KR102455579B1 - Organic light emitting display device and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 표시부와 구동부로 구성된 다수의 화소영역을 구비한 밴딩부가 정의된 기판과, 상기 기판의 밴딩부에 있는 화소영역들의 구동부에 구비된 무기막 적층부와, 화소영역들의 표시부에 있는 무기막 제거부와, 상기 무기막 적층부와 무기막 제거부를 포함한 기판 전면에 구비된 평탄화막와, 상기 무기막 적층부내에 있는 박막 트랜지스터 및, 상기 박막 트랜지스터와 접속되는 유기발광 다이오드 소자를 포함하는 유기전계 발광표시장치를 제공한다.The present invention relates to a substrate having a bending part defined having a plurality of pixel regions composed of a display unit and a driving unit, an inorganic film stacking unit provided in the driving unit of the pixel regions in the bending part of the substrate, and an inorganic film in the display unit of the pixel regions. Organic electroluminescence comprising: a removal part; A display device is provided.

Description

유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}Organic light emitting display device and manufacturing method thereof

본 발명은 유기전계 발광장치(Organic Light Emitting Diode Device, 이하 "OLED"라 칭함)에 관한 것으로서, 특히 유기전계 발광표시장치의 밴딩부(Bending Area)에서의 스트레스(stress)를 완화시켜 플렉서블 디스플레이(flexible display) 구현이 가능한 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode device (hereinafter referred to as "OLED"), and in particular, a flexible display (stress) in a bending area of an organic light emitting display device ( It relates to an organic light emitting display device capable of realizing flexible display and a method for manufacturing the same.

평판 디스플레이(FPD: Flat Panel Display) 중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한, 스스로 빛을 내는 자체 발광형이기 때문에 명암 대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(μs) 정도로 동화상 구형이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며, 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15 V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.An organic light emitting diode, which is one of flat panel displays (FPDs), has high luminance and low operating voltage characteristics. In addition, since it is a self-luminous type that emits light by itself, the contrast ratio is large, it is possible to implement an ultra-thin display, and the response time is several microseconds (μs), so it is easy to spherical a moving image, there is no limitation of the viewing angle, and it is low temperature. It is stable even in high speed, and it is driven with a low voltage of 5 to 15 V of DC, so it is easy to manufacture and design a driving circuit.

또한, 상기 유기전계 발광소자의 제조공정은 증착(Deposition) 및 인캡슐레이션(encapsulation) 장비가 전부라고 할 수 있기 때문에 제조 공정이 매우 단순하다.In addition, the manufacturing process of the organic light emitting device is very simple because it can be said that deposition and encapsulation equipment is everything.

이러한 특성을 갖는 유기전계 발광소자는 크게 패시브 매트릭스 타입과 매트릭스 타입으로 나뉘어지는데, 패시브 매트릭스 방식에서는 주사선(scan line)과 신호선(signal line)이 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하며, 각각의 픽셀을 구동하기 위하여 주사선을 시간에 따라 순차적으로 구동하므로, 요구되는 평균 휘도를 나타내기 위해서는 평균 휘도에 라인수를 곱한 것 만큼의 순간 휘도를 내야만 한다.The organic electroluminescent device having these characteristics is largely divided into a passive matrix type and a matrix type. In order to drive the scan lines sequentially according to time, in order to represent the required average luminance, instantaneous luminance equal to the average luminance multiplied by the number of lines must be provided.

그러나, 액티브 매트릭스 방식에서는, 화소영역을 온(on)/오프(off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)가 각 화소영역별로 위치하고, 이러한 스위칭 박막트랜지스터와 연결되며 구동 박막트랜지스터가 전원배선 및 유기전계 발광 다이오드와 연결되며, 각 화소영역별로 형성되고 있다.However, in the active matrix method, a thin film transistor (TFT), which is a switching element that turns on/off a pixel region, is located for each pixel region, is connected to such a switching thin film transistor, and the driving thin film transistor is It is connected to the power wiring and the organic light emitting diode, and is formed for each pixel area.

이때, 상기 구동 박막 트랜지스터와 연결된 제1 전극은 화소영역 단위로 온(on)/오프(off)되고, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극은 공통전극의 역할을 함으로써 이들 두 전극 사이에 개재된 유기 발광층과 더불어 상기 유기전계 발광 다이오드를 이룬다.In this case, the first electrode connected to the driving thin film transistor is turned on/off in units of pixel areas, and the second electrode facing the first electrode serves as a common electrode and is interposed between the two electrodes. Together with the organic light emitting layer, the organic light emitting diode is formed.

이러한 특징을 갖는 액티브 매트릭스 방식에서는 화소영역에 인가되는 전압이 스토리지 커패시터(Cst)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전원을 인가해 주도록 함으로써, 주사선 수에 관계없이 한 화면동안 계속해서 구동한다.In the active matrix method having these characteristics, the voltage applied to the pixel region is charged in the storage capacitor Cst, and power is applied until the next frame signal is applied. It runs continuously for the duration of the screen.

따라서, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가지므로 최근에는 액티브 매트릭스 타입의 유기전계 발광소자가 주로 이용되고 있다.Therefore, since the same luminance is displayed even when a low current is applied, it has the advantages of low power consumption, high definition, and large size, so an active matrix type organic light emitting diode is mainly used in recent years.

이러한 관점에서, 종래기술에 따른 유기전계 발광표시장치에 대해 도 1 내지 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.From this point of view, an organic light emitting display device according to the prior art will be described with reference to FIGS. 1 to 3 as follows.

도 1은 일반적인 유기전계 발광표시장치의 평면도로서, 밴딩부을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a plan view of a general organic light emitting display device, schematically showing a bending part.

도 2는 도 1의 A부를 확대한 평면도로서, 종래기술에 따른 유기전계 발광표시장치의 화소영역들의 배열 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다.FIG. 2 is an enlarged plan view of part A of FIG. 1 , and schematically shows an arrangement state of pixel areas of an organic light emitting display device according to the related art.

도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 유기전계 발광표시장치(1)는 기판(미도시, 도 3의 10 참조)에 정의되어 있는 표시부(미도시)과, 이 표시부 외곽에 정의되어 있는 베젤부(미도시)로 구성된다.Referring to FIG. 1 , an organic light emitting display device 1 according to the related art includes a display unit (not shown) defined on a substrate (not shown, see 10 of FIG. 3 ), and a bezel unit defined outside the display unit. (not shown) is composed of.

그리고, 상기 유기전계 발광표시장치(1)의 중앙부에는 밴딩부(BA: Bending Area)가 정의된다. 이때, 상기 밴딩부(BA)의 경우, 밴딩부(BA)을 기준으로 유기전계 발광표시장치(1)를 좌, 우 방향, 즉 수평 방향으로 밴딩시키게 되면 상기 밴딩부(BA)에서 밴딩이 이루어지게 된다.In addition, a bending area (BA) is defined in a central portion of the organic light emitting display device 1 . At this time, in the case of the bending portion BA, if the organic light emitting display device 1 is bent in the left and right directions, that is, horizontally, based on the bending portion BA, the bending is performed in the bending portion BA. will lose

도 2를 참조하면, 표시부에는 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)에 의해 포획되는 영역으로 정의되는 다수의 화소영역(P)이 구비되어 있다. Referring to FIG. 2 , the display unit includes a plurality of pixel regions P defined as regions captured by a gate line (not shown) and a data line (not shown).

상기 화소영역(P) 각각은 표시부(Pd)와 구동부(Pt)로 이루어져 있으며, 이러한 구성의 화소영역(P)들이 수평방향 및 수직방향으로 배열되어 있다.Each of the pixel regions P includes a display unit Pd and a driving unit Pt, and the pixel regions P of this configuration are arranged in horizontal and vertical directions.

그리고, 유기전계 발광표시장치(1)를 구성하는 다수의 화소영역(P)에는 무기막(20)이 형성되어 있다. 특히, 상기 화소영역(P) 각 각을 구성하는 구동부(Pt)와 표시부(Pd)는 물론 화소영역(P)들로 구성된 표시부(미도시)의 외곽에 있는 베젤부(미도시)에까지 무기막(20)이 형성되어 있다.In addition, the inorganic film 20 is formed in the plurality of pixel regions P constituting the organic light emitting display device 1 . In particular, the inorganic film extends to the driver Pt and the display unit Pd constituting each of the pixel regions P, as well as the bezel unit (not shown) outside the display unit (not shown) composed of the pixel regions P. (20) is formed.

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ부에 따른 단면도로서, 종래기술에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view taken along section III-III of FIG. 2 , and is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to the related art.

종래기술에 따른 유기전계 발광소자에 대해 좀 더 구체적으로 설명하면, 도 3에 도시된 바와 같이, 표시부(Pd)와 구동부(Pt)로 이루어진 다수의 화소영역 (P)이 정의된 기판(11) 전면에는 무기 절연물질로 구성된 버퍼층(12)이 형성되어 있으며, 상기 버퍼층(12)에는 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터로 이용되는 다수의 박막 트랜지스터(T)가 형성되어 있다.In more detail with respect to the organic electroluminescent device according to the prior art, as shown in FIG. 3 , a substrate 11 having a plurality of pixel regions P composed of a display unit Pd and a driving unit Pt is defined. A buffer layer 12 made of an inorganic insulating material is formed on the front surface, and a plurality of thin film transistors T used as switching thin film transistors and driving thin film transistors are formed on the buffer layer 12 .

상기 박막 트랜지스터들(T)은 액티브층(14)과 무기 절연물질로 구성된 게이트 절연막(22) 및, 상기 액티브층(14) 상의 게이트 절연막(22) 상에 형성된 게이트 전극(24)과, 이 게이트 전극(24)을 포함한 게이트 절연막(22) 상에 형성되며 무기 절연물질로 구성된 제1, 2 층간 절연막(26, 28)과, 층간 절연막들(26, 28) 상에서 상기 액티브층(14)의 소스영역(미도시) 및 드레인영역(미도시)과 각각 연결되며 서로 이격되는 소스전극(34) 및 드레인 전극(36)으로 이루어진다.The thin film transistors T include an active layer 14 and a gate insulating film 22 made of an inorganic insulating material, a gate electrode 24 formed on the gate insulating film 22 on the active layer 14 , and the gate The first and second interlayer insulating layers 26 and 28 formed on the gate insulating layer 22 including the electrode 24 and made of an inorganic insulating material, and the source of the active layer 14 on the interlayer insulating layers 26 and 28 . A source electrode 34 and a drain electrode 36 respectively connected to a region (not shown) and a drain region (not shown) and spaced apart from each other are formed.

이때, 상기 박막 트랜지스터들(T)은 각 화소영역(P)의 구동부(Pt)에 구비된다. 그리고, 상기 기판 전면에 형성된 게이트 절연막(22)과 제1, 2 층간 절연막 (26, 28)은 무기막 적층부(20)를 구성하며, 이 무기막 적층부(20)는 각 화소영역(P)의 표시부(Pd)와 구동부(Pt)에 걸쳐 형성된다.In this case, the thin film transistors T are provided in the driver Pt of each pixel region P. In addition, the gate insulating film 22 and the first and second interlayer insulating films 26 and 28 formed on the entire surface of the substrate constitute an inorganic film lamination part 20, and the inorganic film lamination part 20 is formed in each pixel region (P). ) is formed over the display portion Pd and the driving portion Pt.

상기 박막 트랜지스터(T) 위로는 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(36)을 노출시키는 드레인 콘택홀(미도시)을 갖는 무기 절연물질로 구성된 패시베이션막 (38) 및 유기 절연물질로 구성된 평탄화 막(40)이 적층되어 있다. On the thin film transistor T, a passivation film 38 made of an inorganic insulating material and a planarization film made of an organic insulating material having a drain contact hole (not shown) exposing the drain electrode 36 of the thin film transistor T ( 40) are stacked.

그리고, 상기 평탄화 막(40) 위로는 상기 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극 (36)과 상기 드레인 콘택홀(미도시)을 통해 접촉되며, 각 화소영역(P) 별로 분리된 형태를 가지는 애노드(anode)인 제1 전극(44)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제1 전극(44)은 각 화소영역(P)의 표시부(Pd)에 위치한다.Then, on the planarization layer 40, the drain electrode 36 of the thin film transistor T and the anode (not shown) are in contact with each other through the drain contact hole (not shown), and are separated for each pixel area P. A first electrode 44 that is an anode is formed. In this case, the first electrode 44 is positioned on the display portion Pd of each pixel area P.

그리고, 상기 제1 전극(44) 위로 각 화소영역(P)을 분리 형성하는 뱅크막 (46)이 형성되어 있다. 이때, 상기 뱅크막(46)은 인접하는 화소영역(P)들의 경계부에 배치되어 있다. A bank film 46 for separating each pixel region P is formed on the first electrode 44 . In this case, the bank layer 46 is disposed at the boundary between the adjacent pixel regions P. As shown in FIG.

상기 뱅크막(46)으로 둘러싸인 각 화소영역(P) 내의 상기 제1 전극(44) 위로는 각각 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기 발광층(48)이 형성되어 있다. An organic light emitting layer 48 emitting red, green, and blue light is formed on the first electrode 44 in each pixel region P surrounded by the bank layer 46 .

그리고, 상기 유기 발광층(48)과 상기 뱅크막(46)을 포함한 기판 전면에는 캐소드(cathode)인 제2 전극(50)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제1 전극(44)과 제2 전극(50) 및 이들 두 전극(44, 50) 사이에 개재된 유기 발광층(48)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다.A second electrode 50 serving as a cathode is formed on the entire surface of the substrate including the organic light emitting layer 48 and the bank layer 46 . At this time, the first electrode 44 and the second electrode 50 and the organic light emitting layer 48 interposed between the two electrodes 44 and 50 form an organic light emitting diode (E).

이와 같이, 종래기술에 따른 유기전계 발광표시장치는 접는 디스플레이 (foldable display) 구현시에 밴딩부(BA)에 스트레스(stress)가 가해져서 이 영역에 위치하는 금속배선 및 무기막 적층부에 크랙(crack)이 발생하게 된다. 특히, 무기막 적층부는 그 적층 영역의 두께가 증가할수록 스트레스(stress)에 취약하다.As described above, in the organic light emitting display device according to the prior art, when a foldable display is implemented, stress is applied to the bending portion BA, and cracks ( crack) occurs. In particular, the inorganic layer laminated portion is vulnerable to stress as the thickness of the laminated region increases.

따라서, 종래의 유기전계 발광표시장치를 이용하여 접는 디스플레이 구현시에 유기전계 발광표시장치의 밴딩부에 위치하는 다수의 화소영역에 형성된 금속배선 및 무기막 적층부에 크랙(crack)이 발생하게 됨으로써 이 영역에 위치하는 금속배선 등에 단선이 초래하여 소자 불량 등의 문제가 나타날 수 있다.Accordingly, when a folding display is implemented using the conventional organic light emitting display device, cracks are generated in the metal wiring and the inorganic film stacking portion formed in the plurality of pixel regions located in the bending portion of the organic light emitting display device. Disconnection of metal wires located in this region may cause problems such as device failure.

본 발명의 목적은 유기전계 발광표시장치의 밴딩부에 있는 다수의 화소영역의 표시부에 배치된 무기막들을 제거함으로써 금속배선 및 무기막의 크랙을 방지하여 플렉서블 디스플레이(flexible display) 구현이 가능하도록 한 유기전계 발광표시장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to prevent cracks in metal wiring and inorganic films by removing inorganic films disposed on a display portion of a plurality of pixel regions in a bending portion of an organic light emitting display device to realize a flexible display. To provide an electroluminescent display device.

전술한 과제를 해결하기 위하여, 일 측면에서, 본 발명은 표시부와 구동부로 구성된 다수의 화소영역을 구비한 밴딩부가 정의된 기판과, 상기 기판의 밴딩부에 있는 화소영역들의 구동부에 구비된 무기막 적층부와, 상기 화소영역들의 표시부에 있는 무기막 제거부와, 상기 무기막 적층부와 무기막 제거부를 포함한 기판 전면에 구비된 평탄화막과, 상기 무기막 적층부내에 있는 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터와 접속되는 유기발광 다이오드 소자를 포함하는 유기전계 발광표시장치를 제공할 수 있다. In order to solve the above problems, in one aspect, the present invention provides a substrate in which a bending part is defined having a plurality of pixel regions including a display unit and a driving unit, and an inorganic film provided in the driving unit of the pixel regions in the bending part of the substrate. a lamination portion, an inorganic film removing portion in the display portion of the pixel regions, a planarization film provided on the entire surface of the substrate including the inorganic film laminating portion and the inorganic film removing portion, a thin film transistor in the inorganic film laminating portion, and the thin film An organic light emitting diode display including an organic light emitting diode device connected to a transistor may be provided.

이러한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 상기 무기막 제거부는 벤딩부에 있으며 일 방향으로 배열된 화소영역들의 표시부에 일체로 구비될 수 있다.In the organic light emitting display device according to the present invention, the inorganic film removing part is in the bending part and may be integrally provided in the display part of the pixel areas arranged in one direction.

이러한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 상기 무기막 제거부는 벤딩부에 있는 화소영역들의 표시부는 물론 인접한 화소영역들의 경계부에 구비될 수 있다.In the organic light emitting display device according to the present invention, the inorganic film removing part may be provided at the boundary between adjacent pixel regions as well as the display part of the pixel regions in the bending part.

이러한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 상기 무기막 제거부는 기판의 밴딩부에 있는 화소영역들만 구비될 수 있다.In the organic light emitting display device according to the present invention, the inorganic film removing part may include only pixel regions in the bending part of the substrate.

이러한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 상기 무기막 적층부는 상기 밴딩부의 화소영역을 이루는 구동부 각각에 형성될 수 있다.In the organic light emitting display device according to the present invention, the inorganic layer stacking part may be formed in each of the driving parts constituting the pixel region of the bending part.

이러한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 상기 무기막 적층부는 밴딩부에 있으며 일 방향으로 배열된 화소영역들의 구동부에 일체로 형성될 수 있다.In the organic light emitting display device according to the present invention, the inorganic layer stacking part is in a bending part and may be integrally formed with the driving part of the pixel regions arranged in one direction.

이러한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 상기 무기막 적층부는 상기 무기막 제거부 사이에 섬 형태로 구비될 수 있다. In the organic light emitting display device according to the present invention, the inorganic layer stacking part may be provided in the form of an island between the inorganic layer removing parts.

이러한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 상기 무기막 적층부는 게이트 절연막과 층간 절연막을 포함할 수 있다. In the organic light emitting display device according to the present invention, the inorganic layer stacking part may include a gate insulating layer and an interlayer insulating layer.

이러한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 상기 무기막 적층부는 무기막 제거부를 사이에 두고 서로 이격되어 있다.In the organic light emitting display device according to the present invention, the inorganic layer stacking part is spaced apart from each other with the inorganic layer removing part interposed therebetween.

전술한 과제를 해결하기 위하여, 다른 측면에서, 본 발명은 표시부와 구동부로 구성된 다수의 화소영역을 구비한 밴딩부가 정의된 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판의 밴딩부에 있는 화소영역들의 구동부에 무기막 적층부를 형성하는 단계와, 상기 화소영역들의 표시부에 무기막 제거부를 형성하는 단계와, 상기 무기막 적층부와 무기막 제거부를 포함한 기판 전면에 평탄화막을 형성하는 단계와, 상기 무기막 적층부내에 있는 박막 트랜지스터과 접속되는 유기발광 다이오드 소자를 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광표시장치 제조방법을 제공할 수 있다. In order to solve the above problems, in another aspect, the present invention provides the steps of: providing a substrate in which a bending part is defined having a plurality of pixel regions including a display unit and a driving unit; Forming an inorganic film lamination portion, forming an inorganic film removing portion in the display portion of the pixel regions, forming a planarization film on the entire surface of the substrate including the inorganic film lamination portion and the inorganic film removing portion, in the inorganic film lamination portion It is possible to provide a method of manufacturing an organic light emitting display device comprising the step of forming an organic light emitting diode device connected to the thin film transistor in the.

이러한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치 제조방법에 있어서, 상기 무기막 제거부는 벤딩부에 있으며 일 방향으로 배열된 화소영역들의 표시부에 일체로 형성될 수 있다.In the method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention, the inorganic film removing part may be in a bending part and may be integrally formed with the display part of the pixel regions arranged in one direction.

이러한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치 제조방법에 있어서, 상기 무기막 제거부는 벤딩부에 있는 화소영역들의 표시부는 물론 인접한 화소영역들의 경계부에 형성될 수 있다.In the method for manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention, the inorganic film removing part may be formed on the boundary between adjacent pixel regions as well as the display part of the pixel regions in the bending part.

이러한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치 제조방법에 있어서, 상기 무기막 제거부는 기판의 밴딩부에 있는 화소영역들만 형성될 수 있다.In the method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention, the inorganic film removing part may be formed only in pixel regions in the bending part of the substrate.

이러한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치 제조방법에 있어서, 상기 무기막 적층부는 상기 밴딩부의 화소영역을 이루는 구동부 각각에 형성될 수 있다.In the method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention, the inorganic layer stacking part may be formed in each of the driving parts constituting the pixel region of the bending part.

이러한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치 제조방법에 있어서, 상기 무기막 적층부는 밴딩부에 있으며 일 방향으로 배열된 화소영역들의 구동부에 일체로 형성될 수 있다.In the method for manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention, the inorganic layer stacking part is in a bending part and may be integrally formed with the driving part of the pixel regions arranged in one direction.

이러한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치 제조방법에 있어서, 상기 무기막 적층부는 상기 기판의 밴딩부에 있는 화소영역들의 표시부에 있는 무기막들을 선택적으로 제거함으로써 섬 형태로 형성될 수 있다. In the method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention, the inorganic layer stacking part may be formed in an island shape by selectively removing inorganic layers in the display part of the pixel regions in the bending part of the substrate.

이러한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치 제조방법에 있어서, 상기 무기막 적층부는 게이트 절연막과 층간 절연막을 포함할 수 있다. In the method for manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention, the inorganic layer stacking part may include a gate insulating layer and an interlayer insulating layer.

이러한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치 제조방법에 있어서, 상기 무기막 적층부는 무기막 제거부 사이에 두고 서로 이격되어 형성될 수 있다.In the method for manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention, the inorganic layer stacking part may be formed to be spaced apart from each other with the inorganic layer removing part interposed therebetween.

본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법은 유기전계 발광표시장치의 밴딩부에 있는 다수의 화소영역의 표시부에 배치된 무기막들을 제거함으로써 기판의 밴딩부에 대응하는 금속배선 및 무기막의 크랙을 방지하여 플렉서블 디스플레이(flexible display) 구현이 가능하다. An organic light emitting display device and a method for manufacturing the same according to the present invention remove the inorganic layers disposed on the display portion of a plurality of pixel regions in the bending portion of the organic light emitting display device, thereby removing the metal wiring corresponding to the bending portion of the substrate and the inorganic film. It is possible to implement a flexible display by preventing cracks.

도 1은 일반적인 유기전계 발광표시장치의 평면도로서, 밴딩부을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 A부를 확대한 평면도로서, 종래기술에 따른 유기전계 발광표시장치의 화소영역들의 배열 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ부에 따른 단면도로서, 종래기술에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계 발광표시장치의 평면도로서, 밴딩부에서의 화소영역들을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기전계 발광표시장치의 평면도로서 , 밴딩부에서의 화소영역들을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 6은 도 4의 Ⅵ-Ⅵ선에 따른 단면도로서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도이다.
도 7a 내지 7p는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계 발광표시장치의 제조공정 단면도들이다.1 is a plan view of a general organic light emitting display device, schematically showing a bending part.
FIG. 2 is an enlarged plan view of part A of FIG. 1 , and schematically shows an arrangement state of pixel areas of an organic light emitting display device according to the related art.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along section III-III of FIG. 2 , and is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to the related art.
4 is a plan view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, and is a plan view schematically showing pixel regions in a bending portion.
5 is a plan view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention, and is a plan view schematically showing pixel regions in a bending portion.
6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI of FIG. 4, and is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
7A to 7P are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 유기전계 발광표시장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting display device according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계 발광표시장치의 평면도로서, 밴딩부에서의 화소영역들을 개략적으로 나타낸 평면도이다.4 is a plan view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, and is a plan view schematically showing pixel regions in a bending portion.

본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계 발광표시장치는 기판(미도시, 도 6의 110 참조)의 중앙부에 밴딩부(미도시, 도 1의 BA: Bending Area)가 정의되어 있다. 이때, 상기 밴딩부(BA)의 경우, 밴딩부(BA)을 기준으로 유기전계 발광표시장치를 좌, 우 방향, 즉 수평 방향으로 밴딩시키게 되면 상기 밴딩부(BA)에서 밴딩이 이루어지게 된다.In the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, a bending part (not shown, BA of FIG. 1 ) is defined in a central portion of a substrate (not shown, see 110 of FIG. 6 ). At this time, in the case of the bending portion BA, when the organic light emitting display device is bent in the left and right directions, that is, horizontally, based on the bending portion BA, the bending is performed in the bending portion BA.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계 발광표시장치는 밴딩부(미도시, 도 1의 BA 참조)에는 다수의 화소영역(P)이 구비되는데, 상기 화소영역(P) 각각은 표시부(Pd)와 구동부(Pt)로 이루어져 있으며, 이러한 구성의 화소영역(P)들이 수평방향 및 수직방향으로 배열되어 있다.Referring to FIG. 4 , in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, a plurality of pixel regions P are provided in a bending portion (not shown, refer to BA of FIG. 1 ). Each includes a display unit Pd and a driving unit Pt, and the pixel regions P of this configuration are arranged in the horizontal direction and the vertical direction.

그리고, 유기전계 발광표시장치를 구성하는 다수의 화소영역(P)의 구동부 (Pt)에는 무기막 적층부(120)가 형성되어 있고, 상기 표시부(Pd)에는 무기막 제거부(B)가 형성되어 있다. 이때, 상기 무기막 적층부(120)는 각 화소영역(P)의 구동부(Pt)에만 형성되어 있으며, 상기 무기막 제거부(B)는 각 화소영역(P)의 표시부 (Pd)는 물론 인접한 화소영역(P)들 사이의 경계부에도 형성되어 있다.In addition, the inorganic film stacking part 120 is formed in the driving part Pt of the plurality of pixel regions P constituting the organic light emitting display device, and the inorganic film removing part B is formed in the display part Pd. has been In this case, the inorganic layer stacking part 120 is formed only in the driving part Pt of each pixel region P, and the inorganic layer removing part B is adjacent to the display part Pd of each pixel region P as well. It is also formed at the boundary between the pixel regions P.

그리고, 상기 무기막 적층부(120)는 상기 무기막 제거부(B)를 사이에 두고 서로 이격되게 형성될 수 있다.In addition, the inorganic layer stacking part 120 may be formed to be spaced apart from each other with the inorganic layer removing part B interposed therebetween.

도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기전계 발광표시장치의 평면도로서, 밴딩부에서의 화소영역들을 개략적으로 나타낸 평면도이다.5 is a plan view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention, and is a plan view schematically illustrating pixel regions in a bending portion.

도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기전계 발광표시장치는 밴딩부(미도시, 도 1의 BA 참조)에는 다수의 화소영역(P)이 구비되는데, 상기 화소영역(P) 각각은 표시부(Pd)와 구동부(Pt)로 이루어져 있으며, 이러한 구성의 화소영역(P)들이 수평방향 및 수직방향으로 배열되어 있다.Referring to FIG. 5 , in the organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention, a plurality of pixel areas P are provided in a bending portion (not shown, refer to BA of FIG. 1 ). Each includes a display unit Pd and a driving unit Pt, and the pixel regions P of this configuration are arranged in the horizontal direction and the vertical direction.

그리고, 유기전계 발광표시장치를 구성하는 다수의 화소영역(P)의 구동부 (Pt)에는 무기막 적층부(120)가 형성되어 있고, 상기 표시부(Pd)에는 무기막 제거부(B)가 형성되어 있다. In addition, the inorganic film stacking part 120 is formed in the driving part Pt of the plurality of pixel regions P constituting the organic light emitting display device, and the inorganic film removing part B is formed in the display part Pd. has been

이때, 상기 무기막 적층부(120)는 일 방향으로 배열된 화소영역들(P)의 구동부(Pt) 전체에 일체로 형성되어 있다. 그리고, 상기 무기막 적층부(120)은 일 방향으로 배열된 화소영역들(P)의 구동부(Pt)는 물론 이들 구동부(Pt) 사이의 경계부에도 형성되어 있다.In this case, the inorganic layer stacking part 120 is integrally formed with the entire driving part Pt of the pixel regions P arranged in one direction. In addition, the inorganic layer stacking part 120 is formed not only in the driving part Pt of the pixel regions P arranged in one direction, but also in the boundary part between the driving parts Pt.

상기 무기막 제거부(B)는 일 방향으로 배열된 화소영역들(P)의 표시부(Pd) 전체에 일체로 형성되어 있다. 이때, 상기 무기막 제거부(B)는 일 방향으로 배열된 화소영역들(P)의 표시부(Pd)는 물론 이들 표시부(Pd) 사이의 경계부에도 형성되어 있다.The inorganic film removing part B is integrally formed on the entire display part Pd of the pixel regions P arranged in one direction. In this case, the inorganic film removing part B is formed not only on the display part Pd of the pixel regions P arranged in one direction but also on the boundary part between the display parts Pd.

본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치에 대해 도 6을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 여기서는 유기전계 발광표시장치의 밴딩부에 있는 화소영역(P)들을 구성하는 구성요소들을 토대로 설명하기로 한다. An organic light emitting display device according to the present invention will be described in more detail with reference to FIG. 6 as follows. Herein, the components constituting the pixel regions P in the bending portion of the organic light emitting display device will be described based on the elements.

도 6은 도 4의 Ⅵ-Ⅵ선에 따른 단면도로서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도이다.6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI of FIG. 4, and is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치는, 표시부(Pd)와 구동부(Pt)로 구성된 다수의 화소영역(P)을 구비한 밴딩부(미도시, 도 1의 BA 참조)가 정의된 기판(110)과, 상기 기판(110)의 밴딩부(BA)에 있는 화소영역(P)들의 구동부(Pt)에 구비된 무기막 적층부(120)와, 상기 화소영역(P)들의 표시부(Pd)에 있는 무기막 제거부(B)와, 상기 무기막 적층부(120)와 무기막 제거부(B)를 포함한 기판(110) 전면에 구비된 평탄화막(130)과, 상기 무기막 적층부(120) 내에 있는 박막 트랜지스터(T)와, 상기 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(136)과 접속되는 유기발광 다이오드 소자(E)를 포함한다.Referring to FIG. 6 , the organic light emitting display device according to the present invention includes a bending part (not shown, refer to BA of FIG. 1 ) including a plurality of pixel regions P composed of a display part Pd and a driving part Pt. A substrate 110 in which is defined, an inorganic layer stacking unit 120 provided in a driver Pt of the pixel regions P in a bending portion BA of the substrate 110, and the pixel region P a planarization film 130 provided on the entire surface of the substrate 110 including the inorganic film removal unit B in the display unit Pd of the The thin film transistor T in the inorganic film stacking part 120 and the organic light emitting diode element E connected to the drain electrode 136 of the thin film transistor T are included.

여기서, 상기 기판(110)에는 다수의 화소영역(P)이 정의되는데, 상기 화소영역(P) 각각은 표시부(Pd)와 구동부(Pt)로 이루어져 있다.Here, a plurality of pixel regions P are defined in the substrate 110 , and each of the pixel regions P includes a display unit Pd and a driving unit Pt.

상기 화소영역(P)은 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)에 의해 포획되는 영역으로 정의되며, 상기 데이터 배선(미도시)과 나란하게 전원배선(미도시)이 구비되어 있다.The pixel area P is defined as a region captured by a gate line (not shown) and a data line (not shown), and a power line (not shown) is provided in parallel with the data line (not shown).

그리고, 상기 다수의 각 화소영역(P)에는 스위칭 박막 트랜지스터(미도시) 및 구동 박막 트랜지스터(미도시)가 형성되어 있다. 여기서는 이들 스위칭 박막 트랜지스터(미도시) 및 구동 박막 트랜지스터(미도시)을 박막 트랜지스터(T)로 통칭하기로 한다.In addition, a switching thin film transistor (not shown) and a driving thin film transistor (not shown) are formed in each of the plurality of pixel regions P. Herein, the switching thin film transistor (not shown) and the driving thin film transistor (not shown) will be collectively referred to as a thin film transistor (T).

상기 기판(110)은, 도면에는 도시하지 않았지만, 캐리어 기판과 이 캐리어 기판상에 형성된 희생층 및 폴리이미드(PI: polyimide)와 같은 유기 절연물질로 구성된 유기막으로 구성되는데, 이 유기막 하부의 유리기판과 희생층은 유기전계 발광소자를 제조한 이후에 레이저 조사에 의해 분리된다.Although not shown in the drawing, the substrate 110 is composed of a carrier substrate, a sacrificial layer formed on the carrier substrate, and an organic film made of an organic insulating material such as polyimide (PI). The glass substrate and the sacrificial layer are separated by laser irradiation after the organic electroluminescent device is manufactured.

그리고, 본 발명에서의 기판(110)은 유기 절연물질인 폴리이미드로 구성된 유기막을 의미한다. And, in the present invention, the substrate 110 refers to an organic film made of polyimide, which is an organic insulating material.

상기 기판(110) 전면에는 절연물질 예를 들면 무기절연물질인 산화실리콘 (SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(112)이 형성되어 있다. 이때, 상기 버퍼층(112)을 후속 공정에서 형성되는 액티브층(114) 하부에 형성하는 이유는 상기 액티브층(114)의 결정화시에 상기 기판(110)의 내부로부터 나오는 알칼리 이온의 방출에 의한 상기 액티브층(114)의 특성 저하를 방지하기 위함이다. A buffer layer 112 made of an insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), which is an inorganic insulating material, is formed on the entire surface of the substrate 110 . At this time, the reason for forming the buffer layer 112 under the active layer 114 formed in a subsequent process is that the active layer 114 is crystallized due to the release of alkali ions from the inside of the substrate 110 . This is to prevent deterioration of the properties of the active layer 114 .

그리고, 상기 버퍼층(112) 상부의 각 화소영역(P)에는 상기 구동 영역(미도시) 및 스위칭 영역(미도시)에 대응하여 각각 순수 폴리 실리콘으로 이루어지며, 그 중앙부는 채널을 이루는 제1 영역(미도시) 그리고 상기 제1 영역(미도시) 양 측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제2 영역(미도시)으로 구성된 액티브층(114)이 형성되어 있다.In addition, each pixel region P on the buffer layer 112 is made of pure polysilicon corresponding to the driving region (not shown) and the switching region (not shown), and the central portion thereof is a first region forming a channel. (not shown) and an active layer 114 including a second region (not shown) doped with a high concentration of impurities is formed on both sides of the first region (not shown).

상기 밴딩부(BA)에 있는 다수의 화소영역(P)의 구동부(Pt)에 형성된 무기막 적층부(120)는 게이트 절연막(122)과 제1, 2 층간 절연막(126, 128)의 적층 구조로 이루어져 있다.The inorganic layer stacking part 120 formed in the driving part Pt of the plurality of pixel areas P in the bending part BA has a stacked structure of the gate insulating layer 122 and the first and second interlayer insulating layers 126 and 128 . consists of

그리고, 상기 무기막 제거부(B)는 상기 밴딩부(BA)에 있는 다수의 화소영역 (P)의 표시부(Pd)에 구비되어 있다. 즉, 상기 무기막 제거부(B)는 상기 무기막 적층부(120)가 제거된 지역을 의미한다. 특히, 상기 무기막 적층부(120)는 상기 무기막 제거부(B)를 사이에 두고 서로 이격되게 형성될 수 있다.In addition, the inorganic film removing part B is provided in the display part Pd of the plurality of pixel areas P in the bending part BA. That is, the inorganic film removal unit B refers to a region from which the inorganic film stacking unit 120 is removed. In particular, the inorganic layer stacking part 120 may be formed to be spaced apart from each other with the inorganic layer removing part B interposed therebetween.

이와 같은 무기막 적층부(120) 및 무기막 제거부(B)에 대해 구체적으로 살펴 보면 다음과 같다. The inorganic film stacking unit 120 and the inorganic film removing unit B will be described in detail as follows.

상기 액티브층(114)을 포함한 버퍼층(112) 상에는 무기 절연물질인 산화실리콘 (SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 게이트 절연막(122)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 절연막(122) 위로는 상기 구동 영역(미도시) 및 스위칭 영역(미도시)에 있어 상기 각 액티브층(114)의 채널인 제1 영역 (미도시)에 대응하여 게이트 전극(124)이 형성되어 있다.A gate insulating film 122 made of silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), which is an inorganic insulating material, is formed on the buffer layer 112 including the active layer 114 . In the driving region (not shown) and the switching region (not shown), the gate electrode 124 is formed to correspond to the first region (not shown) that is the channel of each active layer 114 .

그리고, 상기 게이트 절연막(122) 위로는 상기 스위칭 영역(미도시)에 형성된 게이트 전극(124)과 연결되며 일 방향으로 연장하며 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있다. A gate line (not shown) is formed on the gate insulating layer 122 , which is connected to the gate electrode 124 formed in the switching region (not shown) and extends in one direction.

이때, 상기 게이트 전극(124)과 게이트 배선(미도시)은 저저항 특성을 갖는 제1 금속물질, 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi) 중 어느 하나로 이루어져 단일 층 구조를 가질 수도 있으며, 또는 둘 이상의 상기 제1 금속물질로 이루어짐으로써 이중 층 또는 삼중 층 구조를 가질 수도 있다. At this time, the gate electrode 124 and the gate wiring (not shown) are formed of a first metal material having a low resistance characteristic, for example, aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), copper alloy, molybdenum ( Mo) and molithanium (MoTi) may have a single layer structure, or may have a double layer or triple layer structure by being made of two or more of the first metal material.

도면에 있어서는 상기 게이트 전극(124)과 게이트 배선(미도시)이 단일 층 구조를 갖는 것을 일례로 도시하였다. In the drawings, the gate electrode 124 and the gate wiring (not shown) have a single-layer structure as an example.

그리고, 상기 게이트 전극(124)과 게이트 배선(미도시)을 포함한 기판(110) 전면에는 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘 (SiNx)으로 이루어진 제1, 2 층간 절연막(126, 128)이 적층되어 있다. And, the first surface of the substrate 110 including the gate electrode 124 and the gate wiring (not shown) made of an insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), which is an inorganic insulating material, Two interlayer insulating films 126 and 128 are laminated.

상기 제1, 2, 층간 절연막(126, 128)과 그 하부의 게이트 절연막(122) 중 일부는 밴딩부(BA)의 각 화소영역(P)의 구동부(Pt)에 형성되어 있다. 이때, 상기 밴딩부(BA)의 각 화소영역(P)의 구동부(Pt)에 형성된 제1, 2, 층간 절연막(126, 128)과 그 하부의 게이트 절연막(122) 부분은 무기막 적층부(120)를 이룬다. Some of the first, second, and interlayer insulating layers 126 and 128 and the lower gate insulating layer 122 are formed in the driving part Pt of each pixel region P of the bending part BA. At this time, the first, second, and interlayer insulating layers 126 and 128 formed in the driving part Pt of each pixel region P of the bending part BA and the lower gate insulating layer 122 part are formed in the inorganic layer stacking part ( 120) is achieved.

그리고, 상기 무기막 적층부(120) 사이의 지역, 즉 밴딩부(BA)의 화소영역 (P)들의 표시부(Pd)에는 상기 무기막 적층부(120)가 형성되어 있지 않은 무기막 제거부(B)가 형성되어 있다. 이때, 상기 무기막 적층부(120)는 상기 무기막 제거부 (B)를 사이에 두고 서로 이격되게 형성될 수 있다.In addition, in the area between the inorganic layer stacking parts 120 , that is, in the display part Pd of the pixel areas P of the bending part BA, the inorganic layer removing part 120 in which the inorganic layer stacking part 120 is not formed ( B) is formed. In this case, the inorganic layer stacking part 120 may be formed to be spaced apart from each other with the inorganic layer removing part (B) interposed therebetween.

상기 무기막 적층부(120) 및 무기막 제거부(B)을 포함한 기판 전면에는 무기막 제거부(B)에 의한 단차를 보상하기 위해 제1 평탄화막(130)이 형성되어 있다. 이때, 상기 평탄화 막(113)으로는 절연물질, 예를 들어 포토 아크릴(Photo-Acyl)을 포함하는 유기기 절연물질 중에서 어느 하나를 선택하여 사용한다. A first planarization layer 130 is formed on the entire surface of the substrate including the inorganic layer stacking part 120 and the inorganic layer removing part B to compensate for the step difference caused by the inorganic layer removing part B. In this case, as the planarization layer 113 , any one of an insulating material, for example, an organic insulating material including photo-acyl, is selected and used.

그리고, 상기 제1 평탄화막(130)과 그 아래의 제1, 2, 층간 절연막(126, 128) 및 게이트 절연막(122)에는 상기 각 액티브층(114)의 제1 영역(미도시) 양 측면에 위치한 상기 제2 영역 (미도시) 각각을 노출시키는 소스영역 콘택홀(미도시, 도 7f의 132a 참조) 및 드레인 영역 콘택홀(미도시, 도 7f의 132b 참조)이 형성되어 있다. In addition, the first planarization layer 130 and the first, second, interlayer insulating layers 126 and 128 and the gate insulating layer 122 below the first planarization layer 130 have both side surfaces of the first region (not shown) of each active layer 114 . A source region contact hole (not shown, see 132a of FIG. 7F ) and a drain region contact hole (not shown, see 132b of FIG. 7F ) exposing each of the second regions (not shown) located in the ?

상기 제1 평탄화막(130) 상에는 소스영역 콘택홀(미도시, 도 7f의 132a 참조) 및 드레인 영역 콘택홀(미도시, 도 7f의 132b 참조)을 통해 노출된 상기 제2 영역(미도시)과 각각 접촉하는 소스전극(134) 및 드레인 전극(136)이 형성되어 있다. 이때, 상기 소스전극(134)으로 연장되는 데이터 배선(미도시)은 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의한다. 그리고, 상기 소스전극(134) 및 드레인 전극(136)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로 형성된다. The second region (not shown) exposed through a source region contact hole (not shown, see 132a of FIG. 7F ) and a drain region contact hole (not shown, see 132b of FIG. 7F ) on the first planarization layer 130 . A source electrode 134 and a drain electrode 136 in contact with each other are formed. In this case, a data line (not shown) extending to the source electrode 134 crosses the gate line (not shown) to define a pixel region P. In addition, the source electrode 134 and the drain electrode 136 are aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), molybdenum (MoTi), chromium (Cr), It is formed of any one or two or more materials of titanium (Ti).

따라서, 상기 액티브층(114)과 게이트 절연막(122) 및 게이트 전극(124)과 상기 소스전극(134) 및 드레인 전극(136)은 박막 트랜지스터(T)를 이룬다.Accordingly, the active layer 114 , the gate insulating layer 122 , the gate electrode 124 , the source electrode 134 , and the drain electrode 136 form a thin film transistor (T).

한편, 상기 박막 트랜지스터(T)는 폴리실리콘의 액티브층(114)을 가지며, 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성된 것을 일례로 나타내고 있지만, 상기 박막트랜지스터(T)는 비정질 실리콘의 반도체층을 갖는 바텀 게이트 타입 (Bottom gate type)으로 구성될 수 있음은 자명하다.On the other hand, although the thin film transistor T has an active layer 114 of polysilicon and is configured as a top gate type as an example, the thin film transistor T has an amorphous silicon semiconductor layer. It is self-evident that it may be configured as a bottom gate type.

상기 박막 트랜지스터(T)을 포함한 기판(110) 전면에는 예를 들어 무기 절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 구성된 패시베이션막(138)이 형성되어 있다. A passivation layer 138 made of, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), which is an inorganic insulating material, is formed on the entire surface of the substrate 110 including the thin film transistor T.

그리고, 상기 패시베이션막(138) 상부에는 제2 평탄화 막(140)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제2 평탄화 막(140)으로는 절연물질, 예를 들어 포토 아크릴 (Photo-Acyl)을 포함하는 유기기 절연물질 중에서 어느 하나를 선택하여 사용한다. A second planarization layer 140 is formed on the passivation layer 138 . In this case, as the second planarization layer 140 , any one of an insulating material, for example, an organic insulating material including photo-acyl, is selected and used.

상기 제2 평탄화 막(140)에는 애노드 전극인 제1 전극(144)이 상기 드레인 전극(136)과 전기적으로 접촉시키기 위한 드레인 콘택홀(미도시, 도 7j의 142 참조)이 형성되어 있다. A drain contact hole (not shown, refer to 142 of FIG. 7J ) is formed in the second planarization layer 140 , through which the first electrode 144 , which is an anode electrode, makes electrical contact with the drain electrode 136 .

그리고, 상기 평탄화 막(140) 위로는 상기 드레인 콘택홀(142)을 통해 상기 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(142)과 접촉되며, 각 화소영역(P) 별로 분리된 형태를 가지는 제1 전극(144)이 형성되어 있다. In addition, on the planarization layer 140 , the first electrode is in contact with the drain electrode 142 of the thin film transistor T through the drain contact hole 142 , and has a shape separated for each pixel region P. (144) is formed.

상기 제1 전극(144 위로는 각 화소영역(P)의 경계부에는 절연물질 특히 예를 들어 벤소사이클로부텐(BCB), 폴리 이미드(Poly -Imide) 또는 포토아크릴(photo acryl)로 이루어진 뱅크 막(146)이 형성되어 있다. 이때, 상기 뱅크 막(146)은 각 화소영역(P)을 둘러싸는 형태로 상기 제1 전극(144)의 테두리와 중첩되도록 형성되어 있으며, 각 화소영역(P) 전체적으로는 다수의 개구부를 갖는 격자 형태를 이루고 있다. Above the first electrode 144, at the boundary of each pixel region P, there is a bank layer ( 146 is formed, in this case, the bank layer 146 is formed to surround each pixel region P and overlap the edge of the first electrode 144, and the entire pixel region P is in the form of a lattice with a plurality of openings.

상기 뱅크 막(146)으로 둘러싸인 각 화소영역(P) 내의 상기 제1 전극(144) 위로는 각각 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기발광 패턴(미도시)으로 구성된 유기 발광층(148)이 형성되어 있다. An organic light emitting layer 148 composed of an organic light emitting pattern (not shown) emitting red, green, and blue light is formed on the first electrode 144 in each pixel region P surrounded by the bank film 146 . have.

이때, 상기 유기 발광층(148)은 유기 발광물질로 이루어진 단일 층으로 구성될 수도 있으며, 또는 도면에 나타나지 않았지만 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광 물질층 (emitting material layer), 전자 수송층 (electron transporting layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.In this case, the organic light emitting layer 148 may be composed of a single layer made of an organic light emitting material, or although not shown in the drawing, a hole injection layer, a hole transporting layer, and a light emitting layer are used to increase light emission efficiency. It may consist of multiple layers of an emitting material layer, an electron transporting layer and an electron injection layer.

그리고, 상기 유기 발광층(148)과 상기 뱅크 막(146)을 포함한 기판 전면에는 제2 전극(150)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제1 전극(144)과 제2 전극(150) 및 이들 두 전극(144, 150) 사이에 개재된 유기 발광층(148)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다. A second electrode 150 is formed on the entire surface of the substrate including the organic light emitting layer 148 and the bank layer 146 . In this case, the first electrode 144 and the second electrode 150 and the organic light emitting layer 148 interposed between the two electrodes 144 and 150 form an organic light emitting diode (E).

따라서, 상기 유기전계 발광 다이오드(E)는 선택된 색 신호에 따라 제1 전극 (144)과 제2 전극(150으로 소정의 전압이 인가되면, 제1 전극(144)으로부터 주입된 정공과 제2 전극(150)으로부터 제공된 전자가 유기발광층(148)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선 형태로 방출된다. Accordingly, when a predetermined voltage is applied to the first electrode 144 and the second electrode 150 according to the selected color signal, the organic light emitting diode E has holes injected from the first electrode 144 and the second electrode. Electrons provided from 150 are transported to the organic emission layer 148 to form excitons, and when these excitons are transitioned from an excited state to a ground state, light is generated and emitted in the form of visible light.

따라서, 유기발광층(148)으로부터 발광된 빛은 투명한 제2 전극(150)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, 유기전계 발광표시장치는 임의의 화상을 구현하게 된다.Accordingly, the light emitted from the organic light emitting layer 148 passes through the transparent second electrode 150 and goes out, so that the organic light emitting display device realizes an arbitrary image.

이와 같이, 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치는 유기전계 발광표시장치의 밴딩부에 있는 다수의 화소영역의 표시부에 배치된 무기막들을 제거함으로써 기판의 밴딩부에 대응하는 금속배선 및 무기막의 크랙을 방지하여 플렉서블 디스플레이(flexible display) 구현이 가능하다. As described above, the organic light emitting display device according to the present invention removes the inorganic layers disposed on the display portion of the plurality of pixel regions in the bending portion of the organic light emitting display device, thereby cracking the metal wiring corresponding to the bending portion of the substrate and the inorganic film. It is possible to implement a flexible display by preventing

한편, 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치 제조방법에 대해 도 7a 내지 7p를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, a method for manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 7A to 7P as follows.

도 7a 내지 7p는 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치의 제조공정 단면도들이다7A to 7P are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display device according to the present invention.

도 7a를 참조하면, 유리, 석영 등과 같은 투명한 물질로 이루어지며 평탄도가 유지되는 캐리어 기판(100) 상에 CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 증착 방법으로 희생층(102)을 형성한다. 이때, 상기 희생층(102)은 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H) 또는 수소화처리되고 불순물이 도핑된 비정질 실리콘(a-Si:H;n+ 또는 a-Si:H;p+)으로 형성한다. 희생층(102)의 수소는 추후 설명될 유리 기판의 실리콘과 결합되며 추후 설명된 제조 공정 중 레이저 조사 공정에 의해 희생층(102)의 수소와 캐리어 기판의 실리콘의 결합이 끊기므로 분리가 용이해진다.Referring to FIG. 7A , the sacrificial layer 102 is made of a transparent material such as glass or quartz and is deposited on a carrier substrate 100 having flatness maintained by a chemical vapor deposition (CVD) or plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method. ) to form At this time, the sacrificial layer 102 is formed of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) or hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H; n+ or a-Si:H;p+) doped with impurities. . The hydrogen of the sacrificial layer 102 is combined with silicon of the glass substrate to be described later, and the hydrogen of the sacrificial layer 102 and silicon of the carrier substrate are separated by the laser irradiation process during the manufacturing process to be described later, so that separation is easy. .

그런 다음, 상기 희생층(102) 상에 유기물질로 구성된 기판(110)을 형성한다. 이때, 상기 기판(110)은 하부 구조의 단차를 완화시키기 위한 평탄화막일 수도 있으며, 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지 (benzocy- clobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물 또는 실리콘 산화물을 액상 형태로 코팅한 다음 경화시키는 SOG(spin on glass)와 같은 무기물을 사용하여 형성할 수도 있다.Then, a substrate 110 made of an organic material is formed on the sacrificial layer 102 . In this case, the substrate 110 may be a planarization layer for alleviating the step difference of the lower structure, and an organic material such as polyimide, benzocyclobutene series resin, acrylate, or the like, or silicon. It can also be formed by using an inorganic material such as SOG (spin on glass) that is cured after coating the oxide in a liquid form.

이어, 상기 기판(110) 전면에 절연물질 예를 들면 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(112)을 형성한다. 이때, 상기 버퍼층(112)을 후속 공정에서 형성되는 액티브층(114) 하부에 형성하는 이유는 상기 액티브층(114)의 결정화시에 상기 기판(110)의 내부로부터 나오는 알칼리 이온의 방출에 의한 상기 액티브층(114)의 특성 저하를 방지하기 위함이다. Next, a buffer layer 112 made of an insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), which is an inorganic insulating material, is formed on the entire surface of the substrate 110 . At this time, the reason for forming the buffer layer 112 under the active layer 114 formed in a subsequent process is that the active layer 114 is crystallized due to the release of alkali ions from the inside of the substrate 110 . This is to prevent deterioration of the properties of the active layer 114 .

그런 다음, 상기 버퍼층(112) 상부의 각 화소영역(P)에 액티브층(114)을 형성한다. 이때, 상기 액티브층(114)은 구동 영역(미도시) 및 스위칭 영역(미도시)에 대응하여 각각 순수 폴리 실리콘으로 이루어지며, 그 중앙부는 채널을 이루는 제1 영역(미도시) 그리고 상기 제1 영역(미도시) 양 측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제2 영역(미도시)으로 구성된다.Then, an active layer 114 is formed in each pixel region P on the buffer layer 112 . In this case, the active layer 114 is made of pure polysilicon corresponding to a driving region (not shown) and a switching region (not shown), and the central portion thereof is a first region (not shown) forming a channel and the first region (not shown). The second region (not shown) is doped with a high concentration of impurities on both sides of the region (not shown).

이어, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층(114)을 포함한 버퍼층(112) 상에는 무기 절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 게이트 절연막(122)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 7B , a gate insulating layer 122 made of silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), which is an inorganic insulating material, is formed on the buffer layer 112 including the active layer 114 .

그런 다음, 상기 액티브층(114) 상의 게이트 절연막(122)에는 구동 영역(미도시) 및 스위칭 영역(미도시)에 있어 상기 각 액티브층(114)의 채널인 제1 영역 (미도시)에 대응하여 게이트 전극(124)을 형성한다. 이때, 상기 게이트 전극(124)의 물질로는 저저항 특성을 갖는 제1 금속물질, 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi) 중 어느 하나로 이루어져 단일 층 구조를 가질 수도 있으며, 또는 둘 이상의 상기 제1 금속물질로 이루어짐으로써 이중 층 또는 삼중 층 구조를 가질 수도 있다. 도면에 있어서는 상기 게이트 전극(124)은 단일 층 구조를 갖는 것을 일례로 도시하였다. Then, in the gate insulating layer 122 on the active layer 114, a driving region (not shown) and a switching region (not shown) correspond to a first region (not shown) that is a channel of each active layer 114 . Thus, the gate electrode 124 is formed. In this case, as the material of the gate electrode 124 , a first metal material having a low resistance characteristic, for example, aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), molybdenum is used. It may have a single-layer structure made of any one of titanium (MoTi), or may have a double-layer or triple-layer structure by being made of two or more of the first metal materials. In the drawings, the gate electrode 124 has a single-layer structure as an example.

이어, 도 7c를 참조하면, 상기 게이트 전극(124)을 포함한 기판(110) 전면에는 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 제1, 2 층간 절연막(126, 128)을 순차적으로 적층한다.Next, referring to FIG. 7C , the first and second surfaces of the substrate 110 including the gate electrode 124 are made of an insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), which is an inorganic insulating material. Interlayer insulating films 126 and 128 are sequentially stacked.

그런 다음, 도 7d를 참조하면, 상기 제1, 2 층간 절연막(126, 128) 및 게이트 절연막(122) 중 일부 즉, 기판의 밴딩부에 있는 화소영역들(P)의 표시부(Pd)에 있는 부분들을 제거하여 상기 밴딩부(BA)에 있는 다수의 화소영역(P)의 구동부(Pt)에 무기막 적층부(120)를 형성한다. 이때, 상기 무기막 적층부(120)는 게이트 절연막(122)과 제1, 2 층간 절연막(126, 128)의 적층 구조로 이루어져 있다.Then, referring to FIG. 7D , some of the first and second interlayer insulating layers 126 and 128 and the gate insulating layer 122 , that is, in the display part Pd of the pixel regions P in the bending part of the substrate, The inorganic layer stacking part 120 is formed in the driving part Pt of the plurality of pixel regions P in the bending part BA by removing the parts. In this case, the inorganic layer stacking part 120 has a stacked structure of the gate insulating layer 122 and the first and second interlayer insulating layers 126 and 128 .

그리고, 상기 제1, 2 층간 절연막(126, 128) 및 게이트 절연막(122) 중 일부가 제거된 지역은 무기막 제거부(B)으로 정의된다. 이때, 상기 무기막 제거부(B)는 상기 밴딩부(BA)에 있는 다수의 화소영역(P)의 표시부(Pd)에 위치한다. In addition, a region from which some of the first and second interlayer insulating layers 126 and 128 and the gate insulating layer 122 are removed is defined as an inorganic layer removing part B. In this case, the inorganic film removing part B is positioned on the display part Pd of the plurality of pixel areas P in the bending part BA.

상기 무기막 적층부(120) 사이의 지역, 즉 밴딩부(BA)의 화소영역(P)들의 표시부(Pd)에는 상기 무기막 적층부(120)가 형성되어 있지 않은 무기막 제거부(B)가 형성될 수도 있다. 특히, 상기 무기막 적층부(120)는 상기 무기막 제거부(B)를 사이에 두고 서로 이격되게 형성될 수 있다.In the region between the inorganic layer stacking parts 120 , that is, the display part Pd of the pixel areas P of the bending part BA, the inorganic layer removing part B in which the inorganic layer stacking part 120 is not formed. may be formed. In particular, the inorganic layer stacking part 120 may be formed to be spaced apart from each other with the inorganic layer removing part B interposed therebetween.

이어, 도 7e를 참조하면, 상기 무기막 적층부(120) 및 무기막 제거부(B)을 포함한 기판 전면에는 무기막 제거부(B)에 의한 단차를 보상하기 위해 제1 평탄화막(130)을 형성한다. 이때, 상기 평탄화 막(113)으로는 절연물질, 예를 들어 포토 아크릴(Photo-Acyl)을 포함하는 유기기 절연물질 중에서 어느 하나를 선택하여 사용한다. Next, referring to FIG. 7E , on the entire surface of the substrate including the inorganic layer stacking unit 120 and the inorganic layer removing unit B, a first planarization layer 130 is formed to compensate for the step caused by the inorganic layer removing unit B. to form In this case, as the planarization layer 113 , any one of an insulating material, for example, an organic insulating material including photo-acyl, is selected and used.

그런 다음, 도 7f를 참조하면, 상기 제1 평탄화막(130)과 그 아래의 제1, 2, 층간 절연막(126, 128) 및 게이트 절연막(122)을 노광 및 현상 공정을 통해 선택적으로 패터닝하여, 상기 각 액티브층(114)의 제1 영역(미도시) 양 측면에 위치한 상기 제2 영역 (미도시) 각각을 노출시키는 소스영역 콘택홀(132a) 및 드레인 영역 콘택홀(132b)을 형성한다. Then, referring to FIG. 7F , the first planarization layer 130 and the first, second, interlayer insulating layers 126 and 128 and the gate insulating layer 122 below it are selectively patterned through exposure and development processes. , to form a source region contact hole 132a and a drain region contact hole 132b exposing each of the second regions (not shown) located on both sides of the first region (not shown) of each active layer 114 . .

이어, 도 7g를 참조하면, 상기 제1 평탄화막(130) 상에 소스영역 콘택홀 (132a) 및 드레인 영역 콘택홀(132b)을 통해 노출된 상기 제2 영역(미도시)과 각각 접촉하는 소스전극(134) 및 드레인 전극(136)을 형성한다. Next, referring to FIG. 7G , the source contacts the second region (not shown) exposed through the source region contact hole 132a and the drain region contact hole 132b on the first planarization layer 130 , respectively. An electrode 134 and a drain electrode 136 are formed.

이때, 상기 소스전극(134)으로 연장되는 데이터 배선(미도시)은 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의한다. 그리고, 상기 소스전극(134) 및 드레인 전극(136) 물질로는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질이 사용될 수 있다. In this case, a data line (not shown) extending to the source electrode 134 crosses the gate line (not shown) to define a pixel region P. In addition, the source electrode 134 and the drain electrode 136 are made of aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), molybdenum (MoTi), and chromium (Cr). ), any one of titanium (Ti), or two or more materials may be used.

따라서, 상기 액티브층(114)과 게이트 절연막(122) 및 게이트 전극(124)과 상기 소스전극(134) 및 드레인 전극(136)은 박막 트랜지스터(T)를 이룬다.Accordingly, the active layer 114 , the gate insulating layer 122 , the gate electrode 124 , the source electrode 134 , and the drain electrode 136 form a thin film transistor (T).

한편, 상기 박막 트랜지스터(T)는 폴리실리콘의 액티브층(114)을 가지며, 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성된 것을 일례로 나타내고 있지만, 상기 박막트랜지스터(T)는 비정질 실리콘의 반도체층을 갖는 바텀 게이트 타입 (Bottom gate type)으로 구성될 수 있음은 자명하다.On the other hand, although the thin film transistor T has an active layer 114 of polysilicon and is configured as a top gate type as an example, the thin film transistor T has an amorphous silicon semiconductor layer. It is self-evident that it may be configured as a bottom gate type.

그런 다음, 도 7h를 참조하면, 상기 박막 트랜지스터(T)을 포함한 기판(110) 전면에는 예를 들어 무기 절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 구성된 패시베이션막(138)을 형성한다. Then, referring to FIG. 7H , on the entire surface of the substrate 110 including the thin film transistor T, a passivation film 138 made of, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), which is an inorganic insulating material, is formed. to form

이어, 도 7i를 참조하면, 상기 패시베이션막(138) 상부에 제2 평탄화 막 (140)을 형성한다. 이때, 상기 제2 평탄화 막(140)으로는 절연물질, 예를 들어 포토 아크릴 (Photo- Acyl)을 포함하는 유기기 절연물질 중에서 어느 하나를 선택하여 사용한다. Next, referring to FIG. 7I , a second planarization layer 140 is formed on the passivation layer 138 . In this case, as the second planarization layer 140 , an insulating material, for example, any one of organic insulating materials including photo-acyl is selected and used.

그런 다음, 도 7j를 참조하면, 상기 제2 평탄화 막(140)을 노광 및 현상 공정을 통해 선택적으로 패터닝하여 애노드 전극인 제1 전극(144)이 상기 드레인 전극(136)과 전기적으로 접촉시키기 위한 드레인 콘택홀(142)을 형성한다. Then, referring to FIG. 7J , the second planarization layer 140 is selectively patterned through an exposure and development process so that the first electrode 144, which is an anode electrode, is in electrical contact with the drain electrode 136 . A drain contact hole 142 is formed.

이어, 도 7k를 참조하면, 상기 평탄화 막(140) 상에 상기 드레인 콘택홀 (142)을 통해 상기 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(142)과 접촉되며, 각 화소영역(P) 별로 분리된 형태를 가지는 제1 전극(144)을 형성한다. Next, referring to FIG. 7K , the planarization layer 140 is in contact with the drain electrode 142 of the thin film transistor T through the drain contact hole 142 , and is separated for each pixel region P. A first electrode 144 having a shape is formed.

그런 다음, 도 7l를 참조하면, 상기 각 화소영역(P)의 경계부에 절연물질 특히 예를 들어 벤소사이클로부텐(BCB), 폴리 이미드(Poly -Imide) 또는 포토아크릴 (photo acryl)로 이루어진 뱅크 막(146)을 형성한다. 이때, 상기 뱅크 막(146)은 각 화소영역(P)을 둘러싸는 형태로 상기 제1 전극(144)의 테두리와 중첩되도록 형성되며, 각 화소영역(P) 전체적으로는 다수의 개구부를 갖는 격자 형태를 이루고 있다. Then, referring to FIG. 7L , a bank made of an insulating material, particularly, for example, bensocyclobutene (BCB), poly-Imide, or photo acryl at the boundary of each pixel region P A film 146 is formed. In this case, the bank layer 146 is formed to surround each pixel area P and overlap the edge of the first electrode 144 , and each pixel area P has a lattice shape having a plurality of openings as a whole. constitutes

이어, 도 7m을 참조하면, 상기 뱅크 막(146)으로 둘러싸인 각 화소영역(P) 내의 상기 제1 전극(144) 상에 각각 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기발광 패턴(미도시)으로 구성된 유기 발광층(148)을 형성한다. Next, referring to FIG. 7M , an organic light emitting pattern (not shown) for emitting red, green, and blue light is formed on the first electrode 144 in each pixel region P surrounded by the bank layer 146 , respectively. An organic light emitting layer 148 is formed.

이때, 상기 유기 발광층(148)은 유기 발광물질로 이루어진 단일 층으로 구성될 수도 있으며, 또는 도면에 나타나지 않았지만 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광 물질층 (emitting material layer), 전자 수송층 (electron transporting layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.In this case, the organic light emitting layer 148 may be composed of a single layer made of an organic light emitting material, or although not shown in the drawing, a hole injection layer, a hole transporting layer, and a light emitting layer are used to increase light emission efficiency. It may consist of multiple layers of an emitting material layer, an electron transporting layer and an electron injection layer.

그런 다음, 도 7n을 참조하면, 상기 유기 발광층(148)과 상기 뱅크 막(146)을 포함한 기판 전면에 제2 전극(150)을 형성한다. 이때, 상기 제1 전극(144)과 제2 전극(150) 및 이들 두 전극(144, 150) 사이에 개재된 유기 발광층(148)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다. Then, referring to FIG. 7N , a second electrode 150 is formed on the entire surface of the substrate including the organic emission layer 148 and the bank layer 146 . In this case, the first electrode 144 and the second electrode 150 and the organic light emitting layer 148 interposed between the two electrodes 144 and 150 form an organic light emitting diode (E).

따라서, 상기 유기전계 발광 다이오드(E)는 선택된 색 신호에 따라 제1 전극 (144)과 제2 전극(150)으로 소정의 전압이 인가되면, 제1 전극(144)으로부터 주입된 정공과 제2 전극(150)으로부터 제공된 전자가 유기발광층(148)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선 형태로 방출된다. Accordingly, when a predetermined voltage is applied to the first electrode 144 and the second electrode 150 according to the selected color signal, the organic light emitting diode (E) is formed with holes injected from the first electrode 144 and the second electrode. Electrons provided from the electrode 150 are transported to the organic light emitting layer 148 to form excitons, and when these excitons are transitioned from an excited state to a ground state, light is generated and emitted in the form of visible light.

이어, 도 7o를 참조하면, 캐리어 기판(100)의 배면에 레이저(laser)를 조사하여 캐리어 기판(100)과 기판(110) 사이의 계면을 분리시킨다. 이때, 상기 캐리어 기판(100)의 배면을 통해 캐리어 기판(100)과 기판(110) 사이에 형성된 희생층 (102)에 레이저가 조사되면, 희생층(102)인 비정질 실리콘에 함유된 수소가 탈수소화되면서 표면의 막 터짐 현상으로 인해 기판(110)으로부터 분리된다. 따라서, 상기 캐리어 기판(100)이 소자가 형성된 기판(110)으로부터 분리된다. Then, referring to FIG. 7O , the interface between the carrier substrate 100 and the substrate 110 is separated by irradiating a laser to the rear surface of the carrier substrate 100 . At this time, when a laser is irradiated to the sacrificial layer 102 formed between the carrier substrate 100 and the substrate 110 through the rear surface of the carrier substrate 100 , hydrogen contained in the amorphous silicon serving as the sacrificial layer 102 is dehydrated. As it is digested, it is separated from the substrate 110 due to a film bursting phenomenon on the surface. Accordingly, the carrier substrate 100 is separated from the substrate 110 on which the device is formed.

이때, 레이저 조사에 사용되는 레이저로는 DPSS(Diode Pumped Solid State; DPSS) 레이저 또는 엑시머(Eximer) 레이저 등을 사용한다. 특히, 레이저는 기판 (110) 상에 형성된 액티브층(114)에는 조사되지 않도록 한다. In this case, as a laser used for laser irradiation, a DPSS (Diode Pumped Solid State; DPSS) laser or an Eximer laser is used. In particular, the laser is not irradiated to the active layer 114 formed on the substrate 110 .

그런 다음, 도 7p를 참조하면, 레이저 조사 공정을 통해 기판(110)으로부터 캐리어 기판(100)을 분리함으로써 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치 제조공정을 완료한다. Then, referring to FIG. 7P , the organic light emitting display device manufacturing process according to the present invention is completed by separating the carrier substrate 100 from the substrate 110 through a laser irradiation process.

따라서, 이와 같은 공정 순으로 제조된 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치는 유기발광층(148)으로부터 발광된 빛은 투명한 제2 전극(150)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, 유기전계 발광표시장치는 임의의 화상을 구현하게 된다.Accordingly, in the organic light emitting display device according to the present invention manufactured in this order, the light emitted from the organic light emitting layer 148 passes through the transparent second electrode 150 and goes out, so the organic light emitting display device is An arbitrary image is realized.

이와 같이, 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치 제조방법은 유기전계 발광표시장치의 밴딩부에 있는 다수의 화소영역의 표시부에 배치된 무기막들을 제거함으로써 기판의 밴딩부에 대응하는 금속배선 및 무기막의 크랙을 방지하여 플렉서블 디스플레이(flexible display) 구현이 가능하다. As described above, in the method for manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention, the metal wiring corresponding to the bending portion of the substrate and the inorganic film are removed by removing the inorganic layers disposed on the display portion of the plurality of pixel regions in the bending portion of the organic light emitting display device. It is possible to implement a flexible display by preventing cracks in the film.

한편, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.On the other hand, those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the above-described present invention may be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential characteristics thereof.

그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the above detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention. do.

110: 기판 112: 버퍼층
120: 무기막 적층부 122: 게이트 절연막 126, 128: 제1, 2 층간 절연막 130: 제1 평탄화막 BA: 밴딩부 110: substrate 112: buffer layer
120: inorganic layer stacking part 122: gate insulating layers 126, 128: first and second interlayer insulating layers 130: first planarization layer BA: bending part

Claims (16)

표시부와 구동부로 구성된 다수의 화소영역을 구비한 밴딩부가 정의된 기판;
상기 기판의 밴딩부에 있는 화소영역들의 구동부에 구비된 무기막 적층부와, 화소영역들의 표시부에 있는 무기막 제거부;
상기 무기막 적층부와 무기막 제거부를 포함한 기판 전면에 구비된 제1 평탄화막;
상기 무기막 적층부내에 있는 박막 트랜지스터; 및
상기 박막 트랜지스터와 접속되는 유기발광 다이오드 소자;
상기 제1 평탄화막 상부에 형성되는 패시베이션막; 및
상기 패시베이션막의 상부에 형성되는 제2 평탄화막을를 포함하는 유기전계 발광표시장치.a substrate having a plurality of pixel regions including a display unit and a driving unit, the substrate having a bending unit defined thereon;
an inorganic film stacking unit provided in the driving unit of the pixel regions in the bending unit of the substrate, and an inorganic film removing unit in the display unit of the pixel regions;
a first planarization layer provided on the entire surface of the substrate including the inorganic layer stacking unit and the inorganic layer removing unit;
a thin film transistor in the inorganic film stack; and
an organic light emitting diode device connected to the thin film transistor;
a passivation film formed on the first planarization film; and
and a second planarization layer formed on the passivation layer. 제1 항에 있어서, 상기 무기막 제거부는 벤딩부에 있으며 일 방향으로 배열된 화소영역들의 표시부에 일체로 구비된 유기전계 발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 1 , wherein the inorganic film removing part is in a bending part and is integrally provided with the display part of the pixel areas arranged in one direction. 제1 항에 있어서, 상기 무기막 제거부는 벤딩부에 있는 화소영역들의 표시부는 물론 인접한 화소영역들의 경계부에 구비된 유기전계 발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 1 , wherein the inorganic film removing part is provided at a boundary between adjacent pixel regions as well as a display part of the pixel regions in the bending part. 제1 항에 있어서, 상기 무기막 제거부는 기판의 밴딩부에 있는 화소영역들만 구비된 유기전계 발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 1 , wherein the inorganic film removing unit includes only pixel regions in a bending portion of the substrate. 제1 항에 있어서, 상기 무기막 적층부는 상기 밴딩부의 화소영역을 이루는 구동부 각각에 형성된 유기전계 발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 1 , wherein the inorganic layer stacking part is formed in each of the driving parts constituting the pixel region of the bending part. 제1 항에 있어서, 상기 무기막 적층부는 밴딩부에 있으며 일 방향으로 배열된 화소영역들의 구동부에 일체로 형성된 유기전계 발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 1 , wherein the inorganic layer stacking part is in a bending part and is integrally formed with a driving part of the pixel areas arranged in one direction. 제1 항에 있어서, 상기 무기막 적층부는 상기 무기막 제거부를 사이에 두고 서로 이격되게 구비된 유기전계 발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 1 , wherein the inorganic layer stacking part is provided to be spaced apart from each other with the inorganic layer removing part interposed therebetween. 제1 항에 있어서, 상기 무기막 적층부는 게이트 절연막과 층간 절연막을 포함하는 유기전계 발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 1 , wherein the inorganic layer stacking unit includes a gate insulating layer and an interlayer insulating layer. 표시부와 구동부로 구성된 다수의 화소영역을 구비한 밴딩부가 정의된 기판을 제공하는 단계;
상기 기판의 밴딩부에 있는 화소영역들의 구동부에 무기막 적층부를 형성하는 단계;
상기 화소영역들의 표시부에 무기막 제거부를 형성하는 단계;
상기 무기막 적층부와 무기막 제거부를 포함한 기판 전면에 제1 평탄화막을 형성하는 단계;
상기 무기막 적층부내에 있는 박막 트랜지스터의 액티브층을 노출하기 위한 소스영역 콘택홀 및 드레인 영역 콘택홀을 형성하는 단계;
상기 제1 평탄화막 상에 상기 소스영역 콘택홀 및 상기 드레인영역 콘택홀을 통해 노출된 상기 액티브층과 각각 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 제1 평탄화막 상에 패시베이션막을 형성하는 단계;
상기 패시베이션막 상에 제2 평탄화막을 형성하는 단계; 및
상기 박막 트랜지스터의 상기 드레인 전극과 접속되는 유기발광 다이오드를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 무기막 적층부는 밴딩부에 있으며 일 방향으로 배열된 화소영역들의 구동부에 일체로 형성되는 유기전계 발광표시장치 제조방법. providing a substrate in which a bending part is defined having a plurality of pixel regions including a display part and a driving part;
forming an inorganic layer stacking part in the driving part of the pixel regions in the bending part of the substrate;
forming an inorganic film removal unit on the display portion of the pixel regions;
forming a first planarization layer on the entire surface of the substrate including the inorganic layer stacking part and the inorganic layer removing part;
forming a source region contact hole and a drain region contact hole for exposing the active layer of the thin film transistor in the inorganic layer stacking part;
forming a source electrode and a drain electrode in contact with the active layer exposed through the source region contact hole and the drain region contact hole on the first planarization layer, respectively;
forming a passivation layer on the source electrode, the drain electrode, and the first planarization layer;
forming a second planarization film on the passivation film; and
Forming an organic light emitting diode connected to the drain electrode of the thin film transistor,
The method for manufacturing an organic light emitting display device, wherein the inorganic layer stacking part is a bending part and is integrally formed with a driving part of the pixel regions arranged in one direction. 제9 항에 있어서, 상기 무기막 제거부는 벤딩부에 있으며 일 방향으로 배열된 화소영역들의 표시부에 일체로 구비된 유기전계 발광표시장치 제조방법.The method of claim 9 , wherein the inorganic film removing part is provided in the bending part and is integrally provided with the display part of the pixel areas arranged in one direction. 제9 항에 있어서, 상기 무기막 제거부는 벤딩부에 있는 화소영역들의 표시부는 물론 인접한 화소영역들의 경계부에 구비된 유기전계 발광표시장치 제조방법.The method of claim 9 , wherein the inorganic film removing unit is provided at a boundary between adjacent pixel regions as well as a display unit of the pixel regions in the bending part. 제9 항에 있어서, 상기 무기막 제거부는 기판의 밴딩부에 있는 화소영역들만 구비된 유기전계 발광표시장치 제조방법.The method of claim 9 , wherein the inorganic film removing unit includes only pixel regions in a bending portion of the substrate. 삭제delete 삭제delete 제9 항에 있어서, 상기 무기막 적층부는 상기 무기막 제거부를 사이에 두고 서로 이격되게 구비된 유기전계 발광표시장치 제조방법.The method of claim 9 , wherein the inorganic layer stacking part is provided to be spaced apart from each other with the inorganic layer removing part interposed therebetween. 제9 항에 있어서, 상기 무기막 적층부는 게이트 절연막과 층간 절연막을 포함하는 유기전계 발광표시장치 제조방법.The method of claim 9 , wherein the inorganic layer stacking unit includes a gate insulating layer and an interlayer insulating layer.
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