KR20140031155A - 반도체 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 반도체 패키지는 서로 이격 배치된 복수의 본딩 패드를 구비하는 반도체 기판과; 상기 본딩 패드를 노출하는 개구부를 갖도록 상기 반도체 기판 상부에 형성된 절연층과; 상기 본딩 패드 및 상기 절연층 상부에 형성된 금속기저층과; 상기 본딩 패드와 전기적으로 접속하도록 상기 금속기저층 상부에 형성된 솔더 범프와; 상기 솔더 범프를 감싸도록 상기 기저층 상부에 형성된 식각방지층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 금속기저층 식각시 언더컷 발생을 최소화할 수 있다.
본 발명의 반도체 패키지는 서로 이격 배치된 복수의 본딩 패드를 구비하는 반도체 기판과; 상기 본딩 패드를 노출하는 개구부를 갖도록 상기 반도체 기판 상부에 형성된 절연층과; 상기 본딩 패드 및 상기 절연층 상부에 형성된 금속기저층과; 상기 본딩 패드와 전기적으로 접속하도록 상기 금속기저층 상부에 형성된 솔더 범프와; 상기 솔더 범프를 감싸도록 상기 기저층 상부에 형성된 식각방지층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 금속기저층 식각시 언더컷 발생을 최소화할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체 칩 상에 솔더 범프 형성을 위한 금속기저층 식각시 언더컷 발생을 최소화할 수 있는 반도체 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 패키지는 다양한 제품에 사용되고 있으며, 최근 제품의 경박단소화 경향에 따라 반도체 패키지의 크기를 줄이기 위해 반도체 칩의 표면에 솔더 범프를 직접 형성하는 플립칩 패키지(flip chip package) 또는 반도체 칩의 본딩 패드에 관통 전극(Through Silicone Via, TSV)을 형성하고 관통 전극에 솔더 범프를 형성하는 TSV 패키지가 각광받고 있다.
이러한 플립칩 패키지 기술에서 가장 중요한 공정 중의 하나가 솔더 범프를 형성하는 공정이다. 일반적으로 솔더 범프는 증착 또는 전해 도금(electroplating)에 의하여 형성되는데, 증착 방법은 비교적 공정이 간단한 반면 패드 피치가 줄어들 경우 적용하는데 한계가 있다. 따라서, 근래에는 전해 도금에 의하여 범프를 형성하는 추세이다.
한편, 솔더 범프와 본딩 패드 사이에는 소위 금속기저층(Under Bump Metalization, UBM)이 형성되며, 이러한 금속기저층은 결합력이 좋은 전해 도금 방법으로 형성되는 것이 일반적이다. 즉, 시드층(Seed Layer)을 구비하고, 전류를 인가하여 금속기저층을 형성한 뒤, 최종적인 구조에서 시드층은 금속기저층과 함께 식각되어 금속기저층과 동일하게 패터닝 된다.
그런데 식각 공정에서 시드층의 하부에는 필연적으로 언더컷(undercut) 영역이 형성되게 된다.
도 1은 종래기술에 따른 솔더 범프 형성방법을 설명하기 위한 공정 단면도로서, 금속기저층에 언더컷이 발생한 상황을 나타내고 있다.
도 1a를 참조하면, 반도체 칩(10) 상에 본딩 패드(12)가 형성되고, 본딩 패드(12)를 제외한 나머지 반도체 칩(10) 표면에 보호막(14)과 완충층(16)이 형성되어 있다. 금속기저층(18)은 반도체 칩(10), 보호막(14), 완충층(16) 전면에 걸쳐 형성되며, 복층구조(18a, 18b)를 이룬다. 본딩 패드(12) 상부의 금속기저층(18) 상부에는 솔더 범프(20)가 형성된다.
도 1b는 솔더 범프(20)를 마스크로 이용하여 하부의 금속기저층(18)을 식각한 후 금속기저층(18a, 18b)에 언더컷이 발생된 상태를 나타낸 것이다. 언더컷은 솔더 범프(20) 아래쪽으로 금속기저층(18)이 과도하게 식각되는 현상으로, 언더컷이 발생되면 그만큼 금속기저층(18)과 솔더 범프(20), 금속기저층(18)과 완충층(16) 사이의 접촉면적은 감소하게 된다.
금속기저층(18)과 솔더 범프(20)의 접촉면적이 감소하면 후속 공정인 리플로우 공정을 거쳐 형성되는 솔더 범프의 높이가 각각의 범프에서 발생하는 언더컷의 정도에 따라 심한 편차를 가지게 된다. 또한, 금속기저층(18)과 완충층(16) 사이의 접촉면적이 감소하면 범프의 전단응력(shear strength)을 저하시키는 결과를 초래하며, 이러한 현상들은 모두 솔더 범프의 물리적, 전기적 신뢰성을 저하시키며 이로 인해 반도체 패키지의 신뢰성을 저하시키게 된다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위한 종래기술이 유럽특허 제0603296호에 개시되어 있다. 상기 종래기술에 따르면, 금속기저층을 식각하기 전에 솔더 범프를 용융시켜 솔더 범프와 금속기저층의 계면에 금속간 화합물층을 형성하고 이를 이용하여 금속기저층을 식각하는 기술이 개시되어 있다. 그러나, 이러한 종래기술에 따르면 용융된 솔더 범프가 금속기저층으로 흐르는 것을 방지하기 위하여 범프 사이의 금속기저층 상부에 솔더 댐을 형성해야하기 때문에 미세 피치의 범프 구조에는 적합하지 않으며 솔더 댐 형성 및 제거 공정이 추가되어 공정이 복잡해지는 문제점이 있다.
한편, 솔더 댐을 형성하지 않고 금속기저층 식각 전에 솔더 범프를 용융시키며 이때 생기는 금속간 화합물층을 마스크로 이용하여 금속기저층을 식각하는 기술이 미국특허 제5,902,686호에 개시되어 있다. 상기 종래기술에 따르면, 용융 솔더의 흘러내림을 방지하기 위하여 솔더 댐 대신에 범프 표면에 산화막을 형성한다. 그러나, 사나화막은 솔더 범프의 표면 뿐만 아니라 금속기저층의 상부에도 형성되기 때문에 금속간 화합물층을 형성한 후 금속기저층을 식각하기 위해서는 이 산화막을 우선 제거하는 공정이 필요하며 따라서 공정이 복잡해지는 문제점이 따른다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명은 솔더 범프 형성을 위한 금속기저층 제거시 발생하는 언더컷을 최소화할 수 있는 반도체 패키지 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
이를 위해 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지는 서로 이격 배치된 복수의 본딩 패드를 구비하는 반도체 기판과; 상기 본딩 패드를 노출하는 개구부를 갖도록 상기 반도체 기판 상부에 형성된 절연층과; 상기 본딩 패드 및 상기 절연층 상부에 형성된 금속기저층과; 상기 본딩 패드와 전기적으로 접속하도록 상기 금속기저층 상부에 형성된 솔더 범프와; 상기 솔더 범프를 감싸도록 상기 금속기저층 상부에 형성된 식각방지층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예의 반도체 패키지에서, 상기 식각방지층은 상기 금속기저층을 이루는 금속과 등가의 금속 또는 상기 금속기저층 패턴형성을 위한 식각용액에 대한 흡수성이 상기 금속기저층에 비해 낮은 폴리이미드 계열 물질일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조방법은 (a) 다수의 본딩 패드를 구비하는 반도체 기판 위에 상기 본딩 패드 상면이 노출되도록 절연층을 형성하는 과정과; (b) 상기 본딩 패드 및 상기 절연층 상부에 금속기저층을 형성하는 과정과; (c) 예정된 솔더 범프 형성영역의 상기 금속기저층이 노출되도록 상기 금속기저층 위에 제1 마스크 패턴을 형성하는 과정과; (d) 노출된 상기 금속기저층 위에 솔더 범프를 형성하는 과정과; (e) 상기 솔더 범프 가장자리의 예정된 식각방지층 형성영역의 상기 제1 마스크 패턴이 노출되도록 상기 제1 마스크 패턴 및 상기 솔더 범프 위에 제2 마스크 패턴을 형성하는 과정과; (f) 상기 제2 마스크 패턴을 마스크로 이용한 식각 공정에 의해 상기 제1 마스크 패턴을 식각하여 예정된 식각방지층 형성영역의 상기 금속기저층을 노출시키는 과정과; (g) 노출된 상기 금속기저층 위에 식각방지층을 형성하는 과정과; (h) 상기 제1 마스크 패턴 및 상기 제2 마스크 패턴을 제거하는 과정과; (i) 상기 솔더 범프 및 상기 식각방지층을 마스크로 이용한 식각 공정에 의해 상기 금속기저층을 제거하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예의 반도체 패키지 제조방법에서, 상기 제1 마스크 패턴 및 상기 제2 마스크 패턴은 포토레지스트로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예의 반도체 패키지 제조방법에서, 상기 (f) 과정은 건식식각 공정에 의해 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예의 반도체 패키지 제조방법에서, 상기 (g) 과정은 전해도금 공정 또는 상기 (i) 과정에서 상기 금속기저층을 제거하기 위해 사용되는 식각용액에 대한 흡수성이 상기 금속기저층에 비해 낮은 폴리머를 증착함으로써 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 패키지 및 그 제조방법에 의하면 솔더 범프 가장자리를 감싸도록 금속기저층 연장부에 식각방지층을 형성하여 금속기저층 식각시 언더컷 발생을 최소화함으로써 솔더 범프의 물리적, 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 솔더 범프 형성방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조과정을 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자의 의도 또는 판례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 패키지(100)는 반도체 기판(110)과, 상기 반도체 기판(110)의 상부 일측에 형성된 본딩 패드(120)와, 상기 본딩 패드(120)가 형성되지 않은 나머지 부분의 상기 반도체 기판(110) 상부에 형성된 절연층(130)과, 상기 본딩 패드(120) 및 상기 절연층(130) 상부에 형성된 금속기저층(140)과, 상기 금속기저층(140) 상부에 형성된 솔더 범프(150)와, 상기 금속기저층(140) 가장자리에 상기 솔더 범프(150)를 감싸도록 형성된 식각방지층(160)을 포함한다.
상기 반도체 기판(110)은, 도면에는 도시되어 있지 않지만, 그 내부(활성 영역)에 다수의 반도체 소자들을 포함하고 있다.
상기 본딩 패드(120)는 반도체 기판(110)으로 전기적 신호가 입/출력되기 위한 부분으로 반도체 기판(110) 위에 다수 개 구비되며, 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등과 같이 비저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다.
상기 절연층(130)은 반도체 기판(110) 상부의, 본딩 패드(120)가 형성된 영역을 제외한 나머지 부분에 형성되어, 반도체 기판(110)이 본딩 패드(120) 이외의 영역에서 절연되도록 한다. 또한, 절연층(130)은 반도체 기판(110)의 상면을 외부의 불순물, 물리적 충격 등으로부터 보호하는 역할을 한다. 이러한 절연층(130)은 복수의 층으로 형성될 수 있으며, 그 재질 또한 산화막, 질화막, 폴리이미드(PolyImide, PI), 벤조사이클로부텐(BenxoCycloButene, BCB), 폴리벤즈옥사졸(Poly Benz Oxaxole, PBO), BT(BismaleimideTriazine), 페놀 수지(phenolic resin), 에폭시 또는 그 등가물 중 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 금속기저층(140)은 노출된 본딩 패드(120) 및 절연층(130) 전면에 걸쳐 형성되며, 스퍼터링(sputtering) 또는 증착(evaporation) 등의 박막 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 금속기저층(140)은 예를 들면, 티타늄텅스텐(TiW)층(142)과 구리(Cu)층(144)의 복층 구조를 갖지며, 다른 금속들 예를 들면, 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 주석(Sn), 은(Ag) 등의 금속이나 그 함금도 금속기저층(140)으로 사용할 수 있다.
상기 티타늄텅스텐(TiW)층(142)은 접착층과 확산방지층의 역할을 하며, 상기 구리(Cu)층(144)은 솔더 리플로우시 솔더 퍼짐층 역할을 한다. 또한, 상기 구리층(144)은 솔더 범프(150) 형성을 위한 시드(seed)로서 기능을 한다. 즉, 구리층은 솔더 범프(150)를 전해 도금(electro-plating) 방식으로 형성하는 경우, 전류가 흐를 수 있는 경로를 제공하여 그 상부에 솔더 범프(150)가 형성될 수 있도록 한다.
상기 솔더 범프(150)는 금속기저층(140) 상부에 형성되어 반도체 기판(110)과 외부의 회로 예를 들면, PCB 기판(도시하지 않음)을 전기적으로 접속하기 위한 것으로, 스터드(152)와 솔더볼(154)로 구성될 수 있다. 스터드(152)는, 금속기저층(140) 상에 형성되며, 솔더범프(150)의 높이를 조절하기 위한 것일 수 있다. 즉, 스터드(152)는 반도체 기판(110)과 PCB 기판(도시하지 않음)을 접속하기 위해 필요한 솔더 범프(150)의 높이를 확보할 수 있도록 한다. 이를 위해 스터드(152)는 30㎛ ~ 50㎛의 높이로 설정될 수 있다. 또한, 솔더볼(154)은 스터드(152) 상에서 반구 형태로 형성될 수 있다.
상기 식각방지층(160)은 금속기저층(140) 연장부(140a) 즉, 솔더 범프(150) 가장자리에 솔더 범프(150)를 감싸도록 형성되어, 금속기저층(140) 식각시 언더컷을 방지하는 기능을 한다. 이러한 식각방지층(160)은 금속기저층(140)을 이루는 금속과 등가의 금속 또는 금속기저층 패턴형성을 위한 식각공정에서 해당 식각용액에 대한 흡수성이 금속기저층(140)에 비해 낮은 물질로 이루어질 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 실시예에 따른 반도체 패키지는 금속기저층 연장부 즉, 솔더 범프 측벽에 솔더 범프를 감싸도록 식각방지층을 형성함으로써 하부의 금속기저층 식각시 언더컷 발생을 최소화할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 반도체 패키지는 솔더 범프 측벽에 미세 패턴의 식각방지층을 형성함으로써 솔더 범프가 리프트-오프(lift-off) 되는 것을 방지할 수 있다.
도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조과정을 설명하기 위한 단면도이다.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)에 다수의 본딩 패드(120)를 형성한 다음 본딩 패드(120)를 제외한 나머지 반도체 기판(110)에 절연층(130)을 형성한다. 여기서, 본딩 패드(120)는 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등과 같이 비정항이 낮은 금속으로 형성하며, 절연층(130)은 산화막, 질화막, 폴리이미드(PolyImide, PI), 벤조사이클로부텐(BenxoCycloButene, BCB), 폴리벤즈옥사졸(Poly Benz Oxaxole, PBO), BT(BismaleimideTriazine), 페놀 수지(phenolic resin), 에폭시 또는 그 등가물 중 선택된 어느 하나로 형성할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 절연층(130)이 하나의 층으로 형성되어 있으나, 복수의 층으로 형성할 수 있음은 물론이다.
다음으로, 도 3b에 도시된 바와 같이, 본딩 패드(120) 및 절연층(130) 전면에 걸쳐 금속기저층(140)을 형성한다. 여기서, 금속기저층(140)은 접착층과 확산방지층의 역할을 하는 제1 금속층(142) 및 솔더 퍼짐층 역할을 하는 제2 금속층(144)의 복층으로 이루어지며 스퍼터링(sputtering) 또는 증착(evaporation) 등의 박막 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 본 실시예에서 제1 금속층(142)은 티타늄과 텅스텐의 합금(TiW)으로, 제2 금속층(144)은 구리(Cu)로 형성할 수 있으며, 다른 금속들 예를 들면, 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 주석(Sn), 은(Ag) 등의 금속이나 그 함금으로 형성할 수 있다. 또한, 상기 제2 금속층(144) 즉, 구리층은 솔더 범프(150) 형성을 위한 시드(seed)로서 기능을 한다. 즉, 구리층은 솔더 범프를 전해 도금(electro-plating) 방식으로 형성하는 경우, 전류가 흐를 수 있는 경로를 제공하여 그 상부에 솔더 범프가 형성될 수 있도록 한다.
다음으로, 도 3c에 도시된 바와 같이 상기 제2 금속층(144) 위에 제1 포토레지스트 패턴(171)을 형성하여 예정된 솔더 범프 형성영역(150a)의 제2 금속층(144) 상면이 노출되도록 한다. 여기서, 제1 포토레지스트 패턴(171)은 일반적인 사진공정(Photo-Lithography)에 의해 제2 금속층(144) 전면에 제1 포토레지스트를 40 내지 50 ㎛ 정도 두께가 되도록 도포한 후 예정된 솔더 범프 형성영역의 제1 포토레지스트를 제거함으로써 형성할 수 있다.
다음으로, 도 3d에 도시된 바와 같이 노출된 제2 금속층(144) 상면에 솔더 범프(150)를 형성한다. 여기서, 솔더 범프(150)는 스터드(152)와 솔더볼(154)을 포함하며 구리(Cu), 니켈(Ni), 주석(Sn), 납(Pb), 은(Ag) 등의 합금 또는 그 등가물을 이용한 도금 공정에 의해 형성할 수 있다.
다음으로, 도 3e에 도시된 바와 같이 제1 포토레지스트 패턴(171) 및 솔더 범프(150) 위에 제2 포토레지스트 패턴(172)을 형성하여 예정된 식각방지층(160) 형성영역의 제1 포토레지스트 패턴(171) 상면이 노출되도록 한다. 여기서, 제2 포토레지스트 패턴(172)은 일반적인 포토리소그래피(Photo-Lithography) 공정에 의해 솔더 범프(150) 및 제1 포토레지스트 패턴(171) 전면에 제2 포토레지스트를 10 내지 30 ㎛ 정도 두께가 되도록 도포한 후 예정된 식각방지층(160) 형성영역의 제2 포토레지스트를 제거함으로써 형성할 수 있다.
다음으로, 도 3f에 도시된 바와 같이 제2 포토레지스트 패턴(172)을 식각마스크로 이용한 건식 식각 공정에 의해 제1 포토레지스트 패턴(171)을 제거하여 예정된 식각방지층 형성영역(160a)의 금속기저층(150)을 노출시킨다. 여기서, 제1 포토레지스트와 제2 포토레지스트는 폴리메틸메탈크릴레이트(PMMA) 또는 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 계열의 포토레지스를 사용할 수 있으며, O2 플라즈마로 예정된 식각방지층 형성영역(160a) 이외의 제2 포토레지스트를 건식식각하여 제거한다. 또한, 건식 식각 공정 전에 화학-기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 공정을 통해 제2 포토레지스트 패턴(171)을 일부 제거하여 두께를 줄인 후에 건식 식각 공정을 진행할 수도 있다.
PMMA와 PEEK의 식각 시간(Etching Time)에 따른 식각률(Etching Rate) 및 식각 깊이(Etching Depth)는 도 4에 도시된 바와 같다. 도 4를 참조하면, 식각률은 식각 시간이 경과해도 일정하며, 식각 깊이는 식각 시간이 경과함에 따라 선형적으로 증가하므로 식각하고자 하는 포토레지스트의 두께, 식각률을 고려하여 적정 식각 시간을 설정할 수 있다. 이에 따라, 종횡비가 높은 미세 패턴 영역을 에치스탑 없이 건식식각으로 제거할 수 있다.
다음으로, 도 3g에 도시된 바와 같이 노출된 금속기저층(140) 상부에 식각방지층(160)을 형성한다. 여기서, 식각방지층(160)은 솔더 범프(150) 가장자리를 감싸도록 금속기저층 연장부(140a)에 형성되어 금속기저층(140) 식각시 언더컷을 방지하는 기능을 한다. 이러한 식각방지층(160)은 금속기저층(140)을 제거하기 위한 습식 식각(wet-etch)시 해당 식각 용액에 대해 식각률이 낮은 물질 예를 들면, 금속 또는 폴리머 계열 중 흡수성이 낮은 물질로 형성될 수 있으며, 식각방지층(160)이 금속인 경우 전해도금법에 의해 형성할 수 있다.
다음으로, 도 3h에 도시된 바와 같이 예정된 식각방지층(160) 형성영역을 노출시키기 위한 마스크로 사용된 제1 포토레지스트 패턴(171) 및 제2 포토레지스트 패턴(172)을 제거한다.
다음으로, 도 3i에 도시된 바와 같이, 식각방지층(160) 하부의 금속기저층(140)을 제거한다. 여기서, 금속기저층 연장부(140a)에 형성된 식각방지층(160)에 의해 하부의 금속기저층(140)에 언더컷이 발생하지 않음을 확인할 수 있다.
다음으로, 일반적인 솔더 리플로우 공정을 진행하여 도 3j에 도시된 바와 같은 솔더 범프 최종 구조를 형성할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 실시예에 따른 반도체 패키지 제조방법은 금속기저층 연장부 즉, 솔더 범프 측벽에 솔더 범프를 감싸도록 식각방지층을 형성함으로써 하부의 금속기저층 식각시 언더컷 발생을 최소화할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 반도체 패키지 제조방법은 다층구조의 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 솔더 범프 측벽에 미세 패턴의 식각방지층을 형성함으로써 솔더 범프가 리프트-오프(lift-off) 되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 본 발명의 상세한 설명 및 첨부도면에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명은 개시된 실시예에 한정되지 않고 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들을 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 반도체 패키지 110 : 반도체 기판
120 : 본딩 패드 130 : 절연층
140 : 금속기저층 150 : 솔더 범프
160 : 식각방지층 171, 172 : 포토레지스트 패턴
120 : 본딩 패드 130 : 절연층
140 : 금속기저층 150 : 솔더 범프
160 : 식각방지층 171, 172 : 포토레지스트 패턴
Claims (7)
- 서로 이격 배치된 복수의 본딩 패드를 구비하는 반도체 기판과;
상기 본딩 패드를 노출하는 개구부를 갖도록 상기 반도체 기판 상부에 형성된 절연층과;
상기 본딩 패드 및 상기 절연층 상부에 형성된 금속기저층과;
상기 본딩 패드와 전기적으로 접속하도록 상기 금속기저층 상부에 형성된 솔더 범프와;
상기 솔더 범프를 감싸도록 상기 금속기저층 상부에 형성된 식각방지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 식각방지층은
상기 금속기저층을 이루는 금속과 등가의 금속 또는 상기 금속기저층 패턴형성을 위한 식각용액에 대한 흡수성이 상기 금속기저층에 비해 낮은 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
- 제 2 항에 있어서, 상기 금속기저층 패턴형성을 위한 식각용액에 대한 흡수성이 상기 금속기저층에 비해 낮은 물질은 폴리이미드 계열 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
- (a) 다수의 본딩 패드를 구비하는 반도체 기판 위에 상기 본딩 패드 상면이 노출되도록 절연층을 형성하는 과정과;
(b) 상기 본딩 패드 및 상기 절연층 상부에 금속기저층을 형성하는 과정과;
(c) 예정된 솔더 범프 형성영역의 상기 금속기저층이 노출되도록 상기 금속기저층 위에 제1 마스크 패턴을 형성하는 과정과;
(d) 노출된 상기 금속기저층 위에 솔더 범프를 형성하는 과정과;
(e) 상기 솔더 범프 가장자리의 예정된 식각방지층 형성영역의 상기 제1 마스크 패턴이 노출되도록 상기 제1 마스크 패턴 및 상기 솔더 범프 위에 제2 마스크 패턴을 형성하는 과정과;
(f) 상기 제2 마스크 패턴을 마스크로 이용한 식각 공정에 의해 상기 제1 마스크 패턴을 식각하여 예정된 식각방지층 형성영역의 상기 금속기저층을 노출시키는 과정과;
(g) 노출된 상기 금속기저층 위에 식각방지층을 형성하는 과정과;
(h) 상기 제1 마스크 패턴 및 상기 제2 마스크 패턴을 제거하는 과정과;
(i) 상기 솔더 범프 및 상기 식각방지층을 마스크로 이용한 식각 공정에 의해 상기 금속기저층을 제거하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제1 마스크 패턴 및 상기 제2 마스크 패턴은 포토레지스트로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 (g) 과정은
전해도금 공정에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 (g) 과정은
상기 (i) 과정에서 상기 금속기저층을 제거하기 위해 사용되는 식각용액에 대한 흡수성이 상기 금속기저층에 비해 낮은 폴리머를 증착함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법.
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