KR20140033736A - Metal mask - Google Patents

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KR20140033736A
KR20140033736A KR1020120099949A KR20120099949A KR20140033736A KR 20140033736 A KR20140033736 A KR 20140033736A KR 1020120099949 A KR1020120099949 A KR 1020120099949A KR 20120099949 A KR20120099949 A KR 20120099949A KR 20140033736 A KR20140033736 A KR 20140033736A
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김정식
성낙훈
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김정식
성낙훈
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means

Abstract

The present invention relates to a metal mask grown in a plating method. The characteristic of the present invention is to determine the size of a micro hole on a metal mask in a plating method by considering not only a temperature difference between actual work where the metal mask is used and the plating method where the metal mask is manufactured but also a thermal expansion coefficient of the metal mask. The metal mask manufactured by considering thermal expansion comprises as follows: a sensitive material coating process which evenly coats a sensitive material on an electric conductor substrate; a light exposing process which makes the sensitive material be exposed to light by radiating light on a film composed of a transparent unit and an opaque unit; a space unit forming process which forms a space unit by chemically removing a light unexposed unit; a metal mask plating process which forms a metal mask by performing coating on the space unit through the application of electricity on the electric conductor substrate in a plating tank; a light exposed unit removing process which chemically removes the light exposed unit; and a separating process which separates the metal mask from the electric conductor substrate. After the metal mask plating process, a polishing process can be included in order to smoothly polish the surface of the metal mask. In the light exposing process for making the sensitive material be exposed to light, the light exposed unit can be tapered. In addition, prior to the metal mask plating process, a frame can be installed in order to perform plating on the metal mask and at the same time to integrate the frame with the metal mask. A releasing agent coating process for coating a releasing agent on the electric conductor substrate can be included in order to facilitate releasing work.

Description

도금방식으로 성장시킨 메탈 마스크와 그 제작방법{METAL MASK}Metal mask grown by plating method and its manufacturing method {METAL MASK}

본 발명의 메탈 마스크는 열팽창을 감안하여 메탈마스크를 도금방식으로 성장시키어서 제작하는 것을 특징으로 한다. 기존의 메탈 마스크는 열팽창에 대하여 영향을 받지를 않는 인바소재의 얇은 박판에 에칭을 통하여 미세홀을 가공을 하는 것이 일반적 이었다.The metal mask of the present invention is characterized in that the metal mask is grown by plating in consideration of thermal expansion. Conventional metal masks generally used micro holes to be etched into thin sheets of Invar material that are not affected by thermal expansion.

기존에 인바합금을 사용하는 이유로는, 메탈마스크의 미세홀의 크기가, 메탈 마스크를 제작하는 온도에서의 크기와, 실제로 메탈마스크를 사용하는 작업하는 온도에서의 크기와 동일하도록 하기 위한 목적이다.
The reason for using an inva alloy conventionally is to make the size of the microholes of the metal mask equal to the size at the temperature at which the metal mask is manufactured, and at the working temperature using the metal mask.

종래의 인바합금은 주로 압연에 의하여 생산이 되므로 두께를 얇게 하는 것에 대한 한계를 가지고 있었고, 상기 비교적 두터운 두께를 가지는 인바합금 압연판에 에칭을 행하여 미세홀을 내는 공법으로는 미세홀의 크기를 일정이하로 줄일 수가 없는 한계를 갖고 있었다. 본 발명은 인바합금 소재를 사용하지 않고, 일반적으로 전주가공에 사용이 되는 금속을 메탈마스크의 소재로 한다. 전주가공에서 사용이 되는 대표적인 소재는 니켈합금, 니켈 크롬 합금 등이 있다. The conventional Invar alloy is mainly produced by rolling, so it has a limitation of thinning the thickness. In the method of making fine holes by etching the Invar alloy rolled sheet having a relatively thick thickness, the size of the fine holes is less than a certain size. It could not be reduced to a limit. The present invention does not use an invar alloy material, and generally uses a metal used for electroforming as a material of a metal mask. Typical materials used in electroplating include nickel alloys and nickel chromium alloys.

전자기술의 발달에 따라서, 해상도를 높이기 위한 노력은 꾸준히 진행이 되어지고 있다. 드디스플레이의 해상도를 높이기 위하여서는 RGB의 색소를 주입하기 위한 미세홀의 크기가 작아져야만 한다. 그러나 종래에는 인바합금을 사용하여 에칭에 의한 가공법으로는 미세홀의 가공에 한계를 가지게 되었다. With the development of electronic technology, efforts to increase resolution have been progressing steadily. In order to increase the resolution of the display, the size of the microholes for injecting the pigment of RGB should be reduced. However, conventionally, the processing by etching using an inva alloy has a limit to the processing of fine holes.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하고 미세홀의 크기를 수미크론의 크기까지 만들며, 또한 메탈마스크의 두께는 얼마든지 증가를 시킬 수가 있어서 메탈마스크의 강도를 충분히 유지를 할 수가 있게 한다.
The present invention solves this problem and makes the size of the micro holes up to the size of several microns, and also the thickness of the metal mask can be increased by any amount to maintain the strength of the metal mask sufficiently.

본 발명은 전주가공에서 제작이 되는 온도와 실제로 메탈마스크가 사용이 되는 환경의 온도차이를 엄격하게 계산하고, 전주가공이 되어지는 금속의 열팽창계수를 고려하여 메탈마스크를 제작하는 것에 큰 특징이 있다. The present invention has a great feature in producing the metal mask in consideration of the thermal expansion coefficient of the metal to be processed in strict calculation of the temperature difference between the temperature produced in the electroplating and the environment in which the metal mask is actually used. .

본 발명은 메탈마스크가 실제 작업에서 사용되는 온도와 상기 메탈마스크가 제작이 되는 도금공정의 온도차와 상기 메탈마스크의 열팽창계수를 고려하여, 상기 도금공정에서의 메탈마스크의 미세홀의 크기를 결정하는 것을 특징으로 하는 도금방식으로 성장시키는 방식으로 메탈마스크의 제작한다.The present invention is to determine the size of the micro holes of the metal mask in the plating process in consideration of the temperature difference of the metal mask is used in the actual operation, the temperature difference of the plating process in which the metal mask is manufactured and the thermal expansion coefficient of the metal mask. The metal mask is manufactured by growing in a plating manner.

이 같은 방법을 사용하면, 메탈마스크의 두께는 도금에 의하여 결정이 되어지므로 메탈마스크의 두께는 얼마든지 융통성 있게 조절이 가능하다. 또한 에칭에 의한 가공방법을 취하지 않고 감광재의 비노광부를 제거한 공간부에 도금을 실시하는 방법을 취하므로서 미세홀의 크기는 수 미크론의 크기로도 얼마든지 용이하게 제작을 할 수가 있는 특징이 있다.
Using this method, since the thickness of the metal mask is determined by plating, the thickness of the metal mask can be flexibly adjusted. In addition, since the plating is applied to the space in which the non-exposed part of the photosensitive material is removed without the processing method by etching, the size of the micro holes can be easily produced even in the size of several microns.

본 발명은 도금방식으로 성장시킨 메탈마스크에 대한 것이다. 본 발명은 메탈마스크가 실제 작업에서 사용되는 온도와 상기 메탈마스크가 제작이 되는 도금공정의 온도차와, 상기 메탈마스크의 열팽창계수를 고려하여, 상기 도금공정에서의 메탈마스크의 미세홀의 크기를 결정하는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to a metal mask grown by the plating method. The present invention determines the size of the metal holes in the plating process in consideration of the temperature difference that the metal mask is used in the actual work, the temperature difference of the plating process in which the metal mask is manufactured, and the thermal expansion coefficient of the metal mask. It is characterized by.

이러한 열팽창을 고려하여 제작이 되는 본 발명의 메탈마스크는 도전체 기판에 감광재를 균일하게 도포하는 감광재 도포공정과;The metal mask of the present invention manufactured in consideration of such thermal expansion includes a photosensitive material applying step of uniformly applying the photosensitive material to the conductor substrate;

투명부와 불투명부로 구성이 되는 필름에 빛을 조사하여 감광재를 노광시키는 노광공정과;An exposure step of exposing a photosensitive material by irradiating light onto a film composed of a transparent part and a non-transparent part;

비노광부를 화학적으로 제거하여 공간부를 형성하는 공간부 형성공정과;A space portion forming step of chemically removing the unexposed portion to form a space portion;

도금조에서 도전체 기판에 전기를 가하여 상기 공간부에 도금을 실행하여 메탈마스크를 형성하는 메탈마스크 도금공정과;A metal mask plating process of applying electricity to a conductor substrate in a plating bath to perform plating on the space to form a metal mask;

노광부를 화학적으로 제거하는 노광부 제거공정과;An exposure part removal step of chemically removing the exposure part;

메탈마스크를 도전체 기판으로부터 이탈시키는 이탈공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.And a detachment process of detaching the metal mask from the conductor substrate.

본 발명에서 상기 메탈마스크 도금공정 이후에, 표면을 매끈하게 연마하는 연마공정이 포함될 수도 있으며, 상기 감광부를 노광시키는 노광공정에서 노광부를 테이퍼지게 노광시킬 수도 있다. In the present invention, after the metal mask plating process, a polishing process for smoothly polishing the surface may be included, and the exposure unit may be exposed to taper exposure in the exposure process of exposing the photosensitive unit.

또한 본 발명은 상기 메탈마스크의 도금공정 이전에 프레임을 설치하여, 메탈마스크의 도금이 진행됨과 동시에 상기 프레임이 메탈마스크와 일체로 결합이 되도록 할 수도 있다. 이형 작업을 편리하게 하도록 하기 위하여 도전체 기판에 이형재를 도포하는 이형재 도포공정을 포함할 수도 있다.
In addition, the present invention may be installed before the metal mask plating process, so that the metal mask is plated and the frame is integrally coupled with the metal mask. In order to facilitate the release operation, a release material applying step of applying a release material to the conductor substrate may be included.

본 발명은 메탈마스크가 실제 작업에서 사용되는 온도와 상기 메탈마스크가 제작이 되는 도금공정의 온도차와 상기 메탈마스크의 열팽창계수를 고려하여, 상기 도금공정에서의 메탈마스크의 미세홀의 크기를 결정하는 것을 특징으로 하는 도금방식으로 성장시키는 방식으로 메탈마스크의 제작한다.The present invention is to determine the size of the micro holes of the metal mask in the plating process in consideration of the temperature difference of the metal mask is used in the actual operation, the temperature difference of the plating process in which the metal mask is manufactured and the thermal expansion coefficient of the metal mask. The metal mask is manufactured by growing in a plating manner.

이 같은 방법을 사용하면, 메탈마스크의 두께는 도금에 의하여 결정이 되어지므로 메탈마스크의 두께는 얼마든지 융통성 있게 조절이 가능하다. 또한 에칭에 의한 가공방법을 취하지 않고 감광재의 비노광부를 제거한 공간부에 도금을 실시하는 방법을 취하므로서 미세홀의 크기는 수 미크론의 크기로도 얼마든지 용이하게 제작을 할 수가 있는 특징이 있다.
Using this method, since the thickness of the metal mask is determined by plating, the thickness of the metal mask can be flexibly adjusted. In addition, by taking a method of plating the space in which the non-exposed part of the photosensitive material is removed without the processing method by etching, the size of the micro holes can be easily produced even in the size of several microns.

도 1은 다수의 미세홀이 규칙적으로 배열된 메탈 마스크의 평명도이다.
도 2는 도전체 기판에 감광재를 균일하게 도포하는 감광재 도포공정이다.
도 3은 투명부와 불투명부로 구성이 되는 필름에 빛을 조사하여 감광재를 노광시키는 노광공정과 비노광부를 화학적으로 제거하여 공간부를 형성하는 공간부 형성공정에 대한 설명도이다.
도 4는 도금조에서 도전체 기판에 전기를 가하여 상기 공간부에 도금을 실행하여 메탈마스크를 형성하는 메탈마스크 도금공정이다.
도 5는 노광부를 화학적으로 제거하는 노광부 제거공정이다.
도 6은 메탈마스크를 도전체 기판으로부터 이탈시키는 이탈공정에 대한 설명도이다.
도 7, 도 8, 도 9는 메탈마스크의 도금공정 이전에 프레임을 설치하여, 메탈마스크의 도금이 진행됨과 동시에 상기 프레임이 메탈마스크와 일체로 결합이 되는 것을 설명하는 설명도이다.
도 10, 도 11은 감광부를 노광시키는 노광공정에서 노광부를 테이퍼지게 노광시키는 것을 설명하는 설명도이다.
도 12는 메탈마스크 도금공정 이후에, 표면을 매끈하게 연마하는 연마공정을 설명하는 설명도이다.1 is a plan view of a metal mask in which a plurality of micro holes are regularly arranged.
2 is a photosensitive material applying step of uniformly applying a photosensitive material to a conductor substrate.
FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating an exposure step of exposing a film composed of a transparent part and an opaque part to expose a photosensitive material, and a space part forming step of chemically removing a non-exposed part to form a space part.
4 is a metal mask plating process of forming a metal mask by applying electricity to a conductor substrate in a plating bath to perform plating on the space part.
5 is an exposure part removal process of chemically removing the exposure part.
6 is an explanatory diagram for a detachment process of detaching a metal mask from a conductor substrate.
7, 8, and 9 are explanatory views illustrating that the frame is installed before the metal mask plating process, and the metal mask is plated and the frame is integrally coupled with the metal mask.
10 and 11 are explanatory views for explaining the exposure of the exposed portion to taper in the exposure step of exposing the photosensitive portion.
12 is an explanatory diagram for explaining a polishing step of smoothly polishing the surface after the metal mask plating step.

이하, 본 발명의 다양한 실시예에 대하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 이탈하지 않는 한 이하의 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail, but the present invention is not limited to the following embodiments unless it departs from the gist thereof.

본 발명의 메탈 마스크는 열팽창을 감안하여 메탈마스크를 도금방식으로 성장시키어서 제작하는 것을 특징으로 한다. 기존의 메탈 마스크는 열팽창에 대하여 영향을 받지를 않는 인바소재의 얇은 박판에 에칭을 통하여 미세홀을 가공을 하는 것이 일반적 이었다.The metal mask of the present invention is characterized in that the metal mask is grown by plating in consideration of thermal expansion. Conventional metal masks generally used micro holes to be etched into thin sheets of Invar material that are not affected by thermal expansion.

기존에 인바합금을 사용하는 이유로는, 메탈마스크의 미세홀의 크기가, 메탈 마스크를 제작하는 온도에서의 크기와, 실제로 메탈마스크를 사용하는 작업하는 온도에서의 크기와 동일하도록 하기 위한 목적이다.The reason for using an inva alloy conventionally is to make the size of the microholes of the metal mask equal to the size at the temperature at which the metal mask is manufactured, and at the working temperature using the metal mask.

그러나 종래의 인바합금은 주로 압연에 의하여 생산이 되므로 두께를 얇게 하는 것에 대한 한계를 가지고 있었고, 상기 비교적 두터운 두께를 가지는 인바합금 압연판에 에칭을 행하여 미세홀을 내는 공법으로는 미세홀의 크기를 일정이하로 줄일 수가 없는 한계를 갖고 있었다. 본 발명은 인바합금 소재를 사용하지 않고, 일반적으로 전주가공에 사용이 되는 금속을 메탈마스크의 소재로 한다. 전주가공에서 사용이 되는 대표적인 소재는 니켈합금, 니켈 크롬 합금 등이 있다. However, the conventional invar alloy is mainly produced by rolling, so it has a limitation on thinning the thickness. As a method of making fine holes by etching the invar alloy rolled sheet having a relatively thick thickness, the size of the fine holes is constant. There was a limit that cannot be reduced below. The present invention does not use an invar alloy material, and generally uses a metal used for electroforming as a material of a metal mask. Typical materials used in electroplating include nickel alloys and nickel chromium alloys.

본 발명은 전주가공에서 제작이 되는 온도와 실제로 메탈마스크가 사용이 되는 환경의 온도차이를 엄격하게 계산하고, 전주가공이 되어지는 금속의 열팽창계수를 고려하여 메탈마스크를 제작하는 것에 큰 특징이 있다. The present invention has a great feature in producing the metal mask in consideration of the thermal expansion coefficient of the metal to be processed in strict calculation of the temperature difference between the temperature produced in the electroplating and the environment in which the metal mask is actually used. .

본 발명은 메탈마스크가 실제 작업에서 사용되는 온도와 상기 메탈마스크가 제작이 되는 도금공정의 온도차와 상기 메탈마스크의 열팽창계수를 고려하여, 상기 도금공정에서의 메탈마스크의 미세홀의 크기를 결정하는 것을 특징으로 하는 도금방식으로 성장시키는 방식으로 메탈마스크의 제작한다.The present invention is to determine the size of the micro holes of the metal mask in the plating process in consideration of the temperature difference of the metal mask is used in the actual operation, the temperature difference of the plating process in which the metal mask is manufactured and the thermal expansion coefficient of the metal mask. The metal mask is manufactured by growing in a plating manner.

이 같은 방법을 사용하면, 메탈마스크의 두께는 도금에 의하여 결정이 되어지므로 메탈마스크의 두께는 얼마든지 융통성 있게 조절이 가능하다. 또한 에칭에 의한 가공방법을 취하지 않고 감광재의 비노광부를 제거한 공간부에 도금을 실시하는 방법을 취하므로서 미세홀의 크기는 수 미크론의 크기로도 얼마든지 용이하게 제작을 할 수가 있는 특징이 있다.Using such a method, the thickness of the metal mask is determined by plating, so that the thickness of the metal mask can be flexibly adjusted. In addition, since the plating is applied to the space in which the non-exposed part of the photosensitive material is removed without the processing method by etching, the size of the micro holes can be easily produced even in the size of several microns.

전자기술의 발달에 따라서, 해상도를 높이기 위한 노력은 꾸준히 진행이 되어지고 있다. 드디스플레이의 해상도를 높이기 위하여서는 RGB의 색소를 주입하기 위한 미세홀의 크기가 작아져야만 한다. 그러나 종래에는 인바합금을 사용하여 에칭에 의한 가공법으로는 미세홀의 가공에 한계를 가지게 되었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하고 미세홀의 크기를 수미크론의 크기까지 만들며, 또한 메탈마스크의 두께는 얼마든지 증가를 시킬 수가 있어서 메탈마스크의 강도를 충분히 유지를 할 수가 있게 한다.
With the development of electronic technology, efforts to increase the resolution have been continuously made. In order to increase the resolution of the display, the size of the microholes for injecting the pigment of RGB should be reduced. However, conventionally, the processing by etching using an inva alloy has a limit to the processing of fine holes. The present invention solves this problem and makes the size of the micro holes up to the size of several microns, and also the thickness of the metal mask can be increased by any amount to maintain the strength of the metal mask sufficiently.

도 1은 다수의 미세홀이 규칙적으로 배열된 메탈 마스크의 평명도이다.1 is a plan view of a metal mask in which a plurality of micro holes are regularly arranged.

얇은 메탈판재(1)에 미세홀(2)이 뚫려져 있는 것이 메탈마스크이다. 미세홀을 통하여 RGB의 색상을 주입하게 된다. 미세홀의 크기가 작을수록 해상도가 높은 제품을 만들 수가 있다.
It is a metal mask that the minute hole 2 is perforated by the thin metal plate 1. The color of RGB is injected through the micro holes. The smaller the size of the microholes, the higher the resolution can be made.

도 2는 도전체 기판에 감광재를 균일하게 도포하는 감광재 도포공정이다.2 is a photosensitive material applying step of uniformly applying a photosensitive material to a conductor substrate.

본 발명에 의하여 메탈마스를 제작하기 위하여서는 먼저, 도전체 기판(3)에 감광재(6)를 균일하게 도포를 한다. 도전체 기판은 경면을 가지는 스테인레스 판재도 가능하며, 유리와 필름 등과 같은 기판(4)의 상부에 도전성 금속을 스파트링하여 스파트링 층(5)을 형성하여 도전체 기판으로 제작을 할 수가 있다. 물론 상기 스파트링 층 위에 도시 도금층을 형성을 할 수가 있다.
In order to produce the metal mask according to the present invention, first, the photosensitive material 6 is uniformly applied to the conductor substrate 3. The conductor substrate may be a stainless steel plate having a mirror surface, and a sparkling layer 5 may be formed by spattering a conductive metal on the substrate 4 such as glass and a film to produce a conductor substrate. Of course, the city plating layer may be formed on the spatter layer.

도 3은 투명부와 불투명부로 구성이 되는 필름에 빛을 조사하여 감광재를 노광시키는 노광공정과 비노광부를 화학적으로 제거하여 공간부를 형성하는 공간부 형성공정에 대한 설명도이다.FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating an exposure step of exposing a film composed of a transparent part and an opaque part to expose a photosensitive material, and a space part forming step of chemically removing a non-exposed part to form a space part.

감광재를 노광시키게 되면, 노광부(7)와 비노광부가 형성이 된다. 상기 비노광부는 화학적 방법으로 녹여내면 노광부(7) 사이에 공간부(8)가 형성이 된다.
When the photosensitive material is exposed, the exposed portion 7 and the non-exposed portion are formed. When the non-exposed part is melted by a chemical method, a space part 8 is formed between the exposed parts 7.

도 4는 도금조에서 도전체 기판에 전기를 가하여 공간부에 도금을 실행하여 메탈마스크를 형성하는 메탈마스크 도금공정이다.4 is a metal mask plating process of forming a metal mask by applying electricity to a conductor substrate in a plating bath to perform plating on a space part.

도금작업을 통하여 비노광부를 제거하여 형성한 공간부에 도금층을 형성한다. 노광부(7)사이에는 도금부(9)가 성장하게 된다.
The plating layer is formed in the space formed by removing the non-exposed portion through the plating operation. The plating portion 9 grows between the exposed portions 7.

도 5는 노광부를 화학적으로 제거하는 노광부 제거공정이다.5 is an exposure part removal process of chemically removing the exposure part.

노광부와 도금층이 혼재하고 있는 상태에서 노광부만을 화학적으로 제거하면, 미세홀을 형성하는 도금부(9)만 남게 된다.
If only the exposed portion is chemically removed in the state where the exposed portion and the plating layer are mixed, only the plated portion 9 forming the fine holes remains.

도 6은 메탈마스크를 도전체 기판으로부터 이탈시키는 이탈공정에 대한 설명도이다.6 is an explanatory diagram for a detachment process of detaching a metal mask from a conductor substrate.

상기의 미세홀을 형성하는 도금부(9)를 도전체 기판(3)으로부터 이탈을 시키게 되면 미세홀(11)을 가지는 메탈마스크(10)이 완성된다. 메탈마스크는 미세홀(11)을 가지는 도금부(12)로 구성이 된다.When the plating part 9 forming the micro holes is separated from the conductor substrate 3, the metal mask 10 having the micro holes 11 is completed. The metal mask is composed of the plating part 12 having the fine holes 11.

본 발명에서 도전체 기판에 이형재를 도포하여 성장이 되어진 메탈마스크를 도전체 기판으로부터 용이하게 이탈 시키도록 할 수가 있다.
In the present invention, the release material is applied to the conductor substrate so that the grown metal mask can be easily separated from the conductor substrate.

도 7, 도 8, 도 9는 메탈마스크의 도금공정 이전에 프레임을 설치하여, 메탈마스크의 도금이 진행됨과 동시에 상기 프레임이 메탈마스크와 일체로 결합이 되는 것을 설명하는 설명도이다.7, 8, and 9 are explanatory views illustrating that the frame is installed before the metal mask plating process, and the metal mask is plated and the frame is integrally coupled with the metal mask.

기존에는 메탈마스크를 완성시킨 뒤, 메탈 마스크를 지지하는 프레임을 별도로 만들어 장착을 한다. 그러나 본 발명에서는 프레임을 본 발명의 도금공정 중에 같이 형성이 될 수가 있도록 할 수가 있다. 즉 본 발명에서는 도금공정 이전에 프레임(13)을 도전체 기판(3)의 상부에 위치시키고, 노광부(7)사이 형성되어진 공간부(8)에 금속이 성장될 때, 동시에 프레임과 상기 도금부(9)가 견고히 결합이 되도록 하는 것이다.Previously, after completing the metal mask, the frame supporting the metal mask is separately prepared and mounted. However, in the present invention, the frame can be formed so as to be formed during the plating process of the present invention. That is, in the present invention, the frame 13 is placed above the conductor substrate 3 before the plating process, and when the metal is grown in the space 8 formed between the exposed portions 7, the frame and the plating at the same time. Part 9 is to be firmly coupled.

이 같이 결합된 프레임(13)과 메탈마스크(9)를 도전체 기판(3)으로부터 이탈 시키게 되면, 별도의 프레임 결합작업이 필요가 없게 된다.
When the frame 13 and the metal mask 9 coupled in this way are separated from the conductor substrate 3, a separate frame joining operation is not necessary.

도 10, 도 11은 감광부를 노광시키는 노광공정에서 노광부를 테이퍼지게 노광시키는 것을 설명하는 설명도이다.10 and 11 are explanatory views for explaining the exposure of the exposed portion to taper in the exposure step of exposing the photosensitive portion.

메탈마스크의 미세홀을 통하여 RGB의 색소가 잘 관통하도록 하기 위하여서, 미세홀을 구성하는 성장되어진 도금부들이 테이퍼를 갖도록 하는 것이 바람직하다. 즉 테이퍼를 형성한 미세홀을 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 테이퍼를 형성한 미세홀을 형성하기 위하여서는 먼저 도전체 기판(3)에 도포되어진 감광재의 노광부의 형상을역테이퍼(14)의 형상으로 노광되도록 하여야 한다. 노광부가 역테이퍼의 형상을 지니도록 하기 위하여서는 노광기를 통하여 빛을 조사시킬 때, 얼마든지 빛을 조절하여 이러한 역테이퍼의 노광부를 구성을 할 수가 있다. In order to allow the dye of RGB to penetrate well through the microholes of the metal mask, it is preferable that the grown plating parts constituting the microholes have a taper. That is, it is preferable to form the microhole which tapered. In order to form the micro holes in which such a taper is formed, first, the shape of the exposed portion of the photosensitive material applied to the conductor substrate 3 should be exposed in the shape of the reverse taper 14. In order to make the exposed portion have the shape of the reverse taper, when irradiating light through the exposure machine, it is possible to configure the exposed portion of the reverse taper by controlling the light as much as possible.

역테이퍼(14)의 형상으로 노광부가 형성되면, 화학적 방법으로 비노광부를 제거하여 공간부를 형성하며, 상기 공간부에 도금을 통하여 금속을 성장시키게 되면, 성장이 되어진 도금부는 테이퍼형상(15)을 가지는 미세홀들이 형성이 되게 된다.
When the exposed portion is formed in the shape of the inverse taper 14, the non-exposure portion is formed by chemical method to form the space portion. When the metal is grown through plating on the space portion, the grown plating portion is tapered. Branches have fine holes formed therein.

도 12는 메탈마스크 도금공정 이후에, 표면을 매끈하게 연마하는 연마공정을 설명하는 설명도이다.12 is an explanatory diagram for explaining a polishing step of smoothly polishing the surface after the metal mask plating step.

메탈마스크의 표면을 깨끗하게 하기 위하여, 노광부 사이에 성장된 도금부를 연마하는 것이 바람직하다. 즉 노광부와 도금부가 일체로 형성된 상태에서 연마휠이나 연마장치를 통하여 평면연마를 하면 메탈마스크의 표면이 깨끗하게 처리가 된다.
In order to clean the surface of the metal mask, it is preferable to polish the plated portions grown between the exposed portions. That is, when the surface polishing is performed through the polishing wheel or the polishing apparatus in a state in which the exposed portion and the plating portion are formed integrally, the surface of the metal mask is cleanly processed.

본 발명에서는 메탈마스크가 실제 작업에서 사용되는 온도와 상기 메탈마스크가 제작되는 공정의 온도차를 측정하는 것을 특징으로 한다.In the present invention, the metal mask is characterized by measuring the temperature difference between the temperature used in the actual operation and the process of producing the metal mask.

상기 측정이 되어진 온도 차와 메탈 마스크의 소재의 열팽창계수를 고려하여, 메탈 마스크가 제작되는 공정에서의 미세홀의 크기를 결정한다.In consideration of the temperature difference and the thermal expansion coefficient of the material of the metal mask is determined, the size of the micro holes in the process of producing the metal mask is determined.

이와 같이 개념에서 볼 때, 본 발명은 도금방식으로 성장시킨 메탈마스크에만 한정하지 않고, 얇은 금속판을 에칭하여 메탈 마스크를 만드는 방법과 그에 의한 메탈 마스크도 적용이 된다 하겠다.In the concept as described above, the present invention is not limited to the metal mask grown by the plating method, and a method of making a metal mask by etching a thin metal plate and a metal mask thereby.

본 발명은, 본 발명에 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환 변형이 가능하므로, 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에만 한정되는 것은 아니다.
It will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It is not.

1 : 얇은 메탈판재
2 : 미세홀
3: 도전체 기판
4: 기판
5 : 스파트링 층
6 : 감광재
7 : 노광부
8 : 공간부
9 : 도금부
10 : 메탈마스크
11 : 미세홀
12 : 도금부
13 : 프레임
14 : 역테이퍼
15 : 테이퍼 형상1: thin metal plate
2: fine hole
3: conductor substrate
4: substrate
5: spatter layer
6: photosensitive material
7: Exposure
8: space part
9:
10: metal mask
11: fine hole
12: plating part
13: frame
14 reverse taper
15 tapered shape

Claims (14)

도금방식으로 성장시킨 메탈마스크의 제작방법에 있어서,
도전체 기판에 감광재를 균일하게 도포하는 감광재 도포공정과;
투명부와 불투명부로 구성이 되는 필름에 빛을 조사하여 감광재를 노광시키는 노광공정과;
비노광부를 화학적으로 제거하여 공간부를 형성하는 공간부 형성공정과;
도금조에서 도전체 기판에 전기를 가하여 상기 공간부에 도금을 실행하여 메탈마스크를 형성하는 메탈마스크 도금공정과;
노광부를 화학적으로 제거하는 노광부 제거공정과;
메탈마스크를 도전체 기판으로부터 이탈시키는 이탈공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도금방식으로 성장시킨 메탈마스크의 제작방법.In the manufacturing method of the metal mask grown by the plating method,
A photosensitive material applying step of uniformly applying a photosensitive material to a conductor substrate;
An exposure step of exposing a photosensitive material by irradiating light onto a film composed of a transparent part and a non-transparent part;
A space portion forming step of chemically removing the unexposed portion to form a space portion;
A metal mask plating process of applying electricity to a conductor substrate in a plating bath to perform plating on the space to form a metal mask;
An exposure part removal step of chemically removing the exposure part;
A method of fabricating a metal mask grown by a plating method, characterized in that it comprises a detachment step of removing the metal mask from the conductor substrate. 제 1항에 있어서,
메탈마스크 도금공정 이후에, 표면을 매끈하게 연마하는 연마공정이 포함되는 것을 특징으로 하는 도금방식으로 성장시킨 메탈마스크의 제작방법.The method of claim 1,
After the metal mask plating step, a method for producing a metal mask grown by the plating method, characterized in that it comprises a polishing step of smoothly polishing the surface. 제 1항에 있어서,
감광부를 노광시키는 노광공정에서 노광부를 테이퍼지게 노광시키는 것을 특징으로 하는 도금방식으로 성장시킨 메탈마스크의 제작방법.The method of claim 1,
A method of producing a metal mask grown by a plating method, characterized in that to expose the exposed portion tapered in the exposure step of exposing the photosensitive portion. 제 1항에 있어서,
메탈마스크의 도금공정 이전에 프레임을 설치하여, 메탈마스크의 도금이 진행됨과 동시에 상기 프레임이 메탈마스크와 일체로 결합이 되는 것을 특징으로 하는 도금방식으로 성장시킨 메탈마스크의 제작방법.The method of claim 1,
Method of manufacturing a metal mask grown by the plating method characterized in that the frame is installed before the metal mask plating process, the plating of the metal mask proceeds and the frame is integrally combined with the metal mask. 제 1항에 있어서,
도전체 기판에 이형재를 도포하는 이형재 도포공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도금방식으로 성장시킨 메탈마스크의 제작방법.The method of claim 1,
A method of manufacturing a metal mask grown by a plating method comprising a release material applying step of applying a release material to the conductor substrate. 제 1항에서 제 5항의 어느 한 항에 있어서,
상기 메탈마스크가 실제 작업에서 사용되는 온도와 상기 메탈마스크가 제작이 되는 도금공정의 온도차와 상기 메탈마스크의 열팽창계수를 고려하여, 상기 도금공정에서의 메탈마스크의 미세홀의 크기를 결정하는 것을 특징으로 하는 도금방식으로 성장시킨 메탈마스크의 제작방법.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The size of the metal holes in the plating process is determined in consideration of the temperature at which the metal mask is used in the actual work, the temperature difference of the plating process in which the metal mask is manufactured, and the thermal expansion coefficient of the metal mask. Manufacturing method of metal mask grown by plating method. 메탈마스크가 실제 작업에서 사용되는 온도와 상기 메탈마스크가 제작되는 공정의 온도차를 측정하며, 상기 온도 차와 메탈마스크의 소재의 열팽창계수를 고려하여, 상기 제작되는 공정에서의 메탈 마스크의 미세홀의 크기를 결정하는 것을 특징으로 하는 메탈 마스크의 제작방법.Measures the temperature difference between the temperature of the metal mask used in the actual work and the process in which the metal mask is fabricated, and considering the temperature difference and the coefficient of thermal expansion of the material of the metal mask, the size of the fine holes of the metal mask in the fabricated process Method of producing a metal mask, characterized in that for determining. 도금방식으로 성장시킨 메탈마스크에 있어서,
도전체 기판에 감광재를 균일하게 도포하는 감광재 도포공정과;
투명부와 불투명부로 구성이 되는 필름에 빛을 조사하여 감광재를 노광시키는 노광공정과;
비노광부를 화학적으로 제거하여 공간부를 형성하는 공간부 형성공정과;
도금조에서 도전체 기판에 전기를 가하여 상기 공간부에 도금을 실행하여 메탈마스크를 형성하는 메탈마스크 도금공정과;
노광부를 화학적으로 제거하는 노광부 제거공정과;
메탈마스크를 도전체 기판으로부터 이탈시키는 이탈공정을 포함하는 것에 의하여 제작된 것을 특징으로 하는 도금방식으로 성장시킨 메탈마스크.In the metal mask grown by the plating method,
A photosensitive material applying step of uniformly applying a photosensitive material to a conductor substrate;
An exposure step of exposing a photosensitive material by irradiating light onto a film composed of a transparent part and a non-transparent part;
A space portion forming step of chemically removing the unexposed portion to form a space portion;
A metal mask plating process of applying electricity to a conductor substrate in a plating bath to perform plating on the space to form a metal mask;
An exposure part removal step of chemically removing the exposure part;
A metal mask grown by a plating method, characterized in that it is produced by including a separation step of removing the metal mask from the conductor substrate. 제 8항에 있어서,
메탈마스크 도금공정 이후에, 표면을 매끈하게 연마하는 연마공정이 포함되는 것을 특징으로 하는 도금방식으로 성장시킨 메탈마스크.The method of claim 8,
After the metal mask plating process, a metal mask grown by the plating method, characterized in that a polishing process for smoothly polishing the surface. 제 8항에 있어서,
감광부를 노광시키는 노광공정에서 노광부를 테이퍼지게 노광시키는 것을 특징으로 하는 도금방식으로 성장시킨 메탈마스크.The method of claim 8,
The metal mask grown by the plating method characterized by exposing the exposed part to taper in the exposure process which exposes a photosensitive part. 제 8항에 있어서,
메탈마스크의 도금공정 이전에 프레임을 설치하여, 메탈마스크의 도금이 진행됨과 동시에 상기 프레임이 메탈마스크와 일체로 결합이 되는 것을 특징으로 하는 도금방식으로 성장시킨 메탈마스크.The method of claim 8,
The metal mask is grown by a plating method, characterized in that the frame is installed before the metal mask plating process, the metal mask is plated and the frame is integrally coupled with the metal mask. 제 8항에 있어서,
도전체 기판에 이형재를 도포하는 이형재 도포공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도금방식으로 성장시킨 메탈마스크.The method of claim 8,
A metal mask grown by a plating method comprising a release material applying step of applying a release material to the conductor substrate. 제 8항에서 제 12항의 어느 한 항에 있어서,
상기 메탈마스크가 실제 작업에서 사용되는 온도와 상기 메탈마스크가 제작이 되는 도금공정의 온도차와 상기 메탈마스크의 열팽창계수를 고려하여, 상기 도금공정에서의 메탈마스크의 미세홀의 크기를 결정하는 것을 특징으로 하는 도금방식으로 성장시킨 메탈마스크.The method according to any one of claims 8 to 12, wherein
The size of the metal holes in the plating process is determined in consideration of the temperature at which the metal mask is used in the actual work, the temperature difference of the plating process in which the metal mask is manufactured, and the thermal expansion coefficient of the metal mask. Metal mask grown by plating method. 메탈마스크가 실제 작업에서 사용되는 온도와 상기 메탈마스크가 제작되는 공정의 온도차를 측정하며, 상기 온도 차와 메탈마스크의 소재의 열팽창계수를 고려하여, 상기 제작되는 공정에서의 메탈 마스크의 미세홀의 크기를 결정하는 것을 특징으로 하는 메탈 마스크의 제작방법으로 제작된 메탈 마스크.
Measures the temperature difference between the temperature of the metal mask used in the actual work and the process in which the metal mask is fabricated, and considering the temperature difference and the coefficient of thermal expansion of the material of the metal mask, the size of the fine holes of the metal mask in the fabricated process Metal mask produced by the manufacturing method of the metal mask, characterized in that determining the.
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