KR20140080554A - Wafer surface-treatment method and surface-treatment liquid, and surface-treatment agent, surface-treatment liquid, and surface-treatment method for silicon-nitride-containing wafers - Google Patents

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Abstract

개시되는 것은 규소 원소를 포함하는 웨이퍼 표면을 소수화함으로써 그 웨이퍼와 레지스트의 밀착성을 높이는 상기 웨이퍼의 표면 처리방법으로서, 아래에 나타내는 공정,
상기 웨이퍼 표면에 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 접촉시켜서 그 웨이퍼 표면을 소수화하는 표면 처리 공정,
상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 처리액을 제거하는 처리액 제거 공정,
상기 웨이퍼 표면에 레지스트를 성막하는 레지스트 성막 공정
을 포함하고, 표면 처리 공정에 있어서 하기 일반식 I-1로 표시되는 규소 화합물, 산 및 희석용매를 포함하는 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 사용하는 것을 특징으로 하는 규소 원소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법.
[일반식 I-1]

Figure pct00023

[식 I-1 중 R1은 각각 서로 독립적으로 수소기 또는 탄소수가 1~18인 탄화수소기이고, 그 탄화수소기의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어 있어도 된다. X는 각각 서로 독립적으로 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기이고, a는 1~3의 정수이다.]Disclosed is a method for surface treatment of a wafer which increases the adhesion between the wafer and the resist by hydrophobizing the surface of the wafer containing the silicon element,
A surface treatment step of bringing a surface treatment liquid for a silicon element-containing wafer into contact with the surface of the wafer to hydrophilize the surface of the wafer,
A process liquid removing step of removing the process liquid from the wafer surface,
A resist film forming step of forming a resist on the wafer surface
Characterized in that, in the surface treatment step, a surface treatment liquid for silicon-containing wafers containing a silicon compound, an acid and a diluting solvent represented by the following general formula (I-1) is used. Way.
[Formula I-1]
Figure pct00023

[In the formula (I-1), R 1 is each independently a hydrogen group or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom of the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom. X is a monovalent functional group in which an element bonding to the silicon element is nitrogen, and a is an integer of 1 to 3, independently of each other.

Description

웨이퍼의 표면 처리방법 및 표면 처리액, 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제, 표면 처리액 및 표면 처리방법{Wafer surface-treatment method and surface-treatment liquid, and surface-treatment agent, surface-treatment liquid, and surface-treatment method for silicon-nitride-containing wafers}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a surface treatment method and a surface treatment agent for a silicon nitride-containing wafer, a surface treatment method and a surface treatment agent for a silicon nitride-containing wafer, treatment method for silicon-nitride-containing wafers}

본 발명은 반도체 디바이스 제조 등에 있어서의 레지스트와 규소 원소 함유 웨이퍼의 밀착성을 개선하는 규소 원소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법 및 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액에 관한 것이다. 또한 본 발명은 반도체 디바이스 제조 등에 있어서의 레지스트와 질화규소를 포함하는 웨이퍼의 밀착성을 개선하는 상기 웨이퍼용 표면 처리제, 표면 처리액 및 상기 웨이퍼의 표면 처리방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a surface treatment method of a silicon element-containing wafer and a surface treatment solution for a silicon element-containing wafer, which improves the adhesion between a resist and a silicon element-containing wafer in semiconductor device production and the like. The present invention also relates to a surface treatment agent for wafers, a surface treatment solution, and a surface treatment method of the wafer which improve the adhesion between a resist containing silicon nitride and a wafer in semiconductor device production or the like.

　반도체 칩의 제조에서는 레지스트를 성막한 후 리소그래피나 에칭 등을 거쳐 실리콘 웨이퍼 표면에 미세한 레지스트 패턴이 형성된다. 또한 이 레지스트 패턴을 몰드로 하여 웨이퍼 표면의 에칭이 행해져 웨이퍼 표면에 요철 패턴이 형성된다. 상기 레지스트의 성막에 있어서 레지스트와 웨이퍼 표면의 밀착성이 불충분한 경우가 많기 때문에, 레지스트의 성막 전에 HMDS 등의 실란커플링제를 사용하여 웨이퍼 표면을 소수화 처리함으로써 밀착성을 개선할 수 있는 것이 알려져 있다(예를 들면 특허문헌 1). 이 처리를 행한 후 레지스트의 성막을 행함으로써 웨이퍼와 레지스트의 밀착성이 개선되어 양호한 레지스트 패턴을 형성하는 것이 가능하다. 그러나 패턴이 미세화됨에 따라 웨이퍼와 레지스트의 접촉 면적이 보다 작아지기 때문에 웨이퍼와 레지스트의 밀착성은 보다 높은 것이 요구된다. 이 밀착성이 부족하면 레지스트 패턴의 박리나 쓰러짐의 문제가 발생한다. 또한 상기 패턴의 미세화에 대응한 액침 리소그래피에 있어서는 액침 중에 레지스트가 박리되기 쉬운 것이 특히 문제가 되고 있다. 웨이퍼 표면의 소수성을 보다 향상시키면 웨이퍼와 레지스트의 밀착성을 보다 개선할 수 있는 경향이 있기 때문에, 지금까지 여러 가지 실란커플링제를 사용하여 웨이퍼 표면의 소수성 향상이 검토되고 있다(예를 들면 특허문헌 2, 3). In the manufacture of a semiconductor chip, a fine resist pattern is formed on the surface of a silicon wafer through lithography, etching, or the like after forming a resist film. Further, the wafer surface is etched using the resist pattern as a mold, and a concavo-convex pattern is formed on the wafer surface. It has been known that the adhesiveness between the resist and the wafer surface is often insufficient in the film formation of the resist, so that the adhesion can be improved by hydrophobizing the surface of the wafer using a silane coupling agent such as HMDS before the resist is formed For example, Patent Document 1). By performing the film formation of the resist after this treatment, adhesion between the wafer and the resist is improved and a good resist pattern can be formed. However, since the contact area between the wafer and the resist becomes smaller as the pattern becomes finer, the adhesion between the wafer and the resist is required to be higher. If the adhesion is insufficient, there arises a problem of peeling or falling of the resist pattern. In the immersion lithography corresponding to the miniaturization of the pattern, it is particularly problematic that the resist tends to peel off during immersion. The hydrophobicity of the surface of the wafer is further improved to improve the adhesion between the wafer and the resist. Therefore, the improvement of the hydrophobicity of the surface of the wafer using various silane coupling agents has been investigated (see, for example, Patent Document 2 , 3).

웨이퍼를 소수화하는 방법으로서는 실란커플링제를 함유하는 처리액에 웨이퍼를 침지하는 방법, 실란커플링제를 함유하는 처리액을 웨이퍼 상에 스핀 처리하는 방법 등의 실란커플링제를 함유하는 처리액과 웨이퍼를 접촉시키는 방법 또는 실란커플링제를 질소 등의 가스로 버블링한 기체를 가열한 상태의 웨이퍼 표면에 스프레이하는 방법(증기 프라임법) 등이 알려져 있다(예를 들면 특허문헌 1). 그러나 실란커플링제의 처리 성능을 고려할 때 단시간으로의 처리가 가능한 증기 프라임법이 일반적이다(예를 들면 특허문헌 2, 3). As a method of hydrophobizing the wafer, there are a method of immersing the wafer in a treatment liquid containing a silane coupling agent, a treatment liquid containing a silane coupling agent such as a method of spinning a treatment liquid containing a silane coupling agent on the wafer, (Steam-prime method), or the like (see, for example, Patent Document 1), or a method of spraying a gas obtained by bubbling a silane coupling agent with a gas such as nitrogen onto a surface of a wafer in a heated state (steam prime method). However, in consideration of the treatment performance of a silane coupling agent, a steam prime method which can be treated in a short time is generally used (for example, Patent Documents 2 and 3).

또한 더 나아가서는, 최근 들어 웨이퍼 재질의 다양화에 수반하여 산화규소에 비해 실란커플링 처리하기 어려운 질화규소를 포함하는 웨이퍼로의 소수화 처리도 요구되어지고 있다. 그러나 질화규소 표면에 대해서도 우수한 소수성을 부여할 수 있는 표면 처리액은 지금까지 없었다. Furthermore, in recent years, there has been a demand for hydrophobic treatment of wafers containing silicon nitride, which is difficult to perform silane coupling treatment with respect to silicon oxide, in accordance with diversification of wafer materials. However, there have been no surface treating solutions capable of imparting excellent hydrophobicity to the surface of silicon nitride.

일본국 특허공고 소47-026043호 공보Japanese Patent Publication No. 47-026043 일본국 특허공개 평09-102458호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 09-102458 일본국 특허공개 제2007-19465호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-19465

＜제1 견지에서＞≪ First aspect &

규소 원소를 포함하는 웨이퍼(이하 「규소 원소 함유 웨이퍼」 또는 간단히 「웨이퍼」로 기재하는 경우가 있다)와 레지스트의 밀착성은 웨이퍼 표면을 충분히 소수화함으로써 개선할 수 있다. 웨이퍼 표면의 소수화에는 웨이퍼 표면에 존재하는 수산기 등의 반응 활성점과 소수성을 갖는 화합물을 결합시킬 필요가 있다. 종래의 기술에서는 웨이퍼의 소수화는 실란커플링제를 질소 등의 가스로 버블링한 기체를 가열한 상태의 웨이퍼 표면에 스프레이하는 방법(증기 프라임법)에 의해 행해지고 있다. 이는 실란커플링제를 함유하는 처리액과 웨이퍼를 접촉시키는 방법에서는 그 실란커플링제의 반응성이 낮기 때문에 웨이퍼 표면을 충분히 소수화할 수 없거나 또는 웨이퍼 표면에 충분한 소수성을 발현하는데 장시간을 필요로 하는 문제가 있기 때문에, 그 문제를 해결하기 위해 단시간에 웨이퍼 표면에 충분한 소수성을 발현하기 쉬운 증기 프라임법을 채용할 필요가 있었기 때문이다. 그러나 그 방법으로는 실란커플링제를 증기화시키기 위해 특수한 장치(챔버)가 필요하고, 장치 내에서 배치별로 처리할 필요가 있기 때문에 스루풋이 나쁜 문제가 있었다. 또한 웨이퍼를 가열할 필요가 있는 것으로부터 에너지 손실이 큰 처리방법이었다. 본 발명은 특수한 장치를 필요로 하지 않고 에너지 손실이 적으며 스루풋이 개선된 규소 원소를 포함하는 웨이퍼 표면을 소수화함으로써, 그 웨이퍼와 레지스트의 밀착성을 높이는 것이 가능한 규소 원소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법 및 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액(이하 「표면 처리액」 또는 단순히 「처리액」으로 기재하는 경우가 있다)을 제공하는 것을 과제로 한다. The adhesion of a wafer containing a silicon element (hereinafter sometimes referred to as a " silicon element-containing wafer " or simply " wafer ") and a resist can be improved by sufficiently hydrophobizing the wafer surface. In order to hydrophobize the surface of the wafer, it is necessary to bond a compound having a hydrophobic property with a reaction active site such as a hydroxyl group existing on the wafer surface. In the prior art, the hydrophobicization of the wafer is carried out by a method (steam-prime method) in which a gas obtained by bubbling a silane coupling agent with a gas such as nitrogen is sprayed on a heated wafer surface. This is because the reactivity of the silane coupling agent with the treatment liquid containing the silane coupling agent and the method of contacting the wafer is low so that the hydrophobic surface of the wafer can not be sufficiently hydrophobic or a long time is required for exhibiting sufficient hydrophobicity on the surface of the wafer Therefore, in order to solve the problem, it is necessary to adopt a steam prime method which easily exhibits sufficient hydrophobicity on the wafer surface in a short time. However, such a method requires a special apparatus (chamber) for vaporizing the silane coupling agent, and there is a problem in that the throughput is bad because it needs to be treated in batches in the apparatus. In addition, since it is necessary to heat the wafer, the energy loss is large. The present invention relates to a surface treatment method of a silicon element-containing wafer capable of enhancing adhesion between a wafer and a resist by hydrophobizing the surface of the wafer containing silicon elements having little energy loss and improved throughput without requiring a special apparatus, (Hereinafter sometimes referred to as a " surface treatment liquid " or simply a " treatment liquid ") for an element-containing wafer.

＜제2 견지에서＞In the second aspect,

웨이퍼와 레지스트의 밀착성은 웨이퍼 표면을 충분히 소수화함으로써 개선할 수 있다. 웨이퍼 표면의 소수화에는 웨이퍼 표면에 존재하는 수산기 등의 반응 활성점과 소수성을 갖는 화합물을 결합시킬 필요가 있다. 질화규소를 포함하는 웨이퍼(이하 「질화규소 함유 웨이퍼」, 「질화규소 웨이퍼」 또는 간단히 「웨이퍼」로 기재하는 경우가 있다)의 경우는 그 웨이퍼 표면에 존재하는 수산기가 적기 때문에, 종래의 기술에서는 그 웨이퍼 표면에 충분한 소수성을 부여하는 것은 곤란하여 웨이퍼와 레지스트의 밀착성을 높일 수 없는 경우가 있었다. 본 발명은 질화규소 함유 웨이퍼 표면을 소수화함으로써 그 웨이퍼와 레지스트의 밀착성을 개선하는 것이 가능한 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제(이하 「표면 처리제」 또는 간단히 「처리제」로 기재하는 경우가 있다), 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액(이하 「표면 처리액」 또는 간단히 「처리액」으로 기재하는 경우가 있다) 및 질화규소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법을 제공하는 것을 과제로 한다. The adhesion between the wafer and the resist can be improved by sufficiently hydrophobizing the wafer surface. In order to hydrophobize the surface of the wafer, it is necessary to bond a compound having a hydrophobic property with a reaction active site such as a hydroxyl group existing on the wafer surface. In the case of wafers containing silicon nitride (hereinafter sometimes referred to as "silicon nitride-containing wafers", "silicon nitride wafers", or simply "wafers"), since the number of hydroxyl groups present on the wafer surface is small, It is difficult to impart sufficient hydrophobicity to the wafer and the adhesion between the wafer and the resist can not be enhanced. The present invention relates to a silicon nitride-containing surface treatment agent (hereinafter sometimes referred to as a "surface treatment agent" or simply "treatment agent") capable of improving adhesion between a wafer and a resist by hydrophobizing the silicon nitride-containing wafer surface, A surface treatment liquid (hereinafter sometimes referred to as a " surface treatment liquid " or simply a " treatment liquid ") and a surface treatment method of silicon nitride-containing wafers.

＜제1 견지에서＞≪ First aspect &

본 발명은 규소 원소를 포함하는 웨이퍼 표면을 소수화함으로써 그 웨이퍼와 레지스트의 밀착성을 높이는 상기 웨이퍼의 표면 처리방법으로서, 아래에 나타내는 공정,The present invention relates to a method for surface treatment of a wafer which improves adhesion between the wafer and resist by hydrophobizing the surface of the wafer containing the silicon element,

상기 웨이퍼 표면에 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 접촉시켜서 그 웨이퍼 표면을 소수화하는 표면 처리 공정, A surface treatment step of bringing a surface treatment liquid for a silicon element-containing wafer into contact with the surface of the wafer to hydrophilize the surface of the wafer,

상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 처리액을 제거하는 처리액 제거 공정, A process liquid removing step of removing the process liquid from the wafer surface,

상기 웨이퍼 표면에 레지스트를 성막하는 레지스트 성막 공정A resist film forming step of forming a resist on the wafer surface

을 포함하고, 표면 처리 공정에 있어서 하기 일반식 I-1로 표시되는 규소 화합물, 산 및 희석용매를 포함하는 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 사용하는 것을 특징으로 하는 규소 원소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법이다. Characterized in that, in the surface treatment step, a surface treatment liquid for silicon-containing wafers containing a silicon compound, an acid and a diluting solvent represented by the following general formula (I-1) is used. Method.

[일반식 I-1][Formula I-1]

Figure pct00001
Figure pct00001

[식 I-1 중 R1은 각각 서로 독립적으로 수소기 또는 탄소수가 1~18인 탄화수소기이고, 그 탄화수소기의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어 있어도 된다. X는 각각 서로 독립적으로 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기이고, a는 1~3의 정수이다.][In the formula (I-1), R 1 is each independently a hydrogen group or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom of the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom. X is a monovalent functional group in which an element bonding to the silicon element is nitrogen, and a is an integer of 1 to 3, independently of each other.

상기 표면 처리 공정은 상기 처리액으로 규소 원소 함유 웨이퍼를 스핀 처리하는 것 또는 상기 처리액 중에 규소 원소 함유 웨이퍼를 침지 처리하는 것인 것이 바람직하다. Preferably, the surface treatment step comprises spinning the silicon element-containing wafer with the treatment liquid or immersing the silicon element-containing wafer in the treatment liquid.

또한 본 발명은 상기 규소 원소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법에 있어서 사용하는 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액으로서, 하기 일반식 I-1로 표시되는 규소 화합물, 산 및 희석용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액이다. The present invention also relates to a surface treatment liquid for a silicon element-containing wafer used in a surface treatment method for a silicon element-containing wafer, which comprises a silicon compound represented by the following formula I-1, an acid and a diluting solvent It is a surface treatment liquid for silicon element-containing wafers.

[일반식 I-1][Formula I-1]

Figure pct00002
Figure pct00002

[식 I-1 중 R1은 각각 서로 독립적으로 수소기 또는 탄소수가 1~18인 탄화수소기이고, 그 탄화수소기의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어 있어도 된다. X는 각각 서로 독립적으로 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기이고, a는 1~3의 정수이다.][In the formula (I-1), R 1 is each independently a hydrogen group or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom of the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom. X is a monovalent functional group in which an element bonding to the silicon element is nitrogen, and a is an integer of 1 to 3, independently of each other.

또한 상기 규소 화합물은 하기 일반식 I-2로 표시되는 규소 화합물인 것이 바람직하다. The silicon compound is preferably a silicon compound represented by the following general formula (I-2).

[일반식 I-2][Formula I-2]

Figure pct00003
Figure pct00003

[식 I-2 중 R1, X는 각각 일반식 I-1과 동일하다.][In the formula I-2, R 1 and X are each the same as in the general formula I-1.]

또한 상기 규소 화합물은 하기 일반식 I-3으로 표시되는 규소 화합물인 것이 바람직하다.The silicon compound is preferably a silicon compound represented by the following general formula (I-3).

[일반식 I-3][Formula I-3]

Figure pct00004
Figure pct00004

[식 I-3 중 R2는 탄소수가 4~18인 탄화수소기이고, 그 탄화수소기의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어 있어도 된다. X는 일반식 I-1과 동일하다.][In the formula I-3, R 2 is a hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom of the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom. X is the same as in formula I-1.]

또한 상기 일반식 I-3의 R2의 탄소수는 6~18인 것이 바람직하다.The number of carbon atoms of R 2 in the general formula I-3 is preferably 6 to 18.

상기 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액에 포함되는 산은 유기산인 것이 바람직하다.The acid contained in the surface treatment solution for a silicon element-containing wafer is preferably an organic acid.

또한 상기 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액의 총량 100 질량%에 대해서 상기 규소 화합물은 0.1~50 질량% 함유되는 것이 바람직하다. The silicon compound is preferably contained in an amount of 0.1 to 50 mass% with respect to 100 mass% of the total amount of the surface treatment liquid for a silicon element-containing wafer.

＜제2 견지에서＞In the second aspect,

본 발명은 질화규소를 포함하는 웨이퍼 표면에 레지스트를 성막하기 전에 그 웨이퍼 표면을 소수화함으로써 그 웨이퍼와 레지스트의 밀착성을 개선하기 위한 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제로서, 상기 처리제가 하기 일반식 II-1로 표시되는 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제이다. The present invention relates to a silicon nitride-containing wafer surface treatment agent for improving the adhesiveness between a wafer and a resist by hydrophobizing the surface of the wafer before depositing a resist on the wafer surface containing silicon nitride, wherein the treating agent is represented by the following formula II-1 Wherein the silicon nitride compound is a silicon compound.

[일반식 II-1][Formula II-1]

Figure pct00005
Figure pct00005

[식 II-1 중 R1은 각각 서로 독립적으로 수소기 또는 탄소수가 1~18인 탄화수소기이고, 그 탄화수소기의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어 있어도 된다. 식 II-1에 있어서 R1으로서 포함되는 탄소원자의 총 수는 6 이상이다. X는 각각 서로 독립적으로 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기, 규소 원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기 및 할로겐기로부터 선택되는 하나 이상의 기이고, a는 1~3의 정수이다.][In the formula (II-1), R 1 is independently a hydrogen group or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom of the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom. In Formula II-1, the total number of carbon atoms contained as R 1 is 6 or more. X is at least one group selected from a monovalent functional group in which an element bonding with a silicon element is nitrogen, a monovalent functional group in which an element bonding with a silicon element is oxygen, and a halogen group, and a is an integer of 1 to 3, .]

상기 규소 화합물은 하기 일반식 II-2로 표시되는 규소 화합물인 것이 바람직하다.The silicon compound is preferably a silicon compound represented by the following formula (II-2).

[일반식 II-2][Formula II-2]

Figure pct00006
Figure pct00006

[식 II-2 중 R1, X는 각각 일반식 II-1과 동일하다.][R 1 and X in the formula II-2 are respectively the same as those in the formula II-1]

상기 규소 화합물은 하기 일반식 II-3으로 표시되는 규소 화합물인 것이 바람직하다.The silicon compound is preferably a silicon compound represented by the following Formula II-3.

[일반식 II-3][Formula II-3]

Figure pct00007
Figure pct00007

[식 II-3 중 R2는 탄소수가 4~18인 탄화수소기이고, 그 탄화수소기의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어 있어도 된다. X는 일반식 II-1과 동일하다.][In the formula (II-3), R 2 is a hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom of the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom. X is the same as in formula II-1.]

상기 규소 화합물은 하기 일반식 II-4로 표시되는 규소 화합물인 것이 바람직하다.The silicon compound is preferably a silicon compound represented by the following formula (II-4).

[일반식 II-4][Formula II-4]

Figure pct00008
Figure pct00008

[식 II-4 중 R3는 탄소수가 4~18인, 적어도 일부의 수소원자가 할로겐원자로 치환된 탄화수소기이고, Y는 할로겐기이다.][In the formula (II-4), R 3 is a hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms in which at least a part of hydrogen atoms are substituted with halogen atoms, and Y is a halogen group.]

또한 상기 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제를 희석용매로 용해하여 얻어지는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액으로서, 그 처리액의 총량 100 질량%에 대해 상기 규소 화합물이 0.1~50 질량% 함유되는 것을 특징으로 하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액이다. A surface treatment liquid for a silicon nitride-containing wafer obtained by dissolving the surface treatment agent for silicon nitride-containing wafers in a diluting solvent, wherein 0.1 to 50 mass% of the silicon compound is contained relative to a total amount of 100 mass% Containing wafers.

또한 상기 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제와 산을 희석용매로 용해하여 얻어지는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액으로서, 그 처리액의 총량 100 질량%에 대해 상기 규소 화합물이 0.1~50 질량% 함유되는 것을 특징으로 하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액이다. And a silicon nitride-containing surface treatment liquid obtained by dissolving the surface treatment agent for silicon nitride-containing wafers and an acid in a diluting solvent, characterized in that the silicon compound is contained in an amount of 0.1 to 50 mass% with respect to a total amount of 100 mass% Containing silicon nitride-containing surface treatment liquid.

또한 상기 산을 함유하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액에 있어서 규소 화합물이 하기 일반식 II-5로 표시되는 규소 화합물인 것이 바람직하다.It is also preferable that the silicon compound in the surface treatment solution for silicon nitride-containing wafers containing the acid is a silicon compound represented by the following general formula (II-5).

[일반식 II-5][Formula II-5]

Figure pct00009
Figure pct00009

[식 II-5 중 R4는 탄소수가 4~18인 탄화수소기이고, 그 탄화수소기의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어 있어도 된다. Z는 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기 또는 규소 원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기이다.][In the formula II-5, R 4 is a hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom of the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom. Z is a monovalent functional group whose element bonding with the silicon element is nitrogen or a monovalent functional group whose oxygen element bonding with the silicon element is oxygen.]

또한 상기 일반식 II-5의 R4의 탄소수는 6~18인 것이 바람직하다.The number of carbon atoms of R 4 in the formula II-5 is preferably 6 to 18.

또한 상기 일반식 II-5의 Z는 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기인 것이 바람직하다.It is preferable that Z in the general formula II-5 is a monovalent functional group whose element bonding to the silicon element is nitrogen.

또한 질화규소를 포함하는 웨이퍼 표면을 소수화함으로써 그 웨이퍼와 레지스트의 밀착성을 높이는 상기 웨이퍼의 표면 처리방법으로서, 아래에 나타내는 공정,The present invention also relates to a method for surface treatment of a wafer which improves adhesion between the wafer and resist by hydrophobizing the surface of the wafer containing silicon nitride,

상기 웨이퍼 표면에 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제 또는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액의 증기를 접촉, 또는 상기 웨이퍼 표면에 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제 또는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 접촉시켜서 그 웨이퍼 표면을 소수화하는 표면 처리 공정, A surface treatment agent for a silicon nitride-containing wafer or a surface treatment solution for a silicon nitride-containing wafer is brought into contact with the surface of the wafer, or a surface treatment agent for a silicon nitride-containing wafer or a silicon nitride-containing wafer is brought into contact with the surface of the wafer, A surface treatment process,

상기 웨이퍼 표면에 레지스트를 성막하는 레지스트 성막 공정A resist film forming step of forming a resist on the wafer surface

을 포함하고, 표면 처리 공정에 있어서 상기 중 어느 하나에 기재된 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제 또는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 사용하는 것을 특징으로 하는 질화규소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법이다. Wherein the surface treatment agent for silicon nitride-containing wafers or the surface treatment liquid for silicon nitride-containing wafers described in any one of the above is used in the surface treatment step.

상기 표면 처리 공정에 있어서 상기 웨이퍼 표면에 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 접촉시켜서 그 웨이퍼 표면을 소수화하는 것이 바람직하다. It is preferable that the surface of the wafer is subjected to hydrophobic treatment by bringing the surface treatment liquid for silicon nitride containing wafer into contact with the surface of the wafer in the surface treatment step.

본 발명의 규소 원소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법 및 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 사용함으로써 특수한 장치를 사용하지 않고 규소 원소를 포함하는 웨이퍼 표면에 소수성을 부여할 수 있어, 그 결과, 종래에 비해 상기 웨이퍼 표면의 소수화를 위한 표면 처리에 수반되는 에너지 손실을 저감시킬 수 있는 동시에 그 처리의 스루풋을 개선할 수 있다. By using the surface treatment method of the silicon element-containing wafer and the silicon element-containing wafer surface treatment solution of the present invention, it is possible to impart hydrophobicity to the surface of the wafer including the silicon element without using a special device. As a result, It is possible to reduce the energy loss accompanying the surface treatment for hydrophobicization of the wafer surface and improve the throughput of the treatment.

또한 본 발명의 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제, 표면 처리액 및 상기 웨이퍼의 표면 처리방법을 사용함으로써 질화규소를 포함하는 웨이퍼 표면에 양호한 소수성을 부여할 수 있다. 따라서 본 발명의 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제, 표면 처리액 및 상기 웨이퍼의 표면 처리방법을 사용하여 소수화된 질화규소 함유 웨이퍼는 레지스트와의 사이에 양호한 밀착성을 갖는 것이 기대된다. Further, by using the surface treatment agent for silicon nitride-containing wafers, the surface treatment liquid and the surface treatment method of the wafer of the present invention, it is possible to impart good hydrophobicity to the surface of the wafer including silicon nitride. Therefore, it is expected that the silicon nitride-containing wafer subjected to hydrophobicity using the surface treatment agent, the surface treatment liquid and the surface treatment method of the wafer of the present invention of the present invention has good adhesion with the resist.

＜제1 견지에서＞≪ First aspect &

아래에 제1 견지에서 본 본 발명에 대해 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 처리액을 사용하여 표면 처리하는 규소 원소를 포함하는 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼나 실리콘 웨이퍼 상에 열산화법이나 CVD법, 스퍼터법 등에 의해 산화규소막이 형성된 것, CVD법이나 스퍼터법 등에 의해 질화규소막이나 폴리실리콘막이 형성된 것 및 상기 질화규소막이나 폴리실리콘막이나 실리콘 웨이퍼 표면이 자연 산화된 것도 포함된다. 또한 실리콘 및/또는 산화규소를 포함하는 복수의 성분으로 구성된 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼 및 웨이퍼 상에 규소 원소를 포함하는 각종 막이 형성된 것도 웨이퍼로서 사용할 수 있다. 더 나아가서는 사파이어 웨이퍼, 각종 화합물 반도체 웨이퍼, 플라스틱 웨이퍼 등 규소 원소를 포함하지 않는 웨이퍼 상에 규소 원소를 포함하는 각종 막이 형성된 것이어도 된다. 또한 상기 처리액은 규소 원소를 포함하는 웨이퍼 표면, 웨이퍼 상에 형성된 규소 원소를 포함하는 막 표면 및 상기 웨이퍼나 상기 막으로부터 형성된 규소 원소를 포함하는 패턴이 형성된 웨이퍼 등을 소수화할 수 있다. 또한 본 발명의 규소 원소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법을 행하기 전에 규소 원소 함유 웨이퍼 표면을 사전에 세정해도 된다. 상기 세정에 사용하는 세정액으로서는 물, 유기용매, 물과 유기용매의 혼합액 및 그들에 산 또는 염기가 용해된 것 등을 들 수 있다. 상기 세정으로서 규소 원소 함유 웨이퍼를 세정액 중에 침지해도 되고, 규소 원소 함유 웨이퍼를 거의 수평으로 유지하고 회전시키면서 회전 중심 부근에 상기 세정액을 공급하여 웨이퍼를 1매씩 세정 처리하는 스핀 처리를 행해도 된다. 또한 상기 세정액을 가열한 상태로 사용해도 된다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The invention will be described in more detail below in view of the first aspect. The wafer including the silicon element subjected to the surface treatment using the treatment liquid of the present invention can be obtained by forming a silicon oxide film on a silicon wafer or a silicon wafer by a thermal oxidation method, a CVD method, a sputtering method, Or a polysilicon film and a silicon oxide film, a polysilicon film, or a silicon wafer surface are naturally oxidized. Further, wafers composed of a plurality of components including silicon and / or silicon oxide, silicon carbide wafers, and various films including silicon elements on wafers may be used as wafers. Further, various films including a silicon element may be formed on a wafer not including a silicon element such as a sapphire wafer, various compound semiconductor wafers, and a plastic wafer. In addition, the treatment liquid can hydrophobicize a wafer surface including a silicon element, a film surface including a silicon element formed on the wafer, and a wafer on which a pattern including a silicon element formed from the wafer and the film is formed. Further, the surface of the silicon element-containing wafer may be cleaned before the surface treatment of the silicon element-containing wafer of the present invention. Examples of the cleaning liquid used for the cleaning include water, an organic solvent, a mixture of water and an organic solvent, and an acid or base dissolved in them. The silicon element-containing wafer may be immersed in the cleaning liquid as the cleaning, or the spin element may be subjected to a spin treatment for cleaning the wafers one by one by supplying the cleaning liquid near the center of rotation while rotating and holding the silicon element-containing wafer substantially horizontally. The cleaning liquid may be used in a heated state.

본 발명은 규소 원소를 포함하는 웨이퍼 표면을 소수화함으로써 그 웨이퍼와 레지스트의 밀착성을 높이는 상기 웨이퍼의 표면 처리방법으로서, 아래에 나타내는 공정,The present invention relates to a method for surface treatment of a wafer which improves adhesion between the wafer and resist by hydrophobizing the surface of the wafer containing the silicon element,

상기 웨이퍼 표면에 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 접촉시켜서 그 웨이퍼 표면을 소수화하는 표면 처리 공정, A surface treatment step of bringing a surface treatment liquid for a silicon element-containing wafer into contact with the surface of the wafer to hydrophilize the surface of the wafer,

상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 처리액을 제거하는 처리액 제거 공정, A process liquid removing step of removing the process liquid from the wafer surface,

상기 웨이퍼 표면에 레지스트를 성막하는 레지스트 성막 공정A resist film forming step of forming a resist on the wafer surface

을 포함하고, 표면 처리 공정에 있어서 상기 일반식 I-1로 표시되는 규소 화합물, 산 및 희석용매를 포함하는 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 사용하는 것을 특징으로 하는 규소 원소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법이다. , Characterized in that a surface treatment liquid for silicon-containing wafers containing a silicon compound, an acid and a diluting solvent represented by the general formula I-1 is used in the surface treatment step Method.

상기 표면 처리 공정에서는 상기 웨이퍼 표면에 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 접촉시켜서 웨이퍼 표면을 소수화한다. 웨이퍼 표면에 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 접촉시키는 방법은 한정되지 않지만, 상기 처리액으로 규소 원소 함유 웨이퍼를 스핀 처리하는 것 또는 상기 처리액 중에 규소 원소 함유 웨이퍼를 침지 처리하는 것이 바람직하다.In the surface treatment step, the surface of the wafer is made hydrophobic by bringing the surface treatment liquid for a silicon element-containing wafer into contact with the surface of the wafer. The method of contacting the surface of the wafer with the surface treatment liquid for silicon element-containing wafers is not limited, but it is preferable to spin-treat the silicon element-containing wafer with the treatment solution or immerse the silicon element-containing wafer in the treatment solution.

상기 스핀 처리는 예를 들면 웨이퍼를 거의 수평으로 유지하고 회전시키면서 회전 중심 부근에 액체를 공급하여 웨이퍼를 1매씩 처리하는 방법이다. 또한 상기 침지 처리는 예를 들면 한번에 복수 매의 웨이퍼를 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액의 침지조에 침지하여 처리하는 방법이다. 본 발명의 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액은 액체와 웨이퍼를 접촉시키는 표면 처리방법으로도 단시간에 웨이퍼 표면에 충분한 소수성을 부여하는 것이 가능하기 때문에 상기와 같은 스핀 처리나 침지 처리에도 적용할 수 있다. 또한 본 발명의 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 사용하여 상기 스핀 처리를 행하면 표면 처리 공정부터 레지스트 성막 공정까지 연속해서 연속해서 행할 수 있는 것으로부터 생산 공정의 간소화로 이어질 것으로 생각된다.The spin processing is a method in which wafers are processed one by one by supplying liquid to the vicinity of the rotation center while keeping the wafers substantially horizontally rotated, for example. The immersion treatment is, for example, a method in which a plurality of wafers are immersed in an immersion tank of a surface treatment liquid for a silicon element-containing wafer at one time. The surface treatment liquid for silicon element-containing wafers of the present invention can be applied to the above-described spin treatment or immersion treatment because it is possible to impart sufficient hydrophobicity to the surface of the wafer in a short time even by a surface treatment method in which a liquid and a wafer are brought into contact with each other . Further, when the above-described spin treatment is performed using the surface treatment liquid for silicon element-containing wafers of the present invention, the continuous process from the surface treatment step to the resist film formation step can be continuously performed, leading to a simplification of the production process.

또한 본 발명의 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 사용한 표면 처리방법으로 웨이퍼 표면에 부여된 소수성은 반드시 연속적으로 부여되어 있지 않아도 되고 또한 반드시 균일하게 부여되어 있지 않아도 되지만, 레지스트와의 밀착성을 보다 높이기 위해 연속적으로 또한 균일하게 부여되어 있는 것이 보다 바람직하다. In addition, the hydrophobic property imparted to the surface of the wafer by the surface treatment method using the surface treatment liquid for a silicon element-containing wafer of the present invention may or may not necessarily be uniformly applied continuously. However, It is more preferable that they are continuously and homogeneously applied to each other.

표면 처리 공정에서는 처리액의 온도를 높게 하면 보다 단시간에 웨이퍼 표면을 소수화하기 쉬워진다. 그러나 처리액의 온도를 지나치게 높게 하면 상기 표면 처리액의 비등이나 증발 등에 의해 그 처리액의 안정성이 손상될 우려가 있기 때문에 상기 처리액은 10~160℃에서 유지되는 것이 바람직하고, 특히 15~120℃가 바람직하다. In the surface treatment step, if the temperature of the treatment liquid is increased, the surface of the wafer can be easily hydrophobicized in a shorter time. However, if the temperature of the treatment liquid is excessively increased, the stability of the treatment liquid may be impaired due to boiling or evaporation of the surface treatment liquid. Therefore, the treatment liquid is preferably maintained at 10 to 160 캜, Lt; 0 > C.

처리액 제거 공정에서는 소수화된 웨이퍼 표면으로부터 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 제거한다. 제거하는 방법은 상기 웨이퍼 표면으로부터 처리액을 건조시켜서 제거하는 방법이어도 되고, 상기 웨이퍼 표면의 처리액을 그 처리액과는 상이한 용매나 물로 치환한 후 상기 웨이퍼 표면으로부터 그 용매나 물을 건조시켜서 제거하는 방법이어도 된다. 상기 건조에는 스핀 건조법, IPA(2-프로판올) 증기 건조, 마란고니 건조, 가열 건조, 온풍 건조, 진공 건조 등의 주지의 건조방법을 적용할 수 있다. 또한 상기 웨이퍼 표면의 처리액을 상기 용매나 물로 치환한 후 그 용매나 물을 다음 공정의 레지스트 성막 공정에서 사용하는 경화 전의 레지스트로 치환함으로써 표면 처리 공정, 처리액 제거 공정 및 레지스트 성막 공정을 연속적으로 행해도 된다. 이 경우, 표면 처리 공정을 스핀 처리에 의해 행하고, 그 후의 처리액 제거 공정 및 레지스트 성막 공정도 동일한 스핀 처리에 의해 행하면, 상기와 같이 표면 처리 공정부터 레지스트 성막 공정까지를 연속적으로 행할 수 있기 때문에 스루풋의 개선을 기대할 수 있다. In the process liquid removing step, the surface treatment liquid for the silicon element-containing wafers is removed from the surface of the hydrophobized wafer. A method of removing the treatment liquid from the surface of the wafer may be a method of removing the treatment liquid from the surface of the wafer and replacing the treatment liquid on the surface of the wafer with a solvent or water different from the treatment liquid and drying the solvent or water from the wafer surface . Known drying methods such as spin drying, IPA (2-propanol) steam drying, Marangoni drying, hot drying, hot air drying and vacuum drying can be applied to the drying. The surface of the wafer is replaced with the solvent or water, and the solvent or water is replaced with a resist before curing used in the resist film-forming step of the next step, whereby the surface treatment step, the treatment liquid removing step and the resist film- You can do it. In this case, if the surface treatment step is performed by spinning, and the subsequent treatment liquid removing step and the resist film forming step are also performed by the same spinning treatment, since the surface treatment step to the resist film forming step can be continuously performed as described above, Can be expected to improve.

처리액 제거 공정 후 소수화된 웨이퍼 표면에 레지스트를 성막하는 레지스트 성막 공정을 행한다. 레지스트의 성막방법에 대해서는 특별히 한정되지 않고 기지의 방법을 사용하는 것이 가능하다. 예를 들면 웨이퍼를 거의 수평으로 유지하고 회전시키면서 회전 중심 부근에 경화 전의 레지스트를 공급하여 1매씩 웨이퍼 표면에 레지스트를 성막하는 스핀 성막 처리 등이 보다 적합하게 사용된다. A resist film forming step for forming a resist film on the surface of the hydrophobized wafer after the process liquid removing process is performed. The film formation method of the resist is not particularly limited, and a known method can be used. For example, a spin-film-forming process in which a resist is cured before the cure is formed while keeping the wafer substantially horizontally while rotating it, and a resist is formed on the wafer surface one by one.

반도체 칩의 제조에서는 레지스트를 성막한 후 아래와 같은 조작을 거쳐 웨이퍼 표면에 패턴이 형성된다. 즉 레지스트 성막 공정을 행한 후 레지스트에 패턴이 형성되고, 그 후 웨이퍼 표면에 패턴이 형성된다. 패턴이 형성되는 것이라면 그 방법은 특별히 한정되지 않으나, 일반적인 방법으로서는 레지스트 성막 공정에서 웨이퍼 표면에 레지스트를 도포한 후 레지스트 마스크를 매개로 레지스트에 노광하고, 노광된 레지스트 또는 노광되지 않은 레지스트를 에칭 제거함으로써 목적하는 패턴을 갖는 레지스트를 제작한다. 또한 레지스트에 패턴을 갖는 몰드를 꽉 누름으로써도 패턴을 갖는 레지스트를 얻을 수 있다. 계속해서 웨이퍼를 에칭한다. 이때 레지스트 패턴의 오목한 부분이 선택적으로 에칭된다. 마지막으로 레지스트를 박리하면 패턴을 갖는 실리콘 웨이퍼가 얻어진다. In the manufacture of a semiconductor chip, after forming a resist film, a pattern is formed on the wafer surface through the following operation. That is, after the resist film forming step is performed, a pattern is formed on the resist, and then a pattern is formed on the wafer surface. The method is not particularly limited as long as a pattern is formed. As a general method, a resist is applied to the surface of a wafer in a resist film forming step, the resist is exposed through a resist mask, and the exposed or unexposed resist is removed by etching A resist having a desired pattern is prepared. Also, a resist having a pattern can be obtained by pressing the mold having the pattern on the resist. Subsequently, the wafer is etched. At this time, concave portions of the resist pattern are selectively etched. Finally, when the resist is peeled off, a silicon wafer having a pattern is obtained.

또한 본 발명은 상기 규소 원소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법에 있어서 사용하는 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액으로서, 상기 일반식 I-1로 표시되는 규소 화합물, 산 및 희석용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액이다. Further, the present invention relates to a surface treatment liquid for a silicon element-containing wafer used in a surface treatment method for a silicon element-containing wafer, which comprises a silicon compound represented by the above general formula I-1, an acid and a diluting solvent It is a surface treatment liquid for silicon element-containing wafers.

상기 일반식 I-1로 표시되는 규소 화합물의 R1으로 표시되는 탄화수소기는 소수성기로, 처리한 후의 웨이퍼 표면을 양호한 소수성의 표면으로 한다. 그 소수성기에 의해 단위 면적당 수산기 수량이 많은 산화규소 등의 표면은 물론, 단위 면적당 수산기 수량이 적은 질화규소 등의 표면에 대해서도 소수성을 발현시킬 수 있다. 또한 그 반응성 부위인 X로 표시되는 기는 웨이퍼 표면에 존재하는 수산기와 반응하여 그 웨이퍼 표면의 규소 원소와의 사이에 실록산 결합을 형성하기 위한 관능기이다. 상기와 같은 규소 화합물, 산 및 희석용매를 포함하는 웨이퍼용 표면 처리액을 사용함으로써 처리액과 웨이퍼를 접촉시키는 방법이라도, 단시간에 상기 규소 화합물과 웨이퍼 표면의 수산기를 화학적으로 반응시키는 것이 가능하고, 웨이퍼 표면에 소수성을 부여하는 것이 가능하다. The hydrocarbon group represented by R 1 of the silicon compound represented by the general formula I-1 is a hydrophobic group, and the surface of the treated wafer becomes a good hydrophobic surface. Hydrophobicity can be exhibited not only on the surface of silicon oxide or the like having a large number of hydroxyl groups per unit area by the hydrophobic group but also on the surface of silicon nitride having a small number of hydroxyl groups per unit area. The reactive group X is a functional group for reacting with the hydroxyl group present on the surface of the wafer to form a siloxane bond with the silicon element on the surface of the wafer. It is possible to chemically react the silicon compound and the hydroxyl group on the surface of the wafer in a short period of time even if the process liquid and the wafer are brought into contact with each other by using the surface treatment liquid for wafers containing the silicon compound, It is possible to impart hydrophobicity to the wafer surface.

일반식 I-1로 나타내어지는 규소 화합물로서는, 예를 들면 (CH3)3SiNH2, C2H5(CH3)2SiNH2, C3H7(CH3)2SiNH2, C4H9(CH3)2SiNH2, C5H11(CH3)2SiNH2, C6H13(CH3)2SiNH2, C7H15(CH3)2SiNH2, C8H17(CH3)2SiNH2, C9H19(CH3)2SiNH2, C10H21(CH3)2SiNH2, C11H23(CH3)2SiNH2, C12H25(CH3)2SiNH2, C13H27(CH3)2SiNH2, C14H29(CH3)2SiNH2, C15H31(CH3)2SiNH2, C16H33(CH3)2SiNH2, C17H35(CH3)2SiNH2, C18H37(CH3)2SiNH2, CF3C2H4(CH3)2SiNH2, C2F5C2H4(CH3)2SiNH2, C3F7C2H4(CH3)2SiNH2, C4F9C2H4(CH3)2SiNH2, C5F11C2H4(CH3)2SiNH2, C6F13C2H4(CH3)2SiNH2, C7F15C2H4(CH3)2SiNH2, C8F17C2H4(CH3)2SiNH2, [(CH3)3Si]2NH, [C2H5(CH3)2Si]2NH, [C3H7(CH3)2Si]2NH, [C4H9(CH3)2Si]2NH, [C5H11(CH3)2Si]2NH, [C6H13(CH3)2Si]2NH, [C7H15(CH3)2Si]2NH, [C8H17(CH3)2Si]2NH, [C9H19(CH3)2Si]2NH, [C10H21(CH3)2Si]2NH, [C11H23(CH3)2Si]2NH, [C12H25(CH3)2Si]2NH, [C13H27(CH3)2Si]2NH, [C14H29(CH3)2Si]2NH, [C15H31(CH3)2Si]2NH, [C16H33(CH3)2Si]2NH, [C17H35(CH3)2Si]2NH, [C18H37(CH3)2Si]2NH, [CF3C2H4(CH3)2Si]2NH, [C2F5C2H4(CH3)2Si]2NH, [C3F7C2H4(CH3)2Si]2NH, [C4F9C2H4(CH3)2Si]2NH, [C5F11C2H4(CH3)2Si]2NH, [C6F13C2H4(CH3)2Si]2NH, [C7F15C2H4(CH3)2Si]2NH, [C8F17C2H4(CH3)2Si]2NH, [CH3(C2H5)2Si]2NH, [(C2H5)3Si]2NH, [C3H7(C2H5)2Si]2NH, [C4H9(C2H5)2Si]2NH, [C5H11(C2H5)2Si]2NH, [C6H13(C2H5)2Si]2NH, [C7H15(C2H5)2Si]2NH, [C8H17(C2H5)2Si]2NH, [C9H19(C2H5)2Si]2NH, [C10H21(C2H5)2Si]2NH, [C11H23(C2H5)2Si]2NH, [C12H25(C2H5)2Si]2NH, [C13H27(C2H5)2Si]2NH, [C14H29(C2H5)2Si]2NH, [C15H31(C2H5)2Si]2NH, [C16H33(C2H5)2Si]2NH, [C17H35(C2H5)2Si]2NH, [C18H37(C2H5)2Si]2NH, [(CH3)3Si]3N, [C2H5(CH3)2Si]3N, [C3H7(CH3)2Si]3N, [C4H9(CH3)2Si]3N, [C5H11(CH3)2Si]3N, [C6H13(CH3)2Si]3N, [C7H15(CH3)2Si]3N, [C8H17(CH3)2Si]3N, [C9H19(CH3)2Si]3N, [C10H21(CH3)2Si]3N, [C11H23(CH3)2Si]3N, [C12H25(CH3)2Si]3N, [C13H27(CH3)2Si]3N, [C14H29(CH3)2Si]3N, [C15H31(CH3)2Si]3N, [C16H33(CH3)2Si]3N, [C17H35(CH3)2Si]3N, [C18H37(CH3)2Si]3N, [CF3C2H4(CH3)2Si]3N, [C2F5C2H4(CH3)2Si]3N, [C3F7C2H4(CH3)2Si]3N, [C4F9C2H4(CH3)2Si]3N, [C5F11C2H4(CH3)2Si]3N, [C6F13C2H4(CH3)2Si]3N, [C7F15C2H4(CH3)2Si]3N, [C8F17C2H4(CH3)2Si]3N, (CH3)3SiN(CH3)2, C2H5(CH3)2SiN(CH3)2, C3H7(CH3)2SiN(CH3)2, C4H9(CH3)2SiN(CH3)2, C5H11(CH3)2SiN(CH3)2, C6H13(CH3)2SiN(CH3)2, C7H15(CH3)2SiN(CH3)2, C8H17(CH3)2SiN(CH3)2, C9H19(CH3)2SiN(CH3)2, C10H21(CH3)2SiN(CH3)2, C11H23(CH3)2SiN(CH3)2, C12H25(CH3)2SiN(CH3)2, C13H27(CH3)2SiN(CH3)2, C14H29(CH3)2SiN(CH3)2, C15H31(CH3)2SiN(CH3)2, C16H33(CH3)2SiN(CH3)2, C17H35(CH3)2SiN(CH3)2, C18H37(CH3)2SiN(CH3)2, (CH3)2HSiN(CH3)2, C2H5(CH3)HSiN(CH3)2, C3H7(CH3)HSiN(CH3)2, C4H9(CH3)HSiN(CH3)2, C5H11(CH3)HSiN(CH3)2, C6H13(CH3)HSiN(CH3)2, C7H15(CH3)HSiN(CH3)2, C8H17(CH3)HSiN(CH3)2, C9H19(CH3)HSiN(CH3)2, C10H21(CH3)HSiN(CH3)2, C11H23(CH3)HSiN(CH3)2, C12H25(CH3)HSiN(CH3)2, C13H27(CH3)HSiN(CH3)2, C14H29(CH3)HSiN(CH3)2, C15H31(CH3)HSiN(CH3)2, C16H33(CH3)HSiN(CH3)2, C17H35(CH3)HSiN(CH3)2, C18H37(CH3)HSiN(CH3)2, CF3C2H4(CH3)2SiN(CH3)2, C2F5C2H4(CH3)2SiN(CH3)2, C3F7C2H4(CH3)2SiN(CH3)2, C4F9C2H4(CH3)2SiN(CH3)2, C5F11C2H4(CH3)2SiN(CH3)2, C6F13C2H4(CH3)2SiN(CH3)2, C7F15C2H4(CH3)2SiN(CH3)2, C8F17C2H4((CH3)2SiN(CH3)2, (C2H5)3SiN(CH3)2, C3H7(C2H5)2SiN(CH3)2, C4H9(C2H5)2SiN(CH3)2, C5H11(C2H5)2SiN(CH3)2, C6H13(C2H5)2SiN(CH3)2, C7H15(C2H5)2SiN(CH3)2, C8H17(C2H5)2SiN(CH3)2, C9H19(C2H5)2SiN(CH3)2, C10H21(C2H5)2SiN(CH3)2, C11H23(C2H5)2SiN(CH3)2, C12H25(C2H5)2SiN(CH3)2, C13H27(C2H5)2SiN(CH3)2, C14H29(C2H5)2SiN(CH3)2, C15H31(C2H5)2SiN(CH3)2, C16H33(C2H5)2SiN(CH3)2, C17H35(C2H5)2SiN(CH3)2, C18H37(C2H5)2SiN(CH3)2, (C4H9)3SiN(CH3)2, C5H11(C4H9)2SiN(CH3)2, C6H13(C4H9)2SiN(CH3)2, C7H15(C4H9)2SiN(CH3)2, C8H17(C4H9)2SiN(CH3)2, C9H19(C4H9)2SiN(CH3)2, C10H21(C4H9)2SiN(CH3)2, C11H23(C4H9)2SiN(CH3)2, C12H25(C4H9)2SiN(CH3)2, C13H27(C4H9)2SiN(CH3)2, C14H29(C4H9)2SiN(CH3)2, C15H31(C4H9)2SiN(CH3)2, C16H33(C4H9)2SiN(CH3)2, C17H35(C4H9)2SiN(CH3)2, C18H37(C4H9)2SiN(CH3)2, (CH3)2Si[N(CH3)2]2, C2H5(CH3)Si[N(CH3)2]2, C3H7(CH3)Si[N(CH3)2]2, C4H9(CH3)Si[N(CH3)2]2, C5H11(CH3)Si[N(CH3)2]2, C6H13(CH3)Si[N(CH3)2]2, C7H15(CH3)Si[N(CH3)2]2, C8H17(CH3)Si[N(CH3)2]2, C9H19(CH3)Si[N(CH3)2]2, C10H21(CH3)Si[N(CH3)2]2, C11H23(CH3)Si[N(CH3)2]2, C12H25(CH3)Si[N(CH3)2]2, C13H27(CH3)Si[N(CH3)2]2, C14H29(CH3)Si[N(CH3)2]2, C15H31(CH3)Si[N(CH3)2]2, C16H33(CH3)Si[N(CH3)2]2, C17H35(CH3)Si[N(CH3)2]2, C18H37(CH3)Si[N(CH3)2]2, CF3C2H4(CH3)Si[N(CH3)2]2, C2F5C2H4(CH3)Si[N(CH3)2]2, C3F7C2H4(CH3)Si[N(CH3)2]2, C4F9C2H4(CH3)Si[N(CH3)2]2, C5F11C2H4(CH3)Si[N(CH3)2]2, C6F13C2H4(CH3)Si[N(CH3)2]2, C7F15C2H4(CH3)Si[N(CH3)2]2, C8F17C2H4(CH3)Si[N(CH3)2]2, CH3Si[N(CH3)2]3, C2H5Si[N(CH3)2]3, C3H7Si[N(CH3)2]3, C4H9Si[N(CH3)2]3, C5H11Si[N(CH3)2]3, C6H13Si[N(CH3)2]3, C7H15Si[N(CH3)2]3, C8H17Si[N(CH3)2]3, C9H19Si[N(CH3)2]3, C10H21Si[N(CH3)2]3, C11H23Si[N(CH3)2]3, C12H25Si[N(CH3)2]3, C13H27Si[N(CH3)2]3, C14H29Si[N(CH3)2]3, C15H31Si[N(CH3)2]3, C16H33Si[N(CH3)2]3, C17H35Si[N(CH3)2]3, C18H37Si[N(CH3)2]3, CF3C2H4Si[N(CH3)2]3, C2F5C2H4Si[N(CH3)2]3, C3F7C2H4Si[N(CH3)2]3, C4F9C2H4Si[N(CH3)2]3, C5F11C2H4Si[N(CH3)2]3, C6F13C2H4Si[N(CH3)2]3, C7F15C2H4Si[N(CH3)2]3, C8F17C2H4Si[N(CH3)2]3, (CH3)3SiN(C2H5)2, C2H5(CH3)2SiN(C2H5)2, C3H7(CH3)2SiN(C2H5)2, C4H9(CH3)2SiN(C2H5)2, C5H11(CH3)2SiN(C2H5)2, C6H13(CH3)2SiN(C2H5)2, C7H15(CH3)2SiN(C2H5)2, C8H17(CH3)2SiN(C2H5)2, C9H19(CH3)2SiN(C2H5)2, C10H21(CH3)2SiN(C2H5)2, C11H23(CH3)2SiN(C2H5)2, C12H25(CH3)2SiN(C2H5)2, C13H27(CH3)2SiN(C2H5)2, C14H29(CH3)2SiN(C2H5)2, C15H31(CH3)2SiN(C2H5)2, C16H33(CH3)2SiN(C2H5)2, C17H35(CH3)2SiN(C2H5)2, C18H37(CH3)2SiN(C2H5)2, CF3C2H4(CH3)2SiN(C2H5)2, C2F5C2H4(CH3)2SiN(C2H5)2, C3F7C2H4(CH3)2SiN(C2H5)2, C4F9C2H4(CH3)2SiN(C2H5)2, C5F11C2H4(CH3)2SiN(C2H5)2, C6F13C2H4(CH3)2SiN(C2H5)2, C7F15C2H4(CH3)2SiN(C2H5)2, C8F17C2H4(CH3)2SiN(C2H5)2, (C2H5)3SiN(C2H5)2, C3H7(C2H5)2SiN(C2H5)2, C4H9(C2H5)2SiN(C2H5)2, C5H11(C2H5)2SiN(C2H5)2, C6H13(C2H5)2SiN(C2H5)2, C7H15(C2H5)2SiN(C2H5)2, C8H17(C2H5)2SiN(C2H5)2, C9H19(C2H5)2SiN(C2H5)2, C10H21(C2H5)2SiN(C2H5)2, C11H23(C2H5)2SiN(C2H5)2, C12H25(C2H5)2SiN(C2H5)2, C13H27(C2H5)2SiN(C2H5)2, C14H29(C2H5)2SiN(C2H5)2, C15H31(C2H5)2SiN(C2H5)2, C16H33(C2H5)2SiN(C2H5)2, C17H35(C2H5)2SiN(C2H5)2, C18H37(C2H5)2SiN(C2H5)2, (C4H9)3SiN(C2H5)2, C5H11(C4H9)2SiN(C2H5)2, C6H13(C4H9)2SiN(C2H5)2, C7H15(C4H9)2SiN(C2H5)2, C8H17(C4H9)2SiN(C2H5)2, C9H19(C4H9)2SiN(C2H5)2, C10H21(C4H9)2SiN(C2H5)2, C11H23(C4H9)2SiN(C2H5)2, C12H25(C4H9)2SiN(C2H5)2, C13H27(C4H9)2SiN(C2H5)2, C14H29(C4H9)2SiN(C2H5)2, C15H31(C4H9)2SiN(C2H5)2, C16H33(C4H9)2SiN(C2H5)2, C17H35(C4H9)2SiN(C2H5)2, C18H37(C4H9)2SiN(C2H5)2 등의 아미노실란계 화합물이나 실라잔계 화합물을 들 수 있다. As the silicon compound of formula I-1, for example (CH 3) 3 SiNH 2, C 2 H 5 (CH 3) 2 SiNH 2, C 3 H 7 (CH 3) 2 SiNH 2, C 4 H 9 (CH 3) 2 SiNH 2 , C 5 H 11 (CH 3) 2 SiNH 2, C 6 H 13 (CH 3) 2 SiNH 2, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiNH 2, C 8 H 17 ( CH 3) 2 SiNH 2, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiNH 2, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiNH 2, C 11 H 23 (CH 3) 2 SiNH 2, C 12 H 25 (CH 3 ) 2 SiNH 2, C 13 H 27 (CH 3) 2 SiNH 2, C 14 H 29 (CH 3) 2 SiNH 2, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiNH 2, C 16 H 33 (CH 3) 2 SiNH 2, C 17 H 35 ( CH 3) 2 SiNH 2, C 18 H 37 (CH 3) 2 SiNH 2, CF 3 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, C 2 F 5 C 2 H 4 ( CH 3) 2 SiNH 2, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiNH 2, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, [(CH 3) 3 Si] 2 NH, [C 2 H 5 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 3 H 7 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 4 H 9 ( CH 3 ) 2 Si] 2 NH, [C 5 H 11 (CH 3 ) 2 Si] 2 NH, [C 6 H 13 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 7 H 15 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 8 H 17 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 9 H 19 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 10 H 21 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 11 H 23 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 12 H 25 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 13 H 27 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 14 H 29 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 15 H 31 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 16 H 33 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 17 H 35 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 18 H 37 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [CF 3 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 4 F 9 C 2 H 4 ( CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [CH 3 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [(C 2 H 5) 3 Si] 2 NH, [C 3 H 7 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 4 H 9 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 5 H 11 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 6 H 13 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 7 H 15 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 8 H 17 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 9 H 19 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 10 H 21 (C 2 H 5 ) 2 S i] 2 NH, [C 11 H 23 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 12 H 25 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 13 H 27 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 14 H 29 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 15 H 31 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 16 H 33 (C 2 H 5 ) 2 Si] 2 NH, [ C 17 H 35 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 18 H 37 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [(CH 3) 3 Si] 3 N, [C 2 H 5 ( CH 3) 2 Si] 3 N, [C 3 H 7 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 4 H 9 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 5 H 11 (CH 3) 2 Si ] 3 N, [C 6 H 13 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 7 H 15 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 8 H 17 (CH 3 ) 2 Si] 3 N, [ C 9 H 19 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 10 H 21 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 11 H 23 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 12 H 25 ( CH 3) 2 Si] 3 N, [C 13 H 27 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 14 H 29 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 15 H 31 (CH 3) 2 Si ] 3 N, [C 16 H 33 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 17 H 35 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 18 H 37 (CH 3 ) 2 Si] 3 N, [ CF 3 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si ] 3 N, [C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, (CH 3) 3 SiN (CH 3) 2, C 2 H 5 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 3 H 7 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 4 H 9 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 5 H 11 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 6 H 13 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 8 H 17 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 11 H 23 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 12 H 25 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 13 H 27 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 14 H 29 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 16 H 33 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 17 H 35 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 18 H 37 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, (CH 3) 2 HSiN (CH 3) 2, C 2 H 5 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 3 H 7 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 4 H 9 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 5 H 11 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 6 H 13 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 7 H 15 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 8 H 17 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 9 H 19 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 10 H 21 (CH 3) HSiN (C H 3) 2, C 11 H 23 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 12 H 25 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 13 H 27 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 14 H 29 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 15 H 31 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 16 H 33 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 17 H 35 ( CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 18 H 37 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, CF 3 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN ( CH 3) 2, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3 ) 2, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN ( CH 3) 2, C 8 F 17 C 2 H 4 ((CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, (C 2 H 5) 3 SiN (CH 3) 2, C 3 H 7 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 4 H 9 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 5 H 11 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 6 H 13 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 7 H 15 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 8 H 17 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 9 H 19 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 10 H 21 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 11 H 23 (C 2 H 5 ) 2 SiN (CH 3 ) 2 , C 12 H 25 (C 2 H 5 ) 2 SiN (CH 3 ) 2 , C 13 H 27 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 14 H 29 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 15 H 31 (C 2 H 5) 2 SiN ( CH 3) 2, C 16 H 33 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 17 H 35 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 18 H 37 (C 2 H 5 ) 2 SiN (CH 3) 2 , (C 4 H 9) 3 SiN (CH 3) 2, C 5 H 11 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 6 H 13 (C 4 H 9 ) 2 SiN (CH 3) 2 , C 7 H 15 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 8 H 17 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 9 H 19 ( C 4 H 9) 2 SiN ( CH 3) 2, C 10 H 21 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 11 H 23 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 12 H 25 (C 4 H 9 ) 2 SiN (CH 3) 2, C 13 H 27 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 14 H 29 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3 ) 2, C 15 H 31 ( C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 16 H 33 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 17 H 35 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 18 H 37 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, (CH 3) 2 Si [N (CH 3) 2] 2, C 2 H 5 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 3 H 7 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 4 H 9 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 5 H 11 (CH 3) Si [ N (CH 3) 2] 2, C 6 H 13 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 7 H 1 5 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 8 H 17 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 9 H 19 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 10 H 21 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 11 H 23 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 12 H 25 (CH 3) Si [N (CH 3) 2 ] 2, C 13 H 27 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 14 H 29 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 15 H 31 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 16 H 33 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 17 H 35 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 18 H 37 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, CF 3 C 2 H 4 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) Si [N ( CH 3) 2] 2, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) Si [N (CH 3) 2 ] 2, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) Si [N ( CH 3) 2] 2, CH 3 Si [N (CH 3) 2] 3, C 2 H 5 Si [N (CH 3) 2] 3, C 3 H 7 Si [N (CH 3) 2] 3, C 4 H 9 Si [N ( CH 3) 2] 3, C 5 H 11 Si [N (CH 3) 2] 3, C 6 H 13 Si [N (CH 3) 2] 3, C 7 H 15 Si [N (CH 3) 2] 3, C 8 H 17 Si [N (CH 3) 2] 3, C 9 H 19 Si [ N (CH 3) 2] 3, C 10 H 21 Si [N (CH 3) 2] 3, C 11 H 23 Si [N (CH 3) 2] 3, C 12 H 25 Si [N (CH 3) 2] 3, C 13 H 27 Si [N (CH 3) 2] 3, C 14 H 29 Si [N (CH 3) 2] 3, C 15 H 31 Si [N ( CH 3) 2] 3, C 16 H 33 Si [N (CH 3) 2] 3, C 17 H 35 Si [N (CH 3) 2] 3, C 18 H 37 Si [N (CH 3) 2] 3, CF 3 C 2 H 4 Si [N (CH 3) 2] 3, C 2 F 5 C 2 H 4 Si [N (CH 3) 2] 3, C 3 F 7 C 2 H 4 Si [N ( CH 3) 2] 3, C 4 F 9 C 2 H 4 Si [N (CH 3) 2] 3, C 5 F 11 C 2 H 4 Si [N (CH 3) 2] 3, C 6 F 13 C 2 H 4 Si [N (CH 3) 2] 3, C 7 F 15 C 2 H 4 Si [N (CH 3) 2] 3, C 8 F 17 C 2 H 4 Si [N (CH 3) 2] 3, (CH 3) 3 SiN (C 2 H 5) 2, C 2 H 5 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 3 H 7 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 4 H 9 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 5 H 11 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 6 H 13 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 8 H 17 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 11 H 23 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 12 H 25 ( CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 13 H 27 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 14 H 29 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 16 H 33 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 17 H 35 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5 ) 2, C 18 H 37 ( CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, CF 3 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 2 F 5 C 2 H 4 ( CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN ( C 2 H 5) 2, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2 , C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, (C 2 H 5 ) 3 SiN (C 2 H 5 ) 2, C 3 H 7 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 4 H 9 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2 , C 5 H 11 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 6 H 13 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 7 H 15 (C 2 H 5 ) 2 SiN (C 2 H 5 ) 2, C 8 H 17 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 9 H 19 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2 , C 10 H 21 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 11 H 23 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 12 H 25 (C 2 H 5 ) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 13 H 27 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 14 H 29 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2 , C 15 H 31 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 16 H 33 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 17 H 35 (C 2 H 5 ) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 18 H 37 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, (C 4 H 9) 3 SiN (C 2 H 5) 2, C 5 H 11 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 6 H 13 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 7 H 15 ( C 4 H 9) 2 SiN ( C 2 H 5) 2, C 8 H 17 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 9 H 19 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 10 H 21 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 11 H 23 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 12 H 25 ( C 4 H 9) 2 SiN ( C 2 H 5) 2, C 13 H 27 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 14 H 29 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 15 H 31 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 16 H 33 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 17 H 35 ( Aminosilane compounds such as C 4 H 9 ) 2 SiN (C 2 H 5 ) 2 , and C 18 H 37 (C 4 H 9 ) 2 SiN (C 2 H 5 ) 2 and silazane compounds.

또한 예를 들면 (CH3)3SiNCO, C2H5(CH3)2SiNCO, C3H7(CH3)2SiNCO, C4H9(CH3)2SiNCO, C5H11(CH3)2SiNCO, C6H13(CH3)2SiNCO, C7H15(CH3)2SiNCO, C8H17(CH3)2SiNCO, C9H19(CH3)2SiNCO, C10H21(CH3)2SiNCO, C11H23(CH3)2SiNCO, C12H25(CH3)2SiNCO, C13H27(CH3)2SiNCO, C14H29(CH3)2SiNCO, C15H31(CH3)2SiNCO, C16H33(CH3)2SiNCO, C17H35(CH3)2SiNCO, C18H37(CH3)2SiNCO, CF3C2H4(CH3)2SiNCO, C2F5C2H4(CH3)2SiNCO, C3F7C2H4(CH3)2SiNCO, C4F9C2H4(CH3)2SiNCO, C5F11C2H4(CH3)2SiNCO, C6F13C2H4(CH3)2SiNCO, C7F15C2H4(CH3)2SiNCO, C8F17C2H4(CH3)2SiNCO, (C2H5)3SiNCO, C3H7(C2H5)2SiNCO, C4H9(C2H5)2SiNCO, C5H11(C2H5)2SiNCO, C6H13(C2H5)2SiNCO, C7H15(C2H5)2SiNCO, C8H17(C2H5)2SiNCO, C9H19(C2H5)2SiNCO, C10H21(C2H5)2SiNCO, C11H23(C2H5)2SiNCO, C12H25(C2H5)2SiNCO, C13H27(C2H5)2SiNCO, C14H29(C2H5)2SiNCO, C15H31(C2H5)2SiNCO, C16H33(C2H5)2SiNCO, C17H35(C2H5)2SiNCO, C18H37(C2H5)2SiNCO, (C4H9)3SiNCO, C5H11(C4H9)2SiNCO, C6H13(C4H9)2SiNCO, C7H15(C4H9)2SiNCO, C8H17(C4H9)2SiNCO, C9H19(C4H9)2SiNCO, C10H21(C4H9)2SiNCO, C11H23(C4H9)2SiNCO, C12H25(C4H9)2SiNCO, C13H27(C4H9)2SiNCO, C14H29(C4H9)2SiNCO, C15H31(C4H9)2SiNCO, C16H33(C4H9)2SiNCO, C17H35(C4H9)2SiNCO, C18H37(C4H9)2SiNCO, (CH3)2Si(NCO)2, C2H5(CH3)Si(NCO)2, C3H7(CH3)Si(NCO)2, C4H9(CH3)Si(NCO)2, C5H11(CH3)Si(NCO)2, C6H13(CH3)Si(NCO)2, C7H15(CH3)Si(NCO)2, C8H17(CH3)Si(NCO)2, C9H19(CH3)Si(NCO)2, C10H21(CH3)Si(NCO)2, C11H23(CH3)Si(NCO)2, C12H25(CH3)Si(NCO)2, C13H27(CH3)Si(NCO)2, C14H29(CH3)Si(NCO)2, C15H31(CH3)Si(NCO)2, C16H33(CH3)Si(NCO)2, C17H35(CH3)Si(NCO)2, C18H37(CH3)Si(NCO)2, CF3C2H4(CH3)Si(NCO)2, C2F5C2H4(CH3)Si(NCO)2, C3F7C2H4(CH3)Si(NCO)2, C4F9C2H4(CH3)Si(NCO)2, C5F11C2H4(CH3)Si(NCO)2, C6F13C2H4(CH3)Si(NCO)2, C7F15C2H4(CH3)Si(NCO)2, C8F17C2H4(CH3)Si(NCO)2, CH3Si(NCO)3, C2H5Si(NCO)3, C3H7Si(NCO)3, C4H9Si(NCO)3, C5H11Si(NCO)3, C6H13Si(NCO)3, C7H15Si(NCO)3, C8H17Si(NCO)3, C9H19Si(NCO)3, C10H21Si(NCO)3, C11H23Si(NCO)3, C12H25Si(NCO)3, C13H27Si(NCO)3, C14H29Si(NCO)3, C15H31Si(NCO)3, C16H33Si(NCO)3, C17H35Si(NCO)3, C18H37Si(NCO)3, CF3C2H4Si(NCO)3, C2F5C2H4Si(NCO)3, C3F7C2H4Si(NCO)3, C4F9C2H4Si(NCO)3, C5F11C2H4Si(NCO)3, C6F13C2H4Si(NCO)3, C7F15C2H4Si(NCO)3, C8F17C2H4Si(NCO)3 등의 이소시아네이트 실란계 화합물을 들 수 있다. Further, for example, (CH 3) 3 SiNCO, C 2 H 5 (CH 3) 2 SiNCO, C 3 H 7 (CH 3) 2 SiNCO, C 4 H 9 (CH 3) 2 SiNCO, C 5 H 11 (CH 3) 2 SiNCO, C 6 H 13 (CH 3) 2 SiNCO, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiNCO, C 8 H 17 (CH 3) 2 SiNCO, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiNCO, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiNCO, C 11 H 23 (CH 3) 2 SiNCO, C 12 H 25 (CH 3) 2 SiNCO, C 13 H 27 (CH 3) 2 SiNCO, C 14 H 29 (CH 3 ) 2 SiNCO, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiNCO, C 16 H 33 (CH 3) 2 SiNCO, C 17 H 35 (CH 3) 2 SiNCO, C 18 H 37 (CH 3) 2 SiNCO, CF 3 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiNCO, C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiNCO, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiNCO, C 4 F 9 C 2 H 4 CH 3) 2 SiNCO, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNCO, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNCO, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNCO , C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNCO, (C 2 H 5) 3 SiNCO, C 3 H 7 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 4 H 9 (C 2 H 5) 2 SiNCO , C 5 H 11 (C 2 H 5 ) 2 SiNCO, C 6 H 13 (C 2 H 5 ) 2 SiNCO, C 7 H 15 (C 2 H 5 ) 2 SiNCO, C 8 H 17 (C 2 H 5 ) 2 SiNCO, C 9 H 19 (C 2 H 5 ) 2 SiNCO, C 10 H 21 (C 2 H 5 ) 2 SiNCO , C 11 H 23 (C 2 H 5 ) 2 SiNCO, C 12 H 25 (C 2 H 5 ) 2 SiNCO, C 13 H 27 (C 2 H 5 ) 2 SiNCO, C 14 H 29 (C 2 H 5 ) 2 SiNCO, C 15 H 31 ( C 2 H 5) 2 SiNCO, C 16 H 33 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 17 H 35 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 18 H 37 (C 2 H 5) 2 SiNCO, (C 4 H 9) 3 SiNCO, C 5 H 11 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 6 H 13 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 7 H 15 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 8 H 17 ( C 4 H 9) 2 SiNCO, C 9 H 19 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 10 H 21 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 11 H 23 (C 4 H 9 ) 2 SiNCO, C 12 H 25 (C 4 H 9 ) 2 SiNCO, C 13 H 27 (C 4 H 9 ) 2 SiNCO, C 14 H 29 (C 4 H 9 ) 2 SiNCO, C 15 H 31 4 H 9) 2 SiNCO, C 16 H 33 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 17 H 35 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 18 H 37 (C 4 H 9) 2 SiNCO, (CH 3) 2 Si (NCO) 2, C 2 H 5 (CH 3) Si (NCO) 2, C 3 H 7 (CH 3) Si (NCO) 2, C 4 H 9 (CH 3) Si (NCO) 2, C 5 H 11 (CH 3) Si (NCO) 2, C 6 H 13 (CH 3) Si (NCO) 2, C 7 H 15 (CH 3) Si (NCO) 2, C 8 H 17 (CH 3) Si (NCO) 2, C 9 H 19 (CH 3) Si (NCO) 2, C 10 H 21 (CH 3) Si (NCO) 2, C 11 H 23 (CH 3) Si (NCO) 2, C 12 H 25 (CH 3) Si (NC O) 2, C 13 H 27 (CH 3) Si (NCO) 2, C 14 H 29 (CH 3) Si (NCO) 2, C 15 H 31 (CH 3) Si (NCO) 2, C 16 H 33 (CH 3) Si (NCO) 2, C 17 H 35 (CH 3) Si (NCO) 2, C 18 H 37 (CH 3) Si (NCO) 2, CF 3 C 2 H 4 (CH 3) Si ( NCO) 2, C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) Si (NCO) 2, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) Si (NCO) 2, C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) Si (NCO) 2, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) Si (NCO) 2, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) Si (NCO) 2, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) Si ( NCO) 2, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) Si (NCO) 2, CH 3 Si (NCO) 3, C 2 H 5 Si (NCO) 3, C 3 H 7 Si (NCO) 3, C 4 H 9 Si (NCO) 3, C 5 H 11 Si (NCO) 3, C 6 H 13 Si (NCO) 3, C 7 H 15 Si (NCO) 3, C 8 H 17 Si (NCO) 3, C 9 H 19 Si (NCO) 3, C 10 H 21 Si (NCO) 3, C 11 H 23 Si (NCO) 3, C 12 H 25 Si (NCO) 3, C 13 H 27 Si (NCO) 3, C 14 H 29 Si (NCO) 3, C 15 H 31 Si (NCO) 3, C 16 H 33 Si (NCO) 3, C 17 H 35 Si (NCO) 3, C 18 H 37 Si (NCO) 3, CF 3 C 2 H 4 Si (NCO) 3, C 2 F 5 C 2 H 4 Si (NCO) 3, C 3 F 7 C 2 H 4 Si (NCO) 3, C 4 F 9 C 2 H 4 Si (NCO) 3 , C 5 F 11 C 2 H 4 Si (NCO) 3 , C 6 F 13 C 2 H 4 Si NCO) 3 , C 7 F 15 C 2 H 4 Si (NCO) 3 , and C 8 F 17 C 2 H 4 Si (NCO) 3 .

이들 규소 화합물 중 탄화수소기의 수소원자가 할로겐원자로 치환되는 경우, 소수화 성능을 고려하면 치환하는 할로겐원자로서는 불소원자인 것이 바람직하다.When the hydrogen atom of the hydrocarbon group is substituted by a halogen atom among these silicon compounds, the halogen atom to be substituted is preferably a fluorine atom in consideration of hydrophobicity.

또한 일반식 I-1의 X로 표시되는 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기는 탄소, 수소, 붕소, 질소, 인, 산소, 황, 규소, 게르마늄, 불소, 염소, 브롬, 요오드 등의 원소로 구성되는 관능기이면 되고, 예를 들면 -NHSi(CH3)3기, -NHSi(CH3)2C4H9기, -NHSi(CH3)2C8H17기, -N(CH3)2기, -N(C2H5)2기, -N(C3H7)2기, -N(CH3)(C2H5)기, -NH(C2H5)기, -NCO기, 이미다졸기, 아세트아미드기 등을 들 수 있다. Further, the monovalent functional group having an element bonding with the silicon element represented by X in the general formula I-1 is nitrogen may be a carbon, hydrogen, boron, nitrogen, phosphorus, oxygen, sulfur, silicon, germanium, fluorine, chlorine, bromine, iodine and when the functional group consisting of the elements, for example -NHSi (CH 3) 3 group, -NHSi (CH 3) 2 C 4 H 9 group, -NHSi (CH 3) 2 C 8 H 17 group, -N ( CH 3) 2 groups, -N (C 2 H 5) 2 groups, -N (C 3 H 7) 2 groups, -N (CH 3) (C 2 H 5) groups, -NH (C 2 H 5) An -NCO group, an imidazole group, and an acetamide group.

또한 일반식 I-1의 a는 1~3의 정수면 되는데, a가 1 또는 2인 경우 상기 처리액을 장기 보존하면 수분의 혼입 등에 의해 규소 화합물의 중합이 발생하여, 그 처리액 중에 불용물이 석출되거나 그 처리액의 소수성 부여 효과가 저하될 우려가 있기 때문에 보존 가능 기간이 짧아질 가능성이 있다. 이 때문에 처리액의 가용시간을 고려할 때 일반식 I-1의 a가 3인 것(즉 상기 일반식 I-2로 표시되는 규소 화합물)이 바람직하다.When a is 1 or 2, when the treatment liquid is stored for a long period of time, polymerization of the silicon compound occurs due to incorporation of water or the like, and insoluble matter Or the effect of imparting hydrophobicity of the treatment liquid may deteriorate, so that there is a possibility that the storable period becomes short. For this reason, it is preferable that a in the general formula I-1 is 3 (that is, the silicon compound represented by the general formula I-2) in view of the usable time of the treatment liquid.

또한 일반식 I-1로 표시되는 규소 화합물 중, R1이 탄소수가 4~18인 무치환 또는 수소원자가 할로겐원자로 치환되어 있어도 되는 탄화수소기 1개와 메틸기 2개로 이루어지는 것(즉 상기 일반식 I-3으로 표시되는 규소 화합물)은 웨이퍼 표면의 수산기와의 반응속도가 빠르기 때문에 바람직하다. 이는 웨이퍼 표면의 수산기와 상기 규소 화합물의 반응에 있어서 소수성기에 의한 입체 장애가 반응속도에 커다란 영향을 미치기 때문이며, 규소 원소에 결합하는 알킬 사슬은 가장 긴 하나를 제외한 나머지 2개는 짧은 편이 바람직하기 때문이다. 상기와 같은 구조의 규소 화합물을 사용함으로써 웨이퍼 표면에 우수한 소수성을 부여할 수 있는 경향이 있어 단위 면적당 수산기 수량이 적은, 예를 들면 질화규소 등의 표면에 대해서도 우수한 소수성을 부여할 수 있기 때문에 바람직하다. Also, of the silicon compounds represented by the general formula I-1, those in which R 1 is a non-substituted hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms or a hydrocarbon group in which a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom and 2 methyl groups Is preferred because the reaction rate with the hydroxyl group on the surface of the wafer is fast. This is because the steric hindrance caused by the hydrophobic group greatly affects the reaction rate in the reaction of the hydroxyl group on the wafer surface with the silicon compound, and the alkyl chain bonded to the silicon element is preferably the shorter one except for the longest one . The use of a silicon compound having such a structure tends to impart excellent hydrophobicity to the surface of the wafer and is preferable because hydrophobicity can be imparted to a surface such as silicon nitride having a small amount of hydroxyl groups per unit area.

또한 상기 일반식 I-3의 R2의 탄소수가 6~18이면 웨이퍼 표면으로의 소수성 부여 효과가 크기 때문에 보다 바람직하다. 상기와 같은 처리액을 사용하면 표면에 반응 활성점인 수산기가 적은, 예를 들면 질화규소 등의 표면에 대해서도 보다 우수한 소수성을 부여하기 쉬워지기 때문에 바람직하다. When the carbon number of R 2 in the general formula I-3 is 6 to 18, the effect of imparting hydrophobicity to the wafer surface is more preferable. Use of the above-mentioned treatment liquid is preferable because it is easier to impart hydrophobicity to the surface of the surface such as silicon nitride which has fewer hydroxyl groups as reaction active sites.

상기 규소 화합물은 본 발명의 처리액의 총량 100 질량%에 대해 0.1~50 질량% 함유되는 것이 바람직하고, 보다 적합하게는 상기 처리액의 총량 100 질량%에 대해 0.3~20 질량%이다. 규소 화합물이 0.1 질량% 미만인 경우는 희석용매 중에 미량으로 포함되는 수분 등과 반응하여 불활성화되기 쉽기 때문에, 소수화 처리하는 능력이 부족하여 웨이퍼 표면을 충분히 소수화할 수 없는 경우가 있다. 한편 50 질량%보다 많은 경우 웨이퍼 표면에 불순물로서 잔류될 우려가 있고 또한 비용적인 관점에서 보더라도 바람직하지 않다. The silicon compound is preferably contained in an amount of 0.1 to 50% by mass based on 100% by mass of the total amount of the treatment liquid of the present invention, more preferably 0.3 to 20% by mass based on 100% by mass of the total amount of the treatment liquid. When the content of the silicon compound is less than 0.1% by mass, it is likely to react with moisture contained in a diluting solvent in a small amount and to be inactivated, so that the ability to perform the hydrophobic treatment is insufficient and the surface of the wafer may not be sufficiently hydrophobic. On the other hand, if it is more than 50% by mass, there is a fear of remaining as impurities on the surface of the wafer.

또한 본 발명의 처리액에는 상기 일반식 I-1로 표시되는 규소 화합물이 2종 이상 함유되어도 되고, 상기 일반식 I-1로 표시되는 규소 화합물과 상기 일반식 I-1로 표시되는 규소 화합물 이외의 규소 화합물이 함유되어도 된다. The treatment liquid of the present invention may contain two or more kinds of silicon compounds represented by the above-mentioned general formula I-1, and may contain other than the silicon compound represented by the above general formula I-1 and the silicon compound represented by the above general formula I-1 Of silicon compounds may be contained.

또한 본 발명의 처리액에는 산이 함유되어 있다. 그 산이 존재함으로써 상기 규소 화합물과 웨이퍼 표면의 수산기의 반응이 촉진된다. 이러한 산으로서 트리플루오로초산, 무수 트리플루오로초산, 펜타플루오로프로피온산, 무수 펜타플루오로프로피온산, 트리플루오로메탄설폰산, 무수 트리플루오로메탄설폰산, 황산, 염화수소 등의 물을 포함하지 않는 산을 들 수 있다. 특히 상기 반응의 촉진 효과를 고려하면 트리플루오로초산, 트리플루오로초산 무수물, 트리플루오로메탄설폰산, 트리플루오로메탄설폰산 무수물, 황산, 염화수소 등의 산이 바람직하고, 당해 산은 수분을 포함하고 있지 않은 것이 바람직하다. 특히 촉매 효과나 유기용매로의 용해성을 고려하면 트리플루오로초산, 트리플루오로초산 무수물, 트리플루오로메탄설폰산, 트리플루오로메탄설폰산 무수물 등의 유기산이 바람직하고, 당해 산은 수분을 포함하고 있지 않은 것이 바람직하다. The treatment liquid of the present invention contains an acid. The presence of the acid accelerates the reaction between the silicon compound and the hydroxyl group on the surface of the wafer. As such an acid, it is possible to use an acid such as trifluoroacetic acid, trifluoroacetic acid anhydride, pentafluoropropionic acid, pentafluoropropionic anhydride, trifluoromethanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic anhydride, sulfuric acid, You can pick up mountains. Particularly, considering the promoting effect of the reaction, acids such as trifluoroacetic acid, trifluoroacetic acid anhydride, trifluoromethanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid anhydride, sulfuric acid and hydrogen chloride are preferable, and the acid includes water . Particularly, organic acids such as trifluoroacetic acid, trifluoroacetic acid anhydride, trifluoromethane sulfonic acid and trifluoromethane sulfonic acid anhydride are preferable considering the catalytic effect and solubility in an organic solvent, and the acid includes water .

산의 첨가량은 상기 규소 화합물의 총량 100 질량%에 대해 0.01~100 질량%가 바람직하다. 첨가량이 적어지면 촉매 효과가 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 또한 과잉으로 첨가하더라도 촉매 효과는 향상되지 않고, 규소 화합물보다도 많게 하면 반대로 촉매 효과가 저하되는 경우도 있다. 또한 불순물로서 웨이퍼 표면에 잔류할 우려도 있다. 이 때문에 상기 산의 첨가량은 상기 규소 화합물의 총량 100 질량%에 대해 0.01~100 질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~50 질량%이다. The addition amount of the acid is preferably 0.01 to 100% by mass based on 100% by mass of the total amount of the silicon compound. If the addition amount is decreased, the catalytic effect is lowered, which is not preferable. In addition, even when added in excess, the catalytic effect is not improved, and when the amount is larger than that of the silicon compound, the catalytic effect may be lowered inversely. There is also a risk of remaining on the wafer surface as an impurity. Therefore, the amount of the acid added is preferably 0.01 to 100 mass%, more preferably 0.1 to 50 mass%, based on 100 mass% of the total amount of the silicon compound.

또한 본 발명의 처리액에는 희석용매가 함유되어 있다. 상기 희석용매는 상기 규소 화합물과 산을 용해하는 것이면 되고, 예를 들면 탄화수소류, 에스테르류, 에테르류, 케톤류, 할로겐 함유 용매, 설폭시드계 용매, 락톤계 용매, 카보네이트계 용매, 알코올류, 다가 알코올의 유도체, 질소 원소 함유 용매 등의 유기용매가 적합하게 사용된다. 물을 희석용매로서 사용한 경우, 물에 의해 처리액 중의 규소 화합물의 반응성 부위(상기 일반식 I-1의 X)가 가수분해되어 실라놀기(Si-OH)가 생성될 가능성이 있다. 그 반응성 부위는 이 실라놀기와도 반응하기 때문에 규소 화합물끼리 결합하여 이량체가 생성될 가능성이 있다. 이 이량체는 웨이퍼 표면의 수산기와의 반응성이 낮기 때문에 웨이퍼 표면을 소수화하는데 소요되는 시간이 길어질 우려가 있는 것으로부터, 물을 희석용매로서 사용하는 것은 바람직하지 않다. Further, the treatment liquid of the present invention contains a diluting solvent. The diluting solvent is not particularly limited as long as it dissolves the silicon compound and the acid. Examples of the diluting solvent include hydrocarbons, esters, ethers, ketones, halogen-containing solvents, sulfoxide solvents, lactone solvents, carbonate solvents, alcohols, An organic solvent such as an alcohol derivative or a nitrogen element-containing solvent is suitably used. When water is used as a diluting solvent, there is a possibility that a reactive site (X in the above-mentioned general formula I-1) of the silicon compound in the treatment liquid is hydrolyzed by water to produce a silanol group (Si-OH). Since the reactive site also reacts with the silanol group, there is a possibility that silicon compounds are bonded together to form a dimer. Since the reactivity of the dimer with the hydroxyl group on the surface of the wafer is low, there is a possibility that the time required for hydrophobizing the surface of the wafer is prolonged. Therefore, it is not preferable to use water as a diluting solvent.

또한 상기 규소 화합물은 프로톤성 용매와 반응하기 쉽기 때문에 상기 유기용매로서 비프로톤성 용매를 사용하면 단시간에 소수성을 발현하기 쉬워지기 때문에 특히 바람직하다. 또한 비프로톤성 용매는 비프로톤성 극성 용매와 비프로톤성 비극성 용매의 양쪽을 말한다. 이러한 비프로톤성 용매로서는 탄화수소류, 에스테르류, 에테르류, 케톤류, 할로겐 함유 용매, 설폭시드계 용매, 락톤계 용매, 카보네이트계 용매, 수산기를 갖지 않는 다가 알코올의 유도체, N-H 결합을 갖지 않는 질소 원소 함유 용매를 들 수 있다. 상기 탄화수소류의 예로서는 톨루엔, 벤젠, 크실렌, 헥산, 헵탄, 옥탄 등이 있고, 상기 에스테르류의 예로서는 초산에틸, 초산프로필, 초산부틸, 아세토초산에틸 등이 있으며, 상기 에테르류의 예로서는 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르, 테트라히드로푸란, 디옥산 등이 있고, 상기 케톤류의 예로서는 아세톤, 아세틸아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸부틸케톤, 시클로헥사논 등이 있으며, 상기 할로겐 함유 용매의 예로서는 퍼플루오로옥탄, 퍼플루오로노난, 퍼플루오로시클로펜탄, 퍼플루오로시클로헥산, 헥사플루오로벤젠 등의 퍼플루오로카본, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄, 옥타플루오로시클로펜탄, 2,3-디하이드로데카플루오로펜탄, 제오로라 H(일본 제온 주식회사 제조) 등의 하이드로플루오로카본, 메틸퍼플루오로이소부틸에테르, 메틸퍼플루오로부틸에테르, 에틸퍼플루오로부틸에테르, 에틸퍼플루오로이소부틸에테르, 아사히크린 AE-3000(아사히 가라스 주식회사 제조), Novec7100, Novec7200, Novec7300, Novec7600(모두 3M사 제조) 등의 하이드로플루오로에테르, 테트라클로로메탄 등의 클로로카본, 클로로포름 등의 하이드로클로로카본, 디클로로디플루오로메탄 등의 클로로플루오로카본, 1,1-디클로로-2,2,3,3,3-펜타플루오로프로판, 1,3-디클로로-1,1,2,2,3-펜타플루오로프로판, 1-클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜, 1,2-디클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜 등의 하이드로클로로플루오로카본, 퍼플루오로에테르, 퍼플루오로폴리에테르 등이 있고, 상기 설폭시드계 용매의 예로서는 디메틸설폭시드 등이 있으며, 상기 락톤계 용매의 예로서는 γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, γ-헥사노락톤, γ-헵타노락톤, γ-옥타노락톤, γ-노나노락톤, γ-데카노락톤, γ-운데카노락톤, γ-도데카노락톤, δ-발레로락톤, δ-헥사노락톤, δ-옥타노락톤, δ-노나노락톤, δ-데카노락톤, δ-운데카노락톤, δ-도데카노락톤, ε-헥사노락톤 등이 있고, 상기 카보네이트계 용매의 예로서는 디메틸카보네이트, 에틸메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 프로필렌카보네이트 등이 있으며, 상기 수산기를 갖지 않는 다가 알코올 유도체의 예로서는 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디부틸에테르, 에틸렌글리콜디아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디아세테이트, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜디부틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜디아세테이트, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 테트라에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 테트라에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 테트라에틸렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸프로필에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜디부틸에테르, 디프로필렌글리콜디아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜디메틸에테르, 트리프로필렌글리콜디에틸에테르, 트리프로필렌글리콜디부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜디아세테이트, 테트라프로필렌글리콜디메틸에테르, 테트라프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 테트라프로필렌글리콜디아세테이트, 부틸렌글리콜디메틸에테르, 부틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 부틸렌글리콜디아세테이트, 글리세린트리아세테이트 등이 있고, N-H 결합을 갖지 않는 질소 원소 함유 용매의 예로서는 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 트리에틸아민, 피리딘 등이 있다. In addition, since the silicon compound is easily reacted with the protonic solvent, the use of an aprotic solvent as the organic solvent is particularly preferable because hydrophobicity is easily exhibited in a short time. The aprotic solvent refers to both aprotic polar solvent and aprotic non-polar solvent. Examples of the aprotic solvent include hydrocarbons, esters, ethers, ketones, halogen-containing solvents, sulfoxide-based solvents, lactone-based solvents, carbonate-based solvents, derivatives of polyhydric alcohols not having a hydroxyl group, Containing solvent. Examples of the hydrocarbons include toluene, benzene, xylene, hexane, heptane, and octane. Examples of the esters include ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, and ethyl acetate. Examples of the ethers include diethyl ether, Examples of the ketones include acetone, acetyl acetone, methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl butyl ketone, cyclohexanone, and the like. The halogen-containing solvent For example, perfluorocarbons such as perfluorooctane, perfluorononane, perfluorocyclopentane, perfluorocyclohexane, hexafluorobenzene and the like, 1,1,1,3,3-pentafluorobutane, Hydrofluorocarbons such as octafluorocyclopentane, 2,3-dihydrodecafluoropentane and Aurora H (manufactured by Japan Zeon Co., Ltd.), hydrofluorocarbons such as methyl perfluoroisobutyl (Manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Novec7100, Novec7200, Novec7300 and Novec7600 (all manufactured by 3M Co.), methyl perfluorobutyl ether, ethyl perfluorobutyl ether, ethyl perfluoroisobutyl ether, Asahikawa AE- , Chlorofluorocarbons such as tetrachloromethane and the like, hydrochlorofluorocarbons such as chloroform and the like, chlorofluorocarbons such as dichlorodifluoromethane, 1,1-dichloro-2,2,3,3,3- 1,3-dichloro-1,1,2,2,3-pentafluoropropane, 1-chloro-3,3,3-trifluoropropene, 1,2-dichloro-3, 3,3-trifluoropropene and the like, perfluoroether, perfluoropolyether and the like. Examples of the sulfoxide-based solvent include dimethylsulfoxide and the like, and the lactone-based solvent Examples include? -Butyrolactone,? -Valerolactone,? -Hexanolactone,? -Heptanoclock T-butyrolactone, 隆 -hexanolactone, 隆 -hexanolactone, 隆 -hexanolactone, 隆 -hexanolactone, 隆 -hexanolactone, δ-decanolactone, δ-undecanolactone, δ-dodecanolactone, ε-hexanolactone, etc. Examples of the carbonate-based solvent include dimethyl carbonate, ethylmethyl carbonate, diethyl carbonate, Propylene carbonate, etc. Examples of the polyhydric alcohol derivative having no hydroxyl group include ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, ethylene glycol diacetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether Acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethyl Diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol diacetate, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol diisobutyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether acetate, Triethylene glycol monomethyl ether acetate, triethylene glycol monoethyl ether acetate, triethylene glycol monobutyl ether acetate, triethylene glycol diacetate, tetraethylene glycol diacetate, tetraethylene glycol monoethyl ether acetate, triethylene glycol monoethyl ether acetate, Ethylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol diethyl ether, tetraethylene glycol dibutyl ether, tetraethylene glycol monomethyl ether acetate, tetraethylene glycol monoethyl ether acetate, tetraethylene glycol Monobutyl ether acetate, tetraethylene glycol diacetate, propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol dibutyl ether, propylene glycol diacetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol mono Butyl ether acetate, dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol methyl propyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dibutyl ether, dipropylene glycol diacetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl Ether acetate, dipropylene glycol monobutyl ether acetate, tripropylene glycol dimethyl ether, tripropylene glycol diethyl ether, tripropylene glycol dibutyl ether, tripropylene glycol Recycled monomethyl ether acetate, tripropylene glycol monoethyl ether acetate, tripropylene glycol monobutyl ether acetate, tripropylene glycol diacetate, tetrapropylene glycol dimethyl ether, tetrapropylene glycol monomethyl ether acetate, tetrapropylene glycol diacetate, butylene Glycol dimethyl ether, butylene glycol monomethyl ether acetate, butylene glycol diacetate, and glycerin triacetate. Examples of the nitrogen element-containing solvent having no NH bond include N, N-dimethylformamide, N, Amide, N-methyl-2-pyrrolidone, triethylamine, pyridine and the like.

또한 상기 희석용매의 일부 또는 전부에 불연성인 것을 사용하면 처리액이 불연성이 되거나 또는 인화점이 높아져 그 처리액의 위험성이 저하되기 때문에 바람직하다. 할로겐 함유 용매는 불연성인 것이 많아 불연성 할로겐 함유 용매는 불연성 희석용매로서 적합하게 사용할 수 있다. 또한 「화학품의 분류 및 표시에 관한 국제적 조화 시스템；GHS」에 의하면 인화점이 93℃ 이하인 용매를 「인화성 액체」로서 정의하고 있다. 이 때문에 불연성 용매가 아니더라도 상기 희석용매로서 인화점이 93℃를 초과하는 용매를 사용하면 상기 처리액의 인화점은 93℃ 이상이 되기 쉬워 그 처리액이 「인화성 액체」에 해당하기 어려워지기 때문에 안전성 관점에서 바람직하다. If a part or all of the diluting solvent is nonflammable, it is preferable that the treatment liquid becomes incombustible or the flash point becomes high and the risk of the treatment liquid lowers. Since halogen-containing solvents are often non-flammable, non-flammable halogen-containing solvents can be suitably used as nonflammable diluting solvents. In addition, according to the "International Harmonization System for Classification and Labeling of Chemicals: GHS", a solvent whose flash point is 93 ° C or less is defined as a "flammable liquid". Therefore, even if a non-flammable solvent is not used, a solvent having a flash point exceeding 93 ° C. as the diluting solvent tends to be 93 ° C. or higher in the treatment liquid, so that the treatment liquid is less likely to be a "flammable liquid" desirable.

또한 락톤계 용매나 카보네이트계 용매나 다가 알코올 유도체는 인화점이 높은 것이 많기 때문에 이를 용매로 사용하면 처리액의 위험성을 낮게 할 수 있어 바람직하다. 상기 안전성 관점에서 구체적으로는 인화점이 93℃를 초과하는 γ-부티로락톤, γ-헥사노락톤, γ-헵타노락톤, γ-옥타노락톤, γ-노나노락톤, γ-데카노락톤, γ-운데카노락톤, γ-도데카노락톤, δ-발레로락톤, δ-헥사노락톤, δ-옥타노락톤, δ-노나노락톤, δ-데카노락톤, δ-운데카노락톤, δ-도데카노락톤, ε-헥사노락톤, 프로필렌카보네이트, 에틸렌글리콜디아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜이소모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 디에틸렌글리콜디아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노프로필에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜디부틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜디아세테이트, 테트라에틸렌글리콜모노메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜모노에틸에테르, 테트라에틸렌글리콜모노프로필에테르, 테트라에틸렌글리콜모노부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 테트라에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 테트라에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 테트라에틸렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 디프로필렌글리콜디아세테이트, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜디메틸에테르, 트리프로필렌글리콜디에틸에테르, 트리프로필렌글리콜디부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜디아세테이트, 테트라프로필렌글리콜디메틸에테르, 테트라프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 테트라프로필렌글리콜디아세테이트, 부틸렌글리콜디메틸에테르, 부틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 부틸렌글리콜디아세테이트, 글리세린트리아세테이트 등을 상기 용매로서 사용하는 것이 보다 바람직하다. In addition, lactone-based solvents, carbonate-based solvents and polyhydric alcohol derivatives often have a high flash point, so that use of such a solvent as a solvent makes it possible to lower the risk of the treatment liquid. Specifically, from the viewpoint of safety, there may be mentioned γ-butyrolactone having a flash point exceeding 93 캜,? -Hexanolactone,? -Heptanolactone,? -Octanolactone,? -Nonanolactone,? -Decanolactone, ? -undecanolactone,? -undecanolactone,? -undecanolactone,? -undecanolactone,? -undecanolactone,? -valerolactone,? -hexanolactone,? -octanolactone,? -nonanolactone,? -decanolactone, Diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol isomonobutyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, Dibutyl ether, diethylene glycol diacetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol Triethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol diethyl ether, triethylene glycol dibutyl ether, triethylene glycol butyl methyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, Ether acetate, triethylene glycol monoethyl ether acetate, triethylene glycol monobutyl ether acetate, triethylene glycol diacetate, tetraethylene glycol monomethyl ether, tetraethylene glycol monoethyl ether, tetraethylene glycol monopropyl ether, tetraethylene glycol mono Butyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol diethyl ether, tetraethylene glycol dibutyl ether, tetraethylene glycol monomethyl ether acetate, tetraethylene glycol monoethyl ether acetate, Tetraethylene glycol monobutyl ether acetate, tetraethylene glycol diacetate, propylene glycol diacetate, dipropylene glycol diacetate, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol Monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monobutyl ether acetate, tripropylene glycol dimethyl ether, tripropylene glycol diethyl ether, tripropylene glycol dibutyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether acetate, tripropylene glycol monoethyl ether acetate, tri Propylene glycol monobutyl ether acetate, tripropylene glycol diacetate, tetrapropylene glycol dimethyl ether, tetrapropylene glycol monomethyl ether acetate, tetrapropylene glycol monomethyl ether acetate, It is more preferable to use, as the solvent, phenol glycol diacetate, butylene glycol dimethyl ether, butylene glycol monomethyl ether acetate, butylene glycol diacetate, and glycerin triacetate.

또한 희석용매에는 미량의 수분이라면 존재해도 된다. 다만 이 수분이 용매에 대량으로 포함되면 규소 화합물은 그 수분에 의해 가수분해되어 반응성이 저하되는 경우가 있다. 이 때문에 용매 중의 수분량은 낮게 하는 것이 바람직하고, 그 수분량은 상기 규소 화합물과 혼합했을 때 그 규소 화합물에 대해 몰비로 1 몰배 미만으로 하는 것이 바람직하고, 0.5 몰배 미만으로 하는 것이 특히 바람직하다. The diluting solvent may also be present in a trace amount of water. However, if this water is contained in a large amount in a solvent, the silicon compound may be hydrolyzed by the water to lower the reactivity. Therefore, the water content in the solvent is preferably lowered, and the water content thereof is preferably less than 1 molar ratio with respect to the silicon compound when mixed with the silicon compound, particularly preferably less than 0.5 molar.

＜제2 견지에서＞In the second aspect,

아래에 제2 견지에서 본 본 발명에 대해 더욱 상세하게 설명한다. 먼저 본 발명에서 제공하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제는 질화규소를 포함하는 웨이퍼 표면에 레지스트를 성막하기 전에 그 웨이퍼 표면에 대해 처리하여, 그 웨이퍼와 레지스트의 밀착성을 개선하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제이다. 상기 표면 처리제는 바꿔말하면 질화규소 함유 웨이퍼 표면을 소수화하기 위한 표면 처리제로, 상기 처리제는 하기 일반식 II-1로 표시되는 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제이다.The present invention will be described in more detail below in view of the second aspect. First, the surface treatment agent for silicon nitride-containing wafers provided in the present invention is a surface treatment agent for silicon nitride-containing wafers which improves the adhesion between the wafer and the resist by treating the surface of the wafer before depositing a resist on the surface of the wafer containing silicon nitride. The surface treatment agent is a surface treatment agent for hydrophobizing the surface of a silicon nitride-containing wafer, and the treatment agent is a silicon compound represented by the following general formula (II-1).

[일반식 II-1][Formula II-1]

Figure pct00010
Figure pct00010

[식 II-1 중 R1은 각각 서로 독립적으로 수소기 또는 탄소수가 1~18인 탄화수소기이고, 그 탄화수소기의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어 있어도 된다. 식 II-1에 있어서 R1으로서 포함되는 탄소원자의 총 수는 6 이상이다. X는 각각 서로 독립적으로 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기, 규소 원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기 및 할로겐기로부터 선택되는 하나 이상의 기이고, a는 1~3의 정수이다.][In the formula (II-1), R 1 is independently a hydrogen group or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom of the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom. In Formula II-1, the total number of carbon atoms contained as R 1 is 6 or more. X is at least one group selected from a monovalent functional group in which an element bonding with a silicon element is nitrogen, a monovalent functional group in which an element bonding with a silicon element is oxygen, and a halogen group, and a is an integer of 1 to 3, .]

R1으로 표시되는 탄화수소기는 소수성기로, 소수성기가 큰 규소 화합물을 함유하는 처리액을 사용하여 질화규소 함유 웨이퍼 표면을 표면 처리하면, 처리 후의 상기 웨이퍼 표면은 양호한 소수성을 나타낸다. 식 II-1에 있어서 R1으로서 포함되는 탄소원자의 총 수가 6 이상이라면 질화규소를 포함하는 웨이퍼 표면을 충분히 소수화할 수 있다.When the surface of the silicon nitride-containing wafer is subjected to a surface treatment using a treatment liquid containing a silicon compound having a large hydrophobic group as a hydrocarbon group represented by R 1 , the surface of the wafer after treatment exhibits good hydrophobicity. If the total number of at least 6 carbon atoms is contained as R 1 in the formula II-1 can be a hydrophobic wafer surface containing the silicon nitride sufficiently.

상기 일반식 II-1로 표시되는 규소 화합물은 그 반응성 부위인 X로 표시되는 관능기가 웨이퍼 표면의 수산기와 화학적으로 반응하는 것이 가능하고, 그 결과, 상기 규소 화합물의 규소 원소는 웨이퍼 표면의 규소 원소와 화학적으로 결합하여 웨이퍼 표면에 소수성을 부여하는 것이 가능하다. In the silicon compound represented by the general formula II-1, the functional group represented by X, which is a reactive site thereof, can chemically react with the hydroxyl group on the surface of the wafer. As a result, the silicon element of the silicon compound reacts with the silicon element It is possible to impart hydrophobicity to the surface of the wafer.

일반식 II-1로 나타내어지는 규소 화합물로서는, 예를 들면 C4H9(CH3)2SiCl, C5H11(CH3)2SiCl, C6H13(CH3)2SiCl, C7H15(CH3)2SiCl, C8H17(CH3)2SiCl, C9H19(CH3)2SiCl, C10H21(CH3)2SiCl, C11H23(CH3)2SiCl, C12H25(CH3)2SiCl, C13H27(CH3)2SiCl, C14H29(CH3)2SiCl, C15H31(CH3)2SiCl, C16H33(CH3)2SiCl, C17H35(CH3)2SiCl, C18H37(CH3)2SiCl, C5H11(CH3)HSiCl, C6H13(CH3)HSiCl, C7H15(CH3)HSiCl, C8H17(CH3)HSiCl, C9H19(CH3)HSiCl, C10H21(CH3)HSiCl, C11H23(CH3)HSiCl, C12H25(CH3)HSiCl, C13H27(CH3)HSiCl, C14H29(CH3)HSiCl, C15H31(CH3)HSiCl, C16H33(CH3)HSiCl, C17H35(CH3)HSiCl, C18H37(CH3)HSiCl, C2F5C2H4(CH3)2SiCl, C3F7C2H4(CH3)2SiCl, C4F9C2H4(CH3)2SiCl, C5F11C2H4(CH3)2SiCl, C6F13C2H4(CH3)2SiCl, C7F15C2H4(CH3)2SiCl, C8F17C2H4(CH3)2SiCl, (C2H5)3SiCl, C3H7(C2H5)2SiCl, C4H9(C2H5)2SiCl, C5H11(C2H5)2SiCl, C6H13(C2H5)2SiCl, C7H15(C2H5)2SiCl, C8H17(C2H5)2SiCl, C9H19(C2H5)2SiCl, C10H21(C2H5)2SiCl, C11H23(C2H5)2SiCl, C12H25(C2H5)2SiCl, C13H27(C2H5)2SiCl, C14H29(C2H5)2SiCl, C15H31(C2H5)2SiCl, C16H33(C2H5)2SiCl, C17H35(C2H5)2SiCl, C18H37(C2H5)2SiCl, CF3C2H4(C2H5)2SiCl, C2F5C2H4(C2H5)2SiCl, C3F7C2H4(C2H5)2SiCl, C4F9C2H4(C2H5)2SiCl, C5F11C2H4(C2H5)2SiCl, C6F13C2H4(C2H5)2SiCl, C7F15C2H4(C2H5)2SiCl, C8F17C2H4(C2H5)2SiCl, (C4H9)3SiCl, C5H11(C4H9)2SiCl, C6H13(C4H9)2SiCl, C7H15(C4H9)2SiCl, C8H17(C4H9)2SiCl, C9H19(C4H9)2SiCl, C10H21(C4H9)2SiCl, C11H23(C4H9)2SiCl, C12H25(C4H9)2SiCl, C13H27(C4H9)2SiCl, C14H29(C4H9)2SiCl, C15H31(C4H9)2SiCl, C16H33(C4H9)2SiCl, C17H35(C4H9)2SiCl, C18H37(C4H9)2SiCl, CF3C2H4(C4H9)2SiCl, C2F5C2H4(C4H9)2SiCl, C3F7C2H4(C4H9)2SiCl, C4F9C2H4(C4H9)2SiCl, C5F11C2H4(C4H9)2SiCl, C6F13C2H4(C4H9)2SiCl, C7F15C2H4(C4H9)2SiCl, C8F17C2H4(C4H9)2SiCl, C5H11(CH3)SiCl2, C6H13(CH3)SiCl2, C7H15(CH3)SiCl2, C8H17(CH3)SiCl2, C9H19(CH3)SiCl2, C10H21(CH3)SiCl2, C11H23(CH3)SiCl2, C12H25(CH3)SiCl2, C13H27(CH3)SiCl2, C14H29(CH3)SiCl2, C15H31(CH3)SiCl2, C16H33(CH3)SiCl2, C17H35(CH3)SiCl2, C18H37(CH3)SiCl2, C3F7C2H4(CH3)SiCl2, C4F9C2H4(CH3)SiCl2, C5F11C2H4(CH3)SiCl2, C6F13C2H4(CH3)SiCl2, C7F15C2H4(CH3)SiCl2, C8F17C2H4(CH3)SiCl2, C6H13SiCl3, C7H15SiCl3, C8H17SiCl3, C9H19SiCl3, C10H21SiCl3, C11H23SiCl3, C12H25SiCl3, C13H27SiCl3, C14H29SiCl3, C15H31SiCl3, C16H33SiCl3, C17H35SiCl3, C18H37SiCl3, C4F9C2H4SiCl3, C5F11C2H4SiCl3, C6F13C2H4SiCl3, C7F15C2H4SiCl3, C8F17C2H4SiCl3 등의 클로로실란계 화합물을 들 수 있다. As the silicon compound of formula II-1, for example, C 4 H 9 (CH 3) 2 SiCl, C 5 H 11 (CH 3) 2 SiCl, C 6 H 13 (CH 3) 2 SiCl, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiCl , C 8 H 17 (CH 3) 2 SiCl, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiCl, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiCl, C 11 H 23 (CH 3) 2 SiCl, C 12 H 25 ( CH 3) 2 SiCl, C 13 H 27 (CH 3) 2 SiCl, C 14 H 29 (CH 3) 2 SiCl, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiCl, C 16 H 33 (CH 3) 2 SiCl, C 17 H 35 (CH 3) 2 SiCl, C 18 H 37 (CH 3) 2 SiCl, C 5 H 11 (CH 3) HSiCl, C 6 H 13 (CH 3) HSiCl, C 7 H 15 (CH 3) HSiCl, C 8 H 17 (CH 3) HSiCl, C 9 H 19 (CH 3) HSiCl, C 10 H 21 (CH 3) HSiCl, C 11 H 23 (CH 3) HSiCl, C 12 H 25 (CH 3) HSiCl, C 13 H 27 (CH 3) HSiCl, C 14 H 29 (CH 3) HSiCl, C 15 H 31 (CH 3) HSiCl, C 16 H 33 (CH 3) HSiCl, C 17 H 35 (CH 3) HSiCl, C 18 H 37 (CH 3) HSiCl, C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiCl, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl , (C 2 H 5) 3 SiCl, C 3 H 7 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 4 H 9 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 5 H 11 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 6 H 13 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 7 H 15 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 8 H 17 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 9 H 19 (C 2 H 5) 2 SiCl , C 10 H 21 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 11 H 23 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 12 H 25 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 13 H 27 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 14 H 29 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 15 H 31 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 16 H 33 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 17 H 35 (C 2 H 5 ) 2 SiCl, C 18 H 37 (C 2 H 5 ) 2 SiCl, CF 3 C 2 H 4 (C 2 H 5 ) 2 SiCl, C 2 F 5 C 2 H 4 C 2 H 5 ) 2 SiCl, C 3 F 7 C 2 H 4 (C 2 H 5 ) 2 SiCl, C 4 F 9 C 2 H 4 (C 2 H 5 ) 2 SiCl, C 5 F 11 C 2 H 4 (C 2 H 5 ) 2 SiCl, C 6 F 13 C 2 H 4 (C 2 H 5 ) 2 SiCl, C 7 F 15 C 2 H 4 (C 2 H 5 ) 2 SiCl, C 8 F 17 C 2 H 4 (C 2 H 5) 2 SiCl, (C 4 H 9) 3 SiCl, C 5 H 11 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 6 H 13 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 7 H 15 ( C 4 H 9) 2 SiCl, C 8 H 17 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 9 H 19 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 10 H 21 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 11 H 23 (C 4 H 9 ) 2 SiCl, C 12 H 2 5 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 13 H 27 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 14 H 29 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 15 H 31 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 16 H 33 (C 4 H 9 ) 2 SiCl, C 17 H 35 (C 4 H 9 ) 2 SiCl, C 18 H 37 (C 4 H 9 ) 2 SiCl, CF 3 C 2 H 4 (C 4 H 9 ) 2 SiCl, C 2 F 5 C 2 H 4 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 3 F 7 C 2 H 4 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 4 F 9 C 2 H 4 (C 4 H 9 ) 2 SiCl, C 5 F 11 C 2 H 4 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 6 F 13 C 2 H 4 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 7 F 15 C 2 H 4 (C 4 H 9 ) 2 SiCl, C 8 F 17 C 2 H 4 (C 4 H 9 ) 2 SiCl, C 5 H 11 (CH 3 ) SiCl 2 , C 6 H 13 (CH 3 ) SiCl 2 , C 7 H 15 3) SiCl 2, C 8 H 17 (CH 3) SiCl 2, C 9 H 19 (CH 3) SiCl 2, C 10 H 21 (CH 3) SiCl 2, C 11 H 23 (CH 3) SiCl 2, C 12 H 25 (CH 3) SiCl 2, C 13 H 27 (CH 3) SiCl 2, C 14 H 29 (CH 3) SiCl 2, C 15 H 31 (CH 3) SiCl 2, C 16 H 33 (CH 3 ) SiCl 2, C 17 H 35 (CH 3) SiCl 2, C 18 H 37 (CH 3) SiCl 2, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) SiCl 2, C 4 F 9 C 2 H 4 ( CH 3) SiCl 2, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) SiCl 2, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) SiCl 2, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) SiCl 2 , C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3 ) SiCl 2 , C 6 H 13 SiCl 3 , C 7 H 15 SiCl 3 , C 8 H 17 SiCl 3 , C 9 H 19 SiCl 3 , C 10 H 21 SiCl 3 , C 11 H 23 SiCl 3 , C 12 H 25 SiCl 3 , C 13 H 27 SiCl 3 , C 14 H 29 SiCl 3 , C 15 H 31 SiCl 3 , C 16 H 33 SiCl 3 , C 17 H 35 SiCl 3 , C 18 H 37 SiCl 3 , C 4 F 9 C 2 H 4 SiCl 3 , C 5 F 11 C 2 H 4 SiCl 3 , C 6 F 13 C 2 H 4 SiCl 3 , C 7 F 15 C 2 H 4 SiCl 3 , C 8 F 17 C 2 H 4 SiCl 3, and the like.

또한 예를 들면 상기 클로로실란계 화합물의 클로로기가 메톡시기나 에톡시기 등의 알콕시기로 치환된 알콕시실란계 화합물이나, 이소시아네이트기로 치환된 이소시아네이트실란계 화합물을 들 수 있다.Also, for example, an alkoxysilane compound in which the chloro group of the chlorosilane compound is substituted with an alkoxy group such as a methoxy group or an ethoxy group, or an isocyanate silane compound substituted with an isocyanate group.

또한 예를 들면 C4H9(CH3)2SiNH2, C5H11(CH3)2SiNH2, C6H13(CH3)2SiNH2, C7H15(CH3)2SiNH2, C8H17(CH3)2SiNH2, C9H19(CH3)2SiNH2, C10H21(CH3)2SiNH2, C11H23(CH3)2SiNH2, C12H25(CH3)2SiNH2, C13H27(CH3)2SiNH2, C14H29(CH3)2SiNH2, C15H31(CH3)2SiNH2, C16H33(CH3)2SiNH2, C17H35(CH3)2SiNH2, C18H37(CH3)2SiNH2, C5H11(CH3)HSiNH2, C6H13(CH3)HSiNH2, C7H15(CH3)HSiNH2, C8H17(CH3)HSiNH2, C9H19(CH3)HSiNH2, C10H21(CH3)HSiNH2, C11H23(CH3)HSiNH2, C12H25(CH3)HSiNH2, C13H27(CH3)HSiNH2, C14H29(CH3)HSiNH2, C15H31(CH3)HSiNH2, C16H33(CH3)HSiNH2, C17H35(CH3)HSiNH2, C18H37(CH3)HSiNH2, C2F5C2H4(CH3)2SiNH2, C3F7C2H4(CH3)2SiNH2, C4F9C2H4(CH3)2SiNH2, C5F11C2H4(CH3)2SiNH2, C6F13C2H4(CH3)2SiNH2, C7F15C2H4(CH3)2SiNH2, C8F17C2H4(CH3)2SiNH2, (C2H5)3SiNH2, C3H7(C2H5)2SiNH2, C4H9(C2H5)2SiNH2, C5H11(C2H5)2SiNH2, C6H13(C2H5)2SiNH2, C7H15(C2H5)2SiNH2, C8H17(C2H5)2SiNH2, C9H19(C2H5)2SiNH2, C10H21(C2H5)2SiNH2, C11H23(C2H5)2SiNH2, C12H25(C2H5)2SiNH2, C13H27(C2H5)2SiNH2, C14H29(C2H5)2SiNH2, C15H31(C2H5)2SiNH2, C16H33(C2H5)2SiNH2, C17H35(C2H5)2SiNH2, C18H37(C2H5)2SiNH2, (C4H9)3SiNH2, C5H11(C4H9)2SiNH2, C6H13(C4H9)2SiNH2, C7H15(C4H9)2SiNH2, C8H17(C4H9)2SiNH2, C9H19(C4H9)2SiNH2, C10H21(C4H9)2SiNH2, C11H23(C4H9)2SiNH2, C12H25(C4H9)2SiNH2, C13H27(C4H9)2SiNH2, C14H29(C4H9)2SiNH2, C15H31(C4H9)2SiNH2, C16H33(C4H9)2SiNH2, C17H35(C4H9)2SiNH2, C18H37(C4H9)2SiNH2, [C4H9(CH3)2Si]2NH, [C5H11(CH3)2Si]2NH, [C6H13(CH3)2Si]2NH, [C7H15(CH3)2Si]2NH, [C8H17(CH3)2Si]2NH, [C9H19(CH3)2Si]2NH, [C10H21(CH3)2Si]2NH, [C11H23(CH3)2Si]2NH, [C12H25(CH3)2Si]2NH, [C13H27(CH3)2Si]2NH, [C14H29(CH3)2Si]2NH, [C15H31(CH3)2Si]2NH, [C16H33(CH3)2Si]2NH, [C17H35(CH3)2Si]2NH, [C18H37(CH3)2Si]2NH, [C2F5C2H4(CH3)2Si]2NH, [C3F7C2H4(CH3)2Si]2NH, [C4F9C2H4(CH3)2Si]2NH, [C5F11C2H4(CH3)2Si]2NH, [C6F13C2H4(CH3)2Si]2NH, [C7F15C2H4(CH3)2Si]2NH, [C8F17C2H4(CH3)2Si]2NH, [(C2H5)3Si]2NH, [C3H7(C2H5)2Si]2NH, [C4H9(C2H5)2Si]2NH, [C5H11(C2H5)2Si]2NH, [C6H13(C2H5)2Si]2NH, [C7H15(C2H5)2Si]2NH, [C8H17(C2H5)2Si]2NH, [C9H19(C2H5)2Si]2NH, [C10H21(C2H5)2Si]2NH, [C11H23(C2H5)2Si]2NH, [C12H25(C2H5)2Si]2NH, [C13H27(C2H5)2Si]2NH, [C14H29(C2H5)2Si]2NH, [C15H31(C2H5)2Si]2NH, [C16H33(C2H5)2Si]2NH, [C17H35(C2H5)2Si]2NH, [C18H37(C2H5)2Si]2NH, [CF3C2H4(C2H5)2Si]2NH, [C2F5C2H4(C2H5)2Si]2NH, [C3F7C2H4(C2H5)2Si]2NH, [C4F9C2H4(C2H5)2Si]2NH, [C5F11C2H4(C2H5)2Si]2NH, [C6F13C2H4(C2H5)2Si]2NH, [C7F15C2H4(C2H5)2Si]2NH, [C8F17C2H4(C2H5)2Si]2NH, [C4H9(CH3)2Si]3N, [C5H11(CH3)2Si]3N, [C6H13(CH3)2Si]3N, [C7H15(CH3)2Si]3N, [C8H17(CH3)2Si]3N, [C9H19(CH3)2Si]3N, [C10H21(CH3)2Si]3N, [C11H23(CH3)2Si]3N, [C12H25(CH3)2Si]3N, [C13H27(CH3)2Si]3N, [C14H29(CH3)2Si]3N, [C15H31(CH3)2Si]3N, [C16H33(CH3)2Si]3N, [C17H35(CH3)2Si]3N, [C18H37(CH3)2Si]3N, [C2F5C2H4(CH3)2Si]3N, [C3F7C2H4(CH3)2Si]3N, [C4F9C2H4(CH3)2Si]3N, [C5F11C2H4(CH3)2Si]3N, [C6F13C2H4(CH3)2Si]3N, [C7F15C2H4(CH3)2Si]3N, [C8F17C2H4(CH3)2Si]3N, C4H9(CH3)2SiN(CH3)2, C5H11(CH3)2SiN(CH3)2, C6H13(CH3)2SiN(CH3)2, C7H15(CH3)2SiN(CH3)2, C8H17(CH3)2SiN(CH3)2, C9H19(CH3)2SiN(CH3)2, C10H21(CH3)2SiN(CH3)2, C11H23(CH3)2SiN(CH3)2, 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C16H33(C2H5)2SiN(CH3)2, C17H35(C2H5)2SiN(CH3)2, C18H37(C2H5)2SiN(CH3)2, (C4H9)3SiN(CH3)2, C5H11(C4H9)2SiN(CH3)2, C6H13(C4H9)2SiN(CH3)2, C7H15(C4H9)2SiN(CH3)2, C8H17(C4H9)2SiN(CH3)2, C9H19(C4H9)2SiN(CH3)2, C10H21(C4H9)2SiN(CH3)2, C11H23(C4H9)2SiN(CH3)2, C12H25(C4H9)2SiN(CH3)2, C13H27(C4H9)2SiN(CH3)2, C14H29(C4H9)2SiN(CH3)2, C15H31(C4H9)2SiN(CH3)2, C16H33(C4H9)2SiN(CH3)2, C17H35(C4H9)2SiN(CH3)2, C18H37(C4H9)2SiN(CH3)2, C5H11(CH3)Si[N(CH3)2]2, C6H13(CH3)Si[N(CH3)2]2, C7H15(CH3)Si[N(CH3)2]2, C8H17(CH3)Si[N(CH3)2]2, C9H19(CH3)Si[N(CH3)2]2, C10H21(CH3)Si[N(CH3)2]2, C11H23(CH3)Si[N(CH3)2]2, C12H25(CH3)Si[N(CH3)2]2, C13H27(CH3)Si[N(CH3)2]2, C14H29(CH3)Si[N(CH3)2]2, C15H31(CH3)Si[N(CH3)2]2, C16H33(CH3)Si[N(CH3)2]2, C17H35(CH3)Si[N(CH3)2]2, C18H37(CH3)Si[N(CH3)2]2, C3F7C2H4(CH3)Si[N(CH3)2]2, C4F9C2H4(CH3)Si[N(CH3)2]2, C5F11C2H4(CH3)Si[N(CH3)2]2, C6F13C2H4(CH3)Si[N(CH3)2]2, C7F15C2H4(CH3)Si[N(CH3)2]2, C8F17C2H4(CH3)Si[N(CH3)2]2, C6H13Si[N(CH3)2]3, C7H15Si[N(CH3)2]3, C8H17Si[N(CH3)2]3, C9H19Si[N(CH3)2]3, C10H21Si[N(CH3)2]3, C11H23Si[N(CH3)2]3, C12H25Si[N(CH3)2]3, C13H27Si[N(CH3)2]3, C14H29Si[N(CH3)2]3, C15H31Si[N(CH3)2]3, C16H33Si[N(CH3)2]3, C17H35Si[N(CH3)2]3, C18H37Si[N(CH3)2]3, C4F9C2H4Si[N(CH3)2]3, C5F11C2H4Si[N(CH3)2]3, C6F13C2H4Si[N(CH3)2]3, C7F15C2H4Si[N(CH3)2]3, C8F17C2H4Si[N(CH3)2]3, C4H9(CH3)2SiN(C2H5)2, C5H11(CH3)2SiN(C2H5)2, C6H13(CH3)2SiN(C2H5)2, C7H15(CH3)2SiN(C2H5)2, C8H17(CH3)2SiN(C2H5)2, C9H19(CH3)2SiN(C2H5)2, C10H21(CH3)2SiN(C2H5)2, C11H23(CH3)2SiN(C2H5)2, C12H25(CH3)2SiN(C2H5)2, C13H27(CH3)2SiN(C2H5)2, C14H29(CH3)2SiN(C2H5)2, C15H31(CH3)2SiN(C2H5)2, C16H33(CH3)2SiN(C2H5)2, C17H35(CH3)2SiN(C2H5)2, C18H37(CH3)2SiN(C2H5)2, C2F5C2H4(CH3)2SiN(C2H5)2, C3F7C2H4(CH3)2SiN(C2H5)2, C4F9C2H4(CH3)2SiN(C2H5)2, C5F11C2H4(CH3)2SiN(C2H5)2, C6F13C2H4(CH3)2SiN(C2H5)2, C7F15C2H4(CH3)2SiN(C2H5)2, C8F17C2H4(CH3)2SiN(C2H5)2, (C2H5)3SiN(C2H5)2, C3H7(C2H5)2SiN(C2H5)2, C4H9(C2H5)2SiN(C2H5)2, C5H11(C2H5)2SiN(C2H5)2, C6H13(C2H5)2SiN(C2H5)2, C7H15(C2H5)2SiN(C2H5)2, C8H17(C2H5)2SiN(C2H5)2, C9H19(C2H5)2SiN(C2H5)2, C10H21(C2H5)2SiN(C2H5)2, C11H23(C2H5)2SiN(C2H5)2, C12H25(C2H5)2SiN(C2H5)2, C13H27(C2H5)2SiN(C2H5)2, C14H29(C2H5)2SiN(C2H5)2, C15H31(C2H5)2SiN(C2H5)2, C16H33(C2H5)2SiN(C2H5)2, C17H35(C2H5)2SiN(C2H5)2, C18H37(C2H5)2SiN(C2H5)2, (C4H9)3SiN(C2H5)2, C5H11(C4H9)2SiN(C2H5)2, C6H13(C4H9)2SiN(C2H5)2, C7H15(C4H9)2SiN(C2H5)2, C8H17(C4H9)2SiN(C2H5)2, C9H19(C4H9)2SiN(C2H5)2, C10H21(C4H9)2SiN(C2H5)2, C11H23(C4H9)2SiN(C2H5)2, C12H25(C4H9)2SiN(C2H5)2, C13H27(C4H9)2SiN(C2H5)2, C14H29(C4H9)2SiN(C2H5)2, C15H31(C4H9)2SiN(C2H5)2, C16H33(C4H9)2SiN(C2H5)2, C17H35(C4H9)2SiN(C2H5)2, C18H37(C4H9)2SiN(C2H5)2 등의 아미노실란계 화합물을 들 수 있다.Further, for example, C 4 H 9 (CH 3) 2 SiNH 2, C 5 H 11 (CH 3) 2 SiNH 2, C 6 H 13 (CH 3) 2 SiNH 2, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiNH 2, C 8 H 17 (CH 3) 2 SiNH 2, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiNH 2, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiNH 2, C 11 H 23 (CH 3) 2 SiNH 2, C 12 H 25 (CH 3) 2 SiNH 2, C 13 H 27 (CH 3) 2 SiNH 2, C 14 H 29 (CH 3) 2 SiNH 2, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiNH 2, C 16 H 33 (CH 3) 2 SiNH 2, C 17 H 35 (CH 3) 2 SiNH 2, C 18 H 37 (CH 3) 2 SiNH 2, C 5 H 11 (CH 3) HSiNH 2, C 6 H 13 ( CH 3) HSiNH 2, C 7 H 15 (CH 3) HSiNH 2, C 8 H 17 (CH 3) HSiNH 2, C 9 H 19 (CH 3) HSiNH 2, C 10 H 21 (CH 3) HSiNH 2, C 11 H 23 (CH 3) HSiNH 2, C 12 H 25 (CH 3) HSiNH 2, C 13 H 27 (CH 3) HSiNH 2, C 14 H 29 (CH 3) HSiNH 2, C 15 H 31 (CH 3) HSiNH 2, C 16 H 33 (CH 3) HSiNH 2, C 17 H 35 (CH 3) HSiNH 2, C 18 H 37 (CH 3) HSiNH 2, C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, C 7 F 15 C 2 H 4 ( CH 3) 2 SiNH 2, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, (C 2 H 5) 3 SiNH 2, C 3 H 7 (C 2 H 5 ) 2 SiNH 2, C 4 H 9 (C 2 H 5) 2 SiNH 2, C 5 H 11 (C 2 H 5) 2 SiNH 2, C 6 H 13 (C 2 H 5) 2 SiNH 2, C 7 H 15 (C 2 H 5) 2 SiNH 2, C 8 H 17 (C 2 H 5) 2 SiNH 2, C 9 H 19 (C 2 H 5) 2 SiNH 2, C 10 H 21 (C 2 H 5) 2 SiNH 2, C 11 H 23 ( C 2 H 5) 2 SiNH 2, C 12 H 25 (C 2 H 5) 2 SiNH 2, C 13 H 27 (C 2 H 5) 2 SiNH 2, C 14 H 29 ( C 2 H 5) 2 SiNH 2 , C 15 H 31 (C 2 H 5) 2 SiNH 2, C 16 H 33 (C 2 H 5) 2 SiNH 2, C 17 H 35 (C 2 H 5) 2 SiNH 2 , C 18 H 37 (C 2 H 5) 2 SiNH 2, (C 4 H 9) 3 SiNH 2, C 5 H 11 (C 4 H 9) 2 SiNH 2, C 6 H 13 (C 4 H 9) 2 SiNH 2, C 7 H 15 ( C 4 H 9) 2 SiNH 2, C 8 H 17 (C 4 H 9) 2 SiNH 2, C 9 H 19 (C 4 H 9) 2 SiNH 2, C 10 H 21 ( C 4 H 9) 2 SiNH 2 , C 11 H 23 (C 4 H 9) 2 SiNH 2, C 12 H 25 (C 4 H 9) 2 SiNH 2, C 13 H 27 (C 4 H 9) 2 SiNH 2 , C 14 H 29 (C 4 H 9) 2 SiNH 2, C 15 H 31 (C 4 H 9) 2 SiNH 2, C 16 H 33 (C 4 H 9) 2 SiNH 2, C 1 7 H 35 (C 4 H 9 ) 2 SiNH 2, C 18 H 37 (C 4 H 9) 2 SiNH 2, [C 4 H 9 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 5 H 11 (CH 3 ) 2 Si] 2 NH, [ C 6 H 13 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 7 H 15 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 8 H 17 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 9 H 19 ( CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 10 H 21 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 11 H 23 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 12 H 25 (CH 3) 2 Si ] 2 NH, [C 13 H 27 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 14 H 29 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 15 H 31 (CH 3 ) 2 Si] 2 NH, [ C 16 H 33 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 17 H 35 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 18 H 37 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 Si] 2 NH, [C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 Si] 2 NH, [C 4 F 9 C 2 H 4 CH 3) 2 Si] 2 NH , [C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [(C 2 H 5) 3 Si] 2 NH, [C 3 H 7 (C 2 H 5 ) 2 Si] 2 NH, [C 4 H 9 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 5 H 11 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [ C 6 H 13 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 7 H 15 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 8 H 17 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH , [C 9 H 19 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 10 H 21 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 11 H 23 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 12 H 25 ( C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 13 H 27 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 14 H 29 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 15 H 31 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 16 H 33 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 17 H 35 (C 2 H 5) 2 Si ] 2 NH, [C 18 H 37 (C 2 H 5 ) 2 Si] 2 NH, [CF 3 C 2 H 4 (C 2 H 5 ) 2 Si] 2 NH, [C 2 F 5 C 2 H 4 C 2 H 5 ) 2 Si] 2 NH, [C 3 F 7 C 2 H 4 (C 2 H 5 ) 2 Si] 2 NH, [C 4 F 9 C 2 H 4 (C 2 H 5 ) 2 Si] 2 NH, [C 5 F 11 C 2 H 4 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 6 F 13 C 2 H 4 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 7 F 15 C 2 H 4 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 8 F 17 C 2 H 4 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 4 H 9 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 5 H 11 ( CH 3) 2 Si] 3 N, [C 6 H 13 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 7 H 15 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 8 H 17 (CH 3) 2 Si ] 3 N, [C 9 H 19 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 10 H 21 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 11 H 23 (CH 3 ) 2 Si] 3 N, [ C 12 H 25 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 13 H 27 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 14 H 29 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 15 H 31 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 16 H 33 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 17 H 35 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 18 H 37 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 Si] 3 N, [C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 Si] 3 N, [C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 7 F 15 C 2 H 4 ( CH 3) 2 Si] 3 N, [C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, C 4 H 9 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 5 H 11 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 6 H 13 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 8 H 17 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 11 H 23 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 12 H 25 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 13 H 27 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 14 H 29 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 16 H 33 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 17 H 35 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 18 H 37 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 5 H 11 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 6 H 13 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 7 H 15 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 8 H 17 (CH 3) HSiN (CH 3 ) 2, C 9 H 19 ( CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 10 H 21 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 11 H 23 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 12 H 25 (CH 3) HSiN ( CH 3) 2, C 13 H 27 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 14 H 29 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 15 H 31 (CH 3 ) HSiN (CH 3) 2, C 16 H 33 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 17 H 35 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 18 H 37 (CH 3) HSiN (CH 3 ) 2, C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN ( CH 3) 2, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3 ) 2, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, (C 2 H 5) 3 SiN (CH 3) 2, C 3 H 7 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 4 H 9 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 5 H 11 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3 ) 2, C 6 H 13 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 7 H 15 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 8 H 17 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 9 H 19 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 10 H 21 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2 , C 11 H 23 (C 2 H 5 ) 2 SiN (CH 3 ) 2 , C 12 H 25 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 13 H 27 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 14 H 29 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 15 H 31 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 16 H 33 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 17 H 35 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 18 H 37 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, (C 4 H 9) 3 SiN (CH 3) 2, C 5 H 11 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 6 H 13 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 7 H 15 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 8 H 17 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 9 H 19 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 10 H 21 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 11 H 23 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 12 H 25 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 13 H 27 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 14 H 29 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 15 H 31 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 16 H 33 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 17 H 35 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 18 H 37 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 5 H 11 (CH 3) Si [N (CH 3 ) 2] 2, C 6 H 13 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 7 H 15 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 8 H 17 (CH 3 ) Si [N (CH 3) 2] 2, C 9 H 19 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 10 H 21 ( CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 11 H 23 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 12 H 25 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 13 H 27 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 14 H 29 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 15 H 31 (CH 3) Si [ N (CH 3) 2] 2 , C 16 H 33 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 17 H 35 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 18 H 37 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3 ) Si [N (CH 3) 2] 2, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 6 H 13 Si [N (CH 3) 2] 3, C 7 H 15 Si [N (CH 3) 2] 3, C 8 H 17 Si [N (CH 3) 2] 3, C 9 H 19 Si [N (CH 3) 2] 3, C 10 H 21 Si [N (CH 3) 2] 3, C 11 H 23 Si [N (CH 3) 2] 3, C 12 H 25 Si [ N (CH 3) 2] 3 , C 13 H 27 Si [N (CH 3) 2] 3, C 14 H 29 Si [N (CH 3) 2] 3, C 15 H 31 Si [N (CH 3) 2] 3, C 16 H 33 Si [N (CH 3) 2] 3, C 17 H 35 Si [N (CH 3) 2] 3, C 18 H 37 Si [N (CH 3) 2] 3, C 4 F 9 C 2 H 4 Si [N (CH 3 ) 2 ] 3, C 5 F 11 C 2 H 4 Si [N (CH 3) 2] 3, C 6 F 13 C 2 H 4 Si [N (CH 3) 2] 3, C 7 F 15 C 2 H 4 Si [N (CH 3) 2] 3, C 8 F 17 C 2 H 4 Si [N (CH 3) 2] 3, C 4 H 9 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 5 H 11 (CH 3) 2 SiN ( C 2 H 5) 2, C 6 H 13 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2 , C 8 H 17 (CH 3 ) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 11 H 23 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 12 H 25 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 13 H 27 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2 , C 14 H 29 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 16 H 33 ( CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 17 H 35 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 18 H 37 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiN (C 2 H 5 ) 2 , C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiN (C 2 H 5 ) 2 , C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN ( C 2 H 5) 2, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5 ) 2 , C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiN (C 2 H 5 ) 2 , C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, (C 2 H 5) 3 SiN (C 2 H 5) 2, C 3 H 7 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 4 H 9 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 5 H 11 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 6 H 13 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 7 H 15 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 8 H 17 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 9 H 19 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 10 H 21 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 11 H 23 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 12 H 25 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 13 H 27 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 14 H 29 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 15 H 31 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 16 H 33 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 17 H 35 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 18 H 37 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, (C 4 H 9) 3 SiN (C 2 H 5) 2, C 5 H 11 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 6 H 13 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 7 H 15 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 8 H 17 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 9 H 19 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 10 H 21 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 11 H 23 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 12 H 25 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 13 H 27 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 14 H 29 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 15 H 31 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 16 H 33 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 17 H 35 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 18 H 37 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2 , etc. Of aminosilane compounds.

이들 규소 화합물 중 탄화수소기의 수소원자가 할로겐원자로 치환되는 경우, 소수화 성능을 고려하면 치환하는 할로겐원자로서는 불소원자인 것이 바람직하다.When the hydrogen atom of the hydrocarbon group is substituted by a halogen atom among these silicon compounds, the halogen atom to be substituted is preferably a fluorine atom in consideration of hydrophobicity.

또한 일반식 II-1의 X로 표시되는 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기는 탄소, 수소, 붕소, 질소, 인, 산소, 황, 규소, 게르마늄, 불소, 염소, 브롬, 요오드 등의 원소로 구성되는 관능기면 되고, 예를 들면 -NHSi(CH3)3기, -NHSi(CH3)2C4H9기, -NHSi(CH3)2C8H17기, -N(CH3)2기, -N(C2H5)2기, -N(C3H7)2기, -N(CH3)(C2H5)기, -NH(C2H5)기, -NCO기, 이미다졸기, 아세트아미드기 등을 들 수 있다.Also, the monovalent functional group having an element bonded to the silicon element represented by X in the general formula II-1 is nitrogen may be any one of carbon, hydrogen, boron, nitrogen, phosphorus, oxygen, sulfur, silicon, germanium, fluorine, chlorine, bromine, iodine and the surface functional groups consisting of an element, for example -NHSi (CH 3) 3 group, -NHSi (CH 3) 2 C 4 H 9 group, -NHSi (CH 3) 2 C 8 H 17 group, -N ( CH 3) 2 groups, -N (C 2 H 5) 2 groups, -N (C 3 H 7) 2 groups, -N (CH 3) (C 2 H 5) groups, -NH (C 2 H 5) An -NCO group, an imidazole group, and an acetamide group.

또한 일반식 II-1의 X로 표시되는 규소 원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기는 탄소, 수소, 붕소, 질소, 인, 산소, 황, 규소, 게르마늄, 불소, 염소, 브롬, 요오드 등의 원소로 구성되는 관능기이면 되고, 예를 들면 -OCH3기, -OC2H5기, -OC3H7기, -OCOCH3기, -OCOCF3기 등을 들 수 있다.Further, the monovalent functional group whose oxygen atom is bonded to the silicon element represented by X in the general formula II-1 is oxygen may be replaced with carbon, hydrogen, boron, nitrogen, phosphorus, oxygen, sulfur, silicon, germanium, fluorine, chlorine, bromine, iodine and when the functional group consisting of the elements, for example, a group -OCH 3, -OC 2 H 5 group, -OC 3 H 7 group, -OCOCH 3 group, -OCOCF 3, and so on.

또한 일반식 II-1의 X로 표시되는 할로겐기로서는 -F기, -Cl기, -Br기, -I기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 -Cl기가 보다 바람직하다. The halogen group represented by X in the general formula II-1 includes -F, -Cl, -Br, -I, and the like. Among them, a -Cl group is more preferable.

또한 일반식 II-1의 a는 1~3의 정수면 되는데, a가 1 또는 2인 경우 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제를 장기 보존하면 수분의 혼입 등에 의해 규소 화합물의 중합이 발생하여, 소수성 부여 효과가 저하될 우려가 있기 때문에 보존 가능 기간이 짧아질 가능성이 있다. 또한 후술하는 바와 같이 상기 처리제를 희석용매로 용해하여 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액으로 한 경우, 그 처리액은 사용 중에 대기 중의 수분이 혼입됨으로써 규소 화합물의 중합이 발생하여 그 처리액 중에 불용물이 석출될 가능성이 있다. 처리제 및 처리액의 가용시간이나 처리 후의 웨이퍼 표면의 청정성을 고려하면 일반식 II-1의 a가 3인 것(즉 상기 일반식 II-2로 표시되는 규소 화합물)이 바람직하다. When a is 1 or 2, a in the general formula II-1 is a water surface of 1 to 3. When a surface treatment agent for silicon nitride-containing wafers is stored for a long period of time, polymerization of the silicon compound occurs due to incorporation of moisture, There is a possibility that the storage period becomes short. Further, when the above-mentioned treatment agent is dissolved in a diluting solvent to prepare a surface treatment solution for silicon wafer-containing wafers as described later, water in the atmosphere is mixed in the treatment solution, so that polymerization of the silicon compound occurs, There is a possibility of precipitation. It is preferable that a in the general formula II-1 is 3 (that is, the silicon compound represented by the general formula II-2) in consideration of the time of use of the treating agent and the treating liquid and the cleanliness of the wafer surface after the treatment.

또한 일반식 II-1로 표시되는 규소 화합물 중, R1이 탄소수가 4~18인 무치환 또는 수소원자가 할로겐원자로 치환되어 있어도 되는 탄화수소기 1개와 메틸기 2개로 이루어지는 것(즉 상기 일반식 II-3으로 표시되는 규소 화합물)은 웨이퍼 표면의 수산기와의 반응속도가 빠르기 때문에 바람직하다. 이는 웨이퍼 표면의 수산기와 상기 규소 화합물의 반응에 있어서 소수성기에 의한 입체 장애가 반응속도에 커다란 영향을 미치기 때문이며, 규소 원소에 결합하는 알킬 사슬은 가장 긴 하나를 제외한 나머지 2개는 짧은 편이 바람직하기 때문이다. In the silicon compound represented by the general formula (II-1), it is preferable that R 1 is a hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms which is unsubstituted or has one hydrocarbon group which may be substituted with a halogen atom and 2 methyl groups Is preferred because the reaction rate with the hydroxyl group on the surface of the wafer is fast. This is because the steric hindrance caused by the hydrophobic group greatly affects the reaction rate in the reaction of the hydroxyl group on the wafer surface with the silicon compound, and the alkyl chain bonded to the silicon element is preferably the shorter one except for the longest one .

이들 사실로부터 전술한 일반식 II-1로 나타내어지는 규소 화합물 중에서도 바람직한 화합물로서는, 예를 들면 C4H9(CH3)2SiCl, C5H11(CH3)2SiCl, C6H13(CH3)2SiCl, C7H15(CH3)2SiCl, C8H17(CH3)2SiCl, C9H19(CH3)2SiCl, C10H21(CH3)2SiCl, C11H23(CH3)2SiCl, C12H25(CH3)2SiCl, C13H27(CH3)2SiCl, C14H29(CH3)2SiCl, C15H31(CH3)2SiCl, C16H33(CH3)2SiCl, C17H35(CH3)2SiCl, C18H37(CH3)2SiCl, C2F5C2H4(CH3)2SiCl, C3F7C2H4(CH3)2SiCl, C4F9C2H4(CH3)2SiCl, C5F11C2H4(CH3)2SiCl, C6F13C2H4(CH3)2SiCl, C7F15C2H4(CH3)2SiCl, C8F17C2H4(CH3)2SiCl, C4H9(CH3)2SiN(CH3)2, C5H11(CH3)2SiN(CH3)2, C6H13(CH3)2SiN(CH3)2, C7H15(CH3)2SiN(CH3)2, C8H17(CH3)2SiN(CH3)2, C9H19(CH3)2SiN(CH3)2, C10H21(CH3)2SiN(CH3)2, C11H23(CH3)2SiN(CH3)2, C12H25(CH3)2SiN(CH3)2, C13H27(CH3)2SiN(CH3)2, C14H29(CH3)2SiN(CH3)2, C15H31(CH3)2SiN(CH3)2, C16H33(CH3)2SiN(CH3)2, C17H35(CH3)2SiN(CH3)2, C18H37(CH3)2SiN(CH3)2, C2F5C2H4(CH3)2SiN(CH3)2, C3F7C2H4(CH3)2SiN(CH3)2, C4F9C2H4(CH3)2SiN(CH3)2, C5F11C2H4(CH3)2SiN(CH3)2, C6F13C2H4(CH3)2SiN(CH3)2, C7F15C2H4(CH3)2SiN(CH3)2, C8F17C2H4(CH3)2SiN(CH3)2 등을 들 수 있다.From these facts, preferred compounds among the silicon compounds represented by the above-mentioned general formula II-1 include C 4 H 9 (CH 3 ) 2 SiCl, C 5 H 11 (CH 3 ) 2 SiCl, C 6 H 13 CH 3) 2 SiCl, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiCl, C 8 H 17 (CH 3) 2 SiCl, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiCl, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiCl, C 11 H 23 (CH 3) 2 SiCl, C 12 H 25 (CH 3) 2 SiCl, C 13 H 27 (CH 3) 2 SiCl, C 14 H 29 (CH 3) 2 SiCl, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiCl, C 16 H 33 (CH 3) 2 SiCl, C 17 H 35 (CH 3) 2 SiCl, C 18 H 37 (CH 3) 2 SiCl, C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 4 H 9 (CH 3 ) 2 SiN (CH 3) 2 , C 5 H 11 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 6 H 13 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 8 H 17 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiN ( CH 3 ) 2 , C 11 H 23 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 12 H 25 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 13 H 27 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 14 H 29 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 16 H 33 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 17 H 35 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 18 H 37 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiN (CH 3 ) 2 , and the like.

또한 상기 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제가 상기 일반식 II-4로 표시되는 규소 화합물이면 질화규소 함유 웨이퍼 표면에 보다 우수한 소수성을 부여할 수 있어, 결과적으로 보다 단시간의 처리로 충분한 소수성을 부여할 수 있기 때문에 바람직하다. Further, if the surface treatment agent for silicon nitride-containing wafers is a silicon compound represented by the above-mentioned general formula II-4, it is possible to impart better hydrophobicity to the surface of silicon nitride-containing wafers, and as a result, sufficient hydrophobicity can be imparted by a shorter- desirable.

본 발명의 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액은 적어도 상기 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제가 함유되어 있으면 되고, 상기 처리제를 2종 이상 함유하는 것이어도 된다. 또한 상기 처리제는 희석용매로 용해되어 있다. 그 희석용매는 상기 처리제를 용해하는 것이면 되고, 예를 들면 탄화수소류, 에스테르류, 에테르류, 케톤류, 할로겐 함유 용매, 설폭시드계 용매, 락톤계 용매, 카보네이트계 용매, 알코올류, 다가 알코올의 유도체, 질소 원소 함유 용매 등의 유기용매가 적합하게 사용된다. 물을 희석용매로서 사용한 경우, 물에 의해 처리액 중의 처리제인 규소 화합물의 반응성 부위(상기 일반식 II-1의 X나 일반식 II-2의 Y)가 가수분해되어 실라놀기(Si-OH)가 생성될 가능성이 있다. 상기 반응성 부위는 이 실라놀기와도 반응하기 때문에 규소 화합물끼리가 결합하여 이량체가 생성될 가능성이 있다. 이 이량체는 웨이퍼 표면의 수산기와의 반응성이 낮기 때문에 웨이퍼 표면을 소수화하는데 소요되는 시간이 길어질 우려가 있는 것으로부터 물을 희석용매로서 사용하는 것은 바람직하지 않다. The surface treatment liquid for silicon nitride-containing wafers of the present invention may contain at least the above-mentioned surface treatment agent for silicon nitride-containing wafers, and may contain two or more kinds of the above treatment agents. The treatment agent is dissolved in a diluting solvent. The diluting solvent is not particularly limited as long as it dissolves the above-mentioned treating agent. Examples of the diluting solvent include hydrocarbons, esters, ethers, ketones, halogen-containing solvents, sulfoxide solvents, lactone solvents, carbonate solvents, alcohols and derivatives of polyhydric alcohols , A nitrogen-containing solvent, and the like are suitably used. When water is used as a diluting solvent, the reactive sites (X in general formula II-1 or Y in general formula II-2) of the silicon compound, which is a treating agent in the treatment liquid, are hydrolyzed by water to give silanol groups (Si- May be generated. Since the reactive site also reacts with the silanol group, there is a possibility that silicon compounds are bonded to each other to form a dimer. Since the reactivity of the dimer with the hydroxyl group on the surface of the wafer is low, there is a possibility that the time required for hydrophobizing the surface of the wafer is prolonged. Therefore, it is not preferable to use water as a diluting solvent.

또한 상기 규소 화합물은 프로톤성 용매와 반응하기 쉽기 때문에 상기 유기용매로서 비프로톤성 용매를 사용하면 단시간에 소수성을 발현하기 쉬워지기 때문에 특히 바람직하다. 또한 비프로톤성 용매는 비프로톤성 극성 용매와 비프로톤성 비극성 용매의 양쪽을 말한다. 이러한 비프로톤성 용매로서는 탄화수소류, 에스테르류, 에테르류, 케톤류, 할로겐 함유 용매, 설폭시드계 용매, 락톤계 용매, 카보네이트계 용매, 수산기를 갖지 않는 다가 알코올의 유도체, N-H 결합을 갖지 않는 질소 원소 함유 용매를 들 수 있다. 상기 탄화수소류의 예로서는 톨루엔, 벤젠, 크실렌, 헥산, 헵탄, 옥탄 등이 있고, 상기 에스테르류의 예로서는 초산에틸, 초산프로필, 초산부틸, 아세토초산에틸 등이 있으며, 상기 에테르류의 예로서는 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르, 테트라히드로푸란, 디옥산 등이 있고, 상기 케톤류의 예로서는 아세톤, 아세틸아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸부틸케톤, 시클로헥사논 등이 있으며, 상기 할로겐 함유 용매의 예로서는 퍼플루오로옥탄, 퍼플루오로노난, 퍼플루오로시클로펜탄, 퍼플루오로시클로헥산, 헥사플루오로벤젠 등의 퍼플루오로카본, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄, 옥타플루오로시클로펜탄, 2,3-디하이드로데카플루오로펜탄, 제오로라 H(일본 제온 주식회사 제조) 등의 하이드로플루오로카본, 메틸퍼플루오로이소부틸에테르, 메틸퍼플루오로부틸에테르, 에틸퍼플루오로부틸에테르, 에틸퍼플루오로이소부틸에테르, 아사히크린 AE-3000(아사히 가라스 주식회사 제조), Novec7100, Novec7200, Novec7300, Novec7600(모두 3M 제조) 등의 하이드로플루오로에테르, 테트라클로로메탄 등의 클로로카본, 클로로포름 등의 하이드로클로로카본, 디클로로디플루오로메탄 등의 클로로플루오로카본, 1,1-디클로로-2,2,3,3,3-펜타플루오로프로판, 1,3-디클로로-1,1,2,2,3-펜타플루오로프로판, 1-클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜, 1,2-디클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜 등의 하이드로클로로플루오로카본, 퍼플루오로에테르, 퍼플루오로폴리에테르 등이 있고, 상기 설폭시드계 용매의 예로서는 디메틸설폭시드 등이 있으며, 상기 락톤계 용매의 예로서는 γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, γ-카프로락톤, γ-헵타노락톤, γ-옥타노락톤, γ-노나노락톤, γ-데카노락톤, γ-운데카노락톤, γ-도데카노락톤, δ-발레로락톤, δ-카프로락톤, δ-옥타노락톤, δ-노나노락톤, δ-데카노락톤, δ-운데카노락톤, δ-도데카노락톤, ε-카프로락톤 등이 있고, 상기 카보네이트계 용매의 예로서는 디메틸카보네이트, 에틸메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 프로필렌카보네이트 등이 있으며, 상기 수산기를 갖지 않는 다가 알코올 유도체의 예로서는 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디부틸에테르, 에틸렌글리콜디아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디아세테이트, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜디부틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜디아세테이트, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 테트라에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 테트라에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 테트라에틸렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸프로필에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜디부틸에테르, 디프로필렌글리콜디아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜디메틸에테르, 트리프로필렌글리콜디에틸에테르, 트리프로필렌글리콜디부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜디아세테이트, 테트라프로필렌글리콜디메틸에테르, 테트라프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 테트라프로필렌글리콜디아세테이트, 부틸렌글리콜디메틸에테르, 부틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 부틸렌글리콜디아세테이트, 글리세린트리아세테이트 등이 있고, N-H 결합을 갖지 않는 질소 원소 함유 용매의 예로서는 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 트리에틸아민, 피리딘 등이 있다. In addition, since the silicon compound is easily reacted with the protonic solvent, the use of an aprotic solvent as the organic solvent is particularly preferable because hydrophobicity is easily exhibited in a short time. The aprotic solvent refers to both aprotic polar solvent and aprotic non-polar solvent. Examples of the aprotic solvent include hydrocarbons, esters, ethers, ketones, halogen-containing solvents, sulfoxide-based solvents, lactone-based solvents, carbonate-based solvents, derivatives of polyhydric alcohols not having a hydroxyl group, Containing solvent. Examples of the hydrocarbons include toluene, benzene, xylene, hexane, heptane, and octane. Examples of the esters include ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, and ethyl acetate. Examples of the ethers include diethyl ether, Examples of the ketones include acetone, acetyl acetone, methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl butyl ketone, cyclohexanone, and the like. The halogen-containing solvent For example, perfluorocarbons such as perfluorooctane, perfluorononane, perfluorocyclopentane, perfluorocyclohexane, hexafluorobenzene and the like, 1,1,1,3,3-pentafluorobutane, Hydrofluorocarbons such as octafluorocyclopentane, 2,3-dihydrodecafluoropentane and Aurora H (manufactured by Japan Zeon Co., Ltd.), hydrofluorocarbons such as methyl perfluoroisobutyl (Manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Novec7100, Novec7200, Novec7300, and Novec7600 (all manufactured by 3M), and the like, which are commercially available from Asahi Glass Co., Ltd., etc. Chlorocarbon such as tetrachloromethane, hydrochlorocarbon such as chloroform, chlorofluorocarbon such as dichlorodifluoromethane, 1,1-dichloro-2,2,3,3,3-penta Fluoropropane, 1,3-dichloro-1,1,2,2,3-pentafluoropropane, 1-chloro-3,3,3-trifluoropropene, 1,2- , 3-trifluoropropene and the like, perfluoroether, and perfluoropolyether. Examples of the sulfoxide-based solvent include dimethylsulfoxide and the like. Examples of the lactone-based solvent include gamma -butyrolactone, gamma -valerolactone, gamma -caprolactone, gamma -heptanolactone ,? -octanoactone,? -octanoactone,? -octanoactone,? -octanolactone,? -octanolactone,? -octanolactone,? -octanolactone,? -octanolactone, There may be mentioned, for example, dimethyl carbonate, ethyl methyl carbonate, diethyl carbonate, propylene carbonate, and the like as the carbonate-based solvent. Examples of the carbonate- And examples of the polyhydric alcohol derivative having no hydroxyl group include ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, ethylene glycol diacetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene Glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene Recolyl butyl methyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol diacetate, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol Triethylene glycol monomethyl ether acetate, triethylene glycol monoethyl ether acetate, triethylene glycol monobutyl ether acetate, triethylene glycol diacetate, tetraethylene glycol diacetate, tetraethylene glycol monoethyl ether acetate, triethylene glycol monoethyl ether acetate, Ethylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol diethyl ether, tetraethylene glycol dibutyl ether, tetraethylene glycol monomethyl ether acetate, tetraethylene glycol monoethyl ether acetate, tetraethylene glycol moiety Propylene glycol diethyl ether, propylene glycol dibutyl ether, propylene glycol diacetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monoethyl ether acetate, Butyl ether acetate, dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol methyl propyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dibutyl ether, dipropylene glycol diacetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl Ether acetate, dipropylene glycol monobutyl ether acetate, tripropylene glycol dimethyl ether, tripropylene glycol diethyl ether, tripropylene glycol dibutyl ether, tripropylene glycol Triethylene glycol monoethyl ether acetate, tripropylene glycol monoethyl ether acetate, tripropylene glycol monoethyl ether acetate, tripropylene glycol diacetate, tetrapropylene glycol dimethyl ether, tetrapropylene glycol monomethyl ether acetate, tetrapropylene glycol diacetate, butylene Glycol dimethyl ether, butylene glycol monomethyl ether acetate, butylene glycol diacetate, and glycerin triacetate. Examples of the nitrogen element-containing solvent having no NH bond include N, N-dimethylformamide, N, Amide, N-methyl-2-pyrrolidone, triethylamine, pyridine and the like.

또한 상기 희석용매의 일부 또는 전부에 불연성인 것을 사용하면 처리액이 불연성이 되거나 또는 인화점이 높아져 그 처리액의 위험성이 저하되기 때문에 바람직하다. 할로겐 함유 용매는 불연성인 것이 많아 불연성 할로겐 함유 용매는 불연성 희석용매로서 적합하게 사용할 수 있다. 또한 「화학품의 분류 및 표시에 관한 국제적 조화 시스템；GHS」에 의하면 인화점이 93℃ 이하인 용매를 「인화성 액체」로서 정의하고 있다. 이 때문에 불연성 용매가 아니더라도 상기 희석용매로서 인화점이 93℃를 초과하는 용매를 사용하면 상기 처리액의 인화점은 93℃ 이상이 되기 쉽고, 그 처리액이 「인화성 액체」에 해당하기 어려워지기 때문에 안전성 관점에서 바람직하다. If a part or all of the diluting solvent is nonflammable, it is preferable that the treatment liquid becomes incombustible or the flash point becomes high and the risk of the treatment liquid lowers. Since halogen-containing solvents are often non-flammable, non-flammable halogen-containing solvents can be suitably used as nonflammable diluting solvents. In addition, according to the "International Harmonization System for Classification and Labeling of Chemicals: GHS", a solvent whose flash point is 93 ° C or less is defined as a "flammable liquid". Therefore, even if the solvent is not a nonflammable solvent, if a solvent having a flash point exceeding 93 ° C. is used as the diluting solvent, the flash point of the treatment liquid tends to be 93 ° C. or higher and the treatment liquid is less likely to be a "flammable liquid" .

또한 락톤계 용매나 카보네이트계 용매나 다가 알코올의 유도체는 인화점이 높은 것이 많기 때문에 이를 용매로 사용하면 처리액의 위험성을 낮게 할 수 있어 바람직하다. 상기 안전성 관점에서 구체적으로는 인화점이 93℃를 초과하는 γ-부티로락톤, γ-카프로락톤, γ-헵타노락톤, γ-옥타노락톤, γ-노나노락톤, γ-데카노락톤, γ-운데카노락톤, γ-도데카노락톤, δ-발레로락톤, δ-카프로락톤, δ-옥타노락톤, δ-노나노락톤, δ-데카노락톤, δ-운데카노락톤, δ-도데카노락톤, ε-카프로락톤, 프로필렌카보네이트, 에틸렌글리콜디아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜이소모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 디에틸렌글리콜디아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노프로필에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜디부틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜디아세테이트, 테트라에틸렌글리콜모노메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜모노에틸에테르, 테트라에틸렌글리콜모노프로필에테르, 테트라에틸렌글리콜모노부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 테트라에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 테트라에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 테트라에틸렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 디프로필렌글리콜디아세테이트, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜디메틸에테르, 트리프로필렌글리콜디에틸에테르, 트리프로필렌글리콜디부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜디아세테이트, 테트라프로필렌글리콜디메틸에테르, 테트라프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 테트라프로필렌글리콜디아세테이트, 부틸렌글리콜디메틸에테르, 부틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 부틸렌글리콜디아세테이트, 글리세린트리아세테이트 등을 상기 용매로서 사용하는 것이 보다 바람직하다. In addition, lactone-based solvents, carbonate-based solvents and derivatives of polyhydric alcohols often have a high flash point, and thus it is preferable to use them as a solvent because the risk of the treatment liquid can be reduced. Specifically, from the above safety standpoint, there may be mentioned γ-butyrolactone, γ-caprolactone, γ-heptanolactone, γ-octanolactone, γ-nonanolactone, γ-decanolactone, γ -Undecanolactone,? -Dodecanolactone,? -Valerolactone,? -Caprolactone,? -Octanol,? -Nonanolactone,? -Decanolactone,? -Undecanolactone,? -Dodecanol Propylene carbonate, ethylene glycol diacetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol isomonobutyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, diethylene glycol dibutyl ether , Diethylene glycol diacetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol Triethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol diethyl ether, triethylene glycol dibutyl ether, triethylene glycol butyl methyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, Ether acetate, triethylene glycol monoethyl ether acetate, triethylene glycol monobutyl ether acetate, triethylene glycol diacetate, tetraethylene glycol monomethyl ether, tetraethylene glycol monoethyl ether, tetraethylene glycol monopropyl ether, tetraethylene glycol mono Butyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol diethyl ether, tetraethylene glycol dibutyl ether, tetraethylene glycol monomethyl ether acetate, tetraethylene glycol monoethyl ether acetate, Tetraethylene glycol monobutyl ether acetate, tetraethylene glycol diacetate, propylene glycol diacetate, dipropylene glycol diacetate, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol Monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monobutyl ether acetate, tripropylene glycol dimethyl ether, tripropylene glycol diethyl ether, tripropylene glycol dibutyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether acetate, tripropylene glycol monoethyl ether acetate, tri Propylene glycol monobutyl ether acetate, tripropylene glycol diacetate, tetrapropylene glycol dimethyl ether, tetrapropylene glycol monomethyl ether acetate, tetrapropylene glycol monomethyl ether acetate, It is more preferable to use, as the solvent, phenol glycol diacetate, butylene glycol dimethyl ether, butylene glycol monomethyl ether acetate, butylene glycol diacetate, and glycerin triacetate.

또한 희석용매에는 미량의 수분이라면 존재해도 된다. 다만 이 수분이 용매에 대량으로 포함되면 규소 화합물은 그 수분에 의해 가수분해되어 반응성이 저하되는 경우가 있다. 이 때문에 용매 중의 수분량은 낮게 하는 것이 바람직하고, 그 수분량은 상기 규소 화합물과 혼합했을 때 그 규소 화합물에 대해 몰비로 1 몰배 미만으로 하는 것이 바람직하고, 0.5 몰배 미만으로 하는 것이 특히 바람직하다. The diluting solvent may also be present in a trace amount of water. However, if this water is contained in a large amount in a solvent, the silicon compound may be hydrolyzed by the water to lower the reactivity. Therefore, the water content in the solvent is preferably lowered, and the water content thereof is preferably less than 1 molar ratio with respect to the silicon compound when mixed with the silicon compound, particularly preferably less than 0.5 molar.

또한 상기 규소 화합물은 상기 처리액의 총량 100 질량%에 대해 0.1~50 질량%가 되도록 혼합되어 있으면 바람직하고, 보다 적합하게는 상기 처리액의 총량 100 질량%에 대해 0.3~20 질량%이다. 규소 화합물이 0.1 질량% 미만에서는 희석용매 중에 미량으로 포함되는 수분 등과 반응하여 불활성화되기 쉽기 때문에, 소수화하는 능력이 부족하여 웨이퍼 표면을 충분히 소수화하지 못하는 경우가 있다. 한편 50 질량%보다 많은 경우 웨이퍼 표면에 불순물로서 잔류될 우려가 있고 또한 비용적인 관점에서 보더라도 바람직하지 않다. The silicon compound is preferably mixed in an amount of 0.1 to 50% by mass based on 100% by mass of the total amount of the treatment liquid, more preferably 0.3 to 20% by mass based on 100% by mass of the total amount of the treatment liquid. If the amount of the silicon compound is less than 0.1% by mass, it may be inactivated by reacting with water or the like contained in a very small amount in the diluting solvent, so that the ability to hydrophobize is insufficient and the surface of the wafer may not be sufficiently hydrophobic. On the other hand, if it is more than 50% by mass, there is a fear of remaining as impurities on the surface of the wafer.

또한 상기 처리액이 산을 함유하는 것이면 질화규소 함유 웨이퍼 표면에 보다 단시간의 처리로 충분한 소수성을 부여할 수 있기 때문에 바람직하다. In addition, if the treatment liquid contains an acid, the surface of the silicon nitride-containing wafer can be imparted with sufficient hydrophobicity in a shorter time, which is preferable.

또한 상기 산을 함유하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액에 있어서 규소 화합물이 하기 일반식 II-5로 표시되는 규소 화합물이면, 질화규소 함유 웨이퍼 표면에 보다 단시간의 처리로 충분한 소수성을 부여할 수 있기 때문에 바람직하다. When the silicon compound is a silicon compound represented by the following general formula II-5 in the surface treatment liquid for silicon nitride-containing wafers containing the above-mentioned acid, the surface of the silicon nitride-containing wafer can be imparted with sufficient hydrophobicity by a shorter- Do.

[일반식 II-5][Formula II-5]

Figure pct00011
Figure pct00011

[식 II-5 중 R4는 탄소수가 4~18인 탄화수소기이고, 그 탄화수소기의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어 있어도 된다. Z는 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기 또는 규소 원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기이다.][In the formula II-5, R 4 is a hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom of the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom. Z is a monovalent functional group whose element bonding with the silicon element is nitrogen or a monovalent functional group whose oxygen element bonding with the silicon element is oxygen.]

또한 상기 산은 상기 규소 화합물과 질화규소 함유 웨이퍼 표면의 수산기의 반응을 촉진시키는 것이다. 이러한 산으로서 트리플루오로초산, 무수 트리플루오로초산, 펜타플루오로프로피온산, 무수 펜타플루오로프로피온산, 트리플루오로메탄설폰산, 무수 트리플루오로메탄설폰산, 황산, 염화수소 등의 물을 포함하지 않는 산을 들 수 있다. 특히 상기 반응의 촉진 효과를 고려하면 트리플루오로초산, 트리플루오로초산 무수물, 트리플루오로메탄설폰산, 트리플루오로메탄설폰산 무수물, 황산, 염화수소 등의 산이 바람직하고, 당해 산은 수분을 포함하고 있지 않은 것이 바람직하다. Further, the acid accelerates the reaction between the silicon compound and the hydroxyl group on the silicon nitride-containing wafer surface. As such an acid, it is possible to use an acid such as trifluoroacetic acid, trifluoroacetic acid anhydride, pentafluoropropionic acid, pentafluoropropionic anhydride, trifluoromethanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic anhydride, sulfuric acid, You can pick up mountains. Particularly, considering the promoting effect of the reaction, acids such as trifluoroacetic acid, trifluoroacetic acid anhydride, trifluoromethanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid anhydride, sulfuric acid and hydrogen chloride are preferable, and the acid includes water .

산의 첨가량은 상기 규소 화합물의 총량 100 질량%에 대해 0.01~100 질량%가 바람직하다. 첨가량이 적어지면 촉매 효과가 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 또한 과잉으로 첨가해도 촉매 효과는 향상되지 않고, 규소 화합물보다도 많게 하면 반대로 촉매 효과가 저하되는 경우도 있다. 또한 불순물로서 웨이퍼 표면에 잔류될 우려도 있다. 이 때문에 상기 산의 첨가량은 상기 규소 화합물의 총량 100 질량%에 대해 0.01~100 질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~50 질량%이다.The addition amount of the acid is preferably 0.01 to 100% by mass based on 100% by mass of the total amount of the silicon compound. If the addition amount is decreased, the catalytic effect is lowered, which is not preferable. In addition, the catalytic effect is not improved even when added in excess, and when the amount is larger than that of the silicon compound, the catalytic effect may be lowered in some cases. There is also a possibility that it remains on the wafer surface as an impurity. Therefore, the amount of the acid added is preferably 0.01 to 100 mass%, more preferably 0.1 to 50 mass%, based on 100 mass% of the total amount of the silicon compound.

또한 상기 산 이외에도 상기 규소 화합물과 질화규소 함유 웨이퍼 표면의 수산기의 반응을 촉진시키는 것으로서, 상기 처리액에는 암모니아, 알킬아민, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민, 트리에틸렌디아민, 디메틸아닐린, 피리딘, 피페라진, N-알킬모르폴린 등의 염기, 황화암모늄, 초산칼륨, 메틸히드록시아민 염산염 등의 염 및 주석, 알루미늄, 티탄 등의 금속 착체나 금속염이 포함되어 있어도 된다. In addition to the above-mentioned acids, the reaction of the silicon compound with the hydroxyl groups on the surface of silicon nitride-containing wafers is promoted, and the treatment solution may contain ammonia, alkylamines, N, N, N ', N'-tetramethylethylenediamine, A base such as aniline, pyridine, piperazine or N-alkylmorpholine, a salt such as ammonium sulfide, potassium acetate or methylhydroxyamine hydrochloride, or a metal complex or metal salt such as tin, aluminum or titanium.

상기 일반식 II-5의 R4의 탄소수가 6~18이면 질화규소 함유 웨이퍼 표면에 보다 우수한 소수성을 부여할 수 있기 때문에 보다 바람직하다. When the carbon number of R 4 in the general formula II-5 is 6 to 18, it is more preferable because it can give more excellent hydrophobicity to the silicon nitride-containing wafer surface.

또한 상기 일반식 II-5의 Z가 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기이면 반응속도가 빠른 경향이 있고, 그 결과, 질화규소 함유 웨이퍼 표면에 단시간에 우수한 소수성을 발현하기 쉽기 때문에 바람직하다. 상기 Z가 규소 원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기인 규소 화합물은 웨이퍼 표면과의 반응이나 수분과의 반응에 의해 부생한 화합물에 의해 규소 화합물이 불활성화되기 쉬운 경향이 있다. 한편 상기 Z가 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기인 규소 화합물인 경우는 그러한 불활성화는 일어나기 어렵다. Further, when Z in formula II-5 is a monovalent functional group whose element is bonded to a silicon element, the reaction rate tends to be high, and as a result, it is preferable to exhibit excellent hydrophobicity on the surface of a silicon nitride-containing wafer in a short period of time . The silicon compound, in which Z is a monovalent functional group whose element is bonded to the silicon element, is likely to be inactivated by a by-produced compound due to reaction with the surface of the wafer or reaction with water. On the other hand, in the case where the Z is a silicon compound which is a monovalent functional group whose element bonding with the silicon element is nitrogen, such inactivation is hard to occur.

일반식 II-1에 있어서의 소수성기 R1의 탄소수가 큰 규소 화합물은 R1의 입체 장애 때문에 질화규소 함유 웨이퍼 표면의 수산기와의 반응성이 저하되는 경우가 있다. 이 경우는 일반식 II-1의 반응성기 X가 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기인 규소 화합물을 사용하고 또한 물을 포함하지 않는 산을 첨가함으로써, 질화규소 함유 웨이퍼 표면의 수산기와 상기 규소 화합물의 반응이 촉진되어 소수성기에 의한 입체 장애로 인한 반응성의 저하를 돕기 때문에 특히 바람직하다. In the silicon compound having a large number of carbon atoms in the hydrophobic group R 1 in the general formula II-1, the reactivity with the hydroxyl group on the silicon nitride-containing wafer surface may be lowered due to steric hindrance of R 1 . In this case, by using a silicon compound which is a monovalent functional group whose reactive element X of the general formula (II-1) is a nitrogen-bonded element with a silicon element and by adding an acid not containing water, the hydroxyl group of the silicon nitride- Since the reaction of the silicon compound is promoted to help decrease the reactivity due to the steric hindrance caused by the hydrophobic group.

상기 산을 포함하는 처리액의 경우, 그 처리액은 상기 규소 화합물과 상기 산이 처음부터 혼합되어 포함되는 1액 타입이어도 되고, 상기 규소 화합물을 포함하는 액과 상기 산을 포함하는 액의 2액 타입으로서 사용할 때 혼합하는 것이어도 된다.In the case of the treatment liquid containing the acid, the treatment liquid may be a one-liquid type in which the silicon compound and the acid are mixed from the beginning, or a two-liquid type liquid containing the liquid containing the silicon compound and the acid May be mixed with each other.

계속해서 본 발명의 웨이퍼의 표면 처리방법에 대해서 설명한다. 본 발명의 처리제 및 처리액을 사용하여 표면 처리하는 질화규소를 포함하는 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼나 실리콘 웨이퍼 상에 CVD법이나 스퍼터법 등에 의해 질화규소막이 형성된 것을 들 수 있다. 또한 사파이어 웨이퍼, 각종 화합물 반도체 웨이퍼, 플라스틱 웨이퍼 등 규소 원소를 포함하지 않는 웨이퍼 상에 질화규소막이 형성된 것이어도 된다. 또한 상기 처리액은 질화규소를 포함하는 웨이퍼 표면, 웨이퍼 상에 형성된 질화규소를 포함하는 막 표면 등을 소수화할 수 있다. Next, the surface treatment method of the wafer of the present invention will be described. The wafer containing silicon nitride subjected to the surface treatment using the treatment agent and treatment liquid of the present invention may be a silicon wafer or a silicon wafer on which a silicon nitride film is formed by a CVD method, a sputtering method or the like. Further, a silicon nitride film may be formed on a wafer not including a silicon element such as a sapphire wafer, various compound semiconductor wafers, and plastic wafers. Further, the treatment liquid can hydrophobicize the surface of the wafer including silicon nitride, the surface of the silicon nitride formed on the wafer, and the like.

일반적으로 표면에 질화규소막이나 질화규소 부분을 많이 갖는 웨이퍼에 있어서는 그 표면에 수산기가 적어 종래의 기술로는 소수성을 부여하는 것이 곤란하였다. 그러나 그러한 웨이퍼라도 본 발명의 처리제 및 처리액을 사용하면 웨이퍼 표면에 충분한 소수성을 부여할 수 있고, 더 나아가서는 웨이퍼 표면과 레지스트의 밀착성을 높이는 효과를 나타낸다. 이에 표면에 질화규소막이나 질화규소 부분을 많이 갖는 웨이퍼는 본 발명의 처리액을 적용하기에 적합하다. 또한 본 발명의 웨이퍼의 표면 처리방법을 행하기 전에 질화규소 함유 웨이퍼 표면을 사전에 세정해도 된다. 상기 세정에 사용하는 세정액으로서는 물, 유기용매, 물과 유기용매의 혼합액 및 그들에 산 또는 염기가 용해된 것 등을 들 수 있다. 상기 세정으로서 질화규소 함유 웨이퍼를 세정액 중에 침지해도 되고, 질화규소 함유 웨이퍼를 거의 수평으로 유지하고 회전시키면서 회전 중심 부근에 상기 세정액을 공급하여 웨이퍼를 1매씩 세정 처리하는 스핀 처리를 행해도 된다. 또한 상기 세정액을 가열한 상태로 사용해도 된다. Generally, in a wafer having a large number of silicon nitride films or silicon nitride portions on its surface, it is difficult to impart hydrophobicity to the wafer due to a small number of hydroxyl groups on the surface thereof. However, even with such a wafer, the use of the treatment agent and treatment liquid of the present invention can impart sufficient hydrophobicity to the surface of the wafer, and furthermore, has an effect of enhancing adhesion of the wafer surface and the resist. Thus, wafers having a large number of silicon nitride films or silicon nitride parts on the surface are suitable for applying the treatment liquid of the present invention. Further, the surface of the silicon nitride-containing wafer may be cleaned before the surface treatment method of the present invention is performed. Examples of the cleaning liquid used for the cleaning include water, an organic solvent, a mixture of water and an organic solvent, and an acid or base dissolved in them. The silicon nitride-containing wafer may be immersed in the cleaning liquid as the cleaning, or may be subjected to a spin treatment to clean the wafers one by one by supplying the cleaning liquid near the center of rotation while rotating and holding the silicon nitride-containing wafer substantially horizontally. The cleaning liquid may be used in a heated state.

본 발명은 질화규소를 포함하는 웨이퍼 표면을 소수화함으로써 그 웨이퍼와 레지스트의 밀착성을 높이는 상기 웨이퍼의 표면 처리방법으로서, The present invention relates to a method for surface treatment of a wafer which increases the adhesion between the wafer and the resist by hydrophobizing the surface of the wafer containing silicon nitride,

상기 웨이퍼 표면에 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제 또는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액의 증기를 접촉, 또는 상기 웨이퍼 표면에 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제 또는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 접촉시켜서 그 웨이퍼 표면을 소수화하는 표면 처리 공정, A surface treatment agent for a silicon nitride-containing wafer or a surface treatment solution for a silicon nitride-containing wafer is brought into contact with the surface of the wafer, or a surface treatment agent for a silicon nitride-containing wafer or a silicon nitride-containing wafer is brought into contact with the surface of the wafer, A surface treatment process,

상기 웨이퍼 표면에 레지스트를 성막하는 레지스트 성막 공정A resist film forming step of forming a resist on the wafer surface

을 갖는다.Respectively.

먼저 표면 처리 공정에서는 상기 웨이퍼 표면에 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제 또는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액의 증기를 접촉, 또는 상기 웨이퍼 표면에 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제 또는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 접촉시켜서 웨이퍼 표면을 소수화한다. 상기 웨이퍼를 표면 처리하는 방법으로서는, 상기 처리제 또는 처리액을 질소 등의 가스로 버블링한 기체를 웨이퍼 표면에 스프레이하거나 또는 상기 처리제 또는 처리액을 감압하 및/또는 가열하에서 증기화시켜서 웨이퍼 표면에 부착시키는 증기 처리법이 일반적으로 사용되고 있으나, 증기 처리법에 한정되지 않고 상기 처리제 또는 처리액을 직접 웨이퍼 표면에 접촉시키는 액체 처리법으로 처리해도 된다. 액체 처리법은 예를 들면 스핀 처리 등으로 표면 처리 공정에서 레지스트 성막 공정까지 연속해서 행할 수 있는 것으로부터 생산 공정의 간소화로 이어질 것으로 생각된다. 본 발명의 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제 또는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액은 액체 처리법으로도 질화규소 함유 웨이퍼 표면에 충분한 소수성을 부여하는 것이 가능하기 때문에 커다란 장점이 있다고 생각된다. First, in the surface treatment step, the surface of the wafer is brought into contact with the surface treatment agent for silicon nitride-containing wafers or the surface treatment solution for silicon nitride-containing wafers, or the surface of the wafer is brought into contact with a surface treatment agent for silicon nitride containing wafers or a surface treatment solution for silicon nitride- The wafer surface is hydrophobicized. As a method for surface-treating the wafer, a gas obtained by bubbling the treatment agent or the treatment liquid with a gas such as nitrogen is sprayed on the surface of the wafer, or the treatment agent or the treatment solution is vaporized under reduced pressure and / A vapor treatment method is generally used. However, the vapor treatment method is not limited to the vapor treatment method, and may be treated by a liquid treatment method in which the treatment agent or treatment liquid is directly brought into contact with the surface of the wafer. The liquid treatment method can be continuously performed from the surface treatment step to the resist film formation step, for example, by spinning treatment, which leads to a simplification of the production process. It is considered that the surface treatment agent for silicon nitride-containing wafers or the surface treatment liquid for silicon nitride-containing wafers of the present invention has a great advantage because it can impart sufficient hydrophobicity to the silicon nitride-containing wafer surface even by the liquid treatment method.

상기 표면 처리제 또는 표면 처리액을 사용하여 액체 처리법으로 표면 처리를 행하는 경우, 상기 표면 처리제 또는 표면 처리액의 공급방법은 특별히 한정되지 않고, 상기 웨이퍼 표면과 상기 표면 처리제 또는 표면 처리액이 접촉하는 방법이라면 표면 처리하는 것이 가능하다. 예를 들면 웨이퍼를 거의 수평으로 유지하고 회전시키면서 회전 중심 부근에 상기 처리제 또는 처리액을 공급하여 웨이퍼를 1매씩 처리하는 스핀 처리 등이 보다 적합하게 사용된다. When the surface treatment agent or the surface treatment liquid is used for the surface treatment by the liquid treatment method, the method of supplying the surface treatment agent or the surface treatment liquid is not particularly limited and the method of contacting the surface of the wafer with the surface treatment agent or the surface treatment liquid It is possible to perform the surface treatment. For example, a spin treatment or the like for processing the wafers one by one by supplying the treatment agent or the treatment liquid near the rotation center while keeping the wafer almost horizontally rotated is more suitably used.

표면 처리 공정에서는 상기 처리제 또는 처리액의 온도를 높게 하면 보다 단시간에 표면 처리하기 쉬워진다. 그러나 그 온도를 지나치게 높게 하면 상기 처리제 또는 처리액의 비등이나 증발 등에 의해 그 처리제 또는 처리액의 안정성이 손상될 우려가 있기 때문에 상기 온도는 10~160℃인 것이 바람직하고, 특히 15~120℃가 바람직하다. In the surface treatment step, if the temperature of the treatment agent or the treatment liquid is raised, the surface treatment becomes easier in a shorter time. However, if the temperature is excessively high, the stability of the treating agent or the treating solution may be impaired by boiling or evaporating the treating agent or the treating solution. Therefore, the temperature is preferably 10 to 160 ° C, more preferably 15 to 120 ° C desirable.

상기 표면 처리 공정 후 상기 웨이퍼 표면에 레지스트를 성막하는 레지스트 성막 공정을 행한다. 또한 상기 표면 처리 공정 후에 웨이퍼 표면에 상기 처리제 또는 처리액이 잔존한 상태로 그 표면에 경화 전의 레지스트를 공급하고 처리제 또는 처리액을 그 레지스트로 치환해도 되고, 상기 표면 처리 공정 후의 웨이퍼 표면에 잔존하는 상기 처리제 또는 처리액을 건조시킨 후에 그 표면에 경화 전의 레지스트를 공급해도 된다. 또한 상기 표면 처리 공정 후의 웨이퍼 표면을 파티클의 제거 등을 위해 용매나 물로 세정하고 웨이퍼 표면에 상기 용매나 물이 잔존한 상태로 그 표면에 경화 전의 레지스트를 공급하여 용매나 물을 그 레지스트로 치환해도 되고, 상기 세정 후의 웨이퍼 표면에 잔존하는 용매나 물을 건조시킨 후에 그 표면에 경화 전의 레지스트를 공급해도 된다. 레지스트의 성막방법에 대해서는 특별히 한정되지 않고 기지의 방법을 사용하는 것이 가능하다. 예를 들면 웨이퍼를 거의 수평으로 유지하고 회전시키면서 회전 중심 부근에 경화 전의 레지스트를 공급하여 웨이퍼를 1매씩 처리하는 스핀 처리 등이 보다 적합하게 사용된다. A resist film forming step of forming a resist film on the surface of the wafer after the surface treatment step is performed. Further, after the surface treatment step, the resist before curing may be supplied to the surface of the wafer in a state in which the treatment agent or the treatment liquid remains, and the treatment agent or the treatment solution may be replaced with the resist. After the treatment agent or treatment liquid is dried, a resist before curing may be supplied to its surface. Further, the surface of the wafer after the surface treatment process may be washed with a solvent or water to remove particles, etc., and a resist before curing may be supplied to the surface of the wafer in a state where the solvent or water remains on the surface of the wafer to replace the solvent or water with the resist After the solvent or water remaining on the surface of the wafer after cleaning is dried, the resist before curing may be supplied to the surface of the wafer. The film formation method of the resist is not particularly limited, and a known method can be used. For example, a spin treatment in which wafers are processed horizontally while rotating the wafers one by one by supplying a resist before curing near the center of rotation while rotating the wafers is more suitably used.

레지스트를 성막한 후 리소그래피나 에칭 등을 거쳐 웨이퍼 표면에 미세한 패턴을 형성하는 경우의 일반적인 방법으로서는, 상기 레지스트 성막 공정에서 웨이퍼 표면에 레지스트를 도포한 후 레지스트 마스크를 매개로 레지스트에 노광하고, 노광된 레지스트 또는 노광되지 않은 레지스트를 에칭 제거함으로써 목적하는 패턴을 갖는 레지스트를 제작한다. 또한 레지스트에 패턴을 갖는 몰드를 꽉 누르는 것으로도 패턴을 갖는 레지스트를 얻을 수 있다. 계속해서 웨이퍼를 에칭한다. 이때 레지스트 패턴의 오목한 부분이 선택적으로 에칭된다. 마지막으로 레지스트를 박리하면 패턴을 갖는 웨이퍼가 얻어진다. As a general method for forming a fine pattern on the wafer surface through lithography, etching, or the like after film formation of the resist, a resist is applied on the surface of the wafer in the resist film forming step, the resist is exposed through a resist mask, The resist or unexposed resist is removed by etching to prepare a resist having a desired pattern. A resist having a pattern can also be obtained by pressing a mold having a pattern on the resist. Subsequently, the wafer is etched. At this time, concave portions of the resist pattern are selectively etched. Finally, when the resist is peeled off, a wafer having a pattern is obtained.

실시예Example

＜제1 견지에서 본 발명의 실시예＞≪ Embodiment of the present invention from the first aspect &

웨이퍼 표면의 소수성 정도, 레지스트와 웨이퍼의 밀착성에 대해서는 지금까지 여러 가지가 검토되어 있어 웨이퍼 표면의 소수성이 높을수록 밀착성이 좋아지는 것을 알고 있다. 이에 본 발명의 처리액을 사용하여 규소 원소를 포함하는 웨이퍼 표면을 처리하고, 처리 후의 웨이퍼 표면의 물에 대한 접촉각을 측정함으로써 처리 후의 웨이퍼 표면의 소수성을 평가하였다. 또한 실시예 및 비교예에 있어서 규소 원소를 포함하는 웨이퍼로서 평활한 산화규소막 부착 실리콘 웨이퍼；표면에 두께 1 ㎛의 열산화막층을 갖는 실리콘 웨이퍼(이하, 간단히 「산화규소막 부착 실리콘 웨이퍼」로 기재하는 경우가 있다), LP-CVD로 제작한 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼；표면에 두께 50 nm의 질화규소층을 갖는 실리콘 웨이퍼(이하, 간단히 「질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼」로 기재하는 경우가 있다)를 사용하였다.The degree of hydrophobicity of the surface of the wafer and the adhesion between the resist and the wafer have been studied so far and it is known that the higher the hydrophobicity of the wafer surface, the better the adhesion. Thus, the surface of the wafer including the silicon element was treated using the treatment liquid of the present invention, and the contact angle of the treated wafer surface with water was measured to evaluate the hydrophobicity of the treated wafer surface. In addition, in Examples and Comparative Examples, a silicon wafer having a smooth silicon oxide film as a wafer including a silicon element, a silicon wafer having a thermally oxidized film layer having a thickness of 1 mu m on its surface (hereinafter simply referred to as " silicon wafer with silicon oxide film " A silicon wafer having a silicon nitride film with a thickness of 50 nm (hereinafter, simply referred to as a silicon wafer with a silicon nitride film) may be used as the silicon wafer Respectively.

[접촉각의 평가방법][Evaluation method of contact angle]

웨이퍼 표면 상에 순수 약 2 ㎕를 두고 물방울과 웨이퍼 표면이 이루는 각을 접촉각계(교와 계면과학 제조：CA-X형)로 측정하여 접촉각으로 하였다. About 2 μl of pure water was placed on the surface of the wafer, and the angle between the droplet and the surface of the wafer was measured with a contact angle meter (manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd., CA-X type).

[실시예 I-1][Example I-1]

(1) 표면 처리액의 조제(1) Preparation of surface treatment liquid

규소화합물로서 헥사메틸디실라잔〔(CH3)3SiNHSi(CH3)3〕；3 g, 산으로서 트리플루오로초산 무수물〔(CF3CO)2O〕；0.3 g, 희석용매로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)；96.7 g을 혼합하고 약 5분간 교반하여 표면 처리액의 총량에 대한 규소화합물의 농도(이하 「규소화합물 농도」로 기재한다)가 3 질량%인 표면 처리액을 얻었다. 3 g of hexamethyldisilazane [(CH 3 ) 3 SiNHSi (CH 3 ) 3 ] as a silicon compound, 0.3 g of trifluoroacetic anhydride [(CF 3 CO) 2 O] as an acid and 0.3 g of propylene glycol And 96.7 g of monomethyl ether acetate (PGMEA) were mixed and stirred for about 5 minutes to obtain a surface treatment solution having a concentration of silicon compound (hereinafter referred to as " silicon compound concentration ") of 3% by weight based on the total amount of the surface treatment solution .

(2) 웨이퍼의 세정(2) Cleaning of wafers

산화규소막 부착 실리콘 웨이퍼를 실온에서 1 질량%의 불산 수용액에 2분간 침지하고, 이어서 실온에서 순수에 1분간 침지하며, 실온에서 2-프로판올에 1분간 침지하였다. 또한 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼를 실온에서 1 질량%의 불산 수용액에 2분간 침지하고, 이어서 실온에서 순수에 1분간 침지하며, 실온에서 28 질량% 암모니아수：30 질량% 과산화수소수：물을 1：1：5의 체적비로 혼합하여 핫플레이트로 액온을 70℃로 한 세정액에 1분간 침지하고, 실온에서 순수에 1분간 침지하며, 실온에서 2-프로판올에 1분간 침지하였다. A silicon wafer with a silicon oxide film was immersed in a 1 mass% aqueous solution of hydrofluoric acid at room temperature for 2 minutes, then immersed in pure water at room temperature for 1 minute, and then immersed in 2-propanol at room temperature for 1 minute. Further, a silicon wafer with a silicon nitride film was immersed in a 1 mass% aqueous solution of hydrofluoric acid at room temperature for 2 minutes, then immersed in pure water for 1 minute at room temperature, and then 28 mass% ammonia water: 30 mass% hydrogen peroxide: 5, and the mixture was immersed in a washing liquid having a liquid temperature of 70 캜 for 1 minute, dipped in pure water for 1 minute at room temperature, and then immersed in 2-propanol for 1 minute at room temperature.

(3) 웨이퍼 표면으로의 표면 처리액에 의한 표면 처리(3) Surface treatment to the wafer surface Treatment with the surface treatment liquid

「(2) 웨이퍼의 세정」 후의 산화규소막 부착 실리콘 웨이퍼 및 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼를 각각 상기 「(1) 표면 처리액의 조제」에서 조제한 표면 처리액에 20℃에서 1분간 침지시켰다. 그 후 웨이퍼를 실온에서 2-프로판올에 1분간 침지하고, 이어서 실온에서 순수에 1분간 침지하였다. 마지막으로 웨이퍼를 순수로부터 꺼내 에어를 스프레이하여 표면의 순수를 제거하였다. A silicon wafer with a silicon oxide film and a silicon wafer with a silicon nitride film after "(2) cleaning of wafers" were respectively immersed in the surface treatment solutions prepared in the above "(1) Preparation of surface treatment solutions" at 20 ° C for 1 minute. Thereafter, the wafer was immersed in 2-propanol at room temperature for 1 minute, and then immersed in pure water at room temperature for 1 minute. Finally, the wafer was taken out of pure water and sprayed with air to remove pure water from the surface.

얻어진 각 웨이퍼를 상기 「접촉각의 평가방법」에 기재한 요령으로 평가한 바, 표 1에 나타내는 바와 같이 산화규소막 부착 실리콘 웨이퍼의 경우는 표면 처리 전의 초기 접촉각이 10°미만이었던 것이 표면 처리 후의 접촉각은 88°가 되어 우수한 소수성을 나타내었다. 또한 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼의 경우는 표면 처리 전의 초기 접촉각이 10°미만이었던 것이 표면 처리 후의 접촉각은 58°가 되어 소수성을 나타내었다. As shown in Table 1, the initial contact angle before the surface treatment of the silicon wafer with the silicon oxide film was less than 10 deg., And the contact angle after the surface treatment Was 88 °, indicating excellent hydrophobicity. In the case of a silicon wafer with a silicon nitride film, the initial contact angle before the surface treatment was less than 10 °, and the contact angle after the surface treatment was 58 °, indicating hydrophobicity.

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[실시예 I-2~I-3][Examples I-2 to I-3]

실시예 I-1에서 사용한 규소화합물과 산을 적당히 변경하여 웨이퍼의 표면 처리를 행하고, 또한 그의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한 (CH3)3SiN(CH3)2는 트리메틸실릴디메틸아민, 〔CF3(CH2)2(CH3)2Si〕2NH는 비스트리플루오로프로필디메틸실라잔, CF3COOH는 트리플루오로초산을 나타낸다. The silicon compound used in Example I-1 and an acid were appropriately changed to perform surface treatment of the wafer, and the evaluation was carried out. The results are shown in Table 1. (CH 3 ) 3 SiN (CH 3 ) 2 is trimethylsilyldimethylamine, [CF 3 (CH 2 ) 2 (CH 3 ) 2 Si] 2 NH is bistrifluoropropyldimethylsilazane, CF 3 COOH is tri Fluoroacetic acid.

[실시예 I-4][Example I-4]

규소화합물로서 부틸디메틸실릴디메틸아민〔C4H9(CH3)2SiN(CH3)2〕；1 g, 산으로서 트리플루오로초산〔CF3COOH〕；0.1 g, 희석용매로서 PGMEA；98.9 g을 혼합하고 약 5분간 교반하여 표면 처리액을 조제하였다. 또한 각 웨이퍼의 표면 처리액으로의 침지시간을 10분간으로 하였다. 그 이외는 모두 실시예 I-1과 동일하다. 산화규소막 부착 실리콘 웨이퍼의 평가결과는 표 1에 나타내는 바와 같이 표면 처리 후의 접촉각은 87°가 되어 우수한 소수성을 나타내었다. 또한 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼의 평가결과는 표 1에 나타내는 바와 같이 표면 처리 후의 접촉각은 71°가 되어 우수한 소수성을 나타내었다. 1 g of butyldimethylsilyldimethylamine [C 4 H 9 (CH 3 ) 2 SiN (CH 3 ) 2 ] as a silicon compound, 0.1 g of trifluoroacetic acid [CF 3 COOH] as an acid and PGMEA as a diluting solvent; 98.9 g were mixed and stirred for about 5 minutes to prepare a surface treatment solution. The immersion time of each wafer in the surface treatment solution was set to 10 minutes. All other components are the same as in Example I-1. As shown in Table 1, the contact angle after the surface treatment was 87 占 and the hydrophobic property was excellent. The evaluation results of silicon wafers with a silicon nitride film also showed excellent hydrophobicity as shown in Table 1, since the contact angle after the surface treatment was 71 °.

[실시예 I-5~I-25][Examples I-5 to I-25]

실시예 I-4에서 사용한 규소화합물, 규소화합물 농도, 산, 산 농도, 희석용매, 각 웨이퍼의 표면 처리액으로의 침지시간 및 각 웨이퍼의 표면 처리액으로의 침지온도를 적당히 변경하여 웨이퍼의 표면 처리를 행하고, 또한 그의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한 표 1 중에서 C8H17(CH3)2SiN(CH3)2는 옥틸디메틸실릴디메틸아민을 의미하고, Novec7100/PGMEA는 하이드로플루오로에테르(3M 제조 Novec7100)와 PGMEA를 Novec7100：PGMEA＝90：8.9의 질량비로 혼합한 용매를 의미하며, CTFP/PGMEA는 1-클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜(CTFP)과 PGMEA를 CTFP：PGMEA＝90：8.9의 질량비로 혼합한 용매를 의미하고, DCTFP/PGMEA는 cis-1,2-디클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜(DCTFP)과 PGMEA를 DCTFP：PGMEA＝90：8.9의 질량비로 혼합한 용매를 의미한다. The concentration of the silicon compound, the concentration of the silicon compound, the concentration of the acid, the concentration of the acid, the diluting solvent, the immersion time of each wafer in the surface treatment liquid, and the immersion temperature of each wafer in the surface treatment liquid were changed, And the evaluation was carried out. The results are shown in Table 1. In Table 1, C 8 H 17 (CH 3 ) 2 SiN (CH 3 ) 2 means octyldimethylsilyldimethylamine, Novec7100 / PGMEA means hydrofluoroether (Novec7100 manufactured by 3M) and PGMEA in Novec7100: PGMEA = 90 : 8.9, and CTFP / PGMEA means a solvent in which 1-chloro-3,3,3-trifluoropropene (CTFP) and PGMEA are mixed in a mass ratio of CTFP: PGMEA = 90: 8.9 And DCTFP / PGMEA means a solvent in which cis-1,2-dichloro-3,3,3-trifluoropropene (DCTFP) and PGMEA are mixed in a mass ratio of DCTFP: PGMEA = 90: 8.9.

[실시예 I-26][Example I-26]

(1) 표면 처리액의 조제(1) Preparation of surface treatment liquid

실시예 I-6과 동일한 표면 처리액을 제작하였다. The same surface treatment liquid as in Example I-6 was prepared.

(2) 웨이퍼의 세정(2) Cleaning of wafers

실시예 I-1과 동일한 조작으로 산화규소막 부착 실리콘 웨이퍼 및 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼를 세정하였다. A silicon wafer with a silicon oxide film and a silicon wafer with a silicon nitride film were cleaned in the same manner as in Example I-1.

(3) 웨이퍼 표면으로의 표면 처리액에 의한 표면 처리(3) Surface treatment to the wafer surface Treatment with the surface treatment liquid

「(2) 웨이퍼의 세정」 후의 웨이퍼를 거의 수평으로 유지하고 회전시키는 웨이퍼 유지 회전기구인 스핀척에 유지시키고, 그 스핀척을 약 100 rpm의 회전속도로 회전시키면서 상기 「(1) 표면 처리액의 조제」에서 조제한 처리액을 20℃에서 60초간 공급하여 스핀 처리하였다. 그 후 동일하게 회전시킨 웨이퍼에 실온에서 2-프로판올을 1분간 공급하고, 이어서 실온에서 순수를 1분간 공급하였다. 마지막으로 그대로 그 웨이퍼를 약 100 rpm의 회전속도로 회전시켜서 웨이퍼 표면으로부터 순수를 제거하였다. (1) The surface treatment liquid (1) was prepared by rotating the spin chuck at a rotation speed of about 100 rpm while holding the wafer after "(2) cleaning of the wafer" Was supplied at 20 占 폚 for 60 seconds and spin-treated. Thereafter, 2-propanol was fed for 1 minute at room temperature to the same rotated wafer, and then pure water was fed at room temperature for 1 minute. Finally, the wafer was rotated at a rotation speed of about 100 rpm to remove pure water from the wafer surface.

얻어진 각 웨이퍼를 상기 「접촉각의 평가방법」에 기재한 요령으로 평가한 바, 표 1에 나타내는 바와 같이 산화규소막 부착 실리콘 웨이퍼의 경우는 표면 처리 전의 초기 접촉각이 10°미만이었던 것이 표면 처리 후의 접촉각은 101°가 되어 우수한 소수성을 나타내었다. 또한 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼의 경우는 표면 처리 전의 초기 접촉각이 10°미만이었던 것이 표면 처리 후의 접촉각은 85°가 되어 우수한 소수성을 나타내었다. 또한 상기와 같은 스핀 처리로 표면 처리 공정을 행하면 다음 공정의 처리액 제거 공정, 게다가 그 후의 레지스트 성막 공정을 연속해서 행할 수 있기 때문에 생산 공정의 간소화로 이어지고, 더 나아가서는 스루풋의 개선에 기여한다. As shown in Table 1, the initial contact angle before the surface treatment of the silicon wafer with the silicon oxide film was less than 10 deg., And the contact angle after the surface treatment Was 101 °, indicating excellent hydrophobicity. In the case of silicon wafers with a silicon nitride film, the initial contact angle before the surface treatment was less than 10 °, and the contact angle after the surface treatment was 85 °, indicating excellent hydrophobicity. Further, if the surface treatment step is performed by the spin treatment as described above, since the treatment liquid removing step of the next step and the subsequent resist film forming step can be performed continuously, the production process is simplified and contributes to the improvement of the throughput.

[실시예 I-27][Example I-27]

규소화합물로서 옥틸실릴트리스디메틸아민〔C8H17Si〔N(CH3)2〕3〕；1 g, 산으로서 트리플루오로초산 무수물〔(CF3CO)2O〕；0.1 g, 희석용매로서 PGMEA；98.9 g을 혼합하고 약 5분간 교반하여 표면 처리액을 조제하였다. 그 이외는 모두 실시예 I-1과 동일하다. 산화규소막 부착 실리콘 웨이퍼의 평가결과는 표 1에 나타내는 바와 같이 표면 처리 후의 접촉각은 93°가 되어 우수한 소수성을 나타내었다. 또한 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼의 평가결과는 표 1에 나타내는 바와 같이 표면 처리 후의 접촉각은 87°가 되어 우수한 소수성을 나타내었다. 그러나 상기 처리액을 대기 중에서 30분간 방치한 바 그 처리액 중에 백색 고체가 침전물로서 석출되었다. 이는 처리액 중에 대기 중의 수분이 혼입됨으로써 규소화합물의 중합이 진행되었기 때문에 불용물이 발생한 것으로 생각된다. 또한 본 실시예 이외의 실시예에 있어서는 상기와 같은 고체의 석출은 일어나지 않았다. 1 g of octylsilyl trisdimethylamine [C 8 H 17 Si [N (CH 3 ) 2 ] 3 ] as a silicon compound, 0.1 g of trifluoroacetic anhydride [(CF 3 CO) 2 O] And 98.9 g of PGMEA were mixed and stirred for about 5 minutes to prepare a surface treatment solution. All other components are the same as in Example I-1. As shown in Table 1, the contact angle of the silicon wafer with the silicon oxide film after the surface treatment was 93 °, showing excellent hydrophobicity. Also, as shown in Table 1, the contact angle of the silicon wafer with a silicon nitride film was 87 ° after the surface treatment, showing excellent hydrophobicity. However, when the treatment liquid was allowed to stand in the atmosphere for 30 minutes, a white solid precipitated as a precipitate in the treatment liquid. It is considered that insoluble matter is generated because the polymerization of the silicon compound proceeds by the incorporation of moisture in the atmosphere in the treatment liquid. In addition, in the examples other than this embodiment, the above-mentioned precipitation of solid did not occur.

[비교예 I-1][Comparative Example I-1]

규소화합물로서 헥사메틸디실라잔〔(CH3)3SiNHSi(CH3)3〕；3 g, 희석용매로서 하이드로플루오로에테르(3M 제조 Novec7100)；97 g을 혼합하고 약 5분간 교반하여 표면 처리액을 조제하였다. 500 mL 비이커에 그 표면 처리액을 넣고 200℃로 설정된 핫플레이트 상에 두고 비등시켰다. 실시예 I-1의 「(2) 웨이퍼의 세정」과 동일하게 세정을 행한 산화규소막 부착 실리콘 웨이퍼 및 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼를 한번 건조시킨 후, 비등에 의해 증기화된 표면 처리액의 증기에 5분간 노출시킴으로써 증기 프라임법(vapor prime method)을 간이적으로 재현하여 웨이퍼를 표면 처리하였다. 증기의 정확한 온도는 알 수 없으나 Novec7100의 비점인 61℃는 초과하고 있는 것으로 생각된다. 산화규소막 부착 실리콘 웨이퍼의 평가결과는 표 1에 나타내는 바와 같이 표면 처리 후의 접촉각은 81°가 되어 우수한 소수성을 나타내었지만, 처리액과 웨이퍼를 접촉시키는 표면 처리 방법에 비해 에너지 손실이 컸다. 한편 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼의 평가결과는 표 1에 나타내는 바와 같이 표면 처리 후의 접촉각은 46°가 되어 소수성이 충분하지 못하였다. 3 g of hexamethyldisilazane [(CH 3 ) 3 SiNHSi (CH 3 ) 3 ] as a silicon compound and 97 g of hydrofluoroether (Novec7100 manufactured by 3M) as a diluting solvent were mixed and stirred for about 5 minutes to carry out surface treatment Was prepared. The surface treatment solution was placed in a 500 mL beaker, and placed on a hot plate set at 200 DEG C and boiled. A silicon wafer with a silicon oxide film and a silicon wafer with a silicon nitride film cleaned in the same manner as in "(2) Cleaning of wafers" in Example I-1 were once dried and then subjected to vaporization of the vaporized surface treatment liquid by boiling And the vapor prime method was simply reproduced by exposing the wafer for 5 minutes. The exact temperature of the steam is unknown, but it is thought that the boiling point of Novec7100 is over 61 ℃. The evaluation results of the silicon wafer with a silicon oxide film showed excellent hydrophobicity as shown in Table 1, with a contact angle of 81 deg. After surface treatment, but the energy loss was larger than that of the surface treatment method in which the wafer was brought into contact with the treatment solution. On the other hand, as shown in Table 1, the contact angle of the silicon wafer with silicon nitride film after the surface treatment was 46 deg.

[비교예 I-2][Comparative Example I-2]

규소화합물로서 헥사메틸디실라잔〔(CH3)3SiNHSi(CH3)3〕；10 g, 희석용매로서 PGMEA；90 g을 혼합하고 약 5분간 교반하여 표면 처리액을 조제하였다. 또한 각 웨이퍼의 표면 처리액으로의 침지시간을 60분간으로 하였다. 그 이외는 모두 실시예 I-1과 동일하다. 산화규소막 부착 실리콘 웨이퍼의 평가결과는 표 1에 나타내는 바와 같이 표면 처리 후의 접촉각은 63°가 되어 소수성을 나타내었지만, 처리액과 웨이퍼를 접촉시키는 표면 처리 방법의 경우는 소수성을 발현시키기 위해 장시간을 필요로 하여 스루풋이 나빴다. 또한 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼의 평가결과는 표 1에 나타내는 바와 같이 표면 처리 후의 접촉각은 36°가 되어 소수성은 충분하지 못하였다. 10 g of hexamethyldisilazane [(CH 3 ) 3 SiNHSi (CH 3 ) 3 ] as a silicon compound and 90 g of PGMEA as a diluting solvent were mixed and stirred for about 5 minutes to prepare a surface treatment solution. The immersing time of each wafer in the surface treatment solution was 60 minutes. All other components are the same as in Example I-1. As shown in Table 1, the contact angle of the silicon wafer with silicon oxide film was 63 ° after the surface treatment, showing hydrophobicity. However, in the case of the surface treatment method of bringing the wafer into contact with the treatment liquid, The throughput was bad as needed. Also, as shown in Table 1, the contact angle after the surface treatment was 36 deg., And the hydrophobicity was not sufficient.

전술한 바와 같이 산과 희석용매와 상기 일반식 I-1로 표시되는 규소화합물을 포함하는 처리액을 사용하는 실시예 I-1~I-27의 경우는 처리액과 웨이퍼를 접촉시키는 표면 처리방법에 의해 웨이퍼 표면에 소수성을 부여할 수 있었다. 또한 산과 희석용매와 상기 일반식 I-2로 표시되는 규소화합물을 포함하는 처리액을 사용하는 실시예 I-1~I-26의 경우는 웨이퍼 표면에 소수성을 부여할 수 있는 동시에, 처리액을 대기 중에서 방치하더라도 그 처리액 중에 불용물이 석출되는 경우가 없었다. 또한 산과 희석용매와 상기 일반식 I-3으로 표시되는 규소화합물을 포함하는 처리액을 사용하는 실시예 I-4~I-26의 경우는 웨이퍼 표면에 보다 우수한 소수성을 부여할 수 있었다. 또한 산과 희석용매와 상기 일반식 I-3의 R2의 탄소수가 6~18인 규소화합물을 포함하는 처리액을 사용하는 실시예 I-6~I-26의 경우는 웨이퍼 표면에 특히 우수한 소수성을 부여할 수 있었다. In the case of Examples I-1 to I-27 using the treatment liquid containing the acid and the diluting solvent and the silicon compound represented by the general formula I-1 as described above, the surface treatment method for contacting the treatment liquid with the wafer Thereby imparting hydrophobicity to the wafer surface. Further, in the case of Examples I-1 to I-26 using a treatment liquid containing an acid and a diluting solvent and a silicon compound represented by the general formula I-2, hydrophobicity can be imparted to the surface of the wafer, Insoluble matter was not precipitated in the treatment liquid even if it was left in the atmosphere. Further, in Examples I-4 to I-26 using a treating solution containing an acid and a diluting solvent and the silicon compound represented by the above-mentioned general formula I-3, more excellent hydrophobicity could be imparted to the wafer surface. In the case of Examples I-6 to I-26 in which a treatment liquid containing an acid and a diluting solvent and a silicon compound having R < 2 > in the general formula I-3 having 6 to 18 carbon atoms was used, .

또한 상기 실시예에서 웨이퍼를 표면 처리한 방법은 비교예 I-1에서 간이적으로 재현한 종래의 증기 프라임법에 비해 웨이퍼 표면의 소수화를 위한 표면 처리에 수반되는 에너지 손실이 적었다. 또한 예를 들면 실시예 I-26에서 웨이퍼를 표면 처리한 스핀 처리는 본 발명의 표면 처리 공정, 처리액 제거 공정, 레지스트 성막 공정을 연속적으로 행할 수 있기 때문에 종래의 증기 프라임법에 비해 스루풋이 양호하였다.In addition, the method of surface-treating wafers in the above-mentioned example had less energy loss involved in the surface treatment for hydrophobicity of the surface of the wafer as compared with the conventional steam prime method reproduced in the comparative example I-1. Further, for example, in the spin treatment of the surface of the wafer in Example I-26, since the surface treatment process, the treatment liquid removal process, and the resist film formation process of the present invention can be continuously performed, the throughput is good Respectively.

또한 비교예 I-1에서는 단위 면적당 수산기 수량이 많은 산화규소막 부착 실리콘 웨이퍼에 대해서는 우수한 소수성을 부여할 수 있었지만, 단위 면적당 수산기 수량이 적은 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼에 대해서는 충분한 소수성을 부여할 수 없었던 것에 대해, 상기 실시예에서는 산화규소막 부착 실리콘 웨이퍼 및 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼 중 어느 것에 대해서도 소수성을 부여할 수 있었다. Further, in Comparative Example I-1, it was possible to impart excellent hydrophobicity to a silicon wafer with a silicon oxide film having a large number of hydroxyl groups per unit area, but it was impossible to impart sufficient hydrophobicity to a silicon wafer with a silicon nitride film having a small number of hydroxyl groups per unit area In the above embodiment, hydrophobicity can be imparted to any of silicon wafers with silicon oxide films and silicon wafers with silicon nitride wafers.

처리액 중에 산을 함유하지 않는 비교예 I-2에서는 단위 면적당 수산기 수량이 많은 산화규소막 부착 실리콘 웨이퍼에 대해서는 소수성을 부여할 수 있었지만 소수성을 발현시키기 위해 장시간을 필요로 하여 스루풋이 나빴다. 또한 단위 면적당 수산기 수량이 적은 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼에 대해서는 충분한 소수성을 부여할 수 없었다. In Comparative Example I-2 containing no acid in the treatment liquid, it was possible to impart hydrophobicity to a silicon wafer with a silicon oxide film having a large amount of hydroxyl groups per unit area, but it required a long time to exhibit hydrophobicity and had poor throughput. Further, sufficient hydrophobicity could not be imparted to a silicon wafer with a silicon nitride film having a small number of hydroxyl groups per unit area.

＜제2 견지에서 본 발명의 실시예＞≪ Embodiment of the present invention from the second aspect &

웨이퍼 표면의 소수성 정도, 레지스트와 웨이퍼의 밀착성에 대해서는 지금까지 여러 가지가 검토되어 있어 웨이퍼 표면의 소수성이 높을수록 밀착성이 좋아지는 것을 알고 있다. 이에 본 발명의 처리제 또는 처리액을 사용하여 질화규소 함유 웨이퍼 표면을 처리하고, 처리 후의 웨이퍼 표면의 물에 대한 접촉각을 측정함으로써 처리 후의 웨이퍼 표면의 소수성을 평가하였다. The degree of hydrophobicity of the surface of the wafer and the adhesion between the resist and the wafer have been studied so far and it is known that the higher the hydrophobicity of the wafer surface, the better the adhesion. Thus, the surface of the silicon nitride-containing wafer was treated using the treating agent or treating solution of the present invention, and the contact angle of the treated wafer surface with water was measured to evaluate the hydrophobicity of the treated wafer surface.

[접촉각의 평가방법][Evaluation method of contact angle]

웨이퍼 표면 상에 순수 약 2 ㎕를 두고 물방울과 웨이퍼 표면이 이루는 각을 접촉각계(교와 계면과학 제조：CA-X형)로 측정하여 접촉각으로 하였다. About 2 μl of pure water was placed on the surface of the wafer, and the angle between the droplet and the surface of the wafer was measured with a contact angle meter (manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd., CA-X type).

[실시예 II-1][Example II-1]

(1) 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액의 조제(1) Preparation of surface treatment liquid for silicon nitride-containing wafers

규소화합물로서 노나플루오로헥실디메틸클로로실란〔C4F9(CH2)2(CH3)2SiCl〕；1 g, 희석용매로서 하이드로플루오로에테르(3M 제조 Novec7100)；96 g, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)；3 g을 혼합하고(상기 용매를 표 2 중에서 Novec7100/PGMEA-3으로 표기한다) 약 5분간 교반하여 표면 처리액의 총량에 대한 규소화합물의 농도(이하 「규소화합물 농도」로 기재한다)가 1 질량%인 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 얻었다. 1 g of nonafluorohexyldimethylchlorosilane (C 4 F 9 (CH 2 ) 2 (CH 3 ) 2 SiCl) as a silicon compound, 96 g of hydrofluoroether (Novec7100 manufactured by 3M) as a diluting solvent, 96 g of propylene glycol mono (Hereinafter referred to as Novec7100 / PGMEA-3 in Table 2) and stirred for about 5 minutes to adjust the concentration of the silicon compound to the total amount of the surface treatment solution (hereinafter referred to as " concentration of silicon compound &Quot;) is 1% by mass, is obtained.

(2) 질화규소 함유 웨이퍼의 세정(2) Cleaning of silicon nitride-containing wafers

LP-CVD로 제작한 평활한 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼(표면에 두께 50 nm의 질화규소층을 갖는 평활한 실리콘 웨이퍼)를 실온에서 1 질량%의 불산 수용액에 2분간 침지하고, 이어서 실온에서 순수에 1분 침지하며, 28 질량% 암모니아수：30 질량% 과산화수소수：물을 1：1：5의 체적비로 혼합하여 핫플레이트로 액온을 70℃로 한 세정액에 1분간 침지하고, 실온에서 순수에 1분간 침지하며, 실온에서 2-프로판올에 1분간 침지하였다. A silicon wafer (smooth silicon wafer having a silicon nitride layer with a thickness of 50 nm on the surface) and a smooth silicon nitride film prepared by LP-CVD was immersed in a 1 mass% aqueous solution of hydrofluoric acid at room temperature for 2 minutes, Minute, and 28% by mass ammonia water: 30% by mass hydrogen peroxide water: water was mixed at a volume ratio of 1: 1: 5, and the mixture was immersed in a washing liquid having a liquid temperature of 70 캜 for 1 minute on a hot plate, And immersed in 2-propanol at room temperature for 1 minute.

(3) 질화규소 함유 웨이퍼 표면으로의 처리액에 의한 표면 처리(3) Surface treatment of the silicon nitride-containing wafer surface by the treatment liquid

「(2) 질화규소 함유 웨이퍼의 세정」 후의 웨이퍼를 상기 「(1) 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액의 조제」에서 조제한 처리액에 20℃에서 1분간 침지시켰다. 그 후 웨이퍼를 실온에서 2-프로판올에 1분간 침지하고, 이어서 실온에서 순수에 1분간 침지하였다. 마지막으로 웨이퍼를 순수로부터 꺼내 에어를 스프레이하여 표면의 순수를 제거하였다. The wafer after "(2) cleaning of silicon nitride-containing wafers" was immersed in the treatment liquid prepared in "(1) Preparation of surface treatment liquid for silicon nitride-containing wafers" at 20 ° C. for 1 minute. Thereafter, the wafer was immersed in 2-propanol at room temperature for 1 minute, and then immersed in pure water at room temperature for 1 minute. Finally, the wafer was taken out of pure water and sprayed with air to remove pure water from the surface.

얻어진 각 웨이퍼를 상기 「접촉각의 평가방법」에 기재한 요령으로 평가한 바, 표 2에 나타내는 바와 같이 표면 처리 전의 초기 접촉각이 10°미만이었던 것이 표면 처리 후의 접촉각은 94°가 되어 우수한 소수성을 나타내었다. Each of the obtained wafers was evaluated by the method described in the above-mentioned "evaluation method of contact angle". As shown in Table 2, the initial contact angle before the surface treatment was less than 10 °, the contact angle after the surface treatment was 94 °, .

Figure pct00013
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[실시예 II-2~II-3][Examples II-2 to II-3]

실시예 II-1에서 사용한 희석용매를 적당히 변경하여 실시예 II-1과 동일한 순서로 웨이퍼의 표면 처리를 행하고, 또한 그의 평가를 행하였다. 결과를 표 2에 나타낸다. 또한 표 2 중에서 CTFP/PGMEA는 실시예 II-1의 Novec7100 대신에 1-클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜(CTFP)을 사용한 용매를 의미하고, DCTFP/PGMEA는 실시예 II-1의 Novec7100 대신에 cis-1,2-디클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜(DCTFP)을 사용한 용매를 의미한다. The surface treatment of the wafers was carried out in the same manner as in Example II-1 by appropriately changing the diluting solvent used in Example II-1, and the evaluation was carried out. The results are shown in Table 2. In Table 2, CTFP / PGMEA means a solvent using 1-chloro-3,3,3-trifluoropropene (CTFP) instead of Novec7100 in Example II-1, DCTFP / 1,2-dichloro-3,3,3-trifluoropropene (DCTFP) instead of Novec7100.

[실시예 II-4][Example II-4]

규소화합물로서 옥틸디메틸클로로실란〔C8H17(CH3)2SiCl〕；10 g, 희석용매로서 하이드로플루오로에테르(3M 제조 Novec7100)；80 g, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)；10 g을 혼합하고(상기 용매를 표 2 중에서 Novec7100/PGMEA-10으로 표기한다) 약 5분간 교반하여 표면 처리액의 총량에 대한 규소화합물의 농도가 10 질량%인 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 얻었다. 그 후 상기 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼를 상기 처리액에 20℃에서 60분간 침지하였다. 그 밖의 처리는 실시예 II-1과 동일하다. 얻어진 웨이퍼를 상기 「접촉각의 평가방법」에 기재한 요령으로 평가한 바, 표 2에 나타내는 바와 같이 표면 처리 전의 초기 접촉각이 10°미만이었던 것이 표면 처리 후의 접촉각은 75°가 되어 우수한 소수성을 나타내었다.10 g of octyldimethylchlorosilane [C 8 H 17 (CH 3 ) 2 SiCl] as a silicon compound, 80 g of hydrofluoroether (3M manufactured by Novec 700) as a diluting solvent, 10 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) g (the above solvent is represented by Novec7100 / PGMEA-10 in Table 2) and stirred for about 5 minutes to obtain a silicon nitride-containing wafer surface treatment solution having a silicon compound concentration of 10 mass% based on the total amount of the surface treatment solution . Then, the silicon wafer with the silicon nitride film was immersed in the treatment solution at 20 캜 for 60 minutes. The other treatments are the same as in Example II-1. The obtained wafers were evaluated by the method described in the above-mentioned "evaluation method of contact angle". As shown in Table 2, the initial contact angle before the surface treatment was less than 10 °, and the contact angle after the surface treatment was 75 °, .

[실시예 II-5][Example II-5]

규소화합물로서 옥틸디메틸실릴디메틸아민〔C8H17(CH3)2SiN(CH3)2〕；1 g, 희석용매로서 PGMEA；98.9 g, 추가로 산으로서 트리플루오로초산〔CF3COOH〕；0.1 g을 혼합하고 약 5분간 교반하여 규소화합물 농도가 1 질량%인 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 얻었다. 또한 상기 규소화합물의 100 질량%에 대한 상기 산의 첨가량(이하, 산 농도로 기재한다)은 10 질량%이다. 그 이외는 모두 실시예 II-1과 동일하다. 평가결과는 표 2에 나타내는 바와 같이 표면 처리 후의 접촉각은 86°가 되어 우수한 소수성을 나타내었다.1 g of octyldimethylsilyldimethylamine [C 8 H 17 (CH 3 ) 2 SiN (CH 3 ) 2 ] as a silicon compound, 98.9 g of PGMEA as a diluting solvent, and further, trifluoroacetic acid [CF 3 COOH] Were mixed and stirred for about 5 minutes to obtain a silicon nitride-containing wafer surface treatment solution having a silicon compound concentration of 1 mass%. The addition amount of the acid (hereinafter referred to as the acid concentration) relative to 100 mass% of the silicon compound is 10 mass%. All other components are the same as in Example II-1. As a result of the evaluation, as shown in Table 2, the contact angle after the surface treatment was 86 °, showing excellent hydrophobicity.

[실시예 II-6~II-24, II-27~II-29][Examples II-6 to II-24, II-27 to II-29]

실시예 II-5에서 사용한 규소화합물, 규소화합물 농도, 산, 산 농도, 희석용매, 표면 처리 시간 및 표면 처리 온도를 적당히 변경하여 웨이퍼의 표면 처리를 행하고, 또한 그의 평가를 행하였다. 결과를 표 2에 나타낸다. 또한 표 2 중에서 C4H9(CH3)2SiN(CH3)2는 부틸디메틸실릴디메틸아민을 의미하고, (CF3CO)2O는 트리플루오로초산 무수물을 의미한다. The surface treatment of the wafers was carried out by appropriately changing the silicon compound, the silicon compound concentration, the acid concentration, the acid concentration, the diluting solvent, the surface treatment time and the surface treatment temperature used in Example II-5. The results are shown in Table 2. In Table 2, C 4 H 9 (CH 3 ) 2 SiN (CH 3 ) 2 means butyldimethylsilyldimethylamine, and (CF 3 CO) 2 O means trifluoroacetic anhydride.

[실시예 II-25][Example II-25]

규소화합물로서 옥틸실릴트리스디메틸아민〔C8H17Si〔N(CH3)2〕3〕；1 g, 희석용매로서 PGMEA；98.9 g, 추가로 산으로서 트리플루오로초산 무수물〔(CF3CO)2O〕；0.1 g을 혼합하고 약 5분간 교반하여 규소화합물 농도가 1 질량%인 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 얻었다. 그 이외는 모두 실시예 II-5와 동일하다. 평가결과는 표 2에 나타내는 바와 같이 표면 처리 후의 접촉각은 87°가 되어 우수한 소수성을 나타내었다. 그러나 상기 처리액을 대기 중에서 30분간 방치한 바 그 처리액 중에 백색 고체가 침전물로서 석출되었다. 이는 처리액 중에 대기 중의 수분이 혼입됨으로써 규소화합물의 중합이 진행되었기 때문에 불용물이 발생한 것으로 생각된다. 또한 본 실시예 이외의 실시예에 있어서는 상기와 같은 고체의 석출은 일어나지 않았다. Octyl-silyl-tris dimethylamine [C 8 H 17 Si [N (CH 3) 2] 3] a silicon compound; 1 g, PGMEA as a diluting solvent, acetic anhydride, trifluoroacetic as acid additional 98.9 g, [(CF 3 CO ) 2 O) were mixed and stirred for about 5 minutes to obtain a silicon nitride-containing wafer surface treatment solution having a silicon compound concentration of 1 mass%. All other components are the same as in Example II-5. As a result of the evaluation, as shown in Table 2, the contact angle after the surface treatment was 87 °, showing excellent hydrophobicity. However, when the treatment liquid was allowed to stand in the atmosphere for 30 minutes, a white solid precipitated as a precipitate in the treatment liquid. It is considered that insoluble matter is generated because the polymerization of the silicon compound proceeds by the incorporation of moisture in the atmosphere in the treatment liquid. In addition, in the examples other than this embodiment, the above-mentioned precipitation of solid did not occur.

[실시예 II-26][Example II-26]

(1) 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액의 조제(1) Preparation of surface treatment liquid for silicon nitride-containing wafers

실시예 II-5와 동일한 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 제작하였다. A silicon nitride-containing surface treatment liquid for wafers as in Example II-5 was prepared.

(2) 질화규소 함유 웨이퍼의 세정(2) Cleaning of silicon nitride-containing wafers

LP-CVD로 제작한 평활한 질화규소막 부착 실리콘 웨이퍼(표면에 두께 50 nm의 질화규소층을 갖는 평활한 실리콘 웨이퍼, 직경 4인치)를 실온에서 1 질량%의 불산 수용액에 2분간 침지하고, 이어서 실온에서 순수에 1분간 침지하며, 28 질량% 암모니아수：30 질량% 과산화수소수：물을 1：1：5의 체적비로 혼합하여 핫플레이트로 액온을 70℃로 한 세정액에 1분간 침지하고, 실온에서 순수에 1분간 침지하며, 실온에서 2-프로판올에 1분간 침지하였다. A smooth silicon wafer (smooth silicon wafer having a silicon nitride layer with a thickness of 50 nm on the surface and a diameter of 4 inches) made by LP-CVD was immersed in a 1 mass% aqueous solution of hydrofluoric acid at room temperature for 2 minutes, , And the mixture was immersed in pure water for 1 minute, and 28% by mass ammonia water: 30% by mass hydrogen peroxide water: water was mixed at a volume ratio of 1: 1: 5 and immersed in a washing solution having a liquid temperature of 70 캜 for one minute on a hot plate, For 1 minute and immersed in 2-propanol at room temperature for 1 minute.

(3) 질화규소 함유 웨이퍼 표면으로의 처리액에 의한 표면 처리(3) Surface treatment of the silicon nitride-containing wafer surface by the treatment liquid

「(2) 질화규소 함유 웨이퍼의 세정」 후의 웨이퍼를 거의 수평으로 유지하고 회전시키는 웨이퍼 유지 회전기구인 스핀척에 유지시키고, 그 스핀척을 약 100 rpm의 회전속도로 회전시키면서 상기 「(1) 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액의 조제」에서 조제한 처리액을 20℃에서 60초간 공급하여 스핀 처리하였다. 그 후 동일하게 회전시킨 웨이퍼에 실온에서 2-프로판올을 1분간 공급하고, 이어서 실온에서 순수를 1분간 공급하였다. 마지막으로 그대로 그 웨이퍼를 약 100 rpm의 회전속도로 회전시켜서 웨이퍼 표면으로부터 순수를 제거하였다. Holding the wafer after "(2) cleaning of silicon nitride-containing wafers" almost horizontally and rotating the spin chuck as a wafer holding and rotating mechanism, rotating the spin chuck at a rotation speed of about 100 rpm, Containing wafer for surface treatment "was supplied at 20 캜 for 60 seconds and subjected to spin treatment. Thereafter, 2-propanol was fed for 1 minute at room temperature to the same rotated wafer, and then pure water was fed at room temperature for 1 minute. Finally, the wafer was rotated at a rotation speed of about 100 rpm to remove pure water from the wafer surface.

얻어진 웨이퍼를 상기 「접촉각의 평가방법」에 기재한 요령으로 평가한 바, 표 2에 나타내는 바와 같이 표면 처리 전의 초기 접촉각이 10°미만이었던 것이 표면 처리 후의 접촉각은 85°가 되어 우수한 소수성을 나타내었다.The obtained wafers were evaluated by the method described in the above-mentioned "evaluation method of contact angle". As shown in Table 2, the initial contact angle before the surface treatment was less than 10 °, and the contact angle after the surface treatment was 85 °, .

[비교예 II-1][Comparative Example II-1]

규소화합물로서 헥사메틸디실라잔〔HMDS, 〔(CH3)3Si〕2NH〕；10 g, 희석용매로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)；90 g을 사용하여 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 조제하였다. 또한 표면 처리 시간을 60분간으로 하였다. 그 이외는 모두 실시예 II-1과 동일하다. 평가결과는 표 2에 나타내는 바와 같이 표면 처리 후의 접촉각은 36°가 되어 소수성은 낮았다. 10 g of hexamethyldisilazane [HMDS, [(CH 3 ) 3 Si] 2 NH] as a silicon compound and 90 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a diluting solvent were used to perform surface treatment for silicon nitride- Was prepared. The surface treatment time was set to 60 minutes. All other components are the same as in Example II-1. As shown in Table 2, the contact angle after the surface treatment was 36 占 and the hydrophobicity was low.

[비교예 II-2][Comparative Example II-2]

규소화합물로서 헥사메틸디실라잔〔HMDS, 〔(CH3)3Si〕2NH〕；3 g, 유기용매로서 하이드로플루오로에테르(3M 제조 Novec7100)；97 g을 사용하여 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 조제하였다. 실시예 II-1과 동일하게 세정을 행한 질화규소 함유 웨이퍼를 일단 건조시킨 후, 상기 처리액을 넣은 비이커를 250℃로 설정한 핫플레이트 상에 두고 그 처리액을 증기화시킨 증기에 5분간 노출하여 그 웨이퍼 표면에 상기 처리액의 증기를 부착시켰다. 증기의 정확한 온도는 알 수 없으나 Novec7100의 비점인 61℃ 이상으로 생각된다. 평가결과는 표 2에 나타내는 바와 같이 표면 처리 후의 접촉각은 46°가 되어 소수성은 낮았다. 3 g of hexamethyldisilazane [HMDS, [(CH 3 ) 3 Si] 2 NH] as a silicon compound and 97 g of hydrofluoroether (Novec7100 manufactured by 3M) as an organic solvent were used to perform surface treatment for silicon nitride- Was prepared. The silicon nitride-containing wafer having been cleaned in the same manner as in Example II-1 was once dried, placed on a hot plate set at 250 DEG C with the beaker in which the treatment liquid was placed, and the treatment liquid was exposed to steam for 5 minutes And the vapor of the treatment liquid was adhered to the surface of the wafer. The exact temperature of the steam is unknown, but it is considered to be above the boiling point of Novec7100 of 61 ° C. As a result of the evaluation, as shown in Table 2, the contact angle after the surface treatment was 46 占 and the hydrophobicity was low.

[참고예 II-1][Referential Example II-1]

규소화합물로서 트리메틸실릴디메틸아민〔(CH3)3SiN(CH3)2〕；1 g을 사용한 이외는 모두 실시예 II-5와 동일하게 하였다. 평가결과는 표 2에 나타내는 바와 같이 표면 처리 후의 접촉각은 60°였다. The procedure of Example II-5 was repeated except that 1 g of trimethylsilyldimethylamine [(CH 3 ) 3 SiN (CH 3 ) 2 ] was used as a silicon compound. As a result of the evaluation, as shown in Table 2, the contact angle after the surface treatment was 60 °.

[참고예 II-2][Referential Example II-2]

규소화합물로서 비스트리플루오로프로필디메틸실라잔〔〔CF3(CH2)2(CH3)2Si〕2NH〕；1 g을 사용한 이외는 모두 실시예 II-5와 동일하게 하였다. 평가결과는 표 2에 나타내는 바와 같이 표면 처리 후의 접촉각은 62°였다.Except that 1 g of bistrifluoropropyldimethylsilazane [CF 3 (CH 2 ) 2 (CH 3 ) 2 Si] 2 NH] was used as the silicon compound. As a result of the evaluation, as shown in Table 2, the contact angle after the surface treatment was 62 °.

전술한 바와 같이 상기 일반식 II-1로 표시되는 규소화합물을 포함하는 처리액을 사용하는 실시예 II-1~II-29에서는 질화규소 함유 웨이퍼 표면에 소수성을 부여할 수 있었다. 또한 상기 일반식 II-2로 표시되는 규소화합물을 포함하는 처리액을 사용하는 실시예 II-1~II-24, II-26~II-29에서는 질화규소 함유 웨이퍼 표면에 소수성을 부여할 수 있는 동시에, 처리액을 대기 중에서 방치해도 그 처리액 중에 불용물이 석출되는 경우가 없었다. 또한 상기 일반식 II-3으로 표시되는 규소화합물을 포함하는 처리액을 사용하는 실시예 II-1~II-24, II-26~II-29에서는 보다 단시간에 상기 웨이퍼 표면에 소수성을 부여할 수 있었다. 또한 상기 일반식 II-4로 표시되는 규소화합물을 포함하는 처리액을 사용하는 실시예 II-1~II-3에서는 상기 웨이퍼 표면에 더욱 단시간에 보다 우수한 소수성을 부여할 수 있었다. 또한 상기 일반식 II-5로 표시되는 규소화합물을 포함하는 처리액을 사용하는 실시예 II-5~II-24, II-26~II-28에서는 보다 단시간에 상기 웨이퍼 표면에 소수성을 부여할 수 있었다. 또한 상기 일반식 II-5의 R4의 탄소수가 6~18인 규소화합물을 포함하는 처리액을 사용하는 실시예 II-5~II-24, II-26에서는 상기 웨이퍼 표면에 보다 우수한 소수성을 부여할 수 있었다. 또한 상기 일반식 II-5의 Z가 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기인 규소화합물을 포함하는 처리액을 사용하는 실시예 II-5~II-24, II-26에서는 상기 웨이퍼 표면에 보다 우수한 소수성을 부여할 수 있었다. 이에 대해 비교예 II-1~II-2에서는 질화규소 함유 웨이퍼 표면에 충분한 소수성을 부여할 수 없었다. 또한 상기 실시예 II-1~II-29는 참고예 II-1~II-2에 비해 더욱 양호한 소수성을 부여할 수 있었다.
As described above, in Examples II-1 to II-29 using the treatment liquid containing the silicon compound represented by the general formula II-1, hydrophobicity could be imparted to the silicon nitride-containing wafer surface. In Examples II-1 to II-24 and II-26 to II-29 using the treatment liquid containing the silicon compound represented by the general formula II-2, it is possible to impart hydrophobicity to the surface of the silicon nitride- , And even if the treatment solution was left in the atmosphere, insoluble matter was not precipitated in the treatment solution. In Examples II-1 to II-24 and II-26 to II-29 using the treatment liquid containing the silicon compound represented by Formula II-3, hydrophobicity can be imparted to the surface of the wafer in a shorter time there was. Further, in Examples II-1 to II-3 using the treatment liquid containing the silicon compound represented by the general formula II-4, more excellent hydrophobicity could be imparted to the surface of the wafer in a shorter time. In Examples II-5 to II-24 and II-26 to II-28 using the treatment liquid containing the silicon compound represented by Formula II-5, hydrophobicity can be imparted to the surface of the wafer in a shorter time there was. In Examples II-5 to II-24 and II-26 using a treatment liquid containing a silicon compound having R < 4 > of 6 to 18 in the general formula II-5, Could. In Examples II-5 to II-24 and II-26 in which a treatment liquid containing a silicon compound, which is a monovalent functional group whose element bonding to the silicon element is nitrogen, in the general formula II-5 is used, It was possible to give more excellent hydrophobicity to the polymer. On the contrary, in Comparative Examples II-1 to II-2, it was not possible to impart sufficient hydrophobicity to the silicon nitride-containing wafer surface. In addition, Examples II-1 to II-29 were able to impart better hydrophobicity to Reference Examples II-1 to II-2.

Claims (19)

규소 원소를 포함하는 웨이퍼 표면을 소수화함으로써 그 웨이퍼와 레지스트의 밀착성을 높이는 상기 웨이퍼의 표면 처리방법으로서, 아래에 나타내는 공정,
상기 웨이퍼 표면에 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 접촉시켜서 그 웨이퍼 표면을 소수화하는 표면 처리 공정,
상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 처리액을 제거하는 처리액 제거 공정,
상기 웨이퍼 표면에 레지스트를 성막하는 레지스트 성막 공정
을 포함하고, 표면 처리 공정에 있어서 하기 일반식 I-1로 표시되는 규소 화합물, 산 및 희석용매를 포함하는 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 사용하는 것을 특징으로 하는 규소 원소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법.
Figure pct00014

[식 I-1 중 R1은 각각 서로 독립적으로 수소기 또는 탄소수가 1~18인 탄화수소기이고, 그 탄화수소기의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어 있어도 된다. X는 각각 서로 독립적으로 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기이고, a는 1~3의 정수이다.]There is provided a method for surface treatment of a wafer which increases the adhesion between the wafer and the resist by hydrophobizing the surface of the wafer containing the silicon element,
A surface treatment step of bringing a surface treatment liquid for a silicon element-containing wafer into contact with the surface of the wafer to hydrophilize the surface of the wafer,
A process liquid removing step of removing the process liquid from the wafer surface,
A resist film forming step of forming a resist on the wafer surface
Characterized in that, in the surface treatment step, a surface treatment liquid for silicon-containing wafers containing a silicon compound, an acid and a diluting solvent represented by the following general formula (I-1) is used. Way.
Figure pct00014

[In the formula (I-1), R 1 is each independently a hydrogen group or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom of the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom. X is a monovalent functional group in which an element bonding to the silicon element is nitrogen, and a is an integer of 1 to 3, independently of each other. 제1항에 있어서,
상기 표면 처리 공정이 상기 처리액으로 규소 원소 함유 웨이퍼를 스핀 처리하는 것 또는 상기 처리액 중에 규소 원소 함유 웨이퍼를 침지 처리하는 것인 것을 특징으로 하는 규소 원소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법. The method according to claim 1,
Wherein the surface treatment step comprises spinning the silicon element-containing wafer with the treatment solution, or immersing the silicon element-containing wafer in the treatment solution. 제1항 또는 제2항에 기재된 규소 원소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법에 있어서 사용하는 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액으로서, 하기 일반식 I-1로 표시되는 규소 화합물, 산 및 희석용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액.
Figure pct00015

[식 I-1 중 R1은 각각 서로 독립적으로 수소기 또는 탄소수가 1~18인 탄화수소기이고, 그 탄화수소기의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어 있어도 된다. X는 각각 서로 독립적으로 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기이고, a는 1~3의 정수이다.]A surface treatment liquid for a silicon element-containing wafer used in a surface treatment method of a silicon element-containing wafer according to any one of claims 1 to 3, which comprises a silicon compound represented by the following general formula (I-1) And a surface treatment liquid for a silicon element-containing wafer.
Figure pct00015

[In the formula (I-1), R 1 is each independently a hydrogen group or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom of the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom. X is a monovalent functional group in which an element bonding to the silicon element is nitrogen, and a is an integer of 1 to 3, independently of each other. 제3항에 있어서,
상기 규소 화합물이 하기 일반식 I-2로 표시되는 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액.
Figure pct00016

[식 I-2 중 R1, X는 각각 일반식 I-1과 동일하다.]The method of claim 3,
Wherein the silicon compound is a silicon compound represented by the following general formula (I-2).
Figure pct00016

[In the formula I-2, R 1 and X are each the same as in the general formula I-1.] 제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 규소 화합물이 하기 일반식 I-3으로 표시되는 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액.
Figure pct00017

[식 I-3 중 R2는 탄소수가 4~18인 탄화수소기이고, 그 탄화수소기의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어 있어도 된다. X는 일반식 I-1과 동일하다.]The method according to claim 3 or 4,
Wherein the silicon compound is a silicon compound represented by the following general formula (I-3).
Figure pct00017

[In the formula I-3, R 2 is a hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom of the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom. X is the same as in formula I-1.] 제5항에 있어서,
상기 일반식 I-3의 R2의 탄소수가 6~18인 것을 특징으로 하는 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액. 6. The method of claim 5,
Wherein the carbon number of R < 2 > in the general formula (I-3) is 6 to 18. 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액에 포함되는 산이 유기산인 것을 특징으로 하는 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액. 7. The method according to any one of claims 3 to 6,
Wherein the acid contained in the surface treatment liquid for a silicon element-containing wafer is an organic acid. 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액의 총량 100 질량%에 대해 상기 규소 화합물이 0.1~50 질량% 함유되는 것을 특징으로 하는 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액. 8. The method according to any one of claims 3 to 7,
Wherein the silicon compound is contained in an amount of 0.1 to 50 mass% with respect to a total amount of 100 mass% of the surface treatment solution for a silicon element-containing wafer. 질화규소를 포함하는 웨이퍼 표면에 레지스트를 성막하기 전에 그 웨이퍼 표면을 소수화함으로써 그 웨이퍼와 레지스트의 밀착성을 개선하기 위한 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제로서, 상기 처리제가 하기 일반식 II-1로 표시되는 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제.
Figure pct00018

[식 II-1 중 R1은 각각 서로 독립적으로 수소기 또는 탄소수가 1~18인 탄화수소기이고, 그 탄화수소기의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어 있어도 된다. 식 II-1에 있어서 R1으로서 포함되는 탄소원자의 총 수는 6 이상이다. X는 각각 서로 독립적으로 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기, 규소 원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기 및 할로겐기로부터 선택되는 하나 이상의 기이고, a는 1~3의 정수이다.]1. A surface treatment agent for silicon nitride-containing wafers for improving adhesion between a wafer and a resist by hydrophobizing the surface of the wafer before depositing a resist on the wafer surface containing silicon nitride, characterized in that the treating agent is a silicon compound represented by the following general formula Wherein the surface treatment agent is a silicon nitride-containing surface treating agent.
Figure pct00018

[In the formula (II-1), R 1 is independently a hydrogen group or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom of the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom. In Formula II-1, the total number of carbon atoms contained as R 1 is 6 or more. X is at least one group selected from a monovalent functional group in which an element bonding with a silicon element is nitrogen, a monovalent functional group in which an element bonding with a silicon element is oxygen, and a halogen group, and a is an integer of 1 to 3, .] 제9항에 있어서,
상기 규소 화합물이 하기 일반식 II-2로 표시되는 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제.
Figure pct00019

[식 II-2 중 R1, X는 각각 일반식 II-1과 동일하다.]10. The method of claim 9,
Wherein the silicon compound is a silicon compound represented by the following Formula II-2.
Figure pct00019

[R 1 and X in the formula II-2 are respectively the same as those in the formula II-1] 제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 규소 화합물이 하기 일반식 II-3으로 표시되는 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제.
Figure pct00020

[식 II-3 중 R2는 탄소수가 4~18인 탄화수소기이고, 그 탄화수소기의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어 있어도 된다. X는 일반식 II-1과 동일하다.]11. The method according to claim 9 or 10,
Wherein the silicon compound is a silicon compound represented by the following Formula II-3.
Figure pct00020

[In the formula (II-3), R 2 is a hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom of the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom. X is the same as in formula II-1.] 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 규소 화합물이 하기 일반식 II-4로 표시되는 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제.
Figure pct00021

[식 II-4 중 R3는 탄소수가 4~18인, 적어도 일부의 수소원자가 할로겐원자로 치환된 탄화수소기이고, Y는 할로겐기이다.]12. The method according to any one of claims 9 to 11,
Wherein the silicon compound is a silicon compound represented by the following formula (II-4).
Figure pct00021

[In the formula (II-4), R 3 is a hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms in which at least a part of hydrogen atoms are substituted with halogen atoms, and Y is a halogen group.] 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제를 희석용매로 용해하여 얻어지는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액으로서, 그 처리액의 총량 100 질량%에 대해 상기 규소 화합물이 0.1~50 질량% 함유되는 것을 특징으로 하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액. A silicon nitride-containing surface treatment liquid obtained by dissolving the surface treatment agent for silicon nitride-containing wafers according to any one of claims 9 to 12 in a diluting solvent, wherein the silicon compound is 0.1 By mass to 50% by mass of the silicon nitride-containing surface treatment liquid. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제와 산을 희석용매로 용해하여 얻어지는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액으로서, 그 처리액의 총량 100 질량%에 대해 상기 규소 화합물이 0.1~50 질량% 함유되는 것을 특징으로 하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액. A silicon nitride-containing surface treatment liquid for a silicon nitride-containing wafer obtained by dissolving the surface treatment agent for silicon nitride-containing wafers according to any one of claims 9 to 11 in a diluting solvent, wherein the silicon compound Is contained in an amount of 0.1 to 50 mass% based on the total amount of the silicon nitride-containing surface treatment liquid. 제14항에 있어서,
상기 규소 화합물이 하기 일반식 II-5로 표시되는 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액.
Figure pct00022

[식 II-5 중 R4는 탄소수가 4~18인 탄화수소기이고, 그 탄화수소기의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어 있어도 된다. Z는 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기 또는 규소 원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기이다.]15. The method of claim 14,
Wherein the silicon compound is a silicon compound represented by the following Formula II-5.
Figure pct00022

[In the formula II-5, R 4 is a hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom of the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom. Z is a monovalent functional group whose element bonding with the silicon element is nitrogen or a monovalent functional group whose oxygen element bonding with the silicon element is oxygen.] 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 일반식 II-5의 R4의 탄소수가 6~18인 것을 특징으로 하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액. 16. The method according to claim 14 or 15,
Wherein the carbon number of R < 4 > in the general formula (II-5) is 6 to 18. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 일반식 II-5의 Z가 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기인 것을 특징으로 하는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액. 17. The method according to any one of claims 14 to 16,
Wherein Z in the general formula (II-5) is a monovalent functional group whose nitrogen atom is bonded to the silicon element. 질화규소를 포함하는 웨이퍼 표면을 소수화함으로써 그 웨이퍼와 레지스트의 밀착성을 높이는 상기 웨이퍼의 표면 처리방법으로서, 아래에 나타내는 공정,
상기 웨이퍼 표면에 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제 또는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액의 증기를 접촉, 또는 상기 웨이퍼 표면에 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제 또는 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 접촉시켜서 그 웨이퍼 표면을 소수화하는 표면 처리 공정,
상기 웨이퍼 표면에 레지스트를 성막하는 레지스트 성막 공정
을 포함하고, 표면 처리 공정에 있어서 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리제 또는 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 사용하는 것을 특징으로 하는 질화규소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법. There is provided a wafer surface treatment method for improving the adhesion between a wafer and a resist by hydrophobizing the surface of the wafer containing silicon nitride,
A surface treatment agent for a silicon nitride-containing wafer or a surface treatment solution for a silicon nitride-containing wafer is brought into contact with the surface of the wafer, or a surface treatment agent for a silicon nitride-containing wafer or a silicon nitride-containing wafer is brought into contact with the surface of the wafer, A surface treatment process,
A resist film forming step of forming a resist on the wafer surface
Wherein the surface treatment agent for silicon nitride-containing wafers according to any one of claims 9 to 12 or the surface treatment agent for silicon nitride-containing wafers according to any one of claims 13 to 17, Wherein the surface of the silicon nitride-containing wafer is subjected to surface treatment. 제18항에 있어서,
상기 표면 처리 공정에 있어서 상기 웨이퍼 표면에 질화규소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 접촉시켜서 그 웨이퍼 표면을 소수화하는 것을 특징으로 하는 질화규소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법.
19. The method of claim 18,
Wherein a surface treatment liquid for a silicon nitride-containing wafer is brought into contact with the surface of the wafer in the surface treatment step to hydrophobicize the surface of the wafer.
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Cited By (1)

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG11201908617QA (en) * 2017-03-24 2019-10-30 Fujifilm Electronic Materials Usa Inc Surface treatment methods and compositions therefor
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Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4678379B2 (en) * 2007-02-23 2011-04-27 信越化学工業株式会社 Pattern formation method
JP4947293B2 (en) * 2007-02-23 2012-06-06 信越化学工業株式会社 Pattern formation method
JP2010129932A (en) * 2008-11-28 2010-06-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Surface treatment method and liquid
KR20110086028A (en) * 2008-10-21 2011-07-27 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Surface treatment liquid, surface treatment method, hydrophobilization method, and hydrophobilized substrate
JP5359584B2 (en) * 2009-06-15 2013-12-04 信越化学工業株式会社 Organosilicon compound having amino group and method for producing the same
JP5324361B2 (en) * 2009-08-28 2013-10-23 東京応化工業株式会社 Surface treatment agent and surface treatment method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200136999A (en) * 2018-04-05 2020-12-08 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 Wafer surface treatment method and composition used in the method

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