KR20140014660A - 나노구조물 형성방법 - Google Patents

나노구조물 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 열분해공정을 통하여 마이크로 구조를 나노구조로 변형하여 카본스탬프를 형성하고, 이를 이용하여 나노구조물을 형성함으로써 보다 용이하게 나노구조를 형성하는 나노구조물 형성방법을 제공하기 위한 것으로, 마이크로구조의 제1포토레지스트층이 상측에 형성된 마스터스탬프를 형성하는 단계; 상기 마스터스탬프를 열분해하여 나노구조가 상측에 형성된 카본스탬프를 형성하는 단계; 상기 카본스탬프로 제2기판 상에 적층된 제2포토레지스트층을 가압하여 나노구조물을 형성하는 단계; 상기 카본스탬프를 제거하는 단계를 포함하는 나노구조물 형성방법을 제공한다.

Description

나노구조물 형성방법{METHOD FOR FORMING NANO STRUCTURE}
본 발명은 나노구조물 형성방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 열분해공정을 이용하여 보다 용이하게 나노구조물을 형성하는 나노구조물 형성방법에 관한 것이다.
대한민국공개특허공보 제2005-0019128호를 참조하면, 집적회로의 마이크로리소그래픽 패터닝은 최근에 크게 향상되었다. 100 nm 미만의 최소선폭을 갖는 프로토타입 장치들이 소개되었고, 조만간 제조 설비에 투입될 것으로 기대된다.
이러한 집적소자들은 통상적으로 필수적인 증착, 패터닝, 및 에칭 단계들을 수행하는 일련의 공정 단계들을 거쳐 최종적으로 소자를 제조하도록 순차적으로 조립된다. 현대의 마이크로소자는 25개 이상의 개별 층들을 종종 포함하며, 각각의 층들은 피쳐 최소선폭(dimension)과, 전체 웨이퍼가 원하는 층을 생성하기 위해 거쳐야 할 순차적인 공정 단계들을 한정하는 자체 마스크를 구비한다.
최고 해상도 리소그래피는 전자 빔 (또는 E-빔) 리소그래피를 이용하여 수행될 수 있다. 종래 마이크로소자 제조 기술이 도 1에 도시되어 있다. 도 1의 예에서, 마이크로구조물(112,122)이 형성된 미리 제조된 층(120)과 기판(110)을 포함하는 부분적으로 처리된 소자(100)는 처리될 재료(금속, 폴리실리콘 등)로 이루어진 균일한 층(130)으로 코팅되고, 그 후에 통상 레지스트로 불리며 전자 빔 노광에 민감한 폴리머층(150)으로 코팅된다. 그 후에 감광층(150)은 도 1a에 도시된 것처럼 전자 빔(160)의 패턴에 노광되며, 이 경우 기하학적 배치와 노광량(dose)이 형성될 패턴을 한정한다. 그 후에 노광된 재료는 도 1b에 도시된 것처럼 화학적으로 처리되거나 현상되며, 노광되지 않은 영역(152)은 기판 위에 남겨진다. 남겨진 영역은 재료(130)의 패터닝될 부분을 보호하는 기능을 하여, 후속 처리후에는 도 1c에 도시된 것처럼 재료(130)의 처리될 보호 부분(132)만이 남겨진다.비록 E-빔 리소그래피는 최고 해상도 패턴을 형성할 수 있지만, E-빔 장치의 통상적인 처리율은 매우 낮다. 빔은 웨이퍼 상의 각각의 스폿에 차례로 지향되어야 하는데, 이는 일반적으로 공정을 지연시키고 대다수의 마이크로구조물에 대해 실행할 수 없다. 대신에, 광학 리소그래피의 경우에, E-빔(160)은 감광막(150)을 평행하게 노광시키는 마스크의 광학 이미지에 의해 대체된다. 그러나, 광학 이미징 기술은 E-빔 시스템과 동일한 해상도를 갖지 않으며, 이러한 층들에서 나노구조물(100nm 또는 그보다 작은 정도의 최소선폭을 갖는 피쳐)을 제조하는 것은 기하급수적으로 많은 비용을 필요로 한다. 그 결과, 이러한 층들의 리소그래피를 위한 대안이 연구되었다.
이러한 새로운 기술의 패터닝 대안 중 일예는 나노임프린트 기술이다. 나노임프린트 기술에서, 마스터 패턴은 E-빔 리소그래피와 같은 고 해상도 패터닝 기술에 의해 형성된다. 그 후에 이러한 고 해상도 마스터 패턴은 이미징 단계를 사용하지 않고 몇몇 종류의 스탬핑 또는 프린팅 기술을 이용하여 IC 층 상에 대응하는 패턴을 생성하는데 사용된다. 이는 컴팩트 디스크(CD)에서 볼 수 있는 초소형 패턴을 형성하는데 사용되는 기술들과 원리가 매우 유사하다.
이러한 기술의 가장 간단한 예가 스테판 초우(Stephan Chou) 등에 의해 개발되었으며, 도 2에 도시되었다. 초우의 처리 공정은 부분적으로 제조된 기판(100) 상에 코팅된, 동일한 처리될 층(130)을 다루지만, 도 2a에 도시된 것처럼 결합된 기판에 변형가능한 폴리머층(250)이 코팅되어 있다. 최종 구조물을 만들고자 하는 위치에 대응하는 만입부(identation) 패턴(212)을 갖는 마스터 형판(210)은 고 해상도 리소그래피 기술에 의해 제조된다. 그 후에 형판(210)은 기판(100) 상에서 정렬되고, 도 2b에 도시된 것처럼, 기판(100)과 형판(210)이 서로 압착된다. 변형가능한 폴리머(250)는 마스터 형판(210) 내 만입부(212)를 채운다. 그 후에 마스터 형판(210)은 제거되고, 도 2c에 도시된 것처럼 기판(100) 상에 구조물의 패턴(252)이 남겨진다. 에칭과 같은 후속 처리에 의해, 도 2d에 도시된 것처럼, 남아있는 재료(252)의 위치에 의해 한정된, 층(130)으로부터 원하던 결과의 패턴(132)이 형성된다. 초우는 이러한 기술을 이용하여 10 nm 만큼이나 작은 피쳐의 복제를 시연하였다. 씨. 그랜트 윌슨(C. Grant Willson) 등은 도 3에 도시된 것처럼 이러한 기술의 변형 기술을 제시하였다. 변형 기술에서, 마스터 형판(310)은 자외선 광에 투과적이다. 또한 이러한 마스터 형판(310)은 고 해상도 제조 기술을 통해 표면에 패터닝된 만입부(312)를 갖는다. 도 3a에 도시된 것처럼, 윌슨의 처리 공정은 부분적으로 제조된 기판(100) 상에 코팅된, 동일한 처리될 층(130)을 다루지만, 결합된 기판에 UV 노광에 민감한 변형가능한 폴리머층(350)이 코팅되어 있다. 투과성 마스터 형판(310)은 기판(130)과 층(130) 위의 폴리머(350)에 압착된다. 이러한 층(350)은 변형되어, 마스터 형판(310) 내의 만입부(312)를 재료(352)로 채우지만, 마스터 형판의 표면과 기판 사이에는 얇은층(351)을 남겨 놓는다. 그 후에 폴리머 재료(351,352)는 도 3b에 도시된 것처럼, UV 노광(360)을 이용하여 경화되어 단단해진다. 그 후에, 도 3c에 도시된 것처럼, 마스터 형판은 제거되고, 층(130)의 일부 위에 두꺼운 재료(352)가 남겨진다. 에칭과 같은 후속 처리에 의해, 도 3d에 도시된 것처럼, 남아있는 재료(352)의 위치에 의해 한정된, 층(130)으로부터 원하던 결과의 패턴(132)이 형성된다.
그러나 이와 같은 나노임프린트 기술 역시 나노구조물을 형성하기 위하여는 나노구조가 형성된 형판을 형성하여야 하므로, 매우 정교한 가공 기술이 요구되어 그 작업이 어렵다는 단점을 가진다.
본 발명은, 상술한 종래의 나노구조물 형성방법의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 열분해공정을 통하여 마이크로 구조를 나노구조로 변형하여 카본스탬프를 형성하고, 이를 이용하여 나노구조물을 형성함으로써 보다 용이하게 나노구조를 형성하는 나노구조물 형성방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은, 제1기판과, 상기 제1기판 상에 형성된 마이크로구조의 제1포토레지스트층으로 이루어진 마스터스탬프를 형성하는 단계; 상기 마스터스탬프를 열분해하여 나노구조가 상측에 형성된 카본스탬프를 형성하는 단계; 상기 카본스탬프로 제2기판 상에 적층된 제2포토레지스트층을 가압하여 나노구조물을 형성하는 단계; 상기 제2포토레지스트층을 경화시키는 단계; 상기 카본스탬프를 제거하는 단계를 포함하는 나노구조물 형성방법을 제공한다.
바람직하게 본 발명의 상기 마스터스탬프를 형성하는 단계는, 마이크로 또는 나노 구조를 포함한 스탬프로 제1기판 상에 적층된 제1포토레지스트층을 가압하여 마이크로 또는 나노 구조의 제1포토레지스트층이 상측에 형성된 마스터스탬프를 형성하는 단계이다.
또한 본 발명의 상기 마스터스탬프를 형성하는 단계는, 제1기판 상에 적층된 제1포토레지스트층을 UV 레이저 가공하여 마이크로구조의 제1포토레지스트층이 상측에 형성된 마스터스탬프를 형성할 수 있다.
또한 본 발명의 상기 마스터스탬프를 형성하는 단계는, 제1기판 상에 적층된 제1포토레지스트층을 광학적 노광법을 이용하여 마이크로구조의 제1포토레지스트층이 상측에 형성된 마스터스탬프를 형성할 수 있다.
그리고, 본 발명의 마스터스탬프를 형성하는 단계는, 제1기판 상에 적층된 제1포토레지스트층을 E-빔 가공하여 마이크로구조의 제1포토레지스트층이 상측에 형성된 마스터스탬프를 형성하는 단계일 수도 있다.
더 바람직하게는, 상기 제1포토레지스트층은 SU-8 재질로 형성되고, 상기 제1기판은, 유리전이온도가 상기 열분해 시의 공정온도보다 높은 투명재질인 퀄츠(Quartz), 사파이어, 다이아몬드 중 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1기판은 불투명한 재질로 형성될 수도 있다.
그리고 상기 열분해 시의 공정온도는 600℃이상이고, 상기 제2포토레지스트층은 UV 경화 포토레지스트로 형성되거나, 상기 제2포토레지스트층은, 열경화 포토레지스트로 형성될 수 있다.
다른 한편으로 본 발명은 제1기판과, 상기 제1기판 상에 형성된 마이크로구조의 제1포토레지스트층으로 이루어진 마스터스탬프를 형성하는 단계; 상기 마스터스탬프를 열분해하여 나노구조가 상측에 형성된 카본스탬프를 형성하는 단계; 상기 카본스탬프의 하면을 잉크에 침지시키는 단계; 상기 카본스탬프를 제2기판의 상면에 접촉하게 하여 상기 잉크를 상기 제2기판의 상면에 전이시키는 나노구조물 형성방법을 제공한다. 상기 잉크는 바이오물질 또는 기능성분자를 포함하는 용액일 수 있다.
본 발명에 의한 나노구조물 형성방법은, 열분해공정을 이용하여 나노구조를 형성하는 카본스탬프를 용이하게 형성함으로, 보다 용이하게 나노구조물을 제조할 수 있다는 장점을 가진다.
도 1은 종래의 E-빔 리소그래피에 의한 패턴 형성 공정 단계들을 도시한 도면이다.
도 2는 종래의 나노임프린트 기술에 의한 패턴 형성 공정 단계들을 도시한 도면이다.
도 3은 종래의 나노구조물 형성단계 및 플래쉬 처리의 공정 단계들(종래 기술)이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 나노구조물 형성방법의 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 나노구조물 형성방법의 공정의 각 공정 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 나노구조물 형성방법의 순서도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 나노구조물 형성방법의 공정의 각 공정 단면도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 나노구조물 형성방법은, 마스터스탬프 형성단계(S110), 카본스탬프 형성단계(S120), 나노구조 형성단계(S130), 제2포토레지스트층 경화단계(S140), 카본스탬프 제거단계(S150)로 이루어진다.
상기 마스터스탬프 형성단계(S110)는, 제1기판(111)과 제1포토레지스트층(115)으로 이루어진 마스터스탬프(120)를 형성한다. 상기 제1포토레지스트층(115)은 상기 제1기판(111)의 상면에 형성되며 마이크로 구조를 가진다.
상기 마스터스탬프(120)는, 하측에 이빔리소그래피에 의하여 마이크로구조가 형성된 퀄츠마스크(110)로 제1기판(111) 상에 적층된 제1포토레지스트층(115)을 가압한 후, UV광을 조사하여 제1포토레지스트층을 경화시키고 상기 퀄츠마스크(110)를 이형시켜 형성된다.(도 5a, 도 5b, 도 5c) 본 실시예에서는 퀄츠마스크를 이용하였으나, 상기 퀄츠마스크 대신에 일반적인 다른 재질의 스탬프도 사용될 수 있다.
상기 제1포토레지스트층(115)은 SU-8 포토레지스트 재질로 형성되며, 상기 제1기판(111)은 유리전이온도가 후술할 열분해 시의 공정온도보다 높은 투명재질인 퀄츠(Quartz), 사파이어, 다이아몬드 중 어느 하나로 이루어진다. 본 실시예에서는 퀄츠(Quartz), 사파이어, 다이아몬드를 예시로 들었으나, 제1기판의 재료로서 다른 재질이 사용될 수 있음은 물론이다.
상기 퀄츠마스크가 제거되면, 에칭공정을 통하여 잔여층(115a)을 제거한다. (도 5e)본 실시예에서는, 상기 마스터스탬프(120)를, 퀄츠마스크(110)를 이용하여 제조하였으나, 상기 제1기판(111)의 상측에 형성된 제1포토레지스트층(115)을 직접 UV 리소그라피 공법을 이용하여 가공하거나 또는 E-빔 가공하여 상측에 마이크로구조를 가지는 마스터스탬프(120)를 제조할 수 있다.
상기 마스터스탬프(120)가 완성되면, 상기 마스터스탬프(120)를 열분해하여 상측에 나노구조가 형성된 카본스탬프(130)를 형성한다.
상기 열분해는 진공상태나 불활성 가스 환경에서 800ㅀC 이상의 고열을 가열하여 진행된다. 상기 열분해 공정을 통하여 상기 제1기판(111) 상의 제1포토레지스트층(115)은 탄화됨과 동시에 마이크로나노구조에서 나노구조로 변화된다.(도 5f)
이 경우 내구성을 향상시키기 위하여 상기 카본스탬프(130)의 상측에 형성된 나노구조의 표층에 금속코팅을 실시할 수 있다.
상기 카본스탬프(130)는 전기전도성이 있는 카본재질로 형성되므로, 상기 금속코팅 시 별도의 무전해도금공정 없이 전해도금공정만을 이용하여 표면에 크롬을 코팅할 수 있다는 장점을 가진다.
상기 나노구조를 구비한 카본스탬프(130)가 형성되면, 제2기판(135) 상에 형성된 제2포토레지스트층(140)을 가압하여 나노구조를 형성한다.(도 5g, 도 5h)
상기 제2포토레지스트층(140)은 UV 경화포토레지스트 또는 열경화 포토레지스트로 이루어진다. 상기 나노구조가 형성되면, 상기 제2포토레지스트층(140)에 UV 광을 조사하거나 열을 가하여 상기 제2포토레지스트층(140)을 경화시킨다.(도 5i)
상기 제2포토레지스트층을 경화시키는 경우, 상기 제1기판(111)은 유리전이온도가 상기 열분해 시의 공정온도보다 높은 투명재질인 퀄츠(Quartz), 사파이어, 다이아몬드 중 어느 하나로 이루어져 UV 경화 또는 열경화 공정 중 어느 하나를 선택적으로 수행할 수 있게 된다. 본 실시예에서는 UV 경화 또는 열경화 공정 모두를 실시할 수 있도록 상기 제1기판이 퀄츠(Quartz), 사파이어, 다이아몬드의 재질로 이루어졌으나, 열분해 공정 시 공정온도보다 유리전이온도가 높은 불투명재질로 상기 제1기판을 형성하고 열경화공정을 통하여 상기 제1포토레지스트층을 경화시킬 수 있음은 물론이다. 상기 제1포토레지스트층이 경화되면 상기 카본스탬프(130)를 이형시킨다.(도 5j)
상기 제2포토레지스트층(140)이 경화되면 에칭공정을 수행하여 잔여층(140a)을 제거하여 최종적으로 나노구조물을 형성한다.(도 5k)
이러한 본 발명의 나노구조물 형성방법에 따르면, 열분해공정을 통하여 마이크로구조를 나노구조로 용이하게 변화시켜 나노구조를 가지는 카본스탬프를 제조하고, 이 카본스탬프를 이용하여 나노구조물을 용이하게 형성할 수 있다는 장점을 가진다.
또한, 제1기판의 재질을 유리전이온도가 상기 열분해 시의 공정온도보다 높은 투명재질로 형성하여 열경화공정 또는 UV 경화공정을 선택적으로 적용할 수 있다는 장점을 가진다.
또한, 제1기판으로 열분해 온도에 안정적인 실리콘과 같은 불투명의 재질을 사용할 수 있다. 이 경우에는 제 2포토레지스트 층을 경화시키는 과정에서 열경화 공정만을 사용할 수 있다. 그러나 제 2기판(135)가 투명한 재질일 경우 UV 경화공정을 사용할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 나노구조물 형성방법의 순서도이고, 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 나노구조물 형성방법의 공정의 각 공정 단면도이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 나노구조물 형성방법은, 마스터스탬프 형성단계(S210), 카본스탬프 형성단계(S220), 잉크 침지 단계(S230), 스탬핑 단계(S240)으로 이루어진다.
본 실시예의 마스터스탬프 형성단계(S210) 및 카본스탬프 형성단계(S220)는, 상술한 본 발명의 일실시예에 따른 나노구조물 형성방법의 마스터스탬프 형성단계(S110) 및 카본스탬프 형성단계(S120)와 동일하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 실시예의 카본스탬프(230)가 형성되면, 나노구조(230a)가 형성된 상기 카본스탬프(230)의 하측면을 잉크(250)에 침지시켜 상기 나노구조(230a)에 상기 잉크가 묻도록 한다. 상기 잉크는 DNA, 효소, 항체와 같은 바이오물질이나 특정 기능성 분자가 포함되어 있는 용액이다.(도 7a, 도 7b)
상기 나노구조에 잉크(250)가 묻으면, 사용자는 상기 카본스탬프의 하면을 제2기판(260)의 상면에 접촉시켜 상기 잉크가 상기 제2기판(260)의 상면에 전이되도록 하며, 이에 따라 상기 제2기판(260)의 상면에는 나노구조물이 형성된다.
본 실시예의 나노구조물 제조방법은, 열분해공정을 통하여 마이크로구조를 나노구조로 용이하게 변화시켜 나노구조를 가지는 카본스탬프를 제조하고, 이 카본스탬프를 이용하여 바이오물질이나 기능성 분자를 포함한 물질로 형성된 나노구조물을 용이하게 형성할 수 있다는 장점을 가진다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
110 : 폴리머스탬프 111 : 제1기판
115 : 제1포토레지스트층 120 : 마스터 스탬프
130 : 카본스탬프 135 : 제2기판
140 : 제2포토레지스트층

Claims (14)

  1. 제1기판과, 상기 제1기판 상에 형성된 마이크로구조의 제1포토레지스트층으로 이루어진 마스터스탬프를 형성하는 단계;
    상기 마스터스탬프를 열분해하여 나노구조가 상측에 형성된 카본스탬프를 형성하는 단계;
    상기 카본스탬프로 제2기판 상에 적층된 제2포토레지스트층을 가압하여 나노구조물을 형성하는 단계;
    상기 제2포토레지스트층을 경화시키는 단계;
    상기 카본스탬프를 제거하는 단계를 포함하는 나노구조물 형성방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 마스터스탬프를 형성하는 단계는, 마이크로 또는 나노 구조를 포함한 스탬프로 제1기판 상에 적층된 제1포토레지스트층을 가압하여 마이크로 또는 나노 구조의 제1포토레지스트층이 상측에 형성된 마스터스탬프를 형성하는 단계인 나노구조물 형성방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 마스터스탬프를 형성하는 단계는, 제1기판 상에 적층된 제1포토레지스트층을 UV 레이저 가공하여 마이크로구조의 제1포토레지스트층이 상측에 형성된 마스터스탬프를 형성하는 단계인 나노구조물 형성방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 마스터스탬프를 형성하는 단계는, 제1기판 상에 적층된 제1포토레지스트층을 광학적 노광법을 이용하여 마이크로구조의 제1포토레지스트층이 상측에 형성된 마스터스탬프를 형성하는 단계인 나노구조물 형성방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 마스터스탬프를 형성하는 단계는, 제1기판 상에 적층된 제1포토레지스트층을 E-빔 가공하여 마이크로구조의 제1포토레지스트층이 상측에 형성된 마스터스탬프를 형성하는 단계인 나노구조물 형성방법.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1포토레지스트층은 SU-8 재질로 형성된 나노구조물 형성방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1기판은, 유리전이온도가 상기 열분해 시의 공정온도보다 높은 투명재질로 형성된 나노구조물 형성방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1기판은 퀄츠(Quartz), 사파이어, 다이아몬드 중 어느 하나의 재질로 형성된 나노구조물 형성방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1기판은 불투명한 재질로 형성된 나노구조물 형성방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    열분해 시의 공정온도는 600℃이상인 나노구조물 형성방법.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2포토레지스트층은, UV 경화 포토레지스트로 형성된 나노구조물 형성방법.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2포토레지스트층은, 열경화 포토레지스트로 형성된 나노구조물 형성방법.
  13. 제1기판과, 상기 제1기판 상에 형성된 마이크로구조의 제1포토레지스트층으로 이루어진 마스터스탬프를 형성하는 단계;
    상기 마스터스탬프를 열분해하여 나노구조가 상측에 형성된 카본스탬프를 형성하는 단계;
    상기 카본스탬프의 하면을 잉크에 침지시키는 단계;
    상기 카본스탬프를 제2기판의 상면에 접촉하게 하여 상기 잉크를 상기 제2기판의 상면에 전이시키는 나노구조물 형성방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 잉크는 바이오물질 또는 기능성 분자를 포함하는 용액인 것을 특징으로 하는 나노구조물 형성방법.
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