KR20140014766A - 기판 도금 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 기판 도금 장치는, 도금을 위한 금속 이온이 함유된 도금액이 수용되며, 도금액에 도금 대상물인 기판이 선택적으로 침지되는 프로세스 챔버; 프로세스 챔버에 장착된 진동자로부터 제공되는 진동에 의해 도금액 내에서 진동하여 도금액을 교반하는 교반부; 및 상기 진동자에 진동력을 제공하는 발진부;를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 교반부가 진동자로부터 전달되는 진동력에 의해 도금액 내에서 진동함으로써 기판의 표면으로 금속 이온이 집적되는 것을 저지하여 도금액의 불균일한 농도 차이를 줄일 수 있으며 이로 인해 기판 도금의 균일도를 향상시킬 수 있다.

Description

기판 도금 장치{Apparatus to Plate Substrate}

기판 도금 장치가 개시된다. 보다 상세하게는, 교반부가 진동자로부터 전달되는 진동력에 의해 도금액 내에서 진동함으로써 기판의 표면으로 금속 이온이 집적되어 기판주변의 도금액 내부의 금속이온 농도가 낮아져 기판상으로 계속적인 금속이온의 집적이 이루어 지지 못하는 것을 저지하여 도금액의 불균일한 농도 차이를 줄일 수 있는 기판 도금 장치가 개시된다.

일반적으로 반도체 소자를 구성하는 실리콘 기판(silicon wafer) 상에 금속 배선을 형성하기 위해, 기판의 전면에는 금속막을 패터닝(patterning)하게 된다. 이 때, 기판의 전면에 형성되는 금속막은 알루미늄 또는 구리 등에 의해 형성된다.

이 중, 구리로 형성되는 금속막은 알루미늄으로 형성되는 금속막에 비해 녹는점이 높기 때문에 전기 이동도에 대한 큰 저항력을 가질 수 있으며, 이로 인해 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 비저항이 낮아 신호 전달 속도를 증가시킬 수 있는 이점이 있다. 따라서 구리로 형성되는 금속막이 주로 채택되고 있는 실정이다.

기판 상에 금속막을 패터닝하기 위해서는, 물리기상증착방법(PVD, physical vapor deposition) 또는 화학기상증착방법(CVD, chemical vapor deposition) 등과 같은 증착 방법에 비해 전기 이동도에 대한 내성이 우수하고 제조 비용이 상대적으로 저렴한 전기도금 방법이 선호된다.

이러한 전기도금 방법이 적용되는 종래의 기판 도금 장치의 구성에 대해 개략적으로 설명하면, 기판 도금 장치는, 도금액이 수용되는 프로세스 챔버와, 프로세스 챔버의 내측 하부에 배치되어 양극 전압이 인가되는 경우 플러스(plus) 금속 이온, 예를 들면 구리 이온(Cu^{2 +})을 배출하는 타겟부와, 프로세스 챔버의 내측 상부에 배치되며 기판을 파지한 상태로 승강 가능한 척(chuck)과, 타겟부에 양극 전압을 인가하고 기판에 음극 전압을 인가하는 전압 인가부를 포함한다.

이러한 종래의 기판 도금 장치(1)는, 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 기판의 도금 효율을 향상시키기 위해, 보다 정확히는 기판(W)의 표면에 구리 이온(Cu^{2 +})이 집적됨으로써 기판(W)에 인접한 도금액(3) 중에 구리 이온(Cu^{2 +})의 농도가 현저히 낮아지는 영역, 즉 디플리션(depletion) 영역(5)이 발생되는 것을 저지하기 위해, 기판(W)과 인접한 도금액(3)을 교반하여 주는 구성, 예를 들면 디퓨져(미도시) 또는 패들(미도시)을 더 포함할 수 있다.

그러나, 이러한 종래의 기판 도금 장치(1)에 있어서는, 도금액(3)을 교반하기 위해, 예를 들면 패들을 왕복 이동시키는 모터와 같은 구동부가 구비되어야 하며 이로 인해 장치의 구조가 복잡해짐은 물론 비용이 증가하는 단점이 있다.

따라서, 기판(W)의 도금 균일도를 향상시킴으로써 우수한 도금 품질을 구현할 수 있는 새로운 구조의 기판 도금 장치의 개발이 시급한 실정이다.

본 발명의 실시예에 따른 목적은, 교반부가 진동자로부터 전달되는 진동력에 의해 도금액 내에서 진동함으로써 기판의 표면으로 금속 이온이 집적되어 기판주변의 도금액 내부의 금속이온 농도가 낮아져 기판상으로 계속적인 금속이온의 집적이 이루어 지지 못하는 것을 저지하여 도금액의 불균일한 농도 차이를 줄일 수 있으며 이로 인해 기판 도금의 속도를 향상시킬 수 있는 기판 도금 장치를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 다른 목적은, 도금액을 교반시키기 위한 구동 구조가 종래보다 단순하여 장치 구축을 용이하게 할 수 있는 기판 도금 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 실시예에 따른 기판 도금 장치는, 도금을 위한 금속 이온이 함유된 도금액이 수용되며, 상기 도금액에 도금 대상물인 기판이 선택적으로 침지되는 프로세스 챔버; 상기 프로세스 챔버에 장착된 진동자로부터 제공되는 진동에 의해 상기 도금액 내에서 진동하여 상기 도금액을 교반하는 교반부; 및 상기 진동자에 진동력을 제공하는 발진부;를 포함하며, 이러한 구성에 의해서, 교반부가 진동자로부터 전달되는 진동력에 의해 도금액 내에서 진동함으로써 기판의 표면으로 금속 이온이 집적되어 기판주변의 도금액 내부의 금속이온 농도가 낮아져 기판상으로 계속적인 금속이온의 집적이 이루어 지지 못하는 것을 저지하여 도금액의 불균일한 농도 차이를 줄일 수 있으며 이로 인해 기판 도금의 속도를 향상시킬 수 있다.

상기 진동자는 상기 프로세스 챔버의 둘레를 따라 복수 개 구비되며, 상기 발진부로부터 제공되는 외력에 의해 미리 설정된 주기 또는 진폭으로 진동함으로써 상기 교반부에 진동력을 제공할 수 있다.

상기 교반부는, 상기 도금액 내에서 상기 기판과 인접하도록 침지되며, 상기 도금액을 교반시키는 교반부재; 및 일단부는 상기 교반부재의 외연과 연결되고, 타단부는 상기 진동자에 접촉되도록 배치됨으로써 상기 진동자의 진동력을 상기 교반부재에 전달하는 진동 전달부재를 포함할 수 있다.

상기 진동자는 피에조 진동자이며, 상기 진동자는 상기 발진부로부터 진동력이 인가되는 경우 수직 방향으로 진동함으로써 상기 기판에 대하여 상기 교반부를 수직 방향으로 진동시킬 수 있다.

상기 진동자는 피에조 진동자이며, 상기 진동자는 상기 발진부로부터 진동력이 인가되는 경우 수평 방향으로 진동함으로써 상기 기판에 대하여 상기 교반부를 수평 방향으로 진동시킬 수도 있다.

상기 진동자는 피에조 진동자이며, 상기 진동자는 상기 발진부로부터 진동력이 인가되는 경우 설정된 방향으로 진동함으로써 상기 기판에 대하여 상기 교반부를 설정된 방향으로 진동시킬 수도 있다.

상기 교반부는 패들(paddle) 또는 디퓨져(diffuser) 타입으로 마련될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 교반부가 진동자로부터 전달되는 진동력에 의해 도금액 내에서 진동함으로써 기판의 표면근처의 도금액을 혼합함으로써 기판주변의 도금액 내부의 금속 이온이 농도 저하 되는 것을 저지하여 도금액의 불균일한 농도 차이를 줄일 수 있으며 이로 인해 기판 도금의 속도를 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 도금액을 교반시키기 위한 구동 구조가 종래보다 단순하여 장치 구축을 용이하게 할 수 있다.

도 1은 종래의 일 실시예에 따른 기판 도금 장치에서 발생 가능한 디플리션 영역을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 교반부의 작동을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 도금 장치에서 교반부의 작동을 설명하기 위한 도면이다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 구성 및 적용에 관하여 상세히 설명한다. 이하의 설명은 특허 청구 가능한 본 발명의 여러 태양(aspects) 중 하나이며, 하기의 기술(description)은 본 발명에 대한 상세한 기술(detailed description)의 일부를 이룬다.

다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 관한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.

한편, 이하에서는 기판을 실리콘 재질의 웨이퍼로 설명할 것이나 기판의 종류가 이에 한정되는 것은 아니며, 기판은 LCD, PDP와 같은 평판 디스플레이가 될 수 있음은 자명하다. 또한 기판의 형상 및 크기가 도면 또는 설명 내용에 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 등과 같은 다양한 형상 및 크기로 기판이 제작될 수 있음은 당연하다.

또한, 이하에서는, 교반부가 반도체 전공정을 실행하는 장치 중에 하나인 기판 도금 장치에 적용되는 경우에 대해 설명할 것이나, 교반부가 적용되는 경우가 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 반도체 레벨 패키지 기술이 적용되는 반도체 후공정에 교반부가 적용될 수 있음은 물론이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 장치의 구성을 도시한 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 교반부의 작동을 설명하기 위한 도면이다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 장치(100)는, 도금액(103)이 수용되며 내측 상부에는 도금 대상물인 기판(W)을 파지하는 척(125, chuck)이 승강 가능하게 배치되고 내측 하부에는 플러스 금속 이온, 즉 구리 이온(Cu^{2 +})을 발생시키는 타겟부(120)가 배치되는 프로세스 챔버(110)와, 기판(W) 및 타겟부(120)로 전압을 인가하는 전압 인가부(140)와, 타겟부(120)를 감싸도록 프로세스 챔버(110) 내에 마련되어 도금액(103) 상에서 금속 이온을 여과시키는 여과부(130)를 더 포함할 수 있다.

또한, 본 실시예의 기판 도금 장치(100)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(110)의 도금액에 잠기도록 프로세스 챔버(110)에 장착되어 도금액(103)을 교반시키는 교반부(150)와, 이를 구동시키기 위한 진동자(160) 및 발진부(170)를 더 포함할 수 있다.

이러한 구성을 통해, 도금액(103)에 침지된 기판(W)의 표면으로 구리 이온(Cu^{2 +})이 집적됨으로써 디플리션 영역이 발생되는 것을 저지할 수 있으며, 이로 인해 도금액(103)의 불균일한 농도 차이를 줄일 수 있어 기판(W) 도금의 균일성을 향상시킬 수 있다.

각 구성에 대해 설명하면, 먼저, 본 실시예의 프로세스 챔버(110)는, 상호 착탈 가능하게 조립될 수 있는 이너 챔버(111, inner chamber) 및 아우터 챔버(115, outer chamber)를 구비할 수 있다. 본 실시예의 이너 챔버(111)에는, 도 2에 도시된 바와 같이, 도금액(103)이 상단부까지 채워지며 하단부에는 타겟부(120) 및 그를 감싸는 여과부(130)가 장착되고 그 상부에는 후술할 교반부(150) 및 진동자(160)가 장착된다.

이러한 이너 챔버(111)는 아우터 챔버(115)의 내측에 착탈 가능하게 결합되며, 이러한 결합 구조에 의해 외부 환경으로부터 보호받을 수 있다.

이와 같이, 본 실시예의 프로세스 챔버(110)는 상호 조립 및 분해가 용이하기 때문에 제작이 용이하다는 장점이 있다. 다만, 프로세스 챔버(110)의 구조가 이에 한정되는 것은 아니며, 이너 챔버(111) 및 아우터 챔버(115)가 일체로 형성될 수 있음은 당연하다.

프로세스 챔버(110)의 내측 상부에는 기판(W)을 파지하는 척(125)이 승강 가능하게 배치된다. 척(125)은 도금될 기판(W)의 일면이 하방을 향하도록 기판(W)의 테두리 부분을 파지하며, 이러한 척(125)의 하강 동작에 의해 기판(W)이 도금액(103)에 침지될 때, 전압 인가부(140)로부터 전압이 인가되어 기판(W)에 대한 도금 공정이 실행될 수 있다.

전압 인가부(140)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(W)에 음극 전압을 인가하고 후술할 타겟부(120)에 양극 전압을 인가하는 부분으로서, 이러한 전압 인가부(140)로부터 전압이 인가되는 경우 타겟부(120)로부터 발생된 구리 이온(Cu^{2 +})이 도금액(103)을 통해 기판(W) 방향으로 이동함으로써 기판(W)에 대한 도금 공정이 실행될 수 있다.

한편, 본 실시예의 타겟부(120)는 양극(anode)을 형성하는 부분으로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 도금액(103)에 완전히 침지되며 전압 인가부(140)로부터 양극 전압이 인가되는 경우 산화 반응에 의해 구리 이온(Cu^{2 +})을 발생시킬 수 있다.

이와 같이, 타겟부(120)로부터 구리 이온(Cu^{2 +})이 발생되면, 발생된 구리 이온(Cu^{2 +})을 도금 대상물인 기판(W)으로 이동시켜야 한다. 이러한 역할은 전술한 바와 같이 이너 챔버(111) 내에서 일정선까지 수용되는 도금액(103)에 의해서 이루어진다. 따라서 도금액(103)은 구리 이온(Cu^{2 +})을 전도하기에 적합한 황산구리 용액으로 적용된다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 종류의 도금액(103)이 적용될 수 있음은 물론이다.

본 실시예의 여과부(130)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 타겟부(120)를 감싸도록 이너 챔버(111)의 내측에 마련되어 도금액(103)을 통해 이동하는 구리 이온(Cu^{2 +})을 여과한다. 이러한 여과부(130)는 타겟부(120)의 상부에서 타겟부(120)와 실질적으로 평행하게 마련되며 1 내지 10 마이크로미터(μm)의 직경을 갖는 여과공(미도시)이 규칙적으로 관통 형성된 멤브레인 필터(membrane filter)로 마련될 수 있다.

한편, 본 실시예의 기판 도금 장치(100)는, 도시하지는 않았지만 도금액 공급부(미도시)와 연결되어 이너 챔버(111)의 내부로 도금액(103)을 공급할 뿐만 아니라 도금액(103)의 흐름을 형성시키는 도금액 공급라인(미도시)을 더 포함할 수 있다.

이러한 도금액 공급라인을 통해 타겟부(120)로부터 기판(W)으로 전달되는 구리 이온(Cu^{2 +})의 움직임을 활성화시킬 수 있다.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 장치(100)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 도금액(103), 특히 기판(W)과 인접한 도금액(103)을 교반함으로써 구리 이온(Cu^{2 +})이 기판(W)의 표면에 집적되는 것을 저지하며 이를 통해 기판(W)의 도금 균일도를 향상시킬 수 있도록 하는 교반부(150)와, 교반부(150)를 진동시키는 진동자(160)와, 그리고 진동자(160)를 발진시키는 발진부(170)를 더 포함할 수 있다.

본 실시예의 교반부(150)는, 진동자(160)의 진동에 의해 상하로 왕복 이동함으로써 기판(W)과 가까운 위치에 있는 도금액(103)을 교반하며 이로 인해 도금액(103)을 따라 이동하는 구리 이온(Cu^{2 +})이 기판(W)의 표면에 집적되는 것을 저지할 수 있다. 따라서 도금액(103)의 불균일한 농도 차이를 줄일 수 있어 기판(W) 도금의 균일도를 향상시킬 수 있다.

이러한 교반부(150)는, 도금액(103) 내에서 기판(W)과 인접하도록 침지되며 도금액(103)을 실질적으로 교반시키는 교반부재(151)와, 교단부재(151)의 외연으로부터 각각 상방으로 연장되어 후술할 진동자(160)의 진동력을 교반부재(151)에 전달하는 진동 전달부재(155)를 포함할 수 있다.

먼저, 본 실시예의 교반부재(151)는, 도 3에 도시된 것처럼 기판(W)과 나란한 방향으로 배치되며 후술한 진동자(160)의 진동에 의해 상하 방향, 즉 화살표 A 방향으로 왕복 이동(진동)한다. 이러한 교반부재(151)는 기판(W)으로부터 예를 들면 1 내지 50mm 범위의 거리를 갖도록 왕복 이동할 수 있으며, 교반부재(151)의 상하 이동에 따라 도금액(103) 특히 기판(W) 표면의 도금액(103)이 교반될 수 있고 이를 통해 도금액(103)의 구리 이온(Cu^{2 +}) 농도를 균일하게 할 수 있다.

여기서, 교반부재(151)는, 패들(paddle) 타입으로 마련되거나 균일한 관통공(미도시)이 전체적으로 형성된 디퓨져(diffuser) 타입으로 마련될 수 있다. 따라서 교반부재(151)의 교반을 통해 영역에 따른 도금액(103)의 농도 차이를 줄일 수 있음은 물로 도금액(103)에 의한 구리 이온(Cu^{2 +})의 이동을 원활하게 진행시킬 수 있다.

진동 전달부재(155)는 교반부재(151)의 외연으로부터 상방으로 연결되고 상단부는 진동자(160)에 접촉되도록 배치된다. 도 3을 토대로 더욱 구체적으로 설명하면, 진동 전달부재(155)는 교반부재(151)로부터 연장된 부분이 상방을 향하고 진동자(160)와 접촉된 부분이 수평 방향을 가짐으로써 진동자(160)의 진동을 교반부재(151)로 원활하게 전달할 수 있다.

이러한 교반부재(151) 및 진동 전달부재(155)는 일체로 제작될 수 있으며, 교반부재(151)가 프로세스 챔버(110)의 내측에 있는 도금액(103)에 잠기도록 진동 전달부재(155)가 프로세스 챔버(110)의 상단에 걸리는 구조를 갖는다.

한편, 본 실시예의 진동자(160)는, 도 30에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(110)의 상단벽에 복수 개로 배치되며, 발진부(170)에 의해 상하 방향으로 진동함으로써 그 진동에 의해 발생되는 진동력을 교반부(150)에 제공할 수 있다.

이러한 진동자(160)는 피에조 진동자로 마련될 수 있으며, 발진부(170)로부터 제공되는 외력에 의해 소정 주기 및 진폭으로 상하 진동할 수 있다. 다만, 진동자(160)의 종류는 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 원리에 의해 진동하는 진동자로 마련될 수 있음은 당연하다. 예를 들면 초음파 진동자 등이 적용될 수 있으며, 전달되는 초음파의 크기를 조절함으로써 진동자의 진동 주기 및 진폭을 결정할 수도 있음은 당연하다.

이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 교반부(150)가 진동자(160)로부터 전달되는 진동력에 의해 도금액(103) 내에서 진동함으로써 기판(W)의 표면으로 구리 이온(Cu^{2 +})이 집적되는 것을 저지하여 도금액(103)의 불균일한 농도 차이를 줄일 수 있으며 이로 인해 기판(W) 도금의 균일도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

아울러, 도금액(103)을 교반시키기 위한 구동 구조가 종래보다 단순하여 장치 구축을 용이하게 할 수 있는 장점도 있다.

한편, 이하에서는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 도금 장치에 대해서 설명하되 전술한 일 실시예의 기판 도금 장치와 실질적으로 동일한 부분에 대해서는 그 설명을 생략하기로 한다.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 도금 장치에서 교반부의 작동을 설명하기 위한 도면이다.

이에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 도금 장치(200)에서는, 진동자(260)가 수직 방향이 아닌 수평 방향으로 진동하며 이를 통해 교반부(250) 역시 수평 방향으로 왕복 이동함으로써 도금액(203)을 교반시킬 수 있다.

즉, 발진부(270)로부터 진동자(260)에 진동력이 전달되면 진동자(260)는 정해진 주기 및 진폭으로 수평 방향으로 진동하게 되며, 이에 따라 교반부(250) 역시 수평 방향, 즉 화살표 B 방향으로 진동함으로써 기판(W)의 표면에 집적되는 구리 이온(Cu^{2 +})을 분산시킬 수 있다. 다시 말해, 도금액(103) 내에서 구리 이온(Cu^{2 +})의 농도를 균일화시킬 수 있는 것이다.

이와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판(W)의 표면 근처에 구리 이온(Cu^{2 +})이 집적되는 것을 방지함으로써 도금액(203)의 농도 차이를 최소화할 수 있으며 이를 통해 기판 도금의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

한편, 전술한 실시예들에서는 교반부가 수직 방향 또는 수평 방향으로 진동하는 경우에 대해 상술하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 진동자는 설정된 방향, 예를 들면 경사진 방향으로 진동할 수 있도록 프로세스 챔버에 장착될 수 있으며 이를 통해 도금액을 경사진 방향으로 진동시킬 수 있어 도금액을 교반시킬 수 있음은 물론이다. 이의 경우 도금액에 수직 방향 및 수평 방향의 조합 방향으로 진동이 가해짐으로써 도금액 내에서 구리 이온의 농도 차이를 최소화할 수 있다.

한편, 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.

100 : 기판 도금 장치
110 : 프로세스 챔버
120 : 타겟부
130 : 여과부
150 : 교반부
151 : 교반부재
155 : 진동 전달부재
160 : 진동자
170 : 발진부

Claims (7)

1. 도금을 위한 금속 이온이 함유된 도금액이 수용되며, 상기 도금액에 도금 대상물인 기판이 선택적으로 침지되는 프로세스 챔버;
   상기 프로세스 챔버에 장착된 진동자로부터 제공되는 진동에 의해 상기 도금액 내에서 진동하여 상기 도금액을 교반하는 교반부; 및
   상기 진동자에 진동력을 제공하는 발진부;
   를 포함하는 기판 도금 장치.
   
2. 제1항에 있어서,
   상기 진동자는 상기 프로세스 챔버의 둘레를 따라 복수 개 구비되며, 상기 발진부로부터 제공되는 외력에 의해 미리 설정된 주기 또는 진폭으로 진동함으로써 상기 교반부에 진동력을 제공하는 기판 도금 장치.
   
3. 제1항에 있어서,
   상기 교반부는,
   상기 도금액 내에서 상기 기판과 인접하도록 침지되며, 상기 도금액을 교반시키는 교반부재; 및
   일단부는 상기 교반부재의 외연과 연결되고, 타단부는 상기 진동자에 접촉되도록 배치됨으로써 상기 진동자의 진동력을 상기 교반부재에 전달하는 진동 전달부재를 포함하는 기판 도금 장치.
   
4. 제1항에 있어서,
   상기 진동자는 피에조 진동자이며, 상기 진동자는 상기 발진부로부터 진동력이 인가되는 경우 수직 방향으로 진동함으로써 상기 기판에 대하여 상기 교반부를 수직 방향으로 진동시키는 기판 도금 장치.
   
5. 제1항에 있어서,
   상기 진동자는 피에조 진동자이며, 상기 진동자는 상기 발진부로부터 진동력이 인가되는 경우 수평 방향으로 진동함으로써 상기 기판에 대하여 상기 교반부를 수평 방향으로 진동시키는 기판 도금 장치.
   
6. 제1항에 있어서,
   상기 진동자는 피에조 진동자이며, 상기 진동자는 상기 발진부로부터 진동력이 인가되는 경우 설정된 방향으로 진동함으로써 상기 기판에 대하여 상기 교반부를 설정된 방향으로 진동시키는 기판 도금 장치.
   
7. 제1항에 있어서,
   상기 교반부는 패들(paddle) 또는 디퓨져(diffuser) 타입으로 마련되는 기판 도금 장치.

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