KR20140018550A - 초고속 광 송수신 모듈 - Google Patents

초고속 광 송수신 모듈 Download PDF

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Abstract

본 발명은 저온에서 언 쿨드 광 트랜시브 모듈이 구동할 때 레이저 다이오드 칩이 주변 환경 온도영향을 받아 파장 천이 현상이 발생하고, CWDM 방식으로 통신 중 환경 온도가 낮아지면 통신이 불가능해지는 현상을 방지하기 위하여 스템 하부를 통과하여 레이저 다이오드에서 발생하는 열을 방출하는 히터 싱크 내부로 일정 깊이로 구멍을 형성하여 마이크로 히터를 넣어 온도를 보상하여 파장 천이를 방지하여 저전력 고효율의 효과를 나타낼 수 있도록 구성된 초고속 광 송수신 모듈에 관한 것이다.

Description

초고속 광 송수신 모듈{High Speed Optical Transceiver Module}
본 발명으로 스템(stem)과 레이저 다이오드 히터싱크(Stem heat sink)를 레이저 다이오드 핀(Pin) 모두와 전기적 분리(Electrical isolation) 구성을 접목시켜서 CWDM(Coarse Wavelength Division Multiplexing) 저밀도 파장분할 다중화 방식 통신을 구현할 때 저온 환경에서 채널간의 혼선을 막고 전송을 용이하게 해 주는 초고속 광 송수신 모듈에 관한 것이다.
저온에서 언 쿨드 광 트랜시브 모듈(Un-cooled Optical transceiver module)이 구동 할 때 주변 환경 온도가 레이저 다이오드(LD, LASER Diode) 칩(Chip)에 영향을 주어 레이저 다이오드에서 발생하는 빛의 파장 천이 현상이 발생된다. 즉, CWDM방식으로 통신 중 환경 온도가 낮아지면 통신이 불가능해지는 현상이 발생하는 문제점이 있다.
기존 구조에서 저온에서도 레이저 다이오드의 특성을 유지하기 위해선 보조 히터(Heater)를 사용하는데 그 위치는 RF 전송선로와 PCB연결 부위 사이에 위치하게 된다. 이는 곧 광 송수신 모듈이 높은 주파수(High frequency)로 가는데 있어서 RF 전송선로에 길이적인 제약을 주는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하려는 과제는 CWDM(Coarse Wavelength Division Multiplexing) 저밀도파장분할다중화 방식 통신을 구현할 때 마이크로 히터를 채용하여 저온 환경에서 채널간의 혼선을 막고 전송을 용이하게 하도록 하는데 있다.
본 발명이 해결하려는 또 다른 과제는 스템과 히터 싱크로부터 핀 리드(Pin lead) 모두를 유리 또는 절연체로 핀 리드 주위를 에워싸는 구성으로 전기적으로 분리(Electrical isolation)되게 구성하여 전기적 잡음을 줄이는데 있다.
본 발명이 해결하려는 또 다른 과제는 스템 하부를 통과하여 히터 싱크(Stem Heat Sink)로 형성된 구멍에 마이크로 히터(Micro Heater)를 넣어 온도를 보상하여 파장 천이를 방지하여 저전력 고효율의 효과를 나타내도록 하는데 있다.
본 발명이 해결하려는 또 다른 과제는 스템 히터 싱크(Stem Heat Sink)부분이 비워 있어서 열을 방출하는 단면적이 넓어지므로 열전달 효율이 올라가므로 별도의 마이크로 히터(Micro Heater)를 넣지 않고 고온에서 LD 칩(Chip) 온도가 올라가면 열을 쉽게 방출할 수 있어 발광 효율과 내구성을 높이는데 있다.
본 발명이 해결하려는 또 다른 과제는 기존에 보조 히터를 사용한 경우와 대비하여 긴 RF 전송선로를 줄일 수 있으므로 높은 주파수(High frequency)를 가는데 있어서 제약을 줄이는데 있다.
본 발명 과제의 해결 수단은 저온에서 언 쿨드 광 트랜시브 모듈(Un-cooled Optical transceiver module)이 구동할 때 주변 환경 온도의 영향을 받아 TO(Transistor Outline) 안에 레이저 다이오드 칩(LASER Diode Chip)이 영향을 받아 파장 천이 현상이 발생하고, CWDM 방식으로 통신 중 환경 온도가 낮아지면 통신이 불가능해지는 현상을 방지하기 위하여 스템 하부를 통과하여 레이저 다이오드에서 발생하는 열을 방출하는 히터 싱크(Stem Heat Sink) 내부로 일정 깊이로 구멍을 형성하여 마이크로 히터(Micro Heater)를 넣어 온도를 보상하여 파장 천이를 방지하여 저전력 고효율의 효과를 나타낼 수 있도록 구성된 초고속 광 송수신 모듈을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 과제의 해결 수단은 스템의 하부를 통과하여 히터 싱크(Stem Heat Sink)로 일정 깊이로 구멍을 형성하므로 레이저 다이오드에서 발생하는 열을 방출하는 단면적이 넓어지고 효율적인 열방출을 이룰 수 있으므로 열전달 효율이 높아져 고온에서 레이저 다이우드 칩의 온도가 올라갈 경우에 열을 쉽게 방출 할 수 있도록 구성된 초고속 광 송수신 모듈을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 과제의 해결 수단은 스템과 히터 싱크로부터 핀 리드(Pin lead) 모두를 유리 또는 절연체로 예워싸 전기적으로 분리(Electrical isolation)되도록 구성하여 시스템 내부의 전기적 잡음을 줄일 수 있는 초고속 광 송수신 모듈을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 과제의 해결 수단은 기존의 보조 히터를 사용할 경우에 발생하는 긴 RF 전송선로를 줄일 수 있으므로 높은 주파수(High frequency)로 데이터를 처리할 수 있는 초고속 광 송수신 모듈을 제공하는데 있다.
본 발명은 CWDM 저밀도파장분할다중화 방식 통신 구현할 때 마이크로 히터를 채용하여 저온 환경에서 채널간의 혼선을 막고 전송을 용이하게 하도록 하는데 있다.
본 발명의 또 다른 효과는 스템과 히터 싱크로부터 핀 리드(Pin lead) 모두를 유리 또는 절연체로 핀 리드 주위를 에워싸는 구성으로 전기적으로 분리(Electrical isolation)되게 구성하여 전기적 잡음을 줄이는데 있다.
본 발명의 또 다른 효과는 스템 하부를 통과하여 히터 싱크(Stem Heat Sink)로 형성된 구멍에 마이크로 히터(Micro Heater)를 넣어 온도를 보상하여 파장 천이를 방지하여 저전력 고효율의 효과를 나타내도록 하는데 있다.
본 발명의 또 다른 효과는 스템 히터 싱크(Stem Heat Sink)부분이 비워 있어서 열을 방출하는 단면적이 넓어지고, 열전달 효율이 올라가며, 외부로 효율적으로 열 방출을 이룰 수 있으므로 별도의 마이크로 히터(Micro Heater)를 넣지 않고 고온에서 LD 칩(Chip) 온도가 올라가면 열을 쉽게 방출할 수 있어 레이저 다이오드 발광 효율과 내구성을 높이는데 있다.
본 발명의 또 다른 효과는 기존에 보조 히터를 사용한 경우와 대비하여 긴 RF 전송선로를 줄일 수 있으므로 높은 주파수(High frequency)를 가는데 있어서 제약을 줄이는데 있다.
도 1은 본 발명에 따른 초고속 광 송수신 모듈을 위에서 본 평면도를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 초고속 광 송수신 모듈의 측면도를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 초고속 광 송수신 모듈의 저면도를 도시한 것이다.
도 4은 본 발명에 따른 초고속 광 송수신 모듈에서 구멍의 크기, 깊이 및 위치를 나타내고 있다.
도 5는 도 4를 보다 입체적으로 칼라로 도시한 것이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
11: 핀 리드(Pin lead) 12; 유리 또는 절연체
13; MPD(monitor photo device) 14; 구멍
15; 히트 싱크 16; 스템
21; 핀 리드 22; 히트 싱크
23; 구멍(empty space) 24; 스템
31; 구멍 32; 유리 또는 절연체
33; 핀 리드
41; 마이크로 히터
51; 레이저 다이오드 52; 레이저 다이오드 마운트
53; MPD(monitor photo diode)
본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 대하여 살펴본다.
본 발명에 따른 초고속 광 송수신 모듈은 스템 하부를 통과하여 레이저 다이오드에서 발생하는 열을 방출하는 히터 싱크(Heat Sink)로 일정 깊이로 구멍을 형성하여 마이크로 히터(Micro Heater)를 넣어 온도를 보상하여 파장 천이를 방지하여 저전력 고효율의 효과를 나타낼 수 있도록 구성되어 있다.
종래의 초고속 광 송수신 모듈은 주변 환경 온도의 영향을 받아 TO(Transistor Outline) 안에 레이저 다이오드 칩(LASER Diode Chip)이 열에 의하여 영향을 받아 파장 천이 현상이 발생한다.
즉, 파장 천이 현상에 의하여 CWDM 방식으로 통신 중 환경 온도가 낮아지면 통신이 불가능해지는 현상을 방지하기 위하여 RF 전송선로와 PCB연결 부위 사이에 보조히터를 설치하여 사용하나, 고전력이면서 설치공간을 많이 차지하는 문제점이 있었다.
또한, 본 발명은 스템과 히터 싱크로부터 핀 리드(Pin lead) 모두를 유리 또는 절연체를 이용하여 전기적으로 분리되게 구성하여 시스템 내부의 전기적 잡음을 줄일 수 있도록 구성되어 있다. 본 발명의 구체적인 실시 예를 살펴본다.
<실시 예>
본 발명에 따른 구체적인 실시 예를 도면에 기초하여 살펴본다. 도 1은 본 발명에 따른 초고속 광 송수신 모듈을 위에서 본 평면도를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 초고속 광 송수신 모듈의 측면도를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 초고속 광 송수신 모듈의 저면도를 도시한 것이다.
본 발명의 구성을 설명하기 전에 본 발명과 관련된 사항을 살펴본다.
열 전도성(Q, Heat conductivity)은 두께를 d [m]라 하고, 물체의 면적을 A [m2]라 하며, 양면의 온도를 T1, T2[℃]라 하고, 정상 상태에서 시간 t [h] 동안에 전해지는 열량 Q 는 전열면적, 온도 차, 시간에 비례하고 열이 이동하는 거리에 반비례한다. 수식은 (1)과 같이 주어진다.
Q = 2 × A × (T1-T2)/d --------- (1)
본 발명에 따른 초고속 광 송수신 모듈은 수식에 기초하여 스템과 히터싱크(도1의 15)의 단면적을 크게 형성하여 열 방출 면적을 넓게 형성하고, 레이저 다이오드(도 4의 41)에서 발생한 열이 이동하는 거리를 짧게 형성하여 방출효율을 높였다.
또한, 스템(도 1의 16) 하부를 통과하여 레이저 다이오드(도 1의 41)에서 발생하는 열을 방출하는 히터싱크(도 1의 15, Heat Sink) 내부로 일정 깊이를 가진 구멍(도 1의 14)을 형성하여 그 내부에 마이크로 히터(도 4의 41)를 설치하여 저 전력 고효율을 이룰 수 있도록 구성한다.
마이크로 히터(도 4의 41)의 크기는 세로가 0.7㎜ 이고, 가로가 2.2㎜ 이며, 높이가 0.25㎜ 이다.
구멍의 크기(도 1의 14)는 저전력 마이크로 히터(도 4의 41)가 들어갈 수 있는 정도의 직경으로 형성하여 도 4에서와 같이 고정 설치하는 것이 바람직하다.
저전력 마이크로 히터(도 4의 41)는 스템 일측에 설치할 수도 있다.
초고속 광 송수신 모듈은 CWDM(Coarse Wavelength Division Multiplexing)저밀도 파장분할다중화 방식으로 채널간의 간격이 20nm이다. 파장 1270nm 내지 1610nm 사이에 16개의 채널이 존재한다.
본 발명에 따른 초고속 광 송수신 모듈은 ITU-T G.692.2표준이다.
예를 들어, 상온(25도)에서 TX(Transmitter)가 1550nm 파장인 광 트랜시버 모듈(Optical transceiver module)이 있다. 이 모듈(module)은 섭씨 0℃ 에서 TX(Transmitter)가 1547.5nm 파장이 나오게 된다(섭씨 1도(1℃) 당 0.1nm offset). 즉, 섭씨 1도(1℃)의 변화에 대하여 0.1nm 의 파장 천이가 발생한다.
파장허용오차는 ± 2 nm 이다.
주위 환경 온도가 낮아져 허용오차를 벗어나면 이 때부터 마이크로 히터(도 4의 41, Micro Heater)가 구동하여 레이저 다이오드 칩(Chip)에 직접 또는 간접적으로 열을 전달해 파장의 변화가 발생하지 않도록 구성되어 있다. 파장이 상온일 때와 같은 영역을 유지하도록 구성되어 있다.
본 발명은 기체의 경우에 자연의 법칙상 질서있는 것으로부터 무질서한 쪽으로 이동하게 되는 열역학 제 2법칙을 이용하였다. 즉 에너지가 높은 쪽에서 낮은 쪽으로 열이 방향성을 가지고 이동하게 된다.
보다 구체적으로, 본 발명은 스템(도 1의 16)의 하부를 통과하여 히터 싱크(Stem Heat Sink)로 일정 깊이로 구멍(도 1의 14)을 형성하므로 레이저 다이오드(도 5의 51)에서 발생하는 열을 방출하는 단면적이 넓어지므로 열전달 효율을 높여서 고온에서 레이저 다이우드(도 5의 51)의 온도가 올라가면 열을 쉽게 방출할 수 있는 방열판 역할을 하도록 구성되어 있다.
도 5에서 MPD(도 5의 53, monitor photo diode)는 레이저 다이오드에서 출력되는 빛을 측정하여 레이저 다이오드가 정상적으로 동작하는지 여부와 출력을 모니터하여 레이저 다이오드의 출력을 일정하게 유지하도록 제어하는 역할을 한다.
스템의 하부를 통과하여 히터 싱크(도 2의 22, Heat Sink) 내부로 일정 깊이로 형성된 구멍(도 2의 23)은 히터 싱크(도 2의 22)를 관통하지 아니하고 일정 깊이로 형성하는 것이 바람직하며, 깊이는 방열 면적을 크게 형성하기 위하여 가변시킬 수 있고, 필요할 경우에 관통시킬 수도 있다.
스템(도 2의 24)과 히터 싱크(도 2의 22)는 부착 설치되어 스템(도 2의 24) 역시 방열판 역할을 한다.
본 발명은 스템(도 2의 24)과 히터 싱크(도 2의 22)로부터 핀 리드(도 2의 21, Pin lead) 모두를 유리 또는 절연체(도 3의 32)를 이용하여 전기적으로 분리(Electrical isolation)되게 구성하여 시스템 내부의 전기적 잡음을 줄일 수 있도록 구성되어 있다.
도면 번호는 동일한 구성에 대하여 서로 다른 도면일 경우에 서로 다른 도면 부호를 부여한다.
즉, 레이저 다이오드(도 4의 41)를 구동하기 위한 전자회로기판(PCB)의 접지와 핀 리드와 전기적으로 연결하지 아니하고, 전자회로기판(PCB)의 접지를 스템과 히터 싱크로 사용하여 플로팅시켜 설계 제작하므로 시스템 내부의 전기적 잡음 발생을 줄일 수 있도록 구성되어 있다.
본 발명은 보조 히터를 사용할 경우에 발생하는 긴 RF 전송선로를 줄일 수 있으므로 높은 주파수(High frequency)를 처리할 수 있는 초고속 광 송수신 모듈의 구현을 가능하게 한다.
본 발명으로 스템과 레이저 다이오드 히터싱크를 레이저 다이오드 핀 모두와 전기적 분리 구성을 접목시켜서 CWDM 저밀도 파장분할 다중화 방식 통신을 구현할 때 저온 환경에서 채널간의 혼선을 막고 전송을 용이하게 해 주는 초고속 광 송수신 모듈을 제공할 수 있으므로 산업상 이용가능성이 매우 높다.

Claims (7)

  1. CWDM 저밀도 파장분할다중화 방식 통신에 사용되는 초고속 광 송수신 모듈에 있어서,
    초고속 광 송수신 모듈에 내장되어 광통신을 위한 광을 제공하기 위한 레이저 다이오드;
    전기적 잡음을 줄이기 위하여 상기 레이저 다이오드 모든 핀과 전기적으로 분리되고 레이저 다이오드에서 발생하는 열을 방출하기 위한 히터 싱크;
    레이저 다이오드 모두 핀과 전기적으로 분리되며, 레이저 다이오드, 히터싱크 및 리드를 지지하기 위한 스템; 및
    저밀도 파장분할 다중화를 위한 다 채널 광 디바이스로 구성하되,
    스템 상에 설치된 히터 싱크에 열을 방출할 수 있도록 스템 하부로부터 히터 싱크 내부로 구멍이 형성됨을 특징으로 하는 초고속 광 송수신 모듈.
  2. CWDM 저밀도 파장분할다중화 방식 통신에 사용되는 초고속 광 송수신 모듈에 있어서,
    초고속 광 송수신 모듈에 내장되어 광통신을 위한 광을 제공하기 위한 레이저 다이오드;
    전기적 잡음을 줄이기 위하여 상기 레이저 다이오드 모든 핀과 전기적으로 분리되고 레이저 다이오드에서 발생하는 열을 방출하기 위한 히터 싱크;
    레이저 다이오드 모두 핀과 전기적으로 분리되며, 레이저 다이오드, 히터싱크 및 리드를 지지하기 위한 스템; 및
    저밀도 파장분할 다중화를 위한 다 채널 광 디바이스로 구성하되,
    저온 일 때 발생하는 파장 천이를 보상을 위하여 스템 일측에 마이크로 히터를 설치함을 특징으로 하는 초고속 광 송수신 모듈.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    초고속 광 송수신 모듈은 전기적 잡음을 줄이기 위하여 핀 리드 모두가 스템 및 히터 싱크와 전기적으로 분리되도록 구성된 초고속 광 송수신 모듈.
  4. 청구항 1에 있어서,
    초고속 광 송수신 모듈은 열 방출 면적을 넓혀서 레이저 다이오드에서 발생하는 열을 효과적으로 방출하기 위하여 히터 싱크가 고정 설치된 스템의 하부로부터 히터 싱크 속으로 구멍을 형성함을 특징으로 하는 초고속 광 송수신 모듈.
  5. 청구항 4에 있어서,
    초고속 광 송수신 모듈은 히터 싱크 속으로 형성된 구멍 속에 소비전력이 작은 마이크로 히터를 설치하여 저온에서 발생하는 파장 전이를 보상하도록 구성함을 특징으로 하는 초고속 광 송수신 모듈.
  6. 청구항 4에 있어서,
    초고속 광 송수신 모듈은 마이크로 히터를 히터 싱크 내부에 형성된 구멍에 설치하여 RF 전송선로의 길이를 짧게 형성하여 높은 주파수로 데이터를 처리할 수 있도록 구성함을 특징으로 하는 초고속 광 송수신 모듈.
  7. 청구항 4에 있어서,
    초고속 광 송수신 모듈은 주위 환경 온도가 낮아져 허용오차를 벗어나면 이 때부터 마이크로 히터가 구동하도록 구성하여 레이저 다이오드에 직접 또는 간접적으로 열을 전달해 파장의 변화가 발생하지 않고 파장이 상온일 때와 같은 영역을 유지하도록 구성된 초고속 광 송수신 모듈.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114815091A (zh) * 2022-04-27 2022-07-29 湖南光智通信技术有限公司 一种可快速散热的光发射器

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108039643B (zh) * 2017-12-05 2020-03-24 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 同轴封装的激光器及具有该激光器的光模块
JP7350646B2 (ja) * 2019-12-17 2023-09-26 ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社 光モジュール
US11340412B2 (en) * 2020-02-28 2022-05-24 CIG Photonics Japan Limited Optical module

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4549298B2 (ja) * 2003-11-14 2010-09-22 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置
JP2005303242A (ja) * 2004-03-19 2005-10-27 Hitachi Cable Ltd 冷却機能付き電気−光変換モジュール
KR100856280B1 (ko) * 2004-05-25 2008-09-03 삼성전기주식회사 반도체 레이저 다이오드 패키지
JP2008153467A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光モジュール
KR200437242Y1 (ko) * 2007-03-06 2007-11-16 광성전기산업(주) 교류 전원용 발광 다이오드 램프
KR20090040590A (ko) * 2007-10-22 2009-04-27 삼성전기주식회사 레이저 모듈 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR101024665B1 (ko) 2008-06-09 2011-03-25 주식회사 코스텍시스 반도체 레이저 다이오드 패키지

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114815091A (zh) * 2022-04-27 2022-07-29 湖南光智通信技术有限公司 一种可快速散热的光发射器
CN114815091B (zh) * 2022-04-27 2023-11-03 湖南光智通信技术有限公司 一种可快速散热的光发射器

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