KR102034710B1 - Light Emitting Device - Google Patents

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Abstract

발광 소자는, 투광성 기판과, 투광성 기판 아래에 배치된 제1 도전형 반도체층과 활성층과 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물과, 서브 마운트와, 서브 마운트 위에 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 금속층과, 제1 및 제2 금속층과 제1 및 제2 도전형 반도체층을 각각 전기적으로 연결하는 제1 및 제2 범프부 및 제1 및 제2 금속층 위에 각각 배치된 제1 및 제2 반사층을 포함한다.The light emitting device includes: a light emitting structure comprising a light transmissive substrate, a first conductive semiconductor layer disposed under the light transmissive substrate, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; Disposed on the first and second metal layers, the first and second bump portions and the first and second metal layers, respectively, which electrically connect the first and second metal layers and the first and second conductive semiconductor layers, respectively. And a first reflective layer.

Description

발광 소자{Light Emitting Device}Light Emitting Device

실시예는 발광 소자에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device.

질화갈륨(GaN)의 금속 유기화학기상 증착법 및 분자선 성장법 등의 발달을 바탕으로 고휘도 및 백색광 구현이 가능한 적색, 녹색 및 청색 발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)가 개발되었다.Based on the development of gallium nitride (GaN) metal organic chemical vapor deposition and molecular beam growth, red, green and blue light emitting diodes (LEDs) capable of high brightness and white light have been developed.

이러한 LED는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명, 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다. 이러한 LED 소자의 핵심 경쟁 요소는 고효율 및 고출력 칩 및 패키징 기술에 의한 고휘도의 구현이다.These LEDs do not contain environmentally harmful substances such as mercury (Hg) used in existing lighting equipment such as incandescent lamps and fluorescent lamps, so they have excellent eco-friendliness and have advantages such as long life and low power consumption. It is replacing. A key competitive factor in these LED devices is their high brightness and high brightness by high efficiency chip and packaging technology.

고휘도를 구현하기 위해서 광 추출 효율을 높이는 것이 중요하다. 광 추출 효율을 높이기 위하여 플립 칩(flip-chip) 구조, 표면 요철 형성(surface texturing), 요철이 형성된 사파이어 기판(PSS:Patterned Sapphire Substrate), 광 결정(photonic crystal) 기술, 및 반사 방지막(anti-reflection layer) 구조 등을 이용한 다양한 방법들이 연구되고 있다.In order to realize high brightness, it is important to increase light extraction efficiency. Flip-chip structure, surface texturing, patterned sapphire substrate (PSS), photonic crystal technology, and anti-reflection film to improve light extraction efficiency Various methods using the reflection layer structure have been studied.

도 1은 일반적인 발광 소자의 단면도를 나타낸다.1 is a cross-sectional view of a general light emitting device.

도 1의 발광 소자는 플립 칩 본딩 구조로서, 기판(10), 발광 구조물(20), 제1 및 제2 전극(32, 34), 제1 및 제2 범프(42, 44), 제1 및 제2 패드(52, 54) 및 서브 마운트(60)로 구성된다. 발광 구조물(20)은 n형 반도체층(22) 활성층(24) 및 p형 반도체층(26)으로 구성된다. 제1 및 제2 전극(32, 34)은 제1 및 제2 범프(42, 44)를 통해 서브 마운트(60)의 제1 및 제2 패드(52, 54)와 각각 전기적으로 연결된다.The light emitting device of FIG. 1 has a flip chip bonding structure, which includes a substrate 10, a light emitting structure 20, first and second electrodes 32 and 34, first and second bumps 42 and 44, and first and second electrodes. It consists of the 2nd pads 52 and 54 and the submount 60. As shown in FIG. The light emitting structure 20 is composed of an n-type semiconductor layer 22 active layer 24 and a p-type semiconductor layer 26. The first and second electrodes 32 and 34 are electrically connected to the first and second pads 52 and 54 of the submount 60 through the first and second bumps 42 and 44, respectively.

도 1에 도시된 기존의 발광 소자는 활성층(24)에서 방출된 광(70, 72, 74, 76, 78)이 서브 마운트(60), 범프(42, 44) 및/또는 패드(52, 54)에 흡수될 수 있어 광 추출 효율이 저하되는 문제점이 있다.In the conventional light emitting device shown in FIG. 1, the light 70, 72, 74, 76, and 78 emitted from the active layer 24 may have a submount 60, bumps 42, 44 and / or pads 52, 54. ) Can be absorbed and thus the light extraction efficiency is lowered.

실시예는 광 추출 효율이 개선된 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having improved light extraction efficiency.

실시예의 발광 소자는 투광성 기판; 상기 투광성 기판 아래에 배치된 제1 도전형 반도체층과 활성층과 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 서브 마운트; 상기 서브 마운트 위에 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 금속층; 상기 제1 및 제2 금속층과 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층을 각각 전기적으로 연결하는 제1 및 제2 범프부; 및 상기 제1 및 제2 금속층 위에 각각 배치된 제1 및 제2 반사층을 포함한다.The light emitting device of the embodiment includes a light transmissive substrate; A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer disposed under the light transmissive substrate; Submount; First and second metal layers spaced apart from each other in a horizontal direction on the sub-mount; First and second bump portions electrically connecting the first and second metal layers and the first and second conductive semiconductor layers, respectively; And first and second reflective layers disposed on the first and second metal layers, respectively.

발광 소자는 상기 제1 및 제2 금속층 중 적어도 하나와 상기 서브 마운트 사이에 배치된 절연층을 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include an insulating layer disposed between at least one of the first and second metal layers and the submount.

상기 제1 및 제2 금속층 중 하나는 상기 서브 마운트와 직접 콘텍할 수 있다.One of the first and second metal layers may directly contact the submount.

발광 소자는, 상기 절연층과 상기 서브 마운트 사이에 배치된 제3 반사층을 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a third reflective layer disposed between the insulating layer and the submount.

상기 제1 반사층은 상기 제1 금속층 위로부터 상기 제1 범프부의 측부로 연장되어 배치되고, 상기 제2 반사층은 상기 제2 금속층 위로부터 상기 제2 범프부의 측부로 연장되어 배치될 수 있다. 상기 제1 금속층 위에 배치된 상기 제1 반사층의 두께와 상기 제1 범프부의 측부에 배치된 제1 반사층의 두께는 서로 동일하고, 상기 제2 금속층 위에 배치된 상기 제2 반사층의 두께와 상기 제2 범프부의 측부에 배치된 제2 반사층의 두께는 서로 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 두께는 100 ㎚ 내지 3 ㎛일 수 있다.The first reflective layer may extend from the first metal layer toward the side of the first bump part, and the second reflective layer may extend from the second metal layer toward the side of the second bump part. The thickness of the first reflective layer disposed on the first metal layer and the thickness of the first reflective layer disposed on the side of the first bump part are the same, and the thickness of the second reflective layer and the second reflective layer disposed on the second metal layer are the same. The thicknesses of the second reflective layers disposed on the sides of the bump portion may be the same. For example, the thickness may be 100 nm to 3 μm.

상기 서브 마운트의 평면의 전체 면적 대비 상기 제1 및 제2 반사층의 평면의 면적은 50% 내지 90%일 수 있다. 상기 제1 또는 제2 반사층 중 적어도 하나는 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 백금(Pt), 금(Au), 하프늄(Hf) 및 이들 중 둘 이상의 합금으로 구성된 물질 중에서 한 층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다.The area of the plane of the first and second reflective layers may be 50% to 90% of the total area of the plane of the submount. At least one of the first and second reflective layers is silver (Ag), nickel (Ni), aluminum (Al), rhodium (Rh), palladium (Pd), iridium (Ir), ruthenium (Ru), magnesium (Mg) , Zinc (Zn), platinum (Pt), gold (Au), hafnium (Hf) and may be formed of one or a plurality of layers of a material composed of two or more alloys thereof.

발광 소자는 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제1 범프부 사이에 배치된 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 범프부 사이에 배치된 제2 전극을 더 포함할 수 있다.The light emitting device includes: a first electrode disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the first bump part; And a second electrode disposed between the second conductive semiconductor layer and the second bump part.

실시예에 따른 발광 소자는 제1 및 제2 반사층이 제1 및 제2 금속층의 위에 배치되기 때문에 서브 마운트의 평면의 전체 면적 대비 제1 및 제2 반사층이 차지하는 면적이 30 % 내지 90 %까지 증가될 수 있어 발광 효율이 개선될 수 있으며,In the light emitting device according to the embodiment, since the first and second reflective layers are disposed on the first and second metal layers, the area occupied by the first and second reflective layers increases from 30% to 90% relative to the total area of the plane of the submount. Luminous efficiency can be improved,

절연층과 서브 마운트 사이에 제3 반사층이 더 배치되기 때문에 활성층으로부터 방출된 광이 서브 마운트에서 흡수되지 않고 반사될 수 있어 발광 효율이 더욱 개선되고 방열 효과가 증대될 수 있으며,Since the third reflective layer is further disposed between the insulating layer and the sub-mount, the light emitted from the active layer can be reflected without being absorbed by the sub-mount, so that the luminous efficiency can be further improved and the heat dissipation effect can be increased.

제1 및 제2 범프부의 측부에 제1 및 제2 반사층이 연장되어 배치되기 때문에 활성층에서 방출된 광이 제1 및 제2 범프부에서 흡수되지 않고 연장된 제1 및 제2 반사층에 의해 반사될 수 있어 발광 효율이 더욱 개선될 수 있다.Since the first and second reflective layers extend on the sides of the first and second bump portions, the light emitted from the active layer is reflected by the first and second reflective layers extending without being absorbed by the first and second bump portions. The luminous efficiency can be further improved.

도 1은 일반적인 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 2는 실시예에 의한 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 2에 도시된 A-A'선에 따라 절개한 발광 소자의 일 실시예의 단면도를 나타낸다.
도 4는 도 2에 도시된 A-A'선에 따라 절개한 발광 소자의 다른 실시예의 단면도를 나타낸다.
도 5는 도 2에 도시된 A-A'선에 따라 절개한 발광 소자의 또 다른 실시예의 단면도를 나타낸다.
도 6은 도 2에 도시된 A-A'선에 따라 절개한 발광 소자의 또 다른 실시예의 단면도를 나타낸다.
도 7은 도 2에 도시된 A-A'선에 따라 절개한 발광 소자의 또 다른 실시예의 단면도를 나타낸다.
도 8은 제1 및 제2 반사층이 서브 마운트 상에서 차지하는 면적에 따라 달라지는 반사도를 나타내는 그래프이다.
도 9a 내지 도 9f는 실시예에 따른 발광소자의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 10은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 11은 실시예에 따른 조명 유닛의 사시도이다.
도 12는 실시예에 따른 백라이트 유닛의 분해 사시도이다.1 is a cross-sectional view of a general light emitting device.
2 is a plan view of a light emitting device according to an embodiment.
3 is a cross-sectional view of an embodiment of a light emitting device cut along the line AA ′ shown in FIG. 2.
4 is a cross-sectional view of another embodiment of a light emitting device cut along the line AA ′ shown in FIG. 2.
FIG. 5 is a sectional view of yet another embodiment of a light emitting device cut along the line AA ′ shown in FIG. 2.
6 is a cross-sectional view of another embodiment of a light emitting device cut along the line AA ′ shown in FIG. 2.
FIG. 7 is a sectional view of yet another embodiment of a light emitting device cut along the line AA ′ shown in FIG. 2.
8 is a graph showing reflectivity depending on the area occupied by the first and second reflective layers on the submount.
9A to 9F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light emitting device according to the embodiment.
10 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the embodiment.
11 is a perspective view of a lighting unit according to an embodiment.
12 is an exploded perspective view of the backlight unit according to the embodiment.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, and detailed description will be made with reference to the accompanying drawings in order to help understanding of the present invention. However, embodiments according to the present invention can be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art.

본 실시예의 설명에 있어서, 각 구성요소(element)의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 구성요소(element)가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 구성요소(element)가 상기 두 구성요소(element) 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.In the description of the present embodiment, when described as being formed on the "on or under" of each element, the (top) or (bottom) ( on or under includes both that two elements are in direct contact with one another or one or more other elements are formed indirectly between the two elements.

또한 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"로 표현되는 경우 하나의 구성요소(element)를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In addition, when expressed as "up" or "on (under)", it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.

도 2는 실시예에 의한 발광 소자(100)의 평면도를 나타낸다.2 is a plan view of a light emitting device 100 according to an embodiment.

도 3 내지 도 7은 도 2에 도시된 A-A'선에 따라 절개한 발광 소자(100A, 100B, 100C, 100D, 100E)의 일 실시예의 단면도를 나타낸다. 여기서, 동일한 부분은 동일한 참조부호를 사용한다. 도 3의 제1 반사층(162A, 162B) 및 제2 반사층(164A, 164B)은 도 2의 제1 반사층(162) 및 제2 반사층(164)에 각각 해당한다.3 to 7 illustrate cross-sectional views of one embodiment of light emitting devices 100A, 100B, 100C, 100D, and 100E cut along the line AA ′ of FIG. 2. Here, the same parts use the same reference numerals. The first reflective layers 162A and 162B and the second reflective layers 164A and 164B of FIG. 3 correspond to the first reflective layer 162 and the second reflective layer 164 of FIG. 2, respectively.

설명의 편의상, 도 2는 도 3 내지 도 7에 예시된 발광 소자(100A ~ 100E)에서 기판(110)과 발광 구조물(120)과 제1 및 제2 전극(132, 134)을 제외한 평면도를 나타낸다.For convenience of description, FIG. 2 is a plan view excluding the substrate 110, the light emitting structure 120, and the first and second electrodes 132 and 134 from the light emitting devices 100A to 100E illustrated in FIGS. 3 to 7. .

도 2 내지 도 7을 참조하면, 발광소자(100, 100A ~ 100E)는 기판(110), 버퍼층(112), 발광 구조물(120), 제1 및 제2 전극(132, 134A), 제1 및 제2 범프부(142, 144), 제1 및 제2 금속층(또는, 전극 패드)(152, 154), 반사층(162A, 162B, 164A, 164B, 166), 절연층(170A ~ 170C) 및 서브 마운트(submount)(180)를 포함한다.2 to 7, the light emitting devices 100 and 100A to 100E may include a substrate 110, a buffer layer 112, a light emitting structure 120, first and second electrodes 132 and 134A, first and second light emitting devices. Second bump portions 142 and 144, first and second metal layers (or electrode pads) 152 and 154, reflective layers 162A, 162B, 164A, 164B, and 166, insulating layers 170A to 170C, and subs Submount 180.

발광소자(100, 100A ~ 100E)는 복수의 화합물 반도체층을 이용한 LED를 포함하며, LED는 청색, 녹색, 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED, 자외선(UV:UltraViolet) LED, 심자외선 LED 또는 무분극 LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting devices 100, 100A to 100E include LEDs using a plurality of compound semiconductor layers, and LEDs include colored LEDs, ultraviolet (UltraViolet) LEDs, and deep ultraviolet LEDs that emit light such as blue, green, or red light. Or a polarized LED. The emission light of the LED may be implemented using various semiconductors, but is not limited thereto.

활성층(124)에서 방출된 광이 기판(110)을 통해 출사되도록, 기판(110)은 투광성을 가질 수 있다. 예를 들어, 투광성 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 투광성 기판(110)은 전체 질화물 반도체에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가질 수 있다.The substrate 110 may be translucent so that light emitted from the active layer 124 is emitted through the substrate 110. For example, the transparent substrate 110 may be formed of at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, but is not limited thereto. In addition, the light transmissive substrate 110 may have a mechanical strength enough to be separated into a separate chip through a scribing process and a breaking process without causing warping of the entire nitride semiconductor.

버퍼층(112)은 투광성 기판(110)과 발광 구조물(120)의 사이에 배치되어 투광성 기판(110)과 발광 구조물(120) 사이의 격자 정합을 개선시키는 역할을 한다. 예를 들어, 버퍼층(112)은 AlN을 포함하거나 언도프드(undoped) 질화물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 버퍼층(112)은 투광성 기판(110)의 종류와 발광 구조물(120)의 종류에 따라 생략될 수도 있다.The buffer layer 112 is disposed between the light transmissive substrate 110 and the light emitting structure 120 to improve the lattice matching between the light transmissive substrate 110 and the light emitting structure 120. For example, the buffer layer 112 may include AlN or undoped nitride, but is not limited thereto. The buffer layer 112 may be omitted depending on the type of the light transmissive substrate 110 and the type of the light emitting structure 120.

발광 구조물(120)은 버퍼층(112)의 하부에 배치된다. 발광 구조물(120)은 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)이 순차로 적층된 형태일 수 있다.The light emitting structure 120 is disposed under the buffer layer 112. The light emitting structure 120 may have a form in which the first conductive semiconductor layer 122, the active layer 124, and the second conductive semiconductor layer 126 are sequentially stacked.

제1 도전형 반도체층(122)은 투광성 기판(110)과 활성층(124) 사이에 배치되며, 반도체 화합물로 형성될 수 있다. Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 만일, 도 2 내지 도 7에 예시된 발광 소자(100, 100A ~ 100E)가 자외선(UV), 심자외선(Deep UV) 또는 무분극 발광 소자일 경우, 제1 도전형 반도체층(122)은 InAlGaN 및 AlGaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)이 AlGaN으로 이루어질 경우 Al의 함량은 50 %일 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 122 is disposed between the light transmissive substrate 110 and the active layer 124 and may be formed of a semiconductor compound. It may be implemented as a compound semiconductor, such as III-V group, II-VI group, and the first conductivity type dopant may be doped. For example, the first conductivity type semiconductor layer 122 has a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). The semiconductor material may be formed of any one or more of InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. When the first conductivity type semiconductor layer 122 is an n type semiconductor layer, the first conductivity type dopant may include an n type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like. The first conductivity type semiconductor layer 122 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto. If the light emitting devices 100 and 100A to 100E illustrated in FIGS. 2 to 7 are ultraviolet (UV) light, deep ultraviolet light, or non-polarization light emitting device, the first conductivity type semiconductor layer 122 may be formed of InAlGaN. And AlGaN. When the first conductivity type semiconductor layer 122 is made of AlGaN, the content of Al may be 50%.

활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조(Double Hetero Structure), 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 활성층(124)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs),/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 특히, 실시예에 의한 활성층(124)은 자외선 또는 심자외선 파장의 빛을 생성할 수 있다.The active layer 124 is disposed between the first conductivity type semiconductor layer 122 and the second conductivity type semiconductor layer 126, and has a single well structure, a multi well structure, a single quantum well structure, and a multi quantum well. A multi-quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure or a quantum line structure may be included. The active layer 124 is formed of a well layer and a barrier layer, for example, InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs), / AlGaAs, using a compound semiconductor material of a group III-V element. One or more pairs of GaP (InGaP) / AlGaP may be formed, but is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer. In particular, the active layer 124 according to the embodiment may generate light of ultraviolet or deep ultraviolet wavelengths.

제2 도전형 반도체층(126)은 활성층(124)의 하부에 배치될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 만일, 도 2 내지 도 7에 예시된 발광 소자(100, 100A ~ 100E)가 자외선(UV), 심자외선(Deep UV) 또는 무분극 발광 소자일 경우, 제2 도전형 반도체층(126)은 InAlGaN 및 AlGaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 126 may be disposed under the active layer 124. The second conductivity type semiconductor layer 126 may be formed of a semiconductor compound. The second conductive semiconductor layer 126 may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V group or a group II-VI, and may be doped with a second conductive dopant. For example, In x Al y Ga 1 -x- y N semiconductor materials having a composition formula of (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1 ) or AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP , AlGaInP may be formed of any one or more. When the second conductive semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer, the second conductive dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba. The second conductivity-type semiconductor layer 126 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto. If the light emitting devices 100, 100A to 100E illustrated in FIGS. 2 to 7 are ultraviolet (UV) light, deep ultraviolet light, or non-polarization light emitting device, the second conductivity-type semiconductor layer 126 may be formed of InAlGaN. And AlGaN.

또한, 활성층(124)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 전자 차단층(EBL:Electron Blocking Layer)(미도시)이 선택적으로 더 배치될 수도 있다. 전자 차단층은 제2 도전형 반도체층(126)보다 더 큰 에너지 밴드 갭을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 전자 차단층(EBL)이 제2 도전형 반도체층(126)보다 더 큰 에너지 밴드 갭을 가질 경우, 제1 도전형 반도체층(122)으로부터 제공되는 전자가 MQW 구조의 활성층(124)에서 재결합되지 않고 제2 도전형 반도체층(126)으로 오버플로우되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 전자 차단층은 활성층(124)의 장벽층보다 높은 함량을 갖는 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다.In addition, an electron blocking layer (EBL) (not shown) may be selectively disposed between the active layer 124 and the second conductivity-type semiconductor layer 126. The electron blocking layer may be formed of a semiconductor material having a larger energy band gap than the second conductivity type semiconductor layer 126. When the electron blocking layer EBL has a larger energy band gap than the second conductivity type semiconductor layer 126, electrons provided from the first conductivity type semiconductor layer 122 are not recombined in the active layer 124 of the MQW structure. It is possible to effectively prevent the second conductive semiconductor layer 126 from overflowing. The electron blocking layer may include aluminum (Al) having a higher content than the barrier layer of the active layer 124.

도 3을 참조하면, 제1 전극(132)은 제1 도전형 반도체층(122)과 제1 범프부(142) 사이에 배치되며, 제1 범프부(142)를 통해 서브 마운트(180)의 제1 금속층(152)에 연결된다. 제2 전극(134)은 제2 도전형 반도체층(126)과 제2 범프부(144) 사이에 배치되며, 제2 범프부(144)를 통해 서브 마운트(180)의 제2 금속층(154)에 연결된다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(122, 126)에 각각 접한 제1 및 제2 전극(132, 134) 각각은 금속으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 3, the first electrode 132 is disposed between the first conductivity type semiconductor layer 122 and the first bump part 142 and through the first bump part 142 of the sub-mount 180. It is connected to the first metal layer 152. The second electrode 134 is disposed between the second conductive semiconductor layer 126 and the second bump portion 144, and the second metal layer 154 of the submount 180 is disposed through the second bump portion 144. Is connected to. Each of the first and second electrodes 132 and 134 in contact with the first and second conductivity type semiconductor layers 122 and 126 may be formed of a metal, for example, Ag, Ni, Al, Rh, or Pd. , Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf and optional combinations thereof.

제1 및 제2 전극(132, 134) 각각은 투명 전도성 산화막(TCO:Tranparent Conductive Oxide)일 수도 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(132, 134) 각각은 전술한 금속 물질과 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다. 제1 및 제2 전극(132, 134)은 제1 및 제2 도전형 반도체층(122, 126)과 각각 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다.Each of the first and second electrodes 132 and 134 may be a transparent conductive oxide (TCO). For example, each of the first and second electrodes 132 and 134 may be formed of the above-described metal material, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), and indium aluminum zinc oxide (AZO). ), Indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, but are not limited to these materials. The first and second electrodes 132 and 134 may include a material in ohmic contact with the first and second conductive semiconductor layers 122 and 126, respectively.

또한, 제1 및 제2 전극(132, 134) 각각은 오믹 특성을 갖는 반사 전극 재료로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 만일, 제1 및 제2 전극(132, 134)이 오믹 역할을 수행할 경우, 별도의 오믹층(미도시)은 형성되지 않을 수 있다.In addition, each of the first and second electrodes 132 and 134 may be formed in a single layer or multiple layers of a reflective electrode material having ohmic characteristics. If the first and second electrodes 132 and 134 play an ohmic role, a separate ohmic layer (not shown) may not be formed.

도 2 내지 도 7에 예시된 플립 본딩(flip bonding) 구조를 갖는 발광 소자(100, 100A ~ 100E)의 제1 및 제2 전극(132, 134)은 플립 방식으로 서브 마운트(180) 상에 위치한다.The first and second electrodes 132 and 134 of the light emitting devices 100 and 100A to 100E having the flip bonding structure illustrated in FIGS. 2 to 7 are positioned on the submount 180 in a flip manner. do.

예를 들어, 서브 마운트(180)는 AlN, BN, 탄화규소(SiC), GaN, GaAs, Si 등의 반도체 기판으로 이루어질 수 있으며, 이에 국한되지 않고 열적 특성을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 서브 마운트(180)는 350 ㎛ 내지 400 ㎛의 두께를 가질 수 있다.For example, the submount 180 may be formed of a semiconductor substrate such as AlN, BN, silicon carbide (SiC), GaN, GaAs, Si, or the like, and may be formed of a semiconductor material having thermal properties. For example, the submount 180 may have a thickness of 350 μm to 400 μm.

만일, 서브 마운트(180)가 Si으로 이루어지는 경우, 도 2 내지 도 7에 예시된 바와 같이 제1 및 제2 금속층(152, 154) 중 적어도 하나와 서브 마운트(180) 사이에 절연층(170A ~ 170C)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 절연층(170A ~ 170C)은 SiO2와 같은 절연 물질로 이루어질 수 있다.If the sub-mount 180 is made of Si, the insulating layer 170A ˜ between at least one of the first and second metal layers 152 and 154 and the sub-mount 180, as illustrated in FIGS. 2 to 7. 170C) may be further disposed. Here, the insulating layers 170A to 170C may be made of an insulating material such as SiO 2 .

예를 들어, 도 3을 참조하면, 제2 금속층(154)와 서브 마운트(180) 사이에 절연층(170A)이 배치되고, 제1 금속층(152)과 서브 마운트(180)는 직접 콘텍할 수 있다. 또는, 도 4를 참조하면, 제1 금속층(154)와 서브 마운트(180) 사이에 절연층(170B)이 배치되고, 제2 금속층(154)과 서브 마운트(180)는 직접 콘텍할 수 있다. 이와 같이, 제1 및 제2 금속층(152, 154) 중 하나는 서브 마운트(180)와 직접 콘텍할 수 있다. 이와 같이, 서브 마운트(180)와 제1 또는 제2 금속층(152, 154)이 직접 콘텍될 경우 발광 구조물(120)로부터 제1 또는 제2 범프부(142, 144)를 통하여 제1 또는 제2 금속층(152, 154)로 전달된 열이 직접 콘텍된 부분을 통해 우수하게 방출될 수 있다.For example, referring to FIG. 3, an insulating layer 170A is disposed between the second metal layer 154 and the submount 180, and the first metal layer 152 and the submount 180 may be directly contacted. have. Alternatively, referring to FIG. 4, the insulating layer 170B may be disposed between the first metal layer 154 and the sub mount 180, and the second metal layer 154 and the sub mount 180 may be directly contacted. As such, one of the first and second metal layers 152 and 154 may directly contact the submount 180. As such, when the sub-mount 180 and the first or second metal layers 152 and 154 are directly contacted, the first or second bumps 142 and 144 are moved from the light emitting structure 120 through the first or second bumps 142 and 144. The heat transferred to the metal layers 152, 154 can be well released through the directly contacted portions.

또는, 도 5 내지 도 7에 예시된 바와 같이, 제1 금속층(152)과 서브 마운트(180)의 사이 및 제2 금속층(154)과 서브 마운트(180)의 사이에 절연층(170C)이 배치될 수도 있다.Alternatively, as illustrated in FIGS. 5 to 7, an insulating layer 170C is disposed between the first metal layer 152 and the submount 180 and between the second metal layer 154 and the submount 180. May be

제1 및 제2 금속층(132, 134)은 서브 마운트(180) 위에 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 제1 및 제2 금속층(132, 134) 각각은 금속성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 금속층(132, 134) 각각은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 또는 Hf 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적인 조합을 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 및 제2 금속층(132, 134) 각각은 금속 또는 합금과 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 구체적으로는, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni, Ag/Cu, Ag/Pd/Cu 등으로 적층될 수 있다.The first and second metal layers 132 and 134 are spaced apart from each other in the horizontal direction on the submount 180. Each of the first and second metal layers 132 and 134 may include a metallic material. For example, each of the first and second metal layers 132, 134 may comprise at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, or Hf or an optional combination thereof. It may be formed of a metal or alloy containing. Alternatively, each of the first and second metal layers 132 and 134 may be formed in a multilayer using a metal or an alloy and a light-transmitting conductive material such as ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, or ATO. As an example, it may be laminated with IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni, Ag / Cu, Ag / Pd / Cu and the like.

한편, 제1 범프부(142)는 제1 금속층(132)과 제1 도전형 반도체층(122)을 전기적으로 연결하며, 제2 범프부(144)는 제2 금속층(134)과 제2 도전형 반도체층(126)을 전기적으로 연결한다.Meanwhile, the first bump part 142 electrically connects the first metal layer 132 and the first conductive semiconductor layer 122, and the second bump part 144 connects the second metal layer 134 and the second conductivity. The semiconductor layer 126 is electrically connected.

비록 도시되지는 않았지만, 제1 전극(132)와 제1 범프부(142) 사이에 제1 상부 범프 금속층(미도시)이 더 배치되고, 제1 금속층(152)과 제1 범프부(142) 사이에 제1 하부 범프 금속층(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 제1 상부 범프 금속층과 제1 하부 범프 금속층은 제1 범프부(142)가 위치할 자리를 표시하는 역할을 수행한다. 이와 비슷하게 제2 전극(134)과 제2 범프부(144) 사이에 제2 상부 범프 금속층(미도시)이 더 배치되고, 제2 금속층(154)와 제2 범프부(144) 사이에 제2 하부 범프 금속층(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 제2 상부 범프 금속층과 제2 하부 범프 금속층은 제2 범프부(144)가 위치할 자리를 표시하는 역할을 수행한다.Although not shown, a first upper bump metal layer (not shown) is further disposed between the first electrode 132 and the first bump part 142, and the first metal layer 152 and the first bump part 142 are disposed. A first lower bump metal layer (not shown) may be further disposed therebetween. Here, the first upper bump metal layer and the first lower bump metal layer serve to indicate a position where the first bump part 142 is to be located. Similarly, a second upper bump metal layer (not shown) is further disposed between the second electrode 134 and the second bump portion 144, and a second gap is disposed between the second metal layer 154 and the second bump portion 144. A lower bump metal layer (not shown) may be further disposed. Here, the second upper bump metal layer and the second lower bump metal layer serve to indicate a position where the second bump part 144 is to be located.

실시예에 의하면, 도 3 내지 도 7에 예시된 발광 소자(100, 100A ~ 100E)는 제1 금속층(152) 위에 배치된 제1 반사층(162A) 및 제2 금속층(154) 위에 배치된 제2 반사층(164A)을 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이 기존의 발광 소자의 경우, 활성층(24)으로부터 방출된 광(74)은 제1 및 제2 패드(52, 54)에서 반사되지 않고 흡수될 수 있다. 반면에, 본 실시예에 의하면, 활성층(124)으로부터 방출된 광(74, 76)은 제1 및 제2 금속층(152, 154)에서 흡수되기 이전에 제1 및 제2 반사층(162A, 164A, 162B, 164B)에 의해 반사될 수 있다. 따라서, 발광 효율이 개선될 수 있다.According to an embodiment, the light emitting devices 100, 100A to 100E illustrated in FIGS. 3 to 7 may include a first reflective layer 162A and a second metal layer 154 disposed on the first metal layer 152. The reflective layer 164A may be included. As shown in FIG. 1, in the conventional light emitting device, light 74 emitted from the active layer 24 may be absorbed without being reflected by the first and second pads 52 and 54. On the other hand, according to the present embodiment, the light 74, 76 emitted from the active layer 124 is absorbed by the first and second reflective layers 162A, 164A, before being absorbed by the first and second metal layers 152, 154. 162B, 164B). Therefore, luminous efficiency can be improved.

또한, 도 3에 도시된 바와 달리 제2 반사층(164A)이 절연층(170A)과 서브 마운트(180) 사이에 배치되거나, 도 4에 도시된 바와 달리 제1 반사층(162A)이 절연층(170B)과 서브 마운트(180) 사이에 배치될 경우, 활성층(124)에서 방출된 광은 절연층(170A, 170B)에서 흡수될 수 있다. 그러나, 도 3 및 도 4에 예시된 바와 같이 제1 및 제2 반사층(162A, 164A)이 제1 및 제1 금속층(152, 154)의 상부에 배치되기 때문에, 절연층(170A, 170B)에서 광이 흡수되기 이전에 반사될 수 있을 뿐만 아니라 반사 면적도 더욱 넓어지므로 발광 효율이 더욱 개선될 수 있다.In addition, unlike FIG. 3, the second reflective layer 164A is disposed between the insulating layer 170A and the sub-mount 180, or unlike FIG. 4, the first reflective layer 162A is the insulating layer 170B. ) And the light emitted from the active layer 124 may be absorbed by the insulating layers 170A and 170B. However, since the first and second reflective layers 162A and 164A are disposed on the first and first metal layers 152 and 154 as illustrated in FIGS. 3 and 4, the insulating layers 170A and 170B may be formed. Not only can light be reflected before it is absorbed, but also the reflecting area becomes wider, so that the luminous efficiency can be further improved.

또한, 도 6 및 도 7에 예시된 바와 같이 발광 소자(100D, 100E)는 절연층(170C)과 서브 마운트(180) 사이에 배치된 제3 반사층(166)을 더 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 발광 소자의 경우, 활성층(24)으로부터 방출된 광(70, 72)은 서브 마운트(180)의 반사율이 낮기 때문에 서브 마운트(180)에 흡수될 수 있다. 반면에, 본 실시예에 의하면, 도 6 및 도 7에 예시된 바와 같이 활성층(124)에서 방출된 광은 서브 마운트(180)에서 흡수되기 이전에 제3 반사층(166)에 의해 반사될 수 있다. 따라서, 발광 효율이 더욱 개선될 수 있다. 게다가, 제3 반사층(166)이 배치됨으로 인해, 제1 및 제2 범프부(142, 144)를 경유하여 발광 구조물(120)로부터 제1 및 제2 금속층(152, 154)로 전달된 열이 보다 많이 외부로 방출될 수 있다.6 and 7, the light emitting devices 100D and 100E may further include a third reflective layer 166 disposed between the insulating layer 170C and the sub-mount 180. In the light emitting device illustrated in FIG. 1, the light 70 and 72 emitted from the active layer 24 may be absorbed by the submount 180 because the reflectance of the submount 180 is low. In contrast, according to the present exemplary embodiment, light emitted from the active layer 124 as illustrated in FIGS. 6 and 7 may be reflected by the third reflective layer 166 before being absorbed by the submount 180. . Therefore, luminous efficiency can be further improved. In addition, since the third reflective layer 166 is disposed, heat transferred from the light emitting structure 120 to the first and second metal layers 152 and 154 via the first and second bump portions 142 and 144 may be transferred. More can be released to the outside.

또한, 도 7에 예시된 바와 같이, 제1 반사층(162B)은 제1 금속층(152) 위로부터 제1 범프부(142)의 측부로 연장되어 배치되고, 제2 반사층(164B)은 제2 금속층(154) 위로부터 제2 범프부(144)의 측부로 연장되어 배치될 수도 있다. 게다가, 비록 도시되지는 않았지만, 도 3 내지 도 6에 예시된 제1 반사층(162A)은 도 7에 예시된 바와 같이 제1 금속층(152) 위로부터 제1 범프부(142)의 측부로 연장되어 배치될 수 있고, 제2 반사층(164A)은 제2 금속층(154) 위로부터 제2 범프부(144)의 측부로 연장되어 배치될 수 있다. 도 1에 도시된 기존의 발광 소자에서, 활성층(24)에서 방출된 광(78)은 범프(42)에 흡수될 수 있다. 반면에, 실시예에 의하면, 도 6 또는 도 7에 예시된 바와 같이 제1 및 제2 범프부(142, 144)의 측부까지 제1 및 제2 반사층(162B, 164B)이 연장되어 배치되므로, 활성층(124)에서 방출된 광이 제1 및 제2 범프부(142, 144)에서 흡수되지 않고 제1 및 제2 반사층(162B, 164B)에 의해 반사될 수 있다. 따라서, 발광 효율이 더욱 개선될 수 있다.In addition, as illustrated in FIG. 7, the first reflective layer 162B extends from the first metal layer 152 to the side of the first bump part 142, and the second reflective layer 164B is disposed in the second metal layer. 154 may extend from the side to the side of the second bump portion 144. In addition, although not shown, the first reflective layer 162A illustrated in FIGS. 3 to 6 extends from above the first metal layer 152 to the side of the first bump portion 142 as illustrated in FIG. 7. The second reflective layer 164A may extend from the second metal layer 154 to the side of the second bump part 144. In the conventional light emitting device shown in FIG. 1, light 78 emitted from the active layer 24 may be absorbed by the bumps 42. On the other hand, according to the embodiment, as illustrated in FIG. 6 or 7, since the first and second reflective layers 162B and 164B are extended to the sides of the first and second bump portions 142 and 144, Light emitted from the active layer 124 may be reflected by the first and second reflective layers 162B and 164B without being absorbed by the first and second bumps 142 and 144. Therefore, luminous efficiency can be further improved.

도 7을 참조하면, 제1 범프부(142)의 측부에 배치된 제1 반사층(162B)의 두께(T1)와 제1 금속층(152) 위에 배치된 제1 반사층(162B)의 두께(T2)는 서로 다를 수도 있고 동일할 수도 있다. 또한, 제2 범프부(144)의 측부에 배치된 제2 반사층(164B)의 두께(T1)와 제2 금속층(154) 위에 배치된 제2 반사층(164B)의 두께(T2)는 서로 다를 수도 있고 동일할 수도 있다. 두께(T1, T2)는 100 ㎚ 내지 3 ㎛일 수 있다.Referring to FIG. 7, the thickness T1 of the first reflective layer 162B disposed on the side of the first bump part 142 and the thickness T2 of the first reflective layer 162B disposed on the first metal layer 152. May be different or the same. In addition, the thickness T1 of the second reflective layer 164B disposed on the side of the second bump part 144 may be different from the thickness T2 of the second reflective layer 164B disposed on the second metal layer 154. May be the same. Thicknesses T1 and T2 may be between 100 nm and 3 μm.

전술한 제1 내지 제3 반사층(162A, 162B, 164A, 164B, 166) 각각은 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 백금(Pt), 금(Au), 하프늄(Hf) 및 이들 중 둘 이상의 합금으로 구성된 물질 중에서 한 층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다.Each of the first to third reflective layers 162A, 162B, 164A, 164B, and 166 described above includes silver (Ag), nickel (Ni), aluminum (Al), rhodium (Rh), palladium (Pd), and iridium (Ir). , Ruthenium (Ru), magnesium (Mg), zinc (Zn), platinum (Pt), gold (Au), hafnium (Hf) and may be formed of one or a plurality of layers of a material composed of two or more alloys thereof. have.

도 2를 참조하면, 발광 소자(100, 100A ~ 100E)가 제1 및 제2 반사층(162, 164)을 포함할 경우 제1 및 제2 반사층(162, 164)의 평면의 면적은 서브 마운트(180)의 평면의 전체 면적 대비 30 % 내지 90 %가 될 수 있다.Referring to FIG. 2, when the light emitting devices 100, 100A to 100E include the first and second reflective layers 162 and 164, an area of a plane of the first and second reflective layers 162 and 164 may be submounted. 180) to 30% to 90% of the total area of the plane.

도 8은 제1 및 제2 반사층(162, 164)이 서브 마운트(180) 상에서 차지하는 면적에 따라 달라지는 반사도를 나타내는 그래프이다.FIG. 8 is a graph showing reflectivity depending on an area occupied by the first and second reflective layers 162 and 164 on the submount 180.

도 8에서, ■는 제1 및 제2 반사층(162, 164)의 평면의 면적이 서브 마운트(180)의 평면의 전체 면적 대비 30%인 경우를 나타내고, ▲는 제1 및 제2 반사층(162, 164)의 평면의 면적이 서브 마운트(180)의 평면의 전체 면적 대비 50%인 경우를 나타내고, ◆는 제1 및 제2 반사층(162, 164)의 평면의 면적이 서브 마운트(180)의 평면의 전체 면적 대비 70%인 경우를 나타낸다.In Fig. 8, denotes a case where the area of the planes of the first and second reflective layers 162 and 164 is 30% of the total area of the plane of the submount 180, and the symbol ▲ denotes the first and second reflective layers 162. , 164 indicates that the area of the plane of the sub-mount 180 is 50% of the total area of the plane of the sub-mount 180, and ◆ indicates that the area of the plane of the first and second reflective layers 162 and 164 is smaller than that of the sub-mount 180. The case is 70% of the total area of the plane.

도 8을 참조하면, 서브 마운트(180)의 평면의 전체 면적 대비 제1 및 제2 반사층(162, 164)의 평면의 면적이 증가할수록 반사도가 증가함을 알 수 있다.Referring to FIG. 8, it can be seen that the reflectivity increases as the area of the planes of the first and second reflective layers 162 and 164 increases with respect to the entire area of the plane of the submount 180.

서브 마운트(180)의 평면의 전체 면적 대비 제1 및 제2 반사층(162, 164)의 평면의 면적이 차지하는 비율에 따라 제1 및 제2 반사층(162, 164)이 없는 경우보다 개선된 평균 반사도는 다음 표 1과 같다.Improved average reflectivity compared to the absence of the first and second reflective layers 162 and 164 according to the ratio of the area of the first and second reflective layers 162 and 164 to the total area of the flat surface of the submount 180. Is shown in Table 1 below.

제1 및 제2 반사층이 차지하는 비율(%)% Of first and second reflective layers 개선된 평균 반사도(%)Improved Average Reflectance (%) 3030 2.82.8 5050 4.14.1 7070 7.17.1

표 1을 참조하면, 제1 및 제2 반사층(162, 164)이 배치되지 않는 경우보다 제1 및 제2 반사층(162, 164)이 배치되어 차지하는 면적이 30%일 경우, 평균 반사도는 2.8% 증가하므로 발광 효율이 개선될 수 있다.Referring to Table 1, the average reflectivity is 2.8% when the area of the first and second reflective layers 162 and 164 is disposed and occupies 30% of the case where the first and second reflective layers 162 and 164 are not disposed. As it increases, luminous efficiency can be improved.

또한, 제1 및 제2 반사층(162, 164)이 제1 및 제2 금속층(152, 154)의 하부에 배치될 경우 제1 및 제2 반사층(162, 164)이 서브 마운트(180)의 전체 면적에서 차지하는 비율은 20 % 내지 30 %에 그칠 수 있는 반면, 제1 및 제2 반사층(162, 164)이 제1 및 제2 금속층(152, 154)의 상부에 배치될 경우 제1 및 제2 반사층(162, 164)이 서브 마운트(180)에서 차지하는 비율은 70 % 이상으로 증가될 수 있다. 이 경우, 평균 반사도는 7.1% 이상 증가하므로 발광 효율이 더욱 개선될 수 있다.In addition, when the first and second reflective layers 162 and 164 are disposed below the first and second metal layers 152 and 154, the first and second reflective layers 162 and 164 may be formed in the entire sub-mount 180. The proportion of the area may be only 20% to 30%, while the first and second reflective layers 162 and 164 are disposed on the first and second metal layers 152 and 154, respectively. The proportion of the reflective layers 162 and 164 in the sub-mount 180 may be increased to 70% or more. In this case, since the average reflectivity increases by 7.1% or more, the luminous efficiency may be further improved.

이하, 도 3 내지 도 7에 예시된 발광 소자(100A ~ 100E) 중 도 3에 예시된 발광 소자(100A)의 실시예에 따른 제조 방법에 대해 다음과 같이 살펴본다. 그러나, 다른 발광 소자(100B ~ 100E)의 경우도 도 9a 내지 도 9f에 도시된 제조 방법으로 제조될 수 있음은 물론이다. 또한, 도 3에 예시된 발광 소자(100A)는 도 9a 내지 도 9f에 도시된 제조 방법에 의해 국한되지 않으며 다양한 다른 제조 방법에 의해 제조될 수도 있다.Hereinafter, a manufacturing method according to an embodiment of the light emitting device 100A illustrated in FIG. 3 among the light emitting devices 100A to 100E illustrated in FIGS. 3 to 7 will be described as follows. However, the other light emitting devices 100B to 100E may also be manufactured by the manufacturing method illustrated in FIGS. 9A to 9F. In addition, the light emitting device 100A illustrated in FIG. 3 is not limited to the manufacturing method shown in FIGS. 9A to 9F and may be manufactured by various other manufacturing methods.

도 9a 내지 도 9f는 실시예에 따른 발광소자(100A)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.9A to 9F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light emitting device 100A according to the embodiment.

도 9a를 참조하면, 기판(110) 상에 버퍼층(112)을 형성한다.Referring to FIG. 9A, a buffer layer 112 is formed on a substrate 110.

기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이때, 기판(110)과 버퍼층(112) 각각은 투광성을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 버퍼층(112)은 AlN으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 110 may be formed of at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, but is not limited thereto. In this case, each of the substrate 110 and the buffer layer 112 may be formed of a light transmitting material. The buffer layer 112 may be formed of AlN, but is not limited thereto.

이후, 계속해서 도 9a를 참조하면, 버퍼층(112) 상에 발광 구조물(120)을 성장시킨다. 발광 구조물(120)은 버퍼층(112) 상에 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 순차적으로 성장시킴으로써 형성될 수 있다. 발광 구조물(120)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Subsequently, referring to FIG. 9A, the light emitting structure 120 is grown on the buffer layer 112. The light emitting structure 120 may be formed by sequentially growing the first conductivity type semiconductor layer 122, the active layer 124, and the second conductivity type semiconductor layer 126 on the buffer layer 112. The light emitting structure 120 may include, for example, Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Chemical Vapor Deposition (CVD), Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), and molecular beam growth. It may be formed using a method such as Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), but is not limited thereto.

이후, 도 9b를 참조하면, 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 메사 식각(Mesa etching)하여, 제1 도전형 반도체층(122)을 노출시킨다.Subsequently, referring to FIG. 9B, the first conductive semiconductor layer 122, the active layer 124, and the second conductive semiconductor layer 126 are mesa-etched to form a mesa etching process. Expose

이후, 도 9c를 참조하면, 노출된 제1 도전형 반도체층(122)의 상부와 제2 도전형 반도체층(126)의 상부에 제1 및 제2 전극(132, 134)을 각각 형성한다.Subsequently, referring to FIG. 9C, first and second electrodes 132 and 134 are formed on the exposed first conductive semiconductor layer 122 and the second conductive semiconductor layer 126, respectively.

도 9a 내지 도 9c에 도시된 제조 방법은 도 3에 예시된 발광 소자(100A)의 상부 구조물(110, 112, 122, 124, 126, 132, 134)의 제조 방법을 나타내고, 도 9d 내지 도 9f에 도시된 제조 방법은 도 3에 예시된 발광 소자(100A)의 하부 구조물(142, 144, 152, 154, 162A, 164A, 170A, 180)의 제조 방법을 나타낸다.9A to 9C illustrate a method of manufacturing the upper structures 110, 112, 122, 124, 126, 132, and 134 of the light emitting device 100A illustrated in FIG. 3, and FIGS. 9D to 9F. The manufacturing method illustrated in FIG. 3 illustrates a manufacturing method of the lower structures 142, 144, 152, 154, 162A, 164A, 170A, and 180 of the light emitting device 100A illustrated in FIG. 3.

도 9d를 참조하면, 도 9a 내지 도 9c에 도시된 공정이 진행되는 동안 별개의 공정으로 서브 마운트(180) 상에 절연층(170A)을 형성한다. 만일, 서브 마운트(180)가 Si로 이루어질 경우, 제1 및 제2 금속층(152, 154)을 형성하기 이전에 서브 마운트(180)의 상부에 절연층(170A)을 형성한다. 왜냐하면, 전도성을 갖는 실리콘 서브 마운트(180) 상에서 제1 및 제2 금속층(152, 154)을 전기적으로 절연시켜야 하기 때문이다.Referring to FIG. 9D, the insulating layer 170A is formed on the submount 180 in a separate process while the processes illustrated in FIGS. 9A to 9C are performed. If the submount 180 is made of Si, an insulating layer 170A is formed on the submount 180 before forming the first and second metal layers 152 and 154. This is because the first and second metal layers 152 and 154 must be electrically insulated on the conductive silicon submount 180.

이후, 도 9e를 참조하면, 서브 마운트(180)와 절연층(170A)의 상부에 제1 및 제2 금속층(152, 154A)을 각각 형성한다.Subsequently, referring to FIG. 9E, first and second metal layers 152 and 154A are formed on the submount 180 and the insulating layer 170A, respectively.

이후, 도 9f를 참조하면, 제1 및 제2 금속층(152, 154A)의 상부에 제1 및 제2 범프부(142, 144)를 각각 형성하고, 제1 및 제2 반사층(162A, 164A)을 제1 및 제2 금속층(152, 154A) 위에 각각 형성한다.Subsequently, referring to FIG. 9F, first and second bump parts 142 and 144 are formed on the first and second metal layers 152 and 154A, respectively, and the first and second reflective layers 162A and 164A. Are formed on the first and second metal layers 152 and 154A, respectively.

이후, 기판(110)이 탑 측으로 배치되도록 회전시킨 후 도 9f에 도시된 결과물과 결합시킨다. 이때, 제1 범프부(142)에 의해 제1 전극(132)과 제1 금속층(152)이 결합되고, 제2 범프부(144)에 의해 제2 전극(134)과 제2 금속층(154)이 결합된다.Subsequently, the substrate 110 is rotated to be disposed toward the top side and then combined with the resultant shown in FIG. 9F. In this case, the first electrode 132 and the first metal layer 152 are coupled by the first bump part 142 and the second electrode 134 and the second metal layer 154 by the second bump part 144. Is combined.

도 10은 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)의 단면도이다.10 is a cross-sectional view of a light emitting device package 200 according to the embodiment.

실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 발광 소자(100A), 헤더(210), 접착부(220), 한쌍의 리드(lead)선(232, 234), 와이어(242, 244), 측벽부(250) 및 몰딩 부재(260)를 포함한다. 발광 소자(100A)는 도 3에 예시된 발광 소자로서, 동일한 참조부호를 사용하여 이에 대한 상세한 설명을 생략한다. 도 3에 예시된 발광 소자(100A) 이외에 도 4 내지 도 7에 예시된 발광 소자(100B ~ 100E) 중 어느 하나가 도 10에 예시된 바와 같이 발광 소자 패키지(200)로 구현될 수 있음은 물론이다.The light emitting device package 200 according to the embodiment includes a light emitting device 100A, a header 210, an adhesive part 220, a pair of lead wires 232 and 234, wires 242 and 244, and a side wall part ( 250 and molding member 260. The light emitting device 100A is a light emitting device illustrated in FIG. 3, and the detailed description thereof will be omitted using the same reference numerals. In addition to the light emitting device 100A illustrated in FIG. 3, any one of the light emitting devices 100B to 100E illustrated in FIGS. 4 to 7 may be implemented as the light emitting device package 200 as illustrated in FIG. 10. to be.

서브 마운트(180)는 접착부(220)에 의해 헤더(210)에 연결된다. 접착부(220)는 솔더 또는 페이스트 형태일 수 있다. 발광 소자(100A)의 제1 및 제2 금속층(152, 154)은 제1 및 제2 반사층(162A, 164A)을 경유하여 와이어(242, 244)에 의해 한쌍의 리드선(232, 234)과 각각 연결된다. 이를 위해, 반사층(162A, 164A)는 전도성을 가질 수 있다. 서로 전기적으로 분리되는 한쌍의 리드선(232, 234)을 통해 발광 소자(100A)에 전원이 제공된다.The sub mount 180 is connected to the header 210 by the adhesive part 220. The adhesive part 220 may be in the form of solder or paste. The first and second metal layers 152 and 154 of the light emitting device 100A are connected to the pair of lead wires 232 and 234 by the wires 242 and 244 via the first and second reflective layers 162A and 164A, respectively. Connected. To this end, the reflective layers 162A and 164A may have conductivity. Power is provided to the light emitting device 100A through a pair of leads 232 and 234 electrically separated from each other.

몰딩 부재(260)는 측벽부(250)에 의해 형성된 패키지(200)의 캐비티에 채워져 발광 소자(100A)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 몰딩 부재(260)는 형광체를 포함하여, 발광 소자(100A)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 260 may be filled in the cavity of the package 200 formed by the sidewall part 250 to surround and protect the light emitting device 100A. In addition, the molding member 260 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100A.

다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting device packages according to another embodiment may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, a fluorescent sheet, or the like, which is an optical member, may be disposed on a path of light emitted from the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit or as a lighting unit. For example, the lighting system may include a backlight unit, a lighting unit, an indicator device, a lamp, and a street lamp.

도 11은 실시예에 따른 조명 유닛(300)의 사시도이다. 다만, 도 11의 조명 유닛(300)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 한정되는 것은 아니다.11 is a perspective view of a lighting unit 300 according to an embodiment. However, the lighting unit 300 of FIG. 11 is an example of a lighting system, but is not limited thereto.

실시예에서 조명 유닛(300)은 케이스 몸체(310)와, 케이스 몸체(310)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(320)와, 케이스 몸체(310)에 설치된 발광 모듈부(330)를 포함할 수 있다.In an embodiment, the lighting unit 300 includes a case body 310, a connection terminal 320 installed on the case body 310 and receiving power from an external power source, and a light emitting module unit 330 installed on the case body 310. ) May be included.

케이스 몸체(310)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되며, 금속 또는 수지로 형성될 수 있다.The case body 310 is formed of a material having good heat dissipation, and may be formed of metal or resin.

발광 모듈부(330)는 기판(332)과, 기판(332)에 탑재되는 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 여기서, 발광 소자 패키지(200)는 도 10에 예시된 발광 소자일 수 있으므로 동일한 참조부호를 사용하였으며 이에 대한 상세한 설명을 생략한다.The light emitting module unit 330 may include a substrate 332 and at least one light emitting device package 200 mounted on the substrate 332. Here, since the light emitting device package 200 may be the light emitting device illustrated in FIG. 10, the same reference numeral is used, and a detailed description thereof will be omitted.

기판(332)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(metal Core) PCB, 연성(flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다.The substrate 332 may be a circuit pattern printed on an insulator, and for example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, or the like may be used. It may include.

또한, 기판(332)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.In addition, the substrate 332 may be formed of a material that reflects light efficiently, or the surface may be formed of a color that reflects light efficiently, for example, white, silver, or the like.

기판(332) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 발광 소자 패키지(200) 각각은 적어도 하나의 발광 소자(220) 예를 들면 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 여기서, 발광 소자는 도 2 내지 도 7에 예시된 발광 소자(100, 100A ~ 100E)일 수 있다.At least one light emitting device package 200 may be mounted on the substrate 332. Each of the light emitting device packages 200 may include at least one light emitting device 220, for example, a light emitting diode (LED). The light emitting diodes may include colored light emitting diodes emitting red, green, blue or white colored light, and UV light emitting diodes emitting ultraviolet (UV) light. Here, the light emitting device may be the light emitting devices 100 and 100A to 100E illustrated in FIGS. 2 to 7.

발광 모듈부(330)는 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자 패키지(200)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module unit 330 may be disposed to have a combination of various light emitting device packages 200 to obtain color and luminance. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be combined to secure high color rendering (CRI).

연결 단자(320)는 발광 모듈부(330)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 실시예에서 연결 단자(320)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 연결 단자(320)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있다.The connection terminal 320 may be electrically connected to the light emitting module unit 330 to supply power. In an embodiment, the connection terminal 320 is inserted into and coupled to an external power source in a socket manner, but is not limited thereto. For example, the connection terminal 320 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source, or may be connected to the external power source by a wire.

도 12는 실시예에 따른 백라이트 유닛(400)의 분해 사시도이다. 다만, 도 12의 백라이트 유닛(400)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.12 is an exploded perspective view of the backlight unit 400 according to the embodiment. However, the backlight unit 400 of FIG. 12 is an example of an illumination system, but is not limited thereto.

실시예에 따른 백라이트 유닛(400)은 도광판(410)과, 도광판(410) 아래의 반사 부재(420)와, 바텀 커버(430)와, 도광판(410)에 빛을 제공하는 발광 모듈부(440)를 포함한다. 바텀 커버(430)는 도광판(410), 반사 부재(420) 및 발광모듈부(440)를 수납한다.The backlight unit 400 according to the embodiment may include a light guide plate 410, a light reflecting member 420 under the light guide plate 410, a bottom cover 430, and a light emitting module unit 440 that provides light to the light guide plate 410. ). The bottom cover 430 accommodates the light guide plate 410, the reflective member 420, and the light emitting module unit 440.

도광판(410)은 빛을 확산시켜 면 광원화시키는 역할을 한다. 도광판(410)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl methacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.The light guide plate 410 diffuses light to serve as a surface light source. The light guide plate 410 is made of a transparent material, for example, acrylic resin-based, such as polymethyl methacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate (PEN) resin. It may include one of the.

발광 모듈부(440)는 도광판(410)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 백라이트 유닛이 설치되는 디스플레이 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module unit 440 provides light to at least one side of the light guide plate 410, and ultimately serves as a light source of the display device in which the backlight unit is installed.

발광 모듈부(440)는 도광판(410)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 구체적으로, 발광 모듈부(440)는 기판(442)과, 기판(442)에 탑재된 다수의 발광 소자 패키지(200)를 포함한다. 여기서, 발광 소자 패키지(200)는 도 10에 예시된 발광 소자일 수 있으므로 동일한 참조부호를 사용하였으며 이에 대한 상세한 설명을 생략한다. 기판(442)은 도광판(410)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The light emitting module unit 440 may be in contact with the light guide plate 410, but is not limited thereto. In detail, the light emitting module unit 440 includes a substrate 442 and a plurality of light emitting device packages 200 mounted on the substrate 442. Here, since the light emitting device package 200 may be the light emitting device illustrated in FIG. 10, the same reference numeral is used, and a detailed description thereof will be omitted. The substrate 442 may be in contact with the light guide plate 410, but is not limited thereto.

기판(442)은 회로 패턴(미도시)을 포함하는 PCB일 수 있다. 다만, 기판(442)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성(flexible) PCB 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 442 may be a PCB including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 442 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB, and the like, but is not limited thereto.

그리고, 다수의 발광 소자 패키지(200)는 기판(442) 상에 빛이 방출되는 발광면이 도광판(410)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있다.The plurality of light emitting device packages 200 may be mounted on the substrate 442 such that a light emitting surface on which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 410 by a predetermined distance.

도광판(410) 아래에는 반사 부재(420)가 형성될 수 있다. 반사 부재(420)는 도광판(410)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 백라이트 유닛의 휘도를 향상시킬 수 있다. 반사 부재(420)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 420 may be formed under the light guide plate 410. The reflective member 420 may improve brightness of the backlight unit by reflecting light incident to the bottom surface of the light guide plate 410 upward. The reflective member 420 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto.

바텀 커버(430)는 도광판(410), 발광 모듈부(440) 및 반사 부재(420) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 바텀 커버(430)는 상면이 개구된 박스(box) 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 430 may accommodate the light guide plate 410, the light emitting module 440, the reflective member 420, and the like. To this end, the bottom cover 430 may be formed in a box shape having an upper surface opened, but is not limited thereto.

바텀 커버(430)는 금속 또는 수지로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다.The bottom cover 430 may be formed of metal or resin, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although described above with reference to the embodiments are only examples and are not intended to limit the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains are not exemplified above within the scope not departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that many variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E: 발광 소자
110: 기판 120: 발광 구조물
132, 134: 전극 142, 144: 범프부
152, 154: 금속층 162, 162A, 162B, 164A, 164B: 반사층
170A, 170B, 170C: 절연층 서브 마운트: 180
200: 발광 소자 패키지 210: 헤더
220: 접착부 232, 234: 리드 프레임
242, 244: 와이어 250: 측벽부
260: 몰딩 부재 300: 조명 유닛
310: 케이스 몸체 320: 연결 단자
330, 440: 발광 모듈부 400: 백 라이트 유닛
410: 도광판 420: 반사 부재
430: 바텀 커버100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E: light emitting element
110 substrate 120 light emitting structure
132 and 134 electrodes 142 and 144 bump portions
152, 154: metal layers 162, 162A, 162B, 164A, and 164B: reflective layers
170A, 170B, 170C: Insulation layer submount: 180
200: light emitting device package 210: header
220: bonding portion 232, 234: lead frame
242 and 244: wire 250: side wall portion
260: molding member 300: lighting unit
310: case body 320: connection terminal
330 and 440: light emitting module 400: backlight unit
410: Light guide plate 420: Reflective member
430 bottom cover

Claims (10)

투광성 기판;
상기 투광성 기판 아래에 배치된 제1 도전형 반도체층과 활성층과 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
서브 마운트;
상기 서브 마운트 위에 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 금속층;
상기 제1 및 제2 금속층과 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층을 각각 전기적으로 연결하는 제1 및 제2 범프부; 및
상기 제1 및 제2 금속층 위에 각각 배치된 제1 및 제2 반사층을 포함하고,
상기 제1 범프부는, 상기 제1 반사층의 상면과 하면을 관통하여 상기 제1 금속층과 직접 접촉하고,
상기 제2 범프부는, 상기 제2 반사층의 상면과 하면을 관통하여 상기 제2 금속층과 직접 접촉하고,
상기 제1 및 제2 범프부 각각의 수평 방향의 폭은, 상기 제1 및 제2 반사층 각각의 수평 방향의 폭보다 작은 발광 소자.Translucent substrate;
A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer disposed under the light transmissive substrate;
Submount;
First and second metal layers spaced apart from each other in a horizontal direction on the sub-mount;
First and second bump portions electrically connecting the first and second metal layers and the first and second conductive semiconductor layers, respectively; And
First and second reflective layers disposed on the first and second metal layers, respectively;
The first bump part is in direct contact with the first metal layer through the upper and lower surfaces of the first reflective layer,
The second bump part is in direct contact with the second metal layer through the upper and lower surfaces of the second reflective layer,
The width of each of the first and second bump portions in the horizontal direction is smaller than the width of the horizontal direction of each of the first and second reflective layers. 제1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속층 중 적어도 하나와 상기 서브 마운트 사이에 배치된 절연층을 더 포함하는 발광 소자.The light emitting device of claim 1, further comprising an insulating layer disposed between at least one of the first and second metal layers and the sub-mount. 제2 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속층 중 하나는 상기 서브 마운트와 직접 콘텍하는 발광 소자.The light emitting device of claim 2, wherein one of the first and second metal layers is in direct contact with the submount. 제2 항에 있어서, 상기 절연층과 상기 서브 마운트 사이에 배치된 제3 반사층을 더 포함하는 발광 소자.The light emitting device of claim 2, further comprising a third reflective layer disposed between the insulating layer and the sub-mount. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 반사층은 상기 제1 금속층 위로부터 상기 제1 범프부의 측부로 연장되어 배치되고,
상기 제2 반사층은 상기 제2 금속층 위로부터 상기 제2 범프부의 측부로 연장되어 배치된 발광 소자.The method according to any one of claims 1 to 4, wherein the first reflective layer is disposed extending from the side of the first bump portion from the first metal layer,
And the second reflective layer extends from the second metal layer to the side of the second bump part. 삭제delete 삭제delete 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 서브 마운트의 평면의 전체 면적 대비 상기 제1 및 제2 반사층의 평면의 면적은 50% 이상인 발광 소자.The light emitting device according to any one of claims 1 to 4, wherein an area of a plane of the first and second reflective layers is 50% or more relative to an entire area of a plane of the submount. 제1 항에 있어서,
상기 제1 범프부의 측부는 적어도 일부가 노출되고,
상기 제2 범프부의 측부는 적어도 일부가 노출되는 발광 소자.According to claim 1,
At least a portion of the side of the first bump portion is exposed,
The light emitting device of which the side portion of the second bump part is at least partially exposed. 삭제delete
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