KR20140070487A - 막 형성 장치 - Google Patents

막 형성 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140070487A
KR20140070487A KR1020130148680A KR20130148680A KR20140070487A KR 20140070487 A KR20140070487 A KR 20140070487A KR 1020130148680 A KR1020130148680 A KR 1020130148680A KR 20130148680 A KR20130148680 A KR 20130148680A KR 20140070487 A KR20140070487 A KR 20140070487A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
precursor
region
film forming
forming apparatus
Prior art date
Application number
KR1020130148680A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101548820B1 (ko
Inventor
이성환
김동렬
황장연
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to PCT/KR2013/011099 priority Critical patent/WO2014084700A1/ko
Priority to JP2015545377A priority patent/JP6066153B2/ja
Priority to CN201380062324.1A priority patent/CN104812936B/zh
Priority to US14/646,646 priority patent/US10364499B2/en
Publication of KR20140070487A publication Critical patent/KR20140070487A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101548820B1 publication Critical patent/KR101548820B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65H—HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL, e.g. SHEETS, WEBS, CABLES
    • B65H23/00—Registering, tensioning, smoothing or guiding webs
    • B65H23/02—Registering, tensioning, smoothing or guiding webs transversely
    • B65H23/022—Registering, tensioning, smoothing or guiding webs transversely by tentering devices
    • B65H23/025—Registering, tensioning, smoothing or guiding webs transversely by tentering devices by rollers
    • B65H23/0251—Registering, tensioning, smoothing or guiding webs transversely by tentering devices by rollers with a straight axis
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65H—HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL, e.g. SHEETS, WEBS, CABLES
    • B65H27/00—Special constructions, e.g. surface features, of feed or guide rollers for webs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65H—HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL, e.g. SHEETS, WEBS, CABLES
    • B65H2404/00—Parts for transporting or guiding the handled material
    • B65H2404/10—Rollers
    • B65H2404/13—Details of longitudinal profile
    • B65H2404/131—Details of longitudinal profile shape
    • B65H2404/1317—End profile
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65H—HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL, e.g. SHEETS, WEBS, CABLES
    • B65H2404/00—Parts for transporting or guiding the handled material
    • B65H2404/10—Rollers
    • B65H2404/13—Details of longitudinal profile
    • B65H2404/132—Details of longitudinal profile arrangement of segments along axis
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65H—HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL, e.g. SHEETS, WEBS, CABLES
    • B65H2404/00—Parts for transporting or guiding the handled material
    • B65H2404/50—Surface of the elements in contact with the forwarded or guided material
    • B65H2404/52—Surface of the elements in contact with the forwarded or guided material other geometrical properties
    • B65H2404/521—Reliefs
    • B65H2404/5211—Reliefs only a part of the element in contact with the forwarded or guided material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65H—HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL, e.g. SHEETS, WEBS, CABLES
    • B65H2701/00—Handled material; Storage means
    • B65H2701/10—Handled articles or webs
    • B65H2701/13—Parts concerned of the handled material
    • B65H2701/132—Side portions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65H—HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL, e.g. SHEETS, WEBS, CABLES
    • B65H2801/00—Application field
    • B65H2801/61—Display device manufacture, e.g. liquid crystal displays

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 출원은 막 형성 장치, 원자층 증착 방법 또는 막의 형성 방법에 대한 것이다. 본 출원에 따르면 연속적인 원자층 증착에 의해 목적하는 막을 효과적으로 형성할 수 있는 막 형성 장치 및 그것을 이용하는 원자층 증착 방법 또는 막의 형성 방법이 제공될 수 있다.

Description

막 형성 장치{Device for forming a layer}
본 출원은 막 형성 장치 및 막 형성 방법에 관한 것이다.
예를 들면, 배리어층(barrier layer)과 같은 등각 코팅(conformal coating)의 형성이나, 전계 발광 디스플레이, LCD(Liquid Crystal Display) 또는 전기 영동 등에서 요구될 수 있는 가요성 디스플레이 코팅, RFID(radio frequency identification), MEMS(micro electro mechanical systems), 광학 코팅, 가요성 기판상의 전자 부품, 가요성 기판상의 박막, 일렉트로크로믹스 및 광전기력 분야 등을 포함한 다양한 분야에서는 다양한 종류의 막을 형성하는 기술이 요구될 수 있다.
특허문헌 1: 미국공개특허 제2002-0170496호 특허문헌 2: 미국등록특허 제4692233호
본 출원은 막 형성 방법 및 막 형성 방법을 제공한다.
본 출원은, 이송되는 기판상에 막을 형성할 수 있도록 구성된 막 형성 장치에 대한 것이다. 상기 장치는, 소위 롤 투 롤(roll to roll) 막 형성 장치로 호칭되는 장치일 수 있다.
상기 장치는 기판, 예를 들면, 가요성 기판을 이송할 수 있도록 설치된 하나 이상의 가이드롤을 포함하는 이송 시스템과 하나 이상의 흐름 제한 통로가 형성되어 있고, 상기 흐름 제한 통로로 도입되는 상기 기판의 표면에 전구체의 층을 형성할 수 있도록 설치된 제 1 및 제 2 영역을 포함할 수 있다.
상기 장치에서 상기 가이드롤은 상기 제 1 및 제 2 영역 내에 각각 하나 이상 존재하고, 상기 흐름 제한 통로는 상기 기판이 상기 제 1 및 제 2 영역을 순차 통과할 수 있도록 하는 경로를 형성하도록 설치되어 있을 수 있다.
상기 장치에서 제 1 및 제 2 영역 내의 가이드롤 중 적어도 하나는 상기 기판을 향하여 상기 전구체를 공급할 수 있는 전구체 공급롤일 수 있다.
하나의 예시에서 상기 막 형성 장치는 소위 원자층 증착(ALD; Atomic Layer Deposition) 방식에 의해 막을 형성하는 원자층 증착 장치일 수 있다.
본 출원은 막 형성 방법, 예를 들면 상기 막 형성 장치를 사용하여 막을 형성하는 방법에 대한 것이다.
본 출원에서는, 기판, 예를 들면, 플라스틱 필름, 섬유성 또는 금속성 웹이나 필름과 같은 가요성 기판을 이송하면서 상기 기판의 표면에 막을 형성할 수 있는 장치 또는 그 장치를 사용한 막 형성 방법이 제공된다.
도 1은 예시적인 막 형성 장치를 나타낸다.
도 2 내지 6은 예시적인 전구체 공급롤의 형태를 나타낸다.
도 7 내지 12는 예시적인 막 형성 장치의 구성을 나타낸다.
본 출원의 막 형성 장치는 이송 시스템 및 상기 이송 시스템에 의해 이송되는 기판상에 막을 형성할 수 있는 적어도 2개의 영역(이하, 각각 제 1 및 제 2 영역으로 호칭할 수 있다.)을 포함할 수 있다.
이송 시스템은 기판을 이송시킬 수 있도록 형성되어 있고, 기판의 이송이 가능하다면 어떠한 형태로도 형성될 수 있다. 하나의 예시에서 상기 막 형성 장치는 소위 롤투롤(roll to roll) 장치일 수 있고, 이러한 경우에 상기 이송 시스템은 가이드롤을 하나 이상 포함할 수 있다. 이송 시스템의 가이드롤은 기판이 처리 영역, 예를 들면 상기 제 1 및 제 2 영역을 순차 통과할 수 있도록 하는 경로를 형성하고 있을 수 있다.
제 1 및 제 2 영역은 이송 시스템에 의해 기판이 도입되어 막을 형성하기 위한 처리가 수행되는 영역이다. 예를 들면, 처리 영역은 통상적인 챔버로 형성되어 있을 수 있다. 후술하는 바와 같이 제 1 및 제 2 영역에서 기판의 표면에 전구체의 층이 형성되는 경우에 상기 제 1 및 제 2 영역은 전구체가 수용될 수 있도록 형성되어 있을 수 있다. 본 명세서에서 용어 전구체는, 막을 형성할 수 있는 재료로서 그 재료 자체가 상기 막을 형성하는 것이거나, 혹은 일단 기판의 표면에 형성된 후에 자체적으로 혹은 다른 재료와의 반응을 통해 목적하는 재료의 막을 형성할 수 있는 재료가 모두 포함될 수 있다. 전구체의 형태는 특별히 제한되지 않으며, 기체, 액체 또는 고체(예를 들면, 미세 분말상)일 수 있다.
제 1 및 제 2 영역에서 상기 전구체의 층이 형성되는 메커니즘은 특별히 제한되지 않는다. 막을 형성하는 방법은, 예를 들면, ALD(Atomic Layer Deposition), CVD 또는 스퍼터링(sputtering) 등 다양하게 알려져 있고, 제 1 및 제 2 영역에서 막이 형성되는 메커니즘은 상기 방식 중에 어떤 방식이 채용되는 지에 따라서 해당 방식에서 적합한 메커니즘이 적용될 수 있다.
제 1 및 제 2 영역에는 각각 하나 이상의 통로가 형성되어 있다. 상기 통로를 통해 이송 시스템에 의해 이송되는 기판이 각 영역으로 도입되거나 빠져 나올 수 있다. 상기 통로는 하나의 예시에서 흐름 제한 통로일 수 있다. 본 명세서에서 용어 흐름 제한 통로는 그 통로를 통해 기판은 이동할 수 있고, 외부로의 유출이 적절하지 못한 물질, 예를 들면, 전구체는 누출되지 않을 수 있도록 형성된 모든 종류의 통로를 포함하는 개념으로 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 각 영역은 상기 흐름 제한 통로를 통해 도입되는 상기 기판의 표면에 전구체를 증착시켜 층을 형성할 수 있도록 설치되어 있다.
이송 시스템의 가이드롤은 제 1 및 제 2 영역 내에 각각 적어도 하나 존재한다. 이러한 가이드롤은 기판이 상기 통로, 예를 들면 흐름 제한 통로를 통해 상기 제 1 및 제 2 영역을 각각 적어도 1회 통과할 수 있도록 하는 경로를 형성하고 있을 수 있다.
막 형성 장치에서 상기 제 1 및 제 2 영역 내에 각각 적어도 하나 존재하는 가이드롤 중 적어도 하나는 상기 기판을 향하여 상기 전구체를 공급할 수 있도록 설치된 전구체 공급롤일 수 있다. 예를 들면, 제 1 영역에 공급롤이 존재하면, 제 1 영역을 경유하는 과정에서 기판에 제 1 전구체가 공급롤에 의해 공급되어 제 1 전구체의 층, 예를 들면 제 1 단층(monolayer)이 형성되고, 제 2 영역에 공급롤이 존재하면, 제 2 영역을 기판이 경유하는 과정에서 그 표면에 제 2 전구체의 층, 예를 들면, 제 2 단층(monolayer)이 형성될 수 있다. 공급롤은 제 1 및 제 2 영역에 모두 존재할 수 있다. 또한, 공급롤이 없는 영역에는 해당 영역에 전구체를 공급할 수 있는 공지의 다른 수단이 존재할 수 있다. 이러한 방식은, 예를 들면, 원자층 증착 방식에 적합할 수 있는데, 이와 같이 공급롤 또는 다른 수단에 의해 기판상에 제 1 및 제 2 단층, 혹은 추가적인 다른 단층이 반복해서 형성되는 과정을 거쳐 목적하는 막이 기판에 형성될 수 있다. 제 1 및 제 2 전구체는 서로 동일하거나 혹은 상이한 종류일 수 있고, 필요한 경우에 목적하는 두께를 고려하여 상기 제 1 및 제 2 단층의 형성 과정이 복수회 반복될 수 있다. 또한, 상기 장치는, 후술하는 바와 같이 제 3 전구체에 의해 제 3 단층을 형성하거나 불활성 가스에 의한 퍼징(purging)이 수행되는 제 3 영역이 장치에 또한 포함될 수 있다.
막 형성 장치에서 이송 시스템은 기판을 장치로 공급하는 입력 수단을 추가로 포함할 수 있다. 이송 시스템은 처리가 종료된 기판을 회수하는 회수 수단을 추가로 포함할 수 있다. 상기 입력 수단과 회수 수단의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 입력 수단으로는 롤 형태로 감겨져 있는 기판을 풀면서 공급할 수 있도록 설치된 권출롤일 수 있고, 회수 수단은 기판을 감아서 회수하는 권취롤일 수 있다.
도 1은 예시적인 막 형성 장치의 모식도이다.
도 1과 같이 막 형성 장치는 제 1 영역(131) 및 제 2 영역(132)을 포함할 수 있다. 이송 시스템은 제 1 영역(131) 및 제 2 영역(132) 내에 각각 적어도 하나 존재하는 가이드롤(120)을 포함하고, 기판(101)을 공급하는 입력 수단(110) 및 처리가 종료된 기판(101)을 회수하는 회수 수단(140)을 포함할 수 있다. 도면에서는 입력 수단(110)과 회수 수단(140)이 영역(131, 132)의 내부에 존재하는 경우가 도시되어 있으나, 필요한 경우 상기 수단(110, 140) 중 하나 이상은 영역(131, 132)의 외부에 존재할 수도 있다. 제 1 영역(131) 및 제 2 영역(132)은 각 영역에 존재하는 전구체가 다른 영역으로 확산되거나 누출되지 않도록 벽(150)에 의해 구분되고, 벽(150)에는 통로(160), 예를 들면, 흐름 제한 통로가 형성되어, 그 통로(160)를 통해 기판(101)이 이동할 수 있다. 각 영역(131, 132)에는 배기 수단(170)이 존재할 수 있고, 그 수단(170)에 의해서 도입된 전구체가 배기될 수 있다.
막 형성 장치에서 입력 수단(110)은 기판(101)을 장치로 도입하는 역할을 수행할 수 있다. 입력 수단(110)은, 예를 들면, 권출롤일 수 있다. 입력 수단(110)에 의해 도입된 기판(101)은 각 영역(131, 132)을 순차 이동하여 처리된 후에 회수 수단(140), 예를 들면, 권취롤에 의해 회수될 수 있다.
이송 시스템의 가이드롤(120) 중 적어도 하나는 이송되는 기판을 향하여 전구체를 공급할 수 있도록 설치된 전구체 공급롤(이하, 단순히 공급롤이라 호칭할 수 있다.)일 수 있다.
공급롤에는 전구체의 공급을 위한 전구체 공급 수단이 도입되어 있을 수 있다. 후술하는 바와 같이 전구체 공급롤은 중앙부의 지름에 비하여 말단부의 지름이 크거나, 혹은 중앙부가 없는 구조를 가질 수 있다. 이러한 구조에서 전구체 공급 수단의 형성 위치는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 롤의 중앙부로부터 전구체가 공급되도록 중앙부에 위치되거나, 말단부의 내부 측면에 형성될 수 있다.
하나의 예시에서 공급롤은 양 말단부 및 중앙부를 포함하고, 상기 양 말단부는 기판과 접촉되어 상기 기판을 이송시킬 수 있도록 설치되어 있으며, 상기 중앙부는 기판의 이송 과정에서 기판과 접촉하지 않도록 상기 양 말단부에 비하여 작은 직경을 가지거나, 존재하지 않을 수 있다.
도 2는, 예시적인 공급롤을 보여주고, 도면과 같이 공급롤은 기판(101)과 접촉되는 양 말단부(210)와 기판(101)과 접촉되지 않는 중앙부(220)를 포함할 수 있다. 공급롤에서 중앙부(220)의 지름(Rc) 대비 말단부(210)의 지름(Re)의 비율(Rc/Re)은 특별히 제한되지 않으며, 적절한 기판 이송이 가능하고, 공급되는 전구체가 효율적으로 기판(101)상에 단층(monolayer)을 형성할 수 있을 정도의 거리가 확보되도록 조절되면 된다. 예를 들면, 상기 비율(Rc/Re)은 0.9 이하 정도일 수 있다. 중앙부가 존재하지 않는 경우 상기 비율(Rc/Re)은 0이다.
기판의 이송 방향과 수직하는 방향으로 측정되는 공급롤의 길이(L) 및 중앙부(22)의 길이(Lc), 중앙부(22)가 없는 경우 말단부간의 간격(Lc)의 비율(Lc/L)도 이송 과정에서 기판이 적절하게 고정될 수 있을 정도의 말단부(210)가 확보되는 한 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 상기 비율(Lc/L)은 0.7 내지 0.9 정도일 수 있다.
전구체가 액체 또는 기체인 경우에 도 2에 나타난 바와 같이 공급롤의 중앙부(220)에는, 상기 공급 수단으로서, 기판(101)을 향하여 전구체를 분사할 수 있도록 설치된 분사구(230)가 존재할 수 있다. 예를 들면, 공급롤의 측면에서 전구체가 주입되고, 주입된 전구체가 분사구(230)를 통해 기판(101)을 향하여 분사될 수 있도록 설치될 수 있다. 도면에서는 도시하지 않았으나, 상기 분사구는, 예를 들면, 말단부(210)의 내부 측벽, 즉 중앙부(220)를 향한 말단부(210)의 측벽에 형성되어 있을 수 있다.
공급롤의 분사구(230)는, 특별한 제한 없이 공지의 방식으로 형성될 수 있고, 예를 들면, 분사 노즐 등으로 형성될 수 있다. 분사구는, 예를 들면, 도 2와 같이 공급롤의 중앙부(220)에 설치될 수도 있고, 도시하지는 않았으나 말단부(210)의 내측면에 설치될 수 있다. 도 2에서는 돌출된 구조의 분사구(230)가 도시되었으나, 상기 분사구는 함몰된 구조로 형성될 수도 있다. 분사구의 수는 공급롤의 길이 및 처리면의 정도에 따라 적절하게 조절될 수 있다.
공급롤이 아닌 가이드롤도 분사구(230)가 형성되지 않은 것을 제외하고는, 상기 공급롤과 동일한 형상을 가질 수 있다. 즉, 본 명세서에서 기술하는 공급롤의 구조에 대한 사항 중에서 분사구의 설치에 관한 사항을 제외한 사항은 공급롤이 아닌 가이드롤이나, 상기 입력 및 회수 수단에 대하여도 적용될 수 있다.
하나의 예시에서 공급롤의 말단부에는 이송 과정에서 기판을 고정할 수 있도록 형성된 돌출부가 존재할 수 있다. 돌출부에 의해 이송 과정에서 기판이 고정되어, 기판의 이탈이나 미끄러짐 등이 방지될 수 있다.
공급롤은 중앙부는 존재하지 않고, 양 말단부만이 존재하는 형태를 가지는 경우에 전구체 공급 수단은 말단부의 두 개의 내부 측면 중 어느 하나에 형성되거나, 혹은 두 측면 모두에서 서로 마주보도록 형성될 수 있다.
공급롤의 양 말단부는, 예를 들면, 기판의 이송 과정에서 상기 이송 방향과 약 70도 내지 110도의 범위 내의 어느 한 각도를 이루는 방향, 예를 들면, 수직하는 방향으로 기판에 장력을 인가하면서 기판을 고정할 수 있도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 말단부는 기판의 이송 방향과 약 70도 내지 110도의 범위 내의 어느 한 각도를 이루는 방향, 예를 들면, 수직하는 방향으로 상기 기판을 인장할 수 있도록 이동이 가능하게 형성될 수 있다. 다른 예시에서는 말단부 또는 그 말단부에 존재하는 돌출부의 패턴이 기판이 이송되면서 동시에 인장될 수 있도록 하는 형상을 가질 수 있다.
도 3 내지 6은 상기와 같은 구조를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 3과 같이, 공급롤은 양 말단부(210)만이 존재하는 형태를 가질 수 있다. 이러한 구조에서 양 말단부(210)의 돌출부(310)에 기판(101)을 고정하고, 상기 양 말단부(210)를 외측으로 수평 이동시켜서 기판(101)에 장력을 인가하면서 이송할 수 있다.
도 3과 같은 구조는 도 4에 나타난 바와 같이 중앙부(220)가 존재하는 공급롤에 대하여도 구현할 수 있다.
도 5는, 기판(101)에 장력을 인가하며 이송할 수 있는 다른 형태를 보여주는 도면이다. 도 5에서와 같이 돌출부(310)를 소정 패턴으로 형성함으로써 상기와 같은 구조를 구현할 수도 있다. 이 경우 돌출부(310)의 패턴의 형태는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 빗살 형태, 즉 도 5에 나타난 바와 같이 돌출부(310)가 기판(101)의 이송 방향과 공급롤의 외측 방향으로 0도를 초과하고, 90도 이하인 범위 내에서 어느 한 각도를 이루는 선 형상을 가지도록 형성할 경우에 장력을 인가하면서 기판(101)을 이송할 수 있는 구조를 구현할 수 있다.
도 6은 공급롤의 다른 형태의 예시이다. 도 6과 같이 말단부(210)를 테이퍼드(tapered)된 형태로 형성하는 경우에도 장력을 인가하면서 기판(101)을 이송할 수 있는 구조를 구현할 수 있다. 이러한 구조에 의해 기판(101) 이송 시에 말단부(210)가 기판을 양쪽으로 당겨주는 효과를 나타낼 수 있다.
도 7은 상기와 같은 롤에 의해 형성되는 막 형성 장치의 다른 예시를 보여주는 도면이다. 도 7의 상부 도면은 상기 장치를 측면에서 바라본 것이고, 하부 도면은 상기 장치를 정면에서 바라본 경우이다.
도 7의 예시에서는 제 1 영역(131)과 제 2 영역(132)이 일렬로 순차 배치되어 있고, 각 영역(131, 132) 내의 가이드롤(120)에 의해 기판(101)은 상기 영역(131, 132)의 상부를 경유하도록 설치되어 있다. 도면에 자세한 도시는 생략하였지만, 상기 기판(101)의 경로는 가이드롤에 의해 형성된 것으로 장치에 존재하는 통로, 예를 들면, 흐름 제한 통로를 통해 기판이 이동할 수 있도록 형성된 것일 수 있다. 이러한 구조에서는 도 7의 하부 도면에 나타난 바와 같이 각 영역(131, 132)의 측면에서 전구체가 배기될 수 있다. 도 7에서는 제 1 영역(131)과 제 2 영역(132)만이 순차 반복되는 형태를 도시하였으나, 기판(101)이 상기 제 1 영역(131)과 제 2 영역(132)을 순차 경유할 수 있도록 장치가 구성되는 한 상기 영역(131, 132)의 사이에는 후술하는 제 3 영역 등이 추가로 존재할 수 있다.
막 형성 장치는, 제 3 영역을 추가로 포함할 수 있다. 제 3 영역은, 예를 들면, 원자층 증착 공정의 퍼징(purging) 공정에서 요구되는 불활성 가스가 도입되는 영역이거나 혹은 제 1 및/또는 제 2 영역에서 도입되는 것과는 다르거나 혹은 동일한 전구체가 도입되는 영역일 수 있다. 제 3 영역이 존재하는 경우에 제 3 영역은 상기 제 1 및/또는 제 2 영역과 상기 흐름 제한 통로에 의해 연결되어 있을 수 있고, 이송 시스템은 기판을 상기 제 3 영역을 경유하여 제 1 및 제 2 영역을 순차 통과시킬 수 있도록 설치되어 있을 수 있다. 예를 들면, 이송 시스템에 의해 기판은 제 1 영역, 제 3 영역 및 제 2 영역을 상기 순서로 경유하거나, 혹은 제 2 영역, 제 3 영역 및 제 1 영역을 상기 순서로 경유할 수 있다.
도 8은 도 1의 장치의 구조에서 제 3 영역(701)이 추가로 존재하는 경우를 예시적으로 나타내고, 제 3 영역(701)이 존재하는 것 외에 다른 사항은 도 1에서 설명한 내용이 유사하게 적용될 수 있다. 도 8에서 제 3 영역(701) 내에는 별도의 롤이 존재하지 않으나, 필요한 경우에 도 10에 나타난 바와 같이 상기 영역(701) 내에도 공급롤 또는 가이드롤 등이 존재할 수 있다. 도 8에 나타난 예시에서 제 3 영역(701)은 복수 존재할 수도 있다. 제 1 영역(131)과 제 2 영역(132)의 사이에 제 3 영역(701)이 복수 개재되어 있을 수 있고, 이러한 복수의 제 3 영역은 각각 통로, 예를 들면, 흐름 제한 통로(160)가 존재하는 벽(150)에 의해 분할되어 있으며, 기판(101)이 제 1 영역(131)을 거쳐 복수의 제 3 영역을 흐름 제한 통로(160)를 통해 순차 경유한 후에 제 2 영역(132)으로 도입될 수 있다. 도 9는 상기와 같이 제 3 영역(701-1 내지 701-3)이 복수 존재하는 경우의 예시이다. 제 3 영역(701-1 내지 701-3)이 복수 존재하는 경우에 각 영역(701-1 내지 701-3)으로 도입되는 가스는 동일한 것이거나 혹은 상이한 것일 수 있다.
도 10은 도 1의 장치에서 제 3 영역(7011, 7012)이 2개 추가된 경우를 예시적으로 보여주는 도면이고, 상기 추가된 영역(7011, 7012)으로 도입되는 것은 전술한 불활성 가스이거나 혹은 제 1 및/또는 제 2 영역에서의 전구체와 동일 또는 상이한 전구체일 수 있고, 제 3 영역(7011, 7012) 각각에 도입되는 전구체 또는 불활성 가스의 종류도 동일하거나 상이할 수 있다.
막 형성 장치의 이송 시스템, 예를 들면 가이드롤은 기판을 상기 제 1 및 제 2 영역을 복수 회 통과시킬 수 있도록 설치되어 있을 수 있다. 제 3 영역이 존재하는 경우에는 상기 이송 시스템, 예를 들면 가이드롤은, 기판을 제 3 영역을 매회 거치면서 제 1 및 제 2 영역을 복수 회 통과시킬 수 있도록 설치되어 있을 수 있다. 도 11은 기판이 제 3 영역(701)을 매회 거치면서 제 1 영역(131)과 제 2 영역(132)을 복수 회 통과할 수 있도록 형성된 이송 시스템(즉, 제 1 영역→제 3 영역→제 2 영역→제 3 영역→제 1 영역→제 3 영역→제 2 영역의 순서)을 보여주는 예시이다. 도 11에서는 제 3 영역(701)이 존재하는 경우를 보여주지만, 이 영역(701)은 생략될 수 있으며, 다른 예시에서는 도 12에 나타난 바와 같이 복수의 제 3 영역(701-1 내지 701-3)이 존재할 수 있다.
도 11에 나타난 바와 같이 이송 시스템은 제 1 영역(131) 내에 존재하는 복수의 제 1 가이드롤(120-1 등) 및 제 2 영역(132) 내에 존재하는 복수의 제 2 가이드롤(120-2 등)을 포함할 수 있다. 제 1 가이드롤 중 적어도 일부(예를 들면, 도면의 120-1)는 제 2 영역(132)쪽으로 기판(101)의 경로를 변화시킬 수 있도록 형성되어 있고, 제 2 가이드롤 중 적어도 일부(예를 들면, 도면의 120-2)는 상기 제 1 영역(131)쪽으로 기판의 경로를 변화시킬 수 있도록 형성되어 있을 수 있다.
상기 기술한 장치에서는 이송 시스템에 의해 기판은 각 영역을 경유하고, 그 영역에서 전구체가 증착되어 단층이 형성되거나 혹은 퍼징(purging)될 수 있다. 전구체는 이미 기술한 전구체 공급롤에 의해 공급될 수 있다. 상기 장치는 또한 필요한 경우에 상기 전구체 공급롤 외에 다른 공급 수단을 포함할 수 있다. 따라서 전구체는 상기 공급롤 외의 다른 수단에 의해서도 각 영역으로 도입될 수 있다. 상기 다른 공급 수단은 각 영역의 내부 또는 외부에 설치되는 전구체 소스를 포함할 수 있으며, 추가적으로, 전구체를 영역으로 공급하기 위한 배관, 펌프, 밸브, 탱크 및 다른 필요한 공지의 수단을 포함할 수 있다. 또한, 예를 들어 제 1 및 제 2 영역 외에 제 3 영역 등 다른 영역이 존재하고, 그 영역에는 공급롤이 존재하지 않는 경우에 상기 영역으로는 상기 다른 공급 수단에 의해 전구체 또는 비활성 가스가 도입될 수 있다.
막 형성 장치에서 각 영역은 상기한 배기 수단에 의한 배기 또는 전구체 또는 비활성 가스의 도입 압력 등을 통해 내부의 압력이 제어될 수 있는 챔버일 수 있다. 상기 챔버는 공정의 진행의 제어 등을 위한 다른 처리 모듈 또는 장비 등과 인터페이스되어 있을 수 있다.
막 형성 장치에서는 각 영역에 존재하는 기판에 미흡착된 전구체가 다른 영역의 가스와 혼합되는 것 등에 의해 야기될 수 있는 적절하지 못한 반응, 예를 들면, 비-ALD 반응 등을 방지하기 위해 각 영역의 전구체가 다른 영역으로 이동하는 것을 억제할 필요가 있다. 이에 따라서 각 영역은 상기한 흐름 제한 통로에 의해서 연결되어 있거나 추가적으로 내부 압력이 조절될 수 있다. 흐름 제한 통로를 구성하는 방법은 특별히 제한되지 않으며 공지된 수법을 채용할 수 있다. 예를 들면 각 통로는 그 통로를 통과하는 기판의 두께 및 폭보다 약간만 더 두껍고 더 넣은 크기를 갖는 슬릿일 수 있다. 통로는 기판의 통과할 때에 매우 작은 여유 공간만을 허용하고, 기판이 통로의 각 면들과 긁힘 없이 통로를 통과할 수 있도록 설치될 수 있다. 예를 들면, 상기 여유 공간은 수 마이크론과 수 밀리미터 사이의 범위 내에서 규정될 수 있다. 통로는 또한 기판이 통과할 수 있는 가늘고 긴 터널을 포함하여 형성될 수 있고, 필요한 경우에는 통로를 통한 가스의 흐름을 추가로 제한하기 위한 와이퍼를 포함할 수 있다. 또한, 통로는 연장된 일련의 길고 협소한 통로로 형성될 수 있으며, 제 3 영역 등에 주입되는 비활성 가스는 제 1 및 제 2 영역의 중간에서 통로에 직접 주입되어 전구체의 이동 및 혼합을 방지하는 것을 도울 수 있다.
전구체의 혼합을 방지하기 위하여 각 영역의 사이에는 압력차가 존재할 수 있다. 예를 들어, 도 8 또는 11에서와 같이 영역(131, 132)의 사이에 제 3 영역(701)이 존재하는 경우에는 각 영역(131, 132)의 압력보다 더 큰 압력으로 비활성 가스 또는 전구체를 상기 제 3 영역을(701)에 주입함으로써 가스의 혼합 등을 방지할 수 있다. 예를 들어, 가스의 배출 흐름을 스로틀하거나 수동 배출하여 압력이 제어될 수 있다. 다른 예시에서는, 펌프 또는 다른 흡입 소스를 이용하여 영역으로 펌핑함으로써 압력차를 생성할 수 있다. 예를 들면, 펌프는 모든 영역에 연결되어 있고, 각 영역의 압력을 조절하여 압력차를 생성할 수 있도록 제어될 수 있다. 전구체의 이동은 또한 흐름 제어 밸브 또는 다른 흐름 제어 디바이스를 사용하여, 가스의 상대적 흐름속도 및 펌핑 속도를 제어함으로써 방지할 수 있다. 또한, 압력 센서에 응답하는 제어 장치를 사용하여 가스 주입 및 배출 흐름 속도를 제어함으로써 원하는 압력차를 유지하는 것을 보조할 수 있다.
본 출원은 또한 막의 형성 방법에 관한 것이다. 막 형성 방법은, 예를 들면, 원자층 증착 방법일 수 있다. 이러한 방법은, 예를 들면, 상기 기술한 막 형성 장치를 사용하여 수행할 수 있다. 예를 들면, 상기 장치의 가이드롤을 사용하여 기판을 통로에 의해 형성된 경로를 따라 이송시키면서 제 1 영역에서는 전구체 공급롤 또는 다른 공급 수단에 의해 전구체를 공급하여 기판상에 제 1 단층을 형성하고, 제 2 영역에서는 전구체 공급롤 또는 다른 공급 수단에 의해 전구체를 공급하여 기판상에 제 2 단층을 형성하는 방식으로 기판 상에 막을 형성할 수 있다. 상기 과정은 원하는 두께를 얻기 위하여 2회 이상 반복될 수 있으며, 필요한 경우에 하나 이상의 제 3 영역을 위에서 기술한 것과 같이 포함시켜서 제 1 및 제 2 단층의 형성 사이에 퍼징 공정을 수행하거나, 혹은 제 1 및 제 2 단층과는 다른 재질의 제 3 단층을 형성하는 것을 수행할 수 있다.
상기 방법에서 사용되는 기판의 종류는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 유리, 플라스틱 필름, 금속성 웹 또는 섬유성 필름 등일 수 있다. 또한, 상기 방법에 의해 기판에 형성될 수 있는 막의 종류에는 원자층 증착 방법 등에 의해 형성될 수 있는 것으로 공지되어 있거나, 예측될 수 있는 모든 종류의 막이 포함되고, 예를 들면, 배리어층, 도전층, 유전체층, 절연체층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 주입층 또는 정공 수송층 등일 수 있다.
이러한 막을 형성하기 위해 사용할 수 있는 전구체의 종류도 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 원자층 증착에 적용되어 상기 기술한 각 종류의 막을 형성할 수 있는 것으로 공지된 모든 종류가 포함될 수 있다.
101: 기판
110: 입력 수단
120, 120-1, 120-2: 가이드롤 또는 전구체 공급롤
131: 제 1 영역
132: 제 2 영역
170: 배기 수단
150: 벽
160: 흐름 제한 통로
140: 회수 수단
701, 701-1, 701-2, 701-3, 7011, 7012: 제 3 영역
210: 롤의 말단부
220: 롤의 중앙부
230: 분사구

Claims (17)

  1. 이송되는 기판상에 막을 형성할 수 있도록 구성된 막 형성 장치이고,
    기판을 이송할 수 있도록 설치된 하나 이상의 가이드롤을 포함하는 이송 시스템; 및 하나 이상의 통로가 형성되어 있고, 상기 통로로 도입되는 상기 기판의 표면에 전구체의 층을 형성할 수 있도록 설치된 제 1 및 제 2 영역을 포함하며,
    상기 가이드롤은 상기 제 1 및 제 2 영역 내에 각각 하나 이상 존재하고, 상기 기판이 상기 통로를 통하여 상기 제 1 및 제 2 영역을 순차 통과할 수 있도록 하는 경로를 형성하도록 설치되어 있으며,
    상기 제 1 및 제 2 영역 내의 가이드롤 중 적어도 하나는 상기 기판을 향하여 상기 전구체를 공급할 수 있는 전구체 공급롤인 막 형성 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 원자층 증착에 의해 막을 형성할 수 있도록 설치되어 있는 막 형 성 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 전구체 공급롤의 양 말단부는 기판과 접촉되어 상기 기판을 이송시킬 수 있도록 설치되어 있고, 중앙부는 기판의 이송 과정에서 기판과 접촉하지 않도록 상기 양 말단부에 비하여 작은 직경을 가지거나 혹은 존재하지 않는 막 형성 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 전구체 공급롤의 중앙부 또는 말단부의 내측 측벽에는 기판을 향하여 전구체를 분사할 수 있도록 분사구가 형성되어 있는 막 형성 장치.
  5. 제 3 항에 있어서, 전구체 공급롤의 외부 측면에서 전구체가 주입되고, 주입된 전구체가 가스가 분사구에 의해 분사될 수 있도록 설치되어 있는 막 형성 장치.
  6. 제 3 항에 있어서, 가이드롤 또는 전구체 공급롤의 말단부는 기판 이송 과정에서 기판에 장력을 인가하면서 기판을 고정할 수 있도록 설치되어 있는 막 형성 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 가이드롤 또는 전구체 공급롤의 말단부는 기판의 이송 방향과 70도 내지 110도의 범위 내의 어느 한 각도를 이루는 방향으로 이동 가능하게 형성되어 있는 막 형성 장치.
  8. 제 6 항에 있어서, 가이드롤 또는 전구체 공급롤의 말단부에는 기판 이송 과정에서 기판에 장력이 인가될 수 있도록 형성되어 있는 돌출부의 패턴이 존재하는 막 형성 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 패턴은 빗살 패턴인 막 형성 장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 제 1 또는 제 2 영역에 형성된 전구체를 배기할 수 있도록 설치된 배기 수단을 추가로 포함하는 막 형성 장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 이송 시스템은 기판을 제 1 및 제 2 영역을 복수 회 통과시킬 수 있도록 설치되어 있는 막 형성 장치.
  12. 제 1 항에 있어서, 불활성 가스 또는 전구체가 공급될 수 있도록 설치된 제 3 영역을 추가로 포함하고, 상기 제 3 영역은 흐름 제한 통로에 의해 제 1 또는 제 2 영역과 연결되어 있으며, 이송 시스템은 기판을 제 1 영역, 제 3 영역 및 제 2 영역 또는 제 2 영역, 제 3 영역 및 제 1 영역을 상기 순서로 통과시킬 수 있도록 형성되어 있는 막 형성 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 이송 시스템은 기판을 제 3 영역을 매회 거치면서 제 1 및 제 2 영역을 복수 회 통과시킬 수 있도록 설치되어 있는 막 형성 장치.
  14. 제 1 항에 있어서, 이송 시스템은 제 1 영역 내에 존재하는 복수의 제 1 가이드롤 및 제 2 영역 내에 존재하는 복수의 제 2 가이드롤을 포함하고, 상기 제 1 가이드롤 중 적어도 일부는 상기 제 2 영역쪽으로 기판의 경로를 변화시킬 수 있도록 형성되어 있고, 상기 제 2 가이드롤 중 적어도 일부는 상기 제 1 영역쪽으로 기판의 경로를 변화시킬 수 있도록 형성되어 있는 막 형성 장치.
  15. 제 1 항의 장치를 사용한 막 형성 방법이고, 가이드롤을 사용하여 기판을 흐름 제한 통로에 의해 형성된 경로를 따라 이송시키면서 제 1 영역에서는 제 1 전구체를 공급하여 기판에 제 1 전구체의 층을 형성하고, 제 2 영역에서는 제 2 전구체를 공급하여 기판에 제 2 전구체의 층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제 1 또는 제 2 전구체가 전구체 공급롤에 의해 공급되는 막 형성 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 기판이 플라스틱 필름, 금속성 웹 또는 섬유성 필름인 막 형성 방법.
  17. 제 15 항에 있어서, 기판상에 배리어층, 도전층, 유전체층, 절연체층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 주입층 또는 정공 수송층을 형성하기 위한 것인 막 형성 방법.
KR1020130148680A 2012-11-30 2013-12-02 막 형성 장치 KR101548820B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2013/011099 WO2014084700A1 (ko) 2012-11-30 2013-12-02 롤
JP2015545377A JP6066153B2 (ja) 2012-11-30 2013-12-02 ロール
CN201380062324.1A CN104812936B (zh) 2012-11-30 2013-12-02 辊子
US14/646,646 US10364499B2 (en) 2012-11-30 2013-12-02 Roll

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20120138317 2012-11-30
KR1020120138317 2012-11-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140070487A true KR20140070487A (ko) 2014-06-10
KR101548820B1 KR101548820B1 (ko) 2015-08-31

Family

ID=51125305

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130148680A KR101548820B1 (ko) 2012-11-30 2013-12-02 막 형성 장치
KR1020130148681A KR101554073B1 (ko) 2012-11-30 2013-12-02 롤
KR1020130148682A KR101554074B1 (ko) 2012-11-30 2013-12-02 롤

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130148681A KR101554073B1 (ko) 2012-11-30 2013-12-02 롤
KR1020130148682A KR101554074B1 (ko) 2012-11-30 2013-12-02 롤

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10364499B2 (ko)
EP (1) EP2940182B1 (ko)
JP (1) JP6066153B2 (ko)
KR (3) KR101548820B1 (ko)
CN (1) CN104812936B (ko)
TW (1) TWI587931B (ko)
WO (1) WO2014084700A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101667139B1 (ko) * 2015-03-03 2016-10-24 주식회사 엘지화학 막 형성 장치
JP6697706B2 (ja) * 2015-12-07 2020-05-27 凸版印刷株式会社 原子層堆積装置
CN108884567A (zh) * 2016-04-01 2018-11-23 3M创新有限公司 辊到辊原子层沉积设备和方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5632484B2 (ko) * 1974-12-27 1981-07-28
EP0122092A3 (en) * 1983-04-06 1985-07-10 General Engineering Radcliffe Limited Vacuum coating apparatus
JPS61174053A (ja) * 1985-01-25 1986-08-05 Sando Iron Works Co Ltd 布帛の連続拡布移送装置
JPH0312840U (ko) * 1989-06-20 1991-02-08
US6138885A (en) * 1997-11-03 2000-10-31 Gerber Scientific Products, Inc. Web having alignment indicia and an associated web feeding and working apparatus
JP3844274B2 (ja) 1998-06-25 2006-11-08 独立行政法人産業技術総合研究所 プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄ方法
KR100492769B1 (ko) * 2001-05-17 2005-06-07 주식회사 엘지이아이 수직챔버를 구비한 플라즈마중합 연속처리장치
FR2877518B1 (fr) * 2004-11-02 2007-02-09 Airbus France Sas Systeme de communication radiofrequence pour aeronef
JP2007009301A (ja) 2005-07-04 2007-01-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 銅被覆ポリイミド基板の製造方法
ATE507320T1 (de) * 2006-03-26 2011-05-15 Lotus Applied Technology Llc Atomlagenabscheidungssystem und verfahren zur beschichtung von flexiblen substraten
US20070281089A1 (en) * 2006-06-05 2007-12-06 General Electric Company Systems and methods for roll-to-roll atomic layer deposition on continuously fed objects
CN101680083B (zh) * 2007-05-14 2012-01-25 株式会社爱发科 薄膜传送装置和卷绕式真空成膜方法
US20090018896A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 Digital River, Inc. Scaled Subscriber Profile Groups for Emarketers
JP2009179427A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Fujifilm Corp 搬送装置および真空成膜装置
DE102008000600B4 (de) * 2008-03-11 2010-05-12 Chemetall Gmbh Verfahren zur Beschichtung von metallischen Oberflächen mit einem Passivierungsmittel, das Passivierungsmittel, die hiermit erzeugte Beschichtung und ihre Verwendung
JP2009234713A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Toray Ind Inc 溝付きクロスガイダ
JP4840712B2 (ja) * 2008-03-31 2011-12-21 富士電機株式会社 薄膜積層体の製造装置および方法
JP5146067B2 (ja) * 2008-04-15 2013-02-20 コニカミノルタホールディングス株式会社 ガイドロール機構、とこれを用いる真空成膜装置、及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5081712B2 (ja) 2008-05-02 2012-11-28 富士フイルム株式会社 成膜装置
US9340865B2 (en) * 2010-01-26 2016-05-17 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Thin film-manufacturing apparatus,thin film-manufacturing method,and substrate-conveying roller
JP5385178B2 (ja) * 2010-02-26 2014-01-08 富士フイルム株式会社 可撓性フィルムの搬送装置及びバリアフィルムの製造方法
CN102183198B (zh) * 2011-03-15 2012-08-22 清华大学 用于测量硅片的膜厚度的测量装置
JP2012201900A (ja) * 2011-03-23 2012-10-22 Toppan Printing Co Ltd 成膜装置
JP5724504B2 (ja) * 2011-03-23 2015-05-27 凸版印刷株式会社 原子層堆積法成膜装置における回転ドラムおよび原子層堆積法成膜装置
EP2692899B1 (en) * 2011-03-29 2017-04-19 Toppan Printing Co., Ltd. Roll to roll atomic layer deposition (ald)
KR20140043714A (ko) * 2011-03-31 2014-04-10 도레이 카부시키가이샤 플라즈마 ｃｖｄ 장치, 플라즈마 ｃｖｄ 방법, 반응성 스퍼터링 장치 및 반응성 스퍼터링 방법
KR101788171B1 (ko) * 2011-08-16 2017-10-20 삼성전자주식회사 롤투롤 인쇄 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016505712A (ja) 2016-02-25
KR101554074B1 (ko) 2015-09-17
KR101548820B1 (ko) 2015-08-31
CN104812936A (zh) 2015-07-29
KR20140125276A (ko) 2014-10-28
CN104812936B (zh) 2017-04-12
TW201436886A (zh) 2014-10-01
US10364499B2 (en) 2019-07-30
JP6066153B2 (ja) 2017-01-25
KR20140125277A (ko) 2014-10-28
WO2014084700A1 (ko) 2014-06-05
TWI587931B (zh) 2017-06-21
KR101554073B1 (ko) 2015-09-17
EP2940182B1 (en) 2020-05-20
EP2940182A1 (en) 2015-11-04
US20150337439A1 (en) 2015-11-26
EP2940182A4 (en) 2016-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9567670B2 (en) Method for high-velocity and atmospheric-pressure atomic layer deposition with substrate and coating head separation distance in the millimeter range
US20070224348A1 (en) Atomic layer deposition system and method for coating flexible substrates
US20100221426A1 (en) Web Substrate Deposition System
KR101548820B1 (ko) 막 형성 장치
KR101632774B1 (ko) 막 형성 장치
US20090229523A1 (en) Film depositing apparatus
KR101667139B1 (ko) 막 형성 장치
KR101887192B1 (ko) 롤투롤 원자층 증착장치
KR101887191B1 (ko) 롤투롤 원자층 증착장치
KR20150037260A (ko) 자성롤
KR101834200B1 (ko) 원자층 증착 장비 가스 모듈, 원자층 증착 장비 및 그를 이용한 원자층 증착 방법
US20210238747A1 (en) Atomic Layer Deposition Apparatus
KR20150037261A (ko) 막 형성 장치
JP2013209691A (ja) 機能性フィルムの製造方法および製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180619

Year of fee payment: 4