KR20140014948A - 증착 챔버 및 이를 포함하는 인라인 처리 시스템 - Google Patents

Abstract

기판의 박막형성 시 기판의 온도 상승을 방지할 수 있는 증발장치 및 이를 갖는 인라인 처리 시스템을 개시한다. 개시된 본 발명은 기판의 박막형성이 이루어지는 공정 챔버에 내에서 이송되는 기판의 온도를 낮추기 위하여 공정 챔버의 내부에서 이송되는 기판과 증발장치 사이에 설치되는 적어도 하나의 냉각 플레이트를 포함함에 따라, 증발장치에서 제공되는 증발가스를 영향을 주지 않는 범위 내에서 냉각시켜 기판의 온도 상승을 방지할 수 있다.

Description

증착 챔버 및 이를 포함하는 인라인 처리 시스템{Deposition Chamber and In-line Processing System Having the Same}

본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 증착 챔버 및 이를 포함하는 인라인 처리 시스템에 관한 것이다.

현재, 유기 발광 소자와 같은 평판 디스플레이 소자를 구성하는 박막들은 고온의 증발장치가 설치된 증착 챔버에서 증착된다.

상기의 증발장치는 증발물질이 내부에 수용되는 도가니(Crucible)형 증발용기 및 이 증발용기의 외부에 설치되어 증발용기를 가열시키는 증발히터로 구성될 수 있다.

여기서 증발히터는 외부 전압 및 전류 등에 의해 발열이 이루어지고, 증발히터의 발열에 의해 증발용기가 가열된다. 그리고 증발용기 내에 수용되는 증발물질은 그것의 용융점 이상으로 가열될 때, 증발이 이루어지면서 기판 표면에 증착된다.

한편, 유기 발광 소자의 캐소드 전극으로 주로 사용되고 있는 알루미늄막(Al)은 알려진 바와 같이, 증발용기를 1500 내지 1800℃까지 상승시켜야 증착이 가능하다. 이렇게 증발용기를 1000℃ 이상 상승시켜야 하는 경우, 증발용기로부터 발생되는 복사열이 그대로 기판에 전달되는 문제점이 있다.

즉, 상기의 기판에 복사열이 전달되는 경우, 기판 온도가 80℃ 이상 상승할 수 있다. 이렇게 기판의 온도가 80℃ 이상 상승되면, 기판 상에 기 증착된 유기 물질막이 열화되어 막질특성이 변할 수 있다.

나아가, 기판을 이송시키는 트레이를 예로 들면, 마스크 조립체 및 마그넷 유닛의 온도를 상승시키고, 이와 같이 온도가 상승된 트레이는 새로운 기판의 이송 시 그 열을 새로운 기판에 전달하여 추가적인 공정 불량을 야기한다. 그러므로, 고온 증착 공정 중 기판 온도 관리가 시급한 실정이다.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 고온 증착 공정 시 기판의 온도 상승을 방지할 수 있는 증착 챔버 및 이를 포함하는 인라인 처리 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예의 증착 챔버에는 증발물질을 기화시켜 기판에 제공하는 증발장치가 설치되고,

상기 증착 챔버의 내부에는 상기 증발장치에서 방사되는 복사열의 온도를 낮추기 위하여, 상기 증발장치의 상측에 배치되는 제1냉각 플레이트와, 상기 제1냉각 플레이트와 기판 사이에 배치되는 적어도 하나의 제2냉각 플레이트가 설치된 것을 특징으로 한다.

상기 제1냉각 플레이트는 상기 증발장치의 크기에 대응되는 증발가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 한다.

상기 제2냉각 플레이트는 상기 증발가스 통과공에 모두 대응되는 또 다른 장공형상의 증발가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 한다.

상기 증착 챔버의 내부에는 상기 증발장치에서 제공되는 증발가스의 증발을 차폐하기 위한 제1셔터와, 상기 제1셔터의 상측에 설치되어 상기 증발장치에서 발생되는 증발물질 및 복사열을 차단하도록 개폐하는 제2셔터가 설치된 것을 특징으로 하는 증착 챔버.

상기의 목적을 달성하기 위한 인라인 처리 시스템은, 기판에 박막을 형성하기 위한 증착 챔버를 포함하고,

상기 증착 챔버는 증발물질을 기화시켜 기판에 제공하는 증발장치가 설치되는 증발 영역과, 상기 증발장치에서 제공되는 증발가스에 의해 기판 상에 박막이 증착되는 증착 영역으로 구분되고,

상기 증발 영역에는 상기 증발장치의 상측에 배치되는 제1냉각 플레이트와, 상기 제1냉각 플레이트와 기판 사이에 배치되는 적어도 하나의 제2냉각 플레이트가 설치된 것을 특징으로 한다.

상기 증발장치는 상기 증착 챔버의 내부에서 기판의 이송방향을 따라 복수의 조가 연속적으로 배치되고,

상기 각 조의 증발장치는 다수 개가 마련된 것을 특징으로 한다.

상기 제1냉각 플레이트에는 상기 각 조의 증발장치에 대응되는 다수의 제1증발가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 한다.

상기 제1냉각 플레이트에는 회전 또는 선형 구동에 의해 상기 제1냉각 플레이트의 제1증발가스 통과공을 차페하는 제1셔터가 마련된 것을 특징으로 한다.

상기 제2냉각 플레이트에는 상기 다수의 제1증발가스 통과공에 모두 대응하는 제2증발가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 한다.

상기 제2냉각 플레이트의 상측에는 상기 제2증발가스 통과공을 차폐하는 제2셔터가 설치된 것을 특징으로 한다.

상기 증착 영역에는 상기 기판 및 상기 제2냉각 플레이트의 사이에 설치되는 적어도 하나의 제3냉각 플레이트와, 상기 기판의 상측에 설치되는 제4냉각 플레이트가 설치된 것을 특징으로 한다.

상기 제3냉각 플레이트에는 상기 한 조의 다수의 증발장치로부터 기판에 증발가스가 제공될 수 있도록 장공형상의 제3증발가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 한다.

상기 증착 영역은 상기 한 조의 증발장치의 위치에 따라 성막 영역과 비성막 영역으로 한정되며,

상기 제3냉각 플레이트는 비성막 영역에 배치되고,

상기 제4냉각 플레이트는 성막 영역과 비성막 영역 중 적어도 하나의 영역에 배치된 것을 특징으로 한다.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 증착 챔버 및 이를 갖는 인라인 처리 시스템은, 제1,2,3,4냉각 플레이트를 구비함에 따라 성막 영역에서 기판의 온도가 상승되더라도, 비성막 영역에서 기판의 온도를 낮출 수 있고, 이로 인해 기판의 온도 상승에 따른 추가적인 공정 불량을 방지할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 처리 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 인라인 처리 시스템 중 선택되는 하나의 공정 챔버의 일예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 챔버의 증발영역을 발췌하여 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 증착 챔버 중 증발영역의 구성을 개략적으로 도시한 사시도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성요소들의 크기가 과장 또는 축소될 수 있고, 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 처리 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 인라인 처리 시스템(1)은 기판 상에 박막을 증착하기 위한 것으로서, 얼라인 챔버(10), 트랜스퍼 챔버(20), 공정 챔버(30), 디테치 챔버(40)를 포함하며, 얼라인 챔버(10)로부터 디테치 챔버(40)로 이동하는 기판은 각 챔버(10,20,30,40) 내에 마련된 기판 이송유닛(미도시)에 의해 지정된 방향으로 이송된다. 기판 이송유닛은 선형 레일, 이동식 컨베이어 벨트, 다수의 이송롤러 등으로 구성될 수 있다.

먼저, 얼라인 챔버(10)에서는 처리부재 즉, 기판과 트레이가 정렬된다. 여기서 트레이는 마스크 조립체와, 이 마스크 조립체를 기판에 밀착시키기 위한 마그넷 유닛을 포함한다.

트랜스퍼 챔버(20)에서는 얼라인 챔버(10)에서 정렬이 완료된 처리부재가 공정 챔버(30)로 안내된다.

공정 챔버(30,증착 챔버)는 복수의 챔버들이 일렬로 배열되도록 구성되는데, 각각의 챔버들은 목적하는 바에 따른 종류 및 양의 소스가 배출되어 공정 챔버(30)를 이동하는 기판에 목적하는 물질이 각각 증착된다.

디테치 챔버(40)에서는 공정이 완료된 처리부재 즉, 기판과 트레이를 분리한다. 이와 같이 디테치 챔버(40)에서 분리된 기판은 후속 공정을 위해 또 다른 챔버로 제공되고, 분리된 트레이는 다시 공정 챔버(30)를 통해 트랜스퍼 챔버(20)로 회송된다.

도 2는 도 1의 인라인 처리 시스템의 선택되는 하나의 공정 챔버의 일예를 보여주는 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 챔버 중 증발영역을 발췌하여 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 증발 영역에 구비된 구성을 개략적으로 도시한 사시도이다.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 상기의 공정 챔버(30) 즉, 증착 챔버는 증발 영역과(C1)과, 증착 영역(C2)로 구분될 수 있다.

먼저. 증발 영역(C1)은 증착 영역(C2)의 하측에 위치되는데, 이러한 증발 영역(C1)에는 기판에 박막을 형성하기 위한 고온의 증발가스를 제공하는 증발장치(31)가 설치된다.

이때의 증발장치(31)는 최근 대형화되고 있는 기판에 원활히 증발가스를 제공하기 위하여 다수 개가 한 조를 이루어 마련되는데, 본 발명의 일 실시예에서는 도시된 바와 같이 예를 들어, 2개의 조가 배치되고, 각 조는 다수 개 예를 들어, 3개의 증발장치(31)가 모여 한 조를 이루었다.

상기의 증발장치(31)는 증발용기(311)와, 증발히터(313) 및 하우징부재(315)를 포함한다.

증발용기(311)는 도시된 바와 같이 도가니형으로 마련되어 처리부재 중 기판에 박막의 증착을 위한 증발물질이 수용된다. 이러한 증발용기(311)는 고온에 내구성이 보장될 수 있는 재질이 다양하게 사용될 수 있다.

증발히터(313)는 증발용기(311)의 외측에 배치되어 증발용기(311)를 가열한다. 이러한 증발히터(313)는 증발용기(311)의 상하 길이방향을 따라 배치되는 가열부재들이 일정 간격을 두고 원주방향으로 배열된다. 이때의 각 가열부재는 전원을 공급하면 내부 저항에 의해 열을 방출하는 열선으로 이루어지는 것이 바람직하다.

하우징부재(315)는 증발용기(311) 및 증발히터(313)를 감싸도록 마련되는데, 이러한 하우징부재(315)는 공정 챔버(30)의 바닥면(30a)에 그 상부 일부가 돌출되도록 내삽된다.

한편, 본 발명의 증착 챔버에서 증발 영역(C1)에는 증발용기로부터 발생되는 복사열이 그대로 기판에 전달되어 기판의 온도가 상승되고, 이에 따른 페일(기 증착된 유기 박막의 막질 특성의 열화 및 기판을 이송하는 트레이의 온도 상승에 따른 추가적인 공정 불량)을 방지하기 위한 구조를 포함한다.

구체적으로, 증발 영역(C1)에는 증발장치(31)에서 방사되는 복사열의 온도를 낮추기 위한 냉각 플레이트와, 비공정 구간 즉, 비성막 영역(A)에서 증발물질의 증발을 차폐하기 위한 셔터가 설치된다.

즉, 본 실시예의 공정 챔버(30)의 증발 영역(C1)에는 예를 들어, 한 조를 이루는 증발장치에 대응되는 제1,2냉각 플레이트(40,50)와, 제1,2셔터(60,70)가 설치된다.

제1냉각 플레이트(40)는 한 조를 이루는 증발장치(31)의 외측에 설치된다. 이때 각 증발장치(31)는 상술한 바와 같이 그 상단이 공정 챔버(30)의 바닥면(30a)으로부터 일정 부분 돌출된 형상으로 마련되는데, 제1냉각 플레이트(40)는 상기의 증발장치(31)의 돌출된 부분을 감싸도록 마련된다.

이를 위해 제1냉각 플레이트(40)에는 그것에 의해 증발가스의 차폐가 이루어지지 않도록, 각 증발장치(31)에 대응되는 다수의 증발가스 통과공(41)이 형성된다. 예를 들면, 본 발명의 일 실시예와 같이 3개의 증발장치(31)가 한 조를 이루는 경우 제1냉각 플레이트(40)에는 3개의 증발장치(31)에 대응되도록 3개의 증발가스 통과공(41)이 형성된다.

더불어 제1냉각 플레이트(40)는 공정 챔버(30)의 바닥면(30a)에 수직하게 설치되는 지지축에 지지 및 고정되고, 각 증발장치(31)를 개폐할 수 있도록 후술할 제1셔터(60)가 힌지 결합되는 고정축(45)이 삽입되는 삽입공(43)을 포함한다.

제2냉각 플레이트(50)는 도시된 바와 같이 제1냉각 플레이트(40)의 상측에 배치된다. 이러한 제2냉각 플레이트(50)는 본 발명의 일 실시예와 같이 일정 크기를 갖는 기판 상에 증발가스를 원활히 제공할 수 있도록, 즉, 한 조를 이루는 3개의 증발장치(31) 모두에서 증발가스를 제공할 수 있도록, 장공형상의 또 다른 증발가스 통과공(51)이 형성된다. 이러한 증발가스 통과공(51)은 증발장치(31)로부터 기판에 제공되는 증발가스를 간섭하지 않는 크기로 다수개가 형성될 수 있다. 다시 말하면, 상기의 증발가스 통과공(51)은 제1냉각 플레이트(40)에 형성된 증발가스 통과공들(41)을 모두 대응할 수 있도록 마련된다.

또, 상기의 제2냉각 플레이트(50)는 증착 챔버 내에 수용될 수 있으면 다수 개가 마련될 수도 있다.

다시 말하면, 본 발명에서는 한 조를 이루는 증발장치(311)와 근접하게 설치되는 제1냉각 플레이트(40)와, 이 제1냉각 플레이트(40)의 상측에 배치되는 적어도 하나의 제2냉각 플레이트(50)를 포함할 수 있다.

그리고 상기의 냉각 플레이트들(40,50)은 냉각가스, 탈이온수 및 칠러(Chiller) 등을 냉각매체로 포함할 수 있으며, 상술한 물질에 한정되지 않고 냉각하는 기능할 갖는 매체 또는 구조이면 모두 사용될 수 있다. 또, 상기의 냉각 플레이트들(40,50)은 증발용기(311)에 수용된 증발물질에 영향을 주지 않는 범위 내에서 증발가스를 냉각시킨다.

제1셔터(60)는 증발장치(31)로부터 증발되는 증발물질이 불필요하게 증착 챔버 내부에 증착되는 것을 방지하기 위해 마련된다. 즉, 제1셔터(60)를 폐쇄하면 증발장치(31)에서 증발가스를 계속 제공되지만 이 제1셔터(60)의 저면에 증착되므로 증착 챔버 내부가 오염되는 것을 방지할 수 있다.

이러한 제1셔터(60)는 도시된 바와 같이 증발장치(31) 및 제1냉각 플레이트(40)의 상측에서 근접하게 이격 설치된다. 예를 들면, 제1셔터(60)는 증발장치(31)의 상단으로부터 대략 10 ~ 50mm의 높이에 설치될 수 있다.

상기의 제1셔터(60)는 상술한 고정축(45)에 힌지 결합되는데, 고정축(45)의 회전에 연동되어 증발장치(31)를 개폐한다. 이를 위해 고정축(45)에는 이 고정축(45)을 회전시키는 구동모터(미도시)가 설치될 수 있다. 이때, 제1셔터(60)는 증발장치(31)의 개폐를 위해 상술한 수단 이외에 다양한 수단(예를 들면, 실린더에 의한 개폐 등)이 사용될 수도 있다.

제2셔터(70)는 증발장치(31)가 증발에 필요한 온도에 도달하기 이전, 증발에 필요한 증발량에 도달하기 이전, 증발량이 안정화되기 이전, 또는 증발물질을 전부 소진한 후 냉각되는 과정에서 증발장치에서 발생되는 증발물질 및 복사열이 기판과 트레이 및 이들을 이송하는 기판 이송 유닛에 전달되는 것을 최대한 차단하기 위해 마련된다.

이러한 제2셔터(70)는 도시된 바와 같이 제2냉각 플레이트(50)의 상측에 설치된다.

예를 들면, 제2셔터(70)는 증발장치(31)의 상단으로부터 대략 300 ~ 500mm의 높이에 설치될 수 있다. 이를 위해 제2셔터(70)는 공정 챔버(30)의 바닥면(30a)에 수직하게 세워지는 별도의 지지축(미도시)에 의해 지지 가능하게 설치된다.

상기의 제2셔터(70)는 긴 장공형상의 증발가스 통과공(51)을 갖는 제2냉각 플레이트(50)의 상측에서 수평방향(제2냉각 플레이트의 짧은 측면 사이의 폭방향)으로 슬라이딩 가능하게 마련되는데, 이를 위해 제2냉각 플레이트(50)의 전후방향에는 제2셔터(70)의 슬라이딩을 위한 레일(71)이 배치된다. 다시 말하면 제2셔터(70)는 상술한 레일(71)을 따라 수평방향으로 안내될 수 있다. 또, 본 발명에서는 제2셔터(70)가 슬라이딩 가능할 수 있으면 레일 이외에 다른 다양한 수단이 설치되는 것도 무방하다.

증착 영역(C2)에는 마주하는 측벽에 게이트(G1,G2)가 설치되고, 이러한 게이트(G1,G2)를 통해 박막이 증착될 기판을 포함하는 처리부재가 반입 및 반출된다.

여기서 처리부재는 얼라인 챔버(10)에서 정렬이 완료된 기판과 트레이(마스크 조립체과 마그넷 유닛)으로서, 기판의 박막 증착면이 증발장치(31)를 향하도록 반입되고, 일측 게이트(G1)를 통해 반입된 처리부재는 기판 이송유닛을 통해 타측 게이트(G2)로 반출된다.

그리고 증착 영역(C2)에는 증발 영역(C1)과 마찬가지로 이 증착 영역(C2)에서 이송되는 처리부재에 포함된 기판의 온도를 낮추기 위한 다수의 냉각 플레이트(80,90)가 설치된다.

본 발명의 일 실시예에서는 도시된 바와 같이 기판의 하측에 설치되는 제3냉각 플레이트(80)와, 기판의 상측에 설치되는 제4냉각 플레이트(90)를 포함한다.

제3냉각 플레이트(80)는 기판 이송경로의 하부, 즉, 기판의 박막 증착면과 마주하는 위치에 설치된다. 부연 설명하면 제3냉각 플레이트(80)는 비성막 영역(A)에 위치될 수 있는데, 증착 영역(C2)의 공간 여유가 있으면 더 많은 개수로 설치될 수도 있다.

이때, 성막 영역(B)은 증발용기(311) 내의 증발물질의 표면으로부터 ±COSnθ(여기서, n은 상수) 구간에 해당함에 따라, 제3냉각 플레이트(80)는 상술한 제2냉각 플레이트(50) 보다 긴 폭을 갖는 장공형상의 증발가스 통과공(81)이 형성될 수 있다. 즉, 제3냉각 플레이트(80)는 제2냉각 플레이트(50)와 마찬가지로 그것에 의해 증발가스의 차폐가 이루어지지 않도록 위치시키는 것이 중요하다.

제4냉각 플레이트(90)는 기판 이송경로의 상측 즉, 기판의 뒷면에 위치될 수 있다. 이러한 제4냉각 플레이트(90)는 비성막 영역(A) 및 성막 영역(B) 중에서 적어도 하나의 영역에 위치될 수 있다.

이때, 기판의 뒷면에는 어떠한 소자층도 형성되지 않으므로, 제4냉각 플레이트(90)는 비성막 영역(A) 및 성막 영역(B)의 구분 없이 배치될 수도 있다.

상기의 제3,4냉각 플레이트(80,90)는 제1,2냉각 플레이트(40,50)와 마찬가지로 냉각 가스, 탈이온수 및 칠러 등을 냉각 매체로 포함할 수 있으며, 상기의 물질에 한정되지 않고 냉각하는 기능을 갖는 매체 또는 구조이면 모두 사용될 수 있다.

이하에서는 상기와 같은 구성을 갖는 본 발명의 증착 챔버 및 이를 갖는 인라인 처리 시스템의 작동 및 이에 따른 효과를 설명하면 다음과 같다.

본 발명에서 공정 챔버(30) 즉, 증착 챔버의 내부로 반입되는 기판은 비성막 영역(A)을 지나면서 다수의 냉각 플레이트(40,50,80,90)에 의해 상하로부터 냉기를 제공받아 온도가 감소된다. 특히, 제1,2냉각 플레이트(40,50)는 증발장치(31)에서 발생되는 복사열을 냉각시키고, 제3,4냉각 플레이트(80,90)는 이송되는 기판을 냉각시킨다.

이 후 기판이 성막 영역(B)에 진입되면 증발 영역(C1) 내부에 설치된 제1,2셔터(60,70)가 개방되고, 이로 인해 증발장치(31)로부터 기화되는 증발가스들이 기판의 표면에 흡착되어 소정의 박막(미도시)이 증착된다.

이때, 본 발명에서는 기판의 성막 영역의 진입과정에서 제1,2셔터(60,70)가 개방됨에 따라 증발장치(31)의 증발가스가 불필요하게 챔버 내부를 오염시키는 것을 방지할 수 있는 동시에 증발가스의 증발량 안정화를 꾀할 수 있다. 물론 제1,2셔터(60,70)는 기판이 성막 영역에 진입되기 전에 개방될 수도 있다.

상기의 과정에서 기판은 증발되는 가스들에 의해 온도 상승이 이루어질 수 있는데, 본 발명에서는 성막을 마친 기판이 다시 비성막 영역에 진입함에 따라 비성막 영역에 설치된 제1,2,3냉각 플레이트(40,50,80) 및 전 영역에 설치된 제4냉각 플레이트(90)의 냉기를 전달 받아 온도 하강이 이루어진다.

알려진 바와 같이, 증발가스가 직접적으로 충돌되는 기판의 박막 증착면은 그것의 뒷면에 비해 온도 상승이 큰 편이다. 그러나 본 발명에서는 공정 챔버(30)의 내부에 다수의 냉각 플레이트(40,50,80,90)가 설치된다. 이에 따라 성막 영역에서 기판의 온도가 상승되더라도, 비성막 영역에서 기판의 온도를 낮출 수 있어 기판의 온도 상승에 따른 기판 상에 기 증착된 물질막들의 막질 특성이 열화되는 것을 방지할 수 있다.

더불어 본 발명에서 공정 챔버(30)의 증발 영역(C1)에는 제1,2셔터가 설치된다. 이에 따라 증발장치(31)로부터 발생되는 높은 온도의 복사열이 기판에 전달되는 최대한 억제하고, 챔버 내부가 증발가스로 인해 불필요하게 오염되는 것을 방지할 수 있다.

또, 본 발명에서 기판은 비성막 영역(A)을 거치면서, 원래의 온도 상태로 안정화가 이루어짐에 따라 기판 내에 내재된 잠열을 제거할 수 있고, 나아가 기판을 이송시키는 트레이의 온도가 상승되어 새 기판의 이송 시 추가적인 공정 불량이 야기되는 것을 방지할 수 있다.

한편, 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.

따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

1 : 인라인 처리 시스템 10 : 얼라인 챔버
20 : 트랜스퍼 챔버 30 : 공정 챔버
30a : 공정챔버의 바닥면 31 : 증발장치
40 : 제1냉각 플레이트 41 : 증발가스 통과공
43 : 삽입공 45 : 고정축
50 : 제2냉각 플레이트 51 : 증발가스 통과공
60 : 제1셔터 70 : 제2셔터
80 : 제3냉각 플레이트 81 : 증발가스 통과공
90 : 제4냉각 플레이트 C1 : 증발 영역
C2 : 증착 영역

Claims (13)

1. 기판의 박막 형성을 위한 증착 챔버에 있어서,
   상기 증착 챔버에는 증발물질을 기화시켜 기판에 제공하는 증발장치가 설치되고,
   상기 증착 챔버의 내부에는 상기 증발장치에서 방사되는 복사열의 온도를 낮추기 위하여, 상기 증발장치의 상측에 배치되는 제1냉각 플레이트와, 상기 제1냉각 플레이트와 기판 사이에 배치되는 적어도 하나의 제2냉각 플레이트가 설치된 것을 특징으로 하는 증착 챔버.
2. 제1항에 있어서,
   상기 제1냉각 플레이트는 상기 증발장치의 크기에 대응되는 적어도 하나의 증발가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 하는 증착 챔버.
3. 제2항에 있어서,
   상기 제2냉각 플레이트는 상기 증발가스 통과공에 모두 대응되는 또 다른 장공형상의 증발가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 하는 증착 챔버.
4. 제1항에 있어서,
   상기 증착 챔버의 내부에는 상기 증발장치에서 제공되는 증발가스의 증발을 차폐하기 위한 제1셔터와, 상기 제1셔터의 상측에 설치되어 상기 증발장치에서 발생되는 증발물질 및 복사열을 차단하도록 개폐하는 제2셔터가 설치된 것을 특징으로 하는 증착 챔버.
5. 기판에 박막을 형성하기 위한 증착 챔버를 포함하는 인라인 처리 시스템에 있어서,
   상기 증착 챔버는 증발물질을 기화시켜 기판에 제공하는 증발장치가 설치되는 증발 영역과, 상기 증발장치에서 제공되는 증발가스에 의해 기판 상에 박막이 증착되는 증착 영역으로 구분되고,
   상기 증발 영역에는 상기 증발장치의 상측에 배치되는 제1냉각 플레이트와, 상기 제1냉각 플레이트와 기판 사이에 배치되는 적어도 하나의 제2냉각 플레이트가 설치된 것을 특징으로 하는 인라인 처리 시스템.
6. 제5항에 있어서,
   상기 증발장치는 상기 증착 챔버의 내부에서 기판의 이송방향을 따라 복수의 조가 연속적으로 배치되고,
   상기 각 조의 증발장치는 다수 개가 마련된 것을 특징으로 하는 인라인 처리 시스템.
7. 제6항에 있어서,
   상기 제1냉각 플레이트에는 상기 각 조의 증발장치에 대응되는 다수의 제1증발가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 하는 인라인 처리 시스템.
8. 제7항에 있어서,
   상기 제1냉각 플레이트에는 회전 또는 선형 구동에 의해 상기 제1냉각 플레이트의 제1증발가스 통과공을 차페하는 제1셔터가 마련된 것을 특징으로 하는 인라인 처리 시스템.
9. 제7항에 있어서,
   상기 제2냉각 플레이트에는 상기 다수의 제1증발가스 통과공에 모두 대응하는 제2증발가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 하는 인라인 처리 시스템.
10. 제9항에 있어서,
    상기 제2냉각 플레이트의 상측에는 상기 제2증발가스 통과공을 차폐하는 제2셔터가 설치된 것을 특징으로 하는 인라인 처리 시스템.
11. 제5항에 있어서,
    상기 증착 영역에는 상기 기판 및 상기 제2냉각 플레이트의 사이에 설치되는 적어도 하나의 제3냉각 플레이트와, 상기 기판의 상측에 설치되는 제4냉각 플레이트가 설치된 것을 특징으로 하는 인라인 처리 시스템.
12. 제11항에 있어서,
    상기 제3냉각 플레이트에는 상기 한 조의 다수의 증발장치로부터 기판에 증발가스가 제공될 수 있도록 장공형상의 제3증발가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 하는 인라인 처리 시스템.
13. 제11항에 있어서,
    상기 증착 영역은 상기 한 조의 증발장치의 위치에 따라 성막 영역과 비성막 영역으로 한정되며,
    상기 제3냉각 플레이트는 비성막 영역에 배치되고,
    상기 제4냉각 플레이트는 성막 영역과 비성막 영역 중 적어도 하나의 영역에 배치된 것을 특징으로 하는 인라인 처리 시스템.

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