KR20140023749A - 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로 - Google Patents

반도체 장치의 기준 전압 발생 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR20140023749A
KR20140023749A KR1020120090135A KR20120090135A KR20140023749A KR 20140023749 A KR20140023749 A KR 20140023749A KR 1020120090135 A KR1020120090135 A KR 1020120090135A KR 20120090135 A KR20120090135 A KR 20120090135A KR 20140023749 A KR20140023749 A KR 20140023749A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reference voltage
temperature
vref
generate
voltages
Prior art date
Application number
KR1020120090135A
Other languages
English (en)
Inventor
김영란
박재범
이경연
Original Assignee
에스케이하이닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이하이닉스 주식회사 filed Critical 에스케이하이닉스 주식회사
Priority to KR1020120090135A priority Critical patent/KR20140023749A/ko
Priority to US13/724,355 priority patent/US20140049245A1/en
Publication of KR20140023749A publication Critical patent/KR20140023749A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
    • G05F1/567—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for temperature compensation
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/468—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc characterised by reference voltage circuitry, e.g. soft start, remote shutdown
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor

Abstract

다양한 온도 특성을 갖는 기준 전압을 해당 구성의 온도 특성에 맞도록 선택적으로 제공할 수 있도록 한 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로에 관한 것으로, 서로 다른 온도 특성을 갖는 복수의 기준 전압을 생성하도록 구성된 기준 전압 발생부; 제어 신호에 응답하여 상기 복수의 기준 전압 중에서 하나를 선택하여 출력하도록 구성된 스위칭부; 온도 변화를 검출하여 온도 검출 신호를 출력하도록 구성된 온도 검출부; 및 상기 온도 검출 신호에 응답하여 상기 제어 신호를 생성하도록 구성된 제어부를 포함한다.

Description

반도체 장치의 기준 전압 발생 회로{REFERENCE VOLTAGE GENERATION CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR APPARATUS}
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로에 관한 것이다.
반도체 장치 예를 들어, 반도체 메모리는 내부에서 사용되는 각종 동작 전압을 생성하기 위한 기준으로서, 기준 전압을 사용하며, 상기 기준 전압을 생성하기 위해 반도체 메모리 내부에 기준 전압 발생 회로가 구비된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 기술에 따른 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로(1)는 기준 전압 발생부(2) 및 트리밍부(3)를 포함한다.
기준 전압 발생부(2)는 기준 전압(VREF)을 생성한다.
트리밍부(3)는 기준 전압(VREF)에 대한 트리밍(Trimming) 동작을 수행하여 복수의 기준 전압(VREF0 ~ VREFn)을 생성한다.
트리밍부(3)는 분배 저항을 통해 기준 전압(VREF)을 서로 다른 분배비로 분배하여 복수의 기준 전압(VREF0 ~ VREFn)을 생성할 수 있다.
복수의 기준 전압(VREF0 ~ VREFn)은 반도체 장치 내의 각종 동작 전압을 생성하는 기준으로 사용된다.
이때 기준 전압(VREF)은 온도 변화에 상관없이 일정한 레벨을 유지하는 특성을 가지도록 생성된다.
따라서 복수의 기준 전압(VREF0 ~ VREFn) 또한 온도 변화에 상관없이 일정한 레벨을 유지하는 특성을 가지게 된다.
그러나 반도체 메모리의 각종 구성을 살펴보면, 필요에 따라 온도 변화에 따른 오프셋 성분을 보상할 필요가 있다.
예를 들어, 셀(Cell) 구조를 살펴보면, 트랜지스터와 커패시터로 이루어지는데, 트랜지스터 특히, NMOS 트랜지스터의 경우 온도 저하에 따른 문턱전압이 증가하게 된다.
이와 같이, 온도 저하에 따라 트랜지스터의 문턱전압이 증가하는 경우, 트랜지스터의 게이트 전압을 상승시켜야 한다.
그러나 상술한 바와 같이, 온도 변화에 상관없이 일정하게 유지되는 전압을 사용할 경우, 동작 특성을 저하시키게 된다.
또한 지연 회로의 경우에도, 상술한 온도 변화에 따른 특성 변화가 발생할 수 있는데, 온도 변화에 상관없이 일정하게 유지되는 전압을 사용할 경우, 동작 특성을 저하시키게 된다.
본 발명의 실시예는 다양한 온도 특성을 갖는 기준 전압을 제공할 수 있도록 한 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 다양한 온도 특성을 갖는 기준 전압을 해당 구성의 온도 특성에 맞도록 선택적으로 제공할 수 있도록 한 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 서로 다른 온도 특성을 갖는 복수의 기준 전압을 생성하도록 구성된 기준 전압 발생부; 제어 신호에 응답하여 상기 복수의 기준 전압 중에서 하나를 선택하여 출력하도록 구성된 스위칭부; 온도 변화를 검출하여 온도 검출 신호를 출력하도록 구성된 온도 검출부; 및 상기 온도 검출 신호에 응답하여 상기 제어 신호를 생성하도록 구성된 제어부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예는 서로 다른 온도 특성을 갖는 복수의 기준 전압을 생성하도록 구성된 기준 전압 발생부; 복수의 제어 신호에 각각 응답하여 상기 복수의 기준 전압 중에서 하나를 각각 선택하여 출력하도록 구성된 복수의 스위칭부; 온도 변화를 검출하여 온도 검출 신호를 출력하도록 구성된 온도 검출부; 및 상기 온도 검출 신호에 응답하여 상기 복수의 스위칭부가 상기 복수의 기준 전압 중에서 서로 다른 하나를 각각 선택하기 위한 상기 복수의 제어 신호를 생성하도록 구성된 제어부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예는 온도 변화에 적절히 대응하여 반도체 장치의 동작 성능을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래의 기술에 따른 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로(1)의 블록도,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로(100)의 블록도이고,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로(101)의 블록도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로(100)의 블록도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로(100)는 기준 전압 발생부(200), 온도 검출부(300), 제어부(400) 및 스위칭부(500) 및 트리밍부(600)를 포함한다.
기준 전압 발생부(200)는 서로 다른 온도 특성을 갖는 제 1 내지 제 3 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT)을 발생하도록 구성된다.
제 1 기준 전압(VREF_IOAT)은 온도 변화와 상관없이 일정한 레벨을 유지하는 특성을 갖는 온도 독립형(Independent of Absolute Temperature type) 기준 전압이고,
제 2 기준 전압(VREF_PTAT)은 온도가 증가함에 따라 레벨이 상승하는 특성을 갖는 온도 비례형(Proportion to Absolute Temperature type) 기준 전압이며,
제 3 기준 전압(VREF_CTAT)은 온도가 증가함에 따라 레벨이 하강하는 특성을 갖는 온도 반비례형(Complementary to Absolute Temperature type) 기준 전압이다.
기준 전압 발생부(200)는 제 1 내지 제 3 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT) 중에서 어느 하나, 예를 들어, 제 1 기준 전압(VREF_IOAT)을 생성하고, 제 1 기준 전압(VREF_IOAT)을 온도 변화에 따라 저항값이 상승하는 가변 저항과, 온도 변화에 따라 저항값이 하강하는 가변 저항에 각각 인가함으로써 제 2 및 제 3 기준 전압(VREF_PTAT, VREF_CTAT)을 생성할 수 있다.
스위칭부(500)는 제어 신호(CTRL)에 응답하여 제 1 내지 제 3 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT) 중에서 하나를 선택하여 출력하도록 구성된다.
스위칭부(500)는 다중화기(Multiplexer)로 구성할 수 있다.
트리밍부(600)는 스위칭부(500)의 출력을 분배 저항을 통해 서로 다른 분배비로 분배하여 복수의 기준 전압(VREF_TRIM0 ~ VREF_TRIMn)을 생성하도록 구성된다.
온도 검출부(300)는 온도 변화 예를 들어, 반도체 장치의 내부 온도 변화 또는 주변 온도 변화를 검출하여 온도 검출 신호(DET)를 출력하도록 구성된다.
온도 검출부(300)는 온도 검출 신호(DET)를 아날로그 또는 디지털 형태로 출력할 수 있다.
이때 온도 검출부(300)가 디지털 코드 형태의 온도 검출 신호(DET)를 생성하도록 구성된 것이라 가정한다.
제어부(400)는 온도 검출 신호(DET)에 응답하여 제어 신호(CTRL)를 생성하도록 구성된다.
제어부(400)는 내부의 설정 코드와 온도 검출 신호(DET) 즉, 디지털 코드를 비교하여 현재 온도가 설정 온도 범위의 최고 값에 비해 높은지, 설정 온도 범위의 최저 값에 비해 낮은지 또는 설정 온도 범위 이내인지 판단하고, 그 판단결과에 해당하는 제 1 내지 제 3 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT) 중의 하나가 선택되도록 하기 위한 제어 신호(CTRL)를 생성하도록 구성된다.
예를 들어, 현재 온도가 설정 온도 범위 이내이면, 제어부(400)는 제 1 기준 전압(VREF_IOAT)이 선택되도록 하기 위한 제어 신호(CTRL)를 생성할 수 있다.
현재 온도가 설정 온도 범위의 최저 값에 비해 낮으면, 제어부(400)는 제 2 기준 전압(VREF_PTAT)이 선택되도록 하기 위한 제어 신호(CTRL)를 생성할 수 있다.
현재 온도가 설정 온도 범위의 최고 값에 비해 높으면, 제어부(400)는 제 3 기준 전압(VREF_CTAT)이 선택되도록 하기 위한 제어 신호(CTRL)를 생성할 수 있다.
이때 상술한 설명은 온도 조건에 따른 기준 전압 선택의 일 예를 든 것일 뿐, 온도 조건에 따라 제 1 내지 제 3 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT) 중에서 하나를 선택하는 것은 제어부(400)의 로직 회로 프로그래밍에 따라 달라질 수 있다.
이때 제어 신호(CTRL)는 제 1 내지 제 3 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT) 중에서 하나를 선택하기 위한 것이므로 2 비트(bit) 이상으로 구성될 수 있다.
물론 제어 신호(CTRL)가 아날로그 형태인 경우, 하나의 신호 라인을 사용할 수 있다.
스위칭부(500)는 제어 신호(CTRL)에 응답하여 제 1 내지 제 3 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT) 중에서 하나를 선택하여 출력하도록 구성된다.
스위칭부(500)는 다중화기(Multiplexer)로 구성할 수 있다.
트리밍부(600)는 스위칭부(500)의 출력을 분배 저항을 통해 서로 다른 분배비로 분배하여 복수의 기준 전압(VREF_TRIM0 ~ VREF_TRIMn)을 생성하도록 구성된다.
반도체 장치는 온도 특성이 서로 다른 기준 전압을 사용할 필요가 있다.
예를 들어, 회로 블록 A에서는 제 1 기준 전압(VREF_IOAT)이 필요하고, 회로 블록 B에서는 온도 조건에 따라 제 2 기준 전압(VREF_PTAT) 또는 제 3 기준 전압(VREF_CTAT)이 필요할 수 있다.
따라서 본 발명의 다른 실시예는 온도 조건에 따라 서로 다른 온도 특성을 갖는 기준 전압이 서로 다른 회로 구성에 제공될 수 있도록 한 것이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로(101)의 블록도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로(101)는 기준 전압 발생부(200), 온도 검출부(300), 제어부(401), 제 1 스위칭부(501), 제 2 스위칭부(502), 제 1 트리밍부(601) 및 제 2 트리밍부(602)를 포함한다.
기준 전압 발생부(200)는 서로 다른 온도 특성을 갖는 복수의 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT)을 발생하도록 구성된다.
제 1 기준 전압(VREF_IOAT)은 온도 변화와 상관없이 일정한 레벨을 유지하는 특성을 갖는 온도 독립형(Independent of Absolute Temperature type) 기준 전압이고,
제 2 기준 전압(VREF_PTAT)은 온도가 증가함에 따라 레벨이 상승하는 특성을 갖는 온도 비례형(Proportion to Absolute Temperature type) 기준 전압이며,
제 3 기준 전압(VREF_CTAT)은 온도가 증가함에 따라 레벨이 하강하는 특성을 갖는 온도 반비례형(Complementary to Absolute Temperature type) 기준 전압이다.
기준 전압 발생부(200)는 제 1 내지 제 3 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT) 중에서 어느 하나, 예를 들어, 제 1 기준 전압(VREF_IOAT)을 생성하고, 제 1 기준 전압(VREF_IOAT)을 온도 변화에 따라 저항값이 상승하는 가변 저항과, 온도 변화에 따라 저항값이 하강하는 가변 저항에 각각 인가함으로써 제 2 및 제 3 기준 전압(VREF_PTAT, VREF_CTAT)을 생성할 수 있다.
제 1 스위칭부(501)는 제 1 제어 신호(CTRL1)에 응답하여 제 1 내지 제 3 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT) 중에서 하나를 선택하여 출력하도록 구성된다.
제 2 스위칭부(502)는 제 2 제어 신호(CTRL2)에 응답하여 제 1 내지 제 3 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT) 중에서 하나를 선택하여 출력하도록 구성된다.
제 1 스위칭부(501) 및 제 2 스위칭부(502)는 각각 다중화기(Multiplexer)로 구성할 수 있다.
제 1 트리밍부(601)는 제 1 스위칭부(501)의 출력을 분배 저항을 통해 서로 다른 분배비로 분배하여 복수의 기준 전압(VREF_TRIMA0 ~ VREF_TRIMAn)을 생성하도록 구성된다.
제 2 트리밍부(602)는 제 2 스위칭부(502)의 출력을 분배 저항을 통해 서로 다른 분배비로 분배하여 복수의 기준 전압(VREF_TRIMB0 ~ VREF_TRIMBn)을 생성하도록 구성된다.
온도 검출부(300)는 온도 변화 예를 들어, 반도체 장치의 내부 온도 변화 또는 주변 온도 변화를 검출하여 온도 검출 신호(DET)를 출력하도록 구성된다.
온도 검출부(300)는 온도 검출 신호(DET)를 아날로그 또는 디지털 형태로 출력할 수 있다.
이때 온도 검출부(300)가 디지털 코드 형태의 온도 검출 신호(DET)를 생성하도록 구성된 것이라 가정한다.
제어부(401)는 온도 검출 신호(DET)에 응답하여 제 1 제어 신호(CTRL1) 및 제 2 제어 신호(CTRL2)를 생성하도록 구성된다.
제어부(401)는 온도 검출 신호(DET)에 응답하여 제 1 스위칭부(501)와 제 2 스위칭부(502)가 서로 다른 온도 특성의 기준 전압을 선택하도록 하기 위한 제 1 제어 신호(CTRL1) 및 제 2 제어 신호(CTRL2)를 생성하도록 구성된다.
제어부(401)는 내부의 설정 코드와 온도 검출 신호(DET) 즉, 디지털 코드를 비교하여 현재 온도가 설정 온도 범위의 최고 값에 비해 높은지, 설정 온도 범위의 최저 값에 비해 낮은지 또는 설정 온도 범위 이내인지 판단하고, 그 판단결과에 해당하는 제 1 내지 제 3 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT) 중의 하나가 각각 선택되도록 하기 위한 제 1 제어 신호(CTRL1) 및 제 2 제어 신호(CTRL2)를 생성하도록 구성될 수 있다.
예를 들어, 현재 온도가 설정 온도 범위의 최저 값에 비해 낮으면, 제어부(401)는 제 1 스위칭부(501)가 제 2 기준 전압(VREF_PTAT)을 선택하기 위한 제 1 제어 신호(CTRL1)를 생성하는 반면, 제 2 스위칭부(502)가 제 3 기준 전압(VREF_CTAT)을 선택하기 위한 제 2 제어 신호(CTRL2)를 생성할 수 있다.
현재 온도가 설정 온도 범위의 최고 값에 비해 높으면, 제어부(401)는 제 1 스위칭부(501)가 제 3 기준 전압(VREF_CTAT)을 선택하기 위한 제 1 제어 신호(CTRL1)를 생성하는 반면, 제 2 스위칭부(502)가 제 2 기준 전압(VREF_PTAT)을 선택하기 위한 제 2 제어 신호(CTRL2)를 생성할 수 있다.
이때 상술한 설명은 온도 조건에 따른 기준 전압 선택의 일 예를 든 것일 뿐, 온도 조건에 따라 제 1 내지 제 3 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT) 중에서 하나를 선택하는 것은 제어부(401)의 로직 회로 프로그래밍에 따라 달라질 수 있다.
이때 제 1 제어 신호(CTRL1) 및 제 2 제어 신호(CTRL2)는 제 1 내지 제 3 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT) 중에서 하나를 선택하기 위한 것이므로 각각 2 비트(bit) 이상으로 구성될 수 있다.
물론 제 1 제어 신호(CTRL1) 및 제 2 제어 신호(CTRL2)가 아날로그 형태인 경우, 각각 하나의 신호 라인을 사용할 수 있다.
또한 제어부(401)는 내부의 제 1 설정 코드를 온도 검출 신호(DET) 즉, 디지털 코드와 비교하여 온도 변화를 판단한 결과에 따라 제 1 제어 신호(CTRL1)를 생성하고, 내부의 제 2 설정 코드를 온도 검출 신호(DET)와 비교하여 온도 변화를 판단한 결과에 따라 제 2 제어 신호(CTRL2)를 생성하도록 구성될 수 있다.
즉, 제어부(401)는 내부의 제 1 설정 코드와 온도 검출 신호(DET) 즉, 디지털 코드를 비교하여 현재 온도가 설정 온도 범위의 최고 값에 비해 높은지, 설정 온도 범위의 최저 값에 비해 낮은지 또는 설정 온도 범위 이내인지 판단하고, 그 판단결과에 해당하는 제 1 내지 제 3 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT) 중의 하나가 각각 선택되도록 하기 위한 제 1 제어 신호(CTRL1)를 생성하도록 구성될 수 있다.
제어부(401)는 내부의 제 2 설정 코드와 온도 검출 신호(DET) 즉, 디지털 코드를 비교하여 현재 온도가 설정 온도 범위의 최고 값에 비해 높은지, 설정 온도 범위의 최저 값에 비해 낮은지 또는 설정 온도 범위 이내인지 판단하고, 그 판단결과에 해당하는 제 1 내지 제 3 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT) 중의 하나가 각각 선택되도록 하기 위한 제 2 제어 신호(CTRL2)를 생성하도록 구성될 수 있다.
이때 제 1 설정 코드와 제 2 설정 코드는 다른 값을 갖도록 설정함으로써, 제 1 스위칭부(501)의 출력과 제 2 스위칭부(502)의 출력을 선택하는 온도 조건 자체를 다르게 한 것이다.
이때 상술한 설명 또한 온도 조건에 따른 기준 전압 선택의 일 예를 든 것일 뿐, 온도 조건에 따라 제 1 내지 제 3 기준 전압(VREF_IOAT, VREF_PTAT, VREF_CTAT) 중에서 하나를 선택하는 것은 제어부(401)의 로직 회로 프로그래밍에 따라 달라질 수 있다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (11)

  1. 서로 다른 온도 특성을 갖는 복수의 기준 전압을 생성하도록 구성된 기준 전압 발생부;
    제어 신호에 응답하여 상기 복수의 기준 전압 중에서 하나를 선택하여 출력하도록 구성된 스위칭부;
    온도 변화를 검출하여 온도 검출 신호를 출력하도록 구성된 온도 검출부; 및
    상기 온도 검출 신호에 응답하여 상기 제어 신호를 생성하도록 구성된 제어부를 포함하는 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 기준 전압은
    온도 변화와 상관없이 일정한 레벨을 유지하는 특성을 갖는 제 1 기준 전압,
    온도가 증가함에 따라 레벨이 상승하는 특성을 갖는 제 2 기준 전압, 또는
    온도가 증가함에 따라 레벨이 하강하는 특성을 갖는 제 3 기준 전압 중에서 둘 이상을 포함하는 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭부는
    다중화기를 포함하는 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는
    내부의 설정 값과 상기 온도 검출 신호를 비교하여 온도 변화를 판단하고, 그 판단결과에 해당하는 상기 복수의 기준 전압 중에서 하나가 선택되도록 하기 위한 상기 제어 신호를 생성하도록 구성되는 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭부의 출력을 분배 저항을 통해 서로 다른 분배비로 분배하여 복수의 전압을 생성하도록 구성되는 트리밍부를 더 포함하는 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로.
  6. 서로 다른 온도 특성을 갖는 복수의 기준 전압을 생성하도록 구성된 기준 전압 발생부;
    복수의 제어 신호에 각각 응답하여 상기 복수의 기준 전압 중에서 하나를 각각 선택하여 출력하도록 구성된 복수의 스위칭부;
    온도 변화를 검출하여 온도 검출 신호를 출력하도록 구성된 온도 검출부; 및
    상기 온도 검출 신호에 응답하여 상기 복수의 스위칭부가 상기 복수의 기준 전압 중에서 서로 다른 하나를 각각 선택하기 위한 상기 복수의 제어 신호를 생성하도록 구성된 제어부를 포함하는 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 기준 전압은
    온도 변화와 상관없이 일정한 레벨을 유지하는 특성을 갖는 제 1 기준 전압,
    온도가 증가함에 따라 레벨이 상승하는 특성을 갖는 제 2 기준 전압, 또는
    온도가 증가함에 따라 레벨이 하강하는 특성을 갖는 제 3 기준 전압 중에서 둘 이상을 포함하는 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 스위칭부는
    각각 다중화기를 포함하는 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제어부는
    내부의 설정 값과 상기 온도 검출 신호를 비교하여 온도 변화를 판단한 결과에 따라 상기 복수의 스위칭부가 상기 복수의 기준 전압 중에서 서로 다른 하나를 각각 선택하도록 하기 위한 상기 복수의 제어 신호를 생성하도록 구성되는 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로.
  10. 제 6 항에 있어서,
    서로 다른 복수의 설정 값과 상기 온도 검출 신호를 각각 비교하여 온도 변화를 판단한 결과에 따라 상기 복수의 제어 신호를 생성하도록 구성하는 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로.
  11. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 스위칭부의 출력을 각각의 분배 저항을 통해 서로 다른 분배비로 분배하여 복수의 전압을 생성하도록 구성되는 복수의 트리밍부를 더 포함하는 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로.
KR1020120090135A 2012-08-17 2012-08-17 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로 KR20140023749A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120090135A KR20140023749A (ko) 2012-08-17 2012-08-17 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로
US13/724,355 US20140049245A1 (en) 2012-08-17 2012-12-21 Reference voltage generation circuit of semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120090135A KR20140023749A (ko) 2012-08-17 2012-08-17 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140023749A true KR20140023749A (ko) 2014-02-27

Family

ID=50099616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120090135A KR20140023749A (ko) 2012-08-17 2012-08-17 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20140049245A1 (ko)
KR (1) KR20140023749A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180076627A (ko) * 2016-12-28 2018-07-06 삼성전기주식회사 온도 보상 기능을 갖는 전압 생성 회로
US10170176B2 (en) 2016-11-09 2019-01-01 SK Hynix Inc. Apparatus and methods for generating reference voltages for input buffers of a memory device
KR20190057748A (ko) * 2017-11-20 2019-05-29 에스케이하이닉스 주식회사 스큐 보상 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105739589B (zh) * 2016-05-11 2017-05-31 成都信息工程大学 一种用于基准电路的温度系数自动修调方法
WO2020176132A1 (en) * 2019-09-05 2020-09-03 Huawei Technologies Co. Ltd. Reference signal generation for power amplifiers of rf transmitters and transceivers
CN112763094B (zh) * 2020-12-21 2022-11-15 广东省科学院测试分析研究所(中国广州分析测试中心) 一种自动双模切换温度检测系统和方法
CN112859997B (zh) * 2021-02-03 2022-08-23 北京中电华大电子设计有限责任公司 一种自校准的带隙基准电压三温trim的电路结构

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4524688B2 (ja) * 2007-01-23 2010-08-18 エルピーダメモリ株式会社 基準電圧発生回路及び半導体集積回路装置
JP5361182B2 (ja) * 2007-12-21 2013-12-04 株式会社東芝 半導体記憶装置
KR20100132374A (ko) * 2009-06-09 2010-12-17 삼성전자주식회사 Ｐｖｔ 변화에 무관한 전류 공급회로, 및 이를 포함하는 반도체 장치들
US8180500B2 (en) * 2009-07-29 2012-05-15 Nanya Technology Corp. Temperature sensing system and related temperature sensing method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10170176B2 (en) 2016-11-09 2019-01-01 SK Hynix Inc. Apparatus and methods for generating reference voltages for input buffers of a memory device
KR20180076627A (ko) * 2016-12-28 2018-07-06 삼성전기주식회사 온도 보상 기능을 갖는 전압 생성 회로
US10198021B2 (en) 2016-12-28 2019-02-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Voltage generation circuit having a temperature compensation function
KR20190057748A (ko) * 2017-11-20 2019-05-29 에스케이하이닉스 주식회사 스큐 보상 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20140049245A1 (en) 2014-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140023749A (ko) 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로
US8581657B2 (en) Voltage divider, constant voltage circuit using same, and trimming method in the voltage divider circuit
US7489181B2 (en) Circuit which can be programmed using a resistor and which has a reference current source
US10612981B2 (en) Semiconductor device
US20160169947A1 (en) Measurement Circuit
US20220350360A1 (en) Piecewise Correction of Errors Over Temperature without Using On-Chip Temperature Sensor/Comparators
KR101823287B1 (ko) 종단 장치, 종단 제어 방법, 및 종단 제어 프로그램이 기억된 기억매체
US8816668B2 (en) Semiconductor circuit for outputting reference voltages
KR20180076627A (ko) 온도 보상 기능을 갖는 전압 생성 회로
TWI520482B (zh) 起始電壓產生電路和起始電壓產生的方法
US10837843B2 (en) Voltage measuring system
JP2014147044A (ja) 半導体集積回路
US10120017B2 (en) Enabling testing of an integrated circuit at a single temperature
KR100897304B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 전압 레벨 비교 회로 및 이를 이용한전압 조정 회로
KR100915825B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 펌핑 전압 감지 회로
US10742206B2 (en) Switching circuit
US20160349778A1 (en) Method with function parameter setting and integrated circuit using the same
KR20210001215A (ko) 전압 트리밍 회로 및 이를 포함하는 전압 생성 회로
US7834682B2 (en) Reference voltage generation circuit and semiconductor storage apparatus using the same
KR20150128225A (ko) 반도체 장치의 파워 업 회로
US11392156B2 (en) Voltage generator with multiple voltage vs. temperature slope domains
KR100813551B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 전압 검출회로
KR101664346B1 (ko) 전압 스큐를 조정하는 비휘발성 메모리 장치 및 그의 제어 방법
US7511644B2 (en) Variable resistance logic
KR20190013326A (ko) 반도체 장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid