TWI495919B - 光學裝置及其生產方法 - Google Patents

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Description

光學裝置及其生產方法
本發明係關於光學元件，且特定言之係關於在光學成像裝置中所使用之光學元件。
本申請案根據35 U.S.C. § 119(e)規定主張2009年10月20日申請之美國臨時專利申請案第61/253,337號之優先權，該案之全文以引用的方式併入本文中。
併入固態感測元件之光學成像裝置已應用於自軍事偵察及監視至消費者電子器件之各種領域。例如，固態相機被用於大量消費者電子器件中，包含行動電話、數位靜態相機、電腦、玩具及汽車駕駛輔助。為滿足需求，每天需要製造數量級高達數百萬之固態相機。鑑於此等數量，有效率且低成本地製造固態相機及其他光學裝置係非常重要。
傳統上，將固態相機模組製造為離散單元。例如，將一模組之若干光學元件分開安裝於一鏡頭轉座中。隨後將一外殼附接至相機基板，且藉由一螺紋將該鏡頭轉座插入該外殼中，以將光學元件定位於一影像感測器上方。調整各個模組之光學元件高度，以藉由該鏡頭轉座在該外殼內之旋轉而達成最佳聚焦。
前述製造技術之一缺點在於各個模組之光學元件的聚焦調整係連續地有效執行。以連續形式製造固態相機模組及其他光學裝置會顯著增加製造成本及時間。僅當生產大量相機模組時此類無效率才會被放大。
鑑於前述缺點，本發明提供具有所要焦距性質之光學成像裝置，其可以晶圓層級製造及/或組裝。在一些實施例中，晶圓級組裝可提供光學成像裝置之具成本及時間效率的生產，同時避免與連續製造技術相關之一或多個無效性。
在一實施例中，一光學成像裝置包括：至少一晶圓級光學元件；一間隔件，其係耦接至該晶圓級光學元件；及在該間隔件上之複數個焦距補償間隙器，該等間隙器界定具有不同於該間隔件之至少一其他表面粗糙度的一表面粗糙度之一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面。在一些實施例中，該複數個間隙器係接合至該間隔件。在一些實施例中，該複數個間隙器係與該間隔件相連或與該間隔件形成為一單體結構。
在一些實施例中，一光學成像裝置進一步包括一電光學元件。在一些實施例中，一電光學元件係一光電偵測器或感測元件。在一些實施例中，一電光學元件係一電磁輻射發射元件，諸如一發光二極體。在一些實施例中，該電光學元件係耦接至該複數個間隙器之該等安裝表面。
根據本文中所描述之實施例，一焦距補償間隙器具有適於將該(該等)晶圓級光學元件設定於離一影像平面所要距離或高度處，以將該(該等)光學元件之焦點設定於該影像平面處或附近之尺寸。在一些實施例中，一光學成像裝置之一影像平面與電光學元件之平面重合。
在一些實施例中，由於可以晶圓層級建構如本文中所描述之光學成像裝置，故本發明亦提供一種間隔晶圓，該間隔晶圓包括：一第一孔隙與複數個第一焦距補償間隙器，其等對應於一光學晶圓上之一第一光學元件位置；及一第二孔隙與複數個第二焦距補償間隙器，其等對應於該光學晶圓上之一第二光學元件位置。在一些實施例中，該複數個第一焦距補償間隙器之高度係不同於該等第二焦距補償間隙器之高度。在其他實施例中，該複數個第一焦距補償間隙器之高度係與該複數個第二焦距補償間隙器之高度相同或大體上相同。
在另一態樣中，本發明提供一種晶圓總成，其包括一光學晶圓及耦接至該光學晶圓之一第二晶圓，該光學晶圓包括若干光學元件之一陣列。一第一光學晶粒經定位於該晶圓總成上之一第一晶粒位置處，且包括該光學晶圓上之一第一光學元件及該第二晶圓上之一第一焦距補償間隙器。一第二光學晶粒經定位於該晶圓總成上之一第二晶粒位置處，且包括該光學晶圓上之一第二光學元件及該第二晶圓上之一第二焦距補償間隙器，其中該第二焦距補償間隙器之高度係不同於該第一焦距補償間隙器之高度。
在一些實施例中，該第二晶圓係藉由該第一焦距補償間隙器於該第一晶粒位置處，且藉由該第二焦距補償間隙器於該第二晶粒位置處耦接至該光學晶圓。在一些實施例中，該第一焦距補償間隙器與該第二焦距補償間隙器係未耦接至該光學晶圓，且具有用於收納一電光學元件、一第三晶圓或一第二光學晶圓之安裝表面。
此外，在另一態樣中，本發明亦提供一種包括複數個經單一化之晶圓級光學晶粒總成的晶圓。在一實施例中，一晶圓包括：一第一經單一化之光學晶粒總成，其包括一第一光學元件、一第一間隔件及一第一焦距補償間隙器；及一第二經單一化之光學晶粒總成，其包括一第二光學元件、一第二間隔件及一第二焦距補償間隙器。在一些實施例中，該等第一及第二焦距補償間隙器具有不等高度。
在另一態樣中，本發明提供生產光學成像裝置之方法。如本文中進一步描述，在一些實施例中，本發明之方法可克服先前光學元件聚焦技術之一或多個無效性，其中在將該光學元件組裝為一轉座或套筒後進行焦距調整。
在一實施例中，一種生產一光學成像裝置之方法包括：提供至少一晶圓級光學元件，決定該晶圓級光學元件之焦距，將一間隔件耦接至該光學元件，於該間隔件上提供複數個間隙器，計算該光學元件相對於一影像平面之焦距補償，及調整該等間隙器之高度以使該晶圓級光學元件之焦點位在該影像平面處或附近。在一些實施例中，根據該光學成像裝置之應用或所要性質來選擇該影像平面。
在一些實施例中，一種生產一光學成像裝置之方法進一步包括將一電光學元件耦接至該等間隙器之安裝表面。在一些實施例中，該電光學元件之一表面與該晶圓級光學元件之該影像平面重合。
在另一實施例中，一種生產一光學成像裝置之方法包括：提供至少一晶圓級光學元件，決定該晶圓級光學元件之焦距，提供一間隔件，於該間隔件上提供複數個間隙器，計算該光學元件相對於一影像平面之焦距補償，調整該等間隙器之高度以使該晶圓級光學元件之焦點位在該影像平面處或附近，及將晶圓級光學元件耦接至該等間隙器之安裝表面。在一些實施例中，一種生產一光學成像裝置之方法進一步包括將一電光學元件耦接至該間隔件。
在另一實施例中，一種生產複數個光學成像裝置之方法包括：提供至少一光學晶圓，該光學晶圓包括在該光學晶圓上之一第一晶粒位置處的一第一光學元件及在該光學晶圓上之一第二晶粒位置處的一第二光學元件；及決定該第一光學元件之焦距及該第二光學元件之焦距。將一間隔晶圓耦接至該光學晶圓，且於該第一晶粒位置處將複數個第一間隙器提供於該間隔晶圓上以提供一第一光學晶粒。於該第二晶粒位置處將複數個第二間隙器提供於該間隔晶圓上以提供一第二光學晶粒。計算該第一光學元件相對於一第一影像平面之焦距補償。計算該第二光學元件相對於一第二影像平面之焦距補償。調整該複數個第一間隙器之高度以使該第一光學元件之焦點位在該第一影像平面處或附近，且調整該複數個第二間隙器之高度以使該第二光學元件之焦點位在第二影像平面處或附近。在一些實施例中，將該等第一間隙器與該等第二間隙器調整為不同高度。
此外，在一些實施例中，一種生產複數個光學成像裝置之方法進一步包括單一化該第一光學晶粒及該第二光學晶粒。在一些實施例中，單一化該第一光學晶粒及該第二光學晶粒後，將一第一電光學元件耦接至該等第一間隙器之安裝表面以提供一第一光學成像裝置。另外，在一些實施例中，將一第二電光學元件耦接至該等第二間隙器之安裝表面以提供一第二光學成像裝置。
在其他實施例中，將該第一經單一化之光學晶粒及該第二經單一化之光學晶粒耦接至一晶圓。隨後可將該晶圓耦接至包括一第一電光學元件及一第二電光學元件之一電光學元件晶圓。在一些實施例中，將該晶圓耦接至該電光學元件晶圓可達成該第一經單一化之光學晶粒與該第一電光學元件之間的所要對準，且達成該第二經單一化之光學晶粒與該第二電光學元件之間的所要對準。另外，在一些實施例中，該第一影像平面與該第一電光學元件之一表面重合，且該第二影像平面與該第二電光學元件之一表面重合。
可單一化該晶圓及該等第一及第二電光學元件，以提供一經單一化之第一光學成像裝置及一經單一化之第二光學成像裝置。
在以下實施方式中更詳細地描述此等及其他實施例。
參照以下實施方式、實例及圖式及其等之先前及以下描述，可更容易地理解本發明。然而，本發明之元件、裝置及方法並不限於實施方式、實例及圖式中所呈現之特定實施例。應瞭解此等實施例僅為說明本發明之原理。熟習此項技術者可容易地瞭解在不脫離本發明之精神及範疇下可作出諸多修改及調適。
本發明提供具有所要焦距性質之光學成像裝置，其可以晶圓級製造及/或組裝。在一些實施例中，晶圓級組裝可提供光學成像裝置之具成本及時間效率的生產，同時避免與連續製造及/或聚焦技術相關之一或多個無效性。
一單一晶圓內之製造變化及若干批次晶圓之間的製造變化可導致由該等晶圓建構之光學成像裝置的發散焦點位置。圖1繪示由若干普通透鏡堆疊晶圓與一電光學元件晶圓所建構之三個光學成像裝置(102、104、106)。對於各個光學成像裝置，藉由經光學元件堆疊(110)朝向影像感測器(112)聚焦之一例示性光束(108)來繪示焦點位置。如圖1中所提供，光學成像裝置(104)之光學元件堆疊(110)將一影像聚焦於影像感測器(112)之表面下方，而光學成像裝置(106)之光學元件堆疊(110)將一影像聚焦於影像感測器(112)上方。此外，光學成像裝置(102)之光學元件堆疊(110)將影像聚焦於影像感測器(112)之表面處或其附近。
一種用於使由(若干)普通晶圓建立之光學元件之間的焦距變動最小化之潛在解決方案係在單一化之前量測所有或大體上所有光學元件的光學性質。可由量測得之光學性質產生必需高度補償之一分佈，且可選擇一間隔晶圓(114)之高度，使得該分佈中心聚焦於影像感測器。圖2繪示由(若干)普通晶圓所建立之光學元件之焦距的一例示性分佈圖。
然而，由於間隔晶圓無法為在分佈中心之外的光學元件提供一最佳焦距補償，故前述解決方案仍然無效。因此，包括落在中心分佈外的光學元件之光學成像裝置可能具有較差品質，使得該成像裝置不適於所要應用或必須予以丟棄。
與圖1及圖2中所演示之情形不同，本發明提供一種光學成像裝置，其包括：至少一晶圓級光學元件；一間隔件，其係耦接至該晶圓級光學元件；及在該間隔件上之複數個焦距補償間隙器，該等間隙器界定具有不同於該間隔件之至少一其他表面粗糙度的一表面粗糙度之一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面。在一些實施例中，該複數個焦距補償間隙器之高度係經調整，以將該光學成像裝置之該(該等)晶圓級光學元件設定於離影像平面所要距離處，使得該(該等)光學元件之焦點係在該影像平面處或附近。在一些實施例中，一光學成像裝置之影像平面與電光學元件之平面重合。
如本文中所描述，在一些實施例中，一焦距補償間隙器之一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面具有不同於該間隔件之至少一其他表面粗糙度的一表面粗糙度。在一些實施例中，一焦距補償間隙器之一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面之表面粗糙度係小於該間隔件之至少一其他表面的表面粗糙度。在另一實施例中，一焦距補償間隙器之一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面之表面粗糙度係大於該間隔件之至少一其他表面的表面粗糙度。在一些實施例中，表面粗糙度之差異可歸因於用於調整該焦距補償間隙器高度之特定製程，包含(但不限於)切割、拋光燒蝕或其他修整。
在一些實施例中，一焦距補償間隙器之一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面的平均面積表面粗糙度(Sa )係小於約1微米。例如，在一些實施例中，一焦距補償間隙器之一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面之Sa 係在約0.1微米至約0.6微米之範圍內。在另一實施例中，一焦距補償間隙器之一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面之Sa 係大於約1微米。
此外，在一些實施例中，一焦距補償間隙器之一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面之面積均方根(rms)表面粗糙度(Sq )係小於約1微米。例如，在一實施例中，一焦距補償間隙器之一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面之Sq 係在約0.1微米至約0.8微米之範圍內。在另一實施例中，一焦距補償間隙器之一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面之Sq 係在約0.2微米至約0.7微米之範圍內。在一些實施例中，一焦距補償間隙器之一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面之Sq 係大於約1微米。
如熟習此項技術者所知曉，可根據若干技術及儀器來量測Sa 及Sq 。利用購自Vecco Instruments,Inc.(Plainview,NY)之Vecco Confocal Metrology(VCM)-200 Advanced Confocal Profiling System量測本文所描述之Sa 及Sq 值。
在一些實施例中，一焦距補償間隙器之一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面之Sa 及/或Sq 與該間隔件之至少一其他表面之Sa 及/或Sq 的差異為至少約5%。在一些實施例中，一焦距補償間隙器之一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面之Sa 及/或Sq 與該間隔件之至少一其他表面之Sa 及/或Sq 的差異為至少約10%或至少約30%。在其他實施例中，一焦距補償間隙器之一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面之Sa 及/或Sq 與該間隔件之至少一其他表面之Sa 及/或Sq 的差異為至少約50%或至少約100%。
另外，在一些實施例中，一焦距補償間隙器之一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面之表面粗糙度在該安裝表面之一第一方向上與在該安裝表面之一第二方向上相比較係不同的。例如，在一實施例中，一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面之表面粗糙度在x方向上與在y方向上相比較係不同的。在一些實施例中，一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面在不同方向上之表面粗糙度差異包括頻率組成差異。圖13繪示根據本發明之一實施例的一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面在x方向及y方向上之表面粗糙度頻率。如圖13所繪示，y方向上之表面粗糙度頻率組成不同於x方向上之表面粗糙度頻率組成。在一些實施例中，表面粗糙度之方向差異可歸因於用於調整該焦距補償間隙器高度之特定製程，包含(但不限於)切割、拋光燒蝕或其他修整。
在一些實施例中，一光學成像裝置之間隔件上的若干焦距補償間隙器可具有相同或大體上相同之高度。在其他實施例中，一光學成像裝置之若干焦距補償間隙器可具有不同高度。在一些實施例中，其中一光學成像裝置之一間隔件上的該等焦距補償間隙器具有不同高度，該等焦距補償間隙器可幫助校正該(該等)晶圓級光學元件之傾斜度。
圖3繪示根據本發明之一實施例的一光學成像裝置。圖3中所繪示之光學成像裝置(300)包括經配置成一透鏡堆疊之複數個晶圓級光學元件(302、304、306)、及一電光學元件(328)。該等晶圓級光學元件(302、304、306)包括可操作以與電磁輻射交互作用之光學表面(310、312、314)。在一些實施例中，光學表面(310、312、314)折射或繞射電磁輻射。光學表面(310、312、314)可使用已知技術(包含但不限於微影及複製製程)形成於基板(316、318、320)上。在一些實施例中，光學表面包括玻璃及/或聚合材料。
在一些實施例中，一光學表面為凸面或凹面。此外，在一些實施例中，各個基板(316、318、320)可具有於其上形成之兩個或兩個以上的光學表面，該等光學表面聯合運作以提供雙凸面、雙凹面或凹面/凸面配置。光學表面(310、312、314)之形狀可為球面或非球面，視給定設計而定。
在一些實施例中，由間隔件(322、324)分離晶圓級光學元件(302、304、306)之基板。在其他實施例中，使晶圓級光學元件(302、304、306)直接與彼此接合。
在圖3所繪示之實施例中，將一間隔件(326)耦接至最接近電光學元件(328)之晶圓級光學元件(306)。如本文中所提供，該間隔件包括界定電光學元件(328)之安裝表面(332)的複數個焦距補償間隙器(330)。該等焦距補償間隙器(330)具有一高度或距離(d)，以將該晶圓級光學元件堆疊之焦點設定於電光學元件(328)之平面處或附近。通過該晶圓級光學元件堆疊之一例示性光束(334)係聚焦於電光學元件(328)之平面處或附近。
在一些實施例中，於該(該等)晶圓級光學元件與該電光學元件之間安置一玻璃蓋片。在一些實施例中，其中於該(該等)晶圓級光學元件與該電光學元件之間安置一玻璃蓋片，使用該玻璃蓋片之高度及該(該等)晶圓級光學元件之測得的光學性質來決定該等焦距補償間隙器之一適當高度，以將該(該等)晶圓級光學元件之焦點設定於一所要影像平面(諸如該電光學元件之平面)上或附近。
圖3中所繪示之光學成像裝置(300)包括安置於該晶圓級光學元件堆疊與該電光學元件(328)之間的一玻璃蓋片(336)。於安裝表面(332)處將該複數個焦距補償間隙器(330)耦接至該玻璃蓋片(336)。在不存在一玻璃蓋片(336)之一些實施例中，於安裝表面(332)處將該複數個焦距補償間隙器(330)耦接至該電光學元件(328)。此外，在一些實施例中，將該複數個焦距補償間隙器耦接至另一間隔晶圓。
如本文中所提供，在一些實施例中，焦距補償間隙器之安裝表面收納一晶圓級光學元件。圖12繪示根據本發明之一實施例的一光學成像裝置，其中將焦距補償間隙器安裝表面耦接至一晶圓級光學元件。圖12中所繪示之光學成像裝置(12)包括經配置成一透鏡堆疊之複數個晶圓級光學元件(14、16、18)、及一電光學元件(20)。該等晶圓級光學元件(14、16、18)包括可操作以與電磁輻射交互作用之光學表面(24、26、28)。在一些實施例中，光學表面(24、26、28)折射或繞射電磁輻射。光學表面(24、26、28)可使用已知技術(包含但不限於微影及/或複製製程)形成於基板(30、32、34)上。在一些實施例中，光學表面包括玻璃及/或聚合材料。
在一些實施例中，一光學表面為凸面或凹面。此外，在一些實施例中，各個基板(30、32、34)可具有於其上形成之兩個或兩個以上之光學表面，該等光學表面聯合運作以提供雙凸面、雙凹面或凹面/凸面配置。光學表面(24、26、28)之形狀可為球面或非球面，以適於一給定設計。
在一些實施例中，由間隔件(36、38)分離晶圓級光學元件(14、16、18)之基板。在其他實施例中，使晶圓級光學元件(14、16、18)直接與彼此接合。
在圖12所繪示之實施例中，將一間隔件(40)耦接至電光學元件(20)之玻璃蓋片(46)。該間隔件(40)包括界定安裝表面(44)之複數個焦距補償間隙器(42)。該等焦距補償間隙器(42)具有一高度或距離(d)，以將該晶圓級光學元件堆疊之焦點設定於電光學元件(20)之平面處或附近。將該等焦距補償間隙器之該等安裝表面(44)耦接至該光學元件堆疊之晶圓級光學元件(18)。通過該晶圓級光學元件堆疊之一例示性光束(48)係聚焦於電光學元件(20)之平面處或附近。
在一些實施例中，光學成像裝置之若干焦距補償間隙器係接合至間隔件。在其他實施例中，焦距補償間隙器係與該間隔件相連或與該間隔件形成為一單體結構。如本文中進一步描述，在一些實施例中，其中該等焦距補償間隙器係與該間隔件相連或與該間隔件形成為一單體結構，該等焦距補償間隙器係藉由塑形、模製或切割該間隔件而形成。
此外，焦距補償間隙器可具有任何所要形狀。在一些實施例中，一焦距補償間隙器具有一多邊形形狀，包含(但不限於)三角形、正方形或矩形。在其他實施例中，一焦距補償間隙器具有圓形、橢圓形或圓錐形形狀。圖4繪示包括一間隔件且具有根據本發明之一些實施例的各種形狀之焦距補償間隙器的光學晶粒之一仰視平面圖。如圖4中所繪示，光學晶粒(400)包括一間隔件(402)及耦接至該間隔件之複數個焦距補償間隙器(404)。如本文中所提供，在一些實施例中，將該複數個焦距補償間隙器(404)接合至該間隔件(402)。在其他實施例中，該複數個焦距補償間隙器(404)係與該間隔件(402)相連。間隔件(402)亦包括一孔隙(406)以用於使電磁輻射抵達或離開如本文中所描述之耦接至該間隔件之晶圓級光學元件。
該複數個焦距補償間隙器在該間隔件上可具有任何所要配置。在一些實施例中，焦距補償間隙器之配置具有至少一個對稱平面。在其他實施例中，焦距補償間隙器之配置為非對稱。在另一實施例中，焦距補償間隙器係配置於間隔件之周邊。在一些實施例中，焦距補償間隙器係向內配置，使其等遠離間隔件周邊而朝向間隔件之孔隙。在一些實施例中，焦距補償間隙器係相鄰於一間隔件之孔隙配置。此外，在一些實施例中，每個晶粒位置可使用不同數量之間隙器(404)。雖然圖4繪示各個晶粒具四個間隙器(404)，但各個晶粒位置可設置更少或更多的間隙器。
如本文中所描述，在一些實施例中，光學成像裝置進一步包括一電光學元件。在一些實施例中，一電光學元件包括一電磁輻射感測元件。在一些實施例中，一電磁輻射感測元件包括一感光區域，該感光區域係可操作以偵測由該光學成像裝置接收之電磁輻射。
在一些實施例中，包含感光區域之感測元件包括一半導體。對於包含感光區域之感測元件，可使用未與本發明目的不一致之任何適合半導體。在一些實施例中，半導體包括IV族半導體，包含矽或IV族元素之任何組合。在另一實施例中，半導體包括III/V族半導體或II/VI族半導體。
在一些實施例中，一感測元件之感光區域包括一焦平面陣列。在一些實施例中，一焦平面陣列係包括640x480像素之一VGA感測器。在一些實施例中，該感測器包含較少像素(例如，CIF、QCIF)或較多像素(一或更多兆像素)。
在一實施例中，包含感光區域之一感測元件包括一電荷耦合器件(CCD)。在另一實施例中，包含感光區域之一感測元件包括一互補金屬氧化物半導體(CMOS)架構。
在一些實施例中，一電光學元件產生電磁輻射以供光學成像裝置提供。可使用未與本發明目的不一致之用於產生電磁輻射的任何所要元件。在一些實施例中，一產生電磁輻射之電光學元件包括一個或多個發光二極體(LED)。在一些實施例中，一LED包括諸如無機半導體之無機材料。在其他實施例中，一LED包括諸如有機半導體(包含聚合半導體)之有機材料。在另一實施例中，一LED包括有機材料及無機材料之混合物。
在一些實施例中，由於可以晶圓層級建構如本文中所描述之光學成像裝置，故在另一態樣中，本發明亦提供一種晶圓，該晶圓包括：一第一孔隙與複數個第一焦距補償間隙器，其等對應於一光學晶圓上之一第一光學元件位置；及一第二孔隙與複數個第二焦距補償間隙器，其等對應於該光學晶圓上之一第二光學元件位置。在一些實施例中，該複數個第一焦距補償間隙器之高度係不同於該等第二焦距補償間隙器之高度。在其他實施例中，該複數個第一焦距補償間隙器之高度係與該複數個第二焦距補償間隙器之高度相同或大體上相同。
可將該晶圓耦接至包括該等第一及第二光學元件之該光學晶圓。當耦接至該光學晶圓時，該等第一及第二孔隙分別與該光學晶圓之該等第一及第二光學元件達成所要之對準。此外，該複數個第一焦距補償間隙器將該第一光學元件設定於離一第一影像平面所要距離或高度處，使得該第一光學元件之焦點在該第一影像平面處或附近。類似地，該複數個第二焦距補償間隙器將該第二光學元件設定於離一第二影像平面所要距離或高度處，使得該第二光學元件之焦點在該影像平面處或附近。
如本文中所提供，根據該第一光學元件之焦距及/或其他光學性質，且若該第一光學元件係要與具有一玻璃蓋片之一電光學元件相關聯，則根據任何玻璃蓋片之存在，而決定該等第一焦距補償間隙器之高度。另外，根據該第二光學元件之焦距及/或光學性質，且若該第二光學元件係要與具有一玻璃蓋片之一電光學元件相關聯，則根據任何玻璃蓋片之存在，而決定該等第二焦距補償間隙器之高度。
圖5繪示一晶圓(500)，該晶圓(500)包括：一第一孔隙(502)與複數個第一焦距補償間隙器(504)，其等對應於一光學晶圓上之一第一光學元件位置；及一第二孔隙(506)與複數個第二焦距補償間隙器(508)，其等對應於該光學晶圓上之一第二光學元件位置。由於該第一光學元件與該第二光學元件之光學性質因該光學晶圓內之製造變化而不同，故將該複數個第一焦距補償間隙器(504)設定為不同於該複數個第二焦距補償間隙器(508)之高度的一高度。在圖5所繪示之實施例中，該複數個第一焦距補償間隙器(504)與該複數個第二焦距補償間隙器(508)之高度差係5微米。
除該等第一及第二孔隙外，晶圓(500)包括若干更多孔隙及焦距補償間隙器，其中各個孔隙及相關焦距補償間隙器係對應於包括該等第一及第二光學元件之該光學晶圓上的一個別光學元件位置。
如圖5中所繪示，沿個別光學晶粒之切割道安置間隙器(504、508等)。在此組態中，相鄰晶粒之間隙器(504、508等)係彼此相連，直到在相鄰晶粒之單一化期間被分離為止。
圖9繪示根據本發明之一實施例之在相鄰晶粒位置處的一間隔晶圓。當未對間隔晶圓(900)提供焦距補償間隙器時，間隔晶圓(900)在第一晶粒位置(902)與在第二晶粒位置(904)處之高度係相同或大體上相同。如圖9中所繪示，在第一晶粒位置(902)處對間隔晶圓(900)提供第一高度(906)之焦距補償間隙器，及在第二晶粒位置(904)處對間隔晶圓(900)提供第二高度(908)之焦距補償間隙器，其中第一高度(906)與第二高度(908)不相等。如本文中所描述，可藉由各種方法(包含但不限於切割、雷射燒蝕、拋光、複製等)提供焦距補償間隙器。
圖10繪示圖9之間隔晶圓，其中已對該間隔晶圓提供焦距補償間隙器。在第一晶粒位置(902)處之焦距補償間隙器(910、912)具有不同於在第二晶粒位置(904)處之焦距補償間隙器(914、916)的一高度。此外，焦距補償間隙器(912、914)係彼此相連。在一些實施例中，自用於建立焦距補償間隙器之製程留有殘餘材料(918)。然而，用於單一化光學晶粒(902、904)之裝置的葉寬(920)係足夠寬，以可移除任何殘餘材料(918)。
圖11繪示根據本發明之一實施例的經單一化之光學晶粒(902、904)，該等光學晶粒(902、904)包括具有焦距補償間隙器(910、912、914、916)的間隔件(900)。
在一些實施例中，可決定一光學晶圓之各個光學元件的焦距及/或其他光學性質，且計算各個光學元件之焦距補償。可將各個光學元件之焦距補償映射至圖5中所繪示之一晶圓，使得可調整在各個晶圓位置處之間隙器高度，以提供該光學晶圓之對應光學元件的所要焦距成分。
在另一態樣中，本發明提供一種晶圓總成，其包括一光學晶圓及耦接至該光學晶圓之一第二晶圓，該光學晶圓包括若干光學元件之一陣列。一第一光學晶粒定位於該晶圓總成上之一第一晶粒位置處，且其包括該光學晶圓上之一第一光學元件及該第二晶圓上之若干第一焦距補償間隙器。一第二光學晶粒定位於該光學晶圓上之一第二晶粒位置處，且其包括該光學晶圓上之一第二光學元件及該第二晶圓上之若干第二焦距補償間隙器，其中該等第二焦距補償間隙器之高度係不同於該等第一焦距補償間隙器之高度。
如本文中所描述，在一些實施例中，可根據該第一光學元件之焦距及/或光學性質，且若該第一光學晶粒係要與具有一玻璃蓋片之一電光學元件耦接，則根據一玻璃蓋片之存在，而決定該複數個第一焦距補償間隙器之高度。類似地，在一些實施例中，可根據該第二光學元件之焦距及/或其他光學性質，且若該第二光學晶粒係要與具有一玻璃蓋片之一電光學元件耦接，則根據一玻璃蓋片之存在，而決定該複數個第二焦距補償間隙器之高度。
由於該第一光學元件與該第二光學元件之光學性質因該光學晶圓內之製造變化而不同，故將該複數個第一焦距補償間隙器設定為不同於該複數個第二焦距補償間隙器之高度的一高度。
在另一態樣中，本發明亦提供一種包括複數個經單一化之晶圓級光學晶粒總成的晶圓。在一實施例中，一晶圓包括：一第一經單一化之光學晶粒總成，其包括一第一光學元件、一第一間隔件及若干第一焦距補償間隙器；及一第二經單一化之光學晶粒總成，其包括一第二光學元件、一第二間隔件及若干第二焦距補償間隙器。在一些實施例中，該等第一及第二焦距補償間隙器具有不等高度。
另外，在一些實施例中，該等第一及第二焦距補償間隙器之高度將與該等第一及第二光學晶粒總成耦接之晶圓的高度納入考量。
在一些實施例中，將包括該等第一及第二經單一化之光學晶粒總成之晶圓耦接至包括一第一電光學元件及一第二電光學元件之一晶圓。在一些實施例中，將包括該等經單一化之第一及第二光學晶粒總成的一晶圓耦接至包括第一及第二電光學元件之晶圓可達成該第一經單一化之光學晶粒總成與該第一電光學元件之間的所要對準，且達成該第二經單一化之光學晶粒總成與該第二電光學元件之間的所要對準。在一些實施例中，可在耦接後將包括該等第一及第二光學總成晶粒之晶圓與包括該等第一及第二電光學元件之晶圓單一化，以提供包括該第一光學晶粒及該第一電光學元件之一第一經單一化之光學成像裝置、及包括該第二經單一化之光學晶粒及該第二電光學元件之一第二光學成像裝置。
圖6繪示根據本發明之一實施例的包括一第一經單一化之光學晶粒總成(602)及一第二經單一化之光學晶粒總成(604)的一晶圓(600)。圖6所繪示之實施例中的經單一化之第一光學晶粒總成(602)及經單一化之第二光學晶粒總成(604)各包括一光學元件堆疊(606、608)，該等光學元件堆疊(606、608)包括複數個晶圓級光學元件。將一間隔件(610)耦接至第一光學晶粒總成(602)之光學元件堆疊(606)，且將一間隔件(612)耦接至第二光學晶粒總成(604)之光學元件堆疊(608)。
間隔件(610)包括適當高度之複數個第一焦距補償間隙器(614)，以將第一光學晶粒(602)之光學元件設定於離第一影像平面一所要距離處，使得該等光學元件之焦點係定位於第一影像平面處或附近。類似地，間隔件(612)包括適當高度之複數個第二焦距補償間隙器(616)，以將第二光學晶粒(604)之光學元件設定於離第二影像平面一所要距離處，使得該等光學元件之焦點係定位於第二影像平面處或附近。如本文中所提供，在一些實施例中，第一及第二焦距補償間隙器(614、616)之高度將與第一光學晶粒總成(602)及第二光學晶粒總成(604)耦接之晶圓(600)的高度納入考量。
由於第一光學晶粒總成(602)及第二光學晶粒總成(604)之光學元件因用於生產各別光學堆疊(606、608)之晶圓級光學元件的光學晶圓或光學晶圓批次內之製造變化而具有不同光學性質，故第一焦距補償間隙器(614)具有不同於第二焦距補償間隙器(616)之一高度。
在一些實施例中，晶圓(600)包括與光學元件堆疊(606、608)對準之若干孔隙(620)，以容許輻射以一所要方式通過該晶圓。在一或多個實施例中，孔隙(620)可用作一光闌。
在另一態樣中，本發明提供生產光學成像裝置之方法。如本文中進一步描述，在一些實施例中，本發明之方法可克服在將光學元件組裝為一轉座或套筒後再進行焦點調整之先前光學元件聚焦技術之一或多個無效性。
圖7提供概述根據本發明之一實施例生產一光學成像裝置之方法的流程圖。提供至少一晶圓級光學元件(702)且量測或藉理論決定該晶圓級光學元件之焦距(704)。在一些實施例中，可藉由沈積玻璃及/或聚合材料而於一晶圓基板上形成光學表面或藉由蝕刻或燒蝕一基板表面來提供晶圓級光學元件。
另外，如本文中所描述，在一些實施例中，提供複數個晶圓級光學元件作為一光學元件堆疊。在此等實施例中，量測或藉理論決定該光學元件堆疊之焦距。
將一間隔件耦接至該晶圓級光學元件或該光學元件堆疊(706)。於該間隔件上提供複數個間隙器(708)。在一些實施例中，該複數個間隙器係接合至該間隔件。在其他實施例中，該複數個間隙器係與該間隔件相連或與該間隔件形成一單體結構。
在其中該等間隙器係與該間隔件相連或與該間隔件形成一單體結構之一些實施例中，該等間隙器係藉由若干製程建立，包含(但不限於)切割、切削、蝕刻、切斷或微影燒蝕該間隔件。在其中該等間隙器係與該間隔件相連或與該間隔件形成一單體結構之其他實施例中，該等間隙器係在模製該間隔件時形成。例如，在一實施例中，提供一具有配合該複數個間隙器之形狀的模具，且將該等間隙器與該間隔件共同模製。
或者，在其中該等間隙器係接合至該間隔件之一些實施例中，該等間隙器可藉由複製技術而沈積或藉由一黏著劑而接合至該間隔件。例如，在一些實施例中，可藉由步進及重複複製技術於該間隔件上對應於一或多個晶粒位置地提供若干間隙器。
計算或決定該晶圓級光學元件或光學元件堆疊相對於一影像平面之焦距補償(710)。如本文中所描述，可根據該光學元件之焦距及安置於一晶圓級光學元件與該影像平面之間的任何結構(諸如一玻璃蓋片、其他間隔件或一透鏡固持器)之尺寸來計算該晶圓級光學元件之焦距補償。
調整該複數個間隙器之高度以使該晶圓級光學元件或光學元件堆疊之焦點在該所要影像平面處或附近(712)。在一些實施例中，藉由若干製程調整間隙器高度，其包含(但不限於)沿軸向切斷、拋光或以其他方式修整該等間隙器。在一實施例中，由一切割鋸之周緣調整間隙器高度。在一實施方案中，使用用於單一化個別晶粒之切割鋸來調整間隙器高度。在其他實施例中，可藉由利用雷射或其他形式之電磁輻射沿軸向燒蝕該等間隙器而調整間隙器高度。
在一些實施例中，調整一間隙器高度使該間隙器具有一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面，該安裝表面具有不同於該間隔件之至少一其他表面粗糙度的一表面粗糙度。在一些實施例中，一經調整之間隙器的一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面之一表面粗糙度係小於該間隔件之至少一其他表面粗糙度。在其他實施例中，一經調整之間隙器的一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面之一表面粗糙度係大於該間隔件之至少一其他表面粗糙度。在一些實施例中，一經調整之間隔件的一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面可具有本文中所描述之任何Sa 及Sq 值。
在一些實施例中，當沿軸向調整一間隙器高度時，具有不同於該間隔件之一表面粗糙度的一表面粗糙度之間隙器表面係安裝或耦接一電光學元件或玻璃蓋片之表面。
在一些實施例中，一種生產一光學成像裝置之方法進一步包括將一電光學元件耦接至該等間隙器之安裝表面(714)。在一些實施例中，將一電光學元件之玻璃蓋片耦接至該等間隙器之安裝表面。此外，在一些實施例中，該電光學元件之一表面與該晶圓級光學元件或光學元件堆疊之影像平面重合。
圖8提供概述根據本發明之一實施例的生產光學成像裝置之方法的流程圖。提供一光學晶圓，該光學晶圓包括在一第一晶粒位置處之一第一光學元件及在一第二晶粒位置處之一第二光學元件(802)。可藉由本文中描述之任何技術或晶圓級光學器件技術中已知之任何技術來提供該等第一及第二光學元件。決定該第一光學元件之焦距，且決定該第二光學元件之焦距(804)。
將一間隔晶圓耦接至該光學晶圓(806)。於該第一晶粒位置處將複數個第一間隙器提供於該間隔晶圓上，以提供一第一光學晶粒(808)。於該第二晶粒位置處將複數個第二間隙器提供於該間隔晶圓上，以提供一第二光學晶粒(810)。可以本文中所描述之任何方式將該複數個第一間隙器及該複數個第二間隙器提供於該間隔晶圓上，其包含(但不限於)切割、切削、蝕刻、切斷、微影燒蝕該間隔件或步進及重複複製技術。計算該第一光學元件相對於一第一影像平面之焦距補償(812)。計算該第二光學元件相對於一第二影像平面之焦距補償(814)。
調整該複數個第一間隙器之高度，以使該第一光學元件之焦點在該第一影像平面處或附近(816)。調整該複數個第二間隙器之高度，以使該第二光學元件之焦點在第二影像平面處或附近(818)。可根據本文中所描述之任何方法來調整該等第一及第二間隙器之高度。此外，在一些實施例中，調整該等第一及第二間隙器之高度使該等第一及第二間隙器具有不同於該間隔件之一表面粗糙度的一表面粗糙度。
在一些實施例中，單一化該第一光學晶粒及該第二光學晶粒(820)。在一些實施例中，將一第一電光學元件耦接至該第一經單一化之光學晶粒之該等第一間隙器的一或多個安裝表面，以提供一第一光學成像裝置(822)。在一些實施例中，將一第二電光學元件耦接至該第二經單一化之光學晶粒之該等第二間隙器的一或多個安裝表面以提供一第二光學成像裝置(824)。
在另一實施例中，將該經單一化之第一光學晶粒及該經單一化之第二光學晶粒耦接至一基板晶圓(826)。將該基板晶圓耦接至包括一第一電光學元件及一第二電光學元件之一電光學元件晶圓(828)。在一些實施例中，將該基板耦接至該電光學元件晶圓達成該第一經單一化之光學晶粒與該第一電光學元件之間的所要對準，且達成該第二光學晶粒與該第二電光學元件之間的所要對準。此外，在一些實施例中，該第一影像平面與該第一電光學元件之一表面重合，且該第二影像平面與該第二電光學元件之一表面重合。
單一化該基板及該等第一及第二電光學元件，以提供一第一經單一化之光學成像裝置及一第二經單一化之光學成像裝置(830)。
在另一實施例中，一種生產一光學成像裝置之方法包括：提供至少一晶圓級光學元件，決定該晶圓級光學元件之焦距，提供一間隔件，於該間隔件上提供複數個間隙器，計算該光學元件相對於一影像平面之焦距補償，調整該等間隙器之高度以使該晶圓級光學元件之焦點在該影像平面處或附近，及將晶圓級光學元件耦接至該等間隙器之安裝表面。在一些實施例中，一種生產一光學成像裝置之方法進一步包括將一電光學元件耦接至該間隔件。
已描述本發明之各種實施例以實現本發明之各種目的。應瞭解此等實施例僅說明本發明之原理。熟習此項技術者應瞭解在不脫離本發明之精神及範疇下可對其作出諸多修改及調適。
12．．．光學成像裝置
14．．．晶圓級光學元件
16．．．晶圓級光學元件
18．．．晶圓級光學元件
20．．．電光學元件
24．．．光學表面
26．．．光學表面
28．．．光學表面
30．．．基板
32．．．基板
34．．．基板
36．．．間隔件
38．．．間隔件
40．．．間隔件
42．．．焦距補償間隙器
44．．．安裝表面
46．．．玻璃蓋片
48．．．光束
102．．．光學成像裝置
104．．．光學成像裝置
106．．．光學成像裝置
108．．．光束
110．．．光學元件堆疊
112．．．影像感測器
114．．．間隔晶圓
300．．．光學成像裝置
302．．．晶圓級光學元件
304．．．晶圓級光學元件
306．．．晶圓級光學元件
310．．．光學表面
312．．．光學表面
314．．．光學表面
316．．．基板
318．．．基板
320．．．基板
322．．．間隔件
324．．．間隔件
326．．．間隔件
328．．．電光學元件
330．．．焦距補償間隙器
332．．．安裝表面
334．．．光束
336．．．玻璃蓋片
400．．．光學晶粒
402．．．間隔件
404．．．焦距補償間隙器
406．．．孔隙
500．．．晶圓
502．．．第一孔隙
504．．．第一焦距補償間隙器
506．．．第二孔隙
508．．．第二焦距補償間隙器
600．．．晶圓
602．．．第一光學晶粒總成
604．．．第二光學晶粒總成
606．．．光學元件堆疊
608．．．光學元件堆疊
610．．．間隔件
612．．．間隔件
614．．．第一焦距補償間隙器
616．．．第二焦距補償間隙器
620．．．孔隙
900．．．間隔晶圓
902．．．第一晶粒位置
904．．．第二晶粒位置
906．．．第一高度
908．．．第二高度
910．．．焦距補償間隙器
912．．．焦距補償間隙器
914．．．焦距補償間隙器
916．．．焦距補償間隙器
918．．．殘餘材料
920．．．葉寬
圖1繪示特徵在於不同焦距之光學成像裝置；
圖2繪示由(若干)普通晶圓所建立之光學元件之焦距的一例示性分佈圖；
圖3繪示根據本發明之一實施例的一光學成像裝置；
圖4繪示根據本發明之一些實施例的各種形狀之間隙器；
圖5繪示根據本發明之一實施例的包括複數個孔隙及複數個焦距補償間隙器之一間隔晶圓；
圖6繪示根據本發明之一實施例的耦接至一晶圓之一經單一化之光學晶粒；
圖7係概述根據本申請案之一實施例生產一光學成像裝置之方法的流程圖；
圖8係概述根據本發明之一實施例生產光學成像裝置之方法的流程圖；
圖9繪示根據本發明之一實施例的在相鄰晶粒位置處之一間隔晶圓；
圖10繪示根據本發明之一實施例的在相鄰晶粒位置處且包括若干焦距補償間隙器之一間隔晶圓；
圖11繪示根據本發明之一實施例的若干經單一化之光學晶粒，該等光學晶粒包括具有若干焦距補償間隙器的一間隔晶圓；
圖12繪示根據本發明之一實施例的一光學成像裝置；及
圖13繪示根據本發明之一實施例的一電光學元件或晶圓級光學元件安裝表面在x方向及y方向上之表面粗糙度頻率。
300‧‧‧光學成像裝置
302‧‧‧晶圓級光學元件
304‧‧‧晶圓級光學元件
306‧‧‧晶圓級光學元件
310‧‧‧光學表面
312‧‧‧光學表面
314‧‧‧光學表面
316‧‧‧基板
318‧‧‧基板
320‧‧‧基板
322‧‧‧間隔件
324‧‧‧間隔件
326‧‧‧間隔件
328‧‧‧電光學元件
330‧‧‧焦距補償支架
332‧‧‧安裝表面
334‧‧‧光束
336‧‧‧玻璃蓋片

Claims (28)

  1. 一種光學成像裝置，包括：至少一個晶圓級光學元件；間隔件，耦接至該至少一個晶圓級光學元件；以及複數個焦距補償間隙器，在該間隔件上，該複數個焦距補償間隙器界定具有不同於該間隔件之至少一個其他表面粗糙度的表面粗糙度之電光學元件安裝表面或晶圓級光學元件安裝表面，其中，該焦距補償間隙器之表面粗糙度與該間隔件之至少一個其他表面之粗糙度的差異為至少約10%，且其中，該複數個焦距補償間隙器彼此分開且遠離該間隔件之周邊而朝內配置。
  2. 如請求項1之光學成像裝置，其中，該複數個焦距補償間隙器與該間隔件相連。
  3. 如請求項1之光學成像裝置，其中，該複數個焦距補償間隙器接合至該間隔件。
  4. 如請求項1之光學成像裝置，進一步包括電光學元件，該電光學元件耦接至該電光學元件安裝表面。
  5. 如請求項1之光學成像裝置，其中，該複數個焦距補償間隙器具有多邊形形狀。
  6. 如請求項1之光學成像裝置，其中，該複數個焦距補償間隙器具有圓柱形、球形、橢圓形或圓錐形形狀。
  7. 如請求項4之光學成像裝置，其中，該至少一個晶圓級光學元件之焦點在該電光學元件之表面處或附近。
  8. 如請求項1之光學成像裝置，其中，該複數個焦距補償間隙器安置於該間隔件之周邊處。
  9. 如請求項1之光學成像裝置，其中，該電光學元件安裝表面或該晶圓級光學元件安裝表面在第一方向上之表面粗糙度頻率不同於在第二方向上之表面粗糙度頻率。
  10. 一種晶圓，包括：第一孔隙；複數個第一焦距補償間隙器，於第一高度，該第一孔隙與該複數個第一焦距補償間隙器對應於光學晶圓上之第一光學元件位置；第二孔隙；以及複數個第二焦距補償間隙器，於第二高度，該第二孔隙與該複數個第二焦距補償間隙器對應於該光學晶圓上之第二光學元件位置，其中，該複數個第一焦距補償間隙器彼此分開且遠離該第一光學元件位置之周邊而朝內並朝該第一孔隙配置，且其中，該複數個第二焦距補償間隙器彼此分開且遠離該第二光學元件位置之周邊而朝內並朝該第二孔隙配置。
  11. 如請求項10之晶圓，其中，該第一高度與該第二高度不同。
  12. 如請求項10之晶圓，其中，該第一高度與該第二高度相同。
  13. 一種晶圓總成，包括： 光學晶圓，包括一系列的光學元件；第二晶圓，耦接至該光學晶圓；第一光學晶粒，定位於該晶圓總成上之第一晶粒位置，該第一光學晶粒包括該光學晶圓上之第一光學元件及該第二晶圓上之複數個第一焦距補償間隙器；以及第二光學晶粒，定位於該晶圓總成上之第二晶粒位置，該第二光學晶粒包括該光學晶圓上之第二光學元件及該第二晶圓上之複數個第二焦距補償間隙器，其中，該複數個第一焦距補償間隙器彼此分開且遠離該第一晶粒位置之周邊而朝內配置，且其中，該複數個第二焦距補償間隙器彼此分開且遠離該第二晶粒位置之周邊而朝內配置。
  14. 如請求項13之晶圓總成，其中，該複數個第一焦距補償間隙器具有不同於該複數個第二焦距補償間隙器之高度。
  15. 如請求項13之晶圓總成，其中，該複數個第一焦距補償間隙器具有與該複數個第二焦距補償間隙器相同之高度。
  16. 一種總成，包括：晶圓；以及第一經單一化之光學晶粒，耦接至該晶圓，該第一經單一化之光學晶粒包括第一光學元件、耦接至該第一光學元件之第一間隔件及設置於該第一間隔件上之複數個第一焦距補償間隙器， 其中，該複數個第一焦距補償間隙器彼此分開且遠離該第一間隔件之周邊而朝內配置。
  17. 如請求項16之總成，進一步包括耦接至該晶圓之第二經單一化之光學晶粒，該第二經單一化之光學晶粒包括第二光學元件、第二間隔件及複數個第二焦距補償間隙器。
  18. 一種生產光學成像裝置之方法，該方法包括：提供至少一個晶圓級光學元件；決定該至少一個晶圓級光學元件之焦距；將間隔件耦接至該至少一個晶圓級光學元件；於該間隔件上提供彼此分開的複數個間隙器且將該複數個間隙器遠離該間隔件之周邊而朝內配置；計算該至少一個晶圓級光學元件相對於影像平面之焦距補償；以及調整該複數個間隙器之高度，以使該至少一個晶圓級光學元件之焦點在該影像平面處或附近。
  19. 如請求項18之方法，進一步包括將電光學元件耦接至該複數個間隙器之安裝表面。
  20. 如請求項19之方法，其中，該影像平面與該電光學元件之表面重合。
  21. 如請求項18之方法，其中，該至少一個晶圓級光學元件包括光學元件堆疊，該光學元件堆疊包括複數個晶圓級光學元件。
  22. 一種生產複數個光學成像裝置之方法，該方法包 括：提供至少一個光學晶圓，該至少一個光學晶圓包括在該光學晶圓上之第一晶粒位置處的第一光學元件及第二晶粒位置處的第二光學元件；決定該第一光學元件之焦距及該第二光學元件之焦距；將間隔晶圓耦接至該至少一個光學晶圓；於該第一晶粒位置處將彼此分開的複數個第一間隙器提供於該間隔晶圓上且將該複數個第一間隙器遠離該間隔件之周邊而朝內配置以生產第一光學晶粒；於該第二晶粒位置處將彼此分開的複數個第二間隙器提供於該間隔晶圓上且將該複數個第二間隙器遠離該間隔件之周邊而朝內配置以提供第二光學晶粒；計算該第一光學元件相對於第一影像平面之焦距補償；計算該第二光學元件相對於第二影像平面之焦距補償；調整該複數個第一間隙器之高度，以使該第一光學元件之焦點在該第一影像平面處或附近；以及調整該複數個第二間隙器之高度，以使該第二光學元件之焦點在該第二影像平面處或附近。
  23. 如請求項22之方法，進一步包括單一化該第一光學晶粒及該第二光學晶粒。
  24. 如請求項23之方法，進一步包括將第一電光學元 件耦接至該複數個第一間隙器之安裝表面，以提供第一光學成像裝置。
  25. 如請求項23之方法，進一步包括將第二電光學元件耦接至該複數個第二間隙器之安裝表面，以提供第二光學成像裝置。
  26. 如請求項23之方法，進一步包括將該經單一化之第一光學晶粒及該經單一化之第二光學晶粒耦接至晶圓。
  27. 如請求項26之方法，進一步包括將包括該經單一化之第一光學晶粒及該經單一化之第二光學晶粒之該晶圓耦接至包括第一電光學元件及第二電光學元件之電光學晶圓，藉此將該第一光學晶粒與該第一電光學元件對準且將該第二光學晶粒與該第二電光學元件對準。
  28. 如請求項27之方法，進一步包括單一化該晶圓及該第一電光學元件及該第二電光學元件，以提供第一光學成像裝置及第二光學成像裝置。
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