KR20140027453A - Dies prepeeling apparatus and method - Google Patents

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KR20140027453A
KR20140027453A KR1020147000513A KR20147000513A KR20140027453A KR 20140027453 A KR20140027453 A KR 20140027453A KR 1020147000513 A KR1020147000513 A KR 1020147000513A KR 20147000513 A KR20147000513 A KR 20147000513A KR 20140027453 A KR20140027453 A KR 20140027453A
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KR1020147000513A
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친-티엔 치우
헴 타키아르
닝 리우
지동 장
종 루
엔용 타이
나디르 엘리파라칼
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샌디스크 세미컨덕터 (상하이) 컴퍼니, 리미티드
샌디스크 인포메이션 테크놀로지 (상하이) 컴퍼니, 리미티드
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Abstract

반도체 다이들(212)이 위에 부착되어 있는 다이싱 테이프(200)로부터 반도체 다이들(212)을 프리필링하기 위한 장치(100) 및 방법이 개시된다. 장치(100)는 하부 기저(112), 상부 개구부(114) 및 기저(112)의 주변부로부터 상향 연장된 고리모양 측벽(116)을 갖는 챔버(110)를 포함한다. 측벽(116)은 실질적으로 편평한 상면을 갖는다. 장치(100)는 챔버(110) 위에 배치된 커버(120)를 더 포함한다. 커버(120)는 중앙 개구부를 갖는다. 장치(100)는 기저(112)에 배치된 적어도 하나의 인렛(118) 및 적어도 하나의 인렛(118)을 통해 챔버(110)에 연결된 압력 조절기(150)를 더 포함한다. 다이싱 테이프(200)는 커버(120)와 측벽(116)의 상면 사이에 배치되어 챔버(110)의 상부 개구부(114)를 밀폐하여 실링한다. 반도체 다이들(212)은 챔버(110)의 상부 개구부(114) 바로 위에 위치된다. Apparatus 100 and method for prefilling semiconductor dies 212 from a dicing tape 200 with semiconductor dies 212 attached thereon are disclosed. The apparatus 100 includes a chamber 110 having a lower base 112, an upper opening 114 and an annular sidewall 116 extending upwardly from the periphery of the base 112. Sidewall 116 has a substantially flat top surface. The apparatus 100 further includes a cover 120 disposed over the chamber 110. The cover 120 has a central opening. The apparatus 100 further includes at least one inlet 118 disposed on the base 112 and a pressure regulator 150 connected to the chamber 110 via at least one inlet 118. The dicing tape 200 is disposed between the cover 120 and the top surface of the side wall 116 to seal and seal the upper opening 114 of the chamber 110. Semiconductor dies 212 are located directly above the upper opening 114 of the chamber 110.

Description

다이 프리필링 장치 및 방법{DIES PREPEELING APPARATUS AND METHOD}DIE PREPEELING APPARATUS AND METHOD

본 기술은 반도체 디바이스들의 제조에 관한 것이다.The present technology relates to the manufacture of semiconductor devices.

웨이퍼가 다이 부착 필름(22)을 통해 다이싱 테이프(dicing tape)(20)에 부착된 복수의 개별적인 다이(10)로 분리된 후, 소위 픽업(pick up) 공정에서의 디바이스는 도 1a에 도시된 대로, 다이싱 테이프(20)로부터 개별화된(singularized) 다이(10)를 픽업할 것이다. 도 1b는 다이싱 테이프(20)로부터 반도체 다이들(10)을 픽업하는 픽업 메커니즘의 확대된 개략적인 측면도를 도시한다. 개별화된 다이들(10)은 드러스트 핀(thrust pin)과 같은 이젝터(ejector)(30)를 사용하여 다이싱 테이프(20)를 통해 그들의 뒷면에서 프레스(pressed)된다. 결과적으로, 반도체 다이들(10)은, 위쪽에서 드러스트 핀(30)의 반대편에 위치한 석션 디바이스(suction device)(40)에 의해 들려져 있는 동안 다이싱 테이프(20)로부터 필링(peeled)된다. 석션 디바이스(40)는 통상적으로 진공 펌프에 연결된 고무 팁(tip)으로 알려져 있다.After the wafer is separated into a plurality of individual dies 10 attached to the dicing tape 20 through the die attach film 22, the device in the so-called pick up process is shown in FIG. 1A. As such, it will pick up a singularized die 10 from the dicing tape 20. 1B shows an enlarged schematic side view of a pickup mechanism for picking up semiconductor dies 10 from dicing tape 20. The individualized dies 10 are pressed at their backside through the dicing tape 20 using an ejector 30 such as a thrust pin. As a result, the semiconductor dies 10 are peeled from the dicing tape 20 while being lifted by a suction device 40 located on the opposite side of the thrust pin 30 from above. The suction device 40 is commonly known as a rubber tip connected to a vacuum pump.

픽업 공정 동안, 반도체 다이(10)가 100㎛ 이하로 얇은 경우, 반도체 다이(10)의 뒷면이 이젝터(30)에 의해 밀어올려지고 반도체 다이(10)의 앞면이 석션 디바이스(40)에 부착될 때, 다이 부착 필름(22)과 다이싱 테이프(20) 사이의 접착제의 잔여 본딩(bonding) 힘에 의해, 반도체 다이들(10)의 주변부는 상대적으로 높은 속도로 구부려지는 힘을 받게 된다. 이 경우, 균열 또는 치핑(chipping)과 같은 결함이 반도체 다이(10)의 주변부에서 발생하기 시작해서, 제품 품질의 감소 및 수율(yield) 손실을 낳는다. 그러므로, 반도체 디바이스들을 제조하기 위한 방법 및 장치들에 있어서의 향상이 요구된다.During the pickup process, when the semiconductor die 10 is thinner than 100 μm, the backside of the semiconductor die 10 is pushed up by the ejector 30 and the front side of the semiconductor die 10 is attached to the suction device 40. At this time, due to the remaining bonding force of the adhesive between the die attach film 22 and the dicing tape 20, the periphery of the semiconductor dies 10 is subjected to a force bending at a relatively high speed. In this case, defects such as cracks or chipping begin to occur at the periphery of the semiconductor die 10, resulting in reduced product quality and yield loss. Therefore, there is a need for improvements in methods and apparatuses for manufacturing semiconductor devices.

도 1a 및 1b는 반도체 디바이스 제조를 위한 픽업 공정을 도시하는 개략적인 측면도이다.
도 2는 본 기술에 따라 반도체 다이들을 프리필링하기 위한 장치의 개략적인 분해 사시도이다.
도 3은 본 기술에 따라 반도체 다이들을 프리필링하기 위한 장치의 개략적인 부분 측면도이다.
도 4는 본 기술에 따라 반도체 다이들을 프리필링하기 위한 장치의 챔버(chamber)의 도식적인 평면도이다.
도 5a 및 5b는 본 기술에 따라 반도체 다이들을 프리필링하기 위한 장치의 개략적인 측면도이다.
도 6a 내지 6e는 본 기술의 제1 실시예에 따라 반도체 다이들을 프리필링하는 방법을 포함하는 반도체 디바이스들의 제조 방법을 도시하는 개략도들이다.
도 7은 본 기술의 제1 실시예에 따르는 돔과 같은 모양의 변형된 다이싱 테이프의 확대도이다.
도 8은 본 기술의 제2 실시예에 따르는 뒤집힌 돔과 같은 모양의 변형된 다이싱 테이프의 확대도이다.1A and 1B are schematic side views illustrating a pickup process for manufacturing a semiconductor device.
2 is a schematic exploded perspective view of an apparatus for prefilling semiconductor dies in accordance with the present technology.
3 is a schematic partial side view of an apparatus for prefilling semiconductor dies in accordance with the present technology.
4 is a schematic plan view of a chamber of an apparatus for prefilling semiconductor dies in accordance with the present technology.
5A and 5B are schematic side views of an apparatus for prefilling semiconductor dies in accordance with the present technology.
6A-6E are schematic diagrams illustrating a method of manufacturing semiconductor devices including a method of prefilling semiconductor dies in accordance with a first embodiment of the present technology.
7 is an enlarged view of a modified dicing tape shaped like a dome according to the first embodiment of the present technology.
8 is an enlarged view of a deformed dicing tape shaped like an inverted dome according to a second embodiment of the present technology.

실시예들은 도 2 내지 도 8을 참조하여 설명될 것이며, 이는 반도체 다이들을 다이싱 테이프로부터 프리필링하는 장치 및 방법에 관련된다. 본 기술은 복수의 다른 형태들로 구현될 수 있는 것으로 이해되며, 여기 제시된 실시예들에 국한되는 것으로 해석되어서는 안된다. 오히려, 이 실시예들은 본 명세서가 온전하고 완전하며, 본 기술을 당업자에게 충분히 전달하도록 제공된다. 실제로, 본 기술은 이 실시예들의 대체물, 변경물 및 등가물을 포함하고자 하며, 이는 첨부된 청구범위에 의해 정의된 본 발명의 범위 및 취지에 포함된다. 또한, 본 기술의 이하의 상세한 설명에서, 본 기술의 온전한 이해를 제공하기 위해 여러 구체적인 상세사항이 제시된다. 그러나, 본 기술은 그러한 구체적인 상세사항 없이도 실시될 수 있음이 당업자에게 명백할 것이다.Embodiments will be described with reference to FIGS. 2 through 8, which relate to an apparatus and method for prefilling semiconductor dies from a dicing tape. It is to be understood that the present technology may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the technology to those skilled in the art. Indeed, the present technology is intended to cover alternatives, modifications and equivalents of these embodiments, which are included within the scope and spirit of the invention as defined by the appended claims. In addition, in the following detailed description of the present technology, numerous specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of the present technology. However, it will be apparent to those skilled in the art that the present technology may be practiced without such specific details.

이곳에 사용될 수 있는 "상부(top)", "하부(bottom)", "상위(upper)", "하위(lower)", "수직의(vertical)", 및/또는 "수평의(horizontal)"라는 용어들은 편의와 도시를 목적으로 한 것일 뿐, 언급된 항목은 위치가 교환될 수 있기에, 본 기술의 설명을 국한하기 위함이 아니다. "Top", "bottom", "upper", "lower", "vertical", and / or "horizontal" can be used here. The terms "only" are for convenience and illustration, and the items mentioned are not intended to limit the description of the present technology, since the locations may be exchanged.

도 2는 본 기술에 따라 반도체 다이들을 프리필링하기 위한 장치(100)의 개략적인 분해 사시도이다. 이 장치(100)는 하부 기저(bottom base)(112), 상부 개구부(114), 및 기저(112)의 주변부로부터 상향 연장된 고리모양 측벽(116)을 갖는 챔버(110)를 포함한다. 복수의 반도체 다이들(212)이 위에 부착된 다이싱 테이프(200)가 챔버(110) 위에 배치된다. 챔버(110)의 기저(112)는 편평한 또는 볼록한 면을 가질 수 있다. 도 2에 도시된 대로, 고리모양 측벽(116)의 단면 모양은 링과 같은 모양을 갖지만, 본 기술은 거기에 국한하지 않고, 측벽(116)은 다이싱 테이프(200) 상의 반도체 다이들(212)이 중앙 개구부 바로 위에 위치되게 해 주기 위해 중앙 개구부와의 다른 기하학적 배열들을 가질 수 있다. 이 경우, 다이싱 테이프(200)가 작동 중 변형되면, 반도체 다이들(212)은 다이싱 테이프(200)와 함께 자유롭게 이동할 수 있다. 측벽(116)은 실질적으로 편평한 상면을 가져, 다이싱 테이프(200)가 측벽(116)의 상면에 신뢰가능하게 놓여질 수 있다. 챔버(110)의 몸체는 철, 알루미늄, 또는 구리와 같은 금속으로 이루어질 수 있다.2 is a schematic exploded perspective view of an apparatus 100 for prefilling semiconductor dies in accordance with the present technology. The device 100 includes a chamber 110 having a bottom bottom 112, an upper opening 114, and an annular sidewall 116 extending upwardly from the periphery of the base 112. Dicing tape 200 with a plurality of semiconductor dies 212 attached thereon is disposed above chamber 110. The base 112 of the chamber 110 may have a flat or convex surface. As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the annular sidewall 116 has a ring-like shape, but the present technology is not limited thereto, and the sidewall 116 is formed of semiconductor dies 212 on the dicing tape 200. ) May have different geometries from the central opening to allow it to be positioned directly above the central opening. In this case, when the dicing tape 200 is deformed during operation, the semiconductor dies 212 may move freely with the dicing tape 200. Sidewall 116 has a substantially flat top surface such that dicing tape 200 can be reliably placed on the top surface of sidewall 116. The body of the chamber 110 may be made of metal such as iron, aluminum, or copper.

장치(100)는 챔버(110) 위에 배치된 커버(cover)(120)를 더 포함한다. 다이싱 테이프(200)는 측벽(116)의 상면과 커버(120) 사이에 배치된다. 다이싱 테이프(200)는 통상적으로 양면 상에 도포된 접착제(도시되지 않음)를 가지므로, 다이싱 테이프(200)는 측벽(116)의 상면과 커버(120)를 접착제를 통해 본딩할 수 있고, 따라서 챔버(110)의 상부 개구부(114)를 밀폐하여 실링한다. 도 2에 도시된 대로, 커버(120)는 링과 같은 모양을 가지나, 본 기술은 거기에 국한하지 않고, 커버(120)는 다이싱 테이프(200) 상의 반도체 다이들(212)이 중앙 개구부 바로 아래에 위치되도록 중앙 개구부와의 다른 기하학적 배열들을 가질 수 있다. 이 경우, 다이싱 테이프(200)가 작동 중 변형되면, 반도체 다이들(212)은 다이싱 테이프(200)와 함께 자유롭게 이동할 수 있다. 커버(120)는 측벽의 상면과 실질적으로 동일 단면 모양과 치수를 갖는 고리모양 부재일 수 있다. 커버(120)는 철, 알루미늄 또는 구리와 같은 금속으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 커버(120)는 이전 다이싱 단계 동안 다이싱 테이프에 부착된 웨이퍼 링(wafer ring)일 수 있다. 장치(100)는 커버(120)와 다이싱 테이프(200)를 측벽(116)의 상면 위에 신뢰가능하게 고정시키기 위한, 적어도 하나의 홀딩(holding) 부재(130)를 더 포함할 수 있다. 이 홀딩 부재(130)는 나사, 핀, 클램프(clamp), 리벳(rivet), 또는 챔버(110)의 실링을 향상시키기 위한 다른 수단들을 포함할 수 있다. 예컨대, 도 2에 도시된 대로, 4개의 레지스트레이션 핀(registration pin)이 홀딩 부재(130)로서 커버(120)의 주변부를 따라 고르게 분포되어 있다. 홀딩 부재(130) 또한 금속으로 이루어질 수 있다.The device 100 further includes a cover 120 disposed over the chamber 110. The dicing tape 200 is disposed between the top surface of the sidewall 116 and the cover 120. Since the dicing tape 200 typically has an adhesive (not shown) applied on both sides, the dicing tape 200 can bond the top surface of the sidewall 116 and the cover 120 through the adhesive and Therefore, the upper opening 114 of the chamber 110 is sealed by sealing. As shown in FIG. 2, the cover 120 has a ring-like shape, but the present technology is not limited thereto, and the cover 120 includes the semiconductor dies 212 on the dicing tape 200 directly in the center opening. It may have other geometric arrangements with the central opening to be located below. In this case, when the dicing tape 200 is deformed during operation, the semiconductor dies 212 may move freely with the dicing tape 200. The cover 120 may be an annular member having substantially the same cross-sectional shape and dimensions as the top surface of the side wall. The cover 120 may be made of metal such as iron, aluminum or copper. For example, cover 120 may be a wafer ring attached to the dicing tape during the previous dicing step. The apparatus 100 may further include at least one holding member 130 for reliably securing the cover 120 and the dicing tape 200 on the top surface of the sidewall 116. The holding member 130 may include screws, pins, clamps, rivets, or other means for improving the sealing of the chamber 110. For example, as shown in FIG. 2, four registration pins are evenly distributed along the periphery of the cover 120 as the holding member 130. The holding member 130 may also be made of metal.

선택적으로, 장치(100)는 측벽(116)의 실링을 향상시키기 위한, 다이싱 테이프(200)와 측벽(116)의 상면 사이에 배치된 실링 부재(140)를 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 대로, 커버(120)와 측벽(116) 모두 링과 같은 단면 모양을 갖는 경우, 실링 부재(140)는 O-링(O-ring)일 수 있다. 측벽(116) 상부에 직접적으로 놓이는 대신, 도 3의 측면도에 도시된 대로, 실링 부재(140)는 또한 측벽(116) 상면에 형성된 홈(groove)(170) 내에 수납될 수 있다. 이 경우, 실링 부재(140)는 측벽(116) 위에 더욱 신뢰가능하게 놓일 수 있어, 챔버(110)의 실링을 향상시킨다.Optionally, the device 100 may include a sealing member 140 disposed between the dicing tape 200 and the top surface of the sidewall 116 to enhance the sealing of the sidewall 116. As shown in FIG. 2, when both cover 120 and sidewall 116 have a ring-shaped cross-sectional shape, sealing member 140 may be an O-ring. Instead of laying directly on top of the sidewall 116, the sealing member 140 may also be received in a groove 170 formed in the top surface of the sidewall 116, as shown in the side view of FIG. 3. In this case, the sealing member 140 can be placed more reliably on the side wall 116, thereby improving the sealing of the chamber 110.

또한, 장치(100)는 기저(112)에 배치된 적어도 하나의 인렛(inlet)(118)을 포함한다. 기저(112)에 분포된 복수의 인렛(118)이 있을 수 있으나, 적어도 하나의 인렛(118)이 기저(112)의 중앙에 또는 기저(112)의 중앙 부근에 배치되는 것이 바람직하다. 예컨대, 도 4는 복수의 인렛(118)을 갖는 챔버(110)의 개략적인 평면도이고, 하나의 인렛(118)은 기저(112)의 중앙에 배치되고, 나머지 인렛들(118)은 기저면에 걸쳐 분포된다. 장치(100)는 또한 그 인렛(들)(118)을 통해 챔버(110)에 연결된 압력 조절기(150)을 더 포함한다. 압력 조절기(150)는 다이싱 테이프(200)가 챔버(110)의 상부 개구부를 실링하는 경우, 챔버(110) 내부의 압력을 조정할 수 있고, 따라서 다이싱 테이프(200)의 반대 면들 사이의 압력차를 생성하여, 다이싱 테이프(200)를 변형시킬 수 있다. 예컨대, 다이싱 테이프(200) 상의 반도체 다이들(212)이 도 5a에 도시된 대로 챔버(110)의 외부에 배치된 경우, 압력 조절기(150')는 액체 또는 기체를 챔버(110) 안으로 제공하여 챔버(110) 내부에서 대기압 등의 주변 압력에 대한 정압(positive pressure)을 생성하는 유체 공급기(fluid supply)(152')를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 기체는 다이싱 테이프(200)를 수분으로부터 보호하기 위한 건조한 공기 또는 건조한 질소일 수 있다. 압력 조절기(150')는 또한 정압을 조정하기 위해 유체의 흐름율을 제어하기 위한 게이지(gauge)를 갖는 밸브와 같은 유체 제어기(154')를 포함할 수 있다. 대체적으로, 다이싱 테이프(200) 상의 반도체 다이들(212)이 도 5b에 도시된 대로 챔버(110) 내부에 배치된 경우, 압력 조절기(150")는 진공도(vacuum degree), 즉 주변 압력에 대한 챔버(110) 내부의 음압(negative pressure)을 제어하는 밸브(154") 및 진공 펌프(152")를 포함할 수 있다.The device 100 also includes at least one inlet 118 disposed on the base 112. There may be a plurality of inlets 118 distributed over the base 112, but at least one inlet 118 is preferably disposed at or near the center of the base 112. For example, FIG. 4 is a schematic plan view of a chamber 110 having a plurality of inlets 118, with one inlet 118 disposed in the center of the base 112 and the remaining inlets 118 across the base surface. Distributed. The apparatus 100 further includes a pressure regulator 150 connected to the chamber 110 through its inlet (s) 118. The pressure regulator 150 may adjust the pressure inside the chamber 110 when the dicing tape 200 seals the upper opening of the chamber 110, and thus the pressure between the opposite sides of the dicing tape 200. The difference can be generated to deform the dicing tape 200. For example, when semiconductor dies 212 on dicing tape 200 are disposed outside of chamber 110 as shown in FIG. 5A, pressure regulator 150 ′ provides liquid or gas into chamber 110. It may include a fluid supply (152 ') for generating a positive pressure (positive pressure) to the ambient pressure, such as atmospheric pressure in the chamber 110. Preferably, the gas may be dry air or dry nitrogen to protect the dicing tape 200 from moisture. The pressure regulator 150 ′ may also include a fluid controller 154 ′, such as a valve having a gauge to control the flow rate of the fluid to regulate the static pressure. In general, when the semiconductor dies 212 on the dicing tape 200 are disposed inside the chamber 110 as shown in FIG. 5B, the pressure regulator 150 ″ may be at a vacuum degree, that is, at ambient pressure. It may include a valve 154 "and a vacuum pump 152" for controlling the negative pressure inside the chamber 110 for.

또한, 장치(100)는 다이싱 테이프(200)가 압력 조절기(150)에 의해 도입된 압력차 때문에 변형될 때, 다이싱 테이프(200)에 조사하기 위한, UV 광원과 같은 방사선 소스(radiation source)(도시되지 않음)를 챔버(110) 내부에 더 포함할 수 있다.In addition, the apparatus 100 is provided with a radiation source, such as a UV light source, for irradiating the dicing tape 200 when the dicing tape 200 is deformed due to the pressure difference introduced by the pressure regulator 150. (Not shown) may be further included in the chamber 110.

장치(100)에 대한 추가 상세사항은 본 기술에 따르는 반도체 디바이스 제조 방법을 참조하여 아래에 설명될 것이다.Further details of the apparatus 100 will be described below with reference to a method of manufacturing a semiconductor device in accordance with the present technology.

도 6a 내지 6e는 본 기술의 제1 실시예에 따르는 반도체 디바이스 제조 방법을 도시하는 개략도들이다.6A-6E are schematic diagrams illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present technology.

도 6a에 도시된 대로, 웨이퍼(210)는 처음으로 다이싱 테이프(200) 위에 선택적으로 다이 부착 필름(die attach film; DAF)(220)을 통해 부착된다. 다이싱 테이프(200)는 통상적으로 양쪽 면들에 접착제가 도포된 PVC(polyvinylchloride), PET(polyethylene terephthalate), 폴리올레핀(polyolefin), 또는 폴리에틸렌(polyethylene)과 같은 기저 재료들을 포함한다. 접착제는 또한 UV 조사시 접착제 본드가 망가지도록(broken) 하기 위해, UV에 민감할 수 있다. 다이 부착 필름(220)은 통상적으로 패키지에서 요구되는 일관된 본드라인(bondline) 두께를 갖기 위해 박형 다이 적층 패키지(thin die stack package)에 사용된다. DAF(220)와 다이싱 테이프(200) 사이의 본딩 강도는 통상적으로 반도체 다이들(212)과 DAF(220) 사이의 본딩 강도보다 더 작아서, 프리필링 및 후속 픽업 공정 동안, 반도체 다이들(212)과 DAF(220)는 다이싱 테이프(200)로부터 분리된다.As shown in FIG. 6A, the wafer 210 is first attached onto a dicing tape 200 via a die attach film (DAF) 220 optionally. The dicing tape 200 typically includes base materials such as polyvinylchloride (PVC), polyethylene terephthalate (PET), polyolefin, or polyethylene with adhesives applied to both sides. The adhesive may also be sensitive to UV, in order to break the adhesive bond upon UV irradiation. Die attach film 220 is typically used in thin die stack packages to have a consistent bondline thickness required in the package. The bonding strength between the DAF 220 and the dicing tape 200 is typically less than the bonding strength between the semiconductor dies 212 and the DAF 220, so that during the prefilling and subsequent pick-up process, the semiconductor dies 212 ) And DAF 220 are separated from dicing tape 200.

다음으로, 도 6b에 도시된 대로, 웨이퍼(210)는, 소위 다이싱 공정에서 다이아몬드 톱 또는 레이저(도시되지 않은)와 같은 커팅 툴(cutting tool)에 의해 다이싱 테이프(200) 상의 복수의 개별 반도체 다이들(212)로 분리된다. 다이싱 테이프 상의 접착제는 반도체 다이들을 제자리에(in place) 유지한다. 바람직하게는, 웨이퍼(210)와 DAF(220) 모두 완전히 커팅(cut through)되어 다이싱 테이프(200) 또한 반도체 다이들(210) 사이에서 스크라이브된다(scribed). 이 경우, 다이싱 테이프(200)는 반도체 다이들(210) 사이의 위치들에서 약화되어, 후속 공정 동안 더욱 쉽게 변형되는 경향이 있다.Next, as shown in FIG. 6B, the wafer 210 is divided into a plurality of individual pieces on the dicing tape 200 by a cutting tool such as a diamond saw or a laser (not shown) in a so-called dicing process. Separated into semiconductor dies 212. The adhesive on the dicing tape holds the semiconductor dies in place. Preferably, both wafer 210 and DAF 220 are completely cut through so that dicing tape 200 is also scribed between semiconductor dies 210. In this case, the dicing tape 200 tends to weaken at locations between the semiconductor dies 210 and to deform more easily during subsequent processing.

다음으로, 반도체 다이들(212)을 프리필링하는 방법이 수행된다. 도 6에 도시된 대로, 본 발명의 제1 실시예에 따라, 복수의 반도체 다이(210)가 위에 부착되어 있는 다이싱 테이프(200)가 장치(100) 상에 배치된다. 다이싱 테이프(200)는 표면 상에 도포된 접착제에 의해 챔버(110)의 상부 개구부를 밀폐하여 실링한다. 챔버(110)의 실링은 전술한 대로, 커버(120), 홀딩 부재(들)(130), 및 실링 부재(140)에 의해 더 향상될 수 있다. 또한, 커버(120)는 웨이퍼 링으로서 이전 다이싱 공정에서 다이싱 테이프(200) 상에 부착될 수 있다. 본 실시예에서, 반도체 다이들(212)은 챔버(110) 외부에 배치되고, 장치(100)는 유체 공급기(152') 및 유체 제어기(154')를 포함한다.Next, a method of prefilling the semiconductor dies 212 is performed. As shown in FIG. 6, in accordance with a first embodiment of the present invention, a dicing tape 200 with a plurality of semiconductor dies 210 attached thereon is disposed on the device 100. The dicing tape 200 seals and seals the upper opening of the chamber 110 by the adhesive applied on the surface. The sealing of the chamber 110 may be further enhanced by the cover 120, the holding member (s) 130, and the sealing member 140, as described above. The cover 120 may also be attached on the dicing tape 200 in a previous dicing process as a wafer ring. In this embodiment, the semiconductor dies 212 are disposed outside the chamber 110, and the apparatus 100 includes a fluid supply 152 ′ and a fluid controller 154 ′.

다음으로, 유체는 챔버(110)의 기저(112) 내의 인렛(들)을 통해, 유체 공급기(152')로부터 챔버(110) 내로 공급되어 다이싱 테이프(200)의 반대 면들 사이에 압력차를 생성하는데, 이는 주변 압력에 대한 챔버(110) 내부의 정압이다. 유체는 기체 또는 액체일 수 있다. 전술한 대로, 바람직하게는, 유체는 다이싱 테이프(200)를 수분으로부터 보호하기 위한 건조한 공기 또는 건조한 질소이다. 예컨대, 챔버(110) 내부의 압력은 0.1 MPa에서 0.5 MPa의 범위 내에 있으며, 이는 0.1 MPa 부근의 대기압과 같은 주변 압력보다 높다. 그러한 압력차는 도 6d에 도시된 대로 돔과 같은 모양의 볼록 모양으로서 다이싱 테이프(200)를 변형시킨다.Next, the fluid is supplied from the fluid supply 152 ′ into the chamber 110 through the inlet (s) in the base 112 of the chamber 110 to create a pressure difference between the opposite sides of the dicing tape 200. Produces a static pressure inside the chamber 110 relative to the ambient pressure. The fluid can be a gas or a liquid. As mentioned above, preferably, the fluid is dry air or dry nitrogen to protect the dicing tape 200 from moisture. For example, the pressure inside chamber 110 is in the range of 0.1 MPa to 0.5 MPa, which is higher than the ambient pressure, such as atmospheric pressure near 0.1 MPa. Such a pressure difference deforms the dicing tape 200 into a convex shape like a dome as shown in FIG. 6D.

도 7은 돔과 같은 모양을 갖는 다이싱 테이프(200)의 확대도이다. 도 7에 도시된 대로, 다이싱 테이프(200)의 두 반대면 사이의 압력차는 다이싱 테이프(200) 및 그 위에 부착된 반도체 다이들(212) 위에 실질적으로 균일한 힘을 가한다. 전술한 대로, 폴리머들로 이루어진 다이싱 테이프(200)는 실리콘으로 이루어진 반도체 다이들(212)보다 훨씬 더 유연하기(flexible) 때문에, 주어진 압력에서 다이싱 테이프(200)는 다이싱 테이프(200) 상에 가해지는 응력(stress)이 다이싱 테이프(200)의 기자재(base material)의 항복 강도(yield strength)를 초과할 경우, 큰 탄성 변형(elastic deformation) 또는 심지어 작은 플라스틱 변형에 종속되는 반면, 반도체 다이들(212)은 오직 작은 탄성 변형에 종속된다. 그러한 탄성 변형에 대항하는 반도체 다이들(212)의 복원력(restoring force)이 DAF(220)와 다이싱 테이프(200) 사이의 본딩 강도를 초과할 때, 다이싱 테이프(200)는 본딩 강도가 가장 약한 부분들(반도체 다이들의 코너들과 같이, 반도체 다이들(212)의 주변부들에 대응함)에서 시작하여 반도체 다이들(212)과 DAF(220)로부터 떨어지고, 그에 의해, 반도체 다이들(212)을 픽업하지 않고 반도체 다이들(212)로부터 다이싱 테이프(200)를, 다이싱 테이프(200)로부터 DAF(220)를 부분적으로 필링한다. 따라서 이 공정은 "프리필링" 공정으로 지칭된다.7 is an enlarged view of the dicing tape 200 having a shape like a dome. As shown in FIG. 7, the pressure difference between the two opposite surfaces of the dicing tape 200 exerts a substantially uniform force on the dicing tape 200 and the semiconductor dies 212 attached thereon. As described above, since the dicing tape 200 made of polymers is much more flexible than the semiconductor dies 212 made of silicon, the dicing tape 200 at the given pressure may be dicing tape 200. If the stress applied to the phase exceeds the yield strength of the base material of the dicing tape 200, it is subject to large elastic deformation or even small plastic deformation, The semiconductor dies 212 are subject to only small elastic deformations. When the restoring force of the semiconductor dies 212 against such elastic deformation exceeds the bonding strength between the DAF 220 and the dicing tape 200, the dicing tape 200 has the highest bonding strength. Starting from the weak portions (corresponding to the peripheries of the semiconductor dies 212, such as the corners of the semiconductor dies), away from the semiconductor dies 212 and the DAF 220, whereby the semiconductor dies 212 The dicing tape 200 is partially filled from the semiconductor dies 212 and the DAF 220 is partially filled from the dicing tape 200 without being picked up. This process is therefore referred to as a "prefilling" process.

도 7에 도시된 대로, 다이싱 테이프(200)의 돔 모양은 돔 너비 W와 돔 높이 H에 특징지어지고, 여기에서 DAF(220)는 명확성을 위해 도시되지 않았다. 돔 너비 W는 장치(100)의 챔버(110)의 치수(예컨대, 원통과 같은 모양을 갖는 챔버(110)의 내부 직경)에 의해 결정된다. 돔 높이 H는 다이싱 테이프(200)의 반대면 사이의 압력차 및 다이싱 테이프(200)의 유연성에 의해 결정된다. 예컨대, 챔버 내부의 압력이 약 0.1 내지 0.5 MPa이고 주변 압력이 약 0.1 MPa이면, 압력차는 약 0 내지 0.4 MPa의 범위 내에 있다. 그러한 약 0 내지 0.4 MPa의 압력차는 약 350 mm의 챔버의 내부 직경이 주어진 때에, Nitto Denko America Inc.(California, USA)에 의해 제공되는 전형적인 PET계 다이싱 테이프(200)에 대해, 약 0 내지 60 mm의 범위 내의 돔 높이 H를 도입할 수 있다. 이 경우, 돔과 같은 모양의 변형된 다이싱 테이프(200)는 약 0 내지 0.17의 종횡비(aspect ratio) H/W를 갖는다. 변형된 다이싱 테이프(200)는 0.3만큼 높은 종횡비 H/W를 가질 수 있다. 변형된 다이싱 테이프(200)의 높은 종횡비는 다이싱 테이프(200)로부터의 반도체 다이들(212) 및 DAF(220)의 분리를 용이하게 하나, 다이싱 테이프(200)의 과도한 가소성 변형을 야기할 수 있어, 이로 인해 후속 픽업 공정에 대한 위치 에러(positional error)를 도입하며, 이는 이하에 더욱 상세히 설명될 것이다. 이 경우, 변형된 다이싱 테이프(200)는 바람직하게 약 0.06 내지 0.3, 구체적으로는 약 0.06 내지 0.11의 종횡비를 갖는다. 예컨대, 돔 높이 H는 바람직하게 돔 너비 W가 약 350 mm인 경우 약 10 내지 40 mm의 범위에 있다.As shown in FIG. 7, the dome shape of the dicing tape 200 is characterized by the dome width W and the dome height H, where the DAF 220 is not shown for clarity. The dome width W is determined by the dimensions of the chamber 110 of the device 100 (eg, the inner diameter of the chamber 110 having a cylindrical shape). The dome height H is determined by the pressure difference between the opposite sides of the dicing tape 200 and the flexibility of the dicing tape 200. For example, if the pressure inside the chamber is about 0.1 to 0.5 MPa and the ambient pressure is about 0.1 MPa, the pressure difference is in the range of about 0 to 0.4 MPa. Such a pressure difference of about 0 to 0.4 MPa is about 0 to about 0.4 for a typical PET-based dicing tape 200 provided by Nitto Denko America Inc. (California, USA) given the interior diameter of the chamber of about 350 mm. Dome heights H in the range of 60 mm can be introduced. In this case, the deformed dicing tape 200 shaped like a dome has an aspect ratio H / W of about 0 to 0.17. The deformed dicing tape 200 may have an aspect ratio H / W as high as 0.3. The high aspect ratio of the deformed dicing tape 200 facilitates the separation of the semiconductor dies 212 and the DAF 220 from the dicing tape 200, but causes excessive plastic deformation of the dicing tape 200. This may introduce a positional error for the subsequent pick-up process, which will be described in more detail below. In this case, the deformed dicing tape 200 preferably has an aspect ratio of about 0.06 to 0.3, specifically about 0.06 to 0.11. For example, the dome height H is preferably in the range of about 10 to 40 mm when the dome width W is about 350 mm.

유체의 흐름율은 도 6d에 도시된 게이지를 갖는 밸브와 같은 유체 제어기에 의해 제어될 수 있다. 높은 유체 흐름율은 비교적 짧은 시간에 다이싱 테이프(200)의 돔 모양을 생성하여 처리량(throughput)을 향상시키지만, 몇몇 반도체 다이들(212)은 변형된 다이싱 테이프(200)에 의해 가해진 충격력(impact force)에 의한 균열 또는 치핑으로 인해 어려움을 겪을 수 있다. 따라서, 유체 흐름율을 제어함으로써, 챔버(110) 내부의 압력을 점진적으로 상승시키는 것이 바람직하다. 예컨대, 실질적으로 균일한 낮은 흐름율, 예컨대 챔버의 부피가 약 6.2 L라면, 약 0.5 L/min 내지 10 L/min를 갖는 것이 유리하다. 또한, 챔버(110)의 기저의 중앙에 배치된 적어도 하나의 인렛(118)을 갖는 구성은 돔 모양을 형성하는 데에 용이하다. 변형된 다이싱 테이프(200)의 종횡비 또는 돔 높이가 미리 결정된 값에 도달할 때, 다이싱 테이프(200)와 DAF(220) 사이에 전개되는 분리를 위해, 수십 초 내지 수 분과 같은 미리 결정된 기간 동안 변형된 다이싱 테이프(200)의 모양을 유지하는 것이 바람직하다.The flow rate of the fluid can be controlled by a fluid controller, such as a valve having a gauge shown in FIG. 6D. The high fluid flow rate creates a dome shape of the dicing tape 200 in a relatively short time to improve throughput, but some semiconductor dies 212 may have an impact force exerted by the deformed dicing tape 200. Difficulty can be caused by cracking or chipping by impact forces. Therefore, by controlling the fluid flow rate, it is desirable to gradually raise the pressure inside the chamber 110. For example, it is advantageous to have a substantially uniform low flow rate, such as about 0.5 L / min to 10 L / min, if the volume of the chamber is about 6.2 L. Also, a configuration having at least one inlet 118 disposed in the center of the base of the chamber 110 is easy to form a dome shape. When the aspect ratio or dome height of the deformed dicing tape 200 reaches a predetermined value, a predetermined period of time, such as from tens of seconds to several minutes, for the separation developed between the dicing tape 200 and the DAF 220. It is desirable to maintain the shape of the dicing tape 200 deformed while.

다음으로, 챔버(110) 내부의 압력은 챔버(110)의 상부 개구부의 실링을 부수거나 인렛(들)(118)을 통해 챔버(110)로부터 유체를 고갈시킴으로써 해소된다. 이런 방법으로, 도 6e에 도시된 대로, 다이싱 테이프(200)는 실질적으로 평면 모양으로 복구되고, 그 위에 부착된 반도체 다이들(212)은 후속 픽업 단계에서 다이싱 테이프(200)로부터 픽업될 준비가 된다. DAF(220)와 다이싱 테이프(200) 사이의 본딩 강도가 전술한 것과 같은 프리필링 공정에 의해 감소되므로, 후속 픽업 공정에서 반도체 다이들(212)은 더 작은 픽업력으로 픽업될 수 있고, 따라서 균열 또는 치핑과 같은 결함의 위험은 줄고, 수율은 향상된다. 프리필링 공정에서 변형된 다이싱 테이프(200)의 종횡비가 높을수록, 후속 픽업 공정에서의 픽업력(pick up force)이 낮아진다. 예컨대, 변형된 다이싱 테이프(200)가 약 0.09의 종횡비에 도달할 때, 픽업력은 30%까지 감소될 수 있다. 픽업 공정은 장치(100) 상의 제자리에서, 또는 별도의 픽업 디바이스(도시되지 않음)에서 수행될 수 있다.Next, the pressure inside the chamber 110 is released by breaking the sealing of the upper opening of the chamber 110 or by depleting the fluid from the chamber 110 through the inlet (s) 118. In this way, as shown in FIG. 6E, the dicing tape 200 is restored to a substantially planar shape, and the semiconductor dies 212 attached thereon are picked up from the dicing tape 200 in a subsequent pickup step. Ready Since the bonding strength between the DAF 220 and the dicing tape 200 is reduced by the prefilling process as described above, the semiconductor dies 212 can be picked up with a smaller pick-up force in a subsequent pick-up process and thus The risk of defects such as cracking or chipping is reduced and the yield is improved. The higher the aspect ratio of the dicing tape 200 deformed in the prefilling process, the lower the pick up force in the subsequent pick-up process. For example, when the modified dicing tape 200 reaches an aspect ratio of about 0.09, the pick-up force may be reduced by 30%. The pick-up process may be performed in place on the apparatus 100 or in a separate pick-up device (not shown).

도 6a에 도시된 대로, 다이싱 테이프(200)의 중앙 부분은 프리필링 공정 전에, 반도체 다이들(212) 사이에 스크라이빙 라인(scribing line)들을 갖기 때문에, 다이싱 테이프(200)의 중앙 부분은 다이싱 테이프(200)의 주변 부분보다 약한 강도를 갖는다. 따라서, 프리필링 공정 동안 다이싱 테이프(200)의 중앙 부분은 다이싱 테이프(200)의 주변 부분보다 더 많이 변형된다. 과도한 변형으로 인해, 다이싱 테이프(200)의 항복 강도가 초과될 경우, 다이싱 테이프(200)는 압력이 해소된 후 원래의 모양과 치수를 유지할 수 없고, 따라서 다이싱 테이프(200) 상에 부착된 반도체 다이들(212)은 서로에 대해 위치가 바뀔 수 있다. 이 경우, 프리필링 공정 후, 다이싱 테이프(200)의 중앙 부분에 있는 반도체 다이들(212)은 서로에 대해, 다이싱 테이프(200)의 주변 부분에 있는 반도체 다이들(212)의 간격보다 약간 더 큰 간격을 가질 수 있고, 이는 픽업 공정 동안, 몇몇 반도체 다이들(212)에 대해 위치 에러 및 픽업 미스(miss)를 야기할 수 있다. 따라서, 픽업 공정의 부작용을 피하기 위해, 프리필링 공정에서 다이싱 테이프(200)의 변형을 제어할 필요가 있다.As shown in FIG. 6A, the center portion of the dicing tape 200 has scribing lines between the semiconductor dies 212 before the prefilling process, so that the center of the dicing tape 200 The portion has a weaker strength than the peripheral portion of the dicing tape 200. Thus, the central portion of the dicing tape 200 deforms more than the peripheral portion of the dicing tape 200 during the prefilling process. Due to excessive deformation, when the yield strength of the dicing tape 200 is exceeded, the dicing tape 200 cannot maintain its original shape and dimensions after the pressure is released, and thus on the dicing tape 200 Attached semiconductor dies 212 may be repositioned relative to each other. In this case, after the prefilling process, the semiconductor dies 212 in the center portion of the dicing tape 200 are different from each other than the spacing of the semiconductor dies 212 in the peripheral portion of the dicing tape 200. There may be a slightly larger gap, which may cause position errors and pick-up misses for some semiconductor dies 212 during the pick-up process. Therefore, in order to avoid the side effects of the pick-up process, it is necessary to control the deformation of the dicing tape 200 in the prefilling process.

다이싱 테이프(200) 상의 접착제가 UV 민감성이면, 변형된 다이싱 테이프(200)는 예컨대 챔버(110)의 기저에 배치된 UV 광원으로 더 조사될 수 있다. 이런 방법으로, 프리필링 공정 동안 변형된 다이싱 테이프(200)의 일부가 DAF(220)와 반도체 다이들(212)로부터 분리될 때, 다이싱 테이프(200) 상에 도포된 접착제의 끈끈함(tackiness)은 더 낮아질 수 있고, 그에 의해 반도체 다이들(212)의 픽업력이 더 감소된다.If the adhesive on the dicing tape 200 is UV sensitive, the modified dicing tape 200 may be further irradiated with a UV light source disposed, for example, at the base of the chamber 110. In this way, the tackiness of the adhesive applied on the dicing tape 200 when a portion of the dicing tape 200 deformed during the prefilling process is separated from the DAF 220 and the semiconductor dies 212. ) Can be lowered, whereby the pick-up force of the semiconductor dies 212 is further reduced.

위에 설명된 제1 실시예에서, 챔버(110) 내에 유체를 제공하는 것에 의해 다이싱 테이프(200)의 반대 면들 사이의 압력차가 도입된다. 대안적으로, 본 기술의 제2 실시예에 따르면, 그러한 압력차는 도 5b에 도시된 셋업, 예컨대, 진공 펌프(152") 및 밸브(154")를 사용하여 주변 압력에 대해 챔버(110) 내부의 압력을 점진적으로 감소시킴으로써도 도입될 수 있다. 이 방법으로, 다이싱 테이프(200)는 도 8의 개략적인 확대 측면도(역시 DAF(220)를 도시하지 않음)에 도시된 뒤집힌 돔과 같은 모양과 같은 오목한(concave) 모양을 갖도록 변형된다. 이 방법으로, 주변 압력이 0.1 MPa의 1 대기압일 때, 챔버(110) 내부의 압력은 예컨대 0.01 내지 0.1 MPa의 범위 내에 있다. 제2 실시예에 대한 추가 상세사항은 제1 실시예의 것들과 실질적으로 동일하고 여기에 반복하지 않을 것이다.In the first embodiment described above, the pressure difference between the opposite faces of the dicing tape 200 is introduced by providing a fluid in the chamber 110. Alternatively, in accordance with a second embodiment of the present technology, such a pressure differential is internal to chamber 110 with respect to ambient pressure using the setup shown in FIG. 5B, such as vacuum pump 152 ″ and valve 154 ″. It can also be introduced by gradually decreasing the pressure of. In this way, the dicing tape 200 is deformed to have a concave shape, such as the inverted dome shape shown in the schematic enlarged side view of FIG. 8 (also not showing the DAF 220). In this way, when the ambient pressure is 1 atmospheric pressure of 0.1 MPa, the pressure inside the chamber 110 is, for example, in the range of 0.01 to 0.1 MPa. Further details about the second embodiment are substantially the same as those of the first embodiment and will not be repeated here.

본 기술에 따라 다이싱 테이프로부터 반도체 다이들을 프리필링하는 장치 및 방법에 의해, 반도체 디바이스들을 제조하기 위한 후속 픽업 공정에서 픽업력과 그에 따른 반도체 다이들의 균열 또는 치핑의 위험이 감소할 수 있다. 다이싱 테이프가 압력차에 의해 변형되므로, 프리필링 공정 동안의 응력은 다이싱 테이프에 걸쳐 실질적으로 균일하고, 따라서 반도체 다이들과 접촉하는 드러스트 핀들과 같은 솔리드 이젝터 디바이스(solid ejector device)가 다이싱 테이프를 변형시키는 데에 대신 사용될 경우, 스트레스 집중에 의한 균열 또는 치핑과 같은 가능한 결함들을 피한다.With the apparatus and method for prefilling semiconductor dies from a dicing tape according to the present technology, the pick-up force and hence the risk of cracking or chipping of the semiconductor dies in a subsequent pick-up process for manufacturing semiconductor devices can be reduced. Since the dicing tape is deformed by the pressure difference, the stress during the prefilling process is substantially uniform across the dicing tape, so that a solid ejector device such as thrust pins in contact with the semiconductor dies When used instead to deform the sing tape, it avoids possible defects such as cracking or chipping due to stress concentration.

일 국면에서, 본 기술은 반도체 다이들이 위에 부착되어 있는 다이싱 테이프로부터 반도체 다이들을 프리필링하기 위한 장치에 관련한다. 방법은 하부 기저, 상부 개구부, 및 기저의 주변부로부터 상향 연장된 고리모양 측벽을 갖는 챔버 - 측벽은 실질적으로 편평한 상면을 가짐 -, 챔버 위에 배치된 커버 - 커버는 중앙 개구부를 가짐 -, 기저에 배치된 적어도 하나의 인렛, 및 적어도 하나의 인렛을 통해 챔버에 연결된 압력 조절기를 포함한다. 다이싱 테이프는 커버와 측벽의 상면 사이에 배치되어 챔버의 상부 개구부를 밀폐하여 실링하고, 반도체 다이들은 챔버의 상부 개구부 바로 위에 위치된다.In one aspect, the present technology relates to an apparatus for prefilling semiconductor dies from a dicing tape with semiconductor dies attached thereon. The method comprises a chamber having a lower base, an upper opening, and an annular sidewall extending upwardly from the periphery of the base, the sidewall having a substantially flat top surface, the cover disposed above the chamber, the cover having a central opening, and the base disposed thereon. At least one inlet, and a pressure regulator connected to the chamber via at least one inlet. A dicing tape is disposed between the cover and the top surface of the sidewall to seal and seal the upper opening of the chamber, and the semiconductor dies are located directly above the upper opening of the chamber.

실시예들에서, 압력 조절기는 인렛을 통해 챔버로 유체를 제공하는 유체 공급기를 포함한다. 유체는 기체 또는 액체를 포함한다. 기체는 건조 공기 또는 질소를 포함한다. 압력 조절기는 유체의 흐름율을 제어하는 유체 제어 디바이스를 더 포함한다. 대안적으로, 압력 조절기는 진공 펌프를 포함한다.In embodiments, the pressure regulator includes a fluid supply providing fluid through the inlet to the chamber. Fluids include gases or liquids. The gas contains dry air or nitrogen. The pressure regulator further includes a fluid control device for controlling the flow rate of the fluid. Alternatively, the pressure regulator includes a vacuum pump.

실시예들에서, 장치는 커버와 다이싱 테이프를 측벽의 상면에 고정시키는 적어도 하나의 홀딩 부재를 더 포함한다. 그 홀딩 부재는 나사, 핀, 클램프 또는 리벳을 포함한다. 그 장치는 다이싱 테이프와 측벽의 상면 사이에 배치된 실링 부재를 더 포함한다. 측벽의 상면은 실링 부재를 수납하는 홈을 포함할 수 있다.In embodiments, the apparatus further comprises at least one holding member for securing the cover and the dicing tape to the top surface of the side wall. The holding member comprises a screw, pin, clamp or rivet. The apparatus further includes a sealing member disposed between the dicing tape and the top surface of the side wall. The upper surface of the side wall may include a groove for receiving the sealing member.

실시예들에서, 고리모양 측벽의 상면과 커버 모두는 고리와 같은 단면 모양을 갖고, 실링 부재는 O-링이다. 커버는 웨이퍼 링일 수 있다. 챔버의 기저는 평면 또는 볼록한 면을 갖는다. 인렛 중 적어도 하나가 기저의 중앙에 또는 기저의 중앙 부근에 배치된다. 또한, 장치는 챔버 내부에 배치된 UV 광원을 더 포함한다.In embodiments, both the top surface and the cover of the annular sidewall have an annular cross-sectional shape and the sealing member is an O-ring. The cover may be a wafer ring. The base of the chamber has a flat or convex surface. At least one of the inlets is disposed at or near the center of the base. The apparatus further includes a UV light source disposed inside the chamber.

다른 국면에서, 본 기술은 반도체 디바이스들을 프리필링하기 위한 방법에 관련된다. 방법은 기저부, 상부 개구부 및 기저의 주변부로부터 상향 연장된 고리모양 측벽을 갖는 챔버 위에 다이싱 테이프를 배치하는 단계, 다이싱 테이프가 챔버의 상부 개구부를 밀폐하여 실링하게 하는 단계 - 반도체 다이들은 챔버의 상부 개구부 바로 위에 배치됨 -, 다이싱 테이프의 반대 면들 사이에 압력차를 도입하여 다이싱 테이프가 챔버의 상부 개구부에 대해 볼록 또는 오목 모양을 갖도록 변형되게 하는 단계, 및 압력차를 해소하는 단계를 포함한다. In another aspect, the present technology relates to a method for prefilling semiconductor devices. The method includes placing a dicing tape over a chamber having a base, an upper opening, and an annular sidewall extending upwardly from the base periphery, causing the dicing tape to seal and seal the top opening of the chamber, wherein the semiconductor dies Disposed directly above the upper opening, introducing a pressure difference between opposite sides of the dicing tape to cause the dicing tape to deform to have a convex or concave shape with respect to the upper opening of the chamber, and to resolve the pressure difference. do.

실시예들에서, 압력차는 기저에 배치된 적어도 하나의 인렛을 통해, 챔버에 연결된 압력 조절기에 의해 도입된다. 일례에서, 반도체 다이들은 챔버 외부에 배치되고, 챔버 내부의 압력이 챔버 외부의 압력보다 커서, 다이싱 테이프는 챔버의 상부 개구부에 대해 볼록한 모양을 갖게 된다. 압력 조절기는 챔버 내부로 유체를 도입함으로써 챔버 내부의 압력을 상승시킨다. 챔버 내부의 압력은 유체의 흐름율을 제어함으로써 점진적으로 증가된다. 다른 예에서, 반도체 다이들은 챔버 내부에 배치되고, 챔버 내부의 압력은 챔버 외부의 압력보다 작아서, 다이싱 테이프는 챔버의 상부 개구부에 대해 오목한 모양을 갖는다. 압력 조절기는 진공 펌프를 사용하여 챔버 내부의 압력을 감소시킨다. 챔버 내부의 압력은 점진적으로 감소된다. 챔버 내부의 압력은 약 0.01 MPa 내지 약 0.5 MPa의 범위 내에 있다. 변형된 다이싱 테이프는 약 0.06 내지 0.3의 종횡비를 갖는다. 압력차를 해소하는 단계 후에 다이싱 테이프로부터 반도체 다이들을 픽업하는 단계에서, 제1 종횡비로 변형된 다이싱 테이프 상의 반도체 다이들은 제1 종횡비보다 작은 제2 종횡비로 변형된 다이싱 테이프 상의 반도체 다이들보다 더 작은 힘으로 픽업된다. In embodiments, the pressure difference is introduced by a pressure regulator connected to the chamber through at least one inlet disposed at the bottom. In one example, the semiconductor dies are disposed outside the chamber, and the pressure inside the chamber is greater than the pressure outside the chamber, such that the dicing tape has a convex shape with respect to the upper opening of the chamber. The pressure regulator raises the pressure inside the chamber by introducing a fluid into the chamber. The pressure inside the chamber is gradually increased by controlling the flow rate of the fluid. In another example, the semiconductor dies are disposed inside the chamber, and the pressure inside the chamber is less than the pressure outside the chamber, such that the dicing tape has a concave shape with respect to the upper opening of the chamber. The pressure regulator uses a vacuum pump to reduce the pressure inside the chamber. The pressure inside the chamber is gradually reduced. The pressure inside the chamber is in the range of about 0.01 MPa to about 0.5 MPa. The modified dicing tape has an aspect ratio of about 0.06 to 0.3. In the step of picking up the semiconductor dies from the dicing tape after the step of resolving the pressure difference, the semiconductor dies on the dicing tape deformed to the first aspect ratio are the semiconductor dies on the dicing tape deformed to the second aspect ratio smaller than the first aspect ratio. Pick up with less force.

실시예들에서, 이 방법은 변형된 다이싱 테이프 상에 UV 광을 조사하는 단계를 더 포함한다.In embodiments, the method further includes irradiating UV light onto the modified dicing tape.

전술한 본 발명의 상세한 설명은 도시 및 설명의 목적으로 기술되었다. 이는 본 발명을 개시된 정확한 형태로 국한시키거나 철저하게 설명하기 위한 것이 아니다. 상기의 교시를 고려하여 많은 수정과 변경이 가능하다. 설명된 실시예들은 본 발명의 원리와 그 실제 적용을 가장 잘 설명하고, 그에 의해 당업자들이 다양한 실시예들 및 다양한 변경이 가해진 본 발명을 고려된 특정 목적에 맞게 가장 잘 사용할 수 있도록 하기 위해 선택되었다. 본 발명의 범위는 여기 첨부된 청구 범위에 의해 정의되도록 하였다.The foregoing detailed description of the invention has been described for purposes of illustration and description. It is not intended to be exhaustive or to limit the invention to the precise form disclosed. Many modifications and variations are possible in light of the above teaching. The described embodiments have been chosen to best explain the principles of the present invention and its practical application, thereby enabling those skilled in the art to best use the present invention with various embodiments and various modifications as contemplated for the particular purpose contemplated. . It is intended that the scope of the invention be defined by the claims appended hereto.

Claims (27)

반도체 다이들이 위에 부착되어 있는 다이싱 테이프로부터 상기 반도체 다이들을 프리필링(prepeeling)하기 위한 장치로서,
하부 기저(bottom base), 상부 개구부 및 상기 기저의 주변부로부터 상향 연장된 고리모양 측벽을 갖는 챔버 - 상기 측벽은 실질적으로 편평한 상면을 가짐 -;
상기 챔버 위에 배치된 커버 - 상기 커버는 중앙 개구부를 가짐 -;
상기 기저에 배치된 적어도 하나의 인렛(inlet); 및
상기 적어도 하나의 인렛을 통해 상기 챔버에 연결된 압력 조절기
를 포함하고,
상기 다이싱 테이프는 상기 커버와 상기 측벽의 상기 상면 사이에 배치되어, 상기 챔버의 상기 상부 개구부를 밀폐하여 실링하고,
상기 반도체 다이들은 상기 챔버의 상기 상부 개구부 바로 위에 위치되는 장치.An apparatus for prepeeling semiconductor dies from a dicing tape having semiconductor dies attached thereon,
A chamber having a bottom bottom, an upper opening, and an annular sidewall extending upwardly from the periphery of the base, the sidewall having a substantially flat top surface;
A cover disposed above the chamber, the cover having a central opening;
At least one inlet disposed on the base; And
A pressure regulator connected to the chamber via the at least one inlet
Lt; / RTI >
The dicing tape is disposed between the cover and the upper surface of the side wall to seal and seal the upper opening of the chamber,
And the semiconductor dies are located directly above the upper opening of the chamber. 제1항에 있어서, 상기 압력 조절기는 상기 인렛을 통해 상기 챔버에 유체를 제공하는 유체 공급기를 포함하는 장치.The apparatus of claim 1, wherein the pressure regulator comprises a fluid supply for providing fluid to the chamber through the inlet. 제2항에 있어서, 상기 유체는 기체 또는 액체를 포함하는 장치.The device of claim 2, wherein the fluid comprises a gas or a liquid. 제3항에 있어서, 상기 기체는 건조 공기 또는 질소를 포함하는 장치.The apparatus of claim 3 wherein the gas comprises dry air or nitrogen. 제2항에 있어서, 상기 압력 조절기는 유체의 흐름율을 제어하는 유체 제어 디바이스를 더 포함하는 장치.3. The apparatus of claim 2, wherein the pressure regulator further comprises a fluid control device for controlling the flow rate of the fluid. 제1항에 있어서, 상기 압력 조절기는 진공 펌프를 포함하는 장치.The apparatus of claim 1 wherein said pressure regulator comprises a vacuum pump. 제6항에 있어서, 상기 측벽의 상기 상면 상에 상기 커버 및 상기 다이싱 테이프를 고정하는 적어도 하나의 홀딩 부재를 더 포함하는 장치.7. The apparatus of claim 6, further comprising at least one holding member for securing the cover and the dicing tape on the top surface of the sidewall. 제7항에 있어서, 상기 홀딩 부재는 나사, 핀, 클램프 또는 리벳을 포함하는 장치. 8. The apparatus of claim 7, wherein the holding member comprises screws, pins, clamps or rivets. 제1항에 있어서, 상기 다이싱 테이프와 상기 측벽의 상기 상면 사이에 배치된 실링 부재를 더 포함하는 장치.The apparatus of claim 1, further comprising a sealing member disposed between the dicing tape and the top surface of the side wall. 제9항에 있어서, 상기 측벽의 상기 상면은 상기 실링 부재를 수납하는 홈(groove)을 포함하는 장치.10. The apparatus of claim 9, wherein the top surface of the sidewall includes a groove for receiving the sealing member. 제9항에 있어서, 상기 고리모양 측벽의 상기 상면과 상기 커버 양쪽 모두는 고리형 단면 형상을 갖고, 상기 실링 부재는 O-링인 장치.10. The apparatus of claim 9, wherein both the top surface and the cover of the annular sidewall have an annular cross-sectional shape and the sealing member is an O-ring. 제9항에 있어서, 상기 커버는 웨이퍼 링인 장치.10. The apparatus of claim 9, wherein the cover is a wafer ring. 제1항에 있어서, 상기 기저는 평평한 또는 볼록한 표면을 갖는 장치.The device of claim 1, wherein the base has a flat or convex surface. 제1항에 있어서, 상기 인렛 중 적어도 하나는 상기 기저의 중앙에 또는 상기 기저의 중앙 부근에 배치되는 장치.The apparatus of claim 1, wherein at least one of the inlets is disposed at or near the center of the base. 제1항에 있어서, 상기 챔버 내에 배치된 UV 광원을 더 포함하는 장치.The apparatus of claim 1 further comprising a UV light source disposed within the chamber. 반도체 다이들을 프리필링하기 위한 방법으로서,
하부 기저, 상부 개구부 및 상기 기저의 주변부로부터 상향 연장된 고리모양 측벽을 갖는 챔버 위에 다이싱 테이프를 배치하여, 상기 다이싱 테이프가 상기 챔버의 상기 상부 개구부를 밀폐하여 실링하게 하는 단계 - 복수의 반도체 다이는 상기 다이싱 테이프 상에 부착되고, 상기 챔버의 상기 상부 개구부 바로 위에 위치됨 -;
상기 다이싱 테이프의 반대 면들 사이에 압력차를 도입하여, 상기 다이싱 테이프가 상기 챔버의 상기 상부 개구부에 대해 볼록 또는 오목 형상을 갖도록 변형되게 하는 단계; 및
상기 압력차를 해제하는 단계
를 포함하는 방법. A method for prefilling semiconductor dies,
Disposing a dicing tape over a chamber having a lower base, an upper opening and an annular sidewall extending upwardly from the periphery of the base, such that the dicing tape seals and seals the upper opening of the chamber; A die is attached on the dicing tape and located directly above the upper opening of the chamber;
Introducing a pressure difference between opposite sides of the dicing tape such that the dicing tape is deformed to have a convex or concave shape with respect to the upper opening of the chamber; And
Releasing the pressure difference
≪ / RTI > 제16항에 있어서, 상기 압력차는 상기 기저에 배치된 적어도 하나의 인렛을 통해 상기 챔버에 연결된 압력 조절기에 의해 도입되는 방법. The method of claim 16, wherein the pressure difference is introduced by a pressure regulator connected to the chamber through at least one inlet disposed at the base. 제17항에 있어서, 상기 반도체 다이들은 상기 챔버 외부에 배치되고, 상기 챔버 내부의 압력은 상기 챔버 외부의 압력보다 커서, 상기 다이싱 테이프가 상기 챔버의 상기 상부 개구부에 대해 볼록한 형상을 갖게 되는 방법. 18. The method of claim 17, wherein the semiconductor dies are disposed outside the chamber and the pressure inside the chamber is greater than the pressure outside the chamber such that the dicing tape has a convex shape with respect to the upper opening of the chamber. . 제18항에 있어서, 상기 압력 조절기는 상기 챔버로 유체를 도입함으로써 상기 챔버 내부의 압력을 증가시키는 방법.19. The method of claim 18, wherein the pressure regulator increases the pressure inside the chamber by introducing a fluid into the chamber. 제19항에 있어서, 상기 챔버 내부의 압력은 상기 유체의 흐름율을 제어함으로써 점진적으로 증가되는 방법.20. The method of claim 19, wherein the pressure inside the chamber is gradually increased by controlling the flow rate of the fluid. 제17항에 있어서, 상기 반도체 다이들은 상기 챔버 내부에 배치되고, 상기 챔버 내부의 압력은 상기 챔버 외부의 압력보다 작아, 상기 다이싱 테이프가 상기 챔버의 상기 상부 개구부에 대해 오목한 형상을 갖게 되는 방법.18. The method of claim 17, wherein the semiconductor dies are disposed within the chamber and the pressure within the chamber is less than the pressure outside the chamber such that the dicing tape has a concave shape with respect to the upper opening of the chamber. . 제21항에 있어서, 상기 압력 조절기는 진공 펌프를 사용하여 상기 챔버 내부의 압력을 감소시키는 방법.The method of claim 21, wherein the pressure regulator reduces the pressure inside the chamber using a vacuum pump. 제22항에 있어서, 상기 챔버 내부의 압력은 점진적으로 감소되는 방법.23. The method of claim 22, wherein the pressure inside the chamber is gradually reduced. 제16항에 있어서, 상기 챔버 내부의 압력은 약 0.01 MPa 내지 약 0.5 MPa의 범위 내에 있는 방법.The method of claim 16, wherein the pressure inside the chamber is in the range of about 0.01 MPa to about 0.5 MPa. 제16항에 있어서, 상기 변형된 다이싱 테이프는 약 0.06 내지 0.3의 종횡비(aspect ratio)를 갖는 방법.The method of claim 16, wherein the modified dicing tape has an aspect ratio of about 0.06 to 0.3. 제16항에 있어서, 상기 압력차를 해제하는 단계 후에 상기 다이싱 테이프로부터 상기 반도체 다이들을 픽업하는 단계에서, 제1 종횡비로 변형된 다이싱 테이프 상의 상기 반도체 다이들은, 상기 제1 종횡비보다 작은 제2 종횡비로 변형된 다이싱 테이프 상의 상기 반도체 다이들보다 더 작은 힘으로 픽업되는 방법.17. The method of claim 16, wherein in the step of picking up the semiconductor dies from the dicing tape after the step of releasing the pressure difference, the semiconductor dies on the dicing tape deformed to a first aspect ratio are less than the first aspect ratio. Picked up with less force than the semiconductor dies on a dicing tape deformed at an aspect ratio. 제16항에 있어서, 상기 변형된 다이싱 테이프에 UV 광을 조사하는 단계를 더 포함하는 방법.The method of claim 16 further comprising irradiating the modified dicing tape with UV light.
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