KR20140036784A - Apparatus fdr treating substrates - Google Patents

Apparatus fdr treating substrates Download PDF

Info

Publication number
KR20140036784A
KR20140036784A KR1020120103336A KR20120103336A KR20140036784A KR 20140036784 A KR20140036784 A KR 20140036784A KR 1020120103336 A KR1020120103336 A KR 1020120103336A KR 20120103336 A KR20120103336 A KR 20120103336A KR 20140036784 A KR20140036784 A KR 20140036784A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
storage tank
substrate
unit
head
pressure control
Prior art date
Application number
KR1020120103336A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101955604B1 (en
Inventor
최기훈
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020120103336A priority Critical patent/KR101955604B1/en
Publication of KR20140036784A publication Critical patent/KR20140036784A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101955604B1 publication Critical patent/KR101955604B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H01L21/02288—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating printing, e.g. ink-jet printing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • B41J2/04501—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

The present invention relates to an apparatus for manufacturing a substrate and, more particularly, to an apparatus for discharging liquid drops such as liquid crystal, polyimide (PI), and a color filter (CF) on a substrate by an inkjet method. According to an embodiment of the present invention, the apparatus for processing a substrate comprises: a substrate supporting member which supports a substrate; a head unit including one or more heads which spray a processing liquid to the substrate supported by the substrate supporting member; a storage tank which stores the processing liquid; a supply line where the storage tank is connected with the head; and a pressure control line where a control unit for pressurizing the inside of the storage tank is connected with the storage tank. In the storage tank, the vertical distance between the surface of the processing liquid stored in the storage tank and the top surface of the storage tank is higher at the inlet part of the pressure control line than other parts.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FDR TREATING SUBSTRATES}[0001] APPARATUS FDR TREATING SUBSTRATES [0002]

본 발명은 기판 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 잉크젯 방식으로 기판에 액정(Liquid Crystal), PI(Polyimide) 및 CF(Color Filter)등의 액적(Liquid drop)을 토출하는 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate manufacturing apparatus, and more particularly, to an apparatus for discharging a liquid drop such as a liquid crystal, a polyimide (PI), and a color filter (CF) onto a substrate by an inkjet method.

최근에 휴대 전화기, 휴대형 컴퓨터 등의 전자 기기의 표시부에 액정 표시 장치가 널리 이용되고 있다. 액정 표시 장치는 블랙 매트릭스, 컬러 필터, 공통 전극 및 배향막이 형성된 컬러 필터 기판과 박막트랜지스터(TFT), 화소 전극 및 배향막이 형성된 어레이 기판 사이의 공간에 액정을 주입하여, 액정의 이방성에 따른 빛의 굴절률의 차이를 이용해 영상 효과를 얻는다. 2. Description of the Related Art Recently, liquid crystal display devices have been widely used in display portions of electronic apparatuses such as mobile phones and portable computers. The liquid crystal display device has a structure in which liquid crystal is injected into a space between a color filter substrate on which a black matrix, a color filter, a common electrode and an alignment film are formed, a thin film transistor (TFT), a pixel electrode and an array substrate on which an alignment film is formed, The imaging effect is obtained using the difference in refractive index.

컬러 필터 기판과 어레이 기판 상에 배향액이나 액정을 도포하는 장치로 잉크젯 방식의 도포 장치가 사용되고 있다. An ink jet type coating apparatus is used as an apparatus for applying an alignment liquid or a liquid crystal onto a color filter substrate and an array substrate.

종래의 잉크젯 방식의 도포 장치는 전기신호를 물리적인 힘으로 변환하여 작은 노즐을 통하여 액정을 액적의 형태로 토출되도록 하는 구조체이다. 잉크젯 방식의 도포 장치는 처리액이 저장되는 처리액 공급 유닛, 처리액 공급 유닛으로부터 처리액을 공급받아 기판 표면에 처리액을 토출하는 헤드 유닛을 포함한다.A conventional inkjet coating device is a structure that converts electric signals to physical force and discharges the liquid crystal in the form of droplets through a small nozzle. The inkjet type coating apparatus includes a processing liquid supply unit for storing the processing liquid, and a head unit for receiving the processing liquid from the processing liquid supply unit and discharging the processing liquid onto the substrate surface.

처리액 공급 유닛에서는 저장 탱크에 처리액을 채워 놓고 상부에서 진공을 제공하여 저장 탱크로부터 헤드 유닛으로 공급하는 처리액의 양을 조절한다. 이때 저장 탱크에 진공이 인가되면 처리액이 기화하면서 처리액 수위 변동이 발생된다. 저장 탱크 내부의 처리액 수위가 불안정하게 되면, 헤드의 토출 볼륨에 영향을 주어 균일한 토출을 어렵게 만든다. 또한, 감압에 의한 계속적인 용매 손실로 인한 농도 증가 등으로 품질이 저하될 우려가 있다.In the treatment liquid supply unit, the treatment liquid is filled in the storage tank and a vacuum is provided in the upper part to adjust the amount of the treatment liquid supplied from the storage tank to the head unit. At this time, when vacuum is applied to the storage tank, the treatment liquid vaporizes and the level of the treatment liquid changes. When the level of the processing liquid in the storage tank becomes unstable, it affects the discharge volume of the head, making uniform discharge difficult. In addition, there is a possibility that the quality is lowered due to an increase in concentration due to continuous solvent loss due to decompression.

본 발명은 처리액 공급 유닛에서 저장 탱크 내부의 처리액의 수위를 균일하게 유지하기 위한 것이다.The present invention is for uniformly maintaining the level of the treatment liquid in the storage tank in the treatment liquid supply unit.

또한, 본 발명은 잉크젯 헤드로 균일한 양의 처리액을 전달하여, 잉크젯 헤드에서 기판으로 처리액이 균일한 토출 볼륨으로 분사되도록 제공하기 위한 것이다.Further, the present invention is to provide a uniform amount of the processing liquid to the inkjet head, so that the processing liquid is jetted from the inkjet head to the substrate at a uniform discharge volume.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 부재, 상기 기판 지지 부재에 지지된 상기 기판으로 처리액을 분사하는 하나 또는 복수의 헤드를 포함하는 헤드 유닛, 상기 처리액이 저장되는 저장 탱크, 상기 저장 탱크와 상기 헤드가 연결되는 공급 라인 및 상기 저장 탱크 내부를 가압하는 제어 유닛과 상기 저장 탱크가 연결되는 압력 제어 라인을 포함하되, 상기 저장 탱크는 상기 저장 탱크에 저장된 상기 처리액의 표면과 상기 저장 탱크의 상면 사이의 수직 거리가 상기 압력 제어 라인의 입구 부분이 다른 부분에 비해 더 높은 형상으로 제공된다.According to one or more exemplary embodiments, a substrate processing apparatus includes a substrate support member for supporting a substrate, a head unit including one or a plurality of heads for spraying the processing liquid onto the substrate supported by the substrate support member, and the processing liquid is A storage tank to be stored, a supply line to which the storage tank and the head are connected, a control unit to pressurize the inside of the storage tank, and a pressure control line to which the storage tank is connected, wherein the storage tank is stored in the storage tank. The vertical distance between the surface of the treatment liquid and the upper surface of the storage tank is provided in a shape where the inlet portion of the pressure control line is higher than the other portion.

상기 압력 제어 라인은 상기 저장 탱크의 상면 중앙부에 연결될 수 있다.The pressure control line may be connected to a central portion of the upper surface of the storage tank.

상기 저장 탱크는 상기 저장 탱크에 저장된 상기 처리액의 표면과 상기 저장 탱크의 상면 사이의 수직 거리가 상기 압력 제어 라인이 연결된 부분에서부터 상기 저장 탱크의 가장자리 영역으로 갈수록 낮아지는 형상으로 제공될 수 있다.The storage tank may be provided in a shape such that a vertical distance between the surface of the treatment liquid stored in the storage tank and an upper surface of the storage tank is lowered from the portion to which the pressure control line is connected to the edge region of the storage tank.

상기 저장 탱크는 상기 저장 탱크에 저장된 상기 처리액의 표면과 상기 저장 탱크의 상면 사이의 수직 거리가 상기 압력 제어 라인이 연결된 부분에서부터 상기 저장 탱크의 가장자리 영역으로 갈수록 단차지게 낮아지는 형상으로 제공될 수 있다.The storage tank may be provided in a shape such that a vertical distance between the surface of the treatment liquid stored in the storage tank and an upper surface of the storage tank decreases stepwise from the portion to which the pressure control line is connected to the edge region of the storage tank. have.

본 발명은 처리액 공급 유닛을 제공한다.The present invention provides a treatment liquid supply unit.

본 발명의 일 실시예에 따른 처리액 공급 유닛은 처리액이 저장되는 저장 탱크, 상기 저장 탱크와 상기 처리액이 분사되는 헤드가 연결되는 공급 라인 및 제어 유닛과 상기 저장 탱크가 연결되는 압력 제어 라인을 포함하되, 상기 저장 탱크는 상기 저장 탱크에 저장된 상기 처리액의 표면과 상기 저장 탱크의 상면 사이의 수직 거리가 상기 압력 제어 라인의 입구 부분이 다른 부분에 비해 더 높은 형상으로 제공된다.The treatment liquid supply unit according to an embodiment of the present invention includes a storage tank in which the treatment liquid is stored, a supply line to which the storage tank and a head to which the treatment liquid is injected, and a pressure control line to which the storage unit is connected. The storage tank may include a vertical distance between a surface of the treatment liquid stored in the storage tank and an upper surface of the storage tank, in which the inlet portion of the pressure control line is higher than the other portions.

상기 압력 제어 라인은 상기 저장 탱크의 상면 중앙부에 연결될 수 있다.The pressure control line may be connected to a central portion of the upper surface of the storage tank.

상기 저장 탱크는 상기 저장 탱크에 저장된 상기 처리액의 표면과 상기 저장 탱크의 상면 사이의 수직 거리가 상기 압력 제어 라인이 연결된 부분에서부터 상기 저장 탱크의 가장자리 영역으로 갈수록 낮아지는 형상으로 제공될 수 있다.The storage tank may be provided in a shape such that a vertical distance between the surface of the treatment liquid stored in the storage tank and an upper surface of the storage tank is lowered from the portion to which the pressure control line is connected to the edge region of the storage tank.

상기 저장 탱크는 상기 저장 탱크에 저장된 상기 처리액의 표면과 상기 저장 탱크의 상면 사이의 수직 거리가 상기 압력 제어 라인이 연결된 부분에서부터 상기 저장 탱크의 가장자리 영역으로 갈수록 단차지게 낮아지는 형상으로 제공될 수 있다.The storage tank may be provided in a shape such that a vertical distance between the surface of the treatment liquid stored in the storage tank and an upper surface of the storage tank decreases stepwise from the portion to which the pressure control line is connected to the edge region of the storage tank. have.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 처리액 공급 유닛에서 저장 탱크 내부의 처리액의 수위를 균일하게 유지할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the level of the treatment liquid in the storage tank can be uniformly maintained in the treatment liquid supply unit.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 잉크젯 헤드로 균일한 양의 처리액을 전달하여, 잉크젯 헤드에서 기판으로 균일한 양의 처리액이 분사되도록 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a uniform amount of the processing liquid is transferred to the inkjet head, and a uniform amount of processing liquid is jetted from the inkjet head to the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 액정 토출부의 사시도이다
도 3은 도 2의 처리액 공급 유닛, 압력 조절 유닛 및 헤드의 상호간의 관계를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2의 처리액 공급 유닛의 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 처리액 공급 유닛의 변형예를 보여주는 도면이다.1 is a view showing a configuration of a substrate processing apparatus.
2 is a perspective view of a liquid crystal discharge portion of the substrate processing apparatus of FIG. 1
Fig. 3 is a view showing the relationship between the processing liquid supply unit, the pressure regulating unit and the head of Fig. 2; Fig.
4 is a view illustrating an embodiment of the processing liquid supply unit of FIG. 2.
5 is a view showing a modification of the processing liquid supply unit of FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 도면이다.1 is a view showing a configuration of a substrate processing apparatus.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 액정 토출부(10), 기판 이송부(20), 로딩부(30), 언로딩부(40), 액정 공급부(50), 그리고 메인 제어부(90)를 포함한다. 액정 토출부(10)와 기판 이송부(20)는 제 1 방향(Ⅰ)으로 일렬로 배치되고, 서로 간에 인접하게 위치할 수 있다. 액정 토출부(10)를 중심으로 기판 이송부(20)와 마주하는 위치에는 액정 공급부(50)와 메인 제어부(90)가 배치된다. 액정 공급부(50)와 메인 제어부(90)는 제 2 방향(Ⅱ)으로 일렬 배치될 수 있다. 기판 이송부(20)를 중심으로 액정 토출부(10)와 마주하는 위치에 로딩부(30)와 언로딩부(40)가 배치된다. 로딩부(30)와 언로딩부(40)는 제 2 방향(Ⅱ)으로 일렬 배치될 수 있다. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a liquid crystal discharge unit 10, a substrate transfer unit 20, a loading unit 30, an unloading unit 40, a liquid crystal supply unit 50, and a main controller 90 ). The liquid crystal discharge portion 10 and the substrate transfer portion 20 are arranged in a line in the first direction I and can be positioned adjacent to each other. A liquid crystal supply part 50 and a main control part 90 are disposed at positions facing the substrate transfer part 20 with the liquid crystal discharge part 10 as a center. The liquid crystal supply part 50 and the main control part 90 may be arranged in a line in the second direction II. The loading unit 30 and the unloading unit 40 are disposed at positions facing the liquid crystal discharge unit 10 with the substrate transfer unit 20 as a center. The loading section 30 and the unloading section 40 may be arranged in a line in the second direction II.

여기서, 제 1 방향(Ⅰ)은 액정 토출부(10)와 기판 이송부(20)의 배열 방향이고, 제 2 방향(Ⅱ)은 수평면 상에서 제 1 방향(Ⅰ)에 수직한 방향이고, 제 3 방향(Ⅲ)은 제 1 방향(Ⅰ)과 제 2 방향(Ⅱ)에 수직한 방향이다.Here, the first direction I is an arrangement direction of the liquid crystal discharge portion 10 and the substrate transfer portion 20, the second direction II is a direction perpendicular to the first direction I on the horizontal plane, (III) is a direction perpendicular to the first direction (I) and the second direction (II).

액정이 도포될 기판은 로딩부(30)로 반입된다. 기판 이송부(20)는 로딩부(30)에 반입된 기판을 액정 토출부(10)로 이송한다. 액정 토출부(10)는 액정 공급부(50)로부터 액정을 공급받고, 액적을 토출하는 잉크젯 방식으로 기판상에 액정을 토출한다. 액정 토출이 완료되면, 기판 이송부(20)는 액정 토출부(10)로부터 언로딩부(40)로 기판을 이송한다. 액정이 도포된 기판은 언로딩부(40)로부터 반출된다. 메인 제어부(90)는 액정 토출부(10), 기판 이송부(20), 로딩부(30), 언로딩부(40), 그리고 액정 공급부(50)의 전반적인 동작을 제어한다.The substrate to which the liquid crystal is to be applied is brought into the loading section 30. The substrate transferring unit 20 transfers the substrate loaded into the loading unit 30 to the liquid crystal discharging unit 10. The liquid crystal discharging portion 10 receives liquid crystal from the liquid crystal supplying portion 50 and discharges the liquid crystal onto the substrate by an ink jet method for discharging liquid droplets. When the liquid crystal discharge is completed, the substrate transfer section 20 transfers the substrate from the liquid crystal discharge section 10 to the unloading section 40. The substrate coated with the liquid crystal is taken out of the unloading portion 40. The main control unit 90 controls the overall operations of the liquid crystal discharge unit 10, the substrate transfer unit 20, the loading unit 30, the unloading unit 40, and the liquid crystal supply unit 50.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 액정 토출부의 사시도이다2 is a perspective view of a liquid crystal discharge portion of the substrate processing apparatus of FIG. 1

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치의 액정 토출부는 베이스(B), 기판 지지 부재(100), 갠트리(200), 갠트리 이동 유닛(300), 헤드 유닛(400), 헤드 이동 유닛(500), 처리액 공급 유닛(600), 제어 유닛(700), 액정 토출량 측정 유닛(800), 노즐 검사 유닛(900), 그리고 헤드 세정 유닛(1000)을 포함한다.2, the liquid crystal discharging portion of the substrate processing apparatus includes a base B, a substrate supporting member 100, a gantry 200, a gantry moving unit 300, a head unit 400, a head moving unit 500, A processing liquid supply unit 600, a control unit 700, a liquid crystal discharge amount measurement unit 800, a nozzle inspection unit 900, and a head cleaning unit 1000.

기판 지지 부재(100)는 베이스(B)의 상면에 배치된다. 베이스(B)는 일정한 두께를 가지는 직육면체 형상으로 제공될 수 있다. 기판 지지 부재(100)는 기판(S)이 놓이는 지지판(110)을 가진다. 지지판(110)은 사각형 형상의 판일 수 있다. 지지판(110)의 하면에는 회전 구동 부재(120)가 연결된다. 회전 구동 부재(120)는 회전 모터일 수 있다. 회전 구동 부재(120)는 지지판(100)에 수직한 회전 중심 축을 중심으로 지지판(110)을 회전시킨다.The substrate supporting member 100 is disposed on the upper surface of the base B. The base (B) may be provided in a rectangular parallelepiped shape having a constant thickness. The substrate support member 100 has a support plate 110 on which the substrate S is placed. The support plate 110 may be a rectangular plate. The rotation driving member 120 is connected to the lower surface of the support plate 110. The rotation drive member 120 may be a rotary motor. The rotation driving member 120 rotates the support plate 110 around a rotation center axis perpendicular to the support plate 100. [

지지판(110)이 회전 구동 부재(120)에 의해 회전되면, 기판(S)은 지지판(110)의 회전에 의해 회전될 수 있다. 액정이 도포될 기판에 형성된 셀의 장변 방향이 제 2 방향(Ⅱ)을 향하는 경우, 회전 구동 부재(120)는 셀의 장변 방향이 제 1 방향(Ⅰ)을 향하도록 기판을 회전시킬 수 있다.When the support plate 110 is rotated by the rotation drive member 120, the substrate S can be rotated by the rotation of the support plate 110. [ When the long-side direction of the cell formed on the substrate to which the liquid crystal is to be applied faces the second direction II, the rotation driving member 120 can rotate the substrate such that the long-side direction of the cell is in the first direction I.

지지판(110)과 회전 구동 부재(120)는 직선 구동 부재(130)에 의해 제 1 방향(Ⅰ)으로 직선 이동될 수 있다. 직선 구동 부재(130)는 슬라이더(132)와 가이드 부재(134)를 포함한다. 회전 구동 부재(120)는 슬라이더(132)의 상면에 설치된다. 가이드 부재(134)는 베이스(B)의 상면 중심부에 제 1 방향(Ⅰ)으로 길게 연장된다. 슬라이더(132)에는 리니어 모터(미도시)가 내장될 수 있으며, 슬라이더(132)는 리니어 모터(미도시)에 의해 가이드 부재(134)를 따라 제 1 방향(Ⅰ)으로 직선 이동된다.The support plate 110 and the rotation driving member 120 may be linearly moved in the first direction I by the linear driving member 130. The linear driving member 130 includes a slider 132 and a guide member 134. The rotation driving member 120 is provided on the upper surface of the slider 132. [ The guide member 134 is elongated in the first direction I in the center of the upper surface of the base B. A linear motor (not shown) may be incorporated in the slider 132 and the slider 132 is linearly moved in the first direction I along the guide member 134 by a linear motor (not shown).

갠트리(200)는 지지판(110)이 이동되는 경로의 상부에 제공된다. 갠트리(200)는 베이스(B)의 상면으로부터 위방향으로 이격 배치된다. 갠트리(200)는 길이 방향이 제 2 방향(Ⅱ)을 향하도록 배치된다. 헤드 유닛(400)은 헤드 이동 유닛(500)에 의해 갠트리(200)에 결합된다. 헤드 유닛(400)은 헤드 이동 유닛(500)에 의해 갠트리의 길이 방향, 즉 제 2 방향(Ⅱ)으로 직선 이동하고, 또한 제 3 방향(Ⅲ)으로 직선 이동될 수 있다.The gantry 200 is provided at an upper portion of a path through which the support plate 110 is moved. The gantry 200 is disposed upwardly from the upper surface of the base B. The gantry 200 is arranged such that the longitudinal direction thereof is in the second direction II. The head unit 400 is coupled to the gantry 200 by the head moving unit 500. The head unit 400 can be linearly moved by the head moving unit 500 in the longitudinal direction of the gantry, that is, in the second direction II and linearly in the third direction III.

갠트리 이동 유닛(300)은 갠트리(200)를 제 1 방향(Ⅰ)으로 직선 이동시키거나, 갠트리(200)의 길이 방향이 제 1 방향(Ⅰ)에 경사진 방향을 향하도록 갠트리(200)를 회전시킬 수 있다. 갠트리(200)의 회전에 의해, 헤드 유닛(400) 제 1 방향(Ⅰ)에 경사진 방향으로 정렬될 수 있다.The gantry moving unit 300 moves the gantry 200 in a first direction I or moves the gantry 200 in such a direction that the longitudinal direction of the gantry 200 is inclined in the first direction I . By the rotation of the gantry 200, the head unit 400 can be aligned in an oblique direction in the first direction I.

헤드 유닛(400)은 기판에 처리액의 액적을 토출한다. 헤드 유닛(400)은 복수 개 제공될 수 있다. 본 실시 예에서는 3 개의 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)이 제공된 예를 들어 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 헤드 유닛(400)은 제 2 방향(Ⅱ)으로 일렬로 나란하게 배열될 수 있으며, 갠트리(200)에 결합된다.The head unit 400 discharges droplets of the treatment liquid onto the substrate. A plurality of head units 400 may be provided. In this embodiment, three head units 400a, 400b and 400c are provided, but the present invention is not limited thereto. The head units 400 may be arranged in a line in a row in the second direction II and are coupled to the gantry 200.

헤드 유닛(400)의 저면에는 액정의 액적을 토출하는 복수 개의 노즐들(미도시)이 제공된다. 예를 들어, 각각의 헤드들에는 128 개 또는 256 개의 노즐들(미도시)이 제공될 수 있다. 노즐들(미도시)은 일정 피치의 간격으로 일렬로 배치될 수 있다. 노즐들(미도시)은 ㎍ 단위의 양으로 액정을 토출할 수 있다.On the bottom surface of the head unit 400, a plurality of nozzles (not shown) for ejecting droplets of liquid crystal are provided. For example, 128 or 256 nozzles (not shown) may be provided for each of the heads. The nozzles (not shown) may be arranged in a line at intervals of a predetermined pitch. The nozzles (not shown) can discharge the liquid crystal in an amount of ㎍ unit.

각각의 헤드 유닛(400)에는 노즐들(미도시)에 대응하는 수만큼의 압전 소자가 제공될 수 있으며, 노즐들(미도시)의 액적 토출 량은 압전 소자들에 인가되는 전압의 제어에 의해 각기 독립적으로 조절될 수 있다.Each head unit 400 may be provided with a number of piezoelectric elements corresponding to nozzles (not shown), and the droplet discharge amount of the nozzles (not shown) may be controlled by controlling the voltage applied to the piezoelectric elements. Each can be adjusted independently.

헤드 이동 유닛(500)은 헤드 유닛(400)에 각각 제공될 수 있다. 본 실시 예의 경우, 3 개의 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)이 제공된 예를 들어 설명하므로, 헤드 이동 유닛(500) 또한 헤드의 수에 대응하도록 3 개가 제공될 수 있다. 이와 달리 헤드 이동 유닛(500)은 1 개 제공될 수 있으며, 이 경우 헤드 유닛(400)은 개별 이동이 아니라 일체로 이동될 수 있다. 헤드 이동 유닛(500)은 헤드 유닛(400)을 갠트리의 길이 방향, 즉 제 2 방향(Ⅱ)으로 직선 이동시키거나, 제 3 방향(Ⅲ)으로 직선 이동시킬 수 있다.The head moving unit 500 may be provided to the head unit 400, respectively. In the case of this embodiment, since three head units 400a, 400b and 400c are provided as examples, three head moving units 500 can also be provided corresponding to the number of heads. Alternatively, one head moving unit 500 may be provided, in which case the head unit 400 may be moved integrally but not individually. The head moving unit 500 can linearly move the head unit 400 in the longitudinal direction of the gantry, that is, in the second direction II or in the third direction III.

도 3은 도 2의 처리액 공급 유닛, 제어 유닛 및 헤드의 상호간의 관계를 보여주는 도면이다.Fig. 3 is a view showing the relationship between the processing liquid supply unit, the control unit and the head of Fig. 2; Fig.

도 2와 도 3을 참조하면, 처리액 공급 유닛(600)은 저장 탱크(610), 공급 라인(620) 및 압력 제어 라인(630)를 포함한다. 2 and 3, the treatment liquid supply unit 600 includes a storage tank 610, a supply line 620, and a pressure control line 630.

저장 탱크(610)는 헤드 유닛(400)에 공급되는 처리액이 저장된다. 처리액은 저장 탱크(610) 내부에서 일정한 수위가 유지된다. 이는 처리액의 수위가 일정하지 않으면 헤드 유닛(400)으로 이동하는 처리액의 압력이 상이하게 되고, 이로 인해 기판(S)으로 토출되는 처리액의 볼륨이 일정하지 않게 된다. 이를 방지하기 위해 처리액이 헤드 유닛(400)으로 이동되는 만큼 저장 탱크(610)로 처리액이 공급되어 처리액의 수위가 일정하게 유지될 수 있도록 한다.The storage tank 610 stores the processing liquid supplied to the head unit 400. The treatment liquid is maintained at a constant water level in the storage tank 610. If the level of the processing liquid is not constant, the pressure of the processing liquid moving to the head unit 400 is different, and thus the volume of the processing liquid discharged to the substrate S is not constant. In order to prevent this, the treatment liquid is supplied to the storage tank 610 as the treatment liquid is moved to the head unit 400 so that the level of the treatment liquid can be maintained constant.

공급 라인(620)은 저장 탱크(610)와 헤드 유닛(400)이 연결된다. 제어 유닛(700)에서 전기적 신호를 받아서 처리액이 저장 탱크(610)에서 헤드 유닛(400)으로 이동된다.The supply line 620 connects the storage tank 610 and the head unit 400. The processing liquid is moved from the storage tank 610 to the head unit 400 by receiving an electrical signal from the control unit 700.

압력 제어 라인(630)은 저장 탱크(610)와 제어 유닛(700)이 연결된다. 제어 유닛(700)의 압력 조절부(720)에서 저장 탱크(610) 내부의 압력을 공정에 따라 진공 상태로 조절하기 위해 압력 제어 라인(630)을 통해 양압과 음압을 인가하여 제어한다The pressure control line 630 is connected to the storage tank 610 and the control unit 700. The pressure control unit 720 of the control unit 700 controls the pressure inside the storage tank 610 by applying a positive pressure and a negative pressure through the pressure control line 630 in order to adjust the pressure in the vacuum state according to the process

제어 유닛(700)은 제어 보드(710), 압력 조절부(720)를 포함한다. 제어 유닛(700)은 헤드 이동 유닛(500)에 설치되어 헤드 유닛(400)으로의 액정 공급, 압력 제어 그리고 토출량 제어 등의 동작을 제어한다.The control unit 700 includes a control board 710 and a pressure regulator 720. The control unit 700 is installed in the head moving unit 500 to control operations such as liquid crystal supply to the head unit 400, pressure control, and discharge amount control.

제어 보드(710)는 헤드 유닛(400)에 전기적으로 연결되고, 헤드 유닛(400)으로 토출 제어신호를 인가한다. 헤드 유닛(400)에는 노즐들에 대응하는 수의 압전소자가 제공되며, 제어 유닛(700)의 제어 보드(710)는 압전소자들에 인가되는 전압을 제어하여 노즐들의 액적 토출량을 조절하게 된다. 제어 보드(710)는 압력 조절부(720)에 전기적으로 연결되고, 헤드 유닛(400)의 저장 탱크(610) 내부 압력을 일정하게 유지하도록 제어하기 위하여 압력 조절부(720)에 제어신호를 인가한다. 제어 보드(710)는 헤드 유닛(400)으로의 처리액 공급을 위해 처리액 공급 유닛(600)을 제어한다. The control board 710 is electrically connected to the head unit 400 and applies a discharge control signal to the head unit 400. The head unit 400 is provided with a number of piezoelectric elements corresponding to the nozzles and the control board 710 of the control unit 700 controls the voltage applied to the piezoelectric elements to adjust the droplet discharge amount of the nozzles. The control board 710 is electrically connected to the pressure regulator 720 and supplies a control signal to the pressure regulator 720 to control the internal pressure of the reservoir tank 610 of the head unit 400 to be constant do. The control board 710 controls the process liquid supply unit 600 to supply the process liquid to the head unit 400.

압력 조절부(720)는 저장 탱크(610)의 내부 압력을 일정하게 유지하도록 양압과 음압을 제어하기 위한 것으로, 제어 보드(710)에 의해 제어된다. 압력 조절부(720)는 저장 탱크(610)에 음압을 인가하여 진공 상태를 제공할 수 있다. 이때 저장 탱크(610) 내부의 처리액이 인가된 압력으로 인해 수위가 일정하게 유지되지 않을 수 있다. 압력 제어 라인(630)에서 수직 하방에 위치한 처리액의 표면은 그 압력으로 인하여 표면 수위가 상승하고, 압력 제어 라인(630)에서 멀리 위치한 저장 탱크(610) 가장자리 영역의 처리액은 상대적으로 표면 수위가 하강하여 전체적으로 수위가 일정하지 않도록 될 수 있다. 이러한 경우에 헤드 유닛(400)으로 이동하는 처리액의 압력이 상이하게 되고, 이로 인해 기판(S)으로 토출되는 처리액의 볼륨이 일정하지 않게 된다. 이를 방지하기 위한 본 발명의 실시예들은 이하에서 상세히 설명한다.The pressure regulator 720 is for controlling the positive pressure and the negative pressure to keep the internal pressure of the storage tank 610 constant, and is controlled by the control board 710. The pressure controller 720 may provide a vacuum state by applying a negative pressure to the storage tank 610. At this time, the water level may not be kept constant due to the pressure applied to the treatment liquid in the storage tank 610. The surface of the treatment liquid located vertically downward in the pressure control line 630 increases its surface level due to its pressure, and the treatment liquid in the edge region of the storage tank 610 located far from the pressure control line 630 has a relatively high surface water level. The level may fall so that the overall level is not constant. In this case, the pressures of the processing liquids moving to the head unit 400 are different, whereby the volume of the processing liquid discharged to the substrate S is not constant. Embodiments of the present invention for preventing this are described in detail below.

도 4는 도 2의 처리액 공급 유닛의 일 실시예를 보여주는 도면이다.4 is a view illustrating an embodiment of the processing liquid supply unit of FIG. 2.

도 4를 참조하면, 처리액 공급 유닛(6100)은 저장 탱크(6110), 공급 라인(6120) 및 압력 제어 라인(6130)를 포함한다. Referring to FIG. 4, the treatment liquid supply unit 6100 includes a storage tank 6110, a supply line 6120, and a pressure control line 6130.

저장 탱크(6110)는 헤드 유닛(400)에 공급되는 처리액이 저장된다. 공급 라인(6120)은 저장 탱크(6110)와 헤드 유닛(400)에 연결된다. 압력 제어 라인(6130)은 저장 탱크(6110)와 제어 유닛(700)에 연결된다.The storage tank 6110 stores the processing liquid supplied to the head unit 400. [ The supply line 6120 is connected to the storage tank 6110 and the head unit 400. The pressure control line 6130 is connected to the storage tank 6110 and the control unit 700.

일 예에 의하면, 저장 탱크(6110)의 내부 상면(6115)은 처리액의 표면과 저장 탱크의 내부 상면(6115) 사이의 수직 거리가 압력 제어 라인의 입구(6131) 부분이 다른 부분에 비해 더 높은 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 저장 탱크(6110)의 상면(6115)은 처리액의 표면과 저장 탱크의 상면 사이의 수직 거리가 압력 제어 라인의 입구(6131)에서부터 상기 저장 탱크(6110)의 가장자리 영역으로 갈수록 낮아지는 형상으로 제공될 수 있다. 이를 통해 저장 탱크(6110) 내부에서 처리액과 압력 제어 라인의 입구(6131) 사이에 충분한 공간(6150)을 확보할 수 있다.According to one example, the inner upper surface 6215 of the storage tank 6110 has a vertical distance between the surface of the treatment liquid and the inner upper surface 6115 of the storage tank, where the inlet 6131 portion of the pressure control line is more than the other portions. It can be provided in a high shape. In addition, the upper surface 6115 of the storage tank 6110 has a shape in which the vertical distance between the surface of the processing liquid and the upper surface of the storage tank is lowered from the inlet 6131 of the pressure control line to the edge region of the storage tank 6110. It may be provided as. This allows sufficient space 6150 between the treatment liquid and the inlet 6131 of the pressure control line in the storage tank 6110.

저장 탱크(6110) 내부에서 처리액과 압력 제어 라인의 입구(6131) 사이에 충분한 공간(6150)이 확보되면, 압력 제어 라인의 입구(6131)와 저장 탱크(6110) 중앙부의 처리액의 표면과의 거리(h1)와 압력 제어 라인의 입구(6131)와 저장 탱크(6110) 가장자리 영역의 처리액의 표면과의 거리(h2, h3)의 차이가 줄어들게 된다. 따라서 저장 탱크(6110) 내부의 처리액의 표면에 인가되는 압력이 처리액 표면 위치에 따른 차이가 적어지게 된다. 이로 인하여 저장 탱크(6110) 내부의 처리액의 수위 변동을 방지할 수 있다.When sufficient space 6150 is secured between the processing liquid and the inlet 6131 of the pressure control line inside the storage tank 6110, the surface of the processing liquid at the inlet 6131 of the pressure control line and the center of the storage tank 6110 is provided. The difference between the distance h1 and the distances h2 and h3 between the inlet 6131 of the pressure control line and the surface of the treatment liquid in the edge region of the storage tank 6110 is reduced. Therefore, the pressure applied to the surface of the treatment liquid inside the storage tank 6110 is reduced according to the position of the treatment liquid surface. For this reason, the fluctuation of the water level of the process liquid in the storage tank 6110 can be prevented.

도 5는 도 4의 처리액 공급 유닛의 변형예를 보여주는 도면이다.5 is a view showing a modification of the processing liquid supply unit of FIG.

도 5를 참조하면, 처리액 공급 유닛(6200)은 저장 탱크(6210), 공급 라인(6220) 및 압력 제어 라인(6230)를 포함한다. 도 4의 처리액 공급 유닛(6100)과 비교할 때 저장 탱크(6210)의 내부 상면(6215) 형상이 상이하게 제공된다.Referring to FIG. 5, the treatment liquid supply unit 6200 includes a storage tank 6210, a supply line 6220, and a pressure control line 6230. Compared to the processing liquid supply unit 6100 of FIG. 4, the shape of the inner upper surface 6215 of the storage tank 6210 is provided differently.

일 예에 의하면, 저장 탱크(6210)의 내부 상면(6215)은 처리액의 표면과 저장 탱크의 상면 사이의 수직 거리가 압력 제어 라인의 입구(6231)에서부터 상기 저장 탱크(6210)의 가장자리 영역으로 갈수록 단차지게 낮아지는 형상으로 제공될 수 있다. 이를 통해 저장 탱크(6210) 내부에서 처리액과 압력 제어 라인의 입구(6231) 사이에 충분한 공간(6250)을 확보할 수 있다.According to one example, the inner upper surface 6215 of the storage tank 6210 has a vertical distance between the surface of the processing liquid and the upper surface of the storage tank from the inlet 6321 of the pressure control line to the edge region of the storage tank 6210. It may be provided in a shape that gradually decreases step by step. This may ensure sufficient space 6250 between the processing liquid and the inlet 6321 of the pressure control line in the storage tank 6210.

저장 탱크(6210) 내부에서 처리액과 압력 제어 라인의 입구(6231) 사이에 충분한 공간(6250)이 확보되면, 압력 제어 라인의 입구(6231)와 저장 탱크(6210) 중앙부의 처리액의 표면과의 거리(h1)와 압력 제어 라인의 입구(6231)와 저장 탱크(6210) 가장자리 영역의 처리액의 표면과의 거리(h2, h3)의 차이가 줄어들게 된다. 따라서 저장 탱크(6210) 내부의 처리액의 표면에 인가되는 압력이 처리액 표면 위치에 따른 차이가 적어지게 된다. 이로 인하여 저장 탱크(6210) 내부의 처리액의 수위 변동을 방지할 수 있다.When sufficient space 6250 is secured between the processing liquid and the inlet 6321 of the pressure control line inside the storage tank 6210, the surface of the processing liquid at the inlet 6301 of the pressure control line and the center of the storage tank 6210 is provided. The difference between the distance h1 and the distance h2 and h3 between the inlet 6321 of the pressure control line and the surface of the treatment liquid in the edge region of the storage tank 6210 is reduced. Therefore, the pressure applied to the surface of the treatment liquid inside the storage tank 6210 is reduced according to the position of the treatment liquid surface. As a result, it is possible to prevent fluctuations in the water level of the processing liquid in the storage tank 6210.

다시 도 2를 참조하면, 액정 토출량 측정 유닛(800)은 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)의 액정 토출량을 측정한다. 구체적으로, 액정 토출량 측정 유닛(800)은 헤드 유닛(400a, 400b, 400c) 마다 전부의 노즐들(미도시)로부터 토출되는 액정 량을 측정한다. 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)의 액정 토출량 측정을 통해, 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)의 노즐들(미도시)의 이상 유무를 거시적으로 확인할 수 있다. 즉, 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)의 액정 토출량이 기준치를 벗어나면, 노즐들(미도시) 중 적어도 하나에 이상이 있음을 알 수 있다.Referring again to Fig. 2, the liquid crystal discharge amount measurement unit 800 measures the liquid crystal discharge amount of the head units 400a, 400b, and 400c. Specifically, the liquid crystal discharge amount measurement unit 800 measures the amount of liquid crystal discharged from all of the nozzles (not shown) for each of the head units 400a, 400b and 400c. The presence or absence of abnormalities in the nozzles (not shown) of the head units 400a, 400b and 400c can be confirmed macroscopically by measuring the liquid crystal discharge amount of the head units 400a, 400b and 400c. That is, when the liquid crystal discharge amount of the head units 400a, 400b, 400c is out of the reference value, it is found that at least one of the nozzles (not shown) is abnormal.

헤드 유닛(400a, 400b, 400c)은 갠트리 이동 유닛(300)과 헤드 이동 유닛(500)에 의해 제 1 방향(Ⅰ)과 제 2 방향(Ⅱ)으로 이동되어 액정 토출량 측정 유닛(800)의 상부에 위치할 수 있다. 헤드 이동 유닛(500)은 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)을 제 3 방향(Ⅲ)으로 이동시켜 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)과 액정 토출량 측정 유닛(800)과의 상하 방향 거리를 조절할 수 있다.The head units 400a, 400b and 400c are moved in the first direction I and the second direction II by the gantry moving unit 300 and the head moving unit 500, Lt; / RTI > The head moving unit 500 moves the head units 400a, 400b and 400c in the third direction III to adjust the vertical distance between the head units 400a, 400b and 400c and the liquid crystal discharge amount measuring unit 800 .

노즐 검사 유닛(900)은 광학 검사를 통해 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)에 제공된 개별 노즐의 이상 유무를 확인한다. 액정 토출량 측정 유닛(800)에서 거시적인 노즐의 이상 유무를 확인한 결과, 불특정의 노즐에 이상이 있는 것으로 판단된 경우, 노즐 검사 유닛(900)은 개별 노즐의 이상 유무를 확인하면서 노즐에 대한 전수 검사를 진행할 수 있다.The nozzle inspection unit 900 confirms whether or not the individual nozzles provided to the head units 400a, 400b and 400c are abnormal through the optical inspection. When the abnormality of the macroscopic nozzle is checked by the liquid crystal discharge quantity measurement unit 800 and it is judged that there is an abnormality in the unspecified nozzle, the nozzle inspection unit 900 checks the existence of abnormality of the individual nozzle, .

노즐 검사 유닛(900)은 베이스(B) 상의 기판 지지 부재(100) 일측에 배치될 수 있다. 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)은 갠트리 이동 유닛(300)과 헤드 이동 유닛(500)에 의해 제 1 방향(Ⅰ)과 제 2 방향(Ⅱ)으로 이동되어 노즐 검사 유닛(900)의 상부에 위치할 수 있다. 헤드 이동 유닛(500)은 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)을 제 3 방향(Ⅲ)으로 이동시켜 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)과 노즐 검사 유닛(900)과의 상하 방향 거리를 조절할 수 있다.The nozzle inspection unit 900 may be disposed on one side of the substrate support member 100 on the base B. [ The head units 400a, 400b and 400c are moved in the first direction I and the second direction II by the gantry moving unit 300 and the head moving unit 500, Can be located. The head moving unit 500 moves the head units 400a, 400b and 400c in the third direction III to adjust the vertical distance between the head units 400a, 400b and 400c and the nozzle inspection unit 900 have.

헤드 세정 유닛(1000)은 퍼징(Purging) 공정과 흡입(Suction) 공정을 진행한다. 퍼징(Purging) 공정은 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)의 내부에 수용된 액정의 일부를 고압으로 분사하는 공정이다. 흡입(Suction) 공정은, 퍼징(Purging) 공정 후, 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)의 노즐면에 잔류하는 액정을 흡입하여 제거하는 공정이다.The head cleaning unit 1000 performs a purging process and a suction process. The purging process is a process of injecting a part of liquid crystal housed inside the head units 400a, 400b and 400c at a high pressure. The suction process is a process of sucking and removing the liquid crystal remaining on the nozzle face of the head units 400a, 400b, and 400c after the purging process.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

10 : 액정 토출부 400 : 헤드 유닛
600 : 처리액 공급 유닛 610 : 저장 탱크
630 : 압력 제어 라인 700 : 제어 유닛
800 : 액정 토출량 측정 유닛 900 : 노즐 검사 유닛
1000 : 헤드 세정 유닛10: liquid crystal discharging part 400: head unit
600: Process liquid supply unit 610: Storage tank
630: pressure control line 700: control unit
800: liquid crystal discharge amount measurement unit 900: nozzle inspection unit
1000: Head cleaning unit

Claims (2)

기판을 지지하는 기판 지지 부재;
상기 기판 지지 부재에 지지된 상기 기판으로 처리액을 분사하는 하나 또는 복수의 헤드를 포함하는 헤드 유닛;
상기 처리액이 저장되는 저장 탱크;
상기 저장 탱크와 상기 헤드가 연결되는 공급 라인; 및
상기 저장 탱크 내부를 가압하는 제어 유닛과 상기 저장 탱크가 연결되는 압력 제어 라인;을 포함하되,
상기 저장 탱크는
상기 저장 탱크에 저장된 상기 처리액의 표면과 상기 저장 탱크의 상면 사이의 수직 거리가 상기 압력 제어 라인의 입구 부분이 다른 부분에 비해 더 높은 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.A substrate support member for supporting the substrate;
A head unit including one or a plurality of heads for jetting a treatment liquid onto the substrate supported by the substrate support member;
A storage tank in which the treatment liquid is stored;
A supply line to which the storage tank and the head are connected; And
And a pressure control line to which the control unit pressurizes the storage tank and the storage tank is connected.
The storage tank
And a vertical distance between a surface of the treatment liquid stored in the storage tank and an upper surface of the storage tank is provided in a shape where the inlet portion of the pressure control line is higher than the other portion. 제1항에 있어서,
상기 압력 제어 라인은 상기 저장 탱크의 상면 중앙부에 연결되고,
상기 저장 탱크는 상기 저장 탱크에 저장된 상기 처리액의 표면과 상기 저장 탱크의 상면 사이의 수직 거리가 상기 압력 제어 라인이 연결된 부분에서부터 상기 저장 탱크의 가장자리 영역으로 갈수록 낮아지는 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The pressure control line is connected to the upper center portion of the storage tank,
The storage tank is provided with a substrate processing apparatus in which a vertical distance between a surface of the processing liquid stored in the storage tank and an upper surface of the storage tank is lowered toward the edge region of the storage tank from a portion where the pressure control line is connected. .
KR1020120103336A 2012-09-18 2012-09-18 Chemical supplying unit and apparatus for treating substrates KR101955604B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120103336A KR101955604B1 (en) 2012-09-18 2012-09-18 Chemical supplying unit and apparatus for treating substrates

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120103336A KR101955604B1 (en) 2012-09-18 2012-09-18 Chemical supplying unit and apparatus for treating substrates

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140036784A true KR20140036784A (en) 2014-03-26
KR101955604B1 KR101955604B1 (en) 2019-03-08

Family

ID=50645959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120103336A KR101955604B1 (en) 2012-09-18 2012-09-18 Chemical supplying unit and apparatus for treating substrates

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101955604B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102256213B1 (en) 2019-07-04 2021-05-26 세메스 주식회사 Liquid supplying unit, liquid supplying method and substrate processing apparatus

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080117240A1 (en) * 2005-01-11 2008-05-22 Jemtex Ink Jet Printing Ltd. Inkjet Printer and Method of Controlling Same
KR20100042447A (en) * 2008-10-16 2010-04-26 주식회사 엘지화학 Ink reservoir for ink jet printing and ink printing apparatus comprising the same
US20100231641A1 (en) * 2009-03-10 2010-09-16 Canon Kabushiki Kaisha Liquid ejection apparatus and control method thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080117240A1 (en) * 2005-01-11 2008-05-22 Jemtex Ink Jet Printing Ltd. Inkjet Printer and Method of Controlling Same
KR20100042447A (en) * 2008-10-16 2010-04-26 주식회사 엘지화학 Ink reservoir for ink jet printing and ink printing apparatus comprising the same
US20100231641A1 (en) * 2009-03-10 2010-09-16 Canon Kabushiki Kaisha Liquid ejection apparatus and control method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR101955604B1 (en) 2019-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101713688B1 (en) Apparatus fdr treating substrates
KR101430742B1 (en) Apparatus of discharging treating fluid
KR20160083420A (en) Apparatus and method for treating substrate, and discharge rate measuring unit
KR101968536B1 (en) Chemical supplying unit apparatus for treating substrates with the unit
KR101955604B1 (en) Chemical supplying unit and apparatus for treating substrates
KR101430743B1 (en) Unit and method of measuring discharging quantity of liquid crystal and apparatus fdr treating substrates
KR101955608B1 (en) Chemical supplying unit and apparatus fdr treating substrates with the unit
KR101955598B1 (en) Apparatus and method fdr treating substrates
KR20160040372A (en) Unit of measuring quantity of liquid crystal and apparatus of dispensing liquid crystal with the same
KR101495283B1 (en) Head cleaning unit, treating fluid discharging apparatus with the unit and head cleanig method
KR101096123B1 (en) Apparatus of dispensing liquid crystal
KR102232668B1 (en) Chemical discharging unit, Apparatus and Method for treating substrate with the unit
KR101768462B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101688958B1 (en) Head assembly and Apparatus for treating substrate with the assembly
KR102218378B1 (en) Apparatus fdr treating substrates
KR101755212B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102063112B1 (en) Chemical discharging unit and Apparatus for treating substrate with the unit
KR101668370B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102323321B1 (en) Head assembly and Apparatus for treating substrate with the assembly
KR20110002679A (en) Chemical supplyer and chemical coating apparatus with it
KR102068977B1 (en) Unit for supplying chemical, Apparatus and Method for treating substrate
KR20160083419A (en) Apparatus and method for treating substrate, and discharge rate measuring unit
KR20230049802A (en) Apparatus and method for measuring droplet discharge volume
KR20160025692A (en) Unit of measuring quantity of liquid crystal and apparatus of dispensing liquid crystal with the same
KR102218380B1 (en) Apparatus for treating a subtrate and the cleaning method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right