JP5454971B2 - Moving stage - Google Patents

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JP5454971B2 JP2012092360A JP2012092360A JP5454971B2 JP 5454971 B2 JP5454971 B2 JP 5454971B2 JP 2012092360 A JP2012092360 A JP 2012092360A JP 2012092360 A JP2012092360 A JP 2012092360A JP 5454971 B2 JP5454971 B2 JP 5454971B2
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    • G03F7/70691Handling of masks or wafers
    • G03F7/70716Stages

Description

この発明は、調整された雰囲気下で被処理体の処理を行う処理室内に設置され、被処理体を支持して移動する移動ステージに関するものである。   The present invention relates to a moving stage that is installed in a processing chamber for processing a target object in an adjusted atmosphere and moves while supporting the target object.

クリーンルーム内における半導体製品の製造、検査ラインにおいて、物体の移動に使用するスライド機構では、精密な搬送精度が要求される。精密な搬送精度を有する機構の一つとして、エアー支持によるスライド機構が知られている。また、スライド機構では可能な限り発塵性の少ない機構が求められている。   In the manufacturing and inspection lines of semiconductor products in a clean room, a slide mechanism used for moving an object requires precise conveyance accuracy. As one of mechanisms having precise conveyance accuracy, a slide mechanism by air support is known. In addition, there is a demand for a mechanism that generates as little dust as possible in the slide mechanism.

特許文献1では、ころがり軸受と、該ころがり軸受に嵌挿されたガイド棒よりなるスライド機構において、中心部に軸方向に貫通する中空部を有し、かつ表面より該中空部に向かい、該ころがり軸受の内部の微粒子を排出する排出孔を有するガイド棒より構成された微粒子排出孔付きスライド機構が提案されている。この機構では、ころがり軸受けで機械的な摩耗により発生する微粒子を排出孔から吸収、排出することができるとしている。   In Patent Document 1, in a slide mechanism including a rolling bearing and a guide rod fitted and inserted into the rolling bearing, the center has a hollow portion penetrating in the axial direction, and from the surface toward the hollow portion, the rolling mechanism is provided. There has been proposed a slide mechanism with a fine particle discharge hole constituted by a guide rod having a discharge hole for discharging fine particles inside the bearing. In this mechanism, the rolling bearings can absorb and discharge fine particles generated by mechanical wear from the discharge hole.

特公平5−82482号公報Japanese Patent Publication No. 5-82482

ところでエアー支持によるスライド機構は、機械的な接触を伴わないスライド機構である。したがって、エアー支持による機構そのものからの発塵はない。しかし、エアー支持の機構と近接する面やエアー支持近傍に微粒子が存在すると、噴出する気体により微粒子が巻き上げられてしまう問題がある。特にスライド機構に含まれる浮上用のエアーパッドは、グラナイトやガイドなどの水平な平面にエアーを噴出し、前記平面上を浮上して走行するものである。水平な面には、微粒子の埃などが堆積しやすいため、前述のようなエアー噴出による「巻き上げ」が特に生じやすい。微粒子の巻き上げは処理対象である半導体製品の性能に悪影響を与えてしまう。半導体製造が要求する清浄度は、半導体性能の高度化に伴いより高いものが求められている。特にレーザ照射によってアニール処理をする半導体製造装置では、微粒粉塵が半導体の溶融、凝固とともに半導体に取り込まれ、半導体の品質を低下させる。したがって、前述のような微粒子の巻き上げは極力排除することが求められている。   By the way, the air-supported slide mechanism is a slide mechanism that does not involve mechanical contact. Therefore, there is no dust generation from the mechanism by the air support. However, if fine particles are present in the vicinity of the air support mechanism or in the vicinity of the air support, there is a problem that the fine particles are wound up by the jetted gas. In particular, the air pad for levitation included in the slide mechanism ejects air onto a horizontal plane such as granite or a guide, and levitates and travels on the plane. Since dust such as fine particles is likely to accumulate on the horizontal surface, the “rolling up” due to the air ejection as described above is particularly likely to occur. The raising of the fine particles adversely affects the performance of the semiconductor product to be processed. The degree of cleanliness required by semiconductor manufacturing is required to be higher with the advancement of semiconductor performance. In particular, in a semiconductor manufacturing apparatus that performs an annealing process by laser irradiation, fine particles are taken into the semiconductor as the semiconductor melts and solidifies, thereby reducing the quality of the semiconductor. Therefore, it is required to eliminate as much as possible the winding of the fine particles as described above.

特許文献1では、転がり軸受けで発生する微粒子を排出するように構成されているが、転がり軸受けで発生した微粒子が軸受け内に滞留しつつ移動することでガイド棒に形成された微粒子排出口から微粒子が吸収・排出される。このため微粒子の吸収・排出効率が十分ではない。また、エアーを噴出することでエアーパッド近傍で発生する微粒の粉塵は、エアーパッド近傍に滞留してエアーパッドとともに移動するものではなく雰囲気中に拡散するので、特許文献1で示される構成では、エアーパッドで発生する微粒の粉塵を効果的に吸収、排出をすることはできない。   In Patent Document 1, it is configured to discharge the fine particles generated in the rolling bearing, but the fine particles generated in the rolling bearing move while staying in the bearing, so that the fine particles are discharged from the fine particle discharge port formed in the guide rod. Is absorbed and discharged. For this reason, the absorption and discharge efficiency of fine particles is not sufficient. In addition, fine dust generated in the vicinity of the air pad by blowing out air stays in the vicinity of the air pad and does not move with the air pad, but diffuses into the atmosphere, so in the configuration shown in Patent Document 1, The fine dust generated in the air pad cannot be absorbed and discharged effectively.

本発明は、上記事情を背景としてなされたものであり、エアー支持部近傍で発生する微粒子の粉塵を効果的に雰囲気外に排出することができる移動ステージを提供することを目的とする。   The present invention has been made against the background of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a moving stage that can effectively discharge particulate dust generated near the air support portion to the outside of the atmosphere.

すなわち、本発明では、調整された雰囲気下で被処理体の処理を行う処理室内に設置される移動ステージにおいて、
前記被処理体が配置されるステージ本体と、
前記ステージ本体をガス圧によって非接触で支持するガス支持部とを有し、
前記ガス支持部は、少なくとも前記処理室の横面または/および縦面に面して前記面にガスが吹き出される一または複数のガスパッドを有し、
前記ガスパッドの周囲に微粒粉塵吸引口が設けられ、前記微粒粉塵吸引口に連通して前記処理室外に伸長する吸引ガス排気ラインが設けられていることを特徴とする。
That is, in the present invention , in a moving stage installed in a processing chamber for processing an object to be processed under an adjusted atmosphere,
A stage body on which the object is disposed;
A gas support part for supporting the stage body in a non-contact manner by gas pressure;
The gas support unit has one or a plurality of gas pads that face at least a horizontal surface and / or a vertical surface of the processing chamber and from which gas is blown to the surface,
A fine dust suction port is provided around the gas pad, and a suction gas exhaust line that extends to the outside of the processing chamber in communication with the fine dust suction port is provided.

本発明では、前記ガス支持部が、前記ステージ本体に設けられていてもよい。 In the present invention, the gas support part may be provided on the stage body .

本発明では、前記ガス支持部が、前記ステージ本体を案内するガイドに設けられていてもよい。 In the present invention, the gas support part may be provided in a guide for guiding the stage main body .

本発明では、前記微粒粉塵吸引口は、前記ガスパッドの周囲に沿って複数が設けられていてもよい。 In the present invention, a plurality of the fine dust suction ports may be provided along the periphery of the gas pad .

本発明では、前記微粒粉塵吸引口は、前記ガスパッドの周囲全体に亘って連続した開口を有していてもよい。 In the present invention, the fine dust suction port may be have a continuous opening throughout the entire periphery of the gas pad.

本発明では、前記微粒粉塵吸引口は、100mm以下の範囲で前記ガスパッドの吹き出し端面よりも吹き出し方向後方に位置していてもよい。 In the present invention, the fine particle suction port may be located behind the blowing end surface of the gas pad in the blowing direction within a range of 100 mm or less .

本発明では、前記ガスパッドを囲み、ガスパッドの周縁に略沿った外縁を有するパッドカバーを有し、該パッドカバーに前記微粒粉塵吸引口を有し、前記パッドカバー内空間を介して前記微粒粉塵吸引口と前記吸引ガス排気ラインとが接続されていてもよい In the present invention, there is provided a pad cover that surrounds the gas pad and has an outer edge substantially along the periphery of the gas pad, the pad cover has the fine particle dust suction port, and the fine particles are formed through the pad cover inner space. The dust suction port and the suction gas exhaust line may be connected.

本発明では、前記微粒粉塵吸引口は、前記パッドカバーと前記ガスパッドとの間の隙間により形成されていてもよいIn the present invention, the fine dust suction port may be formed by a gap between the pad cover and the gas pad.

本発明では、前記隙間の大きさが100mm以下の範囲内であってもよい In the present invention, the size of the gap may be I der range below 100 mm.

本発明では、前記ガス支持部は、前記ステージ本体を軸部に対し非接触で支持するガスベアリングを有していてもよいIn the present invention, the gas support portion may have a gas bearing for supporting the stage main body without contact with respect to the shaft portion.

本発明では、前記微粒粉塵吸引口のガス総吸引量と前記ガス支持部のガス吹き出し総量の差分が所定量範囲に調整されていてもよいIn the present invention, the difference between the total gas suction amount of the fine dust suction port and the total gas blowing amount of the gas support portion may be adjusted within a predetermined amount range.

本発明では、半導体を被処理体とする半導体製造処理室内に設置されるものであってもよい In the present invention, may it der those installed semiconductor in a semiconductor fabrication process chamber to be processed.

本発明によれば、ガスパッドの周囲に配置した微粒粉塵吸引口によって、ガスパッドから噴出されたガスにより発生する微粒粉塵が効果的に吸引され、処理室外に排出され、被処理体に対する微粒粉塵による弊害を回避することができる。また、移動ステージが繰り返し移動することで、吹き出し近傍にある微粒粉塵が除去され、処理室内を清浄にする効果もある。   According to the present invention, the fine dust generated by the gas ejected from the gas pad is effectively sucked by the fine dust suction port arranged around the gas pad, and discharged to the outside of the processing chamber. It is possible to avoid the harmful effects caused by. In addition, the moving stage is repeatedly moved, so that fine dust in the vicinity of the blowing is removed, and there is an effect of cleaning the processing chamber.

本発明の一実施形態の移動ステージを備える半導体製造装置を示す概略図である。It is the schematic which shows a semiconductor manufacturing apparatus provided with the movement stage of one Embodiment of this invention. 同じく、移動ステージのガスパッドを備える一部構成を示す概略図である。Similarly, it is the schematic which shows a partial structure provided with the gas pad of a movement stage. 実施形態のガスパッドとパッドカバーを拡大して示す図(a)と、従来のガスパッドを示す図(b)と、実施形態のガスパッドとパッドカバーの側面を示す簡略な図(c)と、実施形態のガスパッドとパッドカバーの底面を示す簡略な図(d)である。The figure (a) which expands and shows the gas pad and pad cover of embodiment, the figure (b) which shows the conventional gas pad, and the simple figure (c) which shows the side of the gas pad and pad cover of embodiment It is a simple figure (d) showing the bottom of a gas pad of an embodiment, and a pad cover. 参考形態のガスパッドと微粒粉塵吸引口とを示す図である。It is a figure which shows the gas pad and fine-particle dust suction port of a reference form . 同じく、さらに他の参考形態のガスパッドと微粒粉塵吸引口とを示す図である。Similarly, it is a figure which shows the gas pad and fine-particle dust suction opening of other reference form . 同じく、さらに他の参考形態のガスパッドと微粒粉塵吸引口とを示す図である。Similarly, it is a figure which shows the gas pad and fine-particle dust suction opening of other reference form . 同じく、さらに他の参考形態のガスパッドと微粒粉塵吸引口とを示す図である。Similarly, it is a figure which shows the gas pad and fine-particle dust suction opening of other reference form . 同じく、さらに他の参考形態のガスパッドと微粒粉塵吸引口とを示す図である。Similarly, it is a figure which shows the gas pad and fine-particle dust suction opening of other reference form . 同じく、さらに他の実施形態のガスパッドと微粒粉塵吸引口とを示す図である。Similarly, it is a figure which shows the gas pad and fine-particle dust suction opening of other embodiment.

以下に、本発明の一実施形態の移動ステージについて添付図面に基づいて説明する。
半導体製造装置1は、被処理体である半導体基板100にレーザ光を相対的に走査しつつ照射してアニール処理がされた半導体を得るものである。アニール処理は、例えば非晶質半導体の結晶化や、半導体の不純物活性化処理などを目的とする。
Below, the movement stage of one Embodiment of this invention is demonstrated based on an accompanying drawing.
The semiconductor manufacturing apparatus 1 obtains a semiconductor that has been subjected to an annealing process by irradiating a semiconductor substrate 100, which is an object to be processed, with relatively scanning laser light. The annealing treatment is aimed at, for example, crystallization of an amorphous semiconductor or impurity activation treatment of a semiconductor.

半導体製造装置1は、密閉された処理室2を備えており、処理室2は不活性ガスなどの適宜の雰囲気に調整される。本発明としては雰囲気の内容が特に限定されるものではなく、不活性ガス雰囲気、真空雰囲気、温度や湿度の調整がなされたものが例示される。なお、雰囲気調整を行う手段は、既知のもので構成することができ、この実施形態では説明および図示を省略している。処理室2の定盤20はグラナイトで構成されており、定盤20の上面が床面となる。   The semiconductor manufacturing apparatus 1 includes a sealed processing chamber 2, and the processing chamber 2 is adjusted to an appropriate atmosphere such as an inert gas. The contents of the atmosphere are not particularly limited as the present invention, and examples include an inert gas atmosphere, a vacuum atmosphere, and a temperature and humidity adjusted. It should be noted that the means for adjusting the atmosphere can be constituted by known ones, and description and illustration are omitted in this embodiment. The surface plate 20 of the processing chamber 2 is made of granite, and the upper surface of the surface plate 20 is a floor surface.

処理室2内には、X軸ガイド10、10が両側に平行に配置されており、該X軸ガイド10、10間にY軸ガイド11が図示しないガスベアリングによってX軸方向に移動可能に架設されている。
Y軸ガイド11には、移動ステージ3がガスベアリングによるエアースライド軸受け31によって移動可能に設置されている。移動ステージ3は、半導体基板100を載置するステージ本体30を有しており、ステージ本体30は、上部側に載置台32を有し、該載置台32に半導体基板100を昇降可能にする機構が設けられている。
In the processing chamber 2, X-axis guides 10 and 10 are arranged in parallel on both sides, and a Y-axis guide 11 is installed between the X-axis guides 10 and 10 so as to be movable in the X-axis direction by a gas bearing (not shown). Has been.
In the Y-axis guide 11, the moving stage 3 is movably installed by an air slide bearing 31 using a gas bearing. The moving stage 3 has a stage main body 30 on which the semiconductor substrate 100 is placed. The stage main body 30 has a mounting base 32 on the upper side, and a mechanism that allows the semiconductor substrate 100 to move up and down on the mounting base 32. Is provided.

ステージ本体30は、その下面側に、Y軸方向の両側と、Y軸ガイド11を挟んだ両側の4箇所に、下部フレーム33を介してそれぞれガスパッド35が取り付けられている。   The stage body 30 has gas pads 35 attached to the lower surface side thereof at four locations on both sides in the Y-axis direction and on both sides of the Y-axis guide 11 via lower frames 33.

ガスパッド35は、下面側にガス噴出部(図示しない)を有し、ガス噴射部に連通するガス供給管36が接続されている。ガス噴射部としては、例えばオリフィス型やクロス型などが挙げられる。本実施形態としてはガス噴射部が特定の構造に限定されるものではなく、既知の構成を用いることができる。ガス供給管36は、処理室2の外部などに設置した、図示しないガス供給部に接続される。ガス供給部、ガス供給管36を通してガスパッド35のガス噴射部にガスが供給され、このガスがガス噴射部を通してガスパッド35の下面から噴射されることによりステージ本体30を定盤20の上面に対し浮上させることができる。定盤20の上面は、本発明の横面に相当する。なお、この実施形態では、ガスパッド35の形状を底面視で円形状のものとしたが、本発明としてはガスパッド35の形状が特定のものに限定されるものではない。
また、この実施形態では、ガスパッド35の下面が定盤20に面しているものとして説明をしているが、ガスパッド35の下面が、定盤20ではなく、ガイド面などの横面に面するように配置されるものであってもよい。
また、この実施形態では、ガスパッド35がステージ本体30に取り付けられているものとして説明をしているが、ガスパッド35が、ステージ本体30に他のガス支持部を介して連結され、ステージ本体30と連動可能な部材、例えばガイドなどに設けられているものであってもよい。
The gas pad 35 has a gas ejection part (not shown) on the lower surface side, and a gas supply pipe 36 communicating with the gas ejection part is connected to the gas pad 35. Examples of the gas injection unit include an orifice type and a cross type. In the present embodiment, the gas injection unit is not limited to a specific structure, and a known configuration can be used. The gas supply pipe 36 is connected to a gas supply unit (not shown) installed outside the processing chamber 2 or the like. Gas is supplied to the gas injection section of the gas pad 35 through the gas supply section and the gas supply pipe 36, and this gas is injected from the lower surface of the gas pad 35 through the gas injection section, whereby the stage body 30 is placed on the upper surface of the surface plate 20. It can be lifted against. The upper surface of the surface plate 20 corresponds to the lateral surface of the present invention. In this embodiment, the shape of the gas pad 35 is circular when viewed from the bottom. However, the shape of the gas pad 35 is not limited to a specific shape in the present invention.
In this embodiment, the lower surface of the gas pad 35 is described as facing the surface plate 20, but the lower surface of the gas pad 35 is not on the surface plate 20, but on a lateral surface such as a guide surface. You may arrange | position so that it may face.
Further, in this embodiment, the gas pad 35 is described as being attached to the stage main body 30, but the gas pad 35 is connected to the stage main body 30 via another gas support portion, and the stage main body 30 may be provided on a member that can be interlocked with 30, such as a guide.

ガスパッド35からのガス噴出によってガス浮上するステージ本体30は、非接触の状態でガス支持されて図示しない駆動部(例えばリニアモータなど)によってY軸ガイド11に沿ってY軸方向に移動することができる。また、ステージ本体30はY軸ガイド11とともに非接触の状態でガス支持されて、図示しない駆動部(例えばリニアモータなど)によってX軸ガイド10に沿ってX軸方向に移動することができる。   The stage main body 30 that floats by gas ejection from the gas pad 35 is supported in a non-contact state and is moved in the Y-axis direction along the Y-axis guide 11 by a drive unit (not shown) such as a linear motor. Can do. Further, the stage main body 30 is gas-supported in a non-contact state together with the Y-axis guide 11, and can be moved in the X-axis direction along the X-axis guide 10 by a driving unit (not shown) (for example, a linear motor).

したがって、X軸ガイド10に対するY軸ガイド11のガスベアリング、Y軸ガイド11におけるガススライド軸受け31は、ガスパッド35とともに本発明のガス支持部を構成する。なお、ガス支持部に使用するガスの種別は本発明としては特に限定されるものではなく、好適には雰囲気ガスを用いることができる。   Therefore, the gas bearing of the Y-axis guide 11 with respect to the X-axis guide 10 and the gas slide bearing 31 in the Y-axis guide 11 together with the gas pad 35 constitute the gas support portion of the present invention. In addition, the kind of gas used for a gas support part is not specifically limited as this invention, An atmospheric gas can be used suitably.

さらに、ガスパッド35の周囲には、図2、図3(a)に示すように微粒粉塵吸引口が設けられている(図1では省略している)。以下、説明する。
なお、図3(b)は、従来のガスパッド35を示すものであり、微粒粉塵吸引口は設けられていない。
Further, a fine dust suction port is provided around the gas pad 35 as shown in FIGS. 2 and 3A (not shown in FIG. 1). This will be described below.
In addition, FIG.3 (b) shows the conventional gas pad 35, and the fine particle dust suction opening is not provided.

本実施形態では、ガスパッド35を覆うパッドカバー40が設けられている。パッドカバー40は、ガスパッド35の上部および周側部を覆うものである。パッドカバー40には吸引ガス排気管41が接続されており、パッドカバー40内のガスを吸引ガス排気管41を通して吸引し排気することができる。吸引ガス排気管41は、そのまま、または他の排気路などを介して処理室2外に伸長しており、適宜の吸引駆動部に接続される。吸引駆動部は、本発明としては特定の構成に限定されるものではなく、真空ポンプや工場内の吸引ラインなどを利用するものであってもよい。吸引ガス排気管は、本発明の吸引ガス排気ラインに相当する。   In the present embodiment, a pad cover 40 that covers the gas pad 35 is provided. The pad cover 40 covers the upper part and the peripheral side part of the gas pad 35. A suction gas exhaust pipe 41 is connected to the pad cover 40, and the gas in the pad cover 40 can be sucked and exhausted through the suction gas exhaust pipe 41. The suction gas exhaust pipe 41 extends out of the processing chamber 2 as it is or through another exhaust path and is connected to an appropriate suction drive unit. The suction drive unit is not limited to a specific configuration in the present invention, and may use a vacuum pump, a suction line in a factory, or the like. The suction gas exhaust pipe corresponds to the suction gas exhaust line of the present invention.

パッドカバー40は、ガスパッド35の周縁に沿った外縁を有しており、かつガスパッド35よりも外縁が外側に位置している。この形態では、パッドカバー40は、底面が開口し、上部が閉じられた円筒容器形状を有している。これによりガスパッド35の外面とパッドカバー40の下端側内面との間にリング状の隙間が形成される。この隙間が微粒粉塵吸引口42を構成する。   The pad cover 40 has an outer edge along the peripheral edge of the gas pad 35, and the outer edge is located outside the gas pad 35. In this embodiment, the pad cover 40 has a cylindrical container shape with an open bottom and a closed top. Thereby, a ring-shaped gap is formed between the outer surface of the gas pad 35 and the lower end side inner surface of the pad cover 40. This gap constitutes the fine dust suction port 42.

なお、パッドカバー40の下端は、図3(c)に示すように、ガスパッド35の下端よりもやや上側に位置しているのが望ましい。これはガスパッド35が定盤20に設置した際に、パッドカバー40が定盤20に接触して損傷を与えるのを回避するためである。定盤20は、精密な平面度を有するように製造されており、損傷の発生は製造装置としての機能を損なうおそれがある。   Note that the lower end of the pad cover 40 is preferably located slightly above the lower end of the gas pad 35 as shown in FIG. This is to prevent the pad cover 40 from contacting and damaging the surface plate 20 when the gas pad 35 is installed on the surface plate 20. The surface plate 20 is manufactured to have a precise flatness, and the occurrence of damage may impair the function of the manufacturing apparatus.

パッドカバー40の下端面とガスパッド35の下端との高さの差ΔHは、本発明としては特に限定されるものではないが、例えばこの実施形態では、100mm以下の範囲を示すことができる。高さの差が小さいと、ガスパッド35が定盤20に設置した際に接触するおそれがある。一方、あまりに高さの差が大きいと、ガスパッド35の下面から漏れ出すガスを効果的に吸引する作用が減少し、したがって、ガス噴射によって発生する微粒粉塵の吸引効率が低下する。なお、吹き出し面により近い位置で吸引するという点では、上記ΔHを10mm以下とするのがさらに望ましい。   Although the height difference ΔH between the lower end surface of the pad cover 40 and the lower end of the gas pad 35 is not particularly limited as the present invention, for example, in this embodiment, a range of 100 mm or less can be shown. If the difference in height is small, there is a risk of contact when the gas pad 35 is installed on the surface plate 20. On the other hand, if the difference in height is too large, the action of effectively sucking the gas leaking from the lower surface of the gas pad 35 is reduced, and therefore the suction efficiency of the fine dust generated by the gas injection is lowered. It should be noted that ΔH is more preferably 10 mm or less from the viewpoint of suctioning at a position closer to the blowing surface.

また、パッドカバー40は、図3(c)、(d)に示すように、ガスパッド35の周縁よりも大きな外縁を有し、その結果、隙間Gの微粒粉塵吸引口42が形成される。この隙間Gが小さいと、上記微粒粉塵がガスパッド35の外側に拡散した際に、吸引効率が十分でなくなる。一方、上記隙間が大きいと、吸引圧力が十分に得られず、微粒粉塵の吸引効率が低下する。これらの観点からパッドカバー40とガスパッド35との面方向の隙間Gは、100mm以下の範囲が望ましい。但し、本発明としてはその間隔量が特定の範囲に限定されるものではない。隙間Gを小さくして吸引速度を高めたい場合は、隙間Gを50mm以下とするのがさらに望ましい。   Further, as shown in FIGS. 3C and 3D, the pad cover 40 has an outer edge larger than the peripheral edge of the gas pad 35, and as a result, a fine dust suction port 42 in the gap G is formed. When the gap G is small, the suction efficiency is not sufficient when the fine dust is diffused outside the gas pad 35. On the other hand, if the gap is large, a sufficient suction pressure cannot be obtained, and the suction efficiency of fine dust is reduced. From these viewpoints, the gap G in the surface direction between the pad cover 40 and the gas pad 35 is desirably in a range of 100 mm or less. However, according to the present invention, the distance is not limited to a specific range. When it is desired to increase the suction speed by reducing the gap G, it is more desirable to set the gap G to 50 mm or less.

移動ステージ3は、上記したようにガス供給管36からガスを供給してガスパッド35の下面からガスを噴射することでガスパッド35を定盤20に対し浮上させる。これによりステージ本体30が定盤20に対し浮上する。また、ガススライド軸受け32にガスを供給してガスベアリングによって非接触で移動ステージ3を軸支持する。この状態でリニアモータなどによってステージ本体30をY軸ガイド11に沿って非接触で支持しつつY軸方向に移動させることができる。移動速度は特に限定されないが、例えばレーザアニール処理では、3〜50mm/秒の移動速度が与えられる。   The moving stage 3 floats the gas pad 35 relative to the surface plate 20 by supplying the gas from the gas supply pipe 36 and injecting the gas from the lower surface of the gas pad 35 as described above. As a result, the stage main body 30 floats with respect to the surface plate 20. Further, gas is supplied to the gas slide bearing 32 and the moving stage 3 is axially supported by the gas bearing in a non-contact manner. In this state, the stage main body 30 can be moved in the Y-axis direction while being supported in a non-contact manner along the Y-axis guide 11 by a linear motor or the like. Although the moving speed is not particularly limited, for example, in the laser annealing process, a moving speed of 3 to 50 mm / second is given.

X軸方向に移動させる際には、同じくガスパッド35によってステージ本体30を浮上させるとともに、Y軸ガイド11をエアベアリングによって非接触で支持し、リニアモータなどによって移動ステージ3をY軸ガイド11とともに、X軸方向に移動させることができる。   When moving in the X-axis direction, the stage body 30 is also levitated by the gas pad 35, and the Y-axis guide 11 is supported in a non-contact manner by an air bearing, and the moving stage 3 is moved together with the Y-axis guide 11 by a linear motor or the like. , And can be moved in the X-axis direction.

なお、上記X軸方向またはY軸方向の移動に際しては、吸引ガス排気管41を通してパッドカバー40内のガスを吸引し、処理室2外に排出する。定盤20上には、図3(a)に示すように微粒粉塵50が滞留している。この上面でガスパッド35が移動すると、ガスパッド35から噴射されるガスによってガスパッド35下方の微粒粉塵50が巻き上がる。但し、巻き上がった微粒粉塵50は、微粒粉塵吸引口42から吸引されて、パッドカバー40内に取り込まれ、さらに吸引ガス排気管41によって吸引されるため、直ちにかつ効率よく微粒粉塵50を吸引して処理室2外に排気することができ、処理室2内の雰囲気中に微粒粉塵50が漂うのを防止できる。
また、移動ステージ3の移動を繰り返すと、定盤20上に滞留する微粒粉塵50の量を次第に低減させることも可能である。
When moving in the X-axis direction or the Y-axis direction, the gas in the pad cover 40 is sucked through the suction gas exhaust pipe 41 and discharged out of the processing chamber 2. As shown in FIG. 3A, fine dust 50 stays on the surface plate 20. When the gas pad 35 moves on this upper surface, the fine dust 50 below the gas pad 35 is rolled up by the gas injected from the gas pad 35. However, the rolled up fine dust 50 is sucked from the fine dust suction port 42, taken into the pad cover 40, and further sucked by the suction gas exhaust pipe 41, so that the fine dust 50 is immediately and efficiently sucked. Thus, it is possible to evacuate the processing chamber 2 and prevent the fine dust 50 from drifting into the atmosphere in the processing chamber 2.
Further, when the movement of the moving stage 3 is repeated, the amount of fine dust 50 staying on the surface plate 20 can be gradually reduced.

上記したガスパッド35におけるガス噴出量と微粒粉塵吸引口42におけるガス吸引量とは単位時間当たりで同等にしてもよく、また、いずれかの量を多くしてもよいが、その差が所定の範囲内になるように調整するのが望ましい。これにより、処理室2内の雰囲気に与える影響を小さくすることができる。また、雰囲気調整用のガス吸引を別途有する場合には、そのガス吸引量に見合うように、ガスパッド35におけるガス噴出量と微粒粉塵吸引口42におけるガス吸引量との差分を所定範囲内に収めるのが望ましい。   The gas ejection amount in the gas pad 35 and the gas suction amount in the fine dust suction port 42 may be equal per unit time, or any amount may be increased. It is desirable to adjust so that it is within the range. Thereby, the influence which it has on the atmosphere in the processing chamber 2 can be made small. Further, when the gas suction for adjusting the atmosphere is separately provided, the difference between the gas ejection amount at the gas pad 35 and the gas suction amount at the fine dust suction port 42 is within a predetermined range so as to match the gas suction amount. Is desirable.

上記実施形態では、ガスパッド35を覆うパッドカバー40を設けたが、パッドカバー40を設けることなく微粒粉塵の吸引・排出を行うことも可能である。
図4は、ガスパッド35の周囲近傍に微粒粉塵吸引口42を有する吸引ガス排気管43を設けたものである。微粒粉塵吸引口42は、ガスパッド35の外周縁底部のやや外側に向いている。吸引ガス排気管43は、ガスパッド35とともに移動するため、ガスパッド35と微粒粉塵吸引口42との位置関係は変わらない。
微粒粉塵吸引口42は、図4に示すように1つを配置してもよく、また、図5に示すようにガスパッド35の周囲に複数の微粒粉塵吸引口42を配置してもよい。複数の微粒粉塵吸引口42を配置する場合、周方向において等間隔で配置することができ、また、周方向位置における巻き上げの程度を考慮して、巻き上げが顕著な方向に数多く配置するなど、偏在させて配置してもよい。
In the above embodiment, the pad cover 40 that covers the gas pad 35 is provided. However, fine dust can be sucked and discharged without providing the pad cover 40.
FIG. 4 shows a suction gas exhaust pipe 43 having a fine dust suction port 42 in the vicinity of the periphery of the gas pad 35. The fine dust suction port 42 faces slightly outside the bottom edge of the outer peripheral edge of the gas pad 35. Since the suction gas exhaust pipe 43 moves together with the gas pad 35, the positional relationship between the gas pad 35 and the fine dust suction port 42 does not change.
One fine dust suction port 42 may be arranged as shown in FIG. 4, and a plurality of fine dust suction ports 42 may be arranged around the gas pad 35 as shown in FIG. In the case of arranging a plurality of fine dust suction ports 42, they can be arranged at equal intervals in the circumferential direction, and in consideration of the degree of winding at the circumferential position, a large number of windings are arranged in a noticeable direction. May be arranged.

また、微粒粉塵吸引口の形状は特に限定されるものではない。
図6は、スリット形状の微粒粉塵吸引口44を有するノズル状の吸引部45を有する形態を示すものである。微粒粉塵吸引口44は、ガスパッド35の外周縁底部のやや外側に向いている。吸引部45には吸引ガス排気管46が接続され、微粒粉塵吸引口44を通してガスパッド35の周囲に巻き上げられた微粒粉塵が吸引、排出される。吸引ガス排気管46は、ガスパッド35とともに移動し、ガスパッド35と微粒粉塵吸引口44との位置関係は変わらない。
Further, the shape of the fine dust suction port is not particularly limited.
FIG. 6 shows a form having a nozzle-like suction part 45 having a slit-shaped fine dust suction port 44. The fine dust suction port 44 faces slightly outside the bottom edge of the outer peripheral edge of the gas pad 35. A suction gas exhaust pipe 46 is connected to the suction portion 45, and the fine dust wound around the gas pad 35 is sucked and discharged through the fine dust suction port 44. The suction gas exhaust pipe 46 moves together with the gas pad 35, and the positional relationship between the gas pad 35 and the fine particle suction port 44 does not change.

なお、スリット形状の微粒粉塵吸引口は、ガスパッド35の周縁形状に沿ったものとすることができる。図7(a)は、ガスパッド35の周縁形状に沿って複数のスリット状の微粒粉塵吸引口47を配置したものであり、図7(b)は、ガスパッド35の周縁形状に沿って全周に亘るスリット状の微粒粉塵吸引口48を配置したものである。   It should be noted that the slit-shaped fine dust suction port can be along the peripheral shape of the gas pad 35. FIG. 7A shows a plurality of slit-shaped fine dust suction ports 47 arranged along the peripheral shape of the gas pad 35, and FIG. 7B shows the entire shape along the peripheral shape of the gas pad 35. A slit-shaped fine dust suction port 48 is arranged over the circumference.

上記実施形態では、処理室2の横面(上記では定盤20上面の水平面)に対し、ガスパッド35のガス噴射面を下面にしてガス支持するものについて説明したが、処理室2の縦面に対しガス支持するガスパッドにおいても微粒粉塵吸引口を設けて、ガス噴射によって巻き上がる微粒粉塵を吸引して処理室2外に排出するようにしてもよい。この例を、図8、9に基づいて説明する。   In the embodiment described above, the gas support is described with the gas injection surface of the gas pad 35 as the lower surface with respect to the horizontal surface of the processing chamber 2 (in the above, the horizontal surface of the upper surface of the surface plate 20). On the other hand, a fine dust suction port may also be provided in the gas pad that supports the gas, and fine dust that is rolled up by gas injection may be sucked and discharged out of the processing chamber 2. This example will be described with reference to FIGS.

この例では、ガスを噴射して非接触でガス支持するガスパッド37が噴射面を定盤20に設けた側面21に面して位置しており、その噴射面から側面21方向にガスを噴射することで、横方向において非接触でガス支持を行うことができる。この場合、ガス浮上を行うガスパッドなどのガス支持部を有するものであってもよく、前記実施形態で説明したガスパッド35を備えることも可能である。   In this example, the gas pad 37 that injects gas and supports the gas in a non-contact manner is located facing the side surface 21 provided with the injection surface on the surface plate 20, and the gas is injected from the injection surface toward the side surface 21. By doing so, gas support can be performed in a non-contact manner in the lateral direction. In this case, it may have a gas support part such as a gas pad for performing gas levitation, and the gas pad 35 described in the above embodiment may be provided.

図8の例では、ガスパッド37の周囲に吸引ガス排気管50を配置し、その先端を微粒粉塵吸引口51としたものである。ガスパッド37には、ガス支持用にガス供給管38が接続されている。
図8では、1つの微粒粉塵吸引口51のみを示しているが、複数をガスパッド37の周囲に沿って配置することができる。なお、複数を配置する場合、周方向に等間隔で配置してもよく、方向によって微粒粉塵の巻き上げ程度が異なる場合には、配置位置を偏在させてもよい。
In the example of FIG. 8, the suction gas exhaust pipe 50 is disposed around the gas pad 37, and the tip thereof is a fine dust suction port 51. A gas supply pipe 38 is connected to the gas pad 37 for gas support.
In FIG. 8, only one fine dust suction port 51 is shown, but a plurality of fine dust suction ports 51 can be arranged along the periphery of the gas pad 37. In addition, when arrange | positioning two or more, you may arrange | position at equal intervals in the circumferential direction, and when the winding degree of fine dust differs with directions, you may unevenly arrange an arrangement position.

図9の例では、ガスパッド37の周囲にパッドカバー52を配置したものである。パッドカバー52には、吸引ガス排気管53が接続されており、パッドカバー52内の吸引が可能になっている。吸引ガス排気管53は、直接または他の排気ライン等を介して処理室2の外部に伸長している。吸引ガス排気管53は、本発明の吸引ガス排気ラインに相当する。
パッドカバー52は、ガスパッド37の全周を囲み、ガスパッド37の噴射面よりも噴射方向に後方に先端を有している。噴射面とパッドカバー37の先端位置との距離は、前記パッドカバー40と同様に100mm以下の範囲が望ましく、10mm以下がさらに望ましい。
また、パッドカバー52は、ガスパッド37の外縁よりも外側に位置しており、その隙間によって微粒粉塵吸引口54が構成されている。上記隙間の大きさは、前記パッドカバー40と同様に100mm以下の範囲が望ましく、50mm以下がさらに望ましい。
In the example of FIG. 9, a pad cover 52 is disposed around the gas pad 37. A suction gas exhaust pipe 53 is connected to the pad cover 52 so that suction in the pad cover 52 is possible. The suction gas exhaust pipe 53 extends to the outside of the processing chamber 2 directly or via another exhaust line. The suction gas exhaust pipe 53 corresponds to the suction gas exhaust line of the present invention.
The pad cover 52 surrounds the entire circumference of the gas pad 37, and has a distal end rearward in the ejection direction from the ejection surface of the gas pad 37. The distance between the ejection surface and the tip position of the pad cover 37 is preferably in the range of 100 mm or less, and more preferably 10 mm or less, like the pad cover 40.
The pad cover 52 is located outside the outer edge of the gas pad 37, and a fine dust suction port 54 is formed by the gap. The size of the gap is preferably in the range of 100 mm or less, and more preferably 50 mm or less, like the pad cover 40.

以上、本発明について上記実施形態に基づいて説明を行ったが、本発明は上記実施形態の説明に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限りは適宜の変更が可能である。   As mentioned above, although this invention was demonstrated based on the said embodiment, this invention is not limited to description of the said embodiment, A suitable change is possible unless it deviates from the scope of the present invention.

1 半導体製造装置
2 処理室
3 移動ステージ
30 ステージ本体
31 エアースライド軸受け
35 ガスパッド
36 ガス供給管
37 ガスパッド
38 ガス供給管
40 パッドカバー
41 吸引ガス排気管
42 微粒粉塵吸引口
43 吸引ガス排気管
44 微粒粉塵吸引口
45 吸引部
46 吸引ガス排気管
47 微粒粉塵吸引口
48 微粒粉塵吸引口
50 吸引ガス排気管
51 微粒粉塵吸引口
52 パッドカバー
53 吸引ガス排気管
54 微粒粉塵吸引口
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor manufacturing apparatus 2 Processing chamber 3 Moving stage 30 Stage body 31 Air slide bearing 35 Gas pad 36 Gas supply pipe 37 Gas pad 38 Gas supply pipe 40 Pad cover 41 Suction gas exhaust pipe 42 Fine dust suction port 43 Suction gas exhaust pipe 44 Fine dust suction port 45 Suction part 46 Suction gas exhaust pipe 47 Fine dust suction port 48 Fine dust suction port 50 Suction gas exhaust pipe 51 Fine dust suction port 52 Pad cover 53 Suction gas exhaust pipe 54 Fine dust suction port

Claims (7)

調整された雰囲気下で被処理体の処理を行う処理室内に設置される移動ステージにおいて、
前記被処理体が配置されるステージ本体と、
前記ステージ本体をガス圧によって非接触で支持するガス支持部とを有し、
前記ガス支持部は、少なくとも前記処理室の横面または/および縦面に面して前記面にガスが吹き出される一または複数のガスパッドを有し、
前記ガスパッドの外周面側と前記ガス支持部による支持面側と反対側のガスパッド背面とを間隔をおいて覆うパッドカバーを有し、
前記ガスパッド外周面と前記パッドカバー周縁との隙間によって微粒粉塵吸引口が設けられ、
前記ガスパッド背面と前記パッドカバーとの間の空間に開口し前記パッドカバー内空間を介して前記微粒粉塵吸引口に連通し、前記処理室外に伸長する吸引ガス排気ラインが設けられていることを特徴とする移動ステージ。
In moving stage to be installed in the processing chamber for processing the object to be processed in an atmosphere which is adjusted,
A stage body on which the object is disposed;
A gas support part for supporting the stage body in a non-contact manner by gas pressure;
The gas support unit has one or a plurality of gas pads that face at least a horizontal surface and / or a vertical surface of the processing chamber and from which gas is blown to the surface,
A pad cover for covering the outer peripheral surface side of the gas pad and the back surface of the gas pad opposite to the support surface side by the gas support portion at an interval;
A fine dust suction port is provided by a gap between the outer peripheral surface of the gas pad and the periphery of the pad cover ,
Said communicated to the fine dust suction port open to the space through the pad cover the space between the gas pad back and said pad cover, suction gas exhaust line extending to the outside of the processing room is provided A featured moving stage.
前記ガス支持部が、前記ステージ本体に設けられていることを特徴とする請求項1記載の移動ステージ。   The moving stage according to claim 1, wherein the gas support portion is provided on the stage main body. 前記ガス支持部が、前記ステージ本体を案内するガイドに設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の移動ステージ。   The moving stage according to claim 1, wherein the gas support portion is provided in a guide for guiding the stage main body. 前記微粒粉塵吸引口は、100mm以下の範囲で前記ガスパッドの吹き出し端面よりも吹き出し方向後方に位置していることを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載の移動ステージ。 The moving stage according to any one of claims 1 to 3 , wherein the fine dust suction port is located behind the blowing end surface of the gas pad in the blowing direction within a range of 100 mm or less. 前記隙間の大きさが、100mm以下の範囲内であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の移動ステージ。 The moving stage according to any one of claims 1 to 4, wherein a size of the gap is within a range of 100 mm or less. 前記ガス支持部は、前記ステージ本体を軸部に対し非接触で支持するガスベアリングを有することを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載の移動ステージ。 The gas support part, moving stage according to any one of claims 1 to 5, characterized in that it has a gas bearing for supporting the stage main body without contact with respect to the shaft portion. 半導体を被処理体とする半導体製造処理室内に設置されるものであることを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載の移動ステージ。 Moving stage according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the semiconductor is intended to be installed in a semiconductor manufacturing process chamber to be processed.
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