KR20140018800A - Heat treatment device, heat treatment method and computer storage medium - Google Patents

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KR20140018800A KR1020130088885A KR20130088885A KR20140018800A KR 20140018800 A KR20140018800 A KR 20140018800A KR 1020130088885 A KR1020130088885 A KR 1020130088885A KR 20130088885 A KR20130088885 A KR 20130088885A KR 20140018800 A KR20140018800 A KR 20140018800A
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Abstract

The present invention relates to a heat treatment device (40) reducing footprint thereof. The heat treatment device comprises a first heating part (210) and a second heating part (211) heat treating a wafer (W) by mounting the same; a first cooling device (240) and a second cooling device (241) cooling the wafer by mounting the same; a moving device (251) moving the cooling devices between a position for the upper part of the heating parts to be delivered and a cooling position for cooling the wafer. The first and second heating parts are arranged with the cooling devices as the center. The moving device moves the cooling device in a horizontal direction.

Description

열처리 장치, 열처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체{HEAT TREATMENT DEVICE, HEAT TREATMENT METHOD AND COMPUTER STORAGE MEDIUM}Heat treatment apparatus, heat treatment method and computer storage media {HEAT TREATMENT DEVICE, HEAT TREATMENT METHOD AND COMPUTER STORAGE MEDIUM}

본 발명은 기판의 열처리 장치, 기판의 열처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate heat treatment apparatus, a substrate heat treatment method, and a computer storage medium.

예를 들면, 반도체 디바이스의 제조 공정에서의 포토리소그래피 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, ‘웨이퍼’라고 함) 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리, 레지스트 도포 처리 후 또는 노광 처리 후, 현상 처리 후에 행해지는 열처리 등의 일련의 처리가, 예를 들면 도포 현상 처리 시스템에 의해 순차적으로 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다.For example, in a photolithography step in a semiconductor device manufacturing step, a resist coating process for applying a resist liquid onto a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a “wafer”) to form a resist film, and exposing the resist film in a predetermined pattern A series of treatments such as an exposure treatment, a development treatment for developing the exposed resist film, a resist coating treatment, or a heat treatment performed after the development treatment after the exposure treatment, and the like are sequentially performed by, for example, a coating development treatment system. A predetermined resist pattern is formed.

상술한 열처리는, 예를 들면 특허 문헌 1에 기재된 열처리 장치에서 행해진다. 열처리 장치에는, 웨이퍼를 재치(載置)하여 가열하는 열판과, 웨이퍼를 재치하여 냉각(온도 조절)하는 냉각판이 인접하여 설치되어 있다. 열판에는, 예를 들면 히터가 내장되어 있다. 냉각판에는, 예를 들면 펠티에 소자가 내장되어 있다. 그리고, 예를 들면 열판으로 웨이퍼를 소정의 온도로 가열한 후, 냉각판으로 웨이퍼를 상온으로 고정밀도로 냉각한다. 이와 같이 열처리 장치에서는, 웨이퍼에 대한 가열 처리와 냉각 처리의 양방을 행할 수 있다.The heat treatment mentioned above is performed by the heat processing apparatus of patent document 1, for example. In the heat treatment apparatus, a hot plate for placing and heating a wafer and a cooling plate for placing and cooling a wafer (temperature control) are adjacently provided. For example, a heater is built in the hot plate. The Peltier element is built in the cooling plate, for example. Then, for example, the wafer is heated to a predetermined temperature by a hot plate, and then the wafer is cooled to a high temperature at high temperature by a cooling plate. Thus, in the heat processing apparatus, both the heat processing and the cooling process with respect to a wafer can be performed.

일본특허공개공보 2011-003601호Japanese Patent Publication No. 2011-003601

그런데 상술한 열처리 장치에서는, 예를 들면 도 11에 도시한 바와 같이, 복수의 냉각판(350)과 열판(351)을 설치할 경우, 처리 용기(360) 내에 냉각판(350)과 열판(351)을 일대일로 설치하고, 그 처리 용기(360)를 수평 방향으로 배열하는 것이 통상이다. 그리고, 각 처리 용기(360) 내로의 웨이퍼의 반입출은 반송 암(도시하지 않음)이, 처리 용기(360)에 형성된 반입출구(361)로부터 액세스함으로써 행해진다.By the way, in the heat processing apparatus mentioned above, for example, as shown in FIG. 11, when installing the some cooling plate 350 and the hot plate 351, the cooling plate 350 and the hot plate 351 in the processing container 360 are carried out. Is installed one-to-one and the processing container 360 is arranged in a horizontal direction. And the loading and unloading of the wafer into each processing container 360 is performed by a conveyance arm (not shown) accessed from the carrying in / out port 361 formed in the processing container 360.

그런데 최근, 웨이퍼의 대경화가 진행되어, 종래의 300 mm 직경의 웨이퍼 대신에 450 mm 직경의 웨이퍼가 주류가 되어 있다. 웨이퍼의 대경화에 수반하여, 상술한 열판 또는 냉각판 그 자체도 커지기 때문에, 열처리 장치의 풋프린트가 증가한다. 이 때문에, 열처리 장치의 풋프린트를 작게 하는 것이 요구되고 있다.By the way, in recent years, the hardening of a wafer advances, and instead of the conventional 300 mm diameter wafer, the 450 mm diameter wafer becomes the mainstream. With the large hardening of a wafer, since the above-mentioned hot plate or cooling plate itself also becomes large, the footprint of the heat treatment apparatus increases. For this reason, it is desired to make the footprint of the heat treatment apparatus small.

한편, 웨이퍼 처리의 스루풋의 관점에서는, 시간을 요하는 공정인 열처리를 효율 좋게 행하기 위하여 열처리 장치의 설치 대수는 많은 편이 바람직하다. 그러나, 도 11에 도시한 바와 같은 종래의 열처리 장치에서는, 예를 들면 열판(351)과 냉각판(350)을 2 개씩 설치하고자 하면, 최소한 웨이퍼 4 매분의 스페이스가 필요했다. 이 때문에, 풋프린트의 저감과 열처리의 스루풋 향상을 양립시키는 것이 곤란했다.On the other hand, from the viewpoint of the throughput of the wafer process, it is preferable that the number of heat treatment apparatus installed is large in order to efficiently perform heat treatment which is a time-consuming process. However, in the conventional heat treatment apparatus as shown in FIG. 11, if two hot plates 351 and two cooling plates 350 are to be provided, for example, at least four wafers require space. For this reason, it was difficult to make both the reduction of a footprint and the throughput improvement of heat processing.

또한, 상술한 열처리 장치에서는, 냉각판을 열판의 상방 위치와 열처리 장치 외부의 반송 암으로 웨이퍼를 전달하는 위치와의 사이에서 직선적으로 이동시키는 구동 기구를 설치하는 방식이 주류가 되어 있다. 이 구동 기구는, 냉각판과 열판의 사이에 연장되어 설치된다. 이 때문에, 냉각판과 열판의 사이에는 구동 기구를 구성하는 기기가 배치된다.Moreover, in the above-mentioned heat processing apparatus, the mainstream is the system which installs the drive mechanism which linearly moves a cooling plate between the upper position of a hot plate, and the position which transfers a wafer to the conveyance arm outside a heat processing apparatus. This drive mechanism is extended and provided between a cooling plate and a hot plate. For this reason, the apparatus which comprises a drive mechanism is arrange | positioned between a cooling plate and a hot plate.

그 결과, 반송 암의 냉각판에의 액세스 위치는, 냉각판을 사이에 두고 열판에 대향하는 위치로 제한되고, 열처리 장치에 대한 반송 암의 배치의 자유도가 제한되고 있었다.As a result, the access position of the transfer arm to the cooling plate was limited to a position facing the hot plate with the cooling plate interposed therebetween, and the degree of freedom of arrangement of the transfer arm with respect to the heat treatment apparatus was limited.

또한, 열처리 장치 주변의 기기 레이아웃을 최적화하여 풋프린트의 증가를 최소한으로 하는 것이 요구되고 있지만, 상술한 바와 같이, 열처리 장치에 대한 반송 암의 배치의 자유도가 낮기 때문에, 기기 레이아웃의 최적화를 충분히 행할 수 없었다.In addition, while it is desired to minimize the increase in the footprint by optimizing the device layout around the heat treatment apparatus, as described above, since the freedom of arrangement of the transfer arm with respect to the heat treatment apparatus is low, the device layout can be fully optimized. Could not.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 열처리 장치의 풋프린트를 저감하는 것을 목적으로 한다. 또한, 열처리 장치에 대한 반송 암의 배치의 자유도를 향상시키는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of such a point, and an object of this invention is to reduce the footprint of a heat processing apparatus. Moreover, it aims at improving the freedom degree of arrangement | positioning of a conveyance arm with respect to a heat processing apparatus.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 기판을 열처리하는 열처리 장치로서, 기판을 재치하여 냉각하는 냉각 기구와, 기판을 재치하여 열처리하는 제 1 열처리 기구와, 평면에서 봤을 때 상기 냉각 기구를 사이에 두고 상기 제 1 열처리 기구의 반대측에 설치된 제 2 열처리 기구와, 상기 냉각 기구를, 상기 각 열처리 기구 상방의 전달 위치와 기판을 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 이동시키는 이동 기구를 가지는 것을 특징으로 하고 있다.In order to achieve the above object, the present invention provides a heat treatment apparatus for heat treating a substrate, comprising: a cooling mechanism for placing and cooling a substrate; a first heat treatment mechanism for placing and heat treating a substrate; and a planar view of the cooling mechanism. A second heat treatment mechanism provided on the side opposite to the first heat treatment mechanism, and a movement mechanism for moving the cooling mechanism between a transfer position above each of the heat treatment mechanisms and a cooling position for cooling the substrate. Doing.

본 발명에 따르면, 냉각 기구를 사이에 두고 제 1 열처리 기구와 제 2 열처리 기구를 배치하고 있다. 또한, 냉각 기구를 각 열처리 기구와의 사이에서 이동시키는 이동 기구를 가지고 있다. 이러한 경우, 2 개의 열처리 기구에 대하여 1 개의 냉각 기구로 겸용할 수 있으므로, 냉각 기구를 종래와 같이 하나 더 설치할 필요가 없다. 따라서, 열처리 장치의 풋프린트를 저감할 수 있다.According to the present invention, the first heat treatment mechanism and the second heat treatment mechanism are arranged with the cooling mechanism interposed therebetween. Moreover, it has the moving mechanism which moves a cooling mechanism between each heat processing mechanism. In such a case, since the two heat treatment mechanisms can be used as one cooling mechanism, there is no need to provide one more cooling mechanism as in the prior art. Therefore, the footprint of the heat treatment apparatus can be reduced.

상기 냉각 기구는 상하 방향으로 복수 배치되어 있어도 된다.The cooling mechanism may be arranged in plural in the vertical direction.

상기 각 열처리 기구는 상하 방향으로 복수 설치되고, 또한 상하 방향으로 복수 배치된 상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치되어 있어도 된다.Each said heat processing mechanism may be provided in multiple numbers in the up-down direction, and may be arrange | positioned through the said cooling mechanism arrange | positioned in the up-down direction.

상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치된 상기 각 열처리 기구는, 동일한 높이에 위치하지 않도록 교호로 배치되어 있어도 된다.The heat treatment mechanisms disposed with the cooling mechanism therebetween may be alternately arranged so as not to be located at the same height.

상기 이동 기구는 상기 냉각 기구를 수평 방향으로 이동시켜도 된다.The moving mechanism may move the cooling mechanism in the horizontal direction.

상기 이동 기구와 함께 상기 냉각 기구를 수직 방향으로 이동시키는 구동 기구를 더 가지고 있어도 된다.You may further have a drive mechanism which moves the said cooling mechanism to a vertical direction with the said moving mechanism.

다른 관점에 따른 본 발명은, 기판을 재치하여 냉각하는 냉각 기구와, 기판을 재치하여 열처리하는 제 1 열처리 기구와, 평면에서 봤을 때 상기 냉각 기구를 사이에 두고 상기 제 1 열처리 기구의 반대측에 설치된 제 2 열처리 기구와, 상기 냉각 기구를, 상기 각 열처리 기구 상방의 전달 위치와 기판을 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 이동시키는 이동 기구를 가지는 열처리 장치를 이용하여 기판을 열처리하는 열처리 방법으로서, 상기 냉각 기구 상에 재치된 기판을, 상기 이동 기구에 의해 제 1 열처리 기구 또는 제 2 열처리 기구 중 어느 하나의 상방의 전달 위치로 이동시키고, 상기 제 1 열처리 기구 또는 제 2 열처리 기구 중 어느 일방에 의해 기판을 열처리하고, 상기 열처리 후의 기판을 상기 냉각 기구 상에 재치하고, 상기 냉각 기구 상에 재치된 기판을, 상기 이동 기구에 의해 상기 냉각 위치로 이동시키고, 상기 냉각 위치에 있어서, 상기 냉각 기구에 의해 기판을 냉각하는 것을 특징으로 하고 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a cooling mechanism for placing and cooling a substrate, a first heat treatment mechanism for placing and heat treating a substrate, and a cooling mechanism disposed between the first heat treatment mechanism with the cooling mechanism therebetween. A heat treatment method for heat-treating a substrate using a heat treatment apparatus having a second heat treatment mechanism and a movement mechanism for moving the cooling mechanism between a transfer position above each heat treatment mechanism and a cooling position for cooling the substrate. The substrate placed on the cooling mechanism is moved to an upper transfer position of either the first heat treatment mechanism or the second heat treatment mechanism by the moving mechanism, and by either one of the first heat treatment mechanism or the second heat treatment mechanism. The substrate is heat-treated, the substrate after the heat treatment is placed on the cooling mechanism, and the substrate is placed on the cooling mechanism. The plate, and by the movement mechanism move to the cooling position, in the cooling position, and wherein the cooling of the substrate by the cooling mechanism.

상기 냉각 기구는 상하 방향으로 복수 배치되어 있어도 된다.The cooling mechanism may be arranged in plural in the vertical direction.

상기 각 열처리 기구는 상하 방향으로 복수 설치되고, 또한 상하 방향으로 복수 배치된 상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치되어 있어도 된다.Each said heat processing mechanism may be provided in multiple numbers in the up-down direction, and may be arrange | positioned through the said cooling mechanism arrange | positioned in the up-down direction.

상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치된 상기 각 열처리 기구는, 동일한 높이에 위치하지 않도록 교호로 배치되어 있어도 된다.The heat treatment mechanisms disposed with the cooling mechanism therebetween may be alternately arranged so as not to be located at the same height.

상기 이동 기구는 상기 냉각 기구를 수평 방향으로 이동시켜도 된다.The moving mechanism may move the cooling mechanism in the horizontal direction.

상기 이동 기구와 함께 상기 냉각 기구를 수직 방향으로 이동시키는 구동 기구를 더 가지고 있어도 된다.You may further have a drive mechanism which moves the said cooling mechanism to a vertical direction with the said moving mechanism.

상기 각 열처리 기구에는, 상기 전달 위치에 있어서 상기 냉각 기구와 기판의 전달을 행하는 승강 핀이 설치되고, 상기 냉각 기구에는, 상기 승강 핀을 삽입 관통시키기 위한 슬릿이 형성되어 있어도 된다.Each said heat treatment mechanism may be provided with lifting pins for transferring the cooling mechanism and the substrate at the transfer position, and slits for penetrating the lifting pins may be formed in the cooling mechanism.

또 다른 관점에 따른 본 발명에 따르면, 상기 열처리 방법을 열처리 장치에 의해 실행시키기 위하여, 상기 열처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.According to another aspect of the present invention, in order to execute the heat treatment method by a heat treatment apparatus, there is provided a readable computer storage medium storing a program running on a computer of a control unit controlling the heat treatment apparatus.

또 다른 관점에 따른 본 발명은, 기판을 열처리하는 열처리 장치로서, 기판을 재치하여 열처리하는 열처리 기구와, 기판을 재치하여 냉각하는 냉각 기구와, 상기 냉각 기구를, 상기 열처리 기구 상방의 전달 위치와 기판을 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 선회시켜 이동시키는 이동 기구를 가지는 것을 특징으로 하고 있다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus for heat treating a substrate, comprising: a heat treatment mechanism for placing and heat treating a substrate, a cooling mechanism for placing and cooling the substrate, and a transfer position above the heat treatment mechanism. It is characterized by having the movement mechanism which moves by turning between the cooling positions which cool a board | substrate.

본 발명에 따르면, 냉각 기구를 선회시켜 이동시킨다. 이 때문에, 냉각 기구를 선회시키기 위한 이동 기구는, 냉각 기구를 선회시킬 때의 회전축이 되는 위치에만 배치하면 된다. 이러한 경우, 열처리 장치 외부의 반송 암의 액세스는, 이동 기구가 배치되어 있는 위치만 제한된다. 이 때문에, 냉각 기구를 열처리 기구와의 사이에서 직선적으로 이동시키는 종래의 이동 기구와 비교하여, 반송 암의 액세스 위치의 제한이 적다. 따라서 본 발명에 따르면, 열처리 장치에 대한 반송 암의 배치의 자유도가 향상된다. 그 결과, 열처리 장치 주변의 기기 레이아웃을 최적화하여 풋프린트의 증가를 최소한으로 할 수 있다.According to the present invention, the cooling mechanism is pivoted and moved. For this reason, the moving mechanism for turning a cooling mechanism should just be arrange | positioned only in the position used as a rotating shaft at the time of turning a cooling mechanism. In this case, the access of the transfer arm outside the heat treatment apparatus is limited only to the position where the moving mechanism is arranged. For this reason, compared with the conventional moving mechanism which linearly moves a cooling mechanism between a heat processing mechanism, the restriction | limiting of the access position of a conveyance arm is small. Therefore, according to this invention, the freedom degree of arrangement | positioning of a conveyance arm with respect to a heat processing apparatus is improved. As a result, the device layout around the heat treatment apparatus can be optimized to minimize the increase in footprint.

평면에서 봤을 때 상기 냉각 위치를 사이에 두고 상기 열처리 기구에 대향하여 배치된 다른 열처리 기구를 가지고, 상기 이동 기구는 상기 열처리 기구의 전달 위치, 상기 다른 열처리 기구의 전달 위치 및 냉각 위치 사이에서, 상기 냉각 기구를 선회시켜 이동시켜도 된다.A different heat treatment mechanism disposed opposite the heat treatment mechanism with the cooling position therebetween in a plan view, wherein the moving mechanism is between the transfer position of the heat treatment mechanism, the transfer position of the other heat treatment mechanism and the cooling position; The cooling mechanism may be moved by turning.

상기 냉각 기구의 선회축은, 평면에서 봤을 때 상기 냉각 기구의 기판 재치면으로부터 이간한 위치에 있어도 된다.The pivot axis of the said cooling mechanism may be in the position separated from the board | substrate mounting surface of the said cooling mechanism in planar view.

상기 열처리 기구, 상기 다른 열처리 기구 및 상기 냉각 기구는, 각각 다단으로 복수 배치되어 있어도 된다.The plurality of heat treatment mechanisms, the other heat treatment mechanisms, and the cooling mechanisms may be arranged in multiple stages, respectively.

상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치된 상기 각 열처리 기구는, 동일한 높이에 위치하지 않도록 교호로 배치되어 있어도 된다.The heat treatment mechanisms disposed with the cooling mechanism therebetween may be alternately arranged so as not to be located at the same height.

다단으로 복수 배치된 상기 냉각 기구의 선회축은, 상하 방향으로 이웃하는 냉각 기구와 상이한 위치에 있어도 된다.The pivot axis of the said cooling mechanism arrange | positioned in multiple in multiple stages may be in the position different from the cooling mechanism which adjoins in a vertical direction.

상기 열처리 기구 및 상기 다른 열처리 기구에는, 상기 전달 위치에 있어서 상기 냉각 기구와 기판의 전달을 행하는 승강 핀이 설치되고, 상기 냉각 기구에는, 상기 승강 핀을 삽입 관통시키기 위한 슬릿이 형성되어 있어도 된다.The said heat processing mechanism and the said other heat processing mechanism may be provided with the lifting pin which delivers the said cooling mechanism and a board | substrate in the said transfer position, and the said cooling mechanism may be provided with the slit for inserting the said lifting pin.

상기 슬릿은, 상기 냉각 기구가 선회하는 궤적을 따라 원호 형상으로 형성되어 있어도 된다.The slit may be formed in an arc shape along the trajectory of the cooling mechanism.

또 다른 관점에 따른 본 발명은, 기판을 재치하여 열처리하는 열처리 기구와, 기판을 재치하여 냉각하는 냉각 기구와, 상기 냉각 기구를, 상기 열처리 기구 상방의 전달 위치와 기판을 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 선회시켜 이동시키는 이동 기구를 가지는 열처리 장치를 이용하여 기판을 열처리하는 열처리 방법으로서, 상기 냉각 기구 상에 재치된 기판을, 상기 이동 기구에 의해 상기 냉각 기구를 선회시켜 상기 열처리 기구 상방의 전달 위치로 이동시키고, 상기 열처리 기구에 의해 기판을 열처리하고, 상기 열처리 후의 기판을 상기 냉각 기구 상에 재치하고, 상기 냉각 기구 상에 재치된 기판을, 상기 이동 기구에 의해 상기 냉각 기구를 선회시켜 상기 냉각 위치로 이동시키고, 상기 냉각 위치에 있어서, 상기 냉각 기구에 의해 기판을 냉각하는 것을 특징으로 하고 있다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a heat treatment mechanism for placing and heat treating a substrate, a cooling mechanism for placing and cooling a substrate, and a cooling position for transferring the cooling mechanism above the heat treatment mechanism and a cooling position for cooling the substrate. A heat treatment method for heat-treating a substrate using a heat treatment apparatus having a movement mechanism to pivot and move therebetween, wherein the substrate placed on the cooling mechanism is rotated by the movement mechanism to transfer the substrate above the heat treatment mechanism. To the position, the substrate is heat treated by the heat treatment mechanism, the substrate after the heat treatment is placed on the cooling mechanism, and the substrate placed on the cooling mechanism is pivoted by the movement mechanism to Moving to a cooling position, and cooling the substrate by the cooling mechanism in the cooling position. It is characterized by.

평면에서 봤을 때 상기 냉각 위치를 사이에 두고 상기 열처리 기구에 대향하여 배치된 다른 열처리 기구를 가지고, 상기 이동 기구는 상기 열처리 기구의 전달 위치, 상기 다른 열처리 기구의 전달 위치 및 냉각 위치 사이에서, 상기 냉각 기구를 선회시켜 이동시켜도 된다.A different heat treatment mechanism disposed opposite the heat treatment mechanism with the cooling position therebetween in a plan view, wherein the moving mechanism is between the transfer position of the heat treatment mechanism, the transfer position of the other heat treatment mechanism, and the cooling position; The cooling mechanism may be moved by turning.

상기 냉각 기구의 선회축은, 평면에서 봤을 때 상기 냉각 기구의 기판 재치면으로부터 이간한 위치에 있어도 된다.The pivot axis of the said cooling mechanism may be in the position separated from the board | substrate mounting surface of the said cooling mechanism in planar view.

상기 열처리 기구, 상기 다른 열처리 기구 및 상기 냉각 기구는 각각 다단으로 복수 배치되어 있어도 된다.The plurality of heat treatment mechanisms, the other heat treatment mechanisms, and the cooling mechanisms may be arranged in multiple stages, respectively.

상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치된 상기 각 열처리 기구는, 동일한 높이에 위치하지 않도록 교호로 배치되어 있어도 된다.The heat treatment mechanisms disposed with the cooling mechanism therebetween may be alternately arranged so as not to be located at the same height.

다단으로 복수 배치된 상기 냉각 기구의 선회축은, 상하 방향으로 이웃하는 냉각 기구와 상이한 위치에 있어도 된다.The pivot axis of the said cooling mechanism arrange | positioned in multiple in multiple stages may be in the position different from the cooling mechanism which adjoins in a vertical direction.

상기 열처리 기구 및 상기 다른 열처리 기구에는, 상기 전달 위치에 있어서 상기 냉각 기구와 기판의 전달을 행하는 승강 핀이 설치되고, 상기 냉각 기구에는, 상기 승강 핀을 삽입 관통시키기 위한 슬릿이 형성되어 있어도 된다.The said heat processing mechanism and the said other heat processing mechanism may be provided with the lifting pin which delivers the said cooling mechanism and a board | substrate in the said transfer position, and the said cooling mechanism may be provided with the slit for inserting the said lifting pin.

상기 슬릿은, 상기 냉각 기구가 선회하는 궤적을 따라 원호 형상으로 형성되어 있어도 된다.The slit may be formed in an arc shape along the trajectory of the cooling mechanism.

또 다른 관점에 따른 본 발명에 따르면, 상기 열처리 방법을 열처리 장치에 의해 실행시키기 위하여, 상기 열처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.According to another aspect of the present invention, in order to execute the heat treatment method by a heat treatment apparatus, there is provided a readable computer storage medium storing a program running on a computer of a control unit controlling the heat treatment apparatus.

본 발명에 따르면, 열처리 장치의 풋프린트를 저감할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 열처리 장치에 대한 반송 암의 배치의 자유도를 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the footprint of the heat treatment apparatus can be reduced. Moreover, according to this invention, the freedom degree of arrangement | positioning of a conveyance arm with respect to a heat processing apparatus can be improved.

도 1은 제 1 실시예에 따른 열처리 장치를 구비한 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 2는 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 3은 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 4는 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 5는 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 6은 냉각 기구를 전달 위치로 이동시킨 상태를 도시한 설명도이다.
도 7은 제 1 실시예의 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 측면에서 봤을 때의 설명도이다.
도 8은 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 평면에서 봤을 때의 설명도이다.
도 9는 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 측면에서 봤을 때의 설명도이다.
도 10은 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 측면에서 봤을 때의 설명도이다.
도 11은 종래의 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 설명도이다.
도 12는 제 2 실시예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 13은 제 2 실시예에 따른 냉각 기구를 전달 위치로 이동시킨 상태를 도시한 설명도이다.
도 14는 제 2 실시예의 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 15는 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 측면에서 봤을 때의 설명도이다.
도 16은 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 17은 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 18은 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 19는 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 평면에서 봤을 때의 설명도이다.
도 20은 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 측면에서 봤을 때의 설명도이다.1 is a plan view showing an outline of an internal configuration of a coating and developing treatment system having a heat treatment apparatus according to the first embodiment.
2 is a side view showing an outline of an internal configuration of a coating and developing treatment system.
3 is a side view illustrating an outline of an internal configuration of a coating and developing treatment system.
4 is a longitudinal sectional view showing an outline of the configuration of the heat treatment apparatus.
5 is a cross-sectional view showing the outline of the configuration of the heat treatment apparatus.
It is explanatory drawing which showed the state which moved the cooling mechanism to the delivery position.
FIG. 7 is an explanatory view when viewed from the side showing the outline of the configuration of the heat treatment apparatus according to the modification of the first embodiment. FIG.
8 is an explanatory view in plan view showing an outline of the configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.
9 is an explanatory view when viewed from the side showing the outline of a configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.
10 is an explanatory view when viewed from the side showing the outline of a configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.
It is explanatory drawing which shows the outline of the structure of the conventional heat processing apparatus.
12 is a cross-sectional view showing the outline of the configuration of the heat treatment apparatus according to the second embodiment.
It is explanatory drawing which showed the state which moved the cooling mechanism to the delivery position which concerns on 2nd Example.
14 is a cross sectional view schematically showing a configuration of a heat treatment apparatus according to a modification of the second embodiment.
15 is an explanatory view when viewed from the side showing the outline of a configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.
16 is a cross sectional view schematically showing a configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.
17 is a cross sectional view schematically showing a configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.
18 is a cross sectional view schematically showing a configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.
19 is an explanatory view in plan view showing an outline of the configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.
20 is an explanatory view when viewed from the side showing the outline of a configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.

(제 1 실시예)(Embodiment 1)

이하에, 본 발명의 제 1 실시예에 대하여 설명한다. 도 1은, 제 1 실시예에 따른 열처리 장치를 구비한 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시한 평면도이다. 도 2 및 도 3은, 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시한 측면도이다.The first embodiment of the present invention will be described below. 1 is a plan view showing an outline of an internal configuration of a coating and developing treatment system 1 equipped with a heat treatment apparatus according to the first embodiment. 2 and 3 are side views illustrating the outline of the internal configuration of the coating and developing processing system 1.

도포 현상 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시한 바와 같이 예를 들면 외부와의 사이에서 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반입출되는 카세트 스테이션(2)과, 포토리소그래피 처리 중에서 매엽식으로 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(3)과, 처리 스테이션(3)에 인접하는 노광 장치(4)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(5)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.As shown in FIG. 1, the coating and developing processing system 1 includes, for example, a cassette station 2 into which a cassette C containing a plurality of wafers W is carried in and out from the outside, and a photo; The transfer of the wafer W between a processing station 3 having a plurality of various processing apparatuses which perform a predetermined process by a single sheet of lithography processing and an exposure apparatus 4 adjacent to the processing station 3 is performed. It has the structure which connected the interface station 5 performed integrally.

카세트 스테이션(2)에는 카세트 재치대(10)가 설치되어 있다. 카세트 재치대(10)에는 복수, 예를 들면 4 개의 카세트 재치판(11)이 설치되어 있다. 카세트 재치판(11)은, 수평 방향의 X 방향(도 1 중의 상하 방향)으로 일렬로 나란히 설치되어 있다. 이들 카세트 재치판(11)에는, 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(C)를 반입출할 시, 카세트(C)를 재치할 수 있다.The cassette station 2 is provided with a cassette holder 10. The cassette placing table 10 is provided with a plurality, for example, four cassette placing plates 11. The cassette placing plates 11 are arranged side by side in the horizontal X direction (up and down direction in FIG. 1). The cassette C can be mounted on these cassette placing plates 11 when the cassette C is carried in and out of the coating development processing system 1.

카세트 스테이션(2)에는, 도 1에 도시한 바와 같이 X 방향으로 연장되는 반송로(20) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(21)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(21)는 상하 방향 및 수직축을 중심(θ 방향)으로도 이동 가능하며, 각 카세트 재치판(11) 상의 카세트(C)와 후술하는 처리 스테이션(3)의 제 3 블록(G3)의 전달 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.As shown in FIG. 1, the cassette station 2 is provided with a wafer transfer device 21 capable of moving on the transfer path 20 extending in the X direction. The wafer conveying apparatus 21 is also movable in the up-down direction and the vertical axis in the center (θ direction), and the cassette C on each cassette placing plate 11 and the third block G3 of the processing station 3 described later. The wafer W can be transferred between the transfer device and the transfer device.

처리 스테이션(3)에는 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들면 4 개의 블록(G1, G2, G3, G4)이 설치되어 있다. 예를 들면, 처리 스테이션(3)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는 제 1 블록(G1)이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측)에는 제 2 블록(G2)이 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(3)의 카세트 스테이션(2)측(도 1의 Y 방향 부방향측)에는 제 3 블록(G3)이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 인터페이스 스테이션(5)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는 제 4 블록(G4)이 설치되어 있다.The processing station 3 is provided with plural, for example, four blocks G1, G2, G3, and G4 provided with various devices. For example, the 1st block G1 is provided in the front side (X direction negative direction side of FIG. 1) of the processing station 3, and the back side (X direction positive direction side of FIG. 1) of the processing station 3 is provided. The second block G2 is provided. Further, a third block G3 is provided on the cassette station 2 side (the Y-direction negative direction side in FIG. 1) of the processing station 3, and the interface station 5 side of the processing station 3 (FIG. 1). In the Y-direction forward direction), the fourth block G4 is provided.

예를 들면 제 1 블록(G1)에는, 도 3에 도시한 바와 같이 복수의 액처리 장치, 예를 들면 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 장치(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하, ‘하부 반사 방지막’이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 도포막으로서의 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하, ‘상부 반사 방지막’이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(33)가 아래로부터 차례로 4 단으로 적층되어 있다.For example, in the first block G1, as shown in FIG. 3, a plurality of liquid processing apparatuses, for example, a developing apparatus 30 for developing a wafer W, and a lower layer of a resist film of the wafer W, may be used. A lower anti-reflection film forming apparatus 31 for forming an anti-reflection film (hereinafter referred to as a lower anti-reflection film), a resist coating device 32 for forming a resist film as a coating film by applying a resist liquid to the wafer W, a wafer An upper antireflection film forming apparatus 33 for forming an antireflection film (hereinafter referred to as an 'upper antireflection film') on the upper layer of the resist film of (W) is stacked in four stages from below.

예를 들면 제 1 블록(G1)의 각 장치(30 ~ 33)는, 처리 시에 웨이퍼(W)를 수용하는 컵(F)을 수평 방향으로 복수 가지고, 복수의 웨이퍼(W)를 병행하여 처리할 수 있다.For example, each device 30 to 33 of the first block G1 has a plurality of cups F that accommodate the wafers W in the horizontal direction at the time of processing, and processes the plurality of wafers W in parallel. can do.

예를 들면 제 2 블록(G2)에는, 도 2에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 장치(40), 및 웨이퍼(W)를 소수화 처리하는 애드히젼(adhesion) 장치(41), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(42)가 상하 방향과 수평 방향으로 나란히 설치되어 있다. 또한 열처리 장치(40), 애드히젼 장치(41) 및 주변 노광 장치(42)의 수 또는 배치는, 임의로 선택할 수 있다. 또한, 열처리 장치(40)의 상세한 구성에 대해서는 후술한다.For example, as shown in FIG. 2, the second block G2 includes a heat treatment apparatus 40 for performing heat treatment on the wafer W, and an adhesion apparatus 41 for hydrophobizing the wafer W. As shown in FIG. The peripheral exposure apparatus 42 which exposes the outer peripheral part of the wafer W is provided side by side in the vertical direction and the horizontal direction. In addition, the number or arrangement | positioning of the heat processing apparatus 40, the adhering apparatus 41, and the peripheral exposure apparatus 42 can be arbitrarily selected. In addition, the detailed structure of the heat processing apparatus 40 is mentioned later.

예를 들면 제 3 블록(G3)에는, 복수의 전달 장치(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)가 아래로부터 차례로 설치되어 있다. 또한 제 4 블록(G4)에는, 복수의 전달 장치(60, 61, 62)가 아래로부터 차례로 설치되어 있다.For example, a plurality of delivery devices 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 are provided in the third block G3 in order from below. Moreover, the some transmission apparatus 60, 61, 62 is provided in the 4th block G4 sequentially from the bottom.

도 1에 도시한 바와 같이, 제 1 블록(G1) ~ 제 4 블록(G4)으로 둘러싸인 영역에는 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예를 들면 웨이퍼 반송 장치(70)가 배치되어 있다.As shown in FIG. 1, the wafer conveyance area | region D is formed in the area | region enclosed by the 1st block G1-the 4th block G4. In the wafer transfer region D, for example, a wafer transfer apparatus 70 is disposed.

웨이퍼 반송 장치(70)는, 예를 들면 Y 방향, X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(71)을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하고, 주위의 제 1 블록(G1), 제 2 블록(G2), 제 3 블록(G3) 및 제 4 블록(G4) 내의 소정의 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The wafer conveyance apparatus 70 has the conveyance arm 71 which can move to a Y direction, an X direction, a (theta) direction, and an up-down direction, for example. The wafer conveyance apparatus 70 moves in the wafer conveyance area D, and predetermined | prescribed in the surrounding 1st block G1, the 2nd block G2, the 3rd block G3, and the 4th block G4. The wafer W can be conveyed by the apparatus.

웨이퍼 반송 장치(70)는, 예를 들면 도 2에 도시한 바와 같이 상하로 복수대 배치되고, 예를 들면 각 블록(G1 ~ G4)의 동일 정도의 높이의 소정의 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.For example, as shown in FIG. 2, a plurality of wafer transfer apparatuses 70 are arranged up and down, and for example, the wafers W are transferred to a predetermined device having the same height as each of the blocks G1 to G4. You can return it.

또한 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 제 3 블록(G3)과 제 4 블록(G4)의 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 설치되어 있다.Moreover, the shuttle conveyance apparatus 80 which conveys the wafer W linearly between the 3rd block G3 and the 4th block G4 is provided in the wafer conveyance area | region D. As shown in FIG.

셔틀 반송 장치(80)는, 예를 들면 Y 방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 Y 방향으로 이동하고, 제 3 블록(G3)의 전달 장치(52)와 제 4 블록(G4)의 전달 장치(62)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The shuttle conveying apparatus 80 is movable linearly in the Y direction, for example. The shuttle conveying apparatus 80 moves to the Y direction in the state which supported the wafer W, and between the delivery apparatus 52 of the 3rd block G3, and the delivery apparatus 62 of the 4th block G4. Wafer W can be conveyed.

도 1에 도시한 바와 같이, 제 3 블록(G3)의 X 방향 정방향측의 근방에는 웨이퍼 반송 장치(90)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 예를 들면 X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 상하로 이동하여, 제 3 블록(G3) 내의 각 전달 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.As shown in FIG. 1, the wafer conveyance apparatus 90 is provided in the vicinity of the X-direction positive direction side of 3rd block G3. The wafer conveyance apparatus 90 has the conveyance arm which can move to an X direction, (theta) direction, and an up-down direction, for example. The wafer conveyance apparatus 90 can move up and down in the state which supported the wafer W, and can convey the wafer W to each delivery apparatus in 3rd block G3.

인터페이스 스테이션(5)에는, 웨이퍼 반송 장치(100)와 전달 장치(101)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는 예를 들면 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는 예를 들면 반송 암에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제 4 블록(G4) 내의 각 전달 장치와 전달 장치(101)로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.In the interface station 5, a wafer transfer apparatus 100 and a transfer apparatus 101 are provided. The wafer conveyance apparatus 100 has the conveyance arm which can move to a Y direction, (theta) direction, and an up-down direction, for example. The wafer conveyance apparatus 100 can support the wafer W in the conveyance arm, for example, and can convey the wafer W to each delivery apparatus and the delivery apparatus 101 in 4th block G4.

이어서, 상술한 열처리 장치(40)의 구성에 대하여 설명한다. 열처리 장치(40)는, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이 내부를 폐쇄 가능한 처리 용기(200)를 가지고 있다. 처리 용기(200)의 웨이퍼 반송 영역(D)측의 측면에는 웨이퍼(W)의 반입출구(201)가 형성되고, 당해 반입출구(201)에는 개폐 셔터(도시하지 않음)가 설치되어 있다.Next, the structure of the heat processing apparatus 40 mentioned above is demonstrated. The heat treatment apparatus 40 has the processing container 200 which can be closed inside as shown in FIG. 4 and FIG. A carrying in / out port 201 of the wafer W is formed in the side surface of the processing container 200 at the wafer conveyance area D side, and an opening / closing shutter (not shown) is provided in the carrying in / out port 201.

처리 용기(200)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 열처리 기구로서의 제 1 가열부(210) 및 제 2 가열부(211)와, 웨이퍼(W)를 냉각하여 온도 조절하는 냉각부(212)가 설치되어 있다. 제 1 가열부(210), 냉각부(212) 및 제 2 가열부(211)는 Y 방향을 따라 이 순으로 나란히 배치되어 있다. 즉, 냉각부(212)는, 평면에서 봤을 때 제 1 가열부(210)와 제 2 가열부(211)의 사이에 개재된 위치에 배치되어 있다.Inside the processing container 200, a first heating unit 210 and a second heating unit 211 as a heat treatment mechanism for heating the wafer W, and a cooling unit for cooling and adjusting the temperature of the wafer W ( 212) is installed. The first heating unit 210, the cooling unit 212, and the second heating unit 211 are arranged side by side in this order along the Y direction. That is, the cooling part 212 is arrange | positioned in the position interposed between the 1st heating part 210 and the 2nd heating part 211 in plan view.

제 1 가열부(210)는 열처리 기구(220)를 가지고 있다. 열처리 기구(220)는 두께가 있는 대략 원반 형상을 가지고, 웨이퍼(W)를 재치하여 가열할 수 있다. 또한, 열처리 기구(220)에는 예를 들면 히터(221)가 내장되어 있다. 열처리 기구(220)의 가열 온도는 예를 들면 제어부(300)에 의해 제어되고, 열처리 기구(220) 상에 재치된 웨이퍼(W)가 소정의 온도로 가열된다.The first heating unit 210 has a heat treatment mechanism 220. The heat treatment mechanism 220 has a substantially disk shape with a thickness, and can mount and heat the wafer W. As shown in FIG. In addition, for example, the heater 221 is built in the heat treatment mechanism 220. The heating temperature of the heat treatment mechanism 220 is controlled by the control unit 300, for example, and the wafer W placed on the heat treatment mechanism 220 is heated to a predetermined temperature.

열처리 기구(220)의 주위에는, 당해 열처리 기구(220)를 수용하여 열처리 기구(220)의 외주부를 보지(保持)하는 환상(環狀)의 보지 부재(222)와, 그 보지 부재(222)의 외주를 둘러싸는 대략 통 형상의 서포트 링(223)이 설치되어 있다.In the circumference | surroundings of the heat processing mechanism 220, the annular holding member 222 which accommodates the said heat processing mechanism 220, and hold | maintains the outer peripheral part of the heat processing mechanism 220, and its holding member 222 The substantially cylindrical support ring 223 surrounding the outer periphery of the is provided.

열처리 기구(220)의 상방에는 상하 이동 가능한 덮개체(230)가 설치되어 있다. 덮개체(230)는 하면이 개구되고, 열처리 기구(220), 보지 부재(222) 및 서포트 링(223)과 일체가 되어 열처리실(K)을 형성한다. 그리고, 열처리실(K)은 그 내부를 밀폐 가능하게 구성되어 있다.Above the heat treatment mechanism 220, a lid 230 which is movable up and down is provided. The lid 230 has an open lower surface and is integrated with the heat treatment mechanism 220, the retaining member 222, and the support ring 223 to form the heat treatment chamber K. FIG. And the heat treatment chamber K is comprised so that the inside can be sealed.

열처리 기구(220)의 상방으로서 덮개체(230)의 천장면의 중앙부에는, 열처리실(K)의 내부를 배기하는 배기부(231)가 설치되어 있다. 열처리실(K) 내의 분위기는, 배기부(231)로부터 균일하게 배기된다.The exhaust part 231 which exhausts the inside of the heat processing chamber K is provided in the center part of the ceiling surface of the cover body 230 above the heat processing mechanism 220. The atmosphere in the heat treatment chamber K is exhausted uniformly from the exhaust part 231.

열처리 기구(220)의 하방에는, 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하고 승강시키기 위한 승강 핀(232)이 예를 들면 3 개 설치되어 있다. 승강 핀(232)은 승강 구동부(233)에 의해 수직 방향으로 승강할 수 있다. 열처리 기구(220)의 중앙부 부근에는, 당해 열처리 기구(220)를 두께 방향으로 관통하는 관통홀(234)이 예를 들면 3 개소에 형성되어 있다. 그리고, 승강 핀(232)은 관통홀(234)을 삽입 관통하고, 열처리 기구(220)의 상면으로부터 돌출 가능하게 되어 있다.Below the heat treatment mechanism 220, three lifting pins 232 are provided, for example, for supporting and lifting the wafer W from below. The lift pins 232 may be lifted and lowered in the vertical direction by the lift driver 233. In the vicinity of the central portion of the heat treatment mechanism 220, for example, three through holes 234 that penetrate the heat treatment mechanism 220 in the thickness direction are formed. The lifting pins 232 penetrate the through holes 234 to protrude from the upper surface of the heat treatment mechanism 220.

또한 제 2 가열부(211)의 구성은, 열처리 기구(220)의 높이가 제 1 가열부(210)보다 낮은 점을 제외하고 제 1 가열부(210)와 동일하므로, 설명을 생략한다.In addition, since the structure of the 2nd heating part 211 is the same as that of the 1st heating part 210 except the height of the heat processing mechanism 220 being lower than the 1st heating part 210, description is abbreviate | omitted.

냉각부(212)는 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)를 가지고 있다. 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)는 상하 방향으로 다단으로 배치되어 있다. 제 1 냉각 기구(240)는 웨이퍼(W)보다 직경이 작은 대략 원반 형상을 가지고, 웨이퍼(W)를 재치하여 냉각할 수 있다. 제 1 냉각 기구(240)의 하면측에는, 가열된 웨이퍼(W)를 대략 냉각하기 위하여, 예를 들면 냉매를 통류시키기 위한 도시하지 않은 냉매 유로가 형성되어 있다.The cooling unit 212 has a first cooling mechanism 240 and a second cooling mechanism 241. The first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 are arranged in multiple stages in the vertical direction. The first cooling mechanism 240 has a substantially disk shape having a diameter smaller than that of the wafer W, and allows the wafer W to be placed and cooled. In the lower surface side of the 1st cooling mechanism 240, the coolant flow path which is not shown in figure, for example to let a refrigerant | coolant flows is formed in order to cool the heated wafer W substantially.

제 1 냉각 기구(240)는, 도 5에 도시한 바와 같이 반입출구(201)와 반대측의 단부로서 제 2 가열부(211)측의 위치가 지지 부재(250)에 의해 지지되어 있다. 지지 부재(250)에는 이동 기구(251)가 장착되어 있다. 이동 기구(251)는 Y 방향으로 연장되는 레일(252)에 장착되어 있다. 레일(252)은 제 1 가열부(210)로부터 제 2 가열부(211)까지 연장되어 있고, 제 1 냉각 기구(240)용과 제 2 냉각 기구(241)용의 2 개가 평행하게 설치되어 있다. 제 1 냉각 기구(240)는, 레일(252)을 따라 제 1 가열부(210)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 위치(전달 위치)와 제 1 가열부(210)와 제 2 가열부(211)의 사이의 위치(냉각 위치)와의 사이를 이동 가능하게 되어 있다.As shown in FIG. 5, the 1st cooling mechanism 240 is supported by the support member 250 with the position on the side of the 2nd heating part 211 as an edge part on the opposite side to the carrying-in / out port 201. As shown in FIG. The moving member 251 is attached to the support member 250. The moving mechanism 251 is attached to the rail 252 extending in a Y direction. The rail 252 extends from the 1st heating part 210 to the 2nd heating part 211, and two pieces for the 1st cooling mechanism 240 and the 2nd cooling mechanism 241 are provided in parallel. The 1st cooling mechanism 240 is a position (transfer position) which transfers the wafer W between the 1st heating part 210 along the rail 252, and the 1st heating part 210 and 2nd heating. It is possible to move between positions (cooling positions) between the portions 211.

제 1 냉각 기구(240)에는 2 개의 슬릿(260)이 형성되어 있다. 슬릿(260)은, 도 5에 도시한 바와 같이 제 1 냉각 기구(240)의 제 1 가열부(210)측의 단면으로부터 제 1 냉각 기구(240)의 중앙부 부근까지 형성되어 있다. 이 슬릿(260)에 의해, 제 1 냉각 기구(240)가 전달 위치로 이동했을 시, 당해 제 1 냉각 기구(240)가 제 1 가열부(210)의 승강 핀(232)과 간섭하는 것을 방지할 수 있다.Two slits 260 are formed in the first cooling mechanism 240. As shown in FIG. 5, the slit 260 is formed from a cross section on the side of the first heating part 210 of the first cooling mechanism 240 to the vicinity of the central portion of the first cooling mechanism 240. The slit 260 prevents the first cooling mechanism 240 from interfering with the lifting pins 232 of the first heating unit 210 when the first cooling mechanism 240 moves to the delivery position. can do.

또한 제 2 냉각 기구(241)는, 제 1 냉각 기구(240)와 좌우 대칭으로 구성되어 있는 점을 제외하고 제 1 냉각 기구(240)와 동일한 구성을 가지고 있으므로, 설명은 생략한다.In addition, since the 2nd cooling mechanism 241 has the same structure as the 1st cooling mechanism 240 except that it is comprised symmetrically with the 1st cooling mechanism 240, description is abbreviate | omitted.

이상의 도포 현상 처리 시스템(1)에는, 도 1에 도시한 바와 같이 제어부(300)가 설치되어 있다. 제어부(300)는 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 열처리 장치(40)에서의 웨이퍼(W)의 열처리를 실행하는 프로그램이 저장되어 있다. 이에 더하여, 프로그램 저장부에는, 도포 현상 처리 시스템(1)에서의 웨이퍼 처리를 실행하는 프로그램도 저장되어 있다. 또한 상기 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(300)에 인스톨된 것이어도 된다.The control part 300 is provided in the application | coating development system 1 mentioned above as shown in FIG. The control unit 300 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for performing heat treatment of the wafer W in the heat treatment apparatus 40. In addition, the program storage unit also stores a program for executing wafer processing in the coating and developing processing system 1. The program may be stored in a computer-readable storage medium H such as a computer readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), a memory card, or the like. It may have been recorded and installed in the control part 300 from the storage medium H.

이어서, 이상과 같이 구성된 도포 현상 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼(W)의 처리 방법에 대하여 설명한다.Next, the processing method of the wafer W performed using the coating-development processing system 1 comprised as mentioned above is demonstrated.

먼저, 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가, 카세트 스테이션(2)의 소정의 카세트 재치판(11)에 재치된다. 이 후, 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차적으로 취출되고, 처리 스테이션(3)의 제 3 블록(G3)의 예를 들면 전달 장치(53)로 반송된다.First, the cassette C containing the plurality of wafers W is placed on a predetermined cassette mounting plate 11 of the cassette station 2. Thereafter, the wafers W in the cassette C are sequentially taken out by the wafer transfer device 21, and transferred to the transfer device 53, for example, of the third block G3 of the processing station 3. do.

이어서 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되고, 온도 조절된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 장치(31)로 반송되고, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되고, 가열되어, 온도 조절되고, 이 후 제 3 블록(G3)의 전달 장치(53)로 되돌려진다. 또한, 열처리 장치(40)에서의 웨이퍼(W)의 열처리의 상세에 대해서는 후술한다.Subsequently, the wafer W is conveyed to the heat processing apparatus 40 of the 2nd block G2 by the wafer conveyance apparatus 70, and is temperature-controlled. Thereafter, the wafer W is conveyed to the lower antireflection film forming apparatus 31 of the first block G1 by the wafer transport device 70, and a lower antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2, heated, temperature-controlled, and then returned to the delivery device 53 of the third block G3. In addition, the detail of the heat processing of the wafer W in the heat processing apparatus 40 is mentioned later.

이어서 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 동일한 제 3 블록(G3)의 전달 장치(54)로 반송된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 애드히젼 장치(41)로 반송되고, 애드히젼 처리된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로 반송되고, 온도 조절된다.Subsequently, the wafer W is conveyed by the wafer conveyance apparatus 90 to the delivery apparatus 54 of the same 3rd block G3. Thereafter, the wafer W is conveyed to the adhering device 41 of the second block G2 by the wafer conveying device 70, and subjected to an adhering process. Thereafter, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 40 by the wafer conveyance apparatus 70 and temperature-controlled.

이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 레지스트 도포 장치(32)로 반송되고, 회전 중의 웨이퍼(W) 상에 레지스트액을 도포하여, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다.Thereafter, the wafer W is conveyed to the resist coating device 32 by the wafer transfer device 70, and the resist liquid is applied onto the wafer W during rotation to form a resist film on the wafer W. .

이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로 반송되어, 프리 베이크 처리된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 3 블록(G3)의 전달 장치(55)로 반송된다.After that, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 40 by the wafer conveyance apparatus 70, and is prebaked. Thereafter, the wafer W is conveyed to the delivery device 55 of the third block G3 by the wafer transfer device 70.

이어서 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 상부 반사 방지막 형성 장치(33)로 반송되고, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로 반송되고, 가열되어, 온도 조절된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 주변 노광 장치(42)로 반송되고, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막의 주연부에 대하여 주변 노광 처리가 행해진다.Subsequently, the wafer W is conveyed to the upper antireflection film forming apparatus 33 by the wafer transfer device 70, and an upper antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 40 by the wafer conveyance apparatus 70, heated, and temperature-controlled. Thereafter, the wafer W is transferred to the peripheral exposure apparatus 42 by the wafer transfer device 70, and the peripheral exposure treatment is performed on the peripheral portion of the resist film on the wafer W.

이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 3 블록(G3)의 전달 장치(56)로 반송된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 전달 장치(52)로 반송되고, 셔틀 반송 장치(80)에 의해 제 4 블록(G4)의 전달 장치(62)로 반송된다.Thereafter, the wafer W is conveyed to the delivery device 56 of the third block G3 by the wafer transport device 70. Thereafter, the wafer W is conveyed to the delivery device 52 by the wafer conveyance device 90, and conveyed by the shuttle conveying device 80 to the delivery device 62 of the fourth block G4.

이 후 웨이퍼(W)는, 인터페이스 스테이션(5)의 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(4)로 반송되고, 노광 처리된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the exposure apparatus 4 by the wafer transfer apparatus 100 of the interface station 5, and subjected to the exposure process.

이어서 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(4)로부터 제 4 블록(G4)의 전달 장치(60)로 반송된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로 반송되고, 노광 후 베이크 처리된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 현상 장치(30)로 반송되고, 현상된다. 현상 종료 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로 반송되고, 포스트 베이크 처리된다.Subsequently, the wafer W is conveyed from the exposure apparatus 4 to the delivery device 60 of the fourth block G4 by the wafer transport apparatus 100. Thereafter, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 40 by the wafer conveyance apparatus 70 and baked after exposure. Thereafter, the wafer W is transferred to the developing apparatus 30 by the wafer transfer device 70 and developed. After the end of development, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, and post-baked.

이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 3 블록(G3)의 전달 장치(50)로 반송되고, 이 후, 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 소정의 카세트 재치판(11)의 카세트(C)로 반송된다. 이렇게 하여, 일련의 포토리소그래피 공정이 종료된다.Thereafter, the wafer W is conveyed to the delivery device 50 of the third block G3 by the wafer transport device 70, and then predetermined by the wafer transport device 21 of the cassette station 2. It is conveyed to the cassette C of the cassette placing plate 11 of. In this way, a series of photolithography processes are complete | finished.

이어서, 상술한 열처리 장치(40)에서의 웨이퍼(W)의 열처리에 대하여 설명한다. 열처리 장치(40)에서는 프리 베이크 처리, 노광 후 베이크 처리, 포스트 베이크 처리, 하부 반사 방지막 또는 상부 반사 방지막을 형성 후의 열처리 등 다양한 열처리가 행해지지만, 이들 열처리 방법은 동일하다.Next, the heat processing of the wafer W in the heat processing apparatus 40 mentioned above is demonstrated. In the heat treatment apparatus 40, various heat treatments, such as a prebaking process, a post-exposure bake process, a post-baking process, a heat treatment after forming a lower antireflection film or an upper antireflection film, are performed, but these heat treatment methods are the same.

먼저, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 웨이퍼(W)가 열처리 장치(40)로 반송된다. 이 때, 각 냉각 기구(240, 241)는 냉각 위치에서 대기하고 있다. 열처리 장치(40) 내로 반입된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)의 반송 암(71)이 하강하여 제 1 냉각 기구(240)로 전달된다.First, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 40 by the wafer conveyance apparatus 70. At this time, the cooling mechanisms 240 and 241 are waiting at the cooling position. The wafer W carried into the heat treatment apparatus 40 is transferred to the first cooling mechanism 240 by the lowering of the transfer arm 71 of the wafer transfer apparatus 70.

이 후, 제 1 냉각 기구(240)는 이동 기구(251)에 의해 제 1 가열부(210) 방향으로 이동하고, 제 1 가열부(210)의 상방의 전달 위치까지 이동한다. 그리고, 웨이퍼(W)는 미리 상승하여 대기하고 있던 승강 핀(232)으로 전달되고, 제 1 냉각 기구(240)는 냉각 위치로 이동한다. 이 때, 제 1 냉각 기구(240)에 형성된 슬릿(260)에 의해, 제 1 냉각 기구(240)는 승강 핀(232)과 간섭하지 않는다. 이어서 승강 핀(232)이 하강하여, 웨이퍼(W)가 열처리 기구(220) 상에 재치된다.Thereafter, the first cooling mechanism 240 moves in the direction of the first heating unit 210 by the moving mechanism 251, and moves to the delivery position above the first heating unit 210. Then, the wafer W is transferred to the lifting pins 232 that have been raised and waiting in advance, and the first cooling mechanism 240 moves to the cooling position. At this time, the slit 260 formed in the first cooling mechanism 240 does not interfere with the lifting pins 232. Then, the lifting pins 232 are lowered, and the wafer W is placed on the heat treatment mechanism 220.

이 후, 덮개체(230)를 닫아 내부가 밀폐된 열처리실(K)을 형성한다. 그리고, 열처리 기구(220)에 의해 웨이퍼(W)가 소정의 온도로 가열된다.Thereafter, the lid 230 is closed to form a heat treatment chamber K in which the inside is sealed. Then, the wafer W is heated to a predetermined temperature by the heat treatment mechanism 220.

한편, 제 1 냉각 기구(240)가 전달 위치로 이동함으로써, 도 6에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 반송 장치(70)가 제 2 냉각 기구(241)에 액세스 가능하게 된다. 따라서, 제 1 냉각 기구(240)의 전달 위치로의 이동하고 있는 동안에, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 다른 웨이퍼(W)가 제 2 냉각 기구(241)로 전달된다. 이 후, 제 2 냉각 기구(241)는 이동 기구(251)에 의해 제 2 가열부(211) 방향으로 이동하고, 제 2 가열부(211)의 상방의 전달 위치까지 이동한다. 그리고, 이 다른 웨이퍼(W)도 제 2 가열부(211)의 승강 핀(232)으로 전달되고, 제 1 냉각 기구(240)의 경우와 마찬가지로 하여, 웨이퍼(W)가 제 2 가열부(211)의 열처리 기구(220) 상에 재치되고, 가열 처리된다.On the other hand, as the first cooling mechanism 240 moves to the delivery position, as shown in FIG. 6, the wafer transfer device 70 becomes accessible to the second cooling mechanism 241. Thus, while moving to the delivery position of the first cooling mechanism 240, the other wafer W is transferred to the second cooling mechanism 241 by the wafer transfer device 70. Thereafter, the second cooling mechanism 241 moves in the direction of the second heating unit 211 by the moving mechanism 251, and moves to the delivery position above the second heating unit 211. And this other wafer W is also transmitted to the lifting pin 232 of the 2nd heating part 211, and the wafer W is the 2nd heating part 211 similarly to the case of the 1st cooling mechanism 240. FIG. ) Is placed on a heat treatment mechanism 220 and is heated.

열처리 기구(220)에 의해 웨이퍼(W)의 가열 처리가 종료되면, 당해 웨이퍼(W)는 승강 핀(232)에 의해 상승하여 대기하고 있다. 이 후, 제 1 냉각 기구(240)가 열처리 기구(220)의 상방의 전달 위치까지 이동한다. 그리고, 승강 핀(232)이 하강하여, 웨이퍼(W)가 제 1 냉각 기구(240) 상에 재치된다.When the heat treatment of the wafer W is completed by the heat treatment mechanism 220, the wafer W is lifted up by the lifting pins 232 to stand by. Thereafter, the first cooling mechanism 240 moves to a transfer position above the heat treatment mechanism 220. Then, the lifting pins 232 are lowered, and the wafer W is placed on the first cooling mechanism 240.

이 후, 웨이퍼(W)를 재치한 제 1 냉각 기구(240)는 냉각 위치까지 이동한다. 이 이동 중, 웨이퍼(W)는 제 1 냉각 기구(240)에 의해 냉각된다. 또한, 웨이퍼(W)는 냉각 위치에서도 계속 냉각된다.Thereafter, the first cooling mechanism 240 on which the wafer W is placed moves to the cooling position. During this movement, the wafer W is cooled by the first cooling mechanism 240. In addition, the wafer W is continuously cooled even in the cooling position.

소정의 온도로 냉각된 웨이퍼(W)는, 제 1 냉각 기구(240)로부터 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로부터 반출되고, 열처리가 종료된다. 이어서, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 1 냉각 기구(240)에 새로운 웨이퍼(W)가 재치되고, 제 1 냉각 기구(240)가 제 1 가열부(210)의 상방의 전달 위치까지 이동한다. 이에 의해, 웨이퍼 반송 장치(70)가 제 2 냉각 기구(241)에 액세스 가능하게 되고, 제 2 냉각 기구(241) 상의 웨이퍼(W)가 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로부터 반출된다. 그리고, 다시 새로운 웨이퍼(W)가 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 냉각 기구(241)로 전달되고, 열처리 장치(40)에서의 일련의 웨이퍼(W)의 열처리가 반복하여 행해진다.The wafer W cooled to a predetermined temperature is carried out from the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70 from the first cooling mechanism 240, and the heat treatment ends. Subsequently, a new wafer W is placed on the first cooling mechanism 240 by the wafer transfer device 70, and the first cooling mechanism 240 moves to a transfer position above the first heating unit 210. . Thereby, the wafer conveyance apparatus 70 becomes accessible to the 2nd cooling mechanism 241, and the wafer W on the 2nd cooling mechanism 241 is removed from the heat processing apparatus 40 by the wafer conveyance apparatus 70. As shown in FIG. It is taken out. Then, the new wafer W is transferred to the second cooling mechanism 241 by the wafer transfer device 70, and the heat treatment of the series of wafers W in the heat treatment device 40 is repeatedly performed.

이상의 제 1 실시예에 의하면, 냉각부(212)를 사이에 두고 제 1 가열부(210)와 제 2 가열부(211)를 배치하고 있다. 또한, 냉각 기구(240, 241)는 상하 방향으로 나란히 설치되고, 당해 냉각 기구(240, 241)를 각 가열부(210, 211)와의 사이에서 이동시키는 이동 기구를 가지고 있다. 따라서, 예를 들면 2 개의 가열부(210, 211)를 설치할 시, 종래와 같이 냉각 기구를 평면적으로 2 개 설치할 필요가 없다. 따라서, 열처리 장치(40)의 풋프린트를 저감할 수 있다.According to the first embodiment described above, the first heating unit 210 and the second heating unit 211 are disposed with the cooling unit 212 interposed therebetween. In addition, the cooling mechanisms 240 and 241 are provided side by side in the up-down direction, and have the movement mechanism which moves the said cooling mechanisms 240 and 241 between each heating part 210 and 211. FIG. Therefore, when installing two heating parts 210 and 211, for example, it is not necessary to provide two cooling mechanisms in planar manner like conventionally. Therefore, the footprint of the heat treatment apparatus 40 can be reduced.

또한 예를 들면 도 5에서, 웨이퍼 반송 장치(70)의 액세스는, 처리 용기(200)의 이동 기구(251)가 설치되어 있는 웨이퍼 반송 영역(D)의 반대측만 제한되고, 반송 영역(D)측의 측면, 제 1 가열부(210)측의 측면 및 제 2 가열부(211)측의 측면으로부터의 액세스는 제한되지 않는다. 이 때문에, 열처리 장치(40)에 대한 웨이퍼 반송 장치(70)의 배치의 자유도가 향상된다. 그 결과, 열처리 장치(40) 주변의 기기 레이아웃을 최적화하여 풋프린트의 증가를 최소한으로 할 수 있다.For example, in FIG. 5, the access of the wafer conveyance apparatus 70 is limited only to the opposite side of the wafer conveyance area | region D in which the movement mechanism 251 of the processing container 200 is provided, and the conveyance area | region D Access from the side of the side, the side of the first heating unit 210 side, and the side of the second heating unit 211 side is not limited. For this reason, the freedom degree of arrangement | positioning of the wafer conveyance apparatus 70 with respect to the heat processing apparatus 40 improves. As a result, the device layout around the heat treatment apparatus 40 can be optimized to minimize the increase in footprint.

또한, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)에 각각 레일(252)과 이동 기구(251)가 설치되어 있으므로, 각각의 이동 기구(251, 251)가 서로 간섭하지 않고 이동할 수 있다.In addition, since the rails 252 and the moving mechanism 251 are provided in the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241, respectively, the moving mechanisms 251 and 251 can move without interfering with each other. have.

또한 이상의 제 1 실시예에서는, 제 1 가열부(210)와 제 2 가열부(211)의 사이에, 냉각부(212)로서 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)를 설치하고 있었지만, 제 1 가열부(210)와 제 2 가열부(211)에 공통하여, 제 1 냉각 기구(240)만을 설치하도록 해도 된다. 이러한 경우, 한 개의 레일(252)이 제 1 가열부(210)로부터 제 2 가열부(211)까지 연장되어 설치된다. 이 경우에도, 제 1 냉각 기구(240)가 제 1 가열부(210)로부터 제 2 가열부(211)까지를 자유롭게 이동할 수 있으므로, 1 개의 냉각 기구에 의해, 2 개의 열처리 기구(220)에 대한 웨이퍼(W)의 반송 및 당해 웨이퍼(W)의 냉각을 처리할 수 있다.In the first embodiment described above, the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 are provided as the cooling unit 212 between the first heating unit 210 and the second heating unit 211. Although doing so, you may provide only the 1st cooling mechanism 240 in common with the 1st heating part 210 and the 2nd heating part 211. FIG. In this case, one rail 252 extends from the first heating unit 210 to the second heating unit 211. Also in this case, since the 1st cooling mechanism 240 can move freely from the 1st heating part 210 to the 2nd heating part 211, by 1 cooling mechanism, with respect to the two heat processing mechanisms 220 The conveyance of the wafer W and the cooling of the wafer W can be processed.

이상의 제 1 실시예에서는, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)만을 상하 방향으로 다단으로 배치했지만, 제 1 가열부(210) 및 제 2 가열부(211)도 상하 방향으로 다단으로 배치해도 된다. 복수의 제 1 가열부(210), 제 2 가열부(211) 및 냉각부(212)를 다단으로 배치할 경우의 예로서는, 복수의 냉각 기구(240, 241)를 예를 들면 도 7에 도시한 바와 같이 동일한 수직선 형상으로 다단으로 배치하고, 이들 냉각 기구(240, 241)를 사이에 두고 복수의 열처리 기구(220)를 다단으로 배치하는 것을 제안할 수 있다. 이러한 경우, 냉각 기구(240, 241)를 사이에 두고 배치하는 열처리 기구(220)의 높이 방향의 위치를, 좌측과 우측에서 서로 동일하게 할 필요는 없고, 도 7에 도시한 바와 같이 지그재그 형상이 되도록 해도 된다. 제 1 가열부(210), 제 2 가열부(211) 및 냉각부(212)를 다단으로 배치함으로써, 열처리 기구(220) 또는 냉각 기구(240, 241)의 설치수를 증가시켜도 열처리 장치(40)의 풋프린트가 증가하지 않는다. 또한, 열처리 기구(220)를 지그재그 형상으로 배치함으로써, 각 냉각 기구(240, 241)의 상하 방향의 간격을 좁힐 수 있으므로, 열처리 장치(40)의 높이도 저감할 수 있다.In the above first embodiment, only the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 are arranged in multiple stages in the vertical direction, but the first heating unit 210 and the second heating unit 211 also move in the vertical direction. You may arrange in multiple stages. As an example in the case where the several 1st heating part 210, the 2nd heating part 211, and the cooling part 212 are arrange | positioned in multiple stages, the some cooling mechanism 240, 241 is shown, for example in FIG. As described above, it may be proposed to arrange the plurality of heat treatment mechanisms 220 in multiple stages with the same vertical line shape and to arrange the cooling mechanisms 240 and 241 therebetween. In this case, the position in the height direction of the heat treatment mechanism 220 arranged with the cooling mechanisms 240 and 241 interposed therebetween does not need to be the same on the left and the right side, and as shown in FIG. It may be possible. By arrange | positioning the 1st heating part 210, the 2nd heating part 211, and the cooling part 212 in multiple stages, even if the installation number of the heat processing mechanism 220 or the cooling mechanisms 240 and 241 is increased, the heat processing apparatus 40 ) Does not increase the footprint. In addition, by arranging the heat treatment mechanism 220 in a zigzag shape, the interval between the cooling mechanisms 240 and 241 in the vertical direction can be narrowed, so that the height of the heat treatment apparatus 40 can be reduced.

또한, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)는 반드시 상하 방향으로 배치할 필요는 없고, 예를 들면 도 8에 도시한 바와 같이, 평면에서 봤을 때 서로 이웃하도록 배치해도 된다. 냉각 기구(240, 241)를 이웃하여 배치할 시, 각 열처리 기구(220)를 상하 방향으로 다단으로 배치할 경우에는, 예를 들면 도 9에 도시한 바와 같이, 각 냉각 기구(240, 241)를 사이에 두고 배치된 각 열처리 기구(220) 및 덮개체(230)의 높이가 동일하게 되도록 배치해도 된다. 또한 도 9에서는, 제 1 냉각 기구(240)를 상하 방향으로 복수 배치하고, 제 2 냉각 기구(241)를, 제 1 냉각 기구(240)와 이웃하는 위치에, 상하 방향으로 복수 배치한 경우의 예에 대하여 도시하고 있다.In addition, the 1st cooling mechanism 240 and the 2nd cooling mechanism 241 do not necessarily need to be arrange | positioned in an up-down direction, For example, as shown in FIG. 8, you may arrange | position so that they may mutually adjoin in plan view. When arranging the cooling mechanisms 240 and 241 next to each other, when arrange | positioning each heat treatment mechanism 220 in multiple stages in the up-down direction, as shown, for example in FIG. 9, each cooling mechanism 240 and 241 is shown. You may arrange | position so that the height of each heat processing mechanism 220 and the cover body 230 arrange | positioned through the same may be the same. In addition, in FIG. 9, when the 1st cooling mechanism 240 is arrange | positioned in the up-down direction, and the 2nd cooling mechanism 241 is arrange | positioned in the up-down direction at the position adjacent to the 1st cooling mechanism 240, An example is shown.

또한, 평면에서 봤을 때 최상단에 배치되는 열처리 기구(220) 및 냉각 기구(240, 241)를 도 8과 같이 배치한 경우라도, 예를 들면 도 10에 도시한 바와 같이, 하단에 설치하는 열처리 기구(220) 및 냉각 기구(240, 241)를, 측면에서 봤을 때 교호로 엇갈리게 되도록 지그재그 형상으로 배치해도 된다. 가열부(210, 211)는 열처리 기구(220)와 덮개체(230)에 의해 구성되기 때문에, 배치에는 소정의 높이가 필요하게 되는 한편, 냉각 기구(240, 241)는 당해 냉각 기구(240, 241)의 두께와 이동 기구(251)의 높이가 가열부(210, 211)와 비교하여 낮기 때문에, 가열부(210, 211)보다 설치 높이가 낮다. 이 때문에, 도 9와 같이 열처리 기구(220)와 냉각 기구(240, 241)를 높이 방향으로 교호로 설치함으로서, 열처리 장치(40) 전체의 높이를 저감할 수 있다.In addition, even when the heat treatment mechanism 220 and the cooling mechanisms 240 and 241 arranged at the top in plan view are arranged as shown in FIG. 8, for example, as shown in FIG. The 220 and the cooling mechanisms 240 and 241 may be arranged in a zigzag shape so as to alternate with each other when viewed from the side. Since the heating parts 210 and 211 are comprised by the heat processing mechanism 220 and the lid | cover body 230, a predetermined height is needed for arrangement | positioning, while the cooling mechanism 240 and 241 provide the said cooling mechanism 240, Since the thickness of 241 and the height of the moving mechanism 251 are low compared with the heating parts 210 and 211, the installation height is lower than the heating parts 210 and 211. For this reason, the height of the heat processing apparatus 40 whole can be reduced by providing the heat processing mechanism 220 and cooling mechanisms 240 and 241 alternately in a height direction like FIG.

또한, 열처리 장치(40)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 반입출을 행하는 웨이퍼 반송 장치(70)는, 당해 웨이퍼 반송 장치(70)를 승강 동작시키기 위한 기구를 수용하는 스페이스의 관계상, 도포 현상 처리 시스템(1)의 상단에서 하단까지 이동할 수 없다. 이 때문에, 열처리 장치(40)에서 열처리 기구(220) 및 냉각 기구(240, 241)를 상하 방향으로 다단으로 배치한 경우, 웨이퍼 반송 장치(70)는, 최하단에 배치한 냉각 기구(240, 241) 및 최상단에 배치한 냉각 기구(240, 241)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 없는 경우가 있다. 이러한 경우, 냉각 기구(240, 241)를 열처리 장치(40)의 처리 용기(200) 내에서 수직 방향으로 이동시키는 구동 기구를 설치해도 된다.In addition, the wafer conveyance apparatus 70 which carries in / out of the wafer W between the heat processing apparatus 40 is a coating phenomenon in view of the space which accommodates the mechanism for raising / lowering the said wafer conveyance apparatus 70. It is not possible to move from the top to the bottom of the processing system 1. For this reason, when the heat processing mechanism 220 and the cooling mechanisms 240 and 241 are arrange | positioned in the multistage in the up-down direction in the heat processing apparatus 40, the wafer conveying apparatus 70 arranges the cooling mechanisms 240 and 241 at the lowest stage. ) And the wafer W may not be transferred between the cooling mechanisms 240 and 241 arranged at the uppermost stage. In such a case, a drive mechanism for moving the cooling mechanisms 240 and 241 in the processing container 200 of the heat treatment apparatus 40 in the vertical direction may be provided.

구체적으로, 예를 들면 레일(252)과 이동 기구(251)를 지지판의 상면에 배치하고, 당해 지지판을 승강 이동시키는 구동 기구를 처리 용기(200) 내에 별도 설치한다. 이렇게 함으로써, 냉각 기구(240, 241)를 상승 또는 하강시켜, 도포 현상 처리 시스템(1)의 하한 위치 또는 상한 위치에 있는 웨이퍼 반송 기구(70)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 그 결과, 도포 현상 처리 시스템(1)의 상하 방향의 스페이스를 유효하게 완전히 사용할 수 있으므로, 예를 들면 단위 면적당에 설치할 수 있는 열처리 기구(220)의 수를 최대화할 수 있다.Specifically, for example, the rail 252 and the movement mechanism 251 are disposed on the upper surface of the support plate, and a drive mechanism for raising and lowering the support plate is separately provided in the processing container 200. In this way, the cooling mechanisms 240 and 241 can be raised or lowered and the wafer W can be transferred between the wafer transfer mechanism 70 at the lower limit position or the upper limit position of the coating and developing processing system 1. As a result, since the space in the vertical direction of the coating and developing treatment system 1 can be effectively used completely, for example, the number of heat treatment mechanisms 220 that can be installed per unit area can be maximized.

또한, 웨이퍼 반송 장치(70)와의 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 냉각 기구(240, 241)만을 승강 이동시키므로, 구동 기구를 최소한의 것으로 할 수 있다.Moreover, since only the cooling mechanisms 240 and 241 which transfer the wafer W with the wafer conveyance apparatus 70 are moved up and down, a drive mechanism can be made the minimum.

또한, 냉각 기구(240, 241)를 승강 가능하게 구성할 경우, 냉각 기구(240, 241)는 예를 들면 메인터넌스 시 등에 수동으로 승강 조작할 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 웨이퍼 반송 장치(70)에서는 액세스할 수 없는 냉각 기구(240, 241)에, 메인터넌스 시에도 액세스할 수 있다.When the cooling mechanisms 240 and 241 are configured to be liftable, it is preferable that the cooling mechanisms 240 and 241 can be manually lifted and operated, for example, during maintenance. In this way, the cooling mechanisms 240 and 241 which cannot be accessed by the wafer transfer apparatus 70 can be accessed at the time of maintenance.

혹은 메인터넌스 시에는, 웨이퍼 반송 장치(70)에서는 액세스할 수 없는 위치에 있는 냉각 기구(240, 241)를, 자동적으로 웨이퍼 반송 장치(70)로 액세스 가능한 위치까지 승강 이동하도록 해도 된다.Alternatively, during maintenance, the cooling mechanisms 240 and 241 located at positions which cannot be accessed by the wafer transfer apparatus 70 may be moved up and down automatically to a position accessible by the wafer transfer apparatus 70.

(제 2 실시예)(Second Embodiment)

이하에, 본 발명의 제 2 실시예에 대하여 설명한다. 여기서, 제 1 실시예와 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 요소에서는 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.The second embodiment of the present invention will be described below. Here, in the elements having substantially the same functional configuration as the first embodiment, the same reference numerals are used to omit duplicate explanation.

도 12에 도시한 바와 같이, 처리 용기(200)의 냉각부(212)는 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)를 가지고 있다. 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)는 상하 방향으로 다단으로 배치되어 있다. 제 1 냉각 기구(240)의 상면은 웨이퍼(W)를 재치하여 냉각하는 재치면이며, 웨이퍼(W)보다 직경이 작은 대략 원반 형상을 가지고 있다. 제 1 냉각 기구(240)의 하면측에는, 가열된 웨이퍼(W)를 대략 냉각하기 위하여, 예를 들면 냉매를 통류시키기 위한 도시하지 않은 냉매 유로가 형성되어 있다.As shown in FIG. 12, the cooling unit 212 of the processing container 200 has a first cooling mechanism 240 and a second cooling mechanism 241. The first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 are arranged in multiple stages in the vertical direction. The upper surface of the first cooling mechanism 240 is a mounting surface on which the wafer W is placed and cooled, and has a substantially disk shape having a diameter smaller than that of the wafer W. As shown in FIG. In the lower surface side of the 1st cooling mechanism 240, the coolant flow path which is not shown in figure, for example to let a refrigerant | coolant flows is formed in order to cool the heated wafer W substantially.

제 1 냉각 기구(240)는, 도 12에 도시한 바와 같이, 반입출구(201)와 반대측의 단부로서, 또한 제 1 가열부(210)와 제 2 가열부(211)의 사이에서의 제 1 가열부(210)측의 위치가 지지 부재(250)에 의해 지지되어 있다. 지지 부재(250)의 선단부에는, 당해 지지 부재(250) 선단부의 수직 하방에 배치된 이동 기구(251)가 장착되어 있다. 이동 기구(251)는 수직 방향으로 연장되는 회전축(252)을 가지고 있다. 지지 부재(250)는 이동 기구(251)의 회전축(252)을 중심으로서 회전 가능하게 되어 있다. 이 때문에, 제 1 냉각 기구(240)는 평면에서 봤을 때 당해 제 1 냉각 기구(240)의 재치면으로부터 이간한 위치에 설치된 이동 기구(251)의 회전축(252)을 회전의 중심(선회축)으로서 선회 동작할 수 있다. 이에 의해, 제 1 냉각 기구(240)는 제 1 가열부(210)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 위치(전달 위치)와, 제 1 가열부(210)와 제 2 가열부(211)의 사이의 위치(냉각 위치)와의 사이를 이동할 수 있다.As shown in FIG. 12, the 1st cooling mechanism 240 is an edge part on the opposite side to the carrying-in / out port 201, and is the 1st between the 1st heating part 210 and the 2nd heating part 211. FIG. The position of the heating part 210 side is supported by the support member 250. At the distal end of the supporting member 250, a moving mechanism 251 disposed below the vertical end of the supporting member 250 is mounted. The moving mechanism 251 has a rotating shaft 252 extending in the vertical direction. The supporting member 250 is rotatable about the rotating shaft 252 of the movement mechanism 251. For this reason, the 1st cooling mechanism 240 rotates the center of rotation (rotation axis) of the rotating shaft 252 of the moving mechanism 251 provided in the position separated from the mounting surface of the said 1st cooling mechanism 240 in plan view. It can operate as a turning. Thereby, the 1st cooling mechanism 240 is the position (transfer position) which transfers the wafer W between the 1st heating part 210, the 1st heating part 210, and the 2nd heating part 211. It can move between the position (cooling position) between.

제 1 냉각 기구(240)에는 2 개의 슬릿(260)이 형성되어 있다. 슬릿(260)은, 도 12에 도시한 바와 같이 제 1 냉각 기구(241)의 제 1 가열부(210)측의 단면으로부터 제 1 냉각 기구(240)의 중앙부 부근까지 형성되어 있다. 이 슬릿(260)은, 제 1 냉각 기구(240)가 선회 동작할 시의 궤적을 따르도록 원호 형상으로 형성되어 있다. 이에 의해, 도 13에 도시한 바와 같이, 제 1 냉각 기구(240)가 선회 동작에 의해 전달 위치로 이동했을 시, 당해 제 1 냉각 기구(240)가 제 1 가열부(210)의 승강 핀(232)과 간섭하는 것을 방지할 수 있다.Two slits 260 are formed in the first cooling mechanism 240. 12, the slit 260 is formed from the cross section by the side of the 1st heating part 210 of the 1st cooling mechanism 241 to the vicinity of the center part of the 1st cooling mechanism 240. As shown in FIG. This slit 260 is formed in circular arc shape so that the 1st cooling mechanism 240 may follow the trajectory at the time of turning operation. Thereby, as shown in FIG. 13, when the 1st cooling mechanism 240 moves to a delivery position by the turning operation, the said 1st cooling mechanism 240 raises | hangs the fin (of the 1st heating part 210). 232) can be prevented.

또한, 제 2 냉각 기구(241)는, 제 1 냉각 기구(240)와 좌우 대칭으로 구성되어 있고, 당해 제 2 냉각 기구(241)는, 제 2 가열부(211)측의 위치가 지지 부재(250)에 의해 지지되어 있다. 이 때문에, 이동 기구(251)도 제 2 가열부(211)측의 위치에 배치되어 있고, 제 1 냉각 기구(240)가 선회 동작할 시의 회전 중심(선회축)과 제 2 냉각 기구(241)가 선회 동작할 시의 회전 중심(선회축)의 위치는 상이하다. 그 외의 점은, 제 1 냉각 기구(240)와 동일한 구성을 가지고 있으므로 설명은 생략한다.The second cooling mechanism 241 is configured to be symmetrical with the first cooling mechanism 240, and the position of the second cooling mechanism 241 at the second heating part 211 side is a support member ( 250). For this reason, the moving mechanism 251 is also arrange | positioned at the position on the side of the 2nd heating part 211, and the rotation center (swivel shaft) and the 2nd cooling mechanism 241 at the time of the 1st cooling mechanism 240 swing operation | movement. The position of the rotation center (swivel axis) at the time of turning) is different. Since other points have the same structure as the 1st cooling mechanism 240, description is abbreviate | omitted.

이상의 제 2 실시예에 따르면, 제 1 냉각 기구(240)를 전달 위치와 냉각 위치의 사이에서 이동시킴에 있어서 이동 기구(251)에 의해 선회시킨다. 이 경우, 제 1 냉각 기구(240)를 선회시키기 위한 이동 기구(251)는, 제 1 냉각 기구(240)를 선회시킬 시의 회전축이 되는 위치에만 배치하면 된다. 이러한 경우, 열처리 장치(40) 외부의 웨이퍼 반송 장치(70)의 액세스 제한은, 이동 기구(251)가 배치되어 있는 방향만이 된다. 보다 구체적으로, 예를 들면 도 12에서, 웨이퍼 반송 장치(70)의 액세스는, 처리 용기(200)의 이동 기구(251)가 설치되어 있는 웨이퍼 반송 영역(D)의 반대측만 제한되고, 반송 영역(D)측의 측면, 제 1 가열부(210)측의 측면 및 제 2 가열부(211)측의 측면으로부터의 액세스는 제한되지 않는다. 이 때문에, 제 1 냉각 기구(240)를 열처리 기구(220)와의 사이에서 직선적으로 이동시키는 종래의 이동 기구와 비교하여, 웨이퍼 반송 장치(70)의 액세스 제한이 적다. 따라서, 열처리 장치(40)에 대한 웨이퍼 반송 장치(70)의 배치의 자유도가 향상된다. 그 결과, 열처리 장치(40) 주변의 기기 레이아웃을 최적화하여 풋프린트의 증가를 최소한으로 할 수 있다.According to the above second embodiment, the first cooling mechanism 240 is pivoted by the moving mechanism 251 in moving between the delivery position and the cooling position. In this case, the moving mechanism 251 for turning the 1st cooling mechanism 240 may be arrange | positioned only in the position used as the rotating shaft at the time of turning the 1st cooling mechanism 240. As shown in FIG. In this case, the access restriction of the wafer transfer apparatus 70 outside the heat treatment apparatus 40 becomes only the direction in which the movement mechanism 251 is arranged. More specifically, for example, in FIG. 12, the access of the wafer transfer device 70 is limited only to the opposite side of the wafer transfer region D in which the movement mechanism 251 of the processing container 200 is provided, and the transfer region is limited to the transfer region. Access from the side of the side (D), the side of the first heating unit 210 side, and the side of the second heating unit 211 side is not limited. For this reason, compared with the conventional moving mechanism which linearly moves the 1st cooling mechanism 240 with the heat processing mechanism 220, the access restriction of the wafer conveyance apparatus 70 is small. Therefore, the freedom degree of arrangement | positioning of the wafer conveyance apparatus 70 with respect to the heat processing apparatus 40 is improved. As a result, the device layout around the heat treatment apparatus 40 can be optimized to minimize the increase in footprint.

또한, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)가 좌우 대칭으로 구성되어 있으므로, 제 1 냉각 기구(240)의 이동 기구(251)를 제 1 가열부(210)측에, 제 2 냉각 기구(241)의 이동 기구(251)를 제 2 가열부(211)측에 배치함으로써, 각각의 이동 기구(251, 251)가 서로 간섭하지 않고 배치될 수 있다. 이 때문에, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)를 상하 방향으로 다단으로 배치할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 3 매분의 스페이스에 2 개의 가열부(210, 211)와 2 개의 냉각 기구(240, 241)를 설치할 수 있다. 한편, 종래와 같이 냉각 기구를 직선적으로 이동시킬 경우, 예를 들면 2 개의 가열부(210, 211)와 2 개의 냉각 기구(240, 241)를 배치하기 위해서는, 도 11에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 4 매분의 스페이스가 최소한 필요했다. 따라서 본 발명에 따르면, 열처리 장치(40) 그 자체의 풋프린트도 큰 폭으로 저감할 수 있다.Moreover, since the 1st cooling mechanism 240 and the 2nd cooling mechanism 241 are comprised symmetrically, the moving mechanism 251 of the 1st cooling mechanism 240 is made to the 1st heating part 210 side, By arranging the moving mechanism 251 of the second cooling mechanism 241 on the second heating part 211 side, the respective moving mechanisms 251 and 251 can be arranged without interfering with each other. For this reason, the 1st cooling mechanism 240 and the 2nd cooling mechanism 241 can be arrange | positioned in multiple steps in an up-down direction. As a result, the two heating parts 210 and 211 and the two cooling mechanisms 240 and 241 can be provided in the space for three sheets of the wafer W. As shown in FIG. On the other hand, when the cooling mechanism is linearly moved as in the prior art, for example, in order to arrange the two heating parts 210 and 211 and the two cooling mechanisms 240 and 241, as shown in FIG. At least four minutes of space was needed. Therefore, according to the present invention, the footprint of the heat treatment apparatus 40 itself can also be greatly reduced.

또한, 이상의 제 2 실시예에서는, 제 1 가열부(210)와 제 2 가열부(211)의 사이에, 냉각부(212)로서 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(240)를 설치하고 있었지만, 열처리 장치(40)에 대한 웨이퍼 반송 장치(70)의 배치의 자유도를 향상시킨다고 하는 관점에서 보면, 열처리 장치(40)의 처리 용기(200) 내에, 예를 들면 도 14에 도시한 바와 같이, 제 1 가열부(210)와 제 1 냉각 기구(240)만을 설치하도록 해도 된다. 이러한 경우에도, 처리 용기(200)의 웨이퍼 반송 영역(D)측의 측면, 제 1 가열부(210)측의 측면 및 제 1 냉각 기구(240)를 사이에 두고 제 1 가열부(210)의 반대측의 측면으로부터의 웨이퍼 장치(70)의 액세스는 제한되지 않는다.In the second embodiment described above, the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 240 are provided as the cooling unit 212 between the first heating unit 210 and the second heating unit 211. Although installed, the viewpoint of improving the freedom degree of arrangement | positioning of the wafer conveyance apparatus 70 with respect to the heat processing apparatus 40 is shown in the processing container 200 of the heat processing apparatus 40, for example as shown in FIG. As described above, only the first heating unit 210 and the first cooling mechanism 240 may be provided. Also in this case, the side surface of the processing container 200 of the side of the wafer conveyance area D, the side surface of the first heating unit 210 side, and the first cooling mechanism 240 of the first heating unit 210 are interposed therebetween. The access of the wafer apparatus 70 from the opposite side is not limited.

이상의 제 2 실시예에서는, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)만을 상하 방향으로 다단으로 배치했지만, 제 1 가열부(210) 및 제 2 가열부(211)도 상하 방향으로 다단으로 배치해도 된다. 복수의 제 1 가열부(210), 제 2 가열부(211) 및 냉각부(212)를 다단으로 배치할 경우의 예로서는, 복수의 냉각 기구(240, 241)를 예를 들면 도 15에 도시한 바와 같이 동일한 수직선 형상으로 다단으로 배치하고, 이들 냉각 기구(240, 241)를 사이에 두고 복수의 열처리 기구(220)를 다단으로 배치하는 것을 제안할 수 있다. 이러한 경우, 냉각 기구(240, 241)를 사이에 두고 배치하는 열처리 기구(220)의 높이 방향의 위치를, 좌측과 우측에서 서로 동일하게 할 필요는 없고, 도 15에 도시한 바와 같이 지그재그 형상이 되도록 해도 된다. 이 때, 도 12에 도시한 경우와 마찬가지로, 각 냉각 기구(240, 241)의 선회축은, 상하 방향으로 이웃하는 각 냉각 기구(240, 241)와의 사이에서 서로 상이한 위치로 하는 것이 바람직하다. 제 1 가열부(210), 제 2 가열부(211) 및 냉각부(212)를 다단으로 배치함으로써, 열처리 기구(220) 또는 냉각 기구(240, 241)의 설치수를 증가시켜도 열처리 장치(40)의 풋프린트가 증가하지 않는다. 또한, 열처리 기구(220)를 지그재그 형상으로 배치함으로써, 각 냉각 기구(240, 241)의 상하 방향의 간격을 좁힐 수 있으므로, 열처리 장치(40)의 높이도 저감할 수 있다.In the above second embodiment, only the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 are arranged in the multi-stage in the vertical direction, but the first heating part 210 and the second heating part 211 are also in the vertical direction. You may arrange in multiple stages. As an example in the case where the several 1st heating part 210, the 2nd heating part 211, and the cooling part 212 are arrange | positioned in multiple stages, the some cooling mechanism 240, 241 is shown, for example in FIG. As described above, it may be proposed to arrange the plurality of heat treatment mechanisms 220 in multiple stages with the same vertical line shape and to arrange the cooling mechanisms 240 and 241 therebetween. In this case, the position in the height direction of the heat treatment mechanism 220 arranged with the cooling mechanisms 240 and 241 interposed therebetween does not need to be the same on the left and the right side, and as shown in FIG. It may be possible. At this time, similarly to the case shown in FIG. 12, it is preferable that the pivot axes of the cooling mechanisms 240 and 241 be different from each other with the cooling mechanisms 240 and 241 neighboring in the vertical direction. By arrange | positioning the 1st heating part 210, the 2nd heating part 211, and the cooling part 212 in multiple stages, even if the installation number of the heat processing mechanism 220 or the cooling mechanisms 240 and 241 is increased, the heat processing apparatus 40 ) Does not increase the footprint. In addition, by arranging the heat treatment mechanism 220 in a zigzag shape, the interval between the cooling mechanisms 240 and 241 in the vertical direction can be narrowed, so that the height of the heat treatment apparatus 40 can be reduced.

또한, 종래와 같이 냉각 기구를 직선적으로 이동시킬 경우, 웨이퍼 반송 장치(70)가 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)의 웨이퍼(W)에 액세스하기 위해서는, 상하 방향의 이동뿐 아니라, 수평 방향의 이동도 필요했다. 그러나, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)를 상하 방향으로 다단으로 배치함으로써, 웨이퍼 반송 장치(70)가 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)의 웨이퍼(W)에 액세스 할 시 수평 방향으로 이동할 필요가 없어진다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 반송을 효율적으로 행하여, 웨이퍼(W) 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.In the case where the cooling mechanism is linearly moved as in the related art, the wafer transfer device 70 moves up and down in order to access the wafers W of the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241. In addition, horizontal movement was required. However, by arranging the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 in multiple stages in the vertical direction, the wafer transfer device 70 allows the wafers of the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 to lie. Access to (W) eliminates the need to move in the horizontal direction. For this reason, the conveyance of the wafer W process can be improved by conveying the wafer W efficiently.

이상의 제 2 실시예에서는, 제 1 냉각 기구(240)에는 2 개의 슬릿(260)이 형성되어 있었지만, 슬릿(260)의 배치 및 수는 승강 핀(232)의 수 및 배치에 맞춰 임의로 설정이 가능하다. 구체적으로, 예를 들면 도 16에 도시한 바와 같이, 승강 핀(232)의 배치가 도 12와는 상이할 경우, 당해 승강 핀(232)의 배치에 맞춰 제 1 냉각 기구(240)에 3 개의 슬릿(260)을 형성하도록 해도 된다.In the second embodiment described above, two slits 260 are formed in the first cooling mechanism 240, but the arrangement and number of the slits 260 can be arbitrarily set in accordance with the number and arrangement of the lifting pins 232. Do. Specifically, for example, as shown in FIG. 16, when the arrangement of the lifting pins 232 is different from that of FIG. 12, three slits in the first cooling mechanism 240 in accordance with the arrangement of the lifting pins 232. 260 may be formed.

또한, 제 1 냉각 기구(240)와 승강 핀(232)의 간섭을 방지하기 위해서는, 제 1 냉각 기구(240)에 슬릿(260)을 형성하는 것이 아닌, 제 1 냉각 기구(240)의 형상 그 자체를 원반 형상 이외의 형상으로 해도 된다. 구체적으로, 예를 들면 도 17에 도시한 바와 같이, 승강 핀(301)을 열처리 기구(220)의 외주연부 근방에 배치하고, 또한 제 1 냉각 기구(300)가 선회하여 이동했을 시 승강 핀(301)과 간섭하지 않도록, 당해 제 1 냉각 기구(300)의 형상을 외주부의 일부를 노치한 것으로 해도 된다. 이러한 경우, 제 1 냉각 기구(300)에 슬릿(260)이 불필요해진다. 그 결과, 제 1 냉각 기구(300)의 강도가 제 1 냉각 기구(240)와 비교하여 향상된다. 또한, 냉각 처리의 균일성에 대해서도 향상된다.In addition, in order to prevent the interference between the first cooling mechanism 240 and the lifting pins 232, the shape of the first cooling mechanism 240 is not formed in the first cooling mechanism 240. It is good also as a shape other than disk shape itself. Specifically, for example, as shown in FIG. 17, when the lifting pin 301 is disposed near the outer periphery of the heat treatment mechanism 220, and the first cooling mechanism 300 turns and moves, the lifting pin ( In order not to interfere with 301, the shape of the first cooling mechanism 300 may be notched by a part of the outer peripheral portion. In this case, the slit 260 is unnecessary for the first cooling mechanism 300. As a result, the strength of the first cooling mechanism 300 is improved compared to the first cooling mechanism 240. In addition, the uniformity of the cooling treatment is also improved.

또한 이상의 제 2 실시예에서는, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)의 이동 기구(251)의 배치를 평면에서 봤을 때 중첩되지 않도록 배치했지만, 예를 들면 도 18에 도시한 바와 같이, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)를 동일 형상으로 하고, 이동 기구(251)도 평면에서 봤을 때 동일한 위치에 상하 방향으로 배치해도 된다.In addition, in the above 2nd Example, although the arrangement | positioning of the movement mechanism 251 of the 1st cooling mechanism 240 and the 2nd cooling mechanism 241 is arrange | positioned so that it may not overlap in plan view, for example, as shown in FIG. As described above, the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 may have the same shape, and the movement mechanism 251 may also be disposed at the same position in the up and down direction in a plan view.

또한 이상의 제 2 실시예에서는, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)를 상하 방향으로 배치했지만, 예를 들면 도 19에 도시한 바와 같이, 열처리 기구(220)를 평면적으로 3 개 이상 설치할 경우에는, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)는 각 열처리 기구(220)의 사이에 배치하도록 해도 된다.In addition, although the 1st cooling mechanism 240 and the 2nd cooling mechanism 241 were arrange | positioned in the up-down direction in 2nd Example mentioned above, as shown, for example in FIG. When more than two are provided, the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 may be arranged between the respective heat treatment mechanisms 220.

또한, 각 열처리 기구(220)를 상하 방향으로 다단으로 배치할 경우에는, 예를 들면 도 20에 도시한 바와 같이, 각 열처리 기구(220) 및 덮개체(230)의 높이가 교호로 엇갈리도록 지그재그 형상으로 배치해도 된다. 이러한 경우, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)도 상하 방향으로 나란히 배치된다.In addition, when arrange | positioning each heat processing mechanism 220 in multistage in the up-down direction, for example, as shown in FIG. 20, the height of each heat processing mechanism 220 and the cover body 230 alternately staggers. You may arrange | position in shape. In this case, the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 are also arranged side by side in the vertical direction.

이상, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 적합한 실시예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허 청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종의 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 본 발명은 이 예에 한정하지 않고 다양한 태양을 채택할 수 있는 것이다. 본 발명은, 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판일 경우에도 적용할 수 있다.As mentioned above, although the preferred embodiment of this invention was described with reference to an accompanying drawing, this invention is not limited to this example. It will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. The present invention is not limited to this example, and various aspects can be adopted. The present invention can also be applied when the substrate is another substrate such as a FPD (flat panel display) other than a wafer, a mask reticle for a photomask, or the like.

1 : 도포 현상 처리 시스템
40 : 열처리 장치
70 : 웨이퍼 반송 장치
71 : 반송 암
210 : 제 1 가열부
211 : 제 2 가열부
212 : 냉각부
220 : 열처리 기구
221 : 히터
240 : 제 1 냉각 기구
241 : 제 2 냉각 기구
250 : 지지 부재
251 : 이동 기구
260 : 슬릿
300 : 제어부
W : 웨이퍼1: Coating development processing system
40: Heat treatment apparatus
70 wafer transfer device
71 bounce arm
210: first heating unit
211: second heating unit
212 cooling unit
220: heat treatment mechanism
221: heater
240: first cooling mechanism
241: second cooling mechanism
250 support member
251: moving mechanism
260 slit
300:
W: Wafer

Claims (32)

기판을 열처리하는 열처리 장치로서,
기판을 재치하여 냉각하는 냉각 기구와,
기판을 재치하여 열처리하는 제 1 열처리 기구와,
평면에서 봤을 때 상기 냉각 기구를 사이에 두고 상기 제 1 열처리 기구의 반대측에 설치된 제 2 열처리 기구와,
상기 냉각 기구를, 상기 각 열처리 기구 상방의 전달 위치와 기판을 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 이동시키는 이동 기구를 가지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.A heat treatment apparatus for heat treating a substrate,
A cooling mechanism for placing and cooling the substrate;
A first heat treatment mechanism for placing and heat treating the substrate;
A second heat treatment mechanism provided on an opposite side of the first heat treatment mechanism with the cooling mechanism therebetween in plan view,
And a moving mechanism for moving the cooling mechanism between the transfer position above each of the heat treatment mechanisms and the cooling position for cooling the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 냉각 기구는 상하 방향으로 복수 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 1,
A plurality of said cooling mechanism is provided in the up-down direction, The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 2 항에 있어서,
상기 각 열처리 기구는 상하 방향으로 복수 설치되고, 또한 상하 방향으로 복수 배치된 상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.3. The method of claim 2,
The said heat processing mechanism is provided in multiple numbers in the up-down direction, and is arrange | positioned across the said cooling mechanism arrange | positioned in the up-down direction, The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 3 항에 있어서,
상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치된 상기 각 열처리 기구는, 동일한 높이에 위치하지 않도록 교호로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 3, wherein
Each of the heat treatment mechanisms arranged with the cooling mechanism therebetween is arranged alternately so as not to be located at the same height. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 이동 기구는 상기 냉각 기구를 수평 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
And the moving mechanism moves the cooling mechanism in a horizontal direction. 제 5 항에 있어서,
상기 이동 기구와 함께 상기 냉각 기구를 수직 방향으로 이동시키는 구동 기구를 더 가지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 5, wherein
And a driving mechanism for moving the cooling mechanism in the vertical direction together with the moving mechanism. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 각 열처리 기구에는, 상기 전달 위치에 있어서 상기 냉각 기구와 기판의 전달을 행하는 승강 핀이 설치되고,
상기 냉각 기구에는, 상기 승강 핀을 삽입 관통시키기 위한 슬릿이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Each said heat treatment mechanism is provided with a lifting pin for transferring the cooling mechanism and the substrate at the transfer position,
The said cooling mechanism is provided with the slit for penetrating the said lift pin, The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned. 기판을 재치하여 냉각하는 냉각 기구와, 기판을 재치하여 열처리하는 제 1 열처리 기구와, 평면에서 봤을 때 상기 냉각 기구를 사이에 두고 상기 제 1 열처리 기구의 반대측에 설치된 제 2 열처리 기구와, 상기 냉각 기구를, 상기 각 열처리 기구 상방의 전달 위치와 기판을 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 이동시키는 이동 기구를 가지는 열처리 장치를 이용하여 기판을 열처리하는 열처리 방법으로서,
상기 냉각 기구 상에 재치된 기판을, 상기 이동 기구에 의해 제 1 열처리 기구 또는 제 2 열처리 기구 중 어느 하나의 상방의 전달 위치로 이동시키고,
상기 제 1 열처리 기구 또는 제 2 열처리 기구 중 어느 일방에 의해 기판을 열처리하고,
상기 열처리 후의 기판을 상기 냉각 기구 상에 재치하고,
상기 냉각 기구 상에 재치된 기판을, 상기 이동 기구에 의해 상기 냉각 위치로 이동시키고,
상기 냉각 위치에 있어서, 상기 냉각 기구에 의해 기판을 냉각하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.A cooling mechanism for placing and cooling the substrate, a first heat treatment mechanism for placing and heat treating the substrate, a second heat treatment mechanism provided on an opposite side of the first heat treatment mechanism with the cooling mechanism in plan view, and the cooling A heat treatment method for heat-treating a substrate using a heat treatment apparatus having a moving mechanism for moving the mechanism between a transfer position above each heat treatment mechanism and a cooling position for cooling the substrate.
The substrate mounted on the cooling mechanism is moved to a transfer position above either one of the first heat treatment mechanism and the second heat treatment mechanism by the transfer mechanism,
Heat-treating the substrate by either the first heat treatment mechanism or the second heat treatment mechanism;
The substrate after the heat treatment is placed on the cooling mechanism,
The substrate mounted on the cooling mechanism is moved to the cooling position by the moving mechanism,
In the cooling position, the substrate is cooled by the cooling mechanism. 제 8 항에 있어서,
상기 냉각 기구는 상하 방향으로 복수 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.The method of claim 8,
A plurality of said cooling mechanism is provided in the up-down direction, The heat processing method characterized by the above-mentioned. 제 9 항에 있어서,
상기 각 열처리 기구는 상하 방향으로 복수 설치되고, 또한 상하 방향으로 복수 배치된 상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.The method of claim 9,
The said heat processing mechanism is provided in multiple numbers in the up-down direction, and is arrange | positioned across the said cooling mechanism arrange | positioned in the up-down direction. 제 10 항에 있어서,
상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치된 상기 각 열처리 기구는, 동일한 높이에 위치하지 않도록 교호로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.11. The method of claim 10,
The said heat treatment mechanism arrange | positioned with the said cooling mechanism between them is arrange | positioned alternately so that it may not be located in the same height. 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 이동 기구는 상기 냉각 기구를 수평 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.The method according to any one of claims 8 to 11,
And the moving mechanism moves the cooling mechanism in a horizontal direction. 제 12 항에 있어서,
상기 이동 기구와 함께 상기 냉각 기구를 수직 방향으로 이동시키는 구동 기구를 더 가지는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.13. The method of claim 12,
And a drive mechanism for moving the cooling mechanism in the vertical direction together with the moving mechanism. 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 각 열처리 기구에는, 상기 전달 위치에 있어서 상기 냉각 기구와 기판의 전달을 행하는 승강 핀이 설치되고,
상기 냉각 기구에는, 상기 승강 핀을 삽입 관통시키기 위한 슬릿이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.The method according to any one of claims 8 to 11,
Each said heat treatment mechanism is provided with a lifting pin for transferring the cooling mechanism and the substrate at the transfer position,
The cooling mechanism is provided with a slit for inserting the lifting pins therethrough. 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 열처리 방법을 열처리 장치에 의해 실행시키기 위하여, 상기 열처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체.12. A readable computer storage medium storing a program operating on a computer of a control unit for controlling the heat treatment apparatus, in order to execute the heat treatment method according to any one of claims 8 to 11. 기판을 열처리하는 열처리 장치로서,
기판을 재치하여 열처리하는 열처리 기구와,
기판을 재치하여 냉각하는 냉각 기구와,
상기 냉각 기구를, 상기 열처리 기구 상방의 전달 위치와 기판을 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 선회시켜 이동시키는 이동 기구를 가지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.A heat treatment apparatus for heat treating a substrate,
A heat treatment mechanism for placing and heat treating the substrate;
A cooling mechanism for placing and cooling the substrate;
And a moving mechanism for moving the cooling mechanism between the transfer position above the heat treatment mechanism and the cooling position for cooling the substrate to move the cooling mechanism. 제 16 항에 있어서,
평면에서 봤을 때 상기 냉각 위치를 사이에 두고 상기 열처리 기구에 대향하여 배치된 다른 열처리 기구를 가지고,
상기 이동 기구는 상기 열처리 기구의 전달 위치, 상기 다른 열처리 기구의 전달 위치 및 냉각 위치 사이에서, 상기 냉각 기구를 선회시켜 이동시키는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.17. The method of claim 16,
With another heat treatment mechanism disposed opposite the heat treatment mechanism with the cooling position therebetween in plan view,
And the moving mechanism pivots and moves the cooling mechanism between the delivery position of the heat treatment mechanism, the delivery position of the other heat treatment mechanism, and the cooling position. 제 17 항에 있어서,
상기 냉각 기구의 선회축은, 평면에서 봤을 때 상기 냉각 기구의 기판 재치면으로부터 이간한 위치에 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 17,
The pivot axis of the said cooling mechanism is located in the position spaced apart from the board | substrate mounting surface of the said cooling mechanism in plan view. 제 18 항에 있어서,
상기 열처리 기구, 상기 다른 열처리 기구 및 상기 냉각 기구는 각각 다단으로 복수 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 18,
And a plurality of the heat treatment mechanisms, the other heat treatment mechanisms, and the cooling mechanisms are arranged in multiple stages, respectively. 제 19 항에 있어서,
상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치된 상기 각 열처리 기구는, 동일한 높이에 위치하지 않도록 교호로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 19,
Each of the heat treatment mechanisms arranged with the cooling mechanism therebetween is arranged alternately so as not to be located at the same height. 제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,
다단으로 복수 배치된 상기 냉각 기구의 선회축은, 상하 방향으로 이웃하는 냉각 기구와 상이한 위치에 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.21. The method according to claim 19 or 20,
The rotating shaft of the said cooling mechanism arrange | positioned in multiple at multiple stages exists in the position different from the cooling mechanism which adjoins in a vertical direction. 제 17 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열처리 기구 및 상기 다른 열처리 기구에는, 상기 전달 위치에 있어서 상기 냉각 기구와 기판의 전달을 행하는 승강 핀이 설치되고,
상기 냉각 기구에는, 상기 승강 핀을 삽입 관통시키기 위한 슬릿이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.21. The method according to any one of claims 17 to 20,
The heat treatment mechanism and the other heat treatment mechanism are provided with lifting pins for transferring the cooling mechanism and the substrate at the transfer position.
The said cooling mechanism is provided with the slit for penetrating the said lift pin, The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 22 항에 있어서,
상기 슬릿은, 상기 냉각 기구가 선회하는 궤적을 따라 원호 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.23. The method of claim 22,
The said slit is formed in circular arc shape along the track | route which the said cooling mechanism turns. The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned. 기판을 재치하여 열처리하는 열처리 기구와, 기판을 재치하여 냉각하는 냉각 기구와, 상기 냉각 기구를, 상기 열처리 기구 상방의 전달 위치와 기판을 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 선회시켜 이동시키는 이동 기구를 가지는 열처리 장치를 이용하여 기판을 열처리하는 열처리 방법으로서,
상기 냉각 기구 상에 재치된 기판을, 상기 이동 기구에 의해 상기 냉각 기구를 선회시켜 상기 열처리 기구 상방의 전달 위치로 이동시키고,
상기 열처리 기구에 의해 기판을 열처리하고,
상기 열처리 후의 기판을 상기 냉각 기구 상에 재치하고,
상기 냉각 기구 상에 재치된 기판을, 상기 이동 기구에 의해 상기 냉각 기구를 선회시켜 상기 냉각 위치로 이동시키고,
상기 냉각 위치에 있어서, 상기 냉각 기구에 의해 기판을 냉각하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.A heat treatment mechanism for placing and heat treating the substrate, a cooling mechanism for placing and cooling the substrate, and a moving mechanism that pivots and moves the cooling mechanism between a transfer position above the heat treatment mechanism and a cooling position for cooling the substrate. The branch has a heat treatment method for heat-treating the substrate using a heat treatment apparatus,
The substrate mounted on the cooling mechanism is moved by the moving mechanism to the transfer position above the heat treatment mechanism by turning the cooling mechanism.
Heat-treating the substrate by the heat treatment mechanism;
The substrate after the heat treatment is placed on the cooling mechanism,
The substrate placed on the cooling mechanism is moved to the cooling position by turning the cooling mechanism by the moving mechanism,
In the cooling position, the substrate is cooled by the cooling mechanism. 제 24 항에 있어서,
평면에서 봤을 때 상기 냉각 위치를 사이에 두고 상기 열처리 기구에 대향하여 배치된 다른 열처리 기구를 가지고,
상기 이동 기구는 상기 열처리 기구의 전달 위치, 상기 다른 열처리 기구의 전달 위치 및 냉각 위치 사이에서, 상기 냉각 기구를 선회시켜 이동시키는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.25. The method of claim 24,
With another heat treatment mechanism disposed opposite the heat treatment mechanism with the cooling position therebetween in plan view,
And the moving mechanism pivotally moves the cooling mechanism between the delivery position of the heat treatment mechanism, the delivery position of the other heat treatment mechanism, and the cooling position. 제 25 항에 있어서,
상기 냉각 기구의 선회축은, 평면에서 봤을 때 상기 냉각 기구의 기판 재치면으로부터 이간한 위치에 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.The method of claim 25,
The pivot axis of the said cooling mechanism is located in the position spaced apart from the board | substrate mounting surface of the said cooling mechanism in planar view. 제 26 항에 있어서,
상기 열처리 기구, 상기 다른 열처리 기구 및 상기 냉각 기구는 각각 다단으로 복수 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.27. The method of claim 26,
And a plurality of the heat treatment mechanisms, the other heat treatment mechanisms, and the cooling mechanisms, respectively, arranged in multiple stages. 제 27 항에 있어서,
상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치된 상기 각 열처리 기구는, 동일한 높이에 위치하지 않도록 교호로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.28. The method of claim 27,
The said heat treatment mechanism arrange | positioned with the said cooling mechanism between them is arrange | positioned alternately so that it may not be located in the same height. 제 27 항 또는 제 28 항에 있어서,
다단으로 복수 배치된 상기 냉각 기구의 선회축은, 상하 방향으로 이웃하는 냉각 기구와 상이한 위치에 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.29. The method of claim 27 or 28,
The pivot axis of the said cooling mechanism arrange | positioned in multiple at multiple stages exists in the position different from the cooling mechanism neighboring in a vertical direction. 제 24 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열처리 기구 및 상기 다른 열처리 기구에는, 상기 전달 위치에 있어서 상기 냉각 기구와 기판의 전달을 행하는 승강 핀이 설치되고,
상기 냉각 기구에는, 상기 승강 핀을 삽입 관통시키기 위한 슬릿이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.29. The method according to any one of claims 24 to 28,
The heat treatment mechanism and the other heat treatment mechanism are provided with lifting pins for transferring the cooling mechanism and the substrate at the transfer position.
The cooling mechanism is provided with a slit for inserting the lifting pins therethrough. 제 30 항에 있어서,
상기 슬릿은, 상기 냉각 기구가 선회하는 궤적을 따라 원호 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.31. The method of claim 30,
The slit is formed in an arc shape along the trajectory of the cooling mechanism. 제 24 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 기재된 열처리 방법을 열처리 장치에 의해 실행시키기 위하여, 상기 열처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체.29. A readable computer storage medium having stored thereon a program operating on a computer of a control unit for controlling the heat treatment apparatus, so that the heat treatment method according to any one of claims 24 to 28 is executed by the heat treatment apparatus.
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