JP6223975B2 - 光学装置の、特にコンピュテーショナルカメラ用モジュールのウェハレベルの製作 - Google Patents

光学装置の、特にコンピュテーショナルカメラ用モジュールのウェハレベルの製作 Download PDF

Info

Publication number
JP6223975B2
JP6223975B2 JP2014526351A JP2014526351A JP6223975B2 JP 6223975 B2 JP6223975 B2 JP 6223975B2 JP 2014526351 A JP2014526351 A JP 2014526351A JP 2014526351 A JP2014526351 A JP 2014526351A JP 6223975 B2 JP6223975 B2 JP 6223975B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
spacer
wafer
members
processing step
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014526351A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014526067A5 (ja
JP2014526067A (ja
Inventor
ラドマン,ハルトムート
マルック,マティアス
ビーチ,アレクサンダー
レントゲン,ペーター
ハイムガルトナー,シュテファン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Sensors Singapore Pte Ltd
Original Assignee
Heptagon Micro Optics Pte Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heptagon Micro Optics Pte Ltd filed Critical Heptagon Micro Optics Pte Ltd
Publication of JP2014526067A publication Critical patent/JP2014526067A/ja
Publication of JP2014526067A5 publication Critical patent/JP2014526067A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6223975B2 publication Critical patent/JP6223975B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/001Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras
    • G02B13/0085Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras employing wafer level optics
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/361Removing material for deburring or mechanical trimming
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49718Repairing
    • Y10T29/49748Repairing by shaping, e.g., bending, extruding, turning, etc.
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T83/00Cutting
    • Y10T83/04Processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Lens Barrels (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Camera Bodies And Camera Details Or Accessories (AREA)
  • Studio Devices (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Description

本発明は光学部品、より特定的にマイクロ光学部品の分野に関する。特に、本発明は、光学系、光電子モジュールおよびカメラなどの光学装置のウェハレベルの製作に関する。本発明は、請求項の冒頭の節に係る方法および器具に関する。
発明の背景
WO 2011/156928 A2(2011年6月10日出願)として公開された国際特許出願より、ウェハレベルで製作可能なカメラおよびカメラ用光モジュールが公知である。当該特許出願では、カメラおよびカメラ用光モジュールならびにそれらの製造方法が多少詳細に開示されている。したがって、当該特許出願WO 2011/156928 A2は引用により本特許出願に援用される。
用語の定義
「能動光学部品」:光検知部品または発光部品。たとえば、フォトダイオード、画像センサ、LED、OLED、レーザチップ。
「受動光学部品」:レンズ、プリズム、ミラー、または光学系などの、屈折および/または回折および/または反射によって光の方向を変える光学部品であり、光学系は、開口絞り、画像スクリーン、ホルダなどの機械的要素も含み得るこのような光学部品の集まりである。
「光電子モジュール」:少なくとも1つの能動光学部品および少なくとも1つの受動光学部品が含まれる部品。
「複製」:所与の構造またはそのネガを再現する技術。たとえば、エッチング、エンボス加工、インプリンティング、鋳造、成形。
「ウェハ」:実質的に円盤状または板状の物体であり、一方向(z方向または縦方向)におけるその延在部は、他の2方向(xおよびy方向または横方向)におけるその延在部よりも小さい。通常、(ブランクでない)ウェハ上に、複数の同様の構造または物体が典型的に矩形グリッドで配置されるか内部に設けられる。ウェハは開口または孔を有してもよく、ウェハはその横方向領域の主要部分に材料を含まなくてもよい。多くの文脈において、ウェハは一般的に半導体材料からなると理解されるが、本特許出願においてはこれは明らかに限定事項ではない。したがって、ウェハは一般的に、たとえば半導体材料、ポリマ材料、金属およびポリマまたはポリマおよびガラス材料を含む複合材料からなり得る。特に、熱硬化性または紫外線硬化性ポリマなどの硬化性材料が、本発明に関連して対象となるウェハ材料である。
「横」:「ウェハ」参照。
「縦」:「ウェハ」参照。
「光」:最も一般的に電磁放射であり、より特定的に、電磁スペクトルの赤外線部分、可視部分または紫外線部分の電磁放射。
発明の要約
本発明の1つの目的は、装置、特に光学系、光電子モジュールおよびカメラなどの光学装置の代替的な製造方法を提供することであり、特に、装置、特に光学系、光電子モジュールおよびカメラなどの光学装置の改善された製造方法を提供することである。さらに、対応する装置、特に光学系、光電子モジュールおよびカメラなどの光学装置、ならびにウェハおよびウェハスタックなどの関連の装置および器具も提供される。
本発明の別の目的は、光学系、光電子モジュールおよびカメラなどの光学装置の製造における製造歩留まりを改善することである。
本発明の別の目的は、光学系、光電子モジュールおよびカメラなどの光学装置の、特にこれらがウェハスケールで製造されるときの品質を改善することである。
さらなる目的が以下の説明および実施形態から明らかになる。
これらの目的の少なくとも1つは、特許請求項に係る器具および方法によって、ならびに/または以下に記載の器具および方法によって、少なくとも部分的に達成される。
本発明は特に、カメラおよびカメラ用モジュール(特に光電子モジュール)、ならびにその構成要素、ならびにこれらのいずれかの製造時に用いられるおよびウェハおよびウェハスタックに関し、特に、カメラおよび/またはカメラ用モジュール(特に光電子モジュール)および/またはその構成要素および/またはウェハおよび/またはウェハスタックの製造方法にさらに関する。製造は通常、ウェハスケールの製造ステップを含む。
装置、特に光学装置の製造時には、たとえば、単に、1つ以上の処理ステップにおいて多少避けられない変化または不正確さのために、製造異常または製造偏差が発生し得る。たとえば、装置が少なくとも1つのレンズ要素を含む場合、ウェハ(光学ウェハと称される)上の複数のそのようなレンズ要素は、名目上は同じ焦点距離を有するにも関わらず、実際は、(若干)異なる焦点距離を有する。
ウェハレベルで製造異常を少なくとも部分的に訂正または補償することによって、装置の歩留まりおよび/または光学特性を改善できることがわかっている。
そのような製造異常をウェハレベルで補償するスペーサウェハが提案される。このようなスペーサウェハは通常、複数の(M≧2、Mは整数)スペーサ部材を含み、特に、複数のスペーサ部材の各々は、(光が通過するための)等価な幾何学的長さを有するN≧2個の光学経路(Nは整数)を有するが、光学経路の少なくとも2つは互いに異なる光路長を呈することが提案される。特に、ここにおいて、光学経路はスペーサ部材全体にわたって縦方向に延在する。そして特に、幾何学的長さは縦方向に沿った長さであり、および/または幾何学的長さはスペーサ部材全体にわたる長さである。
典型的に、N個の光学経路はアレイの形態で配置される。
特に、以下の実施形態が、少なくとも本発明の具体的な観点または局面において、本発明にとって特徴的であり得る。
装置:
装置は、光学部材およびスペーサ部材を含み、光学部材は、各々が1つ以上の受動光学部品を含むN≧2セットの受動光学部品を含み、スペーサ部材はN個の光学経路を含み、N個の光学経路の各々は、Nセットの受動光学部品の1つに関連付けられる。N個の光学経路のすべては等価な幾何学的長さを有し、第1のN個の光学経路の光路長は少なくとも1つの第2のN個の光学経路の光路長とは異なる。
一実施形態において、スペーサ部材は、N個の光学経路のすべてが等価な幾何学的長さを有するように、かつ第1のN個の光学経路の光路長が少なくとも1つの第2のN個の光学経路の光路長とは異なるように構成され、特に、スペーサ部材はこのように成形される。
上述の実施形態と組合わせられ得る一実施形態において、N個の光学経路の各々について、光路長は、それぞれの関連付けられた光学部材の製造異常、特にそれぞれの関連付けられた光学部材の受動光学部品のセットの受動光学部品の製造異常に関する値を有し、および/または製造異常に依存して選択される。
最後に述べた実施形態を参照する一実施形態において、光学部材は少なくとも1つのレンズ要素を含み、製造異常は、少なくとも1つのレンズ要素の特徴的な大きさの名目値からの偏差を含む。特に、名目値は、少なくとも1つのレンズ要素の焦点距離であり得る。
上述の実施形態の1つ以上と組合わせられ得る装置の一実施形態において、N個の光学経路の少なくとも1つは、スペーサ部材の止まり穴を含む。特に、少なくとも1つの止まり穴は、少なくとも第1の1つのN個の光学経路と少なくとも第2の1つの光学経路との間の光路長の差を達成するのに寄与するように設けられ得る。特に、これら少なくとも2つの光学経路の各々について、それぞれの止まり穴の長さはそれぞれの光学経路の光路長に関連していてもよく、より特定的に、第1の少なくとも2つの止まり穴の長さは、第2の1つの少なくとも2つの止まり穴の長さとは異なる。
上述の実施形態の1つ以上と組合わせられ得る一実施形態において、スペーサ部材は、互いに異なる材料からなる第1の層および第2の層を含み、特に、第2の層はポリマ材料からなり、および/または第1の層は異なるポリマ材料もしくはガラスからなる。層は特に、一般的に横方向に延在するインターフェイスを形成し得る(このインターフェイスにおいて層同士が互いに接合される)。それらは特に、実質的にブロック状または板状であり得る。層はスペーサであるとも考えられ得る。
特に、光学経路の各々における第2の層の縦方向の延在部は、それぞれの関連付けられた光学部材の製造異常に関連しているか、または製造異常に依存して選択されるようにしてもよい。さらに、第1の層の縦方向の延在部は、領域の各々について実質的に同じであるようにしてもよい。
上述の実施形態の1つ以上と組合わせられ得る一実施形態において、スペーサ部材は、N個の光学経路の各々を(横方向に)取囲む経路壁を含み、N個の光学経路の1つ以上の内部に、特にN個の光学経路の各々の内部に、透明材料が存在する。第1のN個の光学経路内に存在する透明材料の量は、第2の1つのN個の光学経路内に存在する透明材料の量とは異なる。それらの量は、製造異常の求められる補償が得られるように選択され得る。経路壁は不透明であり、特に、それらは不透明材料からなるようにしてもよい。開口を取囲む複数のこのような経路壁を含む複製によってウェハを製造することも可能であり、そのようなウェハは、たとえばプリズム状または管状の開口を有する平坦な篩の形状であってもよい。さらに、透明材料は硬化した硬化性材料であるようにしてもよい。こうして、材料を液体形態で経路に充填し、その後で硬化することができる。1つのN個の光学経路内に存在する透明材料は、特に、縦方向に規定される範囲に沿ってそれぞれの経路を完全に充填し得、特に、縦方向に規定される範囲は、それぞれの経路の端で終わる。
上述の実施形態の1つ以上と組合わせられ得る一実施形態において、Nセットの受動光学部品の各々は特徴的な大きさを有し、特徴的な大きさは、Nセットの受動光学部品のすべてについて名目上は同じである。特徴的な大きさは、たとえば焦点距離であり得る。光路長の差は、2つ以上のNセットの受動光学部品同士の間の特徴的な大きさの望ましくない差を少なくとも部分的に補償するように設けられるようにしてもよい。望ましくない差は、特に製造異常に起因し得る。これは、受動光学部品が複製を用いて製造される場合に特に有用であり得る。複製プロセスでは製造異常が発生する可能性があり、これは繰返し可能であり、すなわち、複製プロセスを繰返し実行する際にまったく同様に、またはほぼ同様に発生する。
上述の実施形態の1つ以上と組合わせられ得る一実施形態において、光学部材は複製を用いて製造され、特に、Nセットの少なくとも1つについて(より特定的にNセットの各々について)、1つ以上の受動光学部品の少なくとも1つが複製を用いて製造される。より具体的に、Nセットの各々について、1つ以上の受動光学部品のすべてが複製を用いて製造されるようにしてもよい。
上述の実施形態の1つ以上と組合わせられ得る一実施形態において、装置は、検出部材と称される部材を含み、検出部材はN個の能動光学部品を含み、N個の能動光学部品の各々は、Nセットの受動光学部品の1つに関連付けられており、特に、N個の能動光学部品の各々は光検知部品である。スペーサ部材は、特に検出部材と光学部材との間に配置され得る。このような装置は特に、N個のサブ画像を捕捉するための装置であり得、サブ画像の各々は、N個の能動光学部品の1つによって捕捉される。そして典型的に、サブ画像は、フル画像を生成するために処理されるサブ画像である。このため、装置は、N個の能動光学部品の各々に操作的に接続されたマイクロプロセッサを含み得る。マイクロプロセッサは特に、N個のサブ画像を処理するように、より具体的にN個のサブ画像からフル画像を生成するように構成され得る。マイクロプロセッサは、たとえば検出部材に含まれ得る。
第1の局面における機器:
機器は、第1の局面において、本特許出願に記載されるような複数の装置を含む。特に、機器は、本特許出願に記載されるようなM≧2個の装置を含む少なくとも1つのウェハを含み得る。このような機器は特に、ウェハまたはウェハスタックであり得る。
第2の局面における機器:
機器は、第2の局面において、スペーサウェハと称されるウェハを含み、スペーサウェハはM≧2個のスペーサ部材を含み、スペーサ部材の各々はN≧2個の光学経路を含み、スペーサ部材の各々について、それぞれのN個の光学経路のすべてが等価な幾何学的長さを有すること、および、第1のそれぞれのN個の光学経路の光路長は少なくとも1つの第2のそれぞれのN個の光学経路の光路長とは異なることが当てはまり、Mは整数であり、Nは整数である。このような機器は特に、ウェハまたはウェハスタックであり得る。
機器の一実施形態において、第1の1つのM個のスペーサ部材の幾何学的長さは、少なくとも第2の1つのM個のスペーサ部材の幾何学的長さとは異なる。代替的に、幾何学的長さは、M個のスペーサ部材のすべてについて、(少なくとも名目上は)等しくてもよい。
上述の実施形態と組合わせられ得る一実施形態において、スペーサウェハは、互いに異なる材料からなる第1の層および第2の層を含み、特に、第1の層の縦方向の延在部(または厚み)は領域の各々について実質的に同じである。層は特に、実質的に板状であり得る。それらはウェハであるとも考えられ得る。
上述の実施形態の1つ以上と組合わせられ得る一実施形態において、機器は、光学ウェハと称されるウェハを含み、光学ウェハは、各々がNセットの受動光学部品を含むM個の光学部材を含み、Nセットの受動光学部品の各々は1つ以上の受動光学部品を含む。特に、スペーサウェハおよび光学ウェハはウェハスタックに含まれ得、ならびに/または、M個の光学部材の各々はM個のスペーサ部材の異なる1つに関連付けられる。
本発明は、本発明に係る対応する装置の特徴を有する機器を含み、逆の場合も同じであり、本発明に係る対応する機器の特徴を有する装置をさらに含む。
装置の利点は基本的に、対応する機器の利点に対応し、逆の場合も同じであり、機器の利点は基本的に、対応する装置の利点に対応する。
さらに、機器の第1および第2の局面を組合せることも可能である。
第1の具体的な観点における方法:
第1の具体的な観点において、本特許出願に記載されるような装置を製造するための方法は、M≧2個のスペーサ部材を含むスペーサウェハを提供するステップを含み、Mは整数である。特に、方法は、スペーサウェハを製造するステップを含む。ウェハレベルの製造は装置を製造するのに特に好適であり得、高歩留まりで(寸法的にまたは光学的に)公差を厳しくして製造することができる。
一実施形態において、方法は、切断および/または機械加工および/またはドリル加工および/またはレーザアブレーションを用いてスペーサウェハを製造するステップを含み、特に、切断および/または機械加工および/またはドリル加工および/またはレーザアブレーションによって、スペーサウェハに複数の止まり穴が作られ、より特定的に、複数の止まり穴はすべてが同じ長さであるとは限らない。これは、すべての光学経路について同じ幾何学的経路長を有しつつさまざまな異なる光路長を実現する効率的な方法であり得る。
上述の実施形態の1つ以上と組合わせられ得る一実施形態において、方法は、スペーサウェハを製造するステップを含み、スペーサウェハを製造するステップは、
ウェハを提供するステップと、
ウェハの縦方向の延在部を局所的に減少させるステップとを含み、
ウェハの縦方向の延在部を局所的に減少させるステップは、第1の処理ステップを実行するステップと、第1の処理ステップの後に第1の処理ステップとは異なる第2の処理ステップを実行するステップとを含む。より特定的に、第1の処理ステップは、
適用される処理技術、
それぞれの処理ステップで用いられる工具、
それぞれの処理ステップで用いられる少なくとも1つの処理パラメータ
の少なくとも1つにおいて、第2の処理ステップとは異なるようにしてもよい。
さらに、第1の処理ステップは、複数の領域からの材料の除去速度が第2の処理ステップよりも高い速度で行われるようにしてもよい。
最後に述べた実施形態を参照する一実施形態において、第1の処理ステップは、スペーサ部材のすべての光学経路について同時に実行され、第2の処理ステップは、スペーサ部材の異なる光学経路について別々に実行される。
上述の実施形態と組合わせられ得る一実施形態において、方法は、
光学経路の各々について1つずつ、複数の孔を有するウェハを提供するステップを含み、特に、孔は貫通孔であり、さらに、
液体状態の硬化性材料を孔に充填するステップと、
孔内の硬化性材料を硬化させるステップとを含み、
硬化性材料は、少なくとも硬化されると透明になる。
上述の実施形態の1つ以上と組合わせられ得る一実施形態において、スペーサウェハは、互いに異なる材料からなる第1の層および第2の層を含み、特に、方法は、第2の層から材料を除去するステップを含み、より特定的に、第2の層はポリマ材料からなる。材料の除去はより具体的に、光学経路の光路長を調節する役割を果たし得る。さらに、第1の層から材料を除去しないように、特に光学経路の光路長を調節するためには除去しないようにしてもよい。第1および第2の層は、2つの互いに接着した板を形成し得る。
本発明は、本発明に係る対応する装置または機器の特徴を有する方法を含み、逆の場合も同じであり、本発明に係る対応する方法の特徴を有する装置および機器をさらに含む。
方法の利点は基本的に、対応する装置および機器の利点にそれぞれ対応し、逆の場合も同じであり、装置および機器の利点は基本的に、対応する方法の利点にそれぞれ対応する。
第2の具体的な観点における方法:
第2の具体的な観点において、方法は装置を製造するための方法であり、特に、装置はカメラまたはカメラ用光電子モジュールであり、方法は、
M≧2個のスペーサ部材を含むスペーサウェハを提供する、特に製造するステップを含み、Mは整数であり、M個のスペーサ部材の各々はN≧2個の光学経路を含み、Nは整数であり、方法はさらに、
M個の光学部材を含む光学ウェハを提供する、特に製造するステップを含み、M個の光学部材の各々は、各々が1つ以上の受動光学部品を含むNセットの受動光学部品を含み、方法はさらに、
M個の検出部材を含む検出ウェハを提供する、特に製造するステップを含み、M個の検出部材の各々はN個の能動光学部品を含み、
M個のスペーサ部材の各々は、光学部材の異なる1つに関連付けられ、かつ検出部材の異なる1つに関連付けられ、
M個のスペーサ部材の各々について、それぞれのN個のスペーサ部材の各々は、関連付けられた光学部材のNセットの能動光学部品の異なる1つに関連付けられ、かつ関連付けられた検出部材のN個の能動光学部品の異なる1つに関連付けられ、
M個のスペーサ部材および関連付けられた光学部材および関連付けられた検出部材の少なくとも1つ、より特定的に複数について、
それぞれのスペーサ部材のN個の光学経路のすべては、関連付けられた光学部材の関連付けられたセットの受動光学部品からそれぞれの光学経路を通って関連付けられた検出部材の関連付けられた能動光学部品に進む光の、等価な幾何学的経路長を提供すること、および、
それぞれの光学部材の第1のNセットの受動光学部品から関連付けられた光学経路を通って関連付けられた能動光学部品に進む光の光路長は、それぞれの光学部材の第2のNセットの受動光学部品からそれぞれの関連付けられた光学経路を通ってそれぞれの関連付けられた能動光学部品に進む光の光路長とは異なることが当てはまる。
一実施形態において、方法は、複製ステップを用いてスペーサウェハを製造するステップを含み、特に、複製ステップで用いられる複製マスタは、光学経路の異なる光路長を達成するように設計され、任意に、光学経路の異なる光路長を達成するようにすでに設計された、こうして得られたスペーサ部材は、こうして得られたさらに処理されたスペーサ部材の光学経路の光路長の精度を高めるためのさらなる処理ステップを受ける。特に、さらなる処理ステップは、スペーサ部材に材料を追加するステップ、および/またはスペーサ部材から材料を除去するステップを含むようにしてもよく、より特定的に、さらなる処理ステップは、切断および/または機械加工および/またはドリル加工および/またはレーザアブレーションステップを含む。スペーサウェハの1つ以上の止まり穴の長さは、切断および/または機械加工および/またはドリル加工および/またはレーザアブレーションによって増大するようにしてもよい。
上述の実施形態の1つ以上と組合わせられ得る一実施形態において、方法は、スペーサウェハを製造するステップを含み、スペーサウェハを製造するステップは、
ウェハを提供するステップと、
ウェハの縦方向の延在部を局所的に減少させるステップとを含み、
ウェハの縦方向の延在部を局所的に減少させるステップは、第1の処理ステップを実行するステップと、第1の処理ステップの後に第1の処理ステップとは異なる第2の処理ステップを実行するステップとを含む。
本発明は、本発明に係る対応する装置または機器の特徴を有する方法を含み、逆の場合も同じであり、本発明に係る対応する方法の特徴を有する装置および機器をさらに含む。
方法の利点は基本的に、対応する装置および機器の利点にそれぞれ対応し、逆の場合も同じであり、装置および機器の利点は基本的に、対応する方法の利点にそれぞれ対応する。
さらに、第1および第2の観点における方法を組合せることも可能である。
さらなる実施形態および利点が請求項および図面から明らかになる。
以下に、例および添付の図面によって本発明をより詳細に説明する。図面は非常に簡略化された態様で示される。
説明される実施形態は例であることが意図され、本発明を限定するものではない。
断面図における、装置の展開図である。 多数のサブ画像からフル画像を得ることができることを示す図である。 断面図における、レンズ形状を有するスペーサ部材の図である。 断面図における、レンズ形状を有するスペーサ部材の図である。 断面図における、不透明的に取囲まれた光学経路を有するスペーサ部材の図である。 断面図における、分離されていない光学経路を有するスペーサ部材の図である。 断面図における、スペーサ部材の図である。 断面図における、スペーサ部材の図である。 断面図における、スペーサ部材の図である。 断面図における、2つ以上の単一部分を含むスペーサ部材を含むウェハスタックの詳細な図である。 断面図における、第1の処理ステップの後の図10のウェハスタックの詳細な図である。 断面図における、第2の処理ステップの後の図10および図11のウェハスタックの詳細な図である。 断面図における、2つ以上の単一部分を含む2度処理されたスペーサ部材を含むウェハスタックの詳細な図である。 断面図における、光学経路として貫通孔を含む不透明材料からなる部材の図である。 断面図における、光学経路が透明材料で充填された図14の部材の図である。 断面図における、光学経路が異なる量の透明材料で充填された図14の部材の図である。
発明の詳細な説明
図1は、断面図における、本発明のある局面の概略図である。図1は、展開図において、3つの部材、すなわち光学部材60、スペーサ部材70および検出部材80を示しており、これらはともに装置50、より特定的に光電子モジュール50を形成する。
光学部材60はいくつかの受動光学部品65、特にレンズ65を含む。受動光学部品65は割り当てられた名目焦点距離を有し、特に、すべてが同じ名目焦点距離を有する。しかし、通常は製造上の理由により、図1に符号fの矢印によって示されるように、受動光学部品65の焦点距離(より特定的に前方の焦点距離)はそれぞれの名目焦点距離から偏差する。
検出部材80は特に、画像センサ85などの能動光学部品85を含む半導体チップであり得る。
スペーサ部材70は、部材60と部材80との間の予め規定された距離(図1の符号「g」参照)を確保することに寄与する。しかし、スペーサ部材70はさらに、名目焦点距離からの上記偏差の少なくとも部分的な訂正に寄与する。スペーサ部材70は、各受動光学部品65に1つずつ、いくつかの光学経路77を含む。光学経路77の各々は、止まり穴75および透明材料76の一部を含む。
スペーサ部材70の材料の屈折率は、止まり穴75内に通常存在する真空または空気の屈折率とは異なる(通常はより大きい)。このため、止まり穴75の長さを、関連付けられた受動光学部品65の焦点距離のそれぞれの名目焦点距離からの偏差に依存して調節することによって、偏差を少なくともある程度まで補償することができる。幾何学的長さgは光学経路77の各々について(少なくとも名目上は)同じであり、これはスペーサ部材70の(最大または全体の)縦方向の延在部に対応する。
したがって、止まり穴の長さは、偏差が異なる受動光学部品65ごとに異なる。
このように、異なる焦点距離を有する異なる受動光学部品65を用いて行われる撮像によって、(名目上は)所望の撮像を行うことが達成できる。そしてこうして、部材80の各能動光学部品85、たとえば画像センサ85などの検出要素85が所望の画像を記録し得る。独立して選択または調整される止まり穴がなければ、記録される画像は通常、それぞれの受動光学部品65の製造異常の量に依存する程度まで、所望の画像から偏差するか異なることになる。特に、各能動光学部品85は、たとえば1つのプレノプティックカメラサブ画像もしくは1つのアレイカメラサブ画像などの1つのサブ画像、または1色もしくは1つの波長範囲の1つのサブ画像を記録し、その場合、すべての能動光学部品85が同じ色また波長範囲のサブ画像を記録するとは限らない。
異なる能動光学部品85によって撮像されたサブ画像は、それらからフル(最終)画像を得るために処理され得る。
図2は、多数のそのようなサブ画像88からフル画像90を得ることができることを示す。
異なる光学経路77が同じ幾何学的経路長gを有するにも関わらず、光学経路77同士の間で光路長の変化を達成する他の可能性もある。たとえば特許請求の範囲参照。たとえば、レンズ形状などの形状は、光路内に、たとえば止まり穴の内部に作製され得る。図3および図4は、断面図における、湾曲した(レンズ形状の)底部78を有する止まり穴を含むスペーサ部材70を示す。換言すれば、光学経路内にレンズ要素が形成される。図3には、光学経路が貫通孔を含み得ることも示される(図3の最も右側の経路参照)。図4には、材料がスペーサ部材70の両側から、すなわち、光学部材が通常配置される対象側から(一般にスペーサ部材を示すすべての図面において、図1のように図面の頁の上部に向かうことが意図される)、および検出部材が通常配置される検出器側において(一般にスペーサ部材を示すすべての図面において、図1のように図面の頁の底部に向かうことが意図される)除去され得ることも示される。一般的に、本特許出願の図面の1つに示されるスペーサ部材は、図1に示されるような装置内のスペーサ部材として用いられて、そこに示されるスペーサ部材に取って代わってもよい。
光学経路77は互いに分離していてもよく、特に光学的に互いに分離していてもよい。たとえば、スペーサ部材の一部は、特に各光学経路77が不透明材料によって少なくとも部分的に取囲まれるように、不透明材料からなり得る。図5は、断面図における、不透明的に取囲まれた光学経路77を有するスペーサ部材70を示す。各光学経路77の外側部分は、たとえば硬化性エポキシ樹脂などの硬化した硬化性材料などの不透明材料からなり、内側部分は、やはり硬化性エポキシ樹脂などの硬化した硬化性材料などの透明材料で充填され、充填材はそれぞれの光学経路(すなわち図示されるケースでは、スペーサ部材70のそれぞれの貫通孔)を横方向に完全に充填するが、(一般的に光学経路の少なくとも1つについて)縦方向には部分的にのみ充填する。光学経路の中の横断面は、たとえば円形または矩形(鋭利な、または丸まった角を有する)であり得る。
しかし、光学経路77の少なくとも1つはスペーサ部材の少なくとも1つの他の光学経路に隣接しているか、さらにはスペーサ部材の少なくとも1つの他の光学経路に部分的に重なっていてもよい。図6は、断面図における、分離されていない光学経路を有するスペーサ部材70を示す。
たとえば図5のような、光学的に分離された光学経路の可能性のある利点は、光学経路同士の間のクロストークを抑制する可能性である。分離されていない光学経路の可能性のある利点は、対応する装置を(横方向に)小型化することができ、受動光学部品(図1参照)を互いにより近づけることができ、検出部材(図1参照)を互いにより近づけることができることである。
図7は、断面図における、別のスペーサ部材70を示す。これは、液体材料を止まり穴に充填することもできることを示すものである。さらに、この充填材料は硬化し得る。充填材料の量は、製造異常の求められる補償が達成されるように選択され得る。
図8は、断面図における、別のスペーサ部材70を示す。これは、光学部材の製造異常の補償をすでに実行しているウェハ(または部材)を、たとえば複製によって準備できることを示すものである。そしてさらに、図8は、これに加えて、次に、補償を微調整するために液体材料を止まり穴に充填することもできることを示す。
図9は、断面図における、別のスペーサ部材70を示す。これは、一方では、スペーサ部材70のすべての経路に(同時に)適用される訂正/調整を行なうことが可能であり、他方では、スペーサ部材70の検出器側が単一平面を描く必要があるとは限らない(図4を参照)ことを示すものである。しかし、スペーサ部材70の検出器側は単一平面を描く(本特許出願のほとんどの図面に示されるように)ようにすることが有利であり得る。なぜならこの場合、(スペーサ部材または検出部材の材料などの高屈折率材料と空気との間に)追加のインターフェイスを設けずにスペーサ部材を検出部材に容易に接合することができ(図1参照)、これによってやはり屈折損失を減らし、撮像品質を高めることができるからである。
装置50(図1参照)の一般的な機能は、対象側(図1の部材60の上方)から当たる光が、受動光学部品65によって光学経路77を通って部材80の能動光学部品85上に撮像されることである。
装置50は、たとえば、通信装置において、および/またはアレイカメラなどのカメラにおいて使用され得る。
部材60,70,80のいずれかを、特にすべてを、各々が複数のそれぞれの部材を含むウェハの形態で製造することが提案される。これによって、製造異常を補償するために提案される個別の調整を単純化して達成するなど、装置50の製造を非常に効率的にすることができる。
たとえば、各受動光学部品65の焦点距離が求められ、その結果に依存して、適切な長さを有する止まり穴が(たとえばドリル加工および/またはレーザアブレーションによって)作られ(たとえば、それに応じて解釈され得る図1、図3、図4、図6、図9参照)、または適切な複製マスタを用いることによって、補償すべき製造異常をすでに考慮した複製を用いて適切なスペーサウェハが生成される(たとえば、それに応じて解釈され得る図1、図3、図6、図9参照)。
また、たとえば、対応する長さの止まり穴を有することによって、製造異常をある程度すでに補償している適切なスペーサウェハを用いることによってこれらの2つの手法を組合せること、および、次に、それぞれの製造異常の十分な補償がまだ達成されていない光学経路の光路長を変更することなどによって、さらなる訂正を加えることも可能である(たとえば、それに応じて解釈され得る図3、図4、図8、図9参照)。これらのさらなる訂正は、たとえば、ドリル加工および/または機械加工および/または切断および/またはレーザアブレーションによって達成され得る。
図10〜図12は、本発明のさらなる可能な局面および実施形態を示す。図10〜図12は、断面図におけるウェハスタック100を示す。ウェハスタック100は、受動光学部品65を含む光学ウェハOWを含み、受動光学部品65の少なくとも一部が名目値から偏差している焦点距離などの製造異常を有し、ウェハスタック100はさらに、光学ウェハOWに取付けられたスペーサウェハスタック200を含む。光学ウェハOWは複数の光学部材60を含み、スペーサウェハスタック200は複数のスペーサ部材を含み、ウェハスタック100において、各光学部材はスペーサ部材の異なる1つに関連付けられ整列している。検出部材および検出ウェハは図10〜図12に示されていない。
スペーサウェハスタック200は、スペーサウェハSW1およびスペーサウェハSW2を含む。スペーサウェハSW1は不透明材料からなるため、光学経路77を光学的に互いに分離するのに大きく寄与し得る。スペーサウェハSW1はさらに、光学ウェハOWとスペーサウェハSW2との間の所望の(縦方向の)距離を確保するために設けられ得る。ウェハスタック200の1つの特殊性は、スペーサウェハSW2が異なる(しかし透明の)材料からなる2つの層m1、m2を含むことである。たとえば、層m1はガラスからなり層m2はポリマ材料からなり、または層m1はポリマ材料からなり層m2はガラスからなる。より一般的に、光学ウェハOWに面する層(m1)は機械的な安定性を提供するために設けられ、他方の層(m2)(より特定的にその材料)は層m1(の材料)よりも機械的に脆弱であるようにしてもよい。および/または、スペーサウェハSW2から材料を除去するための方法またはプロセスを考慮して、層m2の材料は層m1の材料よりも容易に除去できるようにしてもよい。しかし、層m1も一般的に省略可能であることに留意されたい。
さらに、層m1およびm2はそれぞれ、別個であるが互いに接合されるスペーサウェハとして考慮することも可能である。
より具体的に、図11および図12に示されるように、光学ウェハOWの製造異常を補償するための材料の除去は、層m2のみで行われるようにすることも可能である。
さらに、図10〜図12、より具体的に図11および図12は、スペーサウェハからの、またはスペーサウェハスタック200からの(またはより具体的に層m2からの)材料の除去を2つの(または一般的に2つ以上の)処理ステップで実行可能であることを示す。材料を除去することによって、光学経路77における光路長を変えることができる。この場合、図11は、図10のスペーサウェハスタック200に第1の処理ステップを適用することによって得られるウェハスタックを示し、図12は、図11のスペーサウェハスタック200に第2の処理ステップを適用することによって得られるウェハスタック100を示す。2つの連続して適用される処理ステップは異なる処理ステップであってもよく、たとえば、両処理ステップがフライス作業によって実行される場合、第1の処理ステップでは異なるフライス工具が用いられ得、場合によっては第2の処理ステップよりも速い送り速度も適用され得る。さらに、処理ステップにおいて異なる処理技術を組合わすこと、たとえばレーザアブレーションの後にフライス作業を行うこと、またはその逆も可能である。
第2の処理ステップは、特に、(補償効果を最適化するための)微調整ステップであり得る。
そしてさらに、図11および図12は、2×2アレイのチャネルを有する4チャネル装置(図11および図12参照)などの複数チャネル装置の場合に可能な処理方法を示していると見ることができる。図11に示されるように、第1の処理ステップは1つの装置ごとに、すなわち1つのスペーサ部材ごとに個別に実行するが、第2の処理ステップは各光学経路77ごとに個別に実行することも可能である(図12参照)。こうして、分離ステップの後(図12の厚い破線参照)、異なる高さ(縦方向の延在部)を有し、したがって自身の光学経路の異なる幾何学的長さg1,g2,g3を有するスペーサ部材が通常得られるが、これは1つのスペーサ部材のすべての光学経路について等しいが、たとえば焦点距離などの訂正は、各経路について独立して(第2の処理ステップで)行うことができる。
図10〜図12に示されるような実施形態では、スペーサ部材への検出部材の接合は通常、ウェハスタック100の分離時に達成され得るスペーサ200の分離後になされる必要がある。
図13は、断面図における、2つ以上の単一部分(SW1,m1,m2)を含む2度処理されたスペーサ部材を示す。実際、図13は図12と深く対応しているが、スペーサウェハSW2は水平方向に(横方向に)反射しており、さらに、第2の処理ステップにおいて材料を除去する(横方向に規定される)面積が図12に示される面積と比較して小さくなっている。
図13に示されるような実施形態の場合、受動光学部品65の、または、特に、同じ1つの光学経路に属する受動光学部品で構成される受動光学部品セットの、製造異常に関するデータが得られる。このようなデータに基づいて、スペーサウェハSW2の層m2が第1の処理ステップを受ける(図11に示されるのと同様)。この第1の処理ステップは特に、スペーサ部材のすべての光学経路について同時に(典型的に同じ1つの工具を用いて)、しかし異なるスペーサ部材について別々に適用される。
その後、場合によっては受動光学部品65の製造異常についてのさらなるデータ(場合によっては、光学ウェハOW、スペーサウェハSW1およびスペーサウェハSW2の予備のアセンブリから得られる)に基づいて、各光学経路が個別に対処される第2の処理ステップが適用される。
そして、スペーサウェハSW1およびSW2ならびに光学ウェハOWを互いに接合してウェハスタック100を形成する。これは、1つ以上のステップで達成され得る。複数の検出部材を含む検出ウェハ(図1参照)をこの時点ですでにスペーサウェハSW2に接合することも可能であり、またはこれは後で達成される。最後に、たとえばダイシングまたはレーザ切断によって分離した装置が得られる分離ステップが適用される。こうして得られた装置は、たとえば、コンピュテーショナルカメラもしくはコンピュテーショナルカメラ用モジュール、またはアレイカメラもしくはアレイカメラ用モジュールであり得る。
図14〜図16は、断面図における、不透明的に(横方向に)囲まれた光学経路77を有するスペーサ部材を示す。図5の実施形態はこれと同様であり、実際、図14〜図16は、図5に示されるようなスペーサウェハを得る方法を示し得る。
図14は、断面図における、光学経路として貫通孔を有する不透明材料からなる部材を示し、図15は、断面図における、図14の部材であるが、光学経路に透明材料が充填された部材を示し、図16は、断面図における、光学経路に異なる量の透明材料が充填された図14の部材を示す。
図5および図16に示されるようなスペーサ部材70を得るために、複数の貫通孔を有するウェハ(図14参照)が設けられ得る。このようなウェハは、たとえば複製プロセスを用いて、たとえば単一部分として得ることができる。そして、液体硬化性材料が貫通孔に充填され、その後、たとえば固まって硬化する。この間、液体材料が貫通孔から流れ出ないようにするために、ウェハはシリコーン製マットなどの基板上に配置され得る。硬化した後、充填材料は透明である。場合によっては、検出器側に高品質の光学面を有するために、こうして得られたウェハに研磨ステップが適用され得る。
図5および図16に示されるようなスペーサ部材70を得る第1の方法では、孔に充填される液体材料の量は、光路長の所望の調整を達成するように、光学経路ごとに個別に選択される。第2の方法では、充填される材料の量は、スペーサ部材のすべての貫通孔について(すなわちすべての光学経路について)(少なくとも名目上は)等しく、スペーサウェハのすべての貫通孔について(すなわちすべての光学経路について)(少なくとも名目上は)等しくてもよい(図15参照)。硬化した後、光学経路について個別に液体硬化性材料をさらに(もしくは同じだけ)追加するための、および/または光学経路について個別に液体硬化性材料の一部を除去するための処理ステップが実行される。しかし、このような微調整ステップは、上述の第1の方法の場合にも適用可能である。
液体材料を充填するために、たとえば、(フリップチップなどをアンダーフィルするための電子機器製造から公知であるような)ディスペンサが用いられ得る。材料を除去するために、機械加工またはフライス加工またはドリル加工またはレーザアブレーションが用いられ得る。
上記から明らかになるように、本発明は、非常に高い歩留まりで高精度光学装置をウェハスケールで大量生産することを可能にし得る。特に、光学ウェハおよび/または光学部材および/または受動光学部品を製造するときに(または製造するために)複製を用いる場合、特に複数の光学部材および/または受動光学部品を同時に(もしくは単一プロセスで)製造するために複製ステップを用いる場合、繰返し可能な製造異常が発生することがあり、これは本発明によって非常に良好に補償され得る。ここにおいて、補償を達成するために、たとえばスペーサウェハを補償するまたはスペーサ部材を補償するために、複製が適用されてもよいし適用されなくてもよい。

Claims (8)

  1. 装置(50)を製造するための方法であって、前記方法は、
    M≧2個のスペーサ部材(70)を含むスペーサウェハを提供するステップを備え、Mは整数であり、前記M個のスペーサ部材(70)の各々はN≧2個の光学経路(77)を含み、Nは整数であり、前記方法はさらに、
    M個の光学部材(60)を含む光学ウェハ(OW)を提供するステップを備え、前記M個の光学部材の各々は、各々が1つ以上の受動光学部品(65)を含むNセットの受動光学部品(65)を含み、前記方法はさらに、
    M個の検出部材(80)を含む検出ウェハを提供するステップを備え、前記M個の検出部材の各々はN個の能動光学部品を含み、
    前記M個のスペーサ部材(70)の各々は、前記光学部材(60)の異なる1つに関連付けられ、かつ前記検出部材(80)の異なる1つに関連付けられ、
    前記M個のスペーサ部材(70)の各々について、それぞれのN個のスペーサ部材の各々は、関連付けられた光学部材(60)のNセットの能動光学部品の異なる1つに関連付けられ、かつ関連付けられた検出部材(80)のN個の能動光学部品の異なる1つに関連付けられ、
    前記M個のスペーサ部材(70)および関連付けられた光学部材(60)および関連付けられた検出部材(80)の少なくとも1つについて、
    それぞれのスペーサ部材(70)のN個の光学経路(77)のすべては、関連付けられた光学部材(60)の関連付けられたセットの受動光学部品(65)からそれぞれの光学経路(77)を通って関連付けられた検出部材(80)の関連付けられた能動光学部品に進む光の等価な幾何学的経路長を提供すること、および、
    それぞれの光学部材(60)のNセットの受動光学部品(65)から関連付けられた光学経路(77)を通って関連付けられた能動光学部品に進む光の光路長の少なくとも2つは互いに異なることが当てはまり
    前記方法は、前記M×N個の光学経路(77)の各々について、それぞれの経路の光学部材(60)が製造異常を示す場合、
    れぞれの関連付けられた光学部材(60)の製造異常に関する値を取得するステップと、
    前記製造異常に依存して前記光路長を選択するステップとを含む、方法。
  2. 前記製造異常は、それぞれの関連付けられた光学部材(60)の受動光学部品のセットの受動光学部品(65)の製造異常であり、前記スペーサウェハは、互いに異なる材料からなる第1の層(m1)および第2の層(m2)を含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記方法は、前記第2の層(m2)から材料を除去することによって前記光路長を調節するステップを備える、請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記第2の層(m2)はポリマ材料からなる、請求項3に記載の方法。
  5. 前記スペーサウェハを製造するステップを備え、前記スペーサウェハを製造するステップは、
    ウェハを提供するステップと、
    前記ウェハの縦方向の延在部を局所的に減少させるステップとを含み、
    前記ウェハの縦方向の延在部を局所的に減少させるステップは、第1の処理ステップを実行するステップと、前記第1の処理ステップの後に前記第1の処理ステップとは異なる第2の処理ステップを実行するステップとを含む、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
  6. 前記第1の処理ステップは、
    適用される処理技術、
    それぞれの処理ステップで用いられる工具、
    それぞれの処理ステップで用いられる少なくとも1つの処理パラメータ
    の少なくとも1つにおいて、前記第2の処理ステップとは異なる、請求項5に記載の方法。
  7. 前記第1の処理ステップは、複数の領域からの材料の除去速度が前記第2の処理ステップよりも高い速度で行われる、請求項5または6に記載の方法。
  8. 前記第1の処理ステップは、スペーサ部材(70)のすべての経路について同時に実行され、前記第2の処理ステップは、スペーサ部材(70)の異なる光学経路(77)について別々に実行される、請求項5から7のいずれか1項に記載の方法。
JP2014526351A 2011-08-25 2012-08-24 光学装置の、特にコンピュテーショナルカメラ用モジュールのウェハレベルの製作 Active JP6223975B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161527355P 2011-08-25 2011-08-25
US61/527,355 2011-08-25
PCT/CH2012/000200 WO2013026174A2 (en) 2011-08-25 2012-08-24 Wafer-level fabrication of optical devices. in particular of modules for computational cameras

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014526067A JP2014526067A (ja) 2014-10-02
JP2014526067A5 JP2014526067A5 (ja) 2015-10-15
JP6223975B2 true JP6223975B2 (ja) 2017-11-01

Family

ID=46969906

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014526352A Active JP6282225B2 (ja) 2011-08-25 2012-08-24 前方焦点距離訂正を有する光学装置のウェハレベルの製作
JP2014526351A Active JP6223975B2 (ja) 2011-08-25 2012-08-24 光学装置の、特にコンピュテーショナルカメラ用モジュールのウェハレベルの製作

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014526352A Active JP6282225B2 (ja) 2011-08-25 2012-08-24 前方焦点距離訂正を有する光学装置のウェハレベルの製作

Country Status (8)

Country Link
US (2) US10444477B2 (ja)
EP (2) EP2748854B1 (ja)
JP (2) JP6282225B2 (ja)
KR (2) KR102056501B1 (ja)
CN (2) CN103890949B (ja)
SG (4) SG10201606884TA (ja)
TW (3) TWI620310B (ja)
WO (2) WO2013026174A2 (ja)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130122247A1 (en) * 2011-11-10 2013-05-16 Omnivision Technologies, Inc. Spacer Wafer For Wafer-Level Camera And Method For Manufacturing Same
US9595553B2 (en) 2012-11-02 2017-03-14 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical modules including focal length adjustment and fabrication of the optical modules
US9773765B2 (en) 2013-11-22 2017-09-26 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Compact optoelectronic modules
US9977153B2 (en) 2014-02-07 2018-05-22 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Stacks of arrays of beam shaping elements including stacking, self-alignment and/or self-centering features
SG11201606706WA (en) 2014-02-18 2016-09-29 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Optical modules including customizable spacers for focal length adjustment and/or reduction of tilt, and fabrication of the optical modules
WO2015191001A1 (en) 2014-06-10 2015-12-17 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules including hybrid arrangements of beam shaping elements, and imaging devices incorporating the same
US9711552B2 (en) * 2014-08-19 2017-07-18 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules having a silicon substrate, and fabrication methods for such modules
US9507143B2 (en) 2014-09-19 2016-11-29 Intel Corporation Compact illumination system
US10741613B2 (en) 2014-10-14 2020-08-11 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optical element stack assemblies
US20160307881A1 (en) * 2015-04-20 2016-10-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical sensor module and method for manufacturing the same
US10609377B2 (en) 2015-05-12 2020-03-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Image encoding method and device for sample value compensation and image decoding method and device for sample value compensation
WO2016191142A2 (en) * 2015-05-27 2016-12-01 Verily Life Sciences Llc Nanophotonic hyperspectral/lightfield superpixel imager
JP6619174B2 (ja) * 2015-07-31 2019-12-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 製造装置および方法
US10475830B2 (en) 2015-08-06 2019-11-12 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optical modules including customizable spacers for focal length adjustment and/or reduction of tilt, and fabrication of the optical modules
DE102015215833A1 (de) * 2015-08-19 2017-02-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Multiaperturabbildungsvorrichtung mit Optiksubstrat
CN108700721B (zh) 2015-11-12 2021-12-31 赫普塔冈微光有限公司 光学元件堆叠组件
KR20170073910A (ko) 2015-12-21 2017-06-29 에스케이하이닉스 주식회사 라이트 필드 이미징 장치 및 그 제조방법
DE102016200285A1 (de) 2016-01-13 2017-07-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Multiaperturabbildungsvorrichtung, Abbildungssystem und Verfahren zum Erfassen eines Objektbereichs
CN108941932A (zh) * 2017-05-23 2018-12-07 东莞东阳光科研发有限公司 人工晶体制备方法
US10677964B2 (en) * 2017-10-23 2020-06-09 Omnivision Technologies, Inc. Lens wafer assembly and associated method for manufacturing a stepped spacer wafer
WO2020183600A1 (ja) 2019-03-12 2020-09-17 オリンパス株式会社 内視鏡用撮像装置、および、内視鏡
JPWO2021153629A1 (ja) * 2020-01-30 2021-08-05
US11664399B2 (en) * 2021-02-01 2023-05-30 Visera Technologies Company Limited Solid-state image sensor

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5232549A (en) * 1992-04-14 1993-08-03 Micron Technology, Inc. Spacers for field emission display fabricated via self-aligned high energy ablation
DE10058305A1 (de) * 2000-11-24 2002-06-06 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Oberflächenpolitur von Siliciumscheiben
WO2002065165A2 (en) * 2001-02-09 2002-08-22 Digital Optics Corporation Compensation and/or variation of wafer level produced lenses and resultant structures
KR20070096020A (ko) * 2002-09-17 2007-10-01 앤터온 비.브이. 카메라 디바이스, 카메라 디바이스 제조 방법, 웨이퍼스케일 패키지 및 광학 어셈블리
DE102005002545A1 (de) 2005-01-19 2006-07-20 Airbus Deutschland Gmbh Energiepuffereinrichtung für ein Flugzeug
US8053705B2 (en) * 2005-09-07 2011-11-08 Purdue Research Foundation Laser assisted machining process with distributed lasers
JP2007110588A (ja) * 2005-10-17 2007-04-26 Funai Electric Co Ltd 複眼撮像装置
CN101009779B (zh) 2006-01-24 2010-06-16 采钰科技股份有限公司 高精密度成像控制的影像感应模块
US7721564B2 (en) 2006-11-21 2010-05-25 B/E Aerospace, Inc. Wild frequency avionic refrigeration system and controller therefor
US7692256B2 (en) * 2007-03-23 2010-04-06 Heptagon Oy Method of producing a wafer scale package
US7812869B2 (en) * 2007-05-11 2010-10-12 Aptina Imaging Corporation Configurable pixel array system and method
KR101575915B1 (ko) * 2007-11-27 2015-12-08 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드 봉지된 렌즈 스택
EP2223173B1 (en) 2007-12-19 2013-09-04 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Camera device and manufacturing methods therefor
TWI478808B (zh) * 2007-12-19 2015-04-01 Heptagon Micro Optics Pte Ltd 製造光學元件的方法
US20090159200A1 (en) 2007-12-19 2009-06-25 Heptagon Oy Spacer element and method for manufacturing a spacer element
US8319301B2 (en) * 2008-02-11 2012-11-27 Omnivision Technologies, Inc. Self-aligned filter for an image sensor
US8611026B2 (en) * 2008-03-27 2013-12-17 Digitaloptics Corporation Optical device including at least one replicated surface and associated methods
WO2010074743A1 (en) * 2008-12-22 2010-07-01 Tessera North America, Inc. Focus compensation for thin cameras
EP2409486A4 (en) 2009-03-18 2012-08-22 Bayer Materialscience Ag OPTICAL TRENCH LEVEL SYSTEM
JP2011018974A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Renesas Electronics Corp D/aコンバータ
US8193599B2 (en) * 2009-09-02 2012-06-05 Himax Semiconductor, Inc. Fabricating method and structure of a wafer level module
US8059341B2 (en) * 2009-09-23 2011-11-15 Visera Technologies Company Limited Lens assembly and method for forming the same
US8885257B2 (en) * 2009-10-20 2014-11-11 Flir Systems Trading Belgium Bvba Focus compensation for optical elements and applications thereof
EP2491590B1 (en) * 2009-10-20 2015-08-05 FLIR Systems Trading Belgium BVBA Focus compensation for optical elements and applications thereof
US8514491B2 (en) * 2009-11-20 2013-08-20 Pelican Imaging Corporation Capturing and processing of images using monolithic camera array with heterogeneous imagers
US9485397B2 (en) 2010-06-14 2016-11-01 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Camera, and method of manufacturing a plurality of cameras

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140068984A (ko) 2014-06-09
SG2014008726A (en) 2014-04-28
WO2013026175A1 (en) 2013-02-28
WO2013026174A3 (en) 2013-04-11
KR101966480B1 (ko) 2019-04-05
US20140307081A1 (en) 2014-10-16
US20140299587A1 (en) 2014-10-09
TW201316497A (zh) 2013-04-16
TWI582969B (zh) 2017-05-11
SG2014008718A (en) 2014-04-28
US10444477B2 (en) 2019-10-15
WO2013026174A2 (en) 2013-02-28
TW201327790A (zh) 2013-07-01
KR102056501B1 (ko) 2019-12-16
TW201724487A (zh) 2017-07-01
KR20140054280A (ko) 2014-05-08
EP2748854A1 (en) 2014-07-02
CN103890949A (zh) 2014-06-25
EP2748853B1 (en) 2023-10-11
SG10201606882XA (en) 2016-10-28
CN103890948A (zh) 2014-06-25
SG10201606884TA (en) 2016-10-28
CN103890949B (zh) 2017-10-03
TWI567956B (zh) 2017-01-21
JP6282225B2 (ja) 2018-02-21
TWI620310B (zh) 2018-04-01
JP2014526067A (ja) 2014-10-02
CN103890948B (zh) 2017-12-01
EP2748854B1 (en) 2021-06-02
JP2014524597A (ja) 2014-09-22
EP2748853A2 (en) 2014-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6223975B2 (ja) 光学装置の、特にコンピュテーショナルカメラ用モジュールのウェハレベルの製作
US10373996B2 (en) Optical modules including focal length adjustment and fabrication of the optical modules
JP5634064B2 (ja) 光電子構成要素を製造する方法、およびその方法で製造された製品
TWI691747B (zh) 具有單獨遮光的相機的無蓋板玻璃陣列相機
TWI647824B (zh) 製造被動光學元件的方法及包含該元件的裝置
JP2022019935A (ja) 半導体装置及び電子機器
TWI703344B (zh) 堆疊的晶圓透鏡及影像攝錄器
US20100321563A1 (en) Solid-state imaging unit
JP2015170638A (ja) 撮像素子パッケージ及び撮像装置
JP2010237319A (ja) プラスチックレンズ、プラスチックレンズウエハ、成形金型、プラスチックレンズユニット、撮像装置、電子機器、及びプラスチックレンズの製造方法
KR101168362B1 (ko) 렌즈모듈 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150817

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20150817

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150817

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160713

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160726

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161026

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170104

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20170330

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170605

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170905

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171004

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6223975

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350