KR101713135B1 - 광학 요소들을 위한 초점 보상 및 그의 응용들 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 레벨에서 제조 및/또는 조립될 수 있는, 원하는 초점 특성들을 갖는 광학 이미징 장치가 제공된다.

Description

광학 요소들을 위한 초점 보상 및 그의 응용들{FOCUS COMPENSATION FOR OPTICAL ELEMENTS AND APPLICATIONS THEREOF}
관련 출원 데이터
본 출원은 2009년 10월 20일자로 출원된, 미국 가특허 출원 일련 번호 61/253,337에 대해 35 U.S.C.§119(e)에 따라 우선권을 주장하며, 이것은 전부 참고로 여기에 포함된다.
발명의 분야
본 발명은 광학 요소들 및 구체적으로 광학 이미징 장치에서 이용되는 광학 요소들에 관한 것이다.
고체 상태 감지 요소들을 포함하는 광학 이미징 장치는 군사 정찰 및 감시로부터 소비자 전자기기에 이르는 다양한 분야에서의 응용을 발견한다. 예를 들어, 고체 상태 카메라들은 휴대 전화기, 디지털 스틸 카메라들, 컴퓨터들, 장난감들 및 자동차 운전자 지원들(automotive driver aids)을 포함하는 다수의 소비자 전자기기에서 이용된다. 요구를 충족시키기 위해서, 고체 상태 카메라들은 하루에 수백만 대의 단위가 되는 상당한 양으로 제조되도록 요구된다. 이 수들을 감안하여, 고체 상태 카메라들 및 다른 광학 장치의 효율적이고 낮은 비용의 제조가 매우 중요하다.
통상적으로, 고체 상태 카메라 모듈들은 별개의 유닛들로서 제조된다. 예를 들어, 모듈의 광학 요소들은 렌즈 터릿(lens turret)에 별개로 실장된다. 하우징이 후속하여 카메라 기판에 부착되고, 렌즈 터릿은 이미지 센서 위에 광학 요소들을 배치하기 위해 나사에 의해 하우징 내로 삽입된다. 각각의 모듈의 광학 요소들의 높이는 하우징에서 렌즈 터릿의 회전에 의해 최상의 초점을 실현하도록 조절된다.
전술한 제조 기법의 단점은 각각의 모듈의 광학 요소에 대한 초점 조절이 실질적으로 연속적으로 관리(administer)된다는 것이다. 고체 상태 카메라 모듈들 및 다른 광학 장치를 연속 포맷으로 제조하는 것은 제조 비용 및 시간을 상당히 증가시킬 수 있다. 이러한 비효율성은 오직 대량의 카메라 모듈들을 생산할 때 확대된다.
전술한 단점들에 비추어 볼 때, 본 발명은 웨이퍼 레벨에서 제조 및/또는 조립될 수 있는, 원하는 초점 특성들을 갖는 광학 이미징 장치를 제공한다. 일부 실시예들에서, 웨이퍼 레벨 어셈블리(wafer level assembly)는 연속 제조 기법들과 연관된 하나 이상의 비효율성을 피하면서 광학 이미징 장치의 비용 및 시간 효율적인 생산을 제공할 수 있다.
일 실시예에서, 광학 이미징 장치는 적어도 하나의 웨이퍼 레벨 광학 요소, 상기 웨이퍼 레벨 광학 요소에 결합되는 스페이서, 및 상기 스페이서 상의 복수의 초점 보상 스탠드오프들(focus compensation standoffs)을 포함하고, 상기 스탠드오프들은 상기 스페이서의 적어도 하나의 다른 표면 거칠기와 상이한 표면 거칠기를 갖는 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면을 정의한다. 일부 실시예들에서, 상기 복수의 스탠드오프들은 상기 스페이서에 본딩된다. 일부 실시예들에서, 상기 복수의 스탠드오프들은 상기 스페이서와 연속하거나 또는 상기 스페이서를 갖는 모놀리식 구조를 형성한다.
광학 이미징 장치는, 일부 실시예들에서, 전자 광학 요소를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 전자 광학 요소는 광검출기 또는 감지 요소이다. 일부 실시예들에서, 전자 광학 요소는 발광 다이오드와 같은 전자기 방사 방출 요소이다. 전자 광학 요소는 일부 실시예들에서 복수의 스탠드오프들의 실장 표면들에 결합된다.
본원에 설명된 실시예들에 따른 초점 보상 스탠드오프는 이미지면에 또는 그 근처에 광학 요소(들)의 초점을 설정하기 위해서와 같이 이미지면으로부터 원하는 거리 또는 높이에서 웨이퍼 레벨 광학 요소(들)를 설정하는 데 적절한 치수들(dimensions)을 갖는다. 일부 실시예들에서, 광학 이미징 장치의 이미지면은 전자 광학 요소의 면(plane)과 일치한다.
일부 실시예들에서, 본원에 설명된 광학 이미징 장치는 웨이퍼 레벨에서 구성될 수 있기 때문에, 본 발명은 또한 제1 애퍼처(aperture) 및 광학 웨이퍼 상의 제1 광학 요소 위치에 대응하는 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들 및 제2 애퍼처 및 광학 웨이퍼 상의 제2 광학 요소 위치에 대응하는 복수의 제2 초점 보상 스탠드오프들을 포함하는 스페이서 웨이퍼를 제공한다. 일부 실시예들에서, 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들의 높이는 제2 초점 보상 스탠드오프들의 높이와 상이하다. 다른 실시예들에서, 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들의 높이는 복수의 제2 초점 보상 스탠드오프들의 높이와 동일하거나 실질적으로 동일하다.
다른 양태에서, 본 발명은 광학 웨이퍼 및 광학 웨이퍼에 결합되는 제2 웨이퍼를 포함하는 웨이퍼 어셈블리를 제공하고, 광학 웨이퍼는 광학 요소들의 어레이를 포함한다. 제1 광학 다이는 웨이퍼 어셈블리 상의 제1 다이 위치에 배치되고, 광학 웨이퍼 상에 제1 광학 요소를 포함하고 제2 웨이퍼 상에 제1 초점 보상 스탠드오프를 포함한다. 제2 광학 다이는 웨이퍼 어셈블리 상의 제2 다이 위치에 배치되고, 광학 웨이퍼 상에 제2 광학 요소를 포함하고 제2 웨이퍼 상에 제2 초점 보상 스탠드오프를 포함하고, 제2 초점 보상 스탠드오프의 높이는 제1 초점 보상 스탠드오프의 높이와 상이하다.
일부 실시예들에서, 제2 웨이퍼는 제1 초점 보상 스탠드오프에 의해 제1 다이 위치에서 그리고 제2 초점 보상 스탠드오프에 의해 제2 다이 위치에서 광학 웨이퍼에 결합된다. 일부 실시예들에서, 제1 초점 보상 스탠드오프 및 제2 초점 보상 스탠드오프는 광학 웨이퍼에 결합되지 않고, 전자 광학 요소, 제3 웨이퍼 또는 제2 광학 웨이퍼를 받아들이기 위한 실장 표면들을 갖는다.
또한, 다른 양태에서, 본 발명은 또한 복수의 싱귤레이션된 웨이퍼 레벨 광학 다이 어셈블리들(singulated wafer level optical die assemblies)을 포함하는 웨이퍼를 제공한다. 일 실시예에서, 웨이퍼는 제1 광학 요소, 제1 스페이서 및 제1 초점 보상 스탠드오프를 포함하는 제1 싱귤레이션된 광학 다이 어셈블리와, 제2 광학 요소, 제2 스페이서 및 제2 초점 보상 스탠드오프를 포함하는 제2 싱귤레이션된 광학 다이 어셈블리를 포함한다. 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 초점 보상 스탠드오프들은 동일하지 않은 높이들을 갖는다.
다른 양태에서, 본 발명은 광학 이미징 장치를 생산하는 방법을 제공한다. 본원에서 더 설명되는 바와 같이, 본 발명의 방법들은, 일부 실시예들에서, 종래의 광학 요소 포커싱 기법들의 하나 이상의 비효율성을 극복할 수 있고, 초점 조절들은 터릿 또는 배럴(barrel) 내로 광학 요소의 조립 후에 행해진다.
일 실시예에서, 광학 이미징 장치를 생산하는 방법은 적어도 하나의 웨이퍼 레벨 광학 요소를 제공하는 단계, 상기 웨이퍼 레벨 광학 요소의 초점 길이를 결정하는 단계, 상기 광학 요소에 스페이서를 결합하는 단계, 상기 스페이서 상에 복수의 스탠드오프들을 제공하는 단계, 이미지면에 대해 상기 광학 요소에 대한 초점 보상을 계산하는 단계, 및 상기 이미지면에 또는 그 근처에 상기 웨이퍼 레벨 광학 요소의 초점을 제공하도록 상기 스탠드오프들의 높이를 조절하는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, 이미지면은 광학 이미징 장치의 응용 또는 원하는 특성들에 따라 선택된다.
일부 실시예들에서, 광학 이미징 장치를 생산하는 방법은 상기 스탠드오프들의 실장 표면들에 전자 광학 요소를 결합하는 단계를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 전자 광학 요소의 표면이 상기 웨이퍼 레벨 광학 요소의 이미지면과 일치한다.
다른 실시예에서, 광학 이미징 장치를 생산하는 방법은 적어도 하나의 웨이퍼 레벨 광학 요소를 제공하는 단계, 상기 웨이퍼 레벨 광학 요소의 초점 길이를 결정하는 단계, 스페이서를 제공하는 단계, 상기 스페이서 상에 복수의 스탠드오프들을 제공하는 단계, 이미지면에 대해 상기 광학 요소에 대한 초점 보상을 계산하는 단계, 상기 이미지면에 또는 그 근처에 상기 웨이퍼 레벨 광학 요소의 초점을 제공하도록 상기 스탠드오프들의 높이를 조절하는 단계, 및 상기 스탠드오프들의 실장 표면들에 웨이퍼 레벨 광학 요소를 결합하는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, 광학 이미징 장치를 생산하는 방법은 상기 스페이서에 전자 광학 요소를 결합하는 단계를 더 포함한다.
다른 실시예에서, 복수의 광학 이미징 장치를 생산하는 방법은 적어도 하나의 광학 웨이퍼를 제공하는 단계 - 상기 적어도 하나의 광학 웨이퍼는 상기 광학 웨이퍼 상에서 제1 다이 위치에 제1 광학 요소를 포함하고 제2 다이 위치에 제2 광학 요소를 포함함 - 및 상기 제1 광학 요소의 초점 길이 및 상기 제2 광학 요소의 초점 길이를 결정하는 단계를 포함한다. 상기 광학 웨이퍼에 스페이서 웨이퍼가 결합되고, 제1 광학 다이를 제공하기 위해 상기 제1 다이 위치에서 상기 스페이서 웨이퍼 상에 복수의 제1 스탠드오프들이 제공된다. 제2 광학 다이를 제공하기 위해 상기 제2 다이 위치에서 상기 스페이서 웨이퍼 상에 복수의 제2 스탠드오프들이 제공된다. 제1 이미지면에 대해 상기 제1 광학 요소의 초점 보상이 계산된다. 제2 이미지면에 대해 상기 제2 광학 요소의 초점 보상이 계산된다. 상기 제1 이미지면에 또는 그 근처에 상기 제1 광학 요소의 초점을 제공하도록 상기 복수의 제1 스탠드오프들의 높이가 조절되고, 상기 제2 이미지면에 또는 그 근처에 상기 제2 광학 요소의 초점을 제공하도록 상기 복수의 제2 스탠드오프들의 높이가 조절된다. 일부 실시예들에서, 제1 스탠드오프들 및 제2 스탠드오프들은 상이한 높이들로 조절된다.
또한, 일부 실시예들에서, 복수의 광학 이미징 장치를 생산하는 방법은 상기 제1 광학 다이 및 상기 제2 광학 다이를 싱귤레이션하는(singulating) 단계를 더 포함한다. 일단 제1 및 제2 광학 다이들이 싱귤레이션되면, 제1 전자 광학 요소는, 일부 실시예들에서, 제1 광학 이미징 장치를 제공하기 위해 제1 스탠드오프들의 실장 표면들에 결합된다. 부가적으로, 일부 실시예들에서, 제2 전자 광학 요소는 제2 광학 이미징 장치를 제공하기 위해 제2 스탠드오프들의 실장 표면들에 결합된다.
다른 실시예들에서, 제1 싱귤레이션된 광학 다이 및 제2 싱귤레이션된 광학 다이가 웨이퍼에 결합된다. 웨이퍼는 후속하여 제1 전자 광학 요소 및 제2 전자 광학 요소를 포함하는 전자 광학 요소 웨이퍼에 결합될 수 있다. 일부 실시예들에서, 웨이퍼를 전자 광학 요소 웨이퍼에 결합하는 것은, 제2 싱귤레이션된 광학 다이와 제2 전자 광학 요소 사이뿐만 아니라 제1 싱귤레이션된 광학 다이와 제1 전자 광학 요소 사이의 원하는 정렬을 실현한다. 부가적으로, 일부 실시예들에서, 제1 이미지면은 제1 전자 광학 요소의 표면과 일치하고, 제2 이미지면은 제2 전자 광학 요소의 표면과 일치한다.
웨이퍼 및 제1 및 제2 전자 광학 요소들은 싱귤레이션된 제1 광학 이미징 장치 및 싱귤레이션된 제2 광학 이미징 장치를 제공하기 위하여 싱귤레이션될 수 있다.
이들 및 다른 실시예들은 다음의 상세한 설명에서 더 상세하게 설명된다.
도 1은 초점 길이들을 변화시키는 것을 특징으로 하는 광학 이미징 장치를 도시하는 도면.
도 2는 공통 웨이퍼(들)로부터 생성되는 광학 요소들의 초점 길이들의 예시적인 분포를 도시하는 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 이미징 장치를 도시하는 도면.
도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 스탠드오프들의 다양한 모양을 도시하는 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 애퍼처들 및 복수의 초점 보상 스탠드오프들을 포함하는 스페이서 웨이퍼를 도시하는 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼에 결합된 싱귤레이션된 광학 다이를 도시하는 도면.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 이미징 장치를 생산하는 방법의 개요를 보여주는 플로우챠트.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 이미징 장치를 생산하는 방법의 개요를 보여주는 플로우챠트.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 인접 다이 위치들에서의 스페이서 웨이퍼를 도시하는 도면.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 초점 보상 스탠드오프들을 포함하는 인접 다이 위치들에서의 스페이서 웨이퍼를 도시하는 도면.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 초점 보상 스탠드오프들을 갖는 스페이서 웨이퍼를 포함하는 싱귤레이션된 광학 다이들을 도시하는 도면.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 이미징 장치를 도시하는 도면.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면을 위한 x 및 y 방향들에서의 표면 거칠기 주파수들을 도시하는 도면.
본 발명은 다음의 상세한 설명, 예시들 및 도면들과 그것들의 이전 및 다음의 설명들을 참조하여 더욱 쉽게 이해될 수 있다. 그러나, 본 발명의 요소들, 장치 및 방법들은 상세한 설명, 예시들 및 도면들에 제공된 특정 실시예들로 제한되지 않는다. 이들 실시예들은 단지 본 발명의 원리들의 실례가 되는 것임을 인식해야 한다. 다수의 수정들 및 적응들은 발명의 사상 및 범위에서 벗어나지 않고 이 기술분야의 통상의 기술자에게 쉽게 명백할 것이다.
본 발명은 웨이퍼 레벨에서 제조 및/또는 조립될 수 있는, 원하는 초점 특성들을 갖는 광학 이미징 장치를 제공한다. 일부 실시예들에서, 웨이퍼 레벨 어셈블리는 연속 제조 및/또는 포커싱 기법들과 연관된 하나 이상의 비효율성을 피하면서 광학 이미징 장치의 비용 및 시간 효율적인 생산을 제공할 수 있다.
일괄 처리되는 웨이퍼들 사이(between batches of wafers)뿐만 아니라 단일 웨이퍼 내에서의 제조 상의 변화들(manufacturing variations)은, 웨이퍼들로부터 구성되는 광학 이미징 장치의 서로 다른(divergent) 초점 위치들을 야기할 수 있다. 도 1은 공통 렌즈 스택 웨이퍼들 및 전자 광학 요소 웨이퍼로부터 구성되는 3개의 광학 이미징 장치(102, 104, 106)를 도시한다. 각각의 광학 이미징 장치에 대해서, 초점 위치는 이미지 센서(112)를 향해 광학 요소 스택(110)에 의해 포커싱되는 광(108)의 예시적인 빔에 의해 도시된다. 도 1에 제공되는 바와 같이, 광학 이미징 장치(104)의 광학 요소 스택(110)은 이미지 센서(112)의 표면 아래의 이미지를 포커싱하고, 광학 이미징 장치(106)의 광학 요소 스택(110)은 이미지 센서(112) 위의 이미지를 포커싱한다. 또한, 광학 이미징 장치(102)의 광학 요소 스택(110)은 이미지 센서(112)의 표면에 또는 그 근처에 이미지를 포커싱한다.
공통 웨이퍼(들)로부터 생성된 광학 요소들 사이의 초점 길이 변화를 최소화하기 위한 잠재적인 해결책은 싱귤레이션(singulation) 이전에 광학 요소들의 전부 또는 실질적으로 전부의 광학 특성들을 측정하는 것이다. 필요한 높이 보상의 분포가 측정된 광학 특성들로부터 발생될 수 있고, 스페이서 웨이퍼(114)의 높이가 분포의 중심이 이미지 센서에서 초점이 맞도록 선택될 수 있다. 도 2는 공통 웨이퍼(들)로부터 생성되는 광학 요소들의 초점 길이들의 예시적인 분포를 도시한다.
그러나, 전술한 해결책은 여전히 스페이서 웨이퍼가 분포의 중심 외부의 광학 요소들의 최적 초점 보상을 제공하지 못할 것이기 때문에 비효율성으로 이어진다. 결과로서, 중심 분포 외부에 드는 광학 요소들을 포함하는 광학 이미징 장치는 원하는 응용에 적절하지 않은 이미징 장치를 만들거나 폐기를 필요하게 하는 좋지 않은 품질을 겪을 수 있다.
도 1 및 2에 보여진 상황들과 달리, 본 발명은 적어도 하나의 웨이퍼 레벨 광학 요소, 웨이퍼 레벨 광학 요소에 결합된 스페이서 및 스페이서 상의 복수의 초점 보상 스탠드오프들을 포함하는 광학 이미징 장치를 제공하며, 스탠드오프들은 스페이서의 적어도 하나의 다른 표면 거칠기와 상이한 표면 거칠기를 갖는 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면을 정의한다. 일부 실시예들에서, 복수의 초점 보상 스탠드오프들의 높이는 광학 요소(들)의 초점이 이미지면에 또는 그 근처에 있도록 이미지면으로부터 원하는 거리에 광학 이미징 장치의 웨이퍼 레벨 광학 요소(들)를 설정하도록 맞춰진다(tailored). 일부 실시예들에서, 광학 이미징 장치의 이미지면은 전자 광학 요소의 면과 일치한다.
본원에 설명된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면은 스페이서의 적어도 하나의 다른 표면 거칠기와 상이한 표면 거칠기를 갖는다. 일부 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 표면 거칠기는 스페이서의 적어도 하나의 다른 표면의 표면 거칠기보다 작다. 다른 실시예에서, 초점 보상 스탠드오프들의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 표면 거칠기는 스페이서의 적어도 하나의 다른 표면의 표면 거칠기보다 크다. 일부 실시예들에서, 표면 거칠기의 차이는, 이것으로 한정되지 않지만 절단, 연마 제거(polishing ablating) 또는 그렇지 않으면 트리밍(trimming)을 포함하는 초점 보상 스탠드오프의 높이를 조절하는 데 이용되는 특정 프로세스의 결과로 볼 수 있다.
일부 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 평균 면적 표면 거칠기(Sa)는 약 1㎛보다 작다. 일부 실시예들에서, 예를 들어, 초점 보상 스탠드오프들의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 Sa는 약 0.1㎛ 내지 약 0.6㎛의 범위이다. 다른 실시예에서, 초점 보상 스탠드오프들의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 Sa는 약 1㎛보다 크다.
또한, 일부 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 면적 평균 제곱근 표면(areal root mean square surface)(rms) 거칠기(Sq)는 약 1㎛보다 작다. 일 실시예에서, 예를 들어, 초점 보상 스탠드오프들의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 Sq는 약 0.1㎛ 내지 약 0.8㎛의 범위이다. 다른 실시예에서, 초점 보상 스탠드오프들의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 Sq는 약 0.2㎛ 내지 약 0.7㎛의 범위이다. 일부 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 Sq는 약 1㎛보다 크다.
이 기술분야의 통상의 기술자에게 알려진 바와 같이, Sa 및 Sq는 몇몇 기법들 및 기구들에 따라 측정될 수 있다. 본원에 설명된 Sa 및 Sq 값들은 뉴욕 플레인뷰의 Vecco Instruments, Inc.로부터 상업적으로 이용가능한 Vecco Confocal Metrology (VCM)-200 Advanced Confocal Profiling System로 측정되었다.
일부 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 Sa 및/또는 Sq는 스페이서의 적어도 하나의 다른 표면의 Sa 및/또는 Sq와 적어도 약 5% 상이하다. 일부 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 Sa 및/또는 Sq는 스페이서의 적어도 하나의 다른 표면의 Sa 및/또는 Sq와 적어도 약 10% 또는 적어도 약 30% 상이하다. 다른 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 Sa 및/또는 Sq는 스페이서의 적어도 하나의 다른 표면의 Sa 및/또는 Sq와 적어도 약 50% 또는 적어도 약 100% 상이하다.
부가적으로, 일부 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 표면 거칠기는 실장 표면의 제2 방향과 비교하여 실장 표면의 제1 방향에서 상이하다. 일 실시예에서, 예를 들어, 초점 보상 스탠드오프들의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 표면 거칠기는 y-방향과 비교하여 x-방향에서 상이하다. 일부 실시예들에서, 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 다른 방향들에서의 표면 거칠기의 차이들은 주파수 컨텐트(frequency content)의 차이들을 포함한다. 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면에 대한 x 및 y 방향들에서의 표면 거칠기 주파수들을 도시한다. 도 13에 도시된 바와 같이, y-방향에서의 표면 거칠기 주파수 특성은 x-방향에서의 표면 거칠기 주파수 특성과 상이하다. 일부 실시예들에서, 표면 거칠기의 방향 차이는 이것으로 한정되지 않지만 절단, 연마 제거 또는 그렇지 않으면 트리밍을 포함하는 초점 보상 스탠드오프의 높이를 조절하는 데 이용되는 특정 프로세스의 결과로 볼 수 있다.
일부 실시예들에서, 광학 이미징 장치의 스페이서 상의 초점 보상 스탠드오프들은 동일하거나 실질적으로 동일한 높이들을 가질 수 있다. 다른 실시예들에서, 광학 이미징 장치의 초점 보상 스탠드오프들은 상이한 높이들을 가질 수 있다. 광학 이미징 장치의 스페이서 상의 초점 보상 스탠드오프들이 상이한 높이들을 갖는 일부 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들은 웨이퍼 레벨 광학 요소(들)에서의 기울기를 정정하는 데 도움이 될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 이미징 장치를 도시한다. 도 3에 도시된 광학 이미징 장치(300)는 렌즈 스택으로서 배열된 복수의 웨이퍼 레벨 광학 요소들(302, 304, 306) 및 전자 광학 요소(328)를 포함한다. 웨이퍼 레벨 광학 요소들(302, 304, 306)은 전자기 방사와 상호작용하도록 동작가능한 광학 표면들(310, 312, 314)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 광학 표면들(310, 312, 314)은 전자기 방사를 굴절 또는 회절시킨다. 광학 표면들(310, 312, 314)은, 이것으로 한정되지 않지만 리소그래픽 및 리플리케이션 프로세스들(lithographic and replication processes)을 포함하는 알려진 기법들을 이용하여 기판들(316, 318, 320) 상에 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 광학 표면들은 유리 및/또는 고분자 물질들을 포함한다.
일부 실시예들에서, 광학 표면은 볼록 또는 오목하다. 또한, 일부 실시예들에서, 각각의 기판(316, 318, 320)은 양면 볼록, 양면 오목 또는 오목/볼록 배열들을 제공하기 위해 결합하여 작용하는 그 위에 형성된 2개 이상의 광학 표면들을 가질 수 있다. 광학 표면들(310, 312, 314)은 주어진 설계를 위해 적절하게 모양이 구면 또는 비구면일 수 있다.
일부 실시예들에서, 웨이퍼 레벨 광학 요소들(302, 304, 306)의 기판들은 스페이서들(322, 324)에 의해 분리된다. 다른 실시예들에서, 웨이퍼 레벨 광학 요소들(302, 304, 306)은 서로 직접 본딩된다.
도 3에 도시된 실시예에서, 스페이서(326)가 전자 광학 요소(328)에 가장 가까운 웨이퍼 레벨 광학 요소(306)에 결합된다. 본원에 제공된 바와 같이, 스페이서는 전자 광학 요소(328)를 위한 실장 표면들(332)을 정의하는 복수의 초점 보상 스탠드오프들(330)을 포함한다. 초점 보상 스탠드오프들(330)은 전자 광학 요소(328)의 면에 또는 그 근처에 웨이퍼 레벨 광학 요소 스택의 초점을 설정하도록 높이 또는 거리(d)를 갖는다. 웨이퍼 레벨 광학 요소 스택을 통과하는 광(334)의 예시적인 빔이 전자 광학 요소(328)의 면에 또는 그 근처에 포커싱된다.
일부 실시예들에서, 웨이퍼 레벨 광학 요소(들)와 전자 광학 요소 사이에 커버 글래스(cover glass)가 배치된다. 웨이퍼 레벨 광학 요소(들)와 전자 광학 요소 사이에 커버 글래스가 배치되는 일부 실시예들에서, 커버 글래스의 높이 및 웨이퍼 레벨 광학 요소(들)의 측정된 광학 특성들은 전자 광학 요소의 면과 같은, 원하는 이미지면에 또는 그 근처에 웨이퍼 레벨 광학 요소(들)의 초점을 설정하도록 초점 보상 스탠드오프들의 적절한 높이를 결정하는 데 이용된다.
도 3에 도시된 광학 이미징 장치(300)는 웨이퍼 레벨 광학 요소 스택과 전자 광학 요소(328) 사이에 배치된 커버 글래스(336)를 포함한다. 복수의 초점 보상 스탠드오프들(330)은 실장 표면들(332)에서 커버 글래스(336)에 결합된다. 커버 글래스(336)가 존재하지 않는 일부 실시예들에서, 복수의 초점 보상 스탠드오프들(330)은 실장 표면들(332)에서 전자 광학 요소(328)에 결합된다. 또한, 일부 실시예들에서, 복수의 초점 보상 스탠드오프들은 다른 스페이서 웨이퍼에 결합된다.
본원에 제공되는 바와 같이, 일부 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들의 실장 표면들은 웨이퍼 레벨 광학 요소를 받아들인다. 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 이미징 장치를 도시하고, 초점 보상 스탠드오프 실장 표면들은 웨이퍼 레벨 광학 요소에 결합된다. 도 12에 도시된 광학 이미징 장치(12)는 렌즈 스택으로서 배열된 복수의 웨이퍼 레벨 광학 요소들(14, 16, 18) 및 전자 광학 요소(20)를 포함한다. 웨이퍼 레벨 광학 요소들(14, 16, 18)은 전자기 방사와 상호작용하도록 동작가능한 광학 표면들(24, 26, 28)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 광학 표면들(24, 26, 28)은 전자기 방사를 굴절 또는 회절시킨다. 광학 표면들(24, 26, 28)은, 이것으로 한정되지 않지만 리소그래픽 및/또는 리플리케이션 프로세스들을 포함하는 알려진 기법들을 이용하여 기판들(30, 32, 34) 상에 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 광학 표면들은 유리 및/또는 고분자 물질들을 포함한다.
일부 실시예들에서, 광학 표면은 볼록 또는 오목하다. 또한, 일부 실시예들에서, 각각의 기판(30, 32, 34)은 양면 볼록, 양면 오목 또는 오목/볼록 배열들을 제공하기 위해 결합하여 작용하는 그 위에 형성된 2개 이상의 광학 표면들을 가질 수 있다. 광학 표면들(24, 26, 28)은 주어진 설계를 위해 적절하게 모양이 구면 또는 비구면일 수 있다.
일부 실시예들에서, 웨이퍼 레벨 광학 요소들(14, 16, 18)의 기판들은 스페이서들(36, 38)에 의해 분리된다. 다른 실시예들에서, 웨이퍼 레벨 광학 요소들(14, 16, 18)은 서로 직접 본딩된다.
도 12에 도시된 실시예에서, 스페이서(40)가 전자 광학 요소(20)의 커버 글래스(46)에 결합된다. 스페이서(40)는 실장 표면들(44)을 정의하는 복수의 초점 보상 스탠드오프들(42)을 포함한다. 초점 보상 스탠드오프들(42)은 전자 광학 요소(20)의 면에 또는 그 근처에 웨이퍼 레벨 광학 요소 스택의 초점을 설정하도록 높이 또는 거리(d)를 갖는다. 초점 보상 스탠드오프들의 실장 표면들(44)은 광학 요소 스택의 웨이퍼 레벨 광학 요소(18)에 결합된다. 웨이퍼 레벨 광학 요소 스택을 통과하는 광(48)의 예시적인 빔이 전자 광학 요소(20)의 면에 또는 그 근처에 포커싱된다.
일부 실시예들에서, 광학 이미징 장치의 초점 보상 스탠드오프들은 스페이서에 본딩된다. 다른 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들은 스페이서와 연속적이거나 또는 스페이서와 모놀리식 구조를 형성한다. 본원에서 더 설명되는 바와 같이, 초점 보상 스탠드오프들이 스페이서와 연속적이거나 또는 스페이서와 모놀리식 구조를 형성하는 일부 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들은 스페이서를 성형(shaping), 몰딩(molding) 또는 절단(cutting)하는 것에 의해 형성되었다.
또한, 초점 보상 스탠드오프들은 임의의 원하는 모양을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프는 삼각형, 정사각형 또는 직사각형을 포함하는 다각형 모양을 갖고, 이것으로 한정되지 않는다. 다른 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프는 원형, 타원형 또는 원뿔형 모양을 갖는다. 도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 다양한 모양의 초점 보상 스탠드오프들을 갖는 스페이서를 포함하는 광학 다이들의 바닥부 평면도를 도시한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 광학 다이들(400)은 스페이서(402) 및 스페이서에 결합된 복수의 초점 보상 스탠드오프들(404)을 포함한다. 본원에 제공된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 복수의 초점 보상 스탠드오프들(404)은 스페이서(402)에 본딩된다. 다른 실시예들에서, 복수의 초점 보상 스탠드오프들(404)은 스페이서(402)와 연속적이다. 스페이서(402)는 또한 본원에 설명되는 바와 같이 스페이서에 결합된 웨이퍼 레벨 광학 요소(들)로 또는 그로부터 전자기 방사를 통과하기 위한 애퍼처(406)를 포함한다.
복수의 초점 보상 스탠드오프들은 스페이서 상에 임의의 원하는 배열을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들의 배열은 적어도 하나의 대칭면을 갖는다. 다른 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들의 배열은 비대칭이다. 다른 실시예에서, 초점 보상 스탠드오프들은 스페이서의 둘레에 배열된다. 일부 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들은 스페이서의 애퍼처를 향해 스페이서의 둘레로부터 멀리 안쪽으로 배열된다. 일부 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들은 스페이서의 애퍼처에 인접하여 배열된다. 또한, 일부 실시예들에서, 상이한 수의 스탠드오프들(404)이 다이 위치당 이용될 수 있다. 도 4는 각각의 다이에 대해 4개의 스탠드오프들(404)을 도시하지만, 각각의 다이 위치에 더 적거나 더 많은 스탠드오프들이 제공될 수 있다.
본원에 설명된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 광학 이미징 장치는 전자 광학 요소를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 전자 광학 요소는 전자기 방사 감지 요소를 포함한다. 전자기 방사 감지 요소는, 일부 실시예들에서, 광학 이미징 장치에 의해 수신되는 전자기 방사를 검출하도록 동작가능한 감광성 영역을 포함한다.
일부 실시예들에서, 감광성 영역을 포함하는 감지 요소는 반도체를 포함한다. 본 발명의 목적과 모순되지 않는 임의의 적절한 반도체가 감광성 영역을 포함하는 감지 요소를 위해 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 반도체는 실리콘을 포함하는 IV족 반도체 또는 IV족 요소들의 임의의 결합을 포함한다. 다른 실시예에서, 반도체는 III/V족 반도체 또는 II/VI족 반도체를 포함한다.
일부 실시예들에서, 감지 요소의 감광성 영역은 초점면 어레이를 포함한다. 일부 실시예들에서, 초점면 어레이는 640x480 pixels를 포함하는 VGA 센서이다. 일부 실시예들에서, 센서는 더 적은 픽셀들(예를 들어, CIF, QCIF), 또는 더 많은 픽셀들(1 메가 이상의 픽셀)을 포함한다.
일 실시예에서, 감광성 영역을 포함하는 감지 요소는 전하 결합 소자(charge coupled device; CCD)를 포함한다. 다른 실시예에서, 감광성 영역을 포함하는 감지 요소는 상보성 금속 산화물 반도체(complementary metal oxide semiconductor; CMOS) 아키텍처를 포함한다.
일부 실시예들에서, 전자 광학 요소는 광학 이미징 장치에 의해 제공될 전자기 방사를 발생한다. 본 발명의 목적과 모순되지 않는 전자기 방사를 발생하기 위한 임의의 원하는 요소가 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전자기 방사를 발생하는 전자 광학 요소는 하나 이상의 발광 다이오드(LED)를 포함한다. 일부 실시예들에서, LED는 무기 반도체들과 같은 무기 물질들을 포함한다. 다른 실시예들에서, LED는 고분자 반도체들을 포함하는 유기 반도체들과 같은 유기 물질들을 포함한다. 추가 실시예에서, LED는 유기 및 무기 물질들의 혼합물을 포함한다.
본원에 설명된 광학 이미징 장치는, 일부 실시예들에서, 웨이퍼 레벨에서 구성될 수 있기 때문에, 본 발명은, 다른 양태에서, 광학 웨이퍼 상의 제1 광학 요소 위치에 대응하는 제1 애퍼처 및 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들과, 광학 웨이퍼 상의 제2 광학 요소 위치에 대응하는 제2 애퍼처 및 복수의 제2 초점 보상 스탠드오프들을 포함하는 웨이퍼를 또한 제공한다. 일부 실시예들에서, 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들의 높이는 제2 초점 보상 스탠드오프들의 높이와 상이하다. 다른 실시예들에서, 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들의 높이는 복수의 제2 초점 보상 스탠드오프들의 높이와 동일하거나 실질적으로 동일하다.
웨이퍼는 제1 및 제2 광학 요소들을 포함하는 광학 웨이퍼에 결합될 수 있다. 광학 웨이퍼에 결합될 때, 제1 및 제2 애퍼처들은 광학 웨이퍼의 제1 및 제2 광학 요소들과 각각 원하는 정렬을 실현한다. 또한, 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들은 제1 광학 요소의 초점이 제1 이미지면에 또는 그 근처에 있도록 제1 이미지면으로부터 원하는 거리 또는 높이로 제1 광학 요소를 설정한다. 유사하게, 복수의 제2 초점 보상 스탠드오프들은 제2광학 요소의 초점이 제2 이미지면에 또는 그 근처에 있도록 제2 이미지면으로부터 원하는 거리 또는 높이로 제2 광학 요소를 설정한다.
본원에 제공되는 바와 같이, 제1 초점 보상 스탠드오프들의 높이는 제1 광학 요소의 초점 길이 및/또는 다른 광학 특성들과, 제1 광학 요소가 커버 글래스를 갖는 전자 광학 요소와 연관되는 것이면 임의의 커버 글래스의 존재에 따라 결정된다. 부가적으로, 제2 초점 보상 스탠드오프들의 높이는 제2 광학 요소의 초점 길이 및/또는 광학 특성들과, 제2 광학 요소가 커버 글래스를 갖는 전자 광학 요소와 연관되는 것이면 임의의 커버 글래스의 존재에 따라 결정된다.
도 5는 광학 웨이퍼 상의 제1 광학 요소 위치에 대응하는 제1 애퍼처(502) 및 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들(504)과, 광학 웨이퍼 상의 제2 광학 요소 위치에 대응하는 제2 애퍼처(506) 및 복수의 제2 초점 보상 스탠드오프들(508)을 포함하는 웨이퍼(500)를 도시한다. 제1 광학 요소 및 제2 광학 요소의 광학 특성들은 광학 웨이퍼 내에서의 제조상의 변화들로 인해 상이하기 때문에, 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들(504)은 복수의 제2 초점 보상 스탠드오프들(508)의 높이와 상이한 높이로 설정된다. 도 5에 도시된 실시예에서, 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들(504) 및 복수의 제2 초점 보상 스탠드오프들(508) 사이의 높이의 차이는 5㎛이다.
제1 및 제2 애퍼처들 이외에, 웨이퍼(500)는 몇개의 더 많은 애퍼처들 및 초점 보상 스탠드오프들을 포함하고, 각각의 애퍼처 및 연관된 초점 보상 스탠드오프들은 제1 및 제2 광학 요소들을 포함하는 광학 웨이퍼 상의 개별 광학 요소 위치에 대응한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 스탠드오프들(504, 508 등)은 개별 광학 다이들의 다이싱 레인들(dicing lanes)을 따라 배치된다. 이 구성에서, 인접 다이들의 스탠드오프들(504, 508 등)은 인접 다이들의 싱귤레이션 중에 분리될 때까지 서로 연속적이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 인접 다이 위치들에서의 스페이서 웨이퍼를 도시한다. 초점 보상 스탠드오프들은 스페이서 웨이퍼(900)에 제공되지 않았기 때문에, 제1 다이 위치(902) 및 제2 다이 위치(904)에서의 스페이서 웨이퍼(900)의 높이는 동일하거나 실질적으로 동일하다. 도 9에 도시된 바와 같이, 초점 보상 스탠드오프들은 제1 다이 위치(902)에 대해 제1 높이(906)로 그리고 제2 다이 위치(904)에 대해 제2 높이(908)로 스페이서 웨이퍼(900)에 제공되고, 제1 높이(906)와 제2 높이(908)는 동일하지 않다. 본원에 설명된 바와 같이, 초점 보상 스탠드오프들은, 이것으로 한정되지 않지만 다이싱, 레이저 제거, 연마, 리플리케이팅(replicating) 등을 포함하는 다양한 방법에 의해 제공될 수 있다.
도 10은 초점 보상 스탠드오프들이 스페이서 웨이퍼에 제공되는, 도 9의 스페이서 웨이퍼를 도시한다. 제1 다이 위치(902)에서의 초점 보상 스탠드오프들(910, 912)은 제2 다이 위치(904)에서의 초점 보상 스탠드오프들(914, 916)과 상이한 높이를 갖는다. 또한, 초점 보상 스탠드오프들(912, 914)은 서로 연속적이다. 일부 실시예들에서, 초점 보상 스탠드오프들을 생성하는 데 이용된 프로세스로부터 잔류 물질(918)이 남는다. 그러나, 광학 다이들(902, 904)을 싱귤레이션하는 데 이용된 장치의 블레이드 폭(920)은 임의의 잔류 물질(918)을 제거하기에 충분히 넓다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 초점 보상 스탠드오프들(910, 912, 914, 916)을 갖는 스페이서(900)를 포함하는 싱귤레이션된 광학 다이들(902, 904)을 도시한다.
일부 실시예들에서, 광학 웨이퍼의 각각의 광학 요소의 초점 길이 및/또는 다른 광학 특성들이 결정될 수 있고, 각각의 광학 요소의 초점 보상이 계산된다. 각각의 광학 요소에 대한 초점은 각각의 웨이퍼 위치에서 스탠드오프들의 높이가 광학 웨이퍼의 대응하는 광학 요소를 위한 원하는 초점 보상을 제공하도록 조절될 수 있도록, 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼에 맵핑될 수 있다.
다른 양태에서, 본 발명은 광학 웨이퍼 및 광학 웨이퍼에 결합된 제2 웨이퍼를 포함하는 웨이퍼 어셈블리를 제공하고, 광학 웨이퍼는 광학 요소들의 어레이를 포함한다. 제1 광학 다이가 웨이퍼 어셈블리 상의 제1 다이 위치에 배치되고, 광학 웨이퍼 상에 제1 광학 요소를 포함하고 제2 웨이퍼 상에 제1 초점 보상 스탠드오프들을 포함한다. 제2 광학 다이가 광학 웨이퍼 상의 제2 다이 위치에 배치되고, 광학 웨이퍼 상에 제2 광학 요소를 포함하고 제2 웨이퍼 상에 제2 초점 보상 스탠드오프들을 포함하고, 제2 초점 보상 스탠드오프의 높이는 제1 초점 보상 스탠드오프의 높이와 상이하다.
본원에 설명된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들의 높이는 제1 광학 요소의 초점 길이 및/또는 광학 특성들과, 제1 광학 다이가 커버 글래스를 갖는 전자 광학 요소와 결합되는 것이면 커버 글래스의 존재에 따라 결정될 수 있다. 유사하게, 일부 실시예들에서, 복수의 제2 초점 보상 스탠드오프들의 높이는 제2 광학 요소의 초점 길이 및/또는 다른 광학 특성들과, 제2 광학 다이가 커버 글래스를 갖는 전자 광학 요소와 결합되는 것이면 커버 글래스의 존재에 따라 결정될 수 있다.
제1 광학 요소 및 제2 광학 요소의 광학 특성들은 광학 웨이퍼 내에서의 제조상의 변화들로 인해 상이하기 때문에, 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들은 복수의 제2 초점 보상 스탠드오프들의 높이와 상이한 높이로 설정된다.
다른 양태에서, 본 발명은 또한 복수의 싱귤레이션된 웨이퍼 레벨 광학 다이 어셈블리들을 포함하는 웨이퍼를 제공한다. 일 실시예에서, 웨이퍼는 제1 광학 요소, 제1 스페이서 및 제1 초점 보상 스탠드오프를 포함하는 제1 싱귤레이션된 광학 다이 어셈블리와, 제2 광학 요소, 제2 스페이서 및 제2 초점 보상 스탠드오프를 포함하는 제2 싱귤레이션된 광학 다이 어셈블리를 포함한다. 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 초점 보상 스탠드오프들은 동일하지 않은 높이들을 갖는다.
부가적으로, 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 초점 보상 스탠드오프들의 높이들은 제1 및 제2 광학 다이 어셈블리들이 결합되는 웨이퍼의 높이를 고려한다.
일부 실시예들에서, 제1 및 제2 싱귤레이션된 광학 다이 어셈블리들을 포함하는 웨이퍼는 제1 및 제2 전자 광학 요소들을 포함하는 웨이퍼에 결합된다. 일부 실시예들에서, 싱귤레이션된 제1 및 제2 광학 다이 어셈블리들을 포함하는 웨이퍼를 제1 및 제2 전자 광학 요소들을 포함하는 웨이퍼에 결합하는 것은, 제1 싱귤레이션된 광학 다이 어셈블리와 제1 전자 광학 요소 사이의 원하는 정렬 및 제2 싱귤레이션된 광학 다이 어셈블리와 제2 전자 광학 요소 사이의 원하는 정렬을 실현할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 광학 어셈블리 다이들을 포함하는 웨이퍼와 제1 및 제2 전자 광학 요소들을 포함하는 웨이퍼는 제1 광학 다이 및 제1 전자 광학 요소를 포함하는 제1 싱귤레이션된 광학 이미징 장치와, 제2 싱귤레이션된 광학 다이 및 제2 전자 광학 요소를 포함하는 제2 광학 이미징 장치를 제공하기 위해 결합하는 것에 후속하여 싱귤레이션될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 싱귤레이션된 광학 다이 어셈블리(602) 및 제2 싱귤레이션된 광학 다이 어셈블리(604)를 포함하는 웨이퍼(600)를 도시한다. 도 6에 도시된 실시예에서의 싱귤레이션된 제1(602) 및 제2(604) 광학 다이 어셈블리들은 각각 복수의 웨이퍼 레벨 광학 요소들을 포함하는 광학 요소 스택(606, 608)을 포함한다. 스페이서(610)가 제1 광학 다이 어셈블리(602)의 광학 요소 스택(606)에 결합되고, 스페이서(612)가 제2 광학 다이 어셈블리(604)의 광학 요소 스택(608)에 결합된다.
스페이서(610)는 광학 요소들의 초점이 제1 이미지면에 또는 그 근처에 있도록 제1 이미지면으로부터 원하는 거리로 제1 광학 다이(602)의 광학 요소들을 설정하기 위해 적절한 높이의 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들(614)을 포함한다. 유사하게, 스페이서(612)는 광학 요소들의 초점이 제2 이미지면에 또는 그 근처에 있도록 제2 이미지면으로부터 원하는 거리로 제2 광학 다이(604)의 광학 요소들을 설정하기 위해 적절한 높이의 복수의 제2 초점 보상 스탠드오프들(616)을 포함한다. 본원에 제공되는 바와 같이, 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 초점 보상 스탠드오프들(614, 616)의 높이들은 제1(602) 및 제2(604) 광학 다이 어셈블리들이 결합되는 웨이퍼(600)의 높이를 고려한다.
제1(602) 및 제2(604) 광학 다이 어셈블리들의 광학 요소들은 각각의 광학 스택들(606, 608)의 웨이퍼 레벨 광학 요소들을 생산하는 데 이용되는 광학 웨이퍼들의 다발들 또는 광학 웨이퍼 내에서의 제조상의 변화들로 인해 상이한 광학 특성들을 갖기 때문에, 제1 초점 보상 스탠드오프들(614)은 제2 초점 보상 스탠드오프들(616)과 상이한 높이를 갖는다.
일부 실시예들에서, 웨이퍼(600)는 방사가 원하는 방식으로 웨이퍼를 통과하도록 허용하기 위해 광학 요소 스택들(606, 608)과 정렬되는 애퍼처들(620)을 포함한다. 하나 이상의 실시예에서, 애퍼처(620)는 멈춤(stop)으로서 기능할 수 있다.
다른 양태에서, 본 발명은 광학 이미징 장치를 생산하는 방법을 제공한다. 본원에 더 설명되는 바와 같이, 본 발명의 방법들은, 일부 실시예들에서, 종래의 광학 요소 포커싱 기법들의 하나 이상의 비효율성을 극복할 수 있고, 초점 조절들은 터릿 또는 배럴 내로 광학 요소의 조립 후에 행해진다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 이미징 장치를 생산하는 방법의 개요를 보여주는 플로우챠트를 제공한다. 적어도 하나의 웨이퍼 레벨 광학 요소가 제공되고(702), 웨이퍼 레벨 광학 요소의 초점 길이가 측정 또는 이론적으로 결정된다(704). 일부 실시예들에서, 웨이퍼 레벨 광학 요소들은 기판의 표면을 식각 또는 제거(ablating)하는 것에 의해 또는 유리 및/또는 고분자 물질들의 퇴적에 의해 웨이퍼 기판 상에 광학 표면들을 형성함으로써 제공될 수 있다.
부가적으로, 본원에 설명되는 바와 같이, 일부 실시예들에서, 복수의 웨이퍼 레벨 광학 요소들이 광학 요소 스택으로서 제공된다. 이러한 실시예들에서, 광학 요소 스택의 초점 길이는 측정 또는 이론적으로 결정된다.
스페이서가 웨이퍼 레벨 광학 요소 또는 광학 요소 스택에 결합된다(706). 복수의 스탠드오프들이 스페이서 상에 제공된다(708). 일부 실시예들에서, 복수의 스탠드오프들이 스페이서에 본딩된다. 다른 실시예들에서, 복수의 스탠드오프들은 스페이서와 연속적이거나 또는 스페이서와 모놀리식 구조를 형성한다.
스탠드오프들이 스페이서와 연속적이거나 또는 스페이서와 모놀리식 구조를 형성하는 일부 실시예들에서, 스탠드오프들은, 이것으로 한정되지 않지만 스페이서를 다이싱, 머시닝(machining), 식각, 절단, 또는 리소그래픽적으로 제거(lithographically ablating)하는 것을 포함하는 프로세스들에 의해 생성된다. 스탠드오프들이 스페이서와 연속적이거나 또는 스페이서와 모놀리식 구조를 형성하는 다른 실시예들에서, 스탠드오프들은 스페이서를 몰딩할 때 형성된다. 일 실시예에서, 예를 들어, 복수의 스탠드오프들을 처리하는 모양을 갖는 몰드가 제공되고, 스탠드오프들은 스페이서와 함께 몰딩된다(co-molded).
대안적으로, 스탠드오프들이 스페이서에 본딩되는 일부 실시예들에서, 스탠드오프들은 리플리케이션 기법들에 의해 퇴적되거나 또는 접착제에 의해 스페이서에 본딩될 수 있다. 일부 실시예들에서, 예를 들어, 스탠드오프들은 스텝 앤드 리피트 리플리케이션 기법들(step and repeat replication techniques)에 의해 하나 이상의 다이 위치들에 대응하는 스페이서 상에 제공될 수 있다.
이미지면에 대해 웨이퍼 레벨 광학 요소 또는 광학 요소 스택의 초점 보상이 계산 또는 결정된다(710). 본원에 설명되는 바와 같이, 웨이퍼 레벨 광학 요소의 초점 보상은 광학 요소의 초점 길이와, 커버 글래스, 다른 스페이서들, 또는 렌즈 홀더와 같은, 웨이퍼 레벨 광학 요소와 이미지면 사이에 배치되는 임의의 구조들의 치수들에 따라 계산될 수 있다.
복수의 스탠드오프들의 높이는 원하는 이미지면에 또는 그 근처에 웨이퍼 레벨 광학 요소 또는 광학 요소 스택의 초점을 제공하도록 조절된다(712). 일부 실시예들에서, 스탠드오프 높이는, 이것으로 한정되지 않지만 축 방향에서 스탠드오프들을 절단, 연마 또는 그렇지 않으면 트리밍하는 것을 포함하는 프로세스들에 의해 조절된다. 일 실시예에서, 스탠드오프 높이는 다이싱 톱(dicing saw)의 주변 에지에 의해 조절된다. 일 구현에서, 스탠드오프 높이는 개별 다이를 싱귤레이션하는 데 이용되는 다이싱 톱을 이용하여 조절된다. 다른 실시예들에서, 스탠드오프 높이는 레이저 또는 다른 형태의 전자기 방사로 축 방향에서 스탠드오프들을 제거하는 것에 의해 조절될 수 있다.
일부 실시예들에서, 스탠드오프의 높이를 조절하는 것은 스페이서의 적어도 하나의 다른 표면 거칠기와 상이한 표면 거칠기를 갖는 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면을 스탠드오프에 제공한다. 일부 실시예들에서, 조절된 스탠드오프의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 표면 거칠기는 스페이서의 적어도 하나의 다른 표면 거칠기보다 작다. 다른 실시예들에서, 조절된 스탠드오프의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면의 표면 거칠기는 스페이서의 적어도 하나의 다른 표면 거칠기보다 크다. 일부 실시예들에서, 조절된 스페이서의 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면은 본원에 설명된 임의의 Sa 및/또는 Sq 값을 가질 수 있다.
스탠드오프의 높이는 축 방향에서 조절되기 때문에, 스페이서의 표면 거칠기와 상이한 표면 거칠기를 갖는 스탠드오프의 표면은, 일부 실시예들에서, 전자 광학 요소 또는 커버 글래스가 실장 또는 결합되는 표면이다.
일부 실시예들에서, 광학 이미징 장치를 생산하는 방법은 스탠드오프들의 실장 표면들에 전자 광학 요소를 결합하는 것을 더 포함한다(714). 일부 실시예들에서, 전자 광학 요소의 커버 글래스는 스탠드오프들의 실장 표면들에 결합된다. 또한, 일부 실시예들에서, 전자 광학 요소의 표면은 웨이퍼 레벨 광학 요소 또는 광학 요소 스택의 이미지면과 일치한다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 이미징 장치를 생산하는 방법의 개요를 보여주는 플로우챠트를 제공한다. 제1 다이 위치에서 제1 광학 요소를 포함하고 제2 다이 위치에서 제2 광학 요소를 포함하는 광학 웨이퍼가 제공된다(802). 제1 및 제2 광학 요소들은 본원에 설명된 또는 웨이퍼 레벨 광학 기술분야에서 알려진 기법들 중 임의의 것에 의해 제공될 수 있다. 제1 광학 요소의 초점 길이가 결정되고, 제2 광학 요소의 초점 길이가 결정된다(804).
스페이서 웨이퍼가 광학 웨이퍼에 결합된다(806). 복수의 제1 스탠드오프들이 제1 광학 다이를 제공하기 위해서 제1 다이 위치에서 스페이서 웨이퍼 상에 제공된다(808). 복수의 제2 스탠드오프들이 제2 광학 다이를 제공하기 위해서 제2 다이 위치에서 스페이서 웨이퍼 상에 제공된다(810). 복수의 제1 스탠드오프들 및 복수의 제2 스탠드오프들은, 이것으로 한정되지 않지만 스페이서를 다이싱, 머시닝, 식각, 절단, 또는 리소그래픽적으로 제거하는 것 또는 스텝 앤드 리피트 리플리케이션 기법들을 포함하는 본원에 설명된 임의의 방식으로 스페이서 웨이퍼 상에 제공될 수 있다. 제1 이미지면에 대한 제1 광학 요소의 초점 보상이 계산된다(812). 제2 이미지면에 대한 제2 광학 요소의 초점 보상이 계산된다(814).
복수의 제1 스탠드오프들의 높이는 제1 이미지면에 또는 그 근처에 제1 광학 요소의 초점을 제공하도록 조절된다(816). 복수의 제2 스탠드오프들의 높이는 제2 이미지면에 또는 그 근처에 제2 광학 요소의 초점을 제공하도록 조절된다(818). 제1 및 제2 스탠드오프들의 높이들은 본원에 설명된 방법들 중 임의의 것에 따라 조절될 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 스탠드오프들의 높이들을 조절하는 것은 스페이서의 표면 거칠기와 상이한 표면 거칠기를 제1 및 제2 스탠드오프들에 제공한다.
일부 실시예들에서, 제1 광학 다이 및 제2 광학 다이가 싱귤레이션된다(820). 일부 실시예들에서, 제1 전자 광학 요소가 제1 광학 이미징 장치를 제공하기 위해서 제1 싱귤레이션된 광학 다이의 제1 스탠드오프들의 하나 이상의 실장 표면들에 결합된다(822). 일부 실시예들에서, 제2 전자 광학 요소가 제2 광학 이미징 장치를 제공하기 위해서 제2 싱귤레이션된 광학 다이의 제2 스탠드오프들의 하나 이상의 실장 표면들에 결합된다(824).
다른 실시예들에서, 싱귤레이션된 제1 광학 다이 및 싱귤레이션된 제2 광학 다이가 기판 웨이퍼에 결합된다(826). 기판 웨이퍼가 제1 전자 광학 요소 및 제2 전자 광학 요소를 포함하는 전자 광학 요소 웨이퍼에 결합된다(828). 일부 실시예들에서, 기판을 전자 광학 요소 웨이퍼에 결합하는 것은, 제1 싱귤레이션된 광학 다이와 제1 전자 광학 요소 사이 및 제2 싱귤레이션된 광학 다이와 제2 전자 광학 요소 사이의 원하는 정렬을 실현한다. 또한, 일부 실시예들에서, 제1 이미지면은 제1 전자 광학 요소의 표면과 일치하고, 제2 이미지면은 제2 전자 광학 요소의 표면과 일치한다.
기판과 제1 및 제2 전자 광학 요소들은 제1 싱귤레이션된 광학 이미징 장치 및 제2 싱귤레이션된 광학 이미징 장치를 제공하도록 싱귤레이션된다(830).
다른 실시예에서, 광학 이미징 장치를 생산하는 방법은 적어도 하나의 웨이퍼 레벨 광학 요소를 제공하는 단계, 웨이퍼 레벨 광학 요소의 초점 길이를 결정하는 단계, 스페이서를 제공하는 단계, 스페이서 상에 복수의 스탠드오프들을 제공하는 단계, 이미지면에 대해 광학 요소에 대한 초점 보상을 계산하는 단계, 이미지면에 또는 그 근처에 웨이퍼 레벨 광학 요소의 초점을 제공하도록 스탠드오프들의 높이를 조절하는 단계, 및 스탠드오프들의 실장 표면들에 웨이퍼 레벨 광학 요소를 결합하는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, 광학 이미징 장치를 생산하는 방법은 전자 광학 요소를 스페이서에 결합하는 단계를 더 포함한다.
발명의 다양한 목적들의 달성에 있어서 발명의 다양한 실시예들이 설명되었다. 이들 실시예들은 단지 본 발명의 원리들의 실례가 된다는 것을 인식해야 한다. 그의 다수의 수정들 및 적응들은 발명의 사상 및 범위에서 벗어나지 않고 이 기술분야의 통상의 기술자에게 쉽게 명백할 것이다.

Claims (28)

  1. 광학 이미징 장치(optical imaging apparatus)로서,
    적어도 하나의 웨이퍼 레벨 광학 요소;
    상기 적어도 하나의 웨이퍼 레벨 광학 요소에 결합되는 스페이서; 및
    상기 스페이서 상의 복수의 초점 보상 스탠드오프들(focus compensation standoffs)
    을 포함하고,
    상기 스탠드오프들은 상기 스페이서의 적어도 하나의 다른 표면 거칠기와 상이한 표면 거칠기를 갖는 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면을 정의하고,
    상기 초점 보상 스탠드오프들의 표면 거칠기는 상기 스페이서의 적어도 하나의 다른 표면 거칠기로부터 적어도 10% 상이하고,
    상기 복수의 초점 보상 스탠드오프들은 서로로부터 분리되어 있고, 상기 스페이서의 둘레로부터 멀리 안쪽으로(inward away) 배열되는, 광학 이미징 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 초점 보상 스탠드오프들은 상기 스페이서와 연속하는 광학 이미징 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 복수의 초점 보상 스탠드오프들은 상기 스페이서에 본딩되는 광학 이미징 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전자 광학 요소 실장 표면에 결합되는 전자 광학 요소를 더 포함하는 광학 이미징 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 초점 보상 스탠드오프들은 다각형 모양을 갖는 광학 이미징 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 초점 보상 스탠드오프들은 원형, 타원형 또는 원뿔 모양을 갖는 광학 이미징 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 적어도 하나의 웨이퍼 레벨 광학 요소의 초점은 상기 전자 광학 요소의 표면에 또는 그 근처에 있는 광학 이미징 장치.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서, 상기 전자 광학 요소 또는 웨이퍼 레벨 광학 요소 실장 표면은 제2 방향에서의 표면 거칠기 주파수(surface roughness frequency)와 상이한 제1 방향에서의 표면 거칠기 주파수를 갖는 광학 이미징 장치.
  10. 웨이퍼로서,
    제1 애퍼처(aperture);
    제1 높이의 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들 - 상기 제1 애퍼처 및 상기 제1 초점 보상 스탠드오프들은 광학 웨이퍼 상의 제1 광학 요소 위치에 대응함 -;
    제2 애퍼처; 및
    제2 높이의 복수의 제2 초점 보상 스탠드오프들 - 상기 제2 애퍼처 및 상기 제2 초점 보상 스탠드오프들은 상기 광학 웨이퍼 상의 제2 광학 요소 위치에 대응함 -
    을 포함하고,
    상기 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들 및 상기 복수의 제2 초점 보상 스탠드오프들은 서로로부터 분리되어 있고, 각각 상기 제1 광학 요소 위치 및 제2 광학 요소 위치의 둘레로부터 멀리 안쪽으로 배열되고, 각각 상기 제1 애퍼처 및 제2 애퍼처를 향해 배열되는, 웨이퍼.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1 높이와 상기 제2 높이는 상이한 웨이퍼.
  12. 제10항에 있어서, 상기 제1 높이와 상기 제2 높이는 동일한 웨이퍼.
  13. 웨이퍼 어셈블리(wafer assembly)로서,
    광학 요소들의 어레이를 포함하는 광학 웨이퍼;
    상기 광학 웨이퍼에 결합되는 제2 웨이퍼;
    상기 웨이퍼 어셈블리 상의 제1 다이 위치에 배치되는 제1 광학 다이 - 상기 제1 광학 다이는 상기 광학 웨이퍼 상에 제1 광학 요소를 포함하고 상기 제2 웨이퍼 상에 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들을 포함함 - ; 및
    상기 웨이퍼 어셈블리 상의 제2 다이 위치에 배치되는 제2 광학 다이 - 상기 제2 광학 다이는 상기 광학 웨이퍼 상에 제2 광학 요소를 포함하고 상기 제2 웨이퍼 상에 복수의 제2 초점 보상 스탠드오프들을 포함함 -
    를 포함하고,
    상기 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들 및 상기 복수의 제2 초점 보상 스탠드오프들은 서로로부터 분리되어 있고, 각각 상기 제1 다이 위치 및 제2 다이 위치의 둘레로부터 멀리 안쪽으로 배열되는, 웨이퍼 어셈블리.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 초점 보상 스탠드오프들은 상기 제2 초점 보상 스탠드오프들과 상이한 높이를 갖는 웨이퍼 어셈블리.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제1 초점 보상 스탠드오프들은 상기 제2 초점 보상 스탠드오프들과 동일한 높이를 갖는 웨이퍼 어셈블리.
  16. 어셈블리로서,
    웨이퍼; 및
    상기 웨이퍼에 결합되는 제1 싱귤레이션된 광학 다이(singulated optical die)
    를 포함하고,
    상기 제1 싱귤레이션된 광학 다이는 제1 광학 요소, 상기 제1 광학 요소에 결합되는 제1 스페이서 및 상기 제1 스페이서 상에 배치된 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들을 포함하고,
    상기 복수의 제1 초점 보상 스탠드오프들은 서로로부터 분리되어 있고, 상기 제1 스페이서의 둘레로부터 멀리 안쪽으로 배열되는, 어셈블리.
  17. 제16항에 있어서, 상기 웨이퍼에 결합되는 제2 싱귤레이션된 광학 다이를 더 포함하고, 상기 제2 싱귤레이션된 광학 다이는 제2 광학 요소, 제2 스페이서 및 복수의 제2 초점 보상 스탠드오프들을 포함하는 어셈블리.
  18. 광학 이미징 장치를 생산하는 방법으로서,
    적어도 하나의 웨이퍼 레벨 광학 요소를 제공하는 단계;
    상기 적어도 하나의 웨이퍼 레벨 광학 요소의 초점 길이를 결정하는 단계;
    상기 적어도 하나의 웨이퍼 레벨 광학 요소에 스페이서를 결합하는 단계;
    상기 스페이서 상에 서로로부터 분리되어 있는 복수의 스탠드오프들을 제공하고 상기 복수의 스탠드오프들을 상기 스페이서의 둘레로부터 멀리 안쪽으로 배열하는 단계;
    이미지면에 대해 상기 적어도 하나의 웨이퍼 레벨 광학 요소에 대한 초점 보상을 계산하는 단계; 및
    상기 이미지면에 또는 그 근처에 상기 적어도 하나의 웨이퍼 레벨 광학 요소의 초점을 제공하도록 상기 스탠드오프들의 높이를 조절하는 단계
    를 포함하는 광학 이미징 장치의 생산 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 스탠드오프들의 실장 표면들에 전자 광학 요소를 결합하는 단계를 더 포함하는 광학 이미징 장치의 생산 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 이미지면은 상기 전자 광학 요소의 표면과 일치하는 광학 이미징 장치의 생산 방법.
  21. 제18항에 있어서, 상기 적어도 하나의 웨이퍼 레벨 광학 요소는 복수의 웨이퍼 레벨 광학 요소들을 포함하는 광학 요소 스택을 포함하는 광학 이미징 장치의 생산 방법.
  22. 복수의 광학 이미징 장치를 생산하는 방법으로서,
    적어도 하나의 광학 웨이퍼를 제공하는 단계 - 상기 적어도 하나의 광학 웨이퍼는 상기 광학 웨이퍼 상에서 제1 다이 위치에 제1 광학 요소를 포함하고 제2 다이 위치에 제2 광학 요소를 포함함 - ;
    상기 제1 광학 요소의 초점 길이 및 상기 제2 광학 요소의 초점 길이를 결정하는 단계;
    상기 적어도 하나의 광학 웨이퍼에 스페이서 웨이퍼를 결합하는 단계;
    제1 광학 다이를 제공하기 위해 상기 제1 다이 위치에서 상기 스페이서 상에 서로로부터 분리되어 있는 복수의 제1 스탠드오프들을 제공하고, 상기 복수의 제1 스탠드오프들을 상기 스페이서의 둘레로부터 멀리 안쪽으로 배열하는 단계;
    제2 광학 다이를 제공하기 위해 상기 제2 다이 위치에서 상기 스페이서 상에 복수의 제2 스탠드오프들을 제공하는 단계;
    제1 이미지면에 대해 상기 제1 광학 요소에 대한 초점 보상을 계산하는 단계;
    제2 이미지면에 대해 상기 제2 광학 요소에 대한 초점 보상을 계산하는 단계;
    상기 제1 이미지면에 또는 그 근처에 상기 제1 광학 요소의 초점을 제공하도록 상기 복수의 제1 스탠드오프들의 높이를 조절하는 단계; 및
    상기 제2 이미지면에 또는 그 근처에 상기 제2 광학 요소의 초점을 제공하도록 상기 복수의 제2 스탠드오프들의 높이를 조절하는 단계
    를 포함하는 복수의 광학 이미징 장치의 생산 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 제1 광학 다이 및 상기 제2 광학 다이를 싱귤레이션하는(singulating) 단계를 더 포함하는 복수의 광학 이미징 장치의 생산 방법.
  24. 제23항에 있어서, 제1 광학 이미징 장치를 제공하기 위해 상기 제1 스탠드오프들의 실장 표면들에 제1 전자 광학 요소를 결합하는 단계를 더 포함하는 복수의 광학 이미징 장치의 생산 방법.
  25. 제23항에 있어서, 제2 광학 이미징 장치를 제공하기 위해 상기 제2 스탠드오프들의 실장 표면들에 제2 전자 광학 요소를 결합하는 단계를 더 포함하는 복수의 광학 이미징 장치의 생산 방법.
  26. 제23항에 있어서, 상기 싱귤레이션된 제1 광학 다이 및 상기 싱귤레이션된 제2 광학 다이를 웨이퍼에 결합하는 단계를 더 포함하는 복수의 광학 이미징 장치의 생산 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 싱귤레이션된 제1 광학 다이 및 상기 싱귤레이션된 제2 광학 다이를 포함하는 상기 웨이퍼를 제1 전자 광학 요소 및 제2 전자 광학 요소를 포함하는 전자 광학 웨이퍼에 결합함으로써, 상기 제1 전자 광학 요소와 상기 제1 광학 다이를 정렬하고 상기 제2 전자 광학 요소와 상기 제2 광학 다이를 정렬하는 단계를 더 포함하는 복수의 광학 이미징 장치의 생산 방법.
  28. 제27항에 있어서, 제1 광학 이미징 장치 및 제2 광학 이미징 장치를 제공하기 위하여 상기 웨이퍼 및 상기 제1 전자 광학 요소 및 상기 제2 전자 광학 요소를 싱귤레이션하는 단계를 더 포함하는 복수의 광학 이미징 장치의 생산 방법.
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