KR20140054280A - 광학 장치, 특히 계산 카메라를 위한 모듈의 웨이퍼-레벨 제조 - Google Patents

광학 장치, 특히 계산 카메라를 위한 모듈의 웨이퍼-레벨 제조 Download PDF

Info

Publication number
KR20140054280A
KR20140054280A KR1020147007074A KR20147007074A KR20140054280A KR 20140054280 A KR20140054280 A KR 20140054280A KR 1020147007074 A KR1020147007074 A KR 1020147007074A KR 20147007074 A KR20147007074 A KR 20147007074A KR 20140054280 A KR20140054280 A KR 20140054280A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical
spacer
wafer
processing step
different
Prior art date
Application number
KR1020147007074A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101966480B1 (ko
Inventor
하르트무트 루드만
마티아스 말루크
알렉산더 비이트쉬
페터 뢴트겐
슈테판 하임가르트너
Original Assignee
헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드 filed Critical 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드
Publication of KR20140054280A publication Critical patent/KR20140054280A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101966480B1 publication Critical patent/KR101966480B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/001—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras
    • G02B13/0085—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras employing wafer level optics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49718—Repairing
    • Y10T29/49748—Repairing by shaping, e.g., bending, extruding, turning, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T83/00—Cutting
    • Y10T83/04—Processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Lens Barrels (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Studio Devices (AREA)
  • Camera Bodies And Camera Details Or Accessories (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Abstract

장치(50)는 광학 부재(60) 및 스페이서 부재(70)를 포함하고, 상기 광학 부재는 각각 하나 이상의 수동 광학 부품을 포함하는 N　≥　2 세트의 수동 광학 부품(65)을 포함한다. 스페이서 부재(70)는 N개의 광 채널(77)을 포함하고, 상기 N개의 광 채널 각각은 상기 N개 세트의 수동 광학 부품 중 하나와 관련된다. 상기 N개의 광 채널(77) 모두는 적어도 실질적으로 동일한 기하학적 길이(g)를 갖고, 상기 N개의 광 채널 중 제1 광 채널의 광로 길이는 상기 N개의 광 채널 중 적어도 하나의 제2 광 채널의 광로 길이와 상이하다. 그러한 장치를 제조하기 위한 방법도 또한 기술된다. 본 발명은 고정밀 장치(50)를 높은 수율로 대량 생산하도록 허용할 수 있다.

Description

광학 장치, 특히 계산 카메라를 위한 모듈의 웨이퍼-레벨 제조{WAFER-LEVEL FABRICATION OF OPTICAL DEVICES, IN PARTICULAR OF MODULES FOR COMPUTATIONAL CAMERAS}
본 발명은 광학계, 특히 마이크로-광학계 분야에 관한 것이다. 특히, 그것은 광학 시스템, 광전자 모듈 및 카메라와 같은 광학 장치의 웨이퍼-레벨 제조에 관한 것이다. 그것은 특허청구범위의 전제부에 따른 방법 및 장치에 관한 것이다.
WO 2011/156928 A2(2011년 6월 10일자로 출원됨)로 공개된 국제 특허 출원으로부터, 웨이퍼 레벨로 제조될 수 있는 카메라 및 카메라를 위한 모듈이 알려져 있다. 여기에서, 카메라 및 카메라를 위한 광학 모듈과 그것을 제조하기 위한 방법이 어느 정도 상세히 개시된다. 따라서, 그 특허 출원 WO 2011/156928 A2가 본 특허 출원에 참고로 포함된다.
용어의 정의
"능동 광학 부품(active optical component)": 감광 또는 발광 부품. 예컨대, 포토다이오드, 이미지 센서, LED, OLED, 레이저 칩.
"수동 광학 부품(passive optical component)": 렌즈, 프리즘, 거울 또는 광학계와 같은 굴절 및/또는 회절 및/또는 반사에 의해 광을 방향 전환시키는 광학 부품으로서, 여기에서 광학계는 구경 조리개(aperture stop), 이미지 스크린, 홀더와 같은 기계 요소를 또한 포함할 수 있는 일군의 그러한 광학 부품이다.
"광전자 모듈(opto-electronic module)": 적어도 하나의 능동 및 적어도 하나의 수동 광학 부품이 포함되는 부품.
"복제(replication)": 주어진 구조 또는 그 역상(negative)을 재현하는 기술. 예컨대, 에칭, 엠보싱, 각인, 주조, 몰딩.
"웨이퍼(wafer)": 실질적으로 디스크형 또는 플레이트형 물품으로서, 한 방향(z 방향 또는 수직 방향)으로의 그 연장 범위가 다른 두 방향(x 및 y 방향 또는 측방향)으로의 그 연장 범위에 대해 작다. 보통, [비-블랭크(non-blank)] 웨이퍼 상에, 복수의 동일한 구조체 또는 물품이 전형적으로 직사각형 격자로 배치되거나 그것 내에 제공된다. 웨이퍼는 개구 또는 구멍을 구비할 수 있고, 웨이퍼는 심지어 그 측부 영역의 주된 부분에서 재료가 없을 수도 있다. 많은 맥락에서, 웨이퍼가 주로 반도체 재료로 제조되는 것으로 이해되지만, 본 특허 출원에서, 이는 명백히 제한 사항이 아니다. 따라서, 웨이퍼는 주로 예컨대 반도체 재료, 중합체 재료, 금속 및 중합체 또는 중합체 및 유리 재료를 포함하는 복합 재료로 제조될 수 있다. 특히, 열 또는 UV 경화성 중합체와 같은 경화가능한 재료가 제시된 발명과 관련하여 흥미로운 웨이퍼 재료이다.
"측방향(lateral)": "웨이퍼" 참조.
"수직(vertical)": "웨이퍼" 참조.
"광(light)": 가장 일반적으로는 전자기 방사선; 특히 전자기 스펙트럼의 적외선, 가시 또는 자외선 부분의 전자기 방사선.
본 발명의 하나의 목적은 장치, 특히 광학 시스템, 광전자 모듈 및 카메라와 같은 광학 장치를 제조하는 대안적인 방법을 제공하는 것이며, 특히 장치, 특히 광학 시스템, 광전자 모듈 및 카메라와 같은 광학 장치를 제조하는 개선된 방법을 제공하는 것이다. 또한, 상응하는 장치, 특히 광학 시스템, 광전자 모듈 및 카메라와 같은 광학 장치와 웨이퍼 및 웨이퍼 스택과 같은 관련 장치 및 기구가 제공될 것이다.
본 발명의 다른 목적은 광학 시스템, 광전자 모듈 및 카메라와 같은 광학 장치의 제조시 제조 수율을 개선하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 광학 시스템, 광전자 모듈 및 카메라와 같은 광학 장치가 웨이퍼-스케일로 제조될 때 이것들의 개선된 품질을 달성하는 것이다.
추가의 목적이 아래의 설명과 실시 형태로부터 도출된다.
이들 목적 중 적어도 하나가 특허청구범위에 따른 장치 및 방법에 의해 그리고/또는 후술되는 장치 및 방법에 의해 적어도 부분적으로 달성된다.
본 발명은 특히 카메라 및 카메라를 위한 모듈(특히 광전자 모듈)과 그 구성요소와 이것들 중 임의의 것의 제조 중 사용되는 웨이퍼 및 웨이퍼 스택에 관한 것이며; 그것은 또한 특히 카메라 및/또는 카메라를 위한 모듈(특히 광전자 모듈) 및/또는 그 구성요소 및/또는 웨이퍼 및/또는 웨이퍼 스택을 제조하는 방법에 관한 것이다. 이러한 제조는 보통 웨이퍼-스케일 제조 단계를 수반한다.
장치, 특히 광학 장치의 제조 중, 제조 불규칙성 또는 제조 편차가 예컨대 간단히 말하면 하나 이상의 제조 단계의 거의 불가피한 변화 또는 부정확성으로 인해 발생할 수 있다. 예컨대, 장치가 적어도 하나의 렌즈 요소를 포함할 때, 웨이퍼(광학 웨이퍼로 지칭됨) 상의 다수의 그러한 렌즈 요소는 공칭적으로 동일한 초점 거리(focal length)를 가짐에도 불구하고 실제로는 (약간) 변화하는 초점 거리를 갖는다.
제조 불규칙성을 웨이퍼 스케일로 적어도 부분적으로 보정하거나 보상하여, 장치의 개선된 수율 및/또는 개선된 광학 특성을 달성하는 것이 가능한 것으로 밝혀졌다.
그러한 제조 불규칙성을 - 웨이퍼 레벨로 - 보상하는 스페이서 웨이퍼가 제시된다. 그러한 스페이서 웨이퍼는 보통 다수의(M ≥ 2개의, M은 정수임) 스페이서 부재를 포함하고, 특히 상기 다수의 스페이서 부재 각각이 N ≥ 2개의 광 채널(N은 정수임)을 구비하며, 이때 이들 광 채널이 적어도 실질적으로 동일한 기하학적 길이를 갖지만(그것을 통해 횡단하는 광에 대해), 그것들 중 적어도 2개가 상호 상이한 광로 길이를 나타내는 것이 제시된다. 특히, 여기에서 상기 광 채널은 스페이서 부재를 가로질러 수직으로 연장된다. 또한, 특히 상기 기하학적 길이는 수직 방향을 따른 길이이고, 그리고/또는 상기 기하학적 길이는 스페이서 부재를 가로지른 길이이다.
전형적으로, 상기 N개의 광 채널이 어레이의 형태로 배치된다.
특히, 하기의 실시 형태가 적어도 본 발명의 특정 관점 또는 태양에서 본 발명에 대한 특징일 수 있다:
장치:
장치는 광학 부재 및 스페이서 부재를 포함하고, 상기 광학 부재는 각각 하나 이상의 수동 광학 부품을 포함하는 N　≥　2개의 수동 광학 부품 세트를 포함하며, 상기 스페이서 부재는 N개의 광 채널을 포함하고, 상기 N개의 광 채널 각각은 상기 N개의 수동 광학 부품 세트 중 하나와 관련된다. 상기 N개의 광 채널 모두는 적어도 실질적으로 동일한 기하학적 길이를 갖고, 상기 N개의 광 채널 중 제1 광 채널의 광로 길이는 상기 N개의 광 채널 중 적어도 하나의 제2 광 채널의 광로 길이와 상이하다.
일 실시 형태에서, 상기 스페이서 부재는 상기 N개의 광 채널 모두가 적어도 실질적으로 동일한 기하학적 길이를 갖고 상기 N개의 광 채널 중 제1 광 채널의 광로 길이가 상기 N개의 광 채널 중 적어도 하나의 제2 광 채널의 광로 길이와 상이한 방식으로 구조화되고, 특히 상기 스페이서 부재는 상기 방식으로 형상화된다.
전술된 실시 형태와 조합될 수 있는 일 실시 형태에서, 상기 N개의 광 채널 각각에 대해, 상기 광로 길이는 각각의 관련 광학 부재의 제조 불규칙성, 특히 각각의 관련 광학 부재의 수동 광학 부품 세트의 수동 광학 부품의 제조 불규칙성과 관련되는 값을 갖고/갖거나 그것에 따라 선택된다.
마지막에 기술된 실시 형태를 인용하는 일 실시 형태에서, 상기 광학 부재는 적어도 하나의 렌즈 요소를 포함하고, 상기 제조 불규칙성은 공칭 값으로부터 상기 적어도 하나의 렌즈 요소의 특성 크기(characteristic magnitude)의 편차를 포함한다. 특히, 상기 공칭 값은 상기 적어도 하나의 렌즈 요소의 초점 거리일 수 있다.
전술된 실시 형태들 중 하나 이상과 조합될 수 있는 장치의 일 실시 형태에서, 상기 N개의 광 채널 중 적어도 하나는 상기 스페이서 부재 내의 블라인드 구멍을 포함한다. 특히, 상기 적어도 하나의 블라인드 구멍은 상기 N개의 광 채널 중 상기 적어도 하나의 제1 광 채널과 광 채널 중 적어도 하나의 제2 광 채널 사이의 광로 길이의 상기 차이를 달성하는데 기여하기 위해 제공될 수 있다. 특히, 이들 적어도 2개의 광 채널 각각에 대해, 각각의 블라인드 구멍의 길이가 각각의 광 채널의 광로 길이와 관련되고, 특히 상기 적어도 2개의 블라인드 구멍 중 상기 제1 블라인드 구멍의 길이가 상기 적어도 2개의 블라인드 구멍 중 상기 제2 블라인드 구멍의 길이와 상이한 것이 제공될 수 있다.
전술된 실시 형태들 중 하나 이상과 조합될 수 있는 일 실시 형태에서, 상기 스페이서 부재는 상호 상이한 재료로 제조되는 제1 층 및 제2 층을 포함하며, 특히 상기 제2 층은 중합체 재료로 제조되고/제조되거나 상기 제1 층은 상이한 중합체 재료 또는 유리로 제조된다. 상기 층은 특히 대체로 측방향으로 연장되는 계면(이것에서 그것들이 서로에 대해 본딩됨)을 형성할 수 있다. 그것들은 특히 실질적으로 블록형 또는 플레이트형일 수 있다. 상기 층은 또한 스페이서로 간주될 수 있다.
특히 상기 광 채널 각각 내의 상기 제2 층의 수직 연장 범위가 각각의 관련 광학 부재의 제조 불규칙성과 관련되거나 그것에 따라 선택되는 것이 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 층의 수직 연장 범위가 상기 영역 각각에 대해 실질적으로 동일한 것이 또한 제공될 수 있다.
전술된 실시 형태들 중 하나 이상과 조합될 수 있는 일 실시 형태에서, 상기 스페이서 부재는 상기 N개의 광 채널 각각을 (측부에서) 둘러싸는 채널 벽을 포함하고, 상기 N개의 광 채널 중 하나 이상 내에, 특히 상기 N개의 광 채널 각각 내에 투명 재료가 존재한다. 상기 N개의 광 채널 중 제1 광 채널 내에 존재하는 상기 투명 재료의 양은 상기 N개의 광 채널 중 제2 광 채널 내에 존재하는 상기 투명 재료의 양과 상이하다. 이들 양은 제조 불규칙성의 추구되는 보상을 위해 선택될 수 있다. 채널 벽이 불투명하고, 특히 그것들이 불투명 재료로 제조되는 것이 제공될 수 있다. 개구를 둘러싸는 다수의 그러한 채널 벽을 포함하는 웨이퍼를 복제에 의해 제조하는 것이 가능하며; 그러한 웨이퍼는 예컨대 프리즘형 또는 관형 개구를 갖춘 평평한 체(sieve)와 같이 형상화될 수 있다. 또한, 상기 투명 재료가 경화된 경화가능한 재료인 것이 제공될 수 있다. 이 방식으로, 그것은 채널 내에 액체 형태로 충전된 후에 경화될 수 있다. 상기 N개의 광 채널 중 하나 내에 존재하는 투명 재료는 특히 각각의 채널을 수직으로 규정된 범위를 따라 완전히 충전할 수 있으며, 특히 상기 수직으로 규정된 범위는 상기 각각의 채널의 단부에서 종단된다.
전술된 실시 형태들 중 하나 이상과 조합될 수 있는 일 실시 형태에서, 상기 N개의 수동 광학 부품 세트 각각은 특성 크기를 갖고, 상기 특성 크기는 상기 N개의 수동 광학 부품 세트 모두에 대해 공칭적으로 동일하다. 상기 특성 크기는 예컨대 초점 거리일 수 있다. 또한, 상기 광로 길이의 상기 차이가 상기 N개의 수동 광학 부품 세트 중 2개 이상 사이의 상기 특성 크기의 원하지 않는 차이를 적어도 부분적으로 보상하기 위해 제공되는 것이 제공될 수 있다. 상기 원하지 않는 차이는 특히 제조 불규칙성에 기인할 수 있다. 이는 특히 상기 수동 광학 부품이 복제를 사용하여 제조될 때 유용할 수 있다. 복제 공정에서는, 반복가능한, 즉 복제 공정을 반복하여 수행할 때 동일하게 또는 거의 동일하게 발생하는 제조 불규칙성이 발생할 가능성이 있다.
전술된 실시 형태들 중 하나 이상과 조합될 수 있는 일 실시 형태에서, 상기 광학 부재는 복제를 사용하여 제조되고, 특히 상기 N개의 세트 중 적어도 하나에 대해(특히 상기 N개의 세트 각각에 대해), 상기 하나 이상의 수동 광학 부품 중 적어도 하나는 복제를 사용하여 제조된다. 보다 구체적으로, 상기 N개의 세트 각각에 대해, 상기 하나 이상의 수동 광학 부품 모두가 복제를 사용하여 제조되는 것이 제공될 수 있다.
전술된 실시 형태들 중 하나 이상과 조합될 수 있는 일 실시 형태에서, 장치는 검출 부재로 지칭되는 부재를 포함하고, 상기 검출 부재는 N개의 능동 광학 부품을 포함하며, 상기 N개의 능동 광학 부품 각각은 상기 N개의 수동 광학 부품 세트 중 하나와 관련되고, 특히 상기 N개의 능동 광학 부품 각각은 감광 부품이다. 상기 스페이서 부재는 특히 상기 검출 부재와 상기 광학 부재 사이에 배치될 수 있다. 그러한 장치는 특히 각각 상기 N개의 능동 광학 부품 중 하나에 의해 하나씩 N개의 서브-이미지를 포착하기 위한 장치일 수 있다. 또한, 전형적으로, 상기 서브-이미지는 전체 이미지를 산출하도록 처리될 서브-이미지이다. 이 목적을 위해, 장치는 상기 N개의 능동 광학 부품 각각에 작동가능하게 연결되는 마이크로프로세서를 포함할 수 있다. 상기 마이크로프로세서는 특히 상기 N개의 서브-이미지를 처리하기 위해, 보다 구체적으로 상기 N개의 서브-이미지로부터 전체 이미지를 생성하기 위해 구성될 수 있다. 상기 마이크로프로세서는 예컨대 상기 검출 부재 내에 포함될 수 있다.
제1 태양의 기기:
기기는 제1 태양에서 본 특허 출원에 기술된 바와 같은 다수의 장치를 포함한다. 특히, 상기 기기는 본 특허 출원에 기술된 바와 같은 M ≥ 2개의 장치를 포함하는 적어도 하나의 웨이퍼를 포함할 수 있다. 그러한 기기는 특히 웨이퍼 또는 웨이퍼 스택일 수 있다.
제2 태양의 기기:
기기는 제2 태양에서 스페이서 웨이퍼로 지칭되는 웨이퍼를 포함하고, 상기 스페이서 웨이퍼는 M ≥ 2개의 스페이서 부재를 포함하고, 상기 스페이서 부재 각각은 N　≥　2개의 광 채널을 포함하며, 상기 스페이서 부재 각각에 대해, 각각의 N개의 광 채널 모두가 적어도 실질적으로 동일한 기하학적 길이를 갖고 각각의 N개의 광 채널 중 제1 광 채널의 광로 길이가 상기 각각의 N개의 광 채널 중 적어도 하나의 제2 광 채널의 광로 길이와 상이한 것이 적용되며, M은 정수이고, N은 정수이다. 그러한 기기는 특히 웨이퍼 또는 웨이퍼 스택일 수 있다.
기기의 일 실시 형태에서, 상기 M개의 스페이서 부재 중 제1 스페이서 부재의 상기 기하학적 길이는 상기 M개의 스페이서 부재 중 적어도 하나의 제2 스페이서 부재의 상기 기하학적 길이와 상이하다. 대안적으로, 상기 기하학적 길이는 상기 M개의 스페이서 부재 모두에 대해 (적어도 공칭적으로) 동일할 수 있다.
전술된 실시 형태와 조합될 수 있는 일 실시 형태에서, 상기 스페이서 웨이퍼는 상호 상이한 재료로 제조되는 제1 층 및 제2 층을 포함하며, 특히 상기 제1 층의 수직 연장 범위(또는 두께)는 상기 영역 각각에 대해 실질적으로 동일하다. 상기 층은 특히 실질적으로 플레이트형일 수 있다. 그것들은 또한 웨이퍼로 간주될 수 있다.
전술된 실시 형태들 중 하나 이상과 조합될 수 있는 일 실시 형태에서, 기기는 광학 웨이퍼로 지칭되는 웨이퍼를 포함하고, 상기 광학 웨이퍼는 각각 N개의 수동 광학 부품 세트를 포함하는 M개의 광학 부재를 포함하며, 상기 N개의 수동 광학 부품 세트 각각은 하나 이상의 수동 광학 부품을 포함한다. 특히, 상기 스페이서 웨이퍼와 상기 광학 웨이퍼는 웨이퍼 스택 내에 포함될 수 있고, 그리고/또는 상기 M개의 광학 부재 각각은 상기 M개의 스페이서 부재 중 상이한 스페이서 부재와 관련된다.
본 발명은 본 발명에 따른 상응하는 장치의 특징을 갖는 기기와 그 반대로 또한 본 발명에 따른 상응하는 기기의 특징을 갖는 장치를 포함한다.
장치의 이점은 기본적으로 상응하는 기기의 이점에 해당하고, 그 반대로 기기의 이점은 기본적으로 상응하는 장치의 이점에 해당한다.
또한, 기기의 제1 및 제2 태양을 조합하는 것도 또한 가능하다.
제1 특정 관점의 방법:
제1 특정 관점에서, 본 특허 출원에 기술된 바와 같은 장치를 제조하기 위한 방법은 M ≥ 2개의 상기 스페이서 부재를 포함하는 스페이서 웨이퍼를 제공하는 단계를 포함하며, 여기에서 M은 정수이다. 특히, 이 방법은 상기 스페이서 웨이퍼를 제조하는 단계를 포함한다. 이러한 웨이퍼-레벨 제조는 이러한 장치를 제조하기에 특히 적합할 수 있고, 높은 수율로 엄격한 공차로(치수적으로 그리고 광학적으로) 제조하도록 허용할 수 있다.
일 실시 형태에서, 이 방법은 상기 스페이서 웨이퍼를 커팅 및/또는 기계 가공 및/또는 드릴링 및/또는 레이저 융제(laser ablation)를 사용하여 제조하는 단계를 포함하고, 특히 상기 커팅 및/또는 기계 가공 및/또는 드릴링 및/또는 레이저 융제에 의해 상기 스페이서 웨이퍼 내에 복수의 블라인드 구멍이 생성되며, 특히 상기 복수의 블라인드 구멍이 모두 동일한 길이를 갖지는 않는다. 이는 모든 광 채널에 대해 동일한 기하학적 경로 길이를 가짐과 동시에 다양한 상이한 광로 길이를 실현하는 효율적인 방식일 수 있다.
전술된 실시 형태들 중 하나 이상과 조합될 수 있는 일 실시 형태에서, 이 방법은 상기 스페이서 웨이퍼를 제조하는 단계를 포함하고, 상기 스페이서 웨이퍼를 제조하는 단계는,
- 웨이퍼를 제공하는 단계;
- 상기 웨이퍼의 수직 연장 범위를 국부적으로 감소시키는 단계
를 포함하며,
상기 웨이퍼의 수직 연장 범위를 국부적으로 감소시키는 단계는 제1 처리 단계를 수행하고 상기 제1 처리 단계에 후속하여 상기 제1 처리 단계와 상이한 제2 처리 단계를 수행하는 단계를 포함한다. 특히, 상기 제1 처리 단계는,
- 적용되는 처리 기술;
- 각각의 처리 단계에 사용되는 공구;
- 각각의 처리 단계에 사용되는 적어도 하나의 처리 파라미터
중 적어도 하나에 있어 상기 제2 처리 단계와 상이한 것이 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1 처리 단계가 상기 제2 처리 단계보다 상기 다수의 영역 중 상기 복수개로부터의 재료의 더욱 높은 제거율로 수행되는 것이 제공될 수 있다.
마지막에 기술된 실시 형태를 인용하는 일 실시 형태에서, 상기 제1 처리 단계는 스페이서 부재의 모든 광 채널에 대해 동시에 수행되고, 상기 제2 처리 단계는 스페이서 부재의 상이한 광 채널에 대해 따로따로 수행된다.
전술된 실시 형태와 조합될 수 있는 일 실시 형태에서, 이 방법은,
- 상기 광 채널 각각에 대해 하나씩 다수의 구멍을 갖춘 웨이퍼를 제공하는 단계로서, 특히 상기 구멍은 관통구인 단계;
- 상기 구멍 내에 경화가능한 재료를 액체 상태로 충전하는 단계;
- 상기 구멍 내의 상기 경화가능한 재료를 경화시키는 단계
를 포함하고,
상기 경화가능한 재료는 적어도 경화된 때 투명하다.
전술된 실시 형태들 중 하나 이상과 조합될 수 있는 일 실시 형태에서, 스페이서 웨이퍼는 상호 상이한 재료로 제조되는 제1 층 및 제2 층을 포함하고, 특히 이 방법은 상기 제2 층으로부터 재료를 제거하는 단계를 포함하며, 특히 상기 제2 층은 중합체 재료로 제조된다. 재료의 제거는 보다 구체적으로 광 채널 내에서의 광로 길이를 조절하는 역할을 할 수 있다. 또한, 특히 광 채널의 광로 길이를 조절하지 않기 위해, 재료가 상기 제1 층으로부터 제거되지 않는 것이 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 층은 2개의 상호 부착 플레이트를 형성할 수 있다.
본 발명은 본 발명에 따른 상응하는 장치 또는 기기의 특징을 갖는 방법과 그 반대로 또한 본 발명에 따른 상응하는 방법의 특징을 갖는 장치 및 기기를 포함한다.
방법의 이점은 기본적으로 각각 상응하는 장치 및 기기의 이점에 해당하고, 그 반대로 각각 장치 및 기기의 이점은 기본적으로 상응하는 방법의 이점에 해당한다.
제2 특정 관점의 방법:
제2 특정 관점에서, 이 방법은 장치를 제조하기 위한 방법이고, 특히 상기 장치는 카메라 또는 카메라를 위한 광전자 모듈이며, 상기 방법은,
- M ≥ 2개의 스페이서 부재를 포함하는 스페이서 웨이퍼를 제공, 특히 제조하는 단계로서, M은 정수이고, 상기 M개의 스페이서 부재 각각은 N ≥ 2개의 광 채널을 포함하며, N은 정수인 단계;
- M개의 광학 부재를 포함하는 광학 웨이퍼를 제공, 특히 제조하는 단계로서, 상기 M개의 광학 부재 각각은 각각 하나 이상의 수동 광학 부품을 포함하는 N개의 수동 광학 부품 세트를 포함하는 단계;
- M개의 검출 부재를 포함하는 검출 웨이퍼를 제공, 특히 제조하는 단계로서, 상기 M개의 검출 부재 각각은 각각 N개의 능동 광학 부품을 포함하는 단계
를 포함하고,
상기 M개의 스페이서 부재 각각은 상기 광학 부재 중 상이한 광학 부재와 관련되고, 상기 검출 부재 중 상이한 검출 부재와 관련되며,
상기 M개의 스페이서 부재 각각에 대해, 각각의 N개의 스페이서 부재 각각은 관련 광학 부재의 N개의 능동 광학 부품 세트 중 상이한 능동 광학 부품 세트와 관련되고, 관련 검출 부재의 N개의 능동 광학 부품 중 상이한 능동 광학 부품과 관련되며,
상기 M개의 스페이서 부재와 관련 광학 부재 및 관련 검출 부재 중 적어도 1개, 특히 복수개에 대해,
- 각각의 스페이서 부재의 N개의 광 채널 모두가 관련 광학 부재의 관련 수동 광학 부품 세트로부터 각각의 광 채널을 통해 관련 검출 부재의 관련 능동 광학 부품으로 횡단하는 광에 대해 적어도 실질적으로 동일한 기하학적 경로 길이를 제공하고,
- 각각의 광학 부재의 N개의 수동 광학 부품 세트 중 제1 수동 광학 부품 세트로부터 관련 광 채널을 통해 관련 능동 광학 부품으로 횡단하는 광에 대한 광로 길이가 각각의 광학 부재의 N개의 수동 광학 부품 세트 중 제2 수동 광학 부품 세트로부터 각각의 관련 광 채널을 통해 각각의 관련 능동 광학 부품으로 횡단하는 광에 대한 광로 길이와 상이한 것이 적용된다.
일 실시 형태에서, 이 방법은 상기 스페이서 웨이퍼를 복제 단계를 사용하여 제조하는 단계를 포함하고, 특히 상기 복제 단계에 사용되는 복제 마스터는 광 채널의 광로 길이의 상기 차이를 달성하기 위해 설계되며, 선택적으로, 이미 광 채널의 상기 상이한 광로 길이를 달성하기 위해 설계된 이렇게 얻어진 스페이서 부재는 추가 처리 단계를 받되 이렇게 얻어진 추가 처리된 스페이서 부재의 광 채널의 광로 길이의 증가된 정확성을 달성하기 위해 상기 추가 처리 단계를 받는다. 특히 상기 추가 처리 단계가 스페이서 부재에 재료를 추가하는 단계 및/또는 스페이서 부재로부터 재료를 제거하는 단계를 포함하고, 특히 상기 추가 처리 단계가 커팅 및/또는 기계 가공 및/또는 드릴링 및/또는 레이저 융제 단계를 포함하는 것이 제공될 수 있다. 상기 스페이서 웨이퍼 내의 하나 이상의 블라인드 구멍의 길이가 상기 커팅 및/또는 기계 가공 및/또는 드릴링 및/또는 레이저 융제에 의해 증가되는 것이 제공될 수 있다.
전술된 실시 형태들 중 하나 이상과 조합될 수 있는 일 실시 형태에서, 이 방법은 상기 스페이서 웨이퍼를 제조하는 단계를 포함하고, 상기 스페이서 웨이퍼를 제조하는 단계는,
- 웨이퍼를 제공하는 단계;
- 상기 웨이퍼의 수직 연장 범위를 국부적으로 감소시키는 단계
를 포함하며,
상기 웨이퍼의 수직 연장 범위를 국부적으로 감소시키는 단계는 제1 처리 단계를 수행하고 상기 제1 처리 단계에 후속하여 상기 제1 처리 단계와 상이한 제2 처리 단계를 수행하는 단계를 포함한다.
본 발명은 본 발명에 따른 상응하는 장치 또는 기기의 특징을 갖는 방법과 그 반대로 또한 본 발명에 따른 상응하는 방법의 특징을 갖는 장치 및 기기를 포함한다.
방법의 이점은 기본적으로 각각 상응하는 장치 및 기기의 이점에 해당하고, 그 반대로 각각 장치 및 기기의 이점은 기본적으로 상응하는 방법의 이점에 해당한다.
또한, 상기 제1 및 제2 관점의 방법을 조합하는 것도 또한 가능하다.
추가의 실시 형태와 이점이 특허청구범위와 도면으로부터 도출된다.
본 발명에 의하면, 장치, 특히 광학 시스템, 광전자 모듈 및 카메라와 같은 광학 장치를 제조하는 대안적인 방법이 제공되며, 특히 장치, 특히 광학 시스템, 광전자 모듈 및 카메라와 같은 광학 장치를 제조하는 개선된 방법이 제공된다. 또한, 상응하는 장치, 특히 광학 시스템, 광전자 모듈 및 카메라와 같은 광학 장치와 웨이퍼 및 웨이퍼 스택과 같은 관련 장치 및 기구가 제공된다.
또한, 본 발명에 의하면, 광학 시스템, 광전자 모듈 및 카메라와 같은 광학 장치의 제조시 제조 수율이 개선된다.
또한, 본 발명에 의하면, 광학 시스템, 광전자 모듈 및 카메라와 같은 광학 장치가 웨이퍼-스케일로 제조될 때 이것들의 개선된 품질이 달성된다.
이하에서는, 본 발명이 실시예 및 첨부 도면에 의해 더욱 상세히 기술된다. 도면은 상당히 개략적인 방식으로 도시된다.
도 1은 장치의 분해 단면도이다.
도 2는 다수의 서브-이미지로부터 전체 이미지가 얻어질 수 있는 예시이다.
도 3은 렌즈 형상을 갖는 스페이서 부재의 단면도이다.
도 4는 렌즈 형상을 갖는 스페이서 부재의 단면도이다.
도 5는 불투명하게 둘러싸는 광 채널을 갖춘 스페이서 부재의 단면도이다.
도 6은 분리되지 않은 광 채널을 갖춘 스페이서 부재의 단면도이다.
도 7은 스페이서 부재의 단면도이다.
도 8은 스페이서 부재의 단면도이다.
도 9는 스페이서 부재의 단면도이다.
도 10은 하나 초과의 단일 부품을 포함하는 스페이서 부재를 포함하는 웨이퍼 스택의 상세 단면도이다.
도 11은 제1 처리 단계 후 도 10의 웨이퍼 스택의 상세 단면도이다.
도 12는 제2 처리 단계 후 도 10 및 도 11의 웨이퍼 스택의 상세 단면도이다.
도 13은 하나 초과의 단일 부품을 포함하는 2회 처리된 스페이서 부재를 포함하는 웨이퍼 스택의 상세 단면도이다.
도 14는 관통구를 광 채널로서 포함하는 불투명 재료의 부재의 단면도이다.
도 15는 투명 재료가 광 채널 내에 충전된 도 14의 부재의 단면도이다.
도 16은 상이한 양의 투명 재료가 광 채널 내에 충전된 도 14의 부재의 단면도이다.
기술된 실시 형태는 실시예로서 의도되고, 본 발명을 제한하지 않아야 한다.
도 1은 본 발명의 일 태양의 개략적인 단면도이다. 그것은 함깨 장치(50), 특히 광전자 모듈(50)을 형성하는 3개의 부재, 즉 광학 부재(60), 스페이서 부재(70) 및 검출 부재(80)를 분해도로 도시한다.
광학 부재(60)는 수개의 수동 광학 부품(65), 특히 렌즈(65)를 포함한다. 수동 광학 부품(65)은 할당된 공칭 초점 거리를 가지며, 특히 모두 동일한 공칭 초점 거리를 갖는다. 그러나 - 보통 제조상의 이유로 - 수동 광학 부품(65)의 초점 거리(특히 전방 초점 거리)는 도 1에 f로 표기된 화살표에 의해 도시된 바와 같이 그 각각의 공칭 초점 거리로부터 벗어난다.
검출 부재(80)는 특히 이미지 센서(85)와 같은 능동 광학 부품(85)을 포함하는 반도체 칩일 수 있다.
스페이서 부재(70)는 부재(60)와 부재(80) 사이의 사전규정된 거리(도 1의 도면 부호 "g" 참조)를 보장하는데 기여한다. 그러나, 또한, 그것은 공칭 초점 거리로부터의 전술된 편차의 적어도 부분적인 보정에 또한 기여한다. 스페이서 부재(70)는 각각의 수동 광학 부품(65)당 하나씩 수개의 광 채널(77)을 포함한다. 광 채널(77) 각각은 블라인드 구멍(75)과 투명 재료(76)의 일부분을 포함한다.
스페이서 부재(70)의 재료의 굴절률은 보통 블라인드 구멍(75) 내에 존재하는 진공 또는 공기의 굴절률과 상이하다(보통 그것보다 큼). 따라서, 각각의 공칭 초점 거리로부터 관련 수동 광학 부품(65)의 초점 거리의 편차에 따라 블라인드 구멍(75)의 길이를 조절함으로써, 편차가 적어도 어느 정도까지 보상될 수 있다. 기하학적 길이 g는 광 채널(77) 각각에 대해 (적어도 공칭적으로) 동일하며; 그것은 스페이서 부재(70)의 (최대 또는 전체) 수직 연장 범위에 해당한다.
따라서, 블라인드 구멍의 길이는 상이하게 이탈하는 수동 광학 부품(65)에 대해 상이하다.
이 방식으로, 상이한 초점 거리를 갖는 상이한 수동 광학 부품(65)을 사용하여 수행되는 이미지 형성이 (공칭적으로) 원하는 이미지 형성을 생성하는 것이 달성될 수 있다. 따라서, 부재(80)의 각각의 능동 광학 부품(85), 예컨대 이미지 센서(85)와 같은 검출 요소(85)는 원하는 이미지를 기록할 수 있으며; 개별적으로 선택되거나 조절된 블라인드 구멍이 없으면, 기록된 이미지는 보통 각각의 수동 광학 부품(65)의 제조 불규칙성의 양에 의존하는 정도로 원하는 이미지로부터 벗어나거나 그것과 상이할 것이다. 특히, 각각의 능동 광학 부품(85)은 하나의 서브-이미지(sub-image), 예컨대 하나의 플렌옵틱 카메라(plenoptic camera) 서브-이미지 또는 하나의 어레이 카메라(array camera) 서브-이미지 또는 하나의 색 또는 파장 범위에 대한 하나의 서브-이미지를 기록하며, 여기에서 그 경우에 능동 광학 부품(85)이 모두 동일한 색 또는 파장 범위에 대한 서브-이미지를 기록하는 것은 아니다.
상이한 능동 광학 부품(85)에 의해 촬영되는 서브-이미지는 그것들로부터 전체 (최종) 이미지를 얻기 위해 처리될 수 있다.
도 2는 다수의 그러한 서브-이미지(88)로부터 전체 이미지(90)가 얻어질 수 있는 것을 예시한다.
상이한 광 채널(77)이 동일한 기하학적 경로 길이 g를 가짐에도 불구하고 상이한 광 채널(77) 사이의 광로 길이의 변화를 달성할 다른 가능성이 또한 존재하며, 예컨대 특허청구범위를 참조하라. 예컨대, 렌즈-형상과 같은 형상이 광로 내에, 예컨대 블라인드 구멍 내에 생성될 수 있다. 도 3 및 도 4는 만곡된 (렌즈형) 기저부(78)를 갖춘 블라인드 구멍을 구비하는 스페이서 부재(70)를 단면도로 도시한다. 바꾸어 말하면, 렌즈 요소가 광 채널 내에 형성된다. 도 3에, 광 채널이 관통구를 포함할 수 있는 것이 또한 예시된다(도 3의 최우측 채널 참조). 도 4에, 스페이서 부재(70)의 양측으로부터, 즉 보통 광학 부재가 위치될 물체측(전반적으로 스페이서 부재를 도시하는 모든 도면에서 도 1에서와 같이 도면 페이지의 상부를 향하도록 의도됨)과 보통 검출 부재가 위치될 검출기측(전반적으로 스페이서 부재를 도시하는 모든 도면에서 도 1에서와 같이 도면 페이지의 하부를 향하도록 의도됨)으로부터 재료가 제거될 수 있는 것이 또한 예시된다. 일반적으로, 본 특허 출원의 도면 중 하나에 예시된 스페이서 부재는 도 1에 예시된 것과 같은 장치 내에 스페이서 부재로서 사용되어 거기에 도시된 스페이서 부재를 대체할 수 있다.
광 채널(77)은 서로 분리될 수 있으며, 특히 서로 광학적으로 분리될 수 있다. 예컨대, 특히 각각의 광 채널(77)이 불투명 재료에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸이도록, 스페이서 부재의 일부분이 불투명 재료로 제조될 수 있다. 도 5는 불투명하게 둘러싸인 광 채널(77)을 갖춘 스페이서 부재(70)를 단면도로 예시한다. 각각의 광 채널(77)의 외측 부분은 불투명 재료, 예컨대 경화성 에폭시 수지와 같은 경화된 경화가능한 재료로 제조되는 반면, 내측 부분은 역시 경화성 에폭시 수지와 같은 경화된 경화가능한 재료와 같은 투명 재료로 충전되며, 여기에서 상기 충전은 각각의 광 채널[즉, 예시된 경우에, 스페이서 부재(70) 내의 각각의 관통구]을 측부에서는 완전히 충전하지만, (일반적으로 광 채널 중 적어도 하나에 대해) 수직으로는 단지 부분적으로만 충전한다. 광 채널을 통한 측방향 단면은 예컨대 원형 또는 직사각형(날카로운 또는 둥근 모서리를 갖춘)일 수 있다.
그러나, 광 채널(77) 중 적어도 하나가 스페이서 부재의 적어도 하나의 다른 광 채널에 인접하거나 또는 심지어 스페이서 부재의 적어도 하나의 다른 광 채널과 부분적으로 중첩하는 것을 제공하는 것도 또한 가능하다. 도 6은 분리되지 않은 광 채널을 갖춘 스페이서 부재(70)를 단면도로 예시한다.
광학적으로 분리된 광 채널(예컨대 도 5 참조)의 가능한 이점은 광 채널 사이의 크로스-토크(cross-talk)를 억제할 가능성이다. 분리되지 않은 광 채널의 가능한 이점은 상응하는 장치가 (측방향으로) 보다 작을 수 있고, 수동 광학 부품(도 1 참조)이 서로 보다 근접할 수 있으며, 검출 부재(도 1 참조)가 서로 보다 근접할 수 있는 것이다.
도 7은 다른 스페이서 부재(70)를 단면도로 예시한다. 이는 블라인드 구멍을 액체 재료로 충전할 수도 있음을 예시하기 위한 것이다. 또한, 이러한 충전 재료는 경화될 수 있다. 충전 재료의 양은 제조 불규칙성의 추구되는 보상이 달성되도록 선택될 수 있다.
도 8은 다른 스페이서 부재(70)를 단면도로 예시한다. 이는 광학 부재의 제조 불규칙성의 보상을 이미 구현한 웨이퍼(또는 부재)를 예컨대 복제에 의해 준비할 수 있는 것을 예시하기 위한 것이다. 또한, 그것은 보상을 미세-조정하기 위해 액체 재료를 블라인드 구멍 내에 충전하는 것도 또한 가능함을 예시한다.
도 9는 다른 스페이서 부재(70)를 단면도로 예시한다. 이는 한편으로는 어떤 하나의 스페이서 부재(70)의 모든 채널에 (동시에) 적용되는 보정/조절을 수행하는 것이 가능하고 다른 한편으로는 스페이서 부재(70)의 검출기측이 반드시 단일 평면을 형성할 필요는 없는 것(또한 도 4 참조)을 예시하기 위한 것이다. 그러나, 스페이서 부재(70)의 검출기측이 단일 평면을 형성하는 것(본 특허 출원의 대부분의 도면에 예시된 바와 같이)을 제공하는 것이 유리할 수 있는데, 왜냐하면 그 경우에, 스페이서 부재가 추가의 계면(공기와 스페이서 부재 또는 검출 부재의 재료와 같은 보다 높은 굴절률의 재료 사이의)을 제공함이 없이 검출 부재(도 1 참조)에 쉽게 본딩될 수 있으며, 이는 다시 보다 작은 반사 손실 및 보다 높은 이미지 형성 품질을 생성할 수 있기 때문이다.
장치(50)(도 1 참조)의 일반적인 기능은 물체측[도 1의 부재(60) 위]으로부터 입사하는 광이 수동 광학 부품(65)에 의해 광 채널(77)을 통해 부재(80)의 능동 광학 부품(85) 상에 이미지 형성되는 것이다.
장치(50)는 예컨대 통신 장치 및/또는 어레이 카메라와 같은 카메라에 사용될 수 있다.
부재(60, 70, 80) 중 임의의 것, 특히 그것들 모두를 각각 다수의 각각의 부재를 포함하는 웨이퍼의 형태로 제조하는 것이 제시된다. 이는 제조 불규칙성의 보상을 위해 제시되는 개별 조절의 달성을 간단하게 하는 것을 비롯하여 장치(50)의 제조를 매우 효율적으로 만들 수 있다.
예컨대, 수동 광학 부품(65) 각각의 초점 거리가 결정되고, 그 결과에 따라, 적절한 길이를 갖는 블라인드 구멍이 생성되거나[예컨대, 드릴링 및/또는 레이저 융제(laser ablation)에 의해](예컨대 상응하게 해석될 수 있는 도 1, 도 3, 도 4, 도 6, 도 9 참조); 또는 보상될 제조 불규칙성을 - 적합한 복제 마스터(master)를 사용함으로써 - 이미 고려한 복제를 사용하여 적합한 스페이서 웨이퍼가 제조된다(예컨대 상응하게 해석될 수 있는 도 1, 도 3, 도 6, 도 9 참조).
예컨대 상응하는 길이의 블라인드 구멍을 구비함으로써 이미 제조 불규칙성을 어느 정도까지 보상한 적합한 스페이서 웨이퍼를 사용하여 이들 두 접근법을 조합한 다음에, 예컨대 각각의 제조 불규칙성의 충분한 보상이 아직 달성되지 않은 광 채널을 통한 광로 길이를 변화시킴으로써 추가의 보정을 적용하는 것도 또한 가능하다(예컨대 상응하게 해석될 수 있는 도 3, 도 4, 도 8, 도 9 참조). 이들 추가의 보정은 예컨대 드릴링 및/또는 기계 가공 및/또는 커팅 및/또는 레이저 융제에 의해 달성될 수 있다.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 추가의 가능한 태양 및 실시 형태를 예시한다. 도 10 내지 도 12는 그 적어도 일부분이 공칭 값으로부터 벗어나는 초점 거리와 같은 제조 불규칙성을 갖는 수동 광학 부품(65)을 포함하는 광학 웨이퍼(OW)와 그것에 부착되는 스페이서 웨이퍼 스택(200)을 포함하는 웨이퍼 스택(100)을 단면도로 예시한다. 광학 웨이퍼(OW)는 다수의 광학 부재(60)를 포함하고, 스페이서 웨이퍼 스택(200)은 다수의 스페이서 부재를 포함하며, 여기에서 웨이퍼 스택(100)에서, 각각의 광학 부재는 스페이서 부재의 상이한 것과 관련되고 정렬된다. 도 10 내지 도 12에서 검출 부재와 검출 웨이퍼는 예시되지 않는다.
스페이서 웨이퍼 스택(200)은 스페이서 웨이퍼(SW1) 및 스페이서 웨이퍼(SW2)를 포함한다. 스페이서 웨이퍼(SW1)는 불투명 재료로 제조되며, 따라서 광학적으로 상호 격리되는 광 채널(77)에 상당히 기여할 수 있다. 스페이서 웨이퍼(SW1)는 또한 광학 웨이퍼(OW)와 스페이서 웨이퍼(SW2) 사이의 원하는 (수직) 거리를 보장하기 위해 제공될 수 있다. 웨이퍼 스택(200)의 한가지 특이한 점은 스페이서 웨이퍼(SW2)가 상이한 (그러나 투명한) 재료의 2개의 층(m1, m2)을 포함한다는 점이다. 예컨대, 층(m1)은 유리로 제조되고, 층(m2)은 중합체 재료로 제조되거나, 또는 층(m1)은 중합체 재료로 제조되고, 층(m2)은 유리로 제조된다. 보다 일반적으로, 광학 웨이퍼(OW)를 향하는 층(m1)이 기계적 안정성을 제공하기 위해 제공되는 반면, 다른 하나의 층(m2)(특히, 그것을 제조하는 재료)이 층(m1)(의 재료)보다 기계적으로 덜 안정된 것이 제공될 수 있다. 그리고/또는, 스페이서 웨이퍼(SW2)로부터 재료를 제거하기 위한 방법 또는 공정을 고려할 때, 층(m2)의 재료가 층(m1)의 재료보다 제거하기 더욱 쉬운 것이 제공될 수 있다. 그러나, 층(m1)이 일반적으로 또한 생략될 수 있는 것에 유의하여야 한다.
또한 일반적으로 층(m1, m2)을 각각 서로 본딩되는 별개의 스페이서 웨이퍼로 간주하는 것이 가능하다.
보다 구체적으로, 도 11 및 도 12에 예시된 바와 같이, 광학 웨이퍼(OW)의 제조 불규칙성을 보상하기 위한 재료의 제거가 단지 층(m2)에서만 수행되는 것을 제공하는 것이 가능하다.
또한, 도 10 내지 도 12, 보다 구체적으로 도 11 및 도 12는 스페이서 웨이퍼로부터 또는 스페이서 웨이퍼 스택(200)으로부터[또는, 보다 구체적으로 층(m2)으로부터] 재료의 제거를 2가지(또는 일반적으로 2가지 이상의) 처리 단계로 수행하는 것이 가능함을 예시한다. 재료의 제거는 광 채널(77) 내에서 광로 길이를 변화시키도록 허용할 수 있다. 이 경우에, 도 11은 도 10의 스페이서 웨이퍼 스택(200)에 대한 제1 처리 단계의 적용으로부터 생성되는 웨이퍼 스택을 예시하고, 도 12는 도 11의 스페이서 웨이퍼 스택(200)에 대한 제2 처리 단계의 적용으로부터 생성되는 웨이퍼 스택(100)을 예시한다. 2가지 연속 적용되는 처리 단계는 상이한 처리 단계일 수 있으며, 예컨대 두 처리 단계가 밀링에 의해 수행되면, 제2 처리 단계에서, 상이한 밀링 공구가 사용될 수 있고, 가능하게는 또한 제2 처리 단계에서보다 빠른 이송 속도가 적용될 수 있다. 또한, 처리 단계에서 상이한 처리 기술을 조합하는 것도 또한 가능하며, 예컨대 우선 레이저 융제에 이어서 밀링 또는 그 반대일 수 있다.
제2 처리 단계는 특히 미세-조정 단계(보상 효과를 최적화시키기 위한)일 수 있다.
또한, 도 11 및 도 12는 2 × 2 배열의 채널(도 11 및 도 12 참조)을 갖춘 4-채널 장치와 같은 다중-채널 장치의 경우에 가능한 진행 방식을 예시하는 것으로 간주될 수 있다. 도 11에 예시된 바와 같이, 제1 처리 단계를 개별적으로 하나의 장치에 대해, 즉 하나의 스페이서 부재에 대해 수행하지만, 제2 처리 단계를 개별적으로 각각의 광 채널(77)(도 12 참조)에 대해 수행하는 것이 가능하다. 따라서, 분리 단계(도 12의 두꺼운 파선 참조) 후, 보통 상이한 높이(수직 연장 범위)와 따라서 하나의 스페이서 부재의 모든 광 채널에 대해서는 동일한 그 광 채널의 상이한 기하학적 길이 g1, g2, g3를 갖는 스페이서 부재가 얻어질 것이지만, 예컨대 초점 거리에 대한 보정이 (제2 처리 단계에서) 개별적으로 각각의 채널에 대해 이루어질 수 있다.
도 10 내지 도 12의 것과 같은 실시 형태에서, 스페이서 부재에 대한 검출 부재의 본딩은 보통 웨이퍼 스택(100)을 분리하는 동안 달성될 수 있는 스페이서 웨이퍼(200)의 분리 후 수행되어야 할 것이다.
도 13은 2회 처리된 스페이서 부재가 하나 초과의 단일 부품(SW1, m1, m2)을 포함하는 것을 단면도로 예시한다. 실제로, 도 13은 도 12와 매우 일치하지만, 스페이서 웨이퍼(SW2)가 수평으로(측방향으로) 대칭되고(mirrored), 또한 제2 처리 단계에서 재료가 제거되는 (측방향으로 규정된) 영역이 도 12에 예시된 것에 대해 감소된다.
도 13에 예시된 것과 같은 실시 형태의 경우에, 수동 광학 부품(65) 또는 특히 하나의 동일한 광 채널에 속하는 수동 광학 부품으로 구성되는 수동 광학 부품의 군의 제조 불규칙성에 관한 데이터가 얻어질 것이다. 그러한 데이터에 기초하여, 스페이서 웨이퍼(SW2)의 층(m2)이 제1 처리 단계를 받을 것이다(도 11에 예시된 것과 유사하게). 이러한 제1 처리 단계는 특히 어떤 하나의 스페이서 부재의 모든 광 채널에 동시에(그리고 전형적으로 하나의 동일한 공구를 사용하여), 그러나 상이한 스페이서 부재에 대해 따로따로 적용될 것이다.
그 후에, 가능하게는 수동 광학 부품(65)의 제조 불규칙성에 관한 추가의 데이터[가능하게는 광학 웨이퍼(OW), 스페이서 웨이퍼(SW1) 및 스페이서 웨이퍼(SW2)의 예비 조립체로부터 얻어짐]에 기초하여, 각각의 광 채널이 개별적으로 처리되는 제2 처리 단계가 적용된다.
이어서, 스페이서 웨이퍼(SW1, SW2)와 광학 웨이퍼(OW)가 함께 본딩되어 웨이퍼 스택(100)을 형성한다. 이는 하나 이상의 단계로 달성될 수 있다. 다수의 검출 부재(도 1 참조)를 포함하는 검출 웨이퍼가 이 시점에서 이미 스페이서 웨이퍼(SW2)에 본딩되거나 - 또는 이것이 그 후에 달성되는 것도 또한 가능하다. 마지막으로, 분리된 장치가 얻어지는 분리 단계가 예컨대 다이싱(dicing) 또는 레이저 커팅에 의해 적용된다. 이렇게 얻어진 장치는 예컨대 계산 카메라(computational camera) 또는 계산 카메라를 위한 모듈, 또는 어레이 카메라 또는 어레이 카메라를 위한 모듈일 수 있다.
도 14 내지 도 16은 불투명하게 (측부에서) 둘러싸인 광 채널(77)을 갖춘 스페이서 부재를 단면도로 예시한다. 도 5의 실시 형태가 그것과 유사하며, 실제로 도 14 내지 도 16은 도 5에 예시된 바와 같은 스페이서 웨이퍼를 얻는 방식을 예시하도록 허용한다.
도 14는 관통구를 광 채널로서 포함하는 다수의 불투명 재료를 단면도로 예시하고; 도 15는 투명 재료가 광 채널 내에 충전된 도 14의 부재를 단면도로 예시하며; 도 16은 상이한 양의 투명 재료가 광 채널 내에 충전된 도 14의 부재를 단면도로 예시한다.
도 5 및 도 16에 예시된 것과 같은 스페이서 부재(70)를 얻기 위해, 다수의 관통구(도 14 참조)를 포함하는 웨이퍼가 제공될 수 있다. 그러한 웨이퍼는 예컨대 복제 공정을 사용하여 예컨대 단일 부품으로서 얻어질 수 있다. 이어서, 액체 경화가능 재료가 관통구 내에 충전되고, 그 후에 경화, 예컨대 큐어링(curing)된다. 이 동안에, 상기 웨이퍼는 액체 재료가 관통구 밖으로 유출되지 못하도록 방지하기 위해 실리콘의 매트와 같은 기재상에 배치될 수 있다. 경화 후, 충전된 재료는 투명하다. 가능하게는, 검출기측에 고품질 광학 표면을 구비하기 위해, 이렇게 얻어진 웨이퍼에 폴리싱 단계가 적용될 수 있다.
도 5 및 도 16에 예시된 것과 같은 스페이서 부재(70)를 얻는 제1 방식에서, 구멍 내에 충전되는 액체 재료의 양은 광로 길이의 원하는 조절을 달성하도록 각각의 광 채널에 대해 개별적으로 선택된다. 제2 방식에서, 충전되는 재료의 양은 어떤 하나의 스페이서 부재의 모든 관통구에 대해(즉, 모든 광 채널에 대해) (적어도 공칭적으로) 동일하며, 여기에서 그것은 스페이서 웨이퍼의 모든 관통구에 대해(즉, 모든 광 채널에 대해) (적어도 공칭적으로) 동일할 수 있다(도 15 참조). 경화 후, 이어서, 더욱 많은(또는 동일한) 액체 경화가능 재료를 광 채널에 대해 개별적으로 추가하기 위한 그리고/또는 상기 액체 경화가능 재료의 일부분을 광 채널에 대해 개별적으로 제거하기 위한 처리 단계가 수행된다. 그러나, 그러한 미세-조정 단계는 전술된 제1 방식의 경우에도 또한 적용될 수 있다.
충전 액체 재료에 대해, 예컨대 디스펜서[플립 칩 등을 언더필링(underfilling)하기 위한 전자 장치 제조로부터 알려진 것과 같은]가 사용될 수 있다. 재료를 제거하기 위해, 기계 가공 또는 밀링 또는 드릴링 또는 레이저 융제가 사용될 수 있다.
위로부터 명확해질 바와 같이, 본 발명은 고정밀 광학 장치를 매우 높은 수율로 웨이퍼 스케일로 대량 생산하도록 허용할 수 있다. 특히, 광학 웨이퍼 및/또는 광학 부재 및/또는 수동 광학 부품을 제조하는 동안(또는 제조하기 위해) 복제가 사용되면, 특히 다수의 광학 부재 및/또는 수동 광학 부품을 동시에(또는 단일 공정으로) 제조하기 위해 복제 단계가 사용될 때, 반복가능한 제조 불규칙성이 발생할 수 있으며, 이는 본 발명에 의해 매우 양호하게 보상될 수 있다. 여기에서, 상기 보상을 달성하기 위해, 예컨대 보상 스페이서 웨이퍼 또는 보상 스페이서 부재를 제조하기 위해 복제가 적용될 수 있거나 적용되지 않을 수 있다.
50: 장치 60: 광학 부재
65: 수동 광학 부품 70: 스페이서 부재
75: 블라인드 구멍 76: 투명 재료
77: 광 채널 80: 검출 부재
85: 능동 광학 부품 88: 서브-이미지
90: 전체 이미지 100: 웨이퍼 스택
200: 스페이서 웨이퍼 스택 OW: 광학 웨이퍼
SW1, SW2: 스페이서 웨이퍼 m1, m2: 층

Claims (89)

  1. 광학 부재 및 스페이서 부재를 포함하는 장치로서,
    상기 광학 부재는 각각 하나 이상의 수동 광학 부품을 포함하는 N　≥　2개의 수동 광학 부품 세트를 포함하고, 상기 스페이서 부재는 N개의 광 채널을 포함하며, 상기 N개의 광 채널 각각은 상기 N개의 수동 광학 부품 세트 중 하나와 관련되고, 상기 N개의 광 채널 모두는 적어도 실질적으로 동일한 기하학적 길이를 가지며, 상기 N개의 광 채널 중 제1 광 채널의 광로 길이는 상기 N개의 광 채널 중 적어도 하나의 제2 광 채널의 광로 길이와 상이한 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스페이서 부재는 상기 광학 부재에 대해 고정되는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 스페이서 부재는 상기 N개의 광 채널 모두가 적어도 실질적으로 동일한 기하학적 길이를 갖고 상기 N개의 광 채널 중 제1 광 채널의 광로 길이가 상기 N개의 광 채널 중 적어도 하나의 제2 광 채널의 광로 길이와 상이한 방식으로 구조화되고, 특히 상기 스페이서 부재는 상기 방식으로 형상화되는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N개의 광 채널 각각에 대해, 상기 광로 길이는 각각의 관련 광학 부재의 제조 불규칙성, 특히 각각의 관련 광학 부재의 수동 광학 부품 세트의 수동 광학 부품의 제조 불규칙성과 관련되는 값을 갖고/갖거나 그것에 따라 선택되는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 광학 부재는 적어도 하나의 렌즈 요소를 포함하고, 상기 제조 불규칙성은 공칭 값으로부터 상기 적어도 하나의 렌즈 요소의 특성 크기의 편차를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 공칭 값은 상기 적어도 하나의 렌즈 요소의 초점 거리인 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N개의 광 채널 각각과 그 각각의 관련 수동 광학 부품 세트는 물체측으로부터 수동 광학 부품 세트 상에 입사하는 광이 각각의 관련 광 채널을 통해 상기 스페이서 부재를 횡단할 수 있도록 서로에 대해 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 채널은 서로 분리되며, 특히 서로 광학적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N개의 광 채널 중 적어도 하나는 상기 스페이서 부재 내의 개구를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N개의 광 채널 중 적어도 하나는 상기 스페이서 부재 내의 관통구가 아닌 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N개의 광 채널 중 적어도 하나는 상기 스페이서 부재 내의 블라인드 구멍을 포함하고, 특히 상기 적어도 하나의 블라인드 구멍은 상기 N개의 광 채널 중 상기 적어도 하나와 광 채널 중 적어도 하나의 제2 광 채널 사이의 광로 길이의 상기 차이를 달성하는데 기여하기 위해 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N개의 광 채널 중 적어도 2개는 상기 스페이서 부재 내의 블라인드 구멍을 포함하고, 특히 상기 N개의 광 채널 중 상기 적어도 2개의 각각에 대해, 각각의 블라인드 구멍의 길이가 각각의 광 채널의 광로 길이와 관련되며, 특히 상기 적어도 2개의 블라인드 구멍 중 제1 블라인드 구멍의 길이가 상기 적어도 2개의 블라인드 구멍 중 제2 블라인드 구멍의 길이와 상이한 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N개의 광 채널 중 적어도 하나는 비-기체 투명 재료의 일부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N개의 광 채널 각각은 비-기체 투명 재료의 일부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N개의 광 채널 중 적어도 하나는 고체 투명 재료의 일부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N개의 광 채널 중 적어도 하나 내에 적어도 하나의 렌즈 요소가 형성되고, 특히 상기 적어도 하나의 렌즈 요소는 상기 N개의 광 채널 중 상기 적어도 하나와 광 채널 중 적어도 하나의 제2 광 채널 사이의 광로 길이의 상기 차이를 달성하는데 기여하기 위해 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 렌즈 요소는 상기 N개의 광 채널 중 상기 적어도 하나 내의 블라인드 구멍 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스페이서 부재는 상호 상이한 재료로 제조되는 제1 층 및 제2 층을 포함하며, 특히 상기 제2 층은 중합체 재료로 제조되고/제조되거나 상기 제1 층은 유리 또는 상이한 중합체 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 광 채널 각각 내의 상기 제2 층의 수직 연장 범위는 각각의 관련 광학 부재의 제조 불규칙성과 관련되거나 그것에 따라 선택되는 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스페이서 부재는 상기 N개의 광 채널 각각을 둘러싸는 채널 벽을 포함하고, 상기 N개의 광 채널 중 하나 이상 내에, 특히 상기 N개의 광 채널 각각 내에 투명 재료가 존재하며, 상기 N개의 광 채널 중 제1 광 채널 내에 존재하는 상기 투명 재료의 양은 상기 N개의 광 채널 중 적어도 하나의 제2 광 채널 내에 존재하는 상기 투명 재료의 양과 상이한 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N개의 수동 광학 부품 세트 각각은 특성 크기를 갖고, 상기 특성 크기는 상기 N개의 수동 광학 부품 세트 모두에 대해 공칭적으로 동일한 것을 특징으로 하는 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 특성 크기는 초점 거리인 것을 특징으로 하는 장치.
  23. 제20항 또는 제22항에 있어서,
    상기 광로 길이의 상기 차이는 상기 N개의 수동 광학 부품 세트 중 2개 이상 사이의 상기 특성 크기의 원하지 않는 차이를 적어도 부분적으로 보상하기 위해 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 원하지 않는 차이는 제조 불규칙성에 기인하는 것을 특징으로 하는 장치.
  25. 제1항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학 부재는 복제를 사용하여 제조되고, 특히 상기 N개의 세트 중 적어도 하나에 대해, 상기 하나 이상의 수동 광학 부품 중 적어도 하나는 복제를 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 장치.
  26. 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스페이서 부재는 복제 단계를 사용하여 제조되고, 특히 상기 복제 단계에 사용되는 복제 마스터는 광 채널의 상기 상이한 광로 길이를 달성하기 위해 설계되며, 선택적으로, 이미 광 채널의 상기 상이한 광로 길이를 달성하기 위해 설계된 이렇게 얻어진 스페이서 부재는 추가 처리 단계를 받되 이렇게 얻어진 추가 처리된 스페이서 부재의 광 채널의 광로 길이의 증가된 정확성을 달성하기 위해 상기 추가 처리 단계를 받고, 특히 상기 추가 처리 단계는 스페이서 부재에 재료를 추가하는 단계 및/또는 스페이서 부재로부터 재료를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  27. 제1항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스페이서 부재의 적어도 일부분은 투명 재료, 특히 고체 투명 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  28. 제1항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스페이서 부재의 적어도 일부분은 불투명 재료, 특히 고체 불투명 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 불투명 재료의 적어도 일부분은 상기 광 채널 사이에, 특히 상기 N개의 광 채널 각각을 둘러싸며 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
  30. 제1항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서,
    검출 부재로 지칭되는 부재를 포함하고, 상기 검출 부재는 N개의 능동 광학 부품을 포함하며, 상기 N개의 능동 광학 부품 각각은 상기 N개의 수동 광학 부품 세트 중 하나와 관련되고, 특히 상기 N개의 능동 광학 부품 각각은 감광 부품인 것을 특징으로 하는 장치.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 스페이서 부재는 상기 검출 부재와 상기 광학 부재 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
  32. 제30항 또는 제31항에 있어서,
    상기 N개의 능동 광학 부품 각각은 물체측으로 지칭되는 측으로부터 수동 광학 부품 세트 상에 입사하는 광이 상기 스페이서 부재를 통해, 특히 각각의 관련 광 채널을 통해 각각의 관련 능동 광학 부품으로 지향되는 방식으로 그 각각의 관련 수동 광학 부품 세트에 대해 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 물체측은 상기 검출 부재가 배치되는 광학 부재 측에 대향하는 상기 광학 부재 측인 것을 특징으로 하는 장치.
  34. 제30항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학 부재 및 상기 스페이서 부재와 상기 검출 부재는 서로에 대해 고정되는 것을 특징으로 하는 장치.
  35. 제30항 내지 제34항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N개의 수동 광학 부품 세트 중 하나로부터 각각의 관련 광 채널을 통해 각각의 관련 능동 광학 부품으로 횡단하는 광에 대한 기하학적 경로 길이가 상기 N개의 수동 광학 부품 세트 각각에 대해 적어도 실질적으로 동일하고, 상기 N개의 수동 광학 부품 세트 중 제1 수동 광학 부품 세트로부터 각각의 관련 광 채널을 통해 각각의 관련 능동 광학 부품으로 횡단하는 광에 대한 광로 길이가 상기 N개의 수동 광학 부품 세트 중 제2 수동 광학 부품 세트로부터 각각의 관련 광 채널을 통해 각각의 관련 능동 광학 부품으로 횡단하는 광에 대한 광로 길이와 상이한 것을 특징으로 하는 장치.
  36. 제30항 내지 제35항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N개의 능동 광학 부품 각각은 광-검출 또는 감광 요소의 2차원 배열, 특히 광-검출 또는 감광 요소의 2차원 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  37. 제30항 내지 제36항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N개의 능동 광학 부품 각각은 이미지 검출기, 이미지 센서, 픽셀 어레이, 반도체-기반 다중-픽셀 감광 센서로 이루어진 군 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  38. 제30항 내지 제37항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스페이서 부재는 상기 광학 부재와 상기 검출 부재 사이의 규정된, 특히 일정한 거리를 보장하도록 구조화되고 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
  39. 제30항 내지 제38항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스페이서 부재는 상기 검출 부재에 대한 상기 광학 부재의 적어도 실질적으로 평행한 정렬을 보장하도록 구조화되고 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
  40. 제30항 내지 제39항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N개의 수동 광학 부품 세트는 모두 제1 평면 내에 배치되고, 상기 N개의 능동 광학 부품은 모두 제2 평면 내에 배치되며, 상기 스페이서 부재는 상기 제1 및 제2 평면의 적어도 실질적으로 평행한 정렬을 보장하도록 구조화되고 배치되며, 특히 상기 기하학적 경로 길이는 상기 제1 및 제2 평면 사이의 거리에 의해 규정되는 것을 특징으로 하는 장치.
  41. 제30항 내지 제40항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N개의 능동 광학 부품 각각에 작동가능하게 연결되는 마이크로프로세서를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  42. 제30항 내지 제41항 중 어느 한 항에 있어서,
    장치는 각각 상기 N개의 능동 광학 부품 중 하나에 의해 하나씩 N개의 서브-이미지를 포착하기 위한 장치이고, 특히 상기 서브-이미지는 전체 이미지를 산출하도록 처리될 서브-이미지인 것을 특징으로 하는 장치.
  43. 제42항에 있어서,
    상기 N개의 능동 광학 부품 각각에 작동가능하게 연결되는 마이크로프로세서를 포함하고, 상기 마이크로프로세서는 상기 N개의 서브-이미지를 처리하기 위해, 특히 상기 N개의 서브-이미지로부터 전체 이미지를 생성하기 위해 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  44. 제42항 또는 제43항에 있어서,
    상기 N개의 서브-이미지를 처리하기 위한 처리 장치에 대한 작동 연결을 확립하기 위한 인터페이스를 포함하고, 특히 장치는 상기 N개의 서브-이미지를 상기 인터페이스를 통해 전송하기 위해 구조화되고 배치되는 제어 유닛을 포함하며, 특히 상기 처리 장치는 상기 N개의 서브-이미지로부터 전체 이미지를 생성하기 위해서 상기 N개의 서브-이미지를 처리하기 위해 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  45. 제42항 내지 제44항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 서브-이미지는,
    - 상이한 색으로 그리고/또는 상이한 파장 범위의 광으로 촬영되는 서브-이미지;
    - 상이한 각도로 장치에 입사한 광으로 촬영되는 서브-이미지;
    - 상이한 세팅으로 촬영되는 서브-이미지;
    - 상이한 카메라 세팅으로 촬영되는 서브-이미지;
    - 상이한 광학 세팅으로 촬영되는 서브-이미지;
    - 상이한 초점 세팅으로 촬영되는 서브-이미지;
    - 상이한 줌 세팅으로 촬영되는 서브-이미지;
    - 상이한 광 감도로 촬영되는 서브-이미지;
    - 상이한 이미지 해상도로 촬영되는 서브-이미지
    로 이루어진 군 중에서 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 장치.
  46. 제1항 내지 제45항 중 어느 한 항에 있어서,
    장치는 광전자 모듈인 것을 특징으로 하는 장치.
  47. 제1항 내지 제46항 중 어느 한 항에 있어서,
    장치는 카메라 또는 통신 장치에 사용되는 광전자 모듈인 것을 특징으로 하는 장치.
  48. 제1항 내지 제49항 중 어느 한 항에 있어서,
    장치는 핸드헬드 통신 장치에 사용되는 광전자 모듈인 것을 특징으로 하는 장치.
  49. 제1항 내지 제48항 중 어느 한 항에 있어서,
    장치는 다중-조리개 카메라 및/또는 어레이 카메라에 사용되는 광전자 모듈인 것을 특징으로 하는 장치.
  50. 제1항 내지 제46항 중 어느 한 항에 있어서,
    장치는 카메라인 것을 특징으로 하는 장치.
  51. 제1항 내지 제46항 중 어느 한 항에 있어서,
    장치는 다중-조리개 카메라, 플렌옵틱 카메라, 어레이 카메라, 계산 카메라로 이루어진 군 중에서 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 장치.
  52. 제1항 내지 제49항 중 어느 한 항에 따른 다수의 장치를 포함하는 기기로서,
    특히 상기 기기는 제1항 내지 제49항 중 어느 한 항에 따른 M ≥ 2개의 장치를 포함하는 적어도 하나의 웨이퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 기기.
  53. 스페이서 웨이퍼로 지칭되는 웨이퍼를 포함하는 기기로서,
    상기 스페이서 웨이퍼는 M ≥ 2개의 스페이서 부재를 포함하고, 상기 스페이서 부재 각각은 N　≥　2개의 광 채널을 포함하며, 상기 스페이서 부재 각각에 대해, 각각의 N개의 광 채널 모두가 적어도 실질적으로 동일한 기하학적 길이를 갖고 각각의 N개의 광 채널 중 제1 광 채널의 광로 길이가 상기 각각의 N개의 광 채널 중 적어도 하나의 제2 광 채널의 광로 길이와 상이한 것이 적용되며, M은 정수이고, N은 정수인 것을 특징으로 하는 기기.
  54. 제53항에 있어서,
    상기 M개의 스페이서 부재 중 제1 스페이서 부재의 상기 기하학적 길이는 상기 M개의 스페이서 부재 중 적어도 하나의 제2 스페이서 부재의 상기 기하학적 길이와 상이한 것을 특징으로 하는 기기.
  55. 제53항 또는 제54항에 있어서,
    상기 스페이서 웨이퍼는 상호 상이한 재료로 제조되는 제1 층 및 제2 층을 포함하며, 특히 상기 제2 층은 중합체 재료로 제조되고/제조되거나 상기 제1 층은 유리 또는 상이한 중합체 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 기기.
  56. 제53항 내지 제55항 중 어느 한 항에 있어서,
    광학 웨이퍼로 지칭되는 웨이퍼를 포함하고, 상기 광학 웨이퍼는 각각 N개의 수동 광학 부품 세트를 포함하는 M개의 광학 부재를 포함하며, 상기 N개의 수동 광학 부품 세트 각각은 하나 이상의 수동 광학 부품을 포함하고, 특히 상기 스페이서 웨이퍼와 상기 광학 웨이퍼는 웨이퍼 스택 내에 포함되고/포함되거나, 상기 M개의 광학 부재 각각은 상기 M개의 스페이서 부재 중 상이한 스페이서 부재와 관련되는 것을 특징으로 하는 기기.
  57. 제56항에 있어서,
    상기 스페이서 웨이퍼는 복제 단계를 사용하여 제조되고, 특히 상기 복제 단계에 사용되는 복제 마스터는 광 채널의 상기 상이한 광로 길이를 달성하기 위해 설계되며, 선택적으로, 이미 광 채널의 상기 상이한 광로 길이를 달성하기 위해 설계된 이렇게 얻어진 스페이서 웨이퍼는 추가 처리 단계를 받되 이렇게 얻어진 추가 처리된 스페이서 웨이퍼의 광 채널의 광로 길이의 증가된 정확성을 달성하기 위해 상기 추가 처리 단계를 받고, 특히 상기 추가 처리 단계는 스페이서 웨이퍼에 재료를 추가하는 단계 및/또는 스페이서 웨이퍼로부터 재료를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기기.
  58. 제56항 또는 제57항에 있어서,
    상기 M × N개의 광 채널 각각은 상기 M × N개의 수동 광학 부품 세트 중 상이한 수동 광학 부품 세트와 관련되는 것을 특징으로 하는 기기.
  59. 제53항 내지 제58항 중 어느 한 항에 있어서,
    검출 웨이퍼로 지칭되는 웨이퍼를 포함하고, 상기 검출 웨이퍼는 각각 N개의 능동 광학 부품을 포함하는 M개의 검출 부재를 포함하며, 특히 상기 M × N개의 능동 광학 부품 각각은 광-검출 부품이고, 특히 상기 스페이서 웨이퍼와 상기 검출 웨이퍼는 웨이퍼 스택 내에 포함되는 것을 특징으로 하는 기기.
  60. 제59항에 있어서,
    상기 M개의 검출 부재 각각은 상기 M개의 스페이서 부재 중 상이한 스페이서 부재와 관련되는 것을 특징으로 하는 기기.
  61. 제59항 또는 제60항에 있어서,
    상기 M × N개의 광 채널 각각은 상기 M × N개의 능동 광학 부품 중 상이한 능동 광학 부품과 관련되는 것을 특징으로 하는 기기.
  62. 장치를 제조하기 위한 방법으로서,
    특히 상기 장치는 카메라 또는 카메라를 위한 광전자 모듈이고, 상기 방법은,
    - M ≥ 2개의 스페이서 부재를 포함하는 스페이서 웨이퍼를 제공, 특히 제조하는 단계로서, M은 정수이고, 상기 M개의 스페이서 부재 각각은 N ≥ 2개의 광 채널을 포함하며, N은 정수인 단계;
    - M개의 광학 부재를 포함하는 광학 웨이퍼를 제공, 특히 제조하는 단계로서, 상기 M개의 광학 부재 각각은 각각 하나 이상의 수동 광학 부품을 포함하는 N개의 수동 광학 부품 세트를 포함하는 단계;
    - M개의 검출 부재를 포함하는 검출 웨이퍼를 제공, 특히 제조하는 단계로서, 상기 M개의 검출 부재 각각은 각각 N개의 능동 광학 부품을 포함하는 단계
    를 포함하며,
    상기 M개의 스페이서 부재 각각은 상기 광학 부재 중 상이한 광학 부재와 관련되고, 상기 검출 부재 중 상이한 검출 부재와 관련되며,
    상기 M개의 스페이서 부재 각각에 대해, 각각의 N개의 스페이서 부재 각각은 관련 광학 부재의 N개의 능동 광학 부품 세트 중 상이한 능동 광학 부품 세트와 관련되고, 관련 검출 부재의 N개의 능동 광학 부품 중 상이한 능동 광학 부품과 관련되며,
    상기 M개의 스페이서 부재와 관련 광학 부재 및 관련 검출 부재 중 적어도 1개, 특히 복수개에 대해,
    - 각각의 스페이서 부재의 N개의 광 채널 모두가 관련 광학 부재의 관련 수동 광학 부품 세트로부터 각각의 광 채널을 통해 관련 검출 부재의 관련 능동 광학 부품으로 횡단하는 광에 대해 적어도 실질적으로 동일한 기하학적 경로 길이를 제공하고,
    - 각각의 광학 부재의 N개의 수동 광학 부품 세트 중 제1 수동 광학 부품 세트로부터 관련 광 채널을 통해 관련 능동 광학 부품으로 횡단하는 광에 대한 광로 길이가 각각의 광학 부재의 N개의 수동 광학 부품 세트 중 제2 수동 광학 부품 세트로부터 각각의 관련 광 채널을 통해 각각의 관련 능동 광학 부품으로 횡단하는 광에 대한 광로 길이와 상이한 것이 적용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  63. 제62항에 있어서,
    상기 광학 웨이퍼, 상기 검출 웨이퍼, 및 상기 광학 웨이퍼와 상기 검출 웨이퍼 사이에 배치되는 상기 스페이서 웨이퍼를 포함하는 웨이퍼 스택을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  64. 제63항에 있어서,
    상기 웨이퍼 스택을 각각 상기 스페이서 부재 중 하나, 상기 광학 부재 중 하나 및 상기 검출 부재 중 하나를 포함하는, 특히 각각 상기 스페이서 부재 중 정확히 하나, 상기 광학 부재 중 정확히 하나 및 상기 검출 부재 중 정확히 하나를 포함하는 다수의 모듈로 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  65. 제63항 또는 제64항에 있어서,
    상기 M × N개의 광 채널 각각에 대해, 상기 광로 길이는 각각의 관련 광학 부재의 제조 불규칙성, 특히 각각의 관련 광학 부재의 수동 광학 부품 세트의 수동 광학 부품의 제조 불규칙성과 관련되는 값을 갖고/갖거나 그것에 따라 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  66. 제65항에 있어서,
    상기 제조 불규칙성을 결정하는 단계, 특히 상기 제조 불규칙성을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  67. 제65항 또는 제66항에 있어서,
    상기 M × N개의 광 채널 중 복수개에 대해, 각각의 광 채널의 일부분을 형성하는 블라인드 구멍을 생성하는 단계를 포함하고, 특히 상기 블라인드 구멍의 길이는 상기 제조 불규칙성과 관련되거나 그것에 따라 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  68. 제65항 내지 제67항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스페이서 웨이퍼를 복제 단계를 사용하여 제조하는 단계를 포함하고, 특히 상기 복제 단계에 사용되는 복제 마스터는 상기 제조 불규칙성을 적어도 부분적으로 보상하기 위해 설계되며, 선택적으로, 이미 상기 제조 불규칙성을 적어도 부분적으로 보상하기 위해 설계된 이렇게 얻어진 스페이서 웨이퍼는 추가 처리 단계를 받되 이렇게 얻어진 추가 처리된 스페이서 웨이퍼에 의해 달성가능한 보상의 양을 증가시키기 위해 상기 추가 처리 단계를 받고, 특히 상기 추가 처리 단계는 스페이서 웨이퍼에 재료를 추가하는 단계 및/또는 스페이서 웨이퍼로부터 재료를 제거하는 단계를 포함하며, 특히 상기 추가 처리 단계는 커팅 및/또는 기계 가공 및/또는 드릴링 및/또는 레이저 융제 단계를 포함하고, 특히 상기 스페이서 웨이퍼 내의 하나 이상의 블라인드 구멍의 길이는 상기 커팅 및/또는 기계 가공 및/또는 드릴링 및/또는 레이저 융제에 의해 증가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  69. 제62항 내지 제68항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스페이서 웨이퍼를 복제 단계를 사용하여 제조하는 단계를 포함하고, 특히 상기 복제 단계에 사용되는 복제 마스터는 광 채널의 상기 상이한 광로 길이를 달성하기 위해 설계되며, 선택적으로, 이미 광 채널의 상기 상이한 광로 길이를 달성하기 위해 설계된 이렇게 얻어진 스페이서 부재는 추가 처리 단계를 받되 이렇게 얻어진 추가 처리된 스페이서 부재의 광 채널의 광로 길이의 증가된 정확성을 달성하기 위해 상기 추가 처리 단계를 받고, 특히 상기 추가 처리 단계는 스페이서 부재에 재료를 추가하는 단계 및/또는 스페이서 부재로부터 재료를 제거하는 단계를 포함하며, 특히 상기 추가 처리 단계는 커팅 및/또는 기계 가공 및/또는 드릴링 및/또는 레이저 융제 단계를 포함하고, 특히 상기 스페이서 웨이퍼 내의 하나 이상의 블라인드 구멍의 길이는 상기 커팅 및/또는 기계 가공 및/또는 드릴링에 의해 증가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  70. 제62항 내지 제69항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스페이서 웨이퍼를 제조하는 단계를 포함하고, 상기 스페이서 웨이퍼를 제조하는 단계는,
    - 상기 광 채널 각각에 대해 하나씩 다수의 구멍을 갖춘 웨이퍼를 제공하는 단계로서, 특히 상기 구멍은 관통구인 단계;
    - 상기 구멍 내에 경화가능한 재료를 액체 상태로 충전하는 단계;
    - 상기 구멍 내의 상기 경화가능한 재료를 경화시키는 단계
    를 포함하며,
    상기 경화가능한 재료는 적어도 경화된 때 투명한 것을 특징으로 하는 방법.
  71. 제70항에 있어서,
    상기 구멍 중 제1 구멍 내에 충전되는 상기 재료의 양은 상기 구멍 중 제2 구멍 내에 충전되는 상기 재료의 양과 상이한 것을 특징으로 하는 방법.
  72. 제70항 또는 제71항에 있어서,
    상기 스페이서 웨이퍼를 제조하는 단계는 상기 광 채널 중 적어도 하나 내에서 상기 경화가능한 재료의 일부분을 제거하는 단계, 특히 상기 커팅 및/또는 기계 가공 및/또는 드릴링 및/또는 레이저 융제에 의해 상기 광 채널 중 적어도 하나 내에서 상기 경화가능한 재료의 일부분을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  73. 제62항 내지 제72항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스페이서 웨이퍼는 상호 상이한 재료로 제조되는 제1 층 및 제2 층을 포함하고, 특히 상기 방법은 상기 제2 층으로부터 재료를 제거함으로써 상기 광로 길이를 조절하는 단계를 포함하며, 특히 상기 제2 층은 중합체 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.
  74. 제62항 내지 제73항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스페이서 웨이퍼를 제조하는 단계를 포함하고, 상기 스페이서 웨이퍼를 제조하는 단계는,
    - 웨이퍼를 제공하는 단계;
    - 상기 웨이퍼의 수직 연장 범위를 국부적으로 감소시키는 단계
    를 포함하며,
    상기 웨이퍼의 수직 연장 범위를 국부적으로 감소시키는 단계는 제1 처리 단계를 수행하고 상기 제1 처리 단계에 후속하여 상기 제1 처리 단계와 상이한 제2 처리 단계를 수행하는 단계를 포함하고,
    특히 상기 제1 처리 단계는,
    - 적용되는 처리 기술;
    - 각각의 처리 단계에 사용되는 공구;
    - 각각의 처리 단계에 사용되는 적어도 하나의 처리 파라미터
    중 적어도 하나에 있어 상기 제2 처리 단계와 상이한 것을 특징으로 하는 방법.
  75. 제74항에 있어서,
    상기 제1 처리 단계는 상기 제2 처리 단계보다 상기 다수의 영역 중 상기 복수개로부터의 재료의 더욱 높은 제거율로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  76. 제74항 또는 제75항에 있어서,
    상기 제1 처리 단계는 스페이서 부재의 모든 채널에 대해 동시에 수행되고, 상기 제2 처리 단계는 스페이서 부재의 상이한 광 채널에 대해 따로따로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  77. 제1항 내지 제51항 중 어느 한 항에 따른 장치를 제조하기 위한 방법으로서,
    M ≥ 2개의(M은 정수임) 상기 스페이서 부재를 포함하는 스페이서 웨이퍼를 제공하는 단계, 특히 상기 스페이서 웨이퍼를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  78. 제77항에 있어서,
    M개의 상기 광학 부재를 포함하는 광학 웨이퍼를 제공하는 단계, 특히 상기 광학 웨이퍼를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  79. 제77항 또는 제78항에 있어서,
    상기 스페이서 웨이퍼를 포함하는 웨이퍼 스택을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  80. 제79항에 있어서,
    상기 웨이퍼 스택을 M개의 모듈로 분리하는 단계를 포함하고, 특히 상기 모듈 각각은 상기 스페이서 부재 중 정확히 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  81. 제77항 내지 제80항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스페이서 웨이퍼를 복제 단계를 사용하여 제조하는 단계를 포함하고, 특히 상기 복제 단계에 사용되는 복제 마스터는 광 채널의 상기 상이한 광로 길이를 달성하기 위해 설계되며, 선택적으로, 이미 광 채널의 상기 상이한 광로 길이를 달성하기 위해 설계된 이렇게 얻어진 스페이서 웨이퍼는 추가 처리 단계를 받되 이렇게 얻어진 추가 처리된 스페이서 웨이퍼의 광 채널의 광로 길이의 증가된 정확성을 달성하기 위해 상기 추가 처리 단계를 받고, 특히 상기 추가 처리 단계는 스페이서 웨이퍼에 재료를 추가하는 단계 및/또는 스페이서 웨이퍼로부터 재료를 제거하는 단계를 포함하며, 특히 상기 추가 처리 단계는 커팅 및/또는 기계 가공 및/또는 드릴링 및/또는 레이저 융제 단계를 포함하고, 특히 상기 스페이서 웨이퍼 내의 하나 이상의 블라인드 구멍의 길이는 상기 커팅 및/또는 기계 가공 및/또는 드릴링에 의해 증가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  82. 제77항 내지 제81항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스페이서 웨이퍼를 커팅 및/또는 기계 가공 및/또는 드릴링 및/또는 레이저 융제를 사용하여 제조하는 단계를 포함하고, 특히 상기 커팅 및/또는 기계 가공 및/또는 드릴링 및/또는 레이저 융제에 의해 상기 스페이서 웨이퍼 내에 복수의 블라인드 구멍이 생성되며, 특히 상기 복수의 블라인드 구멍이 모두 동일한 길이를 갖지는 않는 것을 특징으로 하는 방법.
  83. 제77항 내지 제82항 중 어느 한 항에 있어서,
    - 상기 광 채널 각각에 대해 하나씩 다수의 구멍을 갖춘 웨이퍼를 제공하는 단계로서, 특히 상기 구멍은 관통구인 단계;
    - 상기 구멍 내에 경화가능한 재료를 액체 상태로 충전하는 단계;
    - 상기 구멍 내의 상기 경화가능한 재료를 경화시키는 단계
    를 포함하고,
    상기 경화가능한 재료는 적어도 경화된 때 투명한 것을 특징으로 하는 방법.
  84. 제83항에 있어서,
    상기 구멍 중 제1 구멍 내에 충전되는 상기 재료의 양은 상기 구멍 중 제2 구멍 내에 충전되는 상기 재료의 양과 상이한 것을 특징으로 하는 방법.
  85. 제83항 또는 제84항에 있어서,
    상기 광 채널 중 적어도 하나 내에서 상기 경화가능한 재료의 일부분을 제거하는 단계, 특히 상기 커팅 및/또는 기계 가공 및/또는 드릴링 및/또는 레이저 융제에 의해 상기 광 채널 중 적어도 하나 내에서 상기 경화가능한 재료의 일부분을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  86. 제77항 내지 제85항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스페이서 웨이퍼는 상호 상이한 재료로 제조되는 제1 층 및 제2 층을 포함하고, 특히 상기 방법은 상기 제2 층으로부터 재료를 제거하는 단계를 포함하며, 특히 상기 제2 층은 중합체 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.
  87. 제77항 내지 제86항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스페이서 웨이퍼를 제조하는 단계를 포함하고, 상기 스페이서 웨이퍼를 제조하는 단계는,
    - 웨이퍼를 제공하는 단계;
    - 상기 웨이퍼의 수직 연장 범위를 국부적으로 감소시키는 단계
    를 포함하며,
    상기 웨이퍼의 수직 연장 범위를 국부적으로 감소시키는 단계는 제1 처리 단계를 수행하고 상기 제1 처리 단계에 후속하여 상기 제1 처리 단계와 상이한 제2 처리 단계를 수행하는 단계를 포함하고,
    특히 상기 제1 처리 단계는,
    - 적용되는 처리 기술;
    - 각각의 처리 단계에 사용되는 공구;
    - 각각의 처리 단계에 사용되는 적어도 하나의 처리 파라미터
    중 적어도 하나에 있어 상기 제2 처리 단계와 상이한 것을 특징으로 하는 방법.
  88. 제87항에 있어서,
    상기 제1 처리 단계는 상기 제2 처리 단계보다 상기 다수의 영역 중 상기 복수개로부터의 재료의 더욱 높은 제거율로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  89. 제87항 또는 제88항에 있어서,
    상기 제1 처리 단계는 스페이서 부재의 모든 채널에 대해 동시에 수행되고, 상기 제2 처리 단계는 스페이서 부재의 상이한 광 채널에 대해 따로따로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1020147007074A 2011-08-25 2012-08-24 광학 장치, 특히 계산 카메라를 위한 모듈의 웨이퍼-레벨 제조 KR101966480B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161527355P 2011-08-25 2011-08-25
US61/527,355 2011-08-25
PCT/CH2012/000200 WO2013026174A2 (en) 2011-08-25 2012-08-24 Wafer-level fabrication of optical devices. in particular of modules for computational cameras

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140054280A true KR20140054280A (ko) 2014-05-08
KR101966480B1 KR101966480B1 (ko) 2019-04-05

Family

ID=46969906

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147007074A KR101966480B1 (ko) 2011-08-25 2012-08-24 광학 장치, 특히 계산 카메라를 위한 모듈의 웨이퍼-레벨 제조
KR1020147007081A KR102056501B1 (ko) 2011-08-25 2012-08-24 전방 초점 거리 보정을 갖는 광학 장치의 웨이퍼-레벨 제조

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147007081A KR102056501B1 (ko) 2011-08-25 2012-08-24 전방 초점 거리 보정을 갖는 광학 장치의 웨이퍼-레벨 제조

Country Status (8)

Country Link
US (2) US10444477B2 (ko)
EP (2) EP2748854B1 (ko)
JP (2) JP6223975B2 (ko)
KR (2) KR101966480B1 (ko)
CN (2) CN103890948B (ko)
SG (4) SG10201606884TA (ko)
TW (3) TWI620310B (ko)
WO (2) WO2013026174A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108941932A (zh) * 2017-05-23 2018-12-07 东莞东阳光科研发有限公司 人工晶体制备方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130122247A1 (en) * 2011-11-10 2013-05-16 Omnivision Technologies, Inc. Spacer Wafer For Wafer-Level Camera And Method For Manufacturing Same
US9595553B2 (en) 2012-11-02 2017-03-14 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical modules including focal length adjustment and fabrication of the optical modules
WO2015076750A1 (en) * 2013-11-22 2015-05-28 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Compact optoelectronic modules
WO2015119571A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-13 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Stacks of arrays of beam shaping elements including stacking, self-alignment and/or self-centering features
KR102380064B1 (ko) * 2014-02-18 2022-03-28 에이엠에스 센서스 싱가포르 피티이. 리미티드. 초점 길이 조정 및/또는 기울기의 축소를 위한 고객 맞춤화 가능한 스페이서를 포함하는 광학 모듈, 및 광학 모듈의 제조
WO2015191001A1 (en) 2014-06-10 2015-12-17 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules including hybrid arrangements of beam shaping elements, and imaging devices incorporating the same
US9711552B2 (en) * 2014-08-19 2017-07-18 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules having a silicon substrate, and fabrication methods for such modules
US9507143B2 (en) 2014-09-19 2016-11-29 Intel Corporation Compact illumination system
US10741613B2 (en) 2014-10-14 2020-08-11 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optical element stack assemblies
US20160307881A1 (en) * 2015-04-20 2016-10-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical sensor module and method for manufacturing the same
US10609377B2 (en) 2015-05-12 2020-03-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Image encoding method and device for sample value compensation and image decoding method and device for sample value compensation
WO2016191142A2 (en) 2015-05-27 2016-12-01 Verily Life Sciences Llc Nanophotonic hyperspectral/lightfield superpixel imager
JP6619174B2 (ja) * 2015-07-31 2019-12-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 製造装置および方法
US10475830B2 (en) * 2015-08-06 2019-11-12 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optical modules including customizable spacers for focal length adjustment and/or reduction of tilt, and fabrication of the optical modules
DE102015215833A1 (de) 2015-08-19 2017-02-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Multiaperturabbildungsvorrichtung mit Optiksubstrat
CN108700721B (zh) 2015-11-12 2021-12-31 赫普塔冈微光有限公司 光学元件堆叠组件
KR20170073910A (ko) 2015-12-21 2017-06-29 에스케이하이닉스 주식회사 라이트 필드 이미징 장치 및 그 제조방법
DE102016200285A1 (de) 2016-01-13 2017-07-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Multiaperturabbildungsvorrichtung, Abbildungssystem und Verfahren zum Erfassen eines Objektbereichs
US10677964B2 (en) * 2017-10-23 2020-06-09 Omnivision Technologies, Inc. Lens wafer assembly and associated method for manufacturing a stepped spacer wafer
WO2020183600A1 (ja) 2019-03-12 2020-09-17 オリンパス株式会社 内視鏡用撮像装置、および、内視鏡
WO2021153629A1 (ja) * 2020-01-30 2021-08-05 古河電気工業株式会社 光モジュールおよび光学装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040165823A1 (en) * 2001-02-09 2004-08-26 Morris James E. Compensation and/or variation of wafer level produced lenses and resultant structures
US20080230934A1 (en) * 2007-03-23 2008-09-25 Heptagon Oy Method of producing a wafer scale package
WO2011049635A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-28 Tessera North America, Inc. Focus compensation for optical elements and applications thereof
US20110181854A1 (en) * 2009-10-20 2011-07-28 David Ovrutsky Focus compensation for optical elements and applications thereof

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5232549A (en) * 1992-04-14 1993-08-03 Micron Technology, Inc. Spacers for field emission display fabricated via self-aligned high energy ablation
DE10058305A1 (de) * 2000-11-24 2002-06-06 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Oberflächenpolitur von Siliciumscheiben
CN100440544C (zh) * 2002-09-17 2008-12-03 安特约恩股份有限公司 照相装置、制造照相装置的方法以及晶片尺度的封装
DE102005002545A1 (de) 2005-01-19 2006-07-20 Airbus Deutschland Gmbh Energiepuffereinrichtung für ein Flugzeug
US8053705B2 (en) * 2005-09-07 2011-11-08 Purdue Research Foundation Laser assisted machining process with distributed lasers
JP2007110588A (ja) * 2005-10-17 2007-04-26 Funai Electric Co Ltd 複眼撮像装置
CN101009779B (zh) 2006-01-24 2010-06-16 采钰科技股份有限公司 高精密度成像控制的影像感应模块
US7721564B2 (en) 2006-11-21 2010-05-25 B/E Aerospace, Inc. Wild frequency avionic refrigeration system and controller therefor
US7812869B2 (en) * 2007-05-11 2010-10-12 Aptina Imaging Corporation Configurable pixel array system and method
WO2009067832A1 (en) * 2007-11-27 2009-06-04 Heptagon Oy Encapsulated lens stack
US20090159200A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Heptagon Oy Spacer element and method for manufacturing a spacer element
TWI484237B (zh) 2007-12-19 2015-05-11 Heptagon Micro Optics Pte Ltd 用於攝影裝置的光學模組、擋板基板、晶圓級封裝、及其製造方法
TWI478808B (zh) * 2007-12-19 2015-04-01 Heptagon Micro Optics Pte Ltd 製造光學元件的方法
US8319301B2 (en) * 2008-02-11 2012-11-27 Omnivision Technologies, Inc. Self-aligned filter for an image sensor
US8611026B2 (en) * 2008-03-27 2013-12-17 Digitaloptics Corporation Optical device including at least one replicated surface and associated methods
WO2010074743A1 (en) * 2008-12-22 2010-07-01 Tessera North America, Inc. Focus compensation for thin cameras
JP2012521566A (ja) 2009-03-18 2012-09-13 バイヤー・マテリアルサイエンス・アーゲー ウエハレベル光学システム
JP2011018974A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Renesas Electronics Corp Ｄ／ａコンバータ
US8193599B2 (en) * 2009-09-02 2012-06-05 Himax Semiconductor, Inc. Fabricating method and structure of a wafer level module
US8059341B2 (en) * 2009-09-23 2011-11-15 Visera Technologies Company Limited Lens assembly and method for forming the same
WO2011063347A2 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Pelican Imaging Corporation Capturing and processing of images using monolithic camera array with heterogeneous imagers
SG186210A1 (en) 2010-06-14 2013-01-30 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Camera, and method of manufacturing a plurality of cameras

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040165823A1 (en) * 2001-02-09 2004-08-26 Morris James E. Compensation and/or variation of wafer level produced lenses and resultant structures
US20080230934A1 (en) * 2007-03-23 2008-09-25 Heptagon Oy Method of producing a wafer scale package
WO2011049635A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-28 Tessera North America, Inc. Focus compensation for optical elements and applications thereof
US20110181854A1 (en) * 2009-10-20 2011-07-28 David Ovrutsky Focus compensation for optical elements and applications thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108941932A (zh) * 2017-05-23 2018-12-07 东莞东阳光科研发有限公司 人工晶体制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI567956B (zh) 2017-01-21
EP2748853A2 (en) 2014-07-02
KR101966480B1 (ko) 2019-04-05
TWI582969B (zh) 2017-05-11
SG10201606884TA (en) 2016-10-28
WO2013026174A3 (en) 2013-04-11
CN103890949B (zh) 2017-10-03
JP2014524597A (ja) 2014-09-22
SG10201606882XA (en) 2016-10-28
US10444477B2 (en) 2019-10-15
TWI620310B (zh) 2018-04-01
TW201724487A (zh) 2017-07-01
KR20140068984A (ko) 2014-06-09
JP6223975B2 (ja) 2017-11-01
EP2748854B1 (en) 2021-06-02
WO2013026174A2 (en) 2013-02-28
JP6282225B2 (ja) 2018-02-21
CN103890949A (zh) 2014-06-25
EP2748853B1 (en) 2023-10-11
SG2014008718A (en) 2014-04-28
CN103890948A (zh) 2014-06-25
KR102056501B1 (ko) 2019-12-16
US20140307081A1 (en) 2014-10-16
EP2748854A1 (en) 2014-07-02
WO2013026175A1 (en) 2013-02-28
JP2014526067A (ja) 2014-10-02
US20140299587A1 (en) 2014-10-09
CN103890948B (zh) 2017-12-01
SG2014008726A (en) 2014-04-28
TW201327790A (zh) 2013-07-01
TW201316497A (zh) 2013-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101966480B1 (ko) 광학 장치, 특히 계산 카메라를 위한 모듈의 웨이퍼-레벨 제조
US10373996B2 (en) Optical modules including focal length adjustment and fabrication of the optical modules
KR102380064B1 (ko) 초점 길이 조정 및/또는 기울기의 축소를 위한 고객 맞춤화 가능한 스페이서를 포함하는 광학 모듈, 및 광학 모듈의 제조
KR101713135B1 (ko) 광학 요소들을 위한 초점 보상 및 그의 응용들
WO2014012603A1 (en) Optical devices, in particular computational cameras, and methods for manufacturing the same
TW201716816A (zh) 包括用於焦距調整和／或減少傾斜的可客製化的間隔物之光學模組及光學模組的製造
WO2013079705A1 (en) Apparatus and method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant