KR20140089791A - 간접방식 신틸레이터 패널 - Google Patents

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Abstract

신틸레이터 패널에 관한 것으로, X선을 투과하는 기판, 기판 상에 형성되며 비드를 포함하는 확산층, 확산층 상에 형성되며 X선을 가시 광선으로 변환하는 신틸레이터층, 신틸레이터층 상에 형성되며 가시 광선을 투과하고 습기를 차단하는 보호막을 포함한다.

Description

간접방식 신틸레이터 패널{Combination Type Scintillator Panel}
본 발명은 의료용 X선 촬영 장치의 신틸레이터(scintillator) 패널에 관한 것으로, 상세하게는 신틸레이터 패널을 제조한 후 이를 촬상 소자에 결합하는 간접방식 신틸레이터 패널에 관한 것이다.
의료용 X선 촬영의 경우, 필름을 사용하지 않고 X선 검출기를 이용하여 이미지를 확인하는 디지털 방사선 영상 장치가 널리 이용되고 있다.
디지털 방사선 영상 장치는 그 변환 방식에 따라 직접 변환 방식과 간접 변환 방식으로 나눌 수 있는데, 직접 변환 방식은 조사된 X선을 전기 신호로 직접 변환하여 이미지를 구현하는 방식이고, 간접 변환 방식은 X선을 가시 광선으로 변환하고, 가시 광선을 포토다이오드, CMOS, CCD 센서 등의 촬상소자를 이용하여 전기신호로 변환한 후 이미지를 구현하는 방식이다.
간접 변환 방식은 X선을 가시 광선으로 변환하는 신틸레이터를 이용하고 있는데, 신틸레이터와 촬상소자를 일체화하는 방식에 따라 직접 방식과 간접방식으로 나누어진다. 직접 방식은 신틸레이터층을 촬상소자에 직접 증착하는 것을 말하고, 간접방식은 기판 위에 신틸레이터층을 증착시킨 신틸레이터 패널을 별도로 제조하고 이를 촬상소자 패널과 합착하는 것을 말한다.
미국등록특허 US 6,627,307호는 간접방식 신틸레이터 패널의 반사율을 높이는 구조를 개시하고 있는데, 그 내용을 보면 알루미늄 원판에 평탄화층을 적층하고, 평탄화층 위에 알루미늄층과 산화물층을 적층하고 있다. 여기서, 알루미늄층과 산화물층이 반사율을 높이는 기능을 하고 있다. 이와 유사한 구조를 갖는 선행특허로는 미국등록특허 US 6,709,119, US 6,848,797 등이 있다.
한국등록특허 10-1026620호도 신틸레이터 패널을 개시하고 있는데, 그 구조를 보면 알루미늄 기판, 알루미늄 기판에 형성되는 알루마이트층, 알루마이트층에 형성되는 중간막, 중간막에 형성되는 신틸레이터층 등으로 구성되어 있다. 여기서, 알루마이트층 등이 반사율을 높이는 기능을 하고 있다.
그런데, 미국등록특허 6,627,307호 등은 반사막 및 표면처리를 통해 반사효율을 높이는 방법을 채택하고 있는데, 이 경우 반사율을 원하는 수준까지 높이는 것이 쉽지 않다.
본 발명은 간접방식 신틸레이터 패널의 반사율을 높이기 위한 것으로,
첫째, 제조 공정이 간단하고 비용도 저렴하며,
둘째, 원하는 수준까지 반사율을 높이는 것이 상대적으로 용이한, 간접방식 신틸레이터 패널의 구조를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 간접방식 신틸레이터 패널은 기판, 확산층, 신틸레이터층, 보호막을 포함한다.
기판은 X선을 투과한다.
확산층은 기판 상에 형성되며, 비드를 포함하여 X선과 가시광선을 확산시킨다.
신틸레이터층은 확산층 상에 형성되며, X선을 가시 광선으로 변환한다.
보호막은 신틸레이터층 상에 형성되며, 가시 광선을 투과하고 습기를 차단한다.
본 발명의 간접방식 신틸레이터 패널은, X선을 투과하고 가시광선을 반사하는 반사층을 기판과 확산층 사이에 포함할 수 있다. 여기서, 반사층은 굴절률이 다른 2 이상의 산화물층을 교대로 다수 적층하여 구성할 수 있다.
본 발명의 간접방식 신틸레이터 패널에서, 보호막은 굴절률이 다른 2 이상의 산화물층을 교대로 다수 적층하여 구성할 수 있다.
본 발명의 간접방식 신틸레이터 패널은, 확산층과 신틸레이터층 사이에 제2 보호막을 포함할 수 있다.
본 발명의 간접방식 신틸레이터 패널에서, 확산층은 폴리프로필렌 (polypropylene) 비드, 마이카(mica) 비드, 폴리우레탄 바인더를 포함한다. 여기서, 확산층은 이산화티타늄(TiO2) 비드를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 간접방식 신틸레이터 패널의 다른 예는, 기판, ESR(Enhanced Specular Reflector) 필름, 신틸레이터층, 보호막을 포함한다.
기판은 X선을 투과한다.
ESR 필름은 기판 상에 부착된다.
신틸레이터층은 ESR 필름 상에 형성되며, X선을 가시 광선으로 변환한다.
보호막은 신틸레이터층 상에 형성되며, 가시 광선을 투과하고 습기를 차단한다.
본 발명의 간접방식 신틸레이터 패널의 다른 예에서, 보호막은 굴절률이 다른 2 이상의 산화물층을 교대로 다수 적층하여 구성할 수 있다.
본 발명의 간접방식 신틸레이터 패널의 다른 예는, 비드를 포함하는 확산층을 ESR 필름과 신틸레이터층 사이에 형성할 수 있다. 여기서, 확산층은 폴리프로필렌(polypropylene) 비드, 마이카(mica) 비드, 폴리우레탄 바인더를 포함할 수 있다. 또한, 확산층은 이산화티타늄(TiO2) 비드를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 간접방식 신틸레이터 패널의 또다른 예는, 기판, 신틸레이터층, 보호막을 포함한다.
기판은 X선을 투과하고, 일측 면에 확산반사패턴이 형성되어 있다.
신틸레이터층은 기판 상에 형성되며 X선을 가시 광선으로 변환한다.
보호막은 신틸레이터층 상에 형성되며 가시 광선을 투과하고 습기를 차단한다.
본 발명의 간접방식 신틸레이터 패널의 또다른 예는, 기판의 타측 면에 X선을 투과하고 가시광선을 반사하는 반사층을 포함할 수 있다.
이러한 구조 및 공정을 갖는 본 발명의 간접방식 신틸레이터 패널에 의하면, 제조 공정이 간단하고 비용도 저렴하여, 상대적으로 용이하게 원하는 수준까지 반사율을 높이는 것이 가능하며, 그 결과 비용 효과적으로 반사율이 높은 신틸레이터 패널을 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제1 실시예를 도시하고 있다.
도 2는 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제2 실시예를 도시하고 있다.
도 3은 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제3 실시예를 도시하고 있다.
도 4는 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제4 실시예를 도시하고 있다.
도 5는 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제5 실시예를 도시하고 있다.
도 6은 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제6 실시예를 도시하고 있다.
도 7은 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제7 실시예를 도시하고 있다.
도 8은 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제8 실시예를 도시하고 있다.
도 9은 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제9 실시예를 도시하고 있다.
도 10은 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제10 실시예를 도시하고 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제1 실시예를 도시하고 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 간접방식 신틸레이터 패널은 기판(10), 확산층(20), 신틸레이터층(30), 보호막(40)을 포함한다.
기판(10)은 X선을 투과할 수 있는 재질로서, 예를들어 알루미늄, 마그네슘, 폴리머, 유리 등을 이용할 수 있다.
확산층(20)은 기판(10)에 적층된다. 확산층(20)은 비드(B)를 포함하며, X선과 가시광선을 확산시킨다.
확산층(20)은 폴리프로필렌 (polypropylene) 비드와 마이카(mica) 비드를 폴리우레탄 바인더에 섞은 것으로, 기판(10)에 도포된다. 확산 반사율은 폴리프로필렌 (polypropylene)과 마이카(mica)의 비드를 2.5% 이상을 포함할 때 의미있는 상승이 있으므로, 비드의 함유율을 2.5% 이상 유지하는 것이 바람직하다. 아래 표 1은 비드 함유율을 6%, 9%, 18%로 하여 반사율을 측정한 것으로, 비드 함유율이 증가함에 따라 확산 반사율도 전반적으로 상승하는 것을 확인할 수 있다.
반사율1(%)_SCI 반사율2(%)_SCE
비드 6% 함유 79.64 12.01
비드 9% 함유 92.11 13.05
비드 18% 함유 91.84 17.12
위 표 1에서, SCI(Specular Component Included)는 정반사광을 포함하는 반사율이고, SCE(Specular Component Excluded)는 정반사광을 제거한 반사율이다.
확산층(20)은 폴리프로필렌 (polypropylene) 비드와 마이카(mica) 비드 외에 이산화티타늄(TiO2) 비드를 더 포함할 수 있다. 0.1% 내외의 이산화티타늄(TiO2) 비드를 추가하여 실험한 결과, 확산 반사율이 추가적으로 개선되는 것을 확인할 수 있었다.
신틸레이터층(30)은 확산층(20) 위에 기둥 모양의 구조로 증착된다. 신틸레이터층(30)의 각 기둥 구조는 그 정상부가 뾰족한 형상을 이루고 있으며, 그 두께는 약 20~2000㎛ 정도이다. 신틸레이터층(30)은 입사한 X선을 촬상소자의 수광 소자가 검출할 수 있는 가시 영역의 빛으로 변환시킨다.
신틸레이터층(30)은 X선을 가시 광선으로 변환할 수 있는 재질이면 어느 것을 사용하여도 좋다. 예를들어 CsI, 탈륨(Tl)이 도핑된 CsI, 나트륨(Na)이 도핑된 CsI, 탈륨(Tl)이 도핑된 NaI 등을 이용할 수 있다. 이들 중에서 탈륨(Tl) 도핑의 CsI가 발광 효율이 좋으므로 탈륨(Tl) 도핑의 CsI를 이용하는 것이 바람직하다.
신틸레이터층(30)을 이루는 CsI는 흡습성 재료여서, 공기 중의 수증기를 흡수하면 녹는다. 따라서, 신틸레이터층(30)을 습기로부터 차단할 필요가 있다.
보호막(40)은 신틸레이터층(30) 위에 신틸레이터층(30)을 밀폐하는 형태로 적층된다. 보호막(40)을 형성하는 재료로는, X선을 투과하고 습기를 차단하는 것이면 어느 것도 좋다. 예를들어, 유기 수지, 구체적으로는 패릴렌 수지를 이용할 수 있다. 패릴렌은 화학적으로 증착된 폴리파라크실렌 고분자의 상품명으로, 패릴렌 N, 패릴렌 C, 패릴렌 D, 패릴렌 AF-4 등이 있다. 패릴렌에 의한 코팅막은 수증기나 가스의 투과가 적고, 발수성과 내약품성도 높으며, 전기 절연성도 우수하다.
도 2는 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제2 실시예를 도시하고 있다.
제2 실시예는 제1 실시예의 변형으로서, 기판(10)과 확산층(20) 사이에 반사층(50)을 더 형성하고 있다.
반사층(50)은 기판(10)을 투과한 X선을 신틸레이터 층(30)으로 투과시키고, 신틸레이터 층(30)에서 변환된 가시 광선을 반사한다. 반사층(50)은 보통 반사성 금속 박막으로 형성하는데, 예를들어 은(Ag)이나 알루미늄(Al)을 주로 사용한다. 그 외에, 반사층(50)으로 Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Rh, Pt, Au 등도 이용할 수 있다. 또한, 반사층(50)은 Cr막을 먼저 형성하고 그 위에 Au막을 형성하는, 다층 형태도 가능하다.
도 2의 제2 실시예는 반사층(50)을 제외하면 도 1의 구성과 동일하므로, 도 1과 동일한 구성에 대한 설명은 도 1의 설명으로 갈음한다.
도 3은 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제3 실시예를 도시하고 있다.
제3 실시예는 제2 실시예의 변형으로서, 제2 실시예의 반사층(50)과 다른 구조의 변형 반사층(50')을 포함한다.
변형 반사층(50')은 굴절률이 다른 산화물층을 다수 적층한 다층 산화물층 구조로 구성되어 있다. 2개 이상의 산화물층(51,52)을 교대로 적층하고, 적층되는 산화물층(51,52)의 종류나 수를 적절히 선택하면, 원하는 파장 대역에서 원하는 반사율을 얻을 수 있다. 예를들어, 변형 반사층(50')은 제1 산화물층(51)으로 굴절률이 1.0 이상 2.0 미만인 SiO2막을 선택하고, 제2 산화물층(52)으로 굴절률이 2.0 이상 3.0 미만인 TiO2막을 선택한 후, 이들 산화물층(51,52)를 층수와 두께를 조절하면 가시 광선의 영역 중 원하는 파장 대역에서 매우 높은 반사율을 얻을 수 있다. 이를 통해, 변형 반사층(50')이 컷오프 필터(cut off filter)로서 기능하게 할 수 있다.
도 3의 제3 실시예는 변형 반사층(50')을 제외하면 도 2의 구성과 동일하므로, 도 2와 동일한 구성에 대한 설명은 도 2 또는 도 1의 설명으로 갈음한다.
도 4는 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제4 실시예를 도시하고 있다.
제4 실시예는 제2 실시예의 다른 변형으로서, 제2 실시예의 보호막(40)과 다른 구조의 변형 보호막(40')을 포함한다.
변형 보호막(40')은 굴절률이 다른 산화물층을 다수 적층한 다층 산화물층 구조로 구성되어 있다. 2개 이상의 산화물층(41,42)을 교대로 적층하고, 적층되는 산화물층(41,42)의 종류나 수를 적절히 선택하면, 원하는 파장 대역에서 원하는 투과율을 얻을 수 있다. 예를들어, 변형 보호막(40')은 제1 산화물층(41)으로 굴절률이 1.0 이상 2.0 미만인 SiO2막을 선택하고, 제2 산화물층(42)으로 굴절률이 2.0 이상 3.0 미만인 TiO2막을 선택한 후, 이들 산화물층(41,42)를 층수와 두께를 조절하면 가시 광선의 영역 중 원하는 파장 대역에서 매우 높은 투과율을 얻을 수 있다. 이를 통해, 변형 보호막(40')이 대역통과 필터(band pass filter)로서 기능하게 할 수 있다.
도 4의 제4 실시예는 변형 보호막(40')을 제외하면 도 2의 구성과 동일하므로, 도 2와 동일한 구성에 대한 설명은 도 2 또는 도 1의 설명으로 갈음한다.
도 5는 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제5 실시예를 도시하고 있다.
제5 실시예는 제2 실시예의 또다른 변형으로서, 제3 실시예의 변형 반사층(50')과 제4 실시예의 변형 보호막(40')을 모두 포함하고 있으며, 이에 더하여 확산층(20)과 신틸레이터층(30) 사이에 제2 보호막(60)을 포함하고 있다.
제2 보호막(60)은 신틸레이터층(30) 아래에 형성되며, 신틸레이터층(30)을 습기로부터 보호한다. 제2 보호막(60)을 형성하는 재료로는, X선을 투과하고 습기를 차단하는 것이면 제한되지 않는다. 예를들어, 보호막(40)과 마찬가지로, 유기 수지, 구체적으로는 패릴렌 수지를 이용할 수 있다.
도 6은 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제6 실시예를 도시하고 있다.
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 간접방식 신틸레이터 패널은 기판(10), ESR 필름(70), 신틸레이터층(30), 보호막(40)을 포함하여 구성할 수 있다.
기판(10)은 X선을 투과할 수 있는 재질로서, 예를들어 알루미늄, 마그네슘, 폴리머, 유리 등을 사용할 수 있다.
ESR(Enhanced Specular Reflector) 필름(70)은 일종의 반사 필름으로서, 수백 층으로 구성된 서로 다른 두 고분자 물질의 굴절률차를 이용하여 빛을 반사시킨다. ESR 필름(70)은 보통 98% 이상의 반사율을 갖는데, 3M사의 ESR 필름의 경우 아래의 표 2와 같이 SCI와 SCE가 측정되었다.
반사율1(%)_SCI 반사율2(%)_SCE
3M사의 ESR 필름 98.43 1.38
신틸레이터층(30)은 ESR 필름(70) 위에 기둥 모양으로 증착된다. 신틸레이터층(30)은 CsI, 탈륨(Tl)이 도핑된 CsI, 나트륨(Na)이 도핑된 CsI, 탈륨(Tl)이 도핑된 NaI 등을 이용할 수 있으며, 이들 중에서 탈륨(Tl) 도핑의 CsI가 발광 효율이 좋으므로 탈륨(Tl) 도핑의 CsI를 이용하는 것이 바람직하다.
보호막(40)은 신틸레이터층(30) 위에 적층되며, 재질로는 패릴렌 수지를 이용할 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제7 실시예를 도시하고 있다.
제7 실시예는 제6 실시예의 변형으로서, ESR 필름(70)과 신틸레이터층(30) 사이에 확산층(20)을 더 형성하고 있다.
확산층(20)은 ESR 필름(70)에 적층된다. 확산층(20)은 비드(B)를 포함하며, X선과 가시광선을 확산시킨다.
확산층(20)은 폴리프로필렌 (polypropylene) 비드와 마이카(mica) 비드를 폴리우레탄 바인더에 섞은 것으로, ESR 필름(70)에 도포된다. 확산 반사율은 폴리프로필렌 (polypropylene)과 마이카(mica)의 비드를 전체의 2.5% 이상을 포함할 때 상승하므로, 비드의 함유율을 2.5% 이상 유지하는 것이 바람직하다. 아래의 표 3은 3M사의 ESR 필름(70)에 비드를 6% 함유시킨 확산층(20)을 사용한 경우의 SCI와 SCE의 측정값이다.
반사율1(%)_SCI 반사율2(%)_SCE
3M ESR 필름 + 비드 6% 함유 94.5 ±0.5 11.0±0.5
표 3에서 확인할 수 있듯이, 전체 반사율이 개선된 것을 확인할 수 있다.
확산층(20)은 폴리프로필렌 (polypropylene) 비드와 마이카(mica) 비드 외에 이산화티타늄(TiO2) 비드를 더 포함할 수 있다.
제7 실시예는 확산층(20)을 제외하면 도 6의 구성과 동일하므로, 도 6과 동일한 구성에 대한 설명은 도 6 또는 도 1의 설명으로 갈음한다.
도 8은 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제8 실시예를 도시하고 있다.
제8 실시예는 제7 실시예의 변형으로서, 제7 실시예의 보호막(40)과 다른 구조의 변형 보호막(40')을 포함한다.
변형 보호막(40')은 굴절률이 다른 산화물층을 다수 적층한 다층 산화물층 구조로 구성되어 있다. 2개 이상의 산화물층을 교대로 적층하고, 적층되는 산화물층의 종류나 수를 적절히 선택하면 원하는 파장 대역에서 원하는 투과율을 얻을 수 있다. 변형 보호막(40')은 예를들어 SiO2막과 TiO2막을 층수와 두께를 조절하면서 다수 적층하여 가시 영역의 특정 대역에서 대역통과 필터(band pass filter)로서 기능하게 할 수 있다.
제8 실시예는 변형 보호막(40')을 제외하면 제7 실시예와 동일하므로, 도 7과 동일한 구성에 대한 설명은 도 7, 도 6, 또는 도1의 설명으로 갈음한다.
도 9는 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제9 실시예를 도시하고 있다.
제9 실시예는 위에서 설명한 기판(10)과 다른 구조의 변형 기판(10')을 포함한다.
변형 기판(10')은 상면에 확산반사패턴(P)을 형성하고 있다. 확산반사패턴(P)은 다수의 엠보싱 형태로 구성할 수 있다. 엠보싱은 동일 크기, 또는 다수의 다른 크기로 형성할 수 있다. 확산반사패턴(P)은 위에서 설명한 비드(B)와 동일 또는 유사한 기능을 수행한다.
제9 실시예에서, 나머지 구성요소인 신틸레이터층(30), 보호막(40)은 위에서 설명한 해당 구성요소와 동일하므로, 해당 구성요소에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 10은 본 발명에 따른 간접방식 신틸레이터 패널의 제10 실시예를 도시하고 있다.
제10 실시예는 제9 실시예에서 반사층(50)을 더 포함한다.
제10 실시예에서, 반사층(50)은 기판(10')의 하면에 결합되며, 투과한 X선을 기판(10')으로 투과시키고, 신틸레이터 층(30)에서 변환된 가시 광선을 반사한다. 반사층(50)은 위에서 설명한 금속 박막이나 다층 산화물층으로 구성할 수 있다.
제10 실시예의 나머지 구성요소는 제9 실시예의 구성요소와 동일하므로, 해당 구성요소에 대한 자세한 설명은 생략한다.
이상 본 발명을 여러 실시예에 기초하여 설명하였으나, 이는 본 발명을 예증하기 위한 것일 뿐 본 발명을 한정하려는 것은 아니다. 통상의 기술자라면, 위 실시예에 기초하여 본 발명의 사상을 다양하게 변형하거나 수정할 수 있을 것이다. 그러나, 그러한 변형이나 수정은 아래의 특허청구범위의 해석에 의해 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석될 수 있다.
10, 10' : 기판 20 : 확산층
30 : 신틸레이터층 40, 40' : 보호막
50, 50' : 반사층 60 : 제2 보호막
70 : ESR 필름 B : 비드

Claims (14)

  1. 신틸레이터 패널에 있어서,
    X선을 투과하는 기판;
    상기 기판 상에 형성되며, 비드를 포함하는 확산층;
    상기 확산층 상에 형성되며, X선을 가시 광선으로 변환하는 신틸레이터층;
    상기 신틸레이터층 상에 형성되며, 가시 광선을 투과하고 습기를 차단하는 보호막을 포함하는, 간접방식 신틸레이터 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판과 상기 확산층 사이에, X선을 투과하고 가시광선을 반사하는 반사층을 포함하는, 간접방식 신틸레이터 패널.
  3. 제2항에 있어서, 상기 반사층은
    굴절률이 다른 2 이상의 산화물층을 교대로 다수 적층하는, 간접방식 신틸레이터 패널.
  4. 제1항에 있어서, 상기 보호막은
    굴절률이 다른 2 이상의 산화물층을 교대로 다수 적층한 구조인, 간접방식 신틸레이터 패널.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 확산층과 상기 신틸레이터층 사이에 제2 보호막을 포함하는, 간접방식 신틸레이터 패널.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 확산층은
    폴리프로필렌(polypropylene) 비드, 마이카(mica) 비드, 폴리우레탄 바인더를 포함하는, 간접방식 신틸레이터 패널.
  7. 제6항에 있어서, 상기 확산층은
    이산화티타늄(TiO2) 비드를 포함하는, 간접방식 신틸레이터 패널.
  8. 신틸레이터 패널에 있어서,
    X선을 투과하는 기판;
    상기 기판 상에 부착되는 ESR(Enhanced Specular Reflector) 필름;
    상기 ESR 필름 상에 형성되며, X선을 가시 광선으로 변환하는 신틸레이터층;
    상기 신틸레이터층 상에 형성되며, 가시 광선을 투과하고 습기를 차단하는 보호막을 포함하는, 간접방식 신틸레이터 패널.
  9. 제8항에 있어서, 상기 보호막은
    굴절률이 다른 2 이상의 산화물층을 교대로 다수 적층하는, 간접방식 신틸레이터 패널.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    비드를 포함하는 확산층을 상기 ESR 필름과 상기 신틸레이터층 사이에 포함하는, 간접방식 신틸레이터 패널.
  11. 제10항에 있어서, 상기 확산층은
    폴리프로필렌(polypropylene) 비드, 마이카(mica) 비드, 폴리우레탄 바인더를 포함하는, 간접방식 신틸레이터 패널.
  12. 제11항에 있어서, 상기 확산층은
    이산화티타늄(TiO2) 비드를 포함하는, 간접방식 신틸레이터 패널.
  13. 신틸레이터 패널에 있어서,
    X선을 투과하고, 일측 면에 확산반사패턴이 형성된 기판;
    상기 기판 상에 형성되며, X선을 가시 광선으로 변환하는 신틸레이터층;
    상기 신틸레이터층 상에 형성되며, 가시 광선을 투과하고 습기를 차단하는 보호막을 포함하는, 간접방식 신틸레이터 패널.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 기판의 타측 면에, X선을 투과하고 가시광선을 반사하는 반사층을 포함하는, 간접방식 신틸레이터 패널.
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