KR20140053943A - Cmos 이미지 센서를 갖는 ir 업 컨버전 디바이스를 집적한 적외선 이미징 디바이스 - Google Patents
Cmos 이미지 센서를 갖는 ir 업 컨버전 디바이스를 집적한 적외선 이미징 디바이스 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140053943A KR20140053943A KR1020147000227A KR20147000227A KR20140053943A KR 20140053943 A KR20140053943 A KR 20140053943A KR 1020147000227 A KR1020147000227 A KR 1020147000227A KR 20147000227 A KR20147000227 A KR 20147000227A KR 20140053943 A KR20140053943 A KR 20140053943A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- cis
- aluminum
- film
- imaging device
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 11
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 title 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 13
- -1 aluminum tin oxide Chemical compound 0.000 claims description 8
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003349 3-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 claims description 3
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RIKNNBBGYSDYAX-UHFFFAOYSA-N 2-[1-[2-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]-n,n-bis(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 RIKNNBBGYSDYAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 2
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 claims description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 2
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-M picolinate Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N triphenyl-(4-triphenylsilylphenyl)silane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C=CC(=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- YTDHEFNWWHSXSU-UHFFFAOYSA-N 2,3,5,6-tetrachloroaniline Chemical compound NC1=C(Cl)C(Cl)=CC(Cl)=C1Cl YTDHEFNWWHSXSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 claims 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 1
- SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N oxytitamium phthalocyanine Chemical compound [Ti+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LLVONELOQJAYBZ-UHFFFAOYSA-N tin(ii) phthalocyanine Chemical compound N1=C(C2=CC=CC=C2C2=NC=3C4=CC=CC=C4C(=N4)N=3)N2[Sn]N2C4=C(C=CC=C3)C3=C2N=C2C3=CC=CC=C3C1=N2 LLVONELOQJAYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- MACHGYNFLRLMEV-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]-3-methyl-n-(3-methylphenyl)aniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(N)=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 MACHGYNFLRLMEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000000701 chemical imaging Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004297 night vision Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- JLAVCPKULITDHO-UHFFFAOYSA-N tetraphenylsilane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JLAVCPKULITDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/58—Photometry, e.g. photographic exposure meter using luminescence generated by light
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/33—Transforming infrared radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K65/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element and at least one organic radiation-sensitive element, e.g. organic opto-couplers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
- H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/32—Organic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
이미징 디바이스는, CMOS 이미지 센서(CIS) 상에 IR 업 컨버전 디바이스를 포함하고, 상기 업 컨버전 디바이스는 투명 다층 스택을 포함한다. 다층 스택은 투명 애노드와 투명 캐소드 사이에 위치한 IR 감광층 및 광 발산층을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에서, 다층 스택은 기계적 패스너 또는 접착제에 의해, 또는 접합에 의해 CIS에 결합된 투명 서포트 상에 형성된다. 본 발명의 다른 실시예에서, CIS는 다층 스택의 형성을 위한 지지 기판으로서 동작한다.
Description
본 출원은 2011년 6월 6일 출원된 미국 가출원 일련 번호 61/493,691의 우선권을 주장하고, 도표, 표 또는 도면을 포함하여 그 내용 전체가 참조로써 본문에 포함된다.
최근에, 야간 영상, 거리 측정 및 보안뿐만 아니라 반도체 웨이퍼 검사에서의 잠재적 적용가능성으로 인해 광(light) 업 컨버전 디바이스들의 연구가 큰 관심을 끌어오고 있다. 초기의 근적외선(near infrared; NIR) 업 컨버전 디바이스들은 대부분 광검출 및 발광 섹션이 연속으로 배치된 무기 반도체(inorganic semiconductor)의 이종결합 구조에 기초하였다. 업 컨버전 디바이스는 주로 광검출의 방법에 의해 구분된다. 디바이스들의 업 컨버전 효율은 일반적으로 매우 낮다. 예를 들면, 반도체 기반 광검출기(photodetector)를 갖는 발광 다이오드(light-emitting diode; LED)를 내장하는 하나의 NIR-가시광(NIR-to-visible) 광 업 컨버전 디바이스는 고작 0.048 (4.8%) W/W의 최대 외부 전환 효율을 보인다. InGaAs/InP 광검출기가 유기 발광 다이오드(organic light-emitting diode; OLED)에 결합된 하이브리드 유기/무기 업 컨버전 디바이스는 0.7% W/W의 외부 전환 효율을 보인다.
현재, 무기 및 하이브리드 업 컨버전 디비이스들은 제조하기에 고가이고 이들 디바이스를 제조하기에 사용되는 공정들은 다양한 분야의 적용에 호환되지 않는다. 비록 실용적 업 컨버전 디바이스를 위한 충분한 효율을 허용하는 것이 확인되지 않았지만, 더 높은 전환 효율을 갖는 저비용의 업 컨버전 디바이스를 얻기 위한 노력들이 수행되고 있다. 야간 촬상 디바이스들 등의 일부 애플리케이션들에서, 넓은 흡수 스펙트럼을 갖는 적외선(IR) 감광층을 갖는 업 컨버전 디바이스들이 매우 바람직하다. 또한, 달빛 또는 임의의 부가적 조명 소스(source)가 필요없이 신호를 증폭하는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예들은 다층 스택(multilayer stack) 구조 및 CMOS 이미지 센서(CMOS image sensor; CIS)를 갖는 투명 적외선(IR)-가시광 업 컨버전 디바이스를 구비하는 이미징 디바이스들에 관한 것이다. 스택층 구조는 투명 애노드(anode), 적어도 하나의 정공 차단층, IR 감광층, 적어도 하나의 정공 수송층(HTL), 발광층(LED), 적어도 하나의 전자 수송층(ETL), 및 투명 캐소드(cathode)를 포함한다. 부가적으로, 업 컨버전 디바이스는 반사방지 층 및/또는 IR 통과 가시광 차단 층(IR pass visible blocking layer)을 포함할 수 있다. 다층 스택은 기판 상에 형성될 수 있다. 기판은 CIS일 수 있다. 기판은 단단한(rigid) 서포트 층 일수 있고 업 컨버전 디바이스는 기계적 패스너(fastener) 또는 접착제로 CIS에 결합되거나, 또는 서포트 층은 가요성일 수 있고 업 컨버전 디바이스는 CIS 상에 적층되어(laminated) 이미징 디바이스를 형성한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따라 CMOS 이미지 센서(CIS)와 함께 이용될 적외선-가시광 업 컨버전 디바이스의 개략적 단면도이다.
도 2는 도 1의 업 컨버전 디바이스의 에너지 대역 다이어그램이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 이미징 디바이스의 적외선(IR) 감광층으로서 결합될 수 있는 다양한 직경에 대한 흡수 스펙트럼(PBSe QDs)의 합성도를 나타내고, 삽화는 두께가 50nm인 단분산 PbSe의 필름에 대한 흡수 스펙트럼 및 그 필름의 TEM 이미지를 나타낸다.
도 4는 삽화에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에서 사용될 수 있는 근적외선(NIR) 조명 하에서 투명 업 컨버전 디바이스를 위한 상이한 바이어스들(biases)에 대한 전환 효율들의 합성도를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라, 리지형(ridged) 업 컨버전 디바이스가 CIS에 결합되어 있는 이미징 디바이스의 구조를 도시한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라, 가요성 업 컨버전 디바이스가 CIS에 적층되어 있는 이미징 디바이스의 구조를 도시한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라, 업 컨번전 디바이스가 CIS 기판 상에 직접적으로 형성되어 있는 이미징 디바이스를 도시한다.
도 2는 도 1의 업 컨버전 디바이스의 에너지 대역 다이어그램이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 이미징 디바이스의 적외선(IR) 감광층으로서 결합될 수 있는 다양한 직경에 대한 흡수 스펙트럼(PBSe QDs)의 합성도를 나타내고, 삽화는 두께가 50nm인 단분산 PbSe의 필름에 대한 흡수 스펙트럼 및 그 필름의 TEM 이미지를 나타낸다.
도 4는 삽화에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에서 사용될 수 있는 근적외선(NIR) 조명 하에서 투명 업 컨버전 디바이스를 위한 상이한 바이어스들(biases)에 대한 전환 효율들의 합성도를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라, 리지형(ridged) 업 컨버전 디바이스가 CIS에 결합되어 있는 이미징 디바이스의 구조를 도시한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라, 가요성 업 컨버전 디바이스가 CIS에 적층되어 있는 이미징 디바이스의 구조를 도시한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라, 업 컨번전 디바이스가 CIS 기판 상에 직접적으로 형성되어 있는 이미징 디바이스를 도시한다.
본 발명의 실시예들은 CMOS 이미지 센서(CIS) 상에 형성되거나 또는 CIS에 결합되는 가시광 발광층을 적외선(IR) 감광층과 결합시키는 업 컨버전 디바이스에 대한 것이다. 도 1은, 캐소드와 애노드 사이에 샌드위치되어 있고 가시광을 발생시키는 유기 발광층(LED) 및 IR 감광층을 포함하는 다층 스택을 구비하는 업 컨버전 디바이스의 개략도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따르는 업 컨버전 디바이스에 대한 대역(band) 다이어그램을 나타내고, 여기서 IR 감광층과 애노드 사이에 정공 차단층이 삽입되어 업 컨버전 디바이스에서의 암전류(dark current)를 감소시킨다.
본 발명의 일 실시예에서, 업 컨버전 디바이스는 다분산 PbSe 양자 도트들(quantum dots; QDs)의 필름을 IR 감광층으로서 이용하고, 여기서, 다양한 크기의 QD들은, 1㎛ 미만부터 약 2㎛까지의 파장 범위에 걸쳐 다수의 흡수 최대값들을 갖는 IR 방사, 또는 본문에서 사용된 바와 같은 IR을 흡수하여, IR 감광층의 넓은 스펙트럼 민감도를 제공한다.
도 3에 도시된 복합 스펙트럼들에 다양한 크기의 QD들에 대한 가변 흡수 최대값들이 도시되어 있다. 도 3의 삽화는 1.3㎛에서 흡수 피크값을 갖는 단분산 PbSe QD들의 50nm 두께의 필름에 대한 흡수 스펙트럼을 도시한다. 그러나, 도 4에 도시된 바와 같이, 도 3의 삽화에서 도시된 단분산 QD들로 구성된 업 컨버전 디바이스에 대한 광자-광자 전환 효율은, 20V의 상대적으로 높은 바이어스에서조차, NIR 조사(irradiation)에 대해 불과 수 퍼센트의 효율밖에 얻지 못한다. 이 범위에서 전환 효율이 10% 미만이기 때문에, IR 신호의 타당한 검출은 IR 입력 또는 가시광 출력 신호의 증폭에 의해 달성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에서, 출력 신호는 업 컨버전 디바이스를 CIS에 결합시킴으로써 최적화된다. 업 컨버전 디바이스의 전극들은 투명해서, 입사 IR 방사(entering IR radiation)는 IR 감광층으로 수송되고, 입사 광 및 발생된 광은 업 컨버전 디바이스의 광 사출(exiting) 표면에서 CIS의 표면에 도달할 수 있다. CIS 기술은 성숙되어 있고 상업적으로 이용가능한 디지털 카메라를 위한 이미지 캡처에 널리 이용된다. 이들 CIS는 광검출기를 갖는 적어도 하나의 증폭기를 구비한 픽셀들을 포함한다. 업 컨버전 디바이스를 갖는 CIS를 포함함으로써, IR 생성 이미지 신호의 증폭은 CIS와 결합함으로써 달성되어, IR 조사 소스가 낮은 강도인 경우에도 이미징 디바이스가 야간 촬상 애플리케이션들에 이용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 다분산 QD들을 포함하는 광역 흡수 감광층일 수 있는 IR 감광층을 구비한 업 컨버전 디바이스의 개략적 에너지 밴드 다이어그램이다. HBL은 예를 들면, 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 (BCP) p-비 스(트리페닐실릴)벤젠 (UGH2), 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 (BPhen), 트리스-(8-하이드록시 퀴놀린) 알루미늄 (Alq3), 3,5'-N,N'-디카바졸-벤젠 (mCP), C60, 또는 트리스[3-(3-피리딜)-메시틸]보란 (3TPYMB)을 포함하는 유기 HBL일 수 있다. 정공 차단층(hole blocking layer; HBL)은 예를 들면, ZnO 또는 TiO2을 포함하는 무기 HBL일 수 있다. 애노드는 인듐 주석 산화물(Indium tin oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide; IZO), 알루미늄 주석 산화물(aluminum tin oxide; ATO), 알루미늄 아연 산화물(aluminum zinc oxide; AZO) 또는 탄소 나노튜브(carbon nanotubes)일 수 있지만, 이에 국한되지 않는다.
정공 수송층(hole transport layer; HTL)들로서 사용될 수 있는 물질들은 1,1-비스[(디-4-톨릴아미노)페닐]사이클로헥산 (TAPC), N,N'-디페닐-N,N'(2-나프틸)-(1,1'-페닐)-4,4'-디아민 (NPB), 및 N,N'-디페닐-N,N'-디(m-톨릴) 벤지딘 (TPD)을 포함하지만, 이에 국한되지는 않는다. 사용될 수 있는 전계발광(electroluminescent light emitting; LED) 물질들은 트리스-(2-페닐피리딘) 이리듐, Ir(ppy)3, 폴리-[2-메톡시, 5-(2'-에틸-헥실옥시) 페닐린 비닐렌] (MEH-PPV), 트리스-(8-하이드록시 퀴놀린) 알루미늄 (Alq3), 및 이리듐 (III) 비스-[(4,6-디-플루오로페닐)-피리디네이트-N,C2']피콜리네이트 (FIrpic)을 포함하지만, 이에 국한되지는 않는다. 전자 수송층(ETL)으로서 사용될 수 있는 물질들은 트리스[3-(3-피리딜)-메시틸]보란 (3TPYMB), 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 (BCP), 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 (BPhen), 및 트리스-(8-하이드록시 퀴놀린) 알루미늄 (Alq3)을 포함하지만, 이에 국한되지는 않는다.
캐소드는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 알루미늄 주석 산화물(ATO), 알루미늄 아연 산화물(AZO), 탄소 나노튜브, 은 나노와이어(silver nanowire), 또는 Mg:Al 층일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 20nm 미만의 두께를 갖는 적층된 10:1 Mg:Ag 층이 투명 전극으로서 사용된다. 본 발명의 일 실시예에서, 반사방지 층은 투명 전극의 외부 표면 상에 배치된다. 예를 들면, Alq3 층의 두께가 약 100nm 미만인 경우, Alq3 층은 양호한 투과성을 제공할 수 있는 반사방지 층일 수 있다. 대안적으로, 반사방지 층은, 두께가 약 50nm 이하인 MoO3와 같은 금속 산화물일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 가시광 사출 면은 약 10nm의 10:1 Mg:Al 캐소드 층을 포함하고, 50nm의 Alq3 층은 캐소드 상에 배치된다.
본 개시의 이점을 가진 통상의 기술자는, 상대 일 함수들, HOMO 및 LUMO 레벨들, 층 호환, 및 제조 중에 사용되는 임의의 바람직한 피착 방법의 본질에 의해, 애노드, 캐소드, LED 물질, 정공 수송층, HBL, 및 전자 수송층의 적절한 조합을 용이하게 식별할 수 있다. 본 발명의 실시예들에서, 애노드 및 캐소드는 투명하고, 다층 스택은 유리와 같이 단단하거나, 또는 유기 고분자와 같이 가요성인 투명한 서포트 상에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 업 컨버전 디바이스는 기판과 애노드 사이에 위치한 IR 통과 가시광 차단 층을 포함한다. 업 컨버전 디바이스에 사용되는 IR 통과 가시광 차단 층은 멀티 유전체 적층(multi dielectric stack layer)을 사용할 수 있다. IR 통과 가시광 차단 층은 상이한 굴절율들 - 하나는 높은 굴절율 그리고 다른 하다는 현격히 낮은 굴절율 - 을 갖는 교번층(alternating films)을 구비한 유전체 필름의 스택(stack)을 포함한다. 예시적인 IR 통과 가시광 차단 층은 두께가 10 내지 100 nm인 Ta2O5 (RI = 2.1) 및 SiO2 (RI = 1.45)의 2 내지 80 개의 교번층들의 복합물로 구성되어 있다.
이미징 디바이스를 형성하기 위한 업 컨버전 디바이스와 CIS의 결합은 다양한 방식으로 얻을 수 있다. 도 5 및 도 6에서, 업 컨버전 디바이스는 CIS에 독립적으로 구성되어 있고, 두 다바이스는 두 디바이스를 적층함으로써 결합되어 발광층에 의해 방사되는 가시광이 CIS의 픽셀들의 광검출기를 활성화시키고, 결과적으로 전자 신호가 픽셀 내의 증폭기에 의해 증폭된다. 도 5의 업 컨버전 디바이스는 한 쌍의 유리 기판들을 포함하고 CIS 상에 배치된다. 2개의 단단한 디바이스는 예를 들면, 기계적인 패스너(fastener) 또는 접착제에 의해 결합될 수 있다. 도 6에서, 업 컨버전 디바이스는 CIS에 연속하여 적층되는 투명 가요성 필름으로 제작된다.
본 발명의 일부 실시예들에서, CIS는 이미지 센서이고, 특정 방사 주파수 범위를 위한 필터들 또는 픽셀들의 광검출기로 빛을 향하게 하는(direct) 마이크로 렌즈들을 필요로 하지 않고 증폭을 제공한다.
본 발명의 다른 실시예에서, 도 7에 도시된 바와 같이, CIS는 업 컨버전 디바이스의 층들이 제작되는 기판으로서 사용되고, 결과적으로 이미징 디바이스의 업 컨버전 디바이스 및 CIS를 포함하는 단일 모듈이 된다.
참조되거나 인용된 모든 특허들, 특허 출원들, 가출원들, 및 공개 공보들은, 모든 도면들 및 표들을 포함하여, 본 명세서의 명백한 교시들과 일치하지 않는 범위까지, 참조로써 그 전체가 본문에 포함된다.
본문에 기술된 예들 및 실시예들은 오직 예시적 목적이고, 이러한 관점에서 다양한 수정들 및 변형들이 통상의 기술자에 제시될 것이며, 이들은 본 발명의 진의 및 범위 내에 포함되어야 함을 이해해야 한다.
Claims (18)
- 투명 IR 업 컨버전 디바이스(up-conversion device) 및 CMOS 이미지 센서(CMOS image sensor; CIS)를 포함하는 이미징 디바이스로서,
상기 투명 IR 업 컨버전 디바이스가, 애노드 층, 정공 차단층, IR 감광층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 및 캐소드를 포함하는 다층 스택(multilayer stack)인 이미징 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 애노드는 인듐 주석 산화물(indium tin oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide; IZO), 알루미늄 주석 산화물(aluminum tin oxide; ATO), 알루미늄 아연 산화물(aluminum zinc oxide; AZO), 탄소 나노튜브(carbon nanotube), 또는 은 나노와이어(silver nanowire)를 포함하는 이미징 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 정공 차단층은 TiO2, ZnO, BCP, Bphen, 3TPYMB, 또는 UGH2를 포함하는 이미징 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 IR 감광층은 PbSe QD들, PbS QD들, PbSe 필름, PbS 필름, InAs 필름, InGaAs 필름, Si 필름, Ge 필름, GaAs 필름, 페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복시-3,4,9,10-디안하이드라이드 (PTCDA), 주석 (II) 프탈로시아닌 (SnPc), SnPc:C60, 알루미늄 프탈로시아닌 클로라이드 (AlPcCl), AlPcCl:C60, 티타닐 프탈로시아닌 (TiOPc), 또는 TiOPc:C60을 포함하는 이미징 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 정공 수송층은 1,1-비스[(디-4-톨릴아미노)페닐]사이클로헥산 (TAPC), N,N'-디페닐-N,N'(2-나프틸)-(1,1'-페닐)-4,4'-디아민 (NPB), 또는 N,N'-디페닐-N,N'-디(m-톨릴) 벤지딘 (TPD)을 포함하는 이미징 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 발광층은 트리스-(2-페닐피리딘) 이리듐, Ir(ppy)3, 폴리-[2-메톡시, 5-(2'-에틸-헥실옥시) 페닐린 비닐렌] (MEH-PPV), 트리스-(8-하이드록시 퀴놀린) 알루미늄 (Alq3), 또는 이리듐 (III) 비스-[(4,6-디-플루오로페닐)-피리디네이트-N,C2']피콜리네이트 (FIrpic)을 포함하는 이미징 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 전자 수송층은 트리스[3-(3-피리딜)-메시틸]보란 (3TPYMB), 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 (BCP), 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 (BPhen), 또는 트리스-(8-하이드록시 퀴놀린) 알루미늄 (Alq3)을 포함하는 이미징 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 캐소드는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 알루미늄 주석 산화물(ATO), 알루미늄 아연 산화물(AZO), 탄소 나노튜브, 은 나노와이어, 또는 Mg:Al을 포함하는 이미징 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 캐소드는 30nm 미만의 두께를 갖는 10:1 Mg:Ag 층을 포함하는 이미징 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 다층 스택은 상기 캐소드 상에 반사방지 층을 더 포함하는 이미징 디바이스. - 제9항에 있어서,
상기 반사방지 층은 200nm 미만의 두께를 갖는 Alq3 층을 포함하는 이미징 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 다층 스택은 상기 애노드 상에 배치된 IR 통과 가시광 차단 층을 포함하는 이미징 디바이스. - 제11항에 있어서,
상기 IR 통과 가시광 차단 층은 상이한 굴절률을 가진 물질들의 복수의 교번층들을 포함하는 이미징 디바이스. - 제12항에 있어서,
상기 교번층들은 두께가 10 내지 100 nm인 Ta2O5 및 SiO2 층들을 포함하고, 상기 IR 통과 가시광 차단 층은 2 내지 80 개의 층들을 포함하는 이미징 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 CIS는 상기 다층 스택을 위한 기판인 이미징 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 다층 스택은 서포트(support) 층을 더 포함하는 이미징 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 서포트 층은 단단하고(rigid), 상기 업 컨버전 디바이스는 기계적인 패스너(fastener) 또는 접착제에 의해 CIS에 결합되는 이미징 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 서포트 층은 가요성이고, 상이 업 컨버전 디바이스는 상기 CIS에 적층되는 이미징 디바이스.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161493691P | 2011-06-06 | 2011-06-06 | |
| US61/493,691 | 2011-06-06 | ||
| PCT/US2012/040980 WO2012170456A2 (en) | 2011-06-06 | 2012-06-06 | Infrared imaging device integrating an ir up-conversion device with a cmos image sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140053943A true KR20140053943A (ko) | 2014-05-08 |
| KR102031996B1 KR102031996B1 (ko) | 2019-10-14 |
Family
ID=47296703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020147000227A KR102031996B1 (ko) | 2011-06-06 | 2012-06-06 | Cmos 이미지 센서를 갖는 ir 업 컨버전 디바이스를 집적한 적외선 이미징 디바이스 |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140111652A1 (ko) |
| EP (1) | EP2718974B1 (ko) |
| JP (1) | JP6309449B2 (ko) |
| KR (1) | KR102031996B1 (ko) |
| CN (1) | CN103765588B (ko) |
| AU (1) | AU2012268322A1 (ko) |
| BR (1) | BR112013031013A2 (ko) |
| CA (1) | CA2837739A1 (ko) |
| MX (1) | MX2013014311A (ko) |
| RU (1) | RU2013158842A (ko) |
| SG (1) | SG194906A1 (ko) |
| WO (1) | WO2012170456A2 (ko) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10700141B2 (en) | 2006-09-29 | 2020-06-30 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Method and apparatus for infrared detection and display |
| WO2011149960A2 (en) | 2010-05-24 | 2011-12-01 | University Of Florida Research Foundation Inc. | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device |
| US10134815B2 (en) | 2011-06-30 | 2018-11-20 | Nanoholdings, Llc | Method and apparatus for detecting infrared radiation with gain |
| EP2900409B1 (en) | 2012-09-27 | 2019-05-22 | Rhodia Operations | Process for making silver nanostructures and copolymer useful in such process |
| DE102013106573B4 (de) * | 2013-06-24 | 2021-12-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement, Gassensor mit strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelements |
| US10042478B2 (en) * | 2014-12-31 | 2018-08-07 | Texas Instruments Incorporated | Rear projection display with near-infrared emitting touch screen |
| CN104576968A (zh) * | 2015-02-10 | 2015-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件及其制备方法、显示基板和显示装置 |
| WO2017039774A2 (en) | 2015-06-11 | 2017-03-09 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Monodisperse, ir-absorbing nanoparticles and related methods and devices |
| CN105098095B (zh) * | 2015-07-27 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管器件及其制作方法、显示装置 |
| US10483325B2 (en) * | 2015-09-11 | 2019-11-19 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Light emitting phototransistor |
| JP2018534760A (ja) | 2015-09-11 | 2018-11-22 | ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション, インコーポレイテッドUniversity Of Florida Research Foundation, Inc. | 縦型電界効果トランジスタ |
| EP4155716A1 (en) * | 2016-01-26 | 2023-03-29 | Stryker European Operations Limited | Image sensor assembly |
| JP2018078242A (ja) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子、それを有する撮像素子及び撮像装置 |
| CN111048535B (zh) | 2018-10-15 | 2022-06-07 | 联华电子股份有限公司 | 影像传感器 |
| CN109742122B (zh) * | 2019-01-10 | 2021-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板 |
| EP3691253B1 (en) * | 2019-01-31 | 2023-11-15 | Fundació Institut de Ciències Fotòniques | Charge sensing device with readout of signal by detecting a change of capacitance of combined gate and quantum capacitance compared to a reference capacitancea |
| EP3691252B1 (en) | 2019-01-31 | 2023-12-13 | Fundació Institut de Ciències Fotòniques | Charge sensing device with gate voltage selected to operate around the charge neutrality point and tune the quantum capacitance |
| DE102019125429B3 (de) * | 2019-09-20 | 2020-12-10 | Motherson Innovations Company Limited | Detektionssystem und ein Fahrzeug mit diesem System |
| CN110752355A (zh) * | 2019-10-09 | 2020-02-04 | 天津大学 | 一种制备高载硫量电极材料硫-二氧化钛-聚吡咯的方法 |
| EP4360141A1 (en) * | 2021-06-21 | 2024-05-01 | The Board of Regents for the Oklahoma Agricultural And Mechanical Colleges | Optical roic integration for oled-based infrared sensors |
| WO2023272572A1 (en) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Photoelectric conversion element and solid-state image sensing device |
| CN114664968B (zh) * | 2022-03-15 | 2023-11-14 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种可见-红外双波段光电探测器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003083809A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 赤外可視変換部材及び赤外線検出装置。 |
| US20050161703A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-07-28 | Intevac, Inc. | Wavelength extension for backthinned silicon image arrays |
| JP2009192919A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Agc Techno Glass Co Ltd | 光学多層膜付きガラス部材とその製造方法 |
| WO2010070563A2 (en) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Transparent organic light emitting diode |
| WO2011066396A2 (en) * | 2009-11-24 | 2011-06-03 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for sensing infrared radiation |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4885211A (en) * | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
| JPH0216421A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光検出器 |
| US6579629B1 (en) * | 2000-08-11 | 2003-06-17 | Eastman Kodak Company | Cathode layer in organic light-emitting diode devices |
| KR101118810B1 (ko) * | 2003-06-12 | 2012-03-20 | 시리카 코포레이션 | 자유 캐리어의 정상 상태 비평형 분포 및 이를 이용한 광자에너지 상승 변환 |
| JP2005266537A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Stanley Electric Co Ltd | 赤外線透過フィルタ及び該赤外線透過フィルタを具備する赤外線投光器 |
| JP4839632B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2011-12-21 | ソニー株式会社 | 撮像装置 |
| CN101421664B (zh) * | 2006-03-02 | 2011-08-31 | 化合物光子学公司 | 光寻址空间光调制器以及方法 |
| JP5164509B2 (ja) * | 2007-10-03 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、可視光用光電変換装置及びそれらを用いた撮像システム |
| DE102009018647A1 (de) * | 2009-04-23 | 2010-10-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung |
| CN101794834B (zh) * | 2009-12-14 | 2013-06-12 | 湖南共创光伏科技有限公司 | 设有上转换荧光材料膜层的高效太阳能薄膜电池及其膜层制备方法 |
| CN103180968A (zh) * | 2010-08-18 | 2013-06-26 | 班大燕 | 具备波长转换功能的有机/无机混合光学放大器 |
-
2012
- 2012-06-06 SG SG2013083548A patent/SG194906A1/en unknown
- 2012-06-06 RU RU2013158842/28A patent/RU2013158842A/ru not_active Application Discontinuation
- 2012-06-06 US US14/124,136 patent/US20140111652A1/en not_active Abandoned
- 2012-06-06 CA CA2837739A patent/CA2837739A1/en not_active Abandoned
- 2012-06-06 AU AU2012268322A patent/AU2012268322A1/en not_active Abandoned
- 2012-06-06 WO PCT/US2012/040980 patent/WO2012170456A2/en active Application Filing
- 2012-06-06 CN CN201280027507.5A patent/CN103765588B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-06-06 MX MX2013014311A patent/MX2013014311A/es unknown
- 2012-06-06 JP JP2014514568A patent/JP6309449B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-06-06 BR BR112013031013A patent/BR112013031013A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2012-06-06 EP EP12797523.3A patent/EP2718974B1/en active Active
- 2012-06-06 KR KR1020147000227A patent/KR102031996B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003083809A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 赤外可視変換部材及び赤外線検出装置。 |
| US20050161703A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-07-28 | Intevac, Inc. | Wavelength extension for backthinned silicon image arrays |
| JP2009192919A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Agc Techno Glass Co Ltd | 光学多層膜付きガラス部材とその製造方法 |
| WO2010070563A2 (en) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Transparent organic light emitting diode |
| WO2011066396A2 (en) * | 2009-11-24 | 2011-06-03 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for sensing infrared radiation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102031996B1 (ko) | 2019-10-14 |
| SG194906A1 (en) | 2013-12-30 |
| EP2718974A2 (en) | 2014-04-16 |
| MX2013014311A (es) | 2014-01-23 |
| JP2014522578A (ja) | 2014-09-04 |
| CA2837739A1 (en) | 2012-12-13 |
| JP6309449B2 (ja) | 2018-04-11 |
| EP2718974B1 (en) | 2019-10-09 |
| BR112013031013A2 (pt) | 2016-11-29 |
| WO2012170456A3 (en) | 2013-04-25 |
| EP2718974A4 (en) | 2015-05-20 |
| RU2013158842A (ru) | 2015-07-20 |
| US20140111652A1 (en) | 2014-04-24 |
| CN103765588B (zh) | 2016-08-24 |
| AU2012268322A1 (en) | 2014-01-16 |
| WO2012170456A2 (en) | 2012-12-13 |
| CN103765588A (zh) | 2014-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102031996B1 (ko) | Cmos 이미지 센서를 갖는 ir 업 컨버전 디바이스를 집적한 적외선 이미징 디바이스 | |
| US9437835B2 (en) | Transparent infrared-to-visible up-conversion device | |
| JP6513733B2 (ja) | 利得を伴って赤外線放射を検出する方法および装置 | |
| KR101820772B1 (ko) | 적외선 업-컨버젼 장치 상에 전하 차단층을 제공하기 위한 방법 및 장치 | |
| US9190458B2 (en) | Method and apparatus for providing a window with an at least partially transparent one side emitting OLED lighting and an IR sensitive photovoltaic panel | |
| US8598573B1 (en) | Infrared pass visible blocker for upconversion devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |