KR20140095656A - 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 독출 방법 - Google Patents

불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 독출 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140095656A
KR20140095656A KR1020130008114A KR20130008114A KR20140095656A KR 20140095656 A KR20140095656 A KR 20140095656A KR 1020130008114 A KR1020130008114 A KR 1020130008114A KR 20130008114 A KR20130008114 A KR 20130008114A KR 20140095656 A KR20140095656 A KR 20140095656A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
data
main
read
dummy
reading
Prior art date
Application number
KR1020130008114A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102024661B1 (ko
Inventor
곽동훈
박현욱
최명훈
박기태
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020130008114A priority Critical patent/KR102024661B1/ko
Publication of KR20140095656A publication Critical patent/KR20140095656A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102024661B1 publication Critical patent/KR102024661B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/1069—I/O lines read out arrangements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2216/00—Indexing scheme relating to G11C16/00 and subgroups, for features not directly covered by these groups
    • G11C2216/12—Reading and writing aspects of erasable programmable read-only memories
    • G11C2216/14—Circuits or methods to write a page or sector of information simultaneously into a nonvolatile memory, typically a complete row or word line in flash memory

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치의 데이터 독출 방법은, 전원 공급 신호를 수신하는 단계, 상기 전원 공급 신호에 따라 제 1 메인 데이터 및 제 2 메인 데이터를 독출하는 단계, 상기 제 1 및 제 2 메인 데이터 중 적어도 하나의 데이터가 독출 실패된 경우, 제 1 더미 데이터 및 제 2 더미 데이터를 독출하는 단계, 상기 제 1 및 제 2 더미 데이터 중 적어도 하나의 데이터가 독출 실패된 경우, 상기 제 1 더미 데이터 및 상기 제 2 메인 데이터를 독출하는 단계, 상기 제 1 더미 데이터 및 상기 제 2 메인 데이터 중 적어도 하나의 데이터가 독출 실패된 경우, 상기 제 1 메인 데이터 및 상기 제 2 더미 데이터를 독출하는 단계, 그리고 상기 제 1 메인 데이터 및 상기 제 2 더미 데이터가 모두 독출 성공된 경우, 상기 제 1 메인 데이터 및 상기 제 2 더미 데이터를 상기 불휘발성 메모리 장치의 버퍼에 저장하는 단계를 포함하고, 상기 제 1 메인 및 제 1 더미 데이터는 상기 불휘발성 메모리 장치의 제 1 매트에 저장되고, 상기 제 2 메인 및 제 2 더미 데이터는 상기 불휘발성 메모리 장치의 제 2 매트에 저장된다.
본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치는, 제 1 메인 데이터와 제 1 더미 데이터를 저장하는 제 1 매트, 제 2 메인 데이터와 제 2 더미 데이터를 저장하는 제 2 매트, 상기 제 1 및 제 2 매트에서 언페어드 리드(Unpaired Read) 방식으로 데이터를 독출하는 컨트롤 로직, 그리고 상기 컨트롤 로직에 의해 독출된 데이터를 저장하는 버퍼를 포함하고, 상기 제 1 메인 및 제 1 더미 데이터의 내용은 같고, 상기 제 2 메인 및 제 2 더미 데이터의 내용은 같다.

Description

불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 독출 방법{NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF READING DATA THEREOF}
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 독출 방법에 관한 것이다.
반도체 메모리 장치(Semiconductor Memory Device)는 크게 휘발성 메모리 장치(Volatile Memory Device)와 불휘발성 메모리 장치(Non-volatile Memory Device)로 구분된다. 휘발성 메모리 장치는 읽고 쓰는 속도가 빠르지만 외부 전원 공급이 끊기면 저장된 내용이 사라져 버리는 단점이 있다. 반면에 불휘발성 메모리 장치는 외부 전원 공급이 중단되더라도 그 내용을 보존한다. 그러므로 불휘발성 메모리 장치는 전원이 공급되었는지의 여부에 관계없이 보존되어야 할 내용을 기억시키는 데 쓰인다.
최근 들어 불휘발성 메모리를 사용하는 장치들이 증가하고 있다, 예를 들면, MP3 플레이어, 디지털 카메라, 휴대 전화, 캠코더, 플래시 메모리 카드, 및 SSD(Solid State Drive) 등은 저장장치로 불휘발성 메모리를 사용하고 있다.
본 발명의 목적은 독출 방식의 다양화를 통해 중요한 데이터를 효율적으로 독출하는 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치의 데이터 독출 방법은, 전원 공급 신호를 수신하는 단계, 상기 전원 공급 신호에 따라 제 1 메인 데이터 및 제 2 메인 데이터를 독출하는 단계, 상기 제 1 및 제 2 메인 데이터 중 적어도 하나의 데이터가 독출 실패된 경우, 제 1 더미 데이터 및 제 2 더미 데이터를 독출하는 단계, 상기 제 1 및 제 2 더미 데이터 중 적어도 하나의 데이터가 독출 실패된 경우, 상기 제 1 더미 데이터 및 상기 제 2 메인 데이터를 독출하는 단계, 상기 제 1 더미 데이터 및 상기 제 2 메인 데이터 중 적어도 하나의 데이터가 독출 실패된 경우, 상기 제 1 메인 데이터 및 상기 제 2 더미 데이터를 독출하는 단계, 그리고 상기 제 1 메인 데이터 및 상기 제 2 더미 데이터가 모두 독출 성공된 경우, 상기 제 1 메인 데이터 및 상기 제 2 더미 데이터를 상기 불휘발성 메모리 장치의 버퍼에 저장하는 단계를 포함하고, 상기 제 1 메인 및 제 1 더미 데이터는 상기 불휘발성 메모리 장치의 제 1 매트에 저장되고, 상기 제 2 메인 및 제 2 더미 데이터는 상기 불휘발성 메모리 장치의 제 2 매트에 저장된다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치는, 제 1 메인 데이터와 제 1 더미 데이터를 저장하는 제 1 매트, 제 2 메인 데이터와 제 2 더미 데이터를 저장하는 제 2 매트, 상기 제 1 및 제 2 매트에서 언페어드 리드(Unpaired Read) 방식으로 데이터를 독출하는 컨트롤 로직, 그리고 상기 컨트롤 로직에 의해 독출된 데이터를 저장하는 버퍼를 포함하고, 상기 제 1 메인 및 제 1 더미 데이터의 내용은 같고, 상기 제 2 메인 및 제 2 더미 데이터의 내용은 같다.
이상과 같은 본 발명의 실시 예에 따르면, 독출 방식의 다양화를 통해 중요한 데이터를 효율적으로 독출하는 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치의 블록도이다.
도 2는 본 발명에 따른 설정 데이터의 저장 방식을 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 데이터 독출 방법을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 데이터 독출 과정을 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 데이터 독출 방법을 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 데이터 독출 방법을 보여주는 순서도이다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 데이터 독출 방법을 보여주는 순서도이다.
앞의 일반적인 설명 및 다음의 상세한 설명 모두 예시적이라는 것이 이해되어야 하며, 청구된 발명의 부가적인 설명이 제공되는 것으로 여겨져야 한다. 참조부호들이 본 발명의 바람직한 실시 예들에 상세히 표시되어 있으며, 그것의 예들이 참조 도면들에 표시되어 있다. 가능한 어떤 경우에도, 동일한 참조 번호들이 동일한 또는 유사한 부분을 참조하기 위해서 설명 및 도면들에 사용된다.
이하에서는, 불휘발성 메모리 장치가 본 발명의 특징 및 기능을 설명하기 위한 저장 장치 또는 전자 장치의 한 예로서 사용될 것이다. 하지만, 이 기술 분야에 정통한 사람은 여기에 기재된 내용에 따라 본 발명의 다른 이점들 및 성능을 쉽게 이해할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명은 다른 실시 예들을 통해 구현되거나 적용될 수 있을 것이다. 게다가, 상세한 설명은 본 발명의 범위, 기술적 사상 그리고 다른 목적으로부터 상당히 벗어나지 않고, 관점 및 응용에 따라 수정되거나 변경될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 컨트롤 로직(300)은 매트들(100, 200)과 연결되어 데이터를 저장 및 독출한다. 매트들(100, 200)은 설정 데이터(Information Data)를 저장하는 영역과 유저 데이터(User Data)를 저장하는 영역으로 나누어져 있다. 설정 데이터(Information Data)는 불휘발성 메모리 장치(1000)의 설정 초기화에 필요한 DC 정보, 옵션(Option) 정보, 리페어(Repair) 정보 및 배드 블록(Bad Block) 정보 등을 포함한다.
매트 1(100)은 셀 어레이 1(110), 행 디코더 1(120) 및 페이지 버퍼 1(130)을 포함한다. 데이터 저장시, 행 디코더 1(120)은 셀 어레이 1(110)의 워드라인 하나를 선택한다. 페이지 버퍼 1(130)은 비트라인을 통해서 데이터를 셀 어레이 1(110)에 전달한다. 셀 어레이 1(110)의 선택된 워드라인에 데이터가 저장된다. 데이터 독출시, 행 디코더 1(120)은 셀 어레이 1(110)의 워드라인 하나를 선택한다. 페이지 버퍼 1(130)은 선택된 워드라인에 저장된 데이터를 비트라인을 통해 독출한다. 독출된 데이터는 컨트롤 로직(300)으로 전달된다.
매트 2(200)은 셀 어레이 2(210), 행 디코더 2(220) 및 페이지 버퍼 2(230)을 포함한다. 데이터 저장시, 행 디코더 2(220)은 셀 어레이 2(210)의 워드라인 하나를 선택한다. 페이지 버퍼 2(230)은 비트라인을 통해서 데이터를 셀 어레이 2(210)에 전달한다. 셀 어레이 2(210)의 선택된 워드라인에 데이터가 저장된다. 데이터 독출시, 행 디코더 2(220)은 셀 어레이 2(210)의 워드라인 하나를 선택한다. 페이지 버퍼 2(230)는 선택된 워드라인에 저장된 데이터를 비트라인을 통해 독출한다. 독출된 데이터는 컨트롤 로직(300)으로 전달된다.
컨트롤 로직(300)은 매트들(100, 200)의 행 디코더들(120, 220) 및 페이지 버퍼들(130, 230)을 통하여 셀 어레이들(110, 210)에 데이터를 저장 및 독출한다. 불휘발성 메모리 장치(1000)를 사용하는 시스템에 전원이 공급되면, 불휘발성 메모리 장치(1000)는 설정 초기화 동작을 수행한다. 컨트롤 로직(300)은 전원 공급 신호(Power-on signal)를 수신한다. 전원 공급 신호(Power-on signal)를 수신한 컨트롤 로직(300)은 매트들(100, 200)로부터 설정 데이터(Information Data)를 독출하여 버퍼(310)에 저장한다. 버퍼(310)는 컨트롤 로직(300)의 내부 또는 외부에 있을 수 있다. 설정 데이터(Information Data)를 정상적으로 독출하지 못하면, 불휘발성 메모리 장치(1000)는 유저 데이터(User Data)의 저장 및 독출 동작을 수행할 수 없다. 도 1에서는 이해를 돕기 위해 2개의 매트(100, 200)가 도시되어 있지만, 불휘발성 메모리 장치(1000)는 2개 이상의 매트들이 포함할 수 있음은 이 분야의 통상적인 지식을 습득한 자들에게는 자명하다.
도 2는 본 발명에 따른 설정 데이터의 저장 방식을 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 매트들(MAT 1, MAT 2)은 설정 데이터 영역(Information Data Block)과 유저 데이터 영역(User Data Block)을 포함한다.
설정 데이터 영역(Information Data Block)에는 설정 데이터(Information Data)가 저장된다. 설정 데이터(Information Data)는 불휘발성 메모리 장치(1000)의 설정 초기화에 필요한 DC 정보, 옵션(Option) 정보, 리페어(Repair) 정보 및 배드 블록(Bad Block) 정보 등을 포함한다. 설정 데이터(Information Data)를 정상적으로 독출하지 못하면, 불휘발성 메모리 장치(1000)는 유저 데이터(User Data)의 저장 및 독출 동작을 수행할 수 없다. 그러므로 설정 데이터(Information Data)는 매우 중요하다. 그래서 설정 데이터(Information Data)는 메인 데이터(Main Data)와 함께 메인 데이터(Main Data)와 같은 내용을 포함하는 더미 데이터(Dummy Data)를 중복하여 저장한다.
설정 데이터(Information Data)는 매트 1(MAT 1)에 메인 데이터 1(Main Data 1)이 저장되고, 매트 2(MAT 2)에 메인 데이터 2(Main Data 2)가 저장된다. 메인 데이터 1(Main Data 1)과 메인 데이터 2(Main Data 2)는 서로 다른 내용을 포함한다. 매트 1(MAT 1)에서 메인 데이터 1(Main Data 1)과 더미 데이터 1(Dummy Data 1)은 같은 내용을 포함한다. 매트 2(MAT 2)에서 메인 데이터 2(Main Data 2)와 더미 데이터 2(Dummy Data 2)는 같은 내용을 포함한다. 유저 데이터 영역(User Data Block)에는 사용자가 저장하는 유저 데이터(User Data)가 저장된다.
도 3 내지 도 5는 전원 공급 신호(Power-on signal)에 따라 컨트롤 로직(300, 도 1 참조)이 설정 데이터(Information Data)를 독출하는 과정을 보여준다. 매트 1(MAT 1)의 데이터와 매트 2(MAT 2)의 데이터는 서로 다른 내용을 포함한다. 불휘발성 메모리 장치(1000)가 정상적으로 작동하기 위해서 매트 1 및 2(MAT 1 and 2)의 데이터가 모두 정상적으로 독출되어야 한다. 그래서 컨트롤 로직(300)은 매트 1 및 2(MAT 1 and 2)의 데이터가 모두 정상적으로 독출될 때까지 여러 번 반복하여 독출한다. 이하에서 데이터를 정상적으로 독출할 수 있는 경우는 패스(Pass), 데이터를 정상적으로 독출할 수 없는 경우는 페일(Fail)이라고 정의하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 데이터 독출 방법을 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 컨트롤 로직(300)은 매트 1 및 2(MAT 1 and 2)로부터 메인 데이터(Main Data) 또는 더미 데이터(Dummy Data)를 동시에 독출한다. 첫 번째부터 세 번째까지 독출(Read 1 ~ 3)에서 컨트롤 로직(300)은 메인 데이터 1 및 2(Main Data 1 and 2)를 동시에 독출한다. 네 번째부터 여섯 번째까지 독출(Read 4 ~ 6)에서 컨트롤 로직(300)은 더미 데이터 1 및 2(Dummy Data 1 and 2)를 동시에 독출한다.
컨트롤 로직(300)은 매회 설정 데이터(Information Data)가 독출될 때마다 일정한 로직(Logic)에 의해 설정 데이터(Information Data)의 에러 발생 여부를 판단한다. 매트 1 및 2(MAT 1 and 2)의 데이터가 모두 패스(Pass) 처리되면, 컨트롤 로직(300)은 설정 데이터(Information Data)를 버퍼(310)에 저장하고 불휘발성 메모리 장치(1000)의 설정 초기화를 수행한다. 만약에 매트 1 및 2(MAT 1 and 2)의 데이터 중 적어도 하나가 페일(Fail) 처리되면, 설정 데이터(Information Data)는 페일(Fail) 처리되어 불휘발성 메모리 장치(1000)는 정상적으로 작동할 수 없다. 도 3에서는 독출 횟수를 여섯 번으로 정하였지만, 독출 횟수는 그 이상 또는 이하로도 정해질 수 있다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 데이터 독출 과정을 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 도 3의 방법으로 데이터 독출시 설정 데이터(Information Data)를 정상적으로 독출할 수 없는 경우가 발생한다. 다양한 이유에 의해 데이터 독출시 매트 1(MAT 1)의 메인 데이터(Main Data 1) 및 매트 2(MAT 2)의 더미 데이터(Dummy Data 2)에 계속적인 페일(Fail)이 발생할 수 있다(이하 크로스 디펙트(Cross Defect)). 도면에는 표시되지 않았지만, 데이터 독출시 매트 1(MAT 1)의 더미 데이터(Dummy Data 1) 및 매트 2(MAT 2)의 메인 데이터(Main Data 2)에 크로스 디펙트(Cross Defect)가 발생할 수 있다.
컨트롤 로직(300)은, 매트 1 및 2(MAT 1 and 2)의 데이터가 모두 패스(Pass) 처리되어야 설정 데이터(Information Data)를 패스(Pass) 처리한다. 도 3의 방법으로 데이터 독출시 크로스 디펙트(Cross Defect)가 발생하면, 매트 1 및 2(MAT 1 and 2)의 데이터 중 적어도 하나의 데이터는 반드시 페일(Fail) 처리된다. 그러면 설정 데이터(Information Data)는 페일(Fail) 처리된다. 결국 불휘발성 메모리 장치(1000)는 정상적으로 작동할 수 없다. 이러한 문제점을 해결하기 위한 방법은 도 5에서 설명한다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 데이터 독출 방법을 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 크로스 디펙트(Cross Defect)가 발생한 경우에도 설정 데이터(Information Data)가 독출될 수 있다. 첫 번째 독출(Read 1)시 컨트롤 로직(300)은 메인 데이터 1 및 2(Main Data 1 and 2)를 독출한다. 두 번째 독출(Read 2)시 컨트롤 로직(300)은 더미 데이터 1 및 2(Dummy Data 1 and 2)를 독출한다. 세 번째 독출(Read 3)시 컨트롤 로직(300)은 더미 데이터 1(Dummy Data 1) 및 메인 데이터 2(Main Data 2)를 독출한다. 네 번째 독출(Read 4)시 컨트롤 로직(300)은 메인 데이터 1(Main Data 1) 및 더미 데이터 2(Dummy Data 2)를 독출한다. 다섯 번째 독출(Read 5)시 컨트롤 로직(300)은 메인 데이터 1 및 2(Main Data 1 and 2)를 독출한다. 여섯 번째 독출(Read 6)시 컨트롤 로직(300)은 더미 데이터 1 및 2(Dummy Data 1 and 2)를 독출한다. 이러한 방법을 언페어드 리드(Unpaired Read) 방식이라고 정의하기로 한다. 도 5에서는 독출 횟수를 여섯 번으로 정하였지만, 독출 횟수는 그 이상 또는 이하로도 정해질 수 있다.
컨트롤 로직(300)은 매회 설정 데이터(Information Data)가 독출될 때마다 일정한 로직에 의해 설정 데이터(Information Data)의 에러 발생 여부를 판단한다. 매트 1 및 2(MAT 1 and 2)의 데이터가 모두 패스(Pass) 처리되면, 컨트롤 로직(300)은 설정 데이터(Information Data)를 버퍼(310)에 저장하고 불휘발성 메모리 장치(1000)의 설정 초기화를 수행한다.
만일 크로스 디펙트(Cross Defect)가 발생하더라도 언페어드 리드(Unpaired Read) 방식에 의하면 설정 데이터(Information Data)가 독출될 수 있다. 언페어드 리드(Unpaired Read) 방식에 의하면, 컨트롤 로직(300)은 세 번째 독출(Read 3)시에 매트 1(MAT 1)의 더미 데이터(Dummy Data 1)와 매트 2(MAT 2)의 메인 데이터(Main Data 2)를 같이 독출한다. 마찬가지로 네 번째 독출(Read 4)시 컨트롤 로직(300)은 매트 1(MAT 1)의 메인 데이터(Main Data 1)와 매트 2(MAT 2)의 더미 데이터(Dummy Data 2)를 같이 독출한다. 이러한 방법을 통해 매트 1 및 2(MAT 1 and 2)에서 모두 정상적인 데이터가 독출될 수 있다. 결국 크로스 디펙트(Cross Defect) 발생시에도 컨트롤 로직(300)은 설정 데이터(Information Data)를 독출할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 데이터 독출 방법을 보여주는 순서도이다. 도 6은 언페어드 리드(Unpaired Read) 방식에 의해 설정 데이터(Information Data)를 독출하는 방법을 보여준다.
S105 단계에서, 컨트롤 로직(300, 도 1 참조)은 전원 공급 신호(Power-on signal)를 수신한다. 전원 공급 신호(Power-on signal)를 수신한 컨트롤 로직(300)은 불휘발성 메모리 장치(1000)가 정상적으로 작동할 수 있도록 설정 초기화를 준비한다. 설정 초기화를 위해 컨트롤 로직(300)은 매트들(100, 200)로부터 설정 데이터(Information Data)를 독출한다.
S110 단계에서, 컨트롤 로직(300)은 첫 번째 독출(Read 1)을 실행한다. 컨트롤 로직(300)은 매트 1(100)에서 메인 데이터 1(Main Data 1)을 독출하고, 매트 2(200)에서 메인 데이터 2(Main Data 2)를 독출한다.
S115 단계에서, 컨트롤 로직(300)은 정해진 로직(Logic)에 의해 독출된 데이터의 패스(Pass) 여부를 판단한다. 메인 데이터 1 및 2(Main Data 1 and 2)가 모두 패스(Pass) 처리된 경우, S150 단계로 이동한다. 메인 데이터 1 및 2(Main Data 1 and 2) 중 적어도 하나가 페일(Fail) 처리된 경우, S120 단계로 이동한다. 메인 데이터 1 및 2(Main Data 1 and 2) 중 적어도 하나가 페일(Fail) 처리된 경우에는 설정 데이터(Information Data)가 페일(Fail) 처리되기 때문이다.
S120 단계에서, 컨트롤 로직(300)은 두 번째 독출(Read 2)을 실행한다. 컨트롤 로직(300)은 매트 1(100)에서 더미 데이터 1(Dummy Data 1)을 독출하고, 매트 2(200)에서 더미 데이터 2(Dummy Data 2)를 독출한다.
S125 단계에서, 컨트롤 로직(300)은 정해진 로직(Logic)에 의해 독출된 데이터의 패스(Pass) 여부를 판단한다. 더미 데이터 1 및 2(Dummy Data 1 and 2)가 모두 패스(Pass) 처리된 경우, S150 단계로 이동한다. 더미 데이터 1 및 2(Dummy Data 1 and 2) 중 적어도 하나가 페일(Fail) 처리된 경우, S130 단계로 이동한다.
S130 단계에서, 컨트롤 로직(300)은 세 번째 독출(Read 3)을 실행한다. 컨트롤 로직(300)은 매트 1(100)에서 더미 데이터 1(Dummy Data 1)을 독출하고, 매트 2(200)에서 메인 데이터 2(Main Data 2)를 독출한다.
S135 단계에서, 컨트롤 로직(300)은 정해진 로직(Logic)에 의해 독출된 데이터의 패스(Pass) 여부를 판단한다. 더미 데이터 1(Dummy Data 1) 및 메인 데이터 2(Main Data 2)가 모두 패스(Pass) 처리된 경우, S150 단계로 이동한다. 더미 데이터 1(Dummy Data 1) 및 메인 데이터 2(Main Data 2) 중 적어도 하나가 페일(Fail) 처리된 경우, S140 단계로 이동한다.
S140 단계에서, 컨트롤 로직(300)은 네 번째 독출(Read 4)을 실행한다. 컨트롤 로직(300)은 매트 1(100)에서 메인 데이터 1(Main Data 1)을 독출하고, 매트 2(200)에서 더미 데이터 2(Dummy Data 2)를 독출한다.
S145 단계에서, 컨트롤 로직(300)은 정해진 로직(Logic)에 의해 독출된 데이터의 패스(Pass) 여부를 판단한다. 메인 데이터 1(Main Data 1) 및 더미 데이터 2(Dummy Data 2)가 모두 패스(Pass) 처리된 경우, S150 단계로 이동한다. 메인 데이터 1(Main Data 1) 및 더미 데이터 2(Dummy Data 2) 중 적어도 하나가 페일(Fail) 처리된 경우, S110 단계로 이동하여 S110 단계부터 S145 단계까지 반복하여 수행한다.
S150 단계에서, 매트 1 및 2(100, 200)의 데이터가 모두 패스(Pass) 처리된 경우, 컨트롤 로직(300)은 설정 데이터(Information Data)를 버퍼(310)에 저장한다. 버퍼(310)는 컨트롤 로직(300)의 내부 또는 외부에 있을 수 있다. 설정 데이터(Information Data)를 저장한 컨트롤 로직(300)은 불휘발성 메모리 장치(1000)의 설정 초기화를 수행한다.
이상의 언페어드 리드(Unpaired Read) 방식에 의해 크로스 디펙트(Cross Defect) 발생시에도 컨트롤 로직(300)은 설정 데이터(Information Data)를 정상적으로 독출할 수 있다. 따라서 크로스 디펙트(Cross Defect) 발생시에도 불휘발성 메모리 장치(1000)는 작동가능하다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 데이터 독출 방법을 보여주는 순서도이다. 도 7은 데이터 독출시 매트들(100, 200)의 데이터 중 적어도 하나의 데이터가 계속 페일(Fail) 처리되어 데이터 독출 과정이 무한 반복되는 것을 방지하는 방법을 보여준다.
S210 단계에서, 컨트롤 로직(300, 도 1 참조)은 전원 공급 신호(Power-on signal)를 수신한다. 전원 공급 신호(Power-on signal)를 수신한 컨트롤 로직(300)은 불휘발성 메모리 장치(1000)가 정상적으로 작동할 수 있도록 설정 초기화를 준비한다. 설정 초기화를 위해 컨트롤 로직(300)은 매트들(100, 200)로부터 설정 데이터(Information Data)를 독출한다.
S220 단계에서, 컨트롤 로직(300)은 도 5 및 도 6에서 살펴본 언페어드 리드(Unpaired Read) 방식으로 매트들(100, 200)로부터 설정 데이터(Information Data)를 독출한다.
S230 단계에서, 컨트롤 로직(300)은 정해진 로직(Logic)에 의해 독출된 데이터의 패스(Pass) 여부를 판단한다. 매트들(100, 200)에서 독출된 데이터들이 모두 패스(Pass) 처리되면, S240 단계로 이동한다. 매트들(100, 200)에서 독출된 데이터들 중 적어도 하나의 데이터가 페일(Fail) 처리되면, S250 단계로 이동한다.
S240 단계에서, 매트들(100, 200)에서 독출된 데이터들이 모두 패스(Pass) 처리된 경우, 컨트롤 로직(300)은 설정 데이터(Information Data)를 버퍼(310)에 저장한다. 버퍼(310)는 컨트롤 로직(300)의 내부 또는 외부에 있을 수 있다. 그리고 컨트롤 로직(300)은 불휘발성 메모리 장치(1000)의 설정 초기화를 수행한다.
S250 단계에서, 매트들(100, 200)에서 독출된 데이터들 중 적어도 하나의 데이터가 페일(Fail) 처리된 경우, 컨트롤 로직(300)은 데이터 독출 횟수를 확인한다. 만약에 데이터 독출 횟수가 최대 독출 횟수보다 이하이면, S220 단계로 이동한다. S220 단계부터 S230 단계까지가 반복해서 수행된다. 만약에 데이터 독출 횟수가 최대 독출 횟수보다 초과이면, S260 단계로 이동한다.
S260 단계에서, 데이터 독출 횟수가 최대 독출 횟수보다 초과이면, 컨트롤 로직(300)은 더 이상 독출 동작을 수행하지 않고, 불휘발성 메모리 장치(1000)의 설정 초기화 실패로 처리한다. 컨트롤 로직(300)이 데이터 독출 동작을 무한 반복하는 것을 방지하기 위함이다.
이상에서는 컨트롤 로직(300)이 설정 데이터(Information Data)를 독출하는 과정을 설명하였다. 하지만 설정 데이터(Information Data)가 아닌 유저 데이터(User Data)도 중요한 경우가 있다. 이러한 경우 유저 데이터(User Data)도 매트들(100, 200)에 나누어 저장되고, 각각의 매트(100, 200)에 메인 데이터(Main Data) 및 더미 데이터(Dummy Data)가 같은 내용을 중복하여 저장될 수 있다. 그러므로 언페어드 리드(Unpaired Read) 방식은 설정 데이터(Information Data)의 독출시에만 국한되지 않고, 모든 데이터의 독출시에 적용될 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100, 200 : 매트
110, 210 : 셀 어레이
120, 220 : 행 디코더
130, 230 : 페이지 버퍼
300 : 컨트롤 로직
310 : 버퍼
1000 : 불휘발성 메모리 장치

Claims (9)

  1. 불휘발성 메모리 장치의 데이터 독출 방법에 있어서:
    전원 공급 신호를 수신하는 단계;
    상기 전원 공급 신호에 따라 제 1 메인 데이터 및 제 2 메인 데이터를 독출하는 단계;
    상기 제 1 및 제 2 메인 데이터 중 적어도 하나의 데이터가 독출 실패된 경우, 제 1 더미 데이터 및 제 2 더미 데이터를 독출하는 단계;
    상기 제 1 및 제 2 더미 데이터 중 적어도 하나의 데이터가 독출 실패된 경우, 상기 제 1 더미 데이터 및 상기 제 2 메인 데이터를 독출하는 단계;
    상기 제 1 더미 데이터 및 상기 제 2 메인 데이터 중 적어도 하나의 데이터가 독출 실패된 경우, 상기 제 1 메인 데이터 및 상기 제 2 더미 데이터를 독출하는 단계; 그리고
    상기 제 1 메인 데이터 및 상기 제 2 더미 데이터가 모두 독출 성공된 경우, 상기 제 1 메인 데이터 및 상기 제 2 더미 데이터를 상기 불휘발성 메모리 장치의 버퍼에 저장하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 메인 및 제 1 더미 데이터는 상기 불휘발성 메모리 장치의 제 1 매트에 저장되고, 상기 제 2 메인 및 제 2 더미 데이터는 상기 불휘발성 메모리 장치의 제 2 매트에 저장되는 데이터 독출 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 메인 데이터 및 제 2 메인 데이터를 독출하는 단계에서, 상기 제 1 및 제 2 메인 데이터가 모두 독출 성공된 경우, 상기 제 1 및 제 2 메인 데이터는 상기 불휘발성 메모리 장치의 버퍼에 저장되는 데이터 독출 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 더미 데이터 및 제 2 더미 데이터를 독출하는 단계에서, 상기 제 1 및 제 2 더미 데이터가 모두 독출 성공된 경우, 상기 제 1 및 제 2 더미 데이터는 상기 불휘발성 메모리 장치의 버퍼에 저장되는 데이터 독출 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 더미 데이터 및 상기 제 2 메인 데이터를 독출하는 단계에서, 상기 제 1 더미 데이터 및 상기 제 2 메인 데이터가 모두 독출 성공된 경우, 상기 제 1 더미 데이터 및 상기 제 2 메인 데이터는 상기 불휘발성 메모리 장치의 버퍼에 저장되는 데이터 독출 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 메인 데이터 및 상기 제 2 더미 데이터를 독출하는 단계에서, 상기 제 1 메인 데이터 및 상기 제 2 더미 데이터 중 적어도 하나의 데이터가 독출 실패된 경우, 상기 제 1 및 제 2 메인 데이터가 독출되는 데이터 독출 방법.
  6. 불휘발성 메모리 장치의 데이터 독출 방법에 있어서:
    전원 공급 신호를 수신하는 단계;
    상기 전원 공급 신호에 따라 언페어드 리드(Unpaired Read) 방식으로 제 1 데이터 및 제 2 데이터를 독출하는 단계;
    상기 제 1 및 제 2 데이터 중 적어도 하나의 데이터가 독출 실패된 경우, 상기 제 1 및 제 2 데이터의 독출 횟수를 확인하는 단계; 그리고
    상기 제 1 및 제 2 데이터의 독출 횟수가 최대 독출 횟수를 초과하는 경우, 불휘발성 메모리 장치의 설정 초기화를 실패 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 데이터는 상기 불휘발성 메모리 장치의 제 1 매트에 저장되고, 상기 제 2 데이터는 상기 불휘발성 메모리 장치의 제 2 매트에 저장된 데이터 독출 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 데이터 및 제 2 데이터를 독출하는 단계에서, 상기 제 1 및 제 2 데이터가 모두 독출 성공된 경우, 상기 제 1 및 제 2 데이터는 상기 불휘발성 메모리 장치의 버퍼에 저장되는 데이터 독출 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 데이터의 독출 횟수를 확인하는 단계에서, 상기 제 1 및 제 2 데이터의 독출 횟수가 최대 독출 횟수보다 이하인 경우, 언페어드 리드(Unpaired Read) 방식으로 상기 제 1 및 제 2 데이터가 독출되는 데이터 독출 방법.
  9. 제 1 메인 데이터와 제 1 더미 데이터를 저장하는 제 1 매트;
    제 2 메인 데이터와 제 2 더미 데이터를 저장하는 제 2 매트;
    상기 제 1 및 제 2 매트에서 언페어드 리드(Unpaired Read) 방식으로 데이터를 독출하는 컨트롤 로직; 그리고
    상기 컨트롤 로직에 의해 독출된 데이터를 저장하는 버퍼를 포함하고,
    상기 제 1 메인 및 제 1 더미 데이터의 내용은 같고, 상기 제 2 메인 및 제 2 더미 데이터의 내용은 같은 불휘발성 메모리 장치.
KR1020130008114A 2013-01-24 2013-01-24 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 독출 방법 KR102024661B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130008114A KR102024661B1 (ko) 2013-01-24 2013-01-24 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 독출 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130008114A KR102024661B1 (ko) 2013-01-24 2013-01-24 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 독출 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140095656A true KR20140095656A (ko) 2014-08-04
KR102024661B1 KR102024661B1 (ko) 2019-09-25

Family

ID=51743929

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130008114A KR102024661B1 (ko) 2013-01-24 2013-01-24 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 독출 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102024661B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11003393B2 (en) 2019-07-31 2021-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method of controlling initialization of the same
US11056200B2 (en) 2019-07-31 2021-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method of controlling initialization of the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230022060A (ko) 2021-08-06 2023-02-14 삼성전자주식회사 설정 데이터를 저장하는 메모리 장치 및 그 동작방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7096351B2 (en) * 2002-07-10 2006-08-22 Nec Electronics Corporation Single-chip microcomputer and boot region switching method thereof
KR20140020056A (ko) * 2012-08-07 2014-02-18 삼성전자주식회사 불휘발성 랜덤 액세스 메모리 및 낸드 플래시 메모리를 포함하는 메모리 시스템의 동작 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7096351B2 (en) * 2002-07-10 2006-08-22 Nec Electronics Corporation Single-chip microcomputer and boot region switching method thereof
KR20140020056A (ko) * 2012-08-07 2014-02-18 삼성전자주식회사 불휘발성 랜덤 액세스 메모리 및 낸드 플래시 메모리를 포함하는 메모리 시스템의 동작 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11003393B2 (en) 2019-07-31 2021-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method of controlling initialization of the same
US11056200B2 (en) 2019-07-31 2021-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method of controlling initialization of the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102024661B1 (ko) 2019-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108804041B (zh) 非易失性存储器装置及其操作系统(os)图像处理方法
KR102318237B1 (ko) 메모리 디바이스들의 소프트 포스트 패키지 리페어
US8243515B2 (en) Read compensation circuits and apparatus using same
US20180052732A1 (en) Semiconductor device and semiconductor system
US8656252B2 (en) Memory controller and non-volatile storage device
CN107146639B (zh) 半导体存储装置及存储器系统
US20160070507A1 (en) Memory system and method of controlling memory device
JP2009043389A (ja) フラッシュメモリ素子及びその動作方法
CN107919160B (zh) 测试单元阵列的方法及执行其的半导体器件
CN105321571B (zh) 数据储存装置及其操作方法
US20150248322A1 (en) Memory controller and memory system
CN110597648B (zh) 存储器控制器和包括该存储器控制器的存储器系统
KR20170035983A (ko) 고체 상태 드라이브의 전송 버퍼 사용률을 향상시키기 위해 nand 페이지 버퍼들을 사용하는 방법 및 시스템
US20190057026A1 (en) Data storage device and operating method thereof
US10186302B2 (en) Semiconductor systems performing double-write operations and methods of operating the same
KR102024661B1 (ko) 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 독출 방법
TW201329984A (zh) 用於包含記憶體裝置及系統的半導體裝置之設定資料儲存
US9286996B2 (en) Non-volatile memory system and method of programming the same
US9607704B2 (en) Data reading method, memory controlling circuit unit and memory storage device
US20140198593A1 (en) Redundancy circuit and semiconductor memory device including the same
CN109840224B (zh) 存储器系统及其操作方法
US11188485B2 (en) Memory system and operating method thereof
US9064605B2 (en) Semiconductor system and method for reparing the same
US9123407B2 (en) Devices and methods for deciding data read start
US10713137B2 (en) Memory module

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant