KR20140085746A - 반절연 SiC 단결정, 성장방법 및 성장장치 - Google Patents

반절연 SiC 단결정, 성장방법 및 성장장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반절연 SiC 단결정 성장방법 및 이에 의해 제조되는 SiC 단결정에 관한 것으로, SiC 원료물질이 장입되는 도가니, 종자정이 부착되는 종자정 홀더, 도가니를 가열하는 가열수단을 포함하는 성장장치를 이용하여 상기 원료물질을 승화시켜 단결정을 성장시키는 반절연 SiC 단결정 성장방법에 있어서, 서로 면이 다른 SiC 종자정을 준비하는 단계; 상기 SiC 종자정을 종자정 홀더에 부착하는 단계; 상기 도가니 내부에 SiC 원료물질을 장입하는 단계; 및 상기 가열수단으로 상기 도가니를 가열함으로써 상기 원료물질을 승화시켜 상기 SiC 종자정을 성장시키는 단계; 를 포함하는 반절연 SiC 단결정 성장방법, 이에 의해 제조되는 SiC 단결정 및 이를 성장시키는 성장장치가 개시된다.

Description

반절연 SiC 단결정, 성장방법 및 성장장치{SEMI INSULATING SiC SINGLE CRYSTAL, GROWING METHOD FOR THE SAME AND APPARATUS FOR GROWING THE SAME}
본 발명은 반절연 SiC 단결정, 단결정 성장방법 및 성장장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 면이 다른 종자정에 원료물질을 승화시킴으로써 반절연 특성을 가지는 단결정을 성장시키는 기술에 관한 것이다.
대표적인 반도체 소자 재료로 사용된 Si이 물리적 한계를 보이게 됨에 따라, 차세대 반도체 소자 재료로서 SiC, GaN, AlN 및 ZnO 등의 광대역 반도체 재료가 각광을 받고 있다. 여기서, GaN, AlN 및 ZnO에 비해 SiC는 열적 안정성이 우수하고, 내산화성이 우수한 특징을 가지고 있다. 또한, SiC는 4.6W/cm℃ 정도의 우수한 열전도도를 가지고 있으며, 직경 2인치 이상의 대구경의 기판으로서 생산 가능하다는 장점이 있어, GaN, AlN 및 ZnO 등의 기판에 비해 각광을 받고 있다.
한편, 회로가 고집적화되고 배선의 폭이 나노(nono) 크기로 작아지면서, 회로 간의 전류가 통전되는 문제를 해결하기 위하여, 반절연(semi-insulating) 단결정을 기판으로 사용한다. 여기서 반절연(semi-insulating) 단결정이란 캐리어 농도가 1×1016 /cm3 이하인 단결정을 말한다. 반절연이 아닌 일반적인 SiC 단결정 기판의 경우 전도성이 강하기 때문에, 회로간의 전류가 통전되는 문제가 있다.
또한, 종래에는 통상적으로 단결정 성장시 도핑을 원료소스나 가스 소스로 공급하여 조절하여 도핑을 제어하여 단결정을 제작하였다. 하지만 상기와 같은 방법을 이용하여 단결정 기판을 제작하는 경우, 투과율이 낮게 나오는 경우가 있었다. 이러한 투과율을 통해 단결정의 캐리어 농도를 유추할 수 있는데, 투과율이 낮을수록 캐리어 농도가 높아져, 반절연(semi-insulating) 단결정을 제작하는데 어려움이 있었다.
이를 해결하기 위해 종래에는 SiC 파우더에 바나듐(Vanadium) 파우더를 혼합하고, 이를 원료물질로 사용하여 반절연(semi-insulating) 단결정을 제작하는 기술이 개발되었으나, 바나듐(Vanadium)의 승화 온도와 SiC의 승화온도 차이가 커서 상기 바나듐이 단결정 내에 균일하게 도핑되지 않는 문제가 있다. 이와 같이 단결정 내에 바나듐이 불균일하게 도핑되면, 전하 이동도가 감소되어 제품의 특성이 저하되는 문제가 발생된다.
본 발명의 실시예들은 저항이 크고 캐리어 농도가 적은 반절연(semi insulating) 단결정을 성장시키는 단결정 성장방법, 이에 의해 제조되는 단결정 및 이를 성장시키기 위한 단결정 성장장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 하나 또는 다수의 실시예에서는 SiC 원료물질이 장입되는 도가니, 종자정이 부착되는 종자정 홀더, 도가니를 가열하는 가열수단을 포함하는 성장장치를 이용하여 상기 원료물질을 승화시켜 단결정을 성장시키는 반절연 SiC 단결정 성장방법에 있어서, 서로 면이 다른 SiC 종자정을 준비하는 단계; 상기 SiC 종자정을 종자정 홀더에 부착하는 단계; 상기 도가니 내부에 SiC 원료물질을 장입하는 단계; 및 상기 가열수단으로 상기 도가니를 가열함으로써 상기 원료물질을 승화시켜 상기 SiC 종자정을 성장시키는 단계; 를 포함하는 반절연 SiC 단결정 성장방법이 제공될 수 있다.
본 발명의 하나 또는 다수의 실시예에서는 SiC 원료물질을 장입한 후에는 상기 도가니 내의 불순물을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 하나 또는 다수의 실시예는 도가니 내의 불순물 제거는 1300~1500℃의 진공상태에서 이루어지고, 상기 도가니 내의 불순물을 제거한 후에는 상기 도가니 내의 압력을 대기압으로 높인 후, 2000~2300℃의 범위에서 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 하나 또는 다수의 실시예에서는 단결정 성장은 20~60mbar의 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 하나 또는 다수의 실시예에서는 상기 방법에 의해 제조되는 SiC 단결정이 제공될 수 있다.
본 발명의 하나 또는 다수의 실시예의 단결정의 저항은 1×105Ωcm 이상이며, 상기 단결정의 캐리어 농도는 1×1016/cm3 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 하나 또는 다수의 실시예에서는 SiC 원료물질이 장입되는 내부 공간이 마련된 도가니; 상기 도가니의 상측 내부에 부착되어 종자정이 부착되도록 하는 종자정 홀더; 상기 도가니를 둘러싸는 단열재; 상기 단열재의 외부에 형성되는 석영관; 및 상기 석영관의 외부에 형성된 가열수단을 포함하는 SiC 단결정 성장장치가 제공될 수 있다.
상기 도가니는 Ta, Hf, Nb, Zr, W, V 중 하나 이상의 혼합물과 탄소로 이루어진 탄화물 또는 Ta, Hf, Nb, Zr, W, V 중 하나 이상의 혼합물과 질소가 이루는 질화물로 도포되는 것을 특징으로 한다.
상기 단열재는 복수의 층으로 형성될 수 있으며, 상기 가열수단은 고주파 유도 코일인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예들은 면이 다른 SiC 종자정을 같이 성장시켜 도핑이 되는 정도의 차이를 이용함으로써, 투과율이 높은 반절연(semi insulating) 단결정을 용이하게 제작할 수 있다.
또한, 단결정의 저항이 커서 고집적 회로 또는 나노(nano) 폭의 배선이 통전되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 성장장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 면이 다른 SiC 종자정이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 성장된 단결정을 웨이퍼 형태로 만든 사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 단결정의 각 부위별 엑스선 회절실험(XRD )그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 단결정의 흡수율 및 투과율을 나타내는 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 위주로 설명한다.
이러한 실시예는 본 발명에 따른 일실시예로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 여러 가지 상이한 형태로 구현할 수 있으므로, 본 발명의 권리범위는 이하에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다 할 것이다.
본 발명에 따른 단결정 성장 방법은 서로 면이 다른 SiC 종자정를 준비하는 단계, 상기 SiC종자정을 종자정 홀더에 부착하는 단계 및 상기 SiC 종자정을 원료물질을 이용하여 단결정을 성장시키는 단계를 포함한다.
상기 SiC 성장 방법에 SiC 원료물질을 사용하며, 상기 원료물질이 장입되는 도가니, 종자정이 부착되는 종자정 홀더, 도가니를 가열하는 가열수단을 포함하는 성장장치(10)를 이용하여, 상기 원료물질을 승화시켜 단결정을 성장시키는 성장 방법에 있어서, 상기 종자정 홀더에 종자정을 부착시키는 단계, 상기 종자정이 부착된 종자정 홀더를 성장장치(10) 내로 인입시키는 단계, 상기 원료물질을 성장장치(10) 내부에 배치된 도가니에 장입시키는 단계 및 상기 가열 수단을 이용하여 도가니를 가열시켜, 상기 도가니 내에 장입된 원료물질을 승화시켜 종자정에 단결정을 성장시키는 단계를 포함한다.
이때, 상기 종자정은 서로 다른면(Si-Face, C-Face)을 부착한다.
또한, 본 발명에 따른 실시예에서는 상기 서로 다른면(Si-Face, C-Face)의 종자정을 이용하여 SiC 단결정을 성장시켜 상기 단결정의 투과율이 400nm 내지 800nm에서 50%가 되고, 단결정의 저항이 1×105Ωcm 이상이 되도록 한다. 또한, 상기 단결정의 캐리어 농도가 1×1016/cm3 이하가 되도록 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 성장장치(10)를 도시한 단면도인데, 도 1을 참조하면, 성장장치(10)는 SiC 원료물질이 장입되는 내부 공간이 마련된 도가니(100), 종자정(200)이 부착되는 종자정 홀더(300), 도가니(100)를 둘러싸는 단열재(400) 및 석영관(500), 석영관(500) 외부에 마련되어 도가니(100)를 가열하기 위한 가열수단(600)을 포함한다. 또한, 가열수단(600)을 독립적으로 작동시키기 위한 제어장치(미도시)를 더 포함할 수도 있다.
상기 도가니(100)는 원료물질의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질로 제작되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 흑연으로 제작되거나 흑연 재질 상에 원료물질의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질이 도포될 수도 있다. 여기서, 흑연 재질 상에 도포되는 물질은 원료물질이 승화되어 단결정이 성장되는 온도에서 실리콘 및 수소에 대해 화학적으로 불활성인 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 금속 탄화물로는 금속 질화물을 이용할 수 있으며, 특히 Ta, Hf, Nb, Zr, W, V 중 하나 또는 둘 이상의 혼합물과 탄소로 이루어지는 탄화물과, Ta, Hf, Nb, Zr, W, V 중 하나 또는 둘 이상의 혼합물과 질소로 이루어지는 질화물을 이용할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 서로 다른면(Si-Face, C-Face)의 종자정을 나타낸 사진이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 성장된 단결정을 웨이퍼 형태로 만든 사진이다.
본 발명에 따른 실시예의 도가니(100) 내에는 단결정을 성장시키는 원료인 SiC 원료물질과 단결정이 생성되는 장소가 되는 종자정이 장입되는데, 종자정(6H-SiC)을 서로 다른 두 개의 면(Si-Face, C-Face)을 사용한다. 이때 서로 다른 면을 사용하는 이유는 서로 도핑이 되는 정도의 차이를 이용하여 반절연(semi-insulating) 상태의 단결정을 성장시키기 위함이다. 서로 다른 면(Si-Face, C-Face)을 사용하여 단결정을 성장시켰을 때 Si면 6H-SiC 단결정이 C면 4H-SiC 단결정에 비해 투과율이 높다.
그리고, 본 발명에 따른 실시예에서는 반절연(semi-insulating) 단결정을 성장시키기 위하여 도핑농도를 낮게 만들어야 하는데, 상기에서, 반절연(semi-insulating) 상태의 단결정이란 캐리어 농도가 1×1016 /cm3 이하인 단결정을 의미한다.
종자정 홀더(300)는 서로 다른 면(Si-Face, C-Face)의 종자정(200)을 지지하는 수단으로써, 고밀도의 흑연을 이용하여 제작된다. 그리고 서로 다른 면(Si-Face, C-Face)의 종자정(200)이 부착된 종자정 홀더(300)를 도가니(100) 내의 상부에 장착하여, 상기 서로 다른 면(Si-Face, C-Face)의 종자정(200) 상에 단결정을 형성한다.
상기 단열재(400) 및 석영관(500)은 도가니(100) 외부에 마련되며, 도가니(100)의 온도를 결정 성장 온도로 유지하도록 한다. 이때, 원료물질의 결정 성장 온도가 매우 높기 때문에, 흑연 섬유를 압착시켜 일정 두께의 관상 원통형으로 제작된 흑연 펠트를 단열재(400)로 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 단열재(400)는 복수의 층으로 형성되어 도가니(100)를 둘러쌀 수도 있다.
가열수단(600)은 석영관(500) 외부에 마련되며, 예를 들어, 고주파 유도 코일이 이용될 수 있다. 고주파 유도 코일에 고주파 전류를 흐르게 함으로써 도가니(100)를 가열하고, 원료물질을 원하는 온도로 가열한다.
이하에서는 도 1을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 단결정 성장 방법을 설명한다.
본 발명에 따른 실시예에서는 PVT(Physical Vapor Transport) 방법을 이용하여 서로 다른 면(Si-Face, C-Face)의 종자정(200) 상에 다양한 SiC로 이루어진 단결정을 성장시킨다. 이를 위해 먼저, SiC로 이루어진 서로 다른 면(Si-Face, C-Face)의 종자정(200)을 마련하고, 접착제를 이용하여 서로 다른 면(Si-Face, C-Face)의 종자정(200)을 종자정 홀더(300)에 부착한다.
이후, 서로 다른 면(Si-Face, C-Face)의 종자정(200)이 부착된 종자정 홀더(300)를 성장장치(10) 내로 인입시키고, 이를 도가니(100) 내부 상측에 장착한다. 이때, 종자정 홀더(300)에 부착된 서로 다른 면(Si-Face, C-Face)의 종자정(200)의 성장면이 도가니(100) 내부 상측에 배치되도록 하는 것이 바람직하다. 그리고, 도가니(100)의 내부에 SiC 파우더 원료물질을 장입한다. 이어서, 1300℃ 내지 1500℃의 온도와 진공압력으로 2 시간 내지 3시간 동안 가열하여 도가니(100)에 포함된 불순물을 제거한다. 이때, 1300℃ 미만의 온도 범위에서는 불순물의 제거 효과가 미미하고, 1500℃보다 높은 온도 범위에서는 불순물 제거 속도 및 불순물 제거량과 관련하여 불필요하게 고온이므로 상기 불순물 제거를 위한 도가니(100) 내의 온도는 1300~1500℃로 한정한다.
도가니(100) 내의 불순물을 제거한 이후, 불활성 가스 예를 들어, 아르곤(Ar) 가스를 주입하여 도가니(100) 내부 및 도가니(100)와 단열재(400) 사이에 남아있는 공기를 제거한다. 이어서 압력을 대기압으로 높인 후, 가열수단(600)을 이용하여 도가니(100)를 2000℃ 내지 2300℃의 온도로 가열한다. 여기서, 대기압을 유지하는 이유는 결정 성장 초기에 원하지 않는 결정 다형의 발생을 방지하기 위함이다. 즉, 먼저 대기압을 유지하며 원료물질을 성장 온도까지 승온시킨다. 그리고, 성장장치(10) 내부를 20mbar 내지 60mbar으로 감압하여 성장 압력으로 유지시키면서, 원료물질을 승화시켜 단결정을 성장시킨다.
이때, 성장된 단결정은 도 3에 도시된 바와 같이, 여러 종류의 SiC이다. 상기의 도가니(100) 내의 온도와 성장장치(10) 내부의 압력은 동시에 제어해야 하는 인자로 SiC 분말이 2000℃ 정도에서 승화가 일어나고 2300℃보다 높은 온도에서는 반절연 단결정의 성장이 쉽지 않다. 또한, 성장장치(10) 내의 압력이 20mbar 보다 낮으면 단결정의 성장 품질이 나빠지고, 60mbar 보다 높으면 성장 속도가 느려지거나 성장이 일어나지 않을 수 있기 때문에 상기 온도 및 압력으로 한정한다.
이와 같이 서로 다른 면(Si-Face, C-Face)의 SiC에 SiC 원료물질을 이용하여 단결정을 성장시키면, 서로 다른 면(Si-Face, C-Face)의 단결정에서 Si-Face의 6H-SiC단결정은 C-Face의 4H-SiC단결정에 비하여 높은 투과율, 낮은 캐리어 농도, 높은 저항을 갖는다. 이때, 본 발명에 따른 실시예의 단결정은 1×1016 /cm3 이하의 캐리어 농도를 갖는 반절연(semi insulating) 특성을 나타낸다. 또한, 본 발명에 따른 실시예의 단결정은 1×105Ωcm 이상의 높은 저항을 갖는다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 여러 개의 단결정의 사진이고, 도 4는 도 3의 (b)의 단결정에 대한 엑스선 회절(XRD)실험 그래프인데, 단결정 성장시 질소(N2)를 혼입하여 도핑하였다. 도 4를 참조하면, 서로 다른 면(Si-Face, C-Face)의 단결정을 성장시켰기 때문에 롬보헤드랄(rhombohedral) 구조인15R-SIC, 헥사고날(hexagonal) 구조인 4H-SIC 및 6H-SIC와 같이 여러 가지 종류의 SiC가 나타나는 것을 알 수 있다. 이는 피크(peak)의 강도(intensity)에 의해 구분할 수 있다. 이로 인해, 도 4에 도시된 바와 같이 도핑 정도의 차이로 인하여 상대적 도핑이 가능한 단결정을 제작할 수 있다. 도 3 및 도 4의 단결정에서 좌측은 Si면이고, 우측은 C면으로 반절연 단결정의 모습을 나타낸 것인데, 특히 황색은 15R-SiC를 나타내고, 갈색은 반절연의 4H-SIC를 나타낸다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 Si면 6H-SiC 단결정 웨이퍼는 C면 4H-SiC단결정 웨이퍼에 비해 투명하다. 그리고 C면의 단결정은 모든 색이 진한 색을 띤다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 단결정 및 비교예에 따른 단결정의 투과율 및 흡수율의 그래프이다. 도 5의 #2, #4, #6, #8은 각각 도 3의 (a), (b), (c), (d)의 단결정에 대한 그래프이다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 단결정에서 Si-면 6H-SiC 단결정 부위가 C-면 4H-SiC 단결정 부위에 비하여 투과율이 더 높다. 즉, 400nm 내지 800nm 파장에서 Si-면 6H-SiC단결정의 투과율은 50%이고, C-면 4H-SiC단결정 부위에 비하여 투과율이 더 높다. 이는, Si면 6H-SiC보다 C면의 4H-SiC가 질소 도핑이 더 잘되기 때문이다. 즉, C 면 4H-SiC에의 질소 도핑이 Si면 6H-SiC에서의 질소 도핑보다 상대적으로 잘 되는 것을 이용하여 투과율이 C면보다 상대적으로 Si면의 투과율이 높다. 또한, 단결정의 투과율 그래프에서는 400nm 내지 700nm에서 급격한 투과율의 변화가 관찰된다. 즉, C면의 경우 파장이 400nm에서 460nm로 증가함에 따라 투과율이 38%에서 5%로 급격하게 감소하다가, 파장이 460nm에서 700nm로 증가함에 따라 투과율이 5%에서 48%로 급격하게 증가한다. 이와 같은 변화로부터 반절연 특성을 갖는 단결정임을 알 수 있다.
그리고 Si면의 경우 파장이 570nm에서 630nm로 증가함에 따라 투과율이 52%에서 35%로 급격하게 감소하다가, 파장이 630nm에서 700nm로 증가함에 따라 투과율이 35%에서 50%로 급격하게 증가한다. 이러한 투과율의 급격한 변화는 단결정 성장시 상기 단결정에 질소(N2)의 혼입에 기인한 것이다. 질소(N2)가 혼입되면 단결정의 투과율이 저하되는 문제가 있다. 이에, 단결정 성장시 질소(N2)가 적게 도핑이 된 Si면 6H-SiC 단결정 투과율이 C면 4H-SiC 단결정의 투과율에 비해 높다. 그리고 이러한 투과율 데이터를 통해 Si면 6H-SiC 단결정의 캐리어 농도가 C면 4H-SiC 단결정의 캐리어 농도에 비해 낮다는 것을 유추할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 Si면 6H-SiC 단결정은 고집적화된 회로 및 나노(nano) 사이즈의 배선이 필요한 전기소자 예를 들어, MEFEST의 기판으로 사용될 수 있으나, C면 4H-SiC 단결정을 고집적 회로 또는 나노(nano) 폭의 배선이 필요한 전기소자에 적용할 경우, 회로 또는 배선이 통전될 수 있는 문제가 있으므로 C면 4H-SiC 단결정은 전력변환소자 등에 사용된다.
이상으로 본 발명에 관한 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 실시예로부터 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의한 용이하게 변경되어 균등하다고 인정되는 범위의 모든 변경을 포함한다.

Claims (12)

  1. SiC 원료물질이 장입되는 도가니, 종자정이 부착되는 종자정 홀더, 도가니를 가열하는 가열수단을 포함하는 성장장치를 이용하여 상기 원료물질을 승화시켜 단결정을 성장시키는 반절연 SiC 단결정 성장방법에 있어서,
    서로 면이 다른 SiC 종자정을 준비하는 단계;
    상기 SiC 종자정을 종자정 홀더에 부착하는 단계;
    상기 도가니 내부에 SiC 원료물질을 장입하는 단계; 및
    상기 가열수단으로 상기 도가니를 가열함으로써 상기 원료물질을 승화시켜 상기 SiC 종자정을 성장시키는 단계;
    를 포함하는 반절연 SiC 단결정 성장방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 SiC 원료물질을 장입한 후에는 상기 도가니 내의 불순물을 제거하는 단계를 더 포함하는 반절연 SiC 단결정 성장방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 도가니 내의 불순물 제거는 1300~1500℃의 진공상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반절연 SiC 단결정 성장방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 도가니 내의 불순물을 제거한 후에는 상기 도가니 내의 압력을 대기압으로 높인 후, 2000~2300℃의 범위에서 가열하는 단계를 더 포함하는 반절연 SiC 단결정 성장방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 단결정 성장은 20~60mbar의 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반절연 SiC 단결정 성장방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 의해 제조되는 SiC 단결정.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 단결정의 저항은 1×105Ωcm 이상인 것을 특징으로 하는 SiC 단결정.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 단결정의 캐리어 농도는 1×1016/cm3 이하인 것을 특징으로 하는 SiC 단결정.
  9. SiC 원료물질이 장입되는 내부 공간이 마련된 도가니;
    상기 도가니의 상측 내부에 부착되어 종자정이 부착되도록 하는 종자정 홀더;
    상기 도가니를 둘러싸는 단열재;
    상기 단열재의 외부에 형성되는 석영관; 및
    상기 석영관의 외부에 형성된 가열수단을 포함하는 SiC 단결정 성장장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 도가니는 Ta, Hf, Nb, Zr, W, V 중 하나 이상의 혼합물과 탄소로 이루어진 탄화물 또는 Ta, Hf, Nb, Zr, W, V 중 하나 이상의 혼합물과 질소가 이루는 질화물로 도포되는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 성장장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 단열재는 복수의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 성장장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 가열수단은 고주파 유도 코일인 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 성장장치.
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