KR20130132708A - Vdd 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로 - Google Patents

Vdd 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로 Download PDF

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Abstract

본 발명은, VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로에 관한 것으로서, 문턱전압 변화와 전원전압의 전압강하에 대해 효과적으로 보상하여 균일한 휘도를 구현할 수 있으며, 또한 종래의 VDD 라인을 제거하고 제1스캔 신호선(SCAN1) 라인을 전원전압 라인으로 사용하면서 발광영역을 증가시킬 수 있는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로에 관한 것이다.

Description

VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로{Threshold Voltage and IR drop compensation of an AMOLED Pixel Circuit without VDD line}
본 발명은, VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로에 관한 것으로서, 문턱전압 변화와 전원전압의 전압강하에 대해 효과적으로 보상하여 균일한 휘도를 구현할 수 있으며, 또한 종래의 VDD 라인을 제거하고 제1스캔 신호선(SCAN1) 라인을 전원전압 라인으로 사용하면서 발광영역을 증가시킬 수 있는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로에 관한 것이다.
최근, 평판 표시 장치(Flat Panel Display: FPD)에 대한 관심이 증가하면서, 다양한 방식의 평판 표시 장치의 개발이 활발히 진행되고 있다. 대표적인 평판 표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 유기 전계발광 표시장치(Organic Electroluminescence Display Device) 등이 있다.
상기 평판표시장치 중 유기 전계발광 표시장치는 자발광 소자로서 백라이트(backlight)를 구비하지 않아도 되므로 LCD에 비해 박형화, 경량화가 가능하며, 보다 저렴하고 쉽게 제작할 수 있고 응답속도가 수십 [ns]로 빠르며, 시야각이 넓고 명암비가 좋아 차세대 디스플레이로서 주목을 받고 있다.
상술한 유기 전계 발광 표시장치를 구동하는 방식에는 수동 매트릭스(passive matrix) 구동 방식과 능동 매트릭스(active matrix) 구동 방식이 있다. 이 중 능동 매트릭스 구동 방식은 캐패시터에 소정의 계조를 표시하기 위한 전압을 저장하고, 저장된 전압을 전체 프레임 시간 동안에 화소에 인가하는 구동 방식을 말한다.
또한, 유기 전계발광 표시장치는 전압구동의 액정을 이용하는 LCD와 다르게 전류구동 소자인 유기 발광다이오드를 이용하여 구동전류의 양에 따라 휘도를 조절하여 발광한다. 따라서, 유기 전계발광 표시장치는 구동전류를 생성하기 위한 화소회로가 필요하다.
이러한 유기전계발광표시장치에는 박막 트랜지스터 기술이 널리 사용이 되고 있으며 능동형 유기 발광다이오드(active matrix organic light emitting diode: AMOLED)의 경우에는 저온 공정의 다결정 실리콘 기술이 널리 사용이 되고 있다. 그 이유는 저온 다결정 실리콘(low-temperature polycrystalline silicon: LTPS) 박막트랜지스터는 아모포스 실리콘(amorphous silicon: a-Si) 박막트랜지스터 보다 이동도가 높아 더 많은 전류를 공급할 수 있고 장시간 안정성이 뛰어나기 때문이다.
LTPS TFT는 a-Si TFT에 엑시머 레이저를 조사하여 결정화하는 ELA(excimer laser annealing) 기술이 많이 활용되고 있으며 ELA 결정화법에 의해 소자의 채널이 무작위의 다결정 형태를 이루기 때문에 소자마다 각기 다른 전기적 특성을 가진다. 때문에 화소회로에서 박막트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage)을 변화시켜 각 화소에 동일한 데이터 전압을 인가하더라도 각기 다른 전류가 흐르게 된다. 결국, 구동 박막트랜지스터의 특성이 디스플레이 내에서 인접한 화소 간에 차이를 보이게 되면 위치 별로 OLED에 흐르는 전류량이 달라 서로 다른 휘도를 보이게 되는 것이다.
한편, 화소 내 스캔 라인과 데이터 라인은 금속으로 이루어져 있으며, 전류구동 소자인 OLED는 금속라인의 저항 때문에 전압 강하(IR drop)를 피할 수 없다. VDD 라인에 전압강하가 생기게 되면 화소가 초기 VDD로부터 멀어질수록 구동 박막트랜지스터의 게이트-소스 전압(VGS) 값이 감소함으로서 휘도가 감소하게 된다. 최근의 디스플레이는 사이즈가 대면적으로 발전해감에 따라 스캔 신호선과 데이터 라인의 수는 증가하게 되고 전압강하에 의한 휘도 저하는 더욱 증가하게 된다.
기본적인 AMOLED 화소 회로는 2개의 박막트랜지스터, 1개의 커패시터, 2개의 신호선 그리고 1개 전원전압(VDD)을 포함하고 있다.
따라서, 기본적인 AMOLED 화소회로에 박막트랜지스터, 커패시터, 신호선 등을 추가고 회로를 적절하게 디자인하여 구동 박막트랜지스터의 문턱전압 변화와 전원라인의 전합강하를 보상함과 동시에 신호선 및 박막트랜지스터, 커패시터의 수를 줄임으로써, OLED의 균일한 휘도 및 발광영역의 증대를 꾀하는 유기 발광 다이오드 화소 회로의 개발이 필요로 하게 되었다.
KR10-0560780(등록번호) 2006.03.07
본 발명은, 문턱전압 변화와 전원전압의 전압강하에 대해 효과적으로 보상하여 균일한 휘도를 구현할 수 있는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은, 종래의 VDD 라인을 제거하고 제1스캔 신호선(SCAN1) 라인을 전원전압 라인으로 사용하면서 발광영역을 증가시킬 수 있는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은, 인가되는 구동전류에 따라 소정의 휘도로 발광하는 OLED 소자; 전원 전압의 전원선 및 주사 신호의 신호선 역할을 하는 제1스캔 신호선; 다른 주사 신호의 신호선 역할을 하는 제2스캔 신호선; 상기 OLED의 발광을 위한 데이터 전압을 제공하는 데이터선; 상기 OLED의 발광을 위한 발광제어 신호를 제공하는 발광제어 신호선; 상기 제1스캔 신호선과 상기 OLED 소자 사이에 구비되고, 게이트 전극에 인가되는 전압에 따라 상기 구동전류를 출력하는 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 OLED 소자 사이에 연결되고, 게이트 전극에 인가되는 발광제어 신호에 응답하여 상기 구동전류를 OLED 소자에 전달하거나 차단하는 발광제어 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 연결되고, 게이트 전극에 인가되는 상기 제2스캔 신호선의 주사신호에 응답하여 동작되는 제 3 스위칭 트랜지스터; 일전극이 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 문턱전압과 전압강하 보상 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압에 유지시켜주는 커패시터; 상기 커패시터의 타전극과 상기 데이터선 사이에 연결되고, 게이트 전극에 인가되는 상기 제1스캔 신호선의 주사신호에 응답하여 데이터 전압을 상기 커패시터의 타전극으로 인가하는 제 1 스위칭 트랜지스터; 상기 커패시터의 타전극과 상기 데이터선 사이에 연결되고, 게이트 전극에 인가되는 상기 제2스캔 신호선의 주사신호에 응답하여 데이터 전압을 상기 커패시터의 타전극으로 인가하는 제 2 스위칭 트랜지스터;를 포함하여 구성된다.
또한, 본 발명은, 상기 제1스캔 신호선에 인가된 주사신호가 HIGH 이고, 상기 제2스캔 신호선에 인가된 주사신호가 LOW 이고, 상기 발광제어 신호가 HIGH 이고, 상기 데이터선의 데이터전압이 HIGH 이면, 상기 OLED의 구동을 위한 전류를 차단하고 상기 커패시터의 일전극에 상기 구동 박막트랜지스터의 문턱전압과 전압강하를 보상하기 위한 전압을 저장하고 상기 커패시터의 타전극에 상기 데이터 전압을 저장한다.
또한, 본 발명의 상기 제1스캔 신호선의 주사신호는 상기 구동 트랜지스터를 턴-온하고, 상기 제2스캔 신호선의 주사신호는 상기 제 2 및 제 3 스위칭 트랜지스터를 턴-온하고, 상기 발광제어 신호는 상기 발광제어 트랜지스터를 턴-오프한다.
또한, 본 발명의 상기 제 2 스위칭 트랜지스터는 상기 데이터전압을 상기 커패시터의 타전극에 충전한다.
또한, 본 발명은, 상기 제1스캔 신호선의 주사신호에서 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 차감한 전압이 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압으로 충전된다.
또한, 본 발명은, 상기 제1스캔 신호선의 주사신호가 LOW 이고, 상기 제2스캔 신호선의 주사신호가 HIGH 이고, 상기 발광제어 신호가 HIGH이고, 상기 데이터선의 데이터전압이 LOW 이면, 상기 제1스캔 신호선의 주사신호는 상기 제 1 스위칭 트랜지스터를 턴-온하고, 상기 커패시터는 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 상기 제 1 스위칭 트랜지스터의 소스전압을 커플링하며, 상기 제 1 스위칭 트랜지스터는 상기 제 2 스위칭 트랜지스터의 드레인 전압을 방전한다.
또한, 본 발명은, 상기 제1스캔 신호선의 주사신호가 HIGH 이고, 상기 제2스캔 신호선의 주사신호가 HIGH 이고, 상기 발광제어 신호가 LOW 이고, 상기 데이터 신호선의 데이터 전압이 LOW이면, 상기 제1스캔 신호선의 주사신호는 상기 구동 트랜지스터를 턴-온하고, 상기 제1스캔 신호선의 주사신호는 상기 구동 트랜지스터의 소스전압으로 사용된다.
또한, 본 발명의 상기 제 1 스위칭 트랜지스터, 상기 제 2 스위칭 트랜지스터, 상기 제 3 스위칭 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터 또는 상기 발광제어 트랜지스터는 P-타입 트랜지스터로 구성된다.
본 발명은, 문턱전압 변화와 전원전압의 전압강하에 대해 효과적으로 보상하여 균일한 휘도를 구현할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은, 종래의 VDD 라인을 제거하고 제1스캔 신호선(SCAN1) 라인을 전원전압 라인으로 사용하면서 발광영역을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1 은 종래의 화소회로.
도 2 는 종래의 전원전압(VDD) 배선에서 전압강하가 발생하는 과정을 도시한 예시도.
도 3 은 본 발명의 실시예에 따른 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로의 회로도.
도 4 는 본 발명의 실시예에 따른 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로의 타이밍도.
도 5 는 본 발명의 실시예에 따른 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로의 구동 박막트랜지스터의 문턱전압 변화에 따른 게이트 전압에 대한 시뮬레이션 결과.
도 6 은 본 발명의 실시예에 따른 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로의 데이터전압 변화와 구동 트랜지스터의 문턱전압 변화에 따른 OLED 전류에 대한 시뮬레이션 괄과.
도 7 은 본 발명의 실시예에 따른 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로의 전원전압의 전압강하에 따른 OLED 전류에 대한 시뮬레이션 결과.
이하에서, 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3를 참조하면, 상기 화소회로는 유기발광다이오드와 유기발광다이오드에 전류를 공급하는 구동 박막트랜지스터(T4)와 상기 구동 박막트랜지스터에 인가되는 데이터 전압 및 스캔 전압을 제어하는 제 1 내지 제 3 스위칭 박막트랜지스터(T1, T2, T3)와 유기발광다이오드가 발광해야하는 구간에만 유기발광다이오드에 전류를 흐를 수 있게 제어하는 발광제어 박막트랜지스터(T5) 그리고 구동 박막트랜지스터의 게이트에 인가된 전압을 일정기간 유지하는 커패시터(C1)를 구비한다. 여기서 박막트랜지스터는 모두 p-tyep MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)이다. 또한 데이터 전압을 제공하는 데이터선(DATA)과 주사신호를 제공하는 제1 및 제2스캔 신호선(SCAN1, SCAN2)과, 발광제어 신호를 제공하는 발광제어선(EM)를 포함하며, VDD 전원전압은 별도의 외부 전원에 의해 공급되지 않고 제1스캔 신호선(SCAN1)을 통해 공급 받도록 구성된다.
구동 박막트랜지스터(T4)는 전원전압 VDD을 대체하는 역할을 하는 제1스캔 신호선(SCAN1)과 OLED 사이에 연결되며, 게이트 전극에 인가되는 전압에 따라 상기 OLED에 흐르는 구동전류를 제어한다. 구체적으로 구동 박막트랜지스터(T4)의 소스전극이 제1스캔 신호선(SCAN1)에 연결되고, 드레인 전극이 발광제어 박막트랜지스터(T5)를 통하여 OLED의 애노드 전극에 접속된다. 또한, 상기 구동 박막트랜지스터(T4)의 게이트 전극에는 제 3 스위칭 박막트랜지스터(T3)의 드레인 전극과 커패시터(C1)의 일전극 B가 연결되고, 커패시터(C1)의 타전극 A는 제 1 스위칭 박막트랜지스터(T1)과 제 2 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 드레인 전극과 연결된다.
제 1 스위칭 박막트랜지스터(T1)은 커패시터(C1)의 일전극 A와 데이터선 DATA 전극 사이에 연결된다. 제 1 스위칭 박막트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제1스캔 신호선(SCAN1)에 연결되고 제1스캔 신호선(SCAN1)로부터의 주사신호에 턴-온되어 데이터선 DATA로부터 데이터 전압 VDATA를 커패시터(C1)의 타전극 A에 인가한다.
제 2 스위칭 박막트랜지스터(T2)는 커패시터(C1)의 일전극 A와 데이터선 DATA 전극 사이에 연결된다. 제 2 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제2스캔 신호선(SCAN2)에 연결되고 제2스캔 신호선(SCAN2)로부터의 주사신호에 턴-온되어 데이터선 DATA로부터 데이터 전압 VDATA를 커패시터(C1)의 타전극 A에 인가한다.
제 3 스위칭 박막트랜지스터(T3)는 구동 박막트랜지스터(T4)의 게이트 전극과 드레인 전극사이에 연결된다. 제 3 스위칭 박막트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 상기 제 3 스위칭 박막트랜지스터 T2의 게이트 전극과 같이 제2스캔 신호선(SCAN2)에 연결되고 제2스캔 신호선(SCAN2)로부터의 주사신호에 턴온된다.
발광제어 박막트랜지스터(T5)는 구동 박막트랜지스터(T4)의 드레인 전극과 OLED 사이에 연결된다. 상기 발광제어 박막트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 발광제어선(EM)에 연결되고, 발광제어선(EM)으로부터의 발광제어 신호에 의해 구동 박막트랜지스터(T4)에서 생성되는 구동전류를 OLED로 전달하거나 차단한다.
OLED의 캐소드 전극은 기준전압 VSS에 연결된다. 기준전압 VSS는 접지 전압이다.
상기 구성을 갖는 화소회로의 동작타이밍 구간별(보상구간, 데이터 입력구간, 방출구간) 동작은 다음과 같다.
도 4는 도3에 도시된 본 발명의 화소회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍별 동작상태이다.
도 4를 참조하면, 첫 번째 보상구간의 목적은 커패시터(C1)의 타전극 A점에 새로운 데이터 전압을 인가해주고 커패시터(C1)의 일전극 B점에 구동 박막트랜지스터의 문턱전압과 전압강하를 보상하는 전압을 저장하는 것이다. 제2스캔 신호선(SCAN2)은 제 2 및 제 3 스위칭 박막트랜지스터 T2, T3를 턴-온 시켜주기 위해 저 전압이 된다. A점의 전압은 제 2 스위칭 박막트랜지스터(T2)를 통해서 커패시터(C1)에 의해서 VDATA_H 로 저장된다. VDATA_H는 요구되는 OLED 전류에 따라 변한다. 반면에 제1스캔 신호선(SCAN1)은 구동 박막트랜지스터(T4)를 턴-온 시켜주기 위해 고전압이 된다. B점의 전압은 구동 박막트랜지스터(T4)와 제 3 스위칭 박막트랜지스터(T3)를 통해서 구동 박막트랜지스터(T4)가 턴-오프 될 때까지 커패시터(C1)에 의해서 VSCAN1`-|VTH_T4|로 저장된다. VSCAN1`은 프로그래밍 전압이며, VTH_T4는 구동 박막트랜지스터(T4)의 문턱전압이다. 발광제어 박막트랜지스터(T5)는 발광제어선 EM이 고전압 이므로 턴-오프를 유지한다. 발광제어 박막트랜지스터(T5)는 보상구간과 데이터 입력구간동안 불필요한 OLED 전류를 막아준다.
두 번째 데이터 입력구간에서 제1스캔 신호선 VSCAN1은 제 1 스위칭 박막트랜지스터(T1)을 턴-온 시켜주기위해 저전압이 된다. A점의 전압은 VDATA가 저전압으로 바뀌면서 제 1 스위칭 박막트랜지스터(T1)을 통해서 VDATA_H에서 VDATA_L로 방전된다. VDATA_L는 VDATA 가 0V임을 의미한다. 이때 다른 박막트랜지스터들은(T2, T3, T4, T5) 전부 턴-오프가 되고, B점의 전압은 C1의 커플링(coupling)에 의해서 VSCAN1`-|VTH_T4|에서 VSCAN1`-|VTH_T4|-VDATA로 된다. VDATA는 VDATA_H와 VDATA_L의 차이 값이다.
마지막으로, 방출구간에서 제1스캔 신호선(SCAN1)과 제2스캔 신호선(SCAN2)는 고전압이고 제 1 내지 제3 스위칭 박막트랜지스터 T1, T2그리고 T3는 턴-오프가 된다. 발광제어선 EM은 저전압이 되고 발광제어 박막트랜지스터 T5는 턴-온이 된다. 그러므로 구동 박막트랜지스터(T4)의 소스 전압은 VSCAN1이 되고 구동 박막트랜지스터(T4)의 게이트 전압은 VSCAN1`-|VTH_T4|-VDATA이 된다. 따라서, 구동 박막트랜지스터(T4)의 드레인 전류는 다음과 같이 된다.
IOLED = 1/2*k*(VGS_T4 - |VTH_T4|)2
= 1/2*k*[VSCAN1 - (VSCAN1' - |VTH_T4| - VDATA) - |VTH_T4|]2
= 1/2*k*(VDATA)2 (Saturation region)
k는 μ·COX·W/L이며, μ는 전계이동도, COX는 게이트 절연막의 정전용량, W/L은 박막트랜지스터의 너비와 길이, VSCAN1`은 발광제어 박막트랜지스터(T5)가 없을 때 VSCAN1과 같다.
그러므로 OLED 전류는 구동 박막트랜지스터(T4)의 문턱전압과 전원전압의 전압강하에 의해 무관해지며 오직 데이터 전압에 의해서만 영향을 받는다.
도 5는 본 발명의 제안된 화소회로에서 동작 타이밍 별 구동 박막트랜지스터(T4)의 문턱전압 변화(-2.4 ± 0.5 V)에 따른 커패시터(C1)에 저장되는 게이트 전압에 대한 시뮬레이션 결과이며, 도 6은 본 제안된 화소회로에서 데이터전압 변화(1 ~ 9 V)와 구동 박막트랜지스터(T4)의 문턱전압 변화(-2.4 ± 0.5 V)에 따른 OLED 전류에 대한 시뮬레이션 결과이다. 이 두 시뮬레이션 결과를 보면 구동 박막 트랜지스터 T4의 문턱전압 변화에 따른 휘도변화가 보상됨을 알 수 있다.
도 7은 본 제안된 화소회로에서 전원전압의 전압강하(1 V)에 따른 OLED 전류에 대한 시뮬레이션 결과이다. 시뮬레이션 결과를 보면 기본적인 2T1C 화소회로와 기본적인 2T1C 회로에서 전원전압을 제거한 화소회로와 비교했을 때 전원전압의 전압강하에 따른 OLED 휘도 변화가 보상됨을 확인할 수 있다.
결과적으로 본 발명의 화소회로는 문턱전압 변화와 전원전압의 전압강하에 대해 효과적으로 보상하여 균일한 휘도를 구현할 수 있으며, 또한 종래의 VDD 라인을 제거하고 제1스캔 신호선(SCAN1) 라인을 전원전압 라인으로 사용하면서 발광영역을 증가시킬 수 있다.
제1스캔 신호선 : SCAN1 제2스캔 신호선 : SCAN2
데이터 신호선 : DATA 발광제어 신호선 : EM
제 1 스위칭 박막트랜지스터 : T1 제 2 스위칭 박막트랜지스터 : T2
제 3 스위칭 박막트랜지스터 : T3 구동 박막트랜지스터 : T4
발광제어 박막트랜지스터 : T5 커패시터 : C1

Claims (8)

  1. 인가되는 구동전류에 따라 소정의 휘도로 발광하는 OLED 소자;
    전원 전압의 전원선 및 주사 신호의 신호선 역할을 하는 제1스캔 신호선;
    다른 주사 신호의 신호선 역할을 하는 제2스캔 신호선;
    상기 OLED의 발광을 위한 데이터 전압을 제공하는 데이터선;
    상기 OLED의 발광을 위한 발광제어 신호를 제공하는 발광제어 신호선;
    상기 제1스캔 신호선과 상기 OLED 소자 사이에 구비되고, 게이트 전극에 인가되는 전압에 따라 상기 구동전류를 출력하는 구동 박막트랜지스터;
    상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 상기 OLED 소자 사이에 연결되고, 게이트 전극에 인가되는 상기 발광제어 신호에 응답하여 상기 구동전류를 OLED 소자에 전달하거나 차단하는 발광제어 박막트랜지스터;
    상기 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 연결되고, 게이트 전극에 인가되는 상기 제2스캔 신호선의 주사신호에 응답하여 동작되는 제 3 스위칭 박막트랜지스터;
    일전극이 상기 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 문턱전압과 전압강하 보상 전압을 상기 구동 박막트랜지스터의 게이트 전압에 유지시켜주는 커패시터;
    상기 커패시터의 타전극과 상기 데이터선 사이에 연결되고, 게이트 전극에 인가되는 상기 제1스캔 신호선의 주사신호에 응답하여 데이터 전압을 상기 커패시터의 타전극으로 인가하는 제 1 스위칭 박막트랜지스터;
    상기 커패시터의 타전극과 상기 데이터선 사이에 연결되고, 게이트 전극에 인가되는 상기 제2스캔 신호선의 주사신호에 응답하여 데이터 전압을 상기 커패시터의 타전극으로 인가하는 제 2 스위칭 박막트랜지스터;
    를 포함하여 구성되는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1스캔 신호선에 인가된 주사신호가 HIGH 이고, 상기 제2스캔 신호선에 인가된 주사신호가 LOW 이고, 상기 발광제어 신호가 HIGH 이고, 상기 데이터선의 데이터전압이 HIGH 이면, 상기 OLED의 구동을 위한 전류를 차단하고 상기 커패시터의 일전극에 상기 구동 박막트랜지스터의 문턱전압과 전압강하를 보상하기 위한 전압을 저장하고 상기 커패시터의 타전극에 상기 데이터 전압을 저장하는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1스캔 신호선의 주사신호는 상기 구동 박막트랜지스터를 턴-온하고, 상기 제2스캔 신호선의 주사신호는 상기 제 2 및 제 3 스위칭 박막트랜지스터를 턴-온하고, 상기 발광제어 신호는 상기 발광제어 박막트랜지스터를 턴-오프하는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터는 상기 데이터전압을 상기 커패시터의 타전극에 충전하는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1스캔 신호선의 주사신호에서 상기 구동 박막트랜지스터의 문턱전압을 차감한 전압이 상기 구동 박막트랜지스터의 게이트 전압으로 충전되는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1스캔 신호선의 주사신호가 LOW 이고, 상기 제2스캔 신호선의 주사신호가 HIGH 이고, 상기 발광제어 신호가 HIGH이고, 상기 데이터선의 데이터전압이 LOW 이면, 상기 제1스캔 신호선의 주사신호는 상기 제 1 스위칭 박막트랜지스터를 턴-온하고, 상기 커패시터는 상기 구동 박막트랜지스터의 게이트 전압과 상기 제 1 스위칭 박막트랜지스터의 소스전압을 커플링하며, 상기 제 1 스위칭 박막트랜지스터는 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터의 드레인 전압을 방전하는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1스캔 신호선의 주사신호가 HIGH 이고, 상기 제2스캔 신호선의 주사신호가 HIGH 이고, 상기 발광제어 신호가 LOW 이고, 상기 데이터 신호선의 데이터 전압이 LOW이면, 상기 제1스캔 신호선의 주사신호는 상기 구동 박막트랜지스터를 턴-온하고, 상기 제1스캔 신호선의 주사신호는 상기 구동 박막트랜지스터의 소스전압으로 사용되는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 스위칭 박막트랜지스터, 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터, 상기 제 3 스위칭 박막트랜지스터, 상기 구동 박막트랜지스터 또는 상기 발광제어 박막트랜지스터는 P-타입 트랜지스터인 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로.
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