KR101992897B1 - Organic light emitting display device and method of fabricating thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 링크라인과 전원배선 사이의 단락을 방지할 수 있는 유기전계발광 표시소자에 관한 것으로, 패드영역 및 표시영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 표시영역의 복수의 화소영역 각각에 형성된 박막트랜지스터; 상기 표시영역의 화소영역에 형성된 화소전극; 상기 표시영역의 화소영역에 형성되어 광을 발광하는 유기발광부; 상기 유기발광부 위에 형성되어 유기발광층에 신호를 인가하는 공통전극; 상기 패드영역에 형성되어 표시영역에 신호를 인가하는 링크라인; 및 상기 패드영역에 형성되어 절연층을 사이에 두고 상기 링크라인과 오버랩되는 전원배선으로 구성되며, 상기 전원배선에는 링크라인과 오버랩되는 영역의 일부가 제거된 적어도 하나의 홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an organic light emitting display device capable of preventing a short circuit between a link line and a power supply line, the organic light emitting display device comprising: a substrate including a pad region and a display region; A thin film transistor formed in each of a plurality of pixel regions of a display region of the substrate; A pixel electrode formed in a pixel region of the display region; An organic light emitting portion formed in a pixel region of the display region and emitting light; A common electrode formed on the organic light emitting portion and applying a signal to the organic light emitting layer; A link line formed in the pad region and applying a signal to the display region; And a power supply line formed in the pad region and overlapping the link line with an insulating layer interposed therebetween, wherein at least one groove in which a part of the region overlapping the link line is removed is formed in the power supply line. do.

Description

유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic electroluminescent display device and a method of manufacturing the same. BACKGROUND ART < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 유기발광층 형성시 지지부재와의 접촉에 의한 불량을 방지할 수 있는 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic electroluminescent display device capable of preventing defects due to contact with a supporting member when an organic light emitting layer is formed and a method of manufacturing the same.

근래, 공액고분자(conjugate polymer)의 하나인 폴리(p-페닐린비닐린)(PPV)을 이용한 유기전계 발광소자가 개발된 이래 전도성을 지닌 공액고분자와 같은 유기물에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 이러한 유기물을 박막트랜지스터(Thin Film Transistor), 센서, 레이저, 광전소자 등에 응용하기 위한 연구도 계속 진행되고 있으며, 그 중에서도 유기전계발광 표시소자에 대한 연구가 가장 활발하게 진행되고 있다.Recently, organic electroluminescent devices using poly (p-phenylenevinylene) (PPV), which is one of conjugate polymers, have been developed, and research on organic materials such as conjugated polymers having conductivity has progressed actively . Studies for applying such organic materials to thin film transistors (TFTs), sensors, lasers, photoelectric elements and the like have been continuing, and organic electroluminescent display devices have been actively studied.

인광물질(phosphors) 계통의 무기물로 이루어진 전계발광소자의 경우 작동전압이 교류 200V 이상 필요하고 소자의 제작 공정이 진공증착으로 이루어지기 때문에 대형화가 어렵고 특히 청색발광이 어려울 뿐만 아니라 제조가격이 높다는 단점이 있다. 그러나, 유기물로 이루어진 전계발광소자는 뛰어난 발광효율, 대면적화의 용이화, 공정의 간편성, 특히 청색발광을 용이하게 얻을 수 있다는 장점과 함께 휠 수 있는 전계발광소자의 개발이 가능하다는 점등에 의하여 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.In the case of an electroluminescent device made of a phosphorescent inorganic material, an AC voltage of 200 V or more is required, and since the manufacturing process of the device is formed by vacuum deposition, it is difficult to increase the size of the device. Especially, have. However, since an electroluminescent device made of an organic material can develop an electroluminescent device capable of easily producing an electroluminescent device with excellent light emission efficiency, easiness of large-scale surface preparation, simplicity of process, particularly blue light emission, And is spotlighted as a display device.

특히, 현재에는 액정표시장치와 마찬가지로 각 화소(pixel)에 능동형 구동소자를 구비한 액티브 매트릭스(Active Matrix) 전계발광 표시소자가 평판표시장치(Flat Panel Display)로서 활발히 연구되고 있다.Particularly, active matrix electroluminescent display devices having active driving elements in each pixel are actively studied as flat panel displays in the same manner as liquid crystal display devices.

도 1은 종래 유기전계발광 표시소자의 구조를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a structure of a conventional organic light emitting display device.

도 1에 도시된 바와 같이, 유기전계발광 표시소자(1)는 표시영역과 상기 표시영역의 상부 및 일측에 형성되는 패드영역으로 이루어진다. 표시영역은 실제 화상이 구현되는 영역으로, 서로 수직방향으로 배치되는 게이트라인(22)과 데이터라인(12)에 의해 복수의 화소가 정의된다.As shown in FIG. 1, the organic light emitting display device 1 includes a display region and a pad region formed on one side of the display region. The display region is an area in which an actual image is implemented, and a plurality of pixels are defined by the gate line 22 and the data line 12 arranged in the direction perpendicular to each other.

패드영역에는 게이트구동부(20)와 데이터구동부(10)가 형성된다. 또한, 상기 패드영역에는 표시영역의 데이터라인(12) 및 게이트라인(22)과 전기적으로 연결되는 데이터링크라인(16) 및 게이트링크라인(24)이 형성되어 각각 데이터구동부(10) 및 게이트구동부(20)와 전기적으로 연결된다. 또한, 패드영역에는 전원배선(18)이 배치되고 상기 전원배선(18)에는 파워라인(14)이 연결되어 외부로부터 표시영역내에 전압(Vdd)을 인가한다.The gate driver 20 and the data driver 10 are formed in the pad region. A data link line 16 and a gate link line 24 electrically connected to the data line 12 and the gate line 22 of the display region are formed in the pad region and are connected to the data driver 10 and the gate driver 22, (Not shown). A power supply line 18 is disposed in the pad region and a power line 14 is connected to the power supply line 18 to apply a voltage Vdd within the display region from the outside.

상기 파워라인(14)은 데이터라인(12)과 평행하게 배열된다. 각각의 화소 내부에는 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동박막트랜지스터(Td), 캐패시터(C) 및 유기발광소자(E)가 구비된다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트전극은 게이트라인(22)에 연결되어 있고 소스전극은 데이터라인(12)에 연결되어 있으며, 드레인전극은 구동박막트랜지스터(Td)의 게이트전극에 연결되어 있다. 또한, 상기 구동트랜지스터(Td)의 소스전극은 파워라인(14)에 연결되어 있고 드레인전극은 발광소자(E)에 연결되어 있다.The power lines 14 are arranged in parallel with the data lines 12. In each pixel, a switching thin film transistor Ts, a driving thin film transistor Td, a capacitor C and an organic light emitting element E are provided. The gate electrode of the switching thin film transistor Ts is connected to the gate line 22, the source electrode thereof is connected to the data line 12, and the drain electrode thereof is connected to the gate electrode of the driving thin film transistor Td. The source electrode of the driving transistor Td is connected to the power line 14 and the drain electrode of the driving transistor Td is connected to the light emitting element E.

이러한 구성의 유기전계발광 표시소자에서 게이트라인(22)을 통해 주사신호가 입력되면 상기 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트전극에 신호가 인가되어 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 구동한다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 구동함에 따라 데이터라인(12)을 통해 입력되는 데이터신호가 소스전극 및 드레인전극을 통해 구동박막트랜지스터(Td)의 게이트전극에 입력되어 상기 구동박막트랜지스터(Td)가 구동하게 된다.When a scan signal is inputted through the gate line 22 in the organic EL display device having such a structure, a signal is applied to the gate electrode of the switching TFT Ts to drive the switching TFT Ts. As the switching TFT Ts is driven, a data signal input through the data line 12 is input to the gate electrode of the driving TFT Td through the source electrode and the drain electrode, so that the driving TFT Td .

이때, 상기 파워라인(14)에는 전류가 흐르며, 상기 구동박막트랜지스터(Td)가 구동함에 따라 파워라인(14)의 전류가 소스전극 및 드레인전극을 통해 발광소자(E)에 인가된다. 이때, 상기 구동박막트랜지스터(Td)를 통해 출력되는 전류는 게이트전극과 드레인전극 사이의 전압에 따라 크기가 달라진다.At this time, current flows through the power line 14. As the driving thin film transistor Td is driven, the current of the power line 14 is applied to the light emitting element E through the source electrode and the drain electrode. At this time, the current outputted through the driving thin film transistor Td varies in size depending on the voltage between the gate electrode and the drain electrode.

발광소자(E)는 유기발광물질로 이루어진 유기발광소자로서 상기 구동박막트랜지스터(Td)를 통해 전류가 입력됨에 따라 발광하여 영상을 표시한다. 이때, 발광되는 광의 세기는 인가되는 전류의 세기에 따라 달라지므로, 상기 전류의 세기를 조절함으로써 광의 세기를 조절할 수 있게 된다.The light emitting device E is an organic light emitting device formed of an organic light emitting material and emits light when a current is inputted through the driving thin film transistor Td to display an image. At this time, since the intensity of the light emitted varies according to the intensity of the applied current, the intensity of the light can be controlled by adjusting the intensity of the current.

그러나, 상기와 같은 구조의 유기전계발광 표시소자는 다음과 같은 문제가 발생한다.However, the organic electroluminescent display device having the above-described structure has the following problems.

도 2에 도시된 바와 같이, 유기전계발광 표시소자는 모기판(80) 상에 복수의 표시소자(1)를 형성한 후, 상기 모기판(80)을 절단함으로써 개개의 유기전계발광 표시소자를 완성한다.2, the organic electroluminescence display device includes a plurality of display elements 1 formed on a mother substrate 80, and then the mother substrate 80 is cut to form individual organic light emitting display elements. It completes.

한편, 유기전계발광 표시소자의 유기발광층은 섀도우마스크를 이용한 열증착에 의해 형성되는데, 이때 증착은 모기판 단위로 이루어진다. 이러한 열증착은 모기판(80)을 지지부재에 로딩한 상태로 섀도우마스크를 모기판의 하부 또는 상부에 배치한 후 실행되는데, 도 3a-3c에 이러한 열증착을 도시하였다.On the other hand, the organic light emitting layer of the organic electroluminescence display device is formed by thermal evaporation using a shadow mask, wherein the deposition is performed in units of mother substrates. Such thermal evaporation is performed after placing the shadow mask on the lower or upper portion of the mother board with the mother substrate 80 being loaded on the supporting member, and this thermal evaporation is shown in Figures 3A-3C.

도 3a은 복수의 유기전계발광 표시소자가 형성되는 모기판(80)을 지지하는 지지부재(70)를 나타내는 도면이다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 상기 지지부재(70)는 모기판(80)의 가장자리영역이 놓이는 본체(71)와, 상기 본체(71) 사이에 형성되어 모기판(80)의 유기전계발광 표시소자 사이의 더미영역이 놓이는 지지대(72)로 구성된다.3A is a view showing a supporting member 70 for supporting a mother board 80 on which a plurality of organic light emitting display elements are formed. 3A, the support member 70 includes a main body 71 in which an edge region of the mother substrate 80 is placed, and a plurality of organic electroluminescent And a support table 72 in which a dummy area between elements is placed.

도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 지지부재(70) 위에 모기판(80)을 배치하고 그 하부에 섀도우마스크(90)를 배치하여 일부 영역을 블로킹한 상태에서 유기발광물질을 열증착하여 모기판(80)상에 유기발광층을 형성한다. 이때, 섀도우마스크(90)는 투과부와 차단부로 이루어지는데, 투과부는 유기전계발광 표시소자의 유기발광층이 형성될 영역에 정렬되고 차단부는 복수의 유기전계발광 표시소자 사이의 영역, 유기전계발광 표시소자의 패드영역 등에 정렬된다.3B, a mother substrate 80 is disposed on the support member 70, a shadow mask 90 is disposed on the mother substrate 90, and a part of the shadow mask 90 is blocked. Emitting layer 80 is formed. In this case, the shadow mask 90 is composed of a transmissive portion and a blocking portion. The transmissive portion is aligned with a region where the organic light emitting layer of the organic electroluminescent display device is to be formed, and the shielding portion is a region between the plurality of organic electroluminescent display elements, And the like.

도 3c은 지지부재(70) 위에 모기판(80)을 로딩했을 때의 지지대(72) 위에 배치되는 모기판(80)을 나타내는 부분 확대도이다. 도 3c에 도시된 바와 같이, 지지부재(70) 위에는 충격을 흡수할 수 있는 패드(74)가 설치되어, 모기판(80)이 상기 패드(74) 위에 배치된다.3C is a partial enlarged view showing the mother board 80 placed on the supporting table 72 when the mother board 80 is loaded on the supporting member 70. Fig. 3C, a pad 74 capable of absorbing impact is provided on the supporting member 70, and a mother board 80 is disposed on the pad 74. [

모기판(80)은 유리와 같은 무거운 물질로 형성된다. 따라서, 모기판(80)을 패드(74) 위에 배치할 때, 모기판(80)의 자중에 의해 모기판(80)이 패드(74)의 좌우측에서 휘게 된다. 휘어진 모기판(80)은 지지부재(70)의 모서리에 접촉하게 되며, 접촉된 영역의 마찰력에 의해 접촉된 영역에 스크래치가 발생하게 된다.The mother board 80 is formed of a heavy material such as glass. Therefore, when the mother substrate 80 is placed on the pad 74, the mother substrate 80 is bent at the right and left sides of the pad 74 by the self weight of the mother substrate 80. [ The bent mother substrate 80 comes into contact with the edge of the support member 70, and scratches are generated in the contacted area due to the frictional force of the contacted area.

통상적으로, 지지대(72)는 유기전계발광 표시소자 사이의 더미영역의 폭에 대응되도록 형성되어, 휨이 발생하는 경우 유기전계발광 표시소자의 패드영역의 전원배선(18)이 형성된 영역이 지지대(72)와 접촉하게 된다.In general, the support 72 is formed to correspond to the width of the dummy area between the organic light emitting display devices, and when a warp occurs, a region where the power supply wiring 18 of the pad area of the organic light emitting display device is formed is supported by the support 72).

한편, 상기 전원배선(18)은 데이터링크라인(16)과 절연층을 사이에 두고 일부 영역이 오버랩된다. 따라서, 모기판(80)의 휨에 의해 스크래치가 발생하는 경우, 절연층이 파괴되어 전원배선(18)과 데이터링크라인(16)이 단락되는데, 이러한 단락은 유기전계발광 표시소자의 불량을 야기하는 중요한 문제가 된다.On the other hand, the power supply line 18 overlaps with a part of the area between the data link line 16 and the insulating layer. Therefore, when scratches are generated by the warp of the mother substrate 80, the insulating layer is broken, and the power supply line 18 and the data link line 16 are short-circuited. Such a short circuit causes the organic light- This is an important issue.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 링크배선과 전원배선이 단락되는 것을 방지할 수 있는 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic electroluminescence display device and a method of manufacturing the same that can prevent short-circuit between a link wiring and a power supply wiring.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자는 패드영역 및 표시영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 표시영역의 복수의 화소영역 각각에 형성된 박막트랜지스터; 상기 표시영역의 화소영역에 형성된 화소전극; 상기 표시영역의 화소영역에 형성되어 광을 발광하는 유기발광부; 상기 유기발광부 위에 형성되어 유기발광층에 신호를 인가하는 공통전극; 상기 패드영역에 형성되어 표시영역에 신호를 인가하는 링크라인; 및 상기 패드영역에 형성되어 절연층을 사이에 두고 상기 링크라인과 오버랩되는 전원배선으로 구성되며, 상기 전원배선에는 링크라인과 오버랩되는 영역의 일부가 제거된 적어도 하나의 홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an organic light emitting display device according to the present invention includes a substrate including a pad region and a display region; A thin film transistor formed in each of a plurality of pixel regions of a display region of the substrate; A pixel electrode formed in a pixel region of the display region; An organic light emitting portion formed in a pixel region of the display region and emitting light; A common electrode formed on the organic light emitting portion and applying a signal to the organic light emitting layer; A link line formed in the pad region and applying a signal to the display region; And a power supply line formed in the pad region and overlapping the link line with an insulating layer interposed therebetween, wherein at least one groove in which a part of the region overlapping the link line is removed is formed in the power supply line. do.

상기 전원배선은 제1절연층 위에 형성되고 링크라인은 제2절연층 위에 형성되며, 전원배선에 형성되는 하나의 홈은 하나의 링크라인에 대응할 수도 있고 복수의 링크라인에 대응할 수도 있으며, 전처의 링크라인에 대응할 수도 있다.The power supply wiring is formed on the first insulating layer and the link line is formed on the second insulating layer. One groove formed in the power supply wiring may correspond to one link line or a plurality of link lines, It may correspond to a link line.

또한, 본 발명의 유기전계발광 표시소자 제조방법은 패드영역과 표시영역으로 이루어진 기판을 제공하는 단계; 상기 기판의 표시영역의 복수의 화소영역 각각에 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 기판에 전원배선을 형성하는 단계; 상기 표시영역의 화소영역에 화소전극을 형성하는 단계; 패드영역에 링크라인을 형성하는 단계; 기판을 지지부재에 로딩하고 마스크를 배치한 후 유기물질을 증착하여 유기발광부를 형성하는 단계; 및 상기 유기발광부 위에 공통전극을 형성하는 단계로 구성되며, 상기 전원배선에는 링크라인과 오버랩되는 영역의 일부가 제거된 적어도 하나의 홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic electroluminescent display device, including: providing a substrate having a pad region and a display region; Forming a thin film transistor in each of a plurality of pixel regions of a display region of the substrate; Forming a power wiring on the substrate; Forming a pixel electrode in a pixel region of the display region; Forming a link line in the pad region; Depositing a substrate on a support member, disposing a mask, and depositing an organic material to form an organic light emitting portion; And forming a common electrode on the organic light emitting part, wherein at least one groove is formed in the power wiring line, the part of which is overlapped with the link line.

전원배선의 홈은 링크라인과 오버랩되는 영역중 기판의 자중에 의해 지지부재와 접촉하는 영역에 형성되며, 상기 전원배선의 홈의 길이는 링크라인의 폭 및 개수에 따라 결정된다.The groove of the power supply wiring is formed in a region that is in contact with the support member due to the self weight of the substrate among regions overlapping the link line, and the length of the groove of the power supply wiring is determined according to the width and number of the link lines.

또한, 상기 전원배선의 홈의 폭은 기판과 지지부재가 접촉하는 면적에 따라 결정되고 상기 기판과 지지부재가 접촉하는 면적은 지지부재의 크기 및 기판의 무게에 따라 결정된다.Further, the width of the groove of the power supply wiring is determined according to the area of contact between the substrate and the supporting member, and the area of contact between the substrate and the supporting member is determined by the size of the supporting member and the weight of the substrate.

본 발명에서는 전원배선의 일부를 제거하여 데이터링크라인과 오버랩되는 영역의 일부를 제거하여 적어도 하나의 홈을 형성하여, 유기발광층 형성시 기판과 지지부재의 접촉에 의해 제2절연층이 파손되는 경우에도 데이터링크라인과 전원배선의 전기적 단락에 의한 불량이 발생하지 않게 된다.In the present invention, at least one groove is formed by removing a part of a region overlapping the data link line by removing a part of the power supply line, and when the second insulation layer is broken by the contact between the substrate and the support member So that defects due to electrical shorting of the data link line and the power supply line do not occur.

도 1은 종래 유기전계발광 표시소자의 구조를 간략하게 나타내는 평면도.
도 2는 모기판에 복수의 유기전계발광 표시소자가 형성된 것을 나타내는 도면.
도 3a-도 3c는 지지부재를 이용하여 유기발광층을 형성하는 것을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자의 구조를 간략하게 나타내는 평면도.
도 5는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자의 구조를 나타내는 단면도.
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 전원배선의 다른 구조를 나타내는 도면.
도 7a-도 7f는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자의 제조방법을 나타내는 도면.1 is a plan view schematically showing a structure of a conventional organic light emitting display device.
2 is a view showing a plurality of organic light emitting display elements formed on a mother substrate;
3A to 3C are diagrams illustrating the formation of an organic light emitting layer using a support member.
4 is a plan view schematically showing the structure of an organic light emitting display device according to the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting display device according to the present invention.
6A and 6B are views showing another structure of a power supply wiring according to the present invention.
7A to 7F are views showing a method of manufacturing an organic electroluminescence display device according to the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4은 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자의 구조를 간략하게 나타내는 평면도이다.4 is a plan view schematically illustrating the structure of an organic light emitting display device according to the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자(101)는 표시영역(A/A)과 상기 표시영역의 상부 및 일측에 형성되는 패드영역(P)으로 이루어진다. 4, the organic light emitting display device 101 includes a display area A / A and a pad area P formed on one side of the display area.

패드영역(P)에는 게이트구동부(120)와 데이터구동부(110)가 형성된다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 게이트구동부(120) 및 데이터구동부(110)는 유리기판 위에 직접 트랜지스터 등의 집적회로를 형성함으로써 형성될 수도 있고 칩(chip)형태의 구동소자를 기판상에 실장함으로써 형성할 수도 있다. 또한, 상기 게이트구동부(120)는 기판에 부착된 TCP(Tape Carrier Pakage) 위에 실장될 수도 있다.The gate driver 120 and the data driver 110 are formed in the pad region P. Although not shown in the figure, the gate driver 120 and the data driver 110 may be formed by directly forming an integrated circuit such as a transistor on a glass substrate, or by mounting a driving element in the form of a chip on a substrate You may. The gate driver 120 may be mounted on a TCP (Tape Carrier Package) attached to a substrate.

상기 패드영역(P)에는 표시영역의 데이터라인(112) 및 게이트라인(122)과 전기적으로 연결되는 데이터링크라인(216) 및 게이트링크라인(124)이 형성되어 각각 데이터구동부(110) 및 게이트구동부(120)와 전기적으로 연결된다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 데이터구동부(110) 및 게이트구동부(120)가 칩형태로 기판위에 실장되는 경우 상기 데이터링크라인(216) 및 게이트링크라인(124)은 데이터구동부(110) 및 게이트구동부(120)의 단자와 전기적으로 연결된다.A data link line 216 and a gate link line 124 electrically connected to the data line 112 and the gate line 122 of the display region are formed in the pad region P and are connected to the data driver 110 and the gate And is electrically connected to the driving unit 120. Although not shown in the figure, when the data driver 110 and the gate driver 120 are mounted on a substrate in a chip form, the data link line 216 and the gate link line 124 are connected to the data driver 110 and the gate driver 120, (Not shown).

또한, 패드영역(P)에는 전원배선(218)이 배치되고 상기 전원배선(218)에는 표시영역(A/A)의 파워라인(114)이 연결되어 외부로부터 표시영역내에 전압(Vdd)을 인가한다.A power supply line 218 is disposed in the pad region P and a power line 114 of the display region A / A is connected to the power supply line 218 to apply a voltage Vdd within the display region from the outside do.

도 5는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자를 구체적으로 나타내는 단면도이다. 이때, 도면에서는 설명의 편의를 위해 패널의 표시영역(A/A)의 최외각 화소와 데이터링크라인(216) 및 전원배선(218)이 형성된 패드영역(P)만을 도시하였다.5 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention. At this time, only the outermost pixels of the display area A / A of the panel and the pad area P where the data link line 216 and the power supply line 218 are formed are shown for convenience of explanation.

도 5에 도시된 바와 같이, 플라스틱과 같은 연성 물질 또는 유리와 같은 강성 물질로 이루어진 기판(210)의 표시영역에는 구동박막트랜지스터가 형성된다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 구동박막트랜지스터는 R,G,B화소영역에 각각 형성되며, 기판(210) 위에 형성된 버퍼층(222)과, 상기 버퍼층(222) 위에 R,G,B 화소영역에 형성된 반도체층(212)과, 상기 반도체층(212)이 형성된 기판(210) 전체에 걸쳐 형성된 제1절연층(223)과, 상기 제1절연층(223) 위에 형성된 게이트전극(211)과, 상기 게이트전극(211)을 덮도록 기판(210) 전체에 걸쳐 형성된 제2절연층(224)과, 상기 제1절연층(223) 및 제2절연층(224)에 형성된 컨택홀을 통해 반도체층(212)과 접촉하는 소스전극(214) 및 드레인전극(215)으로 구성된다.As shown in FIG. 5, a driving thin film transistor is formed in a display region of a substrate 210 made of a flexible material such as plastic or a rigid material such as glass. Although not shown in the drawing, the driving TFT includes a buffer layer 222 formed on a substrate 210, and a buffer layer 222 formed on a R, G, and B pixel regions on the buffer layer 222, A first insulating layer 223 formed on the entire surface of the substrate 210 on which the semiconductor layer 212 is formed; a gate electrode 211 formed on the first insulating layer 223; A second insulating layer 224 formed over the entire surface of the substrate 210 so as to cover the gate electrode 211 and a second insulating layer 224 formed over the semiconductor layer (not shown) through contact holes formed in the first insulating layer 223 and the second insulating layer 224. [ And a source electrode 214 and a drain electrode 215 which are in contact with the source and drain electrodes 212 and 212, respectively.

버퍼층(222)은 단일층 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 상기 반도체층(212)은 결정질 실리콘 또는 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)와 같은 투명산화물반도체로 형성할 수 있으며, 중앙영역의 채널층과 양측면의 도핑층으로 이루어져 소스전극(214) 및 드레인전극(215)이 상기 도핑층과 접촉한다.The buffer layer 222 may be a single layer or a plurality of layers. The semiconductor layer 212 may be formed of a transparent oxide semiconductor such as crystalline silicon or IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide). The semiconductor layer 212 may include a channel layer in the central region and a doped layer on both sides, ) Is in contact with the doped layer.

상기 게이트전극(211)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등의 금속으로 형성될 수 있으며, 제1절연층(223) 및 제2절연층(224)은 SiO2나 SiNx와 같은 무기절연물질로 이루어진 단일층 또는 SiO2 및 SiNx으로 이루어진 이중의 층으로 이루어질 수 있다. 또한, 소스전극(214) 및 드레인전극(215)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금으로 형성할 있다.The first insulating layer 223 and the second insulating layer 224 may be formed of a metal such as SiO 2 , SiNx, or the like. The gate electrode 211 may be formed of a metal such as Cr, Mo, Ta, Cu, , Or a dual layer of SiO 2 and SiN x. The source electrode 214 and the drain electrode 215 may be formed of Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or Al alloy.

패드영역(P)의 제1절연층(223) 위에는 전원배선(218)이 형성된다. 상기 전원배선(218)은 게이트전극(211)과는 다른 금속으로 다른 공정에 의해 형성될 수 있지만, 동일한 공정에 의해 동일한 금속으로 형성하는 것이 바람직할 것이다.On the first insulating layer 223 of the pad region P, a power supply wiring 218 is formed. Although the power supply wiring 218 may be formed of a different metal from the gate electrode 211 by another process, it is preferable that the power supply wiring 218 is formed of the same metal by the same process.

패드영역의 제2절연층(224) 위에는 데이터링크라인(216)이 형성된다. 상기 데이터링크라인(216)은 소스전극(214) 및 드레인전극(215)과 동일한 금속으로 형성될 수도 있고 다른 금속으로 형성될 수도 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 패드영역에는 구동박막트랜지스터의 게이터전극(211)에 주사신호를 인가하는 게이트패드와 화소전극에 신호를 인가하는 데이터패드가 형성된다.A data link line 216 is formed on the second insulating layer 224 of the pad region. The data link line 216 may be formed of the same metal as the source electrode 214 and the drain electrode 215, or may be formed of another metal. Although not shown in the drawing, a gate pad for applying a scan signal to the gate electrode 211 of the driving thin film transistor and a data pad for applying a signal to the pixel electrode are formed in the pad region.

상기 전원배선(218) 및 데이터링크라인(216)이 제2절연층(224)을 사이에 두고 오버랩되어 있다. 이때, 도면에서는 상기 전원배선(218)이 데이터링크라인(216)보다 큰 폭으로 형성되지만, 이것은 전원배선(218)과 데이터링크라인(216)을 명확하게 나타내기 위한 것이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 전원배선(218)과 데이터링크라인(216)은 서로 수직으로 형성된다. 따라서, 도 5에서는 전원배선(218) 또는 데이터링크라인(216)이 일정 폭으로 형성되지 않고 패드영역(P) 전체에 형성되어야 하지만, 이 경우 전원배선(218)과 데이터링크라인(216)의 사이의 관계를 명확하게 나타내기 힘드므로, 전원배선(218)과 데이터링크라인(216)을 모두 일정 폭으로 도시하였다.The power supply line 218 and the data link line 216 overlap with each other with the second insulating layer 224 interposed therebetween. Here, although the power supply wiring 218 is formed to have a width larger than that of the data link line 216 in the figure, this is for clearly showing the power supply line 218 and the data link line 216. As shown in Fig. 4, the power supply line 218 and the data link line 216 are formed perpendicular to each other. 5, the power supply line 218 or the data link line 216 must be formed over the entire pad region P without being formed with a constant width. In this case, the power supply line 218 and the data link line 216 The power supply line 218 and the data link line 216 are all shown to have a constant width.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 전원배선(218)은 일정 폭을 갖고 연장된 띠형상으로 형성된다. 이때, 전원배선(218)의 일부 영역에는 일정 길이(d)의 홈(218a)이 일정 폭(t)으로 형성되는데, 상기 홈이 형성되는 영역이 유기발광부가 형성될 때 지지부재가 접촉하는 영역이다.As shown in FIG. 4, the power supply wiring 218 is formed in a strip shape having a constant width. At this time, a groove 218a having a constant length d is formed in a certain region of the power supply line 218 with a constant width t. The region where the groove is formed is a region where the support member contacts to be.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 홈(218a)은 데이터링크라인(216)과 오버랩되는 영역에 형성된다. 또한, 상기 홈(218a)의 폭(t)은 유기발광층을 형성할 때 지지부재와 접촉하는 면적에 따라 달라진다. 다시 말해서, 상기 홈(218a)의 폭(t)은 유기발광층을 형성할 때 지지부재와 접촉하는 구조물의 면적과 동일하게 형성되어 접촉에 의한 마찰력으로 인해 제2절연층(224)이 파손되는 경우, 파손된 영역에는 전원배선(218)이 형성되지 않으므로, 이 영역에서 데이터링크라인(216)이 전원배선(218)과 단락되지 않게 된다.As shown in FIG. 4, the groove 218a is formed in an area overlapping the data link line 216. The width t of the groove 218a varies depending on the area in contact with the supporting member when forming the organic light emitting layer. In other words, the width t of the groove 218a is formed to be equal to the area of the structure contacting the supporting member when the organic light emitting layer is formed, and the second insulating layer 224 is broken due to the frictional force of contact , The power supply line 218 is not formed in the broken region, so that the data link line 216 is not short-circuited with the power supply line 218 in this region.

이와 같이, 본 발명에서는 전원배선(218)에 복수의 홈(218a)을 형성하여 지지부재와의 접촉에 의해 제2절연층(224)이 파손되는 경우에도 데이터링크라인(216)과 전원배선(218)이 전기적으로 단락되지 않게 된다.As described above, in the present invention, even if the grooves 218a are formed in the power supply wiring 218 and the second insulating layer 224 is damaged by the contact with the supporting member, the data link line 216 and the power supply wiring 218 are not electrically short-circuited.

한편, 도면에서는 전원배선(218)에 형성되는 홈(218a)이 각각 데이터링크라인(216)과 대응되지만, 본 발명이 이러한 구성에 한정되는 것은 아니다. 즉, 도 6a에 도시된 바와 같이 홈(218a)의 길이(d1)를 길게 형성하여 2개의 데이터링크라인(216)에 대응하도록 형성할 수도 있고 도 6b에 도시된 바와 같이 홈(218b)의 길이(d2)를 유기전계발광 표시소자의 표시영역(A/A)의 길이(게이트라인을 연장방향을 따른)와 유사하게 형성하여 모든 데이터링크라인(216)에 대응하도록 홈(218a)을 형성할 수도 있을 것이다.Although the grooves 218a formed in the power supply wiring 218 correspond to the data link lines 216 in the figure, the present invention is not limited to this configuration. That is, as shown in FIG. 6A, the length d1 of the groove 218a may be formed long to correspond to the two data link lines 216, and the length of the groove 218b a groove 218a is formed so as to correspond to all the data link lines 216 by forming the gate electrode d2 in a manner similar to the length (along the extending direction of the gate line) of the display area A / A of the organic electroluminescence display device It might be.

본 발명의 전원배선(218)에 형성되는 홈(218a)의 폭은 지지부재와의 접촉에 의해 제2절연층(224)이 파손되는 영역을 제거할 수 있도록 형성되므로, 홈(218a)의 폭은 기판과 지지부재와의 접촉면적에 따라 결정되며 상기 접촉면적은 지재부재의 크기 및 기판의 무게 등에 따라 결정된다. 또한, 홈(218a)의 길이는 데이터링크라인(216)의 폭 또는 데이터링크라인(216)의 폭 및 개수에 따라 결정된다.Since the width of the groove 218a formed in the power supply wiring 218 of the present invention is formed so as to be able to remove the region where the second insulating layer 224 is damaged by the contact with the support member, Is determined according to the contact area between the substrate and the supporting member, and the contact area is determined according to the size of the member and the weight of the substrate. In addition, the length of the groove 218a is determined by the width of the data link line 216 or the width and number of the data link line 216. [

다시, 도 4에 대해 설명하면, 상기 구동박막트랜지스터가 형성된 기판(210)에는 제3절연층(226)이 형성되고 그 위에 화소전극(120)이 형성된다. 상기 제3절연층(226)은 SiO2와 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제3절연층(226) 위에는 기판(210)을 평탄화시키기 위한 오버코트층(overcoat layer)이 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 4, a third insulating layer 226 is formed on the substrate 210 on which the driving TFT is formed, and a pixel electrode 120 is formed thereon. The third insulating layer 226 may be formed of an inorganic insulating material such as SiO 2 . Although not shown, an overcoat layer may be formed on the third insulating layer 226 to planarize the substrate 210.

표시영역내의 화소영역에 각각 형성되는 구동박막트랜지스터의 드레인전극(215)의 상부 제3절연층(226)에는 컨택홀(229)이 형성되어, 상기 제3절연층(226) 위에 형성되는 화소전극(220)이 상기 컨택홀(229)을 통해 구동박막트랜지스터의 드레인전극(215)과 전기적으로 접속된다. 상기 화소전극(220)은 Ca, Ba, Mg, Al, Ag 등과 같은 금속으로 이루어지고 구동박막트랜지스터의 드레인전극(215)을 통해 외부로부터 화상신호가 인가된다. A contact hole 229 is formed in the upper third insulating layer 226 of the drain electrode 215 of the driving thin film transistor formed in the pixel region in the display region, (220) is electrically connected to the drain electrode (215) of the driving thin film transistor through the contact hole (229). The pixel electrode 220 is made of a metal such as Ca, Ba, Mg, Al, or Ag, and an image signal is applied from the outside through the drain electrode 215 of the driving TFT.

표시영역 내의 상기 제3절연층(226) 위의 각 화소영역의 경계에는 뱅크층(228)이 형성된다. 상기 뱅크층(228)은 일종의 격벽으로서, 각 화소영역을 구획하여 인접하는 화소영역에서 출력되는 특정 컬러의 광이 혼합되어 출력되는 것을 방지하기 위한 것이다. 또한, 상기 뱅크층(228)은 컨택홀(229)의 일부를 채우기 때문에 단차를 감소시키며, 그 결과 유기발광부의 형성시 과도한 단차에 의한 유기발광부에 불량이 발생하는 것을 방지한다. 상기 뱅크층(228)은 패드영역에도 일부 연장되어 형성된다. A bank layer 228 is formed at the boundary of each pixel region on the third insulating layer 226 in the display region. The bank layer 228 is a kind of barrier rib for preventing each pixel region from being mixed and outputting light of a specific color outputted from an adjacent pixel region. In addition, since the bank layer 228 fills a part of the contact hole 229, the step is reduced, and as a result, the organic light emitting part is prevented from being defective due to an excessive step in forming the organic light emitting part. The bank layer 228 extends partially to the pad region.

뱅크층(228) 사이의 화소전극(220) 위에는 유기발광부(225)가 형성된다. 상기 유기발광부(225)는 각각 적색광을 발광하는 R-유기발광층, 녹색광을 발광하는 G-유기발광층, 청색광을 발광하는 B-유기발광층을 포함한다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 유기발광부(225)에는 유기발광층 뿐만 아니라 유기발광층에 전자 및 정공을 각각 주입하는 전자주입층 및 정공주입층과 주입된 전자 및 정공을 유기발광층으로 각각 수송하는 전자수송층 및 정공수송층이 형성될 수도 있을 것이다.An organic light emitting portion 225 is formed on the pixel electrode 220 between the bank layers 228. The organic light emitting part 225 includes an R-organic emitting layer for emitting red light, a G-organic emitting layer for emitting green light, and a B-organic emitting layer for emitting blue light. Although not shown in the drawing, the organic light emitting part 225 includes an electron injection layer for injecting electrons and holes, respectively, as well as an organic light emitting layer, an electron injection layer for transporting electrons and holes injected into the organic light emitting layer, And a hole transport layer may be formed.

또한, 유기발광층은 백색광을 발광하는 백색 유기발광층으로 형성될 수도 있다. 이 경우, 백색 유기발광층의 하부, 예를 들어 절연층(224) 위의 R,G,B 서브화소영역에는 각각 R,G,B 컬러필터층이 형성되어 백색 유기발광층에서 발광되는 백색광을 적색광, 녹색광, 청색광으로 변환시킨다. 이러한 백색 유기발광층은 R,G,B의 단색광을 각각 발광하는 복수의 유기물질이 혼합되어 형성되거나 R,G,B의 단색광을 각각 발광하는 복수의 발광층이 적층되어 형성될 수 있다. 상기 백색 유기발광부를 형성하는 경우에는 별도의 섀도우마스크없이 표시영역 전면에 유기발광물질을 증착하여 발광층을 형성할 수 있다.Further, the organic light emitting layer may be formed as a white organic light emitting layer which emits white light. In this case, R, G, and B color filter layers are respectively formed in the R, G, and B sub pixel regions on the lower side of the white organic light emitting layer, for example, the insulating layer 224 to form white light that is emitted from the white organic light emitting layer, , And converts it into blue light. The white organic light emitting layer may be formed by mixing a plurality of organic materials that emit red, green, and blue monochromatic light, or a plurality of light emitting layers that emit red, green, and blue monochromatic light, respectively. When the white organic light emitting portion is formed, an organic light emitting material may be deposited on the entire display region without a separate shadow mask to form a light emitting layer.

유기발광층은 도 3b에 도시된 바와 같이 지지부재에 로딩된 상태에서 섀도우마스크에 의해 유기물질을 열증착함으로써 형성된다. 이러한 열증착에 의해 형성되는 것은 유기발광부(225)의 유기발광층만이 아니라 전자주입층, 정공주입층, 전자수송층 및 정공수송층과 같이 유기물질로 이루어진 다른 유기발광부를 형성하는데에도 사용할 수 있다.The organic light emitting layer is formed by thermally depositing an organic material by a shadow mask while being loaded on the supporting member as shown in Fig. 3B. Such thermal deposition may be used not only to form the organic light emitting layer of the organic light emitting portion 225 but also to form other organic light emitting portions made of an organic material such as an electron injecting layer, a hole injecting layer, an electron transporting layer, and a hole transporting layer.

상기 표시영역의 유기발광부(225) 위에는 공통전극(230)이 형성된다. 상기 공통전극(230)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 산화금속물질로 이루어진다.A common electrode 230 is formed on the organic light emitting part 225 of the display area. The common electrode 230 is made of a transparent metal oxide material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

이때, 상기 공통전극(230)이 유기발광부(225)의 애노드이고 화소전극(220)이 캐소드로서, 공통전극(230)과 화소전극(220)에 전압이 인가되면, 상기 화소전극(220)으로부터 전자가 유기발광부(225)로 주입되고 공통전극(230)으로부터는 정공이 유기발광부(225)로 주입되어, 유기발광층내에는 여기자(exciton)가 생성되며, 이 여기자가 소멸(decay)함에 따라 발광층의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)와 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)의 에너지 차이에 해당하는 광이 발생하게 되어 외부(도면에서 공통전극(230)의 상부방향)로 출사하게 된다. When the common electrode 230 is an anode of the organic light emitting portion 225 and the pixel electrode 220 is a cathode and a voltage is applied to the common electrode 230 and the pixel electrode 220, Electrons are injected into the organic light emitting part 225 and holes are injected from the common electrode 230 into the organic light emitting part 225 to generate an exciton in the organic light emitting layer, Light corresponding to the energy difference between LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) and HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) of the light emitting layer is generated, and the light is emitted to the outside (upward direction of the common electrode 230 in the drawing).

패드영역 및 표시영역의 공통전극(230) 상부 및 뱅크층(228) 상부, 제3절연층(226) 상부에는 기판(210) 전체에 걸쳐서 제1보호층(passivation layer;241)이 형성된다. 상기 제1보호층(241)은 SiO2나 SiNx와 같은 무기물질로 형성된다.A first passivation layer 241 is formed on the common electrode 230 of the pad region and the display region, the bank layer 228 and the third insulating layer 226 over the entire substrate 210. The first passivation layer 241 is formed of an inorganic material such as SiO 2 or SiN x.

또한, 상기 제1보호층(241) 위에는 폴리머 등의 유기물질로 이루어진 유기층(242)이 형성되고 그 위에 SiO2나 SiNx와 같은 무기물질로 이루어진 제2보호층(244)이 형성된다.An organic layer 242 made of an organic material such as a polymer is formed on the first passivation layer 241 and a second passivation layer 244 made of an inorganic material such as SiO 2 or SiNx is formed on the organic layer 242.

상기 제2보호층(244) 위에는 접착제가 도포되어 접착층(246)이 형성되며, 그 위에 보호필름(248)이 배치되어, 상기 접착층(246)에 의해 보호필름(248)이 부착된다.An adhesive layer 246 is formed on the second protective layer 244 and a protective film 248 is disposed on the adhesive layer 246 and the protective film 248 is attached to the second protective layer 244 by the adhesive layer 246.

상기 접착제로는 부착력이 좋고 내열성 및 내수성이 좋은 물질이라면 어떠한 물질을 사용할 수 있지만, 본 발명에서는 주로 에폭시계 화합물, 아크릴레이트계 화합물 또는 아크릴계 러버과 같은 열경화성 수지를 사용한다. 이때, 상기 접착층(246)은 약 5-100㎛의 두께로 도포되며, 약 80-170도의 온도에서 경화된다. 또한, 상기 접착제로서 광경화성 수지를 사용할 수도 있으며, 이 경우 접착층에 자외선과 같은 광을 조사함으로써 접착층(246)을 경화시킨다.As the adhesive, any material can be used as long as it has good adhesion and good heat resistance and water resistance. In the present invention, a thermosetting resin such as an epoxy compound, an acrylate compound or an acrylic rubber is used. At this time, the adhesive layer 246 is applied to a thickness of about 5-100 [mu] m and cured at a temperature of about 80-170 [deg.] C. Further, a photo-curing resin may be used as the adhesive. In this case, the adhesive layer 246 is cured by irradiating the adhesive layer with light such as ultraviolet rays.

상기 접착층(246)은 기판(210) 및 보호필름(248)을 합착할 뿐만 아니라 상기 유기전계발광 표시소자 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하기 위한 봉지제의 역할도 한다. 따라서, 본 발명의 상세한 설명에서 도면부호 246의 용어를 접착제라고 표현하고 있지만, 이는 편의를 위한 것이며, 이 접착층을 봉지제라고 표현할 수도 있을 것이다. The adhesive layer 246 not only bonds the substrate 210 and the protective film 248, but also acts as an encapsulant for preventing moisture from penetrating into the organic electroluminescent display device. Therefore, although the term 246 is referred to as an adhesive in the detailed description of the present invention, this is for convenience only, and the adhesive layer may be referred to as an encapsulant.

상기 보호필름(248)은 접착층(246)을 봉지하기 위한 봉지캡(encapsulation cap)으로서, PS(Polystyrene)필름, PE(Polyethylene)필름, PEN(Polyethylene Naphthalate)필름 또는 PI(Polyimide)필름 등과 같은 보호필름으로 이루어질 수 있다. The protective film 248 is an encapsulation cap for encapsulating the adhesive layer 246. The encapsulation cap 248 may be a protective film such as a PS (polystyrene) film, a PE (polyethylene) film, a PEN (polyethylene naphthalate) film, Film.

상기 보호필름(248) 상부에는 편광판(249)이 부착될 수 있다. 상기 편광판(249)은 유기전계발광 표시소자로부터 발광된 광은 투과하고 외부로부터 입사되는 광은 반사하지 않도록 하여, 화질을 향상시킨다.A polarizing plate 249 may be attached to the upper portion of the protective film 248. The polarizing plate 249 transmits light emitted from the organic electroluminescence display device and does not reflect light incident from the outside, thereby improving image quality.

도 7a-도 7f는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자의 제조방법을 나타내는 도면이다. 이때, 도면은 단면도로서, 표시영역 및 표시영역을 포함한다. 이때, 본 발명이 휨이 가능한 연성 유기전계발광 표시소자 및 휨이 불가능한 유기전계발광 표시소자 모두에 적용되지만 이하에서는 연성 유기전계발광 표시소자에 대해서 설명한다.7A to 7F are views showing a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention. At this time, the drawing is a sectional view, which includes a display area and a display area. Here, the present invention is applied to both flexible flexible organic electroluminescent display devices and flexible organic electroluminescent display devices, but the flexible organic electroluminescent display device will be described below.

우선, 도 7a에 도시된 바와 같이, 폴리이미드(PI)와 같은 플라스틱물질로 이루어진 기판(210)을 유리 등으로 이루어진 대면적의 모기판(280)에 접착제 등에 의해 부착한다. First, as shown in FIG. 7A, a substrate 210 made of a plastic material such as polyimide (PI) is attached to a large-sized mother substrate 280 made of glass or the like with an adhesive or the like.

그 후, 상기 기판(210) 위에 무기물질 등으로 이루어진 버퍼층(222)을 형성한다. 이때, 상기 버퍼층(222)을 단일층 또는 복수의 층으로 형성할 수 있다. 이어서, 기판(210) 전체에 걸쳐 투명산화물반도체 또는 결정질 실리콘 등을 CVD법에 의해 적층한 후 식각하여 버퍼층(222)위에 반도체층(212)을 형성한다. 이때, 결정질실리콘층은 결정질 실리콘을 적층하여 형성할 수도 있고, 비정질실리콘을 적층한 후 레이저결정법 등과 같은 다양한 결정법에 의해 비정질물질을 결정화함으로써 형성할 수도 있다. 상기 결정질실콘층의 양측면에는 n+ 또는 p+형 불순물을 도핑하여 도핑층을 형성한다.Thereafter, a buffer layer 222 made of an inorganic material or the like is formed on the substrate 210. At this time, the buffer layer 222 may be formed as a single layer or a plurality of layers. Then, a transparent oxide semiconductor, crystalline silicon, or the like is stacked over the entire surface of the substrate 210 by a CVD method and then etched to form a semiconductor layer 212 on the buffer layer 222. At this time, the crystalline silicon layer may be formed by laminating crystalline silicon, or may be formed by laminating amorphous silicon and then crystallizing the amorphous material by various crystallization methods such as laser crystallization. Both side surfaces of the crystalline chamber koncheung is to dope the n + or p + type impurities to form a doped layer.

이어서, 상기 반도체층(212) 위에 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의해 SiO2나 SiOx와 같은 무기절연물질을 적층하여 제1절연층(223)을 형성한 후, 그 위에 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금과 같이 도전성이 좋은 불투명 금속을 스퍼터링법(sputtering process)에 의해 적층하고 사진식각방법(photolithography process)에 의해 식각하여, 표시영역의 각 화소영역에 게이트전극(211)을 형성하고 패드영역에 전원배선(218)을 형성한다.Next, an inorganic insulating material such as SiO 2 or SiO x is deposited on the semiconductor layer 212 by CVD (Chemical Vapor Deposition) to form a first insulating layer 223, and then Cr, Mo, Ta, Cu , An opaque metal having high conductivity such as Ti, Al, or Al alloy is deposited by a sputtering process and etched by a photolithography process to form gate electrodes 211 in each pixel region of the display region And a power wiring 218 is formed in the pad region.

이어서, 상기 게이트전극(211) 및 전원배선(218)이 형성된 기판(210) 전체에 걸쳐 CVD법에 의해 무기절연물질을 적층하여 제2절연층(224)을 형성한다.The second insulating layer 224 is formed by depositing an inorganic insulating material on the entire surface of the substrate 210 on which the gate electrode 211 and the power source wiring 218 are formed by CVD.

그 후, 상기 제1절연층(223)과 제2절연층(224)을 식각하여 반도체층이 노출되는 컨택홀을 형성한 후, 기판(210) 전체에 걸쳐 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금과 같이 도전성이 좋은 불투명 금속을 스퍼터링법에 의해 적층한 후 식각하여, 표시영역에 컨택홀을 통해 반도체층(212)과 전기적으로 접속하는 소스전극(214) 및 드레인전극(215)을 형성하고 패드영역에 데이터링크라인(216)을 형성한다.The first insulating layer 223 and the second insulating layer 224 are etched to form a contact hole through which the semiconductor layer is exposed and then Cr, Mo, Ta, Cu, Ti A source electrode 214 and a drain electrode 215 that are electrically connected to the semiconductor layer 212 through the contact hole in the display region after the opaque metal having high conductivity such as Al or Al alloy is stacked by the sputtering method and then etched to form the source electrode 214 and the drain electrode 215 And forms a data link line 216 in the pad region.

이어서, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 소스전극(214) 및 드레인전극(215), 데이터링크배선(216)이 형성된 기판(210) 전체에 걸쳐 무기절연물질을 적층하여 제3절연층(226)을 형성하고 일부 영역을 식각하여 표시영역에 컨택홀(229)을 형성한다. 이때, 상기 제3절연층(226)은 SiO2를 적층함으로써 형성할 수 있으며 상기 컨택홀(229)에 의해 박막트랜지스터의 드레인전극(215)이 외부로 노출된다.7B, an inorganic insulating material is stacked over the entire surface of the substrate 210 on which the source electrode 214, the drain electrode 215 and the data link wiring 216 are formed to form a third insulating layer 226 And a contact hole 229 is formed in the display region by etching a part of the region. At this time, the third insulating layer 226 may be formed by stacking SiO 2 , and the drain electrode 215 of the thin film transistor is exposed to the outside by the contact hole 229.

그 후, 상기 기판(210) 전체에 걸쳐 Ca, Ba, Mg, Al, Ag와 같은 금속을 적층하고 식각하여 표시영역에 컨택홀(229)를 통해 구동박막트랜지스터의 드레인전극(215)과 접속되는 화소전극(220)을 형성하고 패드영역에 데이터링크라인(216)을 형성한다.Thereafter, a metal such as Ca, Ba, Mg, Al, or Ag is deposited on the entire surface of the substrate 210 and etched to be connected to the drain electrode 215 of the driving thin film transistor through the contact hole 229 A pixel electrode 220 is formed and a data link line 216 is formed in a pad region.

이어서, 도 7c에 도시된 바와 같이, 표시영역 및 패드영역의 일부에 뱅크층(228)을 형성한다. 표시영역내의 뱅크층(228)은 각 화소를 구획하여 인접하는 화소에서 출력되는 특정 컬러의 광이 혼합되어 출력되는 것을 방지하며 컨택홀(229)의 일부를 채워 단차를 감소시키는 역할을 한다. 이때, 상기 뱅크층(228)은 유기절연물질을 적층한 후 식각하여 형성하지만, 무기절연물질 CVD법에 적층하고 식각하여 형성할 수도 있다.Then, as shown in Fig. 7C, a bank layer 228 is formed in a part of the display region and the pad region. The bank layer 228 in the display area serves to divide each pixel and prevent light of a specific color outputted from adjacent pixels from being mixed and output, and filling a part of the contact hole 229 to reduce the step. At this time, the bank layer 228 is formed by stacking organic insulating materials and then etching, but may be formed by stacking and etching the inorganic insulating material CVD method.

그 후, 구조물이 형성된 모기판(280)을 반전하여 모기판(280)을 하부로 향한 상태로, 도 3b에 도시된 바와 같이 지지부재(270)에 박막트랜지스터 등이 형성된 모기판(280)을 로딩한 후, 그 하부에 투과부와 차단부가 형성된 섀도우마스크(290)를 위치시킨 후, 유기발광물질을 열증착하여 뱅크층(228) 사이의 화소전극(220) 위에 유기발광부(225)를 형성한다.Thereafter, the mother board 280 with the structure formed thereon is inverted and the mother board 280 with the thin film transistor formed thereon is inserted into the supporting member 270 as shown in FIG. 3B with the mother board 280 facing downward A shadow mask 290 having a transmissive portion and a blocking portion is disposed on a lower portion thereof and then an organic light emitting portion 225 is formed on the pixel electrode 220 between the bank layers 228 by thermally depositing the organic light emitting material do.

이때, 모기판(280)의 구조물은 지지부재의 지지부재(270)의 패드(274) 위에 로딩되며, 모기판(280)의 자중에 의해 구조물의 일부 영역, 즉 전원배선(218)의 홈(218a)이 형성된 영역이 상기 지지부재(270)의 지지대 모서리 영역에 접촉하여 절연층(222,223,224,226)이 파손된다. 그러나, 본 발명에서는 제2절연층(224) 상부의 전원배선(216)의 일부를 제거하여 절연층(222,223,224,226)이 파손되는 경우에도 전원배선(218)과 데이터링크라인(216)이 전기적으로 접촉하는 것을 방지할 수 있게 된다.At this time, the structure of the mother substrate 280 is loaded on the pad 274 of the support member 270 of the support member, and a part of the structure, that is, the groove of the power supply wiring 218 218a are brought into contact with the edge regions of the support members of the support member 270, so that the insulation layers 222, 223, 224, 226 are broken. However, in the present invention, even when a part of the power supply wiring 216 on the second insulating layer 224 is removed and the insulating layers 222, 223, 224, and 226 are broken, the power supply wiring 218 and the data link line 216 are electrically contacted Can be prevented.

한편, 상기 열증착시 전자주입 유기물질, 전자수송 유기물질, 유기발광 유기물질, 정공수송 유기물질 및 정공주입 유기물질을 차례로 증착하여 전자주입층, 전자수송층, 유기발광층, 정공수송층 및 정공주입층이 형성된다.The electron injecting layer, the electron transporting layer, the organic light emitting layer, the hole transporting layer, and the hole injecting layer may be formed by depositing the electron injecting organic material, the electron transporting organic material, the organic light emitting organic material, the hole transporting organic material, .

또한, 상기 유기발광부(225)는 R,G,B 유기발광부로 이루어지기 때문에, 상기와 같이 지지부재(270) 위에 구조물을 로딩한 상태에서 섀도우마스크(290)를 이용한 열증착공정을 반복함으로써 R,G,B 유기발광부를 형성할 수 있게 된다.In addition, since the organic light emitting unit 225 is composed of the R, G, and B organic light emitting units, the thermal deposition process using the shadow mask 290 is repeated while the structure is loaded on the support member 270 as described above R, G, and B organic light emitting portions.

상기 설명에서는 뱅크층(228)을 형성하고 그 사이에 유기발광부(225)를 형성하지만, 유기발광부(225)를 먼저 형성하고 뱅크층(228)을 형성할 수도 있다.In the above description, the bank layer 228 is formed and the organic light emitting portion 225 is formed therebetween, but the organic light emitting portion 225 may be formed first and the bank layer 228 may be formed.

이어서, 도 7d에 도시된 바와 같이, 뱅크층(228)과 유기발광부(225) 위에 ITO나 IZO와 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링법에 의해 적층하고 식각하여 공통전극(221)을 형성한 후, 공통전극(221) 상부와 뱅크층(228) 위에 무기물질을 적층하여 제1보호층(241)을 형성한다.7D, a transparent conductive material such as ITO or IZO is deposited on the bank layer 228 and the organic light emitting part 225 by sputtering and etched to form the common electrode 221, An inorganic material is deposited on the common electrode 221 and the bank layer 228 to form a first protective layer 241.

그 후, 도 7e에 도시된 바와 같이, 상기 제1보호층(241) 위에 폴리머 등의 유기물질을 적층하여 유기층(242)을 형성한다. 이때, 상기 유기층(242)은 스크린프린팅법에 의해 형성될 수 있다. 즉, 도면에는 도시하지 않았지만 스크린을 기판(210) 위에 배치하고 폴리머를 스크린 위에 충진한 후, 닥터블레이드나 롤에 의해 압력을 인가함으로써 유기층(242)을 형성한다. 상기 유기층(242)은 약 8-10㎛의 두께로 형성되어 패드영역의 일정 영역까지 연장되어 뱅크층(228)을 완전히 덮게 된다. 이어서, 유기층(242) 위에 SiO2나 SiOx와 같은 무기물질을 적층하여 상기 유기층(242) 위에 제2보호층(244)을 형성한다.7E, an organic material such as a polymer is laminated on the first passivation layer 241 to form an organic layer 242. Then, as shown in FIG. At this time, the organic layer 242 may be formed by a screen printing method. That is, although not shown in the drawing, the screen is disposed on the substrate 210, the polymer is filled on the screen, and the organic layer 242 is formed by applying pressure by a doctor blade or a roll. The organic layer 242 is formed to a thickness of about 8-10 탆 and extends to a certain region of the pad region to completely cover the bank layer 228. Then, an inorganic material such as SiO 2 or SiO x is laminated on the organic layer 242 to form a second protective layer 244 on the organic layer 242.

그 후, 도 7f에 도시된 바와 같이, 상기 제2보호층(244) 위에 접착제를 적층하여 접착층(246)을 형성하며 그 위에 보호필름(248)을 위치시키고 압력을 인가하여 보호필름(248)을 접착시킨다. 이때, 상기 접착제로는 열경화성 수지 또는 광경화성 수지를 사용할 수 있다. 열경화성 수지를 사용하는 경우 보호필름(248)의 접착후 열을 인가하고, 광경화성 수지를 사용하는 경우 보호필름(248)의 접착후 광을 조사하여 접착층(246)을 경화시킨다. 이어서, 상기 보호필름(248) 위에 편광판(249)을 부착한 후 절단수단에 모기판을 단위 패널단위로절단하고 레이저나 열의 인가에 의해 기판(210)을 모기판(280)으로부터 분리함으로써 개개의 유기전계발광 표시소자가 완성된다.7F, an adhesive layer 246 is formed by laminating an adhesive on the second protective layer 244, a protective film 248 is placed on the adhesive layer 246, and a pressure is applied to the protective film 248, . At this time, a thermosetting resin or a photo-curable resin may be used as the adhesive. When a thermosetting resin is used, heat is applied after bonding the protective film 248, and when the photo-curing resin is used, the adhesive layer 246 is cured by irradiating light after the protective film 248 is bonded. After the polarizer 249 is attached to the protective film 248, the mother substrate is cut into unit panels by the cutting means and the substrate 210 is separated from the mother substrate 280 by application of laser or heat, The organic electroluminescence display device is completed.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 패드영역에 형성되는 전원배선의 일부를 제거하여 데이터링크라인과 오버랩되는 영역에 홈을 형성하여 유기발광층이 형성시 발생하는 절연층의 파손에 의한 전원배선과 데이터링크라인의 단락을 방지할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, a part of the power supply line formed in the pad region is removed to form a groove in a region overlapping the data link line, so that the power supply line due to the breakage of the insulating layer, It is possible to prevent shorting of the line.

한편, 상술한 상세한 설명에서는 특정 구조의 유기전계발광 표시소자가 개시되어 있지만, 본 발명이 이러한 특정한 구조의 유기전계발광 표시소자에 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 상술한 유기전계발광 표시소자에서는 주로 연성 유기전계발광 표시소자에 대해 설명하고 있지만, 본 발명은 휘지 않는 유기전계발광 표시소자에도 적용될 것이다.In the above description, the organic electroluminescence display device has a specific structure. However, the present invention is not limited to the organic electroluminescence display device having such a specific structure. For example, although the above-described organic electroluminescent display device mainly describes a flexible organic electroluminescent display device, the present invention is also applied to an organic electroluminescent display device that does not bend.

또한, 상술한 설명에서는 광이 상부방향, 즉 보호필름을 통해 출사되는 구조가 개시되어 있지만, 본 발명이 이러한 구조에만 한정되는 것이 아니라 광이 하부방향, 즉 기판을 통해 출사되는 구조도 적용될 수 있을 것이다. 이 경우, 화소전극으로는 투명한 도전물질이 사용되고 공통전극으로는 불투명한 금속이 사용될 수 있다.In the above description, a structure in which light is emitted in an upward direction, that is, a protective film is disclosed. However, the present invention is not limited to such a structure, but a structure in which light is emitted downward, that is, will be. In this case, a transparent conductive material may be used for the pixel electrode and an opaque metal may be used for the common electrode.

또한, 상세한 설명에서는 구동박막트랜지스터의 구조 역시 탑게이트(top gate)구조로 이루어져 있지만, 바텀게이트(bottom gate)구조도 가능하며, 다른 다양한 구조의 박막트랜지스터를 적용할 수 있다. In the detailed description, the structure of the driving thin film transistor is also a top gate structure, but a bottom gate structure and a thin film transistor having various structures can be applied.

210 : 기판 216 : 데이터링크라인
218 : 전원배선 220 : 화소전극
222 : 버퍼층 223,124,126 : 절연층
225 : 유기발광부 228 : 뱅크층
230 : 공통전극 241,244 : 보호층
242 : 유기층 280 : 모기판210: substrate 216: data link line
218: power supply wiring 220: pixel electrode
222: buffer layers 223, 124, 126: insulating layer
225: organic light emitting portion 228: bank layer
230: common electrode 241, 244: protective layer
242: organic layer 280: mother board

Claims (17)

패드영역 및 표시영역을 포함하는 기판;
상기 기판의 표시영역의 복수의 화소영역 각각에 형성된 박막트랜지스터;
상기 표시영역의 화소영역에 형성된 화소전극;
상기 표시영역의 화소영역에 형성되어 광을 발광하는 유기발광부;
상기 유기발광부 위에 형성되어 유기발광층에 신호를 인가하는 공통전극;
상기 패드영역에 형성되어 표시영역에 신호를 인가하는 링크라인; 및
상기 패드영역에 형성되어 절연층을 사이에 두고 상기 링크라인과 오버랩되는 전원배선으로 구성되며,
상기 전원배선에는 링크라인과 오버랩되는 영역 중 기판의 자중에 의해 지지부재와 접촉하는 영역의 일부가 제거된 적어도 하나의 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.A substrate including a pad region and a display region;
A thin film transistor formed in each of a plurality of pixel regions of a display region of the substrate;
A pixel electrode formed in a pixel region of the display region;
An organic light emitting portion formed in a pixel region of the display region and emitting light;
A common electrode formed on the organic light emitting portion and applying a signal to the organic light emitting layer;
A link line formed in the pad region and applying a signal to the display region; And
And a power supply line formed in the pad region and overlapping the link line with an insulating layer interposed therebetween,
Wherein at least one groove is formed in the power wiring line, the region of the power line overlapping with the link line being partially removed from the region contacting with the support member due to the weight of the substrate. 제1항에 있어서, 상기 기판은 연성기판인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.The organic light emitting display device according to claim 1, wherein the substrate is a flexible substrate. 제2항에 있어서, 상기 연성기판은 폴리이미드로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.The organic light emitting display device according to claim 2, wherein the flexible substrate is made of polyimide. 제1항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는,
반도체층;
상기 반도체층이 형성된 기판에 형성된 제1절연층;
제1절연층 위에 형성된 게이트전극;
상기 게이트전극을 덮도록 기판위에 형성된 제2절연층; 및
제2절연층 위에 형성된 소스전극 및 드레인전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.The thin film transistor according to claim 1,
A semiconductor layer;
A first insulating layer formed on the substrate on which the semiconductor layer is formed;
A gate electrode formed on the first insulating layer;
A second insulating layer formed on the substrate to cover the gate electrode; And
And a source electrode and a drain electrode formed on the second insulating layer. 제4항에 있어서, 상기 전원배선은 제1절연층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.The organic light emitting display as claimed in claim 4, wherein the power supply wiring is formed on the first insulating layer. 제4항에 있어서, 상기 링크라인은 제2절연층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.5. The organic light emitting display according to claim 4, wherein the link line is formed on the second insulating layer. 제1항에 있어서, 하나의 홈은 하나의 링크라인에 대응하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.The organic light emitting display according to claim 1, wherein one groove corresponds to one link line. 제1항에 있어서, 하나의 홈은 복수의 링크라인에 대응하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.The organic light emitting display device according to claim 1, wherein one groove corresponds to a plurality of link lines. 제1항에 있어서, 전원배선에는 전체 링크라인에 대응하는 하나의 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.The organic electroluminescent display device according to claim 1, wherein one groove corresponding to the entire link line is formed in the power supply wiring. 패드영역과 표시영역으로 이루어진 기판을 제공하는 단계;
상기 기판의 표시영역의 복수의 화소영역 각각에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
기판에 전원배선을 형성하는 단계;
상기 표시영역의 화소영역에 화소전극을 형성하는 단계;
패드영역에 링크라인을 형성하는 단계;
기판을 지지부재에 로딩하고 마스크를 배치한 후 유기물질을 증착하여 유기발광부를 형성하는 단계; 및
상기 유기발광부 위에 공통전극을 형성하는 단계로 구성되며,
상기 전원배선에는 링크라인과 오버랩되는 영역 중 기판의 자중에 의해 지지부재와 접촉하는 영역의 일부가 제거된 적어도 하나의 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자 제조방법.Providing a substrate comprising a pad region and a display region;
Forming a thin film transistor in each of a plurality of pixel regions of a display region of the substrate;
Forming a power wiring on the substrate;
Forming a pixel electrode in a pixel region of the display region;
Forming a link line in the pad region;
Depositing a substrate on a support member, disposing a mask, and depositing an organic material to form an organic light emitting portion; And
And forming a common electrode on the organic light emitting portion,
Wherein the power wiring is formed with at least one groove in which a part of an area in contact with the supporting member is removed due to a self weight of the substrate in an area overlapping the link line. 제10항에 있어서, 상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는,
반도체층을 형성하는 단계;
상기 반도체층이 형성된 기판에 제1절연층을 형성하는 단계;
제1절연층 위에 게이트전극을 형성하는 단계;
상기 게이트전극을 덮도록 기판 위에 제2절연층을 형성하는 단계; 및
제2절연층 위에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자 제조방법.11. The method of claim 10, wherein forming the thin film transistor comprises:
Forming a semiconductor layer;
Forming a first insulating layer on the substrate on which the semiconductor layer is formed;
Forming a gate electrode over the first insulating layer;
Forming a second insulating layer on the substrate so as to cover the gate electrode; And
And forming a source electrode and a drain electrode on the second insulating layer. 제11항에 있어서, 상기 전원배선은 게이트전극과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자 제조방법.12. The method according to claim 11, wherein the power supply wiring is formed simultaneously with the gate electrode. 제11항에 있어서, 상기 링크라인은 소스전극 및 드레인전극과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자 제조방법.12. The method according to claim 11, wherein the link line is formed simultaneously with a source electrode and a drain electrode. 삭제delete 제10항에 있어서, 상기 전원배선의 홈의 길이는 링크라인의 폭 및 개수에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자 제조방법.11. The method according to claim 10, wherein a length of the groove of the power supply line is determined according to a width and a number of the link lines. 제10항에 있어서, 상기 전원배선의 홈의 폭은 기판과 지지부재가 접촉하는 면적에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자 제조방법.11. The method according to claim 10, wherein a width of the groove of the power supply line is determined according to an area where the substrate and the support member contact each other. 제16항에 있어서, 상기 기판과 지지부재가 접촉하는 면적은 지지부재의 크기 및 기판의 무게에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자 제조방법.17. The method of claim 16, wherein the area of contact between the substrate and the support member is determined by the size of the support member and the weight of the substrate.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP3700714B2 (en) * 2002-06-21 2005-09-28 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus
KR20110070165A (en) * 2009-12-18 2011-06-24 엘지디스플레이 주식회사 Organic electro-luminescence device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009024208A (en) * 2007-07-18 2009-02-05 Fujifilm Corp Vapor deposition apparatus and vapor deposition method, and electronic element and organic electroluminescent element having pattern-formed layer using the method

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