KR20140070340A - 터치 센서를 구비하는 유기 발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 두께와 무게를 줄이고 제조비용을 줄일 수 있는 터치센서를 구비하는 유기 발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상기 터치 센서가, 베이스층; 상기 베이스층의 제 1 면에서 제1 방향으로 형성되는 복수의 제 1 터치 전극들; 상기 베이스층의 제 1 면과 대향하는 제 2 면에서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 형성되는 복수의 제 2 터치 전극들; 상기 기판의 제 1 면에서 상기 복수의 제 1 전극들과 각각 연결된 복수의 제 1 라우팅 배선들; 상기 기판의 제 1 면에 형성되며 상기 복수의 제 1 라우팅 배선들과 분리된 복수의 제 2 라우팅 배선들; 및 상기 기판의 제 2 면에 형성되며, 상기 복수의 제 2 라우팅 배선들과 홀을 통해 각각 연결되는 복수의 제 3 라우팅 배선들을 포함하며, 상기 베이스층은 배리어층, 스크래치 방지층, 및 원 편광막 중의 적어도 하나인 것을 특징으로 한다
Description
본 발명은 터치 센서를 구비하는 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 두께와 무게를 줄이고 제조비용을 줄일 수 있는 터치 센서를 구비하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLED)표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 평판 디스플레이 시장은 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD)와 OLED 표시장치가 주류를 이루고 있다. 이 중 OLED 표시장치는 LCD와 다르게 자발광소자로서, LCD에 사용되는 백라이트가 필요하지 않고, 경량 박형이 가능해 점차 시장을 넓혀가고 있다.
또한, 최근에는 플렉서블(flexible) 플라스틱이나 메탈 호일(metal foil)과 같이 유연성 있는 재료를 기판으로 사용하여 종이처럼 휘어져도 표시성능을 그대로 유지할 수 있게 제조된 플렉서블(flexible) OLED 표시장치가 차세대 평판표시장치로 급부상중이다.
이 플렉서블 OLED 표시장치의 기판은 경량이고, 내충격성이 우수하며 저렴한 장점을 갖는 반면, 외부로부터 수분 또는 산소의 침투가 용이한 단점이 있다.
이와 같은 이유로, 플렉서블 OLED 표시장치는 적어도 3층으로 이뤄진 보호필름(13)을 포함해 구성된다.
이하, 도 1a 및 도 1b를 참조하여, 종래의 플렉서블 OLED 표시장치에 대해 상세히 설명하기로 한다. 도 1a는 종래의 플렉서블 OLED 표시장치을 개략적으로 도시한 단면도이고 도 1b는 종래의 터치센서를 구비하는 OLED표시장치에 관한 것으로, 도 1a의 OLED 표시장치에 적용된 터치 센서를 도시한 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 플렉서블 OLED 표시장치는 데이터 라인들, 게이트 라인들 및 박막 트랜지스터 등의 표시소자가 형성된 박막 트랜지스터(TFT) 기판(10)과, TFT 기판(10) 상에 형성되는 유기 발광다이오드(OLED)(11)와, TFT 기판(10)과 OLED(11)를 인캡슐레이트하는 보호막(13)을 포함한다.
보호막(13)은 외부로부터 산소 및 수분이 OLED 내부로 침투하는 것을 방지하는 구성이다. 일반적으로 보호막(13)은 2층의 무기 보호막(13a, 13c)과, 2층의 무기 보호막(13a, 13c) 사이에 배치되는 1층의 유기 보호막(13b)으로 이뤄진다. 무기 보호막(13a, 13c)은 산소 및 수분의 침투를 방지하는데 있어 유기 보호막(13b)보다 적합하며, 유기 보호막(13b)은 무기 보호막(13a, 13c)의 내충격성을 보완하는 역할을 한다.
여기에서, 무기 보호막(13a, 13c)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SixNy), 실리콘 산화질화물(SiON), 알루미늄 산화물(AlOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnOx) 등으로 이뤄지며, 유기 보호막은 모노머(monomer) 또는 고분자 박막이 사용되는데, 모노머로는 아크릴레이트 모노머(acrylate monomer), 페닐아세틸렌(phenylacetylene), 디아민(diamine) 및 디안하이드라이드(dianhydride), 실록산(siloxane), 실란(silane), 파릴렌(parylene) 등이 사용된다. 고분자 박막으로는 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene)과 같은 올레핀계 폴리머, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 플루오로 수지(fluororesin), 폴리실록산(polysiloxane) 등이 사용된다.
플렉서블 OLED는 이처럼 구성된 3층 구조의 보호막(13)을 통해 외부로부터 수분 및 산소가 OLED(11) 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
도 1a에서, 미설명부호 14는 반사방지막으로, 일반적으로 선편광필름 및 원편광필름이 적층된 구조를 이루고 있으며, 15는 윈도우 커버(window cover)이고, 18은 TFT 기판(10)과 윈도우 커버(15) 사이에 형성되어 내부를 밀봉하기 위한 실런트(sealant)이며, DP는 표시패널을 나타낸다.
도 1b를 참조하면, 플렉서블 OLED 표시장치는 윈도우 커버(W)와 OLED 표시패널 사이에 형성되는 터치 센서를 포함한다.
터치 센서는 일반적으로 터치된 부분을 감지하는 방식에 따라, 상판 또는 하판에 금속 전극을 형성하여 직류전압을 인가한 상태에서 터치된 위치를 저항에 따른 전압 구배(voltage gradient)로 판단하는 저항막 방식(resistive type), 도전막에 등전위를 형성하고 터치에 따른 상하판의 전압 변화가 일어난 위치를 감지하여 터치된 부분을 감지하는 정전용량 방식(capacitive type), 전자펜이 도전막을 터치함에 따라 유도되는 LC값을 읽어들여 터치된 부분을 감지하는 전자 유도 방식(electromagnetic type) 등으로 구별될 수 있으며, 그 외에도 광학 방식, 초음파 방식 등이 알려져 있다.
이 중 요즘 시장에서 가장 많이 사용되는 정전용량 방식은 X축 전극패턴들과 Y축 전극패턴들을 교차시켜 매트릭스를 형성하고, 매트릭스 상의 임의의 위치에서 터치가 이루어지는 경우, 정전용량이 변화되는 매트릭스 상의 X축과 Y축의 좌표를 찾아내어 터치 위치를 검출하므로 접촉력이 작은 경우에도 터치위치를 감지할 수 있는 이점이 있다.
도 1b의 플렉서블 OLED에 적용된 터치 센서는 정정용량 방식 터치 센서이다.
도 1b를 참조하면, 터치 센서는 투명 기판(20) 상의 일면에 서로 나란하게 형성되는 복수의 터치 구동 전극들(Tx)과, 투명 기판(20)의 타면 상에 형성되며, 복수의 터치 구동전극들(Tx)과 교차하는 방향으로 나란하게 형성되는 복수의 터치 센싱 전극들(Rx)을 포함한다. 이와 같이 형성된 터치 센서의 상면(터치 센싱 전극들(RX)이 형성된 면)에는 제 1 접착제(A1)에 의해 윈도우 커버(W)가 부착되고, 터치 센서의 하면(터치 구동 전극들(.Tx)이 형성된 면)에는 제 2 접착제(A2)에 의해 표시장치(DP)가 부착된다.
상술한 바와 같이 종래의 플렉서블 OLED 표시장치에 따르면 터치 센서는 접착제에 의해 OLED 표시장치에 상판부착(add on) 방식으로 부착된다.
그러나, 이와 같이 상판부착 방식으로 플렉서블 OLED 표시장치에 터치 센서를 부착하면, 터치 센서의 추가로 인해 두께 및 무게, 그리고 제조 비용이 증가하는 등의 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해소하기 위한 것으로, 플렉서블 OLED 표시장치의 구성요소를 이용함으로써 하여 플렉서블 OLED 표시장치의 두께와 무게를 줄이고 제조비용을 줄일 수 있는 플렉서블 OLED 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적 달성을 위해 본 발명에 따르는 터치센서를 구비하는 유기 발광 다이오드 표시장치는, 유기 발광 다이오드와 상기 유기 발광 다이오드를 보호하기 위한 보호막이 형성된 기판과, 상기 기판 상에 형성되는 터치 센서를 구비하는 유기 발광 다이오드 표시장치로서, 상기 터치 센서는, 베이스층; 상기 베이스층의 제 1 면에서 제1 방향으로 형성되는 복수의 제 1 터치 전극들; 상기 베이스층의 제 1 면과 대향하는 제 2 면에서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 형성되는 복수의 제 2 터치 전극들; 상기 기판의 제 1 면에서 상기 복수의 제 1 전극들과 각각 연결된 복수의 제 1 라우팅 배선들; 상기 기판의 제 1 면에 형성되며 상기 복수의 제 1 라우팅 배선들과 분리된 복수의 제 2 라우팅 배선들; 및 상기 기판의 제 2 면에 형성되며, 상기 복수의 제 2 라우팅 배선들과 홀을 통해 각각 연결되는 복수의 제 3 라우팅 배선들을 포함하며, 상기 베이스층은 배리어층, 스크래치 방지층, 및 원 편광막 중의 적어도 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 유기 발광 다이오드 표시장치는 상기 터치 센서 상부에 배치되는 원 편광막을 더 포함하며, 상기 베이스층은 상기 배리어층 및 상기 스크래치 방지층 중의 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 유기 발광 다이오드 표시장치는 상기 터치 센서 상부에 배열되는 선 편광막을 더 포함하며, 상기 베이스층은 상기 원 편광막인 것을 특징으로 한다.
상기 터치 센서는 상기 베이스층과 상기 제 2 터치 전극들, 및 제 3 라우팅 배선들 사이에 형성되는 무기막을 더 포함할 수도 있다.
또한, 상기 홀은 상기 제 2 라우팅 배선, 상기 베이스층, 상기 제 3 라우팅 배선을 관통하는 관통홀일 수 있다.
또한, 상기 홀은 상기 제 2 라우팅 배선, 및 상기 베이스층을 관통하여 상기 제 3 라우팅 배선을 노출시키는 콘택홀 또는 상기 제 3 라우팅 배선 및 상기 베이스층을 관통하여 상기 제 2 라우팅 배선을 노출시키는 콘택홀일 수 있다.
상기 터치 센서는 또한 상기 홀 내에 형성되어 상기 제 2 라우팅 배선과 상기 제 3 라우팅 배선을 연결하는 연결부를 더 포함할 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 터치 전극들은 투명 도전층으로 형성되고, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 라우팅 배선들은 투명 도전층과 금속층으로 형성된다.
또한, 상기 목적달성을 위한 본 발명에 따르는 유기 발광 다이오드 표시장치 제조방법은, 기판 상에 유기 발광 다이오드와 상기 유기 발광 다이오드를 보호하기 위한 보호막을 형성하는 단계와 상기 보호막 상에 터치 센서를 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치 제조방법으롯, 상기 터치 센서 형성단계는, 터치 전극 형성영역과 라우팅 배선 형성영역을 구비하는 베이스층을 준비하는 제 1 단계; 상기 베이스층의 제 1 면과 제 2 면에 각각 투명도전층과 금속층을 순차적으로 형성하는 제 2 단계; 포토리소그래피 공정을 이용하여 상기 제 1 면의 전극 형성영역에 투명 도전층으로 된 복수의 제 1 터치 전극을 형성하고, 제 1 면의 라우팅 배선 영역에 투명도전층과 금속층으로 되어 상기 복수의 제 1 터치전극들과 각각 연결되는 복수의 제 1 라우팅 배선들과, 상기 복수의 제 1 라우팅 배선들과 연결되지 않도록 복수의 제 2 라우팅 배선들을 형성하며, 상기 제 2 면의 전극 형성영역에 투명 도전층으로 된 복수의 제 2 터치 전극을 형성하고, 제 2 면의 라우팅 배선 영역에 투명도전층과 금속층으로 된 복수의 제 3 라우팅 배선들을 형성하는 제 3 단계; 상기 복수의 제 2 라우팅 배선들, 상기 베이스층, 및 상기 제 3 라우팅 배선들 중 상기 베이스층을 포함하는 적어도 2개를 관통하도록 홀을 형성하는 제 4 단계; 및 상기 홀에 금속물질을 채워 상기 제 2 라우팅 배선들을 상기 제 3 라우팅 배선들에 각각 연결하는 연결부들을 형성하는 제 5 단계를 포함한다.
또한, 상기 제 2 단계는 제 1 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정으로 투명 도전층과 금속층으로 된 복수의 제 1 및 제 2 터치 전극들, 복수의 제 1 라우팅 배선들, 복수의 제 2 및 제 3 라우팅 배선들을 형성하는 단계; 및 제 2 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정으로 투명 도전층으로 된 복수의 제 1 및 제 2 터치 전극들과, 투명 도전층과 금속층으로 된 복수의 제 1 라우팅 배선들, 복수의 제 2 및 제 3 라우팅 배선들을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 제 1 단계 후, 상기 베이스층의 제 2 면에 무기막을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 복수의 제 2 터치 전극들과, 상기 복수의 제 3 라우팅 배선들은 상기 무기막 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 단계 후, 상기 홀들은 레이저 드릴 방법(laser drill method), CNC (Computerized Numerical Control) 드릴 방법, 펀칭(punching) 방법 중 어느 하나의 방법으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 연결부들은 스크린 프린팅 방법(screen printing method), 디스펜스 방법(dispense method), 잉크젯 방법(inkjet method), 전기 도금 방법 중 어느 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 터치 센서의 베이스층이 플렉서블 OLED의 배리어층(barrier layer), 스크래치 방지층, 원 편광막(circular polarization film) 중의 적어도 하나의 기능을 겸하기 때문에 이 터치 센서를 플렉서블 OLED 표시장치에 적용하면, 플렉서블 OLED 표시장치의 두께와 무게를 줄임과 동시에 제조비용을 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
도 1a는 종래의 플렉서블 OLED 표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1b는 터치 센서를 구비하는 종래의 플렉서블 OLED 표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 터치 센서를 구비하는 플렉서브 OLED 표시장치의 구성을 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 터치 센서(TS)를 도시한 평면도이다.
도 4a는 도 3에 도시된 라인 I-I'및 II-II'을 따라 취한 단면도이다.
도 4b는 도 3의 라인 III-III'을 따라 취한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 터치센서를 제조하기 위한 제 1 공정을 도시한 평면도이다.
도 6a는 도 5의 라인 I-I' 및 II-II'을 따라 취한 단면도이다.
도 6b는 도 5의 라인 III-III'을 따라 취한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 터치센서를 제조하기 위한 제 2 공정을 도시한 평면도이다.
도 8a는 도 7의 라인 I-I' 및 II-II'을 따라 취한 단면도이다.
도 8b는 도 7의 라인 III-III'을 따라 취한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 터치센서를 제조하기 위한 제 3 공정을 도시한 평면도이다.
도 10a는 도 9의 라인 I-I' 및 II-II'을 따라 취한 단면도이다.
도 10b는 도 9의 라인 III-III'을 따라 취한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 터치센서를 제조하기 위한 제 4 공정을 도시한 평면도이다.
도 12a는 도 11의 라인 I-I' 및 II-II'을 따라 취한 단면도이다.
도 12b는 도 11의 라인 III-III'을 따라 취한 단면도이다.
도 1b는 터치 센서를 구비하는 종래의 플렉서블 OLED 표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 터치 센서를 구비하는 플렉서브 OLED 표시장치의 구성을 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 터치 센서(TS)를 도시한 평면도이다.
도 4a는 도 3에 도시된 라인 I-I'및 II-II'을 따라 취한 단면도이다.
도 4b는 도 3의 라인 III-III'을 따라 취한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 터치센서를 제조하기 위한 제 1 공정을 도시한 평면도이다.
도 6a는 도 5의 라인 I-I' 및 II-II'을 따라 취한 단면도이다.
도 6b는 도 5의 라인 III-III'을 따라 취한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 터치센서를 제조하기 위한 제 2 공정을 도시한 평면도이다.
도 8a는 도 7의 라인 I-I' 및 II-II'을 따라 취한 단면도이다.
도 8b는 도 7의 라인 III-III'을 따라 취한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 터치센서를 제조하기 위한 제 3 공정을 도시한 평면도이다.
도 10a는 도 9의 라인 I-I' 및 II-II'을 따라 취한 단면도이다.
도 10b는 도 9의 라인 III-III'을 따라 취한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 터치센서를 제조하기 위한 제 4 공정을 도시한 평면도이다.
도 12a는 도 11의 라인 I-I' 및 II-II'을 따라 취한 단면도이다.
도 12b는 도 11의 라인 III-III'을 따라 취한 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시장치를 도 2 내지 도 도 4b를 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 터치 센서를 구비하는 플렉서브 OLED 표시장치의 구성을 도시한 단면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 터치 센서(TS)를 도시한 평면도이며, 도 4a는 도 3에 도시된 라인 I-I' 및 II-II'을 따라 취한 단면도이고, 도 4b는 도 3의 라인 III-III'을 따라 취한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따르는 OLED 표시장치는 데이터 라인들, 게이트 라인들 및 박막 트랜지스터 등의 표시소자(도시생략)가 형성된 박막 트랜지스터 기판(TFTA)과, TFT 기판(TFTA) 상에 형성되는 유기 발광다이오드(OLED)(11)와, 유기 발광 다이오드를 감싸도록 형성되어 외부로부터 산소나 수분이 침투하는 것을 방지하기 위한 제 1 보호막(PAS1), 제 1 보호막(PAS1) 상에 형성되어 외부로부터 산소나 수분이 침투하는 것을 방지하기 위한 제 2 보호막(PAS2), 제 2 보호막(PAS2) 상에 형성되는 터치 센서(TS), 터치 센서 상부에 배치되어 투과광을 일정 방향으로 통과시키는 편광막(POL), 및 편광막(POL) 상에 배치되어 터치 센서를 보호하기 위한 윈도우 커버(W)를 포함한다.
터치 센서(TS)는 베이스층(BL)과 그 상하부에 각각 형성되는 제 1 터치전극들(Rx1~Rx3) 및 터치 구동전극들(Tx)을 포함한다.
도 3 및 도 4a, 도 4b를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 터치 센서(TS)는 터치 전극들이 형성되는 터치전극 형성영역(A), 터치 전극들과 각각 접속되는 라우팅 배선들이 형성되는 라우팅 배선 형성영역(B) 및 라우팅 배선들과 터치 구동회로의 신호라인들을 연결하기 위한 라우팅 패드들이 형성되는 패드 형성영역(C)을 포함한다.
전극 형성부(A)는 베이스층(100)의 일면 상에 형성되는 복수의 제 1 터치 전극들(Rx1~Rx3)과, 베이스층(100)의 타면에서 무기막(200)을 사이에 두고 상기 복수의 제 1 전극들(Rx)과 교차하도록 형성되는 복수의 제 2 터치 전극들(Tx1~Tx3)을 포함한다.
제 1 터치 전극들(Rx1~Rx3)은 베이스층(100)의 일면(예를 들면, 상면)에 형성되며, 제 1 방향(예컨대, Y축 방향)으로 서로 나란하게 배열된다. 복수의 제 2 터치 전극들(Tx1~Tx3)은 베이스층(100)의 타면(예를 들면, 하면)에 형성된 무기막(200)에 형성되며, 상기 제 1 터치 전극들(Rx1~Rx3)과 교차하는 제 2 방향(예컨대, X축 방향)으로 서로 나란하게 배열된다. 이처럼, 제 1 및 제 2 전극들(Rx1~Rx3, Tx1~Tx3)은 베이스층(100) 및 무기막(200)을 사이에 두고, 서로 교차되도록 배열되어 있으므로 서로 절연상태를 유지한다.
본 발명의 실시예에 따른 터치 센서에서 베이스층(100)은 폴리카보네이트(Poly Carbonate; PC), 사이클로 올레핀 폴리머(Cyclo Olefin Polymer; COP)처럼 연신되지 않은 광등방성 필름으로 형성된다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 터치 센서(TS)의 베이스층(100)은 OLED 표시장치의 산소나 수분 침투의 방지를 위한 배리어층(barrier layer), 스크래치 방지층, 원 편광막(circular polarization film) 중의 적어도 하나의 기능을 겸할 수 있다. 다만, 터치 센서(Ts)의 베이스층(BL)이 배리어층 또는 스크래치 방지층의 기능을 겸할 경우, 도 2에 도시된 편광막(POL)은 원 편광막이 되며, 원 편광막의 기능을 겸할 경우, 도 2에 도시된 편광막은 선 편광막(linear polarization film)이 된다.
제 1 및 제 2 터치 전극들(Rx1~Rx3, Tx1~Tx3)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), GZO(Gallium-doped Zinc Oxide), 금속 메쉬형(metal mesh type) 투명 전극, 금속 나노와이어(metal nanowire), 또는 탄소 계열 투명 전극들과 같은 투명 도전성 물질로 형성된다.
베이스층(100)의 하면에 형성된 무기막(200)은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화질화물(SiOxNy), 알루미늄 산화물(AlOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 산화 티타늄(TIO2), 산화아연(ZnO)과 같은 물질로 형성된다.
라우팅 배선 형성영역(B)은 베이스층(100)의 전극 형성영역(A) 외곽에 형성되는 복수의 제 1 라우팅 배선들(RW1~RW3)과, 복수의 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3')과, 복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)과, 복수의 홀들(holes)(H1~H3)과, 상기 홀(H1~H3)들을 통해 상기 복수의 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3')과 복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)을 각각 연결하는 복수의 연결부들(C1~C3)을 포함한다.
복수의 제 1 라우팅 배선들(RW1~RW3)은 제1 터치 전극들(Rx1~Rx3)로부터 각각 연장되는 제1층들(RW1a~RW3a)과, 상기 제1층들(RW1a~RW3a) 상에 각각 형성되는 제2층들(RW1b~RW3b)의 이중층(double layer)으로 형성된다.
복수의 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3')은 각각 복수의 홀들(H1~H3)에 채워진 복수의 연결부(C1~C3)에 의해 복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)에 접속되며, 제1층들(TW1a'~TW3a')과, 상기 제1층들(TW1a'~TW3a') 상에 각각 형성되는 제2층들(TW1b'~TW3b')의 이중층(double layer)으로 형성된다.
복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)은 제 2 터치 전극들(Tx1~Tx3)로부터 각각 연장되는 제1층들(TW1a~TW3a)과, 상기 제1층들(TW1a~TW3a) 상에 각각 형성되는 제2층들(TW1b~TW3b)의 이중층(double layer)으로 형성된다.
상술한 바와 같이, 제 1, 제 2 및 제 3 라우팅 배선들(RW1~RW3, TW1'~TW3', TW1~TW3)의 각각은 제1층(RW1a~RW3a, TW1a'~TW3a', TW1a~TW3a)과 제2층(RW1b~RW3b, TW1b'~TW3b', TW1b~TW3b)의 2층 구조로 이뤄져 있다. 이중 제1층(RW1a~RW3a, TW1a'~TW3a', TW1a~TW3a)은 투명 금속층으로서, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indioum Zinc Oxide), GZO(Gallium-doped Zinc Oxide), 금속 메쉬형(metal mesh type) 투명 전극, 금속 나노와이어(metal Nano Wire), 또는 탄소 계열 투명 전극들과 같은 투명 도전성 물질로 형성되고, 제 2 층(RW1b~RW3b, TW1b'~TW3b', TW1b~TW3b)은 Al, AlNd, Mo, MoTi, Cu, Cr, Ag, Ag 계열 합금들과 같은 금속물질로 형성된다.
본 발명의 실시예에서 복수의 홀들(H1~H3)은 복수의 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3'), 베이스층(100), 무기막(200), 및 복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)의 각각을 관통하도록 형성되는 관통홀들(through holes)의 형태로 형성되었다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 복수의 홀들(H1~H3)은 복수의 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3'), 베이스층(100) 및 무기막(200)을 관통하여 복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)이 노출되도록 하거나, 또는 복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3), 무기막(200), 및 베이스층(100)을 관통하여 복수의 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3')이 노출되도록 하는 콘택홀들(contact holes)의 형태로 형성될 수도 있다.
복수의 연결부들(C1~C3)은 상기 복수의 홀들(H1~H3)에 각각 채워져 무기막(200)상에 형성된 복수의 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3')과 베이스층(100)의 일면에 형성된 복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)을 각각 연결한다. 연결부들(C1~C3)은 Al, AlNd, Mo, MoTi, Cu, Cr, Ag, Ag 계열 합금과 같은 금속물질로 형성된다.
패드 형성부(C)는 베이스층(100)의 라우팅 배선부(B)에 인접하여 형성되는 복수의 제 1 라우팅 패드들(RP1~RP3)과, 복수의 제 2 라우팅 패드들(TP1~TP3)을 포함한다.
복수의 제 1 라우팅 패드들(RP1~RP3)은 각각 복수의 제 1 라우팅 배선들(RW1~RW3)을 통해 복수의 제 1 터치 전극들(Rx1~Rx3)에 각각 접속되고, 복수의 제 2 라우팅 패드들(TP1~TP3)은 각각 복수의 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3'), 복수의 연결부들(C1~C3), 및 복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)을 통해 복수의 제 2 터치 전극들(Tx1~Tx3)에 각각 접속된다. 제 1 및 제 2 라우팅 패드들(RP1~RP3, TP1~TP3) 또한 라우팅 배선들과 마찬가지로 투명 도전성 물질로 된 제1층과 금속물질로 된 제2층 의 2층 구조로 형성된다.
이하, 도 5 내지 도 12b를 참조하여 본 발명의 실시예에 따르는 터치 센서(TS)의 제조방법에 대해서 설명한다.
우선, 도 5, 도 6a, 및 도 6b를 참조하여 베이스층(100)에 무기막(200)을 형성하는 공정에 대해 설명하기로 한다. 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 터치 센서를 제조하기 위한 제 1 공정을 도시한 평면도이고, 도 6a는 도 5의 라인 I-I' 및 II-II'을 따라 취한 단면도이며, 도 6b는 도 5의 라인 III-III'을 따라 취한 단면도이다.
도 5, 도 6a, 및 도 6b를 참조하면, 폴리카보네이트(Poly Carbonate; PC), 사이클로 올레핀 폴리머(Cyclo Olefin Polymer; COP)처럼 연신되지 않은 광등방성 필름으로 형성된 베이스층(100)의 일면 상에 스퍼터링법(sputtering)법과 같은 증착법을 이용하여 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화질화막(SiON), 알루미늄 산화물(AlOx), 질화 알루미늄(AlNx), 산화 티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO)과 같은 물질로부터 선택된 무기막(200)이 형성된다.
다음으로, 도 7, 도 8a, 및 도 8b를 참조하여 제 1 및 제 2 터치 전극들, 제 1 및 제 2 터치 라우팅 배선들, 및 제 1 및 제 2 라우팅 패드들을 형성하는 공정에 대해 설명하기로 한다. 도 7은 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 터치 센서를 제조하기 위한 제 2 공정을 도시한 평면도이고, 도 8a는 도 7의 라인 I-I' 및 II-II'을 따라 취한 단면도이며, 도 8b는 도 7의 라인 III-III'을 따라 취한 단면도이다.
도 7, 도 8a, 및 도 8b를 참조하면, 베이스층(100)의 일면과 베이스층(100)의 타면에 형성된 무기막(200) 상에 각각 투명 도전층과 금속층을 순차적으로 형성된 후 이를 패터닝하여, 복수의 제 1 및 제 2 터치 전극들(Rx1~Rx3, Tx1~Tx3), 복수의 제 1 라우팅 배선들(RW1~RW3), 복수의 제 2 및 제 3 라우팅 배선들(TW1'~TW3' TW1~TW3), 및 복수의 제 1 및 제 2 라우팅 패드들(RP1~RP3, TP1~TP3)이 형성된다.
보다 구체적으로 설명하면, PECVD(a plasma-enhanced chemical vapor deposition) 등의 증착공정을 이용하여 베이스층(100)의 일면 상과 베이스층(100)의 타면에 형성된 무기막(200) 상에 각각 투명 도전층과 금속층이 순차적으로 증착된다.
다음으로, 베이스층(100) 상의 금속층과 무기막(200) 상의 금속층 상에 각각 포토레지스트를 전면 도포한다. 그리고, 제 1 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 이용하여, 베이스층(100) 상에 제 1 포토레지스트 패턴(도시생략)을 형성하고, 제 2 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 이용하여 무기막(200) 상에 제 2 포토레지스트 패턴(도시생략)을 형성한다. 제 1 포토레지스트 패턴은 복수의 제 1 터치 전극들(Rx1~Rx3), 복수의 제 1 라우팅 배선들(RW1~RW3), 복수의 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3'), 및 복수의 제 1 및 제 2 라우팅 패드들(RP1~RP3, TP1~TP3)이 형성될 영역을 제외한 베이스층(100) 상의 금속층을 노출시킨다. 제 2 포토레지스트 패턴은 복수의 제 2 터치 전극들(Tx1~Tx3)과 복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)이 형성될 영역을 제외한 무기막(200) 상의 금속층을 노출시킨다.
제 1 포토레지스트 패턴을 통해 노출된 베이스층(100) 상의 금속층 및 투명 도전층을 에칭으로 제거한 후, 금속층 상에 잔류하는 제 1 포토레지스트 패턴을 제거하면, 투명 도전층과 금속층으로 된 2중층(double layer) 구조의 복수의 제 1 터치 전극들(Rx1~Rx3), 복수의 제 1 라우팅 배선들(RW1~RW3), 복수의 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3'), 및 복수의 제 1 및 제 2 라우팅 패드들(RP1~RP3, TP1~TP3)이 베이스층(100) 상에 형성된다.
또한, 제 2 포토레지스트 패턴을 통해 노출된 무기막(200) 상의 금속층 및 투명 도전층을 에칭으로 제거한 후, 금속층 상에 잔류하는 제 2 포토레지스트 패턴을 제거하면, 투명 도전층과 금속층으로 된 2중층(double layer) 구조의 복수의 제 2 터치 전극들(Tx1~Tx3)과 복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)이 무기막(200) 상에 형성된다.
결과적으로, 복수의 제 1 터치 전극들(Rx1~Rx3), 복수의 제 1 라우팅 배선들(RW1~RW3), 복수의 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3'), 및 복수의 제 1 및 제 2 라우팅 패드들(RP1~RP3, TP1~TP3)은 베이스층(100)의 일면 상에 형성되고, 제 2 터치 전극들(Tx1~Tx3), 및 복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)은 베이스층(100)의 타면 상에 형성된 무기막(200)에 형성된다.
다음으로, 복수의 제 1 터치 전극들(RX1~Rx3), 복수의 제 1 라우팅 배선들(RW1~RW3), 복수의 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3'), 및 복수의 제 1 및 제 2 라우팅 패드들(RP1~RP3, TP1~TP3)이 형성된 베이스층(100)과, 복수의 제 2 터치 전극들(Tx1~Tx3) 및 복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)이 형성된 무기막(200) 상에 각각 포토레지스트를 전면 도포한다. 그리고, 제 3 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 이용하여 이중층의 복수의 제 1 터치 전극들(Rx1~Rx3)이 형성된 베이스층(100) 상에 제 3 포토레지스트 패턴(도시생략)을 형성하고, 제 4 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 이용하여 이중층의 복수의 제 2 터치 전극들(Tx1~Tx3)이 형성된 무기막(200) 상에 제 4 포토레지스트 패턴(도시생략)을 형성한다. 제 3 포토레지스트 패턴은 2중층의 제 1 터치 전극들(Rx1~Rx3)을 노출시키고, 제 4 포토레지스트 패턴은 2중층의 제 2 터치 전극들(Tx1~Tx3)을 노출시킨다.
그리고, 제 3 포토레지스트 패턴을 통해 노출된 2중층의 제 1 터치 전극들(Rx1~Rx3)의 금속층을 에칭으로 제거한 후, 잔류하는 제 3 포토레지스트 패턴을 제거하면, 투명 도전층으로 된 복수의 제 1 터치 전극들(RX1~Rx3)이 베이스층(100)의 터치 전극 형성영역(A)에 형성된다.
또한, 제 4 포토레지스트 패턴을 통해 노출된 2중층의 제 2 터치 전극들(Tx1~Tx3)의 금속층을 에칭으로 제거한 후, 잔류하는 제 4 포토레지스트 패턴을 제거하면, 투명 도전층으로 된 복수의 제 2 터치 전극들(Tx1~Tx3)이 무기막(200)의 터치 전극 형성영역(A)에 형성된다.
한편, 베이스층(100)의 라우팅 배선 형성영역(B)에는 2층 구조의 복수의 제 1 라우팅 배선들(RW1~RW3) 및 복수의 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3')이 형성되고, 무기막(200)의 라우팅 배선 형성영역(B)에는 2층 구조의 복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)이 형성된다. 또한, 베이스층(100)의 패드 형성영역(C)에는 2층 구조의 복수의 제 1 및 제 2 라우팅 패드들(RP1~RP3, TP1~TP3)이 형성된다.
투명 도전층은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indioum Zinc Oxide), GZO(Gallium-doped Zinc Oxide), 금속 메쉬형 투명 전극, 금속 나노 와이어, 탄소 계열 투명 전극들 같은 투명 도전성 물질로 형성되고, 금속층은 Al, AlNd, Mo, MoTi, Cu, Cr, Ag, Ag 계열 합금들과 같은 금속물질로 형성된다.
이상의 설명에서는 복수의 제 1 및 제 2 터치 전극들(Rx1~Rx3, Tx1~Tx3), 복수의 제 1 라우팅 배선들(RW1~RW3), 복수의 제 2 및 제 3 라우팅 배선들(TW1'~TW3', TW1~TW3), 및 복수의 제 1 및 제 2 라우팅 패드들(RP1~RP3, TP1~TP3)을 형성하기 위해 2개의 마스크가 이용되는 예를 설명했지만, 하프톤 마스크를 사용하면, 하나의 마스크 공정으로도 실시 가능하다. 하프톤 마스크 공정은 당업계에 알려져 있는 공지의 기술이므로, 여기에서는 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.
다음으로, 도 9, 도 10a, 및 도 10b를 참조하여 라우팅 배선 형성영역(B)에 복수의 홀들을 형성하는 제 3 공정에 대해 설명하기로 한다. 도 9는 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 터치 센서를 제조하기 위한 제 3 공정을 도시한 평면도이고, 도 10a는 도 9의 라인 I-I' 및 II-II'을 따라 취한 단면도이며, 도 10b는 도 9의 라인 III-III'을 따라 취한 단면도이다.
도 9, 도 10a, 및 도 10b를 참조하면, 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3'), 베이스층(100), 무기막(200), 및 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)을 각각 관통하는 복수의 홀들(H1~H3)이 형성된다. 복수의 홀들(H1~H3)은 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있지만, 바람직하게는 레이저 드릴 방법(laser drill method), CNC (Computerized Numerical Control) 드릴 방법, 펀칭(punching) 방법 등을 이용하여 형성된다.
본 발명의 실시예에서, 상기 복수의 홀들(H1~H3)은 관통홀(through holes)의 형태로 형성되었다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 복수의 홀들(H1~H3)은 복수의 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3'), 베이스층(100) 및 무기막(200)을 관통하여 복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)이 노출되도록 하거나, 또는 복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3), 무기막(200), 및 베이스층(100)을 관통하여 복수의 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3')이 노출되도록 하는 콘택홀들(contact holes)의 형태로 형성될 수도 있다.
다음으로, 도 11, 도 12a, 및 도 12b를 참조하여 복수의 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3')과 복수의 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)를 각각 연결하는 복수의 연결부들(C1~C3)을 형성하는 공정에 대해 설명하기로 한다. 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 터치 센서를 제조하기 위한 제 4 공정을 도시한 평면도이고, 도 12a는 도 11의 라인 I-I' 및 II-II'을 따라 취한 단면도이며, 도 12b는 도 11의 라인 III-III'을 따라 취한 단면도이다.
도 11, 도 12a, 및 도 12b를 참조하면, 복수의 홀들(H1~H3)이 형성된 베이스층(100)과 무기막층(200) 양쪽에서 스크린 프린팅 방법(screen printing method), 디스펜스 방법(dispense method), 잉크젯 방법(inkjet method), 전기 도금 방법에 의해 복수의 홀들(H1~H3)에 금속물질을 채워 복수의 연결부들(C1~C3)을 형성한다. 복수의 연결부들(C1~C3)은 베이스층(100)에 형성된 제 2 라우팅 배선들(TW1'~TW3')과 무기막(200)에 형성된 제 3 라우팅 배선들(TW1~TW3)을 복수의 홀들(H1~H3)을 통해 각각 연결한다.
금속물질로는 Al, AlNd, Mo, MoTi, Cu, Cr, Ag, Ag 계열 합금과 같은 금속물질이 이용된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에에 따른 터치 센서의 베이스층(100)은 플렉서블 OLED의 배리어층(barrier layer), 스크래치 방지층, 원 편광막(circular polarization film) 중의 적어도 하나의 기능을 겸하기 때문에 이 터치 센서를 플렉서블 OLED 표시장치에 적용하면, 플렉서블 OLED 표시장치의 두께와 무게를 줄임과 동시에 제조비용을 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르는 터치 센서를 구비하는 OLED 표시장치에서는 터치센서의 베이스층으로서 OLED 표시장치에 포함되어 있던 배리어층, 스크래치 방지층, 원편광층이 사용될 수 있다. 따라서, 콘택홀을 통해 베이스층의 양면에 각각 형성되는 제 2 및 제 3 라우팅 배선들을 서로 연결하여 베이스층의 일면에 외부회로와 접속을 위한 제 1 및 제 2 터치패드들을 모두 형성할 수 있기 때문에, 외부 회로와의 연결을 위한 구성이 매우 간단해 지는 효과를 얻을 수 있다. 이는 베이스층이 유리와 같이 강도가 매우 높은 물질로 형성되는 경우, 베이스층에 홀을 형성하기 곤란하여 베이스층의 양면에 각각 제 1 및 제 2 터치 패드들을 형성하여야 하기 때문에 매우 효과적인 기술적 특징이다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 터치 센서를 형성할 때, 복수의 제 1 터치 전극, 복수의 제 1 라우팅 배선들, 복수의 제 2 라우팅 배선들, 복수의 제 2 터치 전극들, 복수의 제 3 라우팅 배선들은 동시에 형성하거나 순차적으로 형성할 수 있으며, 복수의 제 1 터치 전극, 복수의 제 1 라우팅 배선들, 상기 복수의 제 2 라우팅 배선들, 및 상기 복수의 제 2 터치 전극들을 먼저 동시에 형성하고, 나중에 복수의 제 2 터치 전극들과 상기 복수의 제 3 라우팅 배선들을 동시에 형성할 수도 있다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 발명의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
100 : 베이스층 200 : 무기막
C1~C3 : 연결부 H1~H3 : 홀
Rx1~Rx3 : 제 1 터치전극 Tx1~Tx3 : 제 2 터치전극
RW1~RW3 : 제 1 라우팅 배선 TW1'~TW3' : 제 2 라우팅 배선
TW1~TW3 : 제 3 라우팅 배선
C1~C3 : 연결부 H1~H3 : 홀
Rx1~Rx3 : 제 1 터치전극 Tx1~Tx3 : 제 2 터치전극
RW1~RW3 : 제 1 라우팅 배선 TW1'~TW3' : 제 2 라우팅 배선
TW1~TW3 : 제 3 라우팅 배선
Claims (17)
- 유기 발광 다이오드와 상기 유기 발광 다이오드를 보호하기 위한 보호막이 형성된 기판과, 상기 기판 상에 형성되는 터치 센서를 구비하는 유기 발광 다이오드 표시장치에 있어서,
상기 터치 센서는,
베이스층;
상기 베이스층의 제 1 면에서 제1 방향으로 형성되는 복수의 제 1 터치 전극들;
상기 베이스층의 제 1 면과 대향하는 제 2 면에서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 형성되는 복수의 제 2 터치 전극들;
상기 베이스층의 제 1 면에서 상기 복수의 제 1 전극들과 각각 연결된 복수의 제 1 라우팅 배선들;
상기 베이스층의 제 1 면에 형성되며 상기 복수의 제 1 라우팅 배선들과 분리된 복수의 제 2 라우팅 배선들; 및
상기 베이스층의 제 2 면에 형성되며, 상기 복수의 제 2 라우팅 배선들과 홀을 통해 각각 연결되는 복수의 제 3 라우팅 배선들을 포함하며,
상기 베이스층은 배리어층, 스크래치 방지층, 및 원 편광막 중의 하나인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 원 평광막은 터치 센서 상부에 배치되며,
상기 베이스층은 상기 배리어층 및 상기 스크래치 방지층 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 터치 센서 상부에 배열되는 선 편광막을 더 포함하며,
상기 베이스층은 상기 원 편광막인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이스층과 상기 제 2 터치 전극들, 및 제 3 라우팅 배선들 사이에 형성되는 무기막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 홀은 상기 제 2 라우팅 배선, 상기 베이스층, 상기 무기막 및 상기 제 3 라우팅 배선을 관통하는 관통홀인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 홀은 상기 제 2 라우팅 배선, 상기 베이스층, 및 상기 무기막을 관통하여 상기 제 3 라우팅 배선을 노출시키는 콘택홀인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 홀은 상기 제 3 라우팅 배선, 상기 무기막 및 상기 베이스층을 관통하여 상기 제 2 라우팅 배선을 노출시키는 콘택홀인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 홀 내에 형성되어 상기 제 2 라우팅 배선과 상기 제 3 라우팅 배선을 연결하는 연결부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치 - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 터치 전극들은 투명 도전층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1, 제 2 및 제 3 라우팅 배선들은 투명 도전층과 금속층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 기판 상에 유기 발광 다이오드와 상기 유기 발광 다이오드를 보호하기 위한 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막 상에 터치 센서를 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치 제조방법에 있어서,
상기 터치 센서 형성단계는,
터치 전극 형성영역과 라우팅 배선 형성영역을 구비하는 베이스층을 준비하는 제 1 단계;
상기 베이스층의 제 1 면과 제 2 면에 각각 투명도전층과 금속층을 순차적으로 형성하는 제 2 단계;
상기 제 1 면의 전극 형성영역에 복수의 제 1 터치 전극을 형성하고, 제 1 면의 라우팅 배선 형성영역에 상기 복수의 제 1 터치전극들과 각각 연결되는 복수의 제 1 라우팅 배선들과, 상기 복수의 제 1 라우팅 배선들로부터 분리된 복수의 제 2 라우팅 배선들을 형성하며, 상기 제 2 면의 전극 형성영역에 복수의 제 2 터치 전극을 형성하고, 상기 제 2 면의 라우팅 배선 영역에 복수의 제 3 라우팅 배선들을 형성하는 제 3 단계;
상기 제 2 라우팅 배선, 상기 베이스층, 및 상기 제 3 라우팅 배선 중 상기 제 2 라우팅 배선 또는 상기 제 3 라우팅 배선을 제외한 적어도 2개를 관통하도록 홀을 형성하는 제 4 단계; 및
상기 홀에 금속물질을 채워 상기 제 2 라우팅 배선을 상기 제 3 라우팅 배선에 연결하는 연결부를 형성하는 제 5 단계를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치 제조방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 단계는 제 1 마스크를 이용하여 상기 투명 도전층과 상기 금속층으로 된 복수의 제 1 터치 전극들, 복수의 제 1 라우팅 배선들 및 복수의 제 2 라우팅 배선들을 형성하고, 제 2 마스크를 이용하여 상기 투명 도전층과 상기 금속층으로 된 복수의 제 2 터치 전극들, 복수의 제 3 라우팅 배선들을 형성하는 단계; 및
제 3 마스크를 이용하여 투명 도전층으로 된 복수의 제 1 터치 전극들을 형성하고, 제 4 마스크를 이용하여 복수의 제 3 터치전극들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치 제조방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 3 단계에서, 상기 복수의 제 1 터치 전극, 상기 복수의 제 1 라우팅 배선들, 상기 복수의 제 2 라우팅 배선들, 및 상기 복수의 제 2 터치 전극들은 동시에 형성되고, 상기 복수의 제 2 터치 전극들과 상기 복수의 제 3 라우팅 배선들은 동시에 형성되거나, 순차적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치 제조방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 3 단계에서, 상기 복수의 제 1 터치 전극, 상기 복수의 제 1 라우팅 배선들, 상기 복수의 제 2 라우팅 배선들, 상기 복수의 제 2 터치 전극들, 및 상기 복수의 제 3 라우팅 배선들은 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치 제조방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 베이스층이 준비된 후, 상기 베이스층의 제 2 면 상에 무기막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치 제조방법. - 제 11 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 홀은 레이저 드릴 방법(laser drill method), CNC (Computerized Numerical Control) 드릴 방법, 펀칭(punching) 방법 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치 제조방법 - 제 11 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 연결부들은 스크린 프린팅 방법(screen printing method), 디스펜스 방법(dispense method), 잉크젯 방법(inkjet method), 전기 도금 방법 중 어느 하나의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시장치 제조방법.
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