KR20140038449A - 광전자 반도체 컴포넌트 - Google Patents

광전자 반도체 컴포넌트 Download PDF

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KR20140038449A
KR20140038449A KR1020137032479A KR20137032479A KR20140038449A KR 20140038449 A KR20140038449 A KR 20140038449A KR 1020137032479 A KR1020137032479 A KR 1020137032479A KR 20137032479 A KR20137032479 A KR 20137032479A KR 20140038449 A KR20140038449 A KR 20140038449A
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오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
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Abstract

본 발명은 광전자 반도체 컴포넌트와 관련이 있으며, 상기 광전자 반도체 컴포넌트는
- 적어도 하나의 방사선 방출 반도체 칩(2)을 구비하며, 상기 방사선 방출 반도체 칩은 방사선 디-커플링 표면(22)을 구비하고, 상기 방사선 디-커플링 표면을 통해서는 반도체 칩(2) 내에서 발생하는 전자기 방사선의 적어도 한 부분이 상기 반도체 칩(2)을 벗어나며;
- 상기 반도체 칩(2)의 방사선 디-커플링 표면(22)에서 적어도 국부적으로 상기 반도체 칩(2) 뒤에 배치된 적어도 하나의 방사선 투과성 몸체(3)를 구비하고, 상기 방사선 투과성 몸체는 상기 반도체 칩(2)과 적어도 간접적으로 접촉하며, 이때 상기 방사선 투과성 몸체(3)는 적어도 하나의 폴리머에 의해서 형성되거나 적어도 하나의 폴리머를 함유하고, 상기 폴리머의 각각 하나의 모노머는 적어도 하나의 실라잔을 구비하여 형성된다.

Description

광전자 반도체 컴포넌트 {OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT}
본 발명은 광전자 반도체 컴포넌트에 관한 것이다.
본 발명의 과제는, 노화에 대하여 안정적인 광전자 반도체 컴포넌트를 제공하는 것이다.
본 발명의 적어도 한 가지 실시 예에 따라, 광전자 반도체 컴포넌트는 적어도 하나의 방사선 방출 반도체 칩을 구비하며, 상기 방사선 방출 반도체 칩은 방사선 디-커플링 표면을 구비하고, 상기 방사선 디-커플링 표면을 통해서는 반도체 칩 내에서 발생하는 전자기 방사선의 적어도 한 부분이 상기 반도체 칩을 벗어난다. 방사선 방출 반도체 칩으로서는 예를 들어 발광 다이오드 칩(luminous diode chip)이 사용될 수 있다. 상기 발광 다이오드 칩으로서는 자외선 내지 적외선 광의 범위 안에서 방사선 방출 작용을 하는 발광 다이오드 칩(light emitting diode chip) 또는 레이저 다이오드 칩이 사용될 수 있다. 바람직하게 상기 발광 다이오드 칩은 전자기 방사선 스펙트럼의 가시 광선 또는 자외선 범위 안에서 광을 방출한다.
본 발명의 적어도 한 가지 실시 예에 따라, 광전자 반도체 컴포넌트는 반도체 칩의 방사선 디-커플링 표면에서 적어도 국부적으로 상기 반도체 칩 뒤에 배치된 적어도 하나의 방사선 투과성 몸체를 구비하고, 상기 방사선 투과성 몸체는 상기 반도체 칩과 적어도 간접적으로 접촉한다. 다시 말하자면, 방사선 투과성 몸체는 반도체 칩의 작동 중에 발생하는 전자기 방사선의 적어도 한 부분이 상기 방사선 투과성 몸체 내부에 도달하도록 반도체 칩 뒤에 배치되어 있다. 이와 같은 맥락에서 "방사선 투과성"이라는 표현은, 몸체가 방사선 방출 반도체 칩에 의해서 방출되는 전자기 방사선을 적어도 70%까지, 바람직하게는 85% 이상까지 투과시킬 수 있다는 것을 의미한다. "간접적으로 접촉한다"라는 표현은, 방사선 투과성 몸체와 반도체 칩, 예를 들어 반도체 칩의 방사선 디-커플링 표면 사이에 하나 또는 다수의 층이 배치될 수 있다는 것을 의미한다. 그 경우 상기 층들은 방사선 투과성 몸체를 반도체 칩으로부터 적어도 국부적으로 이격시킨다. 다른 말로 표현하자면, 상기의 경우에 방사선 투과성 몸체는 단지 상기 층들을 통해 반도체 칩과 적어도 국부적으로 접촉하고 있다. "간접적으로 접촉한다"라는 표현에 관련하여 "적어도"라는 표현은, 방사선 투과성 몸체가 예를 들어 방사선 디-커플링 표면에서 반도체 칩과 적어도 국부적으로 직접적으로도 접촉할 수 있다는 사실을 의미한다. 이 경우에 방사선 투과성 몸체와 반도체 칩은 서로 직접 인접하며, 이때 상기 인접하는 장소에서는 간극도 형성되지 않고 중단부도 형성되지 않는다.
본 발명의 적어도 한 가지 실시 예에 따라, 방사선 투과성 몸체는 적어도 하나의 폴리머에 의해서 형성되거나 적어도 하나의 폴리머를 함유하며, 이 경우 상기 폴리머의 각각 하나의 모노머는 적어도 하나의 실라잔을 구비하여 형성된다. 다시 말하자면, 상기 폴리머의 적어도 하나의 모노머의 실라잔은 화학적인 기본 유닛이며, 모노머의 치환 가능한 선택적인 화학적 추가 유닛에 불과하지 않다. 예를 들어 실라잔은 폴리머를 형성하기 위하여 상기 폴리머의 각각의 모노머에 함유되어 있다. 폴리머가 코-폴리머인 경우에는 상기 폴리머의 일 모노머 유형의 단 하나 또는 다수의 모노머도 적어도 하나의 실라잔을 구비하여 형성될 수 있다. 다른 말로 표현하자면, 실라잔은 방사선 투과성 몸체의 재료를 형성하는 중합 반응 사슬을 형성하기 위하여 이용된다.
본 발명의 적어도 한 가지 실시 예에 따라, 광전자 반도체 컴포넌트는 적어도 하나의 방사선 투과성 반도체 칩을 구비하며, 상기 방사선 투과성 반도체 칩은 방사선 디-커플링 표면을 구비하고, 상기 방사선 디-커플링 표면을 통해서는 반도체 칩 내에서 발생하는 전자기 방사선의 적어도 한 부분이 상기 반도체 칩을 벗어난다. 또한, 광전자 반도체 컴포넌트는 상기 반도체 칩의 방사선 디-커플링 표면에서 적어도 국부적으로 상기 반도체 칩 뒤에 배치된 적어도 하나의 방사선 투과성 몸체를 구비하고, 상기 방사선 투과성 몸체는 상기 반도체 칩과 적어도 간접적으로 접촉한다. 이때 상기 방사선 투과성 몸체는 적어도 하나의 폴리머에 의해서 형성되거나 적어도 하나의 폴리머를 함유하고, 상기 폴리머의 각각 하나의 모노머는 적어도 하나의 실라잔을 구비하여 형성된다.
본원에 기술된 광전자 반도체 컴포넌트는 다른 무엇보다도 "일 반도체 컴포넌트의 일 반도체 칩을 변형시키는 하나의 방사선 투과성 몸체가 예를 들어 반도체 컴포넌트의 짧은 작동기간 후에 이미 손상을 입을 수 있다"는 인식을 토대로 한다. 특히 상기 방사선 투과성 몸체는 반도체 칩 근처에서 그곳에서 생성되는 열적인 가열 및/또는 방사선 투과성 몸체에 작용하는 전자기 방사선에 의해 손상을 입을 수 있다. 예를 들어 반도체 칩에 의해서 방출되는 청색 광은 상기와 같은 방사선 투과성 몸체 내에서 변색 및/또는 균열을 야기한다. 방사선 투과성 몸체에서 발생하는 이와 같은 유형의 손상들은 방사선 투과성 몸체 자체의 수명뿐만 아니라 전체 반도체 컴포넌트의 수명까지도 단축할 수 있다. 다른 말로 표현하자면, 이와 같은 반도체 컴포넌트는 노화에 대하여 덜 안정적이다.
방사선 투과성 몸체에서 상기와 같은 손상이 피해지고, 그로 인해 노화에 대하여 안정적인 광전자 반도체 컴포넌트를 제공하기 위하여, 본원에 기술된 광전자 반도체 컴포넌트는 다른 무엇보다도 방사선 투과성 몸체가 적어도 하나의 폴리머에 의해서 형성되거나 적어도 하나의 폴리머를 함유한다는 아이디어를 이용하고 있으며, 이 경우 상기 폴리머의 각각 하나의 모노머는 적어도 하나의 실라잔을 구비하여 형성된다. 특히 실라잔은 높은 열적 안정성뿐만 아니라 전자기 방사선의 작용하에서도, 예를 들면 청색 광의 작용 중에도 높은 안정성을 갖는다. 다른 말로 표현하자면, 상기와 같은 재료로 형성된 방사선 투과성 몸체의 경우에는 반도체 컴포넌트의 작동 중에 전술된 손상들이 피해진다. 이와 같은 사실은 노화에 대한 안정성이 높은 광전자 반도체 컴포넌트를 야기한다.
본 발명의 적어도 한 가지 실시 예에 따라, 폴리머는 적어도 하나의 폴리실라잔에 의해서 형성되거나 적어도 하나의 폴리실라잔을 구비한다. 예컨대 폴리머는 완전히 적어도 하나의 폴리실라잔으로 이루어진다. 예컨대 본원에 기술된 폴리머에 의해서 형성되고 다른 무엇보다도 증착을 위하여 액체 형태로 또는 점성 상태로 존재하는 방사선 투과성 몸체의 재료는 반도체 칩의 외부 표면에 특히 간단하게 증착되고, 그 다음에 이어 예컨대 실온에서, 더 상세하게 말하자면 대략 20 ℃의 온도에서 방사선 투과성 몸체로 경화될 수 있다. 특히 상기 방사선 투과성 몸체의 재료는 적어도 실온 내지 최대 220 ℃의 온도 범위에서 이미 방사선 투과성 몸체로 경화될 수 있다. 다른 말로 표현하자면, 재료의 경화를 위하여 상기 재료 자체의 그리고/또는 반도체 칩의 비용 소모적이고 복잡한 가열 과정이 생략될 수 있다. 그렇기 때문에 상기와 같이 낮은 경화 온도에서는 경화 과정 중에 발생하는 방사선 투과성 몸체 재료의 그리고 반도체 칩의 구조적인 손상이 피해질 수 있다.
본 발명의 적어도 한 가지 실시 예에 따라, 방사선 투과성 몸체 내부에는 적어도 한 가지 발광 변환 재료가 삽입되어 있으며, 상기 발광 변환 재료는 한 가지 파장 범위의 전자기 방사선을 흡수하기에 그리고 흡수된 방사선보다 더 큰 파장을 갖는 다른 파장 범위에서 상기 흡수된 전자기 방사선을 재방출 하기에 적합하다. 예를 들어 상기 발광 변환 재료는 반도체 칩에 의해서 방출되는 그리고 방사선 투과성 몸체 내부로 유입되는 청색 광을 부분적으로 황색 광으로 변환시키며, 상기 황색 광은 추후에 청색 광과 함께 백색의 광으로 혼합될 수 있다.
본 발명의 적어도 한 가지 실시 예에 따라, 방사선 투과성 몸체는 재료 침식의 흔적을 갖는다. 다시 말해, 방사선 투과성 몸체는 증착 과정 후에 그리고 후속되는 경화 과정 후에 예를 들어 물리적으로 그리고/또는 기계적으로 후처리 되며, 그로 인해 재료 침식이 발생하게 된다. 다른 말로 표현하자면, 본원에 기술된 방사선 투과성 몸체는 완전한 경화 후에도 기계적으로, 예를 들어 그라인딩(grinding) 및/또는 폴리싱(polishing)에 의해서 후처리 되며, 이 경우에는 예를 들어 방사선 투과성 몸체의 접착성 외부 면이 상기와 같은 후처리를 적어도 어렵게 하지 않거나 완전히 방해하지 않는다. 이와 같은 상황은 특히 개별적으로 그리고 유연하게 사용할 수 있는 광전자 반도체 컴포넌트를 야기하게 되는데, 그 이유는 방사선 투과성 몸체가 증착 과정 및 후속하는 경화 과정 후에도 이용자의 개별적인 필요에 적응될 수 있기 때문이다.
본 발명의 적어도 한 가지 실시 예에 따라, 방사선 투과성 몸체는 적어도 한 가지 용매 및/또는 적어도 한 가지 점탄성 조절제(thixotropic agent)를 함유한다. 예컨대 방사선 투과성 몸체의 한 가지 재료는 이 재료가 방사선 투과성 몸체 자체로 경화될 수 있기 전에는 액체 형태로 또는 점성 상태로 존재한다. 상기 재료에 용매를 추가함으로써, 재료 내에서의 상기 용매의 농도에 따라 예를 들어 상기 방사선 투과성 몸체 재료의 점도가 사전 설정 가능하게 조절될 수 있다. 이 경우 용매의 추가는 재료 점도의 증가를 야기할 수 있는데, 다시 말하자면 방사선 투과성 몸체 재료의 액화를 야기할 수 있는 반면에, 방사선 투과성 몸체 재료에 점탄성 조절제를 추가하는 것은 증착 과정 전에 점성의 상태로 존재하는, 예를 들어 페이스트 형태로 존재하는 재료를 야기할 수 있다.
본 발명의 적어도 한 가지 실시 예에 따라, 방사선 투과성 몸체는 반도체 칩을 적어도 국부적으로 형상 결합 방식으로 둘러싸는 성형 몸체이다. 이 경우에 상기 성형 몸체는 예를 들어 반도체 칩의 캐스팅(casting) 또는 몰딩(molding)에 의해서 형성될 수 있다. 특히 이 경우에는 반도체 칩과 방사선 투과성 몸체가 서로 직접 인접한다.
본 발명의 적어도 한 가지 실시 예에 따라, 방사선 투과성 몸체는 소형 플레이트 또는 박막이며, 이 경우에는 방사선 투과성 몸체와 방사선 디-커플링 표면 사이에 적어도 하나의 방사선 투과성 접착층이 배치되어 있다. 방사선 투과성 몸체가 소형 플레이트라면, 상기 소형 플레이트는 바람직하게 자체 지지 방식으로 형성된다. 이 경우에는 상기 방사선 투과성 몸체가 예를 들어 픽-앤-플레이스(Pick-and-Place)-방법에 의해서 반도체 칩으로부터 떨어져서 마주한 상기 접착층의 외부 면에 증착될 수 있다. 방사선 투과성 몸체로서 박막이 사용되면, 이 경우에는 상기 방사선 투과성 몸체가 유연할 수 있고, 예를 들어 반도체 칩으로부터 떨어져서 마주한 상기 접착층의 외부 면에 라미네이팅에 의해서 증착될 수 있다. 상기 접착층은 반도체 칩과 방사선 투과성 몸체 사이에 기계적으로 단단한 결합을 가능하게 한다. 다른 말로 표현하자면, 상기 접착층에 의해서 방사선 투과성 몸체와 반도체 칩이 결합 된 상태로 형성되어 하나의 유닛을 형성할 수 있다.
본 발명의 적어도 한 가지 실시 예에 따라, 방사선 투과성 접착층은 적어도 하나의 폴리실라잔에 의해서 형성되거나, 적어도 하나의 폴리실라잔을 구비하거나 또는 적어도 하나의 폴리실라잔으로 이루어진다. 접착층이 적어도 하나의 폴리실라잔으로 이루어진 경우에, 상기 접착층에는 외부 입자가 없다. "외부 입자가 없다"라는 표현은, 제작 공차의 범위 안에서는 상기 접착층 내부에 불순물 입자가 사전 설정 가능하게 삽입되어 있지 않다는 것을 의미한다. 이 경우에 상기 접착층은 본원에 기술된 발광 변환 재료도 구비하지 않고 예를 들어 다른 외부 입자도 구비하지 않는다. 앞에서 이미 기술된 바와 같이, 상기 접착층에 의해서는 방사선 투과성 몸체와 반도체 칩 사이에 기계적으로 단단한 결합이 형성된다. 이때 접착층이 폴리실라잔에 의해서 형성되거나, 하나의 폴리실라잔을 구비하거나 또는 폴리실라잔으로 이루어지면, 상기와 같이 형성된 기계적인 결합은 광 분산 및 열적인 안정성과 관련하여 특히 바람직하게 형성된다. 예컨대 접착층을 위해 폴리실라잔을 사용하고 방사선 투과성 몸체를 사용하여 동일한 굴절률을 갖는 재료가 사용됨으로써, 결과적으로 반도체 칩의 방출된 광은 더 이상 상이한 굴절률을 갖지 않게 된다. 또한, 동일한 출발 재료로 이루어진 폴리머들은 열적으로 특히 안정적인 결합을 형성한다.
본 발명의 적어도 한 가지 실시 예에 따라, 방사선 투과성 몸체는 결합 수단 없이 스크린 프린팅 공정 및/또는 스프레잉 공정에 의해서 적어도 반도체 칩의 방사선 디-커플링 표면에 제공된다. "결합 수단 없이"라는 표현은, 방사선 투과성 몸체가 반도체 칩 상에 고정되기 위하여 고정 수단, 예를 들어 추가의 접착층 또는 접착제를 필요로 하지 않는다는 것을 의미한다. 예컨대 방사선 투과성 몸체는 방사선 디-커플링 표면 이외에 반도체 칩의 추가의 노출되는 외부 면을 덮는다. 이 경우에 상기 방사선 투과성 몸체는 반도체 칩을 위한 실링(sealing)으로서도 이용될 수 있다. 또한, 스크린 프린팅 공정 및/또는 스프레잉 공정을 이용한 증착 이외에 방사선 투과성 몸체가 롤링(rolling) 또는 스핀-온 증착(spin-on deposition)에 의해서 반도체 칩 상에 증착되는 것도 생각할 수 있다.
본 발명의 적어도 한 가지 실시 예에 따라, 방사선 투과성 몸체 및/또는 접착층은 적어도 5 ㎛ 내지 최대 50 ㎛의 층 두께를 갖는다. 이때 "층 두께"란, 방사선 디-커플링 표면에 대하여 그리고/또는 반도체 칩의 추가의 외부 면에 대하여 수직인 방향으로 측정된 방사선 투과성 몸체 및/또는 접착층의 두께이다. 이와 같은 방사선 투과성 몸체 및/또는 접착층의 두께 범위에 의해서는 수직 방향으로, 다시 말해 광전자 반도체 컴포넌트의 주 연장 방향에 대하여 수직인 방향으로 덜 팽창하는 광전자 반도체 컴포넌트를 얻을 수 있게 된다. 다른 말로 표현하자면, 상기와 같은 광전자 반도체 컴포넌트는 평평하고, 구조상 콤팩트하다.
본원에 기술된 광전자 반도체 컴포넌트는 실시 예들 그리고 관련 도면들을 참조하여 아래에서 상세하게 설명된다.
도 1a 내지 도 1c는 본원에 기술된 광전자 반도체 컴포넌트의 실시 예들을 개략적인 측면도로 보여주고 있다.
실시 예들 및 도면들에서 동일하거나 동일한 작용을 하는 구성 부품들에는 각각 동일한 도면 부호가 제공되어 있다. 도면에 도시된 소자들은 척도에 상응하는 것으로 간주 될 수 없고, 오히려 개별 소자들은 도면에 대한 이해를 돕기 위하여 과도하게 크게 도시될 수 있다.
도 1a에는 본원에 기술된 광전자 반도체 컴포넌트(100)가 개략적인 측면도를 참조하여 도시되어 있다. 광전자 반도체 컴포넌트(100)는 방사선을 방출하는 반도체 칩(2)을 구비하며, 상기 방사선 방출 반도체 칩은 방사선 디-커플링 표면(22)을 구비하고, 상기 방사선 디-커플링 표면을 통해서는 반도체 칩(2) 내에서 발생하는 전자기 방사선의 적어도 한 부분이 상기 반도체 칩(2)을 벗어난다. 또한, 본 발명에 따른 광전자 반도체 컴포넌트(100)는 장착 표면(11)을 갖는 캐리어(1)를 구비한다. 캐리어(1)로서는 캐리어 프레임(영어로는 "Leadframe"으로도 표기됨)이 사용될 수 있다. 이때 상기 캐리어 프레임은 반도체 칩(2)을 위한 전기 접촉 면으로 이용되는 두 개의 금속 캐리어 스트립에 의해서 형성될 수 있다. 이 경우 반도체 칩(2)은 상기 장착 표면(11)에 배치되어 있고, 그곳에서 캐리어(1)와 전기식으로 콘택팅 된다. 또한, 광전자 반도체 컴포넌트(100)는 방사선 투과성 몸체(3)를 구비하고, 상기 방사선 투과성 몸체는 도 1a에 성형 몸체(31)로서 구현되어 있다. 다시 말하자면, 방사선 투과성 몸체(3)는 반도체 칩(2)의 캐스팅에 의해서 캐리어(1) 상에 뿐만 아니라 반도체 칩(2) 상에도 제공되어 있다. 이때 방사선 투과성 몸체(3)는 반도체 칩(3) 및 캐리어(1)와 직접적으로 접촉한다. 그렇기 때문에 상기 방사선 투과성 몸체(3)는 반도체 칩(2)을 형상 결합 방식으로 둘러싸고, 캐리어(1)의 장착 표면(11)과 국부적으로 직접 접촉하고 있다. 이 경우에는, 마찬가지로 도 1a로부터 알 수 있는 바와 같이, 방사선 투과성 몸체(3)가 반도체 칩(2)의 방사선 디-커플링 표면(22)에서 국부적으로 상기 반도체 칩(2) 뒤에 배치되어 있고, 방사선 디-커플링 표면(22)과 직접 접촉하고 있다.
방사선 투과성 몸체(3)는 적어도 하나의 폴리머에 의해서 형성되거나 적어도 하나의 폴리머를 함유하며, 이 경우 상기 폴리머의 각각 하나의 모노머는 적어도 하나의 실라잔을 구비하여 형성된다. 특히 폴리머로서는 폴리실라잔이 사용될 수 있다. 또한, 방사선 투과성 몸체(3) 내부에는 발광 변환 재료(4)가 삽입되어 있으며, 상기 발광 변환 재료는 반도체 칩(2)에 의해서 방출되는 청색 광을 부분적으로 황색 광으로 변환시키며, 이 경우 상기 청색 및 황색 광은 예컨대 캐리어(1)로부터 떨어져서 마주한 상기 방사선 투과성 몸체(3)의 외부 면(36)에서 백색의 광으로 혼합될 수 있다. 또한, 방사선 투과성 몸체(3)의 외부 면(36)은 반도체 칩(2)을 기준으로 볼록하게 형성되었다. 이 목적을 위하여 상기 방사선 투과성 몸체(3)는 경화 과정 후에 기계적으로 후처리 되며, 이 경우 상기 후처리에 의해서는 외부 면(36)이 재료 침식의 흔적(35)을 갖게 된다. 다른 말로 표현하자면, 상기 흔적(35)은 방사선 투과성 몸체(3)의 외부 면(36)에서 상기 방사선 투과성 몸체 재료의 침식에 의해서, 예컨대 재료 마모에 의해서 발생된다.
도 1b에는 본원에 기술된 광전자 반도체 컴포넌트(100)의 추가의 일 실시 예가 개략적인 측면도로 도시되어 있다. 도 1a에 도시된 실시 예와 달리, 본 실시 예에서는 방사선 투과성 몸체(3)로서 소형 플레이트(32) 또는 박막(33)이 사용되며, 이 경우 상기 방사선 투과성 몸체(3)와 반도체 칩(2)의 방사선 디-커플링 표면(22) 사이에는 방사선 투과성 접착층(5)이 배치되어 있다. 특히 상기 접착층(5)은 적어도 하나의 폴리실라잔에 의해서 형성될 수 있거나, 폴리실라잔을 구비하거나 또는 폴리실라잔으로 이루어질 수 있다. 이 경우 방사선 투과성 접착층(5)은 반도체 칩(2)의 방사선 디-커플링 표면(22) 상에 직접 제공되고, 이로써 반도체 칩과 직접 접촉하게 된다. 반도체 칩(2)으로부터 떨어져서 마주한 상기 방사선 투과성 접착층(5)의 외부 면에서, 방사선 투과성 몸체(3)는 예를 들어 플러그-앤-플레이스(Plug-and-Place)-방법에 의해서 배치되어 있다. 상기 접착층(5)은 반도체 칩(2)과 방사선 투과성 몸체(3) 사이에 기계적으로 단단한 결합을 가능하게 한다. 다른 말로 표현하자면, 도 1b에 따른 실시 예에서 방사선 투과성 몸체(3)는 방사선 투과성 접착층(5)을 통해 방사선 방출 반도체 칩(2)과 간접적으로 접촉한다.
도 1c에는 본원에 기술된 광전자 반도체 컴포넌트(100)의 추가의 일 실시 예가 개략적인 측면도로 도시되어 있다. 본 실시 예에서는 도 1b와 달리 방사선 투과성 몸체(3)가 결합 수단 없이 반도체 칩(2)의 방사선 디-커플링 표면(22)에 제공되어 있고, 상기 방사선 디-커플링 표면(22)과 직접적으로 접촉하고 있다. 예를 들어 방사선 디-커플링 표면(22) 상에 제공되는 과정은 방사선 투과성 몸체(3) 재료의 스크린 프린팅 공정 및/또는 스프레잉 공정에 의해서 이루어진다. 이 경우 상기 방사선 투과성 몸체(3)는 도 1c에 따른 실시 예에서 적어도 5 ㎛ 내지 최대 50 ㎛의 층 두께(D1)를 갖는다.
본 발명은 실시 예를 참조하는 상세한 설명에 의해서 한정되지 않는다. 오히려 본 발명은 각각의 새로운 특징 그리고 상기 특징들의 각각의 조합을 포함하며, 특히 상기 특징 그리고 특징 조합 자체가 특허 청구의 범위 또는 실시 예에 명시적으로 기재되어 있지 않더라도 각각의 특징 및 특징 조합은 특허 청구의 범위에 포함된 것으로 간주 된다.
본 특허 출원서는 독일 특허 출원서 10 2011 100 728.1호를 우선권으로 주장하며, 상기 우선권 서류의 공개 내용은 인용 방식에 의해서 본 출원서에 수용된다.

Claims (11)

  1. 광전자 반도체 컴포넌트(100)로서,
    - 적어도 하나의 방사선 방출 반도체 칩(2)을 구비하며, 상기 방사선 방출 반도체 칩은 방사선 디-커플링 표면(22)을 구비하고, 상기 방사선 디-커플링 표면을 통해서는 반도체 칩(2) 내에서 발생하는 전자기 방사선의 적어도 한 부분이 상기 반도체 칩(2)을 벗어나며;
    - 상기 반도체 칩(2)의 방사선 디-커플링 표면(22)에서 적어도 국부적으로 상기 반도체 칩(2) 뒤에 배치된 적어도 하나의 방사선 투과성 몸체(3)를 구비하고, 상기 방사선 투과성 몸체는 상기 반도체 칩(2)과 적어도 간접적으로 접촉하며, 이때
    - 상기 방사선 투과성 몸체(3)는 적어도 하나의 폴리머에 의해서 형성되거나 적어도 하나의 폴리머를 함유하며, 그리고
    - 상기 폴리머의 각각 하나의 모노머는 적어도 하나의 실라잔을 구비하여 형성되는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    - 상기 방사선 투과성 몸체(3)는 물리적인 및/또는 기계적인 재료 침식의 흔적(35)을 가지며;
    - 상기 방사선 투과성 몸체(3)는 소형 플레이트(32) 또는 박막(33)이며,
    - 상기 방사선 투과성 몸체(3)와 상기 방사선 디-커플링 표면(22) 사이에는 적어도 하나의 방사선 투과성 접착층(5)이 배치되어 있으며, 그리고
    - 상기 방사선 투과성 접착층(5)은 적어도 하나의 폴리실라잔에 의해서 형성되거나, 적어도 하나의 폴리실라잔을 구비하거나 또는 폴리실라잔으로 이루어지는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 폴리머가 적어도 하나의 폴리실라잔에 의해서 형성되거나 적어도 하나의 폴리실라잔을 구비하는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선 투과성 몸체(3) 내부에는 적어도 하나의 발광 변환 재료(4)가 삽입되어 있으며, 상기 발광 변환 재료는 한 가지 파장 범위의 전자기 방사선을 흡수하기에 그리고 흡수된 방사선보다 더 큰 파장을 갖는 다른 파장 범위에서 상기 흡수된 전자기 방사선을 재방출 하기에 적합한,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선 투과성 몸체(3)가 재료 침식의 흔적(35)을 갖는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선 투과성 몸체(3)가 적어도 한 가지 용매 및/또는 적어도 한 가지 점탄성 조절제(thixotropic agent)를 함유하는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선 투과성 몸체(3)는 상기 반도체 칩(2)을 적어도 국부적으로 형상 결합 방식으로 둘러싸는 성형 몸체(31)인,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선 투과성 몸체(3)는 소형 플레이트(32) 또는 박막(33)이며, 이때 상기 방사선 투과성 몸체(3)와 상기 방사선 디-커플링 표면(22) 사이에 적어도 하나의 방사선 투과성 접착층(5)이 배치되어 있는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 방사선 투과성 접착층(5)은 적어도 하나의 폴리실라잔에 의해서 형성되거나, 적어도 하나의 폴리실라잔을 구비하거나 또는 폴리실라잔으로 이루어지는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  10. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선 투과성 몸체(3)는 결합 수단 없이 스크린 프린팅 공정 및/또는 스프레잉 공정에 의해서 적어도 상기 반도체 칩(2)의 방사선 디-커플링 표면(22)에 제공되는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선 투과성 몸체(3) 및/또는 상기 접착층(5)이 적어도 5 ㎛ 내지 최대 50 ㎛의 층 두께(D1)를 갖는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
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