KR20140080262A - Organic light emitting display device - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an organic light emitting display device capable of forming sufficient storage capacity. The organic light emitting display device includes a substrate including a plurality of pixel regions; a thin film transistor formed in each pixel region of the substrate; a pixel electrode formed in each pixel region; an organic light emitting unit formed in each pixel region to emit light; a common electrode formed on the organic light emitting unit to supply a signal to the organic light emitting unit; and a metal layer and a power wire disposed in the pixel region with an insulation layer being interposed therebetween to form a storage capacitor. The insulation layer between the metal layer and the power wire has a thickness different from that of another region to control a size of the storage capacitor.

Description

유기전계발광 표시소자{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic electroluminescent display device,

본 발명은 유기전계발광 표시소자에 관한 것으로, 특히 스토리지캐패시터를 충분히 확보할 수 있는 유기전계발광 표시소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device capable of sufficiently securing a storage capacitor.

근래, 공액고분자(conjugate polymer)의 하나인 폴리(p-페닐린비닐린)(PPV)을 이용한 유기전계 발광소자가 개발된 이래 전도성을 지닌 공액고분자와 같은 유기물에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 이러한 유기물을 박막트랜지스터(Thin Film Transistor), 센서, 레이저, 광전소자 등에 응용하기 위한 연구도 계속 진행되고 있으며, 그 중에서도 유기전계발광 표시소자에 대한 연구가 가장 활발하게 진행되고 있다.Recently, organic electroluminescent devices using poly (p-phenylenevinylene) (PPV), which is one of conjugate polymers, have been developed, and research on organic materials such as conjugated polymers having conductivity has progressed actively . Studies for applying such organic materials to thin film transistors (TFTs), sensors, lasers, photoelectric elements and the like have been continuing, and organic electroluminescent display devices have been actively studied.

인광물질(phosphors) 계통의 무기물로 이루어진 전계발광소자의 경우 작동전압이 교류 200V 이상 필요하고 소자의 제작 공정이 진공증착으로 이루어지기 때문에 대형화가 어렵고 특히 청색발광이 어려울 뿐만 아니라 제조가격이 높다는 단점이 있다. 그러나, 유기물로 이루어진 전계발광소자는 뛰어난 발광효율, 대면적화의 용이화, 공정의 간편성, 특히 청색발광을 용이하게 얻을 수 있다는 장점과 함께 휠 수 있는 전계발광소자의 개발이 가능하다는 점등에 의하여 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.In the case of an electroluminescent device made of a phosphorescent inorganic material, an AC voltage of 200 V or more is required, and since the manufacturing process of the device is formed by vacuum deposition, it is difficult to increase the size of the device. Especially, have. However, since an electroluminescent device made of an organic material can develop an electroluminescent device capable of easily producing an electroluminescent device with excellent light emission efficiency, easiness of large-scale surface preparation, simplicity of process, particularly blue light emission, And is spotlighted as a display device.

특히, 현재에는 액정표시장치와 마찬가지로 각 화소(pixel)에 능동형 구동소자를 구비한 액티브 매트릭스(Active Matrix) 전계발광 표시소자가 평판표시장치(Flat Panel Display)로서 활발히 연구되고 있다.Particularly, active matrix electroluminescent display devices having active driving elements in each pixel are actively studied as flat panel displays in the same manner as liquid crystal display devices.

도 1은 종래 유기전계발광 표시소자의 등가회로도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 유기전계발광 표시소자(1)는 종횡으로 교차하는 게이트라인(G)과 데이터라인(D)에 의해 정의되는 복수의 화소로 이루어져 있으며, 각각의 화소 내에는 파워라인(P)이 상기 데이터라인(D)과 평행하게 배열되어 있다.1 is an equivalent circuit diagram of a conventional organic light emitting display device. 1, an organic light emitting display device 1 is composed of a plurality of pixels defined by a gate line G and a data line D which cross each other in the vertical and horizontal directions, (P) are arranged in parallel with the data line (D).

각각의 화소 내부에는 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동박막트랜지스터(Td), 캐패시터(Cst) 및 유기발광소자(E)가 구비된다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트전극은 게이트라인(G)에 연결되어 있고 소스전극은 데이터라인(D)에 연결되어 있으며, 드레인전극은 구동박막트랜지스터(Td)의 게이트전극에 연결되어 있다. 또한, 상기 구동트랜지스터(Td)의 소스전극은 전원배선(P)에 연결되어 있고 드레인전극은 발광소자(E)에 연결되어 있다.In each pixel, a switching thin film transistor Ts, a driving thin film transistor Td, a capacitor Cst and an organic light emitting element E are provided. The gate electrode of the switching thin film transistor Ts is connected to the gate line G, the source electrode thereof is connected to the data line D and the drain electrode thereof is connected to the gate electrode of the driving thin film transistor Td. The source electrode of the driving transistor Td is connected to the power supply line P and the drain electrode of the driving transistor Td is connected to the light emitting element E.

이러한 구성의 유기전계발광 표시소자에서 게이트라인(G)을 통해 주사신호가 입력되면 상기 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트전극에 신호가 인가되어 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 구동한다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 구동함에 따라 데이터라인(D)을 통해 입력되는 데이터신호가 소스전극 및 드레인전극을 통해 구동박막트랜지스터(Td)의 게이트전극에 입력되어 상기 구동박막트랜지스터(Td)가 구동하게 된다.When a scanning signal is inputted through the gate line G in the organic EL display device having such a configuration, a signal is applied to the gate electrode of the switching TFT Ts to drive the switching TFT Ts. As the switching TFT Ts is driven, a data signal input through the data line D is input to the gate electrode of the driving TFT Td through the source electrode and the drain electrode, so that the driving TFT Td .

이때, 상기 전원배선(P)에는 전류가 흐르며, 상기 구동박막트랜지스터(Td)가 구동함에 따라 파워라인(P)의 전류가 소스전극 및 드레인전극을 통해 발광소자(E)에 인가된다. 이때, 상기 구동박막트랜지스터(Td)를 통해 출력되는 전류는 게이트전극과 드레인전극 사이의 전압에 따라 크기가 달라진다.At this time, a current flows through the power supply line P, and the current of the power line P is applied to the light emitting element E through the source electrode and the drain electrode as the driving thin film transistor Td is driven. At this time, the current outputted through the driving thin film transistor Td varies in size depending on the voltage between the gate electrode and the drain electrode.

발광소자(E)는 유기발광소자로서 상기 구동박막트랜지스터(Td)를 통해 전류가 입력됨에 따라 발광하여 영상을 표시한다. 이때, 발광되는 광의 세기는 인가되는 전류의 세기에 따라 달라지므로, 상기 전류의 세기를 조절함으로써 광의 세기를 조절할 수 있게 된다.The light emitting element E emits light as an electric current flows through the driving thin film transistor Td as an organic light emitting element to display an image. At this time, since the intensity of the light emitted varies according to the intensity of the applied current, the intensity of the light can be controlled by adjusting the intensity of the current.

도 2는 상기와 같은 구조의 유기전계발광 표시소자의 화소의 실제 구조를 나타내는 평면도이다.2 is a plan view showing an actual structure of a pixel of the organic light emitting display device having the above structure.

도 2에 도시된 바와 같이, 종래 유기전계발광 표시소자는 기판(10)에 정의된 다수의 화소마다 스위칭소자(Ts)와 구동소자(Td) 및 스토리지캐패시터(Cst)가 구성되는데, 이때 동작의 특성에 따라 상기 스위칭소자(Ts) 또는 구동소자(Td)는 각각 하나 이상의 박막트랜지스터의 조합으로 구성될 수 있다.2, a conventional organic light emitting display device includes a switching element Ts, a driving element Td, and a storage capacitor Cst for each of a plurality of pixels defined in the substrate 10, Depending on the characteristics, the switching element Ts or the driving element Td may each be constituted by a combination of one or more thin film transistors.

또한, 상기 기판(10) 상에는 게이트라인(2)과 데이터라인(3)이 서로 교차하여 화소를 정의하며, 전원배선(27)이 데이터라인(3)과 평행하게 이격되어 상기 게이트라인(2)과 교차하도록 배열되어 있다.A gate line 2 and a data line 3 intersect each other on the substrate 10 to define a pixel and a power line 27 is spaced apart from the data line 3 in parallel to the gate line 2, Respectively.

상기 스위칭소자(Ts)와 구동소자(Td)는 게이트전극(4,1)과, 반도체층(5,12), 소스전극(6,14) 및 드레인전극(7,15)로 이루어진 박막트랜지스터를 포함한다. 이때, 상기 스위칭소자(Ts)의 드레인전극(7)은 컨택홀(9)을 통해 상기 구동소자(Td)의 게이트전극(11)과 연결되어 있으며, 상기 구동소자(Td)의 소스전극(14)은 전원배선(27)과 연결된다. 그리고, 상기 구동소자(Td)의 드레이전극(14)은 화소부(P)에 형성된 화소전극(20)과 연결된다.The switching element Ts and the driving element Td are connected to a thin film transistor composed of gate electrodes 4 and 1, semiconductor layers 5 and 12, source electrodes 6 and 14 and drain electrodes 7 and 15 . At this time, the drain electrode 7 of the switching element Ts is connected to the gate electrode 11 of the driving element Td through the contact hole 9, and the source electrode 14 of the driving element Td Is connected to the power supply wiring 27. [ The drain electrode 14 of the driving element Td is connected to the pixel electrode 20 formed in the pixel portion P.

스토리지캐패시터(Cst)는 절연층을 사이에 두고 배치된 전원배선(27)과 스토리지용 금속층(8) 사이에 형성된다.The storage capacitor Cst is formed between the power supply wiring 27 and the storage metal layer 8 disposed with the insulating layer therebetween.

도면에는 도시하지 않았지만, 화소의 화소전극(20) 상부에는 유기발광층 및 공통전극이 차례로 형성되어 화소전극(20)을 통해 전류가 인가됨에 따라 유기발광층이 발광하여 화상을 구현할 수 있게 된다.Although not shown in the drawing, an organic light emitting layer and a common electrode are sequentially formed on the pixel electrode 20 of the pixel, and the organic light emitting layer emits light by applying a current through the pixel electrode 20 to realize an image.

그러나, 상기와 같은 구조의 유기전계발광 표시소자에서는 다음과 같은 문제가 발생한다.However, the organic electroluminescent display device having the above-described structure has the following problems.

전원배선(27)과 스토리지용 금속층(8)은 금속으로 형성되어 화소내에 배치된다. 따라서, 충분한 크기의 스토리지캐패시터(Cst)를 제공하여 전류를 안정적으로 공급하기 위해서는 전원배선(27)과 스토리지용 금속층(8)의 면적이 설정된 면적 이상으로 되어야만 한다. 그러나, 고해상도의 표시소자를 제작하기 위해서는 화소의 면적이 감소해야만 하는데, 이 경우 화소내에 배치되는 전원배선(27)과 스토리지용 금속층(8)의 면적 역시 감소하게 된다. 따라서, 고해상도의 표시소자 제작시 스토리지캐패시터(Cst)의 감소에 의해 고화질의 화상구현이 불가능하게 된다.The power supply wiring 27 and the metal layer for storage 8 are formed of metal and disposed in the pixel. Therefore, in order to stably supply the current by providing the storage capacitor Cst of a sufficient size, the area of the power supply line 27 and the metal layer for storage 8 must be set to a predetermined area or more. However, in order to manufacture a high-resolution display device, the area of the pixel must be reduced. In this case, the area of the power supply wiring 27 and the storage metal layer 8 disposed in the pixel also decreases. Therefore, when a high-resolution display device is fabricated, a reduction in the storage capacitor Cst makes it impossible to realize a high-quality image.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 화소의 면적을 증가시키지 않고 충분한 양의 스토리지캐패시터를 형성할 수 있는 유기전계발광 표시소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device capable of forming a sufficient amount of storage capacitors without increasing the area of a pixel.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자는 복수의 화소영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 화소영역 각각에 형성된 박막트랜지스터; 각각의 화소영역에 형성된 화소전극; 각각의 화소영역에 형성되어 광을 발광하는 유기발광부; 상기 유기발광부 위에 형성되어 유기발광층에 신호를 인가하는 공통전극; 및 상기 화소내에 절연층을 사이에 두고 배치되어 스토리지캐패시터를 형성하는 금속층 및 전원배선으로 구성되며, 상기 금속층 및 전원배선 사이의 절연층은 다른 영역의 절연층과는 다른 두께로 형성되어 스토리지캐패시터의 크기를 조절하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an organic light emitting display device according to the present invention includes a substrate including a plurality of pixel regions; A thin film transistor formed in each pixel region of the substrate; A pixel electrode formed in each pixel region; An organic light emitting portion formed in each pixel region to emit light; A common electrode formed on the organic light emitting portion and applying a signal to the organic light emitting layer; And a metal layer and a power supply wiring disposed in the pixel with an insulating layer interposed therebetween to form a storage capacitor and the insulating layer between the metal layer and the power supply wiring is formed to have a thickness different from that of the insulating layer in the other area, And the size is adjusted.

상기 금속층은 제1절연층 위에 배치되어 게이트전극과 동일한 금속으로 형성되고 상기 전원배선은 제2절연층 위에 소스전극과 일체로 형성된다.The metal layer is disposed on the first insulating layer and is formed of the same metal as the gate electrode, and the power supply wiring is formed integrally with the source electrode on the second insulating layer.

본 발명에서는 스토리지캐패티서를 형성하는 전원배선 및 금속층 사이의 절연층의 두께를 감소함으로써 화소의 크기를 감소하는 경우에도 원하는 축적용량을 제공할 수 있게 되므로, 고해상도의 유기전계발광 표시소자의 제작이 가능하게 된다.In the present invention, by reducing the thickness of the insulating layer between the power supply wiring and the metal layer forming the storage capacitor, it is possible to provide a desired storage capacitance even when the pixel size is reduced. Therefore, .

도 1은 종래 유기전계발광 표시소자의 등가회로도.
도 2는 종래 유기전계발광 표시소자의 구조를 나타내는 평면도.
도 3은 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자의 구조를 나타내는 단면도.
도 4a-도 4f는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자의 제조방법을 나타내는 도면.1 is an equivalent circuit diagram of a conventional organic light emitting display device.
2 is a plan view showing a structure of a conventional organic light emitting display device.
3 is a sectional view showing a structure of an organic light emitting display device according to the present invention.
4A-4F illustrate a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자의 구조를 나타내는 단면도이다. 이때, 도면에는 패널의 표시영역의 최외곽 화소 및 패드영역만을 도시하였다.3 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting display device according to the present invention. At this time, only the outermost pixels and the pad area of the display area of the panel are shown in the figure.

도 3에 도시된 바와 같이, 플라스틱과 같은 연성 물질 또는 유리와 같은 강성 물질로 이루어진 기판(110)의 표시영역에는 구동박막트랜지스터가 형성된다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 구동박막트랜지스터는 R,G,B화소영역에 각각 형성되며, 기판(110) 위에 형성된 버퍼층(122)과, 상기 버퍼층(122) 위의 R,G,B 화소영역에 각각 형성된 반도체층(112)과, 상기 반도체층(112)이 형성된 기판(110) 전체에 걸쳐 형성된 제1절연층(123)과, 상기 제1절연층(123) 위의 R,G,B 화소영역에 각각 형성된 게이트전극(111)과, 상기 게이트전극(111)을 덮도록 기판(110) 전체에 걸쳐 형성된 제2절연층(124)과, R,G,B화소영역에 각각 형성되어 상기 제1절연층(123) 및 제2절연층(124)에 형성된 제1컨택홀(113)을 통해 반도체층(112)과 접촉하는 소스전극(114) 및 드레인전극(115)으로 구성된다.As shown in FIG. 3, a driving thin film transistor is formed in a display region of a substrate 110 made of a flexible material such as plastic or a rigid material such as glass. Although not shown in the drawing, the driving thin film transistor is formed in the R, G, and B pixel regions, and includes a buffer layer 122 formed on the substrate 110, and a plurality of R, G, and B pixel regions on the buffer layer 122, A first insulating layer 123 formed on the entire surface of the substrate 110 on which the semiconductor layer 112 is formed and a first insulating layer 123 formed on the first insulating layer 123, A second insulating layer 124 formed over the entire surface of the substrate 110 so as to cover the gate electrode 111 and a second insulating layer 124 formed on the R, And a source electrode 114 and a drain electrode 115 which are in contact with the semiconductor layer 112 through the first contact hole 113 formed in the first insulating layer 123 and the second insulating layer 124. [

또한, 상기 제1절연층(123) 위에는 스토리지용 금속층(108)이 형성되며, 제2절연층(124) 위에는 전원배선(127)이 형성된다. 상기 전원배선(127)은 스토리지용 금속층(108)과 제2절연층(124)을 사이에 두고 오버랩되어 스토리지캐패시터(Cst)를 형성한다.A storage metal layer 108 is formed on the first insulating layer 123 and a power supply wiring 127 is formed on the second insulating layer 124. The power supply wiring 127 overlaps the storage metal layer 108 and the second insulating layer 124 to form a storage capacitor Cst.

상기 제2절연층(124)은 서로 다른 두께를 갖는 2개의 영역으로 형성된다. 즉, 전원배선(127)이 형성되는 영역의 두께(t1)는 그 이외의 두께(t2) 보다 작게(t1＜t2)게 형성되는데, 그 이유는 다음과 같다. 일반적으로 캐피시터(C)는 전원배선(127) 및 금속층(108)의 면적에 비례하고 전원배선(127) 및 금속층(108) 사이의 제2절연층(124)의 두께에 반비례한다. 즉, C=εA/d(여기서, ε는 제2절연층(124)의 유전율, A는 전원배선(127) 및 금속층(108)의 면적, d는 전원배선(127) 및 금속층(108) 사이의 제2절연층(124)의 두께)이다.The second insulating layer 124 is formed of two regions having different thicknesses. That is, the thickness t1 of the region where the power supply wiring 127 is formed is formed to be smaller than the other thickness t2 (t1 <t2), for the following reasons. The capacitor C is in proportion to the area of the power supply wiring 127 and the metal layer 108 and is inversely proportional to the thickness of the second insulating layer 124 between the power supply wiring 127 and the metal layer 108. [ Where C is the dielectric constant of the second insulating layer 124, A is the area of the power supply wiring 127 and the metal layer 108, d is the distance between the power supply wiring 127 and the metal layer 108, The thickness of the second insulating layer 124 of FIG.

따라서, 전원배선(127) 및 금속층(108)의 면적이 동일한 상태에서 제2절연층(124)의 두께를 감소함에 따라 스토리지캐패시터(Cst)를 증가할 수 있게 된다. 본 발명에서는 전원배선(127)이 형성되는 영역의 제2절연층(124)의 두께를 다른 영역의 제2절연층(124)의 두께보다 작게 함으로써 전원배선(127) 및 금속층(108)의 면적을 증가시키지 않고도 충분한 스토리지캐패시터(Cst)를 얻을 수 있게 된다.Therefore, the storage capacitor Cst can be increased as the thickness of the second insulating layer 124 is reduced in the state where the area of the power supply wiring 127 and the metal layer 108 are the same. The thickness of the second insulating layer 124 in the region where the power supply wiring 127 is formed is made smaller than the thickness of the second insulating layer 124 in the other region so that the area of the power supply wiring 127 and the metal layer 108 It is possible to obtain a sufficient storage capacitor Cst without increasing the storage capacitor Cst.

또한, 본 발명에서는 전원배선(127)이 형성되는 영역의 제2절연층(124)의 두께(t1)를 조절함으로써, 원하는 크기의 스토리지캐패시터(Cst)를 발생할 수 있게 된다. 즉, 유기전계발광 표시소자의 해상도에 따른 화소의 크기에 따라 제2절연층(124)의 두께(t1)를 적절히 설계함으로써 고해상도의 유기전계발광 표시소자를 제작할 수 있게 된다.In the present invention, the storage capacitor Cst having a desired size can be generated by adjusting the thickness t1 of the second insulating layer 124 in the region where the power supply wiring 127 is formed. That is, a high-resolution organic light emitting display device can be manufactured by appropriately designing the thickness t1 of the second insulating layer 124 according to the size of a pixel according to the resolution of the organic light emitting display device.

버퍼층(122)은 단일층 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 상기 반도체층(112)은 결정질 실리콘 또는 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)와 같은 투명산화물반도체로 형성할 수 있으며, 중앙영역의 채널층과 양측면의 도핑층으로 이루어져 소스전극(114) 및 드레인전극(115)이 상기 도핑층과 접촉한다.The buffer layer 122 may be a single layer or a plurality of layers. The semiconductor layer 112 may be formed of a transparent oxide semiconductor such as crystalline silicon or IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide). The semiconductor layer 112 may include a channel layer in the central region and a doped layer on both sides, ) Is in contact with the doped layer.

상기 게이트전극(111)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등의 금속으로 형성될 수 있으며, 제1절연층(123) 및 제2절연층(124)은 SiO2나 SiNx와 같은 무기절연물질로 이루어진 단일층 또는 SiO2 및 SiNx으로 이루어진 이중의 층으로 이루어질 수 있다. 또한, 소스전극(114) 및 드레인전극(115)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금으로 형성할 있다.The first insulating layer 123 and the second insulating layer 124 may be formed of a metal such as SiO 2 , SiNx, or the like. The gate electrode 111 may be formed of a metal such as Cr, Mo, Ta, Cu, , Or a dual layer of SiO 2 and SiN x. The source electrode 114 and the drain electrode 115 may be formed of Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or Al alloy.

스토리지용 금속층(108)은 게이트전극(111)과 동일한 금속으로 동일한 공정에서 형성될 수 있지만, 다른 금속에 의해 다른 공정에서 형성될 수도 있다. 또한, 전원배선(127)은 소스전극(114)과 일체로 형성될 수도 있지만, 소스전극(114)과는 다른 물질로 다른 공정에 의해 형성될 수도 있을 것이다. 그러나, 이때에도 상기 전원배선(127)은 소스전극(114)과 전기적으로 접속된다.The storage metal layer 108 may be formed of the same metal as the gate electrode 111 in the same process, but may be formed in another process by another metal. Further, the power supply wiring 127 may be formed integrally with the source electrode 114, but may be formed by another process with a material different from that of the source electrode 114. However, the power supply wiring 127 is also electrically connected to the source electrode 114 at this time.

상기 구동박막트랜지스터가 형성된 기판(110)에는 제3절연층(126)이 형성되고 그 위에 화소전극(120)이 형성된다. 상기 제3절연층(126)은 SiO2와 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제3절연층(126) 위에는 기판(110)을 평탄화시키기 위한 오버코트층(overcoat layer)이 형성될 수도 있다.A third insulating layer 126 is formed on the substrate 110 on which the driving thin film transistor is formed, and a pixel electrode 120 is formed thereon. The third insulating layer 126 may be formed of an inorganic insulating material such as SiO 2 . Although not shown in the drawing, an overcoat layer for planarizing the substrate 110 may be formed on the third insulating layer 126.

표시영역내의 화소영역에 각각 형성되는 구동박막트랜지스터의 드레인전극(115)의 상부 제3절연층(126)에는 제2컨택홀(129)이 형성되어, 상기 제3절연층(126) 위에 형성되는 화소전극(120)이 상기 제2컨택홀(129)을 통해 구동박막트랜지스터의 드레인전극(115)과 전기적으로 접속된다. 상기 화소전극(120)은 Ca, Ba, Mg, Al, Ag 등과 같은 금속으로 이루어지고 구동박막트랜지스터의 드레인전극(115)을 통해 외부로부터 화상신호가 인가된다. A second contact hole 129 is formed in the upper third insulating layer 126 of the drain electrode 115 of the driving thin film transistor formed in the pixel region in the display region and is formed on the third insulating layer 126 The pixel electrode 120 is electrically connected to the drain electrode 115 of the driving thin film transistor through the second contact hole 129. The pixel electrode 120 is made of a metal such as Ca, Ba, Mg, Al, or Ag, and an image signal is applied from the outside through the drain electrode 115 of the driving thin film transistor.

표시영역 내의 상기 제3절연층(126) 위의 각 화소영역의 경계에는 뱅크층(128)이 형성된다. 상기 뱅크층(128)은 일종의 격벽으로서, 각 화소영역을 구획하여 인접하는 화소영역에서 출력되는 특정 컬러의 광이 혼합되어 출력되는 것을 방지하기 위한 것이다. 또한, 상기 뱅크층(128)은 제2컨택홀(129)의 일부를 채우기 때문에 단차를 감소시키며, 그 결과 유기발광부의 형성시 과도한 단차에 의한 유기발광부에 불량이 발생하는 것을 방지한다. 상기 뱅크층(128)은 패드영역에도 일부 연장되어 형성된다. A bank layer 128 is formed at the boundary of each pixel region on the third insulating layer 126 in the display region. The bank layer 128 is a kind of barrier rib for preventing each pixel region from being mixed and outputting light of a specific color outputted from the adjacent pixel region. In addition, since the bank layer 128 fills a portion of the second contact hole 129, the step is reduced, and as a result, the organic light emitting portion is prevented from being defective due to an excessive step in forming the organic light emitting portion. The bank layer 128 is formed to extend partly to the pad region.

뱅크층(128) 사이의 화소전극(120) 위에는 유기발광부(125)가 형성된다. 상기 유기발광부(225)는 각각 적색광을 발광하는 R-유기발광층, 녹색광을 발광하는 G-유기발광층, 청색광을 발광하는 B-유기발광층을 포함한다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 유기발광부(125)에는 유기발광층 뿐만 아니라 유기발광층에 전자 및 정공을 각각 주입하는 전자주입층 및 정공주입층과 주입된 전자 및 정공을 유기발광층으로 각각 수송하는 전자수송층 및 정공수송층이 형성될 수도 있을 것이다.An organic light emitting portion 125 is formed on the pixel electrode 120 between the bank layers 128. The organic light emitting part 225 includes an R-organic emitting layer for emitting red light, a G-organic emitting layer for emitting green light, and a B-organic emitting layer for emitting blue light. Although not shown in the drawing, the organic light emitting portion 125 includes an electron injection layer for injecting electrons and holes, an electron injection layer for injecting electrons and holes, and an electron transport layer And a hole transport layer may be formed.

또한, 유기발광층은 백색광을 발광하는 백색 유기발광층으로 형성될 수도 있다. 이 경우, 백색 유기발광층의 하부, 예를 들어 절연층(124) 위의 R,G,B 서브화소영역에는 각각 R,G,B 컬러필터층이 형성되어 백색 유기발광층에서 발광되는 백색광을 적색광, 녹색광, 청색광으로 변환시킨다. 이러한 백색 유기발광층은 R,G,B의 단색광을 각각 발광하는 복수의 유기물질이 혼합되어 형성되거나 R,G,B의 단색광을 각각 발광하는 복수의 발광층이 적층되어 형성될 수 있다. 상기 백색 유기발광부를 형성하는 경우에는 별도의 섀도우마스크없이 표시영역 전면에 유기발광물질을 증착하여 발광층을 형성할 수 있다.Further, the organic light emitting layer may be formed as a white organic light emitting layer which emits white light. In this case, R, G, and B color filter layers are formed in the R, G, and B sub pixel regions on the lower side of the white organic light emitting layer, for example, the insulating layer 124 to form white light that is emitted from the white organic light emitting layer, , And converts it into blue light. The white organic light emitting layer may be formed by mixing a plurality of organic materials that emit red, green, and blue monochromatic light, or a plurality of light emitting layers that emit red, green, and blue monochromatic light, respectively. When the white organic light emitting portion is formed, an organic light emitting material may be deposited on the entire display region without a separate shadow mask to form a light emitting layer.

상기 표시영역의 유기발광부(125) 위에는 공통전극(130)이 형성된다. 상기 공통전극(130)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 산화금속물질로 이루어진다.A common electrode 130 is formed on the organic light emitting portion 125 of the display region. The common electrode 130 is formed of a transparent metal oxide material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

이때, 상기 공통전극(130)이 유기발광부(125)의 애노드이고 화소전극(120)이 캐소드로서, 공통전극(130)과 화소전극(120)에 전압이 인가되면, 상기 화소전극(120)으로부터 전자가 유기발광부(125)로 주입되고 공통전극(130)으로부터는 정공이 유기발광부(125)로 주입되어, 유기발광층내에는 여기자(exciton)가 생성되며, 이 여기자가 소멸(decay)함에 따라 발광층의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)와 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)의 에너지 차이에 해당하는 광이 발생하게 되어 외부(도면에서 공통전극(130)의 상부방향)로 출사하게 된다. When the common electrode 130 is an anode of the organic light emitting portion 125 and the pixel electrode 120 is a cathode and a voltage is applied to the common electrode 130 and the pixel electrode 120, Electrons are injected into the organic light emitting portion 125 and holes are injected from the common electrode 130 into the organic light emitting portion 125 to generate an exciton in the organic light emitting layer, Light corresponding to energy difference between LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) and HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) of the light emitting layer is generated, and the light is emitted to the outside (upward direction of the common electrode 130 in the drawing).

패드영역 및 표시영역의 공통전극(130) 상부 및 뱅크층(128) 상부, 제3절연층(126) 상부에는 기판(110) 전체에 걸쳐서 제1보호층(passivation layer;141)이 형성된다. 상기 제1보호층(141)은 SiO2나 SiNx와 같은 무기물질로 형성된다.A first passivation layer 141 is formed on the common electrode 130 in the pad region and the display region, on the bank layer 128, and on the third insulating layer 126 over the entire substrate 110. The first passivation layer 141 is formed of an inorganic material such as SiO 2 or SiN x.

또한, 상기 제1보호층(141) 위에는 폴리머 등의 유기물질로 이루어진 유기층(142)이 형성되고 그 위에 SiO2나 SiNx와 같은 무기물질로 이루어진 제2보호층(144)이 형성된다. 이때, 상기 유기층(142)은 패드영역의 일부 영역에만 형성되고 제2보호층(144)은 패드영역 전체에 걸쳐 형성되어 상기 유기층(142)이 제2보호층(144)에 의해 완전히 덮히게 된다. 통상적으로 유기물질은 수분에 약하기 때문에, 유기층(142)은 수분이 침투하는 경로로 사용될 수 있다. 유기전계발광 표시소자에서 유기층(142)을 통해 수분이 침투하게 되면, 습기에 약한 유기발광층이 열화되고 수명이 저하되어 불량이 발생하게 되므로, 유기전계발광 표시소자에서 수분이 내부로 침투하는 것을 차단해야만 한다.An organic layer 142 made of an organic material such as a polymer is formed on the first passivation layer 141 and a second passivation layer 144 made of an inorganic material such as SiO 2 or SiNx is formed thereon. At this time, the organic layer 142 is formed only in a part of the pad region, and the second passivation layer 144 is formed over the entire pad region so that the organic layer 142 is completely covered by the second passivation layer 144 . Since the organic material is usually weak to moisture, the organic layer 142 can be used as a path through which moisture permeates. If the moisture permeates through the organic layer 142 in the organic electroluminescent display device, the organic light emitting layer weak in moisture is deteriorated and the lifetime is lowered to cause defects. Therefore, must do it.

본 발명에서는 무기물질로 이루어진 제2보호층(144)이 유기층(142)을 완전히 덮도록 형성함으로써 상기 유기층(142)으로 수분이 침투하는 것을 원천적으로 방지할 수 있게 되므로, 수분의 침투에 의한 불량을 효과적으로 방지할 수 있게 된다.In the present invention, since the second protective layer 144 made of an inorganic material completely covers the organic layer 142, moisture can be prevented from permeating the organic layer 142, Can be effectively prevented.

상기 제2보호층(144) 위에는 접착제가 도포되어 접착층(146)이 형성되며, 그 위에 보호필름(148)이 배치되어, 상기 접착층(146)에 의해 보호필름(148)이 부착된다.An adhesive layer 146 is formed on the second protective layer 144. A protective film 148 is disposed on the adhesive layer 146 and the protective film 148 is attached to the second protective layer 144 by the adhesive layer 146. [

상기 접착제로는 부착력이 좋고 내열성 및 내수성이 좋은 물질이라면 어떠한 물질을 사용할 수 있지만, 본 발명에서는 주로 에폭시계 화합물, 아크릴레이트계 화합물 또는 아크릴계 러버과 같은 열경화성 수지를 사용한다. 이때, 상기 접착층(146)은 약 5-100㎛의 두께로 도포되며, 약 80-170도의 온도에서 경화된다. 또한, 상기 접착제로서 광경화성 수지를 사용할 수도 있으며, 이 경우 접착층에 자외선과 같은 광을 조사함으로써 접착층(146)을 경화시킨다.As the adhesive, any material can be used as long as it has good adhesion and good heat resistance and water resistance. In the present invention, a thermosetting resin such as an epoxy compound, an acrylate compound or an acrylic rubber is used. At this time, the adhesive layer 146 is applied to a thickness of about 5-100 mu m and cured at a temperature of about 80-170 degrees. Further, a photo-curing resin may be used as the adhesive. In this case, the adhesive layer 146 is cured by irradiating the adhesive layer with light such as ultraviolet rays.

상기 접착층(146)은 기판(110) 및 보호필름(148)을 합착할 뿐만 아니라 상기 유기전계발광 표시소자 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하기 위한 봉지제의 역할도 한다. 따라서, 본 발명의 상세한 설명에서 도면부호 246의 용어를 접착제라고 표현하고 있지만, 이는 편의를 위한 것이며, 이 접착층을 봉지제라고 표현할 수도 있을 것이다. The adhesive layer 146 serves not only to bond the substrate 110 and the protective film 148, but also to seal moisture into the organic light emitting display device. Therefore, although the term 246 is referred to as an adhesive in the detailed description of the present invention, this is for convenience only, and the adhesive layer may be referred to as an encapsulant.

상기 보호필름(148)은 접착층(146)을 봉지하기 위한 봉지캡(encapsulation cap)으로서, PS(Polystyrene)필름, PE(Polyethylene)필름, PEN(Polyethylene Naphthalate)필름 또는 PI(Polyimide)필름 등과 같은 보호필름으로 이루어질 수 있다. The protective film 148 is an encapsulation cap for encapsulating the adhesive layer 146 and is formed of a protective film such as a PS (polystyrene) film, a PE (polyethylene) film, a PEN (polyethylene naphthalate) film, Film.

상기 보호필름(148) 상부에는 편광판(249)이 부착될 수 있다. 상기 편광판(149)은 유기전계발광 표시소자로부터 발광된 광은 투과하고 외부로부터 입사되는 광은 반사하지 않도록 하여, 화질을 향상시킨다.A polarizing plate 249 may be attached on the protective film 148. The polarizer 149 transmits light emitted from the organic electroluminescence display device and does not reflect light incident from the outside, thereby improving the image quality.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 전원배선(127) 및 금속층(108) 사이의 제2절연층(124)의 두께(t1)를 조절함으로써 화소의 크기를 감소하는 경우에도 원하는 축적용량을 제공할 수 있게 되므로, 고해상도의 유기전계발광 표시소자의 제작이 가능하게 된다.As described above, in the present invention, it is possible to provide the desired storage capacity even when the pixel size is reduced by adjusting the thickness t1 of the second insulating layer 124 between the power supply wiring 127 and the metal layer 108 Thus, it becomes possible to manufacture a high-resolution organic light emitting display device.

도 4a-도 4f는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자의 제조방법을 나타내는 도면이다. 이때, 도면은 단면도로서, 표시영역 및 표시영역을 포함한다. 이때, 본 발명이 휨이 가능한 연성 유기전계발광 표시소자 및 휨이 불가능한 유기전계발광 표시소자 모두에 적용되지만 이하에서는 연성 유기전계발광 표시소자에 대해서 설명한다.4A to 4F are views showing a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention. At this time, the drawing is a sectional view, which includes a display area and a display area. Here, the present invention is applied to both flexible flexible organic electroluminescent display devices and flexible organic electroluminescent display devices, but the flexible organic electroluminescent display device will be described below.

우선, 도 4a에 도시된 바와 같이, 폴리이미드(PI)와 같은 플라스틱물질로 이루어진 기판(110)을 유리 등으로 이루어진 대면적의 모기판(180)에 접착제 등에 의해 부착한다. First, as shown in FIG. 4A, a substrate 110 made of a plastic material such as polyimide (PI) is attached to a large-sized mother substrate 180 made of glass or the like with an adhesive or the like.

그 후, 상기 기판(110) 위에 무기물질 등으로 이루어진 버퍼층(122)을 형성한다. 이때, 상기 버퍼층(122)을 단일층 또는 복수의 층으로 형성할 수 있다. 이어서, 기판(110) 전체에 걸쳐 투명산화물반도체 또는 결정질 실리콘 등을 CVD법에 의해 적층한 후 식각하여 버퍼층(122)위에 반도체층(112)을 형성한다. 이때, 결정질실리콘층은 결정질 실리콘을 적층하여 형성할 수도 있고, 비정질실리콘을 적층한 후 레이저결정법 등과 같은 다양한 결정법에 의해 비정질물질을 결정화함으로써 형성할 수도 있다. 상기 결정질실콘층의 양측면에는 n+ 또는 p+형 불순물을 도핑하여 도핑층을 형성한다.Then, a buffer layer 122 made of an inorganic material or the like is formed on the substrate 110. At this time, the buffer layer 122 may be formed as a single layer or a plurality of layers. Next, a transparent oxide semiconductor, crystalline silicon, or the like is stacked over the entire surface of the substrate 110 by a CVD method and then etched to form a semiconductor layer 112 on the buffer layer 122. At this time, the crystalline silicon layer may be formed by laminating crystalline silicon, or may be formed by laminating amorphous silicon and then crystallizing the amorphous material by various crystallization methods such as laser crystallization. The n + or p + -type impurity is doped on both sides of the crystalline silicate layer to form a doping layer.

이어서, 상기 반도체층(112) 위에 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의해 SiO2나 SiOx와 같은 무기절연물질을 적층하여 제1절연층(123)을 형성한 후, 그 위에 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금과 같이 도전성이 좋은 불투명 금속을 스퍼터링법(sputtering process)에 의해 적층하고 사진식각방법(photolithography process)에 의해 식각하여, 표시영역의 각 화소영역에 게이트전극(111) 및 스토리지용 금속층(108)을 형성한다.Next, an inorganic insulating material such as SiO 2 or SiO x is laminated on the semiconductor layer 112 by CVD (Chemical Vapor Deposition) to form a first insulating layer 123, and then Cr, Mo, Ta, Cu An opaque metal having high conductivity such as Ti, Al or Al alloy is deposited by a sputtering process and etched by a photolithography process to form gate electrodes 111 and A metal layer for storage 108 is formed.

이어서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(111) 및 금속층(108)이 형성된 기판(110) 전체에 걸쳐 CVD법에 의해 무기절연물질을 적층하여 반도체층(112)이 일부가 노출되는 제1컨택홀(113)가 형성된 제2절연층(124)을 형성한다.4B, an inorganic insulating material is stacked over the entire surface of the substrate 110 on which the gate electrode 111 and the metal layer 108 are formed to expose a part of the semiconductor layer 112 A second insulating layer 124 having a first contact hole 113 is formed.

이때, 상기 제2절연층(124)은 금속층(108)의 영역과 다른 영역이 서로 다른 두께로 형성된다. 즉, 금속층(108) 상부의 제2절연층(124)이 다른 영역의 제2절연층(124) 보다 작은 두께로 형성된다.At this time, the second insulating layer 124 has a thickness different from that of the metal layer 108. That is, the second insulating layer 124 on the metal layer 108 is formed to have a thickness smaller than that of the second insulating layer 124 in the other region.

도면에는 도시하지 않았지만, 상기와 같이 제2절연층(124)을 서로 다른 두께의 단차를 갖는 층으로 형성하기 위해, 1차로 일부 영역에만(즉, 금속층(108) 상부를 제외한 영역에만) 절연층을 형성하고 2차로 전체에 걸쳐 다시 절연층을 형성함으로써 서로 다른 두께를 갖는 제2절연층(124)을 형성할 수 있게 된다. 이때, 제1컨택홀(113)은 제2절연층(124)을 형성한 후, 제1절연층(123) 및 제2절연층(124)을 한꺼번에 식각함으로써 형성된다.Although not shown in the drawings, in order to form the second insulating layer 124 as a layer having steps with different thicknesses as described above, only a part of the insulating layer (that is, only the region except the upper portion of the metal layer 108) And the second insulating layer 124 having different thicknesses can be formed by forming the insulating layer again over the entire secondary surface. At this time, the first contact hole 113 is formed by forming the second insulating layer 124, and then etching the first insulating layer 123 and the second insulating layer 124 at a time.

또한, 상기 제2절연층(124)은 하프톤마스크(half-tone mask)나 회절마스크를 사용하여 1회의 공정으로 서로 다른 두께로 형성할 수 있다. 즉, 일정 두께의 절연물질을 적층하고 그 위에 포토레지스트(photoresist)를 적층한 후, 하프톤마스크나 회절마스크를 위치하여 서로 다른 광량을 갖는 광을 포토레지스트에 조사하여 서로 다른 두께를 갖는 포토레지스트를 패터닝하고 이 패터닝된 포토레지스트패턴에 의해 금속층(108) 상부의 제2절연층(124)의 일부를 식각함과 동시에 반도체층(112) 위의 제1절연층(123) 및 제2절연층(124)을 완전히 제거함으로써 형성할 수도 있다.In addition, the second insulating layer 124 may be formed to have different thicknesses by a single step using a half-tone mask or a diffraction mask. That is, an insulating material having a predetermined thickness is laminated and a photoresist is laminated thereon. Then, a halftone mask or a diffraction mask is placed, and light having different amounts of light is irradiated to the photoresist, A part of the second insulating layer 124 on the metal layer 108 is etched by the patterned photoresist pattern and the first insulating layer 123 and the second insulating layer 123 on the semiconductor layer 112 are etched, (124) is completely removed.

그 후, 도 4c에 도시된 바와 같이, 기판(110) 전체에 걸쳐 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금과 같이 도전성이 좋은 불투명 금속을 스퍼터링법에 의해 적층한 후 식각하여, 제1컨택홀(113)을 통해 반도체층(112)과 전기적으로 접속하는 소스전극(114) 및 드레인전극(115)을 형성하고 금속층(108) 상부의 제2절연층(124) 위에 상기 금속층(108)과 오버랩되는 전원배선(127)을 형성한다.Then, as shown in FIG. 4C, an opaque metal having good conductivity such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or Al alloy is stacked over the entire surface of the substrate 110 by the sputtering method, A source electrode 114 and a drain electrode 115 electrically connected to the semiconductor layer 112 are formed through the first contact hole 113 and the metal layer 108 is formed on the second insulating layer 124 above the metal layer 108. [ The power supply wiring 127 overlapping the power supply wiring 108 is formed.

이어서, 상기 소스전극(114) 및 드레인전극(115), 전원배선(127)이 형성된 기판(110) 전체에 걸쳐 무기절연물질을 적층하여 제3절연층(126)을 형성하고 일부 영역을 식각하여 표시영역에 제2컨택홀(129)을 형성한다. 이때, 상기 제3절연층(126)은 SiO2를 적층함으로써 형성할 수 있으며 상기 제2컨택홀(129)에 의해 박막트랜지스터의 드레인전극(115)이 외부로 노출된다.The third insulating layer 126 is formed by laminating an inorganic insulating material over the entire surface of the substrate 110 on which the source electrode 114 and the drain electrode 115 and the power source wiring 127 are formed, And a second contact hole 129 is formed in the display region. At this time, the third insulating layer 126 may be formed by stacking SiO 2 , and the drain electrode 115 of the thin film transistor is exposed to the outside by the second contact hole 129.

그 후, 상기 기판(110) 전체에 걸쳐 Ca, Ba, Mg, Al, Ag와 같은 금속을 적층하고 식각하여 표시영역에 제2컨택홀(129)를 통해 구동박막트랜지스터의 드레인전극(115)과 접속되는 화소전극(120)을 형성한다.Then, a metal such as Ca, Ba, Mg, Al, or Ag is deposited on the entire surface of the substrate 110 and etched so that the drain electrode 115 of the driving TFT is connected to the display region through the second contact hole 129, Thereby forming the pixel electrode 120 to be connected.

이어서, 도 4d에 도시된 바와 같이, 표시영역 및 패드영역의 일부에 뱅크층(128)을 형성한다. 표시영역내의 뱅크층(128)은 각 화소를 구획하여 인접하는 화소에서 출력되는 특정 컬러의 광이 혼합되어 출력되는 것을 방지하며 제2컨택홀(129)의 일부를 채워 단차를 감소시키는 역할을 한다. 이때, 상기 뱅크층(128)은 유기절연물질을 적층한 후 식각하여 형성하지만, 무기절연물질 CVD법에 적층하고 식각하여 형성할 수도 있다.Then, as shown in Fig. 4D, a bank layer 128 is formed in a part of the display region and the pad region. The bank layer 128 in the display area serves to divide each pixel and prevent light of a specific color output from adjacent pixels from being mixed and output, and to fill a portion of the second contact hole 129 to reduce a step . At this time, the bank layer 128 is formed by laminating organic insulating materials and etching, but may be formed by stacking and etching the inorganic insulating material CVD method.

그 후, 상기 뱅크층(128) 사이의 화소전극(120) 위에 유기발광물질을 열증착하여 유기발광부(125)를 형성한다. 이러한 열증착시 전자주입 유기물질, 전자수송 유기물질, 유기발광 유기물질, 정공수송 유기물질 및 정공주입 유기물질을 차례로 증착하여 전자주입층, 전자수송층, 유기발광층, 정공수송층 및 정공주입층이 형성된다. 또한, 상기 유기발광부(125)는 R,G,B 유기발광부로 이루어지기 때문에, 열증착공정을 반복함으로써 R,G,B 유기발광부를 형성할 수 있게 된다.Thereafter, the organic light emitting material is thermally deposited on the pixel electrode 120 between the bank layers 128 to form the organic light emitting portion 125. The electron injecting layer, the electron transporting layer, the organic light emitting layer, the hole transporting layer, and the hole injecting layer are formed by sequentially depositing the electron injecting organic material, the electron transporting organic material, the organic light emitting organic material, the hole transporting organic material, . In addition, since the organic light emitting portion 125 is composed of R, G, and B organic light emitting portions, the R, G, and B organic light emitting portions can be formed by repeating the thermal deposition process.

상기 설명에서는 뱅크층(128)을 형성하고 그 사이에 유기발광부(125)를 형성하지만, 유기발광부(125)를 먼저 형성하고 뱅크층(128)을 형성할 수도 있다.In the above description, the bank layer 128 is formed and the organic light emitting portion 125 is formed therebetween, but the organic light emitting portion 125 may be formed first and the bank layer 128 may be formed.

이어서, 뱅크층(128)과 유기발광부(125) 위에 ITO나 IZO와 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링법에 의해 적층하고 식각하여 공통전극(121)을 형성한 후, 공통전극(121) 상부와 뱅크층(128) 위에 무기물질을 적층하여 제1보호층(141)을 형성한다.A transparent conductive material such as ITO or IZO is deposited on the bank layer 128 and the organic light emitting portion 125 by sputtering and etched to form the common electrode 121. Then, An inorganic material is laminated on the layer 128 to form a first protective layer 141.

그 후, 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 제1보호층(141) 위에 폴리머 등의 유기물질을 적층하여 유기층(142)을 형성한다. 이때, 상기 유기층(142)은 스크린프린팅법에 의해 형성될 수 있다. 즉, 도면에는 도시하지 않았지만 스크린을 기판(110) 위에 배치하고 폴리머를 스크린 위에 충진한 후, 닥터블레이드나 롤에 의해 압력을 인가함으로써 유기층(142)을 형성한다. 상기 유기층(142)은 약 8-10㎛의 두께로 형성되어 패드영역의 일정 영역까지 연장되어 뱅크층(128)을 완전히 덮게 된다. 이어서, 유기층(142) 위에 SiO2나 SiOx와 같은 무기물질을 적층하여 상기 유기층(142) 위에 제2보호층(144)을 형성한다. 이때, 제2보호층(144)은 패드영역 전체에 걸쳐 형성되어 상기 유기층(142)을 완전히 덮게 된다.4E, an organic material such as a polymer is laminated on the first passivation layer 141 to form an organic layer 142. Next, as shown in FIG. At this time, the organic layer 142 may be formed by a screen printing method. That is, although not shown in the drawings, the screen is disposed on the substrate 110, the polymer is filled on the screen, and the organic layer 142 is formed by applying pressure by a doctor blade or a roll. The organic layer 142 is formed to a thickness of about 8-10 탆 and extends to a certain region of the pad region to completely cover the bank layer 128. Then, an inorganic material such as SiO 2 or SiO x is laminated on the organic layer 142 to form a second protective layer 144 on the organic layer 142. At this time, the second passivation layer 144 is formed over the entire pad region to completely cover the organic layer 142.

그 후, 도 4f에 도시된 바와 같이, 상기 제2보호층(144) 위에 접착제를 적층하여 접착층(146)을 형성하며 그 위에 보호필름(148)을 위치시키고 압력을 인가하여 보호필름(148)을 접착시킨다. 이때, 상기 접착제로는 열경화성 수지 또는 광경화성 수지를 사용할 수 있다. 열경화성 수지를 사용하는 경우 보호필름(148)의 접착후 열을 인가하고, 광경화성 수지를 사용하는 경우 보호필름(148)의 접착후 광을 조사하여 접착층(146)을 경화시킨다. 이어서, 상기 보호필름(148) 위에 편광판(149)을 부착한 후 절단수단에 모기판을 단위 패널단위로절단하고 레이저나 열의 인가에 의해 기판(110)을 모기판(180)으로부터 분리함으로써 개개의 유기전계발광 표시소자가 완성된다.4F, an adhesive layer 146 is formed by laminating an adhesive on the second protective layer 144, a protective film 148 is placed on the adhesive layer 146, and a pressure is applied to the protective film 148, . At this time, a thermosetting resin or a photo-curable resin may be used as the adhesive. When a thermosetting resin is used, heat is applied after bonding the protective film 148, and when the photo-curable resin is used, the adhesive layer 146 is cured by irradiating light after the protective film 148 is bonded. Subsequently, after the polarizer 149 is attached to the protective film 148, the mother substrate is cut into unit panels by cutting means, and the substrate 110 is separated from the mother substrate 180 by the application of laser or heat, The organic electroluminescence display device is completed.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 전원배선과 금속층 사이의 절연층의 두께를 다른 영역보다 얇게 형성함으로써 전원배선과 금속층은 동일하게 하면서도(즉, 화소의 크기는 일정하게 유지하면서도) 충분한 크기의 스토리지캐패시터를 형성할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, the thickness of the insulating layer between the power supply wiring and the metal layer is made thinner than the other regions, so that the power supply wiring and the metal layer are made identical (that is, Can be formed.

따라서, 화소의 크기를 최소화하는 경우에도 설계된 스토리지캐패시터를 제공할 수 있게 되어, 고해상도의 유기전계발광 표시소자의 구현이 가능하게 된다.Accordingly, it is possible to provide a designed storage capacitor even when the pixel size is minimized, thereby realizing a high-resolution organic light emitting display device.

한편, 상술한 상세한 설명에서는 특정 구조의 유기전계발광 표시소자가 개시되어 있지만, 본 발명이 이러한 특정한 구조의 유기전계발광 표시소자에 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 상술한 유기전계발광 표시소자에서는 주로 연성 유기전계발광 표시소자에 대해 설명하고 있지만, 본 발명은 휘지 않는 유기전계발광 표시소자에도 적용될 것이다.In the above description, the organic electroluminescence display device has a specific structure. However, the present invention is not limited to the organic electroluminescence display device having such a specific structure. For example, although the above-described organic electroluminescent display device mainly describes a flexible organic electroluminescent display device, the present invention is also applied to an organic electroluminescent display device that does not bend.

또한, 상세한 설명에서는 구동박막트랜지스터의 구조 역시 탑게이트(top gate)구조로 이루어져 있지만, 바텀게이트(bottom gate)구조도 가능하며, 다른 다양한 구조의 박막트랜지스터를 적용할 수 있다. In the detailed description, the structure of the driving thin film transistor is also a top gate structure, but a bottom gate structure and a thin film transistor having various structures can be applied.

110 : 기판 108 : 스토리지용 금속층
120 : 화소전극 122 : 버퍼층
123,124,126 : 절연층 125 : 유기발광부
127 : 전원배선 128 : 뱅크층
130 : 공통전극 141,144 : 보호층
142 : 유기층110: substrate 108: metal layer for storage
120: pixel electrode 122: buffer layer
123, 124, 126: insulating layer 125: organic light-
127: power supply wiring 128: bank layer
130: common electrode 141, 144: protective layer
142: organic layer

Claims (10)

복수의 화소영역을 포함하는 기판;
상기 기판의 화소영역 각각에 형성된 박막트랜지스터;
각각의 화소영역에 형성된 화소전극;
각각의 화소영역에 형성되어 광을 발광하는 유기발광부;
상기 유기발광부 위에 형성되어 유기발광부에 신호를 인가하는 공통전극; 및
상기 화소내에 절연층을 사이에 두고 배치되어 스토리지캐패시터를 형성하는 금속층 및 전원배선으로 구성되며,
상기 금속층 및 전원배선 사이의 절연층은 다른 영역의 절연층과는 다른 두께로 형성되어 스토리지캐패시터의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.A substrate including a plurality of pixel regions;
A thin film transistor formed in each pixel region of the substrate;
A pixel electrode formed in each pixel region;
An organic light emitting portion formed in each pixel region to emit light;
A common electrode formed on the organic light emitting portion and applying a signal to the organic light emitting portion; And
A metal layer disposed in the pixel with an insulating layer therebetween to form a storage capacitor, and a power supply wiring,
Wherein the insulating layer between the metal layer and the power supply wiring is formed to have a thickness different from that of the insulating layer in the other region to control the size of the storage capacitor. 제1항에 있어서, 상기 기판은 연성기판인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.The organic light emitting display device according to claim 1, wherein the substrate is a flexible substrate. 제2항에 있어서, 상기 연성기판은 폴리이미드로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.The organic light emitting display device according to claim 2, wherein the flexible substrate is made of polyimide. 제1항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는,
반도체층;
상기 반도체층이 형성된 기판에 형성된 제1절연층;
제1절연층 위에 형성된 게이트전극;
상기 게이트전극을 덮도록 기판위에 형성된 제2절연층; 및
제2절연층 위에 형성된 소스전극 및 드레인전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.The thin film transistor according to claim 1,
A semiconductor layer;
A first insulating layer formed on the substrate on which the semiconductor layer is formed;
A gate electrode formed on the first insulating layer;
A second insulating layer formed on the substrate to cover the gate electrode; And
And a source electrode and a drain electrode formed on the second insulating layer. 제4항에 있어서, 상기 금속층은 제1절연층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.The organic light emitting display according to claim 4, wherein the metal layer is formed on the first insulating layer. 제5항에 있어서, 상기 금속층은 게이트전극과 동일한 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.The organic light emitting display as claimed in claim 5, wherein the metal layer is made of the same metal as the gate electrode. 제4항에 있어서, 상기 전원배선은 제2절연층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.The organic light emitting display as claimed in claim 4, wherein the power supply line is formed on the second insulating layer. 제7항에 있어서, 상기 전원배선은 소스전극과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.8. The organic light emitting display as claimed in claim 7, wherein the power supply line is formed integrally with the source electrode. 제1항에 있어서, 금속층 및 전원배선 사이의 절연층은 다른 영역의 절연층보다 얇은 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.The organic electroluminescent display device according to claim 1, wherein the insulating layer between the metal layer and the power supply wiring is formed thinner than the insulating layer in the other region. 제1항에 있어서,
유기발광부 사이에 형성된 뱅크층;
상기 뱅크층이 형성된 기판 전체에 걸쳐 형성된 제1보호층;
상기 제1보호층 위에 형성된 유기절연층; 및
상기 유기절연층 위에 형성된 제2보호층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.The method according to claim 1,
A bank layer formed between the organic light emitting portions;
A first protective layer formed over the entire substrate on which the bank layer is formed;
An organic insulating layer formed on the first passivation layer; And
And a second passivation layer formed on the organic insulating layer.
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