KR20140049350A - Light emitting device - Google Patents

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Abstract

A light emitting device according to one embodiment of the present invention includes: an upper substrate; a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer which are successively arranged under the upper substrate; a lower substrate arranged under the light emitting structure; a first electrode pad electrically connected to the first conductive semiconductor layer on the lower substrate; an insulation layer arranged between the first electrode pad and the lower substrate; and a second electrode pad electrically separated from the first electrode pad and electrically connected to the second conductive semiconductor layer and the lower substrate.

Description

발광 소자{Light emitting device}[0001]

실시예는 발광 소자에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting element.

발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.Light emitting diodes (LEDs) are a kind of semiconductor devices that convert the electricity into infrared rays or light by using the characteristics of compound semiconductors, exchange signals, or use as a light source.

Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적 및 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.III-V nitride semiconductors (group III-V nitride semiconductors) have been spotlighted as core materials for light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LD) due to their physical and chemical properties.

이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명과 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다.Since such a light emitting diode does not contain environmentally harmful substances such as mercury (Hg) used in conventional lighting devices such as incandescent lamps and fluorescent lamps, it has excellent environmental friendliness, and has advantages such as long life and low power consumption characteristics. .

도 1은 기존의 플립 본딩 방식의 발광 소자의 단면도를 나타낸다.1 is a cross-sectional view of a conventional flip-bonding type light emitting device.

도 1의 발광 소자는 사파이어 기판(10), 발광 구조물(20), n 및 p형 오믹 접촉층(32, 34), 상부 범프 금속층(42, 44), 범프(52, 54), 하부 범프 금속층(62, 64), n 및 p형 전극 패드(72, 74), 패시베이션(passivation)층(82, 84) 및 서브 마운트(submount)(90)로 구성된다. 여기서, 발광 구조물(20)은 n형 반도체층(22), 활성층(24) 및 p형 반도체층(24)으로 구성된다.1 includes a sapphire substrate 10, a light emitting structure 20, n and p-type ohmic contact layers 32 and 34, upper bump metal layers 42 and 44, bumps 52 and 54, N and p-type electrode pads 72 and 74, passivation layers 82 and 84 and a submount 90. The p-type electrode pads 72 and 74, Here, the light emitting structure 20 is composed of an n-type semiconductor layer 22, an active layer 24 and a p-type semiconductor layer 24.

도 1의 기존의 발광 소자의 발광 구조물(20)로부터 출사되는 광은 서브 마운트(90)의 낮은 반사율로 인해, 서브 마운트(90)에서 반사되는 대신에 흡수되기 때문에, 광 추출 효율이 저하될 수 있다.The light emitted from the light emitting structure 20 of the conventional light emitting device of FIG. 1 is absorbed instead of being reflected by the sub mount 90 due to the low reflectance of the sub mount 90, have.

게다가, SiO2 같은 물질로 이루어지는 패시베이션층(82, 84)의 열 전도율이 낮아 발광 구조물(20)에서 발생된 열이 제대로 방출될 수 없어 신뢰성에 영향을 미칠 수 있다.In addition, the thermal conductivity of the passivation layers 82 and 84 made of a material such as SiO 2 is low, and the heat generated in the light emitting structure 20 can not be properly emitted, which may affect reliability.

실시예는 광 추출 효율 및 열 방출이 우수한 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having excellent light extraction efficiency and heat emission.

실시예의 발광 소자는, 상부 기판; 상기 상부 기판 아래에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 아래에 배치된 하부 기판; 상기 하부 기판 위에서 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극 패드; 상기 제1 전극 패드와 상기 하부 기판 사이에 배치된 절연층; 및 상기 제1 전극 패드와 전기적으로 분리되며, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 하부 기판과 전기적으로 연결된 제2 전극 패드를 포함한다.The light emitting device of the embodiment includes: an upper substrate; A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer sequentially disposed under the upper substrate; A lower substrate disposed below the light emitting structure; A first electrode pad electrically connected to the first conductive semiconductor layer on the lower substrate; An insulating layer disposed between the first electrode pad and the lower substrate; And a second electrode pad electrically isolated from the first electrode pad and electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer and the lower substrate.

발광 소자는, 상기 하부 기판 아래에 배치되어, 상기 하부 기판을 관통하는 제2 전극 패드와 전기적으로 연결되는 하부 전극을 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a lower electrode disposed under the lower substrate and electrically connected to a second electrode pad penetrating the lower substrate.

상기 절연층은 상기 제2 전극 패드와 상기 하부 기판 사이로 연장되어 배치되고, 상기 제2 전극 패드는 상기 절연층을 관통하여 상기 하부 기판과 전기적으로 연결될 수 있다.The insulating layer may extend between the second electrode pad and the lower substrate, and the second electrode pad may be electrically connected to the lower substrate through the insulating layer.

발광 소자는, 상기 절연층과 상기 하부 기판 사이에 배치된 금속 반사층을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 전극 패드는 상기 금속 반사층에 접하여 상기 하부 기판과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 전극 패드는 상기 금속 반사층을 관통하여 상기 하부 기판과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 금속 반사층은 상기 절연층과 상기 하부 기판 사이로부터 연장되어 상기 하부 기판을 감싸도록 배치될 수 있다. The light emitting device may further include a metal reflective layer disposed between the insulating layer and the lower substrate. The second electrode pad may be electrically connected to the lower substrate in contact with the metal reflection layer. The second electrode pad may be electrically connected to the lower substrate through the metal reflective layer. The metal reflective layer may extend between the insulating layer and the lower substrate to surround the lower substrate.

상기 하부 기판은 금속을 포함하는 반사성 물질로 이루어질 수 있다.The lower substrate may be made of a reflective material including a metal.

다른 실시예에 의하면, 발광 소자는, 상부 기판; 상기 상부 기판 아래에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 하부에 배치된 하부 기판; 상기 하부 기판의 적어도 일부를 감싸는 금속 반사층; 상기 금속 반사층과 상기 발광 구조물 사이에 배치되는 절연층; 상기 절연층 위에 배치되어 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제1 전극 패드; 및 상기 제1 전극 패드와 전기적으로 분리되고, 상기 절연층 위에 배치되어 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극 패드를 포함할 수 있다.According to another embodiment, the light emitting element includes an upper substrate; A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer sequentially disposed under the upper substrate; A lower substrate disposed under the light emitting structure; A metal reflective layer surrounding at least a portion of the lower substrate; An insulating layer disposed between the metal reflective layer and the light emitting structure; A first electrode pad disposed on the insulating layer and electrically connected to the first conductive semiconductor layer; And a second electrode pad electrically separated from the first electrode pad and disposed on the insulating layer and electrically connected to the second conductive semiconductor layer.

상기 하부 기판은 상기 제2 전극 패드와 적어도 일부가 대향하는 관통 홀을 가질 수 있다. 상기 관통 홀의 폭은 상기 제2 전극 패드의 폭 이하일 수 있다.The lower substrate may have a through hole facing at least part of the second electrode pad. The width of the through-hole may be equal to or less than the width of the second electrode pad.

상기 발광 구조물과 상기 하부 기판 사이의 금속 반사층은 상기 하부 기판의 20 % 이상을 덮을 수 있다.The metal reflection layer between the light emitting structure and the lower substrate may cover 20% or more of the lower substrate.

상기 발광 소자는 상기 제1 전극 패드를 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결시키는 제1 범프; 및 상기 제2 전극 패드를 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적을 연결시키는 제2 범프를 더 포함하고, 상기 제2 전극 패드가 상기 하부 기판과 접촉하는 면적은 상기 제2 범프의 폭 이상일 수 있다.A first bump electrically connecting the first electrode pad to the first conductive semiconductor layer; And a second bump electrically connecting the second electrode pad to the second conductive type semiconductor layer, wherein an area of the second electrode pad in contact with the lower substrate may be equal to or greater than a width of the second bump .

상기 금속 반사층은 0 보다 크고 100 ㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.The metal reflective layer may have a thickness greater than zero and less than or equal to 100 micrometers.

상기 절연층은 상기 활성층의 에너지 밴드 갭보다 큰 에너지 밴드 갭을 갖는 투명한 물질을 포함할 수 있다.The insulating layer may include a transparent material having an energy band gap larger than an energy band gap of the active layer.

또 다른 실시예에 의하면, 발광 소자는, 상부 기판; 상기 상부 기판 아래에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 아래에 배치된 하부 기판; 상기 하부 기판의 아래에 서로 전기적으로 분리되어 배치된 제1 및 제2 하부 전극; 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되며, 상기 하부 기판을 관통하여 상기 제1 하부 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극 패드; 상기 제1 전극 패드와 전기적으로 분리되며, 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되며, 상기 하부 기판을 관통하여 상기 제2 하부 전극과 전기적으로 연결되는 제2 전극 패드를 포함하고, 상기 하부 기판은 절연성을 가질 수 있다.According to another embodiment, the light emitting element includes an upper substrate; A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer sequentially disposed under the upper substrate; A lower substrate disposed below the light emitting structure; First and second lower electrodes electrically separated from each other under the lower substrate; A first electrode pad electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer and electrically connected to the first lower electrode through the lower substrate; And a second electrode pad electrically isolated from the first electrode pad and electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer and electrically connected to the second lower electrode through the lower substrate, The substrate may have insulating properties.

발광 소자는 상기 제1 전극 패드와 상기 하부 기판 사이에 배치된 제1 및 제2 금속 반사층; 및 상기 제2 전극 패드와 상기 하부 기판 사이에 배치된 제3 및 제4 금속 반사층을 더 포함할 수 있다.The light emitting device includes: first and second metal reflective layers disposed between the first electrode pad and the lower substrate; And third and fourth metal reflection layers disposed between the second electrode pad and the lower substrate.

실시예에 따른 발광 소자는 금속 반사층을 배치하여 하부 기판에서 흡수될 광을 반사시킴으로써 광 추출 효율을 개선시킬 수 있고, 패시베이션층(또는, 절연층)을 제거하고 전극 패드를 하부 기판과 연결시키고 또는/및 하부 기판의 적어도 일부를 금속 반사층이 감싸도록 하여 열 방출을 개선시킬 수 있다.The light emitting device according to the embodiment can improve the light extraction efficiency by reflecting the light to be absorbed by the lower substrate by disposing a metal reflection layer, removing the passivation layer (or insulating layer), connecting the electrode pad to the lower substrate, / And at least a part of the lower substrate may be surrounded by the metal reflection layer to improve the heat emission.

도 1은 기존의 플립 본딩 방식의 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 2는 실시예에 의한 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따라 절취한 일실시예의 발광 소자의 부분 단면도를 나타낸다.
도 4는 다른 실시예에 의한 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 5는 또 다른 실시예에 의한 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 6은 또 다른 실시예에 의한 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 7은 또 다른 실시예에 의한 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 8은 또 다른 실시예에 의한 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 9는 또 다른 실시예에 의한 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 10은 또 다른 실시예에 의한 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 11은 또 다른 실시예에 의한 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 12는 또 다른 실시예에 의한 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 13은 다른 실시예에 의한 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 14는 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 15는 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 17은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 18은 실시예에 따른 조명 유닛의 사시도이다.
도 19는 실시예에 따른 백라이트 유닛의 분해 사시도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional flip-bonding type light emitting device.
2 is a plan view of a light emitting device according to an embodiment.
FIG. 3 is a partial cross-sectional view of a light emitting device taken along the line I-I 'of FIG. 2.
4 is a sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
5 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
6 is a sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
7 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
8 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
9 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
10 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
11 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
12 is a sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
13 is a plan view of a light emitting device according to another embodiment.
14 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
15 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
16 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
17 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
18 is a perspective view of the illumination unit according to the embodiment.
19 is an exploded perspective view of a backlight unit according to an embodiment.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to facilitate understanding of the present invention. However, the embodiments according to the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art.

본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)"(on or under)에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)"(on or under)로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of embodiments according to the present invention, in the case of being described as being formed "on" or "under" of each element, the upper or lower (lower) (on or under) all include that two elements are in direct contact with each other or that one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on" or "under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

도 2는 실시예에 의한 발광 소자(100A)의 평면도를 나타낸다.2 is a plan view of the light emitting device 100A according to the embodiment.

도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따라 절취한 발광 소자(100A)의 부분 단면도를 나타낸다.3 is a partial cross-sectional view of the light emitting device 100A taken along the line I-I 'in Fig.

도 2 및 도 3에 예시된 발광 소자(100A)는 상부 기판(110), 발광 구조물(120), 제1 및 제2 전극층(132, 134), 제1 및 제2 상부 범프(bump) 금속층(142, 144), 제1 및 제2 범프(152, 154), 제1 및 제2 하부 범프 금속층(162, 164), 제1 및 제2 전극 패드(172A, 174A), 절연층(182A), 하부 기판(190A) 및 하부 전극(210)을 포함한다.The light emitting device 100A illustrated in FIGS. 2 and 3 includes an upper substrate 110, a light emitting structure 120, first and second electrode layers 132 and 134, first and second upper bump metal layers 142 and 144, first and second bumps 152 and 154, first and second lower bump metal layers 162 and 164, first and second electrode pads 172A and 174A, an insulating layer 182A, And includes a lower substrate 190A and a lower electrode 210.

상부 기판(110)의 아래에 발광 구조물(120)이 배치된다. 상부 기판(110)은 반도체 성장에 적합한 물질로 이루어질 수 있으며, 투광성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 상부 기판(110)은 반도체 화합물을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A light emitting structure 120 is disposed under the upper substrate 110. The upper substrate 110 may be made of a material suitable for semiconductor growth and may be made of a light-transmitting material. The upper substrate 110 may include a semiconductor compound and may include at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, It is not limited thereto.

또한, 상부 기판(110)은 전체 질화물 반도체에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가질 수 있다.In addition, the upper substrate 110 may have a mechanical strength enough to separate the nitride semiconductor into separate chips through a scribing process and a breaking process without causing warping of the entire nitride semiconductor.

발광 구조물(120)은 상부 기판(110)의 아래에 순차적으로 적층되어 배치된 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 120 may include a first conductive semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second conductive semiconductor layer 126 that are sequentially stacked under the upper substrate 110.

제1 도전형 반도체층(122)은 상부 기판(110)과 활성층(124) 사이에 배치되며, 반도체 화합물로 형성될 수 있다. Ⅲ-Ⅴ 족, Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first conductive semiconductor layer 122 is disposed between the upper substrate 110 and the active layer 124 and may be formed of a semiconductor compound. III-V, II-VI, or the like, and may be doped with a first conductivity type dopant. For example, the first conductivity type semiconductor layer 122 may have a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + Semiconductor material, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. When the first conductive semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer, the first conductive dopant may include n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te. The first conductive semiconductor layer 122 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조(Double Hetero Structure), 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 활성층(124)은 Ⅲ-Ⅴ 족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs),/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The active layer 124 is disposed between the first conductivity type semiconductor layer 122 and the second conductivity type semiconductor layer 126 and includes a single well structure, a multiple well structure, a single quantum well structure, A multi quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure. InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs), / AlGaAs and InGaN / GaN, GaP (InGaP) / AlGaP, but the present invention is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a band gap smaller than the band gap of the barrier layer.

활성층(124)과 제1 도전형 반도체층(122) 사이 또는 활성층(124)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수도 있다. A conductive clad layer (not shown) may be formed between the active layer 124 and the first conductive type semiconductor layer 122 or between the active layer 124 and the second conductive type semiconductor layer 126.

도전형 클래드층은 활성층(124)의 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 더 넓은 에너지 밴드 갭을 가지는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.The conductive clad layer may be formed of a semiconductor having an energy band gap wider than the energy band gap of the barrier layer of the active layer 124. [ For example, the conductive clad layer may include GaN, AlGaN, InAlGaN, superlattice structure, or the like. Further, the conductive clad layer may be doped with n-type or p-type.

제2 도전형 반도체층(126)은 활성층(124)의 아래에 배치되며, 반도체 화합물로 이루어질 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 Ⅲ-Ⅴ 족, Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(126)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second conductive semiconductor layer 126 is disposed under the active layer 124 and may be formed of a semiconductor compound. The second conductive semiconductor layer 126 may be formed of a compound semiconductor such as a Group III-V or a Group II-VI, and may be doped with a second conductive dopant. For example, the second conductivity type semiconductor layer 126 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? Or AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. When the second conductive semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer, the second conductive dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba. The second conductive semiconductor layer 126 may be formed as a single layer or a multilayer, but the present invention is not limited thereto.

제1 및 제2 전극층(132, 134)은 제1 및 제2 도전형 반도체층(122, 126) 아래에 각각 배치되며, 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극층(132, 134) 각각은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 및 제2 전극층(132, 134) 각각은 오믹 특성을 갖는 반사 전극 재료로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The first and second electrode layers 132 and 134 are respectively disposed under the first and second conductivity type semiconductor layers 122 and 126 and may be formed of a metal. For example, each of the first and second electrode layers 132 and 134 may be formed of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, . Further, each of the first and second electrode layers 132 and 134 may be formed as a single layer or multiple layers of a reflective electrode material having an ohmic characteristic.

예컨대, 제1 및 제2 전극층(132 ,134) 각각은 전술한 금속 물질과 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다.For example, each of the first and second electrode layers 132 and 134 may include at least one of the above-described metal material, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO) IGTO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au , And at least one of Ni / IrOx / Au / ITO, and the material is not limited thereto.

제1 및 제2 전극층(132, 134)은 제1 및 제2 도전형 반도체층(122, 126)과 각각 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 만일, 제1 및 제2 전극층(132, 134)이 오믹 역할을 수행할 경우, 별도의 오믹층(미도시)은 형성되지 않을 수 있다.The first and second electrode layers 132 and 134 may include a material that makes an ohmic contact with the first and second conductivity type semiconductor layers 122 and 126, respectively. If the first and second electrode layers 132 and 134 perform an ohmic function, a separate ohmic layer (not shown) may not be formed.

도 3에 예시된 발광 소자(100A)에서 발광 구조물(120)은 플립 본딩 방식으로 하부 기판(190A) 위에 배치된다. 이를 위해, 제1 전극층(132)은 하부 기판(190A) 위에 배치된 제1 전극 패드(172A)와 제1 범프(152)를 통해 전기적으로 연결되며, 제2 전극층(134)은 하부 기판(190A) 위에 배치된 제2 전극 패드(174A)와 제2 범프(154)를 통해 전기적으로 연결된다.In the light emitting device 100A illustrated in FIG. 3, the light emitting structure 120 is disposed on the lower substrate 190A in a flip-bonding manner. The first electrode layer 132 is electrically connected to the first electrode pad 172A disposed on the lower substrate 190A through the first bump 152 and the second electrode layer 134 is electrically connected to the lower substrate 190A The second electrode pad 174A is electrically connected to the second electrode pad 174A via the second bump 154. FIG.

하부 기판(또는, 서브 마운트)(190A)은 발광 소자(100A)의 작동시 발생하는 열을 충분히 발산(또는, 방출)시킬 수 있도록, 열 전도성이 높은 금속 등과 같은 물질로 이루어 질 수 있으며, 예를 들어 반도체 기판으로 이루어 질 수 있다. 예를 들어, 하부 기판(190A)은 탄화규소(SiC), GaN, GaAs, Si 등의 물질로 이루어진다. 또한, 하부 기판(190A)은 전기 전도도가 우수한 전도성 기판일 수도 있고, 절연성 기판일 수도 있다.The lower substrate (or sub-mount) 190A may be made of a material such as a metal having high thermal conductivity so as to sufficiently radiate (or emit) heat generated during operation of the light emitting device 100A, For example, a semiconductor substrate. For example, the lower substrate 190A is made of silicon carbide (SiC), GaN, GaAs, Si, or the like. Further, the lower substrate 190A may be a conductive substrate having excellent electrical conductivity, or may be an insulating substrate.

제1 상부 범프 금속층(142)과 제1 하부 범프 금속층(162)은 제1 범프(152)가 위치할 자리를 표시하는 역할을 수행하며, 제2 상부 범프 금속층(144)과 제2 하부 범프 금속층(164)은 제2 범프(154)가 위치할 자리를 표시하는 역할을 수행한다. 따라서, 제1 상부 범프 금속층(142)과 제1 하부 금속층(162)은 수직적으로 일부 중첩될 수 있다. 또한, 제2 상부 범프 금속층(144)과 제2 하부 범프 금속층(164)은 수직적으로 일부 중첩될 수 있다.The first upper bump metal layer 142 and the first lower bump metal layer 162 serve to indicate the position where the first bump 152 is to be positioned and the second upper bump metal layer 144 and the second lower bump metal layer 162, The second bump 154 serves to indicate the position where the second bump 154 is to be positioned. Thus, the first upper bump metal layer 142 and the first lower metal layer 162 may be partially overlapped vertically. In addition, the second upper bump metal layer 144 and the second lower bump metal layer 164 may partially overlap vertically.

실시예에 따라서, 제2 범프(154)는 제1 범프(152)보다 길이가 짧을 수 있다. 제1 범프(152) 및 제2 범프(154)에 의하여, 발광 소자(100A)의 상부 구조물(110, 120, 132, 134, 142, 144)과 하부 구조물(162, 164, 172A, 174A, 182A, 190A, 210)은 공간적으로 서로 이격될 수 있다.Depending on the embodiment, the second bumps 154 may be shorter in length than the first bumps 152. The upper structures 110, 120, 132, 134, 142 and 144 and the lower structures 162, 164, 172, 172A, 174A and 182A of the light emitting element 100A are formed by the first bump 152 and the second bump 154 , 190A, 210 may be spaced apart from one another.

전술한 발광 소자(100A)는 도 2에 예시된 평면도에 국한되지 않는다. 즉, 제1 및 제2 전극 패드(172A, 174A)는 도 2에 예시된 바와 다른 다양한 형상을 가질 수 있다.The above-described light emitting device 100A is not limited to the plan view illustrated in Fig. That is, the first and second electrode pads 172A and 174A may have various shapes different from those illustrated in FIG.

게다가, 전술한 제1 및 제2 상부 범프 금속층(142, 144), 제1 및 제2 범프(152, 154), 제1 및 제2 하부 범프 금속층(162, 164)는 실시예에 의한 발명 소자(100A)의 이해를 돕기 위한 례에 불과하며, 다음 상술되는 실시예는 이에 국한되지 않는다.In addition, the first and second upper bump metal layers 142 and 144, the first and second bumps 152 and 154, and the first and second lower bump metal layers 162 and 164, The present invention is not limited to the following embodiments.

한편, 도 3에 예시된 발광 소자(100A)에서, 제1 전극 패드(172A)는 절연층(182A)을 사이에 두고 하부 기판(190A)과 전기적으로 분리된다. 또한, 제1 전극 패드(172A)는 제1 범프(152) 및 제1 전극층(132)을 통해 제1 도전형 반도체층(122)과 전기적으로 연결된다.In the light emitting device 100A illustrated in FIG. 3, the first electrode pad 172A is electrically separated from the lower substrate 190A through the insulating layer 182A. The first electrode pad 172A is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 122 through the first bump 152 and the first electrode layer 132. [

하부 기판(190A)과 전기적으로 분리되는 제1 전극 패드(172A)와 달리 제2 전극 패드(174A)는 하부 기판(190A)과 전기적으로 연결된다. 또한, 제2 전극 패드(174A)는 제1 전극 패드(172A)와 전기적으로 서로 분리되며, 제2 범프(154) 및 제2 전극층(134)을 통해 제2 도전형 반도체층(126)과 전기적으로 연결된다.Unlike the first electrode pad 172A electrically separated from the lower substrate 190A, the second electrode pad 174A is electrically connected to the lower substrate 190A. The second electrode pad 174A is electrically separated from the first electrode pad 172A and electrically connected to the second conductive semiconductor layer 126 through the second bump 154 and the second electrode layer 134. [ Lt; / RTI >

제1 및 제2 전극 패드(172A, 174A) 각각은 도전형 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 금(Au) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Each of the first and second electrode pads 172A and 174A may be formed of a conductive material and may include at least one of copper (Cu), aluminum (Al), and gold (Au).

절연층(182A)은 제1 및 제2 전극 패드(172A, 174A)를 서로 전기적으로 절연시키며, 활성층(124)의 에너지 밴드 갭보다 큰 에너지 밴드 갭을 갖는 투명한 물질을 포함할 수 있다. 절연층(182A)은 예를 들어 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3를 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The insulating layer 182A may include a transparent material that electrically isolates the first and second electrode pads 172A and 174A from each other and has an energy band gap larger than the energy band gap of the active layer 124. [ An insulating layer (182A), for example, SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4, Al , but may contain 2 O 3, but the embodiment is not limited thereto.

전술한 절연층(182A) 및 하부 기판(190A)은 발광 소자(100A)의 구조적인 안정성을 위하여 상면이 평평하게 형성될 수 있다.The insulating layer 182A and the lower substrate 190A may be formed to have a flat upper surface for the structural stability of the light emitting device 100A.

한편, 하부 전극(210)은 하부 기판(190A)의 아래에 배치될 수 있으나, 실시예는 이에 국한되지 않는다. 하부 전극(210)은 하부 기판(190A)을 관통하는 제2 전극 패드(174A)와 전기적으로 연결된다.Meanwhile, the lower electrode 210 may be disposed under the lower substrate 190A, but the embodiment is not limited thereto. The lower electrode 210 is electrically connected to the second electrode pad 174A passing through the lower substrate 190A.

도 4는 다른 실시예에 의한 발광 소자(100B)의 단면도를 나타낸다.4 shows a cross-sectional view of a light emitting device 100B according to another embodiment.

도 3에 예시된 발광 소자(100A)에서 절연층(182A)은 제1 전극 패드(172A)와 하부 기판(190A) 사이에만 배치된다. 반면에, 도 4에 예시된 발광 소자(100B)에서 절연층(182B)은 제2 전극 패드(174B)와 하부 기판(190A) 사이로 연장되어 배치될 수도 있다. 이 경우, 제2 전극 패드(174B)는 절연층(182B)을 관통하여 하부 기판(190A) 및 하부 전극(210)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이를 제외하면, 도 4에 예시된 발광 소자(100B)는 도 3에 예시된 발광 소자(100A)와 동일하므로 이에 대한 상세한 설명을 생략한다.In the light emitting device 100A illustrated in FIG. 3, the insulating layer 182A is disposed only between the first electrode pad 172A and the lower substrate 190A. On the other hand, in the light emitting device 100B illustrated in FIG. 4, the insulating layer 182B may extend between the second electrode pad 174B and the lower substrate 190A. In this case, the second electrode pad 174B may be electrically connected to the lower substrate 190A and the lower electrode 210 through the insulating layer 182B. Except for this, the light emitting device 100B illustrated in FIG. 4 is the same as the light emitting device 100A illustrated in FIG. 3, so a detailed description thereof will be omitted.

도 5는 또 다른 실시예에 의한 발광 소자(100C)의 단면도를 나타낸다.5 shows a cross-sectional view of a light emitting device 100C according to another embodiment.

도 3 및 도 4에 예시된 발광 소자(100A, 100B)의 경우 제2 전극 패드(174A)만이 하부 기판(190A)을 관통하여 하부 전극(210)과 전기적으로 연결된다. 반면에, 도 5에 예시된 발광 소자(100C)에서, 제2 전극 패드(174A)뿐만 아니라 제1 전극 패드(172B)도 하부 기판(190B)을 관통한다. 또한, 하부 기판(190B) 아래에 서로 전기적으로 분리되는 제1 및 제2 하부 전극(212, 214)이 배치된다. 이를 위해, 도 3 및 도 4에 예시된 하부 기판(190A)이 전도성 기판 또는 절연성 기판인 반면, 도 5에 예시된 하부 기판(190B)은 제1 및 제2 전극 패드(172B, 174A)를 서로 전기적으로 분리시켜야 하므로, 절연성 기판일 수 있다. 이러한 구성에 의해, 제1 전극 패드(172B)는 하부 기판(190B)을 관통하여 제1 하부 전극(212)과 연결되고, 제2 전극 패드(174A)는 하부 기판(190B)을 관통하여 제2 하부 전극(214)과 연결될 수 있다. In the case of the light emitting devices 100A and 100B illustrated in FIGS. 3 and 4, only the second electrode pad 174A penetrates the lower substrate 190A and is electrically connected to the lower electrode 210. FIG. On the other hand, in the light emitting device 100C illustrated in FIG. 5, not only the second electrode pad 174A but also the first electrode pad 172B penetrates the lower substrate 190B. Further, under the lower substrate 190B, first and second lower electrodes 212 and 214 are disposed to be electrically separated from each other. To this end, the lower substrate 190A illustrated in FIGS. 3 and 4 is a conductive substrate or an insulating substrate, while the lower substrate 190B illustrated in FIG. 5 includes first and second electrode pads 172B and 174A It may be an insulating substrate. The first electrode pad 172B penetrates the lower substrate 190B and is connected to the first lower electrode 212 and the second electrode pad 174A penetrates the lower substrate 190B, And may be connected to the lower electrode 214.

또한, 도 3 및 도 4에 예시된 발광 소자(100A, 100B)와 달리 도 5에 예시된 발광 소자(100C)는 절연층(182A, 182B)을 요구하지 않는다. In addition, unlike the light emitting devices 100A and 100B illustrated in FIGS. 3 and 4, the light emitting device 100C illustrated in FIG. 5 does not require the insulating layers 182A and 182B.

전술한 도 3에 예시된 발광 소자(100A)와의 차이점을 제외하면, 도 5에 예시된 발광 소자(100C)는 도 3에 예시된 발광 소자(100A)와 동일하므로 이에 대한 상세한 설명을 생략한다.Except for the difference from the light emitting device 100A illustrated in FIG. 3, the light emitting device 100C illustrated in FIG. 5 is the same as the light emitting device 100A illustrated in FIG. 3, and thus a detailed description thereof will be omitted.

도 6은 또 다른 실시예에 의한 발광 소자(100D)의 단면도를 나타낸다.6 shows a cross-sectional view of a light emitting device 100D according to another embodiment.

도 6에 예시된 발광 소자(100D)에서 제1 전극 패드(172B)와 하부 기판(190B) 사이에 제1 및 제2 금속 반사층(222, 224)이 배치되고, 제2 전극 패드(174A)와 하부 기판(190B) 사이에 제3 및 제4 금속 반사층(226, 228)이 배치된다. 이를 제외하면, 도 6에 예시된 발광 소자(100D)는 도 5에 예시된 발광 소자(100C)와 동일하므로 동일한 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하며 상세한 설명을 생략한다.The first and second metal reflective layers 222 and 224 are disposed between the first electrode pad 172B and the lower substrate 190B in the light emitting device 100D illustrated in FIG. 6, and the second electrode pad 174A And third and fourth metal reflection layers 226 and 228 are disposed between the lower substrates 190B. Except for this, since the light emitting device 100D illustrated in FIG. 6 is the same as the light emitting device 100C illustrated in FIG. 5, the same reference numerals are used for the same parts and the detailed description is omitted.

도 5와 다른 부분에 대해 살펴보면, 도 6에 예시된 발광 소자(100D)에서, 제1 전극 패드(172B)는 제1, 제2 및 제3 세그먼트(172-1, 172-2, 172-3)를 포함할 수 있다. 제1 세그먼트(172-1)는 하부 기판(190B)을 관통하고, 제2 및 제3 세그먼트(172-2, 172-3)는 제1 세그먼트(172-1)를 사이에 두고 서로 이격되며, 제1 세그먼트(172-1)로부터 연장되어 하부 기판(190B) 위에 배치된다.6, in the light emitting device 100D illustrated in FIG. 6, the first electrode pad 172B includes first, second, and third segments 172-1, 172-2, and 172-3 ). The first segment 172-1 penetrates the lower substrate 190B and the second and third segments 172-2 and 172-3 are spaced apart from each other across the first segment 172-1, Extends from the first segment 172-1 and is disposed on the lower substrate 190B.

제2 전극 패드(174A)는 제4, 제5 및 제6 세그먼트(174-1, 174-2, 174-3)를 포함할 수 있다. 제4 세그먼트(174-1)는 하부 기판(190B)을 관통하고, 제5 및 제6 세그먼트(174-2, 174-3)는 제4 세그먼트(174-1)를 사이에 두고 서로 이격되며, 제4 세그먼트(174-1)로부터 연장되어 하부 기판(190B) 위에 배치된다.The second electrode pad 174A may include fourth, fifth, and sixth segments 174-1, 174-2, and 174-3. The fourth segment 174-1 passes through the lower substrate 190B and the fifth and sixth segments 174-2 and 174-3 are spaced apart from each other across the fourth segment 174-1, Extends from the fourth segment 174-1 and is disposed on the lower substrate 190B.

제1 금속 반사층(222)은 제2 세그먼트(172-2)와 하부 기판(190B) 사이에 배치되고, 제2 금속 반사층(224)은 제3 세그먼트(172-3)와 하부 기판(190B) 사이에 배치된다. 제3 금속 반사층(226)은 제5 세그먼트(174-2)와 하부 기판(190B) 사이에 배치되고, 제4 금속 반사층(228)은 제6 세그먼트(174-3)와 하부 기판(190B) 사이에 배치된다.The first metal reflective layer 222 is disposed between the second segment 172-2 and the lower substrate 190B and the second metal reflective layer 224 is disposed between the third segment 172-3 and the lower substrate 190B. . The third metal reflective layer 226 is disposed between the fifth segment 174-2 and the lower substrate 190B and the fourth metal reflective layer 228 is disposed between the sixth segment 174-3 and the lower substrate 190B. .

도 7은 또 다른 실시예에 의한 발광 소자(100E)의 단면도를 나타낸다.FIG. 7 shows a cross-sectional view of a light emitting device 100E according to another embodiment.

도 7에 예시된 발광 소자(100E)는 절연층(182B)과 하부 기판(190C) 사이에 배치된 금속 반사층(220A)을 더 포함하고, 제2 전극 패드(174C)는 도 4에 예시된 제2 전극 패드(174B)와 달리 하부 기판(190C)을 관통하지 않으며 절연층(182B)을 관통하여 금속 반사층(220A)과 접한다. 따라서, 제2 전극 패드(174C)는 하부 기판(190C)과 전기적으로 연결된다.The light emitting device 100E illustrated in FIG. 7 further includes a metal reflection layer 220A disposed between the insulating layer 182B and the lower substrate 190C, and the second electrode pad 174C includes the metal layer Unlike the two-electrode pad 174B, does not penetrate the lower substrate 190C but penetrates the insulating layer 182B and contacts the metal reflective layer 220A. Accordingly, the second electrode pad 174C is electrically connected to the lower substrate 190C.

또한, 도 4에 예시된 발광 소자(100B)는 하부 전극(210)을 포함하는 반면, 도 7에 예시된 발광 소자(100B)는 하부 전극(210)을 생략할 수도 있다. 이에 대해서는 상세히 후술된다.In addition, the light emitting device 100B illustrated in FIG. 4 includes the lower electrode 210, while the light emitting device 100B illustrated in FIG. 7 may omit the lower electrode 210. FIG. This will be described in detail later.

전술한 차이점을 제외하면, 도 7에 예시된 발광 소자(100E)는 도 4에 예시된 발광 소자(100B)와 동일하므로 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다.Except for the differences described above, the light emitting device 100E illustrated in FIG. 7 is the same as the light emitting device 100B illustrated in FIG. 4, so that the description of the same portions will be omitted.

도 8은 또 다른 실시예에 의한 발광 소자(100F)의 단면도를 나타낸다. 8 shows a cross-sectional view of a light emitting device 100F according to another embodiment.

도 7에 예시된 제2 전극 패드(174A)가 금속 반사층(220A)을 관통하지 않고 접하는 반면, 도 8에 예시된 제2 전극 패드(174D)는 금속 반사층(220B)을 관통하여 하부 기판(190C)과 접하여 전기적으로 연결된다. 이를 제외하면, 도 8에 예시된 발광 소자(100F)는 도 7에 예시된 발광 소자(100E)와 동일하므로 상세한 설명을 생략한다.The second electrode pad 174A illustrated in FIG. 7 contacts the metal reflection layer 220A without passing through the second electrode pad 174D while the second electrode pad 174D illustrated in FIG. 8 passes through the metal reflection layer 220B, And are electrically connected to each other. Except for this, the light emitting device 100F illustrated in FIG. 8 is the same as the light emitting device 100E illustrated in FIG. 7, and a detailed description thereof will be omitted.

도 9는 또 다른 실시예에 의한 발광 소자(100G)의 단면도를 나타낸다.Fig. 9 shows a cross-sectional view of a light emitting device 100G according to another embodiment.

도 7 및 도 8에 예시된 발광 소자(100E, 100F)에서 금속 반사층(220A, 220B)은 절연층(182B)과 하부 기판(190C) 사이에만 배치된다. 반면에, 도 9에 예시된 발광 소자(100G)에서 금속 반사층(220C)은 절연층(182B)과 하부 기판(190C) 사이뿐만 아니라 하부 기판(190D)의 적어도 다른 일부를 감싸도록 배치된다. 예를 들면, 도 9에 예시된 발광 소자(100G)에서 금속 반사층(220C)은 하부 기판(190C)의 아래에도 배치되며, 하부 기판(190C)을 관통하여 배치된다. 금속 반사층(220C)은 하부 기판(190D)을 박막 형태로 감쌀 수 있다. 이를 제외하면, 도 9에 예시된 발광 소자(100G)는 도 7에 예시된 발광 소자(100E)와 동일하므로 상세한 설명을 생략한다.In the light emitting devices 100E and 100F illustrated in FIGS. 7 and 8, the metal reflection layers 220A and 220B are disposed only between the insulating layer 182B and the lower substrate 190C. 9, the metal reflection layer 220C is disposed to surround at least another portion of the lower substrate 190D as well as between the insulating layer 182B and the lower substrate 190C. For example, in the light emitting device 100G illustrated in FIG. 9, the metal reflection layer 220C is disposed under the lower substrate 190C and disposed through the lower substrate 190C. The metal reflection layer 220C may cover the lower substrate 190D in a thin film form. Except for this, since the light emitting device 100G illustrated in FIG. 9 is the same as the light emitting device 100E illustrated in FIG. 7, a detailed description thereof will be omitted.

도 10은 또 다른 실시예에 의한 발광 소자(100H)의 단면도를 나타낸다.10 shows a cross-sectional view of a light emitting device 100H according to another embodiment.

도 9의 경우, 금속 반사층(220C)이 하부 기판(190D)의 상부 및 하부를 감싸고, 하부 기판(190D)을 관통하는 것으로 도시되어 있지만, 실시예는 이에 국한되지 않는다. 예를 들어, 도 10에 예시된 바와 같이, 금속 반사층(220D)은 하부 기판(190E)의 상부 및 하부뿐만 아니라 양 측부를 감싸도록 배치될 수도 있다. 이를 제외하면, 도 10에 예시된 발광 소자(100H)는 도 9에 예시된 발광 소자(100G)와 동일하므로 이에 대한 상세한 설명을 생략한다.In the case of FIG. 9, the metal reflection layer 220C is shown covering the upper and lower portions of the lower substrate 190D and penetrating the lower substrate 190D, but the embodiment is not limited thereto. For example, as illustrated in FIG. 10, the metal reflection layer 220D may be arranged to surround not only the upper and lower portions of the lower substrate 190E but also both sides. Except for this, the light emitting device 100H illustrated in FIG. 10 is the same as the light emitting device 100G illustrated in FIG. 9, and thus a detailed description thereof will be omitted.

도 11은 또 다른 실시예에 의한 발광 소자(100I)의 단면도를 나타낸다.11 shows a cross-sectional view of a light emitting device 100I according to another embodiment.

도 10에 예시된 발광 소자(100H)에서 금속 반사층(220D)과 접하는 제2 전극 패드(174C)의 폭(W3)은 제2 범프(154)의 폭(W4)보다 크다. 이와 같이, 금속 반사층(220D)과 접하는 제2 전극 패드(174C)의 폭(W3)이 제2 범프(154)의 폭(W4) 이상일 경우, 발광 소자(100H)의 동작시에 생성된 열의 발산이 증가될 수 있다. 또한, 도 11에 예시된 발광 소자(100I)에서와 같이, 제2 전극 패드(174D)의 폭을 도 10에 예시된 발광 소자(100H)에서 보다 더 크게 함으로써, 열의 발산이 더욱 증가될 수 있다. 이를 제외하면, 도 11에 예시된 발광 소자(110I)는 도 10에 예시된 발광 소자(100H)와 동일하므로 이에 대한 상세한 설명을 생략한다.The width W3 of the second electrode pad 174C in contact with the metal reflection layer 220D in the light emitting device 100H illustrated in Fig. 10 is larger than the width W4 of the second bumps 154. [ When the width W3 of the second electrode pad 174C in contact with the metal reflection layer 220D is equal to or greater than the width W4 of the second bump 154 as described above, Can be increased. In addition, as in the light emitting device 100I illustrated in Fig. 11, by making the width of the second electrode pad 174D larger than that of the light emitting device 100H illustrated in Fig. 10, the heat dissipation can be further increased . Except for this, since the light emitting device 110I illustrated in FIG. 11 is the same as the light emitting device 100H illustrated in FIG. 10, a detailed description thereof will be omitted.

도 12는 또 다른 실시예에 의한 발광 소자(100J)의 단면도를 나타낸다.12 shows a cross-sectional view of a light emitting device 100J according to another embodiment.

도 9에 예시된 발광 소자(100G)의 제2 전극 패드(174C)는 절연층(182B)을 관통하여 금속 반사층(220C)과 접하며, 이러한 구성을 통해 하부 기판(190D)과 전기적으로 연결된다. 반면에, 도 12에 예시된 발광 소자(100J)의 제2 전극 패드(174E)는 절연층(182C)을 관통하지 않는다. 즉, 절연층(182C)은 금속 반사층(220C)의 위에 배치되고, 제1 및 제2 전극 패드(172A, 174E)은 절연층(182C) 위에 배치될 수 있다. 이를 제외하면, 도 12에 예시된 발광 소자(100J)는 도 9에 예시된 발광 소자(100G)와 동일하므로 이에 대한 상세한 설명을 생략한다.The second electrode pad 174C of the light emitting device 100G illustrated in FIG. 9 contacts the metal reflection layer 220C through the insulating layer 182B and is electrically connected to the lower substrate 190D through such a structure. On the other hand, the second electrode pad 174E of the light emitting device 100J illustrated in Fig. 12 does not penetrate the insulating layer 182C. That is, the insulating layer 182C may be disposed on the metal reflection layer 220C, and the first and second electrode pads 172A and 174E may be disposed on the insulating layer 182C. Except for this, the light emitting device 100J illustrated in FIG. 12 is the same as the light emitting device 100G illustrated in FIG. 9, and thus a detailed description thereof will be omitted.

이상에서, 다양한 구성을 갖는 발광 소자(100A ~ 100J)에 대해 살펴보았지만, 실시예는 이에 국한되지 않는다.While the light emitting devices 100A to 100J having various configurations have been described above, the embodiments are not limited thereto.

전술한 도 7 내지 도 12에 예시된 발광 소자(100E ~ 100J)의 경우, 금속 반사층(220A ~ 220D)과 하부 기판(190C ~ 190E)은 별개의 구성 요소이지만, 실시예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 하부 기판(190C ~ 190E)이 금속을 포함하는 반사성 물질로 이루어질 경우, 하부 기판(190C ~ 190E)이 금속 반사층(220A ~ 220D)의 역할을 수행할 수 있으므로, 금속 반사층(220A ~ 220D)은 생략될 수 있다.In the case of the light emitting devices 100E to 100J illustrated in FIGS. 7 to 12, the metal reflection layers 220A to 220D and the lower substrates 190C to 190E are separate components, but the embodiments are not limited thereto. That is, when the lower substrates 190C to 190E are made of a reflective material including a metal, the lower substrates 190C to 190E can serve as the metal reflective layers 220A to 220D, Can be omitted.

또한, 도 3 내지 도 6에 예시된 각 발광 소자(100A ~ 100D)에서 전기 전도도가 우수한 금속으로 하부 기판(190A, 190B)이 구현될 경우, 하부 기판(190A, 190B)은 하부 전극(210, 212, 214)의 역할을 대신 수행할 수 있으며 이 경우, 하부 전극(210, 212, 214)은 생략될 수 있다. 즉, 도 7 내지 도 12에 예시된 하부 기판(190C ~ 190E)는 하부 전극의 역할을 수행할 수 있다.When the lower substrates 190A and 190B are formed of a metal having excellent electrical conductivity in each of the light emitting devices 100A to 100D illustrated in FIGS. 3 to 6, the lower substrates 190A and 190B are electrically connected to the lower electrodes 210 and 210, 212 and 214. In this case, the lower electrodes 210, 212 and 214 may be omitted. That is, the lower substrates 190C to 190E illustrated in FIGS. 7 to 12 may serve as lower electrodes.

또한, 도 6 내지 도 12에 예시된 발광 소자(100D ~ 100J)에서 하부 기판(190B ~ 190E)의 상부 및 하부 각각에 배치된 금속 반사층(222, 224, 226, 228, 220A ~ 220D)의 두께(t1, t2)는 0 보다 크고 100 ㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.The thicknesses of the metal reflection layers 222, 224, 226, 228, 220A to 220D disposed on the upper and lower portions of the lower substrates 190B to 190E in the light emitting devices 100D to 100J illustrated in FIGS. (t1, t2) may be greater than 0 and less than 100 占 퐉.

또한, 도 1의 기존의 발광 소자의 경우, 서브 마운트(90)와 p형 전극 패드(74) 사이에 패시베이션층(84)이 배치된다. 이때, 패시베이션층(84)의 낮은 열 전도율로 인해, 발광 소자의 작동시 발생하는 열이 충분히 발산될 수 없다. 반면에, 도 3 내지 도 11에 예시된 실시예에 의한 발광 소자(100A ~ 100I)의 경우, 제2 전극 패드(174A ~ 174D)가 하부 기판(190A ~ 190E)과 직접 접하며 전기적으로 연결되며, 제2 전극 패드(174A ~ 174D)와 하부 기판(190A ~ 190E) 사이에 어떠한 절연층도 배치되지 않는다. 그러므로, 발광 소자(100A ~ 100I)의 작동시 발생하는 열이 제2 전극 패드(174A ~ 174D), 하부 기판(190A ~ 190E) 및 하부 전극(210, 212, 214)을 통해 충분히 발산될 수 있기 때문에, 발광 소자의 신뢰성이 향상될 수 있다.1, the passivation layer 84 is disposed between the submount 90 and the p-type electrode pad 74. In this case, At this time, due to the low thermal conductivity of the passivation layer 84, heat generated during operation of the light emitting device can not be sufficiently diffused. On the other hand, in the case of the light emitting devices 100A to 100I according to the embodiment illustrated in FIGS. 3 to 11, the second electrode pads 174A to 174D directly contact and are electrically connected to the lower substrates 190A to 190E, No insulating layer is disposed between the second electrode pads 174A-174D and the lower substrate 190A-190E. Therefore, heat generated during operation of the light emitting devices 100A to 100I can be sufficiently dissipated through the second electrode pads 174A to 174D, the lower substrates 190A to 190E, and the lower electrodes 210, 212 and 214 Therefore, the reliability of the light emitting element can be improved.

또한, 도 7 및 도 8에 예시된 바와 같이 금속 반사층(220A, 220B)이 하부 기판(190C)을 감싸지 않는 경우와 비교할 때, 도 9 내지 도 12에 예시된 바와 같이 금속 반사층(220C, 220D)이 하부 기판(190D, 190E)을 감쌀 경우, 발광 소자(100G, 100H, 100I, 100J)의 동작 시에 발생한 열의 발산이 증가할 수 있다. 이때, 금속 반사층(220C, 220D)에 의해 하부 기판(190D, 190E)의 감싸지는 면적이 증가할수록, 발광 소자(100G, 100H, 100I, 100J)의 동작 시에 발생한 열의 발산이 더욱 증가할 수 있다.9 and 12, the metal reflection layers 220C and 220D are formed on the lower substrate 190C as illustrated in FIGS. 7 and 8, as compared with the case where the metal reflection layers 220A and 220B do not cover the lower substrate 190C. When the lower substrates 190D and 190E are wrapped around, the divergence of heat generated during operation of the light emitting devices 100G, 100H, 100I, and 100J may increase. At this time, the divergence of heat generated during operation of the light emitting devices 100G, 100H, 100I, and 100J can be further increased as the area of the lower substrate 190D or 190E is increased by the metal reflective layers 220C and 220D .

또한, 도 9 및 도 12에 예시된 하부 기판(190D)은 관통 홀(192)을 갖는다. 이 관통 홀(192)은 제2 전극 패드(174C, 174E)와 적어도 일부가 대향한다. 이와 같이, 하부 기판(190D)이 관통 홀(192)을 가질 경우, 발광 소자(100G, 100J)의 동작시에 발생한 열의 발산이 더욱 증가될 수 있다. 이때, 관통 홀(192)의 폭(W1)은 제2 전극 패드(174C)의 폭(W2) 이하일 수 있다.In addition, the lower substrate 190D illustrated in Figs. 9 and 12 has a through-hole 192. Fig. The through hole 192 is at least partially opposed to the second electrode pads 174C and 174E. As described above, when the lower substrate 190D has the through-hole 192, the heat dissipation generated in the operation of the light emitting devices 100G and 100J can be further increased. At this time, the width W1 of the through hole 192 may be less than the width W2 of the second electrode pad 174C.

또한, 도 12에 예시된 바와 같이, 제2 전극 패드(174E)가 비록 절연층(182C)을 관통하지 않는다고 하더라도, 도 1에 도시된 기존의 발광 소자와 비교할 때, 금속 반사층(220C)이 하부 기판(190D)의 적어도 일부를 감싸고 있으므로 열 발산 효율이 더 증가될 수 있다.12, even when the second electrode pad 174E does not pass through the insulating layer 182C, the metal reflection layer 220C is formed on the lower side Since at least part of the substrate 190D is surrounded, the heat dissipation efficiency can be further increased.

또한, 도 3 내지 도 12에 예시된 발광 소자(100A ~ 100J)에서 제1 도전형은 n형이고, 제2 도전형은 p형일 수 있다. 왜냐하면, n형 전극 패드(172A, 172B)보다 p형 전극 패드(174A ~ 174E) 측에서 열 발생이 더 많을 수 있기 때문이다.In the light emitting devices 100A to 100J illustrated in Figs. 3 to 12, the first conductivity type may be n-type, and the second conductivity type may be p-type. This is because heat generation may be more at the p-type electrode pads 174A to 174E than the n-type electrode pads 172A and 172B.

또한, 도 3 내지 도 5에 예시된 발광 소자(100A ~ 100D)의 경우, 발광 구조물(120)에서 생성된 광은 하부 기판(190A, 190B)에 흡수되어 광 추출 효율을 저하시킬 수 있다. 따라서, 도 6에 예시된 발광 소자(100D)에서와 같이 제1 내지 제4 금속 반사층(222, 224, 226, 228)이 배치되거나 도 7 내지 도 12에 예시된 발광 소자(100E ~ 100J)에서와 같이 금속 반사층(220A ~ 220D)이 배치된다면, 발광 구조물(120)에서 발생된 광은 하부 기판(190A, 190B)에 흡수되는 대신에 금속 반사층(222, 224, 226, 228, 220A ~ 220D)에서 반사될 수 있으므로 광 추출 효율이 개선될 수 있다.In addition, in the case of the light emitting devices 100A to 100D illustrated in FIGS. 3 to 5, the light generated in the light emitting structure 120 may be absorbed by the lower substrates 190A and 190B, thereby lowering the light extraction efficiency. Accordingly, the first to fourth metal reflection layers 222, 224, 226, and 228 are disposed as in the light emitting device 100D illustrated in FIG. 6, or the light emitting devices 100E to 100J illustrated in FIGS. The light generated from the light emitting structure 120 is absorbed by the metal reflection layers 222, 224, 226, 228, 220A to 220D instead of being absorbed by the lower substrates 190A, 190B. The light extraction efficiency can be improved.

전술한 도 3 내지 도 12에 예시된 발광 소자(100A ~ 100J)는 복수의 화합물 반도체층, 예컨대, Ⅲ-Ⅴ 족 원소의 화합물 반도체층을 이용한 LED를 포함하며, LED는 청색, 녹색, 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED이거나 자외선(UV:UltraViolet) LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting devices 100A to 100J illustrated in FIGS. 3 to 12 include LEDs using a plurality of compound semiconductor layers, for example, a compound semiconductor layer of a group III-V element, and the LEDs may include blue, green, or red Or may be a UV (UltraViolet) LED. The emitted light of the LED may be implemented using various semiconductors, but is not limited thereto.

도 13은 다른 실시예에 의한 발광 소자의 평면도를 나타내며, 참조부호 100은 도 7 내지 도 12에 예시된 발광 소자(100E ~ 100J)에 대응한다.FIG. 13 is a plan view of a light emitting device according to another embodiment, and reference numeral 100 corresponds to the light emitting devices 100E to 100J illustrated in FIGS.

도 13의 절취선 Ⅰ-Ⅰ'을 따라 절단하면 금속 반사층(220A ~ 220D)을 갖는 도 7 내지 도 12에 예시된 발광 소자(100E ~ 100J)의 단면에 해당한다. 따라서, 도 13의 172, 174, 190 및 220은 도 7 내지 도 12의 제1 전극 패드(172A), 제2 전극 패드(174C, 174D, 174E), 하부 기판(190A ~ 190E) 및 금속 반사층(220A ~ 220D)에 각각 대응한다. 하부 기판(190A ~ 190E)의 전체 면적에서 금속 반사층(220A ~ 220D)이 차지하는 면적을 보이기 위해, 편의상 도 13에서 절연층(182B, 182C)은 생략되었다.Cut along the perforated line I-I 'in Fig. 13 corresponds to a cross-section of the light emitting devices 100E to 100J illustrated in Figs. 7 to 12 having the metal reflective layers 220A to 220D. Therefore, in FIG. 13, reference numerals 172, 174, 190 and 220 denote the first electrode pad 172A, the second electrode pads 174C, 174D and 174E, the lower substrate 190A to 190E and the metal reflection layer 220A to 220D, respectively. In order to show the area occupied by the metal reflection layers 220A to 220D in the entire area of the lower substrates 190A to 190E, the insulating layers 182B and 182C are omitted in FIG.

도 13을 참조하면, 발광 구조물(120)과 하부 기판(190A ~ 190E) 사이에 배치되는 금속 반사층(220A ~ 220D)의 면적이 하부 기판(190A ~ 190E)의 전체 면적의 20 % 이상일 때, 금속 반사층(220)의 광 반사 특성이 향상될 수 있다.13, when the area of the metal reflection layers 220A to 220D disposed between the light emitting structure 120 and the lower substrates 190A to 190E is 20% or more of the total area of the lower substrates 190A to 190E, The light reflection characteristic of the reflection layer 220 can be improved.

이하, 도 3, 도 6 및 도 12에 예시된 전술한 발광 소자(100A, 100D, 100J)를 포함하는 발광 소자 패키지(300A, 300B, 300C)의 실시예를 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, embodiments of the light emitting device packages 300A, 300B, and 300C including the light emitting devices 100A, 100D, and 100J illustrated in FIGS. 3, 6, and 12 will be described as follows.

도 14는 실시예에 따른 발광 소자 패키지(300A)의 단면도이다.14 is a sectional view of a light emitting device package 300A according to the embodiment.

실시예에 따른 발광 소자 패키지(300A)는 발광 소자(100A), 헤더(310), 한 쌍의 리드(lead)선(312, 314), 접착부(320), 측벽부(330), 와이어(340) 및 몰딩 부재(350)를 포함한다. 발광 소자(100A)는 도 3에 예시된 발광 소자에 대응하지만, 도 4, 도 7 내지 도 11에 예시된 어느 발광 소자(100B, 100E ~ 100I)로 대체되어도 아래의 설명은 동일하게 적용될 수 있다. 발광 소자(100A)에 대해서는 도 3과 동일한 참조부호를 사용하였으며, 여기서는 중복된 설명을 생략한다.A light emitting device package 300A according to an embodiment includes a light emitting device 100A, a header 310, a pair of lead wires 312 and 314, a bonding portion 320, a side wall portion 330, And a molding member 350. The light emitting device 100A corresponds to the light emitting device illustrated in FIG. 3, but the following description can be applied equally to any one of the light emitting devices 100B and 100E to 100I illustrated in FIGS. 4 and 7 to 11 . The same reference numerals as those in FIG. 3 are used for the light emitting device 100A, and redundant description is omitted here.

하부 전극(210)은 접착부(320)에 의해 헤더(310)와 접착된다. 접착부(320)는 솔더 또는 페이스트 형태일 수 있고 헤더(310)는 절연성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 발광 소자(100A)의 제1 전극 패드(172A)는 와이어(340)를 통해 리드선(312)과 연결되고, 제2 전극 패드(174A)는 와이어의 도움없이 하부 전극(210)을 통해 리드선(314)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 같이, 제2 전극 패드(174A)는 하부 기판(190A)과 연결되므로 열 발산을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 리드선(314)과의 연결을 위한 와이어의 필요성도 제거할 수 있다.The lower electrode 210 is bonded to the header 310 by a bonding portion 320. The adhesive portion 320 may be in the form of solder or paste, and the header 310 may be made of a material having an insulating property. The first electrode pad 172A of the light emitting device 100A is connected to the lead wire 312 through the wire 340 and the second electrode pad 174A is connected to the lead wire 314 through the lower electrode 210 without the help of the wire As shown in FIG. Since the second electrode pad 174A is connected to the lower substrate 190A, it is possible to increase heat dissipation and to eliminate the need for a wire for connection with the lead wire 314. [

서로 전기적으로 분리되는 한 쌍의 리드선(312, 314)을 통해 발광 소자(100A)에 전원이 제공된다.Power is supplied to the light emitting device 100A through a pair of lead wires 312 and 314 that are electrically separated from each other.

몰딩 부재(350)는 측벽부(330)에 의해 형성된 패키지(300A)의 캐비티에 채워져 발광 소자(100A)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 몰딩 부재(350)는 형광체를 포함하여, 발광 소자(100A)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 350 may be filled in the cavity of the package 300A formed by the side wall part 330 to surround and protect the light emitting device 100A. Further, the molding member 350 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100A.

도 15는 다른 실시예에 의한 발광 소자 패키지(300B)의 단면도를 나타낸다.15 is a cross-sectional view of a light emitting device package 300B according to another embodiment.

도 15에 예시된 발광 소자(100D)는 도 6에 예시된 발광 소자에 대응하지만, 도 5에 예시된 어느 발광 소자(100C)로 대체되어도 아래의 설명은 동일하게 적용될 수 있다. 발광 소자(100D)에 대해서는 도 6과 동일한 참조부호를 사용하였으며, 여기서는 중복된 설명을 생략한다.The light emitting device 100D illustrated in FIG. 15 corresponds to the light emitting device illustrated in FIG. 6, but the following description can be applied equally to any light emitting device 100C illustrated in FIG. The same reference numerals as those in FIG. 6 are used for the light emitting device 100D, and redundant description is omitted here.

도 14에 예시된 제1 전극 패드(172A)가 와이어(340)를 통해 리드선(312)과 전기적으로 연결된다. 반면에, 도 15에 예시된 제1 및 제2 전극 패드(172B, 174A)는 와이어의 도움없이 제1 및 제2 하부 전극(212, 214)을 통해 리드선(312, 314)과 각각 전기적으로 연결된다. 이를 제외하면, 도 15에 예시된 발광 소자 패키지(300B)는 도 14에 예시된 발광 소자 패키지(300A)와 동일하므로 이에 대한 상세한 설명을 생략한다.The first electrode pad 172A illustrated in Fig. 14 is electrically connected to the lead wire 312 through the wire 340. Fig. On the other hand, the first and second electrode pads 172B and 174A illustrated in FIG. 15 are electrically connected to the lead wires 312 and 314 through the first and second lower electrodes 212 and 214, respectively, do. Except for this, since the light emitting device package 300B illustrated in FIG. 15 is the same as the light emitting device package 300A illustrated in FIG. 14, a detailed description thereof will be omitted.

도 16은 또 다른 실시예에 의한 발광 소자 패키지(300C)의 단면도를 나타낸다.FIG. 16 shows a cross-sectional view of a light emitting device package 300C according to another embodiment.

도 16에 예시된 발광 소자(100J)는 도 12에 예시된 발광 소자에 대응한다. 발광 소자(100J)에 대해서는 도 12와 동일한 참조 부호를 사용하였으며, 여기서는 중복된 설명을 생략한다.The light emitting device 100J illustrated in Fig. 16 corresponds to the light emitting device illustrated in Fig. The same reference numerals as those in FIG. 12 are used for the light emitting device 100J, and redundant explanations are omitted here.

도 14에 예시된 제2 전극 패드(174A)가 와이어의 도움없이 리드선(314)과 전기적으로 연결된다. 반면에, 도 16에 예시된 제1 및 제2 전극 패드(172A, 174E)는 와이어(342, 342)에 의해 리드선(312, 314)과 각각 전기적으로 연결된다. 이를 제외하면, 도 16에 예시된 발광 소자 패키지(300C)는 도 14에 예시된 발광 소자 패키지(300A)와 동일하므로 이에 대한 상세한 설명을 생략한다.The second electrode pad 174A illustrated in Fig. 14 is electrically connected to the lead wire 314 without the help of a wire. On the other hand, the first and second electrode pads 172A and 174E illustrated in FIG. 16 are electrically connected to the lead wires 312 and 314, respectively, by the wires 342 and 342. Except for this, since the light emitting device package 300C illustrated in FIG. 16 is the same as the light emitting device package 300A illustrated in FIG. 14, a detailed description thereof will be omitted.

도 17은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지(300D)의 단면도이다.17 is a cross-sectional view of a light emitting device package 300D according to another embodiment.

또 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지(300D)는 패키지 몸체부(360)와, 패키지 몸체부(360)에 설치된 제1 및 제2 리드 프레임(364, 366)과, 패키지 몸체부(360)에 배치되어 제1 및 제2 리드 프레임(364, 366)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(370)와, 발광 소자(370)를 포위하는 몰딩 부재(350)를 포함한다.The light emitting device package 300D according to another embodiment includes a package body 360, first and second lead frames 364 and 366 provided on the package body 360, A light emitting element 370 arranged to be electrically connected to the first and second lead frames 364 and 366 and a molding member 350 surrounding the light emitting element 370.

패키지 몸체부(360)는 실리콘, 합성수지, 또는 금속을 포함하여 형성될 수 있으며, 발광 소자(370)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The package body portion 360 may be formed of silicon, synthetic resin, or metal, and a sloped surface may be formed around the light emitting device 370.

제1 및 제2 리드 프레임(364, 366)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광 소자(370)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 제1 및 제2 리드 프레임(364, 366)은 발광 소자(370)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수도 있으며, 발광 소자(370)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first and second lead frames 364 and 366 are electrically separated from each other and serve to supply power to the light emitting device 370. [ The first and second lead frames 364 and 366 may function to increase the light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 370, It may also serve as a discharge.

발광 소자(370)는 도 3, 도 4, 도 7 내지 도 11에 예시된 발광 소자(100A, 100B, 100E ~ 100I)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting device 370 may be any of the light emitting devices 100A, 100B, and 100E to 100I illustrated in FIGS. 3, 4, and 7 to 11, but is not limited thereto.

발광 소자(370)는 도 17에 예시된 바와 같이 제2 리드 프레임(366) 상에 배치되거나, 도 17에 도시된 바와 같이, 제1 리드 프레임(364)이나 패키지 몸체부(360) 상에 배치될 수도 있다.The light emitting device 370 may be disposed on the second lead frame 366 as illustrated in Figure 17 or disposed on the first lead frame 364 or the package body 360, .

발광 소자(370)는 제1 및/또는 제2 리드 프레임(364, 366)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 도 17에 예시된 발광 소자(370)는 제1 리드 프레임(364)과 와이어(346)를 통해 전기적으로 연결되고 제2 리드 프레임(366)과 직접 전기적으로 연결될 수 있으나 이에 국한되지 않는다.The light emitting device 370 may be electrically connected to the first and / or second lead frames 364 and 366 by any one of a wire type, a flip chip type, and a die bonding type. The light emitting device 370 illustrated in FIG. 17 may be electrically connected to the first lead frame 364 through the wire 346 and directly electrically connected to the second lead frame 366, but is not limited thereto.

몰딩 부재(350)는 발광 소자(370)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 몰딩 부재(350)는 형광체를 포함하여, 발광 소자(370)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 350 can surround and protect the light emitting element 370. [ Further, the molding member 350 may include a phosphor to change the wavelength of the light emitted from the light emitting element 370.

또 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting device packages according to another embodiment may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, a fluorescent sheet, and the like may be disposed on a path of light emitted from the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit or function as a lighting unit. For example, the lighting system may include a backlight unit, a lighting unit, a pointing device, a lamp, and a streetlight.

도 18은 실시예에 따른 조명 유닛(400)의 사시도이다. 다만, 도 18의 조명 유닛(400)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 한정되는 것은 아니다.18 is a perspective view of the illumination unit 400 according to the embodiment. However, the illumination unit 400 in Fig. 18 is an example of the illumination system, but is not limited thereto.

실시예에서 조명 유닛(400)은 케이스 몸체(410)와, 케이스 몸체(410)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(420)와, 케이스 몸체(410)에 설치된 발광 모듈부(430)를 포함할 수 있다.The lighting unit 400 includes a case body 410, a connection terminal 420 installed in the case body 410 and supplied with power from an external power source, a light emitting module unit 430 installed in the case body 410, ).

케이스 몸체(410)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되며, 금속 또는 수지로 형성될 수 있다.The case body 410 is formed of a material having a good heat dissipation property, and may be formed of metal or resin.

발광 모듈부(430)는 기판(432)과, 기판(432)에 탑재되는 적어도 하나의 발광소자 패키지(300:300A ~ 300D)를 포함할 수 있다.The light emitting module unit 430 may include a substrate 432 and at least one light emitting device package 300 (300A to 300D) mounted on the substrate 432.

기판(432)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(metal Core) PCB, 연성(flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다.The substrate 432 may be a printed circuit pattern on an insulator and may be a printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, or the like. .

또한, 기판(432)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.The substrate 432 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be formed of a color whose surface is efficiently reflected, for example, white, silver, or the like.

기판(432) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(300)가 탑재될 수 있다. 발광 소자 패키지(300)는 적어도 하나의 발광 소자(370) 예를 들면 발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting device package 300 may be mounted on the substrate 432. The light emitting device package 300 may include at least one light emitting device 370, for example, a light emitting diode (LED). The light emitting diode may include a colored light emitting diode that emits red, green, blue, or white colored light, and a UV light emitting diode that emits ultraviolet (UV) light.

발광 모듈부(430)는 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자 패키지(300)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module unit 430 may be arranged to have a combination of various light emitting device packages 300 to obtain color and brightness. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be arranged in combination in order to secure a high color rendering index (CRI).

연결 단자(420)는 발광 모듈부(430)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 실시예에서 연결 단자(420)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 연결 단자(420)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있다.The connection terminal 420 may be electrically connected to the light emitting module unit 430 to supply power. In the embodiment, the connection terminal 420 is connected to the external power source by being connected in a socket manner, but the present invention is not limited thereto. For example, the connection terminal 420 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source, or may be connected to an external power source through wiring.

도 19는 실시예에 따른 백라이트 유닛(500)의 분해 사시도이다. 다만, 도 19의 백라이트 유닛(500)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.19 is an exploded perspective view of the backlight unit 500 according to the embodiment. However, the backlight unit 500 of FIG. 19 is an example of the illumination system, and the present invention is not limited thereto.

실시예에 따른 백라이트 유닛(500)은 도광판(510)과, 도광판(510) 아래의 반사 부재(520)와, 바텀 커버(530)와, 도광판(510)에 빛을 제공하는 발광 모듈부(540)를 포함한다. 바텀 커버(530)는 도광판(510), 반사 부재(520) 및 발광모듈부(540)를 수납한다.The backlight unit 500 according to the embodiment includes a light guide plate 510, a reflection member 520 under the light guide plate 510, a bottom cover 530, a light emitting module unit 540 for providing light to the light guide plate 510 ). The bottom cover 530 houses the light guide plate 510, the reflection member 520, and the light emitting module unit 540.

도광판(510)은 빛을 확산시켜 면 광원화시키는 역할을 한다. 도광판(510)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl methacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.The light guide plate 510 serves to diffuse light to make a surface light source. The light guide plate 510 is made of a transparent material and may be made of a material such as acrylic resin such as PMMA (polymethyl methacrylate), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC) and polyethylene naphthalate As shown in FIG.

발광 모듈부(540)는 도광판(510)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 백라이트 유닛이 설치되는 디스플레이 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 540 provides light to at least one side of the light guide plate 510 and ultimately acts as a light source of a display device in which the backlight unit is installed.

발광 모듈부(540)는 도광판(510)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 구체적으로, 발광 모듈부(540)는 기판(542)과, 기판(542)에 탑재된 다수의 발광 소자 패키지(300:300A ~ 300D)를 포함한다. 기판(542)은 도광판(510)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The light emitting module 540 may be in contact with the light guide plate 510, but is not limited thereto. Specifically, the light emitting module unit 540 includes a substrate 542 and a plurality of light emitting device packages 300 (300A to 300D) mounted on the substrate 542. The substrate 542 may be in contact with the light guide plate 510, but is not limited thereto.

기판(542)은 회로 패턴(미도시)을 포함하는 PCB일 수 있다. 다만, 기판(542)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성(flexible) PCB 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 542 may be a PCB including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 542 may include not only a general PCB but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB, and the like, but the present invention is not limited thereto.

그리고, 다수의 발광 소자 패키지(300)는 기판(542) 상에 빛이 방출되는 발광면이 도광판(510)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있다.The plurality of light emitting device packages 300 may be mounted on the substrate 542 such that the light emitting surface on which the light is emitted is spaced apart from the light guiding plate 510 by a predetermined distance.

도광판(510) 아래에는 반사 부재(520)가 형성될 수 있다. 반사 부재(520)는 도광판(510)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 백라이트 유닛의 휘도를 향상시킬 수 있다. 반사 부재(520)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.A reflective member 520 may be formed under the light guide plate 510. The reflective member 520 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 510 so as to face upward, thereby improving the brightness of the backlight unit. The reflective member 520 may be formed of, for example, PET, PC, PVC resin or the like, but is not limited thereto.

바텀 커버(530)는 도광판(510), 발광 모듈부(540) 및 반사 부재(520) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 바텀 커버(530)는 상면이 개구된 박스(box) 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 530 can house the light guide plate 510, the light emitting module 540, the reflective member 520, and the like. For this purpose, the bottom cover 530 may be formed in a box shape having an opened top surface, but the present invention is not limited thereto.

바텀 커버(530)는 금속 또는 수지로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다.The bottom cover 530 may be formed of metal or resin, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100, 100A ~ 100J, 370: 발광 소자 110: 상부 기판
120: 발광 구조물 122, 126: 도전형 반도체층
124: 활성층 132, 134: 전극층
142, 144: 상부 범프 금속층 152, 154: 범프
162, 164: 하부 범프 금속층
172A, 172B, 174A, 174B, 174C, 174D, 174E: 전극 패드
182A, 182B, 182C: 절연층 190A, 190B, 190C, 190D: 하부 기판
192: 관통홀 210, 212, 214: 하부 전극
220A, 220B, 220C: 금속 반사층 300A ~ 300D: 발광 소자 패키지
310: 헤더 312, 314: 리드 선
320: 접착부 330: 측벽부
340, 346: 와이어 350: 몰딩 부재
360: 패키지 몸체부 364, 366: 제1 및 제2 리드 프레임
400: 조명 유닛 410: 케이스 몸체
420: 연결 단자 430, 540: 발광 모듈부
500: 백라이트 유닛 510: 도광판
520: 반사 부재 530: 바텀 커버100, 100A to 100J, 370: light emitting device 110: upper substrate
120: light emitting structure 122, 126: conductive semiconductor layer
124: active layer 132, 134: electrode layer
142, 144: upper bump metal layer 152, 154: bump
162, 164: lower bump metal layer
172A, 172B, 174A, 174B, 174C, 174D, 174E: electrode pads
182A, 182B, 182C: insulating layers 190A, 190B, 190C, 190D:
192: Through holes 210, 212, 214: Lower electrode
220A, 220B, and 220C: metal reflection layers 300A to 300D: light emitting device package
310: header 312, 314: lead wire
320: Adhesive part 330: Side wall part
340, 346: wire 350: molding member
360: package body portion 364, 366: first and second lead frames
400: illumination unit 410: case body
420: connection terminal 430, 540: light emitting module part
500: backlight unit 510: light guide plate
520: reflective member 530: bottom cover

Claims (17)

상부 기판;
상기 상부 기판 아래에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 발광 구조물 아래에 배치된 하부 기판;
상기 하부 기판 위에서 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극 패드;
상기 제1 전극 패드와 상기 하부 기판 사이에 배치된 절연층; 및
상기 제1 전극 패드와 전기적으로 분리되며, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 하부 기판과 전기적으로 연결된 제2 전극 패드를 포함하는 발광 소자.An upper substrate;
A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer sequentially disposed under the upper substrate;
A lower substrate disposed below the light emitting structure;
A first electrode pad electrically connected to the first conductive semiconductor layer on the lower substrate;
An insulating layer disposed between the first electrode pad and the lower substrate; And
And a second electrode pad electrically separated from the first electrode pad and electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer and the lower substrate. 제1 항에 있어서, 상기 하부 기판 아래에 배치되어, 상기 하부 기판을 관통하는 제2 전극 패드와 전기적으로 연결되는 하부 전극을 더 포함하는 발광 소자.The light emitting device of claim 1, further comprising a lower electrode disposed under the lower substrate and electrically connected to a second electrode pad penetrating the lower substrate. 제1 항에 있어서, 상기 절연층은 상기 제2 전극 패드와 상기 하부 기판 사이로 연장되어 배치되고,
상기 제2 전극 패드는 상기 절연층을 관통하여 상기 하부 기판과 전기적으로 연결되는 발광 소자.The plasma display panel of claim 1, wherein the insulating layer extends between the second electrode pad and the lower substrate,
And the second electrode pad is electrically connected to the lower substrate through the insulating layer. 제3 항에 있어서, 상기 절연층과 상기 하부 기판 사이에 배치된 금속 반사층을 더 포함하는 발광 소자.The light emitting device of claim 3, further comprising a metal reflective layer disposed between the insulating layer and the lower substrate. 제4 항에 있어서, 상기 제2 전극 패드는 상기 금속 반사층에 접하여 상기 하부 기판과 전기적으로 연결되는 발광 소자.The light emitting device of claim 4, wherein the second electrode pad is electrically connected to the lower substrate in contact with the metal reflection layer. 제4 항에 있어서, 상기 제2 전극 패드는 상기 금속 반사층을 관통하여 상기 하부 기판과 전기적으로 연결되는 발광 소자.The light emitting device of claim 4, wherein the second electrode pad is electrically connected to the lower substrate through the metal reflection layer. 제4 항에 있어서, 상기 금속 반사층은 상기 절연층과 상기 하부 기판 사이로부터 연장되어 상기 하부 기판을 감싸도록 배치된 발광 소자.5. The light emitting device of claim 4, wherein the metal reflection layer extends between the insulating layer and the lower substrate and surrounds the lower substrate. 제1 항에 있어서, 상기 하부 기판은 금속을 포함하는 반사성 물질로 이루어진 발광 소자.The light emitting device of claim 1, wherein the lower substrate comprises a reflective material including a metal. 상부 기판;
상기 상부 기판 아래에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 발광 구조물 하부에 배치된 하부 기판;
상기 하부 기판의 적어도 일부를 감싸는 금속 반사층;
상기 금속 반사층과 상기 발광 구조물 사이에 배치되는 절연층;
상기 절연층 위에 배치되어 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제1 전극 패드; 및
상기 제1 전극 패드와 전기적으로 분리되고, 상기 절연층 위에 배치되어 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극 패드를 포함하는 발광 소자.An upper substrate;
A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer sequentially disposed under the upper substrate;
A lower substrate disposed under the light emitting structure;
A metal reflective layer surrounding at least a portion of the lower substrate;
An insulating layer disposed between the metal reflective layer and the light emitting structure;
A first electrode pad disposed on the insulating layer and electrically connected to the first conductive semiconductor layer; And
And a second electrode pad electrically separated from the first electrode pad and disposed on the insulating layer and electrically connected to the second conductive type semiconductor layer. 제7 항 및 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부 기판은 상기 제2 전극 패드와 적어도 일부가 대향하는 관통 홀을 갖는 발광 소자.The light emitting device according to claim 7 or 8, wherein the lower substrate has a through hole facing at least part of the second electrode pad. 제10 항에 있어서, 상기 관통 홀의 폭은 상기 제2 전극 패드의 폭 이하인 발광 소자.The light emitting device according to claim 10, wherein a width of the through hole is equal to or smaller than a width of the second electrode pad. 제4 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광 구조물과 상기 하부 기판 사이의 금속 반사층은 상기 하부 기판의 20 % 이상을 덮는 발광 소자.10. The light emitting device according to any one of claims 4 to 9, wherein the metal reflection layer between the light emitting structure and the lower substrate covers at least 20% of the lower substrate. 제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광 소자는
상기 제1 전극 패드를 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결시키는 제1 범프; 및
상기 제2 전극 패드를 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적을 연결시키는 제2 범프를 더 포함하고,
상기 제2 전극 패드가 상기 하부 기판과 접촉하는 면적은 상기 제2 범프의 폭 이상인 발광 소자.10. The light-emitting device according to any one of claims 1 to 9,
A first bump electrically connecting the first electrode pad to the first conductive semiconductor layer; And
And a second bump electrically connecting the second electrode pad to the second conductivity type semiconductor layer,
Wherein an area of the second electrode pad in contact with the lower substrate is equal to or greater than a width of the second bump. 제4 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 반사층은 0 보다 크고 100 ㎛ 이하의 두께를 갖는 발광 소자.10. The light emitting device according to any one of claims 4 to 9, wherein the metal reflection layer has a thickness of more than 0 and a thickness of 100 mu m or less. 제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연층은 상기 활성층의 에너지 밴드 갭보다 큰 에너지 밴드 갭을 갖는 투명한 물질을 포함하는 발광 소자.10. The light emitting device according to any one of claims 1 to 9, wherein the insulating layer includes a transparent material having an energy band gap larger than an energy band gap of the active layer. 상부 기판;
상기 상부 기판 아래에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 발광 구조물 아래에 배치된 하부 기판;
상기 하부 기판의 아래에 서로 전기적으로 분리되어 배치된 제1 및 제2 하부 전극;
상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되며, 상기 하부 기판을 관통하여 상기 제1 하부 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극 패드;
상기 제1 전극 패드와 전기적으로 분리되며, 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되며, 상기 하부 기판을 관통하여 상기 제2 하부 전극과 전기적으로 연결되는 제2 전극 패드를 포함하고,
상기 하부 기판은 절연성을 갖는 발광 소자.An upper substrate;
A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer sequentially disposed under the upper substrate;
A lower substrate disposed below the light emitting structure;
First and second lower electrodes electrically separated from each other under the lower substrate;
A first electrode pad electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer and electrically connected to the first lower electrode through the lower substrate;
And a second electrode pad electrically separated from the first electrode pad and electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer and electrically connected to the second lower electrode through the lower substrate,
Wherein the lower substrate has an insulating property. 제16 항에 있어서, 상기 발광 소자는
상기 제1 전극 패드와 상기 하부 기판 사이에 배치된 제1 및 제2 금속 반사층; 및
상기 제2 전극 패드와 상기 하부 기판 사이에 배치된 제3 및 제4 금속 반사층을 더 포함하는 발광 소자.The light emitting device according to claim 16, wherein the light emitting element
First and second metal reflective layers disposed between the first electrode pad and the lower substrate; And
And a third and a fourth metal reflective layer disposed between the second electrode pad and the lower substrate.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160045397A (en) * 2014-10-17 2016-04-27 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package
KR20200086811A (en) * 2019-01-10 2020-07-20 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004207519A (en) * 2002-12-25 2004-07-22 Toyoda Gosei Co Ltd Light emitting device
JP2007103505A (en) * 2005-09-30 2007-04-19 Tdk Corp Light emitting device
JP2007149776A (en) * 2005-11-24 2007-06-14 Tdk Corp Light emitting device
JP2008071837A (en) * 2006-09-12 2008-03-27 Toyoda Gosei Co Ltd Light-emitting device and its manufacturing method
JP2012142410A (en) * 2010-12-28 2012-07-26 Rohm Co Ltd Light emitting element unit and method for manufacturing the same, light emitting element package, and lighting system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004207519A (en) * 2002-12-25 2004-07-22 Toyoda Gosei Co Ltd Light emitting device
JP2007103505A (en) * 2005-09-30 2007-04-19 Tdk Corp Light emitting device
JP2007149776A (en) * 2005-11-24 2007-06-14 Tdk Corp Light emitting device
JP2008071837A (en) * 2006-09-12 2008-03-27 Toyoda Gosei Co Ltd Light-emitting device and its manufacturing method
JP2012142410A (en) * 2010-12-28 2012-07-26 Rohm Co Ltd Light emitting element unit and method for manufacturing the same, light emitting element package, and lighting system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160045397A (en) * 2014-10-17 2016-04-27 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package
KR20200086811A (en) * 2019-01-10 2020-07-20 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package

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