KR20140062318A - 표시장치 및 표시장치를 위한 발광 구동 장치 - Google Patents

표시장치 및 표시장치를 위한 발광 구동 장치 Download PDF

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Abstract

표시장치를 위한 발광 구동 장치는 복수의 발광 구동 블록을 포함하고, 상기 복수의 발광 구동 블록 각각은, 제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제2 발광 전원전압이 인가되고, 제2 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제1 발광 전원전압이 인가되는 제1 노드, 상기 제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제1 발광 전원전압이 인가되고, 릴레이 신호가 출력되는 릴레이 신호 출력단에 연결되어 있는 제2 노드, 상기 제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 상기 제1 발광 전원전압이 인가되고, 상기 제2 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제3 발광 전원전압이 인가되고, 역발광 신호가 출력되는 역발광 신호 출력단에 연결되어 있는 제3 노드, 상기 제1 노드의 전압에 의해 턴 온되어 발광 신호가 출력되는 발광 신호 출력단에 상기 제2 발광 전원전압을 전달하는 제1 트랜지스터, 및 상기 제2 노드의 전압에 의해 턴 온되어 상기 발광 신호 출력단에 상기 제1 발광 전원전압을 전달하는 제2 트랜지스터를 포함한다.

Description

표시장치 및 표시장치를 위한 발광 구동 장치{DISPLAY DEVICE AND EMITTING DRIVER FOR THE SAME}
본 발명은 표시장치 및 표시장치를 위한 발광 구동 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전원 배선에 의한 전압 강하의 영향을 줄일 수 있는 표시장치 및 표시장치를 위한 발광 구동 장치에 관한 것이다.
유기발광 표시장치는 전류 또는 전압에 의해 휘도가 제어되는 유기발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)를 이용한다. 유기발광 다이오드는 전계를 형성하는 양극층 및 음극층, 전계에 의해 발광하는 유기 발광재료를 포함한다.
통상적으로, 유기발광 표시장치(OLED)는 유기발광 다이오드를 구동하는 방식에 따라 패시브 매트릭스형 OLED(PMOLED)와 액티브 매트릭스형 OLED(AMOLED)로 분류된다.
이 중 해상도, 콘트라스트, 동작속도의 관점에서 단위 화소마다 선택하여 점등하는 AMOLED가 주류가 되고 있다.
AMOLED는 발광 소자인 유기발광 다이오드에 전류를 흘려서 빛을 발생하여 영상을 표시한다. 이때, 각 화소의 구동 트랜지스터가 영상 데이터의 계조에 따라 일정 전류를 흘려준다.
최근에는 패널이 대형화되는 추세에 있으며, 패널의 대형화에 따라 화소에 전원전압을 전달하는 전원 배선에서의 전압 강하(IR-drop) 현상에 의해 화질이 저하되는 문제가 발생하고 있다. 전원 배선에서의 전압 강하에 의해 실제로 인가한 전압보다 낮은 전압이 화소에 전달되고, 이에 따라 구동 트랜지스터에 흐르는 전류량에 영향을 주어 표시장치의 휘도 편차를 발생시킬 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 전원 배선에 의한 전압 강하 현상으로 표시장치의 화질이 저하되는 문제를 해결할 수 있는 표시장치 및 표시장치를 위한 발광 구동 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 위한 발광 구동 장치는 복수의 발광 구동 블록을 포함하고, 상기 복수의 발광 구동 블록 각각은, 제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제2 발광 전원전압이 인가되고, 제2 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제1 발광 전원전압이 인가되는 제1 노드, 상기 제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제1 발광 전원전압이 인가되고, 릴레이 신호가 출력되는 릴레이 신호 출력단에 연결되어 있는 제2 노드, 상기 제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 상기 제1 발광 전원전압이 인가되고, 상기 제2 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제3 발광 전원전압이 인가되고, 역발광 신호가 출력되는 역발광 신호 출력단에 연결되어 있는 제3 노드, 상기 제1 노드의 전압에 의해 턴 온되어 발광 신호가 출력되는 발광 신호 출력단에 상기 제2 발광 전원전압을 전달하는 제1 트랜지스터, 및 상기 제2 노드의 전압에 의해 턴 온되어 상기 발광 신호 출력단에 상기 제1 발광 전원전압을 전달하는 제2 트랜지스터를 포함한다.
상기 복수의 발광 구동 블록 각각은, 상기 제1 노드에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제1 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제2 노드에 연결되어 있는 제3 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 발광 구동 블록 각각은, 상기 제3 노드에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제2 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제2 노드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제4 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 발광 구동 블록 각각은, 상기 제1 클록 신호 입력단에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제2 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제1 노드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제5 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 발광 구동 블록 각각은, 상기 제3 노드에 연결되어 있는 게이트 전극 및 상기 제1 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극을 포함하는 제6 트랜지스터, 및 상기 제3 노드에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제6 트랜지스터의 타 전극에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제1 노드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제7 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 복수의 발광 구동 블록 각각은, 상기 제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 순차 입력단에 입력되는 릴레이 신호가 전달되는 제4 노드, 및 상기 제4 노드에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제2 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 상기 제3 발광 전원전압이 인가되는 일 전극 및 상기 제3 노드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제9 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 발광 구동 블록 각각은, 상기 제2 클록 신호 입력단에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제3 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제9 트랜지스터의 일 전극에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제14 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 발광 구동 블록 각각은, 상기 제1 클록 신호 입력단에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제1 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제3 노드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제10 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 발광 구동 블록 각각은, 상기 제1 클록 신호 입력단에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 순차 입력단에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제4 노드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제11 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 발광 구동 블록 각각은 전체 리셋 신호 입력단을 포함하고, 상기 복수의 발광 구동 블록은 상기 전체 리셋 신호 입력단에 입력되는 전체 리셋 신호에 따라 상기 발광 신호 출력단으로 상기 제1 발광 전원전압을 동시에 출력하고, 상기 릴레이 신호 출력단으로 상기 제2 발광 전원전압을 동시에 출력하고, 상기 역발광 신호 출력단으로 상기 제3 발광 전원전압을 동시에 출력할 수 있다.
상기 복수의 발광 구동 블록 각각은, 상기 전체 리셋 신호 입력단에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제2 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제3 노드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제8 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 발광 구동 블록 각각은, 상기 전체 리셋 신호 입력단에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제1 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제4 노드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제12 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 발광 구동 블록 각각은, 상기 전체 리셋 신호 입력단에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제1 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 발광 신호 출력단에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제13 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 내지 제14 트랜지스터 중 적어도 어느 하나는 산화물 박막 트랜지스터일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치는 유기발광 다이오드로 흐르는 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되어 있는 일 전극을 포함하는 유지 커패시터를 포함하는 복수의 화소, 및 상기 복수의 화소 각각에 데이터 전압이 인가되는 기간 동안 게이트 온 전압의 역발광 신호를 출력하여 상기 유지 커패시터의 타 전극에 기준전압을 인가시키고, 상기 구동 전류에 의해 상기 유기발광 다이오드가 발광하는 기간 동안 게이트 온 전압의 발광 신호를 출력하여 상기 유지 커패시터의 타 전극에 제1 전원전압을 인가시키는 발광 구동부를 포함하고, 상기 발광 구동부는 복수의 발광 구동 블록을 포함하고, 상기 복수의 발광 구동 블록 각각은, 제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제2 발광 전원전압이 인가되고, 제2 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제1 발광 전원전압이 인가되는 제1 노드, 상기 제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제1 발광 전원전압이 인가되고, 릴레이 신호가 출력되는 릴레이 신호 출력단에 연결되어 있는 제2 노드, 상기 제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 상기 제1 발광 전원전압이 인가되고, 상기 제2 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제3 발광 전원전압이 인가되고, 역발광 신호가 출력되는 역발광 신호 출력단에 연결되어 있는 제3 노드, 상기 제1 노드의 전압에 의해 턴 온되어 발광 신호가 출력되는 발광 신호 출력단에 상기 제2 발광 전원전압을 전달하는 제1 트랜지스터, 및 상기 제2 노드의 전압에 의해 턴 온되어 상기 발광 신호 출력단에 상기 제1 발광 전원전압을 전달하는 제2 트랜지스터를 포함한다.
상기 구동 트랜지스터는 상기 유지 커패시터의 일 전극에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 발광 신호에 따라 제1 전원전압이 인가되는 일 전극 및 상기 발광 신호에 따라 상기 유기발광 다이오드에 연결되는 타 전극을 포함할 수 있다.
상기 복수의 화소 각각은, 게이트 온 전압의 주사 신호에 의해 턴 온되어 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터의 일 전극에 전달하는 스위칭 트랜지스터, 및 상기 게이트 온 전압의 주사 신호에 의해 턴 온되어 상기 구동 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 보상 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 화소 각각은, 상기 게이트 온 전압의 주사 신호가 인가되기 이전에 인가되는 주사 신호에 의해 턴 온되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 초기화 전압을 전달하는 초기화 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 화소 각각은, 상기 발광 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 제1 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 구동 트랜지스터의 일 전극에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제1 발광 트랜지스터, 및 상기 발광 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 구동 트랜지스터의 타 전극에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 유기발광 다이오드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제2 발광 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 화소 각각은, 상기 역발광 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 기준전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 유지 커패시터의 타 전극에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제1 기준전압 트랜지스터, 및 상기 발광 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 제1 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 유지 커패시터의 타 전극에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제2 기준전압 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 스위칭 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터, 상기 보상 트랜지스터, 상기 초기화 트랜지스터, 상기 제1 발광 트랜지스터, 상기 제2 발광 트랜지스터, 상기 제1 기준전압 트랜지스터 및 상기 제2 기준전압 트랜지스터 중 적어도 어느 하나는 산화물 박막 트랜지스터일 수 있다.
전원 배선에 의한 전압 강하 현상으로 인하여 발생할 수 있는 화질 저하 문제를 해결할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 구동 방법을 나타내는 타이밍도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 구동부를 나타내는 블록도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 구동부에 포함되는 발광 구동 블록을 나타내는 회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 구동부의 구동 방법을 나타내는 타이밍도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1 실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 표시장치(10)는 신호 제어부(100), 주사 구동부(200), 데이터 구동부(300), 전원 구동부(400), 발광 구동부(500) 및 표시부(600)를 포함한다.
신호 제어부(100)는 외부 장치로부터 입력되는 영상 신호(ImS) 및 동기 신호를 수신한다. 영상 신호(ImS)는 복수의 화소의 휘도(luminance) 정보를 담고 있다. 휘도는 정해진 수효, 예를 들어, 1024(=210), 256(=28) 또는 64(=26)개의 계조(gray)를 가지고 있다. 동기 신호는 수평 동기 신호(Hsync), 수직 동기 신호(Vsync) 및 메인 클록 신호(MCLK)를 포함한다.
신호 제어부(100)는 영상 신호(ImS), 수평 동기 신호(Hsync), 수직 동기 신호(Vsync) 및 메인 클록 신호(MCLK)에 따라 제1 내지 제3 구동 제어신호(CONT1, CONT2, CONT3) 및 영상 데이터 신호(ImD)를 생성한다.
신호 제어부(100)는 수직 동기 신호(Vsync)에 따라 프레임 단위로 영상 신호(ImS)를 구분하고, 수평 동기 신호(Hsync)에 따라 주사 라인 단위로 영상 신호(ImS)를 구분하여 영상 데이터 신호(ImD)를 생성한다. 신호 제어부(100)는 영상 데이터 신호(ImD)를 제1 구동 제어신호(CONT1)와 함께 데이터 구동부(300)로 전송한다.
표시부(600)는 복수의 화소를 포함하는 표시 영역이다. 표시부(600)에는 대략 행 방향으로 연장되어 서로가 거의 평행한 복수의 주사 라인, 대략 열 방향으로 연장되어 서로가 거의 평행한 복수의 데이터 라인, 대략 행 방향으로 연장되어 서로가 거의 평행한 복수의 발광 라인, 및 대략 행 방향으로 연장되어 서로가 거의 평행한 복수의 역발광 라인이 복수의 화소에 연결되도록 형성된다.
주사 구동부(200)는 복수의 주사 라인에 연결되고, 제2 구동 제어신호(CONT2)에 따라 복수의 주사 신호(S[1]~S[n])를 생성한다. 주사 구동부(200)는 복수의 주사 라인에 게이트 온 전압의 주사 신호(S[1]~S[n])를 순차적으로 인가할 수 있다.
데이터 구동부(300)는 복수의 데이터 라인에 연결되고, 제1 구동 제어신호(CONT1)에 따라 영상 데이터 신호(ImD)를 샘플링 및 홀딩하고, 복수의 데이터 라인 각각에 복수의 데이터 신호(data[1]~data[m])를 인가한다. 데이터 구동부(300)는 게이트 온 전압의 주사 신호(S[1]~S[n])에 대응하여 복수의 데이터 라인에 소정의 전압 범위를 갖는 데이터 신호(data[1]~data[m])를 인가하여 복수의 화소에 데이터를 기입할 수 있다.
전원 구동부(400)는 표시부(600)에 포함된 복수의 화소에 제1 전원전압(ELVDD), 제2 전원전압(ELVSS), 초기화 전압(VINT) 및 기준전압(Vsus)을 제공한다. 제1 전원전압(ELVDD)은 하이 레벨 전압이고, 제2 전원전압(ELVSS)은 로우 레벨 전압일 수 있다. 초기화 전압(VINT)은 복수의 화소를 초기화시키는 미리 정해진 레벨의 전압이다. 기준전압(Vsus)은 복수의 화소에 입력되는 데이터 전압을 유지시키기 위한 미리 정해진 레벨의 전압이다. 기준전압(Vsus)은 제1 전원전압(ELVDD)과 동일한 레벨의 전압일 수 있으며, 기준전압(Vsus)은 제1 전원전압(ELVDD)의 전원 배선과 별도의 배선을 통해 복수의 화소에 제공된다.
그리고 전원 구동부(400)는 발광 구동부(500)에 제1 발광 전원전압(VGH), 제2 발광 전원전압(VGL) 및 제3 발광 전원전압(VGL_EmB)을 제공한다. 제1 발광 전원전압(VGH)은 하이 레벨 전압이고, 제2 발광 전원전압(VGL) 및 제3 발광 전원전압(VGL_EmB)은 로우 레벨 전압일 수 있다. 제1 발광 전원전압(VGH) 및 제2 발광 전원전압(VGL)은 발광 신호(Em[1]~Em[n])를 생성하기 위한 구동 전압이다. 제3 발광 전원전압(VGL_EmB)은 로우 레벨의 역발광 신호(EmB[1]~EmB[n])를 생성하기 위한 구동 전압이다.
발광 구동부(500)는 복수의 발광 라인 및 복수의 역발광 라인에 연결되고, 제3 구동 제어신호(CONT3)에 따라 복수의 발광 신호(Em[1]~Em[n]) 및 복수의 역발광 신호(EmB[1]~EmB[n])를 생성한다. 복수의 화소에 데이터가 기입될 때, 발광 구동부(500)는 게이트 오프 전압의 발광 신호(Em[1]~Em[n])를 복수의 발광 라인에 순차적으로 인가하고, 데이터가 기입된 이후에 게이트 온 전압의 발광 신호(Em[1]~Em[n])를 순차적으로 인가하여 복수의 화소를 발광시킬 수 있다. 발광 구동부(500)는 복수의 역발광 신호(EmB[1]~EmB[n])를 발광 신호(Em[1]~Em[n])의 반대 레벨로 복수의 역발광 라인에 인가한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다. 도 1의 표시장치(10)에 포함되는 복수의 화소 중 어느 하나의 화소를 나타낸다.
도 2를 참조하면, 화소(610)는 스위칭 트랜지스터(M1), 구동 트랜지스터(M2), 보상 트랜지스터(M3), 초기화 트랜지스터(M4), 제1 발광 트랜지스터(M5), 제2 발광 트랜지스터(M6), 제1 기준전압 트랜지스터(M7), 제2 기준전압 트랜지스터(M8), 유지 커패시터(Cst) 및 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.
스위칭 트랜지스터(M1)는 주사 라인에 연결되어 있는 게이트 전극, 데이터 라인에 연결되어 있는 일 전극 및 제1 노드(N1)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다. 스위칭 트랜지스터(M1)는 주사 라인에 인가되는 게이트 온 전압의 주사 신호(S[i])에 의해 턴 온되어 데이터 라인에 인가되는 데이터 신호(data[j])를 제1 노드(N1)에 전달한다.
구동 트랜지스터(M2)는 제3 노드(N3)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제1 노드(N1)에 연결되어 있는 일 전극 및 제2 노드(N2)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다. 구동 트랜지스터(M2)는 제3 노드(N3)의 전압에 의해 온-오프되어 제1 전원전압(ELVDD)으로부터 유기발광 다이오드(OLED)로 흐르는 구동 전류를 제어한다.
보상 트랜지스터(M3)는 주사 라인에 연결되어 있는 게이트 전극, 제2 노드(N2)에 연결되어 있는 일 전극 및 제3 노드(N3)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다. 보상 트랜지스터(M3)는 주사 라인에 인가되는 게이트 온 전압의 주사 신호(S[i])에 의해 턴 온되어 구동 트랜지스터(M2)를 다이오드 연결시킨다.
초기화 트랜지스터(M4)는 스위칭 트랜지스터(M1)에 연결되어 있는 주사 라인보다 1행 앞서 배열된 주사 라인에 연결되어 있는 게이트 전극, 초기화 전압(VINT)에 연결되어 있는 일 전극 및 제3 노드(N3)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다. 초기화 트랜지스터(M4)는 앞서 배열된 주사 라인에 인가되는 게이트 온 전압의 주사 신호(S[i-1])에 의해 턴 온되어 제3 노드(N3)에 초기화 전압(VINT)을 전달한다.
제1 발광 트랜지스터(M5)는 발광 라인에 연결되어 있는 게이트 전극, 제1 전원전압(ELVDD)에 연결되어 있는 일 전극 및 제1 노드(N1)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다. 제1 발광 트랜지스터(M5)는 게이트 온 전압의 발광 신호(Em[i])에 의해 턴 온되어 제1 전원전압(ELVDD)을 제1 노드(N1)에 전달한다.
제2 발광 트랜지스터(M6)는 발광 라인에 연결되어 있는 게이트 전극, 제2 노드(N2)에 연결되어 있는 일 전극 및 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다. 제2 발광 트랜지스터(M6)는 게이트 온 전압의 발광 신호(Em[i])에 의해 턴 온되어 제2 노드(N2)와 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극을 연결시킨다.
제1 기준전압 트랜지스터(M7)는 역발광 라인에 연결되어 있는 게이트 전극, 기준전압(Vsus)에 연결되어 있는 일 전극 및 제4 노드(N4)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다. 제1 기준전압 트랜지스터(M7)는 역발광 라인에 인가되는 게이트 온 전압의 역발광 신호(EmB[i])에 의해 턴 온되어 기준전압(Vsus)을 제4 노드(N4)에 전달한다.
제2 기준전압 트랜지스터(M8)는 발광 라인에 연결되어 있는 게이트 전극, 제1 전원전압(ELVDD)에 연결되어 있는 일 전극 및 제4 노드(N4)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다. 제2 기준전압 트랜지스터(M8)는 발광 라인에 인가되는 게이트 온 전압의 발광 신호(Em[i])에 의해 턴 온되어 제1 전원전압(ELVDD)을 제4 노드(N4)에 전달한다.
유지 커패시터(Cst)는 제3 노드(N3)에 연결되어 있는 일 전극 및 제4 노드(N4)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다. 유지 커패시터(Cst)는 제3 노드(N3)에 인가되는 데이터 신호(data[j])를 저장한다.
유기발광 다이오드(OLED)는 제2 발광 트랜지스터(M6)의 타 전극에 연결되어 있는 애노드 전극 및 제2 전원전압(ELVSS)에 연결되어 있는 캐소드 전극을 포함한다. 유기발광 다이오드(OLED)는 기본색(primary color) 중 하나의 빛을 낼 수 있다. 기본색의 예로는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 삼원색을 들 수 있으며, 이들 삼원색의 공간적 합 또는 시간적 합으로 원하는 색상이 표시될 수 있다.
스위칭 트랜지스터(M1), 구동 트랜지스터(M2), 보상 트랜지스터(M3), 초기화 트랜지스터(M4), 제1 발광 트랜지스터(M5), 제2 발광 트랜지스터(M6), 제1 기준전압 트랜지스터(M7) 및 제2 기준전압 트랜지스터(M8)는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 이때, 스위칭 트랜지스터(M1), 구동 트랜지스터(M2), 보상 트랜지스터(M3), 초기화 트랜지스터(M4), 제1 발광 트랜지스터(M5), 제2 발광 트랜지스터(M6), 제1 기준전압 트랜지스터(M7) 및 제2 기준전압 트랜지스터(M8)를 턴 온시키는 게이트 온 전압은 로우 레벨 전압이고 턴-오프시키는 게이트 오프 전압은 하이 레벨 전압이다.
여기서는 p-채널 전계 효과 트랜지스터를 나타내었으나, 스위칭 트랜지스터(M1), 구동 트랜지스터(M2), 보상 트랜지스터(M3), 초기화 트랜지스터(M4), 제1 발광 트랜지스터(M5), 제2 발광 트랜지스터(M6), 제1 기준전압 트랜지스터(M7) 및 제2 기준전압 트랜지스터(M8) 중 적어도 어느 하나는 n-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 이때 n-채널 전계 효과 트랜지스터를 턴 온시키는 게이트 온 전압은 하이 레벨 전압이고 턴-오프시키는 게이트 오프 전압은 로우 레벨 전압이다.
스위칭 트랜지스터(M1), 구동 트랜지스터(M2), 보상 트랜지스터(M3), 초기화 트랜지스터(M4), 제1 발광 트랜지스터(M5), 제2 발광 트랜지스터(M6), 제1 기준전압 트랜지스터(M7) 및 제2 기준전압 트랜지스터(M8)는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(amorphous-Si TFT), 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon, LTPS) 박막 트랜지스터, 및 산화물 박막 트랜지스터(Oxide TFT) 중 어느 하나로 마련될 수 있다.
산화물 박막 트랜지스터(Oxide TFT)는 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 게르마늄(Ge), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 기본으로 하는 산화물, 이들의 복합 산화물인 산화아연(ZnO), 인듐-갈륨-아연 산화물(InGaZnO4), 인듐-아연 산화물(Zn-In-O), 아연-주석 산화물(Zn-Sn-O) 인듐-갈륨 산화물 (In-Ga-O), 인듐-주석 산화물(In-Sn-O), 인듐-지르코늄 산화물(In-Zr-O), 인듐-지르코늄-아연 산화물(In-Zr-Zn-O), 인듐-지르코늄-주석 산화물(In-Zr-Sn-O), 인듐-지르코늄-갈륨 산화물(In-Zr-Ga-O), 인듐-알루미늄 산화물(In-Al-O), 인듐-아연-알루미늄 산화물(In-Zn-Al-O), 인듐-주석-알루미늄 산화물(In-Sn-Al-O), 인듐-알루미늄-갈륨 산화물(In-Al-Ga-O), 인듐-탄탈륨 산화물(In-Ta-O), 인듐-탄탈륨-아연 산화물(In-Ta-Zn-O), 인듐-탄탈륨-주석 산화물(In-Ta-Sn-O), 인듐-탄탈륨-갈륨 산화물(In-Ta-Ga-O), 인듐-게르마늄 산화물(In-Ge-O), 인듐-게르마늄-아연 산화물(In-Ge-Zn-O), 인듐-게르마늄-주석 산화물(In-Ge-Sn-O), 인듐-게르마늄-갈륨 산화물(In-Ge-Ga-O), 티타늄-인듐-아연 산화물(Ti-In-Zn-O), 하프늄-인듐-아연 산화물(Hf-In-Zn-O) 중 어느 하나를 활성화 층으로 가질 수 있다.
이하, 도 1 내지 3을 참조하여 표시장치(10)의 구동 방법에 대하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 구동 방법을 나타내는 타이밍도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1 전원전압(ELVDD)은 하이 레벨 전압으로 인가되고, 제2 전원전압(ELVSS)은 로우 레벨 전압으로 인가된다. 초기화 전압(VINT) 및 기준전압(Vsus)은 미리 정해진 레벨의 전압으로 인가된다.
게이트 온 전압의 주사 신호(S[1]~S[n])는 복수의 주사 라인에 순차적으로 인가된다. t1 시간 동안, i-1 번째 주사 라인에 인가되는 주사 신호(S[i-1])가 로우 레벨 전압으로 인가된다. 그리고 t2 시간 동안, i 번째 주사 라인에 인가되는 주사 신호(S[i])가 로우 레벨 전압으로 인가된다.
순차적으로 인가되는 게이트 온 전압의 주사 신호(S[1]~S[n])에 대응하여 게이트 오프 전압의 발광 신호(Em[1]~Em[n])가 복수의 발광 라인에 순차적으로 인가된다. i 번째 발광 라인에 인가되는 발광 신호(Em[i])는 t1 시간 및 t2 시간 동안 하이 레벨 전압으로 인가된다. i 번째 역발광 라인에 인가되는 역발광 신호(EmB[i])는 t1 시간 및 t2 시간 동안 로우 레벨 전압으로 인가된다.
t1 시간 동안, 초기화 트랜지스터(M4) 및 제1 기준전압 트랜지스터(M7)가 턴 온된다. 초기화 트랜지스터(M4)가 턴 온됨에 따라 초기화 전압(VINT)이 제3 노드(N3)에 전달된다. 제1 기준전압 트랜지스터(M7)가 턴 온됨에 따라 기준전압(Vsus)이 제4 노드(N4)에 전달된다. 이에 따라, 유지 커패시터(Cst)의 양단 전압은 기준전압(Vsus) 및 초기화 전압(VINT)으로 초기화된다.
즉, t1 시간은 구동 트랜지스터(M2)의 게이트 전압이 초기화 전압(VINT)으로 초기화되는 초기화 구간이다.
t2 시간 동안, 스위칭 트랜지스터(M1), 보상 트랜지스터(M3) 및 제1 기준전압 트랜지스터(M7)가 턴 온된다. 이때, 데이터 신호(data[j])는 소정의 전압 범위를 갖는 데이터 전압(Vdat)으로 인가된다. 스위칭 트랜지스터(M1)가 턴 온됨에 따라 데이터 신호(data[j])가 제1 노드(N1)에 전달된다. 보상 트랜지스터(M3)가 턴 온됨에 따라 구동 트랜지스터(M2)는 다이오드 연결되고, 구동 트랜지스터(M2)의 문턱 전압(Vth)이 반영된 데이터 전압(Vdat-Vth)이 제3 노드(N3)에 전달된다. 제1 기준전압 트랜지스터(M7)가 턴 온됨에 따라 제4 노드(N4)에는 기준전압(Vsus)이 인가된다. 유지 커패시터(Cst)에는 Vsus-(Vdat-Vth) 전압이 저장된다.
즉, t2 시간은 구동 트랜지스터(M2)의 게이트 전극에 구동 트랜지스터(M2)의 문턱 전압(Vth)이 반영된 데이터 전압(Vdat-Vth)이 인가되는 문턱전압 보상 및 데이터 기입 기간이다.
문턱전압 보상 및 데이터 기입 기간 이후의 t3 시간 동안, i 번째 발광 라인에 인가되는 발광 신호(Em[i])는 로우 레벨 전압으로 인가되고, i 번째 역발광 라인에 인가되는 역발광 신호(EmB[i])는 하이 레벨 전압으로 인가된다. 발광 신호(Em[i])가 로우 레벨 전압으로 인가됨에 따라 제1 발광 트랜지스터(M5), 제2 발광 트랜지스터(M6) 및 제2 기준전압 트랜지스터(M8)가 턴 온된다. 제1 발광 트랜지스터(M5)가 턴 온됨에 따라 제1 노드(N1)에 제1 전원전압(ELVDD)이 인가된다. 이때, 구동 트랜지스터(M2)의 게이트 전극에는 Vdat-Vth 전압이 인가된 상태이고, 구동 트랜지스터(M2)를 통해 구동 전류 Ioled = β/2 (Vgs-Vth)2 = β/2 {ELVDD-(Vdat-Vth)-Vth}2 = (ELVDD-Vdat)2 가 흐른다. 여기서, Vgs는 구동 트랜지스터(M2)의 게이트-소스 전압차이고, β는 구동 트랜지스터(M2)의 특성에 따라 결정되는 파라미터이다. 유기발광 다이오드(OLED)로 흐르는 구동 전류(Ioled)는 구동 트랜지스터(M2)의 문턱전압 편차에 영향을 받지 않는다. 제2 발광 트랜지스터(M6)가 턴 온되어 있으므로, 구동 전류(Ioled)에 의해 유기발광 다이오드(OLED)가 발광한다.
즉, t3 시간은 데이터 전압(Vdat)에 따라 유기발광 다이오드(OLED)를 발광시키는 발광 기간이다.
상술한 방식으로, 복수의 화소는 주사 라인별로 초기화 기간(t1), 문턱전압 보상 및 데이터 기입 기간(t2), 및 발광 기간(t3)을 수행하여 순차적으로 발광한다.
t4 시간 동안, 복수의 발광 신호(Em[1]~Em[n])는 동시에 하이 레벨 전압으로 인가되고, 복수의 역발광 신호(EmB[1]~EmB[n])는 동시에 로우 레벨 전압으로 인가된다. 발광 기간(t3)을 통해 복수의 화소 전체가 발광하고 있는 상태에서, 복수의 발광 신호(Em[1]~Em[n])가 동시에 하이 레벨 전압으로 인가되면 복수의 화소 각각의 제1 발광 트랜지스터(M5) 및 제2 발광 트랜지스터(M6)가 턴 오프된다. 이에 따라, 복수의 화소 각각의 유기발광 다이오드(OLED)로 흐르는 구동 전류(Ioled)가 차단되고, 복수의 화소 전체의 발광이 중단된다.
즉, t4 시간은 복수의 화소 전체의 발광을 중단시키는 전체 리셋 구간이다. 전체 리셋 구간(t4)은 표시장치(10)의 구동 방식에 따라 생략될 수 있다.
만일, 유지 커피시터(Cst)의 일 전극에 항상 제1 전원전압(ELVDD)이 인가된다고 하면, 제1 전원전압(ELVDD)의 전원 배선에서의 전압 강하에 의해 문턱전압 보상 및 데이터 기입 구간(t2) 동안에 구동 트랜지스터(M2)의 게이트 전극에 전달되는 전압(Vdat-Vth)이 유지 커패시터(Cst)에 충분히 저장되지 못하게 된다. 이에 따라, 발광 기간(t3) 동안 유기발광 다이오드(OLED)로 흐르는 구동 전류(Ioled)가 균일하게 흐르지 못하여 휘도 편차가 발생할 수 있다.
제안하는 바와 같이, 제1 전원전압(ELVDD)의 전원 배선과 다른 별도의 배선을 통해 인가되는 기준전압(Vsus)을 문턱전압 보상 및 데이터 기입 구간(t2)에 유지 커패시터(Cst)의 일 전극에 인가시킴으로써, 유지 커패시터(Cst)에 Vdat-Vth 전압이 충분히 저장되도록 할 수 있다. 이에 따라, 발광 기간(t3) 동안 유기발광 다이오드(OLED)로 흐르는 구동 전류(Ioled)가 균일하게 흐르도록 할 수 있고, 전원 배선에 의한 전압 강하로 인해 표시장치(10)에 휘도 편차가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이하, 제안하는 표시장치(10)의 구동을 위하여, 복수의 발광 신호(Em[1]~Em[n]) 및 복수의 역발광 신호(EmB[1]~EmB[n])를 순차적으로 출력하고, 전체 리셋 구간(t4) 동안 복수의 발광 신호(Em[1]~Em[n]) 및 복수의 역발광 신호(EmB[1]~EmB[n])를 동시에 출력할 수 있는 발광 구동부(500)에 대하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 구동부를 나타내는 블록도이다.
도 4를 참조하면, 발광 구동부(500)는 복수의 발광 신호(Em[1]~Em[n]) 및 복수의 역발광 신호(EmB[1]~EmB[n])를 생성하는 복수의 발광 구동 블록(510-1, 510-2, 510-3, 510-4, ...)을 포함한다. 각 발광 구동 블록(510-1, 510-2, 510-3, 510-4, ...)은 입력 신호를 입력받아 복수의 발광 라인 각각에 전달되는 발광 신호(Em[1]~Em[n])를 생성하고, 복수의 역발광 라인 각각에 전달되는 역발광 신호(EmB[1]~EmB[n])를 생성한다.
각 발광 구동 블록(510-1, 510-2, 510-3, 510-4, ...)의 입력 신호는 제1 클록 신호(SCLK1), 제2 클록 신호(SCLKB), 전체 리셋 신호(ESR), 및 프레임 시작 신호(FLM) 또는 인접한 발광 구동 블록의 릴레이 신호(EM_SR)를 포함한다.
각 발광 구동 블록(510-1, 510-2, 510-3, 510-4, ...)은 제1 클록 신호 입력단(CLK), 제2 클록 신호 입력단(CLKB), 전체 리셋 신호 입력단(ER), 프레임 시작 신호(FLM) 또는 릴레이 신호(EM_SR)가 입력되는 순차 입력단(IN), 발광 신호 출력단(EM), 역발광 신호 출력단(EMB) 및 릴레이 신호 출력단(SR)을 포함한다.
홀수 번째 발광 구동 블록(510-1, 510-3, ...)의 제1 클록 신호 입력단(CLK)은 제1 클록 신호(SCLK)의 배선에 연결되고, 제2 클록 신호 입력단(CLKB)은 제2 클록 신호(SCLKB)의 배선에 연결된다. 짝수 번째 발광 구동 블록(510-2, 510-4, ...)의 제1 클록 신호 입력단(CLK)은 제2 클록 신호(SCLKB)의 배선에 연결되고, 제2 클록 신호 입력단(CLKB)은 제1 클록 신호(SCLK)의 배선에 연결된다.
첫 번째 발광 구동 블록(510-1)의 순차 입력단(IN)에는 프레임 시작 신호(FLM)가 인가되고, 나머지 발광 구동 블록(510-2, 510-3, 510-4, ...)의 순차 입력단(IN)에는 앞서 배열된 주사 구동 블록의 릴레이 신호(EM_SR[1], EM_SR[2], EM_SR[3], ...)가 입력된다.
각 발광 구동 블록(510-1, 510-2, 510-3, 510-4, ...)은 순차 입력단(IN), 제1 클록 신호 입력단(CLK), 제2 클록 신호 입력단(CLKB) 및 전체 리셋 신호 입력단(ER)으로 입력되는 신호에 따라 생성된 발광 신호(Em[1], Em[2], Em[3], Em[4], ...), 역발광 신호(EmB[1], EmB[2], EmB[3], EmB[4], ...) 및 릴레이 신호(EM_SR[1], EM_SR[2], EM_SR[3], EM_SR[4], ...)를 출력한다.
첫 번째 발광 구동 블록(510-1)은 게이트 온 전압의 프레임 시작 신호(FLM)가 순차 입력단(IN)에 인가됨에 따라 첫 번째 발광 라인에 발광 신호(Em[1])를 출력하고, 첫 번째 역발광 라인에 역발광 신호(EmB[1])를 출력하고, 두 번째 발광 구동 블록(510-2)에 릴레이 신호(EM_SR[1])를 전달한다. 두 번째 발광 구동 블록(510-2)은 첫 번째 발광 구동 블록(510-1)으로부터 게이트 온 전압의 릴레이 신호(EM_SR[1])가 순차 입력단(IN)에 인가됨에 따라 두 번째 발광 라인에 발광 신호(Em[2])를 출력하고, 두 번째 역발광 라인에 역발광 신호(EmB[2])를 출력하고, 세 번째 발광 구동 블록(510-3)에 릴레이 신호(EM_SR[2])를 전달한다. 이와 같이 복수의 발광 구동 블록(510-1, 510-2, 510-3, 510-4, ...)은 순차적으로 발광 신호(Em[1], Em[2], Em[3], Em[4], ...), 역발광 신호(EmB[1], EmB[2], EmB[3], EmB[4], ...) 및 릴레이 신호(EM_SR[1], EM_SR[2], EM_SR[3], EM_SR[4], ...)를 출력한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 구동부에 포함되는 발광 구동 블록을 나타내는 회로도이다.
도 5를 참조하면, 발광 구동 블록(510)은 복수의 트랜지스터(M11 내지 M24) 및 복수의 커패시터(C11, C12)를 포함한다.
제1 트랜지스터(M11)는 제1 노드(N11)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제2 발광 전원전압(VGL)에 연결되어 있는 일 전극 및 발광 신호 출력단(EM)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다.
제2 트랜지스터(M12)는 제2 노드(N12)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제1 발광 전원전압(VGH)에 연결되어 있는 일 전극 및 발광 신호 출력단(EM)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다.
제3 트랜지스터(M13)는 제1 노드(N11)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제1 발광 전원전압(VGH)에 연결되어 있는 일 전극 및 제2 노드(N12)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다.
제4 트랜지스터(M14)는 제3 노드(N13)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제2 발광 전원전압(VGL)에 연결되어 있는 일 전극 및 제2 노드(N12)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다.
제5 트랜지스터(M15)는 제1 클록 신호 입력단(CLK)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제2 발광 전원전압(VGL)에 연결되어 있는 일 전극 및 제1 노드(N11)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다.
제6 트랜지스터(M16)는 제3 노드(N13)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제1 발광 전원전압(VGH)에 연결되어 있는 일 전극 및 제7 트랜지스터(M17)의 일 전극에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다.
제7 트랜지스터(M17)는 제3 노드(N13)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제6 트랜지스터(M16)의 타 전극에 연결되어 있는 일 전극 및 제1 노드(N11)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다.
제8 트랜지스터(M18)는 전체 리셋 신호 입력단(ER)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제2 발광 전원전압(VGL)에 연결되어 있는 일 전극 및 제3 노드(N13)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다.
제9 트랜지스터(M19)는 제4 노드(N14)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제14 트랜지스터(M24)의 타 전극에 연결되어 있는 일 전극 및 제3 노드(N13)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다.
제10 트랜지스터(M20)는 제1 클록 신호 입력단(CLK)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제1 발광 전원전압(VGH)에 연결되어 있는 일 전극 및 제3 노드(N13)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다.
제11 트랜지스터(M21)는 제1 클록 신호 입력단(CLK)에 연결되어 있는 게이트 전극, 순차 입력단(IN)에 연결되어 있는 일 전극 및 제4 노드(N14)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다.
제12 트랜지스터(M22)는 전체 리셋 신호 입력단(ER)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제1 발광 전원전압(VGH)에 연결되어 있는 일 전극 및 제4 노드(N14)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다.
제13 트랜지스터(M23)는 전체 리셋 신호 입력단(ER)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제1 발광 전원전압(VGH)에 연결되어 있는 일 전극 및 발광 신호 출력단(EM)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다.
제14 트랜지스터(M24)는 제2 클록 신호 입력단(CLKB)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제3 발광 전원전압(VGL_EmB)에 연결되어 있는 일 전극 및 제9 트랜지스터(M19)의 일 전극에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다.
제1 커패시터(C11)는 제1 노드(N11)에 연결되어 있는 일 전극 및 발광 신호 출력단(EM)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다.
제2 커패시터(C12)는 제4 노드(N14)에 연결되어 있는 일 전극 및 제3 노드(N13)에 연결되어 있는 타 전극을 포함한다.
제2 노드(N12)에는 릴레이 신호 출력단(SR)이 연결되고, 제3 노드(N13)에는 역발광 신호 출력단(EMB)이 연결된다.
복수의 트랜지스터(M11 내지 M24)는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 이때, 복수의 트랜지스터(M11 내지 M24)를 턴 온시키는 게이트 온 전압은 로우 레벨 전압이고 턴-오프시키는 게이트 오프 전압은 하이 레벨 전압이다.
여기서는 p-채널 전계 효과 트랜지스터를 나타내었으나, 복수의 트랜지스터(M11 내지 M24) 중 적어도 어느 하나는 n-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 이때 n-채널 전계 효과 트랜지스터를 턴 온시키는 게이트 온 전압은 하이 레벨 전압이고 턴-오프시키는 게이트 오프 전압은 로우 레벨 전압이다.
복수의 트랜지스터(M11 내지 M24)는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(amorphous-Si TFT), 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon, LTPS) 박막 트랜지스터, 및 산화물 박막 트랜지스터(Oxide TFT) 중 어느 하나로 마련될 수 있다.
이하, 도 4 내지 6을 참조하여 발광 구동부(500)의 구동 방법에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 구동부의 구동 방법을 나타내는 타이밍도이다.
도 4 내지 6을 참조하면, 제1 클록 신호(SCLK) 및 제2 클록 신호(SCLKB)는 게이트 온 전압 및 게이트 오프 전압으로 주기적으로 반복되어 인가된다. 이때, 제2 클록 신호(SCLKB)는 제1 클록 신호(SCLK)의 역신호이다. 즉, 제2 클록 신호(SCLKB)는 제1 클록 신호(SCLK)의 레벨과 반대 레벨로 주기적으로 반복되어 인가된다.
전체 리셋 신호(ESR)는 복수의 발광 신호(Em[1]~Em[n]) 및 복수의 역발광 신호(EmB[1]~EmB[n])를 동시에 출력하는 t14 시간 동안 로우 레벨 전압으로 인가되고, 나머지 시간 동안에는 하이 레벨 전압으로 인가된다. 프레임 시작 신호(FLM)는 한 프레임 중에서 t11 시간 동안 로우 레벨 전압으로 인가되고, 나머지 시간 동안은 하이 레벨 전압으로 인가된다.
먼저, 첫 번째 발광 구동 블록(510-1)의 동작에 대해 설명한다.
t11 시간 동안, 프레임 시작 신호(FLM)가 로우 레벨 전압으로 인가되고, 제1 클록 신호(SCLK)는 로우 레벨 전압으로 인가되고, 제2 클록 신호(SCLKB)는 하이 레벨 전압으로 인가된다. 프레임 시작 신호(FLM)는 첫 번째 발광 구동 블록(510-1)의 순차 입력단(IN)에 입력된다. 제1 클록 신호(SCLK)는 첫 번째 발광 구동 블록(510-1)의 클록 신호 입력단(CLK)에 입력된다. 제1 클록 신호(SCLK)에 의해 제5 트랜지스터(M15), 제10 트랜지스터(M20) 및 제11 트랜지스터(M21)가 턴 온된다. 턴 온된 제11 트랜지스터(M21)를 통해 순차 입력단(IN)에 인가되는 로우 레벨 전압의 프레임 시작 신호(FLM)가 제4 노드(N14)에 전달된다. 제4 노드(N14)의 전압은 로우 레벨 전압이 되고, 제9 트랜지스터(M19)가 턴 온된다. 턴 온된 제10 트랜지스터(M20)를 통해 제1 발광 전원전압(VGH)이 제3 노드(N13)에 전달된다. 제3 노드(N13)의 전압은 하이 레벨 전압이 되고, 역발광 신호 출력단(EMB)으로 하이 레벨 전압의 역발광 신호(EmB[1])가 출력된다. 제2 커패시터(C12)에는 제4 노드(N14)의 전압 및 제3 노드(N13)의 전압차에 해당하는 전압이 저장된다. 제3 노드(N13)의 전압에 의해 제4 트랜지스터(M14), 제6 트랜지스터(M16) 및 제7 트랜지스터(M17)가 턴 오프된다. 턴 온된 제5 트랜지스터(M15)를 통해 제2 발광 전원전압(VGL)이 제1 노드(N11)에 전달된다. 제1 노드(N11)의 전압은 로우 레벨 전압이 되고, 제1 노드(N11)의 전압에 의해 제1 트랜지스터(M11) 및 제3 트랜지스터(M13)가 턴 온된다. 턴 온된 제1 트랜지스터(M11)를 통해 제2 발광 전원전압(VGL)이 발광 신호 출력단(EM)으로 전달된다. 발광 신호 출력단(EM)으로 로우 레벨 전압의 발광 신호(Em[1])가 출력된다. 턴 온된 제3 트랜지스터(M13)를 통해 제1 발광 전원전압(VGH)이 제2 노드(N12)에 전달되고, 제2 노드(N12)의 전압은 하이 레벨 전압이 된다. 제2 노드(N12)의 전압에 의해 제2 트랜지스터(M12)가 턴 오프되고, 릴레이 신호 출력단(SR)으로 하이 레벨 전압의 릴레이 신호(EM_SR[1])가 출력된다.
t12 시간 동안, 제1 클록 신호(SCLK)는 하이 레벨 전압으로 인가되고 제2 클록 신호(SCLKB)는 로우 레벨 전압으로 인가된다. 제1 클록 신호(SCLK)에 의해 제5 트랜지스터(M15), 제10 트랜지스터(M20) 및 제11 트랜지스터(M21)가 턴 오프된다. 이때, 제2 커패시터(C12)에 저장된 전압에 의해 제4 노드(N14)의 전압은 로우 레벨 전압을 유지하고, 제9 트랜지스터(M19)는 턴 온된 상태를 유지한다. 제2 클록 신호(SCLKB)에 의해 제14 트랜지스터(M24)가 턴 온된다. 턴 온된 제14 트랜지스터(M24)및 제9 트랜지스터(M19)를 통해 제3 발광 전원전압(VGL_EmB)이 제3 노드(N13)에 전달된다. 제3 노드(N13)의 전압은 로우 레벨 전압이 된다. 제3 노드(N13)의 전압에 의해 제4 트랜지스터(M14), 제6 트랜지스터(M16) 및 제7 트랜지스터(M17)가 턴 온된다. 그리고 제3 노드(N13)의 전압에 의해 역발광 신호 출력단(EMB)으로 로우 레벨 전압의 역발광 신호(EmB[1])가 출력된다. 턴 온된 제6 트랜지스터(M16) 및 제7 트랜지스터(M17)를 통해 제1 발광 전원전압(VGH)이 제1 노드(N11)에 전달된다. 제1 노드(N11)의 전압은 하이 레벨 전압이 된다. 제1 노드(N11)의 전압에 의해 제1 트랜지스터(M11) 및 제3 트랜지스터(M13)가 턴 오프된다. 턴 온된 제4 트랜지스터(M14)를 통해 제2 발광 전원전압(VGL)이 제2 노드(N12)에 전달된다. 제2 노드(N12)의 전압은 로우 레벨 전압이 된다. 제2 노드(N12)의 전압에 의해 제2 트랜지스터(M12)가 턴 온되고, 릴레이 신호 출력단(SR)으로 로우 레벨 전압의 릴레이 신호(EM_SR[1])가 출력된다. 턴 온된 제2 트랜지스터(M12)를 통해 제1 발광 전원전압(VGH)이 발광 신호 출력단(EM)에 전달된다. 발광 신호 출력단(EM)으로 하이 레벨 전압의 발광 신호(Em[1])가 출력된다.
t13 시간 동안, 제1 클록 신호(SCLK)는 로우 레벨 전압으로 인가되고, 제2 클록 신호(SCLKB)는 하이 레벨 전압으로 인가된다. 제1 클록 신호(SCLK)에 의해 제5 트랜지스터(M15), 제10 트랜지스터(M20) 및 제11 트랜지스터(M21)가 턴 온된다. 턴 온된 제11 트랜지스터(M21)를 통해 순차 입력단(IN)에 인가되는 하이 레벨 전압의 프레임 시작 신호(FLM)가 제4 노드(N14)에 전달된다. 제4 노드(N14)의 전압은 하이 레벨 전압이 된다. 제4 노드(N14)의 전압에 의해 제9 트랜지스터(M19)가 턴 오프된다. 턴 온된 제10 트랜지스터(M20)를 통해 제1 발광 전원전압(VGH)이 제3 노드(N13)에 전달된다. 제3 노드(N13)의 전압은 하이 레벨 전압이 된다. 제3 노드(N13)의 전압에 의해 제4 트랜지스터(M14), 제6 트랜지스터(M16) 및 제7 트랜지스터(M17)가 턴 오프된다. 그리고 제3 노드(N13)의 전압에 의해 역발광 신호 출력단(EMB)으로 하이 레벨 전압의 역발광 신호(EmB[1])가 출력된다. 턴 온된 제5 트랜지스터(M15)를 통해 제2 발광 전원전압(VGL)이 제1 노드(N11)에 전달된다. 제1 노드(N11)의 전압은 로우 레벨 전압이 된다. 제1 노드(N11)의 전압에 의해 제1 트랜지스터(M11) 및 제3 트랜지스터(M13)가 턴 온된다. 턴 온된 제1 트랜지스터(M11)를 통해 제2 발광 전원전압(VGL)이 발광 신호 출력단(EM)으로 전달된다. 발광 신호 출력단(EM)으로 로우 레벨 전압의 발광 신호(Em[1])가 출력된다. 턴 온된 제3 트랜지스터(M13)를 통해 제1 발광 전원전압(VGH)이 제2 노드(N12)에 전달된다. 제2 노드(N12)의 전압은 하이 레벨 전압이 된다. 제2 노드(N12)의 전압에 의해 제2 트랜지스터(M12)가 턴 오프되고, 릴레이 신호 출력단(SR)으로 하이 레벨 전압의 릴레이 신호(EM_SR[1])가 출력된다.
두 번째 발광 구동 블록(510-2)에 있어서, 순차 입력단(IN)에는 첫 번째 발광 구동 블록(510-1)의 릴레이 신호(EM_SR[1])가 인가되고, 제1 클록 신호 입력단(CLK)에는 제2 클록 신호(SCLKB)가 인가되고, 제2 클록 신호 입력단(CLKB)에는 제1 클록 신호(SCLK)가 인가된다. 따라서, 두 번째 발광 구동 블록(510-2)은 첫 번째 발광 구동 블록(510-1)이 하이 레벨 전압의 발광 신호(Em[1])를 출력하는 t12 시간보다 클록 신호(SCLK, SCLKB)의 듀티(duty) 만큼 지연된 t13 시간 동안 하이 레벨 전압의 발광 신호(Em[2])를 출력한다. 그리고 두 번째 발광 구동 블록(510-2)은 t13 시간 동안 로우 레벨 전압의 역발광 신호(EmB[2]) 및 릴레이 신호(EM_SR[2])를 출력한다. 즉, 두 번째 발광 구동 블록(510-2)은 첫 번째 발광 구동 블록(510-1)보다 클록 신호(SCLK, SCLKB)의 듀티(duty) 만큼 지연되어 구동된다.
이러한 방식으로, 복수의 발광 구동 블록(510-1, 510-2, 510-3, 510-4, ...)은 순차적으로 발광 신호(Em[1], Em[2], Em[3], Em[4], ...), 역발광 신호(EmB[1], EmB[2], EmB[3], EmB[4], ...) 및 릴레이 신호(EM_SR[1], EM_SR[2], EM_SR[3], EM_SR[4], ...)를 출력한다.
t14 시간 동안, 전체 리셋 신호(ESR)가 로우 레벨 전압으로 인가된다. 전체 리셋 신호(ESR)는 복수의 발광 구동 블록(510-1, 510-2, 510-3, 510-4, ...) 각각의 전체 리셋 신호 입력단(ER)에 동시에 인가된다. 전체 리셋 신호(ESR)가 로우 레벨 전압으로 인가되면, 제8 트랜지스터(M18), 제12 트랜지스터(M22) 및 제13 트랜지스터(M23)가 턴 온된다. 제12 트랜지스터(M22)가 턴 온됨에 따라 제1 발광 전원전압(VGH)이 제4 노드(N14)에 전달된다. 제4 노드(N14)의 전압은 하이 레벨 전압이 된다. 제4 노드(N14)의 전압에 의해 제9 트랜지스터(M19)가 턴 오프된다. 제8 트랜지스터(M18)가 턴 온됨에 따라 제2 발광 전원전압(VGL)이 제3 노드(N13)에 전달된다. 제3 노드(N13)의 전압은 로우 레벨 전압이 된다. 제3 노드(N13)의 전압에 의해 역발광 신호 출력단(EMB)으로 로우 레벨 전압의 역발광 신호(EmB[1], EmB[2], EmB[3], EmB[4], ...)가 출력된다. 그리고 제3 노드(N13)의 전압에 의해 제4 트랜지스터(M14), 제6 트랜지스터(M16) 및 제7 트랜지스터(M17)가 턴 온된다. 제6 트랜지스터(M16) 및 제7 트랜지스터(M17)가 턴 온됨에 따라 제1 발광 전원전압(VGH)이 제1 노드(N11)에 전달된다. 제1 노드(N11)의 전압은 하이 레벨 전압이 된다. 제1 노드(N11)의 전압에 의해 제1 트랜지스터(M11) 및 제3 트랜지스터(M13)가 턴 오프된다. 제4 트랜지스터(M14)가 턴 온됨에 따라 제2 발광 전원전압(VGL)이 제2 노드(N12)에 전달된다. 제2 노드(N12)의 전압은 로우 레벨 전압이 된다. 제2 노드(N12)의 전압에 의해 릴레이 신호 출력단(SR)으로 로우 레벨 전압의 릴레이 신호(EM_SR[1], EM_SR[2], EM_SR[3], EM_SR[4], ...)가 출력된다. 제2 노드(N12)의 전압에 의해 제2 트랜지스터(M12)가 턴 온된다. 턴 온된 제2 트랜지스터 및 제13 트랜지스터(M23)를 통해 제1 발광 전원전압(VGH)이 발광 신호 출력단(EM)에 전달된다. 발광 신호 출력단(EM)으로 하이 레벨 전압의 발광 신호(Em[1], Em[2], Em[3], Em[4], ...)가 출력된다.
전체 리셋 신호(ESR)는 복수의 발광 구동 블록(510-1, 510-2, 510-3, 510-4, ...)에 동시에 인가되므로, 전체 리셋 신호(ESR)가 로우 레벨 전압으로 인가되는 t14 시간 동안, 복수의 발광 구동 블록(510-1, 510-2, 510-3, 510-4, ...)은 동시에 하이 레벨 전압의 발광 신호(Em[1], Em[2], Em[3], Em[4], ...) 및 로우 레벨 전압의 역발광 신호(EmB[1], EmB[2], EmB[3], EmB[4], ...)를 출력하게 된다. t14 시간은 도 3에서 설명한 전체 리셋 구간(t4)에 대응된다.
상술한 바와 같이, 발광 구동 블록(510)에서 제2 발광 전원전압(VGL)과 별도로 제3 발광 전원전압(VGL_EmB)이 마련됨에 따라 로우 레벨 전압의 역발광 신호(EmB[i])가 안정적으로 출력될 수 있다. 로우 레벨 전압의 역발광 신호(EmB[i])가 안정적으로 출력됨에 따라 도 3에서 상술한 초기화 구간(t1), 문턱전압 보상 및 데이터 기입 구간(t2)이 더욱 안정적으로 수행될 수 있다. 따라서, 제안하는 화소(510)를 이용하여 전원 배선에 의한 전압 강하로 인해 표시장치(10)에 휘도 편차가 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과를 더욱 향상시킬 수 있다.
지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
10: 표시장치
100 : 신호 제어부
200 : 주사 구동부
300 : 데이터 구동부
400 : 전원 구동부
500 : 발광 구동부
600 : 표시부

Claims (21)

  1. 복수의 발광 구동 블록을 포함하고,
    상기 복수의 발광 구동 블록 각각은,
    제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제2 발광 전원전압이 인가되고, 제2 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제1 발광 전원전압이 인가되는 제1 노드;
    상기 제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제1 발광 전원전압이 인가되고, 릴레이 신호가 출력되는 릴레이 신호 출력단에 연결되어 있는 제2 노드;
    상기 제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 상기 제1 발광 전원전압이 인가되고, 상기 제2 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제3 발광 전원전압이 인가되고, 역발광 신호가 출력되는 역발광 신호 출력단에 연결되어 있는 제3 노드;
    상기 제1 노드의 전압에 의해 턴 온되어 발광 신호가 출력되는 발광 신호 출력단에 상기 제2 발광 전원전압을 전달하는 제1 트랜지스터; 및
    상기 제2 노드의 전압에 의해 턴 온되어 상기 발광 신호 출력단에 상기 제1 발광 전원전압을 전달하는 제2 트랜지스터를 포함하는 표시장치를 위한 발광 구동 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 구동 블록 각각은,
    상기 제1 노드에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제1 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제2 노드에 연결되어 있는 제3 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치를 위한 발광 구동 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 구동 블록 각각은,
    상기 제3 노드에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제2 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제2 노드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제4 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치를 위한 발광 구동 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 구동 블록 각각은,
    상기 제1 클록 신호 입력단에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제2 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제1 노드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제5 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치를 위한 발광 구동 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 구동 블록 각각은,
    상기 제3 노드에 연결되어 있는 게이트 전극 및 상기 제1 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극을 포함하는 제6 트랜지스터; 및
    상기 제3 노드에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제6 트랜지스터의 타 전극에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제1 노드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제7 트랜지스터를 포함하는 표시장치를 위한 발광 구동 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 구동 블록 각각은,
    상기 제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 순차 입력단에 입력되는 릴레이 신호가 전달되는 제4 노드; 및
    상기 제4 노드에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제2 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 상기 제3 발광 전원전압이 인가되는 일 전극 및 상기 제3 노드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제9 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치를 위한 발광 구동 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 구동 블록 각각은,
    상기 제2 클록 신호 입력단에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제3 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제9 트랜지스터의 일 전극에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제14 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치를 위한 발광 구동 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 구동 블록 각각은,
    상기 제1 클록 신호 입력단에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제1 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제3 노드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제10 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치를 위한 발광 구동 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 구동 블록 각각은,
    상기 제1 클록 신호 입력단에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 순차 입력단에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제4 노드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제11 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치를 위한 발광 구동 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 구동 블록 각각은 전체 리셋 신호 입력단을 포함하고, 상기 복수의 발광 구동 블록은 상기 전체 리셋 신호 입력단에 입력되는 전체 리셋 신호에 따라 상기 발광 신호 출력단으로 상기 제1 발광 전원전압을 동시에 출력하고, 상기 릴레이 신호 출력단으로 상기 제2 발광 전원전압을 동시에 출력하고, 상기 역발광 신호 출력단으로 상기 제3 발광 전원전압을 동시에 출력하는 표시장치를 위한 발광 구동 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 구동 블록 각각은,
    상기 전체 리셋 신호 입력단에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제2 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제3 노드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제8 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치를 위한 발광 구동 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 구동 블록 각각은,
    상기 전체 리셋 신호 입력단에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제1 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 제4 노드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제12 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치를 위한 발광 구동 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 구동 블록 각각은,
    상기 전체 리셋 신호 입력단에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 제1 발광 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 발광 신호 출력단에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제13 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치를 위한 발광 구동 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제14 트랜지스터 중 적어도 어느 하나는 산화물 박막 트랜지스터인 표시장치를 위한 발광 구동 장치.
  15. 유기발광 다이오드로 흐르는 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되어 있는 일 전극을 포함하는 유지 커패시터를 포함하는 복수의 화소; 및
    상기 복수의 화소 각각에 데이터 전압이 인가되는 기간 동안 게이트 온 전압의 역발광 신호를 출력하여 상기 유지 커패시터의 타 전극에 기준전압을 인가시키고, 상기 구동 전류에 의해 상기 유기발광 다이오드가 발광하는 기간 동안 게이트 온 전압의 발광 신호를 출력하여 상기 유지 커패시터의 타 전극에 제1 전원전압을 인가시키는 발광 구동부를 포함하고,
    상기 발광 구동부는 복수의 발광 구동 블록을 포함하고,
    상기 복수의 발광 구동 블록 각각은,
    제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제2 발광 전원전압이 인가되고, 제2 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제1 발광 전원전압이 인가되는 제1 노드;
    상기 제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제1 발광 전원전압이 인가되고, 릴레이 신호가 출력되는 릴레이 신호 출력단에 연결되어 있는 제2 노드;
    상기 제1 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 상기 제1 발광 전원전압이 인가되고, 상기 제2 클록 신호 입력단에 입력되는 클록 신호에 따라 제3 발광 전원전압이 인가되고, 역발광 신호가 출력되는 역발광 신호 출력단에 연결되어 있는 제3 노드;
    상기 제1 노드의 전압에 의해 턴 온되어 발광 신호가 출력되는 발광 신호 출력단에 상기 제2 발광 전원전압을 전달하는 제1 트랜지스터; 및
    상기 제2 노드의 전압에 의해 턴 온되어 상기 발광 신호 출력단에 상기 제1 발광 전원전압을 전달하는 제2 트랜지스터를 포함하는 표시장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 구동 트랜지스터는 상기 유지 커패시터의 일 전극에 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 발광 신호에 따라 제1 전원전압이 인가되는 일 전극 및 상기 발광 신호에 따라 상기 유기발광 다이오드에 연결되는 타 전극을 포함하는 표시장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 복수의 화소 각각은,
    게이트 온 전압의 주사 신호에 의해 턴 온되어 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터의 일 전극에 전달하는 스위칭 트랜지스터; 및
    상기 게이트 온 전압의 주사 신호에 의해 턴 온되어 상기 구동 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 보상 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 복수의 화소 각각은,
    상기 게이트 온 전압의 주사 신호가 인가되기 이전에 인가되는 주사 신호에 의해 턴 온되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 초기화 전압을 전달하는 초기화 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 복수의 화소 각각은,
    상기 발광 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 제1 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 구동 트랜지스터의 일 전극에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제1 발광 트랜지스터; 및
    상기 발광 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 구동 트랜지스터의 타 전극에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 유기발광 다이오드에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제2 발광 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 복수의 화소 각각은,
    상기 역발광 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 기준전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 유지 커패시터의 타 전극에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제1 기준전압 트랜지스터; 및
    상기 발광 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 제1 전원전압에 연결되어 있는 일 전극 및 상기 유지 커패시터의 타 전극에 연결되어 있는 타 전극을 포함하는 제2 기준전압 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치.
  21. 제20 항에 있어서,
    상기 스위칭 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터, 상기 보상 트랜지스터, 상기 초기화 트랜지스터, 상기 제1 발광 트랜지스터, 상기 제2 발광 트랜지스터, 상기 제1 기준전압 트랜지스터 및 상기 제2 기준전압 트랜지스터 중 적어도 어느 하나는 산화물 박막 트랜지스터인 표시장치.
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