KR20140039608A - 3차원 나노플라즈모닉 구조체 및 이의 제조방법 - Google Patents

3차원 나노플라즈모닉 구조체 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

3차원 나노플라즈모닉 구조체는 기판; 상기 기판 상에 형성된 다수의 나노 로드; 상기 기판과 상기 다수의 나노 로드 표면에 형성된 다수의 금속 나노 입자;를 포함하며, 이의 제조방법은 기판 상에 다수의 나노 로드를 성장시키는 단계; 상기 다수의 나노 로드의 표면에 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층을 열처리하여 입자화하는 디웨팅(dewetting) 단계를 포함한다.

Description

3차원 나노플라즈모닉 구조체 및 이의 제조방법{3-dimensional nanoplasmonic structure and method of manufacturing the same}
본 발명은 3차원 나노플라즈모닉 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 삼성전자가 교육과학기술부의 국가연구개발사업인 '글로벌 프론티어 연구개발 사업'의 '나노기반 소프트 일렉트로닉스 연구'의 일환으로 수행한 결과로부터 도출된 것이다:
과제고유번호: 2011-0031659
부처명: 교육과학기술부
연구사업명: 글로벌 프론티어 연구개발 사업
연구과제명: 나노기반 소프트 일렉트로닉스 연구
주관기관: 삼성전자
연구기간: 2011년 9월 29일 ~ 2012년 8월 31일.
플라즈모닉(Plasnmonic) 효과는 외부의 빛에 의해 금속 내의 자유전자가 집단적으로 진동하는 현상으로 금속에서 나타나는 광-전자효과로, 이러한 효과는 특정 파장의 입사광에서 대부분의 광 에너지가 자유전자로 전이되는 공명 현상에 의한 것이다.
이러한 공명 현상은 음의 유전 상수를 가지는 전도성이 높은 금속과 양의 유전 상수를 가지는 일반적인 절연체 재료 사이에 발생하며, 입사광의 주파수가 금속의 표면 플라즈몬(surface plasmon) 고유 진동의 주파수와 일치할 때, 입사광의 대부분이 흡수된다.
나노 사이즈의 금속 입자의 경우 가시광선 내지 근적외선 대역 빛의 전기장과 플라즈몬이 짝지어지면서 광흡수가 일어나 선명한 색을 띠게 된다.
이러한 현상을 표면 플라스몬 공명(surface plasmon resonance)이라고 하며, 국소적으로 매우 증가된 전기장을 발생시키며 이것은 빛 에너지가 표면 플라즈몬에 의해 변환되어 금속의 나노 입자 표면에 축적되었음을 의미하며, 또한, 빛의 회절 한계보다 작은 영역에서 광 제어가 가능함을 의미한다.
금속 나노 입자는 표면 플라즈몬 공명 현상 등, 전자기파와의 강하고 특징적인 상호 작용을 하며, 이에 의해 광흡수 대역의 증폭과 제어가 가능하므로, 형광 분광학, 다양한 종류의 센서, 광전자소자 등, 다양한 분야로의 적용이 예상된다.
본 개시는 3차원 나노플라즈모닉 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일 유형에 따르는 3차원 나노플라즈모닉 구조체는 기판; 상기 기판 상에 형성된 다수의 나노 로드; 상기 기판과 상기 다수의 나노 로드 표면에 형성된 다수의 금속 나노 입자;를 포함한다.
상기 다수의 나노로드는 산화물 반도체 물질, 금속 산화물, 절연 물질 또는 카본 나노 튜브로 이루어질 수 있다.
상기 다수의 금속 나노 입자는 금, 은, 루세늄, 구리 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 다수의 금속 나노 입자는 두 종류 이상의 크기 분포를 가질 수 있다.
상기 기판은 직물 구조체 기판일 수 있고, 예를 들어, 직물 섬유(textile fiber)와, 상기 직물 섬유의 표면에 코팅된 도전층을 포함할 수 있다.
상기 기판은 카본 소재 직물 구조체 또는 무기물 직물 구조체를 포함할 수 있다.
또한, 일 유형에 따르는 광전자소자는 상술한 어느 하나의 3차원 나노플라즈모닉 구조체를 구비한다.
또한, 일 유형에 따르는 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 다수의 나노 로드를 성장시키는 단계; 상기 다수의 나노 로드의 표면에 금속 박막을 형성하는 단계; 상기 금속층을 열처리하여 입자화하는 디웨팅(dewetting) 단계;를 포함한다.
상기 다수의 나노 로드는 산화물 반도체 물질, 금속 산화물, 절연 물질 또는 카본 나노 튜브로 이루어질 수 있다.
상기 다수의 나노 로드를 성장시키는 단계는 CVD 공정 또는 hydrothermal 공정을 사용할 수 있다.
상기 금속 박막은 금, 은, 루세늄, 구리 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 다수의 나노 로드의 표면에 금속층을 형성하는 단계는 전자빔(e-beam) 증착법, 열(thermal) 증착, 단원자층 증착법(ALD) 또는 스퍼터링(sputtering) 법을 사용할 수 있다.
상기 다수의 나노 로드의 표면에 금속층을 형성하는 단계는 상기 금속 박막의 두께를 10nm 이상 100nm 이하로 형성할 수 있다.
상기 디웨팅 단계에서 디웨팅 온도는 350℃ 이상 700℃ 이하로 할 수 있다.
상기 디웨팅 단계에서 디웨팅 시간은 1시간 이상 5시간 이내로 할 수 있다
상기 기판은 직물 구조체 기판일 수 있고, 예를 들어, 직물 섬유(textile fiber)와, 상기 직물 섬유의 표면에 코팅된 도전층을 포함할 수 있다.
상기 기판은 카본 소재 직물 구조체 또는 무기물 직물 구조체를 포함할 수 있다.
또한, 일 유형에 따른 표면 플라즈몬 공진 주파수 조절방법은 표면 플라즈몬 공진 구조체를 형성하는 단계; 상기 표면 플라즈몬 공진 구조체에 포함된 금속 물질에 대해 디웨팅(dewetting) 공정을 수행하는 단계;를 포함한다.
상기 표면 플라즈몬 공진 구조체는 다수의 나노로드와 상기 다수의 나노로드의 표면에 형성된 금속층을 포함한다.
상기 금속층의 두께는 10nm 이상 100nm 이하일 수 있다.
상기 디웨팅 공정은 디웨팅 온도를 350℃이상 700℃ 이하로 할 수 있다.
상기 디웨팅 공정은 디웨팅 시간을 1시간 이상에서 5시간 이내로 할 수 있다.
상술한 3차원 나노플라즈모닉 구조체는 플라즈모닉 효과에 의해 높은 광흡수율을 나타내며, 3차원 구조에 의해 확대될 활성 영역을 갖는다.
상술한 3차원 나노플라즈모닉 구조체는 광 바이오센서, 발광소자, 태양전지나 2차전지등의 에너지 저장장치 등 다양한 광전자소자에 적용될 수 있다.
상술한 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법은 디웨팅 공정을 사용하여 다수의 금속 나노 입자를 형성할 수 있으며, 또한, 광흡수 스펙트럼의 피크 파장 대역의 이동을 조절할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 3차원 나노플라즈모닉 구조체의 개략적인 구조를 보인 사시도이다.
도 2는 실시예에 따른 3차원 나노플라즈모닉 구조체의 제조방법에 사용되는 디웨팅 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 내지 도 3e는 실시예에 따른 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법을 설명하는 도면들이다.
도 4a 및 도 4b는 실시예에 따른 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법에 따라 제조된 다수의 나노로드 및 이에 형성된 다수의 금속 나노 입자를 보인 현미경 사진들이다.
도 5a 및 도 5b는 실시예에 따른 3차원 나노플라즈모닉 구조체의 제조방법의 공정 조건에 따라 다르게 형성된 금속 나노 입자의 크기 분포도이다.
도 6a 및 도 6b는 실시예에 따른 3차원 나노플라즈모닉 구조체의 제조방법의 공정 조건에 따라 다르게 형성된 열처리 전후의 흡수 스펙트럼을 보인 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 3차원 나노플라즈모닉 구조체, 이의 제조방법 및 3차원 나노플라즈모닉 구조체를 포함하는 광전자소자에 대해 상세히 설명하기로 한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다. 한편, 이하에서 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. 이하에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 3차원 나노플라즈모닉 구조체(100)의 개략적인 구조를 보인 사시도이다.
3차원 나노플라즈모닉 구조체(100)는 기판(110), 기판(110) 상에 형성된 다수의 나노 로드(130), 기판(110)과 다수의 나노 로드(130) 표면에 형성된 다수의 금속 나노 입자(150)를 포함한다.
기판(110)으로는 나노 로드(130)의 형성이 가능한 다양한 재질의 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 반도체 기판으로, Si, Ge, GaAs, GaN 기판, 유기 폴리머 또는 무기 폴리머 재질의 폴리머 기판, 석영(quartz), 유리 등의 재질의 기판이 사용될 수 있다. 또한, 비표면적이 넓고 플렉서블한 성질을 갖는 직물 구조체 기판이 사용될 수도 있다. 직물 구조체 기판은 직물 섬유(textile fiber)와, 직물 섬유의 표면에 도전층이 코팅되어 이루어질 수 있다. 또는, 카본 소재 직물 구조체 또는 무기물 직물 구조체로 이루어질 수 있다.
다수의 나노 로드(130)는 산화물 반도체 물질, 금속 산화물, 절연 물질 또는 카본 나노 튜브로 이루어질 수 있다. 예를 들어, ZnO, In2O3, Ga2O3, SnO, In-Zn Oxide(IZO), In-Tin Oxide(ITO), Ga-In-Zn Oxide(GIZO), HfInZnO, SnO2, Co3O4, Mn3O4, MnO, Fe2O3, Fe3O4, NiO, MoO3, MoO2, TiO2, CuO, Cu2O, LiFePO4, CeO2, RuO2, MnO2, Li4Ti5O12, Li3V2(PO4)3 중 어느 하나를 포함할 수 있고, 나노 와이어 형태나 나노 튜브 형태를 가질 수 있다.
다수의 금속 나노 입자(150)는 다수의 나노 로드(130)의 표면과 기판(110) 표면 상에 형성된다. 금속 나노 입자(150)는 는 금, 은, 루세늄, 구리 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 다수의 금속 나노 입자(150)의 크기는 균일하지 않고, 적어도 두 종류 이상의 크기 분포를 가질 수 있다.
이러한 구조의 3차원 나노플라즈모닉 구조체(100)는 다수의 금속 나노 입자(150)들이 다수의 나노 로드(130)의 표면을 따라 3차원적으로 분포하고 있어 2차원이나 1차원 구조에 비해 3차원 구조에 의해 확대된 활성 영역을 갖는다. 또한, 플라즈모닉 효과에 의해 높은 광흡수율을 나타내며 흡수 파장 대역의 조절이 가능하므로 바이오센서, 발광소자, 태양전지나 2차전지등의 에너지 저장장치 등 다양한 광전자소자에 적용될 수 있다.
상술한 3차원 구조를 형성함에 있어서, 본 실시예에서는 디웨팅(dewetting) 공정을 사용하고 있다.
도 2는 실시예에 따른 3차원 나노플라즈모닉 구조체의 제조방법에 사용되는 디웨팅 공정을 설명하기 위한 도면이다.
기판(110) 상에 금속 박막(ML)을 형성하고, 열처리 공정을 수행하면, 금속 박막이 입자화되어 다수의 금속 나노 입자(MNP)가 형성된다. 이를 디웨팅 공정이라고 하며, 금속 박막(ML)의 두께, 디웨팅 온도와 시간을 적절히 정하여 금속 나노 입자(MNP)의 크기 분포등을 조절 할 수 있고, 이에 따라 표면 플라즈몬 공명 주파수가 조절된다.
도 3a 내지 도 3e는 실시예에 따른 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법을 설명하는 도면들이다.
도 3a 및 도 3b는 기판(110)으로 직물 구조체 기판이 사용된 경우의 확대도 및 직물 섬유(112)에 도전층(114)이 코팅된 예시적인 구조를 보인다.
기판(110)은 유연한(flexible) 재질의 직물 섬유(textile fiber, 112)와, 직물 섬유(112)의 표면에 코팅된 도전층(114)을 포함할 수 있다. 직물 섬유(112)는 다수의 섬유 가닥들이 서로 소정 패턴으로 짜여진 2차원적 형상을 가질 수 있다. 이러한 직물 섬유(112)는 예를 들면 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에스터(polyester) 또는 폴리우레탄(polyurethane) 등과 같은 폴리머(polymer)를 포함할 수 있다.
도전층(114)은 직물 섬유(112)의 외면 전체를 덮도록 코팅될 수 있다. 여기서, 도전층(112)은 무전해 도금 또는 스퍼터링 방법 등을 통해 직물 섬유(112)의 표면에 코팅될 수 있다. 이러한 도전층(114)은 예를 들면 대략 100nm ~ 1㎛ 정도의 두께로 형성될 수 있다. 그러나, 이는 단지 예시적인 것으로 상기 도전층(114)은 이외에도 다른 다양한 두께로 형성될 수도 있다. 도전층(114)은 하나 이상의 금속층으로 이루어질 수 있다. 여기서, 금속층은 예를 들면, Ni, Cu 및 Au 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 도시된 바와 같이, 도전층(114)은 직물 섬유(112) 상에 순차적으로 코팅된 Ni층, Cu층, Ni층 및 Au층 구조로 이루어질 수 있으며, 또한, 이에 한정되는 것은 아니다.
기판(110)으로 도전성 직물 구조체 기판이 사용되는 것을 예시하였으나, 기판(110)은 이에 한정되지 않으며, 이외에도, 카본 소재 직물 구조체 또는 무기물 직물 구조체로 이루어질 수 있다. 또한, 반도체 기판으로, Si, Ge, GaAs, GaN 기판, 유기 폴리머 또는 무기 폴리머 재질의 폴리머 기판, 석영(quartz), 유리 등의 재질의 기판이 사용될 수 있다.
다음, 도 3c와 같이, 기판(110) 상에 다수의 나노 로드(130)를 형성한다. 나노 로드(130)는 산화물 반도체 물질, 금속 산화물, 절연 물질 또는 카본 나노 튜브로 이루어질 수 있다. 예를 들어, ZnO, In2O3, Ga2O3, SnO, In-Zn Oxide(IZO), In-Tin Oxide(ITO), Ga-In-Zn Oxide(GIZO), HfInZnO, SnO2, Co3O4, Mn3O4, MnO, Fe2O3, Fe3O4, NiO, MoO3, MoO2, TiO2, CuO, Cu2O, LiFePO4, CeO2, RuO2, MnO2, Li4Ti5O12, Li3V2(PO4)3 중 어느 하나를 포함할 수 있고, 나노 와이어 형태나 나노 튜브 형태를 가질 수 있다.
나노 로드(130)는 다양한 공법, 예를 들어, CVD, hydrothermal 등의 방법으로 성장될 수 있으며, 기판(110)의 종류와 나노 로드(130)의 재질에 알맞은 공법이 선택될 수 있다.
다음, 도 3d와 같이 기판(110) 표면과 나노 로드(130)의 표면을 따라 금속층(120)을 형성한다. 금속층(120)은 금, 은, 루세늄, 구리 중 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 금속층(120)의 형성을 위해 전자빔(e-beam) 증착법, 열(thermal) 증착, 단원자층 증착법(ALD) 또는 스퍼터링(sputtering) 법이 사용될 수 있다.
금속층(120)의 두께는 이로부터 형성될 금속 나노 입자의 크기 분포를 고려하여 정할 수 있으며, 대략 10nm이상, 100nm이하로 형성할 수 있다.
이와 같이 형성된 금속 나노 로드는 표면 플라즈몬 공명에 의해 특정 파장에서 흡수 스펙트럼의 피크를 나타낸다. 또한, 나노 로드의 종횡비(aspect ratio)에 따라 흡수 피크 파장 대역이 달라진다. 예를 들어, 종횡비가 커질수록 피크 파장 대역이 장파장 대역으로 이동하는 것이 알려져 있다.
한편, 본 실시예에서는 이러한 형태의 금속 나노 로드에 디웨팅 공정을 수행하여 흡수 스펙트럼의 피크 파장 대역을 이동시키고 있다.
도 3e는 디웨팅 공정 후에 다수의 나노 로드(130)의 표면에 다수의 금속 나노 입자(150)가 형성된 3차원 플라즈모닉 나노구조체(100)의 형상을 보인다.
디웨팅 온도 범위는 약 350도 이상 700도 이하로 할 수 있고, 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
디웨팅 시간은 약 1 시간 이상, 5시간 이내로 할 수 있으며, 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4a 및 도 4b는 실시예에 따른 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법에 따라 제조된 다수의 나노로드 및 이에 형성된 다수의 금속 나노 입자를 보인 현미경 사진들이다.
구체적인 공정 조건은 다음과 같다.
글라스 위의 GaN 기판에 ZnO를 에피텍셜(epitaxial) 성장한다. 구체적으로, c형 알루미늄 옥사이드(c-form aluminum oxide, c-Al2O3) 위에 4mm 두께의 GaN를 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)법으로 증착하고, 2nm 두께의 Au를 ZnO 성장을 위한 촉매로 사용하기 위해, GaN 위에 열증발기(thermal evaporator)를 이용하여 증착하였다. 다음, CVD(chemical vapour deposition)법을 이용해 이용해 880°C 에서 2시간동안 ZnO 나노 로드를 성장시킨다. 도 4a는 이 단계에서의 현미경 사진이다.
다음, ZnO 나노 로드 위에 금을 증착하고 디웨팅 공정을 수행하였다. 금 박막을 각각 10nm 두께와 20nm 두께로 하여, 열 증발기(thermal evaporator)를 이용해 앞서 성장시킨 ZnO 나노 로드상에 증착시킨 후, 650 °C에서 3시간 동안 열처리를 하였다. 이에 따라, 금 박막이 디웨팅 되어 ZnO nanorod의 상부, 하부 및 옆면에 금 나노 입자가 형성되었고, 도 4b는 이에 대한 현미경 사진이다.
도 5a 및 도 5b는 실시예에 따른 3차원 나노플라즈모닉 구조체의 제조방법에서 사용한 금 박막의 두께에 따라 다르게 형성된 금속 나노 입자의 크기 분포도이다.
도 5a는 금 박막의 두께로 10nm로 한 경우로, DAu는 금 나노 입자의 직경, NAu는 금 나노 입자의 개수를 나타낸다. 다수의 금 나노 입자의 평균 직경이 약 36nm로 나타나고 있다.
도 5b는 금 박막의 두께를 20nm로 한 경우로, 다수의 금 나노 입자의 평균 직경은 약 52nm로 나타나고 있다.
도 6a 및 도 6b는 실시예에 따른 3차원 나노플라즈모닉 구조체의 제조방법에서 사용한 금 박막의 두께에 따라 다르게 형성된 열처리 전후의 흡수 스펙트럼을 보인 그래프이다.
도 6a는 금 박막의 두께를 10nm로 한 경우이고, 도 6b는 금 박막의 두께를 20nm로 한 경우이다. 디웨팅 공정에 따라 피크 파장이 보다 짧은 파장 대역으로 이동하는 것을 볼 수 있다.
상기 실험결과로부터, 금 박막을 입자화하는 디웨팅 공정에 의해 흡수 스펙트럼의 피크 파장이 이동함을 볼 수 있다.
이러한 본원 발명인 3차원 나노플라즈모닉 구조체, 이의 제조방법 및 3차원 나노플라즈모닉 구조체를 포함하는 광전자소자는 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
100...3차원 나노플라즈모닉 구조체 110... 기판
112...직물 섬유 114...도전층
120...금속층 130...나노 로드
150...금속 나노 입자

Claims (24)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 다수의 나노 로드;
    상기 기판과 상기 다수의 나노 로드 표면에 형성된 다수의 금속 나노 입자;를 포함하는 3차원 나노플라즈모닉 구조체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 나노로드는
    산화물 반도체 물질, 금속 산화물, 절연 물질 또는 카본 나노 튜브로 이루어지는 3차원 나노플라즈모닉 구조체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 금속 나노 입자는 금, 은, 루세늄, 구리 중 어느 하나를 포함하는 3차원 나노플라즈모닉 구조체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 금속 나노 입자는 두 종류 이상의 크기 분포를 가지는 3차원 나노플라즈모닉 구조체.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 직물 구조체 기판인 3차원 나노플라즈모닉 구조체.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 직물 구조체 기판은 직물 섬유(textile fiber)와, 상기 직물 섬유의 표면에 코팅된 도전층을 포함하는 3차원 나노플라즈모닉 구조체.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 기판은 카본 소재 직물 구조체 또는 무기물 직물 구조체를 포함하는 3차원 나노플라즈모닉 구조체.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 3차원 나노플라즈모닉 구조체를 구비하는 광전자 소자.
  9. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 다수의 나노 로드를 성장시키는 단계;
    상기 다수의 나노 로드의 표면에 금속층을 형성하는 단계;
    상기 금속층을 열처리하여 입자화하는 디웨팅(dewetting) 단계;를 포함하는 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 다수의 나노 로드는 산화물 반도체 물질, 금속 산화물, 절연 물질 또는 카본 나노 튜브로 이루어지는 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 다수의 나노 로드를 성장시키는 단계는 CVD 공정 또는 hydrothermal 공정을 사용하는 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 금속층은 금, 은, 루세늄, 구리 중 어느 하나를 포함하는 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 다수의 나노 로드의 표면에 금속층을 형성하는 단계는
    전자빔(e-beam) 증착법, 열(thermal) 증착, 단원자층 증착법(ALD) 또는 스퍼터링(sputtering) 법을 사용하는 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 다수의 나노 로드의 표면에 금속층을 형성하는 단계는
    상기 금속층의 두께를 10nm 이상, 100nm 이하로 형성하는 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 디웨팅 단계에서 디웨팅 온도는 350℃ 이상 700℃ 이하로 하는 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 디웨팅 단계에서 디웨팅 시간은 1시간 이상 5시간 이내로 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법.
  17. 제9항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 직물 구조체 기판인 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 직물 구조체 기판은 직물 섬유(textile fiber)와, 상기 직물 섬유의 표면에 코팅된 도전층을 포함하는 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 기판은 카본 소재 직물 구조체 또는 무기물 직물 구조체를 포함하는 3차원 나노플라즈모닉 구조체 제조방법.
  20. 표면 플라즈몬 공진 구조체를 형성하는 단계;
    상기 표면 플라즈몬 공진 구조체에 포함된 금속 물질에 대해 디웨팅(dewetting) 공정을 수행하는 단계;를 포함하는 표면 플라즈몬 공진 주파수 조절 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 표면 플라즈몬 공진 구조체는
    다수의 나노로드와 상기 다수의 나노로드의 표면에 형성된 금속층을 포함하는 표면 플라즈몬 공진 주파수 조절 방법.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 금속층의 두께는 100nm 이하인 표면 플라즈몬 공진 주파수 조절 방법.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 디웨팅 공정은
    디웨팅 온도를 350℃이상 700℃ 이하로 하는 표면 플라즈몬 공진 주파수 조절 방법.
  24. 제20항에 있어서,
    상기 디웨팅 공정은
    디웨팅 시간을 1시간 이상 5시간 이내로 하는 표면 플라즈몬 공진 주파수 조절 방법.
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