KR20140017275A - 반사방지층을 포함하는 센서 패널의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

기판 상에 제 1 센서전극, 제 1 브릿지 및 제 2 센서전극을 패터닝하는 단계, 상기 제 1 브릿지 상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층이 형성된 기판 상에 제 2 브릿지 형성용 물질을 도포하는 단계, 상기 제 2 브릿지 형성용 물질 상에 반사방지층 형성용 물질을 도포하는 단계 및 상기 제 2 브릿지 형성용 물질 및 반사방지층 형성용 물질을 동시에 식각하여 제 2 브릿지 및 반사방지층을 형성하는 단계를 포함하는 센서 패널 제조방법을 제공한다.

Description

반사방지층을 포함하는 센서 패널의 제조 방법{MANUFACTURING METHOD OF SENSOR PANEL WITH ANTI-REFLECTION LAYER}
본 발명은 터치 패널용 센서 패널의 제조 방법에 관한 것으로서 특히, 반사방지층을 포함하는 센서 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
터치 패널용 센서 패널은 스마트폰, 태블릿 컴퓨터, 게임기, 학습보조장치 및 카메라 등의 전자 장치에 구비된 표시 패널의 표면을 손이나 펜을 사용하여 누름으로써, 2차원의 좌표 데이터를 입력하는 장치이다. 이러한 터치 패널용 센서 패널은 조작의 용이하고 각종 디스플레이 장치에 폭넓게 응용될 수 있다는 점에서 널리 사용되고 있다.
터치 패널용 센서 패널은 고 투과율 전도성 필름 또는 글라스 소재의 기판 상에 매트릭스 형태로 구비된 센서전극, 상기 센서전극을 연결하는 브릿지 전극 및 상기 브릿지 전극 사이에 구비되는 절연층으로 구성된다.
이와 같이 기판 상부에 서로 다른 물리적, 광학적 특성을 가진 구성요소가 동일층 상에 형성되는 경우 각각의 구성요소를 통과하는 빛의 속력 차로 인한 굴절이 발생하고, 결과적으로 터치 패널의 광학적 특성을 저하시키게 된다.
특히 브릿지 전극의 경우, 상기 브릿지 전극의 상부 및 하부를 구성하는 물질이 서로 다르기 때문에 이러한 굴절률 차이로 인한 반사율이 급격히 상승하거나 투과율 및 시인성이 저하되는 문제가 있다.
이에 본 발명에서는 터치 패널용 센서 패널의 브릿지 전극 상에 반사 방지층을 형성하여 외광으로 인한 반사를 막을 수 있는 센서 패널의 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명에 의한 센서 패널 제조방법은 상기 브릿지 전극 상에 반사 방지층을 형성함에 있어서, 기존에 사용하던 장비와 방법을 그대로 사용하여 제조 공정을 간소화하는 방법을 제공하고자 한다.
기판 상에 제 1 센서전극, 제 1 브릿지 및 제 2 센서전극을 패터닝하는 단계, 상기 제 1 브릿지 상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층이 형성된 기판 상에 제 2 브릿지 형성용 물질을 도포하는 단계, 상기 제 2 브릿지 형성용 물질 상에 반사방지층 형성용 물질을 도포하는 단계 및 상기 제 2 브릿지 형성용 물질 및 반사방지층 형성용 물질을 동시에 식각하여 제 2 브릿지 및 반사방지층을 형성하는 단계를 포함하는 센서 패널 제조방법을 제공한다.
상기 절연층을 형성하는 단계는, 상기 제 1 센서전극, 제 1 브릿지 및 제 2 센서전극이 패터닝된 기판 상에 절연물질을 도포하는 단계 및 상기 절연층을 식각하여 상기 제 1 브릿지 상에 절연층 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 반사방지층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계는, 저굴절층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계 및 고굴절층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 저굴절층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계 및 고굴절층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계는 각각 2회 내지 5회 반복할 수 있다.
상기 저굴절층은 MgF2, NaF, SiO2 및 CaF2 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
상기 고굴절층은 CeF3, Al2O3, ZrO2 , TiO2 및 Nb2Ox 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
외광으로 인한 반사를 방지하여 시인성을 개선할 수 있는 센서 패널 제조 방법을 제공한다. 또한 반사방지층을 형성함에 있어서, 기존에 사용하던 장비와 방법을 사용하여 형성할 수 있기 때문에 제조 공정을 간소화 할 수 있다.
도 1은 기판 상에 제 1 센서전극 및 제 2 센서전극이 패터닝된 상태를 도시한 도이다.
도 2는 상기 기판 전면에 절연물질이 도포된 상태를 도시한 도이다.
도 3은 상기 도포된 절연물질을 식각하는 상태를 도시한 도이다.
도 4는 상기 절연물질이 패터닝되어 절연층이 형성된 상태를 도시한 도이다.
도 5는 상기 절연층이 형성된 기판 상에 제 2 브릿지 형성용 물질이 도포된 상태를 도시한 도이다.
도 6은 상기 제 2 브릿지 형성용 물질 상에 반사방지층 형성용 물질이 도포된 상태를 도시한 도이다.
도 7은 상기 제 2 브릿지 형성용 물질 및 반사방지층 형성용 물질을 일괄 식각하는 상태를 도시한 도이다.
도 8은 본 발명의 제조방법에 의해 제조된 센서패널이다.
이하, 구체적인 도면을 참조하여 본 발명의 예들을 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 범위가 하기 설명하는 실시예나 도면들로 한정되는 것은 아니다. 이하에서 설명되는 내용과 도면에 도시된 실시예들로부터 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 실시예를 표현하기 위해 사용된 용어들로써, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
참고로, 상기 도면에서는, 이해를 돕기 위하여 각 구성요소와 그 형상 등이 간략하게 그려지거나 또는 과장되어 그려지기도 하였다. 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.
또한, 어떤 층이나 구성요소가 다른 층이나 또는 구성요소의 '상'에 있다 라고 기재되는 경우에는, 상기 어떤 층이나 구성요소가 상기 다른 층이나 구성요소와 직접 접촉하여 배치된 경우뿐만 아니라, 그 사이에 제3의 층이 개재되어 배치된 경우까지 모두 포함하는 의미이다.
도 1 내지 도 7은 본 발명에 따른 센서 패널의 제조방법을 순차로 도시한 도이다.
도 1은 기판 상에 제 1 센서전극 및 제 2 센서전극이 패터닝된 상태를 도시한 도이다.
도 1을 참조하면, 기판(110) 상에 제 1 센서전극(211)(도시되지 않음), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)을 형성한다.
상기 기판(110)은 글라스재 기판일 수 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 고분자 필름, 플라스틱 또는 금속 중 어느 하나에 의하여 형성될 수 있다. 이하에서 상기 기판(110)은 PET인 것으로 가정하고 설명한다.
상기 기판(110) 상에는 상기 제 1 센서전극(211), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)이 동일층상에 패터닝되어 형성된다.
상기 제 1 센서전극(211), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)은 금속 또는 도전성을 갖는 투명재료로 형성될 수 있다. 이러한 도전성을 갖는 투명 재료로서 투명 전도성 산화물(TCO:Transparent Conductive Oxide)을 사용할 수 있다.
이러한 투명 전도성 산화물(TCO)로는 산화인듐-산화주석(ITO:Indium Tin Oxide), 산화인듐-산화아연(IZO:Indium Zinc Oxide), AZO, 산화아연(ZnO) 등을 사용할 수 있다.
상기 제 1 센서전극(211), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)은 동일한 재료에 의하여 형성될 수도 있고, 서로 다른 재료에 의하여 형성될 수도 있다. 제조상 편의성을 고려할 때 상기 제 1 센서전극(211), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)은 동일한 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 제 1 센서전극(211), 제 1 브릿지(212) 및 제 2 센서전극(221)은 상기 기판(110) 상에 투명 도전성 산화물을 스퍼터(sputerring)하거나 증착하여 형성될 수 있다. 또한 마스크를 이용한 포토 리소그라피(photo lithograpy) 방식을 사용하여 형성될 수도 있다.
도 2는 상기 기판 전면에 절연물질이 도포된 상태를 도시한 도이다.
상기 절연물질은 투명한 합성수지, PAC(photo-active compound) 등 전기 절연성의 투명한 재질의 잉크 타입을 포함한 물질로 형성될 수 있다. 이러한 절연물질로는 실리콘 계열의 SiOX 등이 사용될 수 있다.
상기 절연물질의 두께는 1㎛ 이상 15㎛ 이하로 제한되며 너비는 30㎛ 이상 150㎛ 이하의 범위 값을 가질 수 있다.
상기 절연물질의 굴절률은 후술할 제 2 브릿지 형성용 물질에 따라 달라질 수 있다. 상기 제 2 브릿지 형성용 물질이 고굴절 물질(n:1.6 이상)인 경우에는 상기 절연물질의 굴절률은 1.0 이상 1.5 이하의 범위 값을 가질 수 있으며, 상기 제 2 브릿지 형성용 물질이 저굴절 물질(n:1.5 이하)인 경우에는 상기 절연물질의 굴절율은 1.6 이상 2.5 이하의 범위 값을 가질 수 있다.
상기 절연물질이 이루는 층과 제 2 브릿지 형성용 물질층이 하나의 저굴절층 및 고굴절층으로 형성되어 반사 방지 기능을 할 수 있다.
도 3은 상기 도포된 절연물질을 식각하는 상태를 도시한 도이다.
상기 절연층(300)은 제 1 브릿지(212)를 모두 포함하는 영역 상에 형성될 수 있다. 따라서 상기 제 1 브릿지(212)를 모두 포함하는 영역을 제외한 나머지 영역에 존재하는 절연물질을 물리적으로 제거하기 위한 방법으로 마스크를 이용하여 식각(etching)하는 포토 리소그라피(photo lithograpy)방식을 사용할 수 있다.
상기 절연물질이 전면 도포된 기판(110) 상에 마스크를 이용하여 상기 제 1 브릿지(212)를 모두 포함하는 영역을 노광시킨다. 상기 노광 후 현상하는 과정을 통하여 상기 제 1 브릿지(212)를 모두 포함하는 영역에만 절연층(300)을 형성할 수 있다.
도 4는 상기 절연물질이 패터닝되어 절연층이 형성된 상태를 도시한 도이다.
상기 절연층(300)은 상기 제 1 브릿지(212)(미도시)가 모두 포함되는 영역 및 상기 제 1 센서전극(211) 일부 상에 오버랩(overlap)되어 형성될 수 있다.
도 5는 상기 절연층(300)이 형성된 기판 상에 제 2 브릿지(222) 형성용 물질이 도포된 상태를 도시한 도이다.
상기 제 2 브릿지(222) 형성용 물질은 금속 또는 도전성을 갖는 투명재료로 형성될 수 있다. 이러한 금속으로 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu)등을 사용할 수 있으며, 도전성을 갖는 투명 재료로서 투명 전도성 산화물(TCO:Transparent Conductive Oxide)을 사용할 수 있다. 이러한 투명 전도성 산화물(TCO)로는 ITO, IZO, AZO, ZnO 등을 사용할 수 있다.
도 6은 상기 제 2 브릿지(222) 형성용 물질 상에 반사방지층(400) 형성용 물질이 도포된 상태를 도시한 도이다.
상기 반사방지층(400)은 굴절률이 서로 다른 적어도 두 층 이상의 물질이 순차적으로 도포될 수 있다. 즉, 저굴절층(410) 형성용 물질 및 고굴절층(420) 형성용 물질이 교대로 도포될 수 있다. 상기 반사방지층(400)을 구성하는 저굴절층(410) 및 고굴절층(420)은 2회 이상 5회 이하의 횟수로 도포될 수 있다.
상기 저굴절층(410)의 굴절률은 1.3 이상 1.5이하의 범위내 값을 가질 수 있으며, 상기 고굴절층(420)의 굴절률은 1.6이상 2.5 이하의 범위내 값을 가질 수 있다.
상기 저굴절층(410)은 MgF2(n=1.38), NaF(n=1.33), SiO2(n=1.46) 및 CaF2(n=1.44) 중 어느 하나가 선택적으로 사용될 수 있으며, 상기 고굴절층(420)으로는 CeF3(n=1.65), Al2O3(n=1.76), ZrO2(n=2.10), TiO2(n=2.50) 및 Nb2OX(n=2.3) 중 어느 하나가 선택적으로 사용될 수 있다.
상기 반사방지층(400)은 상기 저굴절층(410) 및 고굴절층(420)간의 굴절률 차이가 클수록 반사율이 낮아질 수 있다.
상기 반사방지층(400)은 상기 저굴절층(410) 및 고굴절층(420)이 교대로 적층되어 형성될 수 있다. 이와 같이 교대로 적층되는 층의 개수가 많을수록 상기 반사방지층(400)으로 인한 반사율이 낮아질 수 있다.
도 7은 상기 제 2 브릿지(222) 형성용 물질 및 반사방지층(400) 형성용 물질을 일괄 식각하는 상태를 도시한 도이다.
상기 절연층(300)이 형성된 기판(110) 상에 제 2 브릿지를 형성하는 금속 또는 TCO를 전면 도포한 후, 상기 제 2 브릿지(222) 상에 반사방지층(400)으로 사용될 저굴절 재료층(410) 및 고굴절 재료층(420)을 순서대로 적층한 후, 마스크를 이용하여 식각(etching)하는 포토 리소그라피(photo lithograpy)방식을 사용할 수 있다.
상기와 같이 일괄 식각(etching)하는 방법으로 상기 제 2 브릿지(222) 및 상기 반사방지층(400)을 동시에 형성할 수 있다.
상기와 같이 일괄 식각(etching)하는 방법의 경우 회로 너비는 5㎛ 이상 200㎛이하의 범위 값을 가질 수 있다.
도 8은 본 발명의 제조방법에 의해 제조된 센서패널이다.
상기 제 2 브릿지(222)는 상기 절연층(300)에 의해 상기 제 1 브릿지(212)와 물리적으로 절연되며, 상기 제 2 센서전극(222)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.
또한, 상기 제 2 브릿지(222) 상부에는 다층 구조의 반사방지층(400)이 형성될 수 있다. 상기 반사방지층(400)은 굴절률이 서로 다른 적어도 두 층 이상의 다층 박막구조로 형성될 수 있다.
이상에서 설명된 센서 패널의 제조방법은 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 보호범위는 본 발명 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등예를 포함할 수 있다.
100 : 센서 패널 110 : 기판
211 : 제 1 센서전극 212 : 제 1 브릿지
221 : 제 2 센서전극 222 : 제 2 브릿지
300 : 절연층 400 : 반사방지층
410 : 저굴절층 420 : 고굴절층

Claims (6)

  1. 기판 상에 제 1 센서전극, 제 1 브릿지 및 제 2 센서전극을 패터닝하는 단계;
    상기 제 1 브릿지 상에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층이 형성된 기판 상에 제 2 브릿지 형성용 물질을 도포하는 단계;
    상기 제 2 브릿지 형성용 물질 상에 반사방지층 형성용 물질을 도포하는 단계; 및
    상기 제 2 브릿지 형성용 물질 및 반사방지층 형성용 물질을 동시에 식각하여 제 2 브릿지 및 반사방지층을 형성하는 단계;를 포함하는 센서 패널 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 단계는,
    상기 제 1 센서전극, 제 1 브릿지 및 제 2 센서전극이 패터닝된 기판 상에 절연물질을 도포하는 단계; 및
    상기 절연층을 식각하여 상기 제 1 브릿지 상에 절연층 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 센서 패널 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 반사방지층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계는, 저굴절층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계; 및
    고굴절층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계;를 포함하는 센서 패널 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 저굴절층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계 및 고굴절층 형성용 물질을 전면 도포하는 단계는 각각 2회 내지 5회 실시하는 것을 특징으로 하는 센서 패널 제조방법.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 저굴절층 형성용 물질은 MgF2, NaF, SiO2 및 CaF2 중 어느 하나를 포함하는 물질인 것을 특징으로 하는 센서 패널 제조방법.
  6. 제 3 항에 있어서, 상기 고굴절층 형성용 물질은 CeF3, Al2O3, ZrO2 , TiO2 및 Nb2Ox 중 어느 하나를 포함하는 물질인 것을 특징으로 하는 센서 패널 제조방법.
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