KR101416057B1 - 간접방식 신틸레이터 패널 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
신틸레이터 패널에 관한 것으로, X선을 투과하는 기판, 기판 상에 형성되며 X선을 투과하고 가시 광선을 반사하는 광학막, 광학막 상에 형성되며 X선을 가시 광선으로 변환하는 신틸레이터층, 그리고 신틸레이터층 상에 형성되며 가시 광선을 투과하고 습기를 차단하는 보호막을 포함하여 구성된다.
Description
본 발명은 의료용 X선 촬영 장치의 신틸레이터(scintillator) 패널과 그 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 신틸레이터 패널을 제조한 후 이를 촬상 소자에 결합하는 간접 방식의 신틸레이터 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
의료용 X선 촬영의 경우, 필름을 사용하지 않고 X선 검출기를 이용하여 이미지를 확인하는 디지털 방사선 영상 장치가 널리 이용되고 있다.
디지털 방사선 영상 장치는 그 변환 방식에 따라 직접 변환 방식과 간접 변환 방식으로 나눌 수 있는데, 직접 변환 방식은 조사된 X선을 전기 신호로 직접 변환하여 이미지를 구현하는 방식이고, 간접 변환 방식은 X선을 가시 광선으로 변환하고, 가시 광선을 포토다이오드, CMOS, CCD 센서 등의 촬상소자를 이용하여 전기신호로 변환한 후 이미지를 구현하는 방식이다.
간접 변환 방식은 X선을 가시 광선으로 변환하는 신틸레이터를 이용하고 있는데, 신틸레이터와 촬상소자를 일체화하는 방식에 따라 직접 방식과 간접 방식으로 나누어진다. 직접 방식은 신틸레이터층을 촬상소자에 직접 증착하는 것을 말하고, 간접 방식은 기판 위에 신틸레이터층을 증착시킨 신틸레이터 패널을 별도로 제조하고 이를 촬상소자 패널과 합착하는 것을 말한다.
특허공개 2001-0110762호(신틸레이터 패널 및 방사선 이미지 센서)를 보면, 간접 방식의 신틸레이터 패널을 개시하고 있다. 특허공개 2001-0110762호의 신틸레이터 패널은 방사선을 투과하는 기판, 기판 위에 형성되는 반사성 금속 박막, 반사성 금속 박막 위에 형성되는 신틸레이터층, 그리고 신틸레이터층을 밀봉하는 보호막 등으로 구성되어 있다.
등록특허 10-1026620호도 신틸레이터 패널의 구조를 개시하고 있는데, 그 구조를 보면, 알루미늄 기판, 알루미늄 기판의 표면에 형성되는 알루마이트층, 알루마이트층 상에 형성되는 중간막, 중간막 위에 형성되는 신틸레이터층 등을 포함하고 있다.
다른 선행기술에는 평탄화층을 기판 위에 더 형성하는 구조도 개시하고 있다.
이와 같이, 종래의 간접방식 신틸레이터 패널은 기판과 신틸레이터층 사이에 적어도 2개 이상의 층을 포함하고 있어, 제조 공정이 복잡하고, 그 결과 제조 비용도 높다.
본 발명은 이러한 간접 방식 신틸레이터 패널의 구조적 문제점을 개선하기 위한 것으로,
첫째, 기판과 신틸레이터층 사이의 적층 구조가 단순하고,
둘째, 구조적 단순화에 따라 제조 공정 수를 줄일 수 있고,
셋째, 그 결과 제조 비용도 줄일 수 있는, 간접 방식의 신틸레이터 패널 및 그 제조 방법을 제공하고자 한다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 간접 방식 신틸레이터 패널은 기판, 광학막, 신틸레이터층, 보호막을 포함하여 구성된다.
기판은 X선을 투과하는 재질로 구성된다.
광학막은 기판 상에 형성되며, X선을 투과하고 가시 광선을 반사한다.
신틸레이터층은 광학막 상에 형성되며, X선을 가시 광선으로 변환한다.
보호막은 신틸레이터층을 밀봉하며, 가시 광선을 투과하고 습기를 차단한다.
본 발명의 간접 방식 신틸레이터 패널에서, 기판은 경면 처리된 표면을 갖는다.
본 발명의 간접 방식 신틸레이터 패널에서, 광학막은 굴절률이 다른 2 이상의 산화물층을 기판의 경면 처리된 표면에 교대로 적층한 구조를 갖는다.
본 발명의 간접 방식 신틸레이터 패널에서, 광학막은 SiO2 층과 TiO2 층을 교대로 20~90개 층을 적층한 구조를 갖는다.
본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 제조방법은, X선을 투과하고 표면이 경면 처리된 기판을 준비하는 단계, 기판의 경면 처리된 표면에 X선을 투과하고 가시 광선을 반사하는 광학막을 형성하는 단계, 광학막 상에 X선을 가시 광선으로 변환하는 신틸레이터층을 형성하는 단계, 그리고 신틸레이터층 상에 가시 광선을 투과하고 습기를 차단하는 보호막을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
본 발명의 간접 방식 신틸레이터 패널의 제조방법에서, 광학막 형성 단계는 굴절률이 다른 2 이상의 산화물층을 교대로 적층하는 단계를 다수 수행한다.
본 발명의 간접 방식 신틸레이터 패널의 제조방법에서, 광학막 형성 단계는 공정 압력이 수십~수백 mTorr인 스퍼터링, 공정 압력이 10-5 Torr 이하인 기판 경사 공/자전 방식의 이온 보조 진공 증착을 이용할 수 있다.
본 발명의 간접 방식 신틸레이터 패널의 제조방법에서, 보호막 형성 단계는 굴절률이 다른 2 이상의 산화물층을 교대로 적층하는 단계를 다수 수행한다.
이러한 구조 및 공정을 갖는 본 발명의 간접 방식 신틸레이터 패널 및 그 제조 방법에 의하면, 기판 표면을 경면 처리함으로써 기판 상에 적층되는 평탄화층을 없앨 수 있고, 또한 기판과 신틸레이터층 사이의 알루마이트층, 중간막, 금속 반사막 등을 하나의 광학막으로 대체함으로써 간접 방식 신틸레이터 패널의 구조가 간단하다. 그 결과, 제조 공정 수를 줄일 수 있어 제조 비용을 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 제1 실시예를 도시하고 있다.
도 2는 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 제2 실시예를 도시하고 있다.
도 3은 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 제3 실시예를 도시하고 있다.
도 4a는 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 광학막의 반사 특성을 도시하고 있다.
도 4b는 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 보호막의 투과 특성을 도시하고 있다.
도 5는 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 제조 방법을 도시하고 있다.
도 2는 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 제2 실시예를 도시하고 있다.
도 3은 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 제3 실시예를 도시하고 있다.
도 4a는 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 광학막의 반사 특성을 도시하고 있다.
도 4b는 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 보호막의 투과 특성을 도시하고 있다.
도 5는 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 제조 방법을 도시하고 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 제1 실시예를 도시하고 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 간접 방식 신틸레이터 패널은 기판(10), 광학막(20), 신틸레이터층(30), 보호막(40)을 포함하여 구성된다.
기판(10)은 X선을 투과할 수 있는 재질로서, 예를들어 유리, 파이렉스(Pyrex) 외에 알루미늄 등의 금속 등도 포함한다.
기판(10)은 광학막(20)이 적층되는 면을 폴리싱하여 경면 처리한다. 경면 처리의 방법으로는 기계적 연마(mechanical polishing), 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing : CMP) 등을 이용할 수 있다.
기계적 연마의 경우, 예를들어 상면에 연마 패드를 부착한 연마 테이블과 기판(10)을 연마 테이블로 향하게 하는 톱링 등을 구비하여, 연마 테이블과 톱링을 각각 회전시키면서 톱링으로 기판(10)을 일정 압력으로 연마 테이블의 연마 패드에 가압한다. 이때, 연마 테이블의 위쪽에 설치한 연마재 노즐에서는 연마재가 공급된다.
화학 기계적 연마(CMP)는 회전판 상에 평탄화 공정을 수행할 기판(10)을 안착시키고, 기판(10)의 표면과 연마기의 패드를 접촉시킨 후 연마기 패드를 회전시켜 연마를 수행한다. 연마 중에는 화학액과 연마 입자로 구성된 슬러리가 공급된다. 화학 기계적 연마는 슬러리의 화학적 작용과 연마기의 기계적 작용의 조합에 의하여 기판이 경면 처리된다. 즉, 기판(10)의 표면과 패드 사이로 들어간 슬러리의 연마 입자가 기판(10) 표면을 연마하며, 동시에 슬러리 내의 화학적 성분과 기판(10) 표면이 화학적으로 반응하여 화학적 제거도 이루어진다.
기판(10)이 경면 처리되면, 기판(10)의 불규칙한 표면을 평탄화하기 위한 별도의 평탄화층을 기판(10)에 적층할 필요가 없으며, 그 결과 신틸레이터 패널의 구조를 단순화할 수 있다.
광학막(20)은 기판(10)의 경면 처리 표면에 바로 적층된다. 광학막(20)은 기판(10)을 투과한 X선을 신틸레이터층(30)으로 통과시키고, 신틸레이터층(30)에서 생성된 가시 광선이 기판(10) 쪽으로 투과하는 것을 차단한다.
광학막(20)은 가시 광선 영역의 특정 파장 대역을 반사시키고 다른 영역의 파장 대역은 통과시키는 일종의 컷오프 필터(cut off filter)로서 기능한다. 특히, 광학막(20)은 가시 광선 중 특정 파장 대역만을 선택적으로 반사하도록 구성할 수 있다. 가시 광선은 보통 400 내지 700nm의 파장 대역을 갖는데, 이를 세분하면 400 ~ 500nm 대역의 블루(blue) 영역, 500 ~ 600nm 대역의 그린(green) 영역, 그리고 600 ~ 700nm 대역의 레드(red) 영역으로 나눌 수 있다. 그런데, 수광 소자가 촬상 소자 기판에 형성되는 깊이에 따라 수광 소자가 가시 광선의 전 대역을 수광하지 못할 수도 있다. 예를들어, 수광 소자가 촬상 소자 기판에서 4 ~ 5 ㎛의 깊이로 형성되면, 수광 소자는 레드 영역을 수광하지 못한다. 따라서, 수광 소자의 형성 깊이에 따라 반사시켜야 하는 가시 광선의 특정 대역이 결정되므로, 광학막(20)은 수광 소자의 수광 대역에서 반사율이 최대가 되도록 구성하는 것이 바람직하다.
광학막(20)은 무기 산화물로 구성할 수 있는데, 예를들어 SiO2, TiO2 등의 금속 산화물로 구성할 수 있다.
신틸레이터층(30)은 광학막(20) 위에 기둥 모양의 구조로 증착된다. 신틸레이터층(30)의 각 기둥 구조는 그 정상부가 뾰족한 형상을 이루고 있으며, 그 두께는 약 20~2000㎛ 정도이다. 신틸레이터층(30)은 입사한 X선을 촬상소자의 수광 소자가 검출할 수 있는 가시 영역의 빛으로 변환한다.
신틸레이터층(30)은 X선을 가시 광선으로 변환할 수 있는 것이면 그 종류에 제한은 없다. 예를들어 CsI, 탈륨(Tl)이 도핑된 CsI, 나트륨(Na)이 도핑된 CsI, 탈륨(Tl)이 도핑된 NaI 등을 이용할 수 있는데, 이들 중에서 탈륨(Tl) 도핑의 CsI가 발광 효율도 좋으므로 탈륨(Tl) 도핑의 CsI를 이용하는 것이 바람직하다.
신틸레이터층(30)을 이루는 CsI는 흡습성 재료로서, 공기 중의 수증기를 흡수하면 녹는다. 즉, 신틸레이터층(30)에 습기가 닿으면 신틸레이터층(30)이 손상되며, 그 결과 촬상소자로부터 얻어지는 이미지의 해상도가 나빠지므로, 신틸레이터층(30)을 습기로부터 차단하는 것이 중요하다.
보호막(40)은 신틸레이터층(30) 위에 적층된다. 보호막(40)을 형성하는 재료로는, X선을 투과하고 습기를 차단하는 것이면 제한되지 않는다. 예를들어, 유기 수지, 구체적으로는 패릴렌 수지를 이용할 수 있다. 패릴렌은 화학적으로 증착된 폴리파라크실렌 고분자의 상품명으로, 패릴렌 N, 패릴렌 C, 패릴렌 D, 패릴렌 AF-4 등이 있다. 패릴렌에 의한 코팅막은 수증기나 가스의 투과가 적고, 발수성, 내약품성이 높으며, 우수한 전기 절연성도 갖추고 있다.
도 2는 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 제2 실시예를 도시하고 있다. 제2 실시예는 제1 실시예의 광학막(20)과 다른 구조의 광학막(20')을 갖는다.
도 2에 도시한 바와 같이, 광학막(20')은 굴절률이 다른 산화물층을 다수 적층한 다층 산화물층 구조로 구성할 수 있다. 도 1의 제1 실시예는 1개 층의 산화물층으로 광학막(20)을 구성하였는데, 이 경우 원하는 파장 대역에서 충분한 반사율을 얻지 못할 수 있다. 그러나, 도 2에 도시한 바와 같이, 다수의 산화물층(21,22)을 적층하고, 적층되는 산화물층(21,22)의 종류나 수를 적절히 선택하면, 원하는 파장 대역에서 단층 산화물층(20)으로는 얻을 수 없는 반사율을 얻을 수 있다. 예를들어, 광학막(20')은 제1 산화물층(21)으로 굴절률이 1.0 이상 2.0 미만인 SiO2막으로 선택하고, 제2 산화물층(22)으로 굴절률이 2.0 이상 3.0 미만인 TiO2막을 선택하고, 이들 산화물층(21,22)를 다수 적층할 때 층수와 두께를 적절히 선택하면, 가시 광선의 영역 중 원하는 파장 대역에서 매우 높은 반사율을 얻는 것이 가능하다. 여기서, 산화물층의 적층 수는 예를들어 20~90개로 할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 제3 실시예를 도시하고 있다. 제3 실시예는 제1,2 실시예의 보호막(40)과 다른 구성의 보호막(40')을 구비하고 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 보호막(40')은 다수 산화물층 구조로 구성할 수 있다. 즉, 다수 산화물층 구조의 보호막(40')은 신틸레이터층(30) 위에 형성되며, 습기 투과를 차단하여 습기로부터 신틸레이터층(30)을 보호한다. 또한, 다수 산화물층 구조의 보호막(40')은 신틸레이터층(30)에서 생성된 가시 광선을 촬상소자 쪽으로 투과시킨다.
보호막(40')은 하나의 산화물층으로 구성할 수도 있으나, 충분한 투과율을 얻지 못할 수 있다. 따라서, 2개 이상의 산화물층(41,42)을 적층하고, 적층되는 산화물층(41,42)의 종류나 수를 조절하면, 하나의 산화물층으로는 얻을 수 없는 투과율을 얻을 수 있다. 예를들어, 제1 산화물층(41)으로 굴절률이 1.0 이상 2.0 미만인 SiO2막을 선택하고 제2 산화물층(42)으로 굴절률이 2.0 이상 3.0 미만인 TiO2막을 선택하여 교대로 다수 적층하면, 가시 영역의 일정 파장 대역에서 투과 필터(Band Pass Filter)로서 기능하여 매우 높은 투과율을 얻을 수 있다. 이는 결과적으로 소자의 해상도를 높이는 중요한 기술이라 할 수 있으며, 부가적으로 CsI막에 대한 보호막 또는 완충막의 역할까지도 겸할 수 있는 장점을 가지고 있다.
보호막(40')은 SiO2막, TiO2막 외의 다른 금속 산화막으로도 구성할 수 있는데, 예를들어 Ta2O3 등도 이용할 수 있다.
도 4a는 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 광학막의 반사 특성을 도시하고 있다.
도 4a에 도시한 바와 같이, 다수 산화물층 구조를 갖는 광학막(20')의 경우, 450 ~ 650 nm의 가시 광선 대역에서 반사율이 거의 100%에 가깝고, 그 외 영역의 빛은 100%에 가깝게 투과시키는 특성을 보여주고 있다. 도 4a의 반사도 특성은 적층 산화물의 종류, 적층 수, 두께 등을 조절하면 반사 대역과 반사도를 변경할 수 있다.
도 4b는 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 보호막의 투과 특성을 도시하고 있다.
도 4b에 도시한 바와 같이, 다수 산화물층 구조를 갖는 보호막(40')의 경우, 450 ~ 650 nm의 가시 광선 대역에서 투과율이 거의 100%에 가깝고, 그 외 영역의 빛은 100%에 가깝게 반사시키는 특성을 보여주고 있다. 도 4b의 투과도 특성도 적층 산화물의 종류, 적층 수, 두께 등을 조절하면 투과 대역과 투과도를 변경할 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 간접 방식 신틸레이터 패널의 제조 방법을 도시하고 있다.
먼저, 기판(10)의 표면을 경면 처리한 후, 또는 표면이 경면 처리된 기판(10)을 증착 챔버 내에 삽입하여 거치한다(S51)
단계(S52)에서, 기판(10)의 경면 처리 표면에 광학막(20 또는 20')을 증착한다. 광학막(20 또는 20')의 증착에서, 기판 표면이 경면 처리되어 있어 물리 증착이나 화학 증착 등의 증착 방법을 선택하여 이용하는데 특별한 장애는 없다. 따라서, 어떤 증착 방법을 이용해도 좋다.
다층 광학막(20')의 경우, 하나의 증착 챔버 내에서 증착 물질을 변경하면서 증착할 수도 있고, 증착 물질의 수만큼 증착 챔버를 구비하고 기판(10)을 해당 증착 챔버로 이동시키면서 증착 공정을 진행할 수도 있다.
단계(S53)에서, 광학막(20 또는 20') 위에 신틸레이터층(30)을 증착한다. 증착 물질은 CsI, 탈륨(Tl)이 도핑된 CsI, 나트륨(Na)이 도핑된 CsI, 탈륨(Tl)이 도핑된 NaI 등에서 선택한다.
단계(S54)에서, 신틸레이터층(30) 위에 보호막(40 또는 40')을 형성한다.
보호막(40 또는 40')은 진공 중에서 물리 증착 또는 화학 증착 등으로 증착할 수 있다. 다만, 신틸레이터층(30)은 각 결정의 높이가 다를 수 있기 때문에 신틸레이터층(30)에 증착되는 보호막(40 또는 40')은 피복률(step coverage)이 좋아야 한다. 따라서, 보호막(40 또는 40')의 증착 방법으로는 물리 기상 증착(PVD, physical vapor deposition)을 이용하는 것이 바람직하고, 이에는 진공 증착(evaporation)이나 스퍼터링(sputtering) 방식이 있다.
진공 증착으로 보호막(40 또는 40')을 형성할 경우, 공정이 이루어지는 압력이 10-5 Torr 이하여서 증발 물질이 거의 직선 운동을 하면서 신틸레이터층(30)에 입사한다. 그 결과, 피복률이 떨어질 수 있다. 따라서, 보호막(40 또는 40')의 피복률을 높이기 위해서 기판 고정부를 돔 형상으로 구성한 '기판 경사 공/자전 방식', 즉 신틸레이터층(30)의 상면에 입사하는 증발 물질의 각도를 0~45도로 하고, 공전과 자전을 시키는 방식을 적용할 수 있다.
또한, 진공 증착 방식으로 보호막(40 또는 40')을 증착할 때, 보호막(40 또는 40')의 치밀도를 좋게 하기 위해 이온 보조 증착(IBED, ion beam assisted deposition) 방식을 적용할 수도 있다.
스퍼터링 방식을 적용하여 보호막(40 또는 40')을 증착할 경우에는 스텝 커버리지(step coverage)가 좋은 고압 스퍼터링 방식을 이용하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 고압 스퍼터링 방식은 공정 압력이 수십~수백 mTorr로서 진공 증착 방식에 비해 매우 높아 스퍼터링이 이루어지는 타겟 물질이 신틸레이터층(30)에 도달하는 입사각이 다양할 수 있기 때문이다. 이와같이, 스퍼터링 방식에서는 별도의 기판 고정 장치를 사용하지 않더라도 피복률이 좋을 수 있다.
진공 증착 방식 또는 스퍼터링 방식으로 보호막(40')을 다수 산화물층 구조로 증착할 때, 산화물층(41,42)은 굴절률이 1.0 이상 2.0 미만인 매질 1의 산화물 층(41)과 굴절률이 2.0 이상 3.0 미만인 매질 2의 산화물층(42)을 순차적으로 번갈아 가며 층을 구성한다. 이 때, 신틸레이터층(30)과 접하는 산화물층은 매질 1일 수도 있고 매질 2일 수도 있다. 다만, 신틸레이터층(30)의 굴절률과 가까운 굴절률을 갖는 매질을 신틸레이터층(30)에 먼저 증착하는 것이 바람직하다. 산화물 층(41,42)의 적층 수는 20~90개로 할 수 있는데, 이때 신틸레이터층(30)에서 생성된 가시 영역의 빛이 보호막(40')에서 최적의 투과가 일어나도록 각 산화물층(41,42)의 두께와 적층 수를 조정한다.
보호막(40 또는 40')은 신틸레이터층(30)의 상면은 물론 측면까지 밀봉한다. 이를 통해, 보호막(40 또는 40')은 습기가 신틸레이터층(30)에 닿는 것을 차단할 수 있다.
이상 본 발명을 여러 실시예에 기초하여 설명하였으나, 이는 본 발명을 예증하기 위한 것일 뿐 본 발명을 한정하려는 것은 아니다. 통상의 기술자라면, 위 실시예에 기초하여 본 발명의 사상을 다양하게 변형하거나 수정할 수 있을 것이다. 그러나, 그러한 변형이나 수정은 아래의 특허청구범위에 의해 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석될 수 있다.
10 : 기판 20, 20' : 광학막
21, 22 : 산화물층 30 : 신틸레이터층
40, 40' : 보호막 41, 42 : 산화물층
21, 22 : 산화물층 30 : 신틸레이터층
40, 40' : 보호막 41, 42 : 산화물층
Claims (8)
- 신틸레이터 패널에 있어서,
X선을 투과하며, 경면 처리된 표면을 갖는 기판;
상기 기판의 경면 처리 표면에 형성되며, X선을 투과하고 가시 광선을 반사하며, 굴절률이 다른 2 이상의 산화물층을 교대로 적층한 광학막;
상기 광학막 상에 형성되며, X선을 가시 광선으로 변환하는 신틸레이터층;
상기 신틸레이터층 상에 형성되며, 가시 광선을 투과하고 습기를 차단하는 보호막을 포함하는, 간접방식의 신틸레이터 패널. - 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 광학막은
SiO2 층과 TiO2 층을 교대로 다수 적층한 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 간접방식의 신틸레이터 패널. - 제1항에 있어서, 상기 보호막은
굴절률이 다른 2 이상의 산화물층을 교대로 다수 적층한 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 간접방식의 신틸레이터 패널. - 신틸레이터 패널의 제조방법에 있어서,
X선을 투과하고 표면이 경면 처리된 기판을 준비하는 단계;
상기 기판의 경면 처리 표면에, X선을 투과하고 가시 광선을 반사하며, 굴절률이 다른 2 이상의 산화물층이 교대로 적층된 광학막을 형성하는 단계;
상기 광학막 상에 X선을 가시 광선으로 변환하는 신틸레이터층을 형성하는 단계;
상기 신틸레이터층 상에 가시 광선을 투과하고 습기를 차단하는 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 간접방식 신틸레이터 패널의 제조방법. - 삭제
- 제5항에 있어서, 상기 보호막 형성 단계는
굴절률이 다른 2 이상의 산화물층을 교대로 적층하는 단계를 다수 수행하는 것을 특징으로 하는, 간접방식 신틸레이터 패널의 제조방법. - 제5항에 있어서, 상기 광학막 형성 단계는
공정 압력이 수십~수백 mTorr인 스퍼터링, 또는 공정 압력이 10-5 Torr 이하인 기판 경사 공/자전 방식의 이온 보조 진공 증착을 이용하는 것을 특징으로 하는, 간접방식 신틸레이터 패널의 제조방법.
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