60との間に隙間Gを隔てて配置されている。この隙間Gを搬送ユニット61_3、61_4が通過する。具体的には、x方向における保持機構62_4の位置が、浮上ユニット60と補助浮上ユニット67との間になっている。そして、保持機構62_4は、浮上ユニット60と補助浮上ユニット67との間をy方向に移動する。また、y方向における保持機構62_3の位置が、浮上ユニット60と補助浮上ユニット67との間になっている。そして、保持機構62_3は、浮上ユニット60と補助浮上ユニット67との間をx方向に移動する。このようにすることで、搬送ユニット61_3、61_4が、補助浮上ユニット67と干渉することなく、被処理体66を搬送することができる。   The auxiliary levitation unit 67 is disposed on the −y side and the −x side of the fourth region 60 d where the rotation mechanism 68 is provided. The auxiliary levitation unit 67 is arranged with a gap G between the auxiliary levitation unit 67 and the levitation unit 60 in the xy plan view. The transport units 61_3 and 61_4 pass through the gap G. Specifically, the position of the holding mechanism 62_4 in the x direction is between the levitation unit 60 and the auxiliary levitation unit 67. The holding mechanism 62_4 moves in the y direction between the levitation unit 60 and the auxiliary levitation unit 67. Further, the position of the holding mechanism 62_3 in the y direction is between the levitation unit 60 and the auxiliary levitation unit 67. The holding mechanism 62_3 moves in the x direction between the levitation unit 60 and the auxiliary levitation unit 67. By doing in this way, conveyance unit 61_3, 61_4 can convey the to-be-processed object 66, without interfering with the auxiliary levitation unit 67. FIG.

また、xy平面視において、回転機構68が被処理体66の中心近傍を保持することで、回転時に被処理体66が浮上ユニット60からはみ出す量を少なくすることができる。よって、補助浮上ユニット67の面積を小さくすることができる。例えば、被処理体66の中心に対応する位置において、浮上ユニット60に貫通穴を設けて、この貫通穴に回転機構68を配置することができる。この場合、xy平面における回転機構68の平面形状を円形状にすることが好ましい。   Further, when the rotation mechanism 68 holds the vicinity of the center of the object 66 in the xy plan view, the amount of the object 66 protruding from the floating unit 60 during rotation can be reduced. Therefore, the area of the auxiliary levitation unit 67 can be reduced. For example, the floating unit 60 can be provided with a through hole at a position corresponding to the center of the workpiece 66, and the rotation mechanism 68 can be disposed in the through hole. In this case, it is preferable that the planar shape of the rotation mechanism 68 in the xy plane is circular.

第4の領域60dに回転機構68が設けられている。よって、y方向におけるレーザ照射位置65の長さが被処理体66の半分程度であっても、被処理体66のほぼ全体にレーザ光を照射することができる。すなわち、1回目の循環搬送において、レーザ光を照射した後、回転機構68が、被処理体66を180度回転させる。被処理体66の回転後、2回目の循環搬送を行って、レーザ光を被処理体66に照射する。これにより、被処理体66のほぼ全体にレーザ光を照射することができる。   A rotation mechanism 68 is provided in the fourth region 60d. Therefore, even if the length of the laser irradiation position 65 in the y direction is about half that of the object to be processed 66, it is possible to irradiate the entire object 66 with the laser beam. That is, in the first circulation conveyance, after the laser beam is irradiated, the rotation mechanism 68 rotates the workpiece 66 by 180 degrees. After the object 66 is rotated, the second circulation is performed and the object 66 is irradiated with laser light. Thereby, it is possible to irradiate the laser beam to almost the entire workpiece 66.

さらに、y方向において、レーザ照射位置65が照射領域60eの中心側(−y側)に配置されている。すなわち、y方向における被処理体66の一端(+y方向側の端部)を保持機構62_1が保持するとともに、被処理体66の他端(−y方向側の端部)を含むほぼ半分にレーザ光が照射される。   Furthermore, in the y direction, the laser irradiation position 65 is disposed on the center side (−y side) of the irradiation region 60e. That is, the holding mechanism 62_1 holds one end (the end on the + y direction side) of the target object 66 in the y direction, and the laser is almost half including the other end (the end part on the −y direction side) of the target object 66. Light is irradiated.

xy平面視において、保持機構62_1がレーザ照射位置65と重畳しない位置を保持した状態で、搬送ユニット61_1が被処理体を搬送する。保持機構62_1の保持箇所を通じて伝熱して、レーザ照射位置65に温度分布のムラが生じるのを防ぐことができる。これにより、レーザ光の照射ムラを抑制することができ、均一な結晶化が可能となる。   In the xy plan view, the conveyance unit 61_1 conveys the object to be processed in a state where the holding mechanism 62_1 holds a position that does not overlap with the laser irradiation position 65. Heat can be transferred through the holding portion of the holding mechanism 62_1, and uneven temperature distribution at the laser irradiation position 65 can be prevented. Thereby, irradiation unevenness of the laser beam can be suppressed, and uniform crystallization can be achieved.

また、回転機構68が配置された第4の領域60dの外側には、補助浮上ユニット67が設けられている。これにより、被処理体66の回転時における被処理体66の破損を防ぐことができる。   Further, an auxiliary levitation unit 67 is provided outside the fourth region 60d where the rotation mechanism 68 is disposed. Thereby, damage to the to-be-processed object 66 at the time of rotation of the to-be-processed object 66 can be prevented.

(第1の領域60aでのアライメント動作)
上記のように、第1の領域60aには、被処理体66をアライメントするアライメント機構69が設けられている。アライメント機構69は、実施の形態1の保持機構12と同様に、多孔質体を介して被処理体66を吸着して保持する。そして、アライメント機構69は被処理体66の位置、及び回転角度を調整する。例えば、被処理体66の搬入動作、搬送動作、回転動作によって、被処理体66の位置や回転角度が微小にずれることがある。アライメント機構69は、位置や回転角度のずれを補正している。これにより、被処理体66におけるレーザ光の照射位置を精度よく制御することができる。
(Alignment operation in the first region 60a)
As described above, the alignment mechanism 69 for aligning the object to be processed 66 is provided in the first region 60a. Similar to the holding mechanism 12 of the first embodiment, the alignment mechanism 69 adsorbs and holds the workpiece 66 through the porous body. The alignment mechanism 69 adjusts the position and rotation angle of the object 66. For example, the position and rotation angle of the object to be processed 66 may be slightly shifted due to the carry-in operation, the conveyance operation, and the rotation operation of the object to be processed 66. The alignment mechanism 69 corrects the shift in position and rotation angle. Thereby, the irradiation position of the laser beam in the to-be-processed object 66 can be controlled accurately.

ここで、x方向の位置(以下、x座標)、y方向の位置(以下、y座標)、z軸周りの回転角度(以下、角度θ)のアライメント動作を行う例について説明する。本実施の形態では、第1の領域60aに設けられたアライメント機構69がy座標、及び角度θをアライメントし、搬送ユニット61_1がx座標をアライメントする。すなわち、アライメント機構69は、y方向に移動可能であり、かつ、z軸周りに回転可能である。さらに、アライメント機構69は、z方向に移動可能である。例えば、アライメント機構69は、モータ等のアクチュエータを備えており、制御部53によって制御される。   Here, an example of performing an alignment operation of a position in the x direction (hereinafter referred to as x coordinate), a position in the y direction (hereinafter referred to as y coordinate), and a rotation angle around the z axis (hereinafter referred to as angle θ) will be described. In the present embodiment, the alignment mechanism 69 provided in the first region 60a aligns the y coordinate and the angle θ, and the transport unit 61_1 aligns the x coordinate. That is, the alignment mechanism 69 can move in the y direction and can rotate about the z axis. Further, the alignment mechanism 69 is movable in the z direction. For example, the alignment mechanism 69 includes an actuator such as a motor and is controlled by the control unit 53.

また、x座標、y座標、及び角度θのずれ量は、カメラ画像から算出されている。例えば、カメラ画像によって、被処理体66のエッジを複数箇所で検出することで、x座標、y座標、及び角度θのずれ量を求めることができる。   Further, the shift amount of the x coordinate, the y coordinate, and the angle θ is calculated from the camera image. For example, by detecting the edge of the processing object 66 at a plurality of locations from the camera image, the shift amount of the x coordinate, the y coordinate, and the angle θ can be obtained.

図30は、アライメント動作を示すフローチャートである。図31はアライメント動作を行うためのカメラ配置を模式的に示す平面図である。   FIG. 30 is a flowchart showing the alignment operation. FIG. 31 is a plan view schematically showing a camera arrangement for performing the alignment operation.

搬送ユニット61_4からアライメント機構69への持ち替え動作を行う(S31)。すなわち、搬送ユニット61_4の保持機構62_4が被処理体66の保持を解除するとともに、アライメント機構69が被処理体66を保持する。   A transfer operation from the transport unit 61_4 to the alignment mechanism 69 is performed (S31). That is, the holding mechanism 62_4 of the transport unit 61_4 releases the object 66 and the alignment mechanism 69 holds the object 66.

次に、制御部53が求めたアライメント量データをアライメント機構69が参照する(S32)。例えば、図31に示すように、浮上ユニット60の上には、3つのカメラ81a〜81cが設置されている。3つのカメラ81a〜81cは、それぞれ被処理体66のエッジ(端辺)を撮像する。カメラ81a、81bが−y側のエッジを撮像し、カメラ81cが−x側のエッジを撮像する。制御部53は、それぞれのカメラ画像におけるエッジ位置を求める。そして、3つのエッジ位置に基づいて、制御部53が、x座標、y座標、角度θのずれ量をアライメント量としてそれぞれ算出する。xy平面において、3つのカメラ81a〜81cが同一直線上になければ、制御部53がx座標、y座標、角度θのアライメント量を算出することができる。   Next, the alignment mechanism 69 refers to the alignment amount data obtained by the control unit 53 (S32). For example, as shown in FIG. 31, three cameras 81 a to 81 c are installed on the floating unit 60. The three cameras 81 a to 81 c each capture an edge (end side) of the object 66. The cameras 81a and 81b image the -y side edge, and the camera 81c images the -x side edge. The control unit 53 obtains the edge position in each camera image. Then, based on the three edge positions, the control unit 53 calculates the deviation amounts of the x coordinate, the y coordinate, and the angle θ as alignment amounts. If the three cameras 81a to 81c are not on the same straight line on the xy plane, the control unit 53 can calculate the alignment amount of the x coordinate, the y coordinate, and the angle θ.

そして、被処理体66を保持するアライメント機構69がアライメント量だけ移動する(S33)。これにより、y座標、及び回転角度のアライメントが行われる。すなわち、アライメント機構69がy座標のずれ量を打ち消すように、被処理体66をy方向に移動する。また、アライメント機構69は、角度θのずれ量を打ち消すように、被処理体66をz軸周りに回転する。   Then, the alignment mechanism 69 that holds the workpiece 66 moves by the alignment amount (S33). Thereby, alignment of the y coordinate and the rotation angle is performed. That is, the workpiece 66 is moved in the y direction so that the alignment mechanism 69 cancels out the y-coordinate shift amount. In addition, the alignment mechanism 69 rotates the workpiece 66 around the z-axis so as to cancel out the shift amount of the angle θ.

次に、搬送ユニット61_1が、アライメント量だけ移動する(S34)。これにより、x座標のアライメントが行われる。すなわち、搬送ユニット61_1の移動機構63_1がx座標のずれ量を打ち消すようにx方向に移動して、保持機構62_1の保持位置を調整する。   Next, the transport unit 61_1 moves by the alignment amount (S34). Thereby, alignment of the x coordinate is performed. That is, the moving mechanism 63_1 of the transport unit 61_1 moves in the x direction so as to cancel out the deviation amount of the x coordinate, and adjusts the holding position of the holding mechanism 62_1.

そして、制御部53がx座標、y座標、角度θの位置決めが完了したか否かを判定する(S35)。すなわち、被処理体66が所定の位置に位置決めされたか否が判定される。アライメントが完了していない場合(S35のNO)、アライメントが完了するまで、S35の判定を繰り返す。   Then, the control unit 53 determines whether or not the positioning of the x coordinate, the y coordinate, and the angle θ is completed (S35). That is, it is determined whether or not the object 66 is positioned at a predetermined position. If the alignment is not completed (NO in S35), the determination in S35 is repeated until the alignment is completed.

アライメントが完了した場合(S35のYES)、アライメント機構69から搬送ユニット61_1への持ち替え動作が行われる(S36)。すなわち、アライメント機構69が保持を解除するとともに、搬送ユニット61_1の保持機構62_1が被処理体66を保持する。このとき、x方向における搬送ユニット61_1の位置が調整されているため、保持機構62_1が適切な位置を保持することができる。そして、処理を終了する。   When the alignment is completed (YES in S35), a transfer operation from the alignment mechanism 69 to the transport unit 61_1 is performed (S36). That is, the alignment mechanism 69 releases the holding, and the holding mechanism 62_1 of the transport unit 61_1 holds the workpiece 66. At this time, since the position of the transport unit 61_1 in the x direction is adjusted, the holding mechanism 62_1 can hold an appropriate position. Then, the process ends.

このように、浮上ユニット60には、アライメント機構69が設けられている。アライメント機構69が被処理体66をアライメントすることで、被処理体66におけるレーザ光の照射位置を精度よく位置決めすることができる。   As described above, the floating unit 60 is provided with the alignment mechanism 69. The alignment mechanism 69 aligns the object 66 to be processed, so that the irradiation position of the laser beam on the object 66 can be accurately positioned.

なお、浮上ユニット60においてアライメント機構69を設ける位置は第1の領域60aに限定されるものではない。例えば、第2の領域60b〜第4の領域60dのいずれかの領域にアライメント機構69を設けてもよい。また、照射領域60eの直前にアライメント機構69を設けることで、より位置精度を向上することができる。よって、本実施の形態では、アライメント機構69を第1の領域60aに配置している。また、被処理体66を浮上ユニット60の上に搬入した後、レーザ光の照射前にアライメント機構69がアライメントを行うことが好ましい。よって、アライメント機構69は、第1の領域60a、又は第4の領域60dに設けることが好ましい。   The position where the alignment mechanism 69 is provided in the levitation unit 60 is not limited to the first region 60a. For example, the alignment mechanism 69 may be provided in any one of the second region 60b to the fourth region 60d. Further, by providing the alignment mechanism 69 immediately before the irradiation region 60e, the position accuracy can be further improved. Therefore, in the present embodiment, the alignment mechanism 69 is disposed in the first region 60a. In addition, it is preferable that the alignment mechanism 69 performs alignment after the workpiece 66 is carried onto the levitation unit 60 and before the laser light irradiation. Therefore, the alignment mechanism 69 is preferably provided in the first region 60a or the fourth region 60d.

アライメント機構69は、回転機構68と同様に、浮上ユニット60に設けられた貫通穴内に配置することが好ましい。すなわち、浮上ユニット60に貫通穴を設けて、この貫通穴にアライメント機構69を配置することができる。アライメント機構69がy方向にアライメントを行うため、貫通穴はy方向に延びた長穴であることが望ましい。この場合、xy平面におけるアライメント機構69の多孔質体の平面形状を円形状にすることが好ましい。   As with the rotation mechanism 68, the alignment mechanism 69 is preferably disposed in a through hole provided in the floating unit 60. That is, a through hole is provided in the levitation unit 60, and the alignment mechanism 69 can be disposed in the through hole. Since the alignment mechanism 69 performs alignment in the y direction, the through hole is preferably a long hole extending in the y direction. In this case, the planar shape of the porous body of the alignment mechanism 69 in the xy plane is preferably circular.

(被処理体66の持ち替え動作)
上記のように、被処理体66の搬送方向を変えるタイミングでは、搬送ユニット61_1〜61_4の間で被処理体66を持ち替える持ち替え動作が行われる。例えば、搬送ユニット61_2が第2の領域60bまで被処理体66を搬送すると、搬送ユニット61_2から搬送ユニット61_3への持ち替え動作が行われる。具体的には、搬送ユニット61_2が第3の領域60cまで被処理体66を搬送したら、搬送ユニット61_2の保持機構62_2が吸着を解除するとともに、搬送ユニット61_3の保持機構62_3が被処理体66を吸着する。このように、搬送ユニット61_1〜61_4が被処理体66を順番に持ち替えることで、上記した循環搬送を行うことができる。
(Operation for changing the object 66)
As described above, at the timing of changing the conveyance direction of the object to be processed 66, the holding operation for changing the object to be processed 66 between the conveyance units 61_1 to 61_4 is performed. For example, when the transport unit 61_2 transports the workpiece 66 to the second region 60b, a holding operation from the transport unit 61_2 to the transport unit 61_3 is performed. Specifically, when the transport unit 61_2 transports the target object 66 to the third region 60c, the holding mechanism 62_2 of the transport unit 61_2 releases the suction, and the holding mechanism 62_3 of the transport unit 61_3 holds the target object 66. Adsorb. As described above, the transporting units 61_1 to 61_4 sequentially change the objects 66 to be processed, whereby the above-described circulation transport can be performed.

さらに、アライメント機構69は、搬送ユニット61_4、61_1との間で持ち替え動作を行う。例えば、搬送ユニット61_4によって第1の領域60aに搬送された被処理体66は、搬送ユニット61_4からアライメント機構69に持ち替えられる。また、アライメント機構69によってアライメントされた被処理体66は、アライメント機構69から搬送ユニット61_1に持ち替えられる。   Further, the alignment mechanism 69 performs a holding operation with the transport units 61_4 and 61_1. For example, the object to be processed 66 conveyed to the first region 60a by the conveyance unit 61_4 is transferred from the conveyance unit 61_4 to the alignment mechanism 69. In addition, the workpiece 66 aligned by the alignment mechanism 69 is transferred from the alignment mechanism 69 to the transport unit 61_1.

また、回転機構68は、搬送ユニット61_3、61_4との間で持ち替え動作を行う。例えば、搬送ユニット61_3から第4の領域60dに搬送された被処理体66は、搬送ユニット61_3から回転機構68に持ち替えられる。回転機構68によって回転された被処理体66は、回転機構68から搬送ユニット61_4に持ち替えられる。   Further, the rotation mechanism 68 performs a holding operation with the transport units 61_3 and 61_4. For example, the workpiece 66 transported from the transport unit 61_3 to the fourth region 60d is transferred from the transport unit 61_3 to the rotation mechanism 68. The workpiece 66 rotated by the rotation mechanism 68 is transferred from the rotation mechanism 68 to the transport unit 61_4.

ここで、搬送ユニット61_1〜61_4は、多孔質体を介して、被処理体66を吸着して保持することが好ましい。同様に、アライメント機構69、及び回転機構68は、多孔質体を介して、被処理体66を吸着して保持することが好ましい。もちろん、多孔質体を用いずに、被処理体66を保持する構成であってもよい。例えば、吸盤型の真空吸着機構を用いて、被処理体66を吸着保持してもよい。   Here, it is preferable that the conveyance units 61_1 to 61_4 adsorb and hold the workpiece 66 through the porous body. Similarly, it is preferable that the alignment mechanism 69 and the rotation mechanism 68 adsorb and hold the object to be processed 66 through a porous body. Of course, the structure which hold | maintains the to-be-processed object 66 without using a porous body may be sufficient. For example, the workpiece 66 may be held by suction using a suction cup type vacuum suction mechanism.

以下、被処理体66の持ち替え動作の詳細について、図32を用いて説明する。図32は、持ち替え動作を説明するための模式的な側面図である。図32のA〜Eの順番で持ち替え動作が行われる。   Hereinafter, the details of the operation of changing the object 66 will be described with reference to FIG. FIG. 32 is a schematic side view for explaining the holding operation. The changeover operation is performed in the order of A to E in FIG.

以下の説明では、搬送ユニット61_2から搬送ユニット61_3への持ち替え動作について説明するが、他の搬送ユニット61_1〜61_4、回転機構68、及びアライメント機構69の持ち替え動作についても同様であるため、説明を省略する。なお、図32では説明のため、搬送ユニット61_2の保持機構62_2と、搬送ユニット61_3の保持機構62_3を簡略化して示している。保持機構62_2、62_3の詳細な構成については、図5が適宜参照される。例えば、多孔質体151_2、151_3と、台座153_2、153_3は、図5の多孔質体151と台座153と同様の構成となっている。   In the following description, the transfer operation from the transfer unit 61_2 to the transfer unit 61_3 will be described. However, the transfer operation of the other transfer units 61_1 to 61_4, the rotation mechanism 68, and the alignment mechanism 69 is the same, and thus the description is omitted. To do. In FIG. 32, for the sake of explanation, the holding mechanism 62_2 of the transport unit 61_2 and the holding mechanism 62_3 of the transport unit 61_3 are shown in a simplified manner. 5 is appropriately referred to for the detailed configuration of the holding mechanisms 62_2 and 62_3. For example, the porous bodies 151_2 and 151_3 and the bases 153_2 and 153_3 have the same configuration as the porous body 151 and the base 153 in FIG.

図32のAに示すように、保持機構62_2は、多孔質体151_2と、台座153_2とを備えている。さらに、保持機構62_2は、昇降機構137_2に接続されている。昇降機構137_2は、モータ又はシリンダなどのアクチュエータを備えており、多孔質体151_2と台座153_2とを昇降する。すなわち、昇降機構137_2は、多孔質体151_2と台座153_2とをz方向に移動させる。これにより、保持機構62_2が上昇した位置(以下、上昇位置)と下降した位置(以下、下降位置)との間を昇降する。上昇位置は、多孔質体151_2が被処理体66の下面と接触する位置である。下降位置は、多孔質体151_2が被処理体66の下面から離れる位置である。   As shown in FIG. 32A, the holding mechanism 62_2 includes a porous body 151_2 and a base 153_2. Further, the holding mechanism 62_2 is connected to the lifting mechanism 137_2. The elevating mechanism 137_2 includes an actuator such as a motor or a cylinder, and elevates and lowers the porous body 151_2 and the base 153_2. That is, the elevating mechanism 137_2 moves the porous body 151_2 and the base 153_2 in the z direction. As a result, the holding mechanism 62_2 moves up and down between a raised position (hereinafter referred to as a raised position) and a lowered position (hereinafter referred to as a lowered position). The raised position is a position where the porous body 151_2 contacts the lower surface of the object 66. The lowered position is a position where the porous body 151_2 is separated from the lower surface of the object 66.

図32のAに示すように、保持機構62_3は、多孔質体151_3と、台座153_3とを備えている。さらに、保持機構62_3は昇降機構137_3に接続されている。昇降機構137_3は、モータ又はシリンダなどのアクチュエータを備えており、多孔質体151_3と台座153_3とを昇降する。すなわち、昇降機構137_2は、多孔質体151_3と台座153_3とをz方向に移動させる。これにより、保持機構62_3が上昇した位置(以下、上昇位置)と下降した位置(以下、下降位置)との間を昇降する。上昇位置は、多孔質体151_3が被処理体66の下面と接触する位置である。下降位置は、多孔質体151_3が被処理体66の下面から離れる位置である。昇降機構137_2、137_3は、制御部53(図12を参照)によって独立に制御される。   As shown in A of FIG. 32, the holding mechanism 62_3 includes a porous body 151_3 and a base 153_3. Further, the holding mechanism 62_3 is connected to the lifting mechanism 137_3. The lifting mechanism 137_3 includes an actuator such as a motor or a cylinder, and lifts and lowers the porous body 151_3 and the base 153_3. That is, the lifting mechanism 137_2 moves the porous body 151_3 and the base 153_3 in the z direction. As a result, the holding mechanism 62_3 moves up and down between a raised position (hereinafter referred to as a raised position) and a lowered position (hereinafter referred to as a lowered position). The raised position is a position where the porous body 151_3 is in contact with the lower surface of the object 66. The lowered position is a position where the porous body 151_3 is separated from the lower surface of the object 66. The elevating mechanisms 137_2 and 137_3 are independently controlled by the control unit 53 (see FIG. 12).

昇降機構137_2、昇降機構137_3として、例えば、サーボモータとくさび機構とを有する昇降テーブルを用いることができる。あるいは、エアシリンダ等を用いてもよい。なお、図32のB〜Eでは、スペースの関係上、多孔質体151_3と、台座153_3と、昇降機構137_3の符号を適宜省略している。   As the lifting mechanism 137_2 and the lifting mechanism 137_3, for example, a lifting table having a servo motor and a wedge mechanism can be used. Alternatively, an air cylinder or the like may be used. 32B to 32E, reference numerals of the porous body 151_3, the base 153_3, and the elevating mechanism 137_3 are appropriately omitted because of space.

搬送ユニット61_2が被処理体66を第3の領域60cに搬送した直後では、図32のAに示すように、保持機構62_2が吸着している状態となっている。具体的には、保持機構62_2が上昇位置となっており、保持機構62_3が下降位置となっている。よって、図32のAでは、多孔質体151_3は、被処理体66に接触していない。   Immediately after the transport unit 61_2 transports the workpiece 66 to the third region 60c, as shown in FIG. 32A, the holding mechanism 62_2 is adsorbed. Specifically, the holding mechanism 62_2 is in the raised position, and the holding mechanism 62_3 is in the lowered position. Therefore, in FIG. 32A, the porous body 151_3 is not in contact with the object 66.

次に、図32のBに示すように、昇降機構137_3が保持機構62_3を上昇位置まで上昇させる。すなわち、保持機構62_2、及び保持機構62_3の両方が上昇位置となっているため、多孔質体151_2、及び多孔質体151_3の両方が被処理体66に接触している。   Next, as shown in FIG. 32B, the elevating mechanism 137_3 raises the holding mechanism 62_3 to the raised position. That is, since both the holding mechanism 62_2 and the holding mechanism 62_3 are in the ascending position, both the porous body 151_2 and the porous body 151_3 are in contact with the target object 66.

そして、図32のCに示すように、保持機構62_3が被処理体66を吸着する。具体的には、実施の形態1で説明したように、保持機構62_3のバルブ(すなわち、図5におけるバルブ142)を開ける。これにより、保持機構62_3の負圧空間(すなわち、図5における負圧空間155)が排気される。多孔質体151_3を介して、保持機構62_3によって被処理体66が吸着される。すなわち、保持機構62_3と保持機構62_2の両方が、被処理体66を吸着する。   And as shown to C of FIG. 32, the holding mechanism 62_3 adsorb | sucks the to-be-processed object 66. FIG. Specifically, as described in Embodiment 1, the valve of the holding mechanism 62_3 (that is, the valve 142 in FIG. 5) is opened. Thereby, the negative pressure space of the holding mechanism 62_3 (that is, the negative pressure space 155 in FIG. 5) is exhausted. The object 66 is adsorbed by the holding mechanism 62_3 through the porous body 151_3. That is, both the holding mechanism 62_3 and the holding mechanism 62_2 adsorb the workpiece 66.

次に、図32のDに示すように、保持機構62_2が吸着を解除する。ここでは、保持機構62_2のバルブ(すなわち、図5におけるバルブ142)を閉じる。これにより、保持機構62_2の負圧空間(すなわち、図5における負圧空間155)の圧力が上昇する。多孔質体151_2を介する被処理体66の吸着が解除される。なお、吸着解除のために、負圧空間にガスを供給して、吸着破壊を行ってもよい。   Next, as shown in FIG. 32D, the holding mechanism 62_2 releases the suction. Here, the valve of the holding mechanism 62_2 (that is, the valve 142 in FIG. 5) is closed. As a result, the pressure in the negative pressure space of the holding mechanism 62_2 (that is, the negative pressure space 155 in FIG. 5) increases. The adsorption of the object 66 through the porous body 151_2 is released. In order to cancel the adsorption, gas may be supplied to the negative pressure space to perform adsorption destruction.

そして、図32のEに示すように、昇降機構137_2が保持機構62_2を下降位置まで下降される。これにより、保持機構62_2の多孔質体151_2が被処理体66〜離間する。よって、搬送ユニット61_3によって、−x方向への被処理体66の搬送が可能となる。   Then, as shown in E of FIG. 32, the elevating mechanism 137_2 is lowered to the lowered position by the holding mechanism 62_2. Thereby, the porous body 151_2 of the holding mechanism 62_2 is separated from the object to be processed 66. Therefore, the to-be-processed object 66 can be conveyed in the −x direction by the conveyance unit 61_3.

なお、搬送ユニット61_1〜61_4、アライメント機構69、及び回転機構68は、実施の形態1で示した貫通穴152を備える多孔質体151を用いることが好ましい。このようにすることで、持ち替え動作を速やかに行うことができる。   The transport units 61_1 to 61_4, the alignment mechanism 69, and the rotation mechanism 68 preferably use the porous body 151 provided with the through hole 152 described in the first embodiment. By doing in this way, a change-over operation can be performed quickly.

具体的には、図32のCに示す保持機構62_3による吸着が、図13に示すフローチャートに沿って実施される。また、図32のDに示す吸着解除が、図14に示すフローチャートに沿って実施される。よって、速やかに吸着判定、及び吸着解除判定を行うことができる。よって、よりスループットを向上することができる。   Specifically, the suction by the holding mechanism 62_3 shown in FIG. 32C is performed according to the flowchart shown in FIG. Further, the suction release shown in D of FIG. 32 is performed according to the flowchart shown in FIG. Therefore, the adsorption determination and the adsorption release determination can be performed promptly. Therefore, the throughput can be further improved.

本実施の形態では、被処理体66を循環搬送している。循環搬送において、上記の(2)から(12)の各動作の間に持ち替え動作が行われる。すなわち、持ち替え動作の回数が多くなっている。よって、貫通穴152付の多孔質体151を用いることで、スループットを向上する効果が大きい。もちろん、貫通穴152のない多孔質体151を用いてもよく、吸盤型の真空吸着機構を用いて、被処理体66を吸着保持してもよい。   In the present embodiment, the workpiece 66 is circulated and conveyed. In the circulating transfer, a holding operation is performed between the operations (2) to (12). That is, the number of holding operations increases. Therefore, the use of the porous body 151 with the through hole 152 has a great effect of improving the throughput. Of course, the porous body 151 without the through-hole 152 may be used, and the workpiece 66 may be sucked and held using a suction cup type vacuum suction mechanism.

(浮上ユニット60)
次に、被処理体66を浮上する浮上ユニット60の詳細について、図33を用いて説明する。図33の浮上ユニット60の構成を模式的に示す平面図である。図33に示すように、浮上ユニット60は、精密浮上ユニット(精密浮上領域)111、準精密浮上ユニット(準精密浮上領域)112、及びラフ浮上ユニット(ラフ浮上領域)113を備えている。なお、図33では、補助浮上ユニット67、回転機構68、アライメント機構69を省略している。精密浮上ユニット111は、準精密浮上ユニット112、及びラフ浮上ユニット113よりも浮上量の精度が高い。準精密浮上ユニット112はラフ浮上ユニット113よりも浮上量の精度が高い。
(Floating unit 60)
Next, details of the levitation unit 60 that levitates the workpiece 66 will be described with reference to FIG. It is a top view which shows typically the structure of the floating unit 60 of FIG. As shown in FIG. 33, the levitation unit 60 includes a precision levitation unit (precision levitation area) 111, a semi-precision levitation unit (semi-precision levitation area) 112, and a rough levitation unit (rough levitation area) 113. In FIG. 33, the auxiliary levitation unit 67, the rotation mechanism 68, and the alignment mechanism 69 are omitted. The precision levitation unit 111 has a higher flying height accuracy than the semi-precise levitation unit 112 and the rough levitation unit 113. The semi-precision levitation unit 112 has a higher flying height accuracy than the rough levitation unit 113.

第1の領域60a、第2の領域60b、第3の領域60c、及び第4の領域60dは、ラフ浮上ユニット113によって構成されている。モニタ領域60fは、準精密浮上ユニット112によって構成されている。なお、モニタ領域60fには、着色部195が形成されている。すなわち、準精密浮上ユニット112の表面の一部を黒色処理することで、着色部195が形成されている。着色部195は、y方向を長手方向とする矩形状の領域となっている。着色部195については後述する。   The first region 60 a, the second region 60 b, the third region 60 c, and the fourth region 60 d are configured by the rough levitation unit 113. The monitor region 60f is configured by the semi-precise levitation unit 112. Note that a colored portion 195 is formed in the monitor region 60f. That is, the colored portion 195 is formed by performing black processing on a part of the surface of the semi-precise floating unit 112. The coloring portion 195 is a rectangular region whose longitudinal direction is the y direction. The coloring part 195 will be described later.

照射領域60eは、精密浮上ユニット111、及び準精密浮上ユニット112によって構成されている。より詳細には、照射領域60eでは、+x側に向かうにつれて、準精密浮上ユニット112、精密浮上ユニット111、準精密浮上ユニット112の順番で配置されている。すなわち、x方向における精密浮上ユニット111の両側に準精密浮上ユニット112が配置されている。レーザ照射位置65は、精密浮上ユニット111に配置される。   The irradiation area 60e is configured by the precision levitation unit 111 and the semi-precision levitation unit 112. More specifically, in the irradiation region 60e, the semi-precise levitation unit 112, the precise levitation unit 111, and the semi-precision levitation unit 112 are arranged in this order toward the + x side. That is, the semi-precise levitation units 112 are arranged on both sides of the precision levitation unit 111 in the x direction. The laser irradiation position 65 is disposed on the precision levitation unit 111.

第1の領域60a、照射領域60e、第2の領域60bにおける浮上ユニット60の模式的なxz断面を図34に示す。上記のように、浮上ユニット60が被処理体66を浮上させながら、搬送ユニット61_1(図34では不図示)が被処理体66を搬送する。そして、照射領域60eにおいて、被処理体66にレーザ発生装置64で発生されたレーザ光65が照射される。   A schematic xz cross section of the levitation unit 60 in the first region 60a, the irradiation region 60e, and the second region 60b is shown in FIG. As described above, the transport unit 61_1 (not shown in FIG. 34) transports the workpiece 66 while the flying unit 60 floats the workpiece 66. Then, in the irradiation region 60e, the laser beam 65 generated by the laser generator 64 is irradiated to the object 66.

図34に示すように、浮上ユニット60は、精密浮上ユニット111a、111b、準精密浮上ユニット112a〜112d、及びラフ浮上ユニット113a〜113fを用いて構成されている。なお、以下では、精密浮上ユニット111a、111bを用いて構成されている領域を精密浮上領域111a、111bと、準精密浮上ユニット112a〜112dを用いて構成されている領域を準精密浮上領域112a〜112dと、また、ラフ浮上ユニット113a〜113fを用いて構成されている領域をラフ浮上領域113a〜113fとも記載する。   As shown in FIG. 34, the levitation unit 60 is configured using precision levitation units 111a and 111b, semi-precise levitation units 112a to 112d, and rough levitation units 113a to 113f. In the following description, the areas that are configured using the precision levitation units 111a and 111b are the precise levitation areas 111a and 111b, and the areas that are configured using the quasi-precise levitation units 112a to 112d are 112d and the area formed by using the rough levitation units 113a to 113f are also referred to as rough levitation areas 113a to 113f.

精密浮上ユニット111a、111bは、レーザ光の照射位置65を含む領域(精密浮上領域)に配置されている。準精密浮上ユニット112a、112bは、精密浮上ユニット111a、111bと隣接するように配置されており、精密浮上ユニット111a、111bに対して、−x方向側に配置されている。ラフ浮上ユニット113a〜113cは、準精密浮上ユニット112a、112bと隣接するように配置されており、準精密浮上ユニット112a、112bに対して、−x方向側に配置されている。   The precision levitation units 111a and 111b are arranged in a region (precision levitation region) including the irradiation position 65 of the laser beam. The semi-precision levitation units 112a and 112b are disposed adjacent to the precision levitation units 111a and 111b, and are disposed on the −x direction side with respect to the precision levitation units 111a and 111b. The rough levitation units 113a to 113c are disposed adjacent to the semi-precise levitation units 112a and 112b, and are disposed on the −x direction side with respect to the semi-precise levitation units 112a and 112b.

また、準精密浮上ユニット112c、112dは、精密浮上ユニット111a、111bと隣接するように配置されており、精密浮上ユニット111a、111bに対して、+x方向側に配置されている。ラフ浮上ユニット113d〜113fは、準精密浮上ユニット112c、112dと隣接するように配置されており、準精密浮上ユニット112c、112dに対して、+x方向側に配置されている。   The semi-precise levitation units 112c and 112d are disposed adjacent to the precision levitation units 111a and 111b, and are disposed on the + x direction side with respect to the precise levitation units 111a and 111b. The rough levitation units 113d to 113f are disposed adjacent to the semi-precise levitation units 112c and 112d, and are disposed on the + x direction side with respect to the semi-precise levitation units 112c and 112d.

したがって、−x側から+x側に向かうにつれて、ラフ浮上ユニット113a、ラフ浮上ユニット113b、ラフ浮上ユニット113c、準精密浮上ユニット112a、準精密浮上ユニット112b、精密浮上ユニット111a、精密浮上ユニット111b、準精密浮上ユニット112c、準精密浮上ユニット112d、ラフ浮上ユニット113d、ラフ浮上ユニット113e、ラフ浮上ユニット113fの順番で配置されている。なお、以下では精密浮上ユニット111a、111bを総称して精密浮上ユニット111とも記載する。同様に準精密浮上ユニット112a〜112dを総称して準精密浮上ユニット112とも記載し、ラフ浮上ユニット113a〜113fを総称してラフ浮上ユニット113とも記載する。   Therefore, the rough levitation unit 113a, the rough levitation unit 113b, the rough levitation unit 113c, the semi-precision levitation unit 112a, the semi-precision levitation unit 112b, the precision levitation unit 111a, the precision levitation unit 111b, The precision levitation unit 112c, the semi-precision levitation unit 112d, the rough levitation unit 113d, the rough levitation unit 113e, and the rough levitation unit 113f are arranged in this order. Hereinafter, the precision levitation units 111a and 111b are collectively referred to as the precision levitation unit 111. Similarly, the semi-precision levitation units 112a to 112d are collectively referred to as the semi-precision levitation unit 112, and the rough levitation units 113a to 113f are collectively referred to as the rough levitation unit 113.

xy平面視において、レーザ光65の照射位置65と精密浮上ユニット111a、111bとが重畳する(図33を合わせて参照)。また、ラフ浮上ユニット113a〜113f、及び準精密浮上ユニット112a〜112dは、レーザ光65の照射位置65と重畳しない。ここで、xy平面視した場合とは、図33に示すように、浮上ユニット60をz軸方向側からみた場合を意味する。準精密浮上ユニット112a、112bは、精密浮上ユニット111aとラフ浮上ユニット113cとの間に配置されている。また、準精密浮上ユニット112c、112dは、精密浮上ユニット111bとラフ浮上ユニット113dとの間に配置されている。   In the xy plan view, the irradiation position 65 of the laser beam 65 and the precision levitation units 111a and 111b overlap (see also FIG. 33). The rough levitation units 113 a to 113 f and the semi-precise levitation units 112 a to 112 d do not overlap with the irradiation position 65 of the laser beam 65. Here, the case of xy plan view means the case where the levitation unit 60 is viewed from the z-axis direction side as shown in FIG. The semi-precision levitation units 112a and 112b are disposed between the precision levitation unit 111a and the rough levitation unit 113c. The semi-precise levitation units 112c and 112d are disposed between the precision levitation unit 111b and the rough levitation unit 113d.

図34に示すように、精密浮上ユニット111a、111bおよび準精密浮上ユニット112a〜112dは、ガスの噴出および吸引を用いて被処理体66を浮上させるように構成されている。また、ラフ浮上ユニット113a〜113fは、ガスの噴出を用いて被処理体66を浮上させるように構成されている。各々のラフ浮上ユニット113a〜113fの被処理体66と対向する側の面(つまり、各々のラフ浮上ユニット113a〜113fの上面)には、被処理体66とラフ浮上ユニット113a〜113fとの間に存在するガスを排出するための溝117が形成されている。溝117は、浮上ユニット60の外周面まで到達している。なお、図33では異なる方向に形成された溝117を溝117_1、溝117_2として識別している。すなわち、溝117_1と溝117_2を総称して、溝117とする。複数の溝117_1と複数の溝117_2を形成することで、xy平面視において溝117が網目状になる。   As shown in FIG. 34, the precision levitation units 111a and 111b and the semi-precise levitation units 112a to 112d are configured to levitate the workpiece 66 using gas ejection and suction. Further, the rough levitation units 113a to 113f are configured to levitate the object 66 by using gas ejection. The surface of each rough levitation unit 113a to 113f facing the object 66 (that is, the upper surface of each rough levitation unit 113a to 113f) is between the object 66 and the rough levitation unit 113a to 113f. A groove 117 is formed for discharging the gas present in the. The groove 117 reaches the outer peripheral surface of the levitation unit 60. In FIG. 33, the grooves 117 formed in different directions are identified as the grooves 117_1 and 117_2. That is, the groove 117_1 and the groove 117_2 are collectively referred to as the groove 117. By forming the plurality of grooves 117_1 and the plurality of grooves 117_2, the grooves 117 have a mesh shape in the xy plan view.

図33、図34に示すように、精密浮上ユニット111a、111b、準精密浮上ユニット112a〜112d、及びラフ浮上ユニット113a〜113fの各々は、例えばy方向に伸びる矩形状のユニットであり、これらの浮上ユニットが搬送方向(x方向)に沿って並ぶように配置されている。被処理体66は、ラフ浮上ユニット113a〜113c、準精密浮上ユニット112a、112b、精密浮上ユニット111a、111b、準精密浮上ユニット112c、112d、ラフ浮上ユニット113d〜113fの順に通過して搬送される。なお、各々の浮上ユニットの形状は矩形状に限定されることはない。例えば、各々の浮上ユニットの形状は正方形であってもよい。精密浮上ユニット111a、111b、準精密浮上ユニット112a〜112d、及びラフ浮上ユニット113a〜113fの各々は、それぞれ、多孔質体を備えている。   As shown in FIGS. 33 and 34, each of the precision levitation units 111a and 111b, the semi-precise levitation units 112a to 112d, and the rough levitation units 113a to 113f are, for example, rectangular units extending in the y direction. The floating units are arranged so as to be aligned along the transport direction (x direction). The object 66 is transported through the rough levitation units 113a to 113c, semi-precision levitation units 112a and 112b, precision levitation units 111a and 111b, semi-precision levitation units 112c and 112d, and rough levitation units 113d to 113f in this order. . Note that the shape of each floating unit is not limited to a rectangular shape. For example, each floating unit may have a square shape. Each of the precision levitation units 111a and 111b, the semi-precision levitation units 112a to 112d, and the rough levitation units 113a to 113f each include a porous body.

[精密浮上ユニット111]
精密浮上ユニット111a、111bは、被処理体66を精密に浮上させて搬送するユニットであり、搬送時の被処理体66のたわみ量を小さくしながら搬送することができるように構成されている。精密浮上ユニット111a、111bは、被処理体66を浮上させるためのガスの噴出量を精密に制御している。精密浮上領域(精密浮上ユニット)111a、111bは、ガスの噴出および吸引を用いて被処理体66を浮上させるように構成されている。なお、精密浮上ユニット111a、111bの詳細な構成については、図35、図36を用いて説明する。
[Precise levitation unit 111]
The precision levitation units 111a and 111b are units that precisely float and transport the object 66, and are configured to be transported while reducing the amount of deflection of the object 66 during transport. The precision levitation units 111a and 111b precisely control the amount of gas ejected to levitate the workpiece 66. The precision levitation regions (precision levitation units) 111a and 111b are configured to levitate the workpiece 66 using gas ejection and suction. The detailed configuration of the precision levitation units 111a and 111b will be described with reference to FIGS.

図35、図36はそれぞれ、精密浮上ユニット111a、111bの構成例を説明するための断面図、及び平面図である。図35に示すように、精密浮上ユニット111は、台座121および多孔質体122を備える。多孔質体122は台座121の上側に設けられており、ガス噴出部として機能する。   FIGS. 35 and 36 are a cross-sectional view and a plan view, respectively, for explaining a configuration example of the precision levitation units 111a and 111b. As shown in FIG. 35, the precision levitation unit 111 includes a pedestal 121 and a porous body 122. The porous body 122 is provided on the upper side of the pedestal 121 and functions as a gas ejection part.

図36の平面図に示すように、多孔質体122は給気ポート124_1、124_2に接続されており、圧縮されたガスが給気ポート124_1、124_2を介して多孔質体122に供給される。例えば、給気ポート124_1、124_2は精密浮上ユニット111の下部に設けられている。なお、図35に示す断面図では、給気ポート124_1、124_2の配置と排気ポート125_1、125_2の配置とが重なるため、給気ポート124_1、124_2の図示を省略している。多孔質体122に供給された圧縮ガスは、多孔質体122の内部を通過した後、多孔質体122の上面から上方に噴出する。これにより、被処理体66が浮上する。   As shown in the plan view of FIG. 36, the porous body 122 is connected to the air supply ports 124_1 and 124_2, and the compressed gas is supplied to the porous body 122 through the air supply ports 124_1 and 124_2. For example, the air supply ports 124_1 and 124_2 are provided at the lower part of the precision levitation unit 111. In the cross-sectional view shown in FIG. 35, the arrangement of the air supply ports 124_1 and 124_2 and the arrangement of the exhaust ports 125_1 and 125_2 overlap with each other, and thus the illustration of the air supply ports 124_1 and 124_2 is omitted. The compressed gas supplied to the porous body 122 is jetted upward from the upper surface of the porous body 122 after passing through the inside of the porous body 122. Thereby, the to-be-processed object 66 floats.

また、多孔質体122には複数の吸気孔127が形成されている。吸気孔127は、多孔質体122に貫通穴を空けることで形成することができる。図36に示すように、吸気孔127は、多孔質体122の上面(つまり、被処理体66と対向する面)において均一に配置されている。x方向、及びy方向において、吸気孔127は一定の間隔で配列されている。吸気孔127は、被処理体66と精密浮上ユニット111との間に存在するガス(ガス溜まり(図41の符号135参照))を吸引する。図35に示すように、吸気孔127は流路126を介して排気ポート125_1、125_2に接続されている。例えば、排気ポート125_1、125_2は精密浮上ユニット111の下部に設けられている。排気ポート125_1、125_2にはエジェクタや真空ポンプなどが接続されており、エジェクタや真空ポンプなどを用いて排気ポート125_1、125_2を吸引する(つまり負圧にする)ことで、精密浮上ユニット111の上面に存在するガスを吸気孔127から吸引することができる。   The porous body 122 has a plurality of intake holes 127 formed therein. The intake hole 127 can be formed by making a through hole in the porous body 122. As shown in FIG. 36, the intake holes 127 are uniformly arranged on the upper surface of the porous body 122 (that is, the surface facing the object to be processed 66). In the x direction and the y direction, the intake holes 127 are arranged at regular intervals. The intake hole 127 sucks a gas (a gas reservoir (see reference numeral 135 in FIG. 41)) existing between the workpiece 66 and the precision levitation unit 111. As shown in FIG. 35, the intake hole 127 is connected to the exhaust ports 125_1 and 125_2 via the flow path 126. For example, the exhaust ports 125_1 and 125_2 are provided below the precision levitation unit 111. An ejector, a vacuum pump, or the like is connected to the exhaust ports 125_1, 125_2, and the exhaust port 125_1, 125_2 is sucked (that is, made negative pressure) by using the ejector, the vacuum pump, etc. Can be sucked from the intake hole 127.

図37は、精密浮上ユニット111を用いて被処理体66を搬送している状態を説明するための断面図である。図37に示すように、精密浮上ユニット111では、多孔質体122から上方にガスが噴出しているので、精密浮上ユニット111の上に被処理体66が搬送されてくると、このガスが被処理体66の下面に吹き付けられることで被処理体66が浮上する。よって、精密浮上ユニット111と被処理体66とが非接触の状態となる。このとき、被処理体66と精密浮上ユニット111との隙間、つまり被処理体66の浮上量は、給気ポート124_1、124_2に供給されるガスの量、換言すると、多孔質体122から噴出するガスの量を調整することで制御することができる。   FIG. 37 is a cross-sectional view for explaining a state in which the workpiece 66 is conveyed using the precision levitation unit 111. As shown in FIG. 37, in the precision levitation unit 111, gas is ejected upward from the porous body 122. Therefore, when the object 66 is conveyed onto the precision levitation unit 111, the gas is covered. By being sprayed on the lower surface of the processing body 66, the processing object 66 floats. Therefore, the precision levitation unit 111 and the workpiece 66 are not in contact with each other. At this time, the clearance between the object to be processed 66 and the precision levitation unit 111, that is, the flying height of the object to be processed 66, is the amount of gas supplied to the air supply ports 124_1 and 124_2, in other words, ejected from the porous body 122. It can be controlled by adjusting the amount of gas.

なお、精密浮上ユニット111において、排気ポート125_1、125_2のよる吸気で負圧となる空間(吸気孔127、流路125を含む空間)は、供給ポート124_1、124_2による給気で正圧となる空間から分離されている。すなわち、負圧となる空間と正圧となる空間との気密が保たれている。   In the precision levitation unit 111, a space (a space including the intake hole 127 and the flow path 125) that becomes negative pressure by intake air through the exhaust ports 125_1 and 125_2 is a space that becomes positive pressure by supply air from the supply ports 124_1 and 124_2. Has been separated from. That is, the airtightness between the space that becomes negative pressure and the space that becomes positive pressure is maintained.

また、被処理体66と精密浮上ユニット111との間に存在するガス(ガス溜まり(図41の符号135参照))を吸気孔127から吸引することで、被処理体66のたわみを低減することができる。換言すると、被処理体66を平坦にすることができる。被処理体66のたわみ量は、給気ポート124_1、124_2に供給されるガスの量と排気ポート125_1、125_2から排気するガスの量とのバランスを調整することで制御することができる。   Moreover, the gas (gas reservoir (refer to reference numeral 135 in FIG. 41)) existing between the object to be processed 66 and the precision levitation unit 111 is sucked from the intake hole 127, thereby reducing the deflection of the object to be processed 66. Can do. In other words, the object 66 can be flattened. The amount of deflection of the workpiece 66 can be controlled by adjusting the balance between the amount of gas supplied to the air supply ports 124_1 and 124_2 and the amount of gas exhausted from the exhaust ports 125_1 and 125_2.

[ラフ浮上ユニット113]
次に、ラフ浮上ユニット113a〜113fの構成例について説明する。ラフ浮上ユニット113a〜113fは、被処理体66を浮上させて搬送するユニットであり、搬送時に被処理体66がラフ浮上ユニット113a〜113fに接触しなければよいため、被処理体66を浮上させるためのガスの噴出量は、精密浮上ユニット111a、111bほど精密に制御していない。このため、ラフ浮上ユニット113a〜113fを通過する際の被処理体66のたわみ量は、精密浮上ユニット111a、111bを通過する際の被処理体66のたわみ量よりも大きい。ラフ浮上領域(ラフ浮上ユニット)113a〜113fは、ガスの吸引を用いず、ガスの噴出を用いて被処理体66を浮上させるように構成されている。
[Rough levitation unit 113]
Next, configuration examples of the rough levitation units 113a to 113f will be described. The rough levitation units 113a to 113f are units that levitate and convey the object 66, and the object 66 does not need to come into contact with the rough levitation units 113a to 113f during conveyance, so the object 66 is levitated. The amount of gas ejected is not controlled as precisely as the precision levitation units 111a and 111b. For this reason, the amount of deflection of the object 66 when passing through the rough levitation units 113a to 113f is larger than the amount of deflection of the object 66 when passing through the precision levitation units 111a and 111b. The rough levitation regions (rough levitation units) 113a to 113f are configured to levitate the object 66 using gas ejection without using gas suction.

図38、図39はそれぞれ、ラフ浮上ユニット113の構成例を説明するための断面図、及び平面図である。図38に示すように、ラフ浮上ユニット113は、台座131および多孔質体132を備える。多孔質体132は台座131の上側に設けられており、ガス噴出部として機能する。多孔質体132は給気ポート134_1、134_2(図39参照)に接続されており、圧縮されたガスが給気ポート134_1、134_2を介して多孔質体132に供給される。例えば、給気ポート134_1、134_2はラフ浮上ユニット113の下部に設けられている。多孔質体132に供給された圧縮ガスは、多孔質体132の内部を通過した後、多孔質体132の上面から上方に噴出する。これにより、被処理体66が浮上する。   38 and 39 are a cross-sectional view and a plan view, respectively, for explaining a configuration example of the rough levitation unit 113. As shown in FIG. 38, the rough levitation unit 113 includes a pedestal 131 and a porous body 132. The porous body 132 is provided on the upper side of the base 131 and functions as a gas ejection part. The porous body 132 is connected to the air supply ports 134_1 and 134_2 (see FIG. 39), and the compressed gas is supplied to the porous body 132 through the air supply ports 134_1 and 134_2. For example, the air supply ports 134_1 and 134_2 are provided in the lower part of the rough levitation unit 113. The compressed gas supplied to the porous body 132 passes through the inside of the porous body 132 and then jets upward from the upper surface of the porous body 132. Thereby, the to-be-processed object 66 floats.

また、図38、図39に示すように、ラフ浮上ユニット113の上面には、溝117(つまり溝117_1と溝117_2)が形成されている。図39に示す例では、ラフ浮上ユニット113をxy平面視した際に、被処理体66の搬送方向(x方向)に対して斜めになるように溝117が形成されている。   Also, as shown in FIGS. 38 and 39, grooves 117 (that is, grooves 117_1 and 117_2) are formed on the upper surface of the rough levitation unit 113. In the example shown in FIG. 39, when the rough levitation unit 113 is viewed in the xy plane, the groove 117 is formed so as to be inclined with respect to the conveyance direction (x direction) of the workpiece 66.

図40に示すように、溝117は、被処理体66とラフ浮上ユニット113の上面との間に存在するガスを排出する。すなわち、ラフ浮上ユニット113と被処理体66との間に存在するガスの排出をすることができる。また、ラフ浮上ユニット113には、複数の溝117_1と複数の溝117_2が形成されている。そして、溝117_1と溝117_2が交差するように形成されている。このような構成とすることで、溝117を通過するガスの量を増加させることができ、ラフ浮上ユニット113と被処理体66との間に存在するガスの排出を促進させることができる。   As shown in FIG. 40, the groove 117 discharges the gas existing between the workpiece 66 and the upper surface of the rough levitation unit 113. That is, the gas existing between the rough levitation unit 113 and the workpiece 66 can be discharged. The rough levitation unit 113 has a plurality of grooves 117_1 and a plurality of grooves 117_2. The grooves 117_1 and 117_2 are formed so as to intersect with each other. With such a configuration, the amount of gas passing through the groove 117 can be increased, and the discharge of the gas existing between the rough levitation unit 113 and the workpiece 66 can be promoted.

つまり、図41の比較例に示すように、ラフ浮上ユニット113の上面に溝117を形成しない場合は、ラフ浮上ユニット113の多孔質体132から噴出したガスが被処理体66の下面に吹き付けられて被処理体66が浮上した際に、被処理体66とラフ浮上ユニット113との間にガス溜まり135が形成される。このガス溜まり135は被処理体66がたわむ原因となる。   That is, as shown in the comparative example of FIG. 41, when the groove 117 is not formed on the upper surface of the rough levitation unit 113, the gas ejected from the porous body 132 of the rough levitation unit 113 is blown to the lower surface of the object 66. Thus, when the object 66 floats, a gas reservoir 135 is formed between the object 66 and the rough levitation unit 113. The gas reservoir 135 causes the workpiece 66 to bend.

これに対して、図38〜図40に示すようにラフ浮上ユニット113の上面に溝117を形成した場合は、溝117を通して被処理体66とラフ浮上ユニット113との間に存在するガス(ガス溜まり)を排出することができる。よって、ラフ浮上ユニット113の上を被処理体66が通過する際に被処理体66がたわむことを抑制することができる。   On the other hand, when the groove 117 is formed on the upper surface of the rough levitation unit 113 as shown in FIGS. 38 to 40, the gas (gas) existing between the workpiece 66 and the rough levitation unit 113 through the groove 117. Can be discharged. Therefore, the to-be-processed object 66 can be prevented from being bent when the to-be-processed object 66 passes over the rough levitation unit 113.

図38に示す例では、多孔質体132の表面の一部を削ることで溝117を形成している。溝117を形成することによるガスの排出効果は、溝117の深さが深いほどその効果が向上する。しかし、多孔質体132に形成する溝117の深さが深くなるほど、多孔質体132の強度が弱くなる。よって、多孔質体132の強度を維持しつつ、溝117の深さが深くなるように溝117を形成することが好ましい。   In the example shown in FIG. 38, the groove 117 is formed by cutting a part of the surface of the porous body 132. The effect of discharging the gas by forming the groove 117 is improved as the depth of the groove 117 is increased. However, as the depth of the groove 117 formed in the porous body 132 becomes deeper, the strength of the porous body 132 becomes weaker. Therefore, it is preferable to form the groove 117 so that the depth of the groove 117 is deep while maintaining the strength of the porous body 132.

なお、本実施の形態では、図42に示すように、台座131の上に複数の多孔質体132_1、132_2を設け、複数の多孔質体132_1、132_2を配置した際に多孔質体間にできる隙間を用いて溝117を形成してもよい。この場合は、多孔質体132_1、132_2の厚さが溝117の深さとなる。   In this embodiment, as shown in FIG. 42, when a plurality of porous bodies 132_1 and 132_2 are provided on a pedestal 131 and the plurality of porous bodies 132_1 and 132_2 are arranged, a gap is formed between the porous bodies. The groove 117 may be formed using a gap. In this case, the thickness of the porous bodies 132_1 and 132_2 is the depth of the groove 117.

ここで、溝117を通るガスの量は、溝117同士の間隔が狭く、溝117の幅が広く、溝117の深さが深いほど多くなる。しかし、溝117同士の間隔が狭くなりすぎると、ラフ浮上ユニット113の上面において溝117が占める割合が多くなり、被処理体66が浮上しにくくなる。よって、溝117のガス排出量に支障がない範囲で、溝117同士の間隔を広くすることが好ましい。また、溝117の幅が広すぎると、被処理体66が溝117を越えられなくなるおそれがある。よって、溝117のガス排出量に支障がない範囲で、溝117の幅を狭くすることが好ましい。被処理体66とラフ浮上ユニット113との間のガス溜まりの量は被処理体66の厚さ、種類、浮上量等によって変化する。よってこの点を考慮して、被処理体のたわみを抑制するために必要な溝117の最適な寸法を決定することが好ましい。   Here, the amount of gas passing through the groove 117 increases as the interval between the grooves 117 is narrow, the width of the groove 117 is wide, and the depth of the groove 117 is deep. However, if the distance between the grooves 117 becomes too small, the ratio of the grooves 117 to the upper surface of the rough levitation unit 113 increases, and the object 66 is less likely to float. Therefore, it is preferable to widen the interval between the grooves 117 as long as the gas discharge amount of the grooves 117 is not hindered. Further, if the width of the groove 117 is too wide, the object 66 may not be able to exceed the groove 117. Therefore, it is preferable to narrow the width of the groove 117 as long as the gas discharge amount of the groove 117 is not hindered. The amount of gas accumulation between the object to be processed 66 and the rough levitation unit 113 varies depending on the thickness, type, and amount of levitation of the object to be processed 66. Therefore, in consideration of this point, it is preferable to determine an optimum dimension of the groove 117 necessary for suppressing the deflection of the object to be processed.

前述したように、精密浮上ユニット111は、搬送時の被処理体66のたわみ量を小さくしながら搬送することができるように構成されている。具体的には、精密浮上ユニット111はガスを噴出して被処理体66を浮上させるとともに、被処理体66と精密浮上ユニット111との間に存在するガス溜まりを吸気孔127から吸引しているので、搬送時の被処理体66のたわみ量を低減させることができる。   As described above, the precision levitation unit 111 is configured so that it can be conveyed while reducing the amount of deflection of the object 66 during conveyance. Specifically, the precision levitation unit 111 ejects gas to levitate the object to be processed 66 and sucks a gas reservoir existing between the object to be processed 66 and the precision levitation unit 111 from the intake hole 127. Therefore, it is possible to reduce the amount of deflection of the object 66 during conveyance.

しかしながら、精密浮上ユニット111は、ガスの噴出とガスの吸引の両方を行うため内部構造が複雑化する。また、ガスの吸引も行うため、真空ポンプやエジェクタ等の機器が必要となる。したがって、精密浮上ユニット111は、単にガスを噴出して被処理体66を搬送する構成のラフ浮上ユニット113と比べて高価なユニットである。よって、本実施の形態にかかるレーザ照射装置2では、図33に示したように、レーザ光の照射位置65を含む領域にのみ精密浮上ユニット111a、111bを配置している。このようにすることで、安価に浮上ユニット60を製造することができる。   However, since the precision levitation unit 111 performs both gas ejection and gas suction, the internal structure is complicated. Further, since gas is also sucked, devices such as a vacuum pump and an ejector are required. Therefore, the precision levitation unit 111 is an expensive unit as compared with the rough levitation unit 113 configured to simply eject gas and transport the workpiece 66. Therefore, in the laser irradiation apparatus 2 according to the present embodiment, as shown in FIG. 33, the precise levitation units 111a and 111b are arranged only in the region including the laser beam irradiation position 65. By doing in this way, the floating unit 60 can be manufactured at low cost.

ここで、ラフ浮上ユニット113は、精密浮上ユニット111ほど浮上精度が求められないが、ラフ浮上ユニット113においても被処理体66のたわみを抑制する必要がある。つまり、ラフ浮上ユニット113を用いて被処理体66を搬送している際に被処理体66がたわむと、被処理体66がラフ浮上ユニット113a〜113fに衝突して被処理体66が破損するおそれがある。   Here, the rough levitation unit 113 is not required to have as high a levitation accuracy as the precision levitation unit 111, but the rough levitation unit 113 also needs to suppress the deflection of the workpiece 66. That is, if the workpiece 66 bends while the workpiece 66 is being transported using the rough levitation unit 113, the workpiece 66 collides with the rough levitation units 113a to 113f and the workpiece 66 is damaged. There is a fear.

すなわち、ラフ浮上ユニット113a〜113fではガスを被処理体66に吹き付けて被処理体66を浮上させているが、このとき被処理体66とラフ浮上ユニット113a〜113fとの間にガス溜まり135(図41参照)が発生する。このガス溜まり135の影響によって、被処理体66の中央部のみが浮上し被処理体66の角部が大きくたわむという現象が起こり、被処理体66の角部がラフ浮上ユニット113a〜113fに衝突する場合がある。このような現象は、被処理体66の面積が大きくなるほど、また被処理体66の厚さが薄くなるほど顕著にあらわれる。   That is, in the rough levitation units 113a to 113f, gas is blown to the object to be processed 66 so that the object to be processed 66 is levitated. At this time, a gas reservoir 135 (between the object to be processed 66 and the rough levitation units 113a to 113f) 41) occurs. Due to the influence of the gas reservoir 135, a phenomenon occurs in which only the central portion of the object 66 is levitated and the corners of the object 66 are largely bent, and the corners of the object 66 collide with the rough levitation units 113a to 113f. There is a case. Such a phenomenon becomes more conspicuous as the area of the object to be processed 66 becomes larger and as the thickness of the object 66 becomes thinner.

よって、ラフ浮上ユニット113a〜113fにおいてもガス溜まり135(図41参照)の発生を抑制して被処理体66がたわむことを抑制する必要がある。しかしながら、精密浮上ユニット111a、111bのようにガスを吸引するための機構をラフ浮上ユニット113a〜113fに設けた場合は、精密浮上ユニット111a、111bと比べてラフ浮上ユニット113a〜113fの面積が広いため、浮上ユニットを構成する際のコストが増加してしまう。   Therefore, in the rough levitation units 113a to 113f, it is necessary to suppress the generation of the gas reservoir 135 (see FIG. 41) and to prevent the workpiece 66 from being bent. However, when the rough levitation units 113a to 113f are provided with a mechanism for sucking a gas like the precision levitation units 111a and 111b, the rough levitation units 113a to 113f have a larger area than the precision levitation units 111a and 111b. For this reason, the cost for constructing the levitation unit increases.

そこで本実施の形態にかかるレーザ照射装置1では、図33、図38、図39等に示すようにラフ浮上ユニット113a〜113fの上面に溝117を形成し、溝117を通して被処理体66とラフ浮上ユニット113a〜113fとの間に存在するガス(ガス溜まり)を排出するように構成している(図40参照)。よって、ラフ浮上ユニット113a〜113fの上を被処理体66が通過する際に被処理体66がたわむことを抑制することができる。また、このように被処理体66がたわむこと抑制するための機構を安価に形成することができる。   Therefore, in the laser irradiation apparatus 1 according to the present embodiment, the grooves 117 are formed on the upper surfaces of the rough levitation units 113a to 113f as shown in FIGS. The gas (gas reservoir) existing between the levitation units 113a to 113f is discharged (see FIG. 40). Therefore, the to-be-processed object 66 can be suppressed from being bent when the to-be-processed object 66 passes over the rough levitation units 113a to 113f. In addition, a mechanism for suppressing the object 66 from being bent can be formed at a low cost.

なお、ラフ浮上ユニット113a〜113fのように上面に溝117を形成した場合は、精密浮上ユニット111a、111bのようにガスを吸引するための機構を設けた場合よりも、被処理体66のたわみを抑制する効果は低い。しかし、ラフ浮上ユニット113a〜113fを用いて被処理体66を搬送する際は、被処理体66がラフ浮上ユニット113a〜113fに接触しないことが求められており、精密浮上ユニット111a、111bほど被処理体66のたわみの抑制が求められていない。よって、ラフ浮上ユニット113a〜113fにおいては、被処理体66のたわみを安価に実現できる溝117を形成する手法が最も適している。   In addition, when the groove 117 is formed on the upper surface as in the rough levitation units 113a to 113f, the deflection of the workpiece 66 is greater than in the case where a mechanism for sucking gas is provided as in the precise levitation units 111a and 111b. The effect of suppressing is low. However, when the workpiece 66 is transported using the rough levitation units 113a to 113f, it is required that the workpiece 66 does not contact the rough levitation units 113a to 113f. The suppression of the deflection of the processing body 66 is not required. Therefore, in the rough levitation units 113a to 113f, a method of forming the groove 117 that can realize the deflection of the object 66 at low cost is most suitable.

[準精密浮上ユニット112]
準精密浮上ユニット112a、112bは、ラフ浮上ユニット113a〜113cから精密浮上ユニット111a、111bに被処理体66が搬送される際に、被処理体66のたわみ量が滑らかに変化するように被処理体66を搬送可能に構成されている。また、準精密浮上ユニット112c、112dは、精密浮上ユニット111a、111bからラフ浮上ユニット113d〜113fに被処理体66が搬送される際に、被処理体66のたわみ量が滑らかに変化するように被処理体66を搬送可能に構成されている。例えば、準精密浮上ユニット112a〜112dは、精密浮上ユニット111a、111bが被処理体66を浮上させる際の精度とラフ浮上ユニット113a〜113fが被処理体66を浮上させる際の精度との間の精度で被処理体66を浮上させるように構成されている。準精密浮上領域(準精密浮上ユニット)112a〜112dは、ガスの噴出および吸引を用いて被処理体66を浮上させるように構成されている。なお、準精密浮上ユニット112a〜112dの詳細な構成については、実施の形態1で説明した精密浮上ユニット111a、111bの構成(図35〜図37参照)と基本的に同様であるので、重複した説明は省略する。
[Semi-precision levitation unit 112]
The semi-precision levitation units 112a and 112b are processed so that the amount of deflection of the object 66 changes smoothly when the object 66 is transported from the rough levitation units 113a to 113c to the precision levitation units 111a and 111b. The body 66 is configured to be transportable. Further, the semi-precise levitation units 112c and 112d are configured so that the amount of deflection of the object to be processed 66 smoothly changes when the object to be processed 66 is transported from the precision levitation units 111a and 111b to the rough levitation units 113d to 113f. The workpiece 66 is configured to be transportable. For example, the semi-precise levitation units 112a to 112d are between the accuracy when the precision levitation units 111a and 111b levitate the object 66 and the accuracy when the rough levitation units 113a to 113f levitate the object 66. The workpiece 66 is configured to float with accuracy. The semi-precise levitation areas (quasi-precise levitation units) 112a to 112d are configured to levitate the object 66 using gas ejection and suction. Note that the detailed configuration of the semi-precise levitation units 112a to 112d is basically the same as the configuration of the precision levitation units 111a and 111b described in the first embodiment (see FIGS. 35 to 37), and therefore, overlapping. Description is omitted.

例えば、精密浮上ユニット111a、111bの上を被処理体66が通過する際の被処理体66のたわみ量は、ラフ浮上ユニット113a〜113cの上を被処理体66が通過する際の被処理体66のたわみ量の1/10〜1/20である。準精密浮上ユニット112a、112bは、ラフ浮上ユニット113a〜113cから精密浮上ユニット111a、111bに被処理体66が搬送される際に、被処理体66のたわみ量が滑らかに変化するように、換言すると、ラフ浮上ユニット113a〜113cにおける被処理体66のたわみ量と精密浮上ユニット111a、111bにおける被処理体66のたわみ量との差分を吸収するように、被処理体66を搬送する。   For example, the amount of deflection of the object 66 when the object 66 passes over the precise levitation units 111a and 111b is the object when the object 66 passes over the rough levitation units 113a to 113c. The amount of deflection of 66 is 1/10 to 1/20. The semi-precision levitation units 112a and 112b are arranged so that the amount of deflection of the object 66 changes smoothly when the object 66 is transported from the rough levitation units 113a to 113c to the precision levitation units 111a and 111b. Then, the workpiece 66 is transported so as to absorb the difference between the deflection amount of the workpiece 66 in the rough levitation units 113a to 113c and the deflection amount of the workpiece 66 in the precision levitation units 111a and 111b.

同様に、例えば、精密浮上ユニット111a、111bの上を被処理体66が通過する際の被処理体66のたわみ量は、ラフ浮上ユニット113d〜113fの上を被処理体66が通過する際の被処理体66のたわみ量の1/10〜1/20である。準精密浮上ユニット112c、112dは、精密浮上ユニット111a、111bからラフ浮上ユニット113d〜113fに被処理体66が搬送される際に、被処理体66のたわみ量が滑らかに変化するように、換言すると、精密浮上ユニット111a、111bにおける被処理体66のたわみ量とラフ浮上ユニット113d〜113fにおける被処理体66のたわみ量との差分を吸収するように、被処理体66を搬送する。   Similarly, for example, the amount of deflection of the object 66 when the object 66 passes over the precision levitation units 111a and 111b is the amount of deflection when the object 66 passes over the rough levitation units 113d to 113f. This is 1/10 to 1/20 of the deflection amount of the workpiece 66. The semi-precision levitation units 112c and 112d are arranged so that the amount of deflection of the object 66 changes smoothly when the object 66 is transported from the precision levitation units 111a and 111b to the rough levitation units 113d to 113f. Then, the workpiece 66 is transported so as to absorb the difference between the deflection amount of the workpiece 66 in the precision levitation units 111a and 111b and the deflection amount of the workpiece 66 in the rough levitation units 113d to 113f.

本実施の形態にかかるレーザ照射装置では、精密浮上ユニット111a、111bに供給されるガス供給量と準精密浮上ユニット112a〜112dに供給されるガス供給量とを独立に制御可能に構成されている。つまり、精密浮上ユニット111a、111bから噴出されるガスの量と準精密浮上ユニット112a〜112dから噴出されるガスの量とを独立に制御可能に構成されている。また、精密浮上ユニット111a、111bの吸気孔のガス吸引量(排気ポートにおける排気量)と準精密浮上ユニット112a〜112dの吸気孔のガス吸引量(排気ポートにおける排気量)とを独立に制御可能に構成されている。   The laser irradiation apparatus according to the present embodiment is configured such that the gas supply amount supplied to the precision levitation units 111a and 111b and the gas supply amount supplied to the semi-precise levitation units 112a to 112d can be independently controlled. . That is, the amount of gas ejected from the precision levitation units 111a and 111b and the amount of gas ejected from the semi-precise levitation units 112a to 112d can be independently controlled. In addition, the gas suction amount (exhaust amount at the exhaust port) of the precision levitation units 111a and 111b and the gas suction amount (exhaust amount at the exhaust port) of the intake ports of the semi-precise levitation units 112a to 112d can be controlled independently. It is configured.

例えば、精密浮上ユニット111a、112bのそれぞれから噴出されるガスの量を、準精密浮上ユニット112a〜112dのそれぞれから噴出されるガスの量よりも多くして、かつ、精密浮上ユニット111a、112bのそれぞれにおける吸気孔のガス吸引量を、準精密浮上ユニット112a〜112dのそれぞれにおけるガスの吸引量よりも多くする。このようにすることで、精密浮上ユニット111a、111bにおける浮上量の精度を準精密浮上ユニット112a〜112dにおける浮上量の精度よりも高くすることができる。なお、ガスの噴出量と吸引量は、各ユニットの面積や多孔質体の気孔率、吸気孔127の配置などに応じて、適宜設定すればよい。   For example, the amount of gas ejected from each of the precision levitation units 111a and 112b is made larger than the amount of gas ejected from each of the semi-precise levitation units 112a to 112d, and the precision levitation units 111a and 112b The gas suction amount in each intake hole is set to be larger than the gas suction amount in each of the semi-precise levitation units 112a to 112d. By doing in this way, the precision of the flying height in the precision levitation units 111a and 111b can be made higher than the precision of the flying height in the semi-precision levitation units 112a to 112d. The gas ejection amount and the suction amount may be appropriately set according to the area of each unit, the porosity of the porous body, the arrangement of the intake holes 127, and the like.

さらに、精密浮上ユニット111a、111bの平面の加工精度は、準精密浮上ユニット112a〜112dの平面の加工精度よりも高くなるように、精密浮上ユニット111a、111bが製作されている。すなわち、精密浮上ユニット111a、112bの上面(浮上面)における平面度は、準精密浮上ユニット112a〜112dの上面(浮上面)における平面度よりも高くなっている。通常、多孔質体を高い平面度で加工する場合、高価になるが、本実施の形態では、レーザ照射位置65のみを高い平面度の精密浮上ユニット111a、111bで構成している。このようにすることで、レーザ照射位置65での浮上精度が要求を満たしつつも、装置コストを低減することができる。   Further, the precision levitation units 111a and 111b are manufactured so that the processing accuracy of the planes of the precision levitation units 111a and 111b is higher than the processing accuracy of the planes of the semi-precision levitation units 112a to 112d. That is, the flatness on the upper surfaces (floating surfaces) of the precision levitation units 111a and 112b is higher than the flatness on the upper surfaces (floating surfaces) of the semi-precise levitation units 112a to 112d. Normally, when processing a porous body with high flatness, it becomes expensive, but in this embodiment, only the laser irradiation position 65 is constituted by the high levitation precision levitation units 111a and 111b. By doing so, the apparatus cost can be reduced while the flying accuracy at the laser irradiation position 65 satisfies the requirement.

[搬送時のたわみ]
図43は、第1の領域60aから照射領域60eを通過して第2の領域60bまで被処理体66を搬送している様子を説明するための断面図である。図43(a)に示すように、被処理体66がラフ浮上ユニット113a〜113cの上を通過している際は、被処理体66がたわんでいる。しかし本実施の形態ではラフ浮上ユニット113a〜113cの上面に溝117を形成しているので、上記で説明した理由から被処理体66のたわみ量は抑えられている。
[Deflection during transport]
FIG. 43 is a cross-sectional view for explaining how the workpiece 66 is transported from the first region 60a through the irradiation region 60e to the second region 60b. As shown in FIG. 43A, when the object 66 passes over the rough levitation units 113a to 113c, the object 66 is bent. However, in this embodiment, since the grooves 117 are formed on the upper surfaces of the rough levitation units 113a to 113c, the deflection amount of the object 66 is suppressed for the reason described above.

その後、被処理体66が搬送され、図43(b)に示すように、被処理体66が準精密浮上ユニット112a、112bの上を通過する際は、被処理体66のたわみ量は、被処理体66がラフ浮上ユニット113a〜113cの上を通過している際のたわみ量よりも小さくなる。つまり、準精密浮上ユニット112a、112bはガスを噴出して被処理体66を浮上させるとともに、被処理体66と準精密浮上ユニット112a、112bとの間に存在するガス溜まりを吸引しているので、搬送時の被処理体66のたわみ量を低減させることができる。   Thereafter, the workpiece 66 is transported, and when the workpiece 66 passes over the semi-precise levitation units 112a and 112b, as shown in FIG. This is smaller than the amount of deflection when the processing body 66 passes over the rough levitation units 113a to 113c. In other words, the semi-precise levitation units 112a and 112b eject gas and cause the object 66 to float, and also suck the gas reservoir existing between the object 66 and the semi-precise levitation units 112a and 112b. Further, it is possible to reduce the amount of deflection of the object 66 during conveyance.

その後、被処理体66が更に搬送され、図43(c)に示すように、被処理体66が精密浮上ユニット111a、111bの上を通過する際は、被処理体66のたわみ量は、被処理体66が準精密浮上ユニット112a、112bの上を通過している際のたわみ量よりも小さくなる。つまり、精密浮上ユニット111a、111bはガスを噴出して被処理体66を浮上させるとともに、被処理体66と精密浮上ユニット111a、111bとの間に存在するガス溜まりを吸引しているので、搬送時の被処理体66のたわみ量を低減させることができる。また、準精密浮上ユニット112a、112bを設けることで、ラフ浮上ユニット113a〜113cから精密浮上ユニット111a、111bに被処理体66が搬送される際に、被処理体66のたわみ量が滑らかに変化するようにすることができる。精密浮上ユニット111a、111bの上を通過する際、被処理体66にレーザ光65が照射される。   Thereafter, the workpiece 66 is further transported, and as shown in FIG. 43 (c), when the workpiece 66 passes over the precision levitation units 111a and 111b, the deflection amount of the workpiece 66 is as follows. This is smaller than the amount of deflection when the processing body 66 passes over the semi-precise floating units 112a and 112b. In other words, the precision levitation units 111a and 111b jet gas to float the object 66 and suck a gas reservoir existing between the object 66 and the precision levitation units 111a and 111b. The amount of deflection of the object 66 at the time can be reduced. In addition, by providing the semi-precise levitation units 112a and 112b, when the workpiece 66 is transported from the rough levitation units 113a to 113c to the precision levitation units 111a and 111b, the amount of deflection of the workpiece 66 changes smoothly. To be able to. When passing over the precision levitation units 111a and 111b, the laser beam 65 is irradiated to the object 66.

その後、被処理体66が更に搬送され、図43(d)に示すように、被処理体66が準精密浮上ユニット112c、112d、及びラフ浮上ユニット113d〜113fの上を通過している際は、被処理体66のたわみ量は次のようになる。すなわち、被処理体66がラフ浮上ユニット113d〜113fの上を通過している際は、被処理体66がたわんでいるが、本実施の形態ではラフ浮上ユニット113d〜113fの上面に溝117を形成しているので、上記で説明した理由から被処理体66のたわみ量は抑えられている。   Thereafter, the workpiece 66 is further conveyed, and when the workpiece 66 passes over the semi-precise floating units 112c and 112d and the rough floating units 113d to 113f as shown in FIG. 43 (d). The amount of deflection of the object 66 is as follows. That is, when the object 66 passes over the rough levitation units 113d to 113f, the object 66 is bent. In the present embodiment, the grooves 117 are formed on the upper surfaces of the rough levitation units 113d to 113f. Since it is formed, the amount of deflection of the workpiece 66 is suppressed for the reason described above.

また、被処理体66が準精密浮上ユニット112c、112dの上を通過している際は、被処理体66のたわみ量は、被処理体66がラフ浮上ユニット113d〜113fの上を通過している際のたわみ量よりも小さくなる。つまり、準精密浮上ユニット112c、112dはガスを噴出して被処理体66を浮上させるとともに、被処理体66と準精密浮上ユニット112c、112dとの間に存在するガス溜まりを吸引しているので、搬送時の被処理体66のたわみ量を低減させることができる。そして、この場合も、準精密浮上ユニット112c、112dを設けることで、精密浮上ユニット111a、111bからラフ浮上ユニット113d〜113fに被処理体66が搬送される際に、被処理体66のたわみ量が滑らかに変化するようにすることができる。   Further, when the object 66 passes over the semi-precise floating units 112c and 112d, the amount of deflection of the object 66 is such that the object 66 passes over the rough levitation units 113d to 113f. It becomes smaller than the amount of deflection when it is. In other words, the semi-precise levitation units 112c and 112d jet gas to float the object 66 and suck the gas reservoir existing between the object 66 and the semi-precise levitation units 112c and 112d. Further, it is possible to reduce the amount of deflection of the object 66 during conveyance. Also in this case, by providing the semi-precise levitation units 112c and 112d, when the object 66 is transported from the precise levitation units 111a and 111b to the rough levitation units 113d to 113f, the deflection amount of the object 66 is processed. Can be changed smoothly.

このように、本実施の形態にかかるレーザ照射装置2では、ラフ浮上ユニット113a〜113cと精密浮上ユニット111a、111bとの間に準精密浮上ユニット112a、112bを設けている。よって、ラフ浮上ユニット113a〜113cから精密浮上ユニット111a、111bに被処理体66が搬送される際に、被処理体66のたわみ量が滑らかに変化するようにすることができる。   Thus, in the laser irradiation apparatus 2 according to the present embodiment, the semi-precision levitation units 112a and 112b are provided between the rough levitation units 113a to 113c and the precision levitation units 111a and 111b. Therefore, when the workpiece 66 is transported from the rough levitation units 113a to 113c to the precision levitation units 111a and 111b, the amount of deflection of the workpiece 66 can be changed smoothly.

すなわち、図43(c)に示すように、被処理体66がラフ浮上ユニット113cから準精密浮上ユニット112aに搬送される際、位置119aにおいて被処理体66のたわみ量が急激に変化する。しかし、本実施の形態にかかるレーザ照射装置2では、準精密浮上ユニット112a、112bを用いて被処理体66のたわみ量が滑らかに変化するように被処理体66を搬送している。よって、位置119aにおける被処理体66のたわみが、レーザ照射位置65を通過している被処理体66に影響することを抑制することができる。換言すると、準精密浮上ユニット112a、112bを設けることで、被処理体66のたわみが大きい位置119aとレーザ照射位置65との距離d1を離すことができるので、準精密浮上ユニット112a、112bがない構成と比べて、レーザ照射位置65における被処理体66のたわみを低減させることができる。   That is, as shown in FIG. 43 (c), when the object to be processed 66 is conveyed from the rough levitation unit 113c to the semi-precise levitation unit 112a, the amount of deflection of the object 66 changes abruptly at the position 119a. However, in the laser irradiation apparatus 2 according to the present embodiment, the object to be processed 66 is conveyed using the semi-precise levitation units 112a and 112b so that the amount of deflection of the object to be processed 66 changes smoothly. Therefore, it is possible to suppress the deflection of the object 66 at the position 119a from affecting the object 66 passing through the laser irradiation position 65. In other words, by providing the semi-precise levitation units 112a and 112b, the distance d1 between the position 119a where the workpiece 66 is largely deflected and the laser irradiation position 65 can be separated, so that the quasi-precise levitation units 112a and 112b are not provided. Compared with the configuration, the deflection of the object 66 at the laser irradiation position 65 can be reduced.

また、本実施の形態にかかるレーザ照射装置2では、精密浮上ユニット111a、111bとラフ浮上ユニット113d〜113fとの間に準精密浮上ユニット112c、112dを設けている。よって、精密浮上ユニット111a、111bからラフ浮上ユニット113d〜113fに被処理体66が搬送される際に、被処理体66のたわみ量が滑らかに変化するようにすることができる。   In the laser irradiation apparatus 2 according to the present embodiment, the semi-precise levitation units 112c and 112d are provided between the precise levitation units 111a and 111b and the rough levitation units 113d to 113f. Therefore, when the workpiece 66 is transported from the precision levitation units 111a and 111b to the rough levitation units 113d to 113f, the amount of deflection of the workpiece 66 can be changed smoothly.

すなわち、図43(d)に示すように、被処理体66が準精密浮上ユニット112dからラフ浮上ユニット113dに搬送される際、位置119bにおいて被処理体66のたわみ量が急激に変化する。しかし、本実施の形態にかかるレーザ照射装置2では、準精密浮上ユニット112c、112dを用いて被処理体66のたわみ量が滑らかに変化するように被処理体66を搬送している。よって、位置119bにおける被処理体66のたわみが、レーザ照射位置65を通過している被処理体66に影響することを抑制することができる。換言すると、準精密浮上ユニット112c、112dを設けることで、被処理体66のたわみが大きい位置119bとレーザ照射位置65との距離d2を離すことができるので、準精密浮上ユニット112c、112dがない構成と比べて、レーザ照射位置65における被処理体66のたわみを低減させることができる。   That is, as shown in FIG. 43 (d), when the object to be processed 66 is transported from the semi-precise levitation unit 112d to the rough levitation unit 113d, the amount of deflection of the object to be processed 66 changes rapidly at the position 119b. However, in the laser irradiation apparatus 2 according to the present embodiment, the object to be processed 66 is conveyed using the semi-precise levitation units 112c and 112d so that the amount of deflection of the object to be processed 66 changes smoothly. Therefore, it is possible to suppress the deflection of the processing object 66 at the position 119b from affecting the processing object 66 passing through the laser irradiation position 65. In other words, by providing the semi-precise levitation units 112c and 112d, the distance d2 between the position 119b where the deflection of the workpiece 66 is large and the laser irradiation position 65 can be separated, so there is no quasi-precise levitation units 112c and 112d. Compared with the configuration, the deflection of the object 66 at the laser irradiation position 65 can be reduced.

さらに、精密浮上ユニット111a、111b、ラフ浮上ユニット113d〜113f、準精密浮上ユニット112a〜112dの圧力、流量をそれぞれ調整して浮上量を制御することも可能である。このようにすることで、被処理体66に加わるストレスを軽減することができる。例えば、精密浮上ユニット111a、111bの浮上量を30μm、準精密浮上ユニット112c、112dの浮上量を100μm、ラフ浮上ユニット113d〜113fの浮上量を300μmとして、浮上量を多段化することができる。   Further, the flying height can be controlled by adjusting the pressure and flow rate of the precision flying units 111a and 111b, the rough flying units 113d to 113f, and the semi-precise flying units 112a to 112d, respectively. By doing in this way, the stress added to the to-be-processed object 66 can be reduced. For example, the flying height can be increased in stages by setting the flying height of the precision flying units 111a and 111b to 30 μm, the flying height of the semi-precise flying units 112c and 112d to 100 μm, and the flying height of the rough flying units 113d to 113f to 300 μm.

このように、本実施の形態にかかるレーザ照射装置2では、レーザ照射位置65における被処理体66のたわみを低減させることができるので、レーザ照射位置65においてレーザ光の焦点深度(DOF)から外れてしまうことを抑制することができる。よって、レーザ光の照射ムラを抑制することができ、均一なポリシリコン膜を形成することができる。   As described above, in the laser irradiation apparatus 2 according to the present embodiment, the deflection of the workpiece 66 at the laser irradiation position 65 can be reduced, so that the laser irradiation position 65 deviates from the focal depth (DOF) of the laser beam. Can be suppressed. Therefore, irradiation unevenness of laser light can be suppressed, and a uniform polysilicon film can be formed.

また、本実施の形態にかかるレーザ照射装置2では、ラフ浮上ユニット113a〜113fの上面に溝117を形成しているので、被処理体66がラフ浮上ユニット113a〜113fを通過する際のたわみ量を抑えることができる。よって、被処理体66がラフ浮上ユニット113a〜113cから準精密浮上ユニット112a、112bに搬送される際に、ラフ浮上ユニット113a〜113c上の被処理体66のたわみが、準精密浮上ユニット112a、112b上の被処理体66のたわみに影響を及ぼすことを抑制することができる。同様に、被処理体66が準精密浮上ユニット112c、112dからラフ浮上ユニット113d〜113fに搬送される際に、ラフ浮上ユニット113d〜113f上の被処理体66のたわみが、準精密浮上ユニット112c、112d上の被処理体66のたわみに影響を及ぼすことを抑制することができる。よって、結果的に、ラフ浮上ユニット113a〜113f上の被処理体66のたわみが、精密浮上ユニット111a、111b上の被処理体66のたわみに影響を及ぼすことを抑制することができる。   Further, in the laser irradiation apparatus 2 according to the present embodiment, since the grooves 117 are formed on the upper surfaces of the rough levitation units 113a to 113f, the amount of deflection when the object 66 passes through the rough levitation units 113a to 113f. Can be suppressed. Therefore, when the workpiece 66 is transported from the rough levitation units 113a to 113c to the semi-precise levitation units 112a and 112b, the deflection of the workpiece 66 on the rough levitation units 113a to 113c is changed to the semi-precise levitation units 112a, It is possible to suppress the influence of the deflection of the workpiece 66 on the 112b. Similarly, when the workpiece 66 is transported from the semi-precision levitation units 112c and 112d to the rough levitation units 113d to 113f, the deflection of the workpiece 66 on the rough levitation units 113d to 113f is changed to the semi-precision levitation unit 112c. , 112d can be prevented from affecting the deflection of the object 66 to be processed. Therefore, as a result, it is possible to suppress the deflection of the workpiece 66 on the rough levitation units 113a to 113f from affecting the deflection of the workpiece 66 on the precision levitation units 111a and 111b.

なお、図34、図43では、2個の精密浮上ユニット111a、111bを用いて精密浮上領域を形成し、4個の準精密浮上ユニット112a〜112dを用いて準精密浮上領域を形成し、6個のラフ浮上ユニット113a〜113fを用いてラフ浮上領域を形成している場合を示した。しかし、本実施の形態にかかるレーザ照射装置2では、精密浮上領域を構成する精密浮上ユニット111の数、準精密浮上領域を構成する準精密浮上ユニット112の数、及びラフ浮上領域を構成するラフ浮上ユニット113の数は、任意に決定することができる。また、上記で説明した精密浮上ユニット111、準精密浮上ユニット112、及びラフ浮上ユニット113の構成は一例であり、本実施の形態では各浮上ユニットが上記で説明した以外の構成を備えていてもよい。例えば、ラフ浮上ユニット113は、精密浮上ユニット111ほど浮上精度が求められないので、ラフ浮上ユニットの1ユニット当たりの面積が精密浮上ユニットの1ユニット当たりの面積よりも大きくなるように構成してもよい。   34 and 43, two precision levitation units 111a and 111b are used to form a precision levitation region, and four quasi-precision levitation units 112a to 112d are used to form quasi-precision levitation regions. The case where the rough levitation region is formed using the individual rough levitation units 113a to 113f is shown. However, in the laser irradiation apparatus 2 according to the present embodiment, the number of the precision levitation units 111 constituting the precise levitation region, the number of the quasi-precise levitation units 112 constituting the quasi-precision levitation region, and the rough levitation regions constituting the rough levitation region. The number of levitation units 113 can be determined arbitrarily. Further, the configurations of the precision levitation unit 111, the semi-precise levitation unit 112, and the rough levitation unit 113 described above are examples, and in the present embodiment, each levitation unit may have a configuration other than that described above. Good. For example, the rough levitation unit 113 is not required to have ascending precision as the precision levitation unit 111, so that the area per unit of the rough levitation unit may be larger than the area per unit of the precision levitation unit. Good.

また、上記で説明した構成では、精密浮上ユニット111a、111bの両側に準精密浮上ユニット112a、112b及び準精密浮上ユニット112c、112dをそれぞれ設けた構成を示した。しかし本実施の形態にかかるレーザ照射装置1では、精密浮上ユニット111a、111bに対して被処理体66の搬送方向上流側(−x側)および下流側(+x側)の少なくとも一方に準精密浮上ユニット112を設けてもよい。   In the configuration described above, the configuration in which the semi-precise levitation units 112a and 112b and the semi-precise levitation units 112c and 112d are provided on both sides of the precise levitation units 111a and 111b, respectively. However, in the laser irradiation apparatus 1 according to the present embodiment, the quasi-precise levitation is performed on at least one of the upstream side (−x side) and the downstream side (+ x side) of the workpiece 66 with respect to the precision levitation units 111a and 111b. A unit 112 may be provided.

[第3の領域60c〜第4の領域60dにおける浮上ユニット60]
次に、第3の領域60c、モニタ領域60f、及び第4の領域60dにおける浮上ユニット60の構成について、図44を用いて説明する。図44は、第3の領域60c、モニタ領域60f、及び第4の領域60dにおける浮上ユニット60の構成を模式的に示す断面図である。
[Floating unit 60 in third region 60c to fourth region 60d]
Next, the configuration of the levitation unit 60 in the third region 60c, the monitor region 60f, and the fourth region 60d will be described with reference to FIG. FIG. 44 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the levitation unit 60 in the third region 60c, the monitor region 60f, and the fourth region 60d.

図34、図44に示すように、第3の領域60c、及び第4の領域60dは、第1の領域60a、第2の領域60bと同様にラフ浮上ユニット113a〜113fにより構成されている。モニタ領域60fは、準精密浮上ユニット112a〜112fにより構成されている。ラフ浮上ユニット113a〜113f、準精密浮上ユニット112a〜112fは上記と同じ構成であるため、詳細な説明を省略する。   As shown in FIGS. 34 and 44, the third region 60c and the fourth region 60d are configured by rough levitation units 113a to 113f, similarly to the first region 60a and the second region 60b. The monitor area 60f is composed of semi-precision levitation units 112a to 112f. Since the rough levitation units 113a to 113f and the semi-precise levitation units 112a to 112f have the same configuration as described above, detailed description thereof is omitted.

準精密浮上ユニット112a〜112fの−x側にラフ浮上ユニット113a〜113cが配置されている。準精密浮上ユニット112a〜112fの+x側にラフ浮上ユニット113d〜113fが配置されている。すなわち、−x側から+x側に向かうについて、ラフ浮上ユニット113a、ラフ浮上ユニット113b、ラフ浮上ユニット113c、準精密浮上ユニット112a、準精密浮上ユニット112b、準精密浮上ユニット112c、準精密浮上ユニット112d、準精密浮上ユニット112e、準精密浮上ユニット112f、ラフ浮上ユニット113d、ラフ浮上ユニット113e、ラフ浮上ユニット113fの順番で配置されている。換言すると、図34の2つの精密浮上ユニット111が準精密浮上ユニット112に置き換わっている。   Rough levitation units 113a to 113c are arranged on the -x side of the semi-precision levitation units 112a to 112f. Rough levitation units 113d to 113f are arranged on the + x side of the semi-precision levitation units 112a to 112f. That is, from the −x side toward the + x side, the rough levitation unit 113a, the rough levitation unit 113b, the rough levitation unit 113c, the semi-precision levitation unit 112a, the semi-precision levitation unit 112b, the semi-precision levitation unit 112c, and the semi-precision levitation unit 112d. The semi-precise levitation unit 112e, the semi-precise levitation unit 112f, the rough levitation unit 113d, the rough levitation unit 113e, and the rough levitation unit 113f are arranged in this order. In other words, the two precision levitation units 111 in FIG. 34 are replaced with semi-precision levitation units 112.

モニタ領域60fには、ポリシリコン膜のムラをモニタするため、ラインセンサ191と照明光源192とが設けられている。照明光源192は、照明光L2を発生している。照明光源192は、−x方向に搬送されている被処理体66を照明光源192が照明している。そして、照明光源192によって照明された被処理体66の照明箇所をラインセンサ191が撮像している。   In the monitor region 60f, a line sensor 191 and an illumination light source 192 are provided to monitor the unevenness of the polysilicon film. The illumination light source 192 generates illumination light L2. In the illumination light source 192, the illumination light source 192 illuminates the object 66 being conveyed in the -x direction. The line sensor 191 captures an image of the illumination location of the object 66 illuminated by the illumination light source 192.

したがって、モニタ領域60fでは、被処理体66の浮上量にある程度の精度が要求される。例えば、被処理体66のたわみ量が大きくなると、被処理体66がラインセンサ191の焦点から外れてしまう。この場合、適切に被処理体66を撮像することができない。一方、モニタ領域60fでは、レーザ照射位置65ほどの浮上量の精度は要求されない。よって、本実施の形態では、モニタ領域60fが準精密浮上ユニット112a〜112fで構成されている。このようにすることで、適切に被処理体66を撮像することができる。   Therefore, in the monitor region 60f, a certain degree of accuracy is required for the flying height of the workpiece 66. For example, when the amount of deflection of the object to be processed 66 increases, the object to be processed 66 deviates from the focus of the line sensor 191. In this case, the object 66 cannot be imaged appropriately. On the other hand, in the monitor region 60f, the flying height accuracy as high as the laser irradiation position 65 is not required. Therefore, in the present embodiment, the monitor region 60f is composed of semi-precision levitation units 112a to 112f. By doing in this way, the to-be-processed object 66 can be imaged appropriately.

なお、補助浮上ユニット67については、浮上精度が要求されないので、ラフ浮上ユニット113と同様の構成を用いることができる。また、補助浮上ユニット67が小さい場合、溝117を有しない構成とすることも可能である。これにより、多孔質体の加工コストを低減することができる。   The auxiliary levitation unit 67 does not require levitation accuracy, and thus the same configuration as the rough levitation unit 113 can be used. Further, when the auxiliary levitation unit 67 is small, a configuration without the groove 117 is also possible. Thereby, the processing cost of a porous body can be reduced.

(モニタ領域60f)
次に、モニタ領域60fに設けられたラインセンサ191、及び照明光源192について、図45、図46を用いて説明する。図45、及び図46は、モニタ領域60fの上方に設けられたラインセンサ191、及び照明光源192の構成を模式的に示す側面図、及び平面図である。
(Monitor area 60f)
Next, the line sensor 191 and the illumination light source 192 provided in the monitor region 60f will be described with reference to FIGS. 45 and 46 are a side view and a plan view schematically showing the configuration of the line sensor 191 and the illumination light source 192 provided above the monitor region 60f.

照明光源192は、y方向に延びるライン状の領域を照明する。照明光源192は、斜め上方から被処理体66を照明する。より具体的には、照明光源192は、−x方向、かつ‐z方向に向けて照明光L2を発生させる。照明光源192としては、例えば、単色光を発生するレーザ光源やLED(Light Emitting Diode)光源などを用いることができる。また、ライン状の領域を照明するため、複数の点光源をy方向に沿って並べてもよい。例えば、照明光源192として、連続発振(CW:Continuous Wave)の半導体レーザ光源等を用いることができる。   The illumination light source 192 illuminates a linear region extending in the y direction. The illumination light source 192 illuminates the workpiece 66 from obliquely above. More specifically, the illumination light source 192 generates the illumination light L2 in the −x direction and the −z direction. As the illumination light source 192, for example, a laser light source that generates monochromatic light, an LED (Light Emitting Diode) light source, or the like can be used. Moreover, in order to illuminate the line-shaped region, a plurality of point light sources may be arranged along the y direction. For example, as the illumination light source 192, a continuous wave (CW: Continuous Wave) semiconductor laser light source or the like can be used.

図45に示すように、照明光源192は、浮上ユニット60の上に配置されたホルダ192bに取り付けられている。これにより、照明光源192が浮上ユニット60の上に保持される。さらに、ホルダ192bには、照明光源192の角度や位置を調整するためのつまみ192aが設けられている。   As shown in FIG. 45, the illumination light source 192 is attached to a holder 192 b disposed on the floating unit 60. Thereby, the illumination light source 192 is held on the floating unit 60. Further, the holder 192b is provided with a knob 192a for adjusting the angle and position of the illumination light source 192.

ラインセンサ191は、被処理体66で反射された照明光を検出する。ラインセンサ191は、y方向に配列された複数の受光画素を備えた光検出器である。すなわち、ラインセンサ191の複数の受光画素は、y方向に沿って1列に配置されている。ラインセンサ191としては、CCD(Charge-Coupled Device)カメラ、CMOS(Complementary metal-oxide-semiconductor)イメージセンサ、又はフォトダイオードアレイを用いることができる。   The line sensor 191 detects the illumination light reflected by the object 66. The line sensor 191 is a photodetector that includes a plurality of light receiving pixels arranged in the y direction. That is, the plurality of light receiving pixels of the line sensor 191 are arranged in a line along the y direction. As the line sensor 191, a CCD (Charge-Coupled Device) camera, a CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor) image sensor, or a photodiode array can be used.

ラインセンサ191は、−x方向に搬送中の被処理体66を撮像する。照明光源192で照明された領域を撮像する。ラインセンサ191はy方向に沿って並べられた複数の受光画素を備えているため、ラインセンサ191の視野はy方向を長手方向、x方向を短手方向とする矩形状となる。y方向に沿って設けられた複数の画素を有するラインセンサ191が、−x方向に搬送中の被処理体66を撮像するため、被処理体66の2次元画像を取得することができる。   The line sensor 191 captures an image of the object 66 being conveyed in the −x direction. The area illuminated by the illumination light source 192 is imaged. Since the line sensor 191 includes a plurality of light receiving pixels arranged along the y direction, the field of view of the line sensor 191 has a rectangular shape with the y direction as the longitudinal direction and the x direction as the short direction. Since the line sensor 191 having a plurality of pixels provided along the y direction images the workpiece 66 being conveyed in the −x direction, a two-dimensional image of the workpiece 66 can be acquired.

図45に示すように、ラインセンサ191は、浮上ユニット60の上に配置されたホルダ191bに取り付けられている。これにより、ラインセンサ191が浮上ユニット60の上に保持される。さらに、ホルダ191bには、ラインセンサ191の角度や位置を調整するためのつまみ191aが設けられている。   As shown in FIG. 45, the line sensor 191 is attached to a holder 191b disposed on the floating unit 60. Thereby, the line sensor 191 is held on the levitation unit 60. Further, the holder 191b is provided with a knob 191a for adjusting the angle and position of the line sensor 191.

レーザ照射位置65がy方向に沿ったライン状に形成されているため、該ラインに沿った明暗の縞(ショットムラともいう)がポリシリコン膜にできることがある。すなわち、結晶化されたポリシリコン膜にムラが発生することがある。ポリシリコン膜の結晶状態に応じて光反射率が変化する。光反射率に応じてラインセンサ191の受光量が変化する。よって、ポリシリコン膜の結晶状態にムラがあると、ラインセンサ191で取得した画像にも輝度ムラが生じる。よって、モニタ領域60fにおいて、被処理体66を撮像することで、ポリシリコン膜のムラを評価することができる。   Since the laser irradiation position 65 is formed in a line shape along the y direction, bright and dark stripes (also referred to as shot unevenness) along the line may be formed in the polysilicon film. That is, unevenness may occur in the crystallized polysilicon film. The light reflectance changes according to the crystalline state of the polysilicon film. The amount of light received by the line sensor 191 changes according to the light reflectance. Therefore, if there is unevenness in the crystalline state of the polysilicon film, unevenness in luminance also occurs in the image acquired by the line sensor 191. Therefore, the non-uniformity of the polysilicon film can be evaluated by imaging the object 66 in the monitor region 60f.

なお、y方向におけるラインセンサ191の視野、すなわち撮像範囲は、被処理体66の大きさに対応していることが好ましい。このようにすることで、被処理体66がモニタ領域60fを1回通過することで、被処理体66の全体の2次元画像を取得することができる。あるいは、y方向におけるラインセンサ191の視野、すなわち撮像範囲は、レーザ照射位置65の大きさに対応していてもよい。この場合、ラインセンサ191がレーザ照射で形成された結晶化領域71を撮像する(図22、図23を合わせて参照)。被処理体66がモニタ領域60fを2回通過することで、被処理体66の全体の2次元画像を取得することができる。   Note that it is preferable that the field of view of the line sensor 191 in the y direction, that is, the imaging range, corresponds to the size of the object to be processed 66. By doing in this way, the to-be-processed object 66 passes the monitor area | region 60f once, and the two-dimensional image of the to-be-processed object 66 whole can be acquired. Alternatively, the field of view of the line sensor 191 in the y direction, that is, the imaging range, may correspond to the size of the laser irradiation position 65. In this case, the line sensor 191 captures an image of the crystallization region 71 formed by laser irradiation (see also FIGS. 22 and 23). When the object 66 passes through the monitor region 60f twice, a two-dimensional image of the entire object 66 can be acquired.

さらに、浮上ユニット60の表面には、着色部195が設けられている。図47に示すように、着色部195は、y方向に延びる長方形状の領域であり、ラインセンサ191の視野に配置されている。着色部195では、浮上ユニット60が黒色に着色されている。着色部195では浮上ユニット60の表面が均一に着色されている。例えば、着色アルマイト処理などをすることで、着色部195を形成することができる。   Further, a colored portion 195 is provided on the surface of the floating unit 60. As shown in FIG. 47, the coloring portion 195 is a rectangular region extending in the y direction, and is arranged in the field of view of the line sensor 191. In the coloring unit 195, the floating unit 60 is colored black. In the coloring portion 195, the surface of the floating unit 60 is uniformly colored. For example, the colored portion 195 can be formed by performing a colored alumite treatment or the like.

モニタ領域60fでは、上記のように、準精密浮上ユニット112で構成されている。準精密浮上ユニット112には、精密浮上ユニット111と同様に吸気孔127が形成されている。図47に示すように、y方向に延びる着色部195を形成する。着色部195には、吸気孔127が形成されていない。   As described above, the monitor region 60f includes the semi-precise levitation unit 112. The semi-precision levitation unit 112 is formed with an intake hole 127 as in the case of the precision levitation unit 111. As shown in FIG. 47, a colored portion 195 extending in the y direction is formed. The coloring portion 195 is not formed with the intake holes 127.

このようにすることで、準精密浮上ユニット112がラインセンサ191で取得される画像に映り込むことを防ぐことができる。例えば、被処理体66は、半透明である場合、浮上ユニット60で反射した光が、被処理体66を介してラインセンサ191が検出する。しかしながら、ラインセンサ191の視野において、準精密浮上ユニット112に着色部195を形成することで、準精密浮上ユニット112が映り込むことを防ぐことができる。なお、着色部195からは被処理体66を浮上させるためのガスが噴出されていなくてもよい。   By doing so, it is possible to prevent the semi-precise flying unit 112 from being reflected in an image acquired by the line sensor 191. For example, when the object 66 is translucent, the line sensor 191 detects the light reflected by the flying unit 60 via the object 66. However, by forming the colored portion 195 in the semi-precision levitation unit 112 in the field of view of the line sensor 191, it is possible to prevent the quasi-precision levitation unit 112 from being reflected. Note that the gas for floating the workpiece 66 may not be ejected from the coloring portion 195.

また、ラインセンサ191によって取得された被処理体66の2次元画像において、ムラが大きい場合、再度、被処理体66にレーザ光を照射するようにしてもよい。すなわち、ムラが大きい場合、循環搬送を1回増やして、レーザ光を再照射するようにしてもよい。レーザ光の再照射は、被処理体66の全体に行ってもよく、部分的に行ってもよい。これにより、ポリシリコン膜のムラを低減することができ、より均一な特性を有するポリシリコン膜を形成することができる。なお、照射ムラが大きいか否かは、被処理体66の画像に基づいて、制御部53が判定してもよい。   Further, when the unevenness is large in the two-dimensional image of the target object 66 acquired by the line sensor 191, the target object 66 may be irradiated with laser light again. That is, when the unevenness is large, the circulation conveyance may be increased once and the laser light may be re-irradiated. The re-irradiation with the laser light may be performed on the entire workpiece 66 or may be performed partially. Thereby, unevenness of the polysilicon film can be reduced, and a polysilicon film having more uniform characteristics can be formed. Note that the control unit 53 may determine whether or not the irradiation unevenness is large based on the image of the workpiece 66.

(被処理体66の搬入動作)
次に、被処理体66を浮上ユニット60上に搬入する搬入動作について、図48、図49を用いて説明する。図48は、浮上ユニット60の第4の領域60dの構成を模式的に示す平面図である。図49は、被処理体66の搬入動作を説明するための断面図である。
(Transfer operation of the object 66)
Next, a carrying-in operation for carrying the object 66 onto the levitation unit 60 will be described with reference to FIGS. 48 and 49. FIG. 48 is a plan view schematically showing the configuration of the fourth region 60 d of the levitation unit 60. FIG. 49 is a cross-sectional view for explaining the carry-in operation of the workpiece 66.

第4の領域60dは、上記のように、溝117を有するラフ浮上ユニット113により構成されている。さらに、ラフ浮上ユニット113には、貫通穴618、及び複数の貫通穴611が形成されている。貫通穴618は、上記した回転機構68が配置されている。なお、回転機構68は、上記した持ち替え動作を行うため貫通穴618内を昇降可能に配置されている。   The fourth region 60d is configured by the rough levitation unit 113 having the groove 117 as described above. Further, the rough levitation unit 113 is formed with a through hole 618 and a plurality of through holes 611. The rotation mechanism 68 described above is disposed in the through hole 618. Note that the rotation mechanism 68 is disposed so as to be movable up and down in the through hole 618 in order to perform the above-described change-over operation.

複数の貫通穴611には、それぞれ昇降ピン612が配置されている。昇降ピン612は、貫通穴611内を昇降可能に配置されている。すなわち、昇降ピン612は、モータやシリンダなどのアクチュエータによってz方向に移動する。昇降ピン612は、移載ロボット620との間で被処理体66の搬入動作及び搬出動作を行う。   Lift pins 612 are disposed in the plurality of through holes 611, respectively. The elevating pins 612 are disposed so as to be able to move up and down in the through holes 611. That is, the lifting pins 612 are moved in the z direction by an actuator such as a motor or a cylinder. The raising / lowering pins 612 perform a loading operation and an unloading operation of the workpiece 66 with the transfer robot 620.

搬入動作を行う場合、まず、図49のAに示すように、被処理体66が載置された移載ロボット620が第4の領域60dの上に被処理体66を移動する。このとき、昇降ピン612は、浮上ユニット60の上面よりも下側に退避している。   When performing the carry-in operation, first, as shown in FIG. 49A, the transfer robot 620 on which the object 66 is placed moves the object 66 onto the fourth region 60d. At this time, the elevating pins 612 are retracted below the upper surface of the levitation unit 60.

そして、被処理体66が第4の領域60dの上まで移動すると、図49のBに示すように、昇降ピン612が上昇する。なお、昇降ピンは、xy平面視において、移載ロボット620と干渉しない位置に配置されている。昇降ピンが被処理体66の下面と当接して、被処理体66を移載ロボット620から持ち上げる。   And if the to-be-processed object 66 moves above the 4th area | region 60d, as shown to B of FIG. 49, the raising / lowering pin 612 will raise. Note that the lifting pins are arranged at positions that do not interfere with the transfer robot 620 in the xy plan view. The raising / lowering pins come into contact with the lower surface of the object to be processed 66 to lift the object 66 from the transfer robot 620.

次に、図49のCに示すように、移載ロボット620が第4の領域60dから移動する。このとき、被処理体66は昇降ピン612に支持されているので、被処理体66は、第4の領域60dの上にある。   Next, as shown in FIG. 49C, the transfer robot 620 moves from the fourth region 60d. At this time, the target object 66 is supported by the elevating pins 612, so the target object 66 is on the fourth region 60d.

そして、図49のDに示すように、昇降ピン612を下降させる。図49のDでは、昇降ピン612が浮上ユニット60の下側まで退避する。したがって、浮上ユニット60の上面から噴出するガスによって、被処理体66は、浮上ユニット60の上に浮上する。このようにすることで、被処理体66を第4の領域60dの上に搬入することができる。さらに、このとき、上記したように、搬送ユニット61_4の保持機構62_4が被処理体66を保持してもよい。あるいは、回転機構68が被処理体66を保持してもよい。すなわち、図49のDでは、保持機構62_4又は回転機構68が被処理体66を保持可能な高さまで、被処理体66が移動している。また、浮上ユニット60の破損時などにおいて、昇降ピン612を浮上ユニット60の下面よりも下側に下降させることができる構成とすることで、浮上ユニット60の交換が容易になる。   And as shown to D of FIG. 49, the raising / lowering pin 612 is dropped. 49D, the elevating pins 612 are retracted to the lower side of the levitation unit 60. Accordingly, the object 66 is levitated above the levitating unit 60 by the gas ejected from the upper surface of the levitating unit 60. By doing in this way, the to-be-processed object 66 can be carried in on the 4th area | region 60d. Furthermore, at this time, as described above, the holding mechanism 62_4 of the transport unit 61_4 may hold the workpiece 66. Alternatively, the rotation mechanism 68 may hold the object to be processed 66. That is, in D of FIG. 49, the target object 66 has moved to a height at which the holding mechanism 62_4 or the rotation mechanism 68 can hold the target object 66. In addition, when the levitation unit 60 is damaged, the elevating pins 612 can be lowered below the lower surface of the levitation unit 60, so that the levitation unit 60 can be easily replaced.

このように、浮上ユニット60に貫通穴611を設けて、この貫通穴611に昇降ピン612を配置する。このようにすることで、被処理体66を浮上ユニット60の上に搬入することができる。なお、被処理体66を搬出する場合、図49のDから図49のAの順番で搬出動作を行えばよい。   Thus, the through hole 611 is provided in the levitation unit 60, and the elevating pins 612 are arranged in the through hole 611. By doing in this way, the to-be-processed object 66 can be carried in on the floating unit 60. FIG. In addition, when carrying out the to-be-processed object 66, what is necessary is just to perform carrying-out operation | movement in order of D of FIG. 49 to A of FIG.

なお、搬入位置、及び搬出位置は、第4の領域60dに限られるものではない。すなわち、第1の領域60a〜第4の領域60dのいずれか一つ以上を、搬入位置、及び搬出位置とすることができる。もちろん、搬入位置と搬出位置は、異なる領域であってもよい。この場合、2つの領域に昇降ピン612を設ける。また、搬入位置と搬出位置を同じ領域とする場合、第1の領域60a〜第4の領域60dの領域のみに昇降ピン612を設ければよい。   Note that the carry-in position and the carry-out position are not limited to the fourth region 60d. That is, any one or more of the first region 60a to the fourth region 60d can be set as the carry-in position and the carry-out position. Of course, the carry-in position and the carry-out position may be different areas. In this case, lifting pins 612 are provided in two regions. Further, when the carry-in position and the carry-out position are the same area, the lifting pins 612 may be provided only in the first area 60a to the fourth area 60d.

(出荷時の装置分割)
次に、レーザ照射装置2の出荷時における分割構成について説明する。なお、レーザ照射装置2の出荷とは、レーザ照射装置2の製造工場から、レーザ照射装置2を使用するサイトに輸送することを意味する。例えば、レーザ照射装置2が、表示パネル用のTFTアレイ基板の製造工程に用いられるエキシマレーザアニール装置である場合、レーザ照射装置2は、表示パネルの製造工場で使用される。したがって、レーザ照射装置2の組み立てを行うレーザ照射装置の製造工場から、表示パネルの製造工場にレーザ照射装置2が出荷される。
(Device division at the time of shipment)
Next, the division | segmentation structure at the time of shipment of the laser irradiation apparatus 2 is demonstrated. In addition, shipment of the laser irradiation apparatus 2 means transporting from the manufacturing factory of the laser irradiation apparatus 2 to the site where the laser irradiation apparatus 2 is used. For example, when the laser irradiation apparatus 2 is an excimer laser annealing apparatus used in a manufacturing process of a TFT array substrate for a display panel, the laser irradiation apparatus 2 is used in a display panel manufacturing factory. Accordingly, the laser irradiation apparatus 2 is shipped from the laser irradiation apparatus manufacturing factory that assembles the laser irradiation apparatus 2 to the display panel manufacturing factory.

ここで、表示パネルの生産性を向上するため、被処理体66であるガラス基板が大型化している。例えば、被処理体66のサイズは、1850mm×1500mm程度となる。したがって、レーザ照射装置2についても装置が大型化する。さらに、本実施の形態では、被処理体66が浮上ユニット60上を循環するように搬送されているため、装置構成が非常に大きくなる。このような大型のレーザ照射装置2を輸送する場合、トラックや道路幅によっては、一体として輸送することができないおそれがある。したがって、本実施の形態にかかるレーザ照射装置2は、分割して輸送することが可能になっている。   Here, in order to improve the productivity of the display panel, the glass substrate which is the object to be processed 66 is enlarged. For example, the size of the object 66 is about 1850 mm × 1500 mm. Therefore, the laser irradiation apparatus 2 is also increased in size. Furthermore, in the present embodiment, the object to be processed 66 is conveyed so as to circulate on the floating unit 60, so that the apparatus configuration becomes very large. When such a large laser irradiation apparatus 2 is transported, depending on the truck and the road width, it may not be transported as a unit. Therefore, the laser irradiation apparatus 2 according to this embodiment can be divided and transported.

このような、レーザ照射装置2の分割構成について、図50、図51を用いて説明する。図50は、レーザ照射装置2の分割構成を示す斜視図であり、図51は、平面図である。図50、図51に示すように、レーザ照射装置2は、第1の分割ユニット501と第2の分割ユニット502に分割されている。第1の分割ユニット501には、レーザ発生装置を含む光学系511が設けられている。   Such a split configuration of the laser irradiation apparatus 2 will be described with reference to FIGS. 50 is a perspective view showing a divided configuration of the laser irradiation apparatus 2, and FIG. 51 is a plan view. As shown in FIGS. 50 and 51, the laser irradiation apparatus 2 is divided into a first division unit 501 and a second division unit 502. The first division unit 501 is provided with an optical system 511 including a laser generator.

図50に示すように、第1の分割ユニット501は、第1の領域60aの一部と、照射領域60eの全体と、第2の領域60bの全体と、モニタ領域60fの一部と、第3の領域60cの一部とを備えている。第2の分割ユニット502は、第1の領域60aの一部と、モニタ領域60fの一部と、第3の領域60cの一部と、第4の領域60dの全体とを備えている。このように、第1の領域60aと第3の領域60cとモニタ領域60fとは、第1の分割ユニット501と第2の分割ユニット502に分割される。   As shown in FIG. 50, the first division unit 501 includes a part of the first area 60a, the whole irradiation area 60e, the whole second area 60b, a part of the monitor area 60f, 3 region 60c. The second division unit 502 includes a part of the first area 60a, a part of the monitor area 60f, a part of the third area 60c, and the whole of the fourth area 60d. Thus, the first area 60a, the third area 60c, and the monitor area 60f are divided into the first division unit 501 and the second division unit 502.

出荷時においては、第1の分割ユニット501に、照射領域60eの全体が含まれるように、レーザ照射装置2を第1の分割ユニット501と第2の分割ユニット502に分割している。上記したように、照射領域60eは、最も浮上精度が要求される精密浮上領域111を含んでいる。全ての精密浮上ユニット111が第1の分割ユニット501に含まれるようにレーザ照射装置2が分割されている。   At the time of shipment, the laser irradiation apparatus 2 is divided into a first division unit 501 and a second division unit 502 so that the entire irradiation region 60e is included in the first division unit 501. As described above, the irradiation region 60e includes the precise levitation region 111 that requires the highest levitation accuracy. The laser irradiation apparatus 2 is divided so that all the precision levitation units 111 are included in the first division unit 501.

このように、照射領域60eを分割しないように出荷することで、出荷時の組み立て作業及び調整作業を効率的に行う事ができる。すなわち、照射領域60eが一体となって出荷されるため、高い精度が要求される照射領域60eの組み立て作業や調整作業を行う事が容易になる。よって、効率的にレーザ照射装置2を出荷することができる。さらに、照射領域60eを含む第1の分割ユニット501には、レーザ発生装置を含む光学系511が取り付けられている。よって、出荷後における光学系511の調整を効率的に行うことができる。   In this way, by shipping so as not to divide the irradiation region 60e, it is possible to efficiently perform assembly work and adjustment work at the time of shipment. That is, since the irradiation area 60e is shipped together, it is easy to perform assembly work and adjustment work of the irradiation area 60e that requires high accuracy. Therefore, the laser irradiation apparatus 2 can be shipped efficiently. Furthermore, an optical system 511 including a laser generator is attached to the first division unit 501 including the irradiation region 60e. Therefore, the optical system 511 can be adjusted efficiently after shipment.

なお、第1の分割ユニット501と第2の分割ユニットを分割する形状は、図51に示す構成に限られるものではない。照射領域60eを分割しない構成であれば、第1の分割ユニット501と第2の分割ユニット502はどのような形状で分割されていてもよい。例えば、xy平面視において、照射領域60eとモニタ領域60fとの境界線に平行なx方向に延びる直線(図51中のB1)に沿ってレーザ照射装置2を分割してもよい。あるいは、xy平面視において、照射領域60eと第1の領域60aとの境界線に平行なy方向に延びる直線(図51中のB2)に沿ってレーザ照射装置2を分割してもよい。このように、第1の分割ユニット501と第2の分割ユニットとの分割形状は任意の形状とすることができる。   In addition, the shape which divides | segments the 1st division | segmentation unit 501 and the 2nd division | segmentation unit is not restricted to the structure shown in FIG. As long as the irradiation area 60e is not divided, the first division unit 501 and the second division unit 502 may be divided in any shape. For example, the laser irradiation apparatus 2 may be divided along a straight line (B1 in FIG. 51) extending in the x direction parallel to the boundary line between the irradiation region 60e and the monitor region 60f in the xy plan view. Alternatively, the laser irradiation device 2 may be divided along a straight line (B2 in FIG. 51) extending in the y direction parallel to the boundary line between the irradiation region 60e and the first region 60a in the xy plan view. Thus, the division shape of the first division unit 501 and the second division unit can be an arbitrary shape.

<その他の実施の形態>
なお、実施の形態1と実施の形態2とを適宜組み合わせてもよい。すなわち、実施の形態1で用いた保持機構12を実施の形態2の保持機構62_1〜62_1として用いてもよい。また、回転機構68、及びアライメント機構69についても、多孔質体を介して、被処理体66を保持するようにしてもよい。
<Other embodiments>
Note that Embodiment 1 and Embodiment 2 may be combined as appropriate. That is, the holding mechanism 12 used in the first embodiment may be used as the holding mechanisms 62_1 to 62_1 of the second embodiment. Further, the rotating mechanism 68 and the alignment mechanism 69 may also hold the object to be processed 66 through a porous body.

保持機構62_1〜62_4、が多孔質体を介して被処理体66を吸着することで、被処理体66を保持することができる。抵抗の大きい多孔質体を用いることで、負圧空間155の圧力を真空に保つことができる。   The to-be-processed object 66 can be hold | maintained because the holding | maintenance mechanism 62_1-62_4 adsorbs the to-be-processed object 66 through a porous body. By using a porous body having a large resistance, the pressure in the negative pressure space 155 can be maintained in a vacuum.

また、実施の形態1で説明したように、多孔質体151には貫通穴152が設けられている。このようにすることで、吸着判定、及び吸着解除判定を確実、かつ迅速に行うことができる。よって、スループットをより短縮することが可能になる。特に、複数の搬送ユニット61_1〜61_4、回転機構68、アライメント機構69の間で被処理体66の持ち替え動作が複数回行われている。このような持ち替え動作が複数回を行われる構成では、スループットをより向上することができる。   As described in Embodiment 1, the porous body 151 is provided with the through hole 152. By doing in this way, adsorption | suction determination and adsorption | suction cancellation | release determination can be performed reliably and rapidly. Therefore, the throughput can be further shortened. In particular, the transfer operation of the workpiece 66 is performed a plurality of times among the plurality of transport units 61_1 to 61_4, the rotation mechanism 68, and the alignment mechanism 69. In such a configuration in which the holding operation is performed a plurality of times, the throughput can be further improved.

もちろん、実施の形態2の保持機構62_1〜62_1、回転機構68、及びアライメント機構69の一つ以上は、実施の形態1の保持機構12と異なる保持機構であってもよい。   Of course, one or more of the holding mechanisms 62_1 to 62_1, the rotation mechanism 68, and the alignment mechanism 69 of the second embodiment may be different from the holding mechanism 12 of the first embodiment.

さらに、実施の形態2では、(搬送動作)、(第4の領域60dでの回転動作)、(2つの被処理体66の連続処理)、(第1の領域60aでのアライメント動作)、(被処理体66の持ち替え動作)、(浮上ユニット60)、(モニタ領域60f)、(被処理体66の搬入動作)、(防振対策)、(出荷時の装置分割)の全ての構成及び動作がレーザ照射装置2に適用されているものとして説明したが、一部の構成や動作のみがレーザ照射装置2に適用されていてもよい。すなわち、(搬送動作)、(第4の領域60dでの回転動作)、(2つの被処理体66の連続処理)、(第1の領域60aでのアライメント動作)、(被処理体66の持ち替え動作)、(浮上ユニット60)、(モニタ領域60f)、(被処理体66の搬入動作)、(防振対策)、(出荷時の装置分割)の少なくとも一つ以上がレーザ照射装置に適用されていればよい。   Further, in the second embodiment, (conveying operation), (rotating operation in the fourth region 60d), (continuous processing of the two objects to be processed 66), (alignment operation in the first region 60a), ( All configurations and operations of (moving operation of object 66), (floating unit 60), (monitor area 60f), (loading operation of object 66), (anti-vibration measures), and (device division at the time of shipment) Has been described as being applied to the laser irradiation apparatus 2, but only a part of the configuration and operation may be applied to the laser irradiation apparatus 2. That is, (conveying operation), (rotating operation in the fourth region 60d), (continuous processing of two objects to be processed 66), (alignment operation in the first region 60a), (removal of the object 66 to be processed) At least one of (operation), (levitation unit 60), (monitor region 60f), (loading operation of object 66), (anti-vibration measures), and (device division at shipment) is applied to the laser irradiation apparatus. It only has to be.

次に、その他の実施の形態として、上記で説明したレーザ照射装置を用いた半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態では、レーザ照射装置としてレーザアニール装置を用いることで、基板上に形成した非晶質膜にレーザ光を照射して非晶質膜を結晶化させることができる。例えば、半導体装置はTFT(Thin Film transistor)を備える半導体装置であり、この場合はアモルファスシリコン膜にレーザ光を照射して結晶化させてポリシリコン膜を形成することができる。   Next, as another embodiment, a method for manufacturing a semiconductor device using the laser irradiation apparatus described above will be described. In this embodiment mode, by using a laser annealing apparatus as the laser irradiation apparatus, the amorphous film formed over the substrate can be irradiated with laser light to crystallize the amorphous film. For example, the semiconductor device is a semiconductor device including a TFT (Thin Film Transistor). In this case, the amorphous silicon film can be irradiated with laser light to be crystallized to form a polysilicon film.

(半導体装置の製造方法)
図52は、半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。上記で説明した本実施の形態にかかるレーザ照射装置は、TFTアレイ基板の製造に好適である。以下、TFTを有する半導体装置の製造方法について説明する。
(Method for manufacturing semiconductor device)
FIG. 52 is a cross-sectional view for explaining an example of the semiconductor device manufacturing method. The laser irradiation apparatus according to the present embodiment described above is suitable for manufacturing a TFT array substrate. Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor device having a TFT will be described.

まず、図52(a)に示すように、ガラス基板201上に、ゲート電極202を形成する。ゲート電極202は、例えば、アルミニウムなどを含む金属薄膜を用いることができる。次に、図52(b)に示すように、ゲート電極202の上に、ゲート絶縁膜203を形成する。ゲート絶縁膜203は、ゲート電極202を覆うように形成される。その後、図52(c)に示すように、ゲート絶縁膜203の上に、アモルファスシリコン膜204を形成する。アモルファスシリコン膜204は、ゲート絶縁膜203を介して、ゲート電極202と重複するように配置されている。   First, as illustrated in FIG. 52A, the gate electrode 202 is formed on the glass substrate 201. For the gate electrode 202, for example, a metal thin film containing aluminum or the like can be used. Next, as shown in FIG. 52B, a gate insulating film 203 is formed on the gate electrode 202. The gate insulating film 203 is formed so as to cover the gate electrode 202. Thereafter, an amorphous silicon film 204 is formed on the gate insulating film 203 as shown in FIG. The amorphous silicon film 204 is disposed so as to overlap the gate electrode 202 with the gate insulating film 203 interposed therebetween.

ゲート絶縁膜203は、窒化シリコン膜(SiN)、酸化シリコン膜(SiO膜)、又はこれらの積層膜等などである。具体的には、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、ゲート絶縁膜203とアモルファスシリコン膜204とを連続成膜する。アモルファスシリコン膜204付のガラス基板201がレーザ照射装置1、2における被処理体16、66となる。 The gate insulating film 203 is a silicon nitride film (SiN x ), a silicon oxide film (SiO 2 film), or a laminated film thereof. Specifically, the gate insulating film 203 and the amorphous silicon film 204 are continuously formed by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. The glass substrate 201 with the amorphous silicon film 204 becomes the workpieces 16 and 66 in the laser irradiation apparatuses 1 and 2.

そして、図52(d)に示すように、上記で説明したレーザ照射装置を用いてアモルファスシリコン膜204にレーザ光を照射してアモルファスシリコン膜204を結晶化させて、ポリシリコン膜205を形成する。これにより、シリコンが結晶化したポリシリコン膜205がゲート絶縁膜203上に形成される。   Then, as shown in FIG. 52D, the amorphous silicon film 204 is crystallized by irradiating the amorphous silicon film 204 with laser light using the laser irradiation apparatus described above, thereby forming a polysilicon film 205. . Thereby, a polysilicon film 205 in which silicon is crystallized is formed on the gate insulating film 203.

このとき、上記で説明した本実施の形態にかかるレーザ照射装置を用いることで、レーザ照射時におけるガラス基板201のたわみの影響を低減させることができ、アモルファスシリコン膜204に照射されるレーザ光の焦点深度(DOF)から外れてしまうことを抑制することができる。よって、均一に結晶化されたポリシリコン膜205を形成することができる。   At this time, by using the laser irradiation apparatus according to this embodiment described above, the influence of the deflection of the glass substrate 201 at the time of laser irradiation can be reduced, and the laser beam irradiated to the amorphous silicon film 204 can be reduced. It is possible to suppress the deviation from the depth of focus (DOF). Accordingly, a uniformly crystallized polysilicon film 205 can be formed.

その後、図52(e)に示すように、ポリシリコン膜205の上に層間絶縁膜206、ソース電極207a、及びドレイン電極207bを形成する。層間絶縁膜206、ソース電極207a、及びドレイン電極207bは、一般的なフォトリソグラフィー法や成膜法を用いて形成することができる。   Thereafter, as shown in FIG. 52E, an interlayer insulating film 206, a source electrode 207a, and a drain electrode 207b are formed on the polysilicon film 205. The interlayer insulating film 206, the source electrode 207a, and the drain electrode 207b can be formed using a general photolithography method or a film formation method.

上記で説明した半導体装置の製造方法を用いることで、TFTを備える半導体装置を製造することができる。なお、これ以降の製造工程については、最終的に製造するデバイスによって異なるので説明を省略する。   By using the semiconductor device manufacturing method described above, a semiconductor device including a TFT can be manufactured. In addition, since it changes with the devices finally manufactured about the manufacturing process after this, description is abbreviate | omitted.

(有機ELディスプレイ)
次に、TFTを備える半導体装置を用いたデバイスの一例として、有機ELディスプレイについて説明する。図53は、有機ELディスプレイの概要を説明するための断面図であり、有機ELディスプレイの画素回路を簡略化して示している。図53に示す有機ELディスプレイ300は、各画素PxにTFTが配置されたアクティブマトリクス型の表示装置である。
(Organic EL display)
Next, an organic EL display will be described as an example of a device using a semiconductor device including a TFT. FIG. 53 is a cross-sectional view for explaining the outline of the organic EL display, and shows a simplified pixel circuit of the organic EL display. An organic EL display 300 shown in FIG. 53 is an active matrix display device in which a TFT is disposed in each pixel Px.

有機ELディスプレイ300は、基板310、TFT層311、有機層312、カラーフィルタ層313、及び封止基板314を備えている。図53では、封止基板314側が視認側となるトップエミッション方式の有機ELディスプレイを示している。なお、以下の説明は、有機ELディスプレイの一構成例を示すものであり、本実施の形態は、以下に説明される構成に限られるものではない。例えば、本実施の形態にかかる半導体装置は、ボトムエミッション方式の有機ELディスプレイに用いられていてもよい。   The organic EL display 300 includes a substrate 310, a TFT layer 311, an organic layer 312, a color filter layer 313, and a sealing substrate 314. FIG. 53 shows a top emission type organic EL display in which the sealing substrate 314 side is the viewing side. The following description shows one configuration example of the organic EL display, and the present embodiment is not limited to the configuration described below. For example, the semiconductor device according to the present embodiment may be used in a bottom emission type organic EL display.

基板310は、ガラス基板又は金属基板である。基板310の上には、TFT層311が設けられている。TFT層311は、各画素Pxに配置されたTFT311aを有している。さらに、TFT層311は、TFT311aに接続される配線等を有している。TFT311a、及び配線等が画素回路を構成する。なお、TFT層311は、図53で説明したTFTに対応しており、ゲート電極202、ゲート絶縁膜203、ポリシリコン膜205、層間絶縁膜206、ソース電極207a、及びドレイン電極207bを有する。   The substrate 310 is a glass substrate or a metal substrate. A TFT layer 311 is provided on the substrate 310. The TFT layer 311 has a TFT 311a disposed in each pixel Px. Further, the TFT layer 311 includes a wiring connected to the TFT 311a. The TFT 311a, wiring, and the like constitute a pixel circuit. Note that the TFT layer 311 corresponds to the TFT described with reference to FIG. 53, and includes a gate electrode 202, a gate insulating film 203, a polysilicon film 205, an interlayer insulating film 206, a source electrode 207a, and a drain electrode 207b.

TFT層311の上には、有機層312が設けられている。有機層312は、画素Pxごとに配置された有機EL発光素子312aを有している。有機EL発光素子312aは、例えば、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極が積層された積層構造を有している。トップエミッション方式の場合、陽極は金属電極であり、陰極はITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電膜である。さらに、有機層312には、画素Px間において、有機EL発光素子312aを分離するための隔壁312bが設けられている。   An organic layer 312 is provided on the TFT layer 311. The organic layer 312 has an organic EL light emitting element 312a arranged for each pixel Px. The organic EL light emitting element 312a has, for example, a stacked structure in which an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode are stacked. In the case of the top emission method, the anode is a metal electrode, and the cathode is a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide). Further, the organic layer 312 is provided with a partition 312b for separating the organic EL light emitting element 312a between the pixels Px.

有機層312の上には、カラーフィルタ層313が設けられている。カラーフィルタ層313は、カラー表示を行うためのカラーフィルタ313aが設けられている。すなわち、各画素Pxには、R(赤色)、G(緑色)、又はB(青色)に着色された樹脂層がカラーフィルタ313aとして設けられている。有機層312から放出された白色光は、カラーフィルタ313aを通過すると、RGBの色の光に変換される。なお、有機層312に、RGBの各色を発光する有機EL発光素子が設けられている3色方式の場合、カラーフィルタ層313を省略してもよい。   A color filter layer 313 is provided on the organic layer 312. The color filter layer 313 is provided with a color filter 313a for performing color display. That is, each pixel Px is provided with a resin layer colored as R (red), G (green), or B (blue) as a color filter 313a. When the white light emitted from the organic layer 312 passes through the color filter 313a, it is converted into light of RGB color. Note that the color filter layer 313 may be omitted in the case of a three-color system in which the organic layer 312 is provided with organic EL light-emitting elements that emit RGB colors.

カラーフィルタ層313の上には、封止基板314が設けられている。封止基板314は、ガラス基板などの透明基板であり、有機層312の有機EL発光素子の劣化を防ぐために設けられている。   A sealing substrate 314 is provided on the color filter layer 313. The sealing substrate 314 is a transparent substrate such as a glass substrate, and is provided to prevent deterioration of the organic EL light emitting element of the organic layer 312.

有機層312の有機EL発光素子312aに流れる電流は、画素回路に供給される表示信号によって変化する。よって、表示画像に応じた表示信号を各画素Pxに供給することで、各画素Pxでの発光量を制御することができる。これにより、所望の画像を表示することができる。   The current flowing through the organic EL light emitting element 312a of the organic layer 312 varies depending on the display signal supplied to the pixel circuit. Therefore, the amount of light emitted from each pixel Px can be controlled by supplying a display signal corresponding to the display image to each pixel Px. Thereby, a desired image can be displayed.

なお、上記では、TFTを備える半導体装置を用いたデバイスの一例として、有機ELディスプレイについて説明したが、TFTを備える半導体装置は、例えば液晶ディスプレイであってもよい。また、上記では、本実施の形態にかかるレーザ照射装置をレーザアニール装置に適用した場合について説明した。しかし、本実施の形態にかかるレーザ照射装置は、レーザアニール装置以外の装置にも適用することができる。   In the above description, an organic EL display has been described as an example of a device using a semiconductor device including a TFT. However, the semiconductor device including a TFT may be a liquid crystal display, for example. Moreover, the case where the laser irradiation apparatus concerning this Embodiment was applied to the laser annealing apparatus was demonstrated above. However, the laser irradiation apparatus according to this embodiment can be applied to apparatuses other than the laser annealing apparatus.

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。   As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

1 レーザ照射装置
10 浮上ユニット
11 搬送ユニット
12 保持機構
13 移動機構
14 レーザ発生装置
15 レーザ光、レーザ照射位置
16 被処理体
2 レーザ照射装置
60 浮上ユニット
61_1〜61_4 搬送ユニット
62_1〜62_4 保持機構
63_1〜63_4 移動機構
60a 第1の領域
60b 第2の領域
60c 第3の領域
60d 第4の領域
60e 照射領域
60f モニタ領域
65 レーザ光、レーザ照射位置
66 被処理体
67 補助浮上ユニット
68 回転機構
69 アライメント機構
111 精密浮上ユニット
112 準精密浮上ユニット
113 ラフ浮上ユニット
121 台座
122 多孔質体
117 溝
131 台座
132 多孔質体
151 多孔質体
151b 下面
151a 上面
152 貫通穴
153 台座
155 負圧空間
191 ラインセンサ
192 照明光源
195 着色部
401 第1の架台
402 第2の架台
403 防振ゴム
405 床
410 連結部
411 防振ゴム
412 ブラケット
501 第1の分割ユニット
502 第2の分割ユニット
611 貫通穴
612 昇降ピン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser irradiation apparatus 10 Levitation unit 11 Conveyance unit 12 Holding mechanism 13 Movement mechanism 14 Laser generator 15 Laser beam, laser irradiation position 16 To-be-processed object 2 Laser irradiation apparatus 60 Levitation unit 61_1-61_4 Conveyance unit 62_1-62_4 Holding mechanism 63_1 63_4 Moving mechanism 60a 1st area 60b 2nd area 60c 3rd area 60d 4th area 60e Irradiation area 60f Monitor area 65 Laser beam, laser irradiation position 66 To-be-processed object 67 Auxiliary levitation unit 68 Rotation mechanism 69 Alignment mechanism DESCRIPTION OF SYMBOLS 111 Precision levitation unit 112 Semi-precision levitation unit 113 Rough levitation unit 121 Pedestal 122 Porous body 117 Groove 131 Pedestal 132 Porous body 151 Porous body 151b Lower surface 151a Upper surface 152 Through-hole 153 Base 155 Negative pressure Between 191 Line sensor 192 Illumination light source 195 Colored portion 401 First mount 402 Second mount 403 Anti-vibration rubber 405 Floor 410 Connection portion 411 Anti-vibration rubber 412 Bracket 501 First divided unit 502 Second divided unit 611 Through hole 612 Lifting pin

Claims (50)

レーザ光を発生させるレーザ発生装置と、
前記レーザ光が照射される被処理体を浮上させる浮上ユニットと、
前記浮上している被処理体を搬送する搬送ユニットと、を備えるレーザ照射装置であって、
前記搬送ユニットは、
多孔質体を介して前記被処理体を吸着することで、前記被処理体を保持する保持機構と、
前記保持機構を搬送方向に移動する移動機構と、を備えている、
レーザ照射装置。
A laser generator for generating laser light;
A levitating unit for levitating the object to be processed that is irradiated with the laser beam;
A laser irradiation apparatus comprising: a transport unit that transports the object to be levitated;
The transport unit is
A holding mechanism for holding the object to be processed by adsorbing the object to be processed through a porous body;
A moving mechanism that moves the holding mechanism in the transport direction,
Laser irradiation device.
前記保持機構は、
前記多孔質体を保持する台座と、
負圧空間を負圧とするために、前記負圧空間を排気する排気機構と、を備え
前記多孔質体は、
被処理体を吸着する吸着面となる第1の面と、
前記負圧空間と接する第2の面と、
前記第1の面から前記第2の面に到達する貫通穴と、を備えている請求項1に記載のレーザ照射装置。
The holding mechanism is
A pedestal for holding the porous body;
An exhaust mechanism for exhausting the negative pressure space in order to set the negative pressure space to a negative pressure, the porous body includes:
A first surface serving as an adsorption surface for adsorbing the workpiece;
A second surface in contact with the negative pressure space;
The laser irradiation apparatus according to claim 1, further comprising a through hole that reaches the second surface from the first surface.
前記保持機構が、
前記負圧空間の圧力を測定する圧力計と、
前記圧力計で測定された圧力に応じて、前記被処理体を吸着しているか否かを判定する制御部と、を備えた請求項2に記載のレーザ照射装置。
The holding mechanism is
A pressure gauge for measuring the pressure in the negative pressure space;
The laser irradiation apparatus of Claim 2 provided with the control part which determines whether the said to-be-processed object is adsorbed according to the pressure measured with the said pressure gauge.
前記制御部が前記被処理体を吸着したと判定した後、前記移動機構が移動を開始する請求項3に記載のレーザ照射装置。   The laser irradiation apparatus according to claim 3, wherein the moving mechanism starts moving after the control unit determines that the object to be processed is adsorbed. 前記制御部が前記被処理体を吸着していないと判定した後、前記保持機構が下降する請求項3、又は4に記載のレーザ照射装置。   The laser irradiation apparatus according to claim 3, wherein the holding mechanism is lowered after the control unit determines that the object to be processed is not sucked. 前記搬送ユニットは、
前記被処理体を第1の方向に搬送する第1の搬送ユニットと、
前記被処理体を第2の方向に搬送する第2の搬送ユニットと、を備え、
前記第1の搬送ユニットから前記第2の搬送ユニットへの前記被処理体の持ち替え動作が行われ、
前記持ち替え動作では、
前記第1の搬送ユニットの第1の保持機構が前記被処理体を保持している時、前記第2の搬送ユニットの第2の保持機構が前記被処理体を保持し、
前記第2の搬送ユニットの第2の保持機構が前記被処理体の保持を完了した後、前記第1の保持機構が前記被処理体の保持を解放する請求項1〜5のいずれか1項に記載のレーザ照射装置。
The transport unit is
A first transport unit for transporting the object to be processed in a first direction;
A second transport unit for transporting the object to be processed in a second direction,
The operation of moving the object to be processed from the first transport unit to the second transport unit is performed,
In the holding operation,
When the first holding mechanism of the first transfer unit holds the object to be processed, the second holding mechanism of the second transfer unit holds the object to be processed;
The first holding mechanism releases the holding of the object to be processed after the second holding mechanism of the second transport unit completes the holding of the object to be processed. The laser irradiation apparatus described in 1.
前記第1の搬送ユニットと前記第2の搬送ユニットは、前記浮上ユニットの外側に配置され、
前記第1の搬送ユニットの前記第1の保持機構が前記第2の方向における前記被処理体の一端を保持し、
前記第2の搬送ユニットの前記第2の保持機構が前記第1の方向における前記被処理体の一端を保持する請求項6に記載のレーザ照射装置。
The first transport unit and the second transport unit are arranged outside the floating unit,
The first holding mechanism of the first transport unit holds one end of the object to be processed in the second direction;
The laser irradiation apparatus according to claim 6, wherein the second holding mechanism of the second transport unit holds one end of the object to be processed in the first direction.
レーザ光を発生させるレーザ発生装置と、
前記レーザ光が照射される被処理体を浮上させる浮上ユニットと、
前記浮上している被処理体を搬送する搬送ユニットと、を備えるレーザ照射装置であって、
前記浮上ユニットには、前記被処理体の水平面を保持しながら前記被処理体を回転させる回転機構が設けられており、
前記浮上ユニットの前記回転機構が設けられた領域の外側には、回転中の前記被処理体の前記浮上ユニットからはみ出した部分にガスを噴出する補助浮上ユニットが設けられており、
前記レーザ照射装置は、前記搬送ユニットを用いて前記被処理体を搬送して前記被処理体に前記レーザ光を照射した後、前記回転機構を用いて前記被処理体を回転させ、再度、前記被処理体を搬送して前記被処理体に前記レーザ光を照射する、
レーザ照射装置。
A laser generator for generating laser light;
A levitating unit for levitating the object to be processed that is irradiated with the laser beam;
A laser irradiation apparatus comprising: a transport unit that transports the object to be levitated;
The floating unit is provided with a rotation mechanism that rotates the object to be processed while holding the horizontal surface of the object to be processed.
Outside the region where the rotation mechanism of the levitation unit is provided, an auxiliary levitation unit that ejects gas to a portion of the rotating object to be processed that protrudes from the levitation unit is provided.
The laser irradiation apparatus conveys the object to be processed using the conveyance unit and irradiates the object to be processed with the laser light, and then rotates the object to be processed using the rotation mechanism, and again, the Conveying the object to be processed and irradiating the object with the laser beam;
Laser irradiation device.
前記浮上ユニットは、前記被処理体が搬送される第1乃至第4の領域を備え、
前記搬送ユニットは、
前記被処理体を前記第1の領域から前記第2の領域に搬送する第1の搬送ユニットと、
前記被処理体を前記第2の領域から前記第3の領域に搬送する第2の搬送ユニットと、
前記被処理体を前記第3の領域から前記第4の領域に搬送する第3の搬送ユニットと、
前記被処理体を前記第4の領域から前記第1の領域に搬送する第4の搬送ユニットと、を備え、
前記被処理体が前記第1の領域から前記第2の領域に搬送される際に前記レーザ光が前記被処理体に照射され、
前記第4の領域に前記回転機構が設けられており、
前記補助浮上ユニットが前記第4の領域の外側に配置されている、
請求項8に記載のレーザ照射装置。
The levitation unit includes first to fourth regions in which the object to be processed is conveyed,
The transport unit is
A first transport unit for transporting the object to be processed from the first region to the second region;
A second transport unit for transporting the object to be processed from the second region to the third region;
A third transport unit for transporting the object to be processed from the third region to the fourth region;
A fourth transport unit that transports the object to be processed from the fourth region to the first region;
When the object to be processed is transported from the first area to the second area, the laser beam is irradiated to the object to be processed;
The rotation mechanism is provided in the fourth region;
The auxiliary levitation unit is disposed outside the fourth region;
The laser irradiation apparatus according to claim 8.
平面視において
前記浮上ユニットが矩形状であり、
前記第1の搬送ユニットの第1の搬送方向と、前記第2の搬送ユニットの第2の搬送方向が直交しており、
前記第3の搬送ユニットの第3の搬送方向が、前記第1の搬送方向と平行かつ逆向きであり、
前記第4の搬送ユニットの第4の搬送方向が、前記第2の搬送方向と平行かつ逆向きであり、
第1乃至第4の搬送ユニットが、前記浮上ユニットの上を複数回循環するように前記被処理体を搬送する請求項9に記載のレーザ照射装置。
In plan view, the levitation unit is rectangular,
The first transport direction of the first transport unit and the second transport direction of the second transport unit are orthogonal to each other,
A third transport direction of the third transport unit is parallel and opposite to the first transport direction;
A fourth transport direction of the fourth transport unit is parallel and opposite to the second transport direction;
The laser irradiation apparatus according to claim 9, wherein the first to fourth transport units transport the object to be processed so as to circulate a plurality of times on the floating unit.
前記第1の領域には、前記被処理体をアライメントするアライメント機構が設けられている請求項9、又は10に記載のレーザ照射装置。   The laser irradiation apparatus according to claim 9, wherein an alignment mechanism that aligns the object to be processed is provided in the first region. 前記アライメント機構が、鉛直上下方向を回転軸とする回転方向と、平面視において前記第1の領域から前記第2の領域への搬送方向と直交する方向とにおいて、前記被処理体をアライメントする請求項11に記載のレーザ照射装置。   The alignment mechanism aligns the object to be processed in a rotation direction having a vertical vertical direction as a rotation axis and in a direction orthogonal to a conveyance direction from the first region to the second region in plan view. Item 12. A laser irradiation apparatus according to Item 11. 前記第3の領域から前記第4の領域の間には、前記第3の搬送ユニットによって搬送されている前記被処理体を撮像するモニタ領域が設けられている請求項9〜12のいずれか1項に記載のレーザ照射装置。   The monitor area for imaging the object to be processed being conveyed by the third conveyance unit is provided between the third area and the fourth area. The laser irradiation apparatus according to item. 平面視において、前記第3の搬送ユニットの搬送方向と直交する方向に沿って設けられたラインセンサで前記被処理体を撮像している請求項13に記載のレーザ照射装置。   The laser irradiation apparatus according to claim 13, wherein the object to be processed is imaged by a line sensor provided along a direction orthogonal to the conveyance direction of the third conveyance unit in a plan view. 前記ラインセンサの視野において、前記浮上ユニットの表面に着色処理が施されている請求項14に記載のレーザ照射装置。   The laser irradiation apparatus according to claim 14, wherein the surface of the levitation unit is colored in the field of view of the line sensor. 前記ラインセンサの視野を照明する照明光源が、前記浮上ユニットの上に設けられている請求項14、又は15に記載のレーザ照射装置。   The laser irradiation apparatus according to claim 14 or 15, wherein an illumination light source that illuminates a visual field of the line sensor is provided on the floating unit. 前記第1の搬送ユニットは、
複数の保持機構と、
前記複数の保持機構を独立して移動する移動機構と、を備えている請求項9〜16のいずれか1項に記載のレーザ照射装置。
The first transport unit is
A plurality of holding mechanisms;
The laser irradiation apparatus according to claim 9, further comprising a moving mechanism that moves the plurality of holding mechanisms independently.
レーザ光を発生させるレーザ発生装置と、
前記レーザ光が照射される被処理体を浮上させる浮上ユニットと、
前記浮上している被処理体を搬送する搬送ユニットと、を備えるレーザ照射装置であって、
前記浮上ユニットは、前記被処理体が搬送される第1乃至第4の領域を備え、
前記搬送ユニットは、
前記被処理体を前記第1の領域から前記第2の領域に搬送する第1の搬送ユニットと、
前記被処理体を前記第2の領域から前記第3の領域に搬送する第2の搬送ユニットと、
前記被処理体を前記第3の領域から前記第4の領域に搬送する第3の搬送ユニットと、
前記被処理体を前記第4の領域から前記第1の領域に搬送する第4の搬送ユニットと、を備え、
前記被処理体が前記第1の領域から前記第2の領域に搬送される際に前記レーザ光が前記被処理体に照射され、
前記第1の領域には、前記被処理体をアライメントするアライメント機構が設けられているレーザ照射装置。
A laser generator for generating laser light;
A levitating unit for levitating the object to be processed that is irradiated with the laser beam;
A laser irradiation apparatus comprising: a transport unit that transports the object to be levitated;
The levitation unit includes first to fourth regions in which the object to be processed is conveyed,
The transport unit is
A first transport unit for transporting the object to be processed from the first region to the second region;
A second transport unit for transporting the object to be processed from the second region to the third region;
A third transport unit for transporting the object to be processed from the third region to the fourth region;
A fourth transport unit that transports the object to be processed from the fourth region to the first region;
When the object to be processed is transported from the first area to the second area, the laser beam is irradiated to the object to be processed;
The laser irradiation apparatus provided with the alignment mechanism which aligns the said to-be-processed object in a said 1st area | region.
前記アライメント機構が、鉛直上下方向を回転軸とする回転方向と、平面視において前記第1の領域から前記第2の領域への搬送方向と直交する方向とにおいて、前記被処理体をアライメントする請求項18に記載のレーザ照射装置。   The alignment mechanism aligns the object to be processed in a rotation direction having a vertical vertical direction as a rotation axis and in a direction orthogonal to a conveyance direction from the first region to the second region in plan view. Item 19. A laser irradiation apparatus according to Item 18. レーザ光を発生させるレーザ発生装置と、
前記レーザ光が照射される被処理体を浮上させる浮上ユニットと、
前記浮上している被処理体を搬送する搬送ユニットと、を備えるレーザ照射装置であって、
前記浮上ユニットは、前記被処理体が搬送される第1乃至第4の領域を備え、
前記搬送ユニットは、
前記被処理体を前記第1の領域から前記第2の領域に搬送する第1の搬送ユニットと、
前記被処理体を前記第2の領域から前記第3の領域に搬送する第2の搬送ユニットと、
前記被処理体を前記第3の領域から前記第4の領域に搬送する第3の搬送ユニットと、
前記被処理体を前記第4の領域から前記第1の領域に搬送する第4の搬送ユニットと、を備え、
前記被処理体が前記第1の領域から前記第2の領域に搬送される際に前記レーザ光が前記被処理体に照射され、
前記第3の領域から前記第4の領域の間には、前記第3の搬送ユニットによって搬送中の前記被処理体を撮像するモニタ領域が設けられているレーザ照射装置。
A laser generator for generating laser light;
A levitating unit for levitating the object to be processed that is irradiated with the laser beam;
A laser irradiation apparatus comprising: a transport unit that transports the object to be levitated;
The levitation unit includes first to fourth regions in which the object to be processed is conveyed,
The transport unit is
A first transport unit for transporting the object to be processed from the first region to the second region;
A second transport unit for transporting the object to be processed from the second region to the third region;
A third transport unit for transporting the object to be processed from the third region to the fourth region;
A fourth transport unit that transports the object to be processed from the fourth region to the first region;
When the object to be processed is transported from the first area to the second area, the laser beam is irradiated to the object to be processed;
The laser irradiation apparatus provided with the monitor area | region which images the said to-be-processed object currently conveyed by the said 3rd conveyance unit between the said 3rd area | region and the said 4th area | region.
平面視において、前記第3の搬送ユニットの搬送方向と直交する方向に沿って設けられたラインセンサで前記被処理体を撮像している請求項19に記載のレーザ照射装置。   The laser irradiation apparatus according to claim 19, wherein the object to be processed is imaged by a line sensor provided along a direction orthogonal to the conveyance direction of the third conveyance unit in a plan view. 前記ラインセンサの視野において、前記浮上ユニットの表面に着色処理が施されている請求項21に記載のレーザ照射装置。   The laser irradiation apparatus according to claim 21, wherein a coloring process is performed on a surface of the floating unit in a visual field of the line sensor. 前記ラインセンサの視野を照明する照明光源が、前記浮上ユニットの上に設けられている請求項21、又は22に記載のレーザ照射装置。   23. The laser irradiation apparatus according to claim 21, wherein an illumination light source that illuminates the visual field of the line sensor is provided on the floating unit. 浮上ユニットを用いて被処理体を浮上させながら搬送ユニットを用いて前記被処理体を搬送して前記被処理体にレーザ光を照射するレーザ照射方法であって、
(a)保持機構が、多孔質体を介して前記被処理体を吸着することで、前記被処理体を保持し、
(b)移動機構が、前記被処理体を保持する保持機構を移動させることで、前記被処理体を搬送し、
(c)前記移動機構が前記保持機構を移動している間に、前記被処理体に前記レーザ光を照射するレーザ照射方法。
A laser irradiation method of conveying the object to be processed using a conveyance unit while levitation of the object to be processed using a levitation unit and irradiating the object to be processed with laser light,
(A) The holding mechanism holds the object to be processed by adsorbing the object to be processed through the porous body,
(B) The moving mechanism moves the holding mechanism that holds the object to be processed, thereby conveying the object to be processed;
(C) A laser irradiation method of irradiating the object to be processed with the laser light while the moving mechanism moves the holding mechanism.
前記保持機構は、
前記多孔質体を保持する台座と、
負圧空間を負圧とするために、前記負圧空間を排気する排気機構と、を備え
前記多孔質体は、
被処理体を吸着する吸着面となる第1の面と、
前記負圧空間と接する第2の面と、
前記第1の面から前記第2の面に到達する貫通穴と、を備えている請求項24に記載のレーザ照射方法。
The holding mechanism is
A pedestal for holding the porous body;
An exhaust mechanism for exhausting the negative pressure space in order to set the negative pressure space to a negative pressure, the porous body includes:
A first surface serving as an adsorption surface for adsorbing the workpiece;
A second surface in contact with the negative pressure space;
The laser irradiation method according to claim 24, further comprising: a through hole that reaches the second surface from the first surface.
前記負圧空間の圧力に応じて、前記被処理体を吸着しているか否かを判定する、請求項25に記載のレーザ照射方法。   The laser irradiation method according to claim 25, wherein it is determined whether or not the object to be processed is adsorbed according to a pressure in the negative pressure space. 前記被処理体を吸着したと判定した後、前記移動機構が移動を開始する請求項26に記載のレーザ照射方法。   27. The laser irradiation method according to claim 26, wherein the moving mechanism starts moving after determining that the object to be processed is adsorbed. 前記被処理体を吸着していないと判定した後、前記保持機構が下降する請求項26、又は27に記載のレーザ照射方法。   The laser irradiation method according to claim 26 or 27, wherein after determining that the object to be processed is not adsorbed, the holding mechanism is lowered. 前記搬送ユニットは、
前記被処理体を第1の方向に搬送する第1の搬送ユニットと、
前記被処理体を第2の方向に搬送する第2の搬送ユニットと、を備え、
前記第1の搬送ユニットから前記第2の搬送ユニットへの前記被処理体の持ち替え動作が行われ、
前記持ち替え動作では、
前記第1の搬送ユニットの第1の保持機構が前記被処理体を保持している時、前記第2の搬送ユニットの第2の保持機構が前記被処理体を保持し、
前記第2の搬送ユニットの第2の保持機構が前記被処理体の保持を完了した後、前記第1の保持機構が前記被処理体の保持を解放する請求項24〜28のいずれか1項に記載のレーザ照射方法。
The transport unit is
A first transport unit for transporting the object to be processed in a first direction;
A second transport unit for transporting the object to be processed in a second direction,
The operation of moving the object to be processed from the first transport unit to the second transport unit is performed,
In the holding operation,
When the first holding mechanism of the first transfer unit holds the object to be processed, the second holding mechanism of the second transfer unit holds the object to be processed;
The first holding mechanism releases the holding of the object to be processed after the second holding mechanism of the second transport unit completes the holding of the object to be processed. The laser irradiation method described in 1.
前記第1の搬送ユニットと前記第2の搬送ユニットは、前記浮上ユニットの外側に配置され、
前記第1の搬送ユニットの前記第1の保持機構が前記第2の方向における前記被処理体の一端を保持し、
前記第2の搬送ユニットの前記第2の保持機構が前記第1の方向における前記被処理体の一端を保持する請求項29に記載のレーザ照射方法。
The first transport unit and the second transport unit are arranged outside the floating unit,
The first holding mechanism of the first transport unit holds one end of the object to be processed in the second direction;
30. The laser irradiation method according to claim 29, wherein the second holding mechanism of the second transport unit holds one end of the object to be processed in the first direction.
被処理体を浮上ユニットを用いて浮上させながら搬送ユニットを用いて前記被処理体を搬送して前記被処理体にレーザ光を照射するレーザ照射方法であって、
前記浮上ユニットには、前記被処理体の水平面を保持しながら前記被処理体を回転させる回転機構が設けられており、
前記浮上ユニットの前記回転機構が設けられた領域の外側には、回転中の前記被処理体の前記浮上ユニットからはみ出した部分にガスを噴出する補助浮上ユニットが設けられており、
(d)前記搬送ユニットを用いて前記被処理体を搬送して前記被処理体に前記レーザ光を照射し
(e)前記補助浮上ユニットがガスを噴出している間に、前記回転機構を用いて前記被処理体を回転させ、
(f)前記被処理体を回転後、再度、前記被処理体を搬送して前記被処理体に前記レーザ光を照射する、
レーザ照射方法。
A laser irradiation method of conveying the object to be processed using a conveyance unit while levitation of the object to be processed using a levitation unit and irradiating the object to be processed with laser light,
The floating unit is provided with a rotation mechanism that rotates the object to be processed while holding the horizontal surface of the object to be processed.
Outside the region where the rotation mechanism of the levitation unit is provided, an auxiliary levitation unit that ejects gas to a portion of the rotating object to be processed that protrudes from the levitation unit is provided.
(D) transporting the object to be processed using the transport unit and irradiating the object with the laser beam; (e) using the rotating mechanism while the auxiliary levitation unit is ejecting gas. To rotate the object to be processed,
(F) After rotating the object to be processed, the object to be processed is conveyed again and irradiated with the laser light.
Laser irradiation method.
前記浮上ユニットは、前記被処理体が搬送される第1乃至第4の領域を備え、
前記搬送ユニットは、
前記被処理体を前記第1の領域から前記第2の領域に搬送する第1の搬送ユニットと、
前記被処理体を前記第2の領域から前記第3の領域に搬送する第2の搬送ユニットと、
前記被処理体を前記第3の領域から前記第4の領域に搬送する第3の搬送ユニットと、
前記被処理体を前記第4の領域から前記第1の領域に搬送する第4の搬送ユニットと、を備え、
前記被処理体が前記第1の領域から前記第2の領域に搬送される際に前記レーザ光が前記被処理体に照射され、
前記第4の領域に前記回転機構が設けられており、
前記補助浮上ユニットが前記第4の領域の外側に配置されている、
請求項31に記載のレーザ照射方法。
The levitation unit includes first to fourth regions in which the object to be processed is conveyed,
The transport unit is
A first transport unit for transporting the object to be processed from the first region to the second region;
A second transport unit for transporting the object to be processed from the second region to the third region;
A third transport unit for transporting the object to be processed from the third region to the fourth region;
A fourth transport unit that transports the object to be processed from the fourth region to the first region;
When the object to be processed is transported from the first area to the second area, the laser beam is irradiated to the object to be processed;
The rotation mechanism is provided in the fourth region;
The auxiliary levitation unit is disposed outside the fourth region;
The laser irradiation method according to claim 31.
平面視において
前記浮上ユニットが矩形状であり、
前記第1の搬送ユニットの第1の搬送方向と、前記第2の搬送ユニットの第2の搬送方向が直交しており、
前記第3の搬送ユニットの第3の搬送方向が、前記第1の搬送方向と平行かつ逆向きであり、
前記第4の搬送ユニットの第4の搬送方向が、前記第2の搬送方向と平行かつ逆向きであり、
第1乃至第4の搬送ユニットが、前記浮上ユニットの上を複数回循環するように前記被処理体を搬送する請求項32に記載のレーザ照射方法。
In plan view, the levitation unit is rectangular,
The first transport direction of the first transport unit and the second transport direction of the second transport unit are orthogonal to each other,
A third transport direction of the third transport unit is parallel and opposite to the first transport direction;
A fourth transport direction of the fourth transport unit is parallel and opposite to the second transport direction;
The laser irradiation method according to claim 32, wherein the first to fourth transport units transport the object to be processed so as to circulate a plurality of times on the floating unit.
前記第1の領域には、前記被処理体をアライメントするアライメント機構が設けられており、
前記アライメント機構によって、前記被処理体がアライメントされた後、前記レーザ光が前記被処理体に照射される、
請求項32、又は33に記載のレーザ照射方法。
The first region is provided with an alignment mechanism for aligning the object to be processed.
After the object to be processed is aligned by the alignment mechanism, the laser beam is irradiated to the object to be processed.
The laser irradiation method according to claim 32 or 33.
前記アライメント機構が、鉛直上下方向を回転軸とする回転方向と、平面視において前記第1の領域から前記第2の領域への搬送方向と直交する方向とにおいて、前記被処理体をアライメントする請求項34に記載のレーザ照射方法。   The alignment mechanism aligns the object to be processed in a rotation direction having a vertical vertical direction as a rotation axis and in a direction orthogonal to a conveyance direction from the first region to the second region in plan view. Item 35. The laser irradiation method according to Item 34. 前記第3の領域から前記第4の領域の間において、前記第3の搬送ユニットによって搬送されている前記被処理体を撮像している請求項32〜35のいずれか1項に記載のレーザ照射方法。   The laser irradiation according to any one of claims 32 to 35, wherein the object to be processed being transported by the third transport unit is imaged between the third region and the fourth region. Method. 平面視において、前記第3の搬送ユニットの搬送方向と直交する方向に沿って設けられたラインセンサで前記被処理体を撮像している請求項36に記載のレーザ照射方法。   The laser irradiation method according to claim 36, wherein the object to be processed is imaged by a line sensor provided along a direction orthogonal to the conveyance direction of the third conveyance unit in plan view. 前記ラインセンサの視野において、前記浮上ユニットの表面に着色処理が施されている請求項37に記載のレーザ照射方法。   The laser irradiation method according to claim 37, wherein a coloring process is performed on a surface of the floating unit in a visual field of the line sensor. 前記浮上ユニットの上に設けられた照明光源によって、前記ラインセンサの視野を照明している請求項37、又は38に記載のレーザ照射方法。   The laser irradiation method according to claim 37 or 38, wherein the visual field of the line sensor is illuminated by an illumination light source provided on the floating unit. 前記第1の搬送ユニットには、複数の保持機構が設けられており、
複数の保持機構を独立して移動する請求項32〜39のいずれか1項に記載のレーザ照射方法。
The first transport unit is provided with a plurality of holding mechanisms,
The laser irradiation method according to any one of claims 32 to 39, wherein the plurality of holding mechanisms are moved independently.
被処理体を浮上ユニットを用いて浮上させながら第1乃至第4の搬送ユニットを用いて前記被処理体を搬送して前記被処理体にレーザ光を照射するレーザ照射方法であって、
前記浮上ユニットは、前記被処理体が搬送される第1乃至第4の領域を備え、
前記第1の搬送ユニットを用いて前記被処理体を第1の領域から第2の領域に搬送し、
前記第2の搬送ユニットを用いて前記被処理体を前記第2の領域から第3の領域に搬送し、
前記第3の搬送ユニットを用いて前記被処理体を前記第3の領域から第4の領域に搬送し、
前記第4の搬送ユニットを用いて前記被処理体を前記第4の領域から前記第1の領域に搬送し、
前記第1の領域において、前記被処理体をアライメントし、
アライメントされた前記被処理体が前記第1の領域から前記第2の領域に搬送される際に、前記レーザ光が前記被処理体に照射される、
レーザ照射方法。
A laser irradiation method of conveying the object to be processed using first to fourth transport units while levitation of the object to be processed using a levitation unit and irradiating the object to be processed with laser light,
The levitation unit includes first to fourth regions in which the object to be processed is conveyed,
Transporting the object to be processed from the first region to the second region using the first transport unit;
Transporting the object to be processed from the second region to the third region using the second transport unit;
Transporting the object to be processed from the third region to the fourth region using the third transport unit;
Transporting the object to be processed from the fourth region to the first region using the fourth transport unit;
In the first region, the object to be processed is aligned,
When the aligned object to be processed is transported from the first region to the second region, the laser beam is irradiated to the object to be processed.
Laser irradiation method.
前記第1の領域において、鉛直上下方向を回転軸とする回転方向と、平面視において前記第1の領域から前記第2の領域への搬送方向と直交する方向とにおいて、前記被処理体がアライメントされている請求項41に記載のレーザ照射方法。   In the first region, the object to be processed is aligned in a rotation direction with the vertical vertical direction as a rotation axis and a direction orthogonal to the conveyance direction from the first region to the second region in plan view. The laser irradiation method according to claim 41. 被処理体を浮上ユニットを用いて浮上させながら第1乃至第4の搬送ユニットを用いて前記被処理体を搬送して前記被処理体にレーザ光を照射するレーザ照射方法であって、
前記浮上ユニットは、前記被処理体が搬送される第1乃至第4の領域を備え、
前記第1の搬送ユニットを用いて前記被処理体を第1の領域から第2の領域に搬送し、
前記第2の搬送ユニットを用いて前記被処理体を前記第2の領域から第3の領域に搬送し、
前記第3の搬送ユニットを用いて前記被処理体を前記第3の領域から第4の領域に搬送し、
前記第4の搬送ユニットを用いて前記被処理体を前記第4の領域から前記第1の領域に搬送し、
前記被処理体が前記第1の領域から前記第2の領域に搬送される際に前記レーザ光が前記被処理体に照射され、
前記第3の領域と前記第4の領域の間に設けられたモニタ領域において、前記第3の搬送ユニットによって搬送中の前記被処理体を撮像するレーザ照射方法。
A laser irradiation method of conveying the object to be processed using first to fourth transport units while levitation of the object to be processed using a levitation unit and irradiating the object to be processed with laser light,
The levitation unit includes first to fourth regions in which the object to be processed is conveyed,
Transporting the object to be processed from the first region to the second region using the first transport unit;
Transporting the object to be processed from the second region to the third region using the second transport unit;
Transporting the object to be processed from the third region to the fourth region using the third transport unit;
Transporting the object to be processed from the fourth region to the first region using the fourth transport unit;
When the object to be processed is transported from the first area to the second area, the laser beam is irradiated to the object to be processed;
A laser irradiation method for imaging the object to be processed being transported by the third transport unit in a monitor region provided between the third region and the fourth region.
平面視において、前記第3の搬送ユニットの搬送方向と直交する方向に沿って設けられたラインセンサで前記被処理体を撮像している請求項43に記載のレーザ照射方法。   44. The laser irradiation method according to claim 43, wherein the object to be processed is imaged by a line sensor provided along a direction orthogonal to the conveyance direction of the third conveyance unit in plan view. 前記ラインセンサの視野において、前記浮上ユニットの表面に着色処理が施されている請求項44に記載のレーザ照射方法。   The laser irradiation method according to claim 44, wherein a coloring process is performed on a surface of the floating unit in a visual field of the line sensor. 前記ラインセンサの視野を照明する照明光源が、前記浮上ユニットの上に設けられている請求項44、又は45に記載のレーザ照射方法。   46. The laser irradiation method according to claim 44, wherein an illumination light source that illuminates the visual field of the line sensor is provided on the floating unit. (A)基板上に非晶質膜を形成するステップと、
(B)前記非晶質膜にレーザ光を照射して前記非晶質膜を結晶化させるステップと、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記(B)のステップは、前記基板を浮上ユニットを用いて浮上させながら搬送ユニットを用いて前記基板を搬送して前記非晶質膜にレーザ光を照射するステップであり、
保持機構が、多孔質体を介して前記基板を吸着することで、前記基板を保持し、
(b)移動機構が、前記基板を保持する保持機構を移動させることで、前記基板を搬送し、
(c)前記移動機構が前記保持機構を移動している間に、前記基板に前記レーザ光を照射する半導体装置の製造方法。
(A) forming an amorphous film on the substrate;
(B) irradiating the amorphous film with laser light to crystallize the amorphous film, and a method for manufacturing a semiconductor device,
The step (B) is a step of irradiating the amorphous film with laser light by transporting the substrate using a transport unit while levitating the substrate using a levitation unit,
The holding mechanism holds the substrate by adsorbing the substrate through the porous body,
(B) The moving mechanism moves the holding mechanism that holds the substrate to convey the substrate,
(C) A method of manufacturing a semiconductor device in which the laser beam is irradiated onto the substrate while the moving mechanism moves the holding mechanism.
(A)基板上に非晶質膜を形成するステップと、
(B)前記非晶質膜にレーザ光を照射して前記非晶質膜を結晶化させるステップと、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記(B)のステップは、前記基板を浮上ユニットを用いて浮上させながら搬送ユニットを用いて前記基板を搬送して前記非晶質膜にレーザ光を照射するステップであり、
前記浮上ユニットには、前記基板の水平面を保持しながら前記基板を回転させる回転機構が設けられており、
前記浮上ユニットの前記回転機構が設けられた領域の外側には、回転中の前記基板の前記浮上ユニットからはみ出した部分にガスを噴出する補助浮上ユニットが設けられており、
前記搬送ユニットを用いて前記基板を搬送して前記基板に前記レーザ光を照射し
前記補助浮上ユニットがガスを噴出している間に、前記回転機構を用いて前記基板を回転させ、
前記基板を回転後、再度、前記基板を搬送して前記基板に前記レーザ光を照射する、
レーザ照射方法。
(A) forming an amorphous film on the substrate;
(B) irradiating the amorphous film with laser light to crystallize the amorphous film, and a method for manufacturing a semiconductor device,
The step (B) is a step of irradiating the amorphous film with laser light by transporting the substrate using a transport unit while levitating the substrate using a levitation unit,
The levitation unit is provided with a rotation mechanism that rotates the substrate while holding the horizontal surface of the substrate,
An auxiliary levitation unit is provided outside the region of the levitation unit where the rotation mechanism is provided to eject gas to a portion of the rotating substrate that protrudes from the levitation unit.
The substrate is transported using the transport unit, the substrate is irradiated with the laser light, and the substrate is rotated using the rotating mechanism while the auxiliary levitation unit is ejecting gas,
After rotating the substrate, transport the substrate again and irradiate the substrate with the laser beam.
Laser irradiation method.
(A)基板上に非晶質膜を形成するステップと、
(B)前記非晶質膜にレーザ光を照射して前記非晶質膜を結晶化させるステップと、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記(B)のステップは、前記基板を浮上ユニットを用いて浮上させながら第1乃至第4の搬送ユニットを用いて前記基板を搬送して前記非晶質膜にレーザ光を照射するステップであり、
前記浮上ユニットは、前記基板が搬送される第1乃至第4の領域を備え、
前記第1の搬送ユニットを用いて前記基板を第1の領域から第2の領域に搬送し、
前記第2の搬送ユニットを用いて前記基板を前記第2の領域から第3の領域に搬送し、
前記第3の搬送ユニットを用いて前記基板を前記第3の領域から第4の領域に搬送し、
前記第4の搬送ユニットを用いて前記基板を前記第4の領域から前記第1の領域に搬送し、
前記第1の領域において、前記基板をアライメントし、
アライメントされた前記基板が前記第1の領域から前記第2の領域に搬送される際に、前記レーザ光が前記基板に照射される、
半導体装置の製造方法。
(A) forming an amorphous film on the substrate;
(B) irradiating the amorphous film with laser light to crystallize the amorphous film, and a method for manufacturing a semiconductor device,
In the step (B), the substrate is transported using the first to fourth transport units while the substrate is levitated using the levitating unit, and the amorphous film is irradiated with laser light. ,
The levitation unit includes first to fourth regions where the substrate is transported,
Transporting the substrate from the first region to the second region using the first transport unit;
Transporting the substrate from the second region to a third region using the second transport unit;
Transporting the substrate from the third region to a fourth region using the third transport unit;
Transporting the substrate from the fourth region to the first region using the fourth transport unit;
Aligning the substrate in the first region;
When the aligned substrate is transported from the first region to the second region, the laser light is applied to the substrate.
A method for manufacturing a semiconductor device.
(A)基板上に非晶質膜を形成するステップと、
(B)前記非晶質膜にレーザ光を照射して前記非晶質膜を結晶化させるステップと、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記(B)のステップは、前記基板を浮上ユニットを用いて浮上させながら第1乃至第4の搬送ユニットを用いて前記基板を搬送して前記非晶質膜にレーザ光を照射するステップであり、
前記浮上ユニットは、前記基板が搬送される第1乃至第4の領域を備え、
前記第1の搬送ユニットを用いて前記基板を第1の領域から第2の領域に搬送し、
前記第2の搬送ユニットを用いて前記基板を前記第2の領域から第3の領域に搬送し、
前記第3の搬送ユニットを用いて前記基板を前記第3の領域から第4の領域に搬送し、
前記第4の搬送ユニットを用いて前記基板を前記第4の領域から前記第1の領域に搬送し、
前基板が前記第1の領域から前記第2の領域に搬送される際に前記レーザ光が前記基板に照射され、
前記第3の領域と前記第4の領域の間に設けられたモニタ領域において、前記第3の搬送ユニットによって搬送中の前記基板を撮像するレーザ照射方法。
(A) forming an amorphous film on the substrate;
(B) irradiating the amorphous film with laser light to crystallize the amorphous film, and a method for manufacturing a semiconductor device,
The step (B) is a step of irradiating the amorphous film with laser light by transporting the substrate using the first to fourth transport units while floating the substrate using the levitation unit. ,
The levitation unit includes first to fourth regions where the substrate is transported,
Transporting the substrate from the first region to the second region using the first transport unit;
Transporting the substrate from the second region to a third region using the second transport unit;
Transporting the substrate from the third region to a fourth region using the third transport unit;
Transporting the substrate from the fourth region to the first region using the fourth transport unit;
When the front substrate is transported from the first region to the second region, the laser beam is applied to the substrate,
A laser irradiation method for imaging the substrate being transported by the third transport unit in a monitor region provided between the third region and the fourth region.
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