KR20140090786A - 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 - Google Patents

발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 Download PDF

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KR20140090786A
KR20140090786A KR1020130002823A KR20130002823A KR20140090786A KR 20140090786 A KR20140090786 A KR 20140090786A KR 1020130002823 A KR1020130002823 A KR 1020130002823A KR 20130002823 A KR20130002823 A KR 20130002823A KR 20140090786 A KR20140090786 A KR 20140090786A
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정성이
최미경
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시예는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층; 상기 활성층 상에 배치되고, 복수 개의 홀이 형성된 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 각각 배치되는 제1 전극과 제2 전극; 및 상기 복수 개의 홀 내부에 배치된 반사층을 포함하는 발광소자를 제공한다.

Description

발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지{LIGHT EMITTNG DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME}
실시예는 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다.
특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
종래의 발광소자 특히 심자외선(Deep UV)를 방출하는 발광소자의 경우 p형 도펀트가 첨가된 GaN을 p형 반도체층으로 사용하는데, p형 도펀트가 첨가된 GaN은 빛의 흡수가 활발하여 발광소자의 광추출 효율이 저하될 수 있다.
도 1은 심자외선을 방출하는 발광소자에서의 광투과를 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1의 발광소자에서 p형 GaN의 두께와 빛의 파장에 따른 광투과율을 나타낸 도면이다.
p형 GaN의 두께가 두꺼울수록 빛의 투과율이 저하되는 것을 알 수 있으며, 360 나노미터 파장 이하의 영역에서 빛의 투과율이 현저하게 저하되는 것을 알 수 있다.
실시예는 발광소자 특히 자외선이나 심자외선을 방출하는 발광소자의 광추출 효율을 개선하고자 한다.
실시예는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층; 상기 활성층 상에 배치되고, 복수 개의 홀이 형성된 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 각각 배치되는 제1 전극과 제2 전극; 및 상기 복수 개의 홀 내부에 배치된 반사층을 포함하는 발광소자를 제공한다.
제2 도전형 반도체층은 알루미늄이 도핑된 제1 층과 상기 제1 층 상에 제2 층을 포함할 수 있다.
홀은 상기 제2 층의 면적의 40% 내지 60%에 형성될 수 있다.
홀은 각각의 크기가 126 나노미터 미터 내지 240 나노미터일 수 있다.
복수 개의 홀은 피치(pitch)가 250 나노미터 내지 300 나노미터일 수 있다.
홀은, 상기 제2 층의 표면으로부터 형성되고 상기 제1 층과 제2 층의 경계로부터 10 나노미터 이내의 거리까지 형성될 수 있다.
홀은 가장 자리가 곡면을 이룰 수 있다.
반사층은 Ni, Au 및 Al 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
활성층으로부터 파장이 360 나노미터 이하임 심자외선이 방출될 수 있다.
홀은, 상기 제2 층의 표면으로부터 상기 제1 층과 상기 제2 층의 경계 방향으로 갈수록 크기가 더 커질 수 있다.
홀은, 상기 제2 층의 표면으로부터 상기 제1 층과 상기 제2 층의 경계 방향으로 갈수록 크기가 더 작아질 수 있다.
다른 실시예는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 상에 배치되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및 상기 패키지 몸체 상에 배치되고, 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 상기 제1 전극과 제2 전극이 각각 전기적으로 연결되며, 플립칩 타입으로 배치된 상술한 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.
본 실시예에 따른 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지는 제2 도전형 반도체층 내에서 홀이 형성되어, 활성층으로부터 방출된 빛 특히 파장 360 나노미터 이하의 심자외선이 p형 도펀트로 도핑된 GaN에서 흡수되는 양을 줄일 수 있고, 특히 홀 내에 반사층이 형성되어 입사된 빛을 외부로 반사시켜서 발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 심자외선을 방출하는 발광소자에서의 광투과를 나타낸 도면이고,
도 2는 도 1의 발광소자에서 p형 GaN의 두께와 빛의 파장에 따른 광투과율을 나타낸 도면이고,
도 3은 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 4는 도 3의 I-I'의 단면도이고,
도 5a 내지 도 5c는 도 3의 발광소자 내의 홀의 형상의 일실시예들을 나타낸 도면이고,
도 6은 도 3의 발광소자 내의 홀의 단면의 일실시예들을 나타낸 도면이고,
도 7a 내지 도 7d는 발광소자의 제조방법의 일실시예들을 나타낸 도면이고,
도 8은 발광소자가 배치된 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도 3은 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이다.
발광소자(100)는 기판(110)에 버퍼층(120)과 발광 구조물이 배치된다.
기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있으며, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있고, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다. 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiO2, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.
버퍼층(120)은 본 실시예에서 기판(110)과 발광구조물 사이의 재료의 격자 부정합 및 열 팽창 계수의 차이를 완화하기 위한 것이며, 버퍼층(120)의 재료는 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, AlN 외에 AlAs, GaN, InN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
사파이어 등으로 기판(110)을 형성하고, 기판(110) 상에 GaN이나 AlGaN을 포함하는 발광구조물이 배치될 때, GaN이나 AlGaN과 사파이어 사이의 격자 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있으므로, 버퍼층(120)으로 AlN을 사용할 수 있다.
발광 구조물은 제1 도전형 반도체층(130)과 활성층(140) 및 제2 도전형 반도체층을 포함하여 이루어지고, 제2 도전형 반도체층은 제1 층(150)과 제2 층(160)을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(130)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(130)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(130)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(130)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
활성층(140)은 제1 도전형 반도체층(130)과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되며, 단일 우물 구조(Double Hetero Structure), 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
활성층(140)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs),/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 특히, 실시예에 의한 활성층(140)은 자외선 또는 심자외선 파장의 빛을 생성할 수 있다.
제2 도전형 반도체층은 제1 층(150)과 제2 층(160)으로 이루어질 수 있다.
제1 층(150)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 층(150)은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
제2 층(160)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 층(160)은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
제2 도전형 반도체층이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다.
제2 도전형 반도체층에는 복수 개의 홀이 형성되는데, 특히 제2 층 내에 복수 개의 홀이 형성될 수 있고, 각각의 홀 내부에는 반사층(170)이 채워져서 배치될 수 있다.
기판(110)이 절연성 기판일 경우 제1 도전형 반도체층(130)에 전류를 공급하기 위하여, 제2 층(160)으로부터 제1 도전형 반도체층(130)의 일부까지 메사 식각되어 제1 도전형 반도체층(130)의 일부가 노출될 수 있다.
노출된 제1 도전형 반도체층(130) 상에 제1 전극(135)이 배치되고, 제2 층(160) 상에 제2 전극(165)이 배치될 수 있다. 제1 전극(135) 및 제2 전극(165) 중 적어도 하나는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
제1 층(150)에는 특히 알루미늄이 도핑되어 활성층(140)에 정공을 공급할 수 있고, 전자 차단층(Electron blocking layer)가 포함될 수도 있으며, 제2 층(160)은 제1 층(150) 상에 배치되어 제2 전극(165)으로부터 전류가 제1 층(150)의 전면적에 공급될 수 있도록 할 수 있다.
반사층(170)은 반사율이 우수한 물질일 수 있고, 상세하게는 금속일 수 있으며, 보다 상세하게는 Ni, Au 및 Al 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자(100)는 제2 도전형 반도체층 내에서 제2 층(160) 내에 홀이 형성되어, 활성층(140)으로부터 방출된 빛 특히 파장 360 나노미터 이하의 심자외선이 p형 도펀트로 도핑된 GaN에서 흡수되는 양을 줄일 수 있고, 특히 홀 내에 반사층이 형성되어 제2 층(160) 내로 입사된 빛을 외부로 반사시켜서 발광소자(100)의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 4는 도 3의 I-I'의 단면도이다.
도 4에서 반사층(170)이 채워진 홀 각각의 크기(R)는 126 나노미터 내지 240 나노미터일 수 있고, 인접한 홀 사이의 피치(pitch, P)는 250 나노미터 내지 300 나노미터일 수 있다. 크기(R)는 홀의 단면이 원형일 경우 지름을 의미하고 기타 다른 기하학적 형상일 경우 한 변의 길이 내지 대각선의 길이를 의미하며, 피치(P)는 인접한 홀의 중심 사이의 거리이다. 도 4의 단면도에서 홀 전체의 면적은 제2 층(160)의 면적의 40% 내지 60%일 수 있고, 반사층(170)의 단면적도 홀의 단면적과 동일할 수 있다.
홀의 크기나 단면적이 상술한 범위보다 작으면 제2 층에서 빛의 흡수가 증가할 수 있고, 상술한 범위보다 크면 빛의 흡수는 감소하나 제1 층으로의 정공 내지 전류의 공급이 충분하지 않을 수 있다. 또한, 각각의 홀의 단면적이 상술한 범위보다 작으면 후술하는 식각 공정 내지 반사층의 삽입 공정이 어려울 수 있다. 각각의 홀 사이의 피치가 상술한 범위보다 크면 GaN의 면적이 증가하여 빛의 흡수가 증가하고, 상술한 범위보다 작으면 빛의 흡수는 감소하나 제1 층으로의 정공 내지 전류의 공급이 충분하지 않을 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 도 1의 발광소자 내의 홀의 형상의 일실시예들을 나타낸 도면이고, 도 6은 도 3의 발광소자 내의 홀의 단면의 일실시예들을 나타낸 도면이다.
도 5a에서 홀은 제2 층의 표면으로부터 형성될 수 있고, 제1 층(160)과 제2 층(150)의 경계로부터의 홀 사이의 거리(d)는 10 나노미터 미만일 수 있다. 홀은 GaN 등으로 이루어지는 제2 층(160)에서의 빛의 흡수를 줄이기 위한 것이므로 제2 층(160) 내에만 형성될 수 있으며, 따라서 홀이 제1 층(150)과 제2 층(160)의 경계에까지 형성될 수도 있으나 제1 층(150)에까지 형성되지 않을 수 있다.
홀이 제1 층(150) 및 제2 층(160) 사이의 경계와 너무 멀리 형성되면, 즉 홀이 너무 짧게 형성되면 제1 층(150) 하부의 GaN에 의한 빛의 흡수가 증가할 수 있다. 도 5a 등에서 제1 층(150)으로부터 제2 층(160)으로 진행한 빛이 제2 층(160)에서 흡수되지 않고 반사층(170)에서 반사되어 외부로 진행하고 있다.
도 5a에 도시된 실시예에서 홀 및 내부에 배치된 반사층(170)은 상부와 하부의 폭 내지 지름이 동일하고, 도 5b에 도시된 실시예에서 홀 및 내부에 배치된 반사층(170)은 제2 층(160)의 표면으로부터 제1 층(150)과 상기 제2 층(160)의 경계 방향으로 갈수록 크기가 더 작아지고, 도 5c에 도시된 실시예에서 홀 및 내부에 배치된 반사층(170)은 제2 층(160)의 표면으로부터 제1 층(150)과 상기 제2 층(160)의 경계 방향으로 갈수록 크기가 더 커진다.
즉, 도 5b에서는 제2 층(160)의 표면에서의 홀 내지 반사층(170)의 지름(d1)이 제1 층(150) 및 제2 층(160)의 경계와 가장 인접한 영역에서의 홀 내지 반사층(170)의 지름(d2)보다 작을 수 있고, 도 5c에서는 그와 반대로 도시되어 있다.
홀의 식각 공정에서 도 5a와 같이 일정한 폭 내지 지름으로 제2 층(160)이 식각될 수 있으나, 식각 면적이 점차 감소하거나 증가하여 도 5b 및 도 5c에 도시된 바와 같이 형성될 수 있다.
홀의 단면적은 도 6에 도시된 바와 같이 다양한 형상일 수 있고 내부에는 반사층(170)이 채워져 있다. (a)와 같은 원형, (b)와 같은 타원형 외에 (c)와 같은 폐곡면의 단면을 가질 수 있으나, 홀의 가장 자리는 곡면이 아닌 다각형을 이룰 경우 다각형의 경계면에서 빛의 난반사가 발생할 수 있다.
도 7a 내지 도 7d는 발광소자의 제조방법의 일실시예들을 나타낸 도면이다.
도 7a에 도시된 바와 같이 기판(110) 위에 버퍼층(120)을 성장시키는데, 각각의 조성 등은 도 1에 도시된 바와 동일하다.
버퍼층(120)이 AlN으로 성장될 경우, 섭씨 1100 도 내지 1500 도의 온도와 10 밀리바(mbar) 내지 100 밀리바의 온도에서 TMAl(Tri-methyl Aluminum)과 NH3를 각각 10 내지 100 마이크로 몰/분(umol/min)과 50 내지 500 마이크로 몰/분을 공급할 수 있다.
그리고, 도 7b에 도시된 바와 같이 버퍼층(120) 상에 발광 구조물을 성장시킨다. 제1 도전형 반도체층(130)과 활성층(140) 및 제2 도전형 반도체층의 조성은 상술한 바와 같으며, 화학증착방법(CVD) 혹은 분자선 에피택시 (MBE) 혹은 스퍼터링 혹은 수산화물 증기상 에피택시(HVPE) 등의 방법을 사용하여 형성할 수 있다.
그리고, 도 7c에 도시된 바와 같이 제2 층(160)에 홀(165a)을 형성하는데, 마스크(200)를 사용하여 선택적으로 제2 층을 선택적으로 식각할 수 있으며, 이때 홀(165a)을 제1 층(150)의 표면에 가까이 형성하되 제1 층(150)이 식각되지 않도록 할 수 있다.
그리고, 도 7d에 도시된 바와 같이 제2 층(160) 내의 홀에 Ni, Au 및 Al 등을 채워서 반사층(170)을 형성할 수 있다.
그리고, 제2 층(160)의 측면으로부터 제1 층(150)과 활성층(140), 그리고 제1 도전형 반도체층(130)의 일부까지를 메사 식각하여 제1 도전형 반도체층(130)의 일부가 노출될 수 있도록 한 후, 제1 전극과 제2 전극을 형성하면 도 1에 도시된 발광소자를 제조할 수 있다.
도 8은 발광소자가 배치된 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지(300)는 상술한 발광소자(100)가 플립 칩 타입으로 배치되고 있다.
발광소자(100)은 서브 마운트(210)에 제1 전극(221)과 제2 전극(222)이 배치되고, 발광 구조물이 제1 전극(221)과 제2 전극(222)에 솔더(231, 232)를 통하여 전기적으로 결합되고 있다.
발광 소자(100)는 도 1에 도시된 발광소자와 유사하나, 기판(110)의 표면이 패터닝되어 활성층(140)으로부터 기판(110) 방향으로 진행한 빛의 반사를 늘여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
본 실시예에 따른 발광소자 패키지는 내부에 배치된 발광소자에서 제2 도전형 반도체층 내에서 홀이 형성되어, 활성층으로부터 방출된 빛 특히 파장 360 나노미터 이하의 심자외선이 p형 도펀트로 도핑된 GaN에서 흡수되는 양을 줄일 수 있고, 특히 홀 내에 반사층이 형성되어 입사된 빛을 외부로 반사시켜서 광추출 효율이 향상될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 복수 개가 PCB 등의 기판 상에 어레이될 수 있다. 상술한 발광소자 패키지는 백라이트 유닛이나 조명 장치에 사용될 수 있고, 심자외선의 특성상 살균 장치 등에도 사용될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 발광소자 110: 기판
120: 버퍼층 130: 제1 도전형 반도체층
135: 제1 전극 140: 활성층
150: 제1 층 160: 제2 층
165: 제2 전극 165a: 홀
170: 반사층 210: 기판
221, 222: 제1,2 전극 231, 232: 솔더
300: 발광소자 패키지

Claims (12)

  1. 제1 도전형 반도체층;
    상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층;
    상기 활성층 상에 배치되고, 복수 개의 홀이 형성된 제2 도전형 반도체층;
    상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 각각 배치되는 제1 전극과 제2 전극; 및
    상기 복수 개의 홀 내부에 배치된 반사층을 포함하는 발광소자.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 도전형 반도체층은 알루미늄이 도핑된 제1 층과 상기 제1 층 상에 제2 층을 포함하는 발광소자.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 홀은 상기 제2 층의 면적의 40% 내지 60%에 형성된 발광소자.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 홀은 각각의 크기가 126 나노미터 미터 내지 240 나노미터인 발광소자.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 복수 개의 홀은 피치(pitch)가 250 나노미터 내지 300 나노미터인 발광소자.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 홀은, 상기 제2 층의 표면으로부터 형성되고 상기 제1 층과 제2 층의 경계로부터 10 나노미터 이내의 거리까지 형성된 발광소자.
  7. 제1 항에 잇어서,
    상기 홀은 가장 자리가 곡면을 이루는 발광소자.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 반사층은 Ni, Au 및 Al 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 활성층으로부터 파장이 360 나노미터 이하임 심자외선이 방출되는 발광소자.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 홀은, 상기 제2 층의 표면으로부터 상기 제1 층과 상기 제2 층의 경계 방향으로 갈수록 크기가 더 커지는 발광소자.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 홀은, 상기 제2 층의 표면으로부터 상기 제1 층과 상기 제2 층의 경계 방향으로 갈수록 크기가 더 작아지는 발광소자.
  12. 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 상에 배치되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및
    상기 패키지 몸체 상에 배치되고, 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 상기 제1 전극과 제2 전극이 각각 전기적으로 연결되며, 플립칩 타입으로 배치된 제1 항 내지 제11 항 중 어느 한 항의 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지.
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