KR20130140455A - 고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치 - Google Patents

고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치 Download PDF

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KR20130140455A
KR20130140455A KR1020120063879A KR20120063879A KR20130140455A KR 20130140455 A KR20130140455 A KR 20130140455A KR 1020120063879 A KR1020120063879 A KR 1020120063879A KR 20120063879 A KR20120063879 A KR 20120063879A KR 20130140455 A KR20130140455 A KR 20130140455A
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KR1020120063879A
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우추홍
안병일
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엘에스산전 주식회사
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Abstract

본 발명은 고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치에 관한 것으로서, 베이스와, 상기 베이스의 양 단부에 상하방향으로 배치되는 엔드플레이트를 구비한 지지유닛; 상기 베이스의 상면에 설정된 간격으로 이격되게 고정되는 히트싱크; 상기 히트싱크 사이에 착탈 가능하게 삽입되는 사이리스터; 상기 사이리스터의 상부영역을 고정하는 상부지지부; 및 상기 사이리스터의 하부에 구비되어 상기 사이리스터를 탄성지지하는 하부지지부;를 구비하여 구성된다. 이에 의해, 사이리스터를 개별적으로 분리하거나 결합할 수 있어 사이리스터의 분리 및 결합이 용이하게 될 수 있다.

Description

고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치{SUPPORTING APPARATUS FOR THYRISTOR FOR HIGH VOLTAGE DIRECT CURRENT TRANSMISSION SYSTEM}
본 발명은, 고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 변형을 억제할 수 있고 착탈을 용이하게 할 수 있도록 한 고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치에 관한 것이다.
주지된 바와 같이, 전력 계통을 연계하는 방식에는 기존의 교류 전력 계통을 그대로 연계하는 방식과, 전력 변환기를 통해 교류 전력을 직류 전력으로 변환하여 계통을 연계하는 방식이 있다. 근래에는 교류 전력 계통을 그대로 연계하는 방식보다 교류 전력을 직류 전력으로 변환하여 전력 계통을 연계하는 방식에 대한 관심이 증대되고 있다. 국내에서도 전력 변환기를 이용한 고압 직류 송전(High Voltage Direct Current; HVDC) 시스템을 제주와 해남 사이에 설치하여 제주와 해남의 전력 계통을 연계하고 있다.
고압 직류 송전(HVDC) 방식이라 함은, 전기 송전 방식의 하나로서, 발전소에서 발전한 고압의 교류 전력을 직류 전력으로 변환시켜 송전한 후, 원하는 수전 지역에서 다시 교류 전력으로 재변환하는 공급 방식을 말한다.
도 1은 고압 직류 송전 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 고압 직류 송전 시스템은, 교류 버스(AC BUS)와 연결되고 입력 교류 전력을 송전용 교류 전력으로 변환하는 변압기(11,12,13,14)와, 상기 변압기에 연결되며 상기 송전용 교류 전력을 직류 전력으로 변환하거나 상기 직류 전력을 상기 송전용 교류 전력으로 변환하는 전력 변환기(21,22,23,24)와, 상기 직류 전력을 송전하는 직류 케이블을 포함하여 회선을 형성한다.
상기 전력 변환기(21,22,23,24)는 복수의 스위칭 소자들로 구성된다.
상기 스위칭소자들은 전력용 반도체로서, 일 예를 들면, IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)나 모스펫(MOSFET) 등의 트랜지스터일 수 있으나, 전류 제어가 가능한 사이리스터(Thyristor)가 주로 이용된다.
도 2 및 도 3은 각각 종래의 고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치의 예를 각각 도시한 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 전력변환기(21,22,23,24)로 이용되는 각 사이리스터(30)는 운전 중 발생되는 고열을 냉각시킬 수 있게 히트싱크(35)를 각각 구비하여 구성된다.
상기 사이리스터(30)는 일 방향으로 열을 이루게 배치될 수 있다.
상기 사이리스터(30)의 양 측에는 상기 사이리스터(30)를 지지할 수 있게 엔드플레이트(40)가 각각 구비될 수 있다.
그런데, 이러한 종래의 고압송전시스템용 사이리스터(30)의 지지장치에 있어서는, 사이리스터(30)의 측면이 상호 접촉되게 열을 이루도록 배치한 후 사이리스터(30)의 열의 양 단부에 엔드플레이트(40)를 각각 배치하도록 구성되어 있어, 사용 기간이 경과할 경우 중력에 의해 중앙영역이 아래로 처지게 되는 변형이 발생될 수 있다.
이러한 문제점을 고려하여 일부에서는, 도 3에 도시된 바와 같이, 일 열을 이루게 배치된 사이리스터(30)의 양 단부에 배치되는 엔드플레이트(40)의 상단 및 하단을 각각 연결하여 인장되게 하는 인장밴드(45)를 구비한 고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치가 이용되고 있다.
그런데, 이러한 종래의 고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치에 있어서는, 상기 엔드플레이트(40)를 연결하는 인장밴드(45)를 구비함에도 불구하고 시간이 경과할 경우 상기 사이리스터(30) 및 히트싱크(35)의 무게에 의해 중앙영역의 처짐 및/또는 변형이 발생된다고 하는 문제점이 있다.
또한, 도 2 및 도 3과 관련하여 전술한 종래의 고압송전시스템용 사이리스터의 지지장치들은 어느 하나의 사이리스터(30)의 교체시 상기 사이리스터(30) 전체의 결합상태를 전부 해제하고 상기 사이리스터(30)의 교체 후 다시 전체를 재결합해야 하므로 분리 및/또는 점검이 번거롭게 된다고 하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은, 사이리스터의 분리 및 결합을 용이하게 할 수 있는 고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, 사이리스터를 개별적으로 분리 및 조립할 수 있는 고압직류송던시스템용 사이리스터의 지지장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
본 발명은, 상기한 바와 같은 목적 달성을 위해, 베이스와, 상기 베이스의 양 단부에 상하방향으로 배치되는 엔드플레이트를 구비한 지지유닛; 상기 베이스의 상면에 설정된 간격으로 이격되게 고정되는 히트싱크; 상기 히트싱크 사이에 착탈 가능하게 삽입되는 사이리스터; 상기 사이리스터의 상부영역을 고정하는 상부지지부; 및 상기 사이리스터의 하부에 구비되어 상기 사이리스터를 탄성지지하는 하부지지부;를 포함하는 고압직류송전(HVDC)용 사이리스터의 지지장치를 제공한다.
여기서, 상기 히트싱크는 저부에 이격방향을 따라 연장된 플랜지를 구비하여 구성될 수 있다.
상기 상부지지부는, 상기 히트싱크 및 사이리스터의 상호 접촉면 중 어느 하나에 돌출형성되는 걸림돌기와, 다른 하나에 상기 걸림돌기와 접촉되어 상하방향으로 구속되는 걸림턱을 구비하여 구성될 수 있다.
상기 걸림돌기 및 걸림턱은 상기 히트싱크의 전후방향을 따라 연장되게 구성될 수 있다.
상기 상부지지부는, 상기 히트싱크 및 상기 사이리스터의 상호 접촉면 중 어느 하나에 다른 하나를 향해 돌출 형성되는 록핀과, 다른 하나에 상기 록핀의 단부가 삽입될 수 있게 형성되는 록핀수용부를 구비하게 구성될 수 있다.
상기 록핀은 상기 사이리스터의 상부영역에 구비되고, 상기 록핀수용부는 상기 히트싱크에 구비되게 구성될 수 있다.
상기 하부지지부는 상하방향으로 신축이 가능한 스프링을 구비하게 구성될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 베이스의 상측에 히트싱크를 미리 설정된 간격으로 고정하고 히트싱크 사이에 사이리스터를 상측 및 하측에서 지지하게 구성함으로써 사이리스터를 개별적으로 용이하게 분리 및 결합할 수 있다.
도 1은 고압 직류 송전 시스템을 설명하기 위한 도면,
도 2 및 도 3은 각각 종래의 고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치의 예를 각각 도시한 도면,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 고압직류송전시스템의 사이리스터의 지지장치를 도시한 사시도,
도 5는 도 4의 요부확대사시도,
도 6은 도 4의 사이리스터 결합을 설명하기 위한 측면도,
도 7은 도 6의 록핀수용부를 도시한 도면,
도 8은 도 6의 록핀의 변형례,
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고압직류송전시스템의 사이리스터의 지지장치의 결합상태의 단면도,
도 10은 도 9의 사이리스터의 분리 상태를 도시한 사시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 고압직류송전시스템의 사이리스터의 지지장치는, 베이스(111)와, 상기 베이스(111)의 양 단부에 상하방향으로 배치되는 엔드플레이트(113)를 구비한 지지유닛(110); 상기 베이스(111)의 상면에 설정된 간격으로 이격되게 고정되는 히트싱크(120); 상기 히트싱크(120) 사이에 착탈 가능하게 삽입되는 사이리스터(130); 상기 사이리스터(130)의 상부영역을 고정하는 상부지지부(150); 및 상기 사이리스터(130)의 하부에 구비되어 상기 사이리스터(130)를 탄성지지하는 하부지지부(140);를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 지지유닛(110)은, 일 측으로 긴 길이를 구비한 베이스(111)와, 상기 베이스(111)의 양 단부 상면에 상측으로 돌출되게 구비되는 엔드플레이트(113)를 구비하여 구성될 수 있다.
상기 베이스(111)는, 예를 들면, 빔(BEAM)(H BEAM, I BEAM)으로 구성될 수 있다. 이에 의해, 중앙영역이 상기 사이리스터(130) 및 상기 히트싱크(120)의 무게에 의해 아래로 처지거나 변형되는 것을 억제(방지)할 수 있다.
상기 베이스(111)의 상면에는 히트싱크(120)가 미리 설정된 간격(d)으로 이격 배치될 수 있다. 여기서, 상기 히트싱크(120)는 서로 인접된 두 히트싱크(120) 사이에 사이리스터(130)가 착탈 가능하게 삽입될 수 있는 정도의 간격(d)으로 이격되게 구성될 수 있다.
상기 히트싱크(120)는, 예를 들면, 내부에 냉각유체가 유동할 수 있게 냉각유체(냉각수)의 유로를 구비하게 구성될 수 있다.
상기 히트싱크(12)의 일 측에는 냉각유체의 출입을 위한 출입구(126)들이 구비될 수 있다.
상기 히트싱크(120)는 상기 베이스(111)의 상면에 고정 결합될 수 있다.
상기 히트싱크(120)는 대략 직육면체로 형성될 수 있다.
상기 히트싱크(120)는 저부에 폭방향으로 확장된 플랜지(122)를 구비할 수 있다. 이에 의해, 상기 히트싱크(120)와 상기 베이스(111)의 접촉면적이 증가하게 되어 상기 히트싱크(120)가 안정적으로 지지될 수 있다.
상기 히트싱크(120)의 플랜지(122)는, 예를 들면, 양 측으로 각각 돌출되게 형성될 수 있다. 여기서, 상기 베이스(111)의 양 단부 가장 바깥쪽에 배치되는 히트싱크(120)는 내측으로 돌출된 플랜지(122)를 구비할 수 있다. 이에 의해, 상기 가장 바깥쪽에 배치되는 히트싱크(120)와 상기 엔드플레이트(113)의 접촉이 원활하게 되어 히트싱크(120)가 안정적으로 지지될 수 있다. 이에 따라 상기 사이리스터(130)의 구동시 외측으로 작용하는 압력(팽창압력)이 발생되어도 상기 엔드플레이트(113)에 의해 상기 히트싱크(120)가 지지되어 상기 히트싱크(120)가 외측으로 기울어지는 것이 억제될 수 있다.
상기 히트싱크(120)의 플랜지(122)에는, 예를 들면, 상기 베이스(111)에 결합되는 체결부재(125)가 삽입될 수 있게 체결부재삽입공(124)이 관통 형성될 수 있다.
한편, 상기 사이리스터(130)의 하측에는 상기 사이리스터(130)를 탄성지지하는 하부지지부(140)가 구비될 수 있다.
상기 하부지지부(140)는 상하방향으로 신축이 가능한 스프링(142)을 구비하여 구성될 수 있다.
상기 스프링(142)은, 예를 들면, 압축코일스프링(142)으로 구현될 수 있다.
상기 스프링(142)은 상기 히트싱크(120)의 플랜지(122)에 각각 구비될 수 있다.
상기 사이리스터(130)의 상측에는 예를 들면, 상기 사이리스터(130)의 상부영역을 지지하는 상부지지부(150)가 구비될 수 있다.
상기 상부지지부(150)는, 예를 들면 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 히트싱크(120) 및 상기 사이리스터(130)의 상호 접촉면 중 어느 하나에 다른 하나를 향해 돌출 형성되는 록핀(lock pin)(152)과, 다른 하나에 상기 록핀(152)의 단부가 삽입될 수 있게 형성되는 록핀수용부(154)를 구비하게 구성될 수 있다.
상기 록핀(152)은 상기 사이리스터(130)의 상부영역에 구비될 수 있다.
상기 록핀(152)은, 예를 들면, 상기 사이리스터(130)의 내부로 철회 가능하게 구성될 수 있다.
상기 록핀수용부(154)는 상기 록핀(152)을 수용할 수 있게 상기 히트싱크(120)에 구비될 수 있다.
상기 록핀수용부(154)는 상기 하부지지부(140)의 스프링(142)이 압축된 상태에서 상기 록핀(152)이 수용될 수 있는 위치에 형성될 수 있다. 여기서, 상기 하부지지부(140)의 스프링(142)의 압축시 발생된 탄성력은 상기 사이리스터(130)의 구동시 상기 사이리스터(130)에 작용하는 힘에 대항하여 상기 사이리스터(130)를 상하방향 및 전후방향으로 탄성지지되도록 함으로써 상기 사이리스터(130)가 안정적으로 지지될 수 있다.
상기 록핀수용부(154)의 주변에는, 예를 들면 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 록핀(152)을 조작할 수 있는 공구(미도시)의 조작 접근을 위한 조작홈(156)이 구비될 수 있다. 이에 의해, 상기 록핀(152)이 상기 사이리스터(130)의 표면으로부터 돌출 및 철회될 수 있게 록핀(152)의 위치를 용이하게 조작할 수 있다. 상기 조작홈(156)은, 예를 들면, 상측으로 확장되게 절취 형성될 수 있다.
한편, 상기 록핀(152)은, 예를 들면 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 록핀(152)이 외측으로 돌출되게 탄성력을 가하는 록핀스프링(158)을 구비하여 구성될 수 있다. 이에 의해, 상기 록핀(152) 및 록핀수용부(154)의 결합 및 분리가 용이하게 될 수 있다. 본 실시예에서, 록핀(152)이 상기 사이리스터(130)에 형성되고 록핀수용부(154)가 상기 히트싱크(120)에 구비된 경우를 예시하고 있으나, 상기 록핀(152)이 상기 히트싱크(120)에 구비되고 상기 록핀수용부(154)가 상기 사이리스터(130)에 구비되게 구성될 수도 있다.
이러한 구성에 의하여, 상기 베이스(111)의 상면에 상기 히트싱크(120)가 미리 정해진 위치에 각각 고정 결합되면, 상기 히트싱크(120)의 각 플랜지(122)의 상측에 스프링(142)이 각각 구비될 수 있다.
다음 서로 인접된 히트싱크(120) 사이에 상기 사이리스터(130)를 삽입하고, 상기 각 스프링(142)이 압축되게 한 후 상기 각 록핀(152)이 해당 록핀수용부(154)에 삽입되게 하면 사이리스터(130)의 결합이 완료된다.
이하, 도 9 및 도 10을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 대하여 설명한다.
전술 및 도시한 실시예와 동일 및 동일 상당부분에 대해서는 도면 설명의 편의상 도시를 생략하고 동일한 참조부호를 인용하여 설명될 수 있다.
또한, 일부 구성에 대한 중복되는 설명은 생략될 수 있다.
도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 고압직류송전시스템의 사이리스터의 지지장치는, 베이스(111)와, 상기 베이스(111)의 양 단부에 상하방향으로 배치되는 엔드플레이트(113)를 구비한 지지유닛(110); 상기 베이스(111)의 상면에 설정된 간격으로 이격되게 고정되는 히트싱크(120); 상기 히트싱크(120) 사이에 착탈 가능하게 삽입되는 사이리스터(130); 상기 사이리스터(130)의 상부영역을 고정하는 상부지지부(180); 및 상기 사이리스터(130)의 하부에 구비되어 상기 사이리스터(130)를 탄성지지하는 하부지지부(170);를 구비하여 구성될 수 있다.
상기 베이스(111)의 상면에는 히트싱크(120)가 미리 설정된 간격(d)으로 결합될 수 있다.
상기 히트싱크(120)는 상기 베이스(111)의 상면에 접촉되는 플랜지(122)를 구비할 수 있다.
상기 히트싱크(120)의 사이에는 사이리스터(130)가 각각 삽입 결합될 수 있다.
상기 사이리스터(130)의 하측에는 하부지지부(170)가 구비될 수 있다.
상기 하부지지부(170)는 상하방향으로 신축이 가능한 스프링(142)을 구비하여 구성될 수 있다.
상기 각 스프링(142)은 상기 플랜지(122)의 상측에 각각 구비될 수 있다.
상기 하부지지부(170)는 상기 스프링(142)의 상측에 구비되는 지지판(172)을 구비하여 구성될 수 있다. 이에 의해, 상기 사이리스터(130)의 슬라이딩 이동이 원활하게 될 수 있다.
상기 하부지지부(170)는, 상하방향으로 신축되는 스프링(142)과, 상기 스프링의 상측에 구비되는 지지판(172)를 구비할 수 있다.
한편, 상기 사이리스터(130)의 상부영역에는 상기 사이리스터(130)의 상부영역을 지지할 수 있게 상부지지부(180)가 구비될 수 있다.
예를 들면, 상기 상부지지부(180)는, 상기 히트싱크(120) 및 사이리스터(130)의 상호 접촉면 중 어느 하나에 돌출형성되는 걸림돌기(182)와, 다른 하나에 상기 걸림돌기(182)와 접촉되어 상하방향으로 구속되는 걸림턱(192)을 구비하여 구성될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 걸림돌기(182)는 상기 히트싱크(120)에 구비될 수 있다.
상기 걸림돌기(182)는 삼각형 단면 형상을 구비하게 구성될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 걸림돌기(182)는 저부면이 상기 사이리스터(130)의 표면으로부터 수평으로 돌출되게 형성될 수 있다. 상기 걸림돌기(182)는 외측으로 하향 경사지게 형성되는 경사면(184)을 구비할 수 있다.
상기 걸림턱(192)은 상기 사이리스터(130)에 형성될 수 있다.
상기 걸림턱(192)은 상기 걸림돌기(182)의 하측에 배치될 수 있다.
상기 걸림턱(192)은 상기 걸림돌기(182)가 수용될 수 있게 상기 사이리스터(130)의 표면으로부터 함몰되게 형성될 수 있다.
상기 걸림턱(192)의 상측에는 내측으로 하향 경사진 경사부(194)가 구비될 수 있다. 상기 경사부(194)는 상기 경사면(192)과 면접촉되게 구성될 수 있다.
여기서, 상기 걸림턱(192) 및 걸림돌기(182)는 상기 하부지지부(170)의 스프링(142)이 적절히 압축된 상태에서 맞물림되게 구성될 수 있다. 이에 의해, 상기 사이리스터(130)의 결합시 상기 스프링(142)의 탄성력에 의해 상기 사이리스터(130)가 탄성지지될 수 있다.
한편, 상기 걸림돌기(182) 및 걸림턱(192)은 상기 히트싱크(120)의 전후방향을 따라 연장되게 구성될 수 있다. 이에 의해, 상기 사이리스터(130)가 상기 히트싱크(120)에 대해 전후방향을 따라 슬라이딩 될 수 있다.
이러한 구성에 의하여, 상기 사이리스터(130)를 결합하고자 할 때는, 상기 하부지지부(170)의 스프링(142)이 압축되게 하향 가압하고, 상기 사이리스터(130)를 두 히트싱크(120) 사이에 대고 삽입 한 후 슬라이딩 시키면 결합이 완료된다.
이상에서, 본 발명의 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었다. 그러나, 본 발명은, 그 사상 또는 본질적인 특징에서 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 형태로 실시될 수 있으므로, 위에서 설명된 실시예는 그 상세한 설명의 내용에 의해 제한되지 않아야 한다.
또한, 앞서 기술한 상세한 설명에서 일일이 나열되지 않은 실시예라 하더라도 첨부된 특허청구범위에서 정의된 그 기술 사상의 범위 내에서 넓게 해석되어야 할 것이다. 그리고, 상기 특허청구범위의 기술적 범위와 그 균등범위 내에 포함되는 모든 변경 및 변형은 첨부된 특허청구범위에 의해 포섭되어야 할 것이다.
110 : 지지유닛 111 : 베이스
113 : 엔드플레이트 120 : 히트싱크
122 : 플랜지 124 : 체결부재삽입공
125 : 체결부재 130 : 사이리스터
140 : 하부지지부 142 : 스프링
150 : 상부지지부 152 : 록핀
154 : 록핀수용부 156 : 조작홈

Claims (7)

  1. 베이스와, 상기 베이스의 양 단부에 상하방향으로 배치되는 엔드플레이트를 구비한 지지유닛;
    상기 베이스의 상면에 설정된 간격으로 이격되게 고정되는 히트싱크;
    상기 히트싱크 사이에 착탈 가능하게 삽입되는 사이리스터;
    상기 사이리스터의 상부영역을 고정하는 상부지지부; 및
    상기 사이리스터의 하부에 구비되어 상기 사이리스터를 탄성지지하는 하부지지부;
    를 포함하는 고압직류송전(HVDC)용 사이리스터의 지지장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 히트싱크는 저부에 이격방향을 따라 연장된 플랜지를 구비하는 것을 특징으로 하는 고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 상부지지부는, 상기 히트싱크 및 사이리스터의 상호 접촉면 중 어느 하나에 돌출형성되는 걸림돌기와, 다른 하나에 상기 걸림돌기와 접촉되어 상하방향으로 구속되는 걸림턱을 구비하는 것을 특징으로 하는 고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 걸림돌기 및 걸림턱은 상기 히트싱크의 전후방향을 따라 연장되는 것을 특징으로 하는 고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 상부지지부는, 상기 히트싱크 및 상기 사이리스터의 상호 접촉면 중 어느 하나에 다른 하나를 향해 돌출 형성되는 록핀과, 다른 하나에 상기 록핀의 단부가 삽입될 수 있게 형성되는 록핀수용부를 구비하는 것을 특징으로 하는 고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 록핀은 상기 사이리스터의 상부영역에 구비되고, 상기 록핀수용부는 상기 히트싱크에 구비되는 것을 특징으로 하는 고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치.
  7. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하부지지부는 상하방향으로 신축이 가능한 스프링을 구비하는 것을 특징으로 하는 고압직류송전시스템용 사이리스터의 지지장치.
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CN113097164A (zh) * 2021-03-31 2021-07-09 辽宁工程技术大学 一种电气自动化实验用可循环利用的散热片
CN113809025A (zh) * 2021-08-13 2021-12-17 国电南瑞科技股份有限公司 散热器、晶闸管组串模块及其压接方法
CN113809025B (zh) * 2021-08-13 2024-05-24 国电南瑞科技股份有限公司 散热器、晶闸管组串模块及其压接方法

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