KR20140092155A - Anti-static base film for mold underfill process - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 대전방지성을 갖는 몰드 언더필 공정용 기재필름에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기재필름의 일면 또는 양면에 전도성 고분자 물질을 도포하여 높은 대전방지성을 구현하고 우수한 고온 압축율을 갖는 기재필름을 적용하여 범프(Bump) 변형을 방지하고 기포(Void) 발생률을 낮춰 패키지 신뢰성을 향상시킬 수 있는 대전방지성을 갖는 몰드 언더필 공정용 기재필름에 관한 것이다.The present invention relates to a base film for mold underfilling which has antistatic property, and more particularly, to a base film for a mold underfill process which has a high antistatic property by coating a conductive polymeric material on one side or both sides of a base film, To a substrate underfill for mold underfill which has antistatic properties that can prevent bump deformation and lower the rate of occurrence of voids to improve package reliability.
일반적으로, 몰드 언더필(Molded Underfill, MUF) 공정이란 차세대 적용 기술로 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound, EMC)를 이용하여 플립칩 갭(Gap)을 채우는 동시에 칩을 캡슐화하는 방법이다. In general, a molded underfill (MUF) process is a next-generation application technology that encapsulates a chip while filling a flip-chip gap by using an epoxy molding compound (EMC).
이러한 몰드 언더필공정에는 점착마스킹테이프가 사용되어 EMC로 인한 몰드 체이스 오염방지 및 칩 사이로 EMC가 흘러나오지 않게 하는 역할을 한다. 따라서 점착테이프의 물성이 몰드 언더필 공정에 중요한 영향을 미치게 된다.Adhesive masking tape is used in these mold underfill processes to prevent mold chase contamination due to EMC and to prevent EMC from flowing between chips. Therefore, the physical properties of the adhesive tape have an important influence on the mold underfill process.
위와 같은 몰드 언더필용 점착 마스킹 테이프로 본 출원인은 한국 공개특허공보 제10-2012-0084501호에 "다이 익스포즈드 플립칩 패키지(ＤＥＦＣＰ)의 몰드 언더필 공정용 점착 마스킹 테이프"를 제시한 바 있다. 상기 출원에서는 기존의 PET-필름 기재의 몰드 오염 문제를 개선하기 위하여 올리고머 용출특성이 낮은 PEN-필름을 기재로 사용하고, 우수한 이형 특성 및 내열성을 갖는 아크릴 이형 점착층을 포함하는 구조가 제안한 바 있다. 또한 한국 등록특허 제10-1209552호에서는 기존의 DEFCP(Die Exposed Flip Chip Package)의 몰드 언더필용 점착 마스킹 테이프의 우수한 몰드 오염 방지 특성은 그대로 유지하되 표면경도 조절 및 경화제 종류 변경을 통하여 PCB 표면 점착제 잔사(residue) 방지 및 봉지재(EMC) 종류에 따른 표면 얼룩 방지 특성을 갖는 개선된 아크릴 이형 점착층을 구성함으로써 상기 문제점을 해결하는 발명을 제안한 바 있다. With the above-mentioned adhesive masking tape for mold underfill, the present applicant has proposed a pressure-sensitive adhesive masking tape for a mold underfill process of a die-exposed flip chip package (DEFCP) in Korean Patent Publication No. 10-2012-0084501. In the above application, a structure including an acryl-type adhesive layer having excellent mold releasing property and heat resistance using a PEN-film having a low oligomer elution property as a substrate has been proposed in order to solve mold contamination problem of existing PET- . In Korean Patent No. 10-1209552, the excellent mold-preventing property of the conventional adhesive masking tape for underfill of mold of DEFCP (Die Exposed Flip Chip Package) is maintained, but the surface hardness of the adhesive residue of the PCB surface adhesive residue the present inventors have proposed an invention for solving the above problems by constituting an improved acrylic release type adhesive layer having characteristics of preventing residue and preventing surface unevenness according to kinds of encapsulant (EMC).
위와 같이 기존의 발명은 주로 고내열 아크릴 점착층 설계 및 몰드체이스 오염 방지에 관한 연구가 주로 이루어져왔다. As described above, the conventional invention mainly deals with the design of the high heat resistant acrylic adhesive layer and the prevention of mold chase contamination.
그러나 최근에는 정전기 발생에 따른 단락(Shortage) 현상을 방지하기 위해 소재에 대한 대전방지특성이 요구되고 있으며 또한 패키지 신뢰성에 대한 요구가 점점 증가함에 따라 일부 신뢰성 평가 항목들은 점착층 개선으로 해결할 수 있는데 한계가 있음을 확인하였다.In recent years, however, antistatic properties of materials have been required to prevent shorting due to the generation of static electricity, and some reliability evaluation items can be solved by improving the adhesive layer as the demand for package reliability increases. .
이에 본 발명자들은 일면 또는 양면에 전도성 고분자 물질이 도포되어 있고 우수한 고온 압축율을 갖는 기재필름 적용을 통해 우수한 대전방지특성 및 패키지 신뢰성을 향상시킬 수 있음을 확인하고 본 발명을 완성하기에 이르렀다.Accordingly, the inventors of the present invention have completed the present invention by confirming that excellent antistatic characteristics and package reliability can be improved through application of a conductive polymeric material on one side or both sides and application of a substrate film having an excellent high temperature compression ratio.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 전도성 고분자 물질을 도포하여 낮은 표면저항 및 정전기 발생을 방지하여 우수한 대전방지성을 갖는 몰드 언더필 공정용 기재필름을 제공하고자 하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a base film for a mold underfill process which is excellent in antistatic property by applying a conductive polymer material to prevent low surface resistance and generation of static electricity .
또한 본 발명의 다른 목적은 고온에서 압축률이 우수하고 적절한 영률을 갖는 기재필름을 적용하여 몰드 언더필 공정에서 EMC 흐름 불균형(Flow imbalance)을 감소시켜 기포 발생률을 최소화하고 범프 눌림 및 크랙(Crack)을 방지할 수 있는 대전방지성을 갖는 몰드 언더필 공정용 기재필름을 제공하고자 하는 것이다.Another object of the present invention is to minimize the bubble generation rate and to prevent bump pressures and cracks by reducing EMC imbalance (flow imbalance) in the mold underfill process by applying a substrate film having excellent compression ratio at a high temperature and having a proper Young's modulus And to provide a base film for a mold underfill process having antistatic properties.
본 발명의 상기 및 다른 목적과 이점은 바람직한 실시예를 설명한 하기의 설명으로부터 보다 분명해 질 것이다.These and other objects and advantages of the present invention will become more apparent from the following description of a preferred embodiment thereof.
상기 목적은, 160 ~ 180℃에서 두께방향 고온 압축율이 60 ~ 80%이고 영률이 40 ~ 80MPa인 내열성 기재필름과, 상기 내열성 기재필름의 적어도 일면에 전도성 고분자가 도포되어 형성된 대전방지층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 대전방지성을 갖는 몰드 언더필 공정용 기재필름에 의해 달성된다.The object of the present invention is to provide a heat resistant base film having a high temperature compression ratio of 60 to 80% in a thickness direction at a temperature of 160 to 180 DEG C and a Young's modulus of 40 to 80 MPa and an antistatic layer formed by applying a conductive polymer on at least one surface of the heat resistant base film The present invention also provides a substrate for a mold underfill process having antistatic properties.
여기서, 상기 대전방지층의 표면저항은 108Ω/□ 이하인 것을 특징으로 한다. Here, the antistatic layer has a surface resistance of 10 8 ? /? Or less.
바람직하게는, 상기 전도성 고분자는 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene) 및 폴리설퍼니트리드(poly sulfur nitride)로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 한다. Preferably, the conductive polymer is at least one selected from the group consisting of polyacetylene, polyaniline, polypyrrole, polythiophene, and poly sulfur nitride. .
바람직하게는, 상기 기재필름은 폴리이미드 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 에틸렌테트라플루온에틸렌 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름 및 폴리 올레핀 필름으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 한다. Preferably, the base film is any one selected from the group consisting of a polyimide film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, an ethylene tetrafluoroethylene film, a polybutylene terephthalate film and a polyolefin film .
바람직하게는, 상기 전도성 고분자의 도포 두께는 100nm~2㎛인 것을 특징으로 한다.Preferably, the coating thickness of the conductive polymer is 100 nm to 2 占 퐉.
바람직하게는, 상기 기재필름은 내열성 기재로서 두께가 10 ~ 100㎛인 것을 특징으로 한다.Preferably, the base film is a heat-resistant base material having a thickness of 10 to 100 占 퐉.
본 발명에 따르면, 표면저항이 낮은 전도성 고분자를 도포하여 필름 장착 시 정전기 발생 가능성을 차단함으로써 패키지의 단락 현상(Leakage)을 방지할 수 있고, 또한 고온에서 압축률이 높아 몰드 언더필 공정에서 EMC 흐름 속도를 제어함으로써 EMC 흐름 불균형에 의한 기포 발생(void trap)을 최소화하여 추후 흡습에 의한 void swelling과 같은 패키지 신뢰성에 영향을 줄 수 있는 문제의 발생 빈도를 낮출 수 있으며, 또한 적절한 수준의 영률을 확보하여 범프 눌림 및 크랙을 방지함으로써 패키지 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있는 등의 효과를 가진다.According to the present invention, it is possible to prevent leakage of a package by coating a conductive polymer having a low surface resistance and block the possibility of static electricity when a film is attached, and also to provide a high compression ratio at a high temperature, It is possible to minimize the void trap caused by the unbalance of the EMC flow, thereby reducing the frequency of occurrence of problems that may affect package reliability such as void swelling due to moisture absorption, It is possible to greatly improve the package reliability by preventing the pressing and cracking.
도 1은 본 발명의 몰드 언더필 공정용 기재필름에 대한 모식적 단면도이다.
도 2는 다이익스포즈드 플립칩 패키지의 몰드 언더필(MUF) 공정에서 압축률이 낮아 벤트 홀 높이가 높은 경우를 도시한 모식도이이다.
도 3은 다이익스포즈드 플립칩 패키지의 몰드 언더필(MUF) 공정에서 압축률이 높아 벤트 홀 높이가 낮은 경우를 도시한 모식도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a mold underfill process substrate of the present invention. FIG.
FIG. 2 is a schematic diagram showing a case in which the vent hole height is high due to a low compression ratio in a mold underfill (MUF) process of a die-exposed flip chip package.
3 is a schematic diagram showing a case where the vent hole height is low due to a high compression ratio in a mold underfill (MUF) process of a die-expose flip chip package.
이하, 본 발명의 실시예와 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 제시한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가지는 자에 있어서 자명할 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments and drawings of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that these embodiments are provided by way of illustration only for the purpose of more particularly illustrating the present invention and that the scope of the present invention is not limited by these embodiments .
본 발명에 따른 대전방지성을 갖는 몰드 언더필 공정용 기재필름은, 도 1에 도시된 바와 같이, 160 ~ 180℃에서 두께방향 고온 압축율이 60 ~ 80%이고 영률이 40 ~ 80MPa인 내열성 기재필름(10)과, 상기 내열성 기재필름의 적어도 일면에 전도성 고분자가 도포되어 형성된 대전방지층(11)을 포함하는 것을 특징으로 한다.As shown in Fig. 1, the base film for mold underfill according to the present invention has a heat resistant base material film having a high temperature compression ratio in the thickness direction of 60 to 80% and a Young's modulus of 40 to 80 MPa at 160 to 180 占 폚 10), and an antistatic layer (11) formed by applying a conductive polymer on at least one side of the heat resistant base film.
이하, 각 구성요소에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, each component will be described in detail.
1. 전도성 고분자1. Conductive polymer
본 발명의 몰드 언더필(Molded Underfill, MUF) 공정용 기재필름은 내열성 기재필름과 상기 내열성 기재필름의 일면 또는 양면에 표면저항이 108Ω/□ 이하인 전도성 고분자가 도포되어 대전방지층을 형성한 것을 특징으로 한다. 상기 전도성 고분자의 표면저항이 108Ω/□를 초과할 경우 점착층을 도포하였을 때 표면저항이 높아져 대전방지 특성이 제대로 구현이 되지 않을 수 있다.The base film for a mold underfill (MUF) process of the present invention is characterized in that an antistatic layer is formed by applying a conductive polymer having a surface resistance of 10 8 ? /? Or less on one surface or both surfaces of the heat resistant base film and the heat resistant base film . When the surface resistivity of the conductive polymer exceeds 10 8 Ω / □, the surface resistance increases when the adhesive layer is applied, so that the antistatic property may not be realized properly.
또한 상기 전도성 고분자의 도포 두께는 통상 100nm~2㎛ 이며, 바람직하게는 300nm ~1㎛이다. 100nm 미만일 경우 대전방지 특성이 구현되지 않을 수 있으며 2㎛를 초과할 경우 점착층과의 계면접착력이 부족하여 점착층과 박리될 가능성이 있다.The coating thickness of the conductive polymer is usually 100 nm to 2 占 퐉, preferably 300 nm to 1 占 퐉. If it is less than 100 nm, the antistatic property may not be realized, and if it is more than 2 탆, the interfacial adhesion with the adhesive layer is insufficient and there is a possibility of peeling off from the adhesive layer.
상기 전도성 고분자는 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene) 및 폴리설퍼니트리드(poly sulfur nitride)로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것이 바람직하다.It is preferable that the conductive polymer is at least one selected from the group consisting of polyacetylene, polyaniline, polypyrrole, polythiophene, and polysulfuronitride.
본 발명에서는 유연성, 가공성, 산화방지성, 내열성 및 가격적인 특성을 고려하여 상기 전도성 고분자를 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.In the present invention, the conductive polymers may be used singly or in combination of two or more thereof in consideration of flexibility, workability, antioxidation resistance, heat resistance and price characteristics.
2. 고온 압축율2. High Temperature Compression Ratio
본 발명의 MUF 공정용 기재필름은 두께방향 고온 압축율이 60 ~ 80%인 것을 특징으로 한다. 고온 압축율이 60% 미만이면 필름이 덜 눌리면서 몰드체이스 상판의 클램프 압력이 낮아진다. 따라서 몰드체이스 상/하판이 맞물렸을 때 기포(Void)가 빠져나가는 통로인 벤트 홀(Vent hole)이 많이 열리므로 상대적으로 몰드체이스 내부 압력이 낮아진다. 따라서 베르누이 방정식에 의해 압력이 낮아지면 상대적으로 속도가 빨라지므로 EMC 흐름 불균형이 가속화되어 두 가지 EMC 흐름의 경화속도 차이에 의해 미쳐 빠져나가지 못한 기포가 내부에 트랩(trap)되는 문제가 발생한다.The base film for MUF process of the present invention is characterized by having a high temperature compression ratio in the thickness direction of 60 to 80%. If the high temperature compression ratio is less than 60%, the film pressure is lowered and the clamp pressure of the mold chase top plate is lowered. Therefore, when the upper / lower plate of the mold chase is engaged, the vent hole, which is a passage through which the bubble escapes, is opened a lot, so that the pressure inside the mold chase is relatively lowered. Therefore, when the pressure is lowered by the Bernoulli equation, the speed of the fluid is relatively increased. As a result, the unbalance of the EMC flow is accelerated and the bubbles which are not leaked out due to the difference of the curing speeds of the two EMC flows are trapped inside.
반대로 고온 압축율이 80%를 초과하면 필름이 너무 많이 눌려 필름이 찢어지거나 벤트 홀을 막아 내부의 기포가 외부로 빠져나가지 못하는 문제가 발생할 수 있다.On the other hand, if the high temperature compression ratio exceeds 80%, the film may be excessively pressed and the film may be torn or the vent hole may be blocked, so that the internal bubble can not escape to the outside.
도 2와 도 3은 필름 압축율에 따른 벤트 홀(vent hole) 크기와의 상관관계를 나타낸 모식도로서, 도 2는 다이익스포즈드 플립칩 패키지의 몰드 언더필(MUF) 공정에서 압축률이 낮아 벤트 홀 높이가 높은 경우를 도시한 모식도이고, 도 3은 다이익스포즈드 플립칩 패키지의 몰드 언더필(MUF) 공정에서 압축률이 높아 벤트 홀 높이가 낮은 경우를 도시한 모식도이다.FIGS. 2 and 3 are schematic diagrams showing the correlation with the vent hole size according to the film compression ratio. FIG. 2 is a graph showing the relationship between the vent hole size and the vent hole height in the mold underfill (MUF) process of the die- FIG. 3 is a schematic diagram showing a case where the vent hole height is low due to a high compression ratio in a mold underfill (MUF) process of a die-exposed flip chip package. FIG.
3. 영률(Young's modulus)3. Young's modulus
본 발명의 MUF 공정용 기재필름은 두께방향 영률(Young's modulus)이 40 ~ 80MPa 인 것을 특징으로 한다. 영률이 40MPa 미만이면 필름이 너무 부드러워(Soft)하여 몰드체이스 상판에 Vacuum Feeding 시 밀착되지 않고 필름이 쳐지는 문제가 발생하거나 EMC 흐름 압력에 의해 변형이 많이 일어나 상대적으로 EMC 흐름 압력이 범프(Bump)쪽으로 집중되어 크랙(Crack)을 발생시킬 수 있다. 반대로 80MPa을 초과하면 필름이 너무 딱딱하여 굴곡성이 나오지 않아 몰드체이스 dent에 꺾이지 않고 필름이 들뜨는 문제가 발생할 수 있다.The MUF process base film of the present invention is characterized by having a Young's modulus in the thickness direction of 40 to 80 MPa. When the Young's modulus is less than 40 MPa, the film is too soft (soft) and the film is not adhered to the mold chase upper plate due to vacuum feeding, or the EMC flow pressure is deformed due to the flow pressure, So that cracks can be generated. On the contrary, when the film thickness is more than 80 MPa, the film is too hard and the film is not broken by the mold chase dent.
4. 기재필름4. Base film
상기 기재필름은 폴리이미드 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 에틸렌테트라플루온에틸렌 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름 및 폴리 올레핀 필름으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것이 바람직하다. 상기 기재필름의 두께는 통상 10~100㎛이며, 바람직하게는 10~50㎛, 더욱 바람직하게는 두께는 25~50㎛이다.It is preferable that the base film is any one selected from the group consisting of a polyimide film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, an ethylene tetrafluoroethylene film, a polybutylene terephthalate film and a polyolefin film. The thickness of the base film is usually 10 to 100 占 퐉, preferably 10 to 50 占 퐉, and more preferably 25 to 50 占 퐉.
또한 상기 기재필름은 내열성 기재로서 대전방지층 및/또는 점착층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해서 매트처리, 코로나 방전처리, 프라이머 처리 및 가교결합 처리와 같은 통상적인 물리 또는 화학적인 표면처리가 실시될 수 있다.In addition, the base film is subjected to conventional physical or chemical surface treatment such as mat treatment, corona discharge treatment, primer treatment and crosslinking treatment in order to improve the adhesion and maintainability with the antistatic layer and / or the adhesive layer as the heat resistant base material .
이하, 실시예와 비교예를 통하여 본 발명의 구성 및 그에 따른 효과를 보다 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 본 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the structure and effect of the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples. However, this embodiment is intended to explain the present invention more specifically, and the scope of the present invention is not limited to these embodiments.
먼저, 하기 실시예에 사용된 폴리에틸렌테레프탈레이트 PET A, PET B, PET C 및 PET D와 비교예에 사용된 에틸렌테트라플루온에틸렌과 폴리이미드의 두께 및 물성은 아래 표 1과 같다.The thickness and physical properties of polyethylene terephthalate PET A, PET B, PET C and PET D used in the following Examples and ethylene terephlonate ethylene and polyimide used in Comparative Examples are shown in Table 1 below.
제조예Manufacturing example : 아크릴 이형 점착제의 제조 : Preparation of Acrylic Dye Type Adhesive
아크릴계 공중합체(삼원, AT5100) 100 중량부(고형분 기준)에 대하여 에틸아세테이트(EA) 600 중량부를 투입하고 1시간 교반한 후 에너지선 경화형 올리고머 수지인 알리파틱 폴리우레탄 아크릴레이트 (일본합성, UV7600B80) 25 중량부(고형분 기준), 실리콘 헥사아크릴레이트 (CYTEC, EB1360) 2 중량부(고형분 기준), 알아크릴 포스파인계 광개시제 (CYTEC, DAROCUR TPO) 1 중량부를 혼합하여 1시간 교반하고, 멜라민계 열 경화제(삼원, SM-20) 5 중량부(고형분 기준), 유기산계 열 경화촉진제(삼원, A-20) 3 중량부(고형분 기준)를 투입하여 1시간 추가 교반하여 아크릴 이형 점착제를 제조하였다.600 parts by weight of ethyl acetate (EA) was added to 100 parts by weight (based on solids) of an acrylic copolymer (SILON, AT5100) and stirred for 1 hour. Then, an aliphatic polyurethane acrylate (UV7600B80, 1 part by weight of an acryl-phosphine-based photoinitiator (CYTEC, DAROCUR TPO) of 2 parts by weight (based on solid content) of silicone hexaacrylate (CYTEC, EB1360) 5 parts by weight of a curing agent (Samwon, SM-20) (based on solid content) and 3 parts by weight (based on solid content) of an organic acid type thermosetting accelerator (Samwon, A-20) were added and further stirred for 1 hour to prepare an acrylic pressure-sensitive adhesive.
[실시예 1][Example 1]
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET A, TAK) 50㎛의 일면에 105Ω/□의 전도성 고분자(PEDOT:PSS)를 1㎛로 도포한 면에 제조예에서 제조된 아크릴 이형 점착제를 10㎛ 코팅한 후 150℃에서 5분간 건조한 후 경화를 진행하여 마스킹 테이프를 제조하였다.A polyethylene terephthalate (PET A, TAK) was coated on one surface of a 50 μm-thick conductive polymer (PEDOT: PSS) of 10 5 Ω / Lt; 0 > C for 5 minutes, and then cured to prepare a masking tape.
[실시예 2][Example 2]
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET B, TAK) 38㎛의 양면에 108Ω/□의 전도성 고분자(PEDOT:PSS)를 1 ㎛로 도포한 면에 제조예에서 제조된 아크릴 이형 점착제를 10 ㎛ 코팅 후 150℃에서 5분간 건조한 후 경화를 진행하여 마스킹 테이프를 제조하였다.The acrylic pressure-sensitive adhesive prepared in Preparation Example was coated on a surface of 1 μm of conductive polymer (PEDOT: PSS) of 10 8 Ω / □ on both sides of 38 μm of polyethylene terephthalate (PET B, TAK) For 5 minutes, and then hardened to prepare a masking tape.
[실시예 3][Example 3]
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET C, TAK) 25㎛의 일면에 105Ω/□의 전도성 고분자(PEDOT:PSS)를 1 ㎛로 도포한 면에 제조예에서 제조된 아크릴 이형 점착제를 10 ㎛ 코팅 후 150℃에서 5분간 건조한 후 경화를 진행하여 마스킹 테이프를 제조하였다.Polyethylene terephthalate (PET C, TAK) to one side of 25
[실시예 4][Example 4]
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET D, TAK) 50㎛의 양면에 106Ω/□의 전도성 고분자(PEDOT:PSS)를 1 ㎛로 도포한 면에 제조예에서 제조된 아크릴 이형 점착제를 10 ㎛ 코팅 후 150℃에서 5분간 건조한 후 경화를 진행하여 마스킹 테이프를 제조하였다.On the surface of polyethylene terephthalate (PET D, TAK) coated with 1 탆 of conductive polymer (PEDOT: PSS) of 10 6 Ω / □ on both sides of 50 탆, 10 탆 of acrylic pressure- For 5 minutes, and then hardened to prepare a masking tape.
[실시예 5][Example 5]
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET D, TAK) 25㎛의 일면에 106Ω/□의 전도성 고분자(PEDOT:PSS)를 1 ㎛로 도포한 면에 제조예에서 제조된 아크릴 이형 점착제를 10 ㎛ 코팅 후 150℃에서 5분간 건조한 후 경화를 진행하여 마스킹 테이프를 제조하였다.On the surface of polyethylene terephthalate (PET D, TAK) having a thickness of 25 탆, a conductive polymer (PEDOT: PSS) having a resistivity of 10 6 Ω / For 5 minutes, and then hardened to prepare a masking tape.
[비교예 1][Comparative Example 1]
에틸렌테트라플루온에틸렌 50㎛의 일면에 105Ω/□의 전도성 고분자 (PEDOT:PSS)를 1 ㎛로 도포한 면에 제조예에서 제조된 아크릴 이형 점착제를 10 ㎛ 코팅 후, 150℃에서 5분간 건조한 후 경화를 진행하여 마스킹 테이프를 제조하였다.Ethylenetetrafluoroethylene The acrylic pressure-sensitive adhesive prepared in Preparation Example was coated on the surface of 1 μm of conductive polymer (PEDOT: PSS) of 10 5 Ω / □ on one side of 50 μm and coated on the side of 10 μm, After drying, curing was carried out to prepare a masking tape.
[비교예 2][Comparative Example 2]
폴리이미드 25㎛의 양면에 108Ω/□의 전도성 고분자(PEDOT:PSS)를 1 ㎛로 도포한 면에 제조예에서 제조된 아크릴 이형 점착제를 10㎛ 코팅 후 150℃에서 5분간 건조한 후 경화를 진행하여 마스킹 테이프를 제조하였다.The acrylic pressure-sensitive adhesive prepared in Preparation Example was coated on a surface of 1 μm of a conductive polymer (PEDOT: PSS) of 10 8 Ω / □ on both sides of a polyimide of 25 μm and dried at 150 ° C. for 5 minutes. To prepare a masking tape.
[비교예 3][Comparative Example 3]
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET B, TAK) 38㎛의 단면에 1010Ω/□의 표면저항을 갖는 계면활성제를 1 ㎛로 도포한 면에 아크릴 이형 점착제를 10 ㎛ 코팅 후 150℃에서 분간 건조한 후 경화를 진행하여 마스킹 테이프를 제조하였다.Polyethylene terephthalate (PET B, TAK) to the end face of 38
[비교예 4][Comparative Example 4]
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET B, TAK) 38㎛의 단면에 108Ω/□의 전도성 고분자 (PEDOT:PSS)를 4 ㎛로 도포한 면에 에 아크릴 이형 점착제를 10㎛ 코팅 후 150℃에서 분간 건조한 후 경화를 진행하여 마스킹 테이프를 제조하였다.Polyethylene terephthalate (PET B, TAK) to the end face of 38
상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 4에 따른 몰드 언더필 공정용 기재필름을 사용하여 다음과 같은 실험예를 통해 물성을 측정하고 그 결과를 다음 표 2에 나타내었다.The properties of the substrate films for underfill molding according to Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4 were measured by the following experimental examples and the results are shown in Table 2 below.
[실험예][Experimental Example]
1. 표면저항1. Surface resistance
표면저항측정기(Advantest, R8340A)를 이용하여 전압 100V 인가 시, 점착필름의 표면저항을 측정하였다.When a voltage of 100 V was applied using a surface resistance meter (Advantest, R8340A), the surface resistance of the adhesive film was measured.
2. 고온 압축률2. High temperature compressibility
각 기재필름별로 고온 UTM 기기(LF-Plus)를 이용하여 165 ℃에서의 압축율을 측정하였다. 측정 방법은 일정한 힘을 가한 뒤, 필름의 두께방향으로 변형된 길이를 측정하고 변형율을 계산하였다.The compressibility at 165 DEG C was measured using a high-temperature UTM machine (LF-Plus) for each substrate film. After applying a constant force, the strain was measured in the thickness direction of the film and the strain rate was calculated.
- 측정조건- Measuring conditions
Load : 90N, Diameter : 1mm, Length : 5cm, Speed : 10mm/minLoad: 90N, Diameter: 1mm, Length: 5cm, Speed: 10mm / min
- 변형율 : (변형 전 두께 - 변형 후 두께)x100 / 변형 전 두께- Deformation ratio: (thickness before deformation - thickness after deformation) x 100 / thickness before deformation
3. Young's modulus3. Young's modulus
각 기재필름을 5mm 두께로 자른 뒤 고온 UTM 기기(LF-Plus)를 이용하여 165 ℃에서의 Young's modulus를 측정하였다. Each substrate film was cut to a thickness of 5 mm and the Young's modulus at 165 ° C was measured using a high-temperature UTM machine (LF-Plus).
- 측정조건- Measuring conditions
Load cell : 1kN, Gauge length: 5cm, Speed : 300mm/minLoad cell: 1 kN, Gauge length: 5 cm, Speed: 300 mm / min
각 평가 항목들은 점착테이프와 관련된 패키지 신뢰성 평가 항목으로 구성하였으며 다음과 같은 평가방법에 의해 수행되었다.Each evaluation item consisted of package reliability evaluation items related to adhesive tapes and was performed by the following evaluation method.
4. 신뢰성 평가4. Reliability Evaluation
Strip(Chip 20EA)단위로 평가를 진행하여 MUF 공정을 실시한 후, 신뢰성 검사를 실시하였다.The evaluation was carried out on a strip (Chip 20EA) basis and the MUF process was carried out, and then a reliability test was conducted.
- Void 여부 : SAT 검사를 통해 Void 발생 개수 및 크기를 확인하였다.- Void: The number and size of void were checked by SAT test.
- Bump 변형 여부 ; SAT 검사를 통해 Bump crack이나 눌림 등 변형여부를 관찰하였다.- Whether the bump is deformed; SAT inspection was performed to check for cracks such as bump cracks and pressing.
구분
division
점착층 표면저항
[Ω/□]
Adhesive layer surface resistance
[Ω / □]
상기 표 2에서 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 실시예 5의 경우는 주요한 모든 요구 특성들을 만족하는 것을 알 수 있다. 그러나 필름의 고온 압축률이 높은 비교예 1의 경우, 필름의 압축이 너무 많이 일어나 기포가 빠져 나가는 통로인 벤트 홀이 거의 차단되어 내부의 기포가 외부로 빠져나가지 못하여 기포가 패키지 내부에 트랩(trap)되는 문제가 발생한다. 반면 비교예 2의 경우, 필름의 압축이 잘 되지 않아 벤트 홀이 너무 많이 열려서 내부 압력이 감소하게 된다. 결국 EMC 흐름불균형이 심화되어 두 가지 EMC 경화속도 차이에 의해 미처 빠져나가지 못한 기포가 트랩(trap) 문제가 발생한다. 또한 비교예 3의 경우, 전도성 고분자 대신 계면활성제를 코팅하였을 때 표면저항이 높아 대전방지 특성이 제대로 구현되지 않음을 확인할 수 있다. 마지막으로 비교예 4의 경우, 모든 특성을 만족하였으나 대전방지 코팅층의 두께가 너무 두꺼워 점착제와의 계면 접착력이 낮아서 점착제가 기재필름으로부터 탈락되는 문제가 발생한다.As can be seen from the above Table 2, it can be seen that the first to fifth embodiments according to the present invention satisfy all the essential requirements. However, in the case of Comparative Example 1 in which the film has a high degree of high temperature compression, the film is compressed too much and the vent hole, which is a passage through which the bubble escapes, is almost blocked and the bubble does not escape to the outside, Problems arise. On the other hand, in the case of Comparative Example 2, since the film is not compressed well, the vent hole is opened too much, and the internal pressure is reduced. As a result, the EMC flow imbalance is intensified, and bubbles that can not escape due to the difference of the two EMC hardening speeds are trapped. In the case of Comparative Example 3, when the surface active agent is coated instead of the conductive polymer, the surface resistance is high and it can be confirmed that the antistatic property is not realized properly. Finally, in the case of Comparative Example 4, all of the characteristics were satisfied, but the antistatic coating layer was too thick to have a low interfacial adhesion with the adhesive, resulting in the problem that the adhesive detached from the base film.
본 명세서에서는 본 발명자들이 수행한 다양한 실시예 가운데 몇 개의 예만을 들어 설명하는 것이나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고, 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시될 수 있음은 물론이다. It is to be understood that the present invention is not limited to the above embodiments and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention.
10 : 기재필름 11 : 대전방지층
12, 12' : 벤트 홀 높이 13 : 칩(Chip)
14, 14' : 필름의 압축정도 15 : 상판몰드
16 : 인쇄회로기판(PCB) 17 : 칩(Chip) 10: substrate film 11: antistatic layer
12, 12 ': Vent hole height 13: Chip
14, 14 ': degree of compression of the film 15: top plate mold
16: printed circuit board (PCB) 17: chip
Claims (6)
상기 내열성 기재필름의 적어도 일면에 전도성 고분자가 도포되어 형성된 대전방지층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 대전방지성을 갖는 몰드 언더필 공정용 기재필름. Resistant base material film having a high temperature compression ratio in the thickness direction of 60 to 80% and a Young's modulus of 40 to 80 MPa at 160 to 180 占 폚,
Resistant film formed by applying an electroconductive polymer on at least one side of the heat-resistant base film.
상기 대전방지층의 표면저항은 108Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하는, 대전방지성을 갖는 몰드 언더필 공정용 기재필름. The method according to claim 1,
Wherein the surface resistance of the antistatic layer is 10 8 ? /? Or less.
상기 전도성 고분자는 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene) 및 폴리설퍼니트리드(poly sulfur nitride)로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는, 대전방지성을 갖는 몰드 언더필 공정용 기재필름. The method according to claim 1,
Wherein the conductive polymer is at least one selected from the group consisting of polyacetylene, polyaniline, polypyrrole, polythiophene, and poly sulfur nitride. A base film for a mold underfill process having antistatic properties.
상기 기재필름은 폴리이미드 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 에틸렌테트라플루온에틸렌 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름 및 폴리 올레핀 필름으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 대전방지성을 갖는 몰드 언더필 공정용 기재필름.The method according to claim 1,
Wherein the base film is any one selected from the group consisting of a polyimide film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, an ethylene tetrafluoroethylene film, a polybutylene terephthalate film and a polyolefin film. Wherein the base film for mold underfill processing has an antistatic property.
상기 전도성 고분자의 도포 두께는 100nm~2㎛인 것을 특징으로 하는, 대전방지성을 갖는 몰드 언더필 공정용 기재필름.The method according to claim 1,
Wherein the coating thickness of the conductive polymer is 100 nm to 2 占 퐉.
상기 기재필름은 내열성 기재로서 두께가 10 ~ 100㎛인 것을 특징으로 하는, 대전방지성을 갖는 몰드 언더필 공정용 기재필름.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the substrate film has a thickness of 10 to 100 占 퐉 as a heat resistant base material.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130004571A KR20140092155A (en) | 2013-01-15 | 2013-01-15 | Anti-static base film for mold underfill process |
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| KR1020130004571A KR20140092155A (en) | 2013-01-15 | 2013-01-15 | Anti-static base film for mold underfill process |
Publications (1)
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101682934B1 (en) * | 2016-03-17 | 2016-12-06 | 김광원 | Release film for memory semiconductor package mold |
-
2013
- 2013-01-15 KR KR1020130004571A patent/KR20140092155A/en not_active Application Discontinuation
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