TWI567956B - 特別用於運算式攝影機之晶圓級光學裝置之製造 - Google Patents

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Description

特別用於運算式攝影機之晶圓級光學裝置之製造
本發明相關於光學領域，更明確地說，相關於微光學。特別相關於晶圓級光學裝置的製造，諸如，光學系統、光電模組、及攝影機。相關於根據申請專利範圍之開放條款的方法及設備。
從如WO 2011/156928 A2(2011年6月10日提出申請)公佈的國際專利申請案，已知可用晶圓級製造用於攝影機的攝影機及光學模組。其中，頗為詳細地揭示用於攝影機的攝影機及光學模組及製造其之方法。因此，該專利申請案WO 2011/156928 A2以提及之方式併入本專利申請案中。
術語定義
「主動光學組件」：光感測或發光組件。例如，光二極體、影像感測器、LED、OLED、雷射晶片。
「被動光學組件」：藉由折射及/或繞射及/或反射將光重導向的光學組件，諸如，透鏡、稜鏡、反射鏡、或光學系統，其中光學系統係可能也包含機械元件，諸如，孔徑光闌、影像螢幕、夾持具之此種光學組件的集合。
「光電模組」：其中包含至少一主動及至少一被動光學組件的組件。
「複製」：藉由其再製給定結構或其之反相的技術。例如，蝕刻、壓花、壓印、鑄造、模製。
「晶圓」：實質碟狀或平板狀的成型物件，其在一方向上的延伸(z-方向或垂直方向)相關於其在其他二方向上的延伸(x-及y-方向或側向方向)甚小。通常，在(非空白)晶圓上，將複數個相似結構或物件配置或設置在其中，典型地係在矩形框格上。晶圓可能具有開口或孔，且晶圓在其側向區域的顯著部分中甚至可能沒有材料。雖然在許多本文中，將晶圓理解為主要以半導體材料製成，在本專利申請案中，此明顯的不係限制。因此，晶圓可能主要由，例如，半導體材料、聚合物材料、包含金屬及聚合物或聚合物及玻璃材料的複合材料製成。特別係可硬化材料，諸如，熱或UV-可固化聚合物係配合本發明之有意思的晶圓材料。
「側向」：參見「晶圓」
「垂直」：參見「晶圓」
「光」：最普通的電磁輻射；更明確地說，電磁頻譜的紅外線、可見光、或紫外光部分的電磁輻射。
本發明的一目的係提供製造裝置的替代方式，特別係光學裝置，諸如，光學系統、光電模組、以及攝影機，特別係提供製造裝置的改善方式，特別係光學裝置，諸如，光學系統、光電模組、及攝影機。再者，應提供對應裝 置，特別係光學裝置，諸如，光學系統、光電模組、及攝影機，以及相關裝置及設備，諸如，晶圓及晶圓晶片堆疊。
本發明的另一目的係改善光學裝置製造時的製造良率，諸如，光學系統、光電模組、以及攝影機。
本發明的另一目的係實現光學裝置的品質改善，諸如，光學系統、光電模組、及攝影機，特別係當在晶圓尺度上製造時。
其他目的出自下文的描述及實施例。
藉由根據本發明之申請專利範圍的設備及方法及/或藉由下文描述的設備及方法至少部分地實現此等目的的至少一者。
本發明特別相關於攝影機及用於攝影機的模組(特別係光電模組)，也相關於其組份及在彼等之任一者的製造期間使用的晶圓及晶圓堆疊；並也特別相關於製造攝影機及用於攝影機之模組(特別係光電模組)及/或彼等的組份及/或晶圓及/或晶圓堆疊的方法。製造通常包含晶圓尺度製造步驟。
在裝置製造期間，特別係光學裝置，可能發生製造不規則性或製造偏差，例如，簡單地由於一或多個處理步驟中的或多或少不可避免的變動或不準確性。例如，當裝置包含至少一透鏡元件時，晶圓(稱為光學晶圓)上的大量此種透鏡元件儘管在名義上具有相同的焦距，在現實中，卻具有(輕微)改變的焦距。
已發現可能在晶圓級上至少部分地校正或補償製造不規則性，因此實現已改善良率及/或裝置的已改善光學性質。
建議用於在晶圓級上補償此種製造不規則性的間隔器晶圓。此種間隔器晶圓常包含大量(M2，M係整數)間隔器構件，並特別建議該等大量間隔器構件各者具有N2個光通道(N係整數)，該等光通道具有(用於光通過其行進之)至少實質相同的幾何長度，但彼等的至少二者存在相互不同的光學路徑長度。其中，特別係該等光通道跨越該間隔器構件垂直地延伸。且特別係該幾何長度係沿著垂直方向的長度及/或幾何長度係跨越該間隔器構件的長度。
典型地，將該等N個光通道配置成陣列型式。
特別係下列實施例至少在本發明的具體觀點或實施樣態中可係本發明的特徵。
一種裝置：該裝置包含光學構件及間隔器構件，該光學構件包含N2組被動光學組件，各組包含一或多個被動光學組件，該間隔器構件包含N個光通道，該等N個光通道各者與該等N組被動光學組件之一組關聯。所有該等N個光通道具有至少實質相等的幾何長度，且該等N個光通道之第一者的光學路徑長度與該等N個光通道之至少一第二者的光學路徑長度不同。
在一實施例中，該間隔器構件以所有該等N個光通道 具有至少實質相等的幾何長度且該等N個光通道之第一通道的光學路徑長度與該等N個光通道之至少一第二通道的光學路徑長度不同之此種方式構成，特別在其中該間隔器構件係以該方式成形。
在可能組合有上述實施例的一實施例中，針對該等N個光通道各者，該光學路徑長度具有相關於該個別關聯光學構件之製造不規則性及/或取決於其而選擇的值，特別係該個別關聯光學構件的該組被動光學組件之該等被動光學組件的製造不規則性。
在參考最後描述之實施例的一實施例中，該光學構件包含至少一透鏡元件，該等製造不規則性包含該至少一透鏡元件之特徵量自標稱值的偏差。特別係該標稱值可係該至少一透鏡元件的焦距。
在可能組合有一或多個上述實施例之該裝置的一實施例中，該等N個光通道的至少一者包含在該間隔器構件中的盲孔。特別係該至少一盲孔可針對促使該等N個光通道之該至少一第一者與該等光通道的至少一第二者之間的光學路徑長度中之該差實現而設置。特別係可針對此等至少二光通道各者假設，該個別盲孔的長度與該個別光通道的該光學路徑長度相關，更特別地在其中該等至少二盲孔之該第一者的長度與該等至少二盲孔之該第二者的長度不同。
在可能組合有一或多個上述實施例的一實施例中，該間隔器構件包含以相互不同之材料製造的第一層及第二 層，特別在其中該第二層係以聚合物材料製造及/或該第一層係以不同之聚合物材料或玻璃製造。該等層可特別形成通常側向延伸的介面(彼等在該介面上彼此接合)。彼等可能特別係實質塊形或平板形的。也可將該等層視為係間隔器。
可特別地假設該第二層在該等光通道各者中的垂直延伸取決於該個別關聯光學構件的製造不規則性或取決於其而選擇。且可能另外假設該第一層的垂直延伸對該等區域各者實質相同。
在可能組合有一或多個上述實施例的一實施例中，該間隔器構件包含(側向地)圍繞該等N個光通道各者的通道壁，其中在該等N個光通道的一或多者中，特別在該等N個光通道各者中，存在透明材料。存在於該等N個光通道之第一者中的該透明材料量與存在於該等N個光通道之第二者中的該透明材料量不同。此等量可針對製造不規則性的補償要求選擇。可假設通道壁係不透明的，並特別假設彼等係以不透明材料製造。可能藉由包含圍繞開口之大量此種通道壁的複製製造晶圓；此種晶圓可成形為，例如，與具有棱柱或管形開口的平篩相似。可另外假設該透明材料係已硬化的可硬化材料。以此方式，可將其以液態型式填入通道中並於之後硬化。存在於該等N個光通道之一者中的透明材料可能特別填充完全沿著垂直界定範圍的該個別通道，特別在其中該垂直界定範圍在該個別通道的終端結束。
在可能組合有一或多個上述實施例的一實施例中，該等N組被動光學組件各者具有特徵量，在名義上該特徵量對所有該等N組被動光學組件完全相同。該特徵量可能係，例如，焦距。並可能假設在該等光學路徑長度中的該等差係針對至少部分地補償該等N組被動光學組件之二或多組之間的該特徵量中之不良差而提供。該不良差可能特別由於製造不規則性導致。當使用複製製造該等被動光學組件時，此可能特別有用。在複製處理中，可能會發生可重複的製造不規則性，亦即，當重複實行該複製處理時，其完全相同或接近完全相同地發生。
在可能組合有一或多個上述實施例的一實施例中，該光學構件使用複製製造，特別在其中，針對該等N組之至少一者(更明確地說，針對該等N組各者)，該一或多個被動光學組件的至少一者係使用複製製造。更具體地說，可假設針對該等N組各者，所有該一或多個被動光學組件係使用重複製造。
在可能組合有一或多個上述實施例的一實施例中，該裝置包含稱為偵測構件的構件，該偵測構件包含N個主動光學組件，該等N個主動光學組件各者與該等N組被動光學組件之一者關聯，特別在其中該等N個主動光學組件各者係光感測組件。該間隔器構件可特別配置在該偵測構件及該光學構件之間。此種裝置可特別係用於擷取N個次影像的裝置，各次影像係藉由該等N個主動光學組件之一者擷取。且典型地，該等次影像待受處理以產生完整影像 的次影像。為此目的，該裝置可能包含操作地連接至該等N個主動光學組件各者的微處理器。該微處理器可特別針對處理該等N個次影像而組態，更具體地說係針對從該等N個次影像產生完整影像而組態。該微處理器可能，例如，包含在該偵測構件中。
一種器具，在第一實施樣態中：在第一實施樣態中，該器具包含如本專利申請案所描述的大量裝置。特別係該器具可能包含至少一晶圓，該晶圓包含如本專利申請案所描述的M2個裝置。此種器具可能特別係晶圓或晶圓堆疊。
一種器具，在第二實施樣態中：在第二實施樣態中，該器具包含稱為間隔器晶圓的晶圓，該間隔器晶圓包含M2個間隔器構件，該等間隔器構件各者包含N2個光通道，其中針對該等間隔器構件各者施用所有該等個別N個光通道具有至少實質相等的幾何長度且該等個別N個光通道之第一者的光學路徑長度與該等個別N個光通道之至少一第二者的光學路徑長度不同，其中M係整數且N係整數。此種器具可能特別係晶圓或晶圓堆疊。
在該器具的一實施例中，該等M個間隔器構件之第一者的該幾何長度與該等M個間隔器構件之至少一第二者的該幾何長度不同。或者，該幾何長度可對所有該等M個間隔器構件(至少在名義上)相等。
在可能組合有上述實施例的一實施例中，該間隔器晶 圓包含以相互不同之材料製造的第一層及第二層，特別在其中該第一層的垂直延伸(或厚度)對該等區域各者實質相同。該等層可能特別係實質平板形的。也可能將彼等視為係晶圓。
在可能組合有一或多個上述實施例的一實施例中，該器具包含稱為光學晶圓的晶圓，該光學晶圓包含M個光學構件，該等光學構件各者包含N組被動光學組件，該等N組被動光學組件各組包含一或多個被動光學組件。特別係可能將該間隔器晶圓及該光學晶圓包含在晶圓堆疊中及/或該等M個光學構件各者與該等M個間隔器構件的不同一者關聯。
本發明包含具有根據本發明之對應裝置之特性的器具，且反之亦然，也包含具有根據本發明之對應器具之特性的裝置。
該等裝置的優點基本上對應於對應器具的優點，且反之亦然，該等器具的優點基本上對應於對應裝置的優點。
再者，也可能組合該等器具的第一及第二實施樣態。
一種方法，在第一特定觀點中：在第一特定觀點中，製造如本專利申請案中描述之裝置的方法包含提供包含M2個該等間隔器構件之間隔器晶圓的該步驟，其中M係整數。特別係該方法包含製造該間隔器晶圓的步驟。該晶圓級製造可特別良好地適用於製造該等裝置，並可能容許以(在尺寸上或在光學上)嚴格容差以高良率製造。
在一實施例中，該方法包含使用切割及/或加工及/或鑽孔及/或雷射剝蝕製造該間隔器晶圓的該步驟，特別在其中藉由該切割及/或加工及/或鑽孔及/或雷射剝蝕將複數個盲孔產生在該間隔器晶圓中，更特別地在其中該等複數個盲孔的長度並不全部相同。當所有光通道具有相同的幾何路徑長度時，此可係實現各種不同光學路徑長度的有效方式。
在可能組合有一或多個上述實施例的一實施例中，該方法包含製造該間隔器晶圓，該間隔器晶圓的該製造步驟包含下列步驟：- 提供晶圓；- 局部地減少該晶圓的垂直延伸；其中局部地減少該晶圓之垂直延伸的該步驟包含實行第一處理步驟，且在該第一處理步驟隨後實行與該第一處理步驟不同的第二處理步驟。更明確地說，可假設該第一處理步驟與該第二處理步驟至少在下列一者不同：- 施用的處理技術；- 使用在該個別處理步驟中的工具；- 使用在該個別處理步驟中的至少一處理參數。
也可假設該第一處理步驟以比該第二處理步驟更高的移除率實行從該等複數個區域移除材料。
在參考至最後描述之實施例的一實施例中，該第一處理步驟對間隔器構件的所有光通道同時實行，且該第二處理步驟對間隔器構件的不同光通道分別實施。
在可能組合有上述實施例的一實施例中，該方法包含下列步驟：- 提供具有許多孔的晶圓，該等光通道的每一通道有一孔，特別在其中該等孔係通孔；- 將液態的可硬化材料填入該等孔中；- 將該等孔中的該可硬化材料硬化；其中該可硬化材料係透明的，至少在硬化時係透明的。
在組合有一或多個上述實施例的一實施例中，該間隔器晶圓包含以相互不同之材料製造的第一層及第二層，特別在其中該方法包含從該第二層移除材料，更特別地在其中該第二層係以聚合物材料製造。可將材料的移除更具體地用於調整光通道中的光學路徑長度。可另外假設未從該第一層移除材料，特別係未針對調整光通道的光學路徑長度移除。該第一及第二層可能形成相互黏合板。
本發明包含具有根據本發明之對應裝置或器具之特性的方法，且反之亦然，裝置及器具也具有根據本發明之對應方法的特性。
該等方法的優點基本上對應於對應裝置及器具的優點，且反之亦然，該等裝置及器具的優點基本上分別對應於對應方法的優點。
一種方法，在第二特定觀點中：在第二特定觀點中，該方法係用於製造裝置的方法，特別在其中該裝置係攝影機或用於攝影機的光電模組，該 方法包含下列步驟：- 特別在製造中提供包含M2個間隔器構件的間隔器晶圓，其中M係整數，該等M個間隔器構件各者包含N2個光通道，N係整數；- 特別在製造中提供包含M個光學構件的光學晶圓，該等M個光學構件各者包含N組被動光學組件，各組件包含一或多個被動光學組件；- 特別在製造中提供包含M個偵測構件的偵測晶圓，該等M個偵測構件各者包含N個主動光學組件；其中該等M個間隔器構件各者與該等光學構件之不同一者關聯，並與該等偵測構件之不同一者關聯，且其中針對該等M個間隔器構件各者，該等個別N個間隔器構件各者與該關聯光學構件的該等N組主動光學組件之不同一者關聯，並與該等關聯偵測構件的該等N個主動光學組件之不同一者關聯，且其中針對該等M個間隔器構件及該等關聯光學構件及該等關聯偵測構件之至少一者，更特別針對複數個，施加下列各項：- 個別間隔器構件的所有該等N個光通道提供用於從該關聯光學構件之該關聯被動光學組件組經由該個別光通道行進至該關聯偵測構件的該關聯主動光學組件之光的至少實質相等的幾何路徑長度；且- 用於從個別光學構件之該等N組被動光學組件的第 一者經由該關聯光通道行進至該關聯主動光學組件之光的光學路徑長度與用於從該個別光學構件之該等N組被動光學組件的第二者經由該個別關聯光通道行進至該個別關聯主動光學組件之光的光學路徑長度不同。
在一實施例中，該方法包含使用複製步驟製造該間隔器晶圓的該步驟，特別在其中使用在該複製步驟中的複製主機係針對完成光通道之該等光學路徑長度的差而設計，且選擇性地，其中已針對完成光通道之該等不同光學路徑長度而設計之所獲得的間隔器構件受進一步處理步驟，該進一步處理步驟用於實現將所獲得之進一步處理之間隔器構件的光通道之光學路徑長度的精確度增加。可明確地假設該進一步處理步驟包含將材料加至該間隔器構件及/或從該間隔器構件移除材料，更特別地在其中該進一步處理步驟包含切割及/或加工及/或鑽孔及/或雷射剝蝕步驟。可假設該間隔器晶圓中之一或多個盲孔的長度係藉由該切割及/或加工及/或鑽孔及/或雷射剝蝕而增加。
在可能組合有一或多個上述實施例的一實施例中，該方法包含製造該間隔器晶圓，該間隔器晶圓的該製造步驟包含下列步驟：- 提供晶圓；- 局部地減少該晶圓的垂直延伸；其中局部地減少該晶圓之垂直延伸的該步驟包含實行第一處理步驟，且在該第一處理步驟隨後實行與該第一處 理步驟不同的第二處理步驟。
本發明包含具有根據本發明之對應裝置或器具之特性的方法，且反之亦然，裝置及器具也具有根據本發明之對應方法的特性。
該等方法的優點基本上對應於對應裝置及器具的優點，且反之亦然，該等裝置及器具的優點基本上分別對應於對應方法的優點。
另外，也可能組合第一及第二觀點中的方法。
其他實施例及優點出自申請專利範圍及圖式。
圖1係在橫剖面圖中之本發明之實施樣態的示意圖示。其在分解圖中顯示三個構件，亦即，光學構件60、間隔器構件70、以及偵測構件80，彼等共同形成裝置50，更明確地說，光電模組50。
光學構件60包含數個被動光學組件65，特別係透鏡65。被動光學組件65具有指定的額定焦距、特別係全部具有相同的額定焦距。但常為了製造原因，被動光學組件65的焦距(更明確地說：前端焦距)偏離彼等個別的額定焦距，如圖1中以f指示的箭號所示的。
偵測構件80可特別係包含主動光學組件85，諸如，影像感測器85，的半導體晶片。
間隔器構件70有助於確保構件60及構件80之間的預定距離(參見圖1中的參考字元「g」)。此外，但其 也有助於至少部分地校正與額定焦距的上述偏差。間隔器構件70包含數個光通道77，每個被動光學組件65一光通道。各光通道77包含盲孔75及部分的透明材料76。
間隔器構件70之材料的折射率(常大於)與真空或常存在於盲孔75中之空氣的折射率不同。因此，藉由依據關聯被動光學組件65之焦距與個別額定焦距的偏差，調整盲孔75的長度，可補償偏差，至少補償至若干程度。幾何長度g對各光通道77(至少在名義上)完全相同；其對應間隔器構件70的(最大或整體)垂直延伸。
因此，盲孔的長度對不同偏離的被動光學組件65不同。
以此方式，可實現使用具有彼等之不同焦距的不同被動光學組件65發生的成像，導致(名義上)期望成像。且因此，構件80的各主動光學組件85，例如，偵測元件85，諸如，影像感測器85，可記錄該期望影像；不使用獨立選擇的或經調整盲孔，記錄影像會與期望影像偏離或不同，常偏離或不同至依據個別被動光學組件65之製造不規則量的程度。特別係各主動光學組件85記錄一次影像，例如，全光攝影機次影像或一陣列攝影機次影像，或用於一色彩或波長範例的一次影像，其中在該情形中，不係所有主動光學組件85均針對相同色彩或波長範圍記錄次影像。
由不同主動光學組件85拍攝的次影像可受處理成從彼等導出完整(最終)影像。
圖2描繪可從許多此種次影像88得到的完整影像90。
儘管不同的光通道77具有相同的幾何路徑長度g，也有在彼等之間的光學路徑長度中實現變化的其他可能性，例如，參閱申請專利範圍。例如，可在盲孔中的光學路徑中產生形狀，諸如，透鏡形狀。圖3及4在橫剖面圖中顯示將具有盲孔的間隔器構件70，該該等盲孔具有彎曲(透鏡形)底部78。換言之，將透鏡元件形成在光通道中。在圖3中，也描繪光通道可能包含通孔(參見圖3中的最右側通道)。在圖4中，也描繪可將材料從間隔器構件70的二側移除，亦即，從常將光學構件放置於其的物件側(在顯示間隔器構件的所有圖式中通常指朝向圖式頁的頂部，如圖1)，及常將偵測構件放置於其的偵測器側(在顯示間隔器構件的所有圖式中通常指朝向圖式頁的底部，如圖1)。通常，可能將描繪在本專利申請案的圖式之一者中的間隔器構件使用為在與圖1描繪之一裝置相似的裝置中的間隔器構件，取代此處顯示的間隔器構件。
光通道77可能彼此分離，特別係在光學上彼此分離。例如，間隔器構件的一部分可能係以不透明材料製造，特別使得各光通道77至少部分地為不透明材料所圍繞。圖5在橫剖面圖中顯示具有被不透明地圍繞之光通道77的間隔器構件70。各光通道77的外部係以不透明材料製造，例如，已硬化的可硬化材料，諸如，可固化環氧樹脂，然而內部係以透明材料填充，諸如，再度以已硬化的 可硬化材料，諸如，可固化環氧樹脂，其中該填料在側向上完全，但僅部分垂直地(通常針對該等光通道的至少一者)，填充個別光通道(亦即，在該描繪情形中，在間隔器構件70中的個別通孔)。通過光通道的側剖面可係，例如，圓形或長方形(具有尖銳或圓滑的角)。
但也可能假設光通道77的至少一者與間隔器構件之至少一其他光通道相鄰，或甚至與間隔器構件之至少一其他光通道部分重疊。圖6在橫剖面圖中描繪具有未分離之光通道的間隔器構件70。
光學地分隔光通道的可能優點係，參照，例如，圖5，抑制光通道間之串音的可能性。未分離光通道的可能優點係對應裝置可(在側向上)較小，被動光學組件(參照圖1)可更彼此接近，且偵測構件(參照圖1)可更彼此接近。
圖7在橫剖面圖中描繪另一間隔器構件70。此描繪也可將液態材料填充入盲孔中。又可能將此填入材料硬化。可將填入材料量選擇成使得實現製造不規則性的補償要求。
圖8在橫剖面圖中描繪另一間隔器構件70。此描繪可，例如，藉由複製，製備已實作用於光學構件的製造不規則性之補償的晶圓(或構件)。且再者，描繪之後可能另外針對微調補償，將液態材料填充入盲孔中。
圖9在橫剖面圖中描繪另一間隔器構件70。一方面描繪可能實行(同時)施加至間隔器構件70之所有通道的 校正/調整，且另一方面描繪間隔器構件70的偵測器側不必描繪為單一平面(也參照圖4)。但，可有利地假設間隔器構件70的偵測器側描繪為單一平面(如在本專利申請案之多數圖式中描繪的)，因為在該情形中，可輕易地將間隔器構件接合至未設置(在空氣及高折射率材料之間，諸如，間隔器構件或偵測構件的材料)額外介面的偵測構件(參見圖1)，其可再度導致較少的反射損失及較高的成像品質。
裝置50(參見圖1)的通用功能係藉由被動光學組件65使來自物件側(在圖1中的構件60上方)的光碰撞通過光通道77成像在構件80的主動光學組件85上。
裝置50可使用在通訊裝置及/或攝影機中，諸如，陣列攝影機。
建議以各者包含大量個別構件之晶圓的型式製造任何構件60、70、80，特別係彼等全部。此可使裝置50的製造更有效率，包括簡化針對補償製造不規則性建議之獨立調整的完成。
例如，決定各被動光學組件65的焦距，且依據其結果，產生具有適當長度的盲孔(例如，藉由鑽孔及/或雷射剝蝕)(參照，例如，可相應解譯的圖1、3、4、6、9)；或使用已將藉由使用合適的複製主機、待補償之製造不規則性列入考量的複製製造合適的間隔器晶圓(參見，例如，可相應解譯的圖1、3、6、9)。
也可能藉由使用已將製造不規則性補償至特定程度， 例如，藉由具有對應長度之盲孔，的合適間隔器晶圓，然後施用其他進一步校正，諸如，藉由改變通過藉由其尚未實現個別製造不規則性之充份補償的光通道的光學路徑長度(參照，例如，可相應解譯的圖3、4、8、9)，將此等二方式組合。此等進一步校正可藉由，例如，鑽孔及/或加工及/或切割及/或雷射剝蝕完成。
圖10至12描繪本發明之實施例的其他可能實施樣態。圖10至12在橫剖面圖中描繪包含光學晶圓OW的晶圓堆疊100，該光學晶圓包含被動光學組件65，其之至少一部分具有製造不規則性，諸如，自標稱值偏離的焦距，及附接至其的間隔器晶圓堆疊200。光學晶圓OW包含大量光學構件60，且間隔器晶圓堆疊200包含大量間隔器構件，其中在晶圓堆疊100中，各光學構件關聯於間隔器構件之不同一者並與其對準。偵測構件及偵測晶圓未描繪於圖10至12中。
間隔器晶圓堆疊200包含間隔器晶圓SW1及間隔器晶圓SW2。間隔器晶圓SW1係以不透明材料製造，且因此可強而有力地協助在光學上將光通道77相互阻絕。間隔器晶圓SW1可針對確保光學晶圓OW及間隔器晶圓SW2之間的可取(垂直)距離而另外提供。晶圓堆疊200的一特殊性係間隔器晶圓SW2包含不同(但透明)材料的二層m1、m2。例如，層m1係以玻璃製造，且層m2係以聚合物材料製造，或層m1係以聚合物材料製造，且層m2係以玻璃製造。可更通常地假設面對光學晶圓OW的 層(m1)係針對提供機械穩定性而設置，然而另一層(m2)(更明確地說，製造其的材料)在機械上比層m1(的材料)較不穩定。及/或，可假設考慮用於從間隔器晶圓SW2移除材料的方法或處理，層m2的材料比層m1的材料易於移除。然而，待注意通常也可摒除層m1。
通常另外可能將層m1及m2分別視為不同，然而彼此接合的間隔器晶圓。
更具體地說，如圖11及12所描繪的，可能假設用於補償光學晶圓OW之製造不規則性的材料移除僅發生在層m2中。
再者，圖10至12，且更具體地說，圖11及12描繪可能在二(或通常：二或多個)處理步驟中實行將材料從間隔器晶圓或從間隔器晶圓堆疊200(或，更具體地說從層m2)移除。移除材料可容許改變光通道77中的光學路徑長度。在此情形中，圖11描繪施加第一處理步驟至圖10之間隔器晶圓堆疊200而產生的晶圓堆疊，且圖12描繪施加第二處理步驟至圖11的間隔器晶圓堆疊200而產生的影像堆疊100。該二進續施加處理步驟可係不同處理步驟，例如，若二處理步驟藉由銑削實行，在第一處理步驟中，可能使用不同的銑削工具，並也可能施用比第二處理步驟更快的饋給率。且也可能將不同處理技術組合在處理步驟中，例如，先係雷射剝蝕，之後為銑削，或反之亦然。
第二處理步驟可能特別係微調步驟(用於最佳化補償 效果)。
且另外，可能將圖11及12視為描繪多通道裝置的情形中的可能進行方式，諸如，具有2×2通道陣列之四通道裝置(參照圖11及12)。如圖11所描繪的，可能對一裝置，亦即，對一間隔器構件，個別地實行第一處理步驟，但對各光通道77個別地實行第二處理步驟(參照圖12)。因此，在分離步驟之後(參照圖12中的厚虛線)，通常將得到具有不同高度(垂直延伸)且因此彼等的光通道之幾何長度g1、g2、g3不同的間隔器構件，然而彼等對一間隔器構件的所有光通道相等，但針對，例如，焦距的校正可個別地對各通道產生(在第二處理步驟中)。
在與圖10至12之一者相似的實施例中，將偵測構件接合至間隔器構件通常必需在可能係在分離晶圓堆疊100期間完成的間隔器晶圓200分離之後發生。
圖13在橫剖面圖中描繪包含多於一個單一零件(SW1、m1、m2)的二次處理間隔器構件。實際上，圖13非常對應於圖12，但間隔器晶圓SW2係水平(側向)鏡像的，且另外，在第二處理步驟中將其中之材料移除的(側向界定)區域相關於圖12的描繪內容減少。
在如圖13描繪之實施例的情形中，會得到被動光學組件65之製造不規則性的資料，或特別係由屬於同一通道之被動光學組件組成的被動光學組件組。基於此種資料，間隔器晶圓SW2的層m2會受第一處理步驟(與圖11 描繪的步驟相似)。此第一處理步驟會特別同步地施用至間隔器構件的所有光通道(並典型地使用同一工具)，但分別施用至不同間隔器構件。
之後，可能基於被動光學組件65之製造不規則性的其他資料(可能得自光學晶圓OW、間隔器晶圓SW1、以及間隔器晶圓SW2的初步組裝)，施用個別地處理各光通道的第二處理步驟。
然後，將間隔器晶圓SW1及SW2及光學晶圓OW接合在一起以形成晶圓堆疊100。此可能在一或多個步驟中完成。也可能將包含大量偵測構件(參照圖1)之偵測晶圓接合至已於此點或於之前完成的間隔器晶圓SW2。最後，施用，例如，藉由切割或雷射切割得到分離裝置的分離步驟。所獲得的裝置可係，例如，運算式攝影機或用於運算式攝影機的模組，或陣列攝影機或用於陣列攝影機的模組。
圖14至16在橫剖面圖中描繪具有被不透明地(側向地)環繞之光通道77的間隔器構件。圖5的實施例與其相似，且實際上，圖14至16容許將得到間隔器晶圓的方法描繪成如圖5所描繪的。
圖14在橫剖面圖中描繪包含作為光通道的通孔之不透明材料的構件；圖15在橫剖面圖中描繪圖14的構件，但具有填充在光通道中的透明材料；且圖16在橫剖面圖中描繪圖14的構件，具有不同之填充在光通道中的透明材料量。
為得到與圖5及16之描繪相似的間隔器構件70，可能提供包含大量通孔(參照圖14)的晶圓。使用複製處理，可將此種晶圓得到為，例如，單一部位。然後，將液態可硬化材料填入通孔中並於之後硬化，例如，固化。在此期間，可將該晶圓置於基材上，諸如，在聚矽氧墊上，以避免液態材料流出通孔。在硬化後，該填入材料係透明的。或許，可能將拋光步驟施用至所獲得的晶圓，以在偵測器側具有高品質光學表面。
在得到與圖5及16之描繪相似的間隔器構件70的第一方式中，對各光通道個別地選擇填充入孔中的液態材料量，以完成光學路徑長度的期望調整。在第二方式中，填入的材料量對間隔器構件的所有通孔(亦即，針對所有光通道)(至少在名義上)相等，其中可對間隔器晶圓的所有通孔(亦即，對所有光通道)(至少在名義上)相同(參照圖15)。在硬化後，然後針實施用於針對光通道個別地加入更多(或相同)的液態可硬化材料，及/或針對光通道個別地移除一部分的該液態可硬化材料的處理步驟。然而，此種微調步驟也可施用在之前調用的第一方式中。
可能使用，例如，分注器(與用於底膠填充覆晶等之電子製造中的已知分注器相似)，用於填入液態材料。可能將加工或銑削或鑽孔或雷射剝蝕用於移除材料。
從上文已變得清楚，本發明可能容許以非常高的良率在晶圓尺度上量產高精確度光學裝置。特別係若在製造光 學晶圓及/或光學構件及/或被動光學組件期間使用複製，特別在將複製步驟用於同時(或在單一處理中)製造大量光學構件及/或被動光學組件時，可能發生可藉由本發明良好補償之可重複的製造不規則性。在本文中，例如，針對製造補償間隔器晶圓或補償間隔器構件，可能或可能不將複製用於完成該補償。
50‧‧‧光電模組
60‧‧‧光學構件
65‧‧‧被動光學組件
70‧‧‧間隔器構件
75‧‧‧盲孔
76‧‧‧透明材料
77‧‧‧光通道
78‧‧‧彎曲底部
80‧‧‧偵測構件
85‧‧‧主動光學組件
88‧‧‧次影像
90‧‧‧完整影像
100‧‧‧晶圓堆疊
200‧‧‧間隔器晶圓堆疊
f‧‧‧額定焦距
g、g1、g2、g3‧‧‧幾何長度
m1、m2‧‧‧層
OW‧‧‧光學晶圓
SW1、SW2‧‧‧間隔器晶圓
以下，藉由範例及所包括的圖式更詳細地描述本發明。該等圖式係以強烈示意的方式顯示：圖1：裝置的分解圖，以橫剖面圖顯示；圖2：可從許多次影像得到完整影像的圖示；圖3：具有透鏡形狀的間隔器構件，以橫剖面圖顯示；圖4：具有透鏡形狀的間隔器構件，以橫剖面圖顯示；圖5：具有被不透明地圍繞之光通道的間隔器構件，以橫剖面圖顯示；圖6：具有未分離之光通道的間隔器構件，以橫剖面圖顯示；圖7：間隔器構件，以橫剖面圖顯示；圖8：間隔器構件，以橫剖面圖顯示；圖9：間隔器構件，以橫剖面圖顯示；圖10：包含間隔器構件之晶圓堆疊的細節，該等構件 包含多於一個單一零件，以橫剖面圖顯示；圖11：圖10中的晶圓堆疊在第一處理步驟後的細節，以橫剖面圖顯示；圖12：圖10及11中的晶圓堆疊在第二處理步驟後的細節，以橫剖面圖顯示；圖13：包含二次處理間隔器構件之晶圓堆疊的細節，該構件包含多於一個單一零件，以橫剖面圖顯示；圖14：包含作為光通道的通孔之不透明材料的構件，以橫剖面圖顯示；圖15：圖14的構件，具有填充在光通道中的透明材料，以橫剖面圖顯示；圖16：圖14的構件，具有填充在光通道中之不同的透明材料量，以橫剖面圖顯示。
所描述的實施例意指範例，且不應限制本發明。
50‧‧‧光電模組
60‧‧‧光學構件
65‧‧‧被動光學組件
70‧‧‧間隔器構件
75‧‧‧盲孔
76‧‧‧透明材料
77‧‧‧光通道
80‧‧‧偵測構件
85‧‧‧主動光學組件
f‧‧‧額定焦距
g‧‧‧幾何長度

Claims (23)

  1. 一種用於製造裝置的方法，該方法包括如下步驟：- 提供包括M2個間隔構件的間隔晶圓片，其中，M是整數，該M個間隔構件中的每一個包括N2個光通道，N是整數；- 提供包括M個光學構件的光學晶圓片，該M個光學構件中的每一個包括N組被動光學部件，每組被動光學部件包括一個或多個被動光學部件；- 提供包括M個偵測構件的偵測晶圓片，該M個偵測構件中的每一個各包括N個主動光學部件；其中，該M個間隔構件中的每一個與該光學構件中的不同的一個相關聯且與該偵測構件中的不同的一個相關聯，以及其中，對於該M個間隔構件中的每一個，分別N個間隔構件中的每一個與相關聯光學構件的N組主動光學部件中的不同的一組相關聯且與相關聯偵測構件的N個主動光學部件中的不同的一個相關聯，以及其中，對於該M個間隔構件和相關聯光學構件和相關聯偵測構件中的至少一個適用：- 分別間隔構件的N個光通道的全部都提供至少基本上相同的幾何路徑長度用於從相關聯光學構件的相關聯被動光學部件組通過分別光通道至相關聯偵測構件的相關聯主動光學部件的光傳播，以及- 用於從分別光學構件的N組被動光學部件中的第 一組通過相關聯光通道至相關聯主動光學部件的光傳播的光學路徑長度不同於用於從該分別光學構件的該N組被動光學部件中的第二組通過分別相關聯光通道至分別相關聯主動光學部件的光傳播的光學路徑長度；並且其中，該間隔晶圓片包括由相互不同的材料製成的第一層和第二層。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其中，該方法包括通過從該第二層去除材料來調整該光學路徑長度。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述的方法，其中，該第二層由聚合物材料製成。
  4. 根據申請專利範圍第1至3項中的一項所述的方法，包括製造該間隔晶圓片，該製造該間隔晶圓片包括如下步驟：- 提供晶圓片；- 局部地減小該晶圓片的垂直延伸；其中，該局部地減小該晶圓片的垂直延伸包括執行第一處理步驟和在該第一處理步驟之後執行不同於該第一處理步驟的第二處理步驟。
  5. 根據申請專利範圍第4項所述的方法，其中，與該第二處理步驟相比，以較高速率從該多個該許多區域中去除材料來執行該第一處理步驟。
  6. 根據申請專利範圍第4項所述的方法，其中，對間隔構件的所有通道同時地執行該第一處理步驟，並且其中，對間隔構件的不同光通道單獨地執行該第二處理步 驟。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述的方法，包括形成包括該光學晶圓片、該偵測晶圓片以及佈置在該光學晶圓片與該偵測晶圓片之間的該間隔晶圓片的晶圓片堆疊。
  8. 根據申請專利範圍第7項所述的方法，包括將該晶圓片堆疊分離成許多模組，每個包括該間隔構件中的一個、該光學構件中的一個和該偵測構件中的一個。
  9. 根據申請專利範圍第8項所述的方法，該許多模組中的每個包括該間隔構件中的剛好一個、該光學構件中的剛好一個和該偵測構件中的剛好一個。
  10. 根據申請專利範圍第7至9項中的一項所述的方法，其中，對於該M×N個光通道中的每一個，該光學路徑長度適用以下項中的一項或兩項：- 具有與分別相關聯光學構件的製造不規則性有關的值；- 根據分別相關聯光學構件的製造不規則性而被選擇。
  11. 根據申請專利範圍第10項所述的方法，包括確定該製造不規則性。
  12. 根據申請專利範圍第10項所述的方法，包括測量該製造不規則性。
  13. 根據申請專利範圍第1至3項中的一項所述的方法，其中，該裝置是用於攝影機的光電模組。
  14. 根據申請專利範圍第1至3項中的一項所述的方 法，其中，該裝置是攝影機。
  15. 一種用於製造包括光學構件和間隔構件的裝置的方法，該方法包括提供包含M2個該間隔構件的間隔晶圓片的步驟，其中，M是整數，其中該間隔晶圓片包括由相互不同的材料製成的第一層和第二層；及該方法包括製造該間隔晶圓片，該製造該間隔晶圓片包括如下步驟：- 提供晶圓片；- 局部地減小該晶圓片的垂直延伸；其中，該局部地減小該晶圓片的垂直延伸包括執行第一處理步驟和在該第一處理步驟之後執行不同於該第一處理步驟的第二處理步驟。
  16. 根據申請專利範圍第15項所述的方法，其中，該方法包括從該第二層去除材料。
  17. 根據申請專利範圍第15項所述的方法，包括製造該間隔晶圓片的步驟。
  18. 根據申請專利範圍第15項所述的方法，其中，與該第二處理步驟相比，以較高速率從該多個該許多區域去除材料來執行該第一處理步驟。
  19. 根據申請專利範圍第15項所述的方法，其中，對間隔構件的所有光通道同時地執行該第一處理步驟，並且其中，對間隔構件的不同光通道單獨地執行該第二處理步驟。
  20. 根據申請專利範圍第15項所述的方法，包括提供 包含M個該光學構件的光學晶圓片的步驟。
  21. 根據申請專利範圍第15項所述的方法，包括形成包括該間隔晶圓片的晶圓片堆疊的步驟。
  22. 根據申請專利範圍第21項所述的方法，包括將該晶圓片堆疊分離成M個模組的步驟。
  23. 根據申請專利範圍第22項所述的方法，其中，該模組中的每一個包括該間隔構件中的剛好一個。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130122247A1 (en) * 2011-11-10 2013-05-16 Omnivision Technologies, Inc. Spacer Wafer For Wafer-Level Camera And Method For Manufacturing Same
US9595553B2 (en) 2012-11-02 2017-03-14 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical modules including focal length adjustment and fabrication of the optical modules
KR101873132B1 (ko) 2013-11-22 2018-06-29 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드 컴팩트 광전자 모듈들
WO2015119571A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-13 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Stacks of arrays of beam shaping elements including stacking, self-alignment and/or self-centering features
WO2015126328A1 (en) * 2014-02-18 2015-08-27 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical modules including customizable spacers for focal length adjustment and/or reduction of tilt, and fabrication of the optical modules
US10371954B2 (en) 2014-06-10 2019-08-06 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optoelectronic modules including hybrid arrangements of beam shaping elements, and imaging devices incorporating the same
US9711552B2 (en) 2014-08-19 2017-07-18 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules having a silicon substrate, and fabrication methods for such modules
US9507143B2 (en) 2014-09-19 2016-11-29 Intel Corporation Compact illumination system
EP3207416B1 (en) 2014-10-14 2020-02-26 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical element stack assemblies
US20160307881A1 (en) * 2015-04-20 2016-10-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical sensor module and method for manufacturing the same
EP3276957A4 (en) * 2015-05-12 2018-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Image encoding method and device for sample value compensation and image decoding method and device for sample value compensation
WO2016191142A2 (en) * 2015-05-27 2016-12-01 Verily Life Sciences Llc Nanophotonic hyperspectral/lightfield superpixel imager
JP6619174B2 (ja) * 2015-07-31 2019-12-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 製造装置および方法
US10475830B2 (en) 2015-08-06 2019-11-12 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optical modules including customizable spacers for focal length adjustment and/or reduction of tilt, and fabrication of the optical modules
DE102015215833A1 (de) 2015-08-19 2017-02-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Multiaperturabbildungsvorrichtung mit Optiksubstrat
CN108700721B (zh) 2015-11-12 2021-12-31 赫普塔冈微光有限公司 光学元件堆叠组件
KR20170073910A (ko) 2015-12-21 2017-06-29 에스케이하이닉스 주식회사 라이트 필드 이미징 장치 및 그 제조방법
DE102016200285A1 (de) 2016-01-13 2017-07-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Multiaperturabbildungsvorrichtung, Abbildungssystem und Verfahren zum Erfassen eines Objektbereichs
CN108941932A (zh) * 2017-05-23 2018-12-07 东莞东阳光科研发有限公司 人工晶体制备方法
US10677964B2 (en) * 2017-10-23 2020-06-09 Omnivision Technologies, Inc. Lens wafer assembly and associated method for manufacturing a stepped spacer wafer
CN113366359B (zh) 2019-03-12 2022-11-15 奥林巴斯株式会社 内窥镜用摄像装置及内窥镜
CN115004063A (zh) * 2020-01-30 2022-09-02 古河电气工业株式会社 光模块以及光学装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080230934A1 (en) * 2007-03-23 2008-09-25 Heptagon Oy Method of producing a wafer scale package
TW200903792A (en) * 2007-05-11 2009-01-16 Micron Technology Inc Image sensor
TW200929456A (en) * 2007-11-27 2009-07-01 Heptagon Oy Encapsulated lens stack
TW201115204A (en) * 2009-10-20 2011-05-01 Tessera North America Inc Focus compensation for optical elements and applications thereof

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5232549A (en) * 1992-04-14 1993-08-03 Micron Technology, Inc. Spacers for field emission display fabricated via self-aligned high energy ablation
DE10058305A1 (de) * 2000-11-24 2002-06-06 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Oberflächenpolitur von Siliciumscheiben
WO2002065165A2 (en) 2001-02-09 2002-08-22 Digital Optics Corporation Compensation and/or variation of wafer level produced lenses and resultant structures
CN100440544C (zh) * 2002-09-17 2008-12-03 安特约恩股份有限公司 照相装置、制造照相装置的方法以及晶片尺度的封装
DE102005002545A1 (de) 2005-01-19 2006-07-20 Airbus Deutschland Gmbh Energiepuffereinrichtung für ein Flugzeug
CA2558898C (en) * 2005-09-07 2013-11-05 Purdue Research Foundation Laser assisted machining process with distributed lasers
JP2007110588A (ja) * 2005-10-17 2007-04-26 Funai Electric Co Ltd 複眼撮像装置
CN101009779B (zh) 2006-01-24 2010-06-16 采钰科技股份有限公司 高精密度成像控制的影像感应模块
US7721564B2 (en) 2006-11-21 2010-05-25 B/E Aerospace, Inc. Wild frequency avionic refrigeration system and controller therefor
TWI478808B (zh) * 2007-12-19 2015-04-01 Heptagon Micro Optics Pte Ltd 製造光學元件的方法
TWI484237B (zh) 2007-12-19 2015-05-11 Heptagon Micro Optics Pte Ltd 用於攝影裝置的光學模組、擋板基板、晶圓級封裝、及其製造方法
US20090159200A1 (en) 2007-12-19 2009-06-25 Heptagon Oy Spacer element and method for manufacturing a spacer element
US8319301B2 (en) * 2008-02-11 2012-11-27 Omnivision Technologies, Inc. Self-aligned filter for an image sensor
EP2265978A1 (en) * 2008-03-27 2010-12-29 Tessera North America, Inc. Optical device including at least one replicated surface and associated methods
WO2010074743A1 (en) * 2008-12-22 2010-07-01 Tessera North America, Inc. Focus compensation for thin cameras
WO2010108041A1 (en) 2009-03-18 2010-09-23 Artificial Muscle, Inc. Wafer level optical system
JP2011018974A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Renesas Electronics Corp Ｄ／ａコンバータ
US8193599B2 (en) * 2009-09-02 2012-06-05 Himax Semiconductor, Inc. Fabricating method and structure of a wafer level module
US8059341B2 (en) * 2009-09-23 2011-11-15 Visera Technologies Company Limited Lens assembly and method for forming the same
US8885257B2 (en) 2009-10-20 2014-11-11 Flir Systems Trading Belgium Bvba Focus compensation for optical elements and applications thereof
WO2011063347A2 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Pelican Imaging Corporation Capturing and processing of images using monolithic camera array with heterogeneous imagers
SG186210A1 (en) 2010-06-14 2013-01-30 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Camera, and method of manufacturing a plurality of cameras

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080230934A1 (en) * 2007-03-23 2008-09-25 Heptagon Oy Method of producing a wafer scale package
TW200903792A (en) * 2007-05-11 2009-01-16 Micron Technology Inc Image sensor
TW200929456A (en) * 2007-11-27 2009-07-01 Heptagon Oy Encapsulated lens stack
TW201115204A (en) * 2009-10-20 2011-05-01 Tessera North America Inc Focus compensation for optical elements and applications thereof

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KR20140068984A (ko) 2014-06-09
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WO2013026174A2 (en) 2013-02-28

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