KR20140113399A - 건조 장치 및 건조 처리 방법 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판 상에 도포된 유기 재료막 중의 용매를 효율 좋게, 단시간에 제거할 수 있고, 또한 기판의 면내에서 균일한 건조 처리가 가능한 건조 장치 및 건조 처리 방법을 제공한다. 건조 장치(100)는 진공 배기 가능한 처리 용기(1)와, 처리 용기(1) 내에서 기판(S)을 지지하는 지지 부재로서의 재치대(3)와, 재치대(3)에 지지되는 기판(S) 상의 유기 재료막을 향해 가스를 분사하는 가스 분사 장치(5)와, 제어부(6)를 구비하고 있다. 또한 건조 장치(100)는, 처리 용기(1) 내의 압력을 조절하는 압력 제어 기구를 구비하고 있다. 복수의 노즐(51)은 가스의 분사 유량, 가스의 종류를, 노즐(51)마다 독립하여 조절할 수 있도록 구성되어 있다.

Description

건조 장치 및 건조 처리 방법{DRYING APPARATUS AND DRYING METHOD}
본 발명은 예를 들면 유기 EL 소자의 제조 과정에서, 유기 재료막의 건조를 행하기 위하여 이용 가능한 건조 장치 및 건조 처리 방법에 관한 것이다.
유기 EL(Electro Luminescence) 소자는, 전류를 흘림으로써 발생하는 유기 화합물의 루미네선스를 이용하는 발광 소자이며, 한 쌍의 전극 간에 복수의 유기 기능막의 적층체(이하, 이 적층체를 ‘EL층’이라 총칭함)가 개재된 구조로 되어 있다. 여기서 EL층은, 예를 들면 양극측으로부터, [정공 수송층 / 발광층 / 전자 수송층], [정공 주입층 / 정공 수송층 / 발광층 / 전자 수송층], 혹은 [정공 주입층 / 정공 수송층 / 발광층 / 전자 수송층 / 전자 주입층] 등의 순으로 적층된 구조를 가지고 있다.
EL층의 형성은, 각 층마다, 기판 상에 유기 재료를 증착하거나 도포함으로써 행해진다. 고정밀도의 미세 패턴을 형성할 경우에는, 도포 방법으로서 잉크젯 인쇄법을 이용하는 것이 유리하다고 상정되고 있다.
잉크젯 인쇄법에 의해 기판 상에 인쇄된 유기 재료막 중에는, 다량의 용매를 포함하는 점에서, 그 용매를 제거하기 위하여 감압 건조 처리가 행해진다(예를 들면, 특허문헌 1, 특허문헌 2). 건조된 유기 재료막은 또한 베이크 처리된다. 이 베이크 처리에 의해, 유기 재료막은 EL층을 구성하는 유기 기능막으로 변화된다(예를 들면, 특허문헌 3).
건조 처리 시에는, 기판 상의 유기 재료막으로부터 용매, 수분 등이 다량으로 휘발한다. 이 때문에, 건조 장치의 처리 용기 내로부터 이들의 휘발 성분을 신속하게 제거하지 않으면 건조 효율이 저하된다. 건조 후의 유기 재료막 상태는, EL층의 특성에 영향을 미치는 것으로 알려져 있다. 예를 들면 건조 처리 시에, 기판의 면내에서 건조 상태의 불균일이 생기면, 기판의 면내에서의 유기 EL 소자의 특성에 불균일이 생겨, 유기 EL 디스플레이로서 사용했을 때, 표시 얼룩 등의 문제를 일으키는 원인이 된다.
그런데, 건조 장치의 처리 용기 내를 감압으로 하면, 압력의 저하에 수반하여 배기량이 감소하기 때문에, 고진공 상태에서는 배기량이 적어진다. 또한 고진공 상태에서는, 유기 재료막 중으로부터 휘발한 용매가 처리 용기 내에서 분자류를 형성하기 때문에, 용매가 처리 용기 내에 체류한다고 하는 문제가 발생한다.
잉크젯 인쇄법을 이용하여 도포된 유기 재료막 중의 용매를 제거하는 건조 장치로서, 기판의 도포면과 대향하는 덮개 부재에, 불활성 가스를 분출하는 복수의 분출구를 구비한 건조 장치가 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 4). 이 특허문헌 4에는, 기판 면내에서 분사되는 불활성 가스의 양을 균일화하는 목적으로, 기판에 대향 배치되는 덮개 부재에서 분출구의 크기 또는 분출구의 수를 변화시키는 것이 기재되어 있다. 또한 특허문헌 4에는, 도포막의 급격한 건조를 방지하기 위하여, 처리 용기 내로 용매 증기를 공급하는 것도 기재되어 있다.
일본특허공보 제3951162호(단락 0023 등) 일본특허공보 제4168968호(청구항 2 등) 일본특허공보 제4148933호(청구항 1 등) 일본특허공개공보 2010-067430호(도 1 등)
본 발명은, 기판 상에 도포된 유기 재료막 중의 용매를 효율 좋게, 단시간에 제거할 수 있는 것고, 또한 기판의 면내에서 균일한 건조 처리가 가능한 건조 장치 및 건조 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 감압 건조 처리에서, 기판에 도포된 유기 재료막이 건조되는 거동에 대하여 검토한 결과, 유기 재료막의 건조는, 기판의 면내에서 불균일하게 진행되는 점, 및 기판 면내에서의 유기 재료막의 건조 정도는 유기 재료막의 패턴 형상에 의해서도 크게 변화한다는 지견을 얻었다. 이들 지견에 기초하여 본 발명자들은, 압력을 조절하면서, 기판을 향해 분사하는 가스의 유량 또는 종류를 기판 면내에서 적극적으로 변화시킴으로써, 기판 면내에서 균일한 속도로의 건조가 가능해지는 것을 착상하고, 본 발명을 완성했다.
본 발명의 건조 장치는, 기판의 표면에 도포된 유기 재료막 중의 용매를 제거하여 건조시키는 건조 장치이다. 본 발명의 건조 장치는, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 상기 처리 용기 내의 기체를 배기하는 배기구와, 상기 처리 용기 내에서 상기 기판을 지지하는 지지 부재와, 상기 지지 부재에 지지되는 상기 기판을 향해 가스를 분사하는 복수의 노즐을 가지는 가스 분사 장치와, 상기 복수의 노즐로부터 분사되는 상기 가스의 분사 유량 및 상기 가스의 종류 중 적어도 하나를, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하는 제어부를 구비하고 있다.
본 발명의 건조 장치는, 상기 복수의 노즐이 상기 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스를 분사하는 것이어도 된다.
본 발명의 건조 장치는, 상기 복수의 노즐이 상기 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스를 분사하는 것이어도 된다.
본 발명의 건조 장치는, 상기 복수의 노즐이, 상기 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스를 분사하는 노즐과, 상기 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스를 분사하는 노즐을 포함하고 있어도 된다.
본 발명의 건조 장치에 있어서, 상기 복수의 노즐은, 상기 지지 부재에 지지되는 기판까지의 거리가, 적어도, 상대적으로 가까운 노즐과 상대적으로 먼 노즐을 포함하고 있어도 된다.
본 발명의 건조 장치는, 상기 노즐이 원통 형상의 길이가 긴 본체부를 구비하고 있고, 상기 본체부의 길이 방향을 따라 슬릿 형상의 길이가 긴 가스 분사구가 형성되어 있는 것이어도 된다. 이 경우, 상기 복수의 노즐이, 상기 지지 부재에 지지된 상기 기판의 중앙부를 향해 가스를 분사하는 제 1 노즐군과, 상기 기판의 주연부를 향해 가스를 분사하는 제 2 노즐군을 포함하고 있어도 된다.
본 발명의 건조 처리 방법은, 기판의 표면에 도포된 유기 재료막 중의 용매를 제거하여 건조시키는 건조 처리 방법이다. 본 발명의 건조 처리 방법은, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 상기 처리 용기 내의 기체를 배기하는 배기구와, 상기 처리 용기 내에서 기판을 지지하는 지지 부재와, 상기 지지 부재에 지지되는 상기 기판을 향해 가스를 분사하는 복수의 노즐을 가지는 가스 분사 장치와, 상기 복수의 노즐로부터 분사되는 상기 가스의 분사 유량 및 상기 가스의 종류 중 적어도 하나를, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하는 제어부를 구비한 건조 장치를 이용한다.
본 발명의 건조 처리 방법은, 상기 처리 용기 내의 압력을 0.1 ~ 100 Pa의 범위 내로 유지하여 건조 처리를 행해도 된다.
본 발명의 건조 처리 방법은, 상기 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스의 분사 유량을, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하면서 상기 기판을 향해 분사해도 된다.
본 발명의 건조 처리 방법은, 상기 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스의 분사 유량을, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하면서 상기 기판을 향해 분사해도 된다.
본 발명의 건조 처리 방법은, 상기 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스와, 상기 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스의 혼합 비율을, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하면서 상기 기판을 향해 분사해도 된다.
본 발명의 건조 처리 방법에서는, 상기 가스를 펄스 형상으로 분사해도 된다.
본 발명의 건조 처리 방법은, 상기 유기 재료막이, 유기 EL 소자의 제조에 있어서 잉크젯 인쇄법에 의해 상기 기판 상에 도포된 것이어도 된다.
본 발명의 건조 장치 및 건조 처리 방법에 의하면, 기판 상에 도포된 유기 재료막 중의 용매를 효율 좋게, 단시간에 제거할 수 있고, 또한 기판의 면내에서 균일한 건조가 가능하다. 따라서 본 발명에 의하면, 예를 들면 유기 EL 소자의 제조 프로세스의 생산성을 향상시킬 수 있고, 또한 신뢰성이 높은 유기 EL 소자를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예의 건조 장치의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 건조 장치에서의 노즐의 배치를 도시한 설명도이다.
도 3은 처리 용기 내의 압력 변화를 모식적으로 나타낸 특성도이다.
도 4는 유기 EL 소자의 제조 공정의 개략을 나타낸 순서도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예의 건조 장치의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 6은 도 5의 건조 장치에서의 노즐의 배치를 도시한 설명도이다.
도 7은 처리 용기 내를 감압 배기하는 도중에, N2 가스를 도입한 경우와 도입하지 않은 경우의 압력 변화를 나타낸 특성도이다.
도 8은 처리 용기 내로 연속하여 N2 가스를 도입한 경우의 N2 가스 유량과 처리 용기 내의 압력과의 관계를 나타낸 특성도이다.
도 9는 처리 용기 내로 비연속적으로 N2 가스를 도입한 경우의 N2 가스 유량과 처리 용기 내의 압력과의 관계를 나타내는 특성도이다.
도 10은 본 발명의 효과를 확인한 실험에서, 기판 표면의 건조 정도를 관찰한 위치와 노즐의 설치 위치를, 기판의 평면도에 중첩하여 도시한 설명도이다.
도 11은 본 발명의 제 3 실시예의 건조 장치의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 12는 도 11의 건조 장치에서의 노즐의 구성을 도시한 사시도이다.
도 13은 도 11의 건조 장치에서의 노즐의 길이 방향에 직교하는 방향에서의 단면도이다.
도 14는 도 11의 건조 장치에서의 노즐의 배치를 도시한 설명도이다.
도 15는 도 11의 건조 장치에서 기판의 건조 처리를 행할 경우의 가스 분사 유량과 분사의 타이밍의 일례를 설명하는 도면이다.
도 16은 본 발명의 제 4 실시예의 건조 장치의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 17은 본 발명의 제 5 실시예의 건조 장치의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
이하에, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다.
[제 1 실시예]
도 1은, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 매엽식의 건조 장치의 개략 구성을 도시한 단면도이다. 본 실시예의 건조 장치(100)는, 피처리체로서 예를 들면 유기 EL 디스플레이용의 글라스 기판(이하, 단순히 ‘기판’이라 기술함)(S)에 대하여, 그 표면에 도포된 유기 재료막 중의 용매를 제거하여 건조시키는 건조 처리에 이용된다.
본 실시예의 건조 장치(100)는, 진공 배기 가능한 처리 용기(1)와, 처리 용기(1) 내에서 기판(S)을 지지하는 지지 부재로서의 재치대(載置臺)(3)와, 재치대(3)에 지지되는 기판(S) 상의 유기 재료막을 향해 가스를 분사하는 가스 분사 장치(5)와, 복수의 노즐로부터 분사되는 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하는 제어부(6)를 구비하고 있다. 또한 ‘가스의 종류’는 혼합 비율을 포함한다(이하 동일함). 또한 건조 장치(100)는, 처리 용기(1) 내의 압력을 조절하는 압력 제어 기구를 구비하고 있다.
<처리 용기>
처리 용기(1)는 진공 배기 가능한 내압 용기이다. 처리 용기(1)는 금속 재료에 의해 형성되어 있다. 처리 용기(1)를 형성하는 재료로서는, 예를 들면 알루미늄, 알루미늄 합금, 스테인리스 등이 이용된다. 처리 용기(1)는 저벽(11), 각기둥 형상의 4 개의 측벽(13) 및 천장부(15)를 구비하고 있다.
측벽(13)에는, 장치 내로 기판(S)을 반입, 반출하기 위한 반입출구(13a)가 형성되어 있다. 반입출구(13a)는, 처리 용기(1)의 외부와의 사이에서 기판(S)의 반입출을 행하기 위한 것이다. 반입출구(13a)에는 게이트 밸브(GV)가 설치되어 있다. 게이트 밸브(GV)는 반입출구(13a)를 개폐하는 기능을 가지고, 폐쇄 상태에서 처리 용기(1)를 기밀하게 씰링하고, 또한 개방 상태에서 처리 용기(1)와 외부와의 사이에서 기판(S)의 이송을 가능하게 한다.
저벽(11)에는 배기구(11a)가 형성되어 있다. 배기구(11a)는 배기관(17)을 개재하여 외부의 배기 장치(19)에 접속되어 있다. 이 배기 장치(19)를 구동시킴으로써, 처리 용기(1) 내를 소정의 진공도, 예를 들면 0.1 Pa 정도의 압력까지 감압 배기할 수 있도록 구성되어 있다.
<재치대>
처리 용기(1)의 내부에는, 지지 장치로서의 재치대(3)가 배치되어 있다. 재치대(3)는 복수의 지지 기둥(21)에 의해 지지되어 있다. 복수의 지지 기둥(21)은 저벽(11)에 고정되어 있다. 재치대(3)는 도시를 생략하지만, 기판(S)을 승강 변위시키기 위한 기구, 예를 들면 리프트 핀 등을 가지고 있고, 기판(S)을 전달하는 전달 위치와, 재치대(3) 상에 재치하여 건조 처리를 행하는 처리 위치와의 사이에서 기판(S)의 높이 위치를 조정할 수 있다.
<압력 제어 기구>
본 실시예의 건조 장치(100)는 또한 배기 장치(19)를 구비하고 있다. 또한 배기 장치(19)는, 건조 장치(100)의 일구성 부분이어도 되고, 건조 장치(100)와는 다른 외부의 장치여도 좋다. 배기 장치(19)는, 예를 들면 터보 분자 펌프 또는 드라이 펌프 등의 진공 펌프를 가지고 있다. 건조 장치(100)는, 또한 배기구(11a)와 배기 장치(19)를 접속하는 배기관(17)과, 배기관(17)의 도중에 설치된 APC(Adaptive Pressure Control) 밸브(23)를 구비하고 있다. 배기 장치(19)의 진공 펌프를 작동시키고, 또한 APC 밸브(23)의 개방도를 조절함으로써, 처리 용기(1)의 내부 공간을 소정의 진공도로 감압 배기할 수 있다.
또한 본 실시예의 건조 장치(100)는, 또한 처리 용기(1) 내의 압력을 감시하기 위한 압력계(25)를 구비하고 있다. 압력계(25)는, 처리 용기(1) 내의 계측 압력을 전기 신호로서 APC 밸브(23)에 송신한다.
본 실시예에서는, 배기 장치(19), 배기관(17), APC 밸브(23) 및 압력계(25)가, 처리 용기(1) 내를 감압 배기하고 또한 소정 압력으로 조절하는 압력 제어 기구를 구성하고 있다.
<가스 분사 장치>
가스 분사 장치(5)는, 복수의 노즐(51)과, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 가스 공급원(53)과, 가스 공급원(53)과 각 노즐(51)을 접속하고, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 복수의 배관(55)을 구비하고 있다. 도 1에서는, 6 개의 노즐(51)을 대표적으로 도시하고 있다. 각 노즐(51)에 대하여, 설명의 편의상 구별이 필요한 경우는, 도 1의 지면을 향해 좌측으로부터 노즐(51A), 노즐(51B), 노즐(51C), 노즐(51C), 노즐(51B), 노즐(51A)이라고 표기한다. 여기서 노즐(51C)은, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있고, 노즐(51A)은, 기판(S)의 주연 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있고, 노즐(51B)은, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분의 중간 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있다.
가스 공급원(53)은 불활성 가스 공급원(53A) 및 용매 가스 공급원(53B)을 구비하고 있다. 불활성 가스 공급원(53A)은, 예를 들면 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스로서의 불활성 가스를 공급한다. 불활성 가스로서는 예를 들면 질소 가스, 아르곤 가스, 헬륨 가스 등을 이용할 수 있다. 용매 가스 공급원(53B)은, 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스로서의 용매 가스를 공급한다. 또한 가스 공급원(53)은, 불활성 가스 공급원(53A) 및 용매 가스 공급원(53B) 이외에, 다른 가스의 공급원을 구비하고 있어도 된다.
또한 가스 분사 장치(5)는, 배관(55)의 도중에, 가스 유량을 제어하는 복수의 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와 복수의 개폐 밸브(59)를 구비하고 있다. 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 유량 또는 분사 속도, 가스의 종류 등은 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57) 및 개폐 밸브(59)에 의해 제어된다. 또한 도 1에서는, 배관(55), 개폐 밸브(59) 및 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 대하여 대표적인 것을 도시하고 있는데, 이들의 배치 위치 또는 수는, 도 1에 예시한 내용에 한정되지 않는다.
복수의 노즐(51)은, 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사할 수 있도록, 기판(S)의 상방에 설치되어 있다. 복수의 노즐(51)은, 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 독립하여 조절할 수 있도록 구성되어 있다. 즉, 배관(55)과 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와 개폐 밸브(59)의 조합에 의해, 노즐(51)마다 독립하여 가스의 분사 유량을 제어할 수 있도록 배치되어 있다. 또한, 배관(55)과 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와 복수의 개폐 밸브(59)의 조합에 의해, 노즐(51)마다 독립하여 가스의 종류를 전환하여 분사할 수 있도록 구성되어 있다.
[가스의 분사 유량]
복수의 노즐(51)은, 각각 독립적인 분사 유량으로 불활성 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 이 중앙 부분의 바로 위에 배치된 노즐(51C)로부터 불활성 가스를 상대적으로 큰 유량(V1)으로 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 이 주연 부분의 바로 위에 배치된 노즐(51A)로부터 불활성 가스를 유량(V1)보다 상대적으로 작은 유량(V2)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분의 사이의 중간 부분에는, 노즐(51B)로부터 불활성 가스를 유량(V1)과 유량(V2)의 중간의 유량(V3)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 주연 부분과 중간 부분에는, 불활성 가스를 분사하지 않는 것도 가능하다.
또한 복수의 노즐(51)은, 각각 독립적인 분사 유량으로 용매 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는 노즐(51A)로부터 용매 가스를 상대적으로 큰 유량(V4)으로 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐(51C)로부터 용매 가스를 유량(V4)보다 상대적으로 작은 유량(V5)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분의 사이의 중간 부분에는, 노즐(51B)로부터 용매 가스를 유량(V4)과 유량(V5)의 중간의 유량(V6)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 중간 부분에는, 용매 가스를 분사하지 않는 것도 가능하다.
또한 가스의 분사 유량은 유량(V1 ~ V3, V4 ~ V6)의 각 3 단계에 한정되지 않고, 1 단계 혹은 2 단계 또는 4 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분과 중간 부분에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 유량을 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다.
[가스 종류]
복수의 노즐(51)은, 각각 독립하여 불활성 가스, 용매 가스, 또는 불활성 가스 및 용매 가스의 혼합 가스(이하, 단순히 ‘혼합 가스’라고 기술하는 경우가 있음)를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐(51C)로부터 불활성 가스를 분사할 수 있다. 또한 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐(51A)로부터 용매 가스를 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분의 사이의 중간 부분에는, 노즐(51B)로부터 불활성 가스 및 용매 가스의 혼합 가스를 분사할 수 있다.
또한 복수의 노즐(51)은, 각각 독립적인 혼합 비율로, 혼합 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐(51C)로부터 용매 가스 농도가 낮은 제 1 혼합 비율로 혼합 가스를 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐(51A)로부터 제 1 혼합 비율보다 용매 가스 농도가 높은 제 2 혼합 비율로 혼합 가스를 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분의 사이의 중간 부분에는, 노즐(51B)로부터 용매 가스의 농도가 제 1 혼합 비율과 제 2 혼합 비율의 중간인 제 3 혼합 비율로 혼합 가스를 분사할 수 있다.
또한 혼합 가스는, 제 1 ~ 제 3 혼합 비율의 3 단계에 한정되지 않고, 1 단계 혹은 2 단계 또는 4 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분과 중간 부분에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 종류 또는 혼합 비율을 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다.
[노즐 높이 위치]
본 실시예의 건조 장치(100)에서는, 복수의 노즐(51)의 높이 위치를 개별적으로 설정할 수 있다. 즉 복수의 노즐(51)은, 재치대(3)에 지지되는 기판(S)까지의 거리가, 적어도, 상대적으로 가까운 노즐(51C)과 상대적으로 먼 노즐(51A)과 그들의 중간의 높이 위치의 노즐(51B)을 포함하고 있다. 각 노즐(51)의 높이 위치는, 예를 들면 처리 용기(1) 내로 도입되는 배관(55)과 노즐(51)의 사이에, 도시하지 않은 어답터(연장 배관)를 장착함으로써 가능해진다. 이와 같이, 노즐(51)과 기판(S)의 거리를 변경함으로써, 예를 들면 동일한 가스를 동일한 속도로 분사할 경우에도, 기판(S)의 표면에 도달하는 가스의 강도, 양 등을 컨트롤할 수 있다. 도 1에 도시한 예에서는, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 기판(S)까지의 거리가 상대적으로 가까운 높이 위치(H1)에 노즐(51C)을 배치하고 있다. 또한 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 높이 위치(H1)보다 높고, 기판(S)까지의 거리가 상대적으로 먼 높이 위치(H2)에 노즐(51A)을 배치하고 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분의 중간 부분에는, 높이 위치(H1)보다 높고, 높이 위치(H2)보다 낮은 높이 위치(H3)에 노즐(51B)을 배치하고 있다.
또한 노즐(51)의 높이 위치는, 높이 위치(H1 ~ H3)의 3 단계에 한정되지 않고, 1 단계 혹은 2 단계 또는 4 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분과 중간 부분에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 노즐(51)의 높이 위치를 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다.
[노즐의 배치]
도 2는, 도 1의 건조 장치(100)에서의 노즐(51)의 배치를 설명하기 위한 기판(S)의 평면도이다. 도 2에서는, 기판(S)의 상면에 노즐(51)의 배치를 투영하여 도시했다. 또한 도 2에서는, 기판(S) 상에 잉크젯 인쇄법에 의해 패턴 도포된 유기 재료막의 형성 영역을 R1 ~ R4로 나타내고 있다. 여기서 영역(R1 ~ R4)은 각각이 유기 EL 제품, 예를 들면 유기 EL 디스플레이의 크기에 대응하고 있다. 즉, 1 매의 기판(S)으로부터 4 개의 유기 EL 제품을 제조할 수 있도록, 기판(S)의 면내에 유기 재료막이 구분하여 형성되어 있다. 복수의 노즐(51)은, 4 개의 유기 재료막의 형성 영역(R1 ~ R4)에 각각 9 개씩, 균등하게 배치되어 있다. 이와 같이, 기판(S)에 형성된 유기 재료막의 레이아웃을 고려하여, 노즐(51)을 배치할 수 있다.
또한 기판(S)의 영역(R1 ~ R4)의 4 개의 영역에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 노즐(51)의 배치를 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다. 또한 다른 배치예로서, 도시는 생략하지만, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분의 상방에는, 상대적으로 노즐(51)의 수를 많게 하여 조밀하게 배치하고, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분의 상방에는, 상대적으로 노즐(51)의 수를 적게 하여 성기게 배치할 수도 있다. 또한 기판(S)의 종류 또는 형상에 따라, 노즐(51)의 위치 또는 가스 유량을 변경 가능한 구조가 바람직하다.
<제어부>
도 1에 도시한 바와 같이, 건조 장치(100)의 각 구성부, 예를 들면 배기 장치(19), APC 밸브(23), 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57), 개폐 밸브(59) 등은, 제어부(6)에 접속되어 제어되는 구성으로 되어 있다. 제어부(6)는, CPU를 구비한 컨트롤러(61)와, 유저 인터페이스(62)와 기억부(63)를 구비하고 있다. 컨트롤러(61)는 컴퓨터 기능을 가지고 있고, 건조 장치(100)에서 각 구성부를 통괄하여 제어한다. 유저 인터페이스(62)는, 공정 관리자가 건조 장치(100)를 관리하기 위하여 커멘드의 입력 조작 등을 행하는 키보드, 및 건조 장치(100)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로부터 구성된다. 기억부(63)에는, 건조 장치(100)에서 실행되는 각종 처리를 컨트롤러(61)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램(소프트웨어) 또는 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피가 보존되어 있다. 유저 인터페이스(62) 및 기억부(63)는 컨트롤러(61)에 접속되어 있다.
그리고 필요에 따라, 유저 인터페이스(62)로부터의 지시 등으로 임의의 레시피를 기억부(63)로부터 호출하여 컨트롤러(61)에 실행시킴으로써, 컨트롤러(61)의 제어 하에서 건조 장치(100)에서의 원하는 건조 처리가 행해진다. 즉 제어부(6)는, 배기 장치(19) 및 APC 밸브(23)에 제어 신호를 송출하여, 처리 용기(1) 내를 소정의 압력으로 유지한다. 또한 제어부(6)는, 복수의 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와 개폐 밸브(59)에 제어 신호를 송출하여, 복수의 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를, 노즐(51)마다 또는 2 개 이상의 노즐(51)의 조합마다 독립하여 조절한다. 상기 제어 프로그램 또는 처리 조건 데이터 등의 레시피는, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 예를 들면 CD-ROM, 하드 디스크, 플렉시블 디스크, 플래쉬 메모리 등에 저장된 상태의 것을 이용할 수 있다. 혹은 다른 장치로부터, 예를 들면 전용 회선을 개재하여 수시 전송시켜 온라인으로 이용하는 것도 가능하다.
[건조 처리 방법]
이어서 도 3을 참조하여, 건조 장치(100)를 이용하여 행해지는 기판(S) 표면의 유기 재료막의 건조 처리에 대하여 설명한다. 본 실시예의 건조 처리 방법은, 건조 장치(100)의 처리 용기(1) 내에서, 기판(S)의 표면에 도포된 유기 재료막에 대한 건조 처리를 행한다. 건조 처리 동안에는, 제어부(6)에 의해, 복수의 노즐(51)을 구비한 가스 분사 장치(5)에 대하여, 노즐(51)마다 가스의 분사 유량, 가스의 종류 등을 개별적으로 조절하여, 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사한다. 각 노즐(51)로부터의 불활성 가스 및 용매 가스 중 적어도 하나의 분사는 연속적이어도 되고, 비연속적(간헐적)이어도 된다. 또한 건조 처리는, 유기 재료막 중에 포함되는 용매의 휘발을 촉진하여, 건조 효율을 높이기 위하여, 처리 용기(1) 내의 압력을 0.1 ~ 100 Pa의 범위 내, 바람직하게는 0.3 ~ 10 Pa의 범위 내로 유지하여 행한다. 본 실시예에서는, 가스 분사 장치(5)에 의한 가스의 분사와 처리 용기(1) 내의 압력 제어를 관련시켜 행함으로써, 처리 용기(1) 내를 고진공으로 하면서, 분위기 중의 용매 농도를 낮추는 것이 가능해져, 기판(S) 표면의 유기 재료막의 건조 효율을 향상시켜, 단시간에 건조 처리를 행할 수 있다.
도 3은, 처리 용기(1) 내를 감압 배기하는 과정의 압력 변화를 모식적으로 나타낸 특성도이다. 도 3의 종축은 처리 용기(1) 내의 압력을 나타내고, 횡축은 시간을 나타내고 있다. 건조 장치(100)에서는, 배기 장치(19)를 작동시킴으로써 처리 용기(1)의 내부 공간을 소정의 진공도까지 감압 배기할 수 있다. 예를 들면, 배기 장치(19)를 작동시키면, 처리 용기(1) 내에서는, 예를 들면 도 3의 곡선(A)으로 나타낸 바와 같이 압력 강하가 발생한다. 여기서, 유기 재료막에 대한 건조 처리에 있어 바람직한 압력 범위가, 도 3의 압력(P1 ~ P2)의 범위 내라고 가정한다. 여기서, 압력(P1, P2)의 값은 기판(S) 표면의 유기 재료막 중의 용매량 등에 따라 설정하면 되고, 압력(P1)은 예를 들면 10 ~ 100 Pa의 범위 내로 설정하는 것이 바람직하며, 압력(P2)은 예를 들면 0.1 ~ 0.3 Pa의 범위 내로 설정하는 것이 바람직하다. 처리 용기(1) 내의 압력(P1)이 100 Pa를 상회하면, 유기 재료막의 건조 효율이 저하된다. 처리 용기(1) 내의 압력(P2)이 0.1 Pa를 하회하면, 기판(S)의 면내에서 건조되기 쉬운 영역(예를 들면 주연부)의 건조가 지나치게 진행되어, 기판(S)의 면내에서의 건조의 정도에 불균일이 생긴다. 또한, 처리 용기(1) 내의 압력이 P1 ~ P2의 범위를 초과하여 크게 변동하면, 기판(S) 상의 유기 재료막의 건조 정도를 관리하는 것이 곤란해져, 1 매의 기판(S)의 면내에서의 건조 정도의 파악이 곤란해질 뿐 아니라, 복수 매의 기판(S) 간에서 처리의 불균일을 일으킬 가능성이 있다. 따라서, 기판(S)에 대한 건조 처리를 예를 들면 시점(t1)부터 시점(t2)까지 행할 경우, 적어도 t1 ~ t2의 동에는 압력을 P1 ~ P2의 범위 내로 하여, 도 3의 곡선(B)과 같은 압력 상태를 처리 용기(1) 내에 만드는 것이 바람직하다.
처리 용기(1) 내의 압력은, 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 의한 도입 가스의 유량 제어와, APC 밸브(23)의 개방도를 조절함으로써 일정한 범위로 컨트롤하는 것이 가능하다. 본 실시예의 건조 처리 방법에서는, 처리 용기(1) 내로 가스 분사 장치(5)에 의해 연속적 또는 비연속적으로 가스를 도입하기 위하여, 제어부(6)에 의해 이하와 같은 순서로 압력과 가스 유량의 제어를 행하는 것이 바람직하다. 예를 들면 도 3에서, 처리 용기(1) 내의 압력이 P1까지 강하한 시점(t1)과 동시에 가스의 분사를 개시하고, 건조 처리를 종료하는 시점(t2)까지의 동안에, 연속하여 가스 분사를 행한다. 또한 다른 예에서는, 도 3에서, 처리 용기(1) 내의 압력이 P1까지 강하한 시점(t1)과 동시에 가스의 분사를 개시하고, 건조 처리를 종료하는 시점(t2)까지의 동안에, 가스를 분사하고 정지하는 것을 반복하여 행해도 된다. 가스의 도입을 비연속적으로 행할 경우에는, 예를 들면 10 ~ 100 초의 범위 내의 간격으로 가스 도입과 정지를 전환하는 것이 바람직하다.
이상과 같이, 처리 용기(1) 내를 압력(P1 ~ P2)의 범위 내의 고진공 상태로 유지하면서, 연속적 혹은 비연속적으로 가스를 도입한다. 이와 같이 도입한 가스의 기류를 이용하여, 처리 용기(1) 내의 분위기 중의 용매의 배기를 촉진함으로써, 단시간에 건조 처리를 행할 수 있다.
[건조 처리의 순서]
이어서, 이상과 같이 구성된 건조 장치(100)를 이용하는 건조 처리의 순서에 대하여 설명한다. 우선 전단계로서, 외부의 잉크젯 인쇄 장치(도시 생략)로 기판(S) 상에 유기 재료막을 소정의 패턴으로 인쇄한다. 이어서, 게이트 밸브(GV)를 개방하고, 유기 재료막이 인쇄된 기판(S)을 외부의 반송 장치(도시 생략)에 의해 건조 장치(100)의 재치대(3)로 전달한다.
이어서, 건조 장치(100)의 게이트 밸브(GV)를 닫고 배기 장치(19)를 작동시켜 처리 용기(1) 내를 감압 배기한다. 그리고, 압력계(25)에 의해 처리 용기(1) 내의 압력을 모니터하면서, APC 밸브(23)의 개방도를 컨트롤하여 소정의 진공도까지 감압한다. 이와 같이 하여, 기판(S) 상에 형성된 유기 재료막 중에 포함되는 용매를 제거하는 건조 처리를 실시할 수 있다. 이 건조 처리 동안, 처리 용기(1) 내의 압력을 제어하면서, 가스의 분사 유량, 가스의 종류 등을 개별적으로 조절 가능한 복수의 노즐(51)을 구비한 가스 분사 장치(5)를 이용하여 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사함으로써, 기판(S)의 면내에서의 유기 재료막의 건조 정도를 균일화하면서, 단시간에 효율좋게 건조시킬 수 있다. 또한, 가스 분사 장치(5)를 이용하여 처리 용기(1) 내로 가스를 도입함으로써, 처리 용기(1) 내에서 기류가 발생하기 때문에, 처리 용기(1) 내에 체류하고 있는 용매의 배기를 촉진할 수 있다.
이어서, 가스 분사 장치(5)에 의한 가스의 분사와 배기 장치(19)에 의한 배기를 정지하고, 처리 용기(1) 내를 소정 압력까지 승압한 후, 건조 장치(100)의 게이트 밸브(GV)를 개방하고, 외부의 반송 장치(도시 생략)에 의해 기판(S)을 처리 용기(1)로부터 반출한다. 이상의 순서에 의해, 1 매의 기판(S)에 대한 건조 처리가 종료된다.
[유기 EL 소자의 제조 프로세스에의 적용예]
유기 EL 소자의 제조는, 양극과 음극의 사이에 EL층으로서 복수의 유기 기능막을 형성한다. 본 실시예의 건조 장치(100)는, 어떠한 적층 구조의 유기 EL 소자의 제조에도 적용할 수 있다. 여기서는, EL층으로서 양극측으로부터 음극측을 향해, 정공 주입층 / 정공 수송층 / 발광층 / 전자 수송층 / 전자 주입층을 가지는 유기 EL 소자를 제조할 경우를 예로 들어, 건조 장치(100)에 의한 구체적인 처리를 설명한다.
도 4에, 유기 EL 소자의 제조 공정의 개략을 나타냈다. 본 예에서, 유기 EL 소자는 STEP1 ~ STEP8의 공정에 의해 제조된다. STEP1에서는, 기판(S) 상에, 예를 들면 증착법 등에 의해 소정의 패턴으로 양극(화소 전극)을 형성한다. 이어서 STEP2에서는, 양극의 사이에 절연물에 의한 격벽(뱅크)을 형성한다. 격벽을 형성하기 위한 절연 재료로서는, 예를 들면 감광성 폴리이미드 수지 등의 고분자 재료를 이용할 수 있다.
이어서 STEP3에서는, STEP1에서 형성된 양극 상에 정공 주입층을 형성한다. 우선 잉크젯 인쇄법에 의해, 각 격벽에 의해 구획된 양극 상에, 정공 주입층의 재료가 되는 유기 재료를 인쇄한다. 이어서, 이와 같이 인쇄된 유기 재료막에 대하여, 건조 장치(100)를 이용하여, 용매 제거를 위한 감압 건조 처리를 행한다. 이어서, 건조 처리 후의 기판(S)을 베이크 장치로 이송하여 베이크 처리를 행함으로써, 정공 주입층을 형성한다.
이어서 STEP4에서는, STEP3에서 형성된 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성한다. 우선 잉크젯 인쇄법에 의해, 정공 주입층 상에 정공 수송층의 재료가 되는 유기 재료를 인쇄한다. 이와 같이 인쇄된 유기 재료막에 대하여, 건조 장치(100)를 이용하여, 용매 제거를 위한 감압 건조 처리를 행한다. 이어서, 건조 처리 후의 기판(S)을 베이크 장치로 이송하여 베이크 처리를 행함으로써, 정공 수송층을 형성한다.
이어서 STEP5에서는, STEP4에서 형성된 정공 수송층 상에 발광층을 형성한다. 우선 잉크젯 인쇄법에 의해, 정공 수송층 상에 발광층의 재료가 되는 유기 재료를 인쇄한다. 이와 같이 인쇄된 유기 재료막에 대하여, 건조 장치(100)를 이용하여, 용매 제거를 위한 감압 건조 처리를 행한다. 이어서, 건조 처리 후의 기판(S)을 베이크 장치로 이송하여 베이크 처리를 행함으로써, 발광층을 형성한다. 또한, 발광층이 복수층으로 이루어질 경우, 상기 처리가 반복된다.
이어서 발광층 상에, 예를 들면 증착법에 의해 전자 수송층(STEP6), 전자 주입층(STEP7) 및 음극(STEP8)을 순차적으로 형성함으로써, 유기 EL 소자가 얻어진다.
이러한 유기 EL 소자의 제조 프로세스에서, 건조 장치(100)는, STEP3(정공 주입층 형성), STEP4(정공 수송층 형성) 및 STEP5(발광층 형성)에 바람직하게 적용할 수 있다. 즉, 잉크젯 인쇄법에 의해, 각 층의 전단계인 유기 재료막을 인쇄한 후, 건조 장치(100)를 사용하여 유기 재료막에 대한 감압 건조 처리를 행할 수 있다. 이 경우, 건조 장치(100)는 가스의 분사 유량, 가스의 종류 등을 개별적으로 조절 가능한 복수의 노즐(51)을 구비한 가스 분사 장치(5)를 구비하고 있기 때문에, 고진공 상태에서도 단시간에 뛰어난 건조 효율이 얻어진다.
이상과 같이, 건조 장치(100)를 이용함으로써, 유기 EL 소자의 제조 프로세스에서, EL층을 형성하기 위하여 필요한 건조 공정을 고스루풋으로 효율 좋게 행할 수 있다.
[제 2 실시예]
이어서 도 5 및 도 6을 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예의 건조 장치에 대하여 설명한다. 도 5는, 제 2 실시예에 따른 건조 장치(101)의 개략 구성을 도시한 단면도이다. 도 6은, 도 5의 건조 장치(101)에서의 노즐(51)의 배치를 설명하기 위한 기판(S)의 평면도이다. 제 1 실시예의 건조 장치(100)와의 주된 상이점으로서, 본 실시예의 건조 장치(101)에서는, 복수의 노즐(51)의 조합마다 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 조절 가능하게 구성되어 있다. 이하에, 제 1 실시예의 건조 장치(100)와의 상이점을 중심으로 설명하고, 본 실시예의 건조 장치(101)에서, 제 1 실시예와 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여하여 설명을 생략한다.
본 실시예의 건조 장치(101)는, 진공 배기 가능한 처리 용기(1)와, 처리 용기(1) 내에서 기판(S)을 지지하는 지지 부재로서의 재치대(3)와, 재치대(3)에 지지되는 기판(S) 상의 유기 재료막을 향해 가스를 분사하는 가스 분사 장치(5A)와, 복수의 노즐로부터 분사되는 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하는 제어부(6)를 구비하고 있다. 또한 건조 장치(101)는, 처리 용기(1) 내의 압력을 조절하는 압력 제어 기구를 구비하고 있다.
본 실시예의 건조 장치(101)에서 처리 용기(1), 재치대(3), 압력 제어 기구 및 제어부(6)의 구성은 제 1 실시예의 건조 장치(100)와 동일하다.
<가스 분사 장치>
가스 분사 장치(5A)는, 복수의 노즐(51)과, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 가스 공급원(53)과, 가스 공급원(53)과 각 노즐(51)을 접속하고, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 복수의 배관(55)을 구비하고 있다. 도 5에서는, 11 개의 노즐(51)을 대표적으로 도시하고 있다. 또한 가스 분사 장치(5A)는, 배관(55)의 도중에, 가스 유량을 제어하는 복수의 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와, 복수의 개폐 밸브(59)를 구비하고 있다. 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 유량 또는 분사 속도, 가스의 종류 등은 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57) 및 개폐 밸브(59)에 의해 제어된다. 또한 도 5에서는, 배관(55), 개폐 밸브(59) 및 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 대하여 대표적인 것을 도시하고 있는데, 이들의 배설 위치 또는 수는, 도 5에 예시한 내용에 한정되지 않는다.
본 실시예에서는, 복수의 노즐(51)은 복수의 조합을 포함하고 있고, 이 조합마다 독립하여, 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 조절할 수 있다. 도 5에서는, 대표적으로, 복수의 노즐(51)에 의해 구성되는 2 개의 조합(노즐 그룹(52))을 도시하고 있다. 각 노즐 그룹(52)에 대하여, 설명의 편의상 구별이 필요할 경우에는, 도 5의 지면을 향해 좌측으로부터 노즐 그룹(52A), 노즐 그룹(52B), 노즐 그룹(52A)이라고 표기한다. 여기서 노즐 그룹(52B)은, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있고, 노즐 그룹(52A)은, 기판(S)의 주연 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분에 한정되지 않고, 더 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 노즐 그룹(52)을 설정하는 것도 가능하다.
가스 공급원(53)은 불활성 가스 공급원(53A) 및 용매 가스 공급원(53B)을 구비하고 있다. 가스 공급원(53)의 구성은 제 1 실시예와 동일하다.
본 실시예에 대하여, 복수의 노즐(51)은, 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사할 수 있도록, 기판(S)의 상방에 설치되어 있다. 그리고 복수의 노즐 그룹(52)은, 가스의 분사 유량, 가스의 종류를 노즐 그룹(52)마다 독립하여 조절할 수 있도록 구성되어 있다. 즉, 배관(55)과 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와 개폐 밸브(59)의 조합에 의해, 노즐 그룹(52)마다 독립하여 가스의 분사 유량을 제어할 수 있도록 배치되어 있다. 또한, 배관(55)과 복수의 개폐 밸브(59)의 조합에 의해, 노즐 그룹(52)마다 독립하여 가스의 종류를 전환하여 분사할 수 있도록 구성되어 있다.
[가스의 분사 유량]
복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립적인 분사 유량으로 불활성 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 이 중앙 부분의 바로 위에 배치된 노즐 그룹(52B)으로부터 불활성 가스를 상대적으로 큰 유량(V7)으로 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 이 주연 부분의 바로 위에 배치된 노즐 그룹(52A)으로부터 불활성 가스를 유량(V7)보다 상대적으로 작은 유량(V8)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 주연 부분에는, 불활성 가스를 분사하지 않는 것도 가능하다.
또한 복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립적인 분사 유량으로 용매 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐 그룹(52A)으로부터 용매 가스를 상대적으로 큰 유량(V9)으로 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐 그룹(52B)으로부터 용매 가스를 유량(V9)보다 상대적으로 작은 유량(V10)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분에는, 용매 가스를 분사하지 않는 것도 가능하다.
가스의 분사 유량은 2 단계에 한정되지 않고, 1 단계 또는 3 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 유량을 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다.
[가스 종류]
복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립하여 불활성 가스, 용매 가스, 또는 불활성 가스 및 용매 가스의 혼합 가스(이하, 단순히 ‘혼합 가스’라고 기술하는 경우가 있음)를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐 그룹(52B)으로부터 불활성 가스를 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐 그룹(52A)으로부터 용매 가스를 분사할 수 있다.
또한 복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립적인 혼합 비율로 혼합 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐 그룹(52B)으로부터 용매 가스 농도가 낮은 제 1 혼합 비율로 혼합 가스를 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐 그룹(52A)으로부터 제 1 혼합 비율보다 용매 가스 농도가 높은 제 2 혼합 비율로 혼합 가스를 분사할 수 있다.
또한, 혼합 가스의 혼합 비율은 2 단계에 한정되지 않고, 1 단계 또는 3 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 종류 또는 농도를 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다.
[노즐 높이 위치]
본 실시예에서는, 노즐 그룹(52) 중에서, 복수의 노즐(51)의 높이 위치를 개별적으로 설정할 수 있다. 도 5에 도시한 예에서는, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에 대향하는 노즐 그룹(52B)에 포함되는 복수의 노즐(51)의 높이 위치를 변화시키고 있다. 즉 노즐 그룹(52B)은, 재치대(3)에 지지되는 기판(S)까지의 거리가, 적어도, 상대적으로 가까운 높이 위치(H4)와, 상대적으로 먼 높이 위치(H5)와, 높이 위치(H4)보다 높고, 높이 위치(H5)보다 낮은 높이 위치(H6)의 노즐(51)을 포함하고 있다.
또한 도 5에 도시한 예에서는, 노즐 그룹(52A)에 포함되는 노즐(51)의 높이 위치는 모두 동일한 높이 위치(H5)로 설정되어 있다.
또한, 노즐 그룹(52) 중에서 노즐(51)의 높이 위치를 변화시킬 경우는 3 단계에 한정되지 않고, 2 단계 또는 4 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 노즐(51)의 높이 위치를 설정하여 가스를 분사하는 것도 가능하다.
[노즐의 배치]
도 6에서는, 기판(S)의 상면에 노즐(51)의 배치를 투영하여 도시했다. 도 6에 도시한 바와 같이, 노즐 그룹(52B)은, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있고, 노즐 그룹(52A)은, 기판(S)의 주연 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있다. 구체적으로, 25 개의 노즐(51)을 가지는 노즐 그룹(52B)의 주위를 8 개의 노즐 그룹(52A)이 둘러싸도록 배치되어 있다. 또한, 노즐 그룹(52A)은 노즐 그룹(52A1)과 노즐 그룹(52A2)을 포함하고 있고, 이들에 포함되는 노즐(51)의 수는 노즐 그룹(52A1)이 15 개, 노즐 그룹(52A2)이 9 개로 상이하지만, 노즐 그룹(52A1)과 노즐 그룹(52A2)은 기판(S)에 가스를 분사하는 기능의 점에서 공통되고 있다.
또한 도 6에서는, 기판(S) 상에 잉크젯 인쇄법에 의해 패턴 도포된 유기 재료막의 형성 영역을 R1 ~ R4로 나타내고 있다. 여기서, 영역(R1 ~ R4)은 각각이 유기 EL 제품, 예를 들면 유기 EL 디스플레이의 크기에 대응하고 있다. 즉, 1 매의 기판(S)으로부터 4 개의 유기 EL 제품을 제조할 수 있도록, 기판(S)의 면내에서 유기 재료막이 구분하여 형성되어 있다. 복수의 노즐(51)은, 4 개의 유기 재료막의 형성 영역(R1 ~ R4)에 대하여, 각각 25 개씩 균등하게 배치되어 있다. 이와 같이, 기판(S)에 형성된 유기 재료막의 레이아웃을 고려하여, 노즐(51)을 배치할 수 있다.
또한 기판(S)의 영역(R1 ~ R4)의 4 개의 영역에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 노즐(51)의 배치를 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다. 또한 다른 배치예로서, 도시는 생략하지만, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분의 상방에는, 상대적으로 노즐(51)의 수를 많게 하여 조밀하게 배치하고, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분의 상방에는, 상대적으로 노즐(51)의 수를 적게 하여 성기게 배치할 수도 있다.
본 실시예의 건조 장치(101)에서의 건조 처리는, 제어부(6)에 의해, 노즐 그룹(52A) 또는 노즐 그룹(52B)을 단위로서 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 개별적으로 조절하면서 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사하는 점 이외는, 제 1 실시예와 동일하다. 그리고 건조 처리 동안, 처리 용기(1) 내의 압력을 제어하면서, 가스 분사 장치(5A)를 이용하여 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사함으로써, 기판(S)의 면내에서의 유기 재료막의 건조 정도를 균일화하면서, 단시간에 효율 좋게 건조시킬 수 있다.
본 실시예에서의 다른 구성 및 효과는 제 1 실시예와 동일하다. 또한 건조 장치(101)는, 제 1 실시예와 마찬가지로 유기 EL 소자의 제조 프로세스에의 적용이 가능하다.
이어서 도 7 ~ 9를 참조하여, 본 발명의 기초가 된 실험 결과에 대하여 설명한다. 또한 도 7 ~ 9의 종축은 처리 용기(1) 내의 압력(Pa ; 로그 눈금)을 나타내고, 횡축은 시간(초)을 나타내고 있다. 이하의 실험에서는, 도 1의 건조 장치(100)와 동일한 건조 장치를 이용했다.
도 7은, 배기 장치(19)를 작동시켜 처리 용기(1) 내를 감압 배기하는 도중에, N2 가스를 도입한 경우와 하지 않은 경우의 압력 변화를 나타낸 특성도이다. 도 7 중 곡선(A)은, 건조 처리 동안, N2를 도입하지 않은 경우의 압력 변화를 나타내고, 곡선(B)은, 처리 용기(1) 내의 압력이 10 Pa로 저하된 시점으로부터 건조 처리의 종료까지 180 ml/min(sccm)의 유량으로 N2 가스를 연속적으로 도입한 경우의 압력 변화를 나타내고 있다. 도 7로부터, 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 의해 처리 용기(1) 내로 N2 가스를 도입하면서 APC 밸브(23)의 개방도를 조절함으로써, 압력을 대략 일정하게 유지할 수 있는 것이 확인되었다.
도 8은, 배기 장치(19)를 작동시켜 처리 용기(1) 내를 감압 배기하면서, 처리 용기(1) 내로 연속하여 N2 가스를 도입한 경우의 N2 가스 유량과 처리 용기(1) 내의 압력과의 관계를 나타낸 특성도이다. 도 8에서는, 처리 용기(1) 내의 압력이 10 Pa로 저하된 시점으로부터 건조 처리의 종료까지 100 ml/min(sccm)의 유량으로 N2 가스를 연속적으로 도입한 경우의 압력 변화를 나타내고 있다. 도 8로부터, 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 의해 처리 용기(1) 내로 N2 가스를 도입하면서 APC 밸브(23)의 개방도를 조절함으로써, 압력을 대략 일정하게 유지할 수 있는 것이 확인되었다.
도 9는, 배기 장치(19)를 작동시켜 처리 용기(1) 내를 감압 배기하면서, 처리 용기(1) 내로 비연속적으로 N2 가스를 도입한 경우의 N2 가스 유량과 처리 용기(1) 내의 압력과의 관계를 나타낸 특성도이다. 도 9에서는, 처리 용기(1) 내의 압력이 10 Pa로 저하된 시점으로부터 건조 처리의 종료까지의 동안에, 100 ml/min(sccm)의 유량으로 N2 가스를 비연속적으로 도입한 경우의 압력 변화를 나타내고 있다. 도 9로부터, 처리 용기(1) 내로 N2 가스를 도입하고 있는 동안에는 대략 1 Pa 정도의 압력으로 유지되고, N2 가스의 도입을 정지하고 있는 동안에는 대략 0.3 Pa 정도의 압력으로 유지되고 있다. 이와 같이, 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 의해 처리 용기(1) 내로 N2 가스를 도입하면서 APC 밸브(23)의 개방도를 조절함으로써, 압력을 소정의 범위 내, 예를 들면 0.3 Pa ~ 1 Pa의 범위 내로 유지할 수 있는 것이 확인되었다.
이어서 도 10을 참조하여, 본 발명의 효과를 확인한 실험 결과에 대하여 설명한다. 이 실험에서는, 도 1의 건조 장치(100)와 동일한 건조 장치를 이용했다. 도 10은 기판(S)의 평면도이다. 도 10에서는, 실험에 이용한 건조 장치의 처리 용기(1) 내에서 기판(S)의 건조 처리를 행한 경우의 기판(S) 표면의 건조 정도를 관찰한 위치와 노즐(51)의 설치 위치를, 기판(S)의 평면도에 중첩하여 도시하고 있다. 또한 도 10에서는, 유기 EL 제품, 예를 들면 유기 EL 디스플레이의 크기에 대응하는 영역을 부호(R1, R2)로 나타내고 있다. 기판(S)의 크기는 긴 변 920 mm × 짧은 변 730 mm로 했다.
기판(S) 상의 4 개소, 즉 위치(S1), 위치(S2), 위치(S3), 위치(S4)의 바로 위에 노즐(51)을 배치하고, 기판(S)을 향해 가스를 분사할 수 있도록 했다. 각 노즐(51) 간의 거리(L)는 250 mm로 설정했다. 이 실험에서는, 처리 용기(1) 내의 압력을 1.4 Pa로 제어하고, 각 노즐(51)로부터 각각 N2 가스를 180 mL/min(sccm)로 도입한 경우와, 가스를 전혀 도입을 하지 않은 경우에 대하여 비교했다. 또한, 기판(S)의 면내에서 건조의 진행이 느린 영역(R1)의 중앙부의 위치(S1)와, 기판(S)의 면내에서 건조의 진행이 빠른 영역(R1)의 코너부의 위치(S5)에 대하여, 유기 재료막이 소정의 건조 정도에 이르러, 건조가 완료될 때까지의 시간을 계측했다.
그 결과, 건조 완료까지의 시간은, 위치(S1)에서는 N2 가스를 도입한 경우가 53 초이며, N2 가스를 도입하지 않은 경우가 68 초였다. 또한, 위치(S5)에서는 N2 가스를 도입한 경우가 55 초이며, N2 가스를 도입하지 않은 경우가 54 초였다. 이 결과로부터, N2 가스를 도입하지 않은 경우에는, 영역(R1)의 중앙부의 위치(S1)와 코너부의 위치(S5)에 대하여 건조 시간의 차가 컸다. 그러나 N2 가스를 도입함으로써, 위치(S1)와 위치(S5)에 대하여 건조 완료까지의 시간을 동등하게 할 수 있었다. 따라서 N2 가스를 도입함으로써, 기판(S)의 면내에서의 건조의 진행 속도를 균일화할 수 있는 것이 확인되었다.
[제 3 실시예]
이어서 도 11 내지 도 14를 참조하여, 본 발명의 제 3 실시예의 건조 장치에 대하여 설명한다. 도 11은, 제 3 실시예에 따른 건조 장치(102)의 개략 구성을 도시한 단면도이다. 도 12는, 도 11의 건조 장치(102)에서의 1 개의 노즐(51)의 구성을 설명하기 위한 사시도이며, 도 13은, 노즐(51)의 길이 방향에 직교하는 방향에서의 단면도이다. 도 14는, 하방의 재치대(3)측(기판(S)측)에서 본 노즐(51)의 배치를 도시한 설명도이다. 제 1 실시예의 건조 장치(100)와의 주된 상이점으로서, 본 실시예의 건조 장치(102)에서는 노즐(51)이 파이프 형상을 이루고 있다. 이하에, 제 1 실시예의 건조 장치(100)와의 상이점을 중심으로 설명하고, 본 실시예의 건조 장치(102)에서 제 1 실시예와 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여하여 설명을 생략한다.
본 실시예의 건조 장치(102)는, 진공 배기 가능한 처리 용기(1)와, 처리 용기(1) 내에서 기판(S)을 지지하는 지지 부재로서의 재치대(3)와, 재치대(3)에 지지되는 기판(S) 상의 유기 재료막을 향해 가스를 분사하는 가스 분사 장치(5B)와, 복수의 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를, 1 개의 노즐(51) 또는 2 개 이상의 노즐(51)의 조합을 단위로서 독립하여 조절하는 제어부(6)를 구비하고 있다. 또한 건조 장치(102)는, 처리 용기(1) 내의 압력을 조절하는 압력 제어 기구를 구비하고 있다.
본 실시예의 건조 장치(102)에서 처리 용기(1), 재치대(3), 압력 제어 기구 및 제어부(6)의 구성은 제 1 실시예의 건조 장치(100)와 동일하다.
<가스 분사 장치>
가스 분사 장치(5B)는 복수의 노즐(51)과, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 가스 공급원(53)과, 가스 공급원(53)과 각 노즐(51)을 접속하고, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 복수의 배관(55)을 구비하고 있다. 도 11에서는, 11 개의 노즐(51)을 대표적으로 도시하고 있다. 또한 가스 분사 장치(5B)는, 배관(55)의 도중에, 가스 유량을 제어하는 복수의 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와 복수의 개폐 밸브(59)를 구비하고 있다. 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 유량 또는 분사 속도, 가스의 종류 등은, 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57) 및 개폐 밸브(59)에 의해 제어된다. 또한 도 11에서는, 배관(55), 개폐 밸브(59) 및 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 대하여 대표적인 것을 도시하고 있는데, 이들의 배설 위치 또는 수는 도 11에 예시한 내용에 한정되지 않는다.
도 12에 도시한 바와 같이, 노즐(51)은 원통 형상의 길이가 긴 본체부(51a)를 구비하고 있다. 또한 노즐(51)의 본체부(51a)에는, 그 길이 방향을 따라 슬릿 형상의 길이가 긴 가스 분사구(51b)가 형성되어 있다. 도 13에 도시한 바와 같이 본 실시예에서는, 본체부(51a)의 하부에 1 개, 측부에 2 개의 합계 3 개의 가스 분사구(51b)가 형성되어 있다. 3 개의 가스 분사구(51b)는 본체부(51a)의 둘레 방향으로 각각 90°씩 각도를 겹치지 않도록 비켜 형성되어 있다. 원통 형상의 본체부(51a)의 내부 공간은, 가스를 확산시키는 가스 확산 공간으로서 작용한다. 그리고 슬릿 형상의 길이가 긴 가스 분사구(51b)에 의해, 불활성 가스, 용매 가스, 또는 이들의 혼합 가스를 라인 형상으로 분사할 수 있기 때문에, 분사 얼룩이 생기지 않아, 기판(S) 표면의 소정의 영역을 향해 균등하게 가스를 분사할 수 있다. 또한 가스 분사구(51b)는, 본체부(51a)의 둘레 방향에 1 개여도 되고, 임의의 각도로 2 개 내지 4 개 이상 형성되어 있어도 된다. 또한 가스 분사구(51b)는, 본체부(51a)의 길이 방향에서 복수로 분할되어 있어도 된다.
본 실시예에서는, 복수의 노즐(51)이 복수의 조합을 포함하고 있고, 이 조합마다 독립하여, 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 조절할 수 있다. 도 11에서는, 대표적으로, 복수의 노즐(51)에 의해 구성되는 2 개의 조합(노즐 그룹(52))을 도시하고 있다. 각 노즐 그룹(52)에 대하여, 설명의 편의상 구별이 필요할 경우에는, 도 11의 지면을 향해 좌측으로부터 노즐 그룹(52C), 노즐 그룹(52D), 노즐 그룹(52C)이라고 표기한다. 여기서 도 14에 도시한 바와 같이, 노즐 그룹(52D)은, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있고, 노즐 그룹(52C)은, 기판(S)의 주연 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분에 한정되지 않고, 더 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 노즐 그룹(52)을 설정하는 것도 가능하다.
[노즐의 배치]
도 14에서는, 노즐(51)의 배치에 기판(S)의 위치를 투영하여 도시했다. 도 14에 도시한 바와 같이, 노즐 그룹(52D)은, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있고, 노즐 그룹(52C)은, 기판(S)의 주연 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있다. 구체적으로, 5 개의 노즐(51)을 가지는 노즐 그룹(52D)의 주위를 16 개의 노즐(51)을 가지는 노즐 그룹(52C)이 둘러싸도록 배치되어 있다. 노즐 그룹(52C)은, 본체부(51a) 및 가스 분사구(51b)의 길이가 상이한 복수의 노즐(51)을 포함하고 있지만, 이들에 실질적인 차이는 없다.
또한, 기판(S)에 형성된 유기 재료막의 레이아웃을 고려하여, 노즐(51)을 배치할 수도 있다. 또한 기판(S)의 중앙부와 주연 부분의 2 개의 영역에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 노즐(51)의 배치를 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다. 또한 다른 배치예로서, 도시는 생략하지만, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분의 상방에는, 상대적으로 노즐(51)의 수를 많게 하여 조밀하게 배치하고, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분의 상방에는, 상대적으로 노즐(51)의 수를 적게 하여 성기게 배치할 수도 있다.
가스 공급원(53)은 불활성 가스 공급원(53A) 및 용매 가스 공급원(53B)을 구비하고 있다. 가스 공급원(53)의 구성은 제 1 실시예와 동일하다.
본 실시예에서, 복수의 노즐(51)은, 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사할 수 있도록 기판(S)의 상방에 설치되어 있다. 그리고 복수의 노즐 그룹(52)은, 가스의 분사 유량, 가스의 종류를 노즐 그룹(52)마다 독립하여 조절할 수 있도록 구성되어 있다. 즉, 배관(55)과 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와 개폐 밸브(59)의 조합에 의해, 노즐 그룹(52)마다 독립하여 가스의 분사 유량을 제어할 수 있도록 배치되어 있다. 또한, 배관(55)과 복수의 개폐 밸브(59)의 조합에 의해, 노즐 그룹(52)마다 독립하여 가스의 종류를 전환하여 분사할 수 있도록 구성되어 있다.
[가스의 분사 유량]
복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립적인 분사 유량으로 불활성 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 이 중앙 부분의 바로 위에 배치된 노즐 그룹(52D)으로부터 불활성 가스를 상대적으로 큰 유량(V11)으로 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 이 주연 부분의 바로 위에 배치된 노즐 그룹(52C)으로부터, 불활성 가스를 유량(V11)보다 상대적으로 작은 유량(V12)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 주연 부분에는, 불활성 가스를 분사하지 않는 것도 가능하다.
또한 복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립적인 분사 유량으로 용매 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐 그룹(52C)으로부터 용매 가스를 상대적으로 큰 유량(V13)으로 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐 그룹(52D)으로부터 용매 가스를 유량(V13)보다 상대적으로 작은 유량(V14)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분에는, 용매 가스를 분사하지 않는 것도 가능하다.
가스의 분사 유량은 2 단계에 한정되지 않고, 1 단계 또는 3 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 유량을 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다.
[가스 종류]
복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립하여 불활성 가스, 용매 가스, 또는 불활성 가스 및 용매 가스의 혼합 가스(이하, 단순히 ‘혼합 가스’라고 기술하는 경우가 있음)를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐 그룹(52D)으로부터 불활성 가스를 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐 그룹(52C)으로부터 용매 가스를 분사할 수 있다.
또한 복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립적인 혼합 비율로 혼합 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐 그룹(52D)으로부터 용매 가스 농도가 낮은 제 1 혼합 비율로 혼합 가스를 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐 그룹(52C)으로부터 제 1 혼합 비율보다 용매 가스 농도가 높은 제 2 혼합 비율로 혼합 가스를 분사할 수 있다.
또한, 혼합 가스의 혼합 비율은 2 단계에 한정되지 않고, 1 단계 또는 3 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 종류 또는 농도를 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다.
본 실시예의 건조 장치(102)에서의 건조 처리는, 제어부(6)에 의해, 노즐 그룹(52C) 또는 노즐 그룹(52D)을 단위로서 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 개별적으로 조절하면서 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사하는 점 이외는, 제 1 실시예와 동일하다. 그리고 건조 처리 동안, 처리 용기(1) 내의 압력을 제어하면서, 가스 분사 장치(5B)를 이용하여 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사함으로써, 기판(S)의 면내에서의 유기 재료막의 건조 정도를 균일화하면서 단시간에 효율 좋게 건조시킬 수 있다.
[건조 처리의 순서]
이어서, 건조 장치(102)를 이용하는 건조 처리의 순서에 대하여 설명한다. 우선 전단계로서, 외부의 잉크젯 인쇄 장치(도시 생략)로 기판(S) 상에 유기 재료막을 소정의 패턴으로 인쇄한다. 이어서, 게이트 밸브(GV)를 개방하고, 유기 재료막이 인쇄된 기판(S)을 외부의 반송 장치(도시 생략)에 의해 건조 장치(102)의 재치대(3)로 전달한다.
이어서, 건조 장치(102)의 게이트 밸브(GV)를 닫고, 배기 장치(19)를 작동시켜 처리 용기(1) 내를 감압 배기한다. 그리고, 압력계(25)에 의해 처리 용기(1) 내의 압력을 모니터하면서, APC 밸브(23)의 개방도를 컨트롤하여 소정의 진공도까지 감압한다. 이와 같이 하여, 기판(S) 상에 형성된 유기 재료막 중에 포함되는 용매를 제거하는 건조 처리를 실시할 수 있다. 이 건조 처리 동안, 처리 용기(1) 내의 압력을 제어하면서 가스의 분사 유량, 가스의 종류와 비율 등을 개별적으로 조절 가능한 복수의 노즐(51)을 구비한 가스 분사 장치(5B)를 이용하여, 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사함으로써, 기판(S)의 면내에서의 유기 재료막의 건조 정도를 균일화하면서 단시간에 효율 좋게 건조시킬 수 있다. 또한, 가스 분사 장치(5B)를 이용하여 처리 용기(1) 내로 가스를 도입함으로써, 처리 용기(1) 내에서 기류가 발생하기 때문에, 처리 용기(1) 내에 체류하고 있는 용매의 배기를 촉진할 수 있다.
여기서, 건조 장치(102)를 사용하여 펄스 형상으로 가스를 분사하면서 기판(S)의 건조 처리를 행할 경우의 가스 분사 제어 방법에 대하여 도 15를 예시하여 설명한다. 도 15는, 건조 장치(102)로 펄스 형상으로 가스를 분사하면서 기판(S)의 건조 처리를 행할 경우의 가스 분사 유량과 분사의 타이밍의 일례를 나타내고 있다. 이 예에서는 가스로서, 질소 가스 등의 불활성 가스만을 사용하고 있다. 또한 도 14에 도시한 바와 같이, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치된 노즐 그룹(52D)과, 기판(S)의 주연 부분의 상방에 대향하여 배치된 노즐 그룹(52C)으로부터 각각 간헐적으로 상이한 타이밍에 기판(S)을 향해 불활성 가스를 분사한다. 1 매의 기판(S)에 대한 건조 처리의 초기 단계에서는, 노즐 그룹(52D)과 노즐 그룹(52C)으로부터, 분사 유량(V21)으로 교호로 펄스 형상으로 불활성 가스를 분사한다. 이 때의 펄스 주기는 T1, 펄스 폭은 D1으로 한다. 1 매의 기판(S)에 대한 건조 처리의 다음의 단계에서는, 노즐 그룹(52D)과 노즐 그룹(52C)으로부터, 분사 유량(V22)으로 교호로 펄스 형상으로 불활성 가스를 분사한다. 이 때의 펄스 주기는 T2, 펄스 폭은 D2로 한다. 1 매의 기판(S)에 대한 건조 처리의 더 다음의 단계에서는, 노즐 그룹(52D)과 노즐 그룹(52C)으로부터, 분사 유량(V23)으로 교호로 펄스 형상으로 불활성 가스를 분사한다. 이 때의 펄스 주기는 T3, 펄스 폭은 D3로 한다. 이와 같이 건조 장치(102)에서는, 1 매의 기판(S)에 대한 건조 처리의 단계에 따라, 분사 유량(V21 ~ V23)을 변화시키고, 또한 듀티비를 변화시켜 가스의 분사를 행할 수 있다. 분사 유량(V21 ~ V23), 펄스 주기(T1 ~ T3), 펄스 폭(D1 ~ D3)은 노즐 그룹(52D)과 노즐 그룹(52C)에서 상이해도 되고, 처리 용기(1) 내의 압력, 용매 농도, 온도, 용매의 종류, 기판(S) 상의 유기 재료막의 종류 등에 따라 개별적으로 설정할 수 있다. 또한 분사 유량, 펄스 주기 및 펄스 폭은 변화시키지 않고 일정하게 해도 된다.
1 매의 기판(S)에 대한 건조 처리가 종료되면, 이어서 가스 분사 장치(5B)에 의한 가스의 분사와 배기 장치(19)에 의한 배기를 정지한다. 그리고, 처리 용기(1) 내를 소정 압력까지 승압한 후, 건조 장치(102)의 게이트 밸브(GV)를 개방하고, 외부의 반송 장치(도시 생략)에 의해 기판(S)을 처리 용기(1)로부터 반출한다. 이상의 순서에 의해, 1 매의 기판(S)에 대한 건조 처리가 종료된다.
본 실시예에서의 다른 구성 및 효과는 제 1 실시예와 동일하다. 또한 건조 장치(102)는, 제 1 실시예와 마찬가지로 유기 EL 소자의 제조 프로세스에의 적용이 가능하다.
[제 4 실시예]
이어서 도 16을 참조하여, 본 발명의 제 4 실시예의 건조 장치에 대하여 설명한다. 도 16은, 제 4 실시예에 따른 건조 장치(103)의 개략 구성을 도시한 단면도이다. 제 1 실시예의 건조 장치(100)와의 주된 상이점으로서, 본 실시예의 건조 장치(103)에서는, 복수의 노즐(51)의 조합마다 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 조절 가능하게 구성되어 있다. 또한 복수의 노즐(51) 중에, 평판 형상의 기판(S)의 상면에 대하여 수직이 아닌, 비스듬하게 가스를 분사하는 노즐(51)을 가지고 있다. 이하에, 제 1 실시예의 건조 장치(100)와의 상이점을 중심으로 설명하고, 본 실시예의 건조 장치(103)에서 제 1 실시예와 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여하여 설명을 생략한다.
본 실시예의 건조 장치(103)는 진공 배기 가능한 처리 용기(1)와, 처리 용기(1) 내에서 기판(S)을 지지하는 지지 부재로서의 재치대(3)와, 재치대(3)에 지지되는 기판(S) 상의 유기 재료막을 향해 가스를 분사하는 가스 분사 장치(5C)와, 복수의 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를, 1 개의 노즐(51) 또는 2 개 이상의 노즐(51)의 조합을 단위로서 독립하여 조절하는 제어부(6)를 구비하고 있다. 또한 건조 장치(103)는, 처리 용기(1) 내의 압력을 조절하는 압력 제어 기구를 구비하고 있다.
본 실시예의 건조 장치(103)에서 처리 용기(1), 재치대(3), 압력 제어 기구 및 제어부(6)의 구성은 제 1 실시예의 건조 장치(100)와 동일하다.
<가스 분사 장치>
가스 분사 장치(5C)는 복수의 노즐(51)과, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 가스 공급원(53)과, 가스 공급원(53)과 각 노즐(51)을 접속하고, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 복수의 배관(55)을 구비하고 있다. 도 16에서는, 11 개의 노즐(51)을 대표적으로 도시하고 있다. 또한 가스 분사 장치(5C)는, 배관(55)의 도중에, 가스 유량을 제어하는 복수의 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와, 복수의 개폐 밸브(59)를 구비하고 있다. 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 유량 또는 분사 속도, 가스의 종류 등은 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57) 및 개폐 밸브(59)에 의해 제어된다. 또한 도 16에서는, 배관(55), 개폐 밸브(59) 및 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 대하여 대표적인 것을 도시하고 있는데, 이들의 배설 위치 또는 수는 도 16에 예시한 내용에 한정되지 않는다.
본 실시예에서는 도 16에 도시한 바와 같이, 복수의 노즐(51)은, 평판 형상의 기판(S)의 상면에 대하여 수직으로 가스를 분사하는 노즐(51)과, 비스듬하게 가스를 분사하는 노즐(51)을 가지고 있다. 구체적으로, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있는 복수의 노즐(51)은, 기판(S)의 상면에 대하여 대략 수직으로 가스를 분사할 수 있도록 구성되어 있다. 한편, 기판(S)의 주연 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있는 복수의 노즐(51)은, 평판 형상의 기판(S)의 상면에 대하여 예를 들면 30° ~ 45°의 각도로 가스를 분사할 수 있도록 구성되어 있다. 따라서 가스의 분사 유량이 동일해도, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 직접적으로 불활성 가스를 강하게 분사할 수 있는 한편, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 불활성 가스의 분사력을 약하게 할 수 있다.
또한 본 실시예에서는, 복수의 노즐(51)이 복수의 조합을 포함하고 있고, 이 조합마다 독립하여 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 조절할 수 있다. 도 16에서는, 대표적으로, 복수의 노즐(51)에 의해 구성되는 2 개의 조합(노즐 그룹(52))을 도시하고 있다. 각 노즐 그룹(52)에 대하여, 설명의 편의상 구별이 필요할 경우에는, 도 16의 지면을 향해 좌측으로부터 노즐 그룹(52E), 노즐 그룹(52F), 노즐 그룹(52E)이라고 표기한다. 여기서 도 16에 도시한 바와 같이, 노즐 그룹(52F)은, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있고, 노즐 그룹(52E)은, 기판(S)의 주연 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분에 한정되지 않고, 더 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 노즐 그룹(52)을 설정하는 것도 가능하다.
가스 공급원(53)은 불활성 가스 공급원(53A) 및 용매 가스 공급원(53B)을 구비하고 있다. 가스 공급원(53)의 구성은 제 1 실시예와 동일하다.
본 실시예에서 복수의 노즐(51)은, 기판(S)의 표면을 향해 가스를 분사할 수 있도록 기판(S)의 상방에 설치되어 있다. 그리고 복수의 노즐 그룹(52)은, 가스의 분사 유량, 가스의 종류를 노즐 그룹(52)마다 독립하여 조절할 수 있도록 구성되어 있다. 즉, 배관(55)과 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와 개폐 밸브(59)의 조합에 의해, 노즐 그룹(52)마다 독립하여 가스의 분사 유량을 제어할 수 있도록 배치되어 있다. 또한, 배관(55)과 복수의 개폐 밸브(59)의 조합에 의해, 노즐 그룹(52)마다 독립하여 가스의 종류를 전환하여 분사할 수 있도록 구성되어 있다.
[가스의 분사 유량]
복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립적인 분사 유량으로 불활성 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 이 중앙 부분의 바로 위에 배치된 노즐 그룹(52F)으로부터 불활성 가스를 상대적으로 큰 유량(V31)으로 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 이 주연 부분의 바로 위에 배치된 노즐 그룹(52E)으로부터, 불활성 가스를 유량(V31)보다 상대적으로 작은 유량(V32)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 주연 부분에는 불활성 가스를 분사하지 않는 것도 가능하다.
또한 복수의 노즐 그룹(52)은, 각각 독립적인 분사 유량으로 용매 가스를 분사 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 쉬운 기판(S)의 주연 부분에는, 노즐 그룹(52E)으로부터 용매 가스를 상대적으로 큰 유량(V33)으로 분사할 수 있다. 또한, 유기 재료막의 건조가 비교적 진행되기 어려운 기판(S)의 중앙 부분에는, 노즐 그룹(52F)으로부터 용매 가스를 유량(V33)보다 상대적으로 작은 유량(V34)으로 분사할 수 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분에는, 용매 가스를 분사하지 않는 것도 가능하다.
가스의 분사 유량은 2 단계에 한정되지 않고, 1 단계 또는 3 단계 이상이어도 된다. 또한, 기판(S)의 중앙 부분과 주연 부분에 한정되지 않고, 보다 세분화된 영역에 대하여 개별적으로 유량을 설정하여 가스를 분사하는 것이 가능하다.
본 실시예에서의 다른 구성 및 효과는 제 1 실시예와 동일하다. 또한 건조 장치(103)는, 제 1 실시예와 마찬가지로 유기 EL 소자의 제조 프로세스에의 적용이 가능하다.
[제 5 실시예]
이어서 도 17을 참조하여, 본 발명의 제 5 실시예의 건조 장치에 대하여 설명한다. 도 17은, 제 5 실시예에 따른 건조 장치(104)의 개략 구성을 도시한 단면도이다. 제 1 실시예의 건조 장치(100)와의 주된 상이점으로서, 본 실시예의 건조 장치(104)에서는, 복수의 노즐(51)의 조합을 단위로서 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 조절 가능하게 구성되어 있다. 또한 복수의 노즐(51)은, 평판 형상의 기판(S)의 상면에 대하여 수직이 아닌, 평행 혹은 경사 방향으로 가스를 분사할 수 있도록 구성되어 있다. 이하에, 제 1 실시예의 건조 장치(100)와의 상이점을 중심으로 설명하고, 본 실시예의 건조 장치(104)에서 제 1 실시예와 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여하여 설명을 생략한다.
본 실시예의 건조 장치(104)는 진공 배기 가능한 처리 용기(1)와, 처리 용기(1) 내에서 기판(S)을 지지하는 지지 부재로서의 재치대(3)와, 재치대(3)에 지지되는 기판(S) 상의 유기 재료막을 향해 가스를 분사하는 가스 분사 장치(5D)와, 복수의 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 2 개 이상의 노즐(51)의 조합을 단위로서 조절하는 제어부(6)를 구비하고 있다. 또한 건조 장치(104)는, 처리 용기(1) 내의 압력을 조절하는 압력 제어 기구를 구비하고 있다.
본 실시예의 건조 장치(104)에서 처리 용기(1), 재치대(3), 압력 제어 기구 및 제어부(6)의 구성은 제 1 실시예의 건조 장치(100)와 동일하다.
<가스 분사 장치>
가스 분사 장치(5D)는 복수의 노즐(51)과, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 가스 공급원(53)과, 가스 공급원(53)과 각 노즐(51)을 접속하고, 각 노즐(51)로 가스를 공급하는 복수의 배관(55)을 구비하고 있다. 또한 가스 분사 장치(5D)는, 배관(55)의 도중에, 가스 유량을 제어하는 복수의 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)와, 복수의 개폐 밸브(59)를 구비하고 있다. 노즐(51)로부터 분사되는 가스의 유량 또는 분사 속도, 가스의 종류 등은 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57) 및 개폐 밸브(59)에 의해 제어된다. 또한 도 17에서는, 배관(55), 개폐 밸브(59) 및 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(57)에 대하여 대표적인 것을 도시하고 있는데, 이들의 배설 위치 또는 수는 도 17에 예시한 내용에 한정되지 않는다.
본 실시예에서는 도 17에 도시한 바와 같이, 복수의 노즐(51)은, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있고, 또한 평판 형상의 기판(S)의 상면에 대하여 평행 혹은 소정의 각도로 경사진 방향으로 가스를 분사하도록 구성되어 있다. 즉, 기판(S)의 중앙 부분에 대향하는 위치로부터, 방사 형상으로 수평 방향, 또는 수평 방향으로부터 하방으로 예를 들면 30° ~ 45°의 각도로 비스듬하게 불활성 가스를 분사할 수 있도록 구성되어 있다. 따라서 기판(S)의 면내에서, 불활성 가스 또는 용매 가스의 분사량을 균일화할 수 있다.
또한 본 실시예에서는, 복수의 노즐(51)이 1 개의 조합 단위가 되어 있다. 도 17에서는, 복수의 노즐(51)에 의해 구성되는 1 개의 조합(노즐 그룹(52G))을 도시하고 있다. 노즐 그룹(52G)은, 직사각형의 기판(S)의 중앙 부분의 상방에 대향하여 배치되어 있다. 또한 기판(S)의 중앙 부분에만 한정되지 않고, 복수의 노즐 그룹(52)을 설치하는 것도 가능하다.
가스 공급원(53)은 불활성 가스 공급원(53A) 및 용매 가스 공급원(53B)을 구비하고 있다. 가스 공급원(53)의 구성은 제 1 실시예와 동일하다.
본 실시예에서의 다른 구성 및 효과는 제 1 실시예와 동일하다. 또한 건조 장치(104)는, 제 1 실시예와 마찬가지로 유기 EL 소자의 제조 프로세스에의 적용이 가능하다.
이상, 본 발명의 실시예를 예시의 목적으로 상세히 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에 제약되지는 않고, 다양한 변형이 가능하다. 예를 들면, 유기 EL 소자의 제조 공정은 도 4에 예시한 것에 한정되지 않고, 예를 들면, EL층이 양극측으로부터 음극측을 향해, [정공 수송층 / 발광층 / 전자 수송층], [정공 주입층 / 정공 수송층 / 발광층 / 전자 수송층] 등의 순으로 적층된 구조를 가지고 있는 경우라도, 마찬가지로 본 발명의 건조 장치(100 ~ 104)를 적용할 수 있다.
또한 제 1 실시예의 건조 장치(100)에서는, 노즐(51)을 단위로서 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 독립하여 조절 가능하게 하고, 제 2 내지 제 5 실시예의 건조 장치(101 ~ 104)에서는, 노즐 그룹(52)을 단위로서 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 독립하여 조절 가능하게 했다. 그러나 다른 실시예에서는, 노즐(51)과 노즐 그룹(52)을 혼재시킨 상태에서, 그들에서의 가스의 분사 유량 및 가스의 종류 중 적어도 하나를 독립하여 조절 가능하게 해도 된다.
1 : 처리 용기
3 : 재치대
5, 5A : 가스 분사 장치
6 : 제어부
11 : 저벽
13 : 측벽
15 : 천장부
15a : 배기구
17 : 배기관
19 : 배기 장치
21 : 지지 기둥
23 : APC 밸브
25 : 압력계
51 : 노즐
53 : 가스 공급원
53A : 불활성 가스 공급원
53B : 용매 가스 공급원
55 : 배관
57 : 매스 플로우 컨트롤러
59 : 개폐 밸브
61 : 컨트롤러
62 : 유저 인터페이스
63 : 기억부
100, 101 : 건조 장치
S : 기판
GV : 게이트 밸브

Claims (14)

  1. 기판의 표면에 도포된 유기 재료막 중의 용매를 제거하여 건조시키는 건조 장치로서,
    진공 배기 가능한 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내의 기체를 배기하는 배기구와,
    상기 처리 용기 내에서 상기 기판을 지지하는 지지 부재와,
    상기 지지 부재에 지지되는 상기 기판을 향해 가스를 분사하는 복수의 노즐을 가지는 가스 분사 장치와,
    상기 복수의 노즐로부터 분사되는 상기 가스의 분사 유량 및 상기 가스의 종류 중 적어도 하나를, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 건조 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 노즐이, 상기 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스를 분사하는 것인 건조 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 노즐이, 상기 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스를 분사하는 것인 건조 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 노즐이, 상기 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스를 분사하는 노즐과, 상기 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스를 분사하는 노즐을 포함하고 있는 건조 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 노즐은, 상기 지지 부재에 지지되는 상기 기판까지의 거리가, 적어도, 상대적으로 가까운 노즐과 상대적으로 먼 노즐을 포함하고 있는 건조 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 노즐이, 원통 형상의 길이가 긴 본체부를 구비하고 있고, 상기 본체부의 길이 방향을 따라 슬릿 형상의 길이가 긴 가스 분사구가 형성되어 있는 건조 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 노즐이, 상기 지지 부재에 지지된 상기 기판의 중앙부를 향해 가스를 분사하는 제 1 노즐군과, 상기 기판의 주연부를 향해 가스를 분사하는 제 2 노즐군을 포함하고 있는 건조 장치.
  8. 진공 배기 가능한 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내의 기체를 배기하는 배기구와,
    상기 처리 용기 내에서 기판을 지지하는 지지 부재와,
    상기 지지 부재에 지지되는 상기 기판을 향해 가스를 분사하는 복수의 노즐을 가지는 가스 분사 장치와,
    상기 복수의 노즐로부터 분사되는 상기 가스의 분사 유량 및 상기 가스의 종류 중 적어도 하나를, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하는 제어부를 구비한 건조 장치를 이용하여, 기판의 표면에 도포된 유기 재료막 중의 용매를 제거하여 건조시키는 건조 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 처리 용기 내의 압력을 0.1 ~ 100 Pa의 범위 내로 유지하여 건조 처리를 행하는 건조 처리 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스의 분사 유량을, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하면서 상기 기판을 향해 분사하는 건조 처리 방법.
  11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스의 분사 유량을, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하면서 상기 기판을 향해 분사하는 건조 처리 방법.
  12. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 재료막의 건조를 촉진하는 건조용 가스와, 상기 유기 재료막의 건조를 억제하는 건조 억제용 가스의 혼합 비율을, 1 개의 노즐 또는 2 개 이상의 노즐의 조합을 단위로서 독립하여 조절하면서 상기 기판을 향해 분사하는 건조 처리 방법.
  13. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스를 펄스 형상으로 분사하는 건조 처리 방법.
  14. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 재료막이, 유기 EL 소자의 제조에 있어서 잉크젯 인쇄법에 의해 상기 기판 상에 도포된 것인 건조 처리 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170122880A (ko) * 2016-04-27 2017-11-07 삼성디스플레이 주식회사 감압 건조 장치 및 이를 이용한 막 제조 방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102560313B1 (ko) * 2016-01-19 2023-07-27 삼성디스플레이 주식회사 감압 장치 및 이를 이용한 발광 표시 장치의 제조 방법
CN107878044B (zh) * 2016-09-30 2020-04-07 东京毅力科创株式会社 减压干燥装置
CN109200736B (zh) * 2017-06-30 2021-01-08 京东方科技集团股份有限公司 冷凝板、真空干燥设备以及真空干燥方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311206A (ja) * 2003-04-07 2004-11-04 Seiko Epson Corp 乾燥装置及び方法、el表示デバイスの製造装置及び製造方法、el表示デバイス並びに電子機器
JP4287314B2 (ja) * 2004-03-30 2009-07-01 住友化学株式会社 引火点測定装置
US8490571B2 (en) * 2007-02-27 2013-07-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Coater, method for manufacturing coated article, and fluid blowing unit
JP2010067430A (ja) * 2008-09-10 2010-03-25 Seiko Epson Corp 薄膜形成装置
KR101085182B1 (ko) * 2009-05-06 2011-11-18 한국기계연구원 플라즈마를 이용하는 처치장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170122880A (ko) * 2016-04-27 2017-11-07 삼성디스플레이 주식회사 감압 건조 장치 및 이를 이용한 막 제조 방법
US10052657B2 (en) 2016-04-27 2018-08-21 Samsung Display Co., Ltd. Vacuum drying apparatus and method of manufacturing film using the same

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