KR20140024906A - Treatment solution for forming migration suppression layer, and production method for laminate having migration suppression layer - Google Patents

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KR20140024906A
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Abstract

본 발명은, 배선 간의 구리 이온의 마이그레이션을 억제하여, 배선 간의 절연 신뢰성을 향상시키는 마이그레이션 억제층을 형성하기 위한 마이그레이션 억제층 형성용 처리액을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 마이그레이션 억제층 형성용 처리액은, 구리 배선 또는 구리 합금 배선에 있어서의 이온 마이그레이션을 억제하는 마이그레이션 억제층을 형성하기 위한 처리액이며, 아졸 화합물과 물을 함유하고, 용존 산소량이 7.0 ppm 이하이다.An object of this invention is to provide the process liquid for migration suppression layer formation for forming the migration suppression layer which suppresses migration of copper ion between wirings, and improves insulation reliability between wirings. The process liquid for migration suppression layer formation of this invention is a process liquid for forming the migration suppression layer which suppresses ion migration in a copper wiring or a copper alloy wiring, contains an azole compound and water, and dissolved oxygen amount is 7.0 ppm It is as follows.

Description

마이그레이션 억제층 형성용 처리액 및 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제조 방법{TREATMENT SOLUTION FOR FORMING MIGRATION SUPPRESSION LAYER, AND PRODUCTION METHOD FOR LAMINATE HAVING MIGRATION SUPPRESSION LAYER}The manufacturing method of the laminated body which has a process liquid for migration suppression layer formation, and a migration suppression layer {TREATMENT SOLUTION FOR FORMING MIGRATION SUPPRESSION LAYER, AND PRODUCTION METHOD FOR LAMINATE HAVING MIGRATION SUPPRESSION LAYER}

본 발명은, 마이그레이션 억제층 형성용 처리액 및 그 처리액을 사용하여 얻어지는 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제조 방법에 관한 것이다.This invention relates to the processing liquid for migration suppression layer formation, and the manufacturing method of the laminated body which has a migration suppression layer obtained using this process liquid.

최근, 전자 기기의 고기능화 등의 요구에 수반하여, 전자 부품의 고밀도 집적화, 고밀도 실장화 등이 진행되고 있고, 이들에 사용되는 프린트 배선 기판 등도 소형화 또한 고밀도화가 진행되고 있다. 이와 같은 상황하에서 프린트 배선 기판 중의 배선의 간격은 보다 협소화되고 있어, 배선 간의 단락을 방지하기 위해서도 배선 간의 절연 신뢰성의 보다 더 나은 향상이 요구되고 있다.In recent years, with the demand for high functionalization of electronic devices, high density integration of electronic components, high density mounting, and the like have progressed, and miniaturization and high density of printed wiring boards and the like used in them have also advanced. Under such a situation, the spacing of wirings in the printed wiring board is narrower, and further improvement of insulation reliability between wirings is required to prevent short circuits between wirings.

구리 또는 구리 합금의 배선 간의 절연성을 저해하는 요인 중 하나로는, 이른바 구리 이온의 마이그레이션이 알려져 있다. 이것은 배선 회로 간 등에서 전위차가 생기면, 수분의 존재에 의해 배선을 구성하는 구리가 이온화되고, 용출된 구리 이온이 인접하는 배선으로 이동하는 현상이다. 이와 같은 현상에 의해, 용출된 구리 이온이 시간이 경과함과 함께 환원되어, 구리 화합물이 되어 덴드라이트 (수지상정) 상으로 성장하고, 결과적으로 배선 간을 단락시켜 버린다.As one of the factors that inhibit the insulation between the wirings of copper or copper alloy, so-called migration of copper ions is known. This is a phenomenon in which, when a potential difference occurs between wiring circuits and the like, copper constituting the wiring is ionized by the presence of moisture, and the eluted copper ions move to the adjacent wiring. By this phenomenon, the eluted copper ions are reduced with time, become a copper compound, grow into a dendrite (resin phase crystal) phase, and as a result, the wiring is short-circuited.

이와 같은 마이그레이션을 방지하는 방법으로서, 벤조트리아졸을 사용한 마이그레이션 억제층을 형성하는 기술이 제안되어 있다 (특허문헌 1 및 2). 보다 구체적으로는 이들 문헌에 있어서는, 배선 기판 상에 구리 이온의 마이그레이션을 억제하기 위한 층을 형성하여, 배선 간의 절연 신뢰성의 향상을 목표로 하고 있다.As a method of preventing such migration, the technique of forming the migration suppression layer using benzotriazole is proposed (patent document 1 and 2). More specifically, in these documents, a layer for suppressing the migration of copper ions is formed on the wiring board, and the aim is to improve the insulation reliability between the wirings.

일본 공개특허공보 2001-257451호Japanese Laid-Open Patent Publication 2001-257451 일본 공개특허공보 평10-321994호Japanese Patent Laid-Open No. 10-321994

한편, 상기 서술한 바와 같이, 최근, 배선의 미세화가 급격하게 진행되고 있어, 배선 간의 절연 신뢰성에 대해 보다 더 나은 향상이 요구되고 있다.On the other hand, as mentioned above, in recent years, the refinement | miniaturization of wiring is progressing rapidly, and the further improvement about the insulation reliability between wirings is calculated | required.

본 발명자들은 특허문헌 1 및 2 에 기재되는 벤조트리아졸을 사용한 마이그레이션 억제층에 대해 검토를 실시한 결과, 배선 간에 있어서 구리의 덴드라이트의 연결이 확인되고, 그 마이그레이션 억제 효과는 요즈음 요구되는 레벨을 만족시키고 있지 않아, 추가적인 개량이 필요하였다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM When the present inventors examined the migration suppression layer using the benzotriazole described in patent document 1 and 2, the connection of the copper dendrites was confirmed between wirings, and the migration suppression effect satisfies the level requested | required these days. It was not made, and further improvement was needed.

본 발명은, 상기 실정을 감안하여, 배선 간의 구리 이온의 마이그레이션을 억제하여, 배선 간의 절연 신뢰성을 향상시키는 마이그레이션 억제층을 형성하기 위한 마이그레이션 억제층 형성용 처리액을 제공하는 것을 목적으로 한다.In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a treatment liquid for forming a migration suppression layer for forming a migration suppression layer that suppresses migration of copper ions between wirings and improves insulation reliability between wirings.

또, 본 발명은, 그 처리액을 사용하여 얻어지는 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제조 방법을 제공하는 것도 목적으로 한다.Moreover, this invention also makes it the objective to provide the manufacturing method of the laminated body which has a migration suppression layer obtained using this process liquid.

본 발명자들은 예의 검토한 결과, 이하의 구성에 의해 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아냈다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining, the present inventors discovered that the said subject could be solved by the following structures.

(1) 아졸 화합물과 물을 함유하고, 용존 산소량이 7.0 ppm 이하인 구리 배선 또는 구리 합금 배선에 있어서의 이온 마이그레이션을 억제하는 마이그레이션 억제층을 형성하기 위한 마이그레이션 억제층 형성용 처리액.(1) The process liquid for migration suppression layer formation containing an azole compound and water, and forming a migration suppression layer which suppresses ion migration in copper wiring or copper alloy wiring whose dissolved oxygen amount is 7.0 ppm or less.

(2) 용존 산소량이 4.0 ppm 미만인 (1) 에 기재된 마이그레이션 억제층 형성용 처리액.(2) The process liquid for migration suppression layer formation as described in (1) whose dissolved oxygen amount is less than 4.0 ppm.

(3) 아졸 화합물이 1,2,3-트리아졸 및/또는 1,2,4-트리아졸을 함유하는 (1) 또는 (2) 에 기재된 마이그레이션 억제층 형성용 처리액.(3) The process liquid for migration suppression layer formation as described in (1) or (2) in which an azole compound contains 1,2,3-triazole and / or 1,2,4-triazole.

(4) 기판 및 기판 상에 배치되는 구리 배선 또는 구리 합금 배선을 갖는 배선이 형성된 기판과, (1) ∼ (3) 중 어느 하나에 기재된 마이그레이션 억제층 형성용 처리액을 접촉시키고, 그 후 배선이 형성된 기판을 용제로 세정하여, 구리 배선 또는 구리 합금 배선 표면 상에 아졸 화합물을 함유하는 마이그레이션 억제층을 형성하는 층 형성 공정과,(4) The board | substrate with which the wiring which has the copper wiring or copper alloy wiring arrange | positioned on a board | substrate and a board | substrate was formed, and the process liquid for migration suppression layer formation in any one of (1)-(3) is made to contact, and then wiring The layer formation process of wash | cleaning this formed board | substrate with a solvent, and forming the migration suppression layer containing an azole compound on the copper wiring or copper alloy wiring surface,

마이그레이션 억제층이 형성된 배선이 형성된 기판 상에 절연층을 형성하는 절연층 형성 공정을 구비하는, 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제조 방법.The manufacturing method of the laminated body which has a migration suppression layer provided with the insulating layer formation process of forming an insulation layer on the board | substrate with wiring in which the migration suppression layer was formed.

(5) 기판과, 기판 상에 배치되는 구리 배선 또는 구리 합금 배선과, 기판 상에 배치되고 구리 배선 또는 구리 합금 배선의 일부가 노출되도록 구리 배선 또는 구리 합금 배선을 덮는 절연층을 갖는 노출 배선 함유 적층체와, (1) ∼ (3) 중 어느 하나에 기재된 마이그레이션 억제층 형성용 처리액을 접촉시키고, 그 후 노출 배선 함유 적층체를 용제로 세정하여, 노출된 구리 배선 또는 구리 합금 배선 표면 상에 마이그레이션 억제층을 형성하는 층 형성 공정을 구비하는, 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제조 방법.(5) Contains exposed wiring having a substrate, a copper wiring or copper alloy wiring disposed on the substrate, and an insulating layer disposed on the substrate and covering the copper wiring or copper alloy wiring so that a portion of the copper wiring or copper alloy wiring is exposed. The laminated body and the process liquid for migration suppression layer formation in any one of (1)-(3) are contacted, and the exposed wiring containing laminated body is wash | cleaned with a solvent after that, on the exposed copper wiring or copper alloy wiring surface. The manufacturing method of the laminated body which has a migration suppression layer provided with the layer formation process which forms a migration suppression layer in the process.

본 발명에 의하면, 배선 간의 구리 이온의 마이그레이션을 억제하여, 배선 간의 절연 신뢰성을 향상시키는 마이그레이션 억제층을 형성하기 위한 마이그레이션 억제층 형성용 처리액을 제공할 수 있다.According to this invention, the process liquid for migration suppression layer formation for forming the migration suppression layer which suppresses migration of copper ion between wirings, and improves insulation reliability between wirings can be provided.

또, 본 발명에 의하면, 그 처리액을 사용하여 얻어지는 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제조 방법을 제공할 수도 있다.Moreover, according to this invention, the manufacturing method of the laminated body which has a migration suppression layer obtained using this process liquid can also be provided.

도 1 은 본 발명의 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제조 방법의 제 1 실시양태에 있어서의 각 공정을 순서대로 나타내는 모식적 단면도이다.
도 2 는 본 발명에서 사용되는 노출 배선 함유 적층체의 일부의 사시 단면도이다.
도 3 은 본 발명의 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제조 방법의 제 2 실시양태에 있어서의 각 공정을 순서대로 나타내는 모식적 단면도이다. (A) 는 도 2 의 A-A 선 단면도이다.
도 4 는 본 발명의 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제 2 실시양태의 일부의 사시 단면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is typical sectional drawing which shows each process in order in the 1st Embodiment of the manufacturing method of the laminated body which has a migration suppression layer of this invention in order.
2 is a perspective cross-sectional view of a part of the exposed wiring-containing laminate used in the present invention.
It is typical sectional drawing which shows each process in order in the 2nd Embodiment of the manufacturing method of the laminated body which has a migration suppression layer of this invention in order. (A) is sectional drawing along the AA line of FIG.
4 is a perspective cross-sectional view of a portion of a second embodiment of a laminate having a migration suppression layer of the present invention.

이하에, 본 발명의 마이그레이션 억제층 형성용 처리액 및 그 처리액을 사용하여 얻어지는 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제조 방법의 적합한 양태에 대해 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the suitable aspect of the manufacturing method of the laminated body which has the processing liquid for migration suppression layer formation of this invention, and the migration suppression layer obtained using this processing liquid is demonstrated.

먼저, 종래 기술의 문제점과 본 발명의 특징점에 대해 상세히 서술한다.First, the problems of the prior art and the feature points of the present invention will be described in detail.

본 발명자들은 종래 기술 (특허문헌 1 에 기재된 발명) 의 문제점에 대해 검토를 실시한 결과, 먼저, 처리액 중에 있는 용존 산소량이 많으면, 형성되는 마이그레이션 억제층의 기능이 충분하지 않은 것을 알아냈다. 처리액 중의 용존 산소량이 많으면, 구리 배선 또는 구리 합금 배선 표면의 부식이 촉진된다. 그 때문에, 특히, 고습, 과전압 분위기하에서 구리 이온의 발생이 가속되게 되어, 마이그레이션 억제층의 이온 트랩능이 저하되어, 결과적으로, 충분한 마이그레이션 억제 기능을 발현할 수 없게 된다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of having examined the problem of the prior art (invention described in patent document 1), when the amount of dissolved oxygen in a process liquid is large, it discovered that the function of the migration suppression layer formed is not enough. If the amount of dissolved oxygen in the treatment liquid is large, corrosion of the copper wiring or the copper alloy wiring surface is promoted. Therefore, in particular, generation of copper ions is accelerated under high humidity and overvoltage atmosphere, and the ion trapping ability of the migration suppression layer is lowered, and as a result, a sufficient migration suppression function cannot be expressed.

또, 본 발명자들은, 구리 배선 또는 구리 합금 배선 (이후, 간단히 배선이라고도 한다) 간의 기판 상에 벤조트리아졸 등의 종래의 마이그레이션 억제제가 잔존 하고 있으면, 배선 간에 있어서, 배선이 형성된 기판 상에 형성되는 절연층과 기판 사이에서 밀착 불량 등이 발생하여, 단락의 원인이 되는 것을 알아내었다. 한편, 그러한 배선 간에 존재하는 마이그레이션 억제제를 제거하기 위해서, 기판의 세정을 실시하면, 구리 배선 또는 구리 합금 배선 상의 마이그레이션 억제제도 동시에 제거되어, 원하는 효과가 발현되지 않는다.In addition, the present inventors, if a conventional migration inhibitor such as benzotriazole remains on the substrate between the copper wiring or copper alloy wiring (hereinafter also referred to simply as wiring), the wiring is formed on the substrate on which the wiring is formed. It was found that adhesion failure and the like occurred between the insulating layer and the substrate, causing short circuits. On the other hand, in order to remove the migration inhibitor existing between such wirings, when the substrate is cleaned, the migration inhibitors on the copper wirings or copper alloy wirings are also removed at the same time, and the desired effect is not expressed.

본 발명자들은 상기 지견을 기초으로 하여, 아졸 화합물을 함유하고, 소정의 용존 산소량을 나타내는 마이그레이션 억제층 형성용 처리액을 사용함으로써, 상기 종래 기술의 문제점을 해결할 수 있다는 것을 알아내었다.Based on the above findings, the present inventors have found that the problem of the prior art can be solved by using a treatment solution for forming a migration suppression layer containing an azole compound and exhibiting a predetermined dissolved oxygen amount.

요컨대, 용존 산소량이 소정값 이하인 처리액을 사용함으로써, 구리 배선 또는 구리 합금 배선의 부식이 보다 억제되어, 아졸 화합물의 구리 이온에 대한 배위능이 유지된다. 결과적으로, 구리 이온의 마이그레이션이 억제된다.That is, by using the process liquid whose dissolved oxygen amount is below a predetermined value, corrosion of a copper wiring or a copper alloy wiring is suppressed more, and the coordination ability with respect to the copper ion of an azole compound is maintained. As a result, migration of copper ions is suppressed.

또한, 복소 5 원자 고리 화합물인 아졸 화합물을 사용함으로써, 용매에 의한 세정 처리에 의해서도 배선 상의 아졸 화합물이 잔존하기 때문에, 배선 간의 단락의 원인이 될 수 있는 배선 간에 잔존하는 마이그레이션 억제제를 제거하면서, 배선 상에 마이그레이션 억제층을 형성할 수 있다.In addition, by using the azole compound which is a complex 5-membered ring compound, since the azole compound on the wiring remains even by the washing treatment with a solvent, the wiring is removed while removing the migration inhibitor remaining between the wirings which may cause short circuits between the wirings. The migration suppression layer can be formed on the phase.

먼저, 본 발명에서 사용되는 마이그레이션 억제층 형성용 처리액에 대해 상세히 서술하고, 그 후 그 처리액을 사용하여 얻어지는 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제조 방법에 대해 상세히 서술한다.First, the process liquid for migration suppression layer formation used by this invention is explained in full detail, and the manufacturing method of the laminated body which has a migration suppression layer obtained using the process liquid after that is explained in full detail.

[마이그레이션 억제층 형성용 처리액] [Processing liquid for migration suppression layer formation]

본 발명의 마이그레이션 억제층 형성용 처리액 (구리 이온 확산 억제층 형성용 처리액) 은, 구리 배선 또는 구리 합금 배선에 있어서의 이온 마이그레이션을 억제하는 마이그레이션 억제층을 형성하기 위한 처리액이다. 그 처리액은 아졸 화합물과 물을 함유하고, 용존 산소량이 7.0 ppm 이하이다.The process liquid for migration suppression layer formation (process liquid for copper ion diffusion suppression layer formation) of this invention is a process liquid for forming the migration suppression layer which suppresses ion migration in a copper wiring or a copper alloy wiring. The treatment liquid contains an azole compound and water, and the dissolved oxygen amount is 7.0 ppm or less.

이하에, 처리액 중에 함유되는 성분 (아졸 화합물, 물 등) 에 대해 상세히 서술한다.Below, the component (azole compound, water, etc.) contained in a process liquid is explained in full detail.

(아졸 화합물) (Azole compound)

본 처리액에 함유되는 아졸 화합물은, 고리 내에 질소 원자 1 개 이상을 함유하는 단고리형의 복소 5 원자 고리 화합물이다. 예를 들어, 질소 원자의 수가 2 개인 디아졸, 질소 원자의 수가 3 개인 트리아졸 및 질소 원자의 수가 4 개인 테트라졸 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 1,2,4-트리아졸-3-카르복시아미드, 테트라졸 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 구리 이온의 마이그레이션 억제 효과가 보다 우수하다는 점에서, 1,2,3-트리아졸 및 1,2,4-트리아졸이 바람직하다.The azole compound contained in this process liquid is a monocyclic hetero 5-membered ring compound containing 1 or more nitrogen atoms in a ring. For example, the diazole of two nitrogen atoms, the triazole of three nitrogen atoms, the tetrazole of four nitrogen atoms, etc. are mentioned. More specifically, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, 1,2,4-triazole-3-carboxyamide, tetrazole, etc. are mentioned. Especially, 1,2,3-triazole and 1,2,4-triazole are preferable at the point which the migration inhibitory effect of a copper ion is more excellent.

처리액에는 2 종 이상의 아졸 화합물이 함유되어 있어도 된다.The treatment liquid may contain two or more kinds of azole compounds.

또, 그 아졸 화합물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 알킬기, 카르복실기, 수산기, 아미노기 등의 치환기를 갖고 있어도 된다.Moreover, the azole compound may have substituents, such as an alkyl group, a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, unless the effect of this invention is impaired.

처리액 중에 있어서의 아졸 화합물의 총 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 마이그레이션 억제층의 형성 용이성 및 마이그레이션 억제층의 부착량 제어의 점에서, 처리액 전체량에 대하여 0.01 ∼ 10 질량% 가 바람직하고, 0.1 ∼ 5 질량% 가 보다 바람직하고, 0.25 ∼ 5 질량% 가 특히 바람직하다. 아졸 화합물의 총 함유량이 지나치게 많으면, 마이그레이션 억제층의 퇴적량의 제어가 곤란해진다. 아졸 화합물의 총 함유량이 지나치게 적으면, 원하는 마이그레이션 억제층의 퇴적량이 될 때까지 시간이 걸려, 생산성이 나쁘다.Although the total content of the azole compound in a process liquid is not specifically limited, 0.01-10 mass% is preferable with respect to the process liquid whole quantity from the point of the ease of formation of a migration suppression layer, and control of the adhesion amount of a migration suppression layer, and 0.1- 5 mass% is more preferable, and 0.25-5 mass% is especially preferable. When there is too much total content of an azole compound, it will become difficult to control the amount of deposition of a migration suppression layer. When the total content of the azole compound is too small, it takes time until the deposition amount of the desired migration suppression layer becomes, and the productivity is bad.

한편, 방식제 등으로 일반적에서 사용되는 벤조트리아졸 등을 대신에 사용한 경우에는, 후술하는 용제에 의한 세정에 의해, 대부분의 벤조트리아졸이 구리 배선 또는 구리 합금 배선 상으로부터 씻겨 흘려, 원하는 효과가 얻어지지 않는다. 또, 과잉의 에칭제를 함유하는 벤조트리아졸 함유 처리액이나, 에칭능을 갖는 이미다졸 화합물을 함유하는 처리액에서는, 구리 배선 또는 구리 합금 배선 상에 형성되는 유기 피막 중에 구리 이온이 과잉으로 함유되고, 그 피막에서는 마이그레이션 억제능은 없어, 원하는 효과가 얻어지지 않는다.On the other hand, when benzotriazole or the like, which is generally used as an anticorrosive, is used instead, most of the benzotriazole is washed away from the copper wiring or the copper alloy wiring by washing with a solvent to be described later. Not obtained. Moreover, in the benzotriazole containing process liquid containing an excess etching agent, and the process liquid containing the imidazole compound which has an etching capability, copper ion is contained excessively in the organic film formed on a copper wiring or a copper alloy wiring. The film has no migration inhibiting ability, and the desired effect is not obtained.

처리액에는 통상적으로 용매로서 물이 함유된다. 사용되는 물의 종류는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 증류수, 이온 교환수, 수돗물 및 정수 (井水) 를 들 수 있다. 그 중에서도, 이온 등의 불순물이 적다는 점에서 증류수가 바람직하다.The treatment liquid usually contains water as a solvent. The kind of water used is not specifically limited, For example, distilled water, ion-exchange water, tap water, and purified water are mentioned. Especially, distilled water is preferable at the point that there are few impurities, such as an ion.

물의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 처리액 취급성 등의 점에서, 처리액 전체량에 대하여 90 ∼ 99.9 질량% 가 바람직하고, 95 ∼ 99.9 질량% 가 보다 바람직하고, 95 ∼ 97.5 질량% 가 더욱 바람직하다.Although content of water in particular is not restrict | limited, 90-99.9 mass% is preferable with respect to process liquid whole quantity, 95-99.9 mass% is more preferable with respect to process liquid handleability, etc., 95-97.5 mass% is still more preferable. Do.

또한, 처리액에는 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 물 이외의 용매가 포함되어 있어도 된다.Moreover, the process liquid may contain solvents other than water in the range which does not impair the effect of this invention.

예를 들어, 알코올계 용매 (예를 들어, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올), 케톤계 용매 (예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논), 아미드계 용매 (예를 들어, 포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈), 니트릴계 용매 (예를 들어, 아세토니트릴, 프로피오니트릴), 에스테르계 용매 (예를 들어, 아세트산메틸, 아세트산에틸), 카보네이트계 용매 (예를 들어, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트), 에테르계 용매, 할로겐계 용매 등의 유기 용매를 들 수 있다. 이들의 용매를 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다.For example, alcohol solvents (e.g. methanol, ethanol, isopropanol), ketone solvents (e.g. acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone), amide solvents (e.g. formamide, dimethyl Acetamide, N-methylpyrrolidone), nitrile solvents (e.g. acetonitrile, propionitrile), ester solvents (e.g. methyl acetate, ethyl acetate), carbonate solvents (e.g., Organic solvents such as dimethyl carbonate, diethyl carbonate), ether solvent, and halogen solvent. You may use these solvent in mixture of 2 or more types.

본 처리액에 있어서의 용존 산소량은 7.0 ppm 이하이다. 그 범위 내임으로써, 구리 배선 또는 구리 합금 배선에 있어서의 구리의 부식 등이 억제되어 상기 아졸 화합물의 흡착이 보다 진행됨과 함께, 구리 이온 트랩능이 높은 마이그레이션 억제층을 형성할 수 있다. 게다가, 보다 마이그레이션 억제 기능이 높은 마이그레이션 억제층을 형성할 수 있다는 점에서, 용존 산소량은 4.0 ppm 미만인 것이 바람직하다.The dissolved oxygen amount in this treatment liquid is 7.0 ppm or less. By being in the range, corrosion of copper in a copper wiring or a copper alloy wiring is suppressed, adsorption of the said azole compound advances, and the migration suppression layer with high copper ion trapping ability can be formed. In addition, the amount of dissolved oxygen is preferably less than 4.0 ppm in that a migration suppression layer having a higher migration suppression function can be formed.

한편, 용존 산소량이 7.0 ppm 초과이면, 배선이 형성된 기판과 처리액의 접촉시에 구리 배선 또는 구리 합금 배선 표면에 부식이 일어나, 고습, 과전압 분위기하에서 구리 이온의 발생이 가속되기 때문에, 마이그레이션 억제층의 이온 트랩능을 사용해 버려, 충분한 마이그레이션 억제 기능을 발현할 수 없다.On the other hand, when the dissolved oxygen amount exceeds 7.0 ppm, corrosion occurs on the surface of the copper wiring or the copper alloy wiring at the time of contact between the substrate on which the wiring is formed and the processing liquid, and the generation of copper ions is accelerated under high humidity and overvoltage atmosphere. We use ion trap ability of and cannot express enough migration restraint function.

처리액의 용존 산소량을 소정값 이하로 하기 위한 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 탈기에 의해 처리액 중의 산소를 줄이는 것이 바람직하고, 보다 구체적으로는 불활성 가스에 의한 버블링, 고분자막, 무기막 등의 막에 의한 제거, 진공에 의한 가스 성분 제거, 혹은 그것들을 조합한 방법을 들 수 있다.The method for making the dissolved oxygen amount of the treatment liquid below a predetermined value is not particularly limited, and a known method can be used. For example, it is preferable to reduce the oxygen in the treatment liquid by degassing, and more specifically, bubbling with an inert gas, removing with a film such as a polymer film or an inorganic film, removing gas components with a vacuum, or a combination thereof. One way is.

불활성 가스로는, 질소, 아르곤, 헬륨 중 어느 것, 혹은 그것들을 조합한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또, 이들의 불활성 가스는 오염에 의한 영향을 배제하기 위해서, 최대한 순도가 높은 것을 사용하는 편이 좋다.As the inert gas, it is preferable to use nitrogen, argon, helium, or a combination thereof. In addition, these inert gases are preferably used as high as possible in order to eliminate the effects of contamination.

또한, 용존 산소 농도의 측정 방법으로는 공지된 방법을 사용할 수 있고, 예를 들어, 용존 산소계 DO-31P (토아 DKK 사 제조) 나 형광식 용존 산소계 LDO-HQ10 (HACH 사 제조) 과 같은 시판되는 용존 산소계로 측정할 수 있다.Moreover, a well-known method can be used as a measuring method of dissolved oxygen concentration, For example, it is commercially available, such as dissolved oxygen DO-31P (made by Toa DKK) and fluorescent dissolved oxygen type LDO-HQ10 (made by HACH). It can be measured by a dissolved oxygen meter.

한편, 적층체 중의 배선 간의 절연 신뢰성을 높이는 점에서, 처리액에는 구리 이온이 실질적으로 함유되어 있지 않은 것이 바람직하다. 과잉량의 구리 이온이 함유되어 있으면, 마이그레이션 억제층을 형성할 때에 그 층 중에 구리 이온이 함유되게 되어, 구리 이온의 마이그레이션을 억제하는 효과가 약해져, 배선 간의 절연 신뢰성이 저해되는 경우가 있다.On the other hand, from the point of improving the insulation reliability between wirings in a laminated body, it is preferable that a process liquid does not contain copper ion substantially. When an excessive amount of copper ions is contained, copper ions are contained in the layer when the migration suppression layer is formed, the effect of suppressing migration of copper ions is weakened, and insulation reliability between wirings may be impaired.

또한, 구리 이온이 실질적으로 함유되지 않는다는 것은, 처리액 중에 있어서의 구리 이온의 함유량이 1 μ㏖/ℓ 이하인 것을 나타내고, 0.1 μ㏖/ℓ 이하인 것이 보다 바람직하다. 가장 바람직하게는 0 ㏖/ℓ 이다.In addition, the fact that copper ion is not contained substantially shows that content of the copper ion in a process liquid is 1 micromol / L or less, and it is more preferable that it is 0.1 micromol / L or less. Most preferably 0 mol / l.

또, 적층체 중의 배선 간의 절연 신뢰성을 높이는 점에서, 처리액에는 구리 또는 구리 합금의 에칭제가 실질적으로 함유되어 있지 않은 것이 바람직하다. 처리액 중에 에칭제가 함유되어 있으면, 배선이 형성된 기판과 처리액을 접촉시킬 때에, 처리액 중에 구리 이온이 용출되는 경우가 있다. 그 때문에 결과적으로, 마이그레이션 억제층 중에 구리 이온이 함유되게 되어, 구리 이온의 마이그레이션을 억제하는 효과가 약해져, 배선 간의 절연 신뢰성이 저해되는 경우가 있다.Moreover, in order to improve the insulation reliability between wirings in a laminated body, it is preferable that the processing liquid does not contain the etching agent of copper or a copper alloy substantially. If an etching agent is contained in the processing liquid, copper ions may elute in the processing liquid when the substrate on which the wiring is formed is brought into contact with the processing liquid. Therefore, as a result, copper ion is contained in a migration suppression layer, the effect which suppresses migration of copper ion becomes weak, and insulation reliability between wirings may be impaired.

에칭제로는, 예를 들어, 유기산 (예를 들어, 황산, 질산, 염산, 아세트산, 포름산, 불산), 산화제 (예를 들어, 과산화수소, 농황산), 킬레이트제 (예를 들어, 이미노디아세트산, 니트릴로트리아세트산, 에틸렌디아민사아세트산, 에틸렌디아민, 에탄올아민, 아미노프로판올), 티올 화합물 등을 들 수 있다. 또, 에칭제로는 이미다졸이나, 이미다졸 유도체 화합물 등과 같이 자신이 구리의 에칭 작용을 갖는 것도 포함된다.Examples of the etchant include organic acids (e.g. sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, acetic acid, formic acid, hydrofluoric acid), oxidizing agents (e.g. hydrogen peroxide, concentrated sulfuric acid), chelating agents (e.g. iminodiacetic acid, nitrile) Rotriacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, ethylenediamine, ethanolamine, aminopropanol), thiol compounds and the like. Moreover, as an etchant, the thing which has an etching action of copper like imidazole, an imidazole derivative compound, etc. is contained.

또한, 에칭제가 실질적으로 함유되지 않는다는 것은, 처리액 중에 있어서의 에칭제의 함유량이, 처리액 전체량에 대하여 0.01 질량% 이하인 것을 나타내고, 배선 간의 절연 신뢰성을 보다 높이는 점에서, 0.001 질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 가장 바람직하게는 0 질량% 이다.In addition, the fact that an etchant is not substantially contained means that content of the etchant in a process liquid is 0.01 mass% or less with respect to the process liquid whole quantity, and that it is 0.001 mass% or less from the point which raises the insulation reliability between wirings more. More preferred. Most preferably, it is 0 mass%.

처리액의 pH 는 특별히 규정되지 않지만, 마이그레이션 억제층의 형성성의 점에서 5 ∼ 12 인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 적층체 중의 배선 간의 절연 신뢰성이 보다 우수한 점에서, pH 는 5 ∼ 9 인 것이 보다 바람직하고, 6 ∼ 8 인 것이 더욱 바람직하다.Although the pH of a process liquid is not specifically defined, It is preferable that it is 5-12 from the point of the formation of a migration suppression layer. Especially, it is more preferable that pH is 5-9, and it is further more preferable that it is 6-8 from the point which the insulation reliability between wiring in a laminated body is more excellent.

처리액의 pH 가 5 미만이면, 구리 배선 또는 구리 합금 배선으로부터 구리 이온의 용출이 촉진되어, 마이그레이션 억제층에 구리 이온이 다량으로 함유되게 되어, 결과적으로 구리 이온의 마이그레이션을 억제하는 효과가 저하되는 경우가 있다. 처리액의 pH 가 12 초과이면, 수산화구리가 석출되고, 산화 용해되기 쉬워져, 결과적으로 구리 이온의 마이그레이션을 억제하는 효과가 저하되는 경우가 있다.When the pH of the processing liquid is less than 5, the dissolution of copper ions from the copper wiring or the copper alloy wiring is promoted, and the migration suppression layer contains a large amount of copper ions, and as a result, the effect of suppressing the migration of copper ions is lowered. There is a case. When the pH of the processing liquid is more than 12, copper hydroxide is precipitated and easily oxidized and dissolved, and as a result, the effect of suppressing migration of copper ions may decrease.

또한, pH 의 조정은, 공지된 산 (예를 들어, 염산, 황산) 이나, 염기 (예를 들어, 수산화나트륨) 를 사용하여 실시할 수 있다. 또, pH 의 측정은 공지된 측정 수단 (예를 들어, pH 미터 (물 용매의 경우)) 을 사용하여 실시할 수 있다.In addition, adjustment of pH can be performed using well-known acid (for example, hydrochloric acid, a sulfuric acid), and a base (for example, sodium hydroxide). In addition, the measurement of pH can be performed using a well-known measuring means (for example, pH meter (in the case of a water solvent)).

또한, 상기 처리액에는 다른 첨가제 (예를 들어, pH 조정제, 계면 활성제, 방부제, 석출 방지제 등) 가 함유되어 있어도 된다.Moreover, the said processing liquid may contain other additives (for example, pH adjuster, surfactant, preservative, precipitation inhibitor, etc.).

[마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제조 방법 (제 1 실시양태)][Method for producing a laminate having a migration suppression layer (first embodiment)]

본 발명의 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제조 방법의 적합한 실시양태 중 하나로서, 층 형성 공정, 건조 공정 및 절연층 형성 공정을 이 순서대로 실시하는 제조 방법을 들 수 있다.As a suitable embodiment of the manufacturing method of the laminated body which has a migration suppression layer of this invention, the manufacturing method which performs a layer formation process, a drying process, and an insulation layer formation process in this order is mentioned.

이하에, 도면을 참조하여, 각 공정에서 사용되는 재료 및 공정의 순서에 대해 설명한다.Below, with reference to drawings, the order of the material and process used by each process is demonstrated.

[층 형성 공정] [Layer Formation Step]

그 공정에서는, 먼저, 기판 및 기판 상에 배치되는 구리 배선 또는 구리 합금 배선 (이후, 간단히 배선이라고도 한다) 을 갖는 배선이 형성된 기판과, 상기 서술한 마이그레이션 억제층 형성용 처리액을 접촉시킨다 (접촉 공정). 그 후, 상기 접촉 후의 배선이 형성된 기판을 용제 (세정 용제) 로 세정하여, 구리 배선 또는 구리 합금 배선 표면 상에 아졸 화합물을 함유하는 마이그레이션 억제층을 형성한다 (세정 공정). 바꾸어 말하면, 접촉 공정은 배선이 형성된 기판 (보다 구체적으로는, 배선이 형성된 기판의 구리 배선 또는 구리 합금 배선이 있는 측의 표면) 과 처리액을 접촉시켜, 아졸 화합물로 배선이 형성된 기판의 기판 표면과 배선 표면을 덮는 공정이다. 또, 세정 공정은 용제를 사용하여 배선이 형성된 기판을 세정하여, 기판 표면 상의 아졸 화합물을 제거하는 공정이다. 그 공정에 의해, 구리 배선 또는 구리 합금 배선의 표면을 덮도록 마이그레이션 억제층이 형성되고, 구리의 마이그레이션이 억제된다.In this process, first, the substrate on which the wiring having the copper wiring or the copper alloy wiring (hereinafter, simply referred to as wiring) disposed on the substrate and the substrate is formed is brought into contact with the processing liquid for migration suppression layer formation described above (contacting). fair). Then, the board | substrate with which the said wiring after contact was formed is wash | cleaned with a solvent (cleaning solvent), and the migration suppression layer containing an azole compound is formed on a copper wiring or a copper alloy wiring surface (cleaning process). In other words, the contacting step is to contact the substrate on which the wiring is formed (more specifically, the surface of the substrate on which the wiring is formed with the copper wiring or the copper alloy wiring) and the processing liquid so that the substrate surface of the substrate on which the wiring is formed with an azole compound. And a process for covering the wiring surface. Moreover, a washing process is a process of washing the board | substrate with wiring using a solvent, and removing the azole compound on the surface of a board | substrate. By this process, a migration suppression layer is formed so that the surface of a copper wiring or a copper alloy wiring may be covered, and migration of copper is suppressed.

먼저, 층 형성 공정에서 사용되는 재료 (배선이 형성된 기판 등) 에 대해 설명하고, 그 후 층 형성 공정의 순서에 대해 설명한다.First, the material (substrate with wiring) etc. used in a layer formation process is demonstrated, and the procedure of a layer formation process is demonstrated after that.

(배선이 형성된 기판) (Substrate with wiring)

본 공정에서 사용되는 배선이 형성된 기판 (내층 기판) 은, 기판과, 기판 상에 배치되는 구리 배선 또는 구리 합금 배선을 갖는다. 바꿔 말하면, 배선이 형성된 기판은 기판과, 구리 배선 또는 구리 합금 배선을 적어도 갖는 적층 구조이며, 최외층에 구리 배선 또는 구리 합금 배선이 배치되어 있으면 된다. 도 1 의 (A) 에는, 배선이 형성된 기판의 일 양태가 나타나 있고, 배선이 형성된 기판 (10) 은, 기판 (12) 과, 기판 (12) 상에 배치된 구리 배선 또는 구리 합금 배선 (14) (이후, 간단히 배선 (14) 이라고도 한다) 을 갖는다. 배선 (14) 은 도 1 의 (A) 에 있어서는 기판의 편면에만 형성되어 있지만, 양면에 형성되어 있어도 된다. 요컨대, 배선이 형성된 기판 (10) 은 편면 기판이어도 되고, 양면 기판이어도 된다.The board | substrate (inner layer board | substrate) with which the wiring used in this process was formed has a board | substrate and the copper wiring or copper alloy wiring arrange | positioned on a board | substrate. In other words, the board | substrate with wiring is a laminated structure which has a board | substrate and copper wiring or copper alloy wiring at least, and copper wiring or copper alloy wiring should just be arrange | positioned at the outermost layer. One aspect of the board | substrate with wiring was shown by FIG. 1A, and the board | substrate 10 with wiring is board | substrate 12 and the copper wiring or copper alloy wiring 14 arrange | positioned on the board | substrate 12. FIG. ) (Hereinafter also referred to simply as wiring 14). Although the wiring 14 is formed only in the single side | surface of a board | substrate in FIG. 1A, you may be formed in both surfaces. That is, the board | substrate 10 in which wiring was formed may be a single-sided board | substrate, or a double-sided board | substrate may be sufficient as it.

기판은 배선을 지지할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않지만, 통상적으로 절연 기판이다. 절연 기판으로는, 예를 들어, 유기 기판, 세라믹 기판, 실리콘 기판, 유리 기판 등을 사용할 수 있다.The substrate is not particularly limited as long as it can support wiring, but is usually an insulating substrate. As an insulating substrate, an organic substrate, a ceramic substrate, a silicon substrate, a glass substrate, etc. can be used, for example.

유기 기판의 재료로는 수지를 들 수 있고, 예를 들어, 열경화성 수지, 열가소성 수지, 또는 그것들을 혼합한 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 열경화성 수지로는 페놀 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 아크릴 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 푸란 수지, 케톤 수지, 자일렌 수지, 벤조시클로부텐 수지 등을 들 수 있다. 열가소성 수지로는, 폴리이미드 수지, 폴리페닐렌옥사이드 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 아라미드 수지, 액정 폴리머 등을 들 수 있다.Resin is mentioned as a material of an organic substrate, For example, it is preferable to use thermosetting resin, a thermoplastic resin, or resin which mixed them. As the thermosetting resin, a phenol resin, urea resin, melamine resin, alkyd resin, acrylic resin, unsaturated polyester resin, diallyl phthalate resin, epoxy resin, silicone resin, furan resin, ketone resin, xylene resin, benzocyclobutene resin, etc. Can be mentioned. Examples of the thermoplastic resins include polyimide resins, polyphenylene oxide resins, polyphenylene sulfide resins, aramid resins, liquid crystal polymers, and the like.

또한, 유기 기판의 재료로는 유리 직포, 유리 부직포, 아라미드 직포, 아라미드 부직포, 방향족 폴리아미드 직포나, 이들에 상기 수지를 함침시킨 재료 등도 사용할 수 있다.Moreover, as a material of an organic substrate, a glass woven fabric, a glass nonwoven fabric, an aramid woven fabric, an aramid nonwoven fabric, an aromatic polyamide woven fabric, the material in which these resins were impregnated, etc. can also be used.

배선은 구리 또는 구리 합금으로 구성된다. 배선이 구리 합금으로 구성되는 경우, 구리 이외의 함유되는 금속으로는, 예를 들어, 은, 주석, 팔라듐, 금, 니켈, 크롬 등을 들 수 있다.The wiring is composed of copper or copper alloy. When wiring is comprised with a copper alloy, as metals other than copper, silver, tin, palladium, gold, nickel, chromium etc. are mentioned, for example.

기판 상으로의 배선의 형성 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 대표적으로는 에칭 처리를 이용한 서브트랙티브법이나, 전해 도금을 이용한 세미애디티브법을 들 수 있다.The formation method of the wiring on a board | substrate is not specifically limited, A well-known method can be employ | adopted. Typically, the subtractive method using an etching process and the semiadditive method using an electrolytic plating are mentioned.

배선의 폭은 특별히 제한되지 않지만, 형성되는 적층체를 프린트 배선 기판에 응용할 때의 고집적화의 점에서 1 ∼ 1000 ㎛ 가 바람직하고, 3 ∼ 25 ㎛ 가 보다 바람직하다.Although the width | variety of wiring is not restrict | limited, 1-1000 micrometers is preferable and 3-25 micrometers is more preferable at the point of high integration when the laminated body formed is applied to a printed wiring board.

배선 간의 간격은 특별히 제한되지 않지만, 형성되는 적층체를 프린트 배선 기판에 응용할 때의 고집적화의 점에서 1 ∼ 1000 ㎛ 가 바람직하고, 3 ∼ 25 ㎛ 가 보다 바람직하다.Although the space | interval between wirings is not restrict | limited, 1-1000 micrometers is preferable and 3-25 micrometers is preferable at the point of high integration when the laminated body formed is applied to a printed wiring board.

또, 배선의 패턴 형상은 특별히 제한되지 않고, 임의의 패턴이어도 된다. 예를 들어, 직선상, 곡선상, 사각형상, 원상 등을 들 수 있다.Moreover, the pattern shape of wiring is not specifically limited, Arbitrary patterns may be sufficient. For example, linear form, curve form, square form, circular form etc. are mentioned.

배선의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 형성되는 적층체를 프린트 배선 기판에 응용할 때의 고집적화의 점에서 1 ∼ 1000 ㎛ 가 바람직하고, 3 ∼ 25 ㎛ 가 보다 바람직하다.Although the thickness in particular of wiring is not restrict | limited, 1-1000 micrometers is preferable and 3-25 micrometers is more preferable at the point of high integration when the laminated body formed is applied to a printed wiring board.

배선의 표면 조도 Rz 는 특별히 제한되지 않지만, 후술하는 절연층과의 밀착성의 관점에서 0.001 ∼ 15 ㎛ 가 바람직하고, 0.3 ∼ 3 ㎛ 가 보다 바람직하다.Although the surface roughness Rz of wiring is not restrict | limited, 0.001-15 micrometers is preferable from a viewpoint of adhesiveness with the insulating layer mentioned later, and 0.3-3 micrometers is more preferable.

배선의 표면 조도 Rz 를 조정하는 방법으로는 공지된 방법을 사용할 수 있고, 예를 들어, 화학 조화 (粗化) 처리, 버프 연마 처리 등을 들 수 있다.As a method of adjusting the surface roughness Rz of wiring, a well-known method can be used, for example, a chemical roughening process, a buff polishing process, etc. are mentioned.

또한, Rz 는 JIS B 0601 (1994년) 에 따라 측정한다.In addition, Rz is measured according to JIS B 0601 (1994).

본 공정에서 사용되는 배선이 형성된 기판은 최외층에 배선을 갖고 있으면 되고, 기판과 배선 사이에, 다른 금속 배선 (배선 패턴) 및 층간 절연층을 이 순서대로 구비하고 있어도 된다. 또한, 다른 금속 배선 및 층간 절연층은 기판과 배선 사이에, 이 순서대로 각각의 층을 2 층 이상 교대로 포함되어 있어도 된다. 요컨대, 배선이 형성된 기판은, 이른바 다층 배선 기판, 빌드업 기판이어도 된다.The board | substrate with wiring used in this process should just have wiring in the outermost layer, and may provide other metal wiring (wiring pattern) and an interlayer insulation layer in this order between a board | substrate and wiring. In addition, the other metal wiring and the interlayer insulating layer may alternately include two or more layers of each layer in this order between the substrate and the wiring. That is, the board | substrate with which wiring was formed may be what is called a multilayer wiring board and a buildup board | substrate.

층간 절연층으로는 공지된 절연 재료를 사용할 수 있고, 예를 들어, 페놀 수지, 나프탈렌 수지, 우레아 수지, 아미노 수지, 알키드 수지, 에폭시 수지, 아크릴레이트 수지 등을 들 수 있다.A well-known insulating material can be used as an interlayer insulation layer, For example, a phenol resin, a naphthalene resin, a urea resin, an amino resin, an alkyd resin, an epoxy resin, an acrylate resin, etc. are mentioned.

또, 배선이 형성된 기판은, 이른바 리지드 기판, 플렉시블 기판, 리지드 플렉시블 기판이어도 된다.Moreover, what is called a rigid board | substrate, a flexible board | substrate, and a rigid flexible board | substrate may be sufficient as the board | substrate with which wiring was formed.

또, 기판 중에 스루홀이 형성되어 있어도 된다. 기판의 양면에 배선이 형성되는 경우에는, 예를 들어, 스루홀 내에 금속 (예를 들어, 구리 또는 구리 합금) 이 충전됨으로써, 양면의 배선이 도통되고 있어도 된다.Moreover, the through hole may be formed in the board | substrate. When wiring is formed in both surfaces of a board | substrate, the wiring of both surfaces may be conducted, for example by filling a metal (for example, copper or a copper alloy) in a through hole.

(용제 (세정 용제)) (Solvent (cleaning solvent))

배선이 형성된 기판을 세정하는 세정 공정에서 사용되는 용제 (세정 용제) 는, 기판 상의 배선 간에 퇴적된 여분의 아졸 화합물 등을 제거할 수 있으면, 특별히 제한되지 않는다. 그 중에서도, 아졸 화합물이 용해되는 용제인 것이 바람직하다. 그 용제를 사용함으로써, 기판 상에 퇴적된 여분의 아졸 화합물이나, 배선 상의 여분의 아졸 화합물 등을 보다 효율적으로 제거할 수 있다.The solvent (cleaning solvent) used in the cleaning process for cleaning the substrate on which the wiring is formed is not particularly limited as long as the excess azole compound or the like deposited between the wirings on the substrate can be removed. Especially, it is preferable that it is a solvent in which an azole compound melt | dissolves. By using this solvent, the excess azole compound deposited on the board | substrate, the excess azole compound on wiring, etc. can be removed more efficiently.

용제로는, 예를 들어, 물, 알코올계 용제 (예를 들어, 메탄올, 에탄올, 프로판올), 케톤계 용제 (예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논), 아미드계 용제 (예를 들어, 포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈), 니트릴계 용제 (예를 들어, 아세토니트릴, 프로피오니트릴), 에스테르계 용제 (예를 들어, 아세트산메틸, 아세트산에틸), 카보네이트계 용제 (예를 들어, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트), 에테르계 용제, 할로겐계 용제 등을 들 수 있다. 이들의 용제를 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다.Examples of the solvent include water, alcohol solvents (e.g. methanol, ethanol, propanol), ketone solvents (e.g. acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone), amide solvents (e.g. For example, formamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone), nitrile solvents (e.g. acetonitrile, propionitrile), ester solvents (e.g. methyl acetate, ethyl acetate), carbonate type A solvent (for example, dimethyl carbonate, diethyl carbonate), an ether solvent, a halogen solvent, etc. are mentioned. You may use these solvents in mixture of 2 or more types.

그 중에서도, 미세 배선 사이로의 액 침투성의 점에서, 물, 알코올계 용제 및 메틸에틸케톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개를 함유하는 용제인 것이 바람직하고, 물 또는 알코올계 용제와 물의 혼합액인 것이 보다 바람직하다.Especially, it is preferable that it is a solvent containing at least 1 chosen from the group which consists of water, an alcoholic solvent, and methyl ethyl ketone from the point of liquid permeability between fine wirings, and it is a mixture of water or an alcoholic solvent, and water. More preferred.

사용되는 용제의 비점 (25 ℃, 1 기압) 은 특별히 제한되지 않지만, 안전성의 관점에서 75 ∼ 100 ℃ 가 바람직하고, 80 ∼ 100 ℃ 가 보다 바람직하다.Although the boiling point (25 degreeC, 1 atmosphere) of the solvent used is not specifically limited, 75-100 degreeC is preferable from a viewpoint of safety, and 80-100 degreeC is more preferable.

사용되는 용제의 표면 장력 (25 ℃) 은 특별히 제한되지 않지만, 배선 간의 세정성이 보다 우수하고 배선 간의 절연 신뢰성이 보다 향상되는 점에서, 10 ∼ 80 mN/m 인 것이 바람직하고, 15 ∼ 60 mN/m 인 것이 보다 바람직하다.Although the surface tension (25 degreeC) of the solvent used is not restrict | limited, It is preferable that it is 10-80 mN / m, and 15-60 mN from the point which the washing | cleaning property between wirings is more excellent and the insulation reliability between wirings improves more. It is more preferable that it is / m.

(층 형성 공정의 순서) (Order of Layer Forming Process)

층 형성 공정을, 접촉 공정 및 세정 공정의 2 개의 공정으로 나누어 설명한다.The layer forming step will be described divided into two steps, a contact step and a washing step.

(접촉 공정) (Contact process)

먼저, 기판 및 기판 상에 배치되는 구리 배선 또는 구리 합금 배선을 갖는 배선이 형성된 기판과, 상기 서술한 마이그레이션 억제층 형성용 처리액을 접촉시킨다. 상기 배선이 형성된 기판과 상기 처리액을 접촉시킴으로써, 도 1 의 (B) 에 나타내는 바와 같이, 배선이 형성된 기판 (10) 상에 아졸 화합물을 함유하는 층 (16) 이 형성된다. 그 접촉 공정은 바꿔 말하면, 상기 처리액을 사용하여, 배선이 형성된 기판 (10) 의 기판 (12) 표면 및 배선 (14) 표면을 아졸 화합물을 함유하는 층 (16) 으로 덮는 공정이다. 그 층 (16) 은 기판 (12) 상 및 배선 (14) 상에 형성된다.First, the board | substrate with which the wiring which has the copper wiring or copper alloy wiring arrange | positioned on a board | substrate and a board | substrate is formed, and the process liquid for migration suppression layer formation mentioned above are made to contact. By contacting the substrate on which the wiring is formed and the processing liquid, as shown in FIG. 1B, a layer 16 containing an azole compound is formed on the substrate 10 on which the wiring is formed. In other words, the contact step is a step of covering the surface of the substrate 12 and the wiring 14 of the substrate 10 on which the wiring is formed with the layer 16 containing an azole compound using the treatment liquid. The layer 16 is formed on the substrate 12 and on the wiring 14.

아졸 화합물을 함유하는 층 (16) 에는 아졸 화합물이 함유된다. 그 함유량 등은, 후술하는 마이그레이션 억제층 중의 함유량과 거의 동의이다. 또, 그 부착량은 특별히 제한되지 않고, 후술하는 세정 공정을 거쳐, 원하는 부착량의 마이그레이션 억제층을 얻을 수 있는 부착량인 것이 바람직하다.The layer 16 containing an azole compound contains an azole compound. The content is substantially synonymous with content in the migration suppression layer mentioned later. Moreover, the adhesion amount is not specifically limited, It is preferable that it is an adhesion amount which can obtain the migration suppression layer of a desired adhesion amount through the washing | cleaning process mentioned later.

배선이 형성된 기판과 상기 처리액의 접촉 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 딥 침지, 샤워 분무, 스프레이 도포, 스핀 코트 등을 들 수 있고, 처리의 간편함, 처리 시간의 조정의 용이함으로부터 딥 침지, 샤워 분무, 스프레이 도포가 바람직하다.The contact method of the board | substrate with which wiring was formed, and the said processing liquid is not specifically limited, A well-known method can be employ | adopted. For example, dip immersion, shower spray, spray coating, spin coat, etc. are mentioned, Dip immersion, shower spray, spray coating is preferable from the simplicity of processing and the ease of adjustment of a processing time.

또, 접촉시의 처리액의 액온으로는, 마이그레이션 억제층의 부착량 제어의 점에서 5 ∼ 60 ℃ 의 범위가 바람직하고, 15 ∼ 50 ℃ 의 범위가 보다 바람직하고, 20 ∼ 40 ℃ 의 범위가 더욱 바람직하다.Moreover, as liquid temperature of the processing liquid at the time of contact, the range of 5-60 degreeC is preferable at the point of adhesion amount control of a migration suppression layer, The range of 15-50 degreeC is more preferable, The range of 20-40 degreeC is further more desirable.

또, 접촉 시간으로는 생산성 및 마이그레이션 억제층의 부착량 제어의 점에서, 10 초 ∼ 30 분의 범위가 바람직하고, 15 초 ∼ 10 분의 범위가 보다 바람직하고, 30 초 ∼ 5 분의 범위가 더욱 바람직하다.Moreover, as contact time, the range of 10 second-30 minutes is preferable at the point of productivity and the adhesion amount control of a migration suppression layer, The range of 15 second-10 minutes is more preferable, The range of 30 second-5 minutes is further more desirable.

(세정 공정) (Cleaning process)

다음으로, 배선이 형성된 기판을 용제로 세정하여, 구리 배선 또는 구리 합금 배선 표면 상에 아졸 화합물을 함유하는 마이그레이션 억제층을 형성한다. 본 공정을 실시함으로써, 기판 표면 상의 아졸 화합물을 세정 제거할 수 있다. 특히, 용제로서 아졸 화합물이 용해되는 용제가 사용되면, 구리 배선 또는 구리 합금 배선 표면 상의 아졸 화합물 이외의 아졸 화합물 (특히, 기판 표면 상의 아졸 화합물) 이 보다 용이하게 용해 제거된다. 구체적으로는 도 1 의 (B) 에서 얻어진 아졸 화합물을 함유하는 층 (16) 이 형성된 배선이 형성된 기판 (10) 을 상기 세정 용제로 세정함으로써, 도 1 의 (C) 에 나타내는 바와 같이, 배선 (14) 간의 아졸 화합물을 함유하는 층 (16) 이 제거됨과 함께 배선 (14) 상의 여분의 아졸 화합물이 제거되어, 배선 (14) 상에 아졸 화합물을 함유하는 마이그레이션 억제층 (18) 이 형성된다.Next, the board | substrate with which wiring was formed is wash | cleaned with a solvent, and the migration suppression layer containing an azole compound is formed on the copper wiring or copper alloy wiring surface. By carrying out this step, the azole compound on the substrate surface can be washed out. In particular, when a solvent in which an azole compound is dissolved is used as the solvent, azole compounds (particularly, azole compounds on the substrate surface) other than the azole compounds on the copper wiring or copper alloy wiring surface are more easily dissolved and removed. Specifically, as shown in FIG. 1C, the substrate 10 having the wiring on which the layer 16 containing the azole compound obtained in FIG. 14) The layer 16 containing the azole compound of liver is removed, and the excess azole compound on the wiring 14 is removed, and the migration suppression layer 18 containing the azole compound is formed on the wiring 14.

세정 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 배선이 형성된 기판 상에 세정 용제를 도포하는 방법, 세정 용제 중에 배선이 형성된 기판을 침지하는 방법 등을 들 수 있다.The washing method is not particularly limited, and a known method can be adopted. For example, the method of apply | coating the cleaning solvent on the board | substrate with wiring, the method of immersing the board | substrate with wiring in a cleaning solvent, etc. are mentioned.

또, 세정 용제의 액온으로는, 마이그레이션 억제층의 부착량 제어의 점에서, 5 ∼ 60 ℃ 의 범위가 바람직하고, 15 ∼ 30 ℃ 의 범위가 보다 바람직하다.Moreover, as liquid temperature of a washing | cleaning solvent, the range of 5-60 degreeC is preferable and the range of 15-30 degreeC is more preferable at the point of adhesion amount control of a migration suppression layer.

또, 배선이 형성된 기판과 세정 용제의 접촉 시간으로는, 생산성 및 마이그레이션 억제층의 부착량 제어의 점에서, 10 초 ∼ 10 분의 범위가 바람직하고, 15 초 ∼ 5 분의 범위가 보다 바람직하다.Moreover, as contact time of the board | substrate with which the wiring was formed, and the washing | cleaning solvent, the range of 10 second-10 minutes is preferable, and the range of 15 second-5 minutes is more preferable from the point of productivity and the adhesion amount control of a migration suppression layer.

(마이그레이션 억제층 (구리 이온 확산 억제층))(Migration suppression layer (copper ion diffusion suppression layer))

상기 공정을 거침으로써, 도 1 의 (C) 에 나타내는 바와 같이, 구리 배선 또는 구리 합금 배선 (14) 표면 상에, 아졸 화합물을 함유하는 마이그레이션 억제층 (18) 을 형성할 수 있다. 요컨대, 마이그레이션 억제층 (18) 이, 구리 배선 또는 구리 합금 배선 (14) 표면을 덮는다.By passing through the said process, as shown to FIG.1 (C), the migration suppression layer 18 containing an azole compound can be formed on the copper wiring or copper alloy wiring 14 surface. In other words, the migration suppression layer 18 covers the surface of the copper wiring or the copper alloy wiring 14.

또한, 그 도 1 의 (C) 에 나타내는 바와 같이, 배선 (14) 간의 아졸 화합물을 함유하는 층은 실질적으로 제거되어 있는 것이 바람직하다. 요컨대, 실질적으로, 구리 배선 또는 구리 합금 배선 (14) 표면 상에만, 마이그레이션 억제층 (18) 이 형성되어 있는 것이 바람직하다.In addition, as shown to FIG. 1C, it is preferable that the layer containing the azole compound between the wirings 14 is substantially removed. In short, it is preferable that the migration suppression layer 18 is formed only on the surface of the copper wiring or the copper alloy wiring 14 substantially.

본 발명에 있어서는, 상기 용제의 세정을 실시한 후라도, 구리 이온의 마이그레이션을 억제할 수 있는 충분한 부착량의 마이그레이션 억제층을 얻을 수 있다.In this invention, even after wash | cleaning the said solvent, the migration suppression layer of sufficient adhesion amount which can suppress migration of copper ion can be obtained.

마이그레이션 억제층 중에 있어서의 아졸 화합물의 함유량은, 구리 이온의 마이그레이션을 보다 억제할 수 있는 점에서, 0.1 ∼ 100 질량% 인 것이 바람직하고, 20 ∼ 100 질량% 인 것이 보다 바람직하고, 50 ∼ 90 질량% 인 것이 더욱 바람직하다. 특히, 마이그레이션 억제층은 실질적으로 아졸 화합물로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 아졸 화합물의 함유량이 지나치게 적으면, 구리 이온의 마이그레이션 억제 효과가 낮아진다.Since content of the azole compound in a migration suppression layer can suppress migration of a copper ion, it is preferable that it is 0.1-100 mass%, It is more preferable that it is 20-100 mass%, 50-90 mass It is more preferable that it is%. It is preferable that especially a migration suppression layer is comprised substantially from an azole compound. When there is too little content of an azole compound, the migration inhibitory effect of copper ions will become low.

마이그레이션 억제층 중에는 구리 이온 또는 금속 구리가 실질적으로 함유되어 있지 않은 것이 바람직하다. 마이그레이션 억제층에 소정량 이상의 구리 이온 또는 금속 구리가 함유되어 있으면, 본 발명의 효과가 떨어지는 경우가 있다.It is preferable that copper ion or metal copper is not substantially contained in the migration suppression layer. If the migration suppression layer contains more than a predetermined amount of copper ions or metal copper, the effect of the present invention may be inferior.

구리 배선 또는 구리 합금 배선 표면 상에 있어서의 아졸 화합물의 부착량은, 구리 이온의 마이그레이션을 보다 억제할 수 있는 점에서, 구리 배선 또는 구리 합금 배선의 전체 표면적에 대하여 5 × 10-9 ∼ 1 × 10-6 g/㎟ 인 것이 바람직하고, 5 × 10-9 ∼ 2 × 10-7 g/㎟ 인 것이 보다 바람직하고, 5 × 10-9 ∼ 6 × 10-8 g/㎟ 인 것이 더욱 바람직하다.Since the adhesion amount of the azole compound on a copper wiring or copper alloy wiring surface can suppress migration of copper ion more, it is 5 * 10 <-9> -1 * 10 with respect to the total surface area of a copper wiring or copper alloy wiring. -6 g / ㎟ of and preferably, 5 × 10 -9 ~ 2 × 10 -7 g / ㎟ should preferably more, and, 5 × 10 -9 ~ 6 and more preferably from × 10 -8 g / ㎟.

또한, 부착량은 공지된 방법 (예를 들어, 흡광도법) 에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 흡광도법에서는, 먼저, 물로 배선 간에 존재하는 마이그레이션 억제층을 세정한다 (물에 의한 추출법). 그 후, 유기산 (예를 들어, 황산) 에 의해 구리 배선 또는 구리 합금 배선 상의 마이그레이션 억제층을 추출하고, 흡광도를 측정하여, 액량과 도포 면적으로부터 부착량을 산출한다.In addition, an adhesion amount can be measured by a well-known method (for example, the absorbance method). Specifically, in the absorbance method, first, the migration suppression layer existing between the wirings is washed with water (extraction method by water). Then, the migration suppression layer on a copper wiring or a copper alloy wiring is extracted with an organic acid (for example, sulfuric acid), an absorbance is measured and an adhesion amount is computed from a liquid amount and an application area.

또한, 상기 서술한 바와 같이, 배선 간에는 아졸 화합물을 함유하는 층은 실질적으로 제거되어 있는 것이 바람직하지만, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 일부 아졸 화합물을 함유하는 층이 잔존하고 있어도 된다.In addition, as mentioned above, although it is preferable that the layer containing an azole compound is substantially removed between wirings, the layer containing some azole compounds may remain in the range which does not impair the effect of this invention.

[건조 공정] [Drying process]

그 공정에서는, 마이그레이션 억제층이 형성된 배선이 형성된 기판을 가열 건조시킨다. 배선이 형성된 기판 상에 수분이 잔존하고 있으면, 구리 이온의 마이그레이션을 촉진시킬 우려가 있기 때문에, 그 공정을 형성함으로써 수분을 제거하는 것이 바람직하다.In this process, the board | substrate with wiring in which the migration suppression layer was formed is heat-dried. If moisture remains on the substrate on which the wiring is formed, there is a risk of promoting the migration of copper ions. Therefore, it is preferable to remove the moisture by forming the step.

가열 건조 조건으로는, 구리 배선 또는 구리 합금 배선의 산화를 억제하는 점에서, 70 ∼ 120 ℃ (바람직하게는 80 ℃ ∼ 110 ℃) 에서, 15 초 ∼ 10 분간 (바람직하게는 30 초 ∼ 5 분) 실시하는 것이 바람직하다. 건조 온도가 지나치게 낮거나 또는 건조 시간이 지나치게 짧으면, 수분의 제거가 충분하지 않은 경우가 있고, 건조 온도가 지나치게 높거나 또는 건조 시간이 지나치게 길면, 산화구리가 형성될 우려가 있다.As heat-drying conditions, in the point which suppresses oxidation of a copper wiring or a copper alloy wiring, it is 15 second-10 minutes (preferably 30 second-5 minutes) at 70-120 degreeC (preferably 80 degreeC-110 degreeC). It is preferable to carry out. If the drying temperature is too low or the drying time is too short, the removal of moisture may not be sufficient. If the drying temperature is too high or the drying time is too long, there is a fear that copper oxide is formed.

건조에 사용하는 장치는 특별히 한정되지 않고, 항온조, 히터 등 공지된 가열 장치를 사용할 수 있다.The apparatus used for drying is not specifically limited, Well-known heating apparatuses, such as a thermostat and a heater, can be used.

또한, 본 공정은 임의의 공정이며, 층 형성 공정에서 사용되는 용매가 휘발성이 우수한 용매인 경우 등에는, 본 공정은 실시하지 않아도 된다.In addition, this process is arbitrary processes, and when this solvent used in a layer formation process is a solvent excellent in volatility, this process does not need to be performed.

[절연층 형성 공정] [Insulation layer formation process]

그 공정에서는 마이그레이션 억제층이 형성된 배선이 형성된 기판 상에 절연층을 형성한다. 도 1 의 (D) 에 나타내는 바와 같이, 절연층 (20) 이, 마이그레이션 억제층 (18) 이 표면에 형성된 배선 (14) 에 접하도록 배선이 형성된 기판 (10) 상에 형성된다. 절연층 (20) 이 형성됨으로써, 배선 (14) 간의 절연 신뢰성이 보다 담보된다. 또, 기판 (12) 과 절연층 (20) 이 직접 접촉할 수 있기 때문에, 절연층 (20) 의 밀착성이 우수하다.In this process, an insulating layer is formed on the board | substrate with which the wiring in which the migration suppression layer was formed was formed. As shown to FIG. 1D, the insulating layer 20 is formed on the board | substrate 10 with which wiring was formed so that the migration suppression layer 18 may contact the wiring 14 formed in the surface. By forming the insulating layer 20, insulation reliability between the wirings 14 is more secured. Moreover, since the board | substrate 12 and the insulating layer 20 can directly contact, the adhesiveness of the insulating layer 20 is excellent.

먼저, 사용되는 절연층에 대해 설명하고, 다음으로 절연층의 형성 방법에 대해 설명한다.First, the insulating layer to be used will be described, and next, the method for forming the insulating layer will be described.

절연층으로는, 공지된 절연성의 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 이른바 층간 절연층으로서 사용되고 있는 재료를 사용할 수 있고, 구체적으로는 에폭시 수지, 아라미드 수지, 결정성 폴리올레핀 수지, 비정성 폴리올레핀 수지, 불소 함유 수지 (폴리테트라플루오로에틸렌, 전 (全) 불소화 폴리이미드, 전불소화 아모르퍼스 수지 등), 폴리이미드 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 아크릴레이트 수지 등을 들 수 있다. 층간 절연층으로는 예를 들어, 아지노모토 파인 테크노 (주) 제조, ABF GX-13 등을 들 수 있다.As the insulating layer, a known insulating material can be used. For example, the material used as what is called an interlayer insulation layer can be used, Specifically, an epoxy resin, an aramid resin, a crystalline polyolefin resin, an amorphous polyolefin resin, and a fluorine-containing resin (polytetrafluoroethylene, all) Fluorinated polyimide, prefluorinated amorphous resin, etc.), polyimide resin, polyether sulfone resin, polyphenylene sulfide resin, polyether ether ketone resin, acrylate resin and the like. As an interlayer insulation layer, Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. product, ABF GX-13, etc. are mentioned, for example.

또, 절연층으로서 이른바 솔더 레지스트층을 사용해도 된다. 솔더 레지스트는 시판품을 사용해도 되고, 구체적으로는 예를 들어, 타이요 잉크 제조 (주) 제조 PFR800, PSR4000 (상품명), 히타치 화성 공업 (주) 제조 SR7200G 등을 들 수 있다.Moreover, you may use what is called a soldering resist layer as an insulating layer. A commercial item may be used for a soldering resist, For example, Taiyo Ink Co., Ltd. make PFR800, PSR4000 (brand name), Hitachi Chemical Co., Ltd. make SR7200G, etc. are mentioned, for example.

배선이 형성된 기판 상으로의 절연층의 형성 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 절연층의 필름을 직접 배선이 형성된 기판 상에 라미네이트하는 방법이나, 절연층을 구성하는 성분을 포함하는 절연층 형성용 조성물을 배선이 형성된 기판 상에 도포하는 방법이나, 배선이 형성된 기판을 그 절연층 형성용 조성물에 침지하는 방법 등을 들 수 있다.The formation method of the insulating layer on the board | substrate with which wiring was formed is not specifically limited, A well-known method can be employ | adopted. For example, the method of laminating the film of an insulating layer on the board | substrate with which wiring was directly formed, the method of apply | coating the composition for insulating layer formation containing the component which comprises an insulating layer on the board | substrate with wiring, or the wiring was formed. The method of immersing a board | substrate in the composition for insulating layer formation, etc. are mentioned.

또한, 상기 절연층 형성용 조성물에는, 필요에 따라 용제가 포함되어 있어도 된다. 용제를 포함하는 절연층 형성용 조성물을 사용하는 경우에는, 그 조성물을 기판 상에 배치한 후, 필요에 따라 용제를 제거하기 위해서 가열 처리를 실시해도 된다.Moreover, the solvent may be contained in the said composition for insulating layer formation as needed. When using the composition for insulating layer formation containing a solvent, after arrange | positioning the composition on a board | substrate, you may heat-process in order to remove a solvent as needed.

또, 절연층을 배선이 형성된 기판 상에 형성한 후, 필요에 따라, 절연층에 대해 에너지 부여 (예를 들어, 노광 또는 가열 처리) 를 실시해도 된다.Moreover, after forming an insulating layer on the board | substrate with wiring, you may give energy (for example, exposure or heat processing) to an insulating layer as needed.

형성되는 절연층의 막두께는 특별히 제한되지 않고, 배선 간의 절연 신뢰성의 관점에서는 5 ∼ 50 ㎛ 가 바람직하고, 15 ∼ 40 ㎛ 가 보다 바람직하다.The film thickness of the insulating layer formed is not specifically limited, 5-50 micrometers is preferable from a viewpoint of the insulation reliability between wirings, and 15-40 micrometers is more preferable.

도 1 의 (D) 에 있어서는, 절연층은 1 층으로 기재되어 있지만, 다층 구조여도 된다.In FIG.1 (D), although the insulating layer is described by one layer, a multilayered structure may be sufficient.

(마이그레이션 억제층을 갖는 적층체) (Laminated Body Having Migration Suppression Layer)

상기 공정을 거침으로써, 도 1 의 (D) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (12) 과, 기판 (12) 상에 배치되는 배선 (14) 과, 배선 (14) 상에 배치되는 절연층 (20) 을 구비하고, 배선 (14) 과 절연층 (20) 사이에 마이그레이션 억제층 (18) 이 개재하는 적층체 (30) (마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제 1 실시양태) 를 얻을 수 있다. 얻어지는 적층체 (30) 는 배선 (14) 간의 절연 신뢰성이 우수함과 함께, 절연층 (20) 과 배선이 형성된 기판 (10) 의 밀착성도 우수하다.By passing through the said process, as shown to FIG. 1D, the board | substrate 12, the wiring 14 arrange | positioned on the board | substrate 12, and the insulating layer 20 arrange | positioned on the wiring 14 are shown. And a laminate 30 (first embodiment of a laminate having a migration suppression layer) having a migration suppression layer 18 interposed between the wiring 14 and the insulating layer 20. The obtained laminated body 30 is excellent in the insulation reliability between the wirings 14, and also excellent in the adhesiveness of the insulating layer 20 and the board | substrate 10 with which the wiring was formed.

또한, 도 1 의 (D) 에 나타내는 바와 같이, 상기에서는 1 층 배선 구조의 적층체를 예로 들었지만, 물론 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 기판과 금속 배선 사이에, 다른 금속 배선 (금속 배선층) 및 층간 절연층을 이 순서대로 교대로 적층한 다층 배선이 형성된 기판을 사용함으로써, 다층 배선 구조의 적층체를 제조할 수 있다.In addition, as shown to Fig.1 (D), although the laminated body of the one-layer wiring structure was mentioned above as an example, of course, it is not limited to this. For example, the laminated body of a multilayer wiring structure can be manufactured by using the board | substrate with which the other metal wiring (metal wiring layer) and the interlayer insulation layer were laminated | stacked alternately in this order between the board | substrate and metal wiring. .

본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 적층체는 여러 가지 용도 및 구조에 대해 사용할 수 있고, 예를 들어, 프린트 배선 기판, 마더 보드용 기판이나 반도체 패키지용 기판, MID (Molded Interconnect Device) 기판 등을 들 수 있고, 리지드 기판, 플렉시블 기판, 플렉스 리지드 기판, 성형 회로 기판 등에 대해 사용할 수 있다.The laminated body obtained by the manufacturing method of this invention can be used for various uses and structures, For example, a printed wiring board, the board | substrate for motherboards, the board | substrate for semiconductor packages, a MID (Molded Interconnect Device) board | substrate, etc. are mentioned. And a rigid substrate, a flexible substrate, a flex rigid substrate, a molded circuit board, and the like.

또, 얻어진 적층체 중의 절연층을 일부 제거하고, 반도체 칩을 실장하여, 프린트 회로판으로서 사용해도 된다. Moreover, you may remove a part of the insulating layer in the obtained laminated body, mount a semiconductor chip, and use it as a printed circuit board.

예를 들어, 절연층으로서 솔더 레지스트를 사용하는 경우에는, 소정의 패턴 상의 마스크를 절연층 상에 배치하고, 에너지를 부여하여 경화시키고, 에너지 미부여 영역의 절연층을 제거하여 배선을 노출시킨다. 다음으로, 노출된 배선의 표면을 공지된 방법에 의해 세정 (예를 들어, 황산이나 계면 활성제를 사용하여 세정) 한 후, 반도체 칩을 배선 표면 상에 실장한다.For example, in the case of using a solder resist as the insulating layer, a mask on a predetermined pattern is disposed on the insulating layer, energized and cured, and the wiring is exposed by removing the insulating layer in the non-energy region. Next, after cleaning the surface of the exposed wiring by a known method (for example, using sulfuric acid or a surfactant), the semiconductor chip is mounted on the wiring surface.

절연층으로서 공지된 층간 절연층을 사용하는 경우에는, 드릴 가공이나 레이저 가공에 의해 절연층을 제거할 수 있다.In the case of using a known interlayer insulating layer as the insulating layer, the insulating layer can be removed by drilling or laser processing.

또, 얻어진 적층체의 절연층 상에 추가로 금속 배선 (배선 패턴) 을 형성해도 된다. 금속 배선을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법 (도금 처리, 스퍼터링 처리 등) 을 사용할 수 있다.Moreover, you may form a metal wiring (wiring pattern) further on the insulating layer of the obtained laminated body. The method of forming a metal wiring is not specifically limited, A well-known method (plating process, sputtering process, etc.) can be used.

본 발명에 있어서는, 얻어진 적층체의 절연층 상에 추가로 금속 배선 (배선 패턴) 이 형성된 기판을 새로운 배선이 형성된 기판 (내층 기판) 으로서 사용하고, 새롭게 절연층 및 금속 배선을 여러 층에도 적층할 수 있다.In this invention, the board | substrate with which metal wiring (wiring pattern) was further formed on the insulating layer of the obtained laminated body is used as a board | substrate (inner layer board | substrate) in which the new wiring was formed, and a new insulating layer and metal wiring can also be laminated | stacked in several layers. Can be.

[마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제조 방법 (제 2 실시양태)][Method for producing a laminate having a migration suppression layer (second embodiment)]

본 발명의 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제조 방법의 다른 적합한 실시양태로서, 기판과, 기판 상에 배치되는 구리 배선 또는 구리 합금 배선과, 기판 상에 배치되고 구리 배선 또는 구리 합금 배선의 일부가 노출되도록 구리 배선 또는 구리 합금 배선을 덮는 절연층을 갖는 노출 배선을 갖는 적층체 (이후, 간단히 노출 배선 함유 적층체라고도 한다) 를 상기 배선이 형성된 기판 대신에 사용하는 층 형성 공정, 및 건조 공정을 이 순서로 실시하는 제조 방법을 들 수 있다.As another suitable embodiment of the manufacturing method of the laminated body which has a migration suppression layer of this invention, a board | substrate, copper wiring or copper alloy wiring arrange | positioned on a board | substrate, and a part of copper wiring or copper alloy wiring arrange | positioned on a board | substrate A layer forming step and a drying step using a laminate having an exposed wiring (hereinafter simply referred to as an exposed wiring containing laminate) having an insulating layer covering the copper wiring or the copper alloy wiring so as to be exposed instead of the substrate on which the wiring is formed, The manufacturing method performed in this order is mentioned.

이하에, 도면을 참조하여 각 공정에서 사용되는 재료 및 공정의 순서에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to drawings, the order of the material and process used by each process is demonstrated.

[층 형성 공정] [Layer Formation Step]

그 공정에서는, 먼저, 노출 배선 함유 적층체와 상기 서술한 마이그레이션 억제층 형성용 처리액을 접촉시킨다 (접촉 공정). 그 후, 노출 배선 함유 적층체를 용제 (세정 용제) 로 세정하여, 노출되어 있던 구리 배선 또는 구리 합금 배선 표면 상에 아졸 화합물을 함유하는 마이그레이션 억제층을 형성한다 (세정 공정).In this process, first, the exposed wiring-containing laminate and the above-described processing liquid for migration suppression layer formation are brought into contact with each other (contact step). Thereafter, the exposed wiring-containing laminate is washed with a solvent (cleaning solvent) to form a migration suppression layer containing an azole compound on the exposed copper wiring or copper alloy wiring surface (cleaning step).

그 공정에 의해, 노출되어 있던 구리 배선 또는 구리 합금 배선의 표면을 덮도록, 마이그레이션 억제층이 형성되어 구리의 마이그레이션이 억제된다.By this process, a migration suppression layer is formed so that the surface of the exposed copper wiring or copper alloy wiring may be covered, and migration of copper is suppressed.

먼저, 층 형성 공정에서 사용되는 재료 (노출 배선 함유 적층체) 에 대해 설명하고, 그 후 층 형성 공정의 순서에 대해 설명한다.First, the material (exposure wiring containing laminated body) used in a layer formation process is demonstrated, and the procedure of a layer formation process is demonstrated after that.

(노출 배선 함유 적층체) (Exposed wiring-containing laminate)

본 공정에서 사용되는 노출 배선 함유 적층체는, 기판과, 기판 상에 배치되는 구리 배선 또는 구리 합금 배선 (이후, 간단히 배선이라고도 한다) 과, 기판 상에 배치되고 구리 배선 또는 구리 합금 배선의 일부가 노출되도록 구리 배선 또는 구리 합금 배선을 덮는 절연층을 갖는다. 도 2 중, 노출 배선 함유 적층체 (40) 는, 기판 (12) 과, 구리 배선 또는 구리 합금 배선 (14) (이후, 간단히 배선 (14) 이라고도 한다) 과, 절연층 (20) 을 구비한다. 배선 (14) 은, 노출된 구리 배선 또는 구리 합금 배선 (이후, 간단히 배선 (14a) 이라고도 한다) 과, 절연층 (20) 으로 피복된 구리 배선 또는 구리 합금 배선 (이후, 간단히 배선 (14b) 이라고도 한다) 으로 구성된다.The exposed wiring-containing laminate used in this step includes a substrate, a copper wiring or copper alloy wiring (hereinafter simply referred to as wiring) disposed on the substrate, and a portion of the copper wiring or copper alloy wiring disposed on the substrate. It has an insulating layer covering copper wiring or copper alloy wiring so that it may be exposed. In FIG. 2, the exposed wiring-containing laminate 40 includes a substrate 12, a copper wiring or a copper alloy wiring 14 (hereinafter also referred to simply as the wiring 14), and an insulating layer 20. . The wiring 14 is also referred to as exposed copper wiring or copper alloy wiring (hereinafter, also simply referred to as wiring 14a), and copper wiring or copper alloy wiring (hereinafter simply referred to as wiring 14b) coated with the insulating layer 20. It is composed of

또한, 도 2 에 있어서, 노출된 배선 (14a) 은 기판 (12) 상에 지지되어 있지만, 그 일부가 기판 (12) 밖으로 연장되어 있어도 된다.In addition, although the exposed wiring 14a is supported on the board | substrate 12 in FIG. 2, the one part may extend out of the board | substrate 12. In addition, in FIG.

본 공정에서 사용되는 노출 배선 함유 적층체 중의 기판의 양태 (종류 등) 는, 상기 서술한 제 1 실시양태에서 사용되는 배선이 형성된 기판 (내층 기판) 중의 기판의 양태와 동일하다.The aspect (kind, etc.) of the board | substrate in the exposed wiring containing laminated body used by this process is the same as that of the board | substrate in the board | substrate (inner layer board | substrate) with wiring used in 1st Embodiment mentioned above.

그 중에서도, 기판 (특히, 절연 기판) 으로는, 예를 들어, 유기 기판, 얇은 유리 에폭시 기판 등을 사용하는 것이 바람직하다. 유기 기판 등의 기판을 사용함으로써, 이른바 플렉시블 프린트 배선 기판을 얻을 수 있다. 또, 유리 에폭시 기판으로 이루어지는 리지드한 기판을 사용함으로써, 이른바 리지드 프린트 배선 기판을 얻을 수도 있다.Especially, as a board | substrate (especially an insulated substrate), it is preferable to use an organic substrate, a thin glass epoxy board | substrate, etc., for example. By using board | substrates, such as an organic substrate, what is called a flexible printed wiring board can be obtained. Moreover, what is called a rigid printed wiring board can also be obtained by using the rigid board | substrate which consists of a glass epoxy board | substrate.

유기 기판의 재료로는 수지를 들 수 있고, 예를 들어, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 액정 폴리머 등을 들 수 있다.Resin is mentioned as a material of an organic substrate, For example, a polyimide resin, a polyester resin, a liquid crystal polymer, etc. are mentioned.

본 공정에서 사용되는 노출 배선 함유 적층체 중의 구리 배선 또는 구리 합금 배선의 양태 (재료의 종류, 폭, 간격, 두께 등) 는, 상기 서술한 제 1 실시양태에서 사용되는 배선이 형성된 기판 (내층 기판) 의 구리 배선 또는 구리 합금 배선의 양태와 동일하다.The aspect (type of material, width, space | interval, thickness, etc.) of the copper wiring or copper alloy wiring in the exposed wiring containing laminated body used by this process is a board | substrate with wiring used in 1st Embodiment mentioned above (inner-layer board | substrate). Is the same as that of the copper wiring or the copper alloy wiring.

절연층은, 구리 배선 또는 구리 합금 배선의 일부가 노출되도록, 구리 배선 또는 구리 합금 배선을 덮는 층이다. 구리 배선 또는 구리 합금 배선을 덮는 비율은 특별히 제한되지 않고, 기판 상에 실장되는 전자 부품 (예를 들어, 반도체 소자) 등과 전기적으로 접속할 수 있는 구리 배선 또는 구리 합금 배선부가 잔존하고 있으면 된다.The insulating layer is a layer covering the copper wiring or the copper alloy wiring so that a part of the copper wiring or the copper alloy wiring is exposed. The ratio which covers a copper wiring or a copper alloy wiring is not specifically limited, The copper wiring or copper alloy wiring part which can be electrically connected with the electronic component (for example, semiconductor element) etc. mounted on a board | substrate should just remain | survive.

본 공정에서 사용되는 노출 배선 함유 적층체 중의 절연층의 양태 (종류 등) 는, 상기 서술한 제 1 실시양태에서 사용되는 배선이 형성된 기판 (내층 기판) 중의 절연층의 양태와 동일하다. 보다 구체적으로는, 절연층을 구성하는 절연 재료로는 예를 들어, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다.The aspect (kind, etc.) of the insulating layer in the exposed wiring containing laminated body used by this process is the same as the aspect of the insulating layer in the board | substrate (inner layer board | substrate) with wiring used by 1st Embodiment mentioned above. More specifically, as an insulating material which comprises an insulating layer, polyimide resin, a polyester resin, etc. are mentioned, for example.

또, 절연층으로서 스크린 인쇄 잉크나 감광성 커버레이를 사용해도 된다.Moreover, you may use screen printing ink and a photosensitive coverlay as an insulating layer.

또한, 노출 배선 함유 적층체의 제조 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 먼저, 동박이 부착된 기판에 대해 서브트랙티브법 또는 세미애디티브법을 적용하여, 구리 배선을 갖는 기판을 제조한다. 다음으로, 그 기판 상에 절연 필름을 라미네이트하고, 구리 배선의 일부를 덮은 절연층을 형성한다.In addition, the manufacturing method of an exposure wiring containing laminated body is not specifically limited, A well-known method can be employ | adopted. For example, first, the subtractive method or the semiadditive method is applied to the board | substrate with copper foil, and the board | substrate which has copper wiring is manufactured. Next, an insulating film is laminated on the substrate, and an insulating layer covering a part of the copper wiring is formed.

(용제 (세정 용제)) (Solvent (cleaning solvent))

노출 배선 함유 적층체를 세정하는 세정 공정에서 사용되는 용제 (세정 용제) 는, 구리 배선 또는 구리 합금 표면 이외의 표면에 퇴적된 여분의 아졸 화합물 등을 제거할 수 있으면, 특별히 제한되지 않고, 상기 서술한 제 1 실시양태에서 사용되는 용제 (세정 용제) 를 사용할 수 있다.The solvent (cleaning solvent) used in the washing step of cleaning the exposed wiring-containing laminate is not particularly limited as long as the excess azole compound deposited on the surface other than the copper wiring or the copper alloy surface can be removed, and the above-mentioned descriptions are made. The solvent (washing solvent) used in one 1st embodiment can be used.

(공정의 순서) (Procedure Order)

층 형성 공정을, 접촉 공정 및 세정 공정의 2 개의 공정으로 나누어 설명한다.The layer forming step will be described divided into two steps, a contact step and a washing step.

(접촉 공정) (Contact process)

접촉 공정은, 노출 배선 함유 적층체와, 상기의 마이그레이션 억제층 형성용 처리액을 접촉시키는 공정이다. 구체적으로는 먼저, 도 3 의 (A) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (12) 과 노출된 구리 배선 또는 구리 합금 배선 (14a) 을 구비하는 노출 배선 함유 적층체를 준비하고, 그 노출 배선 함유 적층체와 상기 마이그레이션 억제층 형성용 처리액을 접촉시킴으로써, 도 3 의 (B) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (12) 및 노출된 배선 (14a) 상에 아졸 화합물을 함유하는 층 (16) 이 형성된다. 그 층 (16) 은, 기판 (12) 상, 배선 (14a) 상 및 절연층 (도시 생략) 상에 형성된다.A contact process is a process of contacting an exposure wiring containing laminated body and said process liquid for migration suppression layer formation. Specifically, first, as shown to FIG. 3 (A), the exposed wiring containing laminated body provided with the board | substrate 12 and the exposed copper wiring or copper alloy wiring 14a is prepared, and the exposed wiring containing laminated body By contacting with the processing liquid for migration suppression layer formation, as shown in FIG. 3B, a layer 16 containing an azole compound is formed on the substrate 12 and the exposed wiring 14a. The layer 16 is formed on the board | substrate 12, on the wiring 14a, and on an insulating layer (not shown).

그 접촉 공정의 순서·조건은 상기 서술한 제 1 실시양태에서 실시한 접촉 공정과 동일한 순서·조건에 의해 이루어진다.The order and conditions of the contacting step are made by the same order and condition as the contacting step carried out in the first embodiment described above.

(세정 공정) (Cleaning process)

세정 공정은, 접촉 공정에서 얻어진 노출 배선 함유 적층체를 용제로 세정하여, 구리 배선 또는 구리 합금 배선 표면 상에 아졸 화합물을 함유하는 마이그레이션 억제층을 형성하는 공정이다.A washing process is a process of washing the exposed wiring containing laminated body obtained by the contact process with a solvent, and forming the migration suppression layer containing an azole compound on the copper wiring or copper alloy wiring surface.

구체적으로는, 도 3 의 (B) 에서 얻어진 아졸 화합물을 함유하는 층 (16) 이 형성된 노출 배선 함유 적층체를 상기 세정 용제로 세정함으로써, 도 3 의 (C) 에 나타내는 바와 같이, 배선 (14a) 간의 아졸 화합물을 함유하는 층 (16) 이 제거됨과 함께, 배선 상의 여분의 아졸 화합물이 제거되어, 배선 (14a) 상에 마이그레이션 억제층 (18) 이 형성된다. 또한, 배선 (14a) 간의 아졸 화합물을 함유하는 층 (16) 이 제거됨과 동시에, 절연층 (도시 생략) 상의 아졸 화합물을 함유하는 층 (16) 도 제거된다.Specifically, as shown in FIG. 3C, the exposed wiring-containing laminate in which the layer 16 containing the azole compound obtained in FIG. While the layer 16 containing the azole compound between) is removed, the excess azole compound on the wiring is removed, and the migration suppression layer 18 is formed on the wiring 14a. In addition, while the layer 16 containing the azole compound between the wirings 14a is removed, the layer 16 containing the azole compound on the insulating layer (not shown) is also removed.

그 세정 공정의 순서·조건은, 상기 서술한 제 1 실시양태에서 실시한 세정 공정과 동일한 순서·조건에 의해 이루어진다.The order and conditions of the washing step are made by the same order and conditions as the washing step carried out in the first embodiment described above.

(마이그레이션 억제층) (Migration suppression layer)

상기 공정을 거침으로써, 노출된 구리 배선 또는 구리 합금 배선 표면 상에, 아졸 화합물을 함유하는 마이그레이션 억제층을 형성할 수 있다. 또한, 도 3 의 (C) 에 나타내는 바와 같이, 노출된 배선 (14a) 표면 이외의 면 상에 있어서, 아졸 화합물을 함유하는 층은 실질적으로 제거되어 있는 것이 바람직하다. 요컨대, 실질적으로, 노출된 배선 (14a) 표면 상에만 마이그레이션 억제층 (18) 이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 배선 (14a) 표면이란, 도 3 의 (C) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (12) 과 접하는 하면 이외의 상면 및 측면을 의미한다.By passing through the said process, the migration suppression layer containing an azole compound can be formed on the exposed copper wiring or copper alloy wiring surface. In addition, as shown to FIG. 3C, it is preferable that the layer containing an azole compound is substantially removed on surfaces other than the exposed wiring 14a surface. In short, it is preferable that the migration suppression layer 18 is formed only on the exposed wiring 14a surface substantially. In addition, the surface of wiring 14a means the upper surface and side surface other than the lower surface which contact | connects the board | substrate 12, as shown to FIG. 3 (C).

형성되는 마이그레이션 억제층의 양태 (아졸 화합물의 함유량·부착량 등) 는, 상기 서술한 제 1 실시양태에서 얻어지는 마이그레이션 억제층과 동일한 양태이다.The aspect (content, adhesion amount, etc. of an azole compound) of the migration suppression layer formed is an aspect similar to the migration suppression layer obtained by the 1st embodiment mentioned above.

[건조 공정] [Drying process]

그 공정에서는, 마이그레이션 억제층이 형성된 적층체를 가열 건조시킨다. 적층체 상에 수분이 잔존하고 있으면, 구리 이온의 마이그레이션을 촉진시킬 우려가 있기 때문에, 그 공정을 마련함으로써 수분을 제거하는 것이 바람직하다.At this process, the laminated body in which the migration suppression layer was formed is heat-dried. If moisture remains on the laminate, the migration of copper ions may be promoted. Therefore, it is preferable to remove the moisture by providing the step.

또한, 본 공정은 임의의 공정이며, 층 형성 공정에서 사용되는 용매가 휘발성이 우수한 용매인 경우 등에는, 본 공정은 실시하지 않아도 되다.In addition, this process is an arbitrary process, and when this solvent used in a layer formation process is a solvent excellent in volatility, this process does not need to be performed.

건조 공정의 순서·조건은, 상기 서술한 제 1 실시양태에서 실시한 건조 공정과 동일한 순서·조건에 의해 이루어진다.The order and conditions of a drying process are made by the same procedure and conditions as the drying process implemented in 1st Embodiment mentioned above.

(마이그레이션 억제층을 갖는 적층체) (Laminated Body Having Migration Suppression Layer)

상기 제조 방법을 거침으로써, 기판과, 기판 상에 배치되는 구리 배선 또는 구리 합금 배선과, 구리 배선 또는 구리 합금 배선의 일부의 표면 상에 형성된 아졸 화합물을 함유하는 마이그레이션 억제층과, 기판 상에 배치되고 구리 배선 또는 구리 합금 배선의 잔부의 표면을 덮는 절연층을 갖는 적층체 (마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제 2 실시양태) 가 얻어진다. 바꾸어 말하면, 구리 배선 또는 구리 합금 배선의 일부가 절연층으로 덮이고, 절연층으로 덮이지 않은 구리 배선 또는 구리 합금 배선의 표면이 아졸 화합물을 함유하는 마이그레이션 억제층으로 피복되어 있는 표면 피복 배선을 갖는 적층체이다.By passing through the said manufacturing method, it arrange | positions on a board | substrate, the migration suppression layer containing the copper wiring or copper alloy wiring arrange | positioned on a board | substrate, the azole compound formed on the surface of a part of copper wiring or a copper alloy wiring, and a board | substrate. And a laminated body (second embodiment of the laminate having a migration suppression layer) having an insulating layer covering the surface of the remainder of the copper wiring or copper alloy wiring. In other words, a laminate having a surface-coated wiring in which part of the copper wiring or copper alloy wiring is covered with an insulating layer, and the surface of the copper wiring or copper alloy wiring not covered with the insulating layer is covered with a migration suppression layer containing an azole compound. It is a sieve.

보다 구체적으로는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 기판 (12) 과, 기판 (12) 상에 배치되는 배선 (14) 과, 기판 (12) 상에 배치되고 배선 (14) 의 일부를 피복하는 절연층 (20) 과, 절연층 (20) 이 형성되어 있지 않은 배선 (14a) 의 표면을 피복하는 마이그레이션 억제층 (18) 을 갖는 표면 피복 배선을 갖는 적층체 (100) 가 얻어진다.More specifically, as shown in FIG. 4, the board | substrate 12, the wiring 14 arrange | positioned on the board | substrate 12, and the insulation arrange | positioned on the board | substrate 12 and covering a part of wiring 14 are covered. The laminated body 100 which has the surface coating wiring which has the layer 20 and the migration suppression layer 18 which coat | covers the surface of the wiring 14a in which the insulating layer 20 is not formed is obtained.

얻어진 적층체는 여러 가지 용도에 사용할 수 있고, 예를 들어, 프린트 배선 기판, COF (Chip on Film) 기판용, 또는 TAB (Tape Automated Bonding) 기판용의 기판으로서 사용할 수 있다.The obtained laminated body can be used for various uses, for example, it can be used as a board | substrate for a printed wiring board, a chip on film (COF) board | substrate, or a TAB (Tape Automated Bonding) board | substrate.

실시예Example

이하, 실시예에 의해, 본 발명에 대해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention still in detail, this invention is not limited to these.

(실시예 1) (Example 1)

폴리이미드 필름 (토오레·듀퐁사 제조 카프톤 필름) 을 사용하여, L/S=100 ㎛/100 ㎛ 의 빗살형 구리 배선 및 절연층을 구비하는 노출 배선 함유 적층체 (프린트 배선 기판에 해당) 를 형성하였다. 노출 배선 함유 적층체는 이하의 방법에 의해 제조하였다.Exposed wiring containing laminated body provided with the comb-tooth shaped copper wiring of L / S = 100micrometer / 100micrometer, and an insulating layer using a polyimide film (Cafton film by Toray Dupont) (it corresponds to a printed wiring board) Was formed. The exposed wiring-containing laminate was produced by the following method.

25 ㎛ 두께의 폴리이미드 필름 (토오레·듀퐁사 제조 카프톤 필름) 상에 20 ㎛ 두께의 동박 (후루카와 전공사 제조 F3-WS 박) 을 25 ㎛ 두께의 접착제 (히타치 화성 제조 N4) 를 개재하여 첩합 (貼合) 하였다.On a 25-micrometer-thick polyimide film (Katon Film manufactured by Toray DuPont), a copper foil (F3-WS foil manufactured by Furukawa Electric Works) having a thickness of 20 μm was interposed with a 25 μm-thick adhesive (Hitachi Chemical Co., Ltd. N4). It bonded together.

동박 테이프에 포토 레지스트 (히타치 화성 공업사 제조 포테크 H-W425) 를 100 ℃ 에서, 4 ㎏f/㎠ 의 조건으로 라미네이트하고, 포토마스크를 개재하여 80 mJ/㎠ 의 조건으로 노광하고, 현상하여 에칭 레지스트 패턴을 형성하였다.A photoresist (Potech H-W425 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was laminated on a copper foil tape at 100 ° C. under a condition of 4 kgf / cm 2, exposed to a condition of 80 mJ / cm 2 through a photomask, and developed and etched. A resist pattern was formed.

그 후, 에칭 레지스트에 덮여 있지 않은 동박을, 염화 제 2 철 에칭 용액으로 선택적으로 에칭 제거하고, 에칭 레지스트를 박리하여, L/S=100 ㎛/100 ㎛ 의 구리 배선을 얻었다.Thereafter, the copper foil not covered with the etching resist was selectively etched away with a ferric chloride etching solution, and the etching resist was peeled off to obtain a copper wiring having L / S = 100 µm / 100 µm.

또한, 그 후, 얻어진 기판 상의 약 절반에 절연층 (히타치 화성사 제조 FZ2500) 을 라미네이트하고, 그 후 노광, 베이크를 실시하여, 노출 배선 함유 적층체를 얻었다. 또한, 얻어진 노출 배선 함유 적층체 중의 구리 배선의 약 절반이 절연층으로 피복되었다.Furthermore, about half of the obtained substrate was then laminated with an insulating layer (FZ2500 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), and then exposed and baked to obtain an exposed wiring-containing laminate. In addition, about half of the copper wiring in the obtained exposed wiring containing laminated body was coat | covered with the insulating layer.

1 시간 정도 질소 버블링을 실시한 순수에 1,2,4-트리아졸-3-카르복시아미드를 용해시켜, 마이그레이션 억제층 형성용 처리액 (1,2,4-트리아졸-3-카르복시아미드의 처리액 중에 있어서의 함유량:2.5 질량%) 을 제조하였다. 처리액 중의 용존 산소량을 용존 산소계 DO-31P (토아 DKK) 로 측정한 결과, 용존 산소량은 2.0 ppm 이었다.1,2,4-triazole-3-carboxyamide is dissolved in pure water subjected to nitrogen bubbling for about 1 hour, and the treatment liquid for migration suppression layer formation (1,2,4-triazole-3-carboxyamide treatment Content in a liquid: 2.5 mass%) was manufactured. The amount of dissolved oxygen in the treatment liquid was measured by the dissolved oxygen system DO-31P (Toa DKK), and the amount of dissolved oxygen was 2.0 ppm.

다음으로, 얻어진 노출 배선 함유 적층체를, 제조한 처리액에 5 분 침지하였다. 그 후, 에탄올을 사용하여 얻어진 노출 배선 함유 적층체를 세정 (접촉 시간:2 분, 액 온도:25 ℃) 하여, 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체 (플렉시블 프린트 배선 기판에 해당) 를 얻었다. 또한, 그 후, 적층체를 100 ℃ 에서 2 분간 건조 처리하였다.Next, the obtained exposed wiring containing laminated body was immersed for 5 minutes in the manufactured process liquid. Then, the exposed wiring containing laminated body obtained using ethanol was wash | cleaned (contact time: 2 minutes, liquid temperature: 25 degreeC), and the laminated body (corresponding to a flexible printed wiring board) which has a migration suppression layer was obtained. After that, the laminate was dried at 100 ° C. for 2 minutes.

또한, 물에 의한 배선 간 추출액의 흡광도 측정에 의해, 구리 배선 간의 기판 표면에 있어서 마이그레이션 억제층은 확인할 수 없고, 에탄올 세정에 의해 제거되어 있는 것이 확인되었다.Moreover, by the absorbance measurement of the inter-wire extraction liquid by water, it was confirmed that the migration suppression layer could not be confirmed on the surface of the board | substrate between copper wirings, and was removed by ethanol washing.

(수적 적하 시험에 의한 기판 수명 측정)(Substrate Life Measurement by Dropping Test)

얻어진 적층체를 사용하여, 전도도 0.05 μS/㎠, 30 ㎖ 의 순수 중에서, 인가 전압 1.2 V 의 조건으로 5 분간 및 10 분간 각각 인가한 후, 절연층으로 피복되어 있지 않은 배선 간의 양극에서부터 음극에 걸쳐서 발생한, 배선 간을 연결하는 덴드라이트의 발생에 대하여, 광학 현미경하 (Olympus 사 제조 BX-51) 에서 계측하였다. 실시예 1 에서 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.Using the obtained laminated body, after applying for 5 minutes and 10 minutes respectively in the pure water of 0.05 microS / cm <2> and 30 ml of conductivity, on the condition of 1.2 V of applied voltages, it spreads from the anode to the cathode between wiring which is not coat | covered with an insulating layer. The generation | occurrence | production of the dendrite which connected between wiring was measured under the optical microscope (BX-51 by Olympus company). The results obtained in Example 1 are shown in Table 1.

또한, 이하의 기준에 따라 평가를 실시하였다.Moreover, evaluation was performed according to the following criteria.

「○」:배선 간에 덴드라이트의 발생이 보이지 않는 경우"○": When no occurrence of dendrites is observed between wirings

「△」:배선 간에 덴드라이트의 발생은 보이지만, 배선 간을 연결하는 덴드라이트는 보이지 않고, 실용상 문제없는 경우"△": When dendrites are generated between wirings, but no dendrites connecting the wirings are seen, and there is no problem in practical use.

「×」:배선 간을 연결하는 덴드라이트가 발생하였고, 실용상 문제가 있는 경우"×": When a dendrites connecting the wirings are generated and there is a problem in practical use

(실시예 2) (Example 2)

1,2,4-트리아졸-3-카르복시아미드 대신에, 1,2,3-트리아졸을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 적층체를 제조하였다. 그 후, 얻어진 적층체를 사용하여, 실시예 1 에서 실시한 수적 적하 시험을 실시하였다. 표 1 에 결과를 나타낸다.A laminate was prepared according to the same procedure as in Example 1 except that 1,2,3-triazole was used instead of 1,2,4-triazole-3-carboxyamide. Then, the dropping test performed in Example 1 was performed using the obtained laminated body. Table 1 shows the results.

(실시예 3) (Example 3)

1,2,4-트리아졸-3-카르복시아미드 대신에, 1,2,4-트리아졸을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 적층체를 제조하였다. 그 후, 얻어진 적층체를 사용하여, 실시예 1 에서 실시한 수적 적하 시험을 실시하였다. 표 1 에 결과를 나타낸다.A laminate was prepared according to the same procedure as in Example 1 except that 1,2,4-triazole was used instead of 1,2,4-triazole-3-carboxyamide. Then, the dropping test performed in Example 1 was performed using the obtained laminated body. Table 1 shows the results.

(실시예 4) (Example 4)

실시예 3 에 있어서 질소 버블링의 시간을 1 시간으로부터 5 분으로 한 것 이외에는 실시예 3 과 동일한 순서에 따라, 적층체를 제조하였다. 그 후, 얻어진 적층체를 사용하여, 실시예 1 에서 실시한 수적 적하 시험을 실시하였다. 표 1 에 결과를 나타낸다.A laminated body was manufactured in the same procedure as in Example 3 except that the time of nitrogen bubbling was changed from 1 hour to 5 minutes in Example 3. Then, the dropping test performed in Example 1 was performed using the obtained laminated body. Table 1 shows the results.

(실시예 5) (Example 5)

실시예 3 에 있어서 질소 버블링의 시간을 1 시간으로부터 30 분으로 한 것 이외에는 실시예 3 과 동일한 순서에 따라, 적층체를 제조하였다. 그 후, 얻어진 적층체를 사용하여, 실시예 1 에서 실시한 수적 적하 시험을 실시하였다. 표 1 에 결과를 나타낸다.A laminated body was manufactured in the same procedure as in Example 3, except that the time of nitrogen bubbling was changed from 1 hour to 30 minutes in Example 3. Then, the dropping test performed in Example 1 was performed using the obtained laminated body. Table 1 shows the results.

(실시예 6) (Example 6)

동장 적층판 (히타치 화성사 제조 MCL-E-679F, 기판:유리 에폭시 기판) 을 사용하여, 세미애디티브법에 의해 L/S=23 ㎛/27 ㎛ 의 구리 배선을 구비하는 배선이 형성된 기판을 형성하였다. 배선이 형성된 기판은 이하의 방법에 의해 제조하였다. By using the copper clad laminated board (MCL-E-679F manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., substrate: glass epoxy substrate), the board | substrate with which the wiring provided with the copper wiring of L / S = 23 micrometer / 27 micrometers was formed by the semiadditive method. It was. The board | substrate with wiring was manufactured by the following method.

동장 적층판을, 산 세정, 수세, 건조시킨 후, 드라이 필름 레지스트 (DFR, 상품명;RY3315, 히타치 화성 공업 주식회사 제조) 를 진공 라미네이터에 의해 0.2 ㎫ 의 압력으로 70 ℃ 의 조건에서 라미네이트하였다. 라미네이트 후, 구리 패턴 형성부를 중심 파장 365 ㎚ 의 노광기로, 70 mJ/㎡ 의 조건에서 마스크 노광하였다. 그 후, 1 % 탄산나트륨 수용액으로 현상하고, 수세를 실시하여, 도금 레지스트 패턴을 얻었다.After the copper clad laminate was acid washed, washed with water, and dried, a dry film resist (DFR, trade name; RY3315, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was laminated under a vacuum laminator under a pressure of 0.2 MPa at 70 ° C. After lamination, the copper pattern formation part was mask-exposed on the conditions of 70 mJ / m <2> with the exposure machine of 365 wavelength of center wavelength. Then, it developed with the 1% sodium carbonate aqueous solution, washed with water, and obtained the plating resist pattern.

도금 전처리, 수세를 거쳐, 레지스트 패턴 사이에 노출된 구리 상에 전해 도금을 실시하였다. 이 때, 전해액에는 황산구리 (II) 의 황산 산성 용액을 사용하고, 순도가 99 % 정도인 미정제 구리의 판을 양극으로, 동장 적층판을 음극으로 하였다. 50 ∼ 60 ℃, 0.2 ∼ 0.5 V 로 전해함으로써, 음극의 구리 상에 구리가 석출되었다. 그 후, 수세, 건조를 실시하였다.After plating pretreatment and washing with water, electrolytic plating was performed on the copper exposed between the resist patterns. At this time, the sulfuric acid acid solution of copper (II) sulfate was used for electrolyte solution, the copper plate of the purity about 99% was made into the anode, and the copper clad laminated board was made into the cathode. Copper was deposited on copper of the negative electrode by electrolysis at 50-60 degreeC and 0.2-0.5V. Thereafter, water washing and drying were performed.

레지스트 패턴을 박리하기 위해, 45 ℃ 의 4 % NaOH 수용액에 기판을 60 초간 침지하였다. 그 후, 얻어진 기판을 수세하고, 1 % 황산에 30 초간 침지하였다. 그 후, 다시 수세하였다.In order to peel a resist pattern, the board | substrate was immersed in 45 degreeC 4% NaOH aqueous solution for 60 second. Thereafter, the obtained substrate was washed with water and immersed in 1% sulfuric acid for 30 seconds. Then, it washed with water again.

과산화수소, 황산을 주성분으로 한 에칭액에 의해, 구리 패턴 사이의 도통한 구리를 퀵 에칭하고, 수세, 건조를 실시하였다.With the etching liquid containing hydrogen peroxide and sulfuric acid as a main component, the conductive copper between the copper patterns was quickly etched, washed with water, and dried.

다음으로, 전처리제 (메크사 제조 CA-5330) 에 의해 구리 배선 표면의 오염 등을 제거한 후, 조화 처리제 (메크사 제조 CZ-8110) 에 의해, 구리 배선 표면의 조화 처리를 실시하였다.Next, after removing contamination etc. of the copper wiring surface with the pretreatment agent (CA-5330 by Mech Corporation), the roughening process of the copper wiring surface was performed with the roughening agent (CZ-8110 by Mech Corporation).

다음으로, 얻어진 배선이 형성된 기판을, 실시예 3 에서 사용한 마이그레이션 억제층 형성용 처리액에 30 초간 침지하였다. 그 후, 에탄올을 사용하여 얻어진 배선이 형성된 기판을 세정하였다 (접촉 시간:2 분, 액 온도:25 ℃). 또한, 그 후, 배선이 형성된 기판을 100 ℃ 에서 2 분간 건조 처리하였다.Next, the board | substrate with which the obtained wiring was formed was immersed in the processing liquid for migration suppression layer formation used in Example 3 for 30 second. Then, the board | substrate with wiring obtained using ethanol was wash | cleaned (contact time: 2 minutes, liquid temperature: 25 degreeC). Furthermore, the board | substrate with wiring was dried after that for 2 minutes at 100 degreeC.

반사율 측정을 실시함으로써, 구리 배선 상에 1,2,4-트리아졸을 함유하는 마이그레이션 억제층이 형성되어 있는 것을 확인하였다.By measuring the reflectance, it was confirmed that the migration suppression layer containing 1,2,4-triazole was formed on the copper wiring.

또한, 구리 배선 간의 기판 표면에 있어서는, 물에 의한 배선 간 추출액의 흡광도 측정에 의해, 마이그레이션 억제층은 확인할 수 없고, 에탄올 세정에 의해 제거되어 있는 것이 확인되었다.Moreover, on the surface of the board | substrate between copper wirings, the migration suppression layer was not able to confirm by the absorbance measurement of the interwire extraction liquid by water, and it confirmed that it was removed by ethanol washing.

건조 처리가 실시된 배선이 형성된 기판 상에, 절연층 (타이요 잉크사 제조 PFR-800) 을 라미네이트하고, 그 후 노광, 베이크를 실시하여, 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체 (프린트 배선 기판에 해당) (절연층의 막두께:35 ㎛) 를 제조하였다. 얻어진 적층체에 관해서, 이하의 수명 측정을 실시하였다.On the board | substrate with which the drying process was performed, the insulating layer (PFR-800 by Taiyo Ink Co., Ltd.) is laminated, it exposes and bakes after that, and has a laminated body which has a migration suppression layer (it corresponds to a printed wiring board) (The film thickness of an insulating layer: 35 micrometers) was manufactured. The following life measurement was performed about the obtained laminated body.

(HAST 시험에 의한 기판 수명 측정)(Substrate Life Measurement by HAST Test)

얻어진 적층체를 사용하여, 습도 85 %, 온도 130 도, 압력 1.2 atm, 전압 100 V 의 조건으로 수명 측정 (사용 장치:espec 사 제조, EHS-221MD) 을 실시하였다.Using the obtained laminated body, lifetime measurement (usage | use apparatus: EHS-221MD by Epec Co., Ltd.) was performed on condition of 85% of humidity, 130 degree of temperature, 1.2 atm of pressure, and 100V of voltage.

평가 방법으로는 20 로트의 시험을 실시하고, 배선 간의 저항값이 1 × 109 Ω 을 기준 저항값으로 하였다. 시험 개시부터 120 시간 경과했을 때의 저항값이 기준 저항값 이상을 나타내는 로트를 합격으로 하였다.As an evaluation method, 20 lots of tests were done and the resistance value between wiring made 1 * 10 <9> ( ohm) the reference resistance value. The resistance value when 120 hours passed from the start of test was made into the pass which shows more than a reference resistance value.

실시예 6 에서 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.Table 1 shows the results obtained in Example 6.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

실시예 3 에 있어서 질소 버블링 대신에 산소 버블링을 실시하고, 용존 산소량이 8.5 ppm 인 마이그레이션 억제층 형성용 처리액을 사용한 것 이외에는 실시예 3 과 동일한 순서에 따라, 적층체를 제조하였다. 그 후, 얻어진 적층체를 사용하여, 실시예 1 에서 실시한 수적 적하 시험을 실시하였다. 표 1 에 결과를 나타낸다.Oxygen bubbling was carried out instead of nitrogen bubbling in Example 3, and a laminated body was manufactured in the same procedure as in Example 3, except that a treatment solution for forming a migration suppression layer having a dissolved oxygen amount of 8.5 ppm was used. Then, the dropping test performed in Example 1 was performed using the obtained laminated body. Table 1 shows the results.

(비교예 2) (Comparative Example 2)

실시예 1 에서 사용한 1,2,4-트리아졸-3-카르복시아미드 대신에, 에틸렌디아민사아세트산을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 적층체를 제조하였다. 그 후, 얻어진 적층체를 사용하여, 실시예 1 에서 실시한 수적 적하 시험을 실시하였다. 표 1 에 결과를 나타낸다.A laminate was prepared according to the same procedure as in Example 1 except that instead of 1,2,4-triazole-3-carboxyamide used in Example 1, ethylenediaminetetraacetic acid was used. Then, the dropping test performed in Example 1 was performed using the obtained laminated body. Table 1 shows the results.

(비교예 3) (Comparative Example 3)

실시예 1 에서 사용한 1,2,4-트리아졸-3-카르복시아미드 대신에, 벤조트리아졸을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 적층체를 제조하였다. 그 후, 얻어진 적층체를 사용하여, 실시예 1 에서 실시한 수적 적하 시험을 실시하였다. 표 1 에 결과를 나타낸다.A laminate was prepared according to the same procedure as in Example 1 except that benzotriazole was used instead of 1,2,4-triazole-3-carboxyamide used in Example 1. Then, the dropping test performed in Example 1 was performed using the obtained laminated body. Table 1 shows the results.

(비교예 4) (Comparative Example 4)

실시예 6 에 있어서 질소 버블링 대신에 산소 버블링을 실시하고, 용존 산소량이 8.5 ppm 인 마이그레이션 억제층 형성용 처리액을 사용한 것 이외에는 실시예 6 과 동일한 순서에 따라, 적층체를 제조하였다. 그 후, 얻어진 적층체를 사용하여, 실시예 6 에서 실시한 HAST 시험을 실시하였다. 표 1 에 결과를 나타낸다.Oxygen bubbling was carried out in place of nitrogen bubbling in Example 6, and a laminate was prepared in the same procedure as in Example 6 except that a treatment solution for migration suppression layer formation having a dissolved oxygen amount of 8.5 ppm was used. Then, the HAST test performed in Example 6 was performed using the obtained laminated body. Table 1 shows the results.

이하의 표 1 중, 수명 측정란의 수치는 (120 시간 후에 1 × 109 Ω 이상을 나타내는 로트 수/시험 로트 수) 를 의미하고, 20/20 이 가장 좋은 결과이다.In the following Table 1, the numerical value of a lifetime measurement column means (the number of lots / test lots which show 1x10 <9> ( ohm) or more after 120 hours), and 20/20 is the best result.

또, 표 1 중, 「pH」는 각 실시예 및 비교예에서 사용된 마이그레이션 억제제 처리액의 pH 를 의미한다. pH 의 측정에는 pH 미터 (토아 DKK 사 제조) 를 사용하였다. 표 1 중의 「부착량」은 처리액 중에 함유되는 화합물 (1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸 등) 의 구리 배선 상으로의 부착량을 의미하고, 그 측정은 상기 서술한 흡광도법에 의해 실시하였다.In addition, in Table 1, "pH" means the pH of the migration inhibitor process liquid used by each Example and the comparative example. The pH meter (made by Toa DKK) was used for the measurement of pH. "Amount of adhesion" in Table 1 means the adhesion amount of the compound (1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole etc.) contained in a process liquid on the copper wiring, and the measurement mentioned above It carried out by the absorbance method.

Figure pct00001
Figure pct00001

표 1 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 마이그레이션 억제층 형성용 처리액을 사용한 실시예 1 ∼ 5 에 있어서는, 배선 간에서의 덴드라이트의 연결이 보이지 않아, 구리 이온의 마이그레이션이 억제되고 있는 것이 확인되었다.As shown in Table 1, in Examples 1-5 using the process liquid for migration suppression layer formation of this invention, connection of the dendrite between wirings was not seen and it was confirmed that migration of copper ion is suppressed. .

특히, 용존 산소량이 4.0 ppm 미만인 실시예 1 ∼ 3 및 5 에 있어서, 수적 적하 시험의 전압의 인가 시간을 5 분으로부터 10 분으로 변경한 경우라도, 배선 간의 덴드라이트의 발생은 보이지 않았다. 요컨대, 용존 산소량이 4.0 ppm 미만인 경우, 배선 간의 절연 신뢰성이 보다 우수하다.In particular, in Examples 1-3 and 5 whose dissolved oxygen amount is less than 4.0 ppm, even if the application time of the voltage of the dropping test was changed from 5 minutes to 10 minutes, generation | occurrence | production of the dendrites between wirings was not seen. In short, when the dissolved oxygen amount is less than 4.0 ppm, insulation reliability between wirings is more excellent.

또한, 실시예 6 에 나타내는 바와 같이, HAST 시험에 있어서 우수한 수명 측정 결과를 나타내어, 배선 간의 절연 신뢰성이 우수하다는 것이 확인되었다.Moreover, as shown in Example 6, the outstanding lifetime measurement result was shown in the HAST test, and it was confirmed that the insulation reliability between wirings was excellent.

한편, 용존 산소량이 소정값 이상인 처리액을 사용한 비교예 1, 아졸 화합물 이외의 화합물을 사용한 비교예 2 및 벤조트리아졸 화합물을 사용한 비교예 3 에 있어서는, 배선 간을 연결하는 덴드라이트의 발생이 확인되어 배선 간의 마이그레이션 억제 효과가 떨어져 있었다. 또한, 비교예 4 에 나타내는 바와 같이, HAST 시험에 있어서도, 배선 간의 절연 신뢰성은 떨어져 있었다.On the other hand, in the comparative example 1 using the processing liquid whose dissolved oxygen amount is more than predetermined value, the comparative example 2 using the compound other than an azole compound, and the comparative example 3 using the benzotriazole compound, generation | occurrence | production of the dendrite which connects between wirings is confirmed. The effect of suppressing migration between wirings was inferior. Moreover, as shown in the comparative example 4, also in the HAST test, insulation reliability between wiring was inferior.

10:배선이 형성된 기판
12:기판
14:구리 배선 또는 구리 합금 배선
14a, 14b:배선
16:아졸 화합물을 함유하는 층
18:마이그레이션 억제층
20:절연층
30, 100:적층체
40:노출 배선 함유 적층체
10: board | substrate with wiring
12: Board
14: copper wiring or copper alloy wiring
14a, 14b: Wiring
16: layer containing an azole compound
18: migration restraint layer
20: insulating layer
30, 100: Laminated body
40: exposed wiring containing laminated body

Claims (5)

아졸 화합물과 물을 함유하고, 용존 산소량이 7.0 ppm 이하인, 구리 배선 또는 구리 합금 배선에 있어서의 이온 마이그레이션을 억제하는 마이그레이션 억제층을 형성하기 위한, 마이그레이션 억제층 형성용 처리액.The processing liquid for migration suppression layer formation which contains an azole compound and water, and forms the migration suppression layer which suppresses ion migration in copper wiring or copper alloy wiring whose dissolved oxygen amount is 7.0 ppm or less. 제 1 항에 있어서,
상기 용존 산소량이 4.0 ppm 미만인, 마이그레이션 억제층 형성용 처리액.
The method of claim 1,
The processing liquid for migration suppression layer formation whose said dissolved oxygen amount is less than 4.0 ppm.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 아졸 화합물이 1,2,3-트리아졸 및/또는 1,2,4-트리아졸을 함유하는, 마이그레이션 억제층 형성용 처리액.
3. The method according to claim 1 or 2,
The treatment liquid for migration suppression layer formation in which the said azole compound contains 1,2,3-triazole and / or 1,2,4-triazole.
기판 및 상기 기판 상에 배치되는 구리 배선 또는 구리 합금 배선을 갖는 배선이 형성된 기판과, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 마이그레이션 억제층 형성용 처리액을 접촉시키고, 그 후 상기 배선이 형성된 기판을 용제로 세정하여, 구리 배선 또는 구리 합금 배선 표면 상에 아졸 화합물을 함유하는 마이그레이션 억제층을 형성하는 층 형성 공정과,
상기 마이그레이션 억제층이 형성된 배선이 형성된 기판 상에 절연층을 형성하는 절연층 형성 공정을 구비하는, 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제조 방법.
The board | substrate with the board | substrate with wiring which has a copper wiring or a copper alloy wiring arrange | positioned on this board | substrate, and the process liquid for migration suppression layer formation as described in any one of Claims 1-3 contacted, and the said wiring after that The layer formation process of wash | cleaning this formed board | substrate with a solvent, and forming the migration suppression layer containing an azole compound on the copper wiring or copper alloy wiring surface,
The manufacturing method of the laminated body which has a migration suppression layer provided with the insulating layer formation process of forming an insulation layer on the board | substrate with wiring in which the said migration suppression layer was formed.
기판과, 상기 기판 상에 배치되는 구리 배선 또는 구리 합금 배선과, 상기 기판 상에 배치되고 상기 구리 배선 또는 구리 합금 배선의 일부가 노출되도록 상기 구리 배선 또는 구리 합금 배선을 덮는 절연층을 갖는 노출 배선 함유 적층체와, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 마이그레이션 억제층 형성용 처리액을 접촉시키고, 그 후 상기 노출 배선 함유 적층체를 용제로 세정하여, 노출된 상기 구리 배선 또는 구리 합금 배선 표면 상에 마이그레이션 억제층을 형성하는 층 형성 공정을 구비하는, 마이그레이션 억제층을 갖는 적층체의 제조 방법.An exposed wiring having a substrate, a copper wiring or copper alloy wiring disposed on the substrate, and an insulating layer disposed on the substrate and covering the copper wiring or copper alloy wiring so that a portion of the copper wiring or copper alloy wiring is exposed. The containing laminated body and the process liquid for migration suppression layer formation as described in any one of Claims 1-3 are contacted, The said exposed wiring containing laminated body is wash | cleaned with a solvent after that, and the said exposed copper wiring or copper The manufacturing method of the laminated body which has a migration suppression layer provided with the layer formation process which forms a migration suppression layer on an alloy wiring surface.
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