KR20140096848A - Light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 발광소자에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting element.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 광의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모컨, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고 있으며, 점차 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.Light Emitting Diode (LED) is a device that converts electrical signals into light by using the characteristics of compound semiconductors. It is widely used in household appliances, remote control, electric signboard, display, and various automation devices. There is a trend.
보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.In general, miniaturized LEDs are made of a surface mounting device for mounting directly on a PCB (Printed Circuit Board) substrate, and an LED lamp used as a display device is also being developed as a surface mounting device type . Such a surface mount device can replace a conventional simple lighting lamp, which is used for a lighting indicator for various colors, a character indicator, an image indicator, and the like.
이와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등에 요구되는 휘도가 높아지는 바, LED의 발광휘도를 증가시키기 위해서는 발광효율을 증가시키는 것이 필요하다.As the use area of the LED is widened as described above, the luminance required for a lamp used in daily life and a lamp for a structural signal is increased. In order to increase the luminance of the LED, it is necessary to increase the luminous efficiency.
이러한 발광소자가 자외선 영역의 빛을 내기 위해서는 발광구조물의 조성이Al을 포함해야 하며, Al을 포함하는 질화물 반도체층의 경우, 밴드갭 에너지가 매우 크기 때문에 오믹(ohmic)을 형성하기가 매우 어렵다. 이에 따라, 오믹컨택층으로 GaN 또는 InGaN을 사용하게 되는데, GaN 또는 InGaN의 경우, 밴드갭 에너지가 작아서, 자외선 영역의 빛을 흡수한다는 문제점이 있다.In order for the light emitting device to emit light in the ultraviolet region, the composition of the light emitting structure must include Al, and in the case of the nitride semiconductor layer containing Al, since the band gap energy is very large, it is very difficult to form ohmic. As a result, GaN or InGaN is used as the ohmic contact layer. In the case of GaN or InGaN, the band gap energy is small, which absorbs light in the ultraviolet region.
한편, 한국공개특허 10-2009-0012494에서는 활성층에서 방출된 광에 대하여 광자 밴드갭을 형성할 수 있는 크기와 주기를 가지고 배열된 복수의 홀을 구비함으로써 광자결정 구조를 이루는 투명전극층 및 상기 제1 도전형 반도체층 및 투명전극층에 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극을 포함하는 광자결정 발광소자를 제공한다.In Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2009-0012494, a transparent electrode layer having a photonic crystal structure is provided by providing a plurality of holes arranged in a size and period so as to form a photon band gap with respect to light emitted from the active layer, And a first electrode and a second electrode electrically connected to the conductive semiconductor layer and the transparent electrode layer, respectively.
활성층에서 발생하는 광의 흡수 손실을 최소화 할 수 있는 오믹 컨택층을 포함하는 발광소자를 제공하고자 한다.And an ohmic contact layer capable of minimizing absorption loss of light generated in the active layer.
실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층, 상기 활성층 상에 배치되며, 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 소정거리로 이격되어 배치되며, 제1 물질을포함하는 복수의 오믹 패턴 및 상기 복수의 오믹 패턴 사이에 배치되는 제2 물질층을 포함할 수 있다.The light emitting device according to an embodiment includes a first conductive semiconductor layer, an active layer disposed on the first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer disposed on the active layer, And may include a plurality of ohmic patterns including a first material and a second material layer disposed between the plurality of ohmic patterns.
실시예에 따른 발광소자는 서로 이격된 복수의 오믹 패턴 및 상기 오믹 패턴사이에 반사층 또는 투과층을 포함하여, 활성층에서 발생하는 광의 흡수 손실을 최소화할 수 있어, 발광소자의 발광효율을 증가시킬 수 있다.The light emitting device according to the embodiment includes a plurality of spaced apart ohmic patterns and a reflective layer or a transmissive layer between the ohmic patterns to minimize absorption loss of light generated in the active layer, have.
도 1은 실시예에 따른 수평형 발광소자의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 A부분을 확대한 도이다.
도 3은 실시예에 따른 수직형 발광소자의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 B부분을 확대한 도이다.
도 5 내지 도 10은 실시예에 따른 발광소자의 제조공정을 나타내는 도이다.
도 11은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 12a는 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 12b는 도 12a의 조명장치의 C - C'도시한 단면도이다.
도 13 및 도 14는 실시예에 따른 광학시트를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.1 is a cross-sectional view showing a cross section of a horizontal light emitting device according to an embodiment.
2 is an enlarged view of a portion A in Fig.
3 is a cross-sectional view illustrating a vertical light emitting device according to an embodiment.
4 is an enlarged view of a portion B in Fig.
5 to 10 are views showing a manufacturing process of a light emitting device according to an embodiment.
11 is a cross-sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment.
12A is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device module according to an embodiment, and FIG. 12B is a cross-sectional view of the lighting device taken along a line CC 'in FIG. 12A.
13 and 14 are exploded perspective views of a liquid crystal display device including an optical sheet according to an embodiment.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The elements can also be oriented in different directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size and area of each component do not entirely reflect actual size or area.
또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angle and direction mentioned in the description of the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.
도 1은 실시예에 따른 수평형 발광소자의 단면을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a cross section of a horizontal light emitting device according to an embodiment.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(100)는 성장기판(110), 버퍼층(120), 제1 도전형 반도체층(131), 활성층(132), 제2 도전형 반도체층(133), 복수의 오믹 패턴(140), 제2 물질층(145), 제1 전극(150) 및 제2 전극(160)을 포함할 수 있다.1, a
성장기판(110)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga203 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 이러한 성장기판(110)은 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있고, 성장기판(110)은 광추출효율을 향상시키기 위해 표면이 패터닝(Patterned SubStrate, PSS)될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.
성장기판(110) 상에는 성장기판(110)과 제1 도전형 반도체층(131)간의 격자 부정합을 완화하고 도전형 반도체층들이 용이하게 성장될 수 있도록 버퍼층(120)을 형성할 수 있다.The
버퍼층(120)은 AlN, GaN를 포함하여 AlInN/GaN 적층 구조, InGaN/GaN 적층 구조, AlInGaN/InGaN/GaN의 적층 구조 등의 구조로 형성될 수 있다.The
발광구조물(130)은 성장기판(110) 상에 위치하며, 제1 도전형 반도체층(131), 활성층(132), 제2 도전형 반도체층(133)을 포함할 수 있고, 제1 도전형 반도체층(131)과 제2 도전형 반도체층(133) 사이에 활성층(132)이 개재된 구성으로 이루어질 수 있다.The
제1 도전형 반도체층(131)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, 예를 들어, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 또한 N를 대신하여 다른 5족 원소를 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP 및 InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(131)이 일 예로, n형 반도체층인 경우는, n형 불순물로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있다. 이하, 제1 도전형 반도체층은 n형 반도체층인 것을 예로 들어 설명하기로 한다.The first
제1 도전형 반도체층(131)상에는 활성층(132)이 형성될 수 있다. 활성층(132)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.The
활성층(132)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. The
따라서, 더 많은 전자가 양자우물층의 낮은 에너지 준위로 모이게 되며, 그 결과 전자와 정공의 재결합 확률이 증가 되어 발광효과가 향상될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다. Therefore, more electrons are collected at the lower energy level of the quantum well layer, and as a result, the recombination probability of electrons and holes is increased, and the luminous efficiency can be improved. It may also include a quantum wire structure or a quantum dot structure.
활성층(132)상에는 제2 도전형 반도체층(133)이 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(133)은 p형 반도체층으로 구현되어, 활성층(132)에 정공을 주입할 수 있다. 예를 들어 p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 불순물로 도핑될 수 있다..The second conductivity
한편, 상술한 제1 도전형 반도체층(131), 활성층(132), 제2 도전형 반도체층(133)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy), 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first conductivity
제2 도전형 반도체층(133) 상에는 제1 물질을 포함하는 복수의 오믹 패턴(140)이 소정거리로 이격되어 형성될 수 있다.A plurality of
상기 제1 물질은 GaN 및 InGaN 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(133)을 구성하는 물질보다 밴드갭 에너지가 작을 수 있다. 이에 따라, 용이하게 오믹을 형성할 수 있다.The first material may include any one of GaN and InGaN, and the band gap energy may be smaller than that of the material constituting the second conductivity
복수의 오믹 패턴(140) 사이에는 제1 물질과 다른 제2 물질을 포함하는 제2물질층(145)이 형성될 수 있으며, 제2 물질층(145)은 투과층 및 반사층 중 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있다.A
도 2를 참조하면, 제2 물질층(145)이 투과층으로 형성된 경우를 예시한다. 제2 물질층(145)이 투과층으로 형성된 경우, 투과층은 세라믹 계열의 물질이나, 산화인듐주석(ITO, Indium Tin Oxide), 알루미늄산화아연(AZO, aluminum zinc oxide), 인듐 아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) ), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 투과층(145)은 활성층(132)에서 발생되는 광의 80%이상의 투과도를 가지는 물질로 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 2, the
한편, 활성층(132)에서 발생한 광의 일부는 오믹 패턴(140)으로 입사되거나 투과층(145)으로 입사될 수 있다. 이때, 오믹 패턴(140)으로 입사되는 광은 오믹 패턴(140)에서 흡수 또는 투과될 수 있으며, 투과층(145)으로 입사되는 광은 발광소자의 외부로 추출될 수 있다.On the other hand, a part of light generated in the
상기와 같이, 투과층(145)으로 입사된 광은 발광소자의 외부로 추출될 수 있어, 발광소자의 광 추출효율이 증가될 수 있다.As described above, the light incident on the
도 2를 참조하면, 복수의 오믹 패턴(140)과 제2 물질층(145)의 높이는 동일할 수 있다. 또한, 복수의 오믹 패턴(140)의 전체 폭은 제2 물질층(145)의 전체 폭의 1배 내지 9배일 수 있다. Referring to FIG. 2, the height of the plurality of
예를 들어, 복수의 오믹 패턴(140) 각각의 폭을 t1, t2, t3,...라 하고, 제2 물질층(145)의 각각의 폭을 o1, o2, o3,...라 하였을 때, t1+t2+t3+...는 o1+o2+o3+...의 1배 내지 9배일 수 있다.For example, if the widths of the plurality of
복수의 오믹 패턴(140)의 전체 폭이 제2 물질층(145)의 전체 폭보다 작은 경우, 오믹 접촉하는 영역이 감소하여, 안정적인 오믹(ohmic)을 형성할 수 없으며, 복수의 오믹 패턴(140)의 전체 폭이 제2 물질층(145)의 전체 폭의 9배보다 큰 경우, 활성층에서 발생하는 광의 흡수가 증가할 수 있다. When the total width of the plurality of
다시 도 1을 참조하면, 제1 도전형 반도체층(131) 상에는 제1 전극(150)이 형성될 수 있고, 복수의 오믹 패턴(140) 및 제2 물질층(145) 상에는 제2 전극(160)이 형성될 수 있다.1, a
이때, 제2 도전형 반도체층(133)부터 제1 도전형 반도체층(131)의 일부분까지 메사 식각함으로써, 제1 전극(150)을 형성할 수 있는 공간을 확보할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(131) 표면의 식각되어 노출된 영역에 제1 전극(150)을 형성할 수 있다. At this time, mesa etching is performed from the second conductivity
또한, 제1 전극(150) 및 제2 전극(160)은 전도성 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 인듐(In), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 레늄(Re), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 니오브(Nb), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중에서 선택된 어느 하나로 형성하거나 둘 이상의 합금으로 형성할 수 있으며, 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다.The
도 3은 실시예에 따른 수직형 발광소자의 단면을 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a vertical light emitting device according to an embodiment.
도 3을 참조하면, 실시예에 따른 수직형 발광소자(200)는 지지기판(210), 제1 도전형 반도체층(231), 활성층(232), 및 제2 도전형 반도체층(233)을 포함하는 발광구조물(230), 복수의 오믹 패턴(240) 및 제2 물질층(245), 제2 전극층(260), 전도층(270) 및 제1 전극(250)을 포함할 수 있다. 도 1의 실시예와 비교하면, 지지기판(210), 전도층(270), 제2 전극층(260)을 더 포함한다는 차이가 있다. 이하 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략한다.3, the vertical
지지기판(210)은 전도성 물질로 형성 될 수 있으며, 예를 들어, 금(Au), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈(Ta), 은(Ag), 백금(Pt), 크롬(Cr), Si, Ge, GaAs, ZnO, GaN, Ga2O3 또는 SiC, SiGe, CuW 중에서 선택된 어느 하나로 형성하거나 둘 이상의 합금으로 형성할 수 있으며, 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다.The
이와 같은 지지기판(210)은 발광소자(200)에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여 발광소자(200)의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.The
지지기판(210) 상으로는 지지기판(210)과 전도층(270)의 결합을 위하여 결합층(미도시)을 형성할 수 있다. 결합층(미도시)은 예를 들어, 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 은(Ag), 니켈(Ni), 나이오븀(Nb) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.A coupling layer (not shown) may be formed on the supporting
전도층(270)은 니켈(Ni-nickel), 백금(Pt), 티탄(Ti), 텅스텐(W), 바나듐(V), 철(Fe), 몰리브덴(Mo)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들이 선택적으로 포함된 합금으로 이루어질 수 있다. The
전도층(270)은 스퍼터링 증착 방법을 사용하여 형성할 수 있다. 스퍼터링 증착 방법을 사용할 경우, 이온화된 원자를 전기장에 의해 가속시켜, 전도층(270)의 소스 재료(source material)에 충돌시키면, 소스 재료의 원자들이 튀어나와 증착된다. 또한, 실시예에 따라 전기 화학적인 금속 증착 방법이나, 유테틱 메탈을 이용한 본딩 방법 등을 사용할 수도 있다. 실시예에 따라 전도층(270)은 복수의 레이어로 형성될 수도 있다. The
전도층(270)은 발광 소자의 제조 공정상 발생할 수 있는 기계적 손상(깨짐 또는 박리 등)을 최소화할 수 있는 효과가 있다. The
또한, 전도층(270)은 지지기판(210) 또는 결합층(미도시)을 구성하는 금속 물질이 발광 구조물(230)으로 확산되는 것을 방지하는 효과가 있다.Also, the
다시 도 3을 참조하면, 제2 전극층(260) 은 금속과 투광성 전도층을 선택적으로 사용할 수 있으며, 발광구조물(230)에 전원을 제공한다. 제2 전극층(260)은 전도성 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 니켈(Ni), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 바나듐(V), 코발트(Co), 니오브(Nb), 지르코늄(Zr), 산화인듐주석(ITO, Indium Tin Oxide), 알루미늄산화아연(AZO, aluminum zinc oxide), 인듐 아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) ), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.Referring again to FIG. 3, the
또한, 제2 전극층(260)은 오믹 특성을 갖는 반사 전극 재료로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. Also, the
제2 전극층(260)은 오믹층/반사층/본딩층의 구조이거나, 오믹층/반사층의 적층 구조이거나, 반사층(오믹 포함)/본딩층의 구조일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
오믹층은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용할 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다. 그리고, 상기 오믹층은 스퍼터링법이나 전자빔 증착법에 의하여 형성될 수 있다. 반사층은 발광구조물(230)의 활성층(232)에서 발생된 광 중 일부가 지지기판(210) 방향으로 향하는 경우, 발광소자(200)의 상부 방향으로 향하도록 광을 반사시켜 발광소자(200)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The ohmic layer may be made of a transparent conductive layer and a metal. For example, the ohmic layer may be formed of a material selected from the group consisting of ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide) indium gallium zinc oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IZON nitride, AGZO Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, IrOx / Au, and Ni / IrOx / , Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf. However, the present invention is not limited to these materials. The ohmic layer may be formed by a sputtering method or an electron beam evaporation method. The reflective layer reflects the light toward the upper side of the
반사층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh)를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어지거나, 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있다. 또한 반사층은 IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 또한 반사층을 발광 구조물(예컨대, 제2 도전형 반도체층(233))과 오믹 접촉하는 물질로 형성할 경우, 오믹층은 별도로 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The reflective layer is made of a metal layer containing an alloy including aluminum (Al), silver (Ag), nickel (Ni), platinum (Pt) and rhodium (Rh) IGTO, AZO, ATO, or the like. Further, the reflective layer can be laminated with IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / Also, when the reflective layer is formed of a material that makes an ohmic contact with the light emitting structure (for example, the second conductivity type semiconductor layer 233), the ohmic layer may not be formed separately, but the present invention is not limited thereto.
반사층과 오믹층은 폭 및 길이가 동일한 것으로 설명하지만, 폭 및 길이 중 적어도 하나가 상이할 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.Although the reflective layer and the ohmic layer are described as having the same width and length, at least one of the width and the length may be different and is not limited thereto.
본딩층은 배리어 금속(barrier metal), 또는 본딩 금속, 예를 들어, 티탄(Ti), 금(Au), 주석(Sn), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 갈륨(Ga), 인듐(In), 비스무트(Bi), 구리(Cu), 은(Ag) 또는 탄탈(Ta) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The bonding layer may be a barrier metal or a bonding metal such as titanium (Ti), gold (Au), tin (Sn), nickel (Ni), chromium (Cr), gallium (Ga) In, bismuth, copper, silver, or tantalum.
한편, 도 4를 참조하면, 제2 물질층(245)이 반사층으로 형성된 것을 예시한다. 반사층(245)은 SiO2, TiO2 및 Ta2O5 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the
반사층(245)은 제1 굴절율을 가지는 제1 층(245a)과 제2 굴절율을 가지는 제2 층(245b)이 교대로 적층된 DBR층으로 형성될 수 있다.The
또한, 반사층(245)은 활성층(232)에서 발생되는 광의 90%이상의 반사도를 가지는 물질로 이루어질 수 있다.Also, the
한편, 활성층(232)에서 발생한 광의 일부는 오믹 패턴(240)으로 입사되거나 반사층(245)으로 입사될 수 있다. 이때, 오믹 패턴(240)으로 입사되는 광은 오믹 패턴(240)에서 흡수 또는 투과될 수 있으며, 반사층(245)으로 입사되는 광은 발광소자(200)의 상부 방향으로 진행하게 되어, 발광소자(200)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.A part of the light generated in the
한편, 제2 물질층(245)은 반사층 뿐만 아니라 도 2에서 설명한 바와 같이, 투과층으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.On the other hand, the
도 5 내지 도 10은 실시예에 따른 발광소자의 제조공정을 나타내는 도이다.5 to 10 are views showing a manufacturing process of a light emitting device according to an embodiment.
도 5를 참조하면, 먼저, 성장기판(110) 상에 순차적으로 버퍼층(120), 제 1도전형 반도체층(131), 활성층(132) 및 제2 도전형 반도체층(133)이 형성된다.Referring to FIG. 5, a
성장기판(110)은 사파이어 기판(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, 그리고 GaAs 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The
버퍼층(120)은 3족과 5족 원소가 결합된 형태이거나 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중에서 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 도펀트가 도핑될 수도 있다. The
이러한 성장기판(110) 또는 버퍼층(120) 위에는 언도프드 반도체(미도시)층이 형성될 수 있으며, 버퍼층(120)과 언도프드 도전형 반도체층(미도시) 중 어느 한 층 또는 두 층 모두 형성하거나 형성하지 않을 수도 있으며, 이러한 구조에 대해 한정되지는 않는다.An undoped semiconductor layer (not shown) may be formed on the
성장기판(110)상에 제1 도전형 반도체층(131), 활성층(132) 및 제2 도전형 반도체층(133)을 순차적으로 형성할 수 있다.The first conductivity
제1 도전형 반도체층(131)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2) 및 실리콘(Si)과 같은 N형 불순물을 포함하는 실란 가스(SiH4)를 주입하여 형성할 수 있다.A first conductive
활성층(132)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa) 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)를 주입하면서 질소 분위기에서 성장시킬 수 있으며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The
제2 도전형 반도체층(133)은 챔버에 960? 이상의 고온에서 수소를 캐리어 가스로 하여 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 트리메틸 알루미늄 가스(TMAl), 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2} 등을 주입하여 성장시킬 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.The second conductivity
도 6을 참조하면, 복수의 오믹 패턴(140)은 GaN이나 InGaN층을 성장시킨 후, 식각을 통하여 형성하거나, 마스크를 이용하여, GaN이나 InGaN층을 선택적으로 성장시켜, 형성할 수 있다. 이때, 복수의 오믹 패턴의 개수, 형상 및 배치는 다양하게 변형이 가능하다.Referring to FIG. 6, a plurality of
도 7을 참조하면, 복수의 오믹 패턴(140) 사이에는 반사층이나 투과층(145)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 7, a reflective layer or a
이후, 수평형 발광소자와 수직형 발광소자의 제조공정이 달라진다.Thereafter, the manufacturing processes of the horizontal type light emitting device and the vertical type light emitting device are changed.
도 8은 도 7에 나타낸 공정이후에 수평형 발광소자의 제조공정을 나타내는 도이다.8 is a view showing a manufacturing process of a horizontal light emitting device after the process shown in Fig.
도 8을 참조하면, 제2 도전형 반도체층(133)에서 제1 도전형 반도체층(131)의 일부분까지 RIE(Reactive Ion Etching)방식으로 메사(Mesa) 식각한다. 예를 들어, 사파이어 기판과 같이 절연성 기판을 사용하는 경우 기판 하부에 전극을 형성할 수 없기 때문에, 제2 도전형 반도체층(133)부터 제1 도전형 반도체층(131)의 일부분까지 메사식각함으로써, 전극을 형성할 수 있는 공간을 확보할 수 있다. 따라서, 제1 도전형 반도체층(131) 표면의 식각되어 노출된 영역에 제1 전극(150)을 형성할 수 있다. 또한, 복수의 오믹 패턴(140) 및 제2 물질층(145) 상에 제2 전극(150)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 8, a portion of the first conductivity
도 9 및 도 10은 도 7에 나타낸 공정이후에 수직형 발광소자의 제조공정을 나타내는 도이다.FIGS. 9 and 10 are views showing a manufacturing process of the vertical light emitting device after the process shown in FIG.
도 9를 참조하면, 복수의 오믹 패턴(140) 및 제2 물질층(145) 상에는 제2 전극층(260)이 형성될 수 있으며, 전도층(270)이 배치된 지지기판(210)이 본딩 접착될 수 있다. 이때 제1 도전형 반도체층(131) 상에 배치된 성장기판(110)을 분리시킬 수 있다.9, the
이때, 성장기판(210)은 물리적 또는/및 화학적 방법으로 제거할 수 있으며, 물리적 방법은 일 예로 LLO(laser lift off) 방식으로 제거할 수 있다.At this time, the
한편, 성장기판(110)의 제거 후 버퍼층(120)을 제거해 줄 수 있다. 이 때 버퍼층(120)은 건식 또는 습식 식각 방법, 또는 연마 공정을 통해 제거할 수 있다.On the other hand, after the
또한, 도시하지는 않았으나, 발광 구조물(230)의 외곽부 영역에 대해 에칭을 수행하여 경사를 가지게 할 수 있으며, 발광구조물(230)의 외주면 일부 또는 전체 영역에 패시베이션(미도시)이 형성될 수 있고, 패시베이션(미도시)은 절연성 재질로 형성될 수 있다Although not shown, the outer peripheral region of the
제1 도전형 반도체층(231)의 표면에는 제1 전극(250)을 형성할 수 있다.The
도 5 내지 도 10에 나타낸 공정 순서에서 적어도 하나의 공정은 순서가 바뀔 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.At least one process in the process sequence shown in FIGS. 5 to 10 may be reversed in order, but is not limited thereto.
도 11은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자패키지의 단면을 도시한 단면도이다.11 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package including the light emitting device according to the embodiment.
도 11을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자패키지(300)는 캐비티가 형성된 몸체(310), 몸체(310)의 캐비티에 실장된 광원부(320) 및 캐비티에 충진되는 봉지재(350)를 포함할 수 있다.11, the light emitting
몸체(310)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board), 세라믹 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(310)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The
광원부(320)는 몸체(310)의 바닥면에 실장되며, 일 예로 광원부(320)는 도 1 내지 도 4에서 도시하고 설명한 발광소자 중 어느 하나일 수 있다. 발광소자는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광 소자는 한 개 이상 실장될 수 있다.The
몸체(310)는 제1 리드프레임(330) 및 제2 리드프레임(340)을 포함할 수 있다. 제1 리드프레임(330) 및 제2 리드프레임 (340)은 광원부(320)와 전기적으로 연결되어 광원부(320)에 전원을 공급할 수 있다.The
또한, 제1 리드프레임 (330) 및 제2 리드프레임 (340)은 서로 전기적으로 분리되며, 광원부(320)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있고, 또한 광원부(320)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수 있다.The
도 11에는 제1 리드프레임 (330)과 제2 리드프레임 (340) 모두가 와이어(360)에 의해 광원부(320)와 본딩된 것을 도시하나, 이에 한정하지 않으며, 특히 수직형 발광소자의 경우는 제1 리드프레임 (330) 및 제2 리드프레임 (340) 중 어느 하나가 와이어(360)에 의해 광원부(320)와 본딩될 수 있으며, 플립칩 방식에 의해 와이어(360) 없이 광원부(320)와 전기적으로 연결될 수도 있다.11 shows that both the
이러한 제1 리드프레임 (330) 및 제2 리드프레임 (340)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 리드프레임 (330) 및 제2 리드프레임 (340)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
봉지재(350)는 캐비티에 충진될 수 있으며, 형광체(미도시)를 포함할 수 있다. 봉지재(350)는 투명한 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며, 캐비티 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다. The
형광체(미도시)는 광원부(320)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 발광소자패키지(300)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.The phosphor (not shown) may be selected according to the wavelength of the light emitted from the
봉지재(350)에 포함되어 있는 형광체(미도시)는 광원부(320)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다. The fluorescent material (not shown) included in the
즉, 형광체(미도시)는 광원부(320)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 광원부(320)가 청색 발광 다이오드이고 형광체(미도시)가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자패키지(300)는 백색 빛을 제공할 수 있다. That is, the phosphor (not shown) may be excited by the light having the first light emitted from the
도 12a는 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 12b는 도 12a의 조명장치의 C - C'단면을 도시한 단면도이다.FIG. 12A is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device module according to an embodiment, and FIG. 12B is a cross-sectional view illustrating a C-C 'cross section of the lighting device of FIG. 12A.
즉, 도 12b는 도 12a의 조명장치(400)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.12B is a cross-sectional view of the
도 12a 및 도 12b를 참조하면, 조명장치(400)는 몸체(410), 몸체(410)와 체결되는 커버(430) 및 몸체(410)의 양단에 위치하는 마감캡(450)을 포함할 수 있다.12A and 12B, the
몸체(410)의 하부면에는 발광소자 모듈(440)이 체결되며, 몸체(410)는 발광소자 패키지(444)에서 발생한 열이 몸체(410)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.The light emitting
특히, 발광소자 모듈(440)는 발광소자 패키지(444)를 둘러싸는 밀봉부(미도시)를 포함하여 이물질의 침투가 방지될 수 있어서 신뢰성이 향상될 수 있고, 아울러 신뢰성 있는 조명장치(400)의 구현이 가능해진다.Particularly, the light emitting
발광소자 패키지(444)는 기판(442) 상에 다색, 다열로 실장되어 모듈을 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 기판(442)으로 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 를 사용할 수 있다.The light emitting
커버(430)는 몸체(410)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.The
커버(430)는 내부의 발광소자 모듈(440)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(430)는 발광소자 패키지(444)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(430)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(430)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The
한편, 발광소자 패키지(444)에서 발생하는 광은 커버(430)를 통해 외부로 방출되므로, 커버(430)는 광투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(444)에서 발생하는 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는 바, 커버(430)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate;?PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate;?PC), 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.Since the light generated from the light emitting
마감캡(450)은 몸체(410)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(450)에는 전원 핀(452)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(400)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.The finishing
도 13 및 도 14는 실시예에 따른 광학시트를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.13 and 14 are exploded perspective views of a liquid crystal display device including an optical sheet according to an embodiment.
도 13은 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(570)을 포함할 수 있다.13, the
액정표시패널(510)은 백라이트 유닛(570)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(510)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(512) 및 박막 트랜지스터 기판(514)을 포함할 수 있다.The liquid
컬러 필터 기판(512)은 액정표시패널(510)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The
박막 트랜지스터 기판(514)은 구동 필름(517)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(518)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(514)은 인쇄회로기판(518)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(518)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin
박막 트랜지스터 기판(514)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin
백라이트 유닛(570)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(520), 발광소자 모듈(520)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(510)로 제공하는 도광판(530), 도광판(530)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(550, 566, 564) 및 도광판(530)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(530)으로 반사시키는 반사 시트(540)로 구성된다.The
발광소자 모듈(520)은 복수의 발광소자 패키지(524)와 복수의 발광소자 패키지(524)가 실장되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(522)을 포함할 수 있다.The light emitting
특히, 발광소자 모듈(520)는 발광소자 패키지(524)를 둘러싸는 밀봉부(미도시)를 포함하여 이물질의 침투가 방지될 수 있어서 신뢰성이 향상될 수 있고, 아울러 신뢰성 있는 백라이트 유닛(570)의 구현이 가능해진다.Particularly, the light emitting
한편, 백라이트유닛(570)은 도광판(530)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(510) 방향으로 확산시키는 확산필름(566)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(550)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(550)를 보호하기 위한 보호필름(564)을 포함할 수 있다.The
도 14은 실시예에 따른 광학시트를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 13에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.14 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including an optical sheet according to an embodiment. However, the parts shown and described in Fig. 13 are not repeatedly described in detail.
도 14는 직하 방식으로, 액정 표시 장치(600)는 액정표시패널(610)과 액정표시패널(610)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(670)을 포함할 수 있다.14, the
액정표시패널(610)은 도 13에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.The liquid
백라이트 유닛(670)은 복수의 발광소자 모듈(623), 반사시트(624), 발광소자 모듈(623)과 반사시트(624)가 수납되는 하부 섀시(630), 발광소자 모듈(623)의 상부에 배치되는 확산판(640) 및 다수의 광학필름(660)을 포함할 수 있다.The
발광소자 모듈(623) 복수의 발광소자 패키지(622)와 복수의 발광소자 패키지(622)가 실장되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(621)을 포함할 수 있다.The light emitting
특히, 발광소자 모듈(623)는 발광소자 패키지(622)를 둘러싸는 밀봉부(미도시)를 포함하여 이물질의 침투가 방지될 수 있어서 신뢰성이 향상될 수 있고, 아울러 신뢰성 있는 백라이트 유닛(670)의 구현이 가능해진다.Particularly, the light emitting
반사 시트(624)는 발광소자 패키지(622)에서 발생한 빛을 액정표시패널(610)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The
한편, 발광소자 모듈(623)에서 발생한 빛은 확산판(640)에 입사하며, 확산판(640)의 상부에는 광학 필름(660)이 배치된다. 광학 필름(660)은 확산 필름(666), 프리즘필름(650) 및 보호필름(664)를 포함하여 구성된다.The light emitted from the light emitting
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It should be understood that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It should be understood that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention.
110: 성장기판 120: 버퍼층
131: 제1 도전형 반도체층 132: 활성층
133: 제2 도전형 반도체층 140: 오믹 패턴
150: 제1 전극 160: 제2 전극110: growth substrate 120: buffer layer
131: first conductivity type semiconductor layer 132: active layer
133: second conductivity type semiconductor layer 140: ohmic pattern
150: first electrode 160: second electrode
Claims (12)
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층;
상기 활성층 상에 배치되며, 제2 도전형 반도체층;
상기 제2 도전형 반도체층 상에 소정거리로 이격되어 배치되며, 제1 물질을포함하는 복수의 오믹 패턴; 및
상기 복수의 오믹 패턴 사이에 배치되는 제2 물질층을 포함하는 발광소자.A first conductive semiconductor layer;
An active layer disposed on the first conductive semiconductor layer;
A second conductive semiconductor layer disposed on the active layer;
A plurality of ohmic patterns disposed on the second conductivity type semiconductor layer at a predetermined distance and including a first material; And
And a second material layer disposed between the plurality of ohmic patterns.
상기 오믹 패턴 및 제2 물질층의 높이는 동일한 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the ohmic pattern and the second material layer have the same height.
상기 복수의 오믹 패턴 전체 폭은 상기 제2 물질층 전체 폭의 1 내지 9배인 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the total width of the plurality of ohmic patterns is 1 to 9 times the entire width of the second material layer.
상기 제2 물질층은 투과층인 발광소자.The method according to claim 1,
And the second material layer is a transmissive layer.
상기 투과층은 세라믹 계열의 물질, 산화인듐주석(ITO, Indium Tin Oxide), 알루미늄산화아연(AZO, aluminum zinc oxide), 인듐 아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) ), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광소자.5. The method of claim 4,
The transmissive layer may be formed of a ceramic material, indium tin oxide (ITO), aluminum zinc oxide (AZO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZTO) IZO (indium aluminum zinc oxide), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide)), IrO x , RuO x , RuO x / Ni / IrO x / Au, and Ni / IrO x / Au / ITO.
상기 제2 물질층은 반사층인 발광소자.The method according to claim 1,
And the second material layer is a reflective layer.
상기 반사층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt) 및 로듐(Rh) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광소자.The method according to claim 6,
Wherein the reflective layer comprises at least one of aluminum (Al), silver (Ag), nickel (Ni), platinum (Pt), and rhodium (Rh).
상기 반사층은 굴절율이 다른 제1층 및 제2층이 교대로 적층된 발광소자.The method according to claim 6,
Wherein the reflective layer is formed by alternately laminating a first layer and a second layer having different refractive indices.
상기 제1 물질은 GaN 및 InGaN 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first material comprises at least one of GaN and InGaN.
상기 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층은 Al을 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer comprise Al.
상기 복수의 오믹 패턴 및 제2 물질층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
And a second electrode disposed on the plurality of ohmic patterns and the second material layer.
상기 복수의 오믹패턴 및 제2 물질층 상에 배치되는 제2 전극층을 포함하는 발광소자.
The method according to claim 1,
And a second electrode layer disposed on the plurality of ohmic patterns and the second material layer.
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| KR1020130009973A KR102065383B1 (en) | 2013-01-29 | 2013-01-29 | Light emitting device |
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|---|---|---|---|---|
| KR20080093556A (en) * | 2007-04-17 | 2008-10-22 | 엘지전자 주식회사 | Nitride light emitting device and method of making the same |
| KR20090001231A (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | 서울옵토디바이스주식회사 | Vertical light emitting diode, method for manufacturing the same and light emitting diode having the same |
| KR20090044311A (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-07 | 한국광기술원 | Light emitting diode and its manufacturing method |
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2013
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