KR20140034711A - 이형고리 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 신규한 이형고리 화합물 및 이를 발광물질로 포함하는 유기전계 발광소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 구동전압, 발광효율, 수명 등의 발광특성이 우수한 이형고리 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자에 관한 것이다. 본 발명의 이형고리 화합물은 기존의 물질에 비하여 안정적이고, 구동전압, 전류 효율 및 수명 등에 있어서 우수한 발광 특성을 가지므로 이를 포함하는 유기전계발광소자는 보다 안정적으로 저전압 구동이 가능하고, 발광효율을 개선시킬 수 있다.
Description
본 발명은 신규한 이형고리 화합물 및 이를 발광물질로 포함하는 유기전계 발광소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 구동전압, 발광효율 및 수명 등의 발광특성이 우수한 이형고리 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
최근 자체 발광형으로 저전압 구동이 가능한 유기전계발광소자는 평판 표시소자의 주류인 액정디스플레이(LCD, liguid crystal display)에 비해, 시야각, 대조비 등이 우수하고 백라이트가 불필요하며 경량 및 박형이 가능하며 소비전력 측면에서도 유리하고 색 재현 범위가 넓어 차세대 표시소자로서 주목받고 있다.
유기전계발광소자(organic light emitting diodes, OLED)는 전자 주입 전극(음극)과 정공 주입 전극(양극) 사이에 형성된 유기 발광층에 전하를 주입하면 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내는 소자이다. 유기전계발광소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기전계발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자전달층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기전계발광소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
유기전계발광소자는 플라스틱과 같은 휠 수 있는(flexible) 투명 기판 위에도 소자를 형성할 수 있을 뿐 아니라, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)이나 무기 전계 발광(EL) 디스플레이에 비해 10V이하의 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 전력 소모가 비교적 적으며, 색감이 뛰어나다는 장점이 있다. 또한, 유기전계발광소자는 녹색, 청색, 적색의 3가지 색을 나타낼 수가 있어 차세대 풍부한 색 디스플레이 소자로 많은 사람들의 많은 관심의 대상이 되고 있다.
이와 같은 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기전계발광소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이다. 따라서, 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
따라서, 본 발명은 유기전계발광소자 내의 유기물층에 채용시 구동전압, 발광효율, 수명 등의 발광 특성에 있어서 종래 인광발광 물질에 비하여 보다 향상된 것을 특징으로 하는 신규한 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자를 제공하고자 한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여, 하기 [화학식 1]로 표시되는 이형고리 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
또한, 본 발명은 애노드, 캐소드 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재되며, 상기 화학식 1로 표시되는 이형고리 화합물을 포함하는 층을 구비한 유기전계발광소자를 제공한다.
상기 [화학식 1]에 따른 이형고리 화합물의 구조 및 치환기에 대해서는 후술한다.
본 발명에 따른 이형고리 화합물은 기존의 물질에 비하여 구동전압, 발광 효율 및 수명 등에 있어서 우수한 발광 특성을 가지므로 이를 포함하는 유기전계발광소자는 보다 안정적으로 저전압 구동이 가능하고, 발광효율을 개선시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 일 실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략도이다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명은 유기전계발광소자의 구동전압, 전류효율 등의 발광 특성을 개선한 발광층 호스트 물질로서, 하기 [화학식 1]로 표시되는 이형고리 화합물에 대하여 A1 내지 A5 및 다양한 치환기가 결합된 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 [화학식 1]에서,
A1 내지 A8은 각각 독립적으로 -CL이고, 인접한 두 개의 A는 L과 서로 결합하여 적어도 하나 이상의 축합 고리를 형성할 수 있으며, 상기 L은 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴기, 
또는 
일 수 있다.
Y1, Y2 및 Z는 각각 독립적으로 -CR1R2, -NR3-, -NR4R5-, -O-, -S- 및 -SiR6R7중에서 선택될 수 있다.
X1 내지 X7은 서로 동일하거나 상이하며 각각 독립적으로 
, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 40의 알키닐기, -SiR1R2R3 및 -NR4R5로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있으며, 상기 X1 내지 X7이 각각 독립적으로 -NR4R5인 경우, 상기 R4와 R5는 서로 결합하여 탄소수 6 내지 30의 고리를 형성할 수 있다.
R1 내지 R7은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기. 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 50의 아릴실릴기 중에서 선택될 수 있다.
L1은 단일결합 또는 2가의 연결기로서, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐렌기, 치환 도는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 40의 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
n 는 0 내지 3의 정수이고, m은 0 내지 2의 정수이고, 상기 m 이 2 이상인 경우 복수의 L1은 각각 동일하거나 상이하고, p는 0 내지 3의 정수이다.
또한, 상기 R1 내지 R7, Ar 및 L1은 각각 독립적으로 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 탄소수 1 내지 20의 알키닐기, 탄소수 1 내지 20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 5 내지 24의 아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 5 내지 24의 아릴옥시기, 탄소수 1 내지 20의 알킬실릴기, 탄소수 5 내지 24의 아릴실릴기, 탄소수 1 내지 20의 알킬아민기 및 탄소수 6 내지 24의 아릴아민기 중에서 선택되는 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있고, 상기 치환기는 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다.
상기 '치환 또는 비치환된'에서의 '치환'은 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 탄소수 1 내지 20의 알키닐기, 탄소수 1 내지 20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 5 내지 24의 아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 5 내지 24의 아릴옥시기, 탄소수 1 내지 20의 알킬실릴기, 탄소수 5 내지 24의 아릴실릴기, 탄소수 1 내지 20의 알킬아민기 및 탄소수 6 내지 24의 아릴아민기 중에서 선택되는 하나 이상의 치환기로 더 치환되는 것을 의미하는 것으로서, 상기 치환기는 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다.
또한, 상기 '치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기', '치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 50의 아릴기' 등에서의 상기 알킬기 또는 아릴기의 탄소수 범위는 상기 치환기가 치환된 부분을 고려하지 않고 비치환된 것으로 보았을 때의 알킬 부분 또는 아릴 부분을 구성하는 전체 탄소수를 의미하는 것이다. 예컨대, 파라위치에 부틸기가 치환된 페닐기는 탄소수 4의 부틸기로 치환된 탄소수 6의 아릴기에 해당하는 것을 의미한다.
한편 본 발명에 따른 유기발광 화합물에 포함된 아릴기는 하나의 수소 제거에 의해서 방향족 탄화수소로부터 유도된 유기 라디칼로서, 5 내지 7원, 바람직하게는 5 또는 6원을 포함하는 단일 또는 융합 고리계를 포함하며, 또한 상기 아릴기에 치환기가 있는 경우 이웃하는 치환기와 서로 융합 (fused)되어 고리를 추가로 형성할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 치환기인 아릴기는 하나의 수소 제거에 의해서 방향족 탄화수소로부터 유도된 유기 라디칼로, 5 내지 7원, 바람직하게는 5 또는 6원을 포함하는 단일 또는 융합고리계를 포함하며, 또한 상기 아릴기에 치환기가 있는 경우 이웃하는 치환기와 서로 융합 (fused)되어 고리를 추가로 형성할 수 있다.
상기 아릴기의 구체적인 예로 페닐기, 2-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 4-에틸페닐기, o-비페닐기, m-비페닐기, p-비페닐기, 4-메틸비페닐기, 4-에틸비페닐기, o-터페닐기, m-터페닐기, p-터페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-메틸나프틸기, 2-메틸나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 피레닐기, 인데닐, 플루오레닐기, 테트라히드로나프틸기, 피렌일, 페릴렌일, 크라이세닐, 나프타세닐, 플루오란텐일 등과 같은 방향족 그룹을 들 수 있다.
상기 아릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 실릴기, 아미노기 (-NH2, -NH(R), -N(R')(R"), R'과 R"은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기이며, 이 경우 "알킬아미노기"라 함), 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실기, 술폰산기, 인산기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알케닐기, 탄소수 1 내지 24의 알키닐기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기 또는 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기로 치환될 수 있다.
본 발명에서 사용되는 치환기인 헤테로아릴기는 하기 [구조식 1] 내지 [구조식 6] 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
[구조식 1] [구조식 2] [구조식 3]
[구조식 4] [구조식 5] [구조식 6]
상기 [구조식 1] 내지 [구조식 6]에서,
T1 내지 T8은 서로 동일하거나 상이하며 각각 독립적으로, C(R41), C(R42)(R43), N, N(R44), O 및 S 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있고, 상기 R31 내지 R44은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴기 및 치환 또는 비치환되고 이종 원자로 O, N, S 또는 P를 갖는 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있으며, 상기 각각의 [구조식 1] 내지 [구조식 6]에서 상기 R31 내지 R44 중 하나는 상기 [화학식 1]의 치환기와 단일결합을 이룰 수 있다.
또한, 상기 [구조식 3]은 전자의 이동에 따른 공명구조에 의해 하기 [구조식 3-1]로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[구조식 3-1]
상기 [구조식 3-1]에서, T1 내지 T5와 R33 및 R34는 앞서 정의한 바와 동일하다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 [구조식 1] 내지 [구조식 6]은 하기 [구조식 7] 중에서 선택될 수 있다.
[구조식 7]
상기 [구조식 7]에서,
X는 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴기, 치환 도는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 도는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 도는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 대의 아릴기, 치환 또는 비치환되고 이종원자로 O, N, S 또는 P를 갖는 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나이고, m 은 1 내지 11의 정수이며, m이 2 이상인 경우 복수 개의 X는 서로 동일하거나 상이하고, 상기 하나 이상의 X 중 어느 하나는 상기 [화학식 1]의 치환기와 단일결합을 이룰 수 있다.
본 발명에서 사용되는 치환기인 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소 프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, iso-아밀기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 스테아릴기, 트리클로로메틸기, 트리플루오르메틸기 등을 들 수 있으며, 상기 알킬기 중 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 실릴기(이 경우 "알킬실릴기"라 함), 치환 또는 비치환된 아미노기(-NH2, -NH(R), -N(R')(R"), 여기서 R, R' 및 R"은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 24의 알킬기임(이 경우 "알킬아미노기"라 함)), 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실기, 술폰산기, 인산기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 2 내지 24의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 5 내지 24의 아릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 3 내지 24의 헤테로아릴기 또는 탄소수 3 내지 24의 헤테로아릴알킬기로 치환될 수 있다.
본 발명에서 사용되는 치환기인 알콕시기의 구체적인 예로는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소부틸옥시기, sec-부틸옥시기, 펜틸옥시기, iso-아밀옥시기, 헥실옥시기 등을 들 수 있으며, 상기 알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 할로겐기의 구체적인 예로는 플루오르(F), 클로린(Cl), 브롬(Br) 등을 들 수 있다.
본 발명에 사용되는 치환기인 아릴옥시기는 -O- 아릴 라디칼을 의미하며, 이때 아릴기는 상기에서 정의된 바와 같고, 구체적인 예로서 페녹시, 나프톡시, 안트라세닐옥시, 페난트레닐옥시, 플루오레닐옥시, 인데닐옥시 등을 들 수 있고, 아릴옥시기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 추가로 치환가능하다.
본 발명에 사용되는 치환기인 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴, 트리에틸실릴, 트리페닐실릴, 트리메톡시실릴, 디메톡시페닐실릴, 디페닐메틸실릴, 디페닐비닐실릴, 메틸사이클로뷰틸실릴, 디메틸퓨릴실릴 등을 들 수 있다.
본 발명에 사용되는 알케닐기의 구체적인 예로는 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기를 나타내고, 3-펜테닐기, 4-헥세닐기, 5-헵테닐기, 4-메틸-3-펜테닐기, 2,4-디메틸-펜테닐기, 6-메틸-5-헵테닐기, 2,6-디메틸-5-헵테닐기 등을 들 수 있다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 상기 [화학식 1]에 따른 이형고리 화합물에 대한 구체적인 예에 의해서 본 발명이 제한되는 것은 아니지만, 구체적으로 하기 [화학식 2] 내지 [화학식 125]로 표시되는 화합물 중 어느 하나일 수 있다.
[화학식 110] [화학식 111] [화학식 112] [화학식 113]
[화학식 114] [화학식 115] [화학식 116] [화학식 117]
[화학식 118] [화학식 119] [화학식 120] [화학식 121]
[화학식 122] [화학식 123] [화학식 124] [화학식 125]
또한, 본 발명애노드, 캐소드, 상기 애노드 및 캐소드 사이에 개재되며, 상기 [화학식 1]로 표시되는 이형고리 화합물을 포함하는 층을 구비한 유기전계발광소자를 제공한다.
이때, 상기 이형고리 화합물이 포함된 층은 상기 애노드 및 캐소드 사이의 발광층인 것이 바람직하며, 애노드 및 캐소드 사이에는 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 발광층의 두께는 50 내지 2,000 Å인 것이 바람직하며, 상기 발광층은 하기 구조식의 물질을 추가로 포함할 수 있다.
[Ir(ppy)3]
[Ir(chpy)3]
[Ir(mchpy)3]
구체적인 예로서, 정공수송층(HTL, Hole Transport Layer)이 추가로 적층되어 있고, 상기 캐소드와 상기 유기발광층 사이에 전자수송층(ETL, Electron Trans port Layer)이 추가로 적층되어 있는 것일 수 있는데, 상기 정공수송층은 애노드로부터 정공을 주입하기 쉽게 하기 위하여 적층되는 것으로서, 상기 정공수송층의 재료로는 이온화 포텐셜이 작은 전자공여성 분자가 사용되는데, 주로 트리페닐아민을 기본 골격으로 하는 디아민, 트리아민 또는 테트라아민 유도체가 많이 사용되고 있다.
본 발명에서도 상기 정공수송층의 재료로서 당업계에 통상적으로 사용되는 것인 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐 -[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD) 또는 N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지 딘(a-NPD) 등을 사용할 수 있다.
상기 정공수송층의 하부에는 정공주입층(HIL, Hole Injecting Layer)을 추가로 더 적층할 수 있는데, 상기 정공주입층 재료 역시 당업계에서 통상적으로 사용되는 것인 한 특별히 제한되지 않고 사용할 수 있으며, 예를 들어 CuPc(copper phthalocyanine) 또는 스타버스트(Starburst)형 아민류인 TCTA (4,4',4''-tri(N -carbazolyl) triphenyl-amine), m-MTDATA(4,4',4''-tris-(3-methyl phenylphenylamino)triphenylamine) 등을 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기전계발광소자에 사용되는 상기 전자수송층은 캐소드로부터 공급된 전자를 유기발광층으로 원활히 수송하고 상기 유기발광층에서 결합하지 못한 정공의 이동을 억제함으로써 발광층 내에서 재결합할 수 있는 기회를 증가시키는 역할을 한다.
상기 전자수송층 재료로는 당 기술분야에서 통상적으로 사용되는 것이면 특별히 제한되지 않고 사용할 수 있음은 물론이며, 예를 들어 옥사디아졸 유도체인 PBD, BMD, BND 또는 Alq3 등을 사용할 수 있다.
한편, 상기 전자수송층의 상부에는 캐소드로부터의 전자 주입을 용이하게 해주어 궁극적으로 파워효율을 개선 시키는 기능을 수행하는 전자주입층(EIL, Electron Injecting Layer)을 더 적층시킬 수도 있는데, 상기 전자주입층 재료 역시 당 기술분야에서 통상적으로 사용되는 것이면 특별한 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들어, LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등의 물질을 이용할 수 있다.
본 발명에 따른 유기전계발광소자는 표시소자, 디스플레이 소자 및 단색 또는 백색 조명용 소자 등에 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 유기전계발광소자의 구조를 나타내는 단면도이다. 본 발명에 따른 유기전계발광소자는 애노드(20), 정공수송층(40), 유기발광층(50), 전자수송층(60) 및 캐소드(80)을 포함하며, 필요에 따라 정공주입층(30)과 전자주입층(70)을 더 포함할 수 있으며, 그 이외에도 1층 또는 2층의 중간층을 더 형성하는 것도 가능하며, 정공저지층 또는 전자저지층을 더 형성시킬 수도 있다.
도 1을 참조하여 본 발명의 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 대하여 살펴보면 다음과 같다. 먼저 기판(10) 상부에 애노드 전극용 물질을 코팅하여 애노드(20)를 형성한다. 여기에서 기판(10)으로는 통상적인 유기 EL 소자에서 사용되는 기판을 사용하는데 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유기 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 그리고, 애노드 전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 사용한다.
상기 애노드(20) 전극 상부에 정공 주입층 물질을 진공열 증착, 또는 스핀 코팅하여 정공주입층(30)을 형성한다. 그 다음으로 상기 정공주입층(30)의 상부에 정공수송층 물질을 진공 열증착 또는 스핀 코팅하여 정공수송층(40)을 형성한다.
이어서, 상기 정공수송층(40)의 상부에 유기발광층(50)을 적층하고 상기 유기발광층(50)의 상부에 선택적으로 정공저지층(미도시)을 진공 증착 방법, 또는 스핀 코팅 방법으로서 박막을 형성할 수 있다. 상기 정공저지층은 정공이 유기발광층을 통과하여 캐소드로 유입되는 경우에는 소자의 수명과 효율이 감소되기 때문에 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 레벨이 매우 낮은 물질을 사용함으로써 이러한 문제를 방지하는 역할을 한다. 이 때, 사용되는 정공 저지 물질은 특별히 제한되지는 않으나 전자수송능력을 가지면서 발광 화합물보다 높은 이온화 포텐셜을 가져야 하며 대표적으로 BAlq, BCP, TPBI 등이 사용될 수 있다.
이러한 정공저지층 위에 전자수송층(60)을 진공 증착 방법, 또는 스핀 코팅 방법을 통해 증착한 후에 전자주입층(70)을 형성하고 상기 전자주입층(70)의 상부에 캐소드 형성용 금속을 진공 열증착하여 캐소드(80) 전극을 형성함으로써 유기 EL 소자가 완성된다. 여기에서 캐소드 형성용 금속으로는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리듐(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘 -은(Mg-Ag) 등을 사용할 수 있으며, 전면 발광 소자를 얻기 위해서는 ITO, IZO를 사용한 투과형 캐소드를 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일실시예에 의하면, 상기 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로부터 선택된 하나 이상의 층은 단분자 증착방식 또는 용액공정에 의하여 형성될 수 있으며, 본 발명에 따른 유기전계발광소자는 표시소자, 디스플레이 소자 및 단색 또는 백색 조명용 소자에 사용될 수 있다.
이하, 바람직한 제조예 및 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
단, 하기 제조예 및 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 하기 제조예 및 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
제조예
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제조예
1> 화학식 10으로 표시되는 화합물의 제조
단계 1: 화학식 1-a로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 1에 나타낸 바와 같이, 화학식 1-a로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 1]
둥근 바닥 플라스크에 100 g(0.55mol) 9,10-디하이드로페난트렌, 니트로벤젠 800 ㎖, 물 200 ㎖를 첨가한 후, 39 g(0.38mol) 브로민화 나트륨, 24 g(0.16mol) 브롬산 나트륨을 첨가하였다. 0 ℃를 유지시켜주면서 황산 110 g을 5시간 동안 첨가하였다. 상온으로 온도를 올려준 후 2시간 동안 교반 하였다. 물과 디클로로메탄으로 추출하여 유기층을 감압농축 하였다. 컬럼크로마토그래피로 분리하여 화학식 1-a로 표시되는 중간체 화합물(47 g, 수율 33%)을 수득하였다.
단계 2: 화학식 1-b로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 2에 나타낸 바와 같이, 중간체 화학식 1-b로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 2]
테트라하이드로퓨란 250 ㎖가 들어 있는 둥근 바닥 플라스크에 중간체 화학식 1-a로 표시되는 중간체 화합물 45 g(174 mmol)을 넣어준 후 질소 분위기 하에서 온도를 -78 ℃로 조절하였다. 30분 후 노르말 부틸리튬 119 ㎖(191 mmol)을 천천히 적가한 다음, 1시간 후 요오드 48.5 g(191 mmol)을 천천히 적가하고, 상온까지 승온하였다. 상온에서 약 2 시간 정도 교반한 후, 싸이오황산나트륨 수용액을 첨가하였다. 추출하여 유기층을 모아 감압 증류하였다. 헥산으로 재결정하여 생성된 고체를 여과 후 건조한 결과, 화학식 1-b로 표시되는 중간체 화합물(51 g, 수율 96%)을 수득하였다.
단계 3: 화학식 1-c로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 3에 나타낸 바와 같이, 중간체 화학식 1-c로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 3]
둥근 바닥 플라스크에 2-브로모 아닐린 28.1 g(163 mmol), 중간체 화학식 1-b로 표시되는 중간체 화합물 50 g(163 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 2.2 g(2 mmol), 1,1`-비스(디페닐포스피노)페로센 1.4 g(2 mmol), 소듐 터셔리 부톡사이드 31.4 g(327 mmol)과 톨루엔 500 ㎖를 투입 후 24시간 환류하였다. 상온으로 온도를 조절한 후, 필터하여 여액을 농축하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 중간체 화학식 1-c로 표시되는 중간체 화합물(37 g, 수율 65%)을 수득하였다.
단계 4: 화학식 1-d로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 4에 나타낸 바와 같이, 중간체 화학식 1-d로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 4]
둥근 바닥 플라스크에 중간체 화학식 1-c로 표시되는 중간체 화합물 35 g(100 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐{Pd(PPh3)4} 2.3 g(1 mmol), 아세트산 칼륨 11.8 g(41 mmol), 다이메틸폼아마이드 350 ㎖를 투입하고 150 ℃에서 24시간 동안 교반 하였다. 반응 종결 후 반응물을 추출하여 유기층을 감압 농축 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리한 후,하였다. 헥산으로 재결정하여 건조한 결과, 흰색 고체인 중간체 화학식 1-d로 표시되는 중간체 화합물(7 g, 수율 26%) 및 화학식 3-a로 표시되는 중간체 화합물(5 g, 수율 25%)을 수득하였다.
단계 5: 화학식 1-e로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 5에 나타낸 바와 같이, 화학식 1-e로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 5]
둥근 바닥 플라스크에 마그네슘 24.3 g(935 mmol), 요오드 1 g, 테트라하이드로퓨란 150 ㎖를 첨가하고 녹인 후 브로모벤젠 155.3 g(985 mmol) 을 넣어준 후 2시간 동안 환류하여 용액 1을 준비하였다. 1 L의 둥근 바닥 플라스크에 2,4,6-트리클로로트리아진 70 g(380 mmol)을 테트라하이드로퓨란 300 ㎖에 녹인 후 10 ℃로 냉각한 후 용액 1을 1시간 동안 천천히 넣어준 후 4시간 동안 환류하였다. 반응종료 후 고체를 걸러낸 후 여액을 감압증류 한 후 헥산으로 재결정하여 화학식 1-e로 표시되는 중간체 화합물로 표시되는 중간체 화합물(46.1 g, 수율 45%)을 수득하였다.
단계 6: 화학식 10으로 표시되는 화합물의 제조
하기 반응식 6에 나타낸 바와 같이, 화학식 10으로 표시되는 화합물을 제조하였다.
[반응식 6]
반응용기에 화학식 1-d로 표시되는 중간체 화합물로 표시되는 중간체 화합물 5 g(19 mmol)과 다이메틸포름아마이드 100 ㎖를 첨가하고 교반한 후 60% 수소화 나트륨 0.89 g(22 mmol)을 첨가하고 1시간 동안 교반하였다. 화학식 1-e로 표시되는 중간체 화합물 6.5 g(24 mmol)을 다이메틸포름아마이드 20 ㎖에 녹인 후 반응액에 1시간 동안 넣어준 후 2시간 교반하였다. 반응이 종결 후, 물을 첨가하여 생성된 고체를 필터 후 테트라하이드로퓨란에 녹여 메탄올로 수차례 재결정하여 건조한 결과, 화학식 10으로 표시되는 화합물(4.6 g,수율 49.5%)을 수득하였다.
MS[M+1] : 501
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제조예
2> 화학식 11로 표시되는 화합물의 제조
단계 1: 화학식 2-a로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 7에 나타낸 바와 같이, 화학식 2-a로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 7]
2,4,6-트리클로로트리아진 20.0 g(109 mmol), 2-브로모벤젠 17.1 g(109 mmol) 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 2.5 g(2.2 mmol), 탄산칼륨 30.1 g(218 mmol)을 테트라히드라퓨란 600 ㎖와 톨루엔 400 ㎖, 증류수 400 ㎖의 혼합용매에 첨가하고 9시간 동안 교반, 환류하였다.
반응이 종결 후, 추출 후 유기층을 염화나트륨 포화수용액으로 세정하고, 무수 황산나트륨으로 건조하였다. 유기용매를 감압 하에서 증류하여 제거한 후, 메틸렌클로라이드와 헥산으로 재결정하여 화학식 2-a로 표시되는 중간체 화합물(20.7 g, 수율 84 %)을 수득하였다.
단계 2: 화학식 2-b로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 8에 나타낸 바와 같이, 화학식 2-b로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 8]
상기 반응식 7로부터 얻은 화학식 2-a로 표시되는 중간체 화합물 20.7 g(91.56 mmol), 디벤조싸이오펜-4-보론산 20.9 g(91.56 mmol) 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 2.1 g(1.8 mmol), 탄산칼륨 25.3 g(183.1 mmol)을 테트라히드라퓨란 600 ㎖와 톨루엔 400 ㎖, 증류수 400 ㎖의 혼합용매에 첨가하고 12시간 동안 교반, 환류하였다.
반응이 종결 후, 추출 후 유기층을 염화나트륨 포화수용액으로 세정하고, 무수 황산나트륨으로 건조하였다. 유기용매를 감압 하에서 증류하여 제거한 후, 메틸렌클로라이드와 헥산으로 재결정하여 화학식 2-b로 표시되는 중간체 화합물 23.6 g을 수득하였다.(수율 69 %)
단계 3: 화학식 11로 표시되는 화합물의 제조
상기 반응식 6에서 중간체 화학식 1-e로 표시되는 중간체 화합물을 사용하는 대신 화학식 2-b로 표시되는 중간체 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법을 수행하여 화학식 11로 표시되는 화합물(3.4 g, 수율 37%)을 수득하였다.
MS[M+1] : 607
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제조예
3> 화학식 16으로 표시되는 화합물의 제조
단계 1: 화학식 3-b로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 9에 나타낸 바와 같이, 화학식 3-b로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 9]
반응식 8에서 디벤조싸이오펜-4-보론산 대신 9-페닐카바졸-3-보론산을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법을 수행하여 화학식 3-b로 표시되는 중간체 화합물을 수득하였다.
단계 2: 화학식 16으로 표시되는 화합물의 제조
상기 반응식 6에서 중간체 화학식 1-d로 표시되는 중간체 화합물 및 중간체 화학식 1-e로 표시되는 중간체 화합물을 사용하는 대신 화학식 3-a로 표시되는 중간체 화합물 및 화학식 3-b로 표시되는 중간체 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법을 수행하여 화학식 16으로 표시되는 화합물(3.3 g, 수율 41%)을 수득하였다.
MS[M+1] : 666
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제조예
4> 화학식 17로 표시되는 화합물의 제조
단계 1: 화학식 4-a로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 10에 나타낸 바와 같이, 화학식 4-a로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 10]
2,4,6-트리클로로피리미딘 20.0 g(109 mmol), 2-브로모벤젠74.6 g(218 mmol) 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 6.3 g(5.5 mmol), 탄산칼륨 60.3 g(436 mmol)을 테트라하이드라퓨란 600 ㎖와 톨루엔 400 ㎖, 증류수 400 ㎖의 혼합용매에 첨가하고 9시간 동안 환류하였다.
반응이 종결 후, 추출 후 유기층을 염화나트륨 포화수용액으로 세정하고, 무수 황산나트륨으로 건조하였다. 유기용매를 감압 증류하여 제거한 후, 메틸렌클로라이드와 헥산으로 재결정하여 화학식 4-a로 표시되는 중간체 화합물(14 g, 수율 52%)을 수득하였다.
단계 2: 화학식 4-b로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 11에 나타낸 바와 같이, 화학식 4-b로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 11]
상기 반응식 8에서 ~을 사용하는 대신 ~을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 수행하여 화학식 4-b로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
단계 3: 화학식 17로 표시되는 화합물의 제조
하기 반응식 12에 나타낸 바와 같이, 화학식 17로 표시되는 화합물을 제조하였다.
[반응식 12]
1,2-디클로로벤젠 100 ㎖가 들어있는 반응용기에 화학식 3-a로 표시되는 중간체 화합물 5 g(19 mmol), 화학식 4-b로 표시되는 중간체 화합물 10.8 g(0.28mol), 구리분말 3.5 g(56 mmol), 18-크라운-6 에테르 1 g(4 mmol), 탄산칼륨 12.8 g(93 mmol)넣어 준 후 밤새 환류하였다. 반응이 종결 후, 필터 후 여액을 농축하였다. 테트라하이드로퓨란과 메탄올로 재결정을 수차례 반복하여 화학식 17로 표시되는 화합물(3.2 g, 수율 29.9%)을 수득하였다.
MS[M+1] : 576
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제조예
5> 화학식 38로 표시되는 화합물의 제조
단계 1: 화학식 5-a로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 13에 나타낸 바와 같이, 화학식 5-a로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 13]
둥근 바닥 플라스크에 100 g(0.55 mmol) 9,10-디하이드로페난트렌과 트리메틸포스페이트 600 ㎖를 첨가하였다. 브로민 61.3 ㎖(1.19 mol)을 트리메틸포스페이트 400 ㎖로 희석시킨 용액을 천천히 적가 후 밤새 교반 하였다. 추출 후 디클로로메탄으로 재결정하여 화학식 5-a로 표시되는 화합물(83 g, 수율 44.8)을 수득하였다.
단계 2: 화학식 5-b로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 14에 나타낸 바와 같이, 화학식 5-b로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 14]
반응식 3에서 중간체 화학식 1-b로 표시되는 중간체 화합물을 사용하는 대신화학식 5-a로 표시되는 중간체 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법을 수행하여 화학식 5-b로 표시되는 중간체 화합물을 수득하였다.
단계 3: 화학식 5-c로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 15에 나타낸 바와 같이, 화학식 5-c로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 15]
반응식 4에서 중간체 화학식 1-c로 표시되는 중간체 화합물을 사용하는 대신 화학식 5-b로 표시되는 중간체 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법을 수행하여 화학식 5-c로 표시되는 중간체 화합물을 수득하였다.
단계 4: 화학식 5-d로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 16에 나타낸 바와 같이, 화학식 5-d로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 16]
반응식 12에서 화학식 3-a로 표시되는 중간체 화합물 및 화학식 4-b로 표시되는 중간체 화합물을 사용하는 대신 화학식 5-c로 표시되는 중간체 화합물 및 아이오도벤젠을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법을 수행하여 화학식 5-d로 표시되는 중간체 화합물을 수득하였다.
단계 5: 화학식 5-e로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 17에 나타낸 바와 같이, 화학식 5-e로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 17]
반응식 3에서 중간체 화학식 1-b로 표시되는 중간체 화합물 대신 화학식 5-d로 표시되는 중간체 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법을 수행하여 화학식 5-e로 표시되는 중간체 화합물을 수득하였다.
단계 6: 화학식 5-f로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 18에 나타낸 바와 같이, 화학식 5-f로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 18]
반응식 4에서 중간체 화학식 1-c로 표시되는 중간체 화합물 대신 화학식 5-e로 표시되는 중간체 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법을 수행하여 화학식 5-f로 표시되는 중간체 화합물을 수득하였다.
단계 7: 화학식 38로 표시되는 화합물의 제조
상기 반응식 6에서 중간체 화학식 1-d로 표시되는 중간체 화합물 대신 화학식 5-f로 표시되는 중간체 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법을 수행하여 화학식 38로 표시되는 화합물(2.7 g, 수율 28%)을 수득하였다.
MS[M+1] : 666
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제조예
6> 화학식 39로 표시되는 화합물의 제조
상기 반응식 6에서 중간체 화학식 1-d로 표시되는 중간체 화합물 대신 화학식 5-g로 표시되는 중간체 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법을 수행하여 화학식 39로 표시되는 화합물(1.9 g, 수율 17%)을 수득하였다.
MS[M+1] : 666
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제조예
7> 화학식 56으로 표시되는 화합물의 제조
단계 1: 화학식 7-a로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 19에 나타낸 바와 같이, 중간체 7-a로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 19]
둥근 바닥플라스크에 2-(2-아미노페닐)-2-프로판올(24.9 g, 165 mmol), 화학식 5-d로 표시되는 중간체 화합물(58.6 g, 138 mmol), 팔라듐 아세테이트(0.62 g, 2.8 mmol), 잔트포스(3.19 g, 5.51 mmol), 탄산세슘(63 g, 193 mmol), 톨루엔 600 ㎖을 첨가하고 밤새 환류하였다. 반응이 끝나면 상온으로 냉각시켜 여과하고 톨루엔을 감압 농축하여 용매를 제거하고 상기 농축액을 디클로로메탄과 헥산을 전개용매로 사용하여 컬럼크로마토그래피를 한 결과 중간체 7-a로 표시되는 중간체 화합물 31 g(수율 45.4%)을 수득하였다.
단계 2: 화학식 7-b로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 20에 나타낸 바와 같이, 중간체 7-b로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 20]
둥근 바닥 플라스크에 반응식 19로부터 얻은 중간체 7-a로 표시되는 중간체 화합물(20 g, 40 mmol)을 인산 200 ㎖와 함께 6시간 동안 반응하였다. 반응종료 후 반응액을 과량의 물에 붓고 고체를 생성한 후 걸러내어 중간체 7-b로 표시되는 중간체 화합물 13 g(수율 67.4%)을 수득하였다.
단계 3: 화학식 56으로 표시되는 화합물의 제조
상기 반응식 6에서 중간체 화학식 1-d로 표시되는 중간체 화합물 대신 중간체 7-b로 표시되는 중간체 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법을 수행하여 화학식 56으로 표시되는 화합물(2.7 g, 수율 35%)을 수득하였다.
MS[M+1] : 708
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제조예
8> 화학식 70으로 표시되는 화합물의 제조
단계 1: 화학식 8-a로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 21에 나타낸 바와 같이, 화학식 8-a로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 21]
화학식 5-c로 표시되는 중간체 화합물 24 g(69 mmol)을 톨루엔 250 ㎖에 녹인 후, 비스피나콜라토다이보론 19.4 g(76 mmol), PdCl2(dppf) 1.13 g(1 mmol), 포타슘아세테이트 13.63 g(139 mmol)를 차례로 첨가한 후 24시간 동안 환류하였다. 반응종료 후, 톨루엔과 물로 추출하고 무수황산마그네슘으로 수분을 제거한 후 감압하에서 용매를 제거하였다. 디클로로메탄과 노르말-헥산으로 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리한 뒤 건조하여 화학식 8-a로 표시되는 중간체 화합물 19 g(수율 69.7%)을 수득하였다.
단계 2: 화학식 8-b로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 22에 나타낸 바와 같이, 화학식 8-b로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 22]
둥근 바닥 플라스크에 디메틸-(2-브로모페닐)메탄올 9.8 g(45.5 mmol), 화합물 8-a로 표시되는 중간체 화합물 15 g(37.9 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐{Pd(PPh3)4} 0.9 g(0.8 mmol), 탄산칼륨 10.5 g(75.9 mmol), 물 60 ㎖, 톨루엔 150 ㎖ 및 테트라하이드로퓨란 150 ㎖를 투입하고 12시간 동안 환류하였다. 반응 종결 후 반응물을 층 분리하여 유기층을 감압 농축 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리한 후, 건조한 결과, 화학식 8-b로 표시되는 중간체 화합물 11.2 g(수율 73.1%)을 수득하였다.
단계 3: 화학식 8-c로 표시되는 중간체 화합물의 제조
하기 반응식 23에 나타낸 바와 같이, 화학식 8-c로 표시되는 중간체 화합물을 제조하였다.
[반응식 23]
아세트산 100 ㎖가 들어 있는 둥근 바닥 플라스크에 화학식 8-b로 표시되는 중간체 화합물 10 g(24.8 mmol)을 첨가하였다. 온도를 80도까지 올린 후 반응용액에 염산수용액 1~2방을 첨가하였다. 반응용액을 2시간 정도 환류하였다. 온도를 상온으로 내린 후 생성된 고체를 필터하여 건조시킨 결과, 화학식 8-c로 표시되는 중간체 화합물 9.1 g(수율 95.2%)을 수득하였다
단계 4: 화학식 70으로 표시되는 화합물의 제조
상기 반응식 6에서 중간체 화학식 1-e로 표시되는 중간체 화합물 대신 화학식 8-c로 표시되는 중간체 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법을 수행하여 화학식 70으로 표시되는 화합물(1.9 g, 수율 25%)을 수득하였다.
MS[M+1] : 617
실시예
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실시예
1 내지 25>
유기전계발광소자의
제조
ITO 글래스의 발광 면적이 2mm×2mm 크기가 되도록 패터닝한 후 세정하였다. 기판을 진공 챔버에 장착한 후 베이스 압력이 1×10-6 torr가 되도록 한 후 유기물을 상기 ITO위에 DNTPD(700Å), NPD(300Å), 본 발명에 의해 제조된 화합물 + Ir(ppy)3(10%)(300Å), Alq3 (350Å), LiF(5Å), Al(1,000Å)의 순서로 성막하였으며, 0.4 mA에서 측정을 하였다.
[DNTPD]
[NPD]
[Ir(ppy)3]
[Alq3]
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비교예
1>
비교예를 위한 유기발광다이오드 소자는 상기 실시예의 소자구조에서 호스트 물질로서 본 발명에 의해 제조된 화합물 대신 CBP를 사용한 점을 제외하고 동일하게 제작하였다.
[CBP]
| 화합물 | 도펀트 | 도핑농도% | V | Cd/m2 | CIEx | CIEy | T80(Hr) | |
| 비교예1 | CBP | Ir(ppy)3 | 10 | 7.4 | 3900 | 0.321 | 0.625 | 62 |
| 실시예1 | 화학식10 | Ir(ppy)3 | 10 | 3.8 | 4700 | 0.322 | 0.627 | 167 |
| 실시예2 | 화학식11 | Ir(ppy)3 | 10 | 3.9 | 4360 | 0.320 | 0.629 | 154 |
| 실시예3 | 화학식16 | Ir(ppy)3 | 10 | 3.7 | 6530 | 0.327 | 0.626 | 137 |
| 실시예4 | 화학식17 | Ir(ppy)3 | 10 | 3.9 | 4560 | 0.313 | 0.631 | 164 |
| 실시예5 | 화학식38 | Ir(ppy)3 | 10 | 4.6 | 4940 | 0.324 | 0.626 | 189 |
| 실시예6 | 화학식39 | Ir(ppy)3 | 10 | 3.9 | 5140 | 0.319 | 0.629 | 198 |
| 실시예7 | 화학식56 | Ir(ppy)3 | 10 | 4.6 | 4830 | 0.322 | 0.627 | 191 |
| 실시예8 | 화학식70 | Ir(ppy)3 | 10 | 3.8 | 4340 | 0.321 | 0.628 | 121 |
| 실시예9 | 화학식4 | Ir(ppy)3 | 10 | 4.6 | 5420 | 0.330 | 0.623 | 225 |
| 실시예10 | 화학식6 | Ir(ppy)3 | 10 | 3.9 | 5860 | 0.321 | 0.628 | 219 |
| 실시예11 | 화학식12 | Ir(ppy)3 | 10 | 4.0 | 4430 | 0.329 | 0.624 | 201 |
| 실시예12 | 화학식18 | Ir(ppy)3 | 10 | 4.9 | 5440 | 0.322 | 0.627 | 172 |
| 실시예13 | 화학식19 | Ir(ppy)3 | 10 | 4.0 | 4970 | 0.321 | 0.628 | 178 |
| 실시예14 | 화학식27 | Ir(ppy)3 | 10 | 4.1 | 5170 | 0.318 | 0.629 | 163 |
| 실시예15 | 화학식29 | Ir(ppy)3 | 10 | 4.6 | 5270 | 0.328 | 0.625 | 191 |
| 실시예16 | 화학식40 | Ir(ppy)3 | 10 | 3.8 | 4630 | 0.320 | 0.628 | 165 |
| 실시예17 | 화학식46 | Ir(ppy)3 | 10 | 3.7 | 6370 | 0.321 | 0.628 | 204 |
| 실시예18 | 화학식49 | Ir(ppy)3 | 10 | 4.1 | 5680 | 0.324 | 0.627 | 162 |
| 실시예19 | 화학식53 | Ir(ppy)3 | 10 | 4.6 | 4120 | 0.329 | 0.624 | 205 |
| 실시예20 | 화학식60 | Ir(ppy)3 | 10 | 3.8 | 4800 | 0.328 | 0.624 | 154 |
| 실시예21 | 화학식66 | Ir(ppy)3 | 10 | 4.0 | 5380 | 0.327 | 0.625 | 185 |
| 실시예22 | 화학식67 | Ir(ppy)3 | 10 | 4.0 | 5920 | 0.329 | 0.624 | 134 |
| 실시예23 | 화학식69 | Ir(ppy)3 | 10 | 4.1 | 4490 | 0.330 | 0.624 | 175 |
| 실시예24 | 화학식72 | Ir(ppy)3 | 10 | 4.6 | 4570 | 0.323 | 0.626 | 180 |
| 실시예25 | 화학식99 | Ir(ppy)3 | 10 | 4.8 | 5940 | 0.325 | 0.626 | 141 |
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 내지 25에 따라 제조된 이형고리 화합물을 호스트 물질로 포함하는 유기전계발광소자는 종래 인광 발광성 호스트 물질인 CBP(비교예 1)(7.4 V)에 비하여 구동전압(V)이 3.7 내지 4.9 V로 낮고, 우수한 발광효율(Cd/㎡)과 긴 수명(T80)을 갖는 특성을 보이므로 표시소자, 디스플레이 소자 및 조명 등에 유용하게 사용될 수 있다.
10: 기판 20: 애노드
30: 정공주입층 40: 정공수송층
50: 유기발광층 60: 전자수송층
70: 전자주입층 80: 캐소드
30: 정공주입층 40: 정공수송층
50: 유기발광층 60: 전자수송층
70: 전자주입층 80: 캐소드
Claims (8)
- 하기 [화학식 1]로 표시되는 이형고리 화합물:
[화학식 1]
상기 [화학식 1]에서,
A1 내지 A8은 각각 독립적으로 -CL이고, 인접한 두 개의 A는 L과 서로 결합하여 적어도 하나 이상의 축합 고리를 형성할 수 있으며,
L은 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴기,또는
이고,
Y1, Y2 및 Z는 각각 독립적으로 -CR1R2, -NR3-, -NR4R5-, -O-, -S- 및 -SiR6R7중에서 선택되며,
X1 내지 X7은 서로 동일하거나 상이하며 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 40의 알키닐기, -SiR1R2R3 및 -NR4R5로 이루어지는 군으로부터 선택되고,
상기 X1 내지 X7이 각각 독립적으로 -NR4R5인 경우, 상기 R4와 R5는 서로 결합하여 탄소수 6 내지 30의 고리를 형성할 수 있으며,
R1 내지 R7은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기. 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 50의 아릴실릴기 중에서 선택되고,
L1은 단일결합 또는 2가의 연결기로서, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐렌기, 치환 도는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 40의 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기이며,
n 는 0 내지 3의 정수이고, m은 0 내지 2의 정수이고, 상기 m 이 2 이상인 경우 복수의 L1은 각각 동일하거나 상이하고, p는 0 내지 3의 정수이다. - 제1항에 있어서,
상기 R1 내지 R7, Ar 및 L1은 각각 독립적으로 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 탄소수 1 내지 20의 알키닐기, 탄소수 1 내지 20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 5 내지 24의 아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 5 내지 24의 아릴옥시기, 탄소수 1 내지 20의 알킬실릴기, 탄소수 5 내지 24의 아릴실릴기, 탄소수 1 내지 20의 알킬아민기 및 탄소수 6 내지 24의 아릴아민기 중에서 선택되는 하나 이상의 치환기로 더 치환되는 것을 특징으로 하고, 상기 치환기는 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성하는 것을 특징으로 하는 이형고리 화합물. - 제1항에 있어서,
상기 [화학식 1]은 하기 [화학식 2] 내지 [화학식 125]로 표시되는 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이형고리 화합물:
[화학식 110] [화학식 111] [화학식 112] [화학식 113]
[화학식 114] [화학식 115] [화학식 116] [화학식 117]
[화학식 118] [화학식 119] [화학식 120] [화학식 121]
[화학식 122] [화학식 123] [화학식 124] [화학식 125] - 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드 및 캐소드 사이에 개재되며, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 이형고리 화합물을 포함하는 층을 구비한 유기전계발광소자.
- 제4항에 있어서,
상기 이형고리 화합물은 상기 애노드 및 캐소드 사이의 발광층 중에 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자. - 제5항에 있어서,
상기 애노드 및 캐소드 사이에 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자. - 제6항에 있어서,
상기 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로부터 선택된 하나 이상의 층은 단분자 증착방식 또는 용액공정에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자. - 제4항에 있어서,
상기 유기전계발광소자는 표시소자, 디스플레이 소자, 또는 단색 또는 백색 조명용 소자에 사용되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
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