KR20130132558A - Single-position hall effect measurements - Google Patents

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Abstract

테스트 샘플 상의 제1 위치와 그의 전기적 경계(34) 간의 거리(Y)를 네 개의 접촉 요소를 포함하는 멀티 포인트 프로브에 의해 결정하는 방법은 상기 제1 위치에서 상기 테스트 샘플을 상기 네 개의 접촉 요소(20, 22, 24, 26)와 접촉시키는 단계, 상기 제1 위치에서 자기장을 인가하는 단계, 제1 및 제2 4 포인트 측정을 수행하여 제1 및 제2 저항값을 도출하는 단계, 상기 제1 및 제2 저항값과의 제1 저항차를 계산하는 단계, 제3 및 제4 4 포인트 측정을 수행하여 제3 및 제4 저항값을 도출하는 단계, 상기 제3 및 제4 저항값과의 제2 저항차를 계산하는 단계, 상기 제1 저항차, 상기 제2 저항차, 및 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 거리를 나타내는 파라미터를 포함하는 제1 관계식을 정의하는 단계, 및 상기 제1 관계식에서 상기 제1 및 제2 저항차를 이용하여 상기 거리를 결정하는 단계를 포함한다. The first position on the test sample and its The method of determining by means of a multi-point probe comprising four contact elements the distance Y between the electrical boundaries 34 is characterized in that the test sample at the first position is carried out by the four contact elements 20, 22, 24, 26. Contacting with, applying a magnetic field at the first location, performing first and second four point measurements to derive first and second resistance values, and first and second resistance values. Calculating a first resistance difference, performing third and fourth four point measurements to derive third and fourth resistance values, calculating a second resistance difference with the third and fourth resistance values, Defining a first relation that includes the first resistance difference, the second resistance difference, and a parameter representing a distance between the first position and the electrical boundary, and wherein the first and second resistances in the first relation Determining the distance using a difference.

Description

단일 위치 홀 효과 측정{SINGLE-POSITION HALL EFFECT MEASUREMENTS}Single Position Hall Effect Measurement {SINGLE-POSITION HALL EFFECT MEASUREMENTS}

반도체 공정에서, 임계 치수(critical dimensions)의 지속적인 다운 스케일링(down-scaling)과 함께 재료의 특성을 특성화하는 것이 점점 중요해졌고 또한 어려워졌다. 초박막(ultra-shallow) 접합과 같은 시트재(Sheet materials)가 널리 사용되고 있고, 이에 대한 연구를 위해 시트 저항(sheet resistance) 측정이 개발되었다. 필름 재료의 시트 저항 외에, 시트 캐리어 밀도(sheet carrier density) 및 이동도(mobility)도 역시, 예를 들어, 상보 금속 산화물 반도체(CMOS) 트랜지스터에서 반도체 소자의 성능에 중요한 특성이다. 그러나, 시트 저항, 시트 캐리어 밀도, 및 시트 캐리어 이동도를 결정하는 현재의 대부분의 측정 방법은 특별한 샘플(sample) 준비 또는 그 샘플의 파괴적인 가공법(destructive machining)을 필요로 한다. 일부 측정 방법은 또한 프로브(probe)와 테스트 샘플(test sample) 사이에 여러 번의 결합(engagements)을 필요로 하여, 그 방법의 효율성을 손상시키다.In semiconductor processing, the continuous down of critical dimensions Increasingly, characterizing material properties with down-scaling It became important and difficult. Sheet materials such as ultra-shallow bonding are widely used. Sheet resistance measurements have been developed for the study. In addition to the sheet resistance of the film material, sheet carrier density and mobility are also important properties, for example, in the performance of semiconductor devices in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) transistors. However, most current measurement methods for determining sheet resistance, sheet carrier density, and sheet carrier mobility require special sample preparation or destructive machining of the sample. Some measurement methods also require multiple engagements between the probe and the test sample, impairing the efficiency of the method.

따라서, 시트 캐리어 밀도 및 시트재의 이동도를 특성화하기 위해, 빠르고, 값싼, 비파괴적인 방법이 바람직하다. 시트 저항 측정에 사용될 수 있는 실리콘 기반 마이크로 제조 기술에 의해 제작된 미세 멀티 포인트 프로브(microscopic multi-point probes)를 이용하는 여러 방법이 있다. WO2007045246A1에서는, 인라인 마이크로 4 포인트 프로브(in-line micro four-point probe)를 이용하여 홀 효과(Hall effect) 측정을 수행함으로써 시트 저항, 시트 캐리어 밀도, 및 홀 이동도를 측정할 수 있다는 것을 보였다. 그러나, 이러한 방법은 두 개의 측정점, 즉, 프로브와 테스트 샘플 사이에 두 번의 다른 결합을 요구하여, 테스트 중에 샘플 양단의 전기적 특성이 이상적으로 균일하지 않은 경우 큰 측정 오차를 유발할 수 있다.Thus, a fast, cheap, non-destructive method is desirable for characterizing sheet carrier density and sheet material mobility. There are several ways to use microscopic multi-point probes fabricated by silicon-based microfabrication techniques that can be used to measure sheet resistance. WO2007045246A1 has shown that sheet resistance, sheet carrier density, and hole mobility can be measured by performing Hall effect measurements using an in-line micro four-point probe. However, this method requires two different couplings between the two measurement points, the probe and the test sample, which can cause large measurement errors if the electrical properties of the sample across the sample are not ideally uniform during the test.

본 발명의 목적은 테스트 샘플의 전기적 특성 결정의 정확도를 향상시키고 그 결정 시간을 감소시키는데 있다. 특히, 본 발명의 목적은 테스트 샘플의 전기적 경계(electrical boundary)까지의 거리에 좌우되는 전기적 특성 결정의 정확도를 향상시키고 그 결정 시간을 감소시키는데 있다. 본 발명에 따르면, 홀 효과 측정에서 단지 하나의 측정점, 즉, 프로브와 테스트 샘플 사이에 한 번의 결합만 필요하다. 이는 측정 시간을 크게 줄여주고 박막에 대한 좀 더 정확한 전기적 전달 특성 결과를 제공해 줄 것이다.It is an object of the present invention to improve the accuracy of the determination of the electrical properties of a test sample and to reduce its determination time. In particular, it is an object of the present invention to improve the accuracy of the electrical property determination and to reduce the determination time which depends on the distance to the electrical boundary of the test sample. According to the invention, only one measuring point is required in the Hall effect measurement, ie between the probe and the test sample. This greatly reduces measurement time and allows more accurate electrical It will give you the result of the transfer characteristic.

본 발명의 목적은 테스트 샘플(test sample)의 전기적으로 전도성(electrically conducting)인 표면부 상의 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 전기적 경계(electrical boundary) 간의 거리를 제1 접촉 요소(contact element), 제2 접촉 요소, 제3 접촉 요소, 및 제4 접촉 요소를 포함하는 멀티 포인트 프로브(multi-point probe)에 의해 결정하는 방법에 의한 본 발명의 제1 양태에 따라 성취되며, 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점(contact point)을 정의하며, 상기 방법은 (i.i) 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치에서 상기 테스트 샘플을 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및 상기 제4 접촉 요소와 접촉시키는 단계, (i.ii) 상기 제1 위치에서 상기 전기적으로 전도성인 표면부에 수직인 주 자기장 성분(field component)을 갖는 자기장(magnetic field)을 인가하는 단계, (i.iii) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단에 제1 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제1 전류를 발생시키는 단계, (i.iv) 상기 제1 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제1 전류를 측정하는 단계, (i.v) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단의 제1 전압을 측정하는 단계, (i.vi) 상기 제1 전류 및 상기 제1 전압에 기초하여 제1 저항값(RB)을 계산하는 단계, (i.vii) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단에 제2 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제2 전류를 발생시키는 단계, (i.viii) 상기 제2 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제2 전류를 측정하는 단계, (i.ix) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단의 제2 전압을 측정하는 단계, (i.x) 상기 제2 전류 및 상기 제2 전압에 기초하여 제2 저항값(RB')을 계산하는 단계, (i.xi) 상기 제1 저항값과 상기 제2 저항값 간의 차에 기초하여 제1 저항차(△RBB')를 계산하는 단계, (i.xii) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단에 제3 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제3 전류를 발생시키는 단계, (i.xiii) 상기 제1 또는 상기 제2 접촉 요소를 통과하는 상기 제3 전류를 측정하는 단계, (i.xiv) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단의 제3 전압을 측정하는 단계, (i.xv) 상기 제3 전류 및 상기 제3 전압에 기초하여 제3 저항값(RC)을 계산하는 단계, (i.xvi) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단에 제4 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제4 전류를 발생시키는 단계, (i.xvii) 상기 제3 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제4 전류를 측정하는 단계, (i.xviii) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단의 제4 전압을 측정하는 단계, (i.xix) 상기 제4 전류 및 상기 제4 전압에 기초하여 제4 저항값(RC')을 계산하는 단계, 및 (i.xx) 상기 제3 저항값과 상기 제4 저항값 간의 차에 기초하여 제2 저항차(△RCC')를 계산하는 단계를 포함하고, 또는 대안예에서는, 상기 멀티 포인트 프로브는 복수의 접촉 요소를 포함하고, 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점을 정의하고, 상기 복수의 접촉 요소는 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 상기 제4 접촉 요소 및 하나 이상의 추가 접촉 요소를 포함하며, 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 다음 단계들, 즉, (ii.xii) 상기 복수의 접촉 요소 중 제1 구성의 접촉 요소를 정의하는 단계 - 상기 제1 구성의 접촉 요소는 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및 상기 제4 접촉 요소로 구성됨 -, (ii.xiii) 상기 복수의 접촉 요소 중 제2 구성의 접촉 요소를 정의하는 단계 - 상기 제2 구성의 접촉 요소는 제5 접촉 요소, 제6 접촉 요소, 제7 접촉 요소, 및 제8 접촉 요소로 구성되고, 상기 제2 구성의 접촉 요소 중 적어도 하나의 접촉 요소는 상기 하나 이상의 추가 접촉 요소의 접촉 요소임 -, (ii.xiv) 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치에서 상기 테스트 샘플을 상기 제2 구성의 접촉 요소 중 상기 접촉 요소와 접촉시키고 동시에 상기 테스트 샘플을 상기 제1 구성의 접촉 요소 중 상기 접촉 요소와 접촉시키는 단계, (ii.xv) 상기 제5 및 제7 접촉 요소 양단에 제3 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제3 전류를 발생시키는 단계, (ii.xvi) 상기 제5 또는 상기 제7 접촉 요소를 통과하는 상기 제3 전류를 측정하는 단계, (ii.xvii) 상기 제6 및 제8 접촉 요소 양단의 제3 전압을 측정하는 단계, (ii.xviii) 상기 제3 전류 및 상기 제3 전압에 기초하여 제3 저항값(RB ,2)을 계산하는 단계, (ii.xix) 상기 제6 및 제8 접촉 요소 양단에 제4 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제4 전류를 발생시키는 단계, (ii.xx) 상기 제6 또는 상기 제8 접촉 요소를 통과하는 상기 제4 전류를 측정하는 단계, (ii.xxi) 상기 제5 및 제7 접촉 요소 양단의 제4 전압을 측정하는 단계, (ii.xxii) 상기 제4 전류 및 상기 제4 전압에 기초하여 제4 저항값(RB' ,2)을 계산하는 단계, 및 (ii.xxiii) 상기 제3 저항값과 상기 제4 저항값 간의 차에 기초하여 제2 저항차(△RBB',2)를 계산하는 단계로 대체하고, 상기 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 포함하는 대안예 및 단계 (ii.xii) 내지 (ii.xxiii)를 포함하는 대안예는 둘 다 (i.xxi) 상기 제1 저항차, 상기 제2 저항차, 및 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 거리를 각각 나타내는 제1, 제2, 및 제3 파라미터를 포함하는 제1 관계식(f)을 정의하는 단계, 및 (i.xxii) 상기 제1 관계식에서 상기 제1 및 제2 저항차(△RBB', △RCC', △RBB',2)를 각각 상기 제1 및 제2 파라미터로서 이용하여 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 거리(y)를 나타내는 상기 제3 파라미터를 결정하는 단계를 더 포함한다.The The objective is to determine the distance between a first location on an electrically conducting surface portion of a test sample and an electrical boundary of the electrically conductive surface portion; A first aspect of the invention is achieved by a method of determining by a multi-point probe comprising a second contact element, a third contact element, and a fourth contact element, each contact element being tested. Defining a contact point for establishing electrical contact with the sample, the method further comprising (ii) placing the test sample at the first contact element, the second at the first location on the electrically conductive surface portion; Contacting a contact element, said third contact element, and said fourth contact element, (i.ii) a main magnetic field component perpendicular to said electrically conductive surface portion in said first position; applying a magnetic field having a component, (i.iii) applying a first potential across the first and third contact elements to generate a first current in the surface portion at the first location (I.iv) measuring the first current through the first or third contact element, (iv) measuring a first voltage across the second and fourth contact elements, ( i.vi) calculating a first resistance value R B based on the first current and the first voltage, (i.vii) applying a second potential across the second and fourth contact elements Generating a second current in said surface portion at said first position, (i.viii) measuring said second current through said second or said fourth contact element, (i.ix) said second first and second measuring a second voltage across the third contact element, (ix) a second resistance value (R B ') on the basis of the second current and the second voltage a Under the step, (i.xi) calculating a first resistance difference (△ R BB ') on the basis of a difference between the first resistance and the second resistance value, (i.xii) the first and the Applying a third potential across the second contact element to generate a third current at the surface portion at the first position; (i.xiii) the third current passing through the first or second contact element; Measuring, (i.xiv) measuring a third voltage across the third and fourth contact elements, (i.xv) a third resistance value R based on the third current and the third voltage C ), (i.xvi) applying a fourth potential across the third and fourth contact elements to generate a fourth current in the surface portion at the first location, (i.xvii) Measuring the fourth current through the third or fourth contact element (i.xviii) measuring a fourth voltage across the first and second contact elements, (ix ix) calculating a fourth resistance value R C ′ based on the fourth current and the fourth voltage, and (i.xx) based on a difference between the third resistance value and the fourth resistance value. Calculating a second resistance difference ΔR CC ′ , or in the alternative, the multi-point probe includes a plurality of contact elements, each contact element establishing an electrical contact with the test sample. Define a contact point for said plurality of contact elements comprising said first contact element, said second contact element, said third contact element, said fourth contact element and at least one further contact element, i.xii ) To (i.xx) in the following steps, namely (ii.xii) defining a contact element of a first configuration of the plurality of contact elements, wherein the contact element of the first configuration is the first contact element, The second contact element, the third contact element, and the fourth contact element; (ii.xiii) defining a contact element of a second configuration of the plurality of contact elements, wherein the contact element of the second configuration is a fifth contact element, a sixth contact element, a seventh contact element, and an eighth contact element. At least one of the contact elements of the second configuration is a contact element of the one or more additional contact elements, (ii.xiv) the test at the first location on the electrically conductive surface portion Contacting a sample with the contact element of the contact element of the second configuration and simultaneously contacting the test sample with the contact element of the contact element of the first configuration, (ii.xv) the fifth and seventh contact elements Applying a third potential at both ends to generate a third current at the surface portion at the first position, (ii.xvi) passing through the fifth or seventh contact element Measuring the third current, (ii.xvii) measuring a third voltage across the sixth and eighth contact elements, (ii.xviii) based on the third current and the third voltage Calculating a third resistance value (R B , 2 ), (ii.xix) applying a fourth potential across the sixth and eighth contact elements to generate a fourth current in the surface portion at the first position; (Ii.xx) measuring the fourth current through the sixth or eighth contact element, (ii.xxi) measuring a fourth voltage across the fifth and seventh contact elements (ii.xxii) calculating a fourth resistance value R B ′ , 2 based on the fourth current and the fourth voltage, and (ii.xxiii) the third resistance value and the fourth resistance. Alternatives and steps (ii.xii) comprising the steps (i.xii) to (i.xx) above, replacing with calculating the second resistance difference ΔR BB ′, 2 based on the difference between the values. ) To (ii.xxiii) Alternatives include both (i.xxi) first, second, and third parameters representing the first resistance difference, the second resistance difference, and the distance between the first position and the electrical boundary, respectively. the method comprising: defining a first relational expression (f), and (i.xxii) the first and second resistance difference (△ R BB ', △ R CC', △ R BB ', 2) in said first relation, each Determining the third parameter representing the distance y between the first position and the electrical boundary using the first and second parameters. .

본 발명의 제1 양태 및 상기 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 대체하는 대안예에 따른 방법은 (iii.xxiv) 상기 제1 저항값(RB) 및 상기 제2 저항값(RB')의 제1 저항 평균(

Figure pct00001
)을 계산하는 단계, (iii.xxv) 상기 제3 저항값(RB ,2) 및 상기 제4 저항값(RB' ,2)의 제2 저항 평균(
Figure pct00002
)을 계산하는 단계, 및 (iii.xxvi) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제5 전류를 발생시키는 단계, (iii.xxvii) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제5 전류를 측정하는 단계, (iii.xxviii) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 제5 전압을 측정하는 단계, (iii.xxix) 상기 제5 전류 및 상기 제5 전압에 기초하여 제5 저항값(RA ,1)을 계산하는 단계, (iii.xxx) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제6 전류를 발생시키는 단계, (iii.xxxi) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제6 전류를 측정하는 단계, (iii.xxxii) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 제6 전압을 측정하는 단계, (iii.xxxiii) 상기 제6 전류 및 상기 제6 전압에 기초하여 제6 저항값(RA' ,1)을 계산하는 단계, (iii.xxxiv) 상기 제5 저항값(RA ,1) 및 상기 제6 저항값(RA' ,1)의 제3 저항 평균(
Figure pct00003
)을 계산하는 단계, (iii.xxxv) 상기 제5 및 제8 접촉 요소 양단에 제7 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제7 전류를 발생시키는 단계, (iii.xxxvi) 상기 제5 또는 상기 제8 접촉 요소를 통과하는 상기 제7 전류를 측정하는 단계, (iii.xxxvii) 상기 제6 및 제7 접촉 요소 양단의 제7 전압을 측정하는 단계, (iii.xxxviii) 상기 제7 전류 및 상기 제7 전압에 기초하여 제7 저항값(RA ,2)을 계산하는 단계, (iii.xxxix) 상기 제6 및 제7 접촉 요소 양단에 제8 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제8 전류를 발생시키는 단계, (iii.xl) 상기 제6 또는 상기 제7 접촉 요소를 통과하는 상기 제8 전류를 측정하는 단계, (iii.xli) 상기 제5 및 제8 접촉 요소 양단의 제8 전압을 측정하는 단계, (iii.xlii) 상기 제8 전류 및 상기 제8 전압에 기초하여 제8 저항값(RA' ,2)을 계산하는 단계, (iii.xliii) 상기 제7 저항값(RA ,2) 및 상기 제8 저항값(RA' ,2)의 제4 저항 평균(
Figure pct00004
)을 계산하는 단계, (iii.xliv) 상기 제1 저항 평균(
Figure pct00005
), 상기 제3 저항 평균(
Figure pct00006
), 및 제1 의사 시트(pseudo sheet) 저항(RP ,1)을 각각 나타내는 제4, 제5, 및 제6 파라미터를 포함하는 제2 관계식을 정의하는 단계, (iii.xlv) 상기 제2 관계식에서 상기 제1 저항 평균(
Figure pct00007
) 및 상기 제3 저항 평균(
Figure pct00008
)을 각각 상기 제4 파라미터 및 상기 제5 파라미터로서 이용하여 상기 제1 의사 시트 저항(RP ,1)을 나타내는 상기 제6 파라미터를 결정하는 단계, (iii.xlvi) 상기 제2 저항 평균(
Figure pct00009
), 상기 제4 저항 평균(
Figure pct00010
), 및 제2 의사 시트 저항(RP ,2)을 각각 나타내는 제7, 제8, 및 제9 파라미터를 포함하는 제3 관계식을 정의하는 단계, (iii.xlvii) 상기 제3 관계식에서 상기 제2 저항 평균(
Figure pct00011
) 및 상기 제4 저항 평균(
Figure pct00012
)을 각각 상기 제7 파라미터 및 상기 제8 파라미터로서 이용하여 상기 제2 의사 시트 저항(RPP 2)을 나타내는 상기 제9 파라미터를 결정하는 단계, (iii.xlviii) 상기 제1 의사 시트 저항(RP ,1), 상기 제2 의사 시트 저항(RP ,2), 및 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 거리를 각각 나타내는 제10, 제11, 및 제12 파라미터를 포함하는 제4 관계식(gD)을 정의하는 단계, 및 (iii.xlix) 상기 제4 관계식(gD)에서 상기 제1 및 제2 의사 시트 저항(RP ,1, RP ,2)을 각각 상기 제10 및 제11 파라미터로서 이용하여 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 추가 거리(y)를 나타내는 상기 제12 파라미터를 결정하는 단계를 더 포함할 수 있고, 또는 단계 (iii.xlix)를 대체하는 대안예에서는, 상기 제2 구성의 상기 접촉 요소는 상기 테스트 샘플의 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 상기 전기적 경계 간의 추가 거리(y2)를 나타내고, 상기 제1 관계식(fD)은 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 추가 거리를 나타내는 제13 파라미터를 더 포함하고, 상기 제4 관계식(gD)은 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 추가 거리를 나타내는 제14 파라미터를 더 포함하며, 상기 방법은 (iv.xlix) 상기 제4 관계식(gD)에서 상기 제1 및 제2 의사 시트 저항(RP ,1, RP ,2)을 각각 상기 제10 및 제11 파라미터로서 이용하여 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리(y) 및 상기 추가 거리(y2)를 각각 나타내는 상기 제13 파라미터 및 상기 제14 파라미터를 동시에 결정하는 단계를 더 포함한다.First aspect of the invention and A method according to an alternative to replacing steps (i.xii) to (i.xx) includes (iii.xxiv) a first of the first resistance value R B and the second resistance value R B ′ . Resistance average (
Figure pct00001
), (Iii.xxv) a second resistance average of the third resistance value R B , 2 and the fourth resistance value R B ′ , 2
Figure pct00002
) And (iii.xxvi) applying a fifth potential across the first and fourth contact elements to generate a fifth current in the surface portion at the first location, (iii.xxvii) Measuring the fifth current through the first or fourth contact element, (iii.xxviii) measuring a fifth voltage across the second and third contact elements, (iii.xxix) the Calculating a fifth resistance value R A , 1 based on a fifth current and the fifth voltage, (iii.xxx) applying a sixth potential across the second and third contact elements to provide the first Generating a sixth current in the surface portion at a position (iii.xxxi) measuring the sixth current passing through the second or third contact element, (iii.xxxii) the first and the third measuring a sixth voltage across the four contact elements, (iii.xxxiii) a sixth resistance value (R a ', 1) on the basis of said sixth current and said sixth voltage Under the third phase of the average resistance, (iii.xxxiv) and the fifth resistance (R A, 1), and the sixth resistance (R A ', 1) (
Figure pct00003
), (Iii.xxxv) applying a seventh potential across the fifth and eighth contact elements to generate a seventh current in the surface portion at the first location, (iii.xxxvi) the Measuring the seventh current through the fifth or eighth contact element, (iii.xxxvii) measuring a seventh voltage across the sixth and seventh contact elements, (iii.xxxviii) Calculating a seventh resistance value R A , 2 based on the seventh current and the seventh voltage, (iii.xxxix) applying an eighth potential across the sixth and seventh contact elements to the first position; Generating an eighth current in the surface portion at (iii.xl) measuring the eighth current through the sixth or seventh contact element, (iii.xli) the fifth and eighth Measuring an eighth voltage across the contact element; (iii.xlii) calculating an eighth resistance value R A ' , 2 based on the eighth current and the eighth voltage; (Iii.xliii) a fourth resistance average of the seventh resistance value R A , 2 and the eighth resistance value R A ′ , 2 ;
Figure pct00004
), (Iii.xliv) the first resistance average (
Figure pct00005
), The third resistance average (
Figure pct00006
) And defining a second relationship comprising fourth, fifth, and sixth parameters representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 , respectively, (iii.xlv) In the relation, the first resistance average (
Figure pct00007
) And the third resistance average (
Figure pct00008
) Is used as the fourth parameter and the fifth parameter, respectively , to determine the sixth parameter representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 , (iii.xlvi) the second resistance average (
Figure pct00009
), The fourth resistance average (
Figure pct00010
), And defining a third relationship comprising the seventh, eighth, and ninth parameters representing the second pseudo sheet resistance R P , 2 , respectively, (iii.xlvii) the third relationship in the third relationship. 2 resistance average (
Figure pct00011
) And the fourth resistance average (
Figure pct00012
Determining the ninth parameter representing the second pseudo sheet resistance R PP 2 using the seventh and eighth parameters, respectively, (iii.xlviii) the first pseudo sheet resistance R P , 1 ), a fourth relational g including tenth, eleventh, and twelfth parameters representing the second pseudo sheet resistance R P , 2 and the distance between the first position and the electrical boundary, respectively. D ), and (iii.xlix) the first and second pseudo sheet resistances R P , 1 , R P , 2 in the fourth relation (g D ), respectively; Determining, using the parameter, the twelfth parameter indicative of an additional distance y between the first position and the electrical boundary, or in an alternative alternative to step (iii.xlix), The contact element of the second configuration is on the electrically conductive surface portion of the test sample. A thirteenth parameter representing an additional distance y 2 between a first position and the electrical boundary of the electrically conductive surface portion, wherein the first relation f D represents the additional distance between the first position and the electrical boundary; Wherein the fourth relation g D further comprises a fourteenth parameter indicative of the additional distance between the first position and the electrical boundary, wherein the method comprises (iv.xlix) the fourth relation g D ) the distance y between the first position and the electrical boundary using the first and second pseudo sheet resistances R P , 1 , R P , 2 as the tenth and eleventh parameters, respectively; Simultaneously determining the thirteenth parameter and the fourteenth parameter representing the additional distance y 2 ; .

상기 단계 (iii.xlix)를 포함하는 대안예에서, 상기 제4 관계식은 RP,1/RP,2=gD(y)와 같을 수 있고, 여기서 RP ,1은 상기 제1 의사 시트 저항을 나타내고, RP ,2는 상기 제2 의사 시트 저항을 나타내고, gD는 상기 거리 y를 파라미터로서 포함하는 함수를 나타내고, 상기 함수 gD는 특정 거리에서 피크값을 정의하고, 상기 함수 gD는 상기 거리의 함수가 상기 특정 거리 미만(below)일 때 증가하고 상기 거리의 함수가 상기 특정 거리 이상(above)일 때 감소하며, 상기 방법은 (iii.xlx) 상기 거리와 상기 특정 거리를 비교하여 상기 제4 관계식에서 상기 추가 거리(y2)가 상기 특정 거리 미만(below) 또는 이상(above)인지를 판단하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이러한 방식으로 결정된 상기 추가 거리(y2)는 저항차 대신 저항 평균으로부터 도출되었기 때문에 전형적으로 상기 거리(y)보다 더 정확하다.In an alternative comprising the step (iii.xlix), the fourth relation may be equal to R P, 1 / R P, 2 = g D (y), where R P , 1 is the first pseudo sheet Represents a resistance, R P , 2 represents the second pseudo sheet resistance, g D represents a function comprising the distance y as a parameter, the function g D defines a peak value at a specific distance, and the function g D increases when the function of the distance is below the specified distance and decreases when the function of the distance is above the specific distance, and the method (iii.xlx) determines the distance and the specific distance. In comparison, the fourth relation may further include determining whether the additional distance y 2 is less than or above the specific distance. The additional distance y 2 determined in this way is typically more accurate than the distance y because it is derived from the resistance average instead of the resistance difference.

상기 추가 거리는 임의의 목적을 위해, 예를 들어, 테스트 샘플의 전기적 특성을 결정하기 위해 상기 거리를 대체할 수 있다.The additional distance may replace the distance for any purpose, for example to determine the electrical properties of the test sample.

전술한 목적은 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 전기적 경계 간의 거리를 복수의 접촉 요소를 포함하는 멀티 포인트 프로브에 의해 결정하는 방법에 의해 획득되는 본 발명의 제2 양태에 따라 성취되며, 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점을 정의하고, 상기 복수의 접촉 요소는 제1 접촉 요소, 제2 접촉 요소, 제3 접촉 요소, 제4 접촉 요소 및 하나 이상의 추가 접촉 요소를 포함하며, 상기 방법은 (v.i) 상기 복수의 접촉 요소 중 제1 구성의 접촉 요소를 정의하는 단계 - 상기 제1 구성의 접촉 요소는 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및 상기 제4 접촉 요소로 구성됨 -, (v.ii) 상기 복수의 접촉 요소 중 제2 구성의 접촉 요소를 정의하는 단계 - 상기 제2 구성의 접촉 요소는 제5 접촉 요소, 제6 접촉 요소, 제7 접촉 요소, 및 제8 접촉 요소로 구성되고, 상기 제2 구성의 접촉 요소 중 적어도 하나의 접촉 요소는 상기 하나 이상의 추가 접촉 요소의 접촉 요소임 -, (v.iii-iv) 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치에서 상기 테스트 샘플을 상기 제1 및 제2 구성의 접촉 요소의 상기 접촉 요소와 접촉시키는 단계, (v.v) 상기 제1 위치에서 상기 전기적으로 전도성인 표면부에 수직인 주 자기장 성분을 갖는 자기장을 인가하는 단계, (v.vi) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단에 제1 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제1 전류를 발생시키는 단계, (v.vii) 상기 제1 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제1 전류를 측정하는 단계, (v.viii) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단의 제1 전압을 측정하는 단계, (v.ix) 상기 제1 전류 및 상기 제1 전압에 기초하여 제1 저항값(RB)을 계산하는 단계, (v.x) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단에 제2 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제2 전류를 발생시키는 단계, (v.xi) 상기 제2 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제2 전류를 측정하는 단계, (v.xii) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단의 제2 전압을 측정하는 단계, (x.viii) 상기 제2 전류 및 상기 제2 전압에 기초하여 제2 저항값(RB')을 계산하는 단계, (v.xiv) 상기 제1 저항값(RB) 및 상기 제2 저항값(RB')의 제1 저항 평균(

Figure pct00013
)을 계산하는 단계, (v.xv) 상기 제5 및 제7 접촉 요소 양단에 제3 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제3 전류를 발생시키는 단계, (x.xvi) 상기 제5 또는 상기 제7 접촉 요소를 통과하는 상기 제3 전류를 측정하는 단계, (x.xvii) 상기 제6 및 제8 접촉 요소 양단의 제3 전압을 측정하는 단계, (x.xviii) 상기 제3 전류 및 상기 제3 전압에 기초하여 제3 저항값(RB ,2)을 계산하는 단계, (v.xix) 상기 제6 및 제8 접촉 요소 양단에 제4 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제4 전류를 발생시키는 단계, (v.xx) 상기 제6 또는 상기 제8 접촉 요소를 통과하는 상기 제4 전류를 측정하는 단계, (v.xxi) 상기 제5 및 제7 접촉 요소 양단의 제4 전압을 측정하는 단계, (v.xxii) 상기 제4 전류 및 상기 제4 전압에 기초하여 제4 저항값(RB' ,2)을 계산하는 단계, (v.xxv) 상기 제3 저항값(RB ,2) 및 상기 제4 저항값(RB' ,2)의 제2 저항 평균(
Figure pct00014
)을 계산하는 단계, (v.xxvi) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제5 전류를 발생시키는 단계, (v.xxvii) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제5 전류를 측정하는 단계, (v.xxviii) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 제5 전압을 측정하는 단계, (v.xxix) 상기 제5 전류 및 상기 제5 전압에 기초하여 제5 저항값(RA ,1)을 계산하는 단계, (v.xxx) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제6 전류를 발생시키는 단계, (v.xxxi) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제6 전류를 측정하는 단계, (v.xxxii) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 제6 전압을 측정하는 단계, (v.xxxiii) 상기 제6 전류 및 상기 제6 전압에 기초하여 제6 저항값(RA' ,1)을 계산하는 단계, (v.xxxiv) 상기 제5 저항값(RA ,1) 및 상기 제6 저항값(RA' ,1)의 제3 저항 평균(
Figure pct00015
)을 계산하는 단계, (v.xxxv) 상기 제5 및 제8 접촉 요소 양단에 제7 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제7 전류를 발생시키는 단계, (v.xxxvi) 상기 제5 또는 상기 제8 접촉 요소를 통과하는 상기 제7 전류를 측정하는 단계, (v.xxxvii) 상기 제6 및 제7 접촉 요소 양단의 제7 전압을 측정하는 단계, (v.xxxviii) 상기 제7 전류 및 상기 제7 전압에 기초하여 제7 저항값(RA ,2)을 계산하는 단계, (v.xxxix) 상기 제6 및 제7 접촉 요소 양단에 제8 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제8 전류를 발생시키는 단계, (v.xl) 상기 제6 또는 상기 제7 접촉 요소를 통과하는 상기 제8 전류를 측정하는 단계, (v.xli) 상기 제5 및 제8 접촉 요소 양단의 제8 전압을 측정하는 단계, (v.xlii) 상기 제8 전류 및 상기 제8 전압에 기초하여 제8 저항값(RA' ,2)을 계산하는 단계, (v.xliii) 상기 제7 저항값(RA ,2) 및 상기 제8 저항값(RA' ,2)의 제4 저항 평균(
Figure pct00016
)을 계산하는 단계, (v.xliv) 상기 제1 저항 평균(
Figure pct00017
), 상기 제3 저항 평균(
Figure pct00018
), 및 제1 의사 시트 저항(RP ,1)을 각각 나타내는 제4, 제5, 및 제6 파라미터를 포함하는 제2 관계식을 정의하는 단계, (v.xlv) 상기 제2 관계식에서 상기 제1 저항 평균(
Figure pct00019
) 및 상기 제3 저항 평균(
Figure pct00020
)을 각각 상기 제4 파라미터 및 상기 제5 파라미터로서 이용하여 상기 제1 의사 시트 저항(RP ,1)을 나타내는 상기 제6 파라미터를 결정하는 단계, (v.xlvi) 상기 제2 저항 평균(
Figure pct00021
), 상기 제4 저항 평균(
Figure pct00022
), 및 제2 의사 시트 저항(RP ,2)을 각각 나타내는 제7, 제8, 및 제9 파라미터를 포함하는 제3 관계식을 정의하는 단계, (x.xlvii) 상기 제3 관계식에서 상기 제2 저항 평균(
Figure pct00023
) 및 상기 제4 저항 평균(
Figure pct00024
)을 각각 상기 제7 파라미터 및 상기 제8 파라미터로서 이용하여 상기 제2 의사 시트 저항(RP ,2)을 나타내는 상기 제9 파라미터를 결정하는 단계, (v.xlviii) 상기 제1 의사 시트 저항(RP ,1), 상기 제2 의사 시트 저항(RP ,2), 및 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 거리를 각각 나타내는 제10, 제11, 및 제12 파라미터를 포함하는 제4 관계식(gD)을 정의하는 단계, 및 (v.xlix) 상기 제4 관계식(gD)에서 상기 제1 및 제2 의사 시트 저항(RP ,1, RP ,2)을 각각 상기 제10 및 제11 파라미터로서 이용하여 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 거리(y)의 값을 나타내는 상기 제12 파라미터를 결정하는 단계를 포함한다.The above object is achieved by a method of determining by a multi-point probe comprising a plurality of contact elements a distance between a first position on an electrically conductive surface portion of a test sample and an electrical boundary of the electrically conductive surface portion. Acquired Achieved in accordance with a second aspect of the invention, each contact element defines a contact point for establishing electrical contact with the test sample, the plurality of contact elements comprising a first contact element, a second contact element, a third contact An element, a fourth contact element and one or more additional contact elements, the method comprising: (vi) defining a contact element of a first configuration of the plurality of contact elements, wherein the contact element of the first configuration is the first element; A contact element, said second contact element, said third contact element, and said fourth contact element, (v.ii) defining a contact element of a second configuration of said plurality of contact elements-said second The contact element of the configuration consists of a fifth contact element, a sixth contact element, a seventh contact element, and an eighth contact element, wherein at least one contact element of the contact element of the second configuration is of the one or more additional contact elements. Contact element-, (v. iii-iv) contacting the test sample with the contact element of the contact element of the first and second configuration at the first position on the electrically conductive surface portion, (vv) the 적 기 miracle at the first position (V.vi) applying a first potential across the first and third contact elements so as to apply a magnetic field to the surface portion at the first position. Generating a first current, (v.vii) measuring the first current through the first or third contact element, (v.viii) a first across the second and fourth contact elements Measuring a voltage, (v.ix) calculating a first resistance value (R B ) based on the first current and the first voltage, (vx) a second voltage across the second and fourth contact elements; Applying a second potential to generate a second current at the surface portion at the first position, (v.xi) measuring the second current through the second or fourth contact element, (v.xii) measuring a second voltage across the first and third contact elements, ( x.viii) calculating a second resistance value R B ′ based on the second current and the second voltage, (v. xiv) the first resistance value R B and the second resistance value First resistance average of (R B ' )
Figure pct00013
), (V.xv) applying a third potential across the fifth and seventh contact elements to generate a third current at the surface portion at the first location, (x.xvi) Measuring the third current through the fifth or seventh contact element, (x.xvii) measuring a third voltage across the sixth and eighth contact elements, (x.xviii) Calculating a third resistance value R B , 2 based on a third current and the third voltage, (v.xix) applying a fourth potential across the sixth and eighth contact elements to the first position Generating a fourth current in the surface portion at (v.xx) measuring the fourth current passing through the sixth or eighth contact element, (v.xxi) the fifth and seventh Measuring a fourth voltage across the contact element, (v.xxii) calculating a fourth resistance value R B ′ , 2 based on the fourth current and the fourth voltage, (v.xxv) Prize The second resistance average of the third resistance value R B , 2 and the fourth resistance value R B ′ , 2 (
Figure pct00014
), (V.xxvi) applying a fifth potential across the first and fourth contact elements to generate a fifth current at the surface at the first location, (v.xxvii) Measuring the fifth current through the first or fourth contact element, (v.xxviii) measuring a fifth voltage across the second and third contact elements, (v.xxix) Calculating a fifth resistance value R A , 1 based on a fifth current and the fifth voltage (v.xxx) by applying a sixth potential across the second and third contact elements to the first position; Generating a sixth current in the surface portion at (v.xxxi) measuring the sixth current passing through the second or third contact element, (v.xxxii) the first and fourth Measuring a sixth voltage across the contact element, (v.xxxiii) calculating a sixth resistance value R A ′ , 1 based on the sixth current and the sixth voltage, (v.xxxiv) a third resistance average of the fifth resistance value R A , 1 and the sixth resistance value R A ′ , 1
Figure pct00015
), (V.xxxv) applying a seventh potential across the fifth and eighth contact elements to generate a seventh current in the surface portion at the first location, (v.xxxvi) the Measuring the seventh current through the fifth or eighth contact element, (v.xxxvii) measuring a seventh voltage across the sixth and seventh contact elements, (v.xxxviii) Calculating a seventh resistance value R A , 2 based on a seventh current and the seventh voltage, (v.xxxix) applying an eighth potential across the sixth and seventh contact elements to the first position; Generating an eighth current in the surface portion at (v.xl) measuring the eighth current passing through the sixth or seventh contact element, (v. Xli) the fifth and eighth Measuring an eighth voltage across the contact element, (v.xlii) calculating an eighth resistance value R A ' , 2 based on the eighth current and the eighth voltage, ( v.xliii) a fourth resistance average of the seventh resistor value R A , 2 and the eighth resistor value R A ′ , 2 ;
Figure pct00016
), (V.xliv) the first resistance average (
Figure pct00017
), The third resistance average (
Figure pct00018
) And defining a second relationship comprising fourth, fifth, and sixth parameters representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 , respectively, (v.xlv) the second relationship in the second relationship. 1 resistance average (
Figure pct00019
) And the third resistance average (
Figure pct00020
) Is used as the fourth parameter and the fifth parameter, respectively , to determine the sixth parameter representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 , (v.xlvi) the second resistance average (
Figure pct00021
), The fourth resistance average (
Figure pct00022
), And defining a third relationship comprising a seventh, eighth, and ninth parameters representing the second pseudo sheet resistance R P , 2 , respectively, (x.xlvii) the third relationship in the third relationship. 2 resistance average (
Figure pct00023
) And the fourth resistance average (
Figure pct00024
) Is used as the seventh parameter and the eighth parameter, respectively , to determine the ninth parameter representing the second pseudo sheet resistance R P , 2 , (v.xlviii) the first pseudo sheet resistance ( R P , 1 ), a fourth relational expression including the tenth, eleventh, and twelfth parameters representing the second pseudo sheet resistance R P , 2 and the distance between the first position and the electrical boundary, respectively; g D ), and (v.xlix) the first and second pseudo sheet resistances R P , 1 , R P , 2 in the fourth relation (g D ), respectively; Determining the twelfth parameter representing a value of the distance y between the first position and the electrical boundary using as an eleventh parameter.

상기 제4 관계식은 RP ,1/RP ,2=gD(y)과 같을 수 있고, 여기서 RP ,1은 상기 제1 의사 시트 저항을 나타내고, RP ,2는 상기 제2 의사 시트 저항을 나타내고, gD는 상기 거리 y를 파라미터로서 포함하는 함수를 나타내고, 상기 함수 gD는 특정 거리에서 피크값을 정의하고, 상기 함수 gD는 상기 거리의 함수가 상기 특정 거리 미만일 때 증가하고 상기 거리의 함수가 상기 특정 거리 이상일 때 감소하며, 상기 방법은 (v.xlx) 본 발명의 제1 양태에 따른 상기 방법에 의해 보조 거리(auxiliary distance)를 나타내는 거리를 결정하는 단계, 및 (v.xlxi) 상기 보조 거리와 상기 특정 거리를 비교하여 상기 제4 관계식에서 상기 거리가 상기 특정 거리 미만 또는 이상인지를 판단하는 단계를 더 포함할 수 있다.The fourth relation may be equal to R P , 1 / R P , 2 = g D (y), where R P , 1 represents the first pseudo sheet resistance, and R P , 2 represents the second pseudo sheet Represents resistance, g D represents a function comprising the distance y as a parameter, the function g D defines a peak value at a certain distance, and the function g D increases when the function of the distance is less than the specified distance and Decreasing when the function of the distance is greater than or equal to the specified distance, the method further comprising: (v.xlx) determining a distance representing an auxiliary distance by the method according to the first aspect of the invention, and (v xxlxi) may further include comparing the auxiliary distance with the specific distance and determining whether the distance is less than or greater than the specific distance in the fourth relational expression.

본 발명의 제1 및 제2 양태에 따른 방법은 상기 거리를 정확하게 결정하기 위해 상기 프로브와 상기 테스트 샘플 간에 단지 한 번의 결합(engagement)만 필요로 한다.The method according to the first and second aspects of the present invention requires only one engagement between the probe and the test sample to accurately determine the distance.

전기적 경계는 전류가 전기적으로 전도성인 표면부에서 흘러나가는 것을 막아주는 경계로 이해되어야 한다. 여기서, 관계식은 단일 수학식, 수학식들의 집합, 함수, 함수들의 집합, 또는 특정 파라미터를 포함하는 본 방법에 사용된 배치(setup)의 어떤 적절한 수학적 모델을 망라하는 것으로 의도된다. 거리를 결정하는 것은 수학식을 푸는 것, 회귀 분석(regression analysis), 모델링되거나 조정된 파라미터와의 비교, 또는 특정 관계식에 적합한 어떤 다른 수학적 기법을 망라할 수 있다.Electrical boundaries prevent current from flowing out of the electrically conductive surface It should be understood as a boundary. Here, the relation is intended to encompass any suitable mathematical model of the setup used in the present method, including a single equation, a set of equations, a function, a set of functions, or specific parameters. It is intended. Determining the distance can include solving an equation, regression analysis, comparison with modeled or adjusted parameters, or any other mathematical technique suitable for a particular relationship.

상기 멀티 포인트 프로브는 4와 같거나 그보다 큰 임의 수의 접촉 요소를 구비할 수 있으며, 예를 들어, 상기 멀티 포인트 프로브는 12개의 접촉 요소를 구비할 수 있다. 그러나, 전체 접촉 요소 개수와 상관없이 4개의 접촉 요소가 채용된다. 상기 방법에 사용되지 않는 접촉 요소는 상기 방법에서 사용된 두 개의 접촉 요소 사이에 배치될 수 있다. 상기 멀티 포인트 프로브는 WO2010115771A1, WO2010000265A1, WO2008110174A1, WO2007051471A1, WO05124371A1, 또는 WO0003252A2 중 어떤 것에 기술된 프로브일 수 있다. 상기 접촉 요소는, 예를 들어, WO0003252A2에 제시된 바와 같이, 프로브 몸체에서 연장되는 캔틸레버(cantilevers) 형태일 수 있다. 상기 테스트 샘플은 전기적으로 전도성인 표면부를 정의하는 도핑된 표면부 또는 얇은 금속 필름을 갖는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 상기 전기적 경계는 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 물리적 경계의 일부로 정의될 수 있으며, 여기서 상기 경계 외부는 비전도성 영역이다. 대안으로, 상기 전기적 경계는 상기 전기적으로 전도성인 표면부가 상기 물리적 경계까지 연장되는 경우, 전체로서 상기 테스트 샘플의 물리적 경계의 일부로 정의될 수 있다.The multi point probe may have any number of contact elements equal to or greater than four, for example the multi point probe may have twelve contact elements. However, four contact elements are employed regardless of the total number of contact elements. Contact elements not used in the method may be disposed between two contact elements used in the method. The multi-point probe can be a probe described in any of WO2010115771A1, WO2010000265A1, WO2008110174A1, WO2007051471A1, WO05124371A1, or WO0003252A2. The contact element may be in the form of a cantilevers extending from the probe body, for example as shown in WO0003252A2. The test sample may be a silicon wafer having a doped surface or thin metal film that defines an electrically conductive surface. The electrical boundary may be defined as part of the physical boundary of the electrically conductive surface portion, where the outside of the boundary is a non-conductive region. Alternatively, the electrical boundary may be defined as part of the physical boundary of the test sample as a whole when the electrically conductive surface portion extends to the physical boundary.

상기 자기장은 상기 전기적으로 전도성인 표면부로부터 상기 테스트 샘플의 대향 측면에 배치된 전자석 또는 영구 자석에 의해 발생될 수 있다. 상기 제1, 제2, 제3, 및 제4 접촉 요소는 멀티플렉서에 연결될 수 있고, 이는 다시 상기 접촉 요소들 중 두 개의 양단에 전위를 발생하는 전류원, 상기 접촉 요소를 통해 전류를 측정하는 전류계, 및 상기 접촉 요소들 중 두 개의 양단의 전압을 측정하는 전압계에 연결된다. 제어 유닛은 상기 멀티플렉서에 연결되어, 상기 방법에서 특정한 바와 같이 전류를 발생 및 측정하고, 전압을 측정할 수 있도록 상기 멀티플렉서를 자동으로 제어할 수 있다.The magnetic field may be generated by an electromagnet or permanent magnet disposed on the opposite side of the test sample from the electrically conductive surface portion. The first, second, third, and fourth contact elements can be connected to a multiplexer, which in turn is a current source generating a potential across two of the contact elements, an ammeter for measuring current through the contact element, And a voltmeter measuring the voltage across two of said contact elements. A control unit can be connected to the multiplexer to automatically control the multiplexer to generate and measure current and to measure voltage as specified in the method.

아래에 기술된 특징들은 본 발명의 제1 및 제2 양태 둘 다에 이용될 수 있다.The features described below can be used in both the first and second aspects of the invention.

상기 접촉점은 각각의 상기 접촉점과 교차하는 제1 라인을 정의할 수 있다. 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 상기 제4 접촉 요소, 및 상기 하나 이상의 추가 접촉 요소의 상기 접촉점은 상기 접촉점이 상기 테스트 샘플과 접촉하기 전에 각각의 상기 접촉점과 교차하는 제1 라인을 정의할 수 있다. 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및 상기 제4 접촉 요소의 상기 접촉점은 상기 제1 라인을 따라 소정의 순서로 배치될 수 있다. 상기 제5 접촉 요소, 상기 제6 접촉 요소, 상기 제7 접촉 요소, 및 상기 제8 접촉 요소의 상기 접촉점은 상기 제1 라인 상에 및/또는 상기 제1 라인을 따라 소정의 순서로 배치될 수 있다.The contact point may define a first line that intersects each of the contact points. The contact points of the first contact element, the second contact element, the third contact element, the fourth contact element, and the one or more additional contact elements may be associated with each of the contact points before the contact point contacts the test sample. An intersecting first line can be defined. The contact points of the first contact element, the second contact element, the third contact element, and the fourth contact element may be arranged in a predetermined order along the first line. The contact points of the fifth contact element, the sixth contact element, the seventh contact element, and the eighth contact element may be arranged in a predetermined order on the first line and / or along the first line. have.

상기 제1 및 제2 접촉 요소, 상기 제2 및 제3 접촉 요소, 및 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격은 대략 제1 간격 값(s1)과 같을 수 있다. 상기 제5 및 제6 접촉 요소, 상기 제6 및 제7 접촉 요소, 및 상기 제7 및 제8 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격은 대략 제2 간격 값(s2)과 같을 수 있다.The spacing between the first and second contact elements, the second and third contact elements, and the contact points of the third and fourth contact elements may be approximately equal to the first spacing value s 1 . The spacing between the fifth and sixth contact elements, the sixth and seventh contact elements, and the contact points of the seventh and eighth contact elements may be approximately equal to the second interval value s 2 .

상기 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 대체하는 대안예에서, 상기 제1 관계식은 △RB B'/△RBB' ,2=fD(y,s1,s2)와 같을 수 있고, 여기서 △RBB'는 상기 제1 저항차를 나타내고, △RBB'2는 상기 제2 저항차를 나타내며, fD는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 거리 y, 상기 제1 간격 값 s1, 및 상기 제2 간격 값 s2를 포함하는 함수이다.Steps (i.xii) to (i.xx) In an alternative alternative, the first relationship may be equal to ΔR B B ′ / ΔR BB ′ , 2 = f D (y, s 1 , s 2 ), where ΔR BB ′ is the first resistance DELTA R BB'2 denotes the second resistance difference, and f D denotes a distance y between the first position and the electrical boundary, the first interval value s 1 , and the second interval value s 2 . It is a function to include.

상기 제1 관계식 △RBB'/△RBB' ,2=fD(y,s1,s2)에서 상기 함수 fD(y,s1,s2)는

Figure pct00025
와 같을 수 있다.In the first relation ΔR BB ′ / ΔR BB ′ , 2 = f D (y, s 1 , s 2 ), the function f D (y, s 1 , s 2 ) is
Figure pct00025
≪ / RTI >

상기 제2 관계식은

Figure pct00026
Figure pct00027
과 같을 수 있고, 여기서 RP , 1는 상기 제1 의사 시트 저항이고,
Figure pct00028
는 상기 제1 저항 평균이고,
Figure pct00029
은 상기 제3 저항 평균이며, 상기 제3 관계식은
Figure pct00030
과 같을 수 있고, 여기서 RP ,2는 상기 제2 의사 시트 저항이고,
Figure pct00031
는 상기 제2 저항 평균이며,
Figure pct00032
는 상기 제4 저항 평균이다.The second relation is
Figure pct00026
Figure pct00027
May be equal to, wherein R P , 1 is the first pseudo sheet resistance,
Figure pct00028
Is the first resistance average,
Figure pct00029
Is the third resistance average, and the third relational expression is
Figure pct00030
May be equal to, wherein R P , 2 is the second pseudo sheet resistance,
Figure pct00031
Is the second resistance average,
Figure pct00032
Is the fourth resistance average.

상기 접촉점은 각각의 상기 접촉점과 교차하는 제1 라인을 정의할 수 있고, 즉, 상기 접촉점들은 공통 라인 상에 있다.The contact point may define a first line that intersects each of the contact points, that is, the contact points are on a common line. have.

상기 단계 (iii.xlix)를 포함하는 대안예에서, 상기 제4 관계식은 RP,1/RP,2=gD(y,s1,s2)와 같을 수 있고, 여기서 RP , 1는 상기 제1 의사 시트 저항을 나타내고, RP ,2는 상기 제2 의사 시트 저항을 나타내며, gD는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 거리 y, 상기 제1 간격 값 s1, 및 상기 제2 간격 값 s2를 포함하는 함수를 나타낸다.remind Containing steps (iii.xlix) In an alternative, the fourth relation may be equal to R P, 1 / R P, 2 = g D (y, s 1 , s 2 ), where R P , 1 represents the first pseudo sheet resistance, R P , 2 represents the second pseudo sheet resistance, and g D is a function comprising a distance y between the first position and the electrical boundary, the first spacing value s 1 , and the second spacing value s 2 . Indicates.

상기 단계 (iii.xlix)를 대체하는 대안예에서, 상기 제1 관계식은 △RBB'/△RBB',2=fD(y,y2,s1,s2)와 같을 수 있고, 여기서 △RBB'는 상기 제1 저항차를 나타내고, △RBB '2는 상기 제2 저항차를 나타내며, fD는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y와 상기 추가 거리 y2, 상기 제1 간격 값 s1, 및 상기 제2 간격 값 s2를 포함하는 함수이다.To replace step (iii.xlix) above Alternatively, the first relation may be equal to ΔR BB ′ / ΔR BB ′, 2 = f D (y, y 2 , s 1 , s 2 ), where ΔR BB ′ is the first resistor. ΔR BB '2 represents the second resistance difference, f D is the distance y between the first position and the electrical boundary and the additional distance y 2 , the first spacing value s 1 , and the A function including a second interval value s 2 .

상기 제1 관계식 △RBB'/△RBB' ,2=fD(y,y2,s1,s2)에서 상기 함수 fD(y,y2,s1,s2)는

Figure pct00033
와 같을 수 있다.The first relation △ R BB '/ △ R BB ', 2 = f D (y, y 2, s 1, s 2) from the function f D (y, y 2, s 1, s 2) is
Figure pct00033
≪ / RTI >

상기 단계 (iii.xlix)를 대체하는 대안예에서, 상기 제4 관계식은 RP,1/RP,2=gD(y,y2,s1,s2)와 같을 수 있고, 여기서 RP , 1는 상기 제1 의사 시트 저항을 나타내고, RP ,2는 상기 제2 의사 시트 저항을 나타내며, gD는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y와 상기 추가 거리 y2, 상기 제1 간격 값 s1, 및 상기 제2 간격 값 s2를 포함하는 함수를 나타낸다.In an alternative to replacing step (iii.xlix), the fourth relation may be equal to R P, 1 / R P, 2 = g D (y, y 2 , s 1 , s 2 ), where R P , 1 represents the first pseudo sheet resistance, R P , 2 represents the second pseudo sheet resistance, g D is the distance y between the first position and the electrical boundary and the additional distance y 2 , the Represents a function comprising a first interval value s 1 and the second interval value s 2 .

상기 전기적 경계는 대략 선형 부분을 가질 수 있고 상기 제1 위치와 상기 선형 부분 상의 한 점 간의 거리는 상기 제1 위치와 상기 선형 부분 외부의 상기 전기적 경계 상의 어떤 점 간의 거리보다 더 짧을 수 있다. 이는 상기 제1 위치부터 상기 전기적 경계까지의 최단 거리가 상기 선형 부분 상의 한 점까지임을 의미한다.The electrical boundary may have a substantially linear portion and on the first position and the linear portion The distance between one point may be shorter than the distance between the first location and any point on the electrical boundary outside the linear portion. This means that the shortest distance from the first position to the electrical boundary is to a point on the linear portion it means.

상기 방법은 (vi.i) 상기 멀티 포인트 프로브를 상기 선형 부분과 평행한 관계를 갖고 상기 제1 라인에 위치하도록 배향시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 접촉 요소, 상기 제2 및 제3 접촉 요소, 및 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접속점들 간의 간격은 대략 같을 수 있다.The method comprises (vi.i) placing the multi-point probe in the first line in a parallel relationship with the linear portion. Orienting may further comprise. The spacing between the first and second contact elements, the second and third contact elements, and the connection points of the third and fourth contact elements can be approximately equal.

상기 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 포함하는 대안예에서, 상기 제1 관계식은 △RC C'/△RBB'=f(y,s)와 같을 수 있고, 여기서 △RBB'는 상기 제1 저항차를 나타내고, △RC C'는 상기 제2 저항차를 나타내며, f는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y 및 상기 접촉점들 간의 상기 간격 s을 파라미터로서 포함하는 함수이다.In an alternative comprising the steps (i.xii) to (i.xx), the first relation may be equal to ΔR C C ′ / ΔR BB ′ = f (y, s), where ΔR BB ' represents the first resistance difference, ΔR C C' represents the second resistance difference, f is the distance y between the first position and the electrical boundary and the distance s between the contact points as a parameter. It is a function to include.

상기 관계식 △RCC'/△RBB'=f(y,s)에서 상기 제1 저항차 △RBB'

Figure pct00034
Figure pct00035
와 같을 수 있고, 여기서 △RBB'는 상기 추가적인 제1 저항차(△RBB')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, 상기 관계식 △RCC'/△RBB'=f(y,s)에서 상기 제2 저항차 △RCC'
Figure pct00036
Figure pct00037
와 같을 수 있고, 여기서 △RCC'는 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타낸다.In the relation ΔR CC ′ / ΔR BB ′ = f (y, s), the first resistance difference ΔR BB ′ is
Figure pct00034
Figure pct00035
Wherein ΔR BB ′ represents the additional first resistance difference ΔR BB ′ , y represents the distance y, and a is between the contact points of the first and second contact elements. The interval, b denotes the interval between the contact points of the second and third contact element, c denotes the interval between the contact points of the third and fourth contact element, the relationship ΔR CC ' / ΔR BB ' = f (y, s), the second resistance difference ΔR CC' is
Figure pct00036
Figure pct00037
ΔR CC ′ represents the additional second resistance difference ΔR CC ′ , y represents the distance y, and a is between the contact points of the first and second contact elements. B represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements.

본 발명의 일 양태의 상기 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 포함하는 대안예에서, 상기 방법은 (i.xxiii) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제5 전류를 발생시키는 단계, (i.xxiv) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제5 전류를 측정하는 단계, (i.xxv) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 제5 전압을 측정하는 단계, (i.xxvi) 상기 제5 전류 및 상기 제5 전압에 기초하여 제5 저항값(RA)을 계산하는 단계, (i.xxvii) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제6 전류를 발생시키는 단계, (i.xxviii) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제6 전류를 측정하는 단계, (i.xxix) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 제6 전압을 측정하는 단계, (i.xxx) 상기 제6 전류 및 상기 제6 전압에 기초하여 제6 저항값(RA')을 계산하는 단계, (i.xxxi) 상기 제5 저항값과 상기 제6 저항값 간의 차에 기초하여 제3 저항차(△RAA')을 계산하는 단계, (i.xxxii) 상기 제1 관계식(f)을 정의할 때, 상기 제3 저항차(△RAA')를 나타내는 제4 파라미터를 상기 제1 관계식(f)에 더 포함시키는 단계, 및 (i.xxxiii) 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리(y)를 결정할 때, 상기 제1 관계식에서 제1 및 제2 파라미터로서 각각 이용될 수 있는 상기 제1 및 상기 제2 저항차(△RBB', △RCC') 외에 상기 제3 저항차 (△RAA')를 상기 제4 파라미터로서 이용하는 단계를 더 포함할 수 있다.Of one aspect of the present invention Comprising the steps (i.xii) to (i.xx) In an alternative, the method comprises (i.xxiii) applying a fifth potential across the first and fourth contact elements to generate a fifth current in the surface portion at the first location, (i.xxiv) Measuring the fifth current through the first or fourth contact element, (i.xxv) measuring a fifth voltage across the second and third contact elements, (i.xxvi) Calculating a fifth resistance value R A based on a fifth current and the fifth voltage, (i.xxvii) applying a sixth potential across the second and third contact elements at the first position Generating a sixth current in the surface portion, (i.xxviii) measuring the sixth current passing through the second or third contact element, (i.xxix) the first and fourth contacts Measuring a sixth voltage across the element, (i.xxx) calculating a sixth resistance value R A ' based on the sixth current and the sixth voltage, ( i.xxxi) calculating a third resistance difference ΔR AA ′ based on the difference between the fifth resistance value and the sixth resistance value, (i.xxxii) defining the first relation f; In this case, a fourth parameter representing the third resistance difference ΔR AA ′ is further included in the first relation f. And (i.xxxiii) the first and the second, which may be used as first and second parameters in the first relation, respectively, when determining the distance y between the first position and the electrical boundary. The method may further include using the third resistance difference ΔR AA ′ as the fourth parameter in addition to the resistance differences ΔR BB ′ and ΔR CC ′ .

이는 비등거리(non-equidistant) 접촉점을 갖는 비대칭적 프로브를 이용하여 상기 거리 y를 정확하게 측정하게 해준다.This allows for accurate measurement of the distance y using an asymmetric probe with a non-equidistant contact point.

상기 접촉점들은 일렬로 배치될 수 있고, 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격 및 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격은 대략 같을 수 있다. 상기 접촉점들은 일렬로 배치될 수 있고, 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격은 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격과 다를 수 있다. 모의실험에서, 접촉 프로브들의 이러한 특정 상대적 간격은 상기 전기적 경계까지의 거리를 정확하게 결정하게 해준다는 것을 알았다.The contact points can be arranged in line, and the spacing between the contact points of the first and second contact elements and the spacing between the contact points of the second and third contact elements can be approximately equal. The contact points may be arranged in line, and the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements may be different from the spacing between the contact points of the first and second contact elements. In simulations, this particular relative spacing of contact probes allows for accurate determination of the distance to the electrical boundary. I knew that.

상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격은 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격보다 범위 1.1-3.7, 1.2-3.3, 1.3-2.9, 1.4-2.5, 1.5-2.1, 및 1.6-1.7 중 하나 이상, 및/또는 범위 1.2-1.3, 1.3-1.4, 1.4-1.5, 1.5-1.6, 1.6-1.7, 1.7-1.8, 1.8-1.9, 1.9-2.0, 2.0-2.2, 2.2-2.4, 2.4-2.6, 2.6-2.8, 2.8-3.0, 3.0-3.3, 3.3-3.6, 3.6-3.9 중 하나 내의 팩터(factor), 및/또는 대략 5를 3으로 나눈 것, 또는 범위 1.2-3.8, 1.6-3.4, 1.8-3.2, 2.0-3.0, 2.2-2.8, 및 2.4-2.6 중 하나 이상, 및/또는 범위 1.2-1.3, 1.3-1.4, 1.4-1.5, 1.5-1.6, 1.6-1.7, 1.7-1.8, 1.8-1.9, 1.9-2.0, 2.0-2.2, 2.2-2.4, 2.4-2.6, 2.6-2.8, 2.8-3.0, 3.0-3.3, 3.3-3.6, 3.6-3.9 중 하나 내의 팩터, 및/또는 대략 5를 2로 나눈 것만큼 클 수 있다. 모의실험에서, 이러한 특정 관계식은 상기 전기적 경계까지의 거리를 정확하게 결정하게 해준다는 것을 알았다.The spacing between the contact points of the third and fourth contact elements is in the range 1.1-3.7, 1.2-3.3, 1.3-2.9, 1.4-2.5, 1.5-2.1, and more than the spacing between the contact points of the first and second contact elements. One or more of 1.6-1.7, and / or range 1.2-1.3, 1.3-1.4, 1.4-1.5, 1.5-1.6, 1.6-1.7, 1.7-1.8, 1.8-1.9, 1.9-2.0, 2.0-2.2, 2.2-2.4 , Factor within one of 2.4-2.6, 2.6-2.8, 2.8-3.0, 3.0-3.3, 3.3-3.6, 3.6-3.9, and / or approximately 5 divided by 3, or one or more of the ranges 1.2-3.8, 1.6-3.4, 1.8-3.2, 2.0-3.0, 2.2-2.8, and 2.4-2.6, and / or 1.2-1.3, 1.3-1.4, 1.4 -1.5, 1.5-1.6, 1.6-1.7, 1.7-1.8, 1.8-1.9, 1.9-2.0, 2.0-2.2, 2.2-2.4, 2.4-2.6, 2.6-2.8, 2.8-3.0, 3.0-3.3, 3.3-3.6 , Factor within one of 3.6-3.9, and / or approximately five divided by two. In the simulation, this particular relationship gives the exact distance to the electrical boundary. I knew it made me decide.

상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격은 범위 1-5㎛, 5-10㎛, 10-15㎛, 15-20㎛, 20-25㎛, 25-30㎛, 30-40㎛, 40-50㎛, 50-500㎛ 중 하나, 및/또는 범위 1-50㎛, 5-40㎛, 10-30㎛, 15-25㎛ 중 하나 이상 내에 있을 수 있다.The spacing between the contact points of the first and second contact elements can range from 1-5 μm, 5-10 μm, 10-15 μm, 15-20 μm, 20-25 μm, 25-30 μm, 30-40 μm, One of 40-50 μm, 50-500 μm, and / or within one or more of the ranges 1-50 μm, 5-40 μm, 10-30 μm, 15-25 μm.

상기 제1 관계식은 (△RAA'+α△RCC')/△RBB'= f(y,a,b,c)와 같을 수 있고, 여기서 △RBB'는 상기 제1 저항차이고, △RCC'는 상기 제2 저항차이고, △RAA'는 상기 제3 저항차이고, α는 -10부터 10까지 범위 내에 있는 튜닝 팩터(tuning factor)이고, f는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 거리 y를 포함하는 함수이고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타낸다.The first relation may be equal to (ΔR AA ′ + αΔR CC ′ ) / ΔR BB ′ = f (y, a, b, c), where ΔR BB ′ is the first resistance difference, ΔR CC ' is the second resistance difference, ΔR AA' is the third resistance difference, α is a tuning factor in the range from -10 to 10, and f is the electrical boundary with the first position. Is a function including the distance y between, a represents the spacing between the contact points of the first and second contact elements, b represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c is the third And the spacing between the contact points of the fourth contact element.

상기 튜닝 팩터 α는 대략 1 또는 대략 -1일 수 있다.The tuning factor α may be about 1 or about −1.

상기 관계식 (△RAA'+α△RCC')/△RBB'= f(y,a,b,c)에서 상기 제1 저항차 △RBB'

Figure pct00038
Figure pct00039
와 같을 수 있고, 여기서 △RBB'는 상기 추가적인 제1 저항차(△RAA')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, 상기 관계식 (△RAA'+α△RCC')/△RBB'= f(y,a,b,c)에서 상기 제2 저항차 △RCC'
Figure pct00040
Figure pct00041
와 같을 수 있고, 여기서 △RCC'는 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, 상기 관계식 (△RAA'+α△RCC')/△RBB'= f(y,a,b,c)에서 상기 제3 저항차 △RAA'
Figure pct00042
Figure pct00043
와 같을 수 있고, 여기서 △RAA'는 상기 추가적인 제3 저항차 (△RAA')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 상기 간격을 나타낸다. 이러한 특정 모델링은 광범위한 측정 조건에 대해 정확한 결과를 낳는다는 것을 알았다.In the relation (ΔR AA ′ + αΔR CC ′ ) / ΔR BB ′ = f (y, a, b, c), the first resistance difference ΔR BB ′ is
Figure pct00038
Figure pct00039
Wherein ΔR BB ′ represents the additional first resistance difference ΔR AA ′ , y represents the distance y, and a is between the contact points of the first and second contact elements. The interval, b denotes the interval between the contact points of the second and third contact elements, c denotes the interval between the contact points of the third and fourth contact elements, the relation (ΔR AA ' + αΔ At R CC ' ) / ΔR BB' = f (y, a, b, c), the second resistance difference ΔR CC ' is
Figure pct00040
Figure pct00041
ΔR CC ′ represents the additional second resistance difference ΔR CC ′ , y represents the distance y, and a is between the contact points of the first and second contact elements. The interval, b denotes the interval between the contact points of the second and third contact elements, c denotes the interval between the contact points of the third and fourth contact elements, the relation (ΔR AA ' + αΔ At R CC ' ) / ΔR BB' = f (y, a, b, c), the third resistance difference ΔR AA ' is
Figure pct00042
Figure pct00043
ΔR AA ′ represents the additional third resistance difference ΔR AA ′ , y represents the distance y, and a is between the contact points of the first and second contact elements. B represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements. It was found that this particular modeling produced accurate results over a wide range of measurement conditions.

상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격은 범위 0.1-100㎛, 1-90㎛, 10-80㎛, 20-70㎛, 30-60㎛, 및 40-50㎛ 중 하나 이상, 및/또는 범위 0.1-1㎛, 1-10㎛, 10-20㎛, 20-30㎛, 30-40㎛, 40-50㎛, 50-60㎛, 60-70㎛, 70-80㎛, 80-90㎛, 90-100㎛, 또는 100-500㎛ 중 하나 내에 있을 수 있다.The spacing between the contact points of the first and second contact elements is one or more of the range 0.1-100 μm, 1-90 μm, 10-80 μm, 20-70 μm, 30-60 μm, and 40-50 μm, and And / or range 0.1-1 μm, 1-10 μm, 10-20 μm, 20-30 μm, 30-40 μm, 40-50 μm, 50-60 μm, 60-70 μm, 70-80 μm, 80- It may be within one of 90 μm, 90-100 μm, or 100-500 μm.

본 발명의 목적은 본 발명의 제3 양태에 따른 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치에서 전기적 특성을 결정하는 방법에 의해 성취되며, 상기 전기적으로 전도성인 표면부는 전기적 경계를 가지며, 상기 방법은 (a) 특징 1 내지 특징 32 중 어느 한 특징에 따른 상기 테스트 샘플의 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 상기 전기적 경계 간의 거리(y)를 결정하는 단계, (b) 상기 전기적 특성 및 상기 거리(y)를 나타내는 제15 파라미터를 포함하는 제5 관계식을 정의하는 단계, 및 (c) 상기 제5 관계식에서 상기 거리(y)를 상기 제15 파라미터로서 이용하여 상기 전기적 특성을 결정하는 단계를 포함하고, 또는 대안으로 상기 방법은 (a) 특징 2 내지 특징 32 중 어느 한 특징에 따른 상기 테스트 샘플의 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 상기 전기적 경계 간의 추가 거리(y2)를 결정하는 단계, (b) 상기 전기적 특성 및 상기 추가 거리(y2)를 나타내는 제15 파라미터를 포함하는 제5 관계식을 정의하는 단계, 및 (c) 상기 제5 관계식에서 상기 추가 거리(y2)를 상기 제15 파라미터로서 이용하여 상기 전기적 특성을 결정하는 단계를 포함한다.The object of the invention is achieved by a method of determining electrical properties at a first location on an electrically conductive surface portion of a test sample according to a third aspect of the invention, the electrically conductive surface portion having an electrical boundary, The method according to any one of (a) features 1 to 32 Determining a distance y between the first location on the electrically conductive surface portion of the test sample and the electrical boundary of the electrically conductive surface portion, (b) determining the electrical property and the distance y Defining a fifth relation comprising a fifteenth parameter to indicate, and (c) determining said electrical property using said distance y as said fifteenth parameter in said fifth relation, or alternatively The method further comprises (a) an additional distance y between the first position on the electrically conductive surface portion of the test sample according to any one of features 2 to 32 and the electrical boundary of the electrically conductive surface portion y 2 ) determining, (b) defining a fifth relationship comprising a fifteenth parameter indicative of said electrical characteristic and said additional distance y 2 , and (c ) Using the additional distance y 2 as the fifteenth parameter in the fifth relation to determine the electrical property.

본 방법에 따르면, 상기 전기적 특성을 정확하게 결정하기 위해 상기 프로브와 상기 테스트 샘플 간에 단지 한 번의 결합만 필요하다.According to the method, there is only one time between the probe and the test sample to accurately determine the electrical characteristics. Only need to be combined.

전기적 경계는 전류가 전기적으로 전도성인 표면부에서 흘러나가는 것을 막아주는 경계로 이해되어야 한다. 여기서, 관계식은 단일 수학식, 수학식들의 집합, 함수, 함수들의 집합, 또는 특정 파라미터를 포함하는 본 방법에 사용된 배치의 어떤 적절한 수학적 모델을 망라하는 것으로 의도된다. 전술한 전기적 특성을 결정하는 것은 수학식을 푸는 것, 회귀 분석, 모델링되거나 조정된 파라미터와의 비교, 또는 특정 관계식에 적합한 어떤 다른 수학적 기법을 망라할 수 있다.Electrical boundaries are to be understood as boundaries that prevent current from flowing out of an electrically conductive surface. Here, a relation is intended to encompass any suitable mathematical model of the arrangement used in the method, including a single equation, a set of equations, a function, a set of functions, or a specific parameter. Determining the electrical properties described above may involve solving an equation, regression analysis, comparison with modeled or adjusted parameters, or any other mathematical technique suitable for a particular relationship.

상기 제5 관계식은 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및/또는 상기 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 상기 간격을 더 포함할 수 있고, (b') 상기 제5 관계식을 정의할 때, 상기 제5 관계식은 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및/또는 상기 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내는 제16 파라미터를 더 포함할 수 있고, (c') 상기 전기적 특성을 결정할 때, 상기 간격은 상기 제5 관계식에서 상기 거리(y) 또는 상기 추가 거리(y2) 외에 상기 제16 파라미터로 사용될 수 있다.The fifth relation may further comprise the spacing between the contact points of the first contact element, the second contact element, the third contact element, and / or the fourth contact element, (b ') the second When defining a fifth relationship, the fifth relationship further comprises a sixteenth parameter representing a distance between the contact points of the first contact element, the second contact element, the third contact element, and / or the fourth contact element. Can contain However, (c ') When determining the electrical property, the interval may be used as the sixteenth parameter in addition to the distance y or the additional distance y 2 in the fifth relation.

상기 전기적 특성은 홀 시트(Hall sheet) 저항(RH)일 수 있고, 상기 제5 관계식(f1,f2)은 추가적인 제1 저항차(△RBB')를 나타내는 제17 파라미터를 더 포함할 수 있으며, 상기 방법은 (d) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단에 추가적인 제1 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제1 전류를 발생시키는 단계, (e) 상기 제1 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제1 전류를 측정하는 단계, (f) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제1 전압을 측정하는 단계, (g) 상기 추가적인 제1 전류 및 상기 추가적인 제1 전압에 기초하여 추가적인 제1 저항값(RB)을 계산하는 단계, 또는 (g') 상기 거리를 추가적인 제1 저항값(RB)으로 결정하는 단계로부터 상기 제1 저항값(RB)을 보유하는 단계, 및 (h) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제2 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제2 전류를 발생시키는 단계, (i) 상기 제2 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제2 전류를 측정하는 단계, (j) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단의 추가적인 제2 전압을 측정하는 단계, 및 (k) 상기 추가적인 제2 전류 및 상기 추가적인 제2 전압에 기초하여 추가적인 제2 저항값(RB')을 계산하는 단계, 또는 (k') 상기 거리를 추가적인 제2 저항값(RB')으로 결정하는 단계로부터 상기 제2 저항값(RB')을 보유하는 단계, 및 (l) 상기 추가적인 제1 저항값과 상기 추가적인 제2 저항값 간의 차에 기초하여 상기 추가적인 제1 저항차(△RBB')를 계산하는 단계, 또는 (l') 상기 거리를 상기 추가적인 제1 저항차(△RBB')로 결정하는 단계로부터 상기 제1 저항차(RBB')를 보유하는 단계를 더 포함할 수 있다.The electrical property may be a Hall sheet resistance (R H ), and the fifth relation (f 1 , f 2 ) further includes a seventeenth parameter representing an additional first resistance difference ΔR BB ′ . The method may comprise (d) applying an additional first potential across the first and third contact elements to generate an additional first current in the surface portion at the first location, (e) the second Measuring the additional first current through the first or third contact element, (f) measuring the additional first voltage across the second and fourth contact elements, (g) the additional first current And calculating the additional first resistance value R B based on the additional first voltage, or (g ') determining the distance as the additional first resistance value R B. the method comprising holding the (R B), and (h) added to the two ends of the second and fourth contact elements Applying a second potential to generate an additional second current at the surface portion at the first location; (i) measuring the additional second current through the second or fourth contact element, (j) measuring an additional second voltage across the first and third contact elements, and (k) an additional second resistance value R B ′ based on the additional second current and the additional second voltage. Or (k ') retaining the second resistance value R B' from determining the distance as an additional second resistance value R B ' , and (l) the additional agent Calculating the additional first resistance difference ΔR BB ′ based on the difference between the first resistance value and the additional second resistance value, or (l ′) the distance from the additional first resistance difference ΔR BB. a step of holding a) "), the first resistance difference (R BB from the determining in" the fabric .

상기 제5 관계식은

Figure pct00044
Figure pct00045
와 같을 수 있고, 여기서 △RB B'는 상기 추가적인 제1 저항차(△RBB')를 나타내고, y는 상기 거리(y) 또는 추가 거리(y1)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타낸다.The fifth relationship is
Figure pct00044
Figure pct00045
ΔR B B ′ represents the additional first resistance difference ΔR BB ′ , y represents the distance y or additional distance y 1 , and a represents the first and Represents the spacing between the contact points of the second contact element, b represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements.

상기 전기적 특성은 홀 시트 저항(RH)일 수 있고, 상기 제5 관계식(f2,f3)은 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 나타내는 제17 파라미터를 더 포함할 수 있으며, 상기 방법은 (d) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단에 추가적인 제3 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제3 전류를 발생시키는 단계, (e) 상기 제1 또는 상기 제2 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제3 전류를 측정하는 단계, (f) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제3 전압을 측정하는 단계, 및 (g) 상기 추가적인 제3 전류 및 상기 추가적인 제3 전압에 기초하여 추가적인 제3 저항값(RC)을 계산하는 단계, 또는 상기 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 포함하는 대안예에서는, (g') 상기 거리를 추가적인 제3 저항값(RC)으로 결정하는 단계로부터 상기 제3 저항값(RC)을 보유하는 단계, 및 (h) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제4 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제4 전류를 발생시키는 단계, (i) 상기 제3 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제4 전류를 측정하는 단계, (j) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단의 추가적인 제4 전압을 측정하는 단계, 및 (k) 상기 추가적인 제4 전류 및 상기 추가적인 제4 전압에 기초하여 추가적인 제4 저항값(RC')을 계산하는 단계, 또는 상기 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 포함하는 대안예에서는, (k') 상기 거리를 추가적인 제4 저항값(RC')으로 결정하는 단계로부터 상기 제4 저항값(RC')을 보유하는 단계, 및 (l) 상기 추가적인 제3 저항값과 상기 추가적인 제4 저항값 간의 차에 기초하여 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 계산하는 단계, 또는 상기 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 포함하는 대안예에서는, (l') 상기 거리를 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')로 결정하는 단계로부터 상기 제2 저항차(△RCC')를 보유하는 단계를 더 포함할 수 있다.The electrical property may be a hole sheet resistance (R H ), and the fifth relation (f 2 , f 3 ) may further include a seventeenth parameter representing an additional second resistance difference ΔR CC ′ . The method includes (d) applying an additional third potential across the first and second contact elements to generate an additional third current at the surface portion at the first location, (e) a phase first or second Measuring the additional third current through the second contact element, (f) measuring an additional third voltage across the third and fourth contact elements, and (g) the additional third current and the additional Calculating an additional third resistance value R C based on the third voltage, Or the steps (i.xii) to (i.xx) In the alternative, (g ') the step of holding the third resistance value (R C) from the step of determining the distance to an additional third resistance value (R C), and (h) said third and fourth contact Applying an additional fourth potential across the element to generate an additional fourth current at the surface portion at the first location; (i) measuring the additional fourth current through the third or fourth contact element; (J) measuring an additional fourth voltage across the first and second contact elements, and (k) an additional fourth resistance value R based on the additional fourth current and the additional fourth voltage. C ' ), or comprising steps (i.xii) to (i.xx) above In an alternative, (k ') retaining the fourth resistance value R C' from determining the distance as an additional fourth resistance value R C ' , and (l) the additional third resistance Calculating an additional second resistance difference ΔR CC ′ based on the difference between the value and the additional fourth resistance value, or in an alternative comprising the steps (i.xii) to (i.xx) , (l ') can further comprise the step of holding said second resistance difference (△ R CC') from the step of determining in the second additional resistance difference (△ R CC the distance ").

상기 제5 관계식은

Figure pct00046
Figure pct00047
와 같을 수 있고, 여기서 △RCC'는 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 나타내고, y는 상기 거리(y) 또는 추가 거리(y1)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 상기 간격을 나타낸다.The fifth relationship is
Figure pct00046
Figure pct00047
ΔR CC ′ represents the additional second resistance difference ΔR CC ′ , y represents the distance y or the additional distance y 1 , and a represents the first and first Represents the spacing between the contact points of the second contact element, b represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements.

상기 전기적 특성은 홀 시트 저항(RH)일 수 있고, 상기 제5 관계식(f1)은 추가적인 제3 저항차(△RAA')를 나타내는 제17 파라미터를 더 포함할 수 있으며, 상기 방법은 (d) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제5 전류를 발생시키는 단계, (e) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제5 전류를 측정하는 단계, (f) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 추가적인 제5 전압을 측정하는 단계, 및 (g) 상기 추가적인 제5 전류 및 상기 추가적인 제5 전압에 기초하여 추가적인 제5 저항값(RA)을 계산하는 단계, 또는 (g') 상기 거리를 추가적인 제5 저항값(RA)으로 결정하는 단계로부터 상기 제5 저항값(RA)을 보유하는 단계, 및 (h) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 추가적인 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제6 전류를 발생시키는 단계, (i) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제6 전류를 측정하는 단계, (j) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제6 전압을 측정하는 단계, 및 (k) 상기 추가적인 제6 전류 및 상기 추가적인 제6 전압에 기초하여 추가적인 제6 저항값(RA')을 계산하는 단계, 또는 (k') 상기 거리를 추가적인 제5 저항값(RA')으로 결정하는 단계로부터 상기 제6 저항값(RA')을 보유하는 단계, 및 (l) 상기 추가적인 제5 저항값과 상기 추가적인 제6 저항값 간의 차에 기초하여 상기 추가적인 제3 저항차(△RAA')를 계산하는 단계, 또는 (l') 상기 거리를 상기 추가적인 제3 저항차(△RAA')로 결정하는 단계로부터 상기 제3 저항차(△RAA')를 보유하는 단계를 더 포함할 수 있다.The electrical property may be a hole sheet resistance R H , and the fifth relation f 1 may further include a seventeenth parameter representing an additional third resistance difference ΔR AA ′ , and the method may include (d) applying an additional fifth potential across the first and fourth contact elements to generate an additional fifth current at the surface portion at the first location, (e) the first or fourth contact element Measuring the additional fifth current passing through (f) measuring an additional fifth voltage across the second and third contact elements, and (g) the additional fifth current and the additional fifth voltage based on the step of calculating the additional fifth resistance (R a), or (g ') holding the fifth resistance (R a) from the step of determining the distance to an additional fifth resistance (R a) And (h) an additional sixth electrode across said second and third contact elements. Applying an upper side to generate an additional sixth current in the surface portion at the first position, (i) measuring the additional sixth current through the second or third contact element, (j) Measuring an additional sixth voltage across the first and fourth contact elements, and (k) calculating an additional sixth resistance value R A ' based on the additional sixth current and the additional sixth voltage. Or (k ') retaining the sixth resistance value R A' from determining the distance as an additional fifth resistance value R A ' , and (l) the additional fifth resistance value Calculating the additional third resistance difference ΔR AA ′ based on the difference between the second resistance value and the additional sixth resistance value, or (l ′) converting the distance to the additional third resistance difference ΔR AA ′ . And retaining the third resistance difference ΔR AA ′ from the determining. have.

상기 제5 관계식은

Figure pct00048
Figure pct00049
와 같을 수 있고, 여기서 △RAA'는 상기 추가적인 제3 저항차(△RAA')를 나타내고, y는 상기 거리(y) 또는 추가 거리(y1)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타낸다.The fifth relationship is
Figure pct00048
Figure pct00049
ΔR AA ′ represents the additional third resistance difference ΔR AA ′ , y represents the distance y or the additional distance y 1 , and a represents the first and the first Represents the spacing between the contact points of the second contact element, b represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements.

상기 전기적 특성은 시트 저항(sheet resistance)(R0)일 수 있고, 상기 제5 관계식(g)은 의사 시트 저항(RP)를 나타내는 제17 파라미터를 더 포함할 수 있으며, 상기 방법은 (d) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제5 전류를 발생시키는 단계, (e) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제5 전류를 측정하는 단계, (f) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 추가적인 제5 전압을 측정하는 단계, (g) 상기 추가적인 제5 전류 및 상기 추가적인 제5 전압에 기초하여 추가적인 제5 저항값(RA)을 계산하는 단계, 또는 (g') 상기 거리를 추가적인 제5 저항값(RA)으로 결정하는 단계로부터 상기 제5 저항값(RA)을 보유하는 단계, 및 (h) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 추가적인 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제6 전류를 발생시키는 단계, (i) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제6 전류를 측정하는 단계, (j) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제6 전압을 측정하는 단계, 및 (k) 상기 추가적인 제6 전류 및 상기 추가적인 제6 전압에 기초하여 추가적인 제6 저항값(RA')을 계산하는 단계, 또는 (k') 상기 거리를 추가적인 제5 저항값(RA')으로 결정하는 단계로부터 상기 제6 저항값(RA')을 보유하는 단계, 및 (l) 상기 추가적인 제5 저항값(RA) 및 상기 추가적인 제6 저항값(RA')의 제5 저항 평균(

Figure pct00050
)을 계산하는 단계, 및 (d") 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단에 추가적인 제1 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제1 전류를 발생시키는 단계, (e") 상기 제1 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제1 전류를 측정하는 단계, (f") 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제1 전압을 측정하는 단계, (g") 상기 추가적인 제1 전류 및 상기 추가적인 제1 전압에 기초하여 추가적인 제1 저항값(RB)을 계산하는 단계, 또는 (g"') 상기 거리를 추가적인 제1 저항값(RB)으로 결정하는 단계로부터 상기 제1 저항값(RB)을 보유하는 단계, 및 (h") 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제2 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제2 전류를 발생시키는 단계, (i") 상기 제2 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제2 전류를 측정하는 단계, (j") 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단의 추가적인 제2 전압을 측정하는 단계, (k") 상기 추가적인 제2 전류 및 상기 추가적인 제2 전압에 기초하여 추가적인 제2 저항값(RB')을 계산하는 단계, 또는 (k''') 상기 거리를 추가적인 제2 저항값(RB')으로 결정하는 단계로부터 상기 제2 저항값(RB')을 보유하는 단계, 및 (l") 상기 추가적인 제1 저항값(RB) 및 상기 추가적인 제2 저항값(RB')의 제6 저항 평균(
Figure pct00051
)을 계산하는 단계, 및 (m) 상기 제5 저항 평균(
Figure pct00052
), 상기 제6 저항 평균(
Figure pct00053
), 및 상기 의사 시트 저항(RP)을 각각 나타내는 제18, 제19, 및 제20 파라미터를 포함하는 제6 관계식을 정의하는 단계, (n) 상기 제6 관계식에서 상기 제5 저항 평균(
Figure pct00054
) 및 상기 제6 저항 평균(
Figure pct00055
)을 각각 상기 제18 파라미터 및 상기 제19 파라미터로서 이용하여 상기 의사 시트 저항(RP)을 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다.The electrical property may be sheet resistance R 0 , and the fifth relation g may further include a seventeenth parameter representing a pseudo sheet resistance R P , and the method may include (d ) Applying an additional fifth potential across the first and fourth contact elements to generate an additional fifth current at the surface portion at the first location, (e) passing through the first or fourth contact elements Measuring the additional fifth current, (f) measuring an additional fifth voltage across the second and third contact elements, (g) based on the additional fifth current and the additional fifth voltage calculating an additional fifth resistance (R a), or (g ') the step of holding the fifth resistance (R a) from the step of determining the distance to an additional fifth resistance (R a), And (h) an additional sixth potential across said second and third contact elements. Applying to generate an additional sixth current in the surface portion at the first position, (i) measuring the additional sixth current passing through the second or third contact element, (j) the second Measuring an additional sixth voltage across the first and fourth contact elements, and (k) calculating an additional sixth resistance value R A ' based on the additional sixth current and the additional sixth voltage, Or (k ') retaining the sixth resistance value R A' from determining the distance as an additional fifth resistance value R A ' , and (l) the additional fifth resistance value R A ) and a fifth resistance average of the additional sixth resistance value R A ′ (
Figure pct00050
) And (d ") applying an additional first potential across said first and third contact elements to generate an additional first current in said surface portion at said first location, (e") Measuring the additional first current through the first or third contact element, (f ″) measuring an additional first voltage across the second and fourth contact elements, (g ″) the Calculating an additional first resistance value R B based on an additional first current and the additional first voltage, or (g "') determining the distance as an additional first resistance value R B. Holding the first resistance value R B , and (h ″) applying an additional second potential across the second and fourth contact elements to provide an additional second current to the surface portion at the first location. Generating, (i ") a phase passing through said second or said fourth contact element Measuring an additional second current, (j ") measuring an additional second voltage across said first and third contact elements, (k") based on said additional second current and said additional second voltage Calculating the second resistance value R B ' , or (k''') determining the distance as the additional second resistance value R B ' from the second resistance value R B' . And (l ″) a sixth resistance average of the additional first resistance value R B and the additional second resistance value R B ′ .
Figure pct00051
), And (m) the fifth resistance average (
Figure pct00052
), The sixth resistance average (
Figure pct00053
), And defining a sixth relation including the eighteenth, nineteenth, and twentieth parameters representing the pseudo sheet resistance R P , respectively, (n) the fifth resistance average in the sixth relation (
Figure pct00054
) And the sixth resistance average (
Figure pct00055
) May be used to determine the pseudo sheet resistance R P using the eighteenth parameter and the nineteenth parameter, respectively.

상기 제6 관계식은

Figure pct00056
과 같을 수 있고, 여기서 RP는 상기 의사 시트 저항이고,
Figure pct00057
는 상기 제1 저항 평균이고,
Figure pct00058
는 상기 제2 저항 평균이다.The sixth relation is
Figure pct00056
May be equal to, wherein R P is the pseudo sheet resistance,
Figure pct00057
Is the first resistance average,
Figure pct00058
Is the second resistance average.

홀 시트 캐리어 밀도 NHS는 NHS=B/(ZeRH)로 계산될 수 있고, 여기서 B는 전기적으로 전도성인 표면부에 수직인 자기장 성분이고, Ze는 캐리어 전하(Z=±1)이며, RH는 홀 시트 저항이다. 평균 홀 캐리어 이동도 μH는 μH=(ZRH/(ROB)로 계산될 수 있고, 여기서 Z는 캐리어 전하의 형태에 따라 ±1이고, RH는 홀 시트 저항이고, RO는 시트 저항이며, B는 전기적으로 전도성인 표면부에 수직인 자기장 성분이다. 만일 자기장이 전자석에 의해 발생된다면, 상기 자기장 성분 B는 전자석을 통과하는 전류로부터 이론적으로 계산될 수 있다. 만일 자기장이 영구 자석에 의해 발생된다면, 상기 자기장 성분 B는 적절한 조정에 의해 사전 결정될 수 있다.The hole sheet carrier density N HS can be calculated as N HS = B / (ZeR H ), where B is the magnetic field component perpendicular to the electrically conductive surface portion, Ze is the carrier charge (Z = ± 1), R H is a hole sheet resistance. The average hole carrier mobility μ H can be calculated as μ H = (ZR H / (R O B), where Z is dependent on the type of carrier charge ± 1, R H is a hole sheet resistance, R O is a sheet resistance, and B is a magnetic field component perpendicular to the electrically conductive surface portion. If the magnetic field is generated by an electromagnet, the magnetic field component B can be theoretically calculated from the current passing through the electromagnet. If the magnetic field is generated by a permanent magnet, the magnetic field component B may be Can be predetermined.

본 발명의 목적은 본 발명의 제4 양태에 따른 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 전기적 경계 간의 거리를 결정하는 장치에 의해 성취되며, 상기 장치는 제1 접촉 요소, 제2 접촉 요소, 제3 접촉 요소, 및 제4 접촉 요소를 포함하는 멀티 포인트 프로브 - 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점을 정의하고, 또는 멀티 포인트 프로브는 복수의 접촉 요소를 포함함 - , 및 본 발명의 제1 또는 제2 양태에 따른 상기 거리를 결정하는 방법을 수행하도록 구성된 제어 유닛을 포함한다.The object of the invention is achieved by an apparatus for determining a distance between a first position on an electrically conductive surface portion of a test sample according to a fourth aspect of the invention and an electrical boundary of the electrically conductive surface portion. A multi-point probe comprising a first contact element, a second contact element, a third contact element, and a fourth contact element, each contact element defining a contact point for establishing electrical contact with the test sample, or The multi-point probe includes a plurality of contact elements-and a control unit configured to perform the method of determining the distance according to the first or second aspect of the present invention.

본 발명의 목적은 본 발명의 제5 양태에 따른 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치에서 전기적 특성을 결정하는 장치에 의해 성취되며, 상기 장치는 제1 접촉 요소, 제2 접촉 요소, 제3 접촉 요소, 및 제4 접촉 요소를 포함하는 멀티 포인트 프로브 - 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점을 정의하고, 또는 멀티 포인트 프로브는 복수의 접촉 요소를 포함함 - , 및 본 발명의 제3 양태에 따른 상기 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치에서 전기적 특성을 결정하는 방법을 수행하도록 구성된 제어 유닛을 포함한다.The object of the invention is achieved by an apparatus for determining electrical properties at a first position on an electrically conductive surface of a test sample according to a fifth aspect of the invention, the apparatus comprising: a first contact element, a second contact element A multi-point probe comprising a third contact element and a fourth contact element, each contact element defining a contact point for establishing electrical contact with the test sample, or The multi-point probe comprises a plurality of contact elements-and a control unit configured to perform a method for determining electrical characteristics at a first location on an electrically conductive surface portion of the test sample according to the third aspect of the invention. Include.

본 발명의 여러 양태에 대한 많은 실시예가 아래에서 기술된다.
도 1은 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부와 접촉하는 4 포인트 프로브를 예시한다.
도 2a는 바람직한 실시예에서 프로브의 접촉 요소들의 접촉점들 사이의 등거리 간격을 예시한다.
도 2b는 대안의 실시예에서 프로브의 접촉 요소들의 접촉점들 사이의 비대칭 간격을 예시한다.
도 2c는 또 다른 대안의 실시예에서 프로브의 접촉 요소들의 접촉점들 사이의 비대칭 간격을 예시한다.
도 3a의 (1)-(2)는 대안의 실시예에 따른 접촉 요소의 전류원 및 전압 측정 구성을 예시한다.
도 3b의 (1)-(2) 및 도 3c의 (1)-(2)는 바람직한 실시예에 따른 접촉 요소의 전류원 및 전압 측정 구성을 예시한다.
도 4a-c는 바람직한 실시예에 따른 전기적 경계까지의 거리, 홀 시트 저항, 및 시트 저항을 결정하는 관계식을 예시한다.
도 5a-5c는 대안의 실시예에 따른 전기적 경계까지의 거리, 홀 시트 저항, 및 시트 저항을 결정하는 관계식을 예시한다.
도 6은 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부와 접촉하는 대안의 실시예에 따른 7 포인트 프로브를 예시한다.
도 7a는 테스트 샘플과 접촉하는 접촉점의 위치를 예시한다.
도 7b는 테스트 샘플과 대안으로 접촉하는 접촉점의 위치를 예시한다.
도 8a의 (1)-(4)는 도 6과 관련하여 기술된 프로브의 접촉 요소의 전류원 및 전압 측정 구성을 예시한다.
도 8b의 (1)-(4)는 도 6과 관련하여 기술된 프로브의 접촉 요소의 추가 전류원 및 전압 측정 구성을 예시한다.
도 9는 도 6의 프로브와 관련하여 기술된 대안의 실시예에 따른 전기적 경계까지의 거리를 결정하는 관계식을 예시한다.
도 10은 도 6의 프로브와 관련하여 기술된 대안의 실시예에 따른 전기적 경계까지의 거리를 결정하는 추가 관계식을 예시한다.
Many embodiments of various aspects of the invention are described below.
1 illustrates a four point probe in contact with an electrically conductive surface portion of a test sample.
2A illustrates the equidistant spacing between the contact points of the contact elements of the probe in a preferred embodiment.
2B illustrates the asymmetric spacing between the contact points of the contact elements of the probe in an alternative embodiment.
2C illustrates the asymmetric spacing between the contact points of the contact elements of the probe in another alternative embodiment.
(1)-(2) of FIG. 3A illustrate a current source and voltage measurement configuration of a contact element according to an alternative embodiment.
(1)-(2) of FIG. 3B and (1)-(2) of FIG. 3C illustrate a current source and voltage measurement configuration of a contact element according to a preferred embodiment.
4A-C illustrate relations for determining distance to electrical boundaries, hole sheet resistance, and sheet resistance in accordance with a preferred embodiment. To illustrate.
5A-5C illustrate relations for determining distance to electrical boundary, hole sheet resistance, and sheet resistance according to an alternative embodiment. To illustrate.
6 illustrates a seven point probe according to an alternative embodiment in contact with an electrically conductive surface portion of a test sample.
7A illustrates the location of the contact point in contact with the test sample.
7B illustrates the location of the contact point that alternatively contacts the test sample.
8 (a)-(4) illustrate the current source and voltage measurement configuration of the contact element of the probe described in connection with FIG.
(1)-(4) of FIG. 8B illustrate an additional current source and voltage measurement configuration of the contact element of the probe described in connection with FIG. 6.
9 is a relational formula for determining a distance to an electrical boundary according to an alternative embodiment described in connection with the probe of FIG. To illustrate.
FIG. 10 illustrates a further relationship for determining the distance to an electrical boundary according to an alternative embodiment described in connection with the probe of FIG. 6.

도 1은 테스트 샘플(test sample)(30)과 접촉하는 멀티 포인트 프로브(multi-point probe)(36)를 예시한다. 테스트 샘플(30)은 전기적으로 전도성(electrically conducting)인 표면부(32) 및 테스트 샘플(30)의 상부 표면에 해당하는 표면부(32)와 테스트 샘플(30)의 측면(33) 사이의 가장자리(edge)에 의해 물리적으로 정의된 경계(34)를 갖는다. 측면(33)은 전기적으로 전도성이 아니므로 경계는 전류가 전기적으로 전도성인 표면부(32)에서 흘러나가는 것을 막아주는 전기적 경계이다.1 illustrates a multi-point probe 36 in contact with a test sample 30. The test sample 30 is an edge between the side 32 of the test sample 30 and the surface portion 32 corresponding to the electrically conducting surface portion 32 and the upper surface of the test sample 30. It has a boundary 34 that is physically defined by an edge. The side surface 33 is not electrically conductive, so the boundary prevents current from flowing out of the electrically conductive surface portion 32. It is an electrical boundary that prevents.

멀티 포인트 프로브(36)는 프로브 몸체(18)를 구비하며 그 프로브 몸체에서 제1 접촉 요소(contact element)(10), 제2 접촉 요소(12), 제3 접촉 요소(14), 및 제4 접촉 요소(16)가 연장된다. 각각의 접촉 요소(10-16)는 일단이 프로브 몸체에 연결되고 타단이 접촉점(20-26)을 정의하는 캔틸레버(cantilever)이다. 도 1의 구조의 접촉점(20-26)은 전기적으로 전도성인 표면부(32)와 접촉한다. 접촉 요소(10-16)는 전기적으로 전도성이다. 따라서, 전류는 각각의 접촉 요소를 통하여 전기적으로 전도성인 표면부(32)로 통과할 수 있다. 일정한 자기장(magnetic field) B가 전기적으로 전도성인 표면부(32)에 수직인 자기장 성분(field component)(38)을 갖도록 테스트 샘플(30)로 인가된다.Multi-point probe 36 has a probe body 18 and at the probe body The first contact element 10, the second contact element 12, the third contact element 14, and the fourth contact element 16 Is extended. Each contact element 10-16 is a cantilever, one end of which is connected to the probe body and the other end defining a contact point 20-26. The contact points 20-26 of the structure of FIG. 1 contact the electrically conductive surface portion 32. Contact elements 10-16 are electrically conductive. Thus, current can pass through each contact element to the electrically conductive surface portion 32. A constant magnetic field B is applied to the test sample 30 to have a field component 38 perpendicular to the electrically conductive surface portion 32.

접촉 요소(10-16)의 접촉점(20-26)은 모두 도 2a-c에 도시된 바와 같이 공통 라인(40) 상에 놓인다. 전기적 경계(34)는 선형 부분(42)을 갖고 있으며 접촉 요소(10-16)는 공통 라인(40)이 선형 부분(42)에 평행하도록 배향된다. 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들(20-22) 간의 거리 또는 간격은 a로 표시되고, 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들(22-24) 간의 거리 또는 간격은 b로 표시되며, 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들(24-26) 간의 거리 또는 간격은 c로 표시된다. 공통 라인(40)과 선형 부분(42) 간의 거리 또는 간격은 y로 표시된다. 도 2a에 도시된 바람직한 실시예에서, 접촉 요소들의 접촉점들(20-26) 간의 거리 a-c는 대략 21㎛이다. 도 2b에 도시된 대안의 실시예에서, 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들(20'-22') 간의 거리 a는 대략 21㎛이고, 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들(22'-24') 간의 거리 b는 대략 21㎛이며, 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들(24'-26') 간의 거리 c는 대략 35㎛이다. 도 2c에 도시된 또 다른 대안의 실시예에서, 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들(20"-22") 간의 거리 a는 대략 14㎛이고, 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들(22"-24") 간의 거리 b는 대략 14㎛이며, 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들(24"-26") 간의 거리 c는 대략 35㎛이다.The contact points 20-26 of the contact elements 10-16 all lie on the common line 40 as shown in FIGS. 2A-C. The electrical boundary 34 has a linear portion 42 and the contact elements 10-16 are oriented such that the common line 40 is parallel to the linear portion 42. The distance or spacing between the contact points 20-22 of the first and second contact elements is denoted by a, the distance or spacing between the contact points 22-24 of the second and third contact elements is denoted by b, The distance or spacing between the contact points 24-26 of the third and fourth contact elements is indicated by c. The distance or spacing between common line 40 and linear portion 42 is indicated by y. In the preferred embodiment shown in FIG. 2A, the distance a-c between the contact points 20-26 of the contact elements is approximately 21 μm. In the alternative embodiment shown in FIG. 2B, the distance a between the contact points 20 ′-22 ′ of the first and second contact elements is approximately 21 μm and the contact points 22 ′ of the second and third contact elements. The distance b between -24 ') is approximately 21 mu m, and the distance c between the contact points 24'-26' of the third and fourth contact elements is approximately 35 mu m. In another alternative embodiment shown in FIG. 2C, the distance a between the contact points 20 ″-22 ″ of the first and second contact elements is approximately 14 μm, and the contact points of the second and third contact elements ( The distance b between 22 " -24 ") is approximately 14 [mu] m and the distance c between the contact points 24 " -26 " of the third and fourth contact elements is approximately 35 [mu] m.

도 2a의 바람직한 실시예와 관련하여 기술된 테스트 샘플과 도 2b의 대안의 실시예와 관련하여 기술된 테스트 샘플은 동일하다. 이들 실시예에서, 전기적 경계(34)는 도 1과 관련하여 기술된 바와 같이 정의된다. 도 2c와 관련하여 기술된 대안의 실시예에서, 전기적 경계(34')는 전기적으로 전도성인 표면부(32')와 테스트 샘플의 상부 표면 상의 전기적으로 비전도성(electrically non-conducting)인 표면부(44) 간의 전이부(transition)로 정의되며, 이는 두 표면부(34', 44)가 본질적으로 평행임을 의미한다.The test sample described in connection with the preferred embodiment of FIG. 2A and the test sample described in connection with the alternative embodiment of FIG. 2B are identical. In these embodiments, the electrical boundary 34 is defined as described in connection with FIG. 1. In an alternative embodiment described in connection with FIG. 2C, the electrical boundary 34 ′ is an electrically conductive surface portion 32 ′ and an electrically non-conducting surface portion on the top surface of the test sample. It is defined as a transition between 44, which means that the two surface portions 34 ', 44 are essentially parallel.

전기적으로 전도성인 표면부의 여러 전기적 특성이 결정될 수 있다. 바람직한 실시예에서, 홀 시트 저항(Hall sheet resistance) 및 시트 저항(sheet resistance)은 도 2a에 도시된 바와 같은 접촉점을 갖는 4 포인트 프로브를 이용하여 측정된다.Several electrical properties of the electrically conductive surface portion can be determined. In a preferred embodiment, Hall sheet resistance and sheet resistance are measured using a four point probe having a contact point as shown in FIG. 2A. Is measured.

접촉점(20-26)의 위치 결정은 전기적 경계(34)로부터 거리 y에 있는 전기적으로 전도성인 표면부(32) 상의 제1 위치를 정의한다. 도 3b의 (1)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제1 접촉 요소(10)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제3 접촉 요소(14)를 통해 드레인(drained)되도록 제1 및 제3 접촉 요소(10 및 14) 양단에 전위가 인가된다. 제1 접촉 요소(10)를 통과하는 전류 I 및 제2 및 제4 접촉 요소(12 및 16) 양단의 전압 VA가 측정되고, 전압 VA를 전류 I로 나눔으로써 제1 저항값(RB)이 계산된다. 다음에, 도 3b의 (2)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제2 접촉 요소(12)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제4 접촉 요소(14)를 통해 드레인되도록 제2 및 제4 접촉 요소(12 및 14) 양단에 전위가 인가된다. 제2 접촉 요소(12)를 통과하는 전류 I 및 제1 및 제3 접촉 요소(10 및 14) 양단의 전압 VA'가 측정되고, 전압 VA'를 전류 I로 나눔으로써 제2 저항값(RB')이 계산된다. 다음에, 제1 저항값(RB)과 제2 저항값(RB') 간의 차로 정의된 제1 저항차(△RBB')가 다음과 같이 계산된다.Positioning of the contact points 20-26 The first position on the electrically conductive surface portion 32 at a distance y from the electrical boundary 34. define. As shown in (1) of FIG. 3B, the current I is injected into the surface portion through the first contact element 10 and at least a part of the current is drained through the third contact element 14. An electric potential is applied across the first and third contact elements 10 and 14. Passing through the first contact element 10 The voltage V A across the current I and the second and fourth contact elements 12 and 16 is measured and the first resistance value R B is calculated by dividing the voltage V A by the current I. Next, as shown in (2) of FIG. 3B, the current I is injected into the surface portion through the second contact element 12 and at least a part of the current is drained through the fourth contact element 14. An electric potential is applied across the second and fourth contact elements 12 and 14. The current I passing through the second contact element 12 and the voltage V A ' across the first and third contact elements 10 and 14 are measured and the voltage By dividing V A ' by the current I, the second resistance value R B ′ is calculated. Next, the first resistance difference ΔR BB ′ defined by the difference between the first resistance value R B and the second resistance value R B ′ is calculated as follows.

Figure pct00059
(1.1)
Figure pct00059
(1.1)

뿐만 아니라 제3 저항값(RB)과 제4 저항값(RB') 간의 평균(

Figure pct00060
)도 다음과 같이 계산된다.In addition, the average between the third resistance value R B and the fourth resistance value R B ′ (
Figure pct00060
) Is also calculated as:

Figure pct00061
(1.2)
Figure pct00061
(1.2)

도 3c의 (1)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제1 접촉 요소(10)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제2 접촉 요소(12)를 통해 드레인되도록 제1 및 제2 접촉 요소 양단에 전위가 인가된다. 제1 접촉 요소(10)를 통과하는 전류 I 및 제3 및 제4 접촉 요소(14 및 16) 양단의 전압 VC가 측정되고, 전압 VC를 전류 I로 나눔으로써 제3 저항값(RC)이 계산된다. 다음에, 도 3b의 (2)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제3 접촉 요소(14)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제4 접촉 요소(16)를 통해 드레인되도록 제3 및 제4 접촉 요소(14 및 16) 양단에 전위가 인가된다. 제3 접촉 요소(14)를 통과하는 전류 I 및 제1 및 제2 접촉 요소(10 및 12) 양단의 전압 VC'가 측정되고, 전압 VC'를 전류 I로 나눔으로써 제4 저항값(RC')이 계산된다. 다음에, 제3 저항값(RC)과 제4 저항값(RC') 간의 차로 정의된 제2 저항차(△RCC')가 다음과 같이 계산된다.As shown in (1) of FIG. 3C, the currents I and I are injected into the surface portion through the first contact element 10 and at least a portion of the current is drained through the second contact element 12. A potential is applied across the second contact element. The current I passing through the first contact element 10 and the voltage V C across the third and fourth contact elements 14 and 16 are measured and the third resistance value R C is obtained by dividing the voltage V C by the current I. ) Is calculated. Next, as shown in (2) of FIG. 3B, the current I is injected into the surface portion through the third contact element 14 and at least a part of the current is drained through the fourth contact element 16. An electric potential is applied across the third and fourth contact elements 14 and 16. First by dividing the third contact element 14, the current I and the first and the second contacting elements 10 and 12 the voltage V C across "it is measured, the voltage V C 'passing through the current I a fourth resistance ( R C ' ) is calculated. Next, the second resistance difference ΔR CC ′ defined by the difference between the third resistance value R C and the fourth resistance value R C ′ is calculated as follows.

Figure pct00062
(1.3)
Figure pct00062
(1.3)

뿐만 아니라 제3 저항값(RC)과 제4 저항값(RC') 간의 평균(

Figure pct00063
)도 다음과 같이 계산된다.In addition, the average between the third resistance value R C and the fourth resistance value R C ′ (
Figure pct00063
) Is also calculated as:

Figure pct00064
(1.4)
Figure pct00064
(1.4)

도 2a에 도시된 바와 같은 테스트 샘플과 접촉하는 4 포인트 프로브의 수학적 모델에 해당하는 많은 관계식(relations)이 다음과 같이 정의된다.Many relationships corresponding to a mathematical model of a four point probe in contact with a test sample as shown in FIG. 2A are defined as follows.

Figure pct00065
(1.5)
Figure pct00065
(1.5)

Figure pct00066
(1.6)
Figure pct00066
(1.6)

여기서 s는 이웃 프로브 암들(arms) 간의 간격을 나타낸 것으로, 이는 이웃 프로브 암들의 모든 쌍들에 대해 동일하고, 즉 s=a=b=c이고, △RBB'는 제1 저항차를 나타내고, y는 접촉점(20-26)과 전기적 경계(34) 간의 거리를 나타내고, △RCC'는 제2 저항차를 나타내며, RH는 4 포인트 프로브(36)에 의해 접촉이 확립되는 전기적으로 전도성인 표면부(32)의 제1 위치의 홀 시트 저항을 나타낸다. 도 4c에서, 관계식 f1(수학식 1.5)은 점선으로 도시되고 관계식 f2(수학식 1.6)는 파선으로 도시된다.Where s represents the spacing between neighboring probe arms, which is the same for all pairs of neighboring probe arms, ie s = a = b = c, ΔR BB ′ represents the first resistance difference, y Represents the distance between the contact points 20-26 and the electrical boundary 34, ΔR CC ' represents the second resistance difference, and R H is an electrically conductive surface on which contact is established by the four point probe 36 The hole sheet resistance at the first position of the part 32 is shown. In FIG. 4C, relation f 1 (Equation 1.5) is shown in dashed lines and relation f 2 (Equation 1.6) is shown in dashed lines.

전술한 두 관계식(수학식 1.4 및 1.3) 간의 비는 다음과 같은 제1 관계식을 정의하는데 사용된다.The ratio between the two relations (Equations 1.4 and 1.3) described above is used to define the following first relation.

Figure pct00067
(1.7)
Figure pct00067
(1.7)

이는 또한 다음과 같이 나타낼 수 있다.It can also be expressed as

Figure pct00068
(1.8)
Figure pct00068
(1.8)

즉, 제1 관계식은 명목(nominal) 간격 s로 정규화된 거리 y의 함수이다. 이러한 관계식(수학식 1.7 및 1.8)은 도 4c의 그래프에서 실선으로 도시된다. 다음에, 측정된 제1 및 제2 저항차(△RBB' 및 △RCC')는 제1 관계식(수학식 1.8)에서 정규화된 거리 y/s를 도출하는데 사용된다. 예를 들면, △RCC'/△RBB' 비가 0.2이면 정규화된 거리 y/s는 대략 2가 될 것이고, △RCC'/△RBB 비가 0.4이면 정규화된 거리 y/s는 대략 5.5가 될 것이며, 이는 도 4c로부터 알 수 있다. 명목 간격 s는 알려져 있으므로 거리 y는 정규화된 거리 y/s로부터 쉽게 결정된다. 정규화된 거리 y/s가 2이면 함수 f1의 값은 대략 0.5가 될 것이며, 정규화된 거리 y/s가 5.5이면 함수 f1의 값은 대략 0.08이 될 것이다. 다음에, 측정된 제1 저항차(△RBB')와 수학식 1.3의 관계식을 병용하면 홀 시트 저항(Hall sheet resistance) RH 얻어진다. 또한, 함수 f2도 유사한 방식으로 사용될 수 있다.That is, the first relation is a function of the distance y normalized to the nominal interval s. These relationships (Equations 1.7 and 1.8) are shown in solid lines in the graph of FIG. 4C. Next, the measured first and second resistance differences ΔR BB ′ and ΔR CC ′ are used to derive the normalized distance y / s in the first relation (Equation 1.8). For example, ΔR CC ' / ΔR BB' If the ratio is 0.2, the normalized distance y / s will be approximately 2, and if the ΔR CC ' / ΔR BB ratio is 0.4, the normalized distance y / s will be approximately 5.5, which can be seen from FIG. 4C. Since the nominal spacing s is known, the distance y is easily determined from the normalized distance y / s. If the normalized distance y / s is 2, the value of the function f 1 will be approximately 0.5. If the normalized distance y / s is 5.5, the value of the function f 1 will be approximately 0.08. Next, the relationship between the measured first resistance difference ΔR BB ′ and Equation 1.3 is described. In combination Hall sheet resistance R H . Also, f 2 may also be used in a similar manner.

전기적으로 전도성인 표면부의 시트 저항(Sheet resistance), 즉, 홀 시트 저항 외의 또 다른 전기적 특성을 결정하기 위해, 제1 저항 평균

Figure pct00069
이 다음과 같이 수학식 1.2 및 1.4로 정의된 저항 평균
Figure pct00070
Figure pct00071
의 합으로 계산된다.The first resistance average is used to determine sheet resistance, ie, other electrical properties other than hole sheet resistance, of the electrically conductive surface portion.
Figure pct00069
The resistance average defined by equations 1.2 and 1.4
Figure pct00070
And
Figure pct00071
Is calculated as the sum of.

Figure pct00072
(1.9)
Figure pct00072
(1.9)

다음에, 다음과 같은 밴더 파우(van der Pauw) 수학식으로부터 의사(pseudo) 시트 저항 RP이 결정된다.Next, The pseudo sheet resistance R P is determined from the van der Pauw equation.

Figure pct00073
(1.10)
Figure pct00073
(1.10)

4 포인트 프로브에 의해 접촉되는 전기적으로 전도성인 표면부의 시트 저항을 결정하는 제2 관계식이 다음과 같이 정의된다. 즉,A second relationship for determining the sheet resistance of the electrically conductive surface portion contacted by the four point probe is defined as follows. In other words,

Figure pct00074
이고, (1.11)
Figure pct00074
And (1.11)

여기서 RP는 의사 시트 저항이고, R0는 시트 저항이며, g는 정규화된 거리 y/s의 함수이다. 함수 g는 4 포인트 프로브의 실제 크기 또는 치수에 좌우되지 않는다는 점에서 기하학적이다. 도 2a에서와 같은 등거리 접촉 프로브를 이용하는 4 포인트 프로브를 나타내는 함수 g가 도 4b에 도시되어 있다. 예를 들면, 정규화된 거리 y/s가 2이면 함수 g의 값, 즉, RP/R0는 대략 1.40이 될 것이며, 정규화된 거리 y/s가 5.5이면 대응하는 값, 또는 비는 대략 1.14가 될 것이다. 다음에, 수학식 1.9 및 1.10과 관련하여 기술된 바와 같이 결정된 의사 시트 저항 RP를 이용하면, 시트 저항 R0는 수학식 1.11로부터 쉽게 계산된다.Where R P is the pseudo sheet resistance, R 0 is the sheet resistance, and g is a function of the normalized distance y / s. The function g is geometric in that it does not depend on the actual size or dimensions of the four point probe. A function g representing a four point probe using an equidistant contact probe as in FIG. 2A is shown in FIG. 4B. For example, if the normalized distance y / s is 2, the value of the function g, ie R P / R 0, will be approximately 1.40, and if the normalized distance y / s is 5.5, the corresponding value, or ratio, will be approximately 1.14. Will be. Next, using the pseudo sheet resistance R P determined as described in relation to Equations 1.9 and 1.10, the sheet resistance R 0 is easily calculated from Equation 1.11.

제2 실시예에서, 홀 시트 저항 및 시트 저항은 도 2b에 도시된 바와 같은 비대칭 4 포인트 프로브를 이용하여 측정된다.In a second embodiment, the hole sheet resistance and sheet resistance are measured using an asymmetric four point probe as shown in FIG. 2B.

접촉점(20'-26')의 위치 결정은 전기적 경계(34)로부터 거리 y에 있는 전기적으로 전도성인 표면부(32) 상의 제1 위치를 정의한다. 도 3b의 (1)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제1 접촉 요소(10)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제3 접촉 요소(14)를 통해 드레인되도록 제1 및 제3 접촉 요소(10 및 14) 양단에 전위가 인가된다. 제1 접촉 요소(10)를 통과하는 전류 I 및 제2 및 제4 접촉 요소(12 및 16) 양단의 전압 VB가 측정되고, 전압 VB를 전류로 나눔으로써 제1 저항값(RB)이 계산된다. 다음에, 도 3b의 (2)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제2 접촉 요소(12)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제4 접촉 요소(14)를 통해 드레인되도록 제2 및 제4 접촉 요소(12 및 14) 양단에 전위가 인가된다. 제2 접촉 요소(12)를 통과하는 전류 I 및 제1 및 제3 접촉 요소(10 및 14) 양단의 전압 VB'가 측정되고, 전압 VB'를 전류 I로 나눔으로써 제2 저항값(RB')이 계산된다. 다음에, 제1 저항값(RB)과 제2 저항값(RB') 간의 차로 정의된 제1 저항차(△RBB')가 다음과 같이 계산된다.Positioning of the contact points 20'-26 ' The first position on the electrically conductive surface portion 32 at a distance y from the electrical boundary 34. define. As shown in (1) of FIG. 3B, the currents I and I are injected into the surface portion through the first contact element 10 and at least a portion of the current is drained through the third contact element 14. An electric potential is applied across the third contact element 10 and 14. The current I passing through the first contact element 10 and the voltage V B across the second and fourth contact elements 12 and 16 are measured and the first resistance value R B by dividing the voltage V B by the current. This is calculated. Next, as shown in (2) of FIG. 3B, the current I is injected into the surface portion through the second contact element 12 and at least a part of the current is drained through the fourth contact element 14. An electric potential is applied across the second and fourth contact elements 12 and 14. The second contact element 12, the current I and the first and passing through the third contact element (10 and 14), the second resistor as a ", and the measurement, the voltage V B, the voltage V B across the dividing by the current value I ( R B ' ) is calculated. Next, the first resistance difference ΔR BB ′ defined by the difference between the first resistance value R B and the second resistance value R B ′ is calculated as follows.

Figure pct00075
(2.1)
Figure pct00075
(2.1)

뿐만 아니라 제3 저항값(RB)과 제4 저항값(RB') 간의 평균(

Figure pct00076
)도 다음과 같이 계산된다.In addition, the average between the third resistance value R B and the fourth resistance value R B ′ (
Figure pct00076
) Is also calculated as:

Figure pct00077
(2.2)
Figure pct00077
(2.2)

도 3c의 (1)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제1 접촉 요소(10)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제2 접촉 요소(12)를 통해 드레인되도록 제1 및 제2 접촉 요소 양단에 전위가 인가된다. 제1 접촉 요소(10)를 통과하는 전류 I 및 제3 및 제4 접촉 요소(14 및 16) 양단의 전압 VC가 측정되고, 전압 VC를 전류 I로 나눔으로써 제3 저항값(RC)이 계산된다. 다음에, 도 3b의 (2)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제3 접촉 요소(14)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제4 접촉 요소(16)를 통해 드레인되도록 제3 및 제4 접촉 요소(14 및 16) 양단에 전위가 인가된다. 제3 접촉 요소(14)를 통과하는 전류 I 및 제1 및 제2 접촉 요소(10 및 12) 양단의 전압 VC'가 측정되고, 전압 VC'를 전류 I로 나눔으로써 제4 저항값(RC')이 계산된다. 다음에, 제3 저항값(RC)과 제4 저항값(RC') 간의 차로 정의된 제2 저항차(△RCC')가 다음과 같이 계산된다.As shown in (1) of FIG. 3C, the currents I and I are injected into the surface portion through the first contact element 10 and at least a portion of the current is drained through the second contact element 12. A potential is applied across the second contact element. The current I passing through the first contact element 10 and the voltage V C across the third and fourth contact elements 14 and 16 are measured and the third resistance value R C is obtained by dividing the voltage V C by the current I. ) Is calculated. Next, as shown in (2) Fig. 3b, a current I is injected to the surface portion through the third contact element 14, at least a part of the current to a drain through the fourth contact element 16 An electric potential is applied across the third and fourth contact elements 14 and 16. First by dividing the third contact element 14, the current I and the first and the second contacting elements 10 and 12 the voltage V C across "it is measured, the voltage V C 'passing through the current I a fourth resistance ( R C ' ) is calculated. Next, the second resistance difference ΔR CC ′ defined by the difference between the third resistance value R C and the fourth resistance value R C ′ is calculated as follows.

Figure pct00078
(2.3)
Figure pct00078
(2.3)

뿐만 아니라 제3 저항값(RC)과 제4 저항값(RC') 간의 평균(

Figure pct00079
)도 다음과 같이 계산된다.In addition, the average between the third resistance value R C and the fourth resistance value R C ′ (
Figure pct00079
) Is also calculated as:

Figure pct00080
(2.4)
Figure pct00080
(2.4)

도 3a의 (1)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제1 접촉 요소(10)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제4 접촉 요소(16)를 통해 드레인되도록 제1 및 제4 접촉 요소(10 및 16) 양단에 전위가 인가된다. 제1 접촉 요소(10)를 통과하는 전류 I 및 제2 및 제3 접촉 요소(12 및 14) 양단의 전압 VA가 측정되고, 전압 VA를 전류 I로 나눔으로써 제5 저항값(RA)이 계산된다. 다음에, 도 3a의 (2)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제2 접촉 요소(12)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제3 접촉 요소(14)를 통해 드레인되도록 제2 및 제3 접촉 요소(12 및 14) 양단에 전위가 인가된다. 제2 접촉 요소(12)를 통과하는 전류 I 및 제1 및 제4 접촉 요소(10' 및 16) 양단의 전압 VA'가 측정되고, 전압 VA'를 전류 I로 나눔으로써 제6 저항값(RA')이 계산된다. 다음에, 제5 저항값(RA)과 제6 저항값(RB') 간의 차로 정의된 제3 저항차(△RAA')가 다음과 같이 계산된다.As shown in (1) of FIG. 3A, current I is injected into the surface portion through the first contact element 10 and at least a portion of the current is drained through the fourth contact element 16. An electric potential is applied across the first and fourth contact elements 10 and 16. The current I passing through the first contact element 10 and the voltage V A across the second and third contact elements 12 and 14 are measured and the fifth resistance value R A by dividing the voltage V A by the current I ) Is calculated. Next, as shown in (2) of FIG. 3A, the current I is injected into the surface portion through the second contact element 12 and at least a part of the current is drained through the third contact element 14. A potential is applied across the second and third contact elements 12 and 14. The current I passing through the second contact element 12 and the voltage V A ' across the first and fourth contact elements 10' and 16 are measured and the sixth resistance value is obtained by dividing the voltage V A ' by the current I. (R A ' ) is calculated. Next, the third resistance difference ΔR AA ′ defined by the difference between the fifth resistance value R A and the sixth resistance value R B ′ is calculated as follows.

Figure pct00081
(2.5)
Figure pct00081
(2.5)

뿐만 아니라 제5 저항값(RA)과 제6 저항값(RA') 간의 평균(

Figure pct00082
)도 다음과 같이 계산된다.In addition, the average between the fifth resistance value R A and the sixth resistance value R A ′ (
Figure pct00082
) Is also calculated as:

Figure pct00083
(2.6)
Figure pct00083
(2.6)

도 2c에 도시된 바와 같은 테스트 샘플과 접촉하는 4 포인트 프로브의 수학적 모델에 해당하는 많은 관계식이 다음과 같이 정의된다.Many relations corresponding to the mathematical model of a four point probe in contact with a test sample as shown in FIG. 2C are defined as follows.

Figure pct00084
(2.7)
Figure pct00084
(2.7)

Figure pct00085
(2.8)
Figure pct00085
(2.8)

Figure pct00086
(2.9)
Figure pct00086
(2.9)

여기서 a, b, 및 c는 도 2c에 표시된 바와 같은 접촉점들 간의 간격을 나타내고, y는 접촉점(20'-26')과 전기적 경계(34) 간의 거리를 나타내고, △RBB'는 제1 저항차를 나타내고, △RCC'는 제2 저항차를 나타내고, △RAA'는 제3 저항차를 나타내며, RH는 4 포인트 프로브(36)에 의해 접촉이 확립되 전기적으로 전도성인 표면부(32)의 그 위치의 홀 시트 저항을 나타낸다. 도 5c에서, 관계식 f1(수학식 2.7)은 파선-점선으로 도시되고, 관계식 f2(수학식 2.8)는 점선으로 도시되며, 관계식 f3(수학식 2.9)은 파선으로 도시된다.Where a, b, and c represent the spacing between the contact points as shown in FIG. 2C, y represents the distance between the contact points 20'-26 'and the electrical boundary 34, and ΔR BB' is the first resistor ΔR CC ′ represents the second resistance difference, ΔR AA ′ represents the third resistance difference, and R H represents an electrically conductive surface portion where contact is established by the four-point probe 36. The hole sheet resistance at that position of 32 is shown. In FIG. 5C, relation f 1 (Equation 2.7) is shown as dashed-dotted line, relation f 2 (Equation 2.8) is shown as dashed line and relation f 3 (Equation 2.9) is shown as dashed line.

다음에, 제1 관계식이 다음과 같이 정의된다.Next, the first relational expression As follows Is defined.

Figure pct00087
(2.10)
Figure pct00087
(2.10)

이는 또한 다음과 같이 나타낼 수 있다.It can also be expressed as

(2.11) (2.11)

여기서 α는 1이고, 즉, 제1 관계식은 거리 y 및 접촉점들 간의 간격 a, b, 및 c의 함수이다. 이러한 관계식(수학식 2.10 및 2.11)은 도 5c의 그래프에서 실선으로 도시된다. 다음에, 측정된 제1, 제2, 및 제3 저항차(△RBB' , △RCC, 및 △RAA')는 제1 관계식(수학식 2.11)에서 정규화된 거리 3y/(a+b+c)를 도출하는데 사용된다. 예를 들어, (△RAA'+△RCC')/△RBB' 비가 0.2이면 정규화된 거리 3y/(a+b+c)는 대략 0.5가 될 것이고, △RCC'/△RBB 비가 0.8이면 정규화된 거리 3y/(a+b+c)는 대략 7이 될 것이며, 이는 도 5c로부터 알 수 있다. 명목 간격 a, b, 및 c는 알려져 있으므로 거리 y는 정규화된 거리 3y/(a+b+c)로부터 쉽게 결정된다. 예를 들면, 도 2c의 간격, 즉, a=b=14㎛이고 c가 35㎛인 경우, 정규화된 거리 3y/(a+b+c)가 0.5이면 거리 y는 대략 10.5㎛가 될 것이며, 정규화된 거리 3y/(a+b+c)가 7이면 거리 y는 대략 147㎛가 될 것이다. 또한, 정규화된 거리 3y/(a+b+c)가 0.5이면 함수 f2의 값은 대략 1.33이 될 것이며, 정규화된 거리 3y/(a+b+c)가 7이면 함수 f2의 값은 대략 0.04가 될 것이다. 다음에, 측정된 제1 저항차(△RBB')와 수학식 2.8의 관계식을 병용하면 홀 시트 저항 RH가 얻어진다. 또한, 함수 f1 및 f3도 유사한 방식으로 사용될 수 있다.Wherein α is 1, that is, the first relation is a function of the distance y and the spacings a, b, and c between the contact points. These relations (Equations 2.10 and 2.11) are shown in solid lines in the graph of FIG. 5C. Next, the measured first, second, and third resistance differences ΔR BB ′ , ΔR CC , and ΔR AA ′ are normalized distances 3y / (a +) in the first relation (Equation 2.11). b + c). For example, (ΔR AA ′ + ΔR CC ′ ) / ΔR BB ′ If the ratio is 0.2, then the normalized distance 3y / (a + b + c) will be approximately 0.5, ΔR CC ' / ΔR BB If the ratio is 0.8 the normalized distance 3y / (a + b + c) will be approximately 7, which can be seen from FIG. 5C. Since the nominal spacings a, b, and c are known, the distance y is easily determined from the normalized distance 3y / (a + b + c). For example, when the interval of FIG. 2C, i.e., a = b = 14 μm and c is 35 μm, if the normalized distance 3y / (a + b + c) is 0.5, the distance y will be approximately 10.5 μm, If the normalized distance 3y / (a + b + c) is 7, the distance y will be approximately 147 μm. Also, if the normalized distance 3y / (a + b + c) is 0.5, the value of the function f 2 will be approximately 1.33. If the normalized distance 3y / (a + b + c) is 7, the value of the function f 2 will be It will be approximately 0.04. Next, the relationship between the measured first resistance difference ΔR BB ′ and Equation 2.8 is given. When used in combination, hole sheet resistance RH is obtained. In addition, the function f 1 And f 3 can also be used in a similar manner.

전기적으로 전도성인 표면부의 시트 저항을 결정하기 위해, 먼저 다음과 같은 밴더 파우 수학식으로부터 의사 시트 저항 RP이 결정된다.In order to determine the sheet resistance of the electrically conductive surface portion, the pseudo sheet resistance R P is first determined from the following Vander Pow equation.

Figure pct00089
(2.12)
Figure pct00089
(2.12)

다음에, 4 포인트 프로브에 의해 접촉되는 전기적으로 전도성인 표면부의 시트 저항을 결정하는 또 다른 제2 관계식이 다음과 같이 정의된다. 즉,Next, another second relation for determining sheet resistance of the electrically conductive surface portion contacted by the four point probe is as follows. Is defined. In other words,

Figure pct00090
(2.13)
Figure pct00090
(2.13)

이고, 여기서 RP는 의사 시트 저항이고, R0는 시트 저항이며, g는 정규화된 거리 y 및 점촉점들 간의 간격 a, b, 및 c의 함수이다. 도 2c에서와 같은 비대칭 간격 접촉 프로브를 이용하는 4 포인트 프로브를 나타내는 함수 g가 도 5b에 도시되어 있다. 예를 들면, 거리 y가 대략 10.5㎛이면 함수 g, 또는 비 RP/R0의 값은 대략 1.44가 될 것이다. 다음에, 수학식 2.12와 관련하여 기술된 바와 같이 결정된 의사 시트 저항 RP를 이용하면, 수학식 2.13으로부터 시트 저항 R0가 쉽게 계산된다.Where R P is the pseudo sheet resistance, R 0 is the sheet resistance, and g is a function of the normalized distance y and the spacing a, b, and c between the contact points. Asymmetrically spaced contact probes as in FIG. A function g representing the four point probe used is shown in FIG. 5B. For example, if the distance y is approximately 10.5 μm, the value of the function g, or ratio R P / R 0 , will be approximately 1.44. Next, using the pseudo sheet resistance R P determined as described in connection with Equation 2.12, the sheet resistance R 0 is easily calculated from Equation 2.13.

대칭적인 프로브를 이용하여 홀 시트 저항 및 시트 저항을 결정하는 좀 더 일반적인 예가 여기서 제시된다. 접촉점들이 등거리인, 즉 a=b=c=s인 대칭적인 4 포인트 프로브의 경우, 데이터 처리시 도 3b의 (1), 도 3b의 (2), 도 3c의 (1), 및 도 3c의 (2)에 도시된 바와 같이 저항값이 각각 RB, RB', RC, 및 RC'가 되는 단지 네 개의 측정 구성 B, B', C 및 C'가 필요하다. 다음과 같은 것이 저항값들로부터 도출된다.More general examples of determining hole sheet resistance and sheet resistance using symmetrical probes are presented herein. For a symmetrical four point probe whose contact points are equidistant, i.e., a = b = c = s, the data processing of FIG. 3B, FIG. 3B, FIG. 2B, FIG. 3C, and FIG. (2) the resistance value R B, R B ', R C, and R C' is configured only four measurements B, B is needed ', C and C' respectively as shown in Fig. The following is derived from the resistance values.

Figure pct00091
(3.1)
Figure pct00091
(3.1)

Figure pct00092
(3.2)
Figure pct00092
(3.2)

평균을 이용하여, 다음과 같은 밴더 파우 수학식으로부터 의사 시트 저항 RP가 계산된다.Using the mean, same The pseudo sheet resistance R P is calculated from the bander power equation.

Figure pct00093
(3.3)
Figure pct00093
(3.3)

Figure pct00094
(3.4)
Figure pct00094
(3.4)

저항차 △RBB' 및 △RCC'는 다음과 같은 알려진 함수로 표현된다.Resistance difference △ R BB ' And ΔR CC ' is It is represented by the same known function.

Figure pct00095
(3.5)
Figure pct00095
(3.5)

Figure pct00096
(3.6)
Figure pct00096
(3.6)

따라서, △RBB' 및 △RCC'의 비는 다음과 같이 y의 함수로 표현될 수 있다.Therefore, ΔR BB ' And the ratio of ΔR CC ′ may be expressed as a function of y as follows.

Figure pct00097
(3.7)
Figure pct00097
(3.7)

이 수학식에서, 함수 f는 도 4a에 플롯된 바와 같이 이론적 계산 또는 수치 모의실험으로부터 얻을 수 있다. 이 플롯을 이용하면, 거리 y가 결정되고, 이어서 수학식 3.5 또는 수학식 3.6으로부터 홀 시트 저항 RH를 풀 수 있다.In this equation, the function f can be obtained from theoretical calculations or numerical simulations as plotted in FIG. 4A. Using this plot, the distance y is determined, and then the hole sheet resistance R H can be solved from Equation 3.5 or Equation 3.6.

또한, 의사 시트 저항 RP 및 시트 저항 R0의 비는 다음과 같이 단지 y/s에만 좌우되는 알려진 함수 g로 표현될 수 있다.In addition, pseudo sheet resistance R P And the ratio of sheet resistance R 0 can be expressed by a known function g which depends only on y / s as follows.

Figure pct00098
(3.8)
Figure pct00098
(3.8)

함수 g는 이론적 계산 또는 수치 모의실험으로부터 구할 수 있고, 도 4b에 플롯된다. 마지막으로, 이 플롯 및 수학식 3.4로부터의 의사 시트 저항 RP를 이용하면, 시트 저항 R0이 계산된다.The function g can be obtained from theoretical calculations or numerical simulations and is plotted in FIG. 4B. Finally, using this plot and pseudo sheet resistance R P from Equation 3.4, sheet resistance R 0 is calculated.

비대칭적 프로브를 이용하여 홀 시트 저항 및 시트 저항을 결정하는 좀 더 일반적인 예가 여기서 제시된다. 접촉 요소들의 접촉점들 간의 간격이 a, b, 및 c인 비대칭적인 4 포인트 프로브의 경우, 데이터 처리시 도 3a의 (1), 도 3a의 (2), 도 3b의 (1), 도 3b의 (2), 도 3c의 (1), 및 도 3c의 (2)에 도시된 바와 같이 저항값이 각각 RA, RA', RB, RB', RC, 및 RC'가 되는 6개의 구성 A, A', B, B', C 및 C'가 모두 필요하다. 이러한 구성들 중 다섯 개만 독립적이다. 도 2c에 도시된 바와 같은 간격 a=14um, b=14um, 및 c=35um가 다음 예에서 사용되며, 이 경우 다음과 같은 것이 저항값들로부터 도출된다.A more general example of determining hole sheet resistance and sheet resistance using an asymmetric probe is presented here. For asymmetric four point probes with a, b, and c spacing between the contact points of the contact elements, the data processing of FIG. 3A, FIG. 3A, FIG. 3A, FIG. 3B, FIG. 3B, and FIG. As shown in (2), (1) of FIG. 3C, and (2) of FIG. 3C, the resistance values are R A , R A ' , R B , R B' , R C , and R C ' , respectively. Six configurations A, A ', B, B', C and C 'are all required. Only five of these configurations are independent. The intervals a = 14um, b = 14um, and c = 35um as shown in FIG. 2C are used in the following example, in which case It is derived from the resistance values.

Figure pct00099
(4.1)
Figure pct00099
(4.1)

Figure pct00100
(4.2)
Figure pct00100
(4.2)

Figure pct00101
(4.3)
Figure pct00101
(4.3)

평균을 이용하면, 다음과 같은 밴더 파우 수학식으로부터 의사 시트 저항 RP가 계산된다.Using the mean, The pseudo sheet resistance R P is calculated from the bander power equation.

Figure pct00102
(4.4)
Figure pct00102
(4.4)

저항차 △RAA', △RBB' 및 △RCC'는 다음과 같은 알려진 함수로 표현된다.Resistance difference △ R AA ' , △ R BB' And ΔR CC ' are represented by the following known functions.

Figure pct00103
(4.5)
Figure pct00103
(4.5)

Figure pct00104
(4.6)
Figure pct00104
(4.6)

Figure pct00105
(4.7)
Figure pct00105
(4.7)

따라서, 다음과 같이 거리 y에만 좌우되는 △RAA', △RBB' 및 △RCC'의 함수를 정의할 수 있다.Thus, the following ΔR AA ' , ΔR BB' which depend only on distance y And ΔR CC ' can be defined.

Figure pct00106
(4.8)
Figure pct00106
(4.8)

이 수학식에서, 함수 f는 이론적 계산 또는 수치 모의실험으로부터 얻을 수 있다. 팩터 α를 튜닝하면, 함수 f는 거리 검출이 프로브 위치 오차에 덜 민감할 수 있도록 최적화된다. a=14㎛, b=14㎛, 및 c=35㎛인 경우, α=1이 양호한 선택이고, 함수 f는 도 5a에 도시된 바와 같이 플롯될 수 있다는 것을 알았다. 이 플롯을 이용하면, 거리 y가 결정되고, 이어서 수학식 4.5, 수학식 4.6, 또는 수학식 4.7로부터 홀 시트 저항 RH를 풀 수 있다.In this equation, the function f can be obtained from theoretical calculations or numerical simulations. By tuning the factor α, the function f is optimized so that distance detection is less sensitive to probe position error. It has been found that for a = 14 μm, b = 14 μm, and c = 35 μm, α = 1 is a good choice and the function f can be plotted as shown in FIG. 5A. Using this plot, the distance y is determined, and then the hole sheet resistance R H can be solved from Equation 4.5, Equation 4.6, or Equation 4.7.

또한, 의사 시트 저항 RP 및 시트 저항 R0의 비는 다음과 같은 알려진 함수 g로 표현될 수 있다.In addition, pseudo sheet resistance R P And the ratio of sheet resistance R 0 is It can be represented by the same known function g.

Figure pct00107
(4.9)
Figure pct00107
(4.9)

함수 g는 이론적 계산 또는 수치 모의실험으로부터 구할 수 있고, 도 5b에 플롯된다. 마지막으로, 이 플롯 및 수학식 4.4로부터의 의사 시트 저항 RP를 이용하면, 시트 저항 R0이 계산된다.The function g can be obtained from theoretical calculations or numerical simulations and is plotted in FIG. 5B. Finally, using this plot and pseudo sheet resistance R P from Equation 4.4, sheet resistance R 0 is calculated.

도 6은 테스트 샘플(30')과 접촉하는 멀티 포인트 프로브(36')를 예시한다. 테스트 샘플(30')은 전기적으로 전도성인 표면부(32') 및 테스트 샘플(30')의 상부 표면에 해당하는 표면부(32)와 테스트 샘플(30')의 측면(33') 사이의 가장자리에 의해 물리적으로 정의된 경계(34')를 갖는다. 측면(33')은 전기적으로 전도성이 아니므로 경계는 전류가 전기적으로 전도성인 표면부(32')에서 흘러나가는 것을 막아주는 전기적 경계이다.6 illustrates a multi point probe 36 ′ in contact with the test sample 30 ′. The test sample 30 'is provided between the electrically conductive surface portion 32' and between the surface portion 32 corresponding to the upper surface of the test sample 30 'and the side surface 33' of the test sample 30 '. It has a boundary 34 'physically defined by the edge. Side 33 'is not electrically conductive, so the boundary prevents current from flowing out of the electrically conductive surface portion 32'. It is an electrical boundary.

멀티 포인트 프로브(36')는 프로브 몸체(18')를 구비하며 그 프로브 몸체에서 7개의 접촉 요소(50-62)가 연장된다. 각각의 접촉 요소(50-62)는 일단이 프로브 몸체(18')에 연결되고 타단이 접촉점(70-82)을 정의하는 플렉시블 캔틸레버이다. 도 6의 구조의 접촉점(70-82)은 전기적으로 전도성인 표면부(32')와 접촉한다. 접촉 요소(50-62)는 전기적으로 전도성이다. 따라서, 전류는 각각의 접촉 요소(50-62)를 통하여 전기적으로 전도성인 표면부(32')로 통과할 수 있다. 전기적으로 전도성인 표면부(32)에 수직인 자기장 성분(38')을 갖도록 테스트 샘플(30')에 일정한 자기장 B가 인가된다.The multi point probe 36 ′ has a probe body 18 ′ with seven contact elements 50-62 extending from the probe body. Each contact element 50-62 is a flexible cantilever, one end of which is connected to the probe body 18 ′ and the other end defining a contact point 70-82. The contact points 70-82 of the structure of FIG. 6 contact the electrically conductive surface portion 32 ′. Contact elements 50-62 are electrically conductive. Thus, current can pass through each contact element 50-62 to an electrically conductive surface portion 32 ′. A constant magnetic field B is applied to the test sample 30 ′ to have a magnetic field component 38 ′ perpendicular to the electrically conductive surface portion 32.

접촉 요소들(50, 54, 58, 및 62)에 각각 해당하는 제1, 제2, 제3 및 제4 접촉 요소로 구성된 제1 구성의 접촉 요소가 정의된다. 접촉 요소들(56, 58, 60, 및 62)에 각각 해당하는 제5, 제6, 제7 및 제8 접촉 요소로 구성된 제2 구성의 접촉 요소가 정의된다. 여기서, 제1 및 제2 구성은 둘 다 접촉 요소(58 및 62)를 포함한다.A contact element of a first configuration is defined which consists of first, second, third and fourth contact elements corresponding to the contact elements 50, 54, 58 and 62, respectively. A contact element of a second configuration is defined, which consists of fifth, sixth, seventh and eighth contact elements corresponding to the contact elements 56, 58, 60, and 62, respectively. Here, the first and second configurations both comprise contact elements 58 and 62.

접촉 요소(50-62)의 접촉점(70-82)은 모두 도 7a에 도시된 바와 같이 접촉할 때 대략 공통 라인(90) 상에 놓인다. 전기적 경계(34')는 선형 부분(42')을 갖고 있으며 접촉 요소(50-62)는 공통 라인(40')이 선형 부분(42')에 평행하도록 배향된다. 접촉점들(70-82) 간의 명목 거리 또는 간격은 대략 같고 s로 표시된다. 공통 라인(90)과 선형 부분(42') 간의 거리 또는 간격은 y로 표시된다. 도 7a에 도시된 대안의 실시예에서, 접촉 요소들의 접촉점들(70-82) 간의 거리 s는 대략 10㎛이다. 따라서, 제1 구성의 접촉 요소의 접촉점들은 2s의 유효 분리 또는 간격 s1을 정의하고, 즉, s1은 대략 20㎛이며, 반면에 제2 구성의 접촉 요소의 접촉점들은 1s의 유효 분리 또는 간격 s2를 정의하고, 즉, s2는 대략 10㎛이다.The contact points 70-82 of the contact elements 50-62 all lie on a common line 90 when in contact as shown in FIG. 7A. The electrical boundary 34 'has a linear portion 42' and the contact elements 50-62 are oriented so that the common line 40 'is parallel to the linear portion 42'. The nominal distance or spacing between the contacts 70-82 is approximately equal and denoted by s. The distance or spacing between common line 90 and linear portion 42 ' denoted by y. In the alternative embodiment shown in FIG. 7A, the distance s between the contact points 70-82 of the contact elements is approximately 10 μm. Thus, the contact points of the contact element of the first configuration define an effective separation or spacing s 1 of 2s, ie s 1 is approximately 20 μm, while the contact points of the contact element of the second configuration are effective separation or spacing of 1 s. s 2 is defined, ie s 2 is approximately 10 μm.

도 7b에 도시된 대안의 접촉에서, 표면부(32')는 평평하지 않으며, 이는 세 개의 접촉 요소들(70-74)이 다른 네 개의 접촉 요소들(76-82)과 다르게 표면부(32')와 결합하도록 하였다. 따라서, 제1 구성의 접촉 요소는 제2 구성의 대응하는 추가 평균 거리 y2와 다른 선헝 부분(42')까지의 평균 거리 y1을 정의한다.In the alternative contact shown in FIG. 7B, the surface portion 32 ′ is not flat, which means that the three contact elements 70-74 are different from the other four contact elements 76-82. To combine with Respectively. Thus, the contact element of the first configuration defines an average distance y 1 to the line portion 42 ′ which is different from the corresponding additional average distance y 2 of the second configuration.

도 7a의 접촉에서, 접촉점들(70-82)은 전기적 경계(34)까지의 거리 y를 정의한다. 도 8a의 (1)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제1 접촉 요소(50)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제3 접촉 요소(58)를 통해 드레인되도록 제1 및 제3 접촉 요소(50 및 58) 양단에 전위가 인가된다. 제1 접촉 요소(50)를 통과하는 전류 I 및 제2 및 제4 접촉 요소(54 및 62) 양단의 전압 VB ,1가 측정되고, 전압 VB ,1을 전류 I로 나눔으로써 제1 저항값(RB ,1)이 계산된다. 다음에, 도 8a의 (2)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제2 요소(54)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제4 접촉 요소(62)를 통해 드레인되도록 제2 및 제4 접촉 요소(54 및 62) 양단에 전위가 인가된다. 제2 접촉 요소(54)를 통과하는 전류 I 및 제1 및 제3 접촉 요소(50 및 58) 양단의 전압 VB' ,1가 측정되고, 전압 VB' ,1을 전류 I로 나눔으로써 제2 저항값(RB' ,1)이 계산된다. 다음에, 제1 저항값(RB ,1)과 제2 저항값(RB' ,1) 간의 차로 정의된 제1 저항차(△RBB',1)가 다음과 같이 계산된다.In the contact of FIG. 7A, contact points 70-82 define a distance y to electrical boundary 34. As shown in (1) of FIG. 8A, currents I are injected into the surface portion through the first contact element 50 and at least a portion of the current is drained through the third contact element 58. An electric potential is applied across the third contact element 50 and 58. The current I passing through the first contact element 50 and the voltage V B , 1 across the second and fourth contact elements 54 and 62 are measured and the first resistor is divided by dividing the voltage V B , 1 by the current I. The value R B , 1 is calculated. Next, as shown in (2) of FIG. 8A, the current I is injected into the surface portion through the second element 54, and at least a portion of the current is drained through the fourth contact element 62. A potential is applied across the second and fourth contact elements 54 and 62. The current I through the second contact element 54 and the voltage V B ' , 1 across the first and third contact elements 50 and 58 are measured, and the voltage V B' , 1 divided by the current I 2 The resistance value R B ' , 1 is calculated. Next, the first resistance difference ΔR BB ′, 1 defined as the difference between the first resistance value R B , 1 and the second resistance value R B ′ , 1 is calculated as follows.

Figure pct00108
(5.1)
Figure pct00108
(5.1)

뿐만 아니라 제3 저항값(RB ,1)과 제4 저항값(RB' ,1) 간의 제1 저항 평균(

Figure pct00109
)도 다음과 같이 계산된다.In addition , the first resistance average between the third resistance value R B , 1 and the fourth resistance value R B ′ , 1 (
Figure pct00109
) Is also calculated as:

Figure pct00110
(5.2)
Figure pct00110
(5.2)

도 8a의 (3)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제5 접촉 요소(56)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제7 접촉 요소(60)를 통해 드레인되도록 제5 및 제7 접촉 요소(56 및 60) 양단에 전위가 인가된다. 제5 접촉 요소(56)를 통과하는 전류 I 및 제6 및 제8 접촉 요소(58 및 62) 양단의 전압 VB ,2가 측정되고, 전압 VB,2를 전류 I로 나눔으로써 제3 저항값(RB ,2)이 계산된다. 다음에, 도 8a의 (4)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제6 접촉 요소(58)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제8 접촉 요소(62)를 통해 드레인되도록 제6 및 제8 접촉 요소(58 및 62) 양단에 전위가 인가된다. 제6 접촉 요소(58)를 통과하는 전류 I 및 제5 및 제7 접촉 요소(56 및 60) 양단의 전압 VB' ,2가 측정되고, 전압 VB' ,2를 전류 I로 나눔으로써 제4 저항값(RB' ,2)이 계산된다. 다음에, 제3 저항값(RB ,2)과 제4 저항값(RB' ,2) 간의 차로 정의된 제2 저항차(△RBB'2)가 다음과 같이 계산된다.As shown in (3) of FIG. 8A, currents I are injected into the surface portion through the fifth contact element 56 and at least a portion of the current is drained through the seventh contact element 60. A potential is applied across the seventh contact element 56 and 60. The current I through the fifth contact element 56 and the voltage V B , 2 across the sixth and eighth contact elements 58 and 62 are measured and the third resistor is divided by dividing the voltage V B, 2 by the current I. The value R B , 2 is calculated. Next, as shown in (4) of FIG. 8A, the current I is injected into the surface portion through the sixth contact element 58 and at least a part of the current is drained through the eighth contact element 62. Sixth and eighth contact elements 58 And 62) potentials are applied at both ends. The current I through the sixth contact element 58 and the voltage V B ' , 2 across the fifth and seventh contact elements 56 and 60 are measured and the voltage V B' , 2 divided by the current I 4 The resistance value R B ' , 2 is calculated. Next, the second resistance difference ΔR BB′2 defined as the difference between the third resistance value R B , 2 and the fourth resistance value R B ′ , 2 is calculated as follows.

Figure pct00111
(5.4)
Figure pct00111
(5.4)

뿐만 아니라 제3 저항값(RB ,2)과 제4 저항값(RB' ,2) 간의 제2 저항 평균(

Figure pct00112
)도 다음과 같이 계산된다. In addition , the second resistance average between the third resistance value R B , 2 and the fourth resistance value R B ′ , 2 (
Figure pct00112
) Is also calculated as:

Figure pct00113
(5.5)
Figure pct00113
(5.5)

4 포인트 프로브의 수학적 모델에 해당하는 함수가 다음과 같이 정의된다.The function corresponding to the mathematical model of a four point probe It is defined as follows.

Figure pct00114
(5.6)
Figure pct00114
(5.6)

여기서 s는 이웃 프로브 암들 간의 유효 간격을 나타내고, △RBB'는 제1 저항차를 나타내고, y는 접촉점(70-82)과 전기적 경계(34') 간의 거리를 나타내고, △RCC'는 제2 저항차를 나타내며, RH는 4 포인트 프로브(36')에 의해 접촉이 확립되는 전기적으로 전도성인 표면부(32')의 제1 위치의 홀 시트 저항을 나타낸다. 도 9에서, 함수 f(s,y)는 간격 s1이 20㎛(장파선)이고 간격 s2이 10㎛(단파선)인 경우의 y의 함수로 도시된다. 제1 관계식은 다음과 같이 두 개의 다른 간격에 의해 (수학식 5.6)으로부터 형성된 두 함수들 간의 비로 정의된다.Where s represents the effective spacing between neighboring probe arms, ΔR BB ′ represents the first resistance difference, y represents the distance between the contact point 70-82 and the electrical boundary 34 ', and ΔR CC ′ represents 2 represents the resistance difference, and R H represents the hole sheet resistance at the first position of the electrically conductive surface portion 32 ′ where contact is established by the four point probe 36 ′. In Fig. 9, the function f (s, y) is shown as a function of y when the interval s 1 is 20 mu m (long wave) and the interval s 2 is 10 mu m (short wave). The first relation is defined as the ratio between two functions formed from (Equation 5.6) by two different intervals as follows.

Figure pct00115
(5.7)
Figure pct00115
(5.7)

이 관계식은 도 9의 그래프에서 거리 y의 함수 fD(s1,s2,y)(실선)으로 도시된다. 다음에, 측정된 제1 및 제2 저항차(△RBB',1,및 △RBB',2)는 제1 관계식(수학식 5.4)에서 거리 y를 도출하는데 사용된다. 예를 들면, △RCC'/△RBB' 비가 1이면 거리 y는 대략 19가 될 것이다. 다음에, 측정된 제1 저항차(△RBB' ,1) 및 명목 간격 s1=20㎛와 수학식 5.6의 관계식을 병용하면 홀 시트 저항 RH가 얻어진다. 또한, 명목 간격 s2=10㎛도 유사한 방식으로 사용될 수 있다.This relation is shown by the function f D (s 1 , s 2 , y) (solid line) of the distance y in the graph of FIG. 9. Next, the measured first and second resistance differences ΔR BB ′, 1 and ΔR BB ′, 2 are used to derive the distance y in the first relation (Equation 5.4). For example, if the ΔR CC ' / ΔR BB' ratio is 1, the distance y will be approximately 19. Next, the relationship between the measured first resistance difference ΔR BB ′ , 1 and the nominal interval s 1 = 20 μm and Equation 5.6 is given. When used in combination, hole sheet resistance RH is obtained. In addition, the nominal spacing s 2 = 10 μm may also be used in a similar manner.

거리 y의 결정 정확도를 향상시키기 위해, 추가 측정을 수행하여 도 7a의 접촉의 추가 모델에 이용한다. 도 8b의 (1)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제1 접촉 요소(50)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제4 접촉 요소(62)를 통해 드레인되도록 제1 및 제4 접촉 요소(50 및 62) 양단에 전위가 인가된다. 제1 접촉 요소(50)를 통과하는 전류 I 및 제2 및 제3 접촉 요소(54 및 58) 양단의 전압 VB,1가 측정되고, 전압 VA , 1를 전류 I로 나눔으로써 제5 저항값(RA ,1)이 계산된다. 다음에, 도 8b의 (2)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제2 접촉 요소(54)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제3 접촉 요소(58)를 통해 드레인되도록 제2 및 제3 접촉 요소(54 및 58) 양단에 전위가 인가된다. 제2 접촉 요소(54)를 통과하는 전류 I 및 제1 및 제4 접촉 요소(50 및 62) 양단의 전압 VB' ,1가 측정되고, 전압 VA' , 1를 전류 I로 나눔으로써 제6 저항값(RA' .1)이 계산된다. 다음에, 제5 저항값(RA ,1)과 제6 저항값(RA' ,1) 간의 제3 저항 평균(

Figure pct00116
)이 다음과 같이 계산된다.In order to improve the accuracy of the determination of the distance y, By doing To a further model of contact of FIG. 7A I use it. As shown in (1) of FIG. 8B, the currents I and I are injected into the surface portion through the first contact element 50 and at least a portion of the current is drained through the fourth contact element 62. A potential is applied across the fourth contact element 50 and 62. The current I through the first contact element 50 and the voltage V B, 1 across the second and third contact elements 54 and 58 are measured and the fifth resistor is divided by dividing the voltage V A , 1 by the current I. The value R A , 1 is calculated. Next, as shown in (2) of FIG. 8B, the current I is The second and third contact elements 54 are injected into the surface portion through the second contact element 54, such that at least a portion of the current is drained through the third contact element 58. And 58) a potential is applied at both ends. The current I passing through the second contact element 54 and the voltage V B ' , 1 across the first and fourth contact elements 50 and 62 are measured, and by dividing the voltage V A' , 1 by the current I 6 The resistance value (R A ' .1 ) is calculated. Next, a third resistance average between the fifth resistance value R A , 1 and the sixth resistance value R A ′ , 1 (
Figure pct00116
) Is calculated as follows.

Figure pct00117
(5.8)
Figure pct00117
(5.8)

도 8b의 (3)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제5 접촉 요소(56)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제8 접촉 요소(62)를 통해 드레인되도록 제5 및 제8 접촉 요소(56 및 62) 양단에 전위가 인가된다. 제5 접촉 요소(56)를 통과하는 전류 I 및 제6 및 제7 접촉 요소(58 및 60) 양단의 전압 VB ,2가 측정되고, 전압 VA ,2를 전류 I로 나눔으로써 제7 저항값(RA ,2)이 계산된다. 다음에, 도 8b의 (4)에 도시된 바와 같이, 전류 I가 제6 접촉 요소(58)를 통해 표면부에 주입되고, 그 전류의 적어도 일부가 제7 접촉 요소(60)를 통해 드레인되도록 제6 및 제7 접촉 요소(58 및 60) 양단에 전위가 인가된다. 제6 접촉 요소(58)를 통과하는 전류 I 및 제5 및 제8 접촉 요소(56 및 62) 양단의 전압 VB' ,2가 측정되고, 전압 VB',2를 전류 I로 나눔으로써 제8 저항값(RA' ,2)이 계산된다. 다음에, 제5 저항값(RA,1)과 제6 저항값(RA' ,1) 간의 제4 저항 평균(

Figure pct00118
)이 다음과 같이 계산된다.As shown in (3) of FIG. 8B, the fifth and fifth portions are arranged such that the current I is injected into the surface portion through the fifth contact element 56, and at least a part of the current is drained through the eighth contact element 62. An electric potential is applied across the eighth contact elements 56 and 62. The current I through the fifth contact element 56 and the voltage V B , 2 across the sixth and seventh contact elements 58 and 60 are measured and the seventh resistor is divided by dividing the voltage V A , 2 by the current I. The value R A , 2 is calculated. Next, as shown in (4) of FIG. 8B, the current I is injected into the surface portion through the sixth contact element 58 and at least a part of the current is drained through the seventh contact element 60. A potential is applied across the sixth and seventh contact elements 58 and 60. The current I through the sixth contact element 58 and the voltage VB ' , 2 across the fifth and eighth contact elements 56 and 62 are measured and the voltage The eighth resistance value R A ′ , 2 is calculated by dividing V B ′, 2 by the current I. Next, a fourth resistance average between the fifth resistance value R A, 1 and the sixth resistance value R A ' , 1 (
Figure pct00118
) Is calculated as follows.

Figure pct00119
(5.9)
Figure pct00119
(5.9)

밴더 파우어 수학식이 다음과 같이 정의된다.The bander powder equation is Is defined.

Figure pct00120
(5.10)
Figure pct00120
(5.10)

여기서 RP는 의사 시트 저항이고, 제1 및 제3 저항차(

Figure pct00121
) 및 (
Figure pct00122
)(수학식 5.2 및 5.8)는 밴더 파우어 수학식(수학식 5.10)에서 제1 의사 시트 저항(RP ,1)을 도출하는데 사용된다. 마찬가지로, 제2 및 제4 저항차(
Figure pct00123
) 및 (
Figure pct00124
)(수학식 5.5 및 5.9)는 밴더 파우어 수학식(수학식 5.10)에서 제2 의사 시트 저항(RP ,2)을 도출하는데 사용된다.Where R P is the pseudo sheet resistance and the first and third resistance differences (
Figure pct00121
) And (
Figure pct00122
(Equations 5.2 and 5.8) are used to derive the first pseudo sheet resistance R P , 1 in the bander power equation (Equation 5.10). Similarly, the second and fourth resistance difference (
Figure pct00123
) And (
Figure pct00124
(Equations 5.5 and 5.9) are used to derive the second pseudo sheet resistance R P , 2 in the bander power equation (Equation 5.10).

도 6과 관련하여 기술된 4 포인트 프로브의 수학적 모델에 해당하는 함수가 다음과 같이 정의된다.The function corresponding to the mathematical model of the four point probe described with reference to FIG. 6 is defined as follows.

Figure pct00125
(5.11)
Figure pct00125
(5.11)

여기서 RP는 이웃 프로브 암들 간의 간격 s 및 접촉점들(70-82)과 전기적 경계(34') 간의 거리 y의 함수로 간주되는 의사 시트 저항이고, Rs는 해당 접촉점의 시트 저항을 나타낸다. 제1 간격 s1=20㎛이고 제2 간격 s2=10㎛인 경우의 함수 g(s,y)가 도출되며, 이들에 대해서는 도 10(각각, 장파선 및 단파선)에 도시되어 있다. 다음에, 이러한 두 함수는 다음과 같이 제4 관계식을 형성하는데 사용된다.Where R P is the pseudo sheet resistance, considered as a function of the spacing s between neighboring probe arms and the distance y between the contact points 70-82 and the electrical boundary 34 ', and R s represents the sheet resistance of the contact point. First interval s 1 = 20 μm and second interval s 2 = 10 μm The function g (s, y) of the case is derived, which is shown in FIG. 10 (long wave and short wave, respectively). These two functions are then used to form a fourth relation as follows.

Figure pct00126
(5.12)
Figure pct00126
(5.12)

이것 역시 도 10(실선)에 도시되어 있다. 다음에, 제1 및 제2 의사 시트 저항(RP,1 및 RP ,2)은 제4 관계식에서 거리 y의 값을 도출하는데 사용되며, 이는 도 10에서 그래픽으로 이루어질 수 있다. 분석적으로 또는 수치적으로 도출될 수 있는 함수 gD(s1,s2,y)는 단조(monotone) 함수가 아니며 특정 거리에서 피크값을 정의한다. 따라서, 이는 거리 y를 고유하게 결정하지 않을 것이다. 제4 관계식(수학식 5.12)은 전형적으로 거리 y를 제1 관계식(수학식 5.7)보다 더 정확하게 결정할 것이다. 따라서, 제1 관계식은 보조 거리(auxiliary distance)를 도출하는데 사용되며, 이는 제4 관계식으로부터 피크값의 거리 y를 결정, 즉 거리 y를 고유하게 결정하는데 사용된다.This is also shown in FIG. 10 (solid line). Next, the first and second pseudo sheet resistors R P , 1 and R P , 2 are used to derive the value of the distance y in the fourth relation, which can be made graphically in FIG. 10. The function g D (s 1 , s 2 , y), which can be derived analytically or numerically, is not a monotone function and defines a peak value at a specific distance. Therefore, it will not uniquely determine the distance y. The fourth relation (Equation 5.12) will typically determine the distance y more accurately than the first relation (Equation 5.7). Thus, the first relation is used to derive an auxiliary distance, which is used to determine the distance y of the peak value from the fourth relation, ie uniquely determine the distance y.

대안의 실시예에서, 제1 관계식(수학식 5.7) 및 제4 관계식(수학식 5.12)은 도 7b와 관련하여 기술된 바와 같은, 제1 구성의 접촉 요소들과 선형 부분(42') 간의 거리 y1 및 제2 구성의 접촉 요소들과 선형 부분(42') 간의 추가 거리 y2의 차를 고려하도록 수정된다. 제1 관계식(수학식 5.7)은 다음과 같이 재정의된다.In an alternative embodiment, the first relation (Equation 5.7) and the fourth relation (Equation 5.12) are the distances between the linear elements 42 'and the contact elements of the first configuration, as described in connection with FIG. 7B. It is modified to take into account the difference of the additional distance y 2 between the linear elements 42 'and the contact elements of y 1 and the second configuration. The first relation (Equation 5.7) is redefined as follows:

Figure pct00127
(5.13)
Figure pct00127
(5.13)

그리고 제4 관계식(수학식 5.11)은 다음과 같이 재정의된다.And the fourth relation (Equation 5.11) is redefined as follows.

Figure pct00128
(5.14)
Figure pct00128
(5.14)

두 함수 fD(s1,s2,y1,y2) 및 gD(s1,s2,y1,y2)는 분석적으로 또는 수치적으로 도출될 수 있다. 다음에, 도출된 제1 및 제2 저항차(수학식 5.1 및 수학식 5.4)와 제1, 제2, 제3 및 제4 저항 평균(수학식 5.2, 수학식 5.5, 수학식 5.8 및 수학식 5.9)은 알려진 명목 간격 s1=20㎛ 및 s2=10㎛와 함께 재정의된 제1 및 제4 관계식(수학식 5.13 및 수학식 5.14)에서, 예를 들어, 회귀 분석(regression analysis)에 의해 거리 y1 및 추가 거리 y2를 동시에 도출하는데 사용된다.
Two functions f D (s 1 , s 2 , y 1 , y 2 ) and g D (s 1 , s 2 , y 1 , y 2 ) can be derived analytically or numerically. Next, the derived first and second resistance differences (Equations 5.1 and Equation 5.4) and the first, second, third and fourth resistance averages (Equation 5.2, Equation 5.5, Equation 5.8 and Equation 5). 5.9) is defined in the first and fourth relations (Equations 5.13 and 5.14) overridden with known nominal spacings s 1 = 20 μm and s 2 = 10 μm, for example by regression analysis. It is used to derive the distance y 1 and the additional distance y 2 simultaneously.

본 발명의 특징은 다음과 같다.The features of the present invention are as follows.

1. 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 전기적 경계 간의 거리를 제1 접촉 요소, 제2 접촉 요소, 제3 접촉 요소, 및 제4 접촉 요소를 포함하는 멀티 포인트 프로브에 의해 결정하는 방법으로서, 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점을 정의하며, 상기 방법은,1. The distance between a first location on an electrically conductive surface portion of a test sample and an electrical boundary of the electrically conductive surface portion includes a first contact element, a second contact element, a third contact element, and a fourth contact element. A method as determined by a multi-point probe, wherein each contact element defines a contact point for establishing electrical contact with the test sample.

(i) 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치에서 상기 테스트 샘플을 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및 상기 제4 접촉 요소와 접촉시키는 단계,(i) contacting the test sample with the first contact element, the second contact element, the third contact element, and the fourth contact element at the first location on the electrically conductive surface portion,

(ii) 상기 제1 위치에서 상기 전기적으로 전도성인 표면부에 수직인 주 자기장 성분을 갖는 자기장을 인가하는 단계,(ii) applying a magnetic field having a main magnetic field component perpendicular to the electrically conductive surface portion at the first position,

(iii) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단에 제1 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제1 전류를 발생시키는 단계,(iii) applying a first potential across the first and third contact elements to generate a first current in the surface portion at the first position,

(iv) 상기 제1 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제1 전류를 측정하는 단계,(iv) measuring the first current through the first or third contact element,

(v) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단의 제1 전압을 측정하는 단계,(v) measuring a first voltage across the second and fourth contact elements,

(vi) 상기 제1 전류 및 상기 제1 전압에 기초하여 제1 저항값(RB)을 계산하는 단계,(vi) calculating a first resistance value R B based on the first current and the first voltage,

(vii) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단에 제2 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제2 전류를 발생시키는 단계,(vii) applying a second potential across the second and fourth contact elements to generate a second current in the surface portion at the first position,

(viii) 상기 제2 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제2 전류를 측정하는 단계,(viii) measuring the second current through the second or fourth contact element,

(ix) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단의 제2 전압을 측정하는 단계,(ix) measuring a second voltage across the first and third contact elements,

(x) 상기 제2 전류 및 상기 제2 전압에 기초하여 제2 저항값(RB')을 계산하는 단계,(x) calculating a second resistance value R B ′ based on the second current and the second voltage,

(xi) 상기 제1 저항값과 상기 제2 저항값 간의 차에 기초하여 제1 저항차(△RBB')를 계산하는 단계,(xi) calculating a first resistance difference ΔR BB ′ based on the difference between the first resistance value and the second resistance value,

(xii) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단에 제3 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제3 전류를 발생시키는 단계,(xii) applying a third potential across the first and second contact elements to generate a third current in the surface portion at the first location,

(xiii) 상기 제1 또는 상기 제2 접촉 요소를 통과하는 상기 제3 전류를 측정하는 단계,(xiii) measuring the third current through the first or second contact element,

(xiv) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단의 제3 전압을 측정하는 단계,(xiv) measuring a third voltage across the third and fourth contact elements,

(xv) 상기 제3 전류 및 상기 제3 전압에 기초하여 제3 저항값(RC)을 계산하는 단계,(xv) calculating a third resistance value R C based on the third current and the third voltage,

(xvi) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단에 제4 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제4 전류를 발생시키는 단계,(xvi) applying a fourth potential across the third and fourth contact elements to generate a fourth current in the surface portion at the first location,

(xvii) 상기 제3 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제4 전류를 측정하는 단계,(xvii) measuring the fourth current through the third or fourth contact element,

(xviii) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단의 제4 전압을 측정하는 단계,(xviii) measuring a fourth voltage across the first and second contact elements,

(xix) 상기 제4 전류 및 상기 제4 전압에 기초하여 제4 저항값(RC')을 계산하는 단계,(xix) calculating a fourth resistance value R C ′ based on the fourth current and the fourth voltage,

(xx) 상기 제3 저항값과 상기 제4 저항값 간의 차에 기초하여 제2 저항차(△RCC')를 계산하는 단계,(xx) calculating a second resistance difference ΔR CC ′ based on the difference between the third resistance value and the fourth resistance value,

(xxi) 상기 제1 저항차, 상기 제2 저항차, 및 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리를 각각 나타내는 제1, 제2, 및 제3 파라미터를 포함하는 제1 관계식(f)을 정의하는 단계, (xxi) a first relation f including first, second, and third parameters representing the first resistance difference, the second resistance difference, and the distance between the first position and the electrical boundary, respectively; Defining,

(xxii) 상기 제1 관계식에서 상기 제1 및 제2 저항차(△RBB', △RCC')를 각각 상기 제1 및 상기 제2 파라미터로서 이용하여 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리(y)를 결정하는 단계를 포함하는 방법.
(xxii) using the first and second resistance differences ΔR BB ′ and ΔR CC ′ as the first and second parameters, respectively, in the first relation, between the first position and the electrical boundary. Determining the distance y.

2. 제1 특징에 있어서, 상기 접촉점은 각각의 상기 접촉점을 교차하는 제1 라인을 정의하는 것을 특징으로 하는 방법.
2. The method of feature 1, wherein the contact point defines a first line that intersects each of the contact points.

3. 제2 특징에 있어서, 상기 전기적 경계는 대략 선형 부분을 가지며 상기 제1 위치와 상기 선형 부분 상의 한 점 간의 거리는 상기 제1 위치와 상기 선형 부분 외부의 상기 전기적 경계 상의 어떤 점 간의 거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 방법.
3. The second aspect of the invention, wherein the electrical boundary has an approximately linear portion and is on the first position and the linear portion. And the distance between one point is shorter than the distance between the first position and any point on the electrical boundary outside the linear portion.

4. 제3 특징에 있어서, 4. The third feature is to:

(xxxiv) 상기 멀티 포인트 프로브를 상기 선형 부분과 평행한 관계를 갖고 상기 제1 라인에 위치하도록 배향시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
(xxxiv) orienting the multi-point probe to be positioned in the first line in a parallel relationship with the linear portion.

5. 제1 특징 내지 제4 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 제1 및 제2 접촉 요소, 상기 제2 및 제3 접촉 요소, 및 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격이 대략 같은 것을 특징으로 하는 방법.
5. First to fourth features The method of any one of the preceding claims, wherein the spacing between the first and second contact elements, the second and third contact elements, and the contact points of the third and fourth contact elements are approximately equal.

6. 제1 특징 내지 제5 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 제1 관계식은 △RCC'/△RBB'=f(y,s)와 같고, 여기서 △RBB'는 상기 제1 저항차를 나타내고, △RCC' 상기 제2 저항차를 나타내며, f는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y 및 상기 접촉점들 간의 상기 간격 s를 파라미터로서 포함하는 함수인 것을 특징으로 하는 방법.
6. The feature of any one of features 1-5 wherein the first relation is equal to ΔR CC ′ / ΔR BB ′ = f (y, s), where ΔR BB ′ is the first resistor. Difference, and ΔR CC ' is The second resistance difference, and f is a function comprising as a parameter the distance y between the first position and the electrical boundary and the spacing s between the contact points.

7. 제6 특징에 있어서, 상기 관계식 △RCC'/△RBB'=f(y,s)에서 상기 제1 저항차 △RBB'

Figure pct00129
Figure pct00130
와 같고, 여기서 △RBB'는 상기 추가적인 제1 저항차(△RBB')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, 상기 관계식 △RCC'/△RBB'=f(y,s)에서 상기 제2 저항차 △RCC'
Figure pct00131
Figure pct00132
와 같고, 여기서 △RCC'는 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
7. In the sixth aspect, the first resistance difference ΔR BB ′ is expressed in the relation ΔR CC ′ / ΔR BB ′ = f (y, s).
Figure pct00129
Figure pct00130
ΔR BB ′ denotes the additional first resistance difference ΔR BB ′ , y denotes the distance y, and a denotes the distance between the contact points of the first and second contact elements. B denotes an interval between the contact points of the second and third contact elements, c denotes an interval between the contact points of the third and fourth contact elements, and the relation ΔR CC ′ / ΔR BB ′ = At f (y, s), the second resistance difference ΔR CC ′ is
Figure pct00131
Figure pct00132
ΔR CC ′ represents the additional second resistance difference ΔR CC ′ , y represents the distance y, and a represents the distance between the contact points of the first and second contact elements. And b represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements.

8. 제1 특징 내지 제4 특징 중 어느 한 특징에 있어서,8. The device according to any one of the first to fourth features,

(xxiii) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제5 전류를 발생시키는 단계,(xxiii) applying a fifth potential across the first and fourth contact elements to generate a fifth current in the surface portion at the first location,

(xxiv) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제5 전류를 측정하는 단계,(xxiv) measuring the fifth current through the first or fourth contact element,

(xxv) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 제5 전압을 측정하는 단계,(xxv) measuring a fifth voltage across the second and third contact elements,

(xxvi) 상기 제5 전류 및 상기 제5 전압에 기초하여 제5 저항값(RA)을 계산하는 단계,(xxvi) calculating a fifth resistance value R A based on the fifth current and the fifth voltage,

(xxvii) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제6 전류를 발생시키는 단계,(xxvii) applying a sixth potential across the second and third contact elements to generate a sixth current in the surface portion at the first location,

(xxviii) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제6 전류를 측정하는 단계,(xxviii) measuring the sixth current through the second or third contact element,

(xxix) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 제6 전압을 측정하는 단계,(xxix) measuring a sixth voltage across the first and fourth contact elements,

(xxx) 상기 제6 전류 및 상기 제6 전압에 기초하여 제6 저항값(RA')을 계산하는 단계,(xxx) calculating a sixth resistance value R A ′ based on the sixth current and the sixth voltage,

(xxxi) 상기 제5 저항값과 상기 제6 저항값 간의 차에 기초하여 제3 저항차(△RAA')을 계산하는 단계,(xxxi) calculating a third resistance difference ΔR AA ′ based on the difference between the fifth resistance value and the sixth resistance value,

(xxxii) 상기 제1 관계식(f)을 정의할 때, 상기 제3 저항차(△RAA')를 나타내는 제4 파라미터를 상기 제1 관계식(f)에 더 포함시키는 단계, 및(xxxii) when defining the first relation (f), further including a fourth parameter representing the third resistance difference ΔR AA ′ in the first relation f, and

(xxxiii) 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리(y)를 결정할 때, 상기 제1 관계식에서 상기 제1 및 상기 제2 파라미터로 각각 이용되는 상기 제1 및 상기 제2 저항차(△RBB', △RCC') 외에 상기 제3 저항차 (△RAA')를 상기 제4 파라미터로서 이용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
(xxxiii) when determining the distance y between the first position and the electrical boundary, the first and second resistance differences ΔR used as the first and second parameters in the first relation, respectively. And using the third resistance difference ΔR AA ′ as the fourth parameter in addition to BB ′ and ΔR CC ′ . ≪ / RTI >

9. 제8 특징에 있어서, 상기 접촉점들은 일렬로 배치되고, 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격 및 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격은 대략 같은 것을 특징으로 하는 방법.
9. The feature of feature 8, wherein the contact points are arranged in line, wherein the spacing between the contact points of the first and second contact elements and the spacing between the contact points of the second and third contact elements are approximately equal. How to.

10. 제8 특징 및 제9 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 접촉점들은 일렬로 배치되고, 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격은 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격과 다른 것을 특징으로 하는 방법.
10. The touch point of any of the eighth and ninth features, wherein the contact points are arranged in a line and the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements is the contact point of the first and second contact elements. The interval between them and different.

11. 제10 특징에 있어서, 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격은 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격보다 범위 1.1-3.7, 1.2-3.3, 1.3-2.9, 1.4-2.5, 1.5-2.1, 및 1.6-1.7 중 하나 이상, 및/또는 범위 1.2-1.3, 1.3-1.4, 1.4-1.5, 1.5-1.6, 1.6-1.7, 1.7-1.8, 1.8-1.9, 1.9-2.0, 2.0-2.2, 2.2-2.4, 2.4-2.6, 2.6-2.8, 2.8-3.0, 3.0-3.3, 3.3-3.6, 3.6-3.9 중 하나 내의 팩터, 및/또는 대략 5를 3으로 나눈 것, 또는 범위 1.2-3.8, 1.6-3.4, 1.8-3.2, 2.0-3.0, 2.2-2.8, 및 2.4-2.6 중 하나 이상, 및/또는 범위 1.2-1.3, 1.3-1.4, 1.4-1.5, 1.5-1.6, 1.6-1.7, 1.7-1.8, 1.8-1.9, 1.9-2.0, 2.0-2.2, 2.2-2.4, 2.4-2.6, 2.6-2.8, 2.8-3.0, 3.0-3.3, 3.3-3.6, 3.6-3.9 중 하나 내의 팩터, 및/또는 대략 5를 2로 나눈 것만큼 큰 것을 특징으로 하는 방법.
11. The feature of clause 10, wherein the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements is in the range 1.1-3.7, 1.2-3.3, 1.3-2.9 than the spacing between the contact points of the first and second contact elements. At least one of, 1.4-2.5, 1.5-2.1, and 1.6-1.7, and / or the range 1.2-1.3, 1.3-1.4, 1.4-1.5, 1.5-1.6, 1.6-1.7, 1.7-1.8, 1.8-1.9, 1.9 A factor within one of -2.0, 2.0-2.2, 2.2-2.4, 2.4-2.6, 2.6-2.8, 2.8-3.0, 3.0-3.3, 3.3-3.6, 3.6-3.9, and / or approximately 5 divided by 3, Or one or more of the ranges 1.2-3.8, 1.6-3.4, 1.8-3.2, 2.0-3.0, 2.2-2.8, and 2.4-2.6, and / or ranges 1.2-1.3, 1.3-1.4, 1.4-1.5, 1.5-1.6, Within one of 1.6-1.7, 1.7-1.8, 1.8-1.9, 1.9-2.0, 2.0-2.2, 2.2-2.4, 2.4-2.6, 2.6-2.8, 2.8-3.0, 3.0-3.3, 3.3-3.6, 3.6-3.9 A factor, and / or as large as approximately five divided by two.

12. 제8 특징 내지 제11 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격은 범위 1-5㎛, 5-10㎛, 10-15㎛, 15-20㎛, 20-25㎛, 25-30㎛, 30-40㎛, 40-50㎛, 50-500㎛ 중 하나, 및/또는 범위 1-50㎛, 5-40㎛, 10-30㎛, 15-25㎛ 중 하나 이상 내에 있는 것을 특징으로 하는 방법.
12. The method according to any one of features 8 to 11, wherein the spacing between the contact points of the first and second contact elements is in the range 1-5 μm, 5-10 μm, 10-15 μm, 15-20 Μm, 20-25 μm, 25-30 μm, 30-40 μm, 40-50 μm, 50-500 μm, and / or range 1-50 μm, 5-40 μm, 10-30 μm, 15- And at least one of 25 μm.

13. 제8 특징 내지 제12 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 제1 관계식은 (△RAA'+α△RCC')/△RBB'= f(y,a,b,c)와 같고, 여기서 △RBB'는 상기 제1 저항차이고, △RCC'는 상기 제2 저항차이고, △RAA'는 상기 제3 저항차이고, α는 -10부터 10까지 범위 내에 있는 튜닝 팩터(tuning factor)이며, f는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y를 포함하는 함수이고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 상기 간격이고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 상기 간격이고, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 상기 간격인 것을 특징으로 하는 방법.
13. The feature of any one of features 8-12, wherein the first relation is (ΔR AA ′ + αΔR CC ′ ) / ΔR BB ′ = f (y, a, b, c) and ΔR BB ′ is the first resistance difference, ΔR CC ′ is the second resistance difference, ΔR AA ′ is the third resistance difference, and α is a tuning factor in the range of −10 to 10. factor), f is a function including the distance y between the first position and the electrical boundary, a is the distance between the contact points of the first and second contact elements, and b is the second and second 3 said spacing between said contact points of a contact element, and c is said spacing between said contact points of said third and fourth contact elements.

14. 제13 특징에 있어서, 상기 튜닝 팩터 α는 대략 1 또는 대략 -1인 것을 특징으로 하는 방법.
14. The method of feature 13, wherein the tuning factor α is about 1 or about −1.

15. 제13 특징 및 제14 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 관계식 (△RAA'+α△RCC')/△RBB'= f(y,a,b,c)에서 상기 제1 저항차 △RBB'

Figure pct00133
Figure pct00134
와 같고, 여기서 △RBB'는 상기 추가적인 제1 저항차(△RAA')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, 상기 관계식(△RAA'+α△RCC')/△RBB'= f(y,a,b,c)에서 상기 제2 저항차 △RCC'
Figure pct00135
Figure pct00136
와 같고, 여기서 △RCC'는 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, 상기 관계식(△RAA'+α△RCC')/△RBB'= f(y,a,b,c)에서 상기 제3 저항차 △RAA'
Figure pct00137
Figure pct00138
와 같고, 여기서 △RA A'는 상기 추가적인 제3 저항차(△RAA')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 상기 간격을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
15. The method according to any one of features 13 and 14, wherein the relation (ΔR AA ′ + αΔR CC ′ ) / ΔR BB ′ = f (y, a, b, c) in the first aspect. Resistance difference △ R BB ' is
Figure pct00133
Figure pct00134
ΔR BB ′ represents the additional first resistance difference ΔR AA ′ , y represents the distance y, and a represents the distance between the contact points of the first and second contact elements. B denotes the spacing between the contact points of the second and third contact elements, c denotes the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements, and the relationship (ΔR AA ′ + αΔR CC) ' ) / ΔR BB' = f (y, a, b, c), the second resistance difference ΔR CC ' is
Figure pct00135
Figure pct00136
ΔR CC ′ represents the additional second resistance difference ΔR CC ′ , y represents the distance y, and a represents the distance between the contact points of the first and second contact elements. B denotes the spacing between the contact points of the second and third contact elements, c denotes the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements, and the relationship (ΔR AA ′ + αΔR CC) ' ) / ΔR BB' = f (y, a, b, c), the third resistance difference ΔR AA ' is
Figure pct00137
Figure pct00138
ΔR A A ′ represents the additional third resistance difference ΔR AA ′ , y represents the distance y, and a is the spacing between the contact points of the first and second contact elements. And b represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements.

16. 제1 특징 내지 제15 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 상기 간격은 범위 0.1-100㎛, 1-90㎛, 10-80㎛, 20-70㎛, 30-60㎛, 및 40-50㎛ 중 하나 이상, 및/또는 범위 0.1-1㎛, 1-10㎛, 10-20㎛, 20-30㎛, 30-40㎛, 40-50㎛, 50-60㎛, 60-70㎛, 70-80㎛, 80-90㎛, 90-100㎛, 또는 100-500㎛ 중 하나 내에 있는 것을 특징으로 하는 방법.
16. The method of any of features 1-15, wherein the spacing between the contact points of the first and second contact elements is in the range 0.1-100 μm, 1-90 μm, 10-80 μm, 20-. At least one of 70 μm, 30-60 μm, and 40-50 μm, and / or range 0.1-1 μm, 1-10 μm, 10-20 μm, 20-30 μm, 30-40 μm, 40-50 μm , 50-60 μm, 60-70 μm, 70-80 μm, 80-90 μm, 90-100 μm, or 100-500 μm.

17. 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치에서 전기적 특성을 결정하는 방법으로서, 상기 전기적으로 전도성인 표면부는 전기적 경계를 가지며, 상기 방법은,17. A method of determining electrical properties at a first location on an electrically conductive surface portion of a test sample, wherein the electrically conductive surface portion has an electrical boundary, the method comprising:

(a) 특징 1 내지 특징 16 중 어느 한 특징에 따른 상기 테스트 샘플의 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 상기 전기적 경계 간의 거리(y)를 결정하는 단계, (a) the feature according to any one of features 1 to 16; Determining a distance y between the first location on the electrically conductive surface portion of the test sample and the electrical boundary of the electrically conductive surface portion,

(b) 상기 전기적 특성 및 상기 거리(y)를 나타내는 제5 파라미터를 포함하는 제2 관계식을 정의하는 단계, 및(b) defining a second relational expression comprising a fifth parameter indicative of said electrical characteristic and said distance y, and

(c) 상기 제2 관계식에서 상기 거리(y)를 상기 제5 파라미터로서 이용하여 상기 전기적 특성을 결정하는 단계를 포함하는 방법.
(c) determining said electrical property using said distance y as said fifth parameter in said second relationship.

18. 제17 특징에 있어서, 상기 제2 관계식은 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및/또는 상기 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 상기 간격을 더 포함하고,18. The feature of feature 17, wherein the second relation further comprises the spacing between the contact points of the first contact element, the second contact element, the third contact element, and / or the fourth contact element,

(b') 상기 제2 관계식을 정의할 때, 상기 제2 관계식은 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및/또는 상기 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내는 제9 파라미터를 더 포함하고,(b ') When defining the second relation, the second relation defines the distance between the contact points of the first contact element, the second contact element, the third contact element, and / or the fourth contact element. Further comprising a ninth parameter, wherein

(c') 상기 전기적 특성을 결정할 때, 상기 간격은 상기 제2 관계식에서 상기 제1 거리(y) 외에 상기 제9 파라미터로 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
and (c ') the interval is used as the ninth parameter in addition to the first distance y in the second relation in determining the electrical property.

19. 제17 특징 및 제18 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 전기적 특성은 홀 시트 저항(RH)이고 상기 제2 관계식(f1,f2)은 추가적인 제1 저항차(△RBB')를 나타내는 제6 파라미터를 더 포함하며, 상기 방법은,19. The feature of any one of features 17 and 18, wherein the electrical property is a hole sheet resistance (R H ) and the second relation (f 1 , f 2 ) is an additional first resistance difference ΔR BB ′. And a sixth parameter in which the method comprises

(d) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단에 추가적인 제1 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제1 전류를 발생시키는 단계,(d) applying an additional first potential across the first and third contact elements to generate an additional first current in the surface portion at the first location,

(e) 상기 제1 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제1 전류를 측정하는 단계,(e) measuring the additional first current through the first or third contact element,

(f) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제1 전압을 측정하는 단계, (f) measuring an additional first voltage across the second and fourth contact elements,

(g) 상기 추가적인 제1 전류 및 상기 추가적인 제1 전압에 기초하여 추가적인 제1 저항값(RB)을 계산하는 단계, 또는(g) calculating an additional first resistance value R B based on the additional first current and the additional first voltage, or

(g') 상기 거리를 추가적인 제1 저항값(RB)으로 결정하는 단계로부터 상기 제1 저항값(RB)을 보유하는 단계, 및(g ') the step of retaining said first resistance value (R B) from the step of determining the distance to the additional first resistance value (R B), and

(h) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제2 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제2 전류를 발생시키는 단계,(h) applying an additional second potential across the second and fourth contact elements to generate an additional second current at the surface portion at the first location,

(i) 상기 제2 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제2 전류를 측정하는 단계,(i) measuring the additional second current through the second or fourth contact element,

(j) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단의 추가적인 제2 전압을 측정하는 단계, (j) measuring an additional second voltage across the first and third contact elements,

(k) 상기 추가적인 제2 전류 및 상기 추가적인 제2 전압에 기초하여 추가적인 제2 저항값(RB')을 계산하는 단계, 또는(k) calculating an additional second resistance value R B ' based on the additional second current and the additional second voltage, or

(k') 상기 거리를 추가적인 제2 저항값(RB')으로 결정하는 단계로부터 상기 제2 저항값(RB')을 보유하는 단계, 및(k ') the step of retaining said second resistance value (R B') from the step of determining the distance further second resistance value (R B 'to), and

(l) 상기 추가적인 제1 저항값과 상기 추가적인 제2 저항값 간의 차에 기초하여 상기 추가적인 제1 저항차(△RBB')를 계산하는 단계, 또는(l) calculating the additional first resistance difference ΔR BB ′ based on the difference between the additional first resistance value and the additional second resistance value, or

(l') 상기 거리를 상기 추가적인 제1 저항차(△RBB')로 결정하는 단계로부터 상기 제1 저항차(RBB')를 보유하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
(l ') retaining the first resistance difference (R BB ′ ) from determining the distance as the additional first resistance difference (ΔR BB ′ ).

20. 제19 특징에 있어서, 상기 제2 관계식은

Figure pct00139
Figure pct00140
와 같고, 여기서 △RB B'는 상기 추가적인 제1 저항차(△RBB')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
20. The feature of feature 19, wherein the second relation is
Figure pct00139
Figure pct00140
ΔR B B ′ represents the additional first resistance difference ΔR BB ′ , y represents the distance y, and a is the spacing between the contact points of the first and second contact elements. And b represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements.

21. 제17 특징 및 제18 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 전기적 특성은 홀 시트 저항(RH)이고 상기 제2 관계식(f2,f3)은 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 나타내는 제6 파라미터를 더 포함하며, 상기 방법은,21. The device of any one of features 17 and 18, wherein the electrical property is a hole sheet resistance (R H ) and the second relation (f 2 , f 3 ) is an additional second resistance difference ΔR CC ′. And a sixth parameter in which the method comprises

(d) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단에 추가적인 제3 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제3 전류를 발생시키는 단계,(d) applying an additional third potential across the first and second contact elements to generate an additional third current at the surface portion at the first location,

(e) 상기 제1 또는 상기 제2 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제3 전류를 측정하는 단계,(e) measuring the additional third current through the first or second contact element,

(f) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제3 전압을 측정하는 단계,(f) measuring an additional third voltage across the third and fourth contact elements,

(g) 상기 추가적인 제3 전류 및 상기 추가적인 제3 전압에 기초하여 추가적인 제3 저항값(RC)을 계산하는 단계, 또는(g) calculating an additional third resistance value R C based on the additional third current and the additional third voltage, or

(g') 상기 거리를 추가적인 제1 저항값(RC)으로 결정하는 단계로부터 상기 제2 저항값(RC)을 보유하는 단계, 및(g ') the step of retaining said second resistance value (R C) from the step of determining the distance to the additional first resistance value (R C), and

(h) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제4 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제4 전류를 발생시키는 단계,(h) applying an additional fourth potential across the third and fourth contact elements to generate an additional fourth current in the surface portion at the first location,

(i) 상기 제3 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제4 전류를 측정하는 단계,(i) measuring the additional fourth current through the third or fourth contact element,

(j) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단의 추가적인 제4 전압을 측정하는 단계, (j) measuring an additional fourth voltage across the first and second contact elements,

(k) 상기 추가적인 제4 전류 및 상기 추가적인 제4 전압에 기초하여 추가적인 제4 저항값(RC')을 계산하는 단계, 또는(k) calculating an additional fourth resistance value R C ′ based on the additional fourth current and the additional fourth voltage, or

(k') 상기 거리를 추가적인 제1 저항값(RC')으로 결정하는 단계로부터 상기 제2 저항값(RC')을 보유하는 단계, 및(k ') adding the distance to the first 'From the step of determining a second resistance value (R C the resistance value (R C), comprising: holding a), and

(l) 상기 추가적인 제3 저항값과 상기 추가적인 제4 저항값 간의 차에 기초하여 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 계산하는 단계, 또는(l) calculating the additional second resistance difference ΔR CC ′ based on the difference between the additional third resistance value and the additional fourth resistance value, or

(l') 상기 거리를 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')로 결정하는 단계로부터 상기 제2 저항차(△RCC')를 보유하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
(l '), characterized in that it comprises the step of holding said second resistance difference (△ R CC') from the step of determining in the second additional resistance difference (△ R CC the distance ") more.

22. 제21 특징에 있어서, 상기 제2 관계식은

Figure pct00141
Figure pct00142
와 같고, 여기서 △RCC'는 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
22. The method of feature 21, wherein the second relation is
Figure pct00141
Figure pct00142
ΔR CC ′ represents the additional second resistance difference ΔR CC ′ , y represents the distance y, and a represents the distance between the contact points of the first and second contact elements. And b represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements.

23. 제17 특징 및 제18 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 전기적 특성은 홀 시트 저항(RH)이고 상기 제2 관계식(f1)은 추가적인 제3 저항차(△RAA')를 나타내는 제6 파라미터를 더 포함하며, 상기 방법은,23. The feature of any one of features 17 and 18, wherein the electrical property is a hole sheet resistance R H and the second relation f 1 represents an additional third resistance difference ΔR AA ′ . And a sixth parameter, wherein the method further comprises:

(d) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제5 전류를 발생시키는 단계,(d) applying an additional fifth potential across the first and fourth contact elements to generate an additional fifth current at the surface portion at the first location,

(e) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제5 전류를 측정하는 단계, (e) measuring the additional fifth current through the first or fourth contact element,

(f) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 추가적인 제5 전압을 측정하는 단계,(f) measuring an additional fifth voltage across the second and third contact elements,

(g) 상기 추가적인 제5 전류 및 상기 추가적인 제5 전압에 기초하여 추가적인 제5 저항값(RA)을 계산하는 단계, 또는(g) calculating an additional fifth resistance value R A based on the additional fifth current and the additional fifth voltage, or

(g') 상기 거리를 추가적인 제5 저항값(RA)으로 결정하는 단계로부터 상기 제5 저항값(RA)을 보유하는 단계, 및(g ') a step of holding the fifth resistance (R A) from the step of determining the distance to an additional fifth resistance (R A), and

(h) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 추가적인 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제6 전류를 발생시키는 단계,(h) applying an additional sixth potential across the second and third contact elements to generate an additional sixth current in the surface portion at the first location,

(i) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제6 전류를 측정하는 단계,(i) measuring the additional sixth current through the second or third contact element,

(j) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제6 전압을 측정하는 단계, (j) measuring an additional sixth voltage across the first and fourth contact elements,

(k) 상기 추가적인 제6 전류 및 상기 추가적인 제6 전압에 기초하여 추가적인 제6 저항값(RA')을 계산하는 단계, 또는(k) calculating an additional sixth resistance value R A ' based on the additional sixth current and the additional sixth voltage, or

(k') 상기 거리를 추가적인 제5 저항값(RA')으로 결정하는 단계로부터 상기 제6 저항값(RA')을 보유하는 단계, 및(k ') adding the distance to the fifth 'From the step of determining the value of the sixth resistance (R A resistance value (R A), comprising: holding a), and

(l) 상기 추가적인 제5 저항값과 상기 추가적인 제6 저항값 간의 차에 기초하여 상기 추가적인 제3 저항차(△RAA')를 계산하는 단계, 또는(l) calculating the additional third resistance difference ΔR AA ′ based on the difference between the additional fifth resistance value and the additional sixth resistance value, or

(l') 상기 거리를 상기 추가적인 제3 저항차(△RAA')로 결정하는 단계로부터 상기 제3 저항차(△RAA')를 보유하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
(l '), characterized in that it comprises the step of holding the third resistance difference (△ R AA') from the step of determining by said additional third resistance difference (△ R AA the distance ") more.

24. 제23 특징에 있어서, 상기 제2 관계식은

Figure pct00143
Figure pct00144
와 같고, 여기서 △RAA'는 상기 추가적인 제3 저항차(△RAA')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
24. The feature of clause 23, wherein the second relation is
Figure pct00143
Figure pct00144
ΔR AA ′ represents the additional third resistance difference ΔR AA ′ , y represents the distance y, and a represents the distance between the contact points of the first and second contact elements. And b represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements.

25. 제17 특징 및 제18 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 전기적 특성은 시트 저항(R0)이고 상기 제2 관계식(g)은 의사 시트 저항(RP)를 나타내는 제6 파라미터를 더 포함하며, 상기 방법은,25. The method of any one of features 17-18, wherein the electrical property is sheet resistance R 0 and the second relation g further comprises a sixth parameter indicative of the pseudo sheet resistance R P. The method is

(d) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제5 전류를 발생시키는 단계,(d) applying an additional fifth potential across the first and fourth contact elements to generate an additional fifth current at the surface portion at the first location,

(e) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제5 전류를 측정하는 단계,(e) measuring the additional fifth current through the first or fourth contact element,

(f) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 추가적인 제5 전압을 측정하는 단계,(f) measuring an additional fifth voltage across the second and third contact elements,

(g) 상기 추가적인 제5 전류 및 상기 추가적인 제5 전압에 기초하여 추가적인 제5 저항값(RA)을 계산하는 단계, 또는(g) calculating an additional fifth resistance value R A based on the additional fifth current and the additional fifth voltage, or

(g') 상기 거리를 추가적인 제5 저항값(RA)으로 결정하는 단계로부터 상기 제5 저항값(RA)을 보유하는 단계, 및(g ') a step of holding the fifth resistance (R A) from the step of determining the distance to an additional fifth resistance (R A), and

(h) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 추가적인 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제6 전류를 발생시키는 단계,(h) applying an additional sixth potential across the second and third contact elements to generate an additional sixth current in the surface portion at the first location,

(i) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제6 전류를 측정하는 단계,(i) measuring the additional sixth current through the second or third contact element,

(j) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제6 전압을 측정하는 단계, (j) measuring an additional sixth voltage across the first and fourth contact elements,

(k) 상기 추가적인 제6 전류 및 상기 추가적인 제6 전압에 기초하여 추가적인 제6 저항값(RA')을 계산하는 단계, 또는(k) calculating an additional sixth resistance value R A ' based on the additional sixth current and the additional sixth voltage, or

(k') 상기 거리를 추가적인 제5 저항값(RA')으로 결정하는 단계로부터 상기 제6 저항값(RA')을 보유하는 단계, 및(k ') holding the sixth resistance value R A' from determining the distance as an additional fifth resistance value R A ' , and

(l) 상기 추가적인 제5 저항값(RA') 및 상기 추가적인 제6 저항값(RA')의 제1 저항 평균(

Figure pct00145
)을 계산하는 단계, 및(l) a first resistance average of the additional fifth resistance value R A ′ and the additional sixth resistance value R A ′ (
Figure pct00145
), And

(d") 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단에 추가적인 제1 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제1 전류를 발생시키는 단계,(d ") Applying an additional first potential across the first and third contact elements to generate an additional first current in the surface portion at the first location,

(e") 상기 제1 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제1 전류를 측정하는 단계, (e ") measuring said additional first current through said first or third contact element,

(f") 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제1 전압을 측정하는 단계,(f ") measuring an additional first voltage across said second and fourth contact elements,

(g") 상기 추가적인 제1 전류 및 상기 추가적인 제1 전압에 기초하여 추가적인 제1 저항값(RB)을 계산하는 단계, 또는(g ") calculating an additional first resistance value R B based on said additional first current and said additional first voltage, or

(g''') 상기 거리를 추가적인 제1 저항값(RB)으로 결정하는 단계로부터 상기 제1 저항값(RB)을 보유하는 단계, 및(g ''') comprising: holding the first resistance value (R B) from the step of determining the distance to the additional first resistance value (R B), and

(h") 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제2 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제2 전류를 발생시키는 단계,(h ") applying an additional second potential across said second and fourth contact elements to generate an additional second current in said surface portion at said first location,

(i") 상기 제2 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제2 전류를 측정하는 단계,(i ") measuring said additional second current through said second or fourth contact element,

(j") 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단의 추가적인 제2 전압을 측정하는 단계,(j ") measuring an additional second voltage across said first and third contact elements,

(k") 상기 추가적인 제2 전류 및 상기 추가적인 제2 전압에 기초하여 추가적인 제2 저항값(RB')을 계산하는 단계, 또는(k ″) calculating an additional second resistance value R B ′ based on the additional second current and the additional second voltage, or

(k''') 상기 거리를 추가적인 제2 저항값(R'B)으로 결정하는 단계로부터 상기 제2 저항값(RB')을 보유하는 단계, 및(k ''') holding the second resistance value R B' from determining the distance as an additional second resistance value R ' B , and

(l") 상기 추가적인 제1 저항값(RB) 및 상기 추가적인 제2 저항값(RB')의 제2 저항 평균(

Figure pct00146
)을 계산하는 단계, 및(l ″) a second resistance average of the additional first resistance value R B and the additional second resistance value R B ′ (
Figure pct00146
), And

(m) 상기 제1 저항 평균(

Figure pct00147
), 상기 제2 저항 평균(
Figure pct00148
), 및 상기 의사 시트 저항(RP)을 각각 나타내는 제7, 제8, 및 제9 파라미터를 포함하는 제3 관계식을 정의하는 단계,(m) the first resistance average (
Figure pct00147
), The second resistance average (
Figure pct00148
), And defining a third relational expression including seventh, eighth, and ninth parameters representing the pseudo sheet resistance R P , respectively;

(n) 상기 제3 관계식에서 상기 제1 저항 평균(

Figure pct00149
) 및 상기 제2 저항 평균(
Figure pct00150
)을 각각 상기 제7 파라미터 및 상기 제8 파라미터로서 이용하여 상기 의사 시트 저항(RP)을 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
(n) the first resistance average in the third relation
Figure pct00149
) And the second resistance average (
Figure pct00150
) Determining the pseudo sheet resistance R P using the seventh and eighth parameters, respectively.

26. 제25 특징에 있어서, 상기 제3 관계식은

Figure pct00151
와 같고, 여기서 RP는 상기 의사 시트 저항이고,
Figure pct00152
는 상기 제1 저항 평균이며,
Figure pct00153
는 상기 제2 저항 평균인 것을 특징으로 하는 방법.
26. The feature of feature 25, wherein the third relational expression is
Figure pct00151
, Wherein R P is the pseudo sheet resistance,
Figure pct00152
Is the first resistance average,
Figure pct00153
Is the second resistance average.

27. 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 전기적 경계 간의 거리를 결정하는 장치로서, 27. An apparatus for determining a distance between a first location on an electrically conductive surface portion of a test sample and an electrical boundary of the electrically conductive surface portion;

제1 접촉 요소, 제2 접촉 요소, 제3 접촉 요소, 및 제4 접촉 요소를 포함하는 멀티 포인트 프로브 - 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점을 정의함 -, 및A multi-point probe comprising a first contact element, a second contact element, a third contact element, and a fourth contact element, each contact element defining a contact point for establishing electrical contact with the test sample; and

특징 1 내지 특징 16 중 어느 한 특징에 따른 상기 거리를 결정하는 방법을 수행하도록 구성된 제어 유닛을 포함하는 장치.
According to any of the features 1 to 16 And a control unit configured to perform the method of determining the distance.

28. 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치에서 전기적 특성을 결정하는 장치로서,28. An apparatus for determining electrical properties at a first location on an electrically conductive surface of a test sample, wherein

제1 접촉 요소, 제2 접촉 요소, 제3 접촉 요소, 및 제4 접촉 요소를 포함하는 멀티 포인트 프로브 - 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점을 정의함 -, 및A multi-point probe comprising a first contact element, a second contact element, a third contact element, and a fourth contact element, each contact element defining a contact point for establishing electrical contact with the test sample; and

특징 17 내지 특징 26 중 어느 한 특징에 따른 상기 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치에서 전기적 특성을 결정하는 방법을 수행하도록 구성된 제어 유닛을 포함하는 장치.
And a control unit configured to perform a method of determining electrical characteristics at a first location on an electrically conductive surface portion of the test sample according to any one of features 17 to 26.

본 발명의 추가 특징은 다음과 같다.Further features of the present invention are as follows.

1. 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 전기적 경계 간의 거리를 제1 접촉 요소, 제2 접촉 요소, 제3 접촉 요소, 및 제4 접촉 요소를 포함하는 멀티 포인트 프로브에 의해 결정하는 방법으로서, 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점을 정의하며, 상기 방법은,1. The distance between a first location on an electrically conductive surface portion of a test sample and an electrical boundary of the electrically conductive surface portion includes a first contact element, a second contact element, a third contact element, and a fourth contact element. A method as determined by a multi-point probe, wherein each contact element defines a contact point for establishing electrical contact with the test sample.

(i.i) 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치에서 상기 테스트 샘플을 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및 상기 제4 접촉 요소와 접촉시키는 단계,(i.i) contacting the test sample with the first contact element, the second contact element, the third contact element, and the fourth contact element at the first location on the electrically conductive surface portion,

(i.ii) 상기 제1 위치에서 상기 전기적으로 전도성인 표면부에 수직인 주 자기장 성분을 갖는 자기장을 인가하는 단계,(i.ii) applying a magnetic field having a main magnetic field component perpendicular to the electrically conductive surface portion at the first position,

(i.iii) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단에 제1 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제1 전류를 발생시키는 단계,(i.iii) applying a first potential across the first and third contact elements to generate a first current in the surface portion at the first location,

(i.iv) 상기 제1 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제1 전류를 측정하는 단계,(i.iv) measuring the first current through the first or third contact element,

(i.v) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단의 제1 전압을 측정하는 단계,(i.v) measuring a first voltage across the second and fourth contact elements,

(i.vi) 상기 제1 전류 및 상기 제1 전압에 기초하여 제1 저항값(RB)을 계산하는 단계,(i.vi) calculating a first resistance value R B based on the first current and the first voltage,

(i.vii) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단에 제2 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제2 전류를 발생시키는 단계,(i.vii) applying a second potential across the second and fourth contact elements to generate a second current in the surface portion at the first position,

(i.viii) 상기 제2 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제2 전류를 측정하는 단계,(i.viii) measuring the second current through the second or fourth contact element,

(i.ix) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단의 제2 전압을 측정하는 단계,(i.ix) measuring a second voltage across the first and third contact elements,

(i.x) 상기 제2 전류 및 상기 제2 전압에 기초하여 제2 저항값(RB')을 계산하는 단계,(ix) calculating a second resistance value R B ′ based on the second current and the second voltage,

(i.xi) 상기 제1 저항값과 상기 제2 저항값 간의 차에 기초하여 제1 저항차(△RBB')를 계산하는 단계,(i.xi) calculating a first resistance difference ΔR BB ′ based on a difference between the first resistance value and the second resistance value,

(i.xii) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단에 제3 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제3 전류를 발생시키는 단계,(i.xii) applying a third potential across the first and second contact elements to generate a third current in the surface portion at the first location,

(i.xiii) 상기 제1 또는 상기 제2 접촉 요소를 통과하는 상기 제3 전류를 측정하는 단계,(i.xiii) measuring the third current through the first or second contact element,

(i.xiv) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단의 제3 전압을 측정하는 단계,(i.xiv) measuring a third voltage across the third and fourth contact elements,

(i.xv) 상기 제3 전류 및 상기 제3 전압에 기초하여 제3 저항값(RC)을 계산하는 단계,(i.xv) calculating a third resistance value R C based on the third current and the third voltage,

(i.xvi) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단에 제4 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제4 전류를 발생시키는 단계,(i.xvi) applying a fourth potential across the third and fourth contact elements to generate a fourth current in the surface portion at the first position,

(i.xvii) 상기 제3 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제4 전류를 측정하는 단계,(i.xvii) measuring the fourth current through the third or fourth contact element,

(i.xviii) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단의 제4 전압을 측정하는 단계,(i.xviii) measuring a fourth voltage across the first and second contact elements,

(i.xix) 상기 제4 전류 및 상기 제4 전압에 기초하여 제4 저항값(RC')을 계산하는 단계, 및(i.xix) calculating a fourth resistance value R C ′ based on the fourth current and the fourth voltage, and

(i.xx) 상기 제3 저항값과 상기 제4 저항값 간의 차에 기초하여 제2 저항차(△RCC')를 계산하는 단계,(i.xx) calculating a second resistance difference ΔR CC ′ based on the difference between the third resistance value and the fourth resistance value,

또는 대안예에서는, 상기 멀티 포인트 프로브는 복수의 접촉 요소를 포함하고, 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점을 정의하고, 상기 복수의 접촉 요소는 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 상기 제4 접촉 요소 및 하나 이상의 추가 접촉 요소를 포함하고, 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 다음 단계들, 즉,Or in the alternative, the multi-point probe includes a plurality of contact elements, each contact element defining a contact point for establishing electrical contact with the test sample, the plurality of contact elements defining the first contact element, The second contact element, the third contact element, the fourth contact element and one or more additional contact elements, wherein steps (i.xii) to (i.xx) are carried out in the following steps, i.e.

(ii.xii) 상기 복수의 접촉 요소 중 제1 구성의 접촉 요소를 정의하는 단계 - 상기 제1 구성의 접촉 요소는 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및 상기 제4 접촉 요소로 구성됨 -,(ii.xii) defining a contact element of a first configuration of the plurality of contact elements, wherein the contact element of the first configuration comprises the first contact element, the second contact element, the third contact element, and the Consisting of the fourth contact element-,

(ii.xiii) 상기 복수의 접촉 요소 중 제2 구성의 접촉 요소를 정의하는 단계 - 상기 제2 구성의 접촉 요소는 제5 접촉 요소, 제6 접촉 요소, 제7 접촉 요소, 및 제8 접촉 요소로 구성되고, 상기 제2 구성의 접촉 요소 중 적어도 하나의 접촉 요소는 상기 하나 이상의 추가 접촉 요소의 접촉 요소임 -,(ii.xiii) defining a contact element of a second configuration of the plurality of contact elements, wherein the contact element of the second configuration is a fifth contact element, a sixth contact element, a seventh contact element, and an eighth contact element. Wherein at least one of the contact elements of the second configuration is a contact element of the one or more additional contact elements,

(ii.xiv) 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치에서 상기 테스트 샘플을 상기 제2 구성의 접촉 요소의 상기 접촉 요소와 접촉시키고 동시에 상기 테스트 샘플을 상기 제1 구성의 접촉 요소의 상기 접촉 요소와 접촉시키는 단계,(ii.xiv) contacting the test sample with the contact element of the contact element of the second configuration at the first location on the electrically conductive surface portion and simultaneously bringing the test sample into the contact element of the contact element of the first configuration. Contacting with the contact element,

(ii.xv) 상기 제5 및 제7 접촉 요소 양단에 제3 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제3 전류를 발생시키는 단계,(ii.xv) applying a third potential across the fifth and seventh contact elements to generate a third current in the surface portion at the first position,

(ii.xvi) 상기 제5 또는 상기 제7 접촉 요소를 통과하는 상기 제3 전류를 측정하는 단계,(ii.xvi) measuring the third current through the fifth or seventh contact element,

(ii.xvii) 상기 제6 및 제8 접촉 요소 양단의 제3 전압을 측정하는 단계,(ii.xvii) measuring a third voltage across the sixth and eighth contact elements,

(ii.xviii) 상기 제3 전류 및 상기 제3 전압에 기초하여 제3 저항값(RB ,2)을 계산하는 단계,(ii.xviii) calculating a third resistance value R B , 2 based on the third current and the third voltage,

(ii.xix) 상기 제6 및 제8 접촉 요소 양단에 제4 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제4 전류를 발생시키는 단계,(ii.xix) applying a fourth potential across the sixth and eighth contact elements to generate a fourth current in the surface portion at the first position,

(ii.xx) 상기 제6 또는 상기 제8 접촉 요소를 통과하는 상기 제4 전류를 측정하는 단계,(ii.xx) measuring the fourth current through the sixth or eighth contact element,

(ii.xxi) 상기 제5 및 제7 접촉 요소 양단의 제4 전압을 측정하는 단계,(ii.xxi) measuring a fourth voltage across the fifth and seventh contact elements,

(ii.xxii) 상기 제4 전류 및 상기 제4 전압에 기초하여 제4 저항값(RB' ,2)을 계산하는 단계, 및(ii.xxii) calculating a fourth resistance value R B ′ , 2 based on the fourth current and the fourth voltage, and

(ii.xxiii) 상기 제3 저항값과 상기 제4 저항값 간의 차에 기초하여 제2 저항차(△RBB' ,2)를 계산하는 단계로 대체하며,(ii.xxiii) calculating a second resistance difference ΔR BB ′ , 2 based on the difference between the third resistance value and the fourth resistance value,

상기 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 포함하는 대안예 및 상기 단계 (ii.xii) 내지 (ii.xxii)를 포함하는 대안예는 모두,Alternatives comprising the steps (i.xii) to (i.xx) and alternatives comprising the steps (ii.xii) to (ii.xxii) all,

(i.xxi) 상기 제1 저항차, 상기 제2 저항차, 및 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리를 각각 나타내는 제1, 제2, 및 제3 파라미터를 포함하는 제1 관계식(f)을 정의하는 단계, 및(i.xxi) A first relation f comprising first, second, and third parameters representing the first resistance difference, the second resistance difference, and the distance between the first position and the electrical boundary, respectively. ), And

(i.xxii) 상기 제1 관계식에서 상기 제1 및 제2 저항차(△RBB', △RCC', △RBB',2)를 각각 상기 제1 및 제2 파라미터로서 이용하여 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리(y)를 나타내는 상기 제3 파라미터를 결정하는 단계를 더 포함하는 방법.
(i.xxii) wherein the using in the first equation of the first and second resistance difference (△ R BB ', △ R CC', △ R BB ', 2) to each of the first and a second parameters Determining the third parameter indicative of the distance y between one location and the electrical boundary.

2. 제1 추가 특징 및 상기 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 대체하는 대안예에 있어서, 2. The first further feature and an alternative to replacing steps (i.xii) to (i.xx) above,

(iii.xxiv) 상기 제1 저항값(RB) 및 상기 제2 저항값(RB')의 제1 저항 평균(

Figure pct00154
)을 계산하는 단계,(iii.xxiv) a first average resistance of the first resistance value (R B) and said second resistance value (R B ') (
Figure pct00154
),

(iii.xxv) 상기 제3 저항값(RB ,2) 및 상기 제4 저항값(RB' ,2)의 제2 저항 평균(

Figure pct00155
)을 계산하는 단계,(iii.xxv) a second resistance average of the third resistance value R B , 2 and the fourth resistance value R B ′ , 2 ;
Figure pct00155
),

(iii.xxvi) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제5 전류를 발생시키는 단계,(iii.xxvi) applying a fifth potential across the first and fourth contact elements to generate a fifth current in the surface portion at the first location,

(iii.xxvii) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제5 전류를 측정하는 단계,(iii.xxvii) measuring the fifth current through the first or fourth contact element,

(iii.xxviii) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 제5 전압을 측정하는 단계,(iii.xxviii) measuring a fifth voltage across the second and third contact elements,

(iii.xxix) 상기 제5 전류 및 상기 제5 전압에 기초하여 제5 저항값(RA ,1)을 계산하는 단계,(iii.xxix) calculating a fifth resistance value R A , 1 based on the fifth current and the fifth voltage,

(iii.xxx) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제6 전류를 발생시키는 단계,(iii.xxx) applying a sixth potential across the second and third contact elements to generate a sixth current in the surface portion at the first location,

(iii.xxxi) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제6 전류를 측정하는 단계,(iii.xxxi) measuring the sixth current through the second or third contact element,

(iii.xxxii) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 제6 전압을 측정하는 단계,(iii.xxxii) measuring a sixth voltage across the first and fourth contact elements,

(iii.xxxiii) 상기 제6 전류 및 상기 제6 전압에 기초하여 제6 저항값(RA' ,1)을 계산하는 단계,(iii.xxxiii) calculating a sixth resistance value R A ′ , 1 based on the sixth current and the sixth voltage,

(iii.xxxiv) 상기 제5 저항값(RA ,1) 및 상기 제6 저항값(RA' ,1)의 제3 저항 평균(

Figure pct00156
)을 계산하는 단계, (iii.xxxiv) a third resistance average of the fifth resistance value R A , 1 and the sixth resistance value R A ′ , 1 ;
Figure pct00156
),

(iii.xxxv) 상기 제5 및 제8 접촉 요소 양단에 제7 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제7 전류를 발생시키는 단계,(iii.xxxv) applying a seventh potential across the fifth and eighth contact elements to generate a seventh current in the surface portion at the first position,

(iii.xxxvi) 상기 제5 또는 상기 제8 접촉 요소를 통과하는 상기 제7 전류를 측정하는 단계,(iii.xxxvi) measuring the seventh current through the fifth or eighth contact element,

(iii.xxxvii) 상기 제6 및 제7 접촉 요소 양단의 제7 전압을 측정하는 단계,(iii.xxxvii) measuring a seventh voltage across the sixth and seventh contact elements,

(iii.xxxviii) 상기 제7 전류 및 상기 제7 전압에 기초하여 제7 저항값(RA ,2)을 계산하는 단계,(iii.xxxviii) calculating a seventh resistance value R A , 2 based on the seventh current and the seventh voltage,

(iii.xxxix) 상기 제6 및 제7 접촉 요소 양단에 제8 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제8 전류를 발생시키는 단계,(iii.xxxix) applying an eighth potential across the sixth and seventh contact elements to generate an eighth current in the surface portion at the first position,

(iii.xl) 상기 제6 또는 상기 제7 접촉 요소를 통과하는 상기 제8 전류를 측정하는 단계,(iii.xl) measuring the eighth current through the sixth or seventh contact element,

(iii.xli) 상기 제5 및 제8 접촉 요소 양단의 제8 전압을 측정하는 단계,(iii.xli) measuring an eighth voltage across the fifth and eighth contact elements,

(iii.xlii) 상기 제8 전류 및 상기 제8 전압에 기초하여 제8 저항값(RA' ,2)을 계산하는 단계,(iii.xlii) calculating an eighth resistance value R A ′ , 2 based on the eighth current and the eighth voltage,

(iii.xliii) 상기 제7 저항값(RA ,2) 및 상기 제8 저항값(RA' ,2)의 제4 저항 평균(

Figure pct00157
)을 계산하는 단계,(iii.xliii) a fourth resistance average of the seventh resistance value R A , 2 and the eighth resistance value R A ′ , 2 (
Figure pct00157
)of Calculating,

(iii.xliv) 상기 제1 저항 평균(

Figure pct00158
), 상기 제3 저항 평균(
Figure pct00159
), 및 제1 의사 시트 저항(RP ,1)을 각각 나타내는 제4, 제5, 및 제6 파라미터를 포함하는 제2 관계식을 정의하는 단계,(iii.xliv) the first resistance average (
Figure pct00158
), The third resistance average (
Figure pct00159
), And defining a second relationship comprising fourth, fifth, and sixth parameters representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 , respectively,

(iii.xlv) 상기 제2 관계식에서 상기 제1 저항 평균(

Figure pct00160
) 및 상기 제3 저항 평균(
Figure pct00161
)을 각각 상기 제4 파라미터 및 상기 제5 파라미터로서 이용하여 상기 제1 의사 시트 저항(RP ,1)을 나타내는 상기 제6 파라미터를 결정하는 단계,(iii.xlv) the average of the first resistance in the second relation (
Figure pct00160
) And the third resistance average (
Figure pct00161
Determining each of the sixth parameters representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 using R as the fourth parameter and the fifth parameter, respectively.

(iii.xlvi) 상기 제2 저항 평균(

Figure pct00162
), 상기 제4 저항 평균(
Figure pct00163
), 및 제2 의사 시트 저항(RP ,2)을 각각 나타내는 제7, 제8, 및 제9 파라미터를 포함하는 제3 관계식을 정의하는 단계,(iii.xlvi) the second resistance average (
Figure pct00162
), The fourth resistance average (
Figure pct00163
), And defining a third relationship comprising seventh, eighth, and ninth parameters representing the second pseudo sheet resistance R P , 2 , respectively,

(iii.xlvii) 상기 제3 관계식에서 상기 제2 저항 평균(

Figure pct00164
) 및 상기 제4 저항 평균(
Figure pct00165
)을 각각 상기 제7 파라미터 및 상기 제8 파라미터로서 이용하여 상기 제2 의사 시트 저항(RP ,2)을 나타내는 상기 제9 파라미터를 결정하는 단계,(iii.xlvii) the second resistance mean in the third relation
Figure pct00164
) And the fourth resistance average (
Figure pct00165
Determining the ninth parameter representing the second pseudo sheet resistance R P , 2 using each of the seventh parameter and the eighth parameter,

(iii.xlviii) 상기 제1 의사 시트 저항(RP ,1), 상기 제2 의사 시트 저항(RP ,2), 및 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리를 각각 나타내는 제10, 제11, 및 제12 파라미터를 포함하는 제4 관계식(gD)을 정의하는 단계, 및 (iii.xlviii) the tenth and the third representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 , the second pseudo sheet resistance R P , 2 , and the distance between the first position and the electrical boundary, respectively. Defining a fourth relation g D comprising 11, and a twelfth parameter, and

(iv.xlix) 상기 제4 관계식(gD)에서 상기 제1 및 상기 제2 의사 시트 저항(RP ,1, RP,2)을 각각 상기 제10 및 제11 파라미터로서 이용하여 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 추가 거리(y)를 나타내는 상기 제12 파라미터를 결정하는 단계를 포함하고,(iv.xlix) the first and second pseudo sheet resistances R P , 1 , R P, 2 in the fourth relation g D as the tenth and eleventh parameters, respectively; Determining the twelfth parameter indicative of an additional distance y between a location and the electrical boundary,

또는, 대안예에서는, 상기 제2 구성의 상기 접촉 요소는 상기 테스트 샘플의 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 상기 전기적 경계 간의 추가 거리(y2)를 나타내고, 상기 제1 관계식(fD)은 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 추가 거리를 나타내는 제13 파라미터를 더 포함하고, 상기 제4 관계식(gD)은 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 추가 거리를 나타내는 제14 파라미터를 더 포함하며, 단계 (iii.xlix)를 다음의 단계, 즉,Alternatively, in the alternative, the contact element of the second configuration may add an additional distance y 2 between the first location on the electrically conductive surface portion of the test sample and the electrical boundary of the electrically conductive surface portion. Wherein the first relation (f D ) further comprises a thirteenth parameter indicative of the additional distance between the first position and the electrical boundary, and the fourth relation (g D ) comprises the first position and the electrical boundary Further comprising a fourteenth parameter indicative of said additional distance between Step (iii.xlix) is the next step, i.e.

(iv.xlix) 상기 제4 관계식(gD)에서 상기 제1 및 상기 제2 의사 시트 저항(RP ,1, RP,2)을 각각 상기 제10 및 제11 파라미터로서 이용하여 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리(y) 및 상기 추가 거리(y2)를 나타내는 상기 제13 파라미터 및 상기 제14 파라미터를 동시에 결정하는 단계로 대체하는 것을 특징으로 하는 방법.
(iv.xlix) the first and second pseudo sheet resistances R P , 1 , R P, 2 in the fourth relation g D as the tenth and eleventh parameters, respectively; And simultaneously determining the thirteenth parameter and the fourteenth parameter indicative of the distance y and the additional distance y 2 between the position and the electrical boundary.

3. 제2 추가 특징 및 상기 단계 (iii.xlix)를 포함하는 대안예에 있어서, 상기 제4 관계식은 RP ,1/RP ,2=gD(y)와 같고, 여기서 RP , 1는 상기 제1 의사 시트 저항을 나타내고, RP ,2는 상기 제2 의사 시트 저항을 나타내고, gD는 상기 거리 y를 파라미터로서 포함하는 함수를 나타내며, 상기 함수 gD는 특정 거리에서 피크값을 정의하고, 상기 함수 gD는 상기 거리의 함수가 상기 특정 거리 미만일 때 증가하고 상기 거리의 함수가 상기 특정 거리 이상일 때 감소하며, 상기 방법은,3. Second additional feature and remind Containing steps (iii.xlix) In an alternative embodiment, the fourth relationship is equal to R P , 1 / R P , 2 = g D (y), where R P , 1 represents the first pseudo sheet resistance, and R P , 2 represents the first 2 represents a pseudo sheet resistance, g D represents a function comprising the distance y as a parameter, the function g D defines a peak value at a specific distance, and the function g D is such that the function of the distance is less than the specified distance Increase when and decrease when the function of the distance is above the specific distance,

(iii.xlx) 상기 거리와 상기 특정 거리를 비교하여 상기 제4 관계식에서 상기 추가 거리가 상기 특정 거리 미만 또는 이상인지를 판단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
(iii.xlx) comparing the distance with the specific distance to determine whether the additional distance is less than or greater than the specific distance in the fourth relational expression.

4. 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 전기적 경계 간의 거리를 복수의 접촉 요소를 포함하는 멀티 추가 포인트 프로브에 의해 결정하는 방법으로서, 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점을 정의하고, 상기 복수의 접촉 요소는 제1 접촉 요소, 제2 접촉 요소, 제3 접촉 요소, 제4 접촉 요소 및 하나 이상의 추가 접촉 요소를 포함하며, 상기 방법은,4. A method for determining, by a multi-addition point probe comprising a plurality of contact elements, a distance between a first position on an electrically conductive surface portion of a test sample and an electrical boundary of the electrically conductive surface portion, wherein each contact element is Define a contact point for establishing electrical contact with the test sample, the plurality of contact elements including a first contact element, a second contact element, a third contact element, a fourth contact element and one or more additional contact elements; , The method,

(v.i) 상기 복수의 접촉 요소 중 제1 구성의 접촉 요소를 정의하는 단계 - 상기 제1 구성의 접촉 요소는 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및 상기 제4 접촉 요소로 구성됨 -,(vi) defining a contact element of a first configuration of the plurality of contact elements, wherein the contact element of the first configuration comprises the first contact element, the second contact element, the third contact element, and the fourth contact element; Consisting of contact elements-,

(v.ii) 상기 복수의 접촉 요소 중 제2 구성의 접촉 요소를 정의하는 단계 - 상기 제2 구성의 접촉 요소는 제5 접촉 요소, 제6 접촉 요소, 제7 접촉 요소, 및 제8 접촉 요소로 구성되고, 상기 제2 구성의 접촉 요소 중 적어도 하나의 접촉 요소는 상기 하나 이상의 추가 접촉 요소의 접촉 요소임 -,(v.ii) defining a contact element of a second configuration of the plurality of contact elements, wherein the contact element of the second configuration comprises a fifth contact element, a sixth contact element, a seventh contact element, and an eighth contact element; Wherein at least one of the contact elements of the second configuration is a contact element of the one or more additional contact elements,

(v.iii-iv) 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치에서 상기 테스트 샘플을 상기 제1 및 제2 구성의 접촉 요소의 상기 접촉 요소와 접촉시키는 단계,(v.iii-iv) contacting the test sample with the contact element of the contact element of the first and second configurations at the first location on the electrically conductive surface portion,

(v.v) 상기 제1 위치에서 상기 전기적으로 전도성인 표면부에 수직인 주 자기장 성분을 갖는 자기장을 인가하는 단계,(v.v) applying a magnetic field having a main magnetic field component perpendicular to the electrically conductive surface portion at the first position,

(v.vi) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단에 제1 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제1 전류를 발생시키는 단계,(v.vi) applying a first potential across the first and third contact elements to generate a first current in the surface portion at the first location,

(v.vii) 상기 제1 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제1 전류를 측정하는 단계,(v.vii) measuring the first current through the first or third contact element,

(v.viii) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단의 제1 전압을 측정하는 단계,(v.viii) measuring a first voltage across the second and fourth contact elements,

(v.ix) 상기 제1 전류 및 상기 제1 전압에 기초하여 제1 저항값(RB)을 계산하는 단계,(v.ix) calculating a first resistance value R B based on the first current and the first voltage,

(v.x) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단에 제2 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제2 전류를 발생시키는 단계,(v.x) applying a second potential across the second and fourth contact elements to generate a second current in the surface portion at the first position,

(v.xi) 상기 제2 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제2 전류를 측정하는 단계,(v.xi) measuring the second current through the second or fourth contact element,

(v.xii) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단의 제2 전압을 측정하는 단계,(v.xii) measuring a second voltage across the first and third contact elements,

(v.xiii) 상기 제2 전류 및 상기 제2 전압에 기초하여 제2 저항값(RB')을 계산하는 단계,(v.xiii) calculating a second resistance value R B ′ based on the second current and the second voltage,

(v.xiv) 상기 제1 저항값(RB) 및 상기 제2 저항값(RB')의 제1 저항 평균(

Figure pct00166
)을 계산하는 단계,(v.xiv) a first average resistance of the first resistance value (R B) and said second resistance value (R B ') (
Figure pct00166
),

(v.xv) 상기 제5 및 제7 접촉 요소 양단에 제3 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제3 전류를 발생시키는 단계,(v.xv) applying a third potential across the fifth and seventh contact elements to generate a third current at the surface portion at the first position,

(v.xvi) 상기 제5 또는 상기 제7 접촉 요소를 통과하는 상기 제3 전류를 측정하는 단계,(v.xvi) measuring the third current through the fifth or seventh contact element,

(v.xvii) 상기 제6 및 제8 접촉 요소 양단의 제3 전압을 측정하는 단계,(v.xvii) measuring a third voltage across the sixth and eighth contact elements,

(v.xviii) 상기 제3 전류 및 상기 제3 전압에 기초하여 제3 저항값(RB ,2)을 계산하는 단계,(v.xviii) calculating a third resistance value R B , 2 based on the third current and the third voltage,

(v.xix) 상기 제6 및 제8 접촉 요소 양단에 제4 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제4 전류를 발생시키는 단계,(v.xix) applying a fourth potential across the sixth and eighth contact elements to generate a fourth current in the surface portion at the first position,

(v.xx) 상기 제6 또는 상기 제8 접촉 요소를 통과하는 상기 제4 전류를 측정하는 단계,(v.xx) measuring the fourth current through the sixth or eighth contact element,

(v.xxi) 상기 제5 및 제7 접촉 요소 양단의 제4 전압을 측정하는 단계,(v.xxi) measuring a fourth voltage across the fifth and seventh contact elements,

(v.xxii) 상기 제4 전류 및 상기 제4 전압에 기초하여 제4 저항값(RB' ,2)을 계산하는 단계,(v.xxii) calculating a fourth resistance value R B ′ , 2 based on the fourth current and the fourth voltage,

(v.xxv) 상기 제3 저항값(RB ,2) 및 상기 제4 저항값(RB' ,2)의 제2 저항 평균(

Figure pct00167
)을 계산하는 단계,(v.xxv) A second resistance average of the third resistance value R B , 2 and the fourth resistance value R B ′ , 2 (
Figure pct00167
),

(v.xxvi) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제5 전류를 발생시키는 단계,(v.xxvi) applying a fifth potential across the first and fourth contact elements to generate a fifth current in the surface portion at the first location,

(v.xxvii) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제5 전류를 측정하는 단계,(v.xxvii) measuring the fifth current through the first or fourth contact element,

(v.xxviii) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 제5 전압을 측정하는 단계,(v.xxviii) measuring a fifth voltage across the second and third contact elements,

(v.xxix) 상기 제5 전류 및 상기 제5 전압에 기초하여 제5 저항값(RA ,1)을 계산하는 단계,(v.xxix) calculating a fifth resistance value R A , 1 based on the fifth current and the fifth voltage,

(v.xxx) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제6 전류를 발생시키는 단계,(v.xxx) applying a sixth potential across the second and third contact elements to generate a sixth current in the surface portion at the first location,

(v.xxxi) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제6 전류를 측정하는 단계,(v.xxxi) measuring the sixth current through the second or third contact element,

(v.xxxii) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 제6 전압을 측정하는 단계,(v.xxxii) measuring a sixth voltage across the first and fourth contact elements,

(v.xxxiii) 상기 제6 전류 및 상기 제6 전압에 기초하여 제6 저항값(RA' ,1)을 계산하는 단계,(v.xxxiii) calculating a sixth resistance value R A ′ , 1 based on the sixth current and the sixth voltage,

(v.xxxiv) 상기 제5 저항값(RA ,1) 및 상기 제6 저항값(RA' ,1)의 제3 저항 평균(

Figure pct00168
)을 계산하는 단계, (v.xxxiv) a third resistance average of the fifth resistance value R A , 1 and the sixth resistance value R A ′ , 1
Figure pct00168
),

(v.xxxv) 상기 제5 및 제8 접촉 요소 양단에 제7 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제7 전류를 발생시키는 단계,(v.xxxv) applying a seventh potential across the fifth and eighth contact elements to generate a seventh current in the surface portion at the first position,

(v.xxxvi) 상기 제5 또는 상기 제8 접촉 요소를 통과하는 상기 제7 전류를 측정하는 단계,(v.xxxvi) measuring the seventh current through the fifth or eighth contact element,

(v.xxxvii) 상기 제6 및 제7 접촉 요소 양단의 제7 전압을 측정하는 단계,(v.xxxvii) measuring a seventh voltage across the sixth and seventh contact elements,

(v.xxxviii) 상기 제7 전류 및 상기 제7 전압에 기초하여 제7 저항값(RA ,2)을 계산하는 단계,(v.xxxviii) calculating a seventh resistance value R A , 2 based on the seventh current and the seventh voltage,

(v.xxxix) 상기 제6 및 제7 접촉 요소 양단에 제8 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제8 전류를 발생시키는 단계,(v.xxxix) applying an eighth potential across the sixth and seventh contact elements to generate an eighth current in the surface portion at the first position,

(v.xl) 상기 제6 또는 상기 제7 접촉 요소를 통과하는 상기 제8 전류를 측정하는 단계,(v.xl) measuring the eighth current through the sixth or seventh contact element,

(v.xli) 상기 제5 및 제8 접촉 요소 양단의 제8 전압을 측정하는 단계,(v.xli) measuring an eighth voltage across the fifth and eighth contact elements,

(v.xlii) 상기 제8 전류 및 상기 제8 전압에 기초하여 제8 저항값(RA' ,2)을 계산하는 단계,(v.xlii) calculating an eighth resistance value R A ′ , 2 based on the eighth current and the eighth voltage,

(v.xliii) 상기 제7 저항값(RA ,1) 및 상기 제8 저항값(RA' ,2)의 제4 저항 평균(

Figure pct00169
)을 계산하는 단계,(v.xliii) a fourth resistance average of the seventh resistance value R A , 1 and the eighth resistance value R A ′ , 2 (
Figure pct00169
),

(v.xliv) 상기 제1 저항 평균(

Figure pct00170
), 상기 제3 저항 평균(
Figure pct00171
), 및 제1 의사 시트 저항(RP ,1)을 각각 나타내는 제4, 제5, 및 제6 파라미터를 포함하는 제2 관계식을 정의하는 단계,(v.xliv) the first resistance average (
Figure pct00170
), The third resistance average (
Figure pct00171
), And defining a second relationship comprising fourth, fifth, and sixth parameters representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 , respectively,

(v.xlv) 상기 제2 관계식에서 상기 제1 저항 평균(

Figure pct00172
) 및 상기 제3 저항 평균(
Figure pct00173
)을 각각 상기 제4 파라미터 및 상기 제5 파라미터로서 이용하여 상기 제1 의사 시트 저항(RP ,1)을 나타내는 상기 제6 파라미터를 결정하는 단계,(v.xlv) the first resistance average in the second relation
Figure pct00172
) And the third resistance average (
Figure pct00173
Determining each of the sixth parameters representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 using R as the fourth parameter and the fifth parameter, respectively.

(v.xlvi) 상기 제2 저항 평균(

Figure pct00174
), 상기 제4 저항 평균(
Figure pct00175
), 및 제2 의사 시트 저항(RP ,2)을 각각 나타내는 제7, 제8, 및 제9 파라미터를 포함하는 제3 관계식을 정의하는 단계,(v.xlvi) the second resistance average (
Figure pct00174
), The fourth resistance average (
Figure pct00175
), And defining a third relationship comprising seventh, eighth, and ninth parameters representing the second pseudo sheet resistance R P , 2 , respectively,

(v.xlvii) 상기 제3 관계식에서 상기 제2 저항 평균(

Figure pct00176
) 및 상기 제4 저항 평균(
Figure pct00177
)을 각각 상기 제7 파라미터 및 상기 제8 파라미터로서 이용하여 상기 제2 의사 시트 저항(RP ,2)을 나타내는 상기 제9 파라미터를 결정하는 단계,(v.xlvii) the second resistance average in the third relation
Figure pct00176
) And the fourth resistance average (
Figure pct00177
Determining the ninth parameter representing the second pseudo sheet resistance R P , 2 using each of the seventh parameter and the eighth parameter,

(v.xlviii) 상기 제1 의사 시트 저항(RP ,1), 상기 제2 의사 시트 저항(RP ,2), 및 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리를 각각 나타내는 제10, 제11, 및 제12 파라미터를 포함하는 제4 관계식(gD)을 정의하는 단계, 및(v.xlviii) the tenth and the fifth representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 , the second pseudo sheet resistance R P , 2 , and the distance between the first position and the electrical boundary, respectively. Defining a fourth relation g D comprising 11, and a twelfth parameter, and

(v.xlix) 상기 제4 관계식(gD)에서 상기 제1 및 상기 제2 의사 시트 저항(RP ,1, RP,2)을 각각 상기 제10 및 제11 파라미터로서 이용하여 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리(y)의 값을 나타내는 상기 제12 파라미터를 결정하는 단계를 포함하는 방법.
(v.xlix) the first and second pseudo sheet resistances R P , 1 , R P, 2 in the fourth relation g D as the tenth and eleventh parameters, respectively; Determining the twelfth parameter indicative of the value of the distance y between a location and the electrical boundary.

5. 제4 추가 특징에 있어서, 상기 제4 관계식은 RP ,1/RP ,2=gD(y)와 같고, 여기서 RP , 1는 상기 제1 의사 시트 저항을 나타내고, RP ,2는 상기 제2 의사 시트 저항을 나타내고, gD는 상기 거리 y를 파라미터로서 포함하는 함수를 나타내며, 상기 함수 gD는 특정 거리에서 피크값을 정의하고, 상기 함수 gD는 상기 거리의 함수가 상기 특정 거리 미만일 때 증가하고 상기 거리의 함수가 상기 특정 거리 이상일 때 감소하며, 상기 방법은,5. The fourth additional feature, wherein the fourth relation is equal to R P , 1 / R P , 2 = g D (y), where R P , 1 represents the first pseudo sheet resistance, R P , 2 represents the second pseudo sheet resistance, g D represents a function comprising the distance y as a parameter, the function g D defines a peak value at a specific distance, and the function g D is a function of the distance Increases when less than the specific distance and decreases when the function of the distance is greater than or equal to the specific distance;

(v.xlx) 제1 추가 특징 내지 제3 추가 특징 중 어느 한 특징에 따른 상기 방법에 의해 보조 거리를 나타내는 거리를 결정하는 단계, 및(v.xlx) of the first to third additional features In one feature Determining a distance indicative of an auxiliary distance by said method, and

(v.xlxi) 상기 보조 거리와 상기 특정 거리를 비교하여 상기 제4 관계식에서 상기 거리가 상기 특정 거리 미만 또는 이상인지를 판단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
(v.xlxi) further comprising comparing the auxiliary distance with the specific distance and determining whether the distance is less than or greater than the specific distance in the fourth relational expression.

6. 제1 추가 특징 내지 제5 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 접촉점은 각각의 상기 접촉점과 교차하는 제1 라인을 정의하는 것을 특징으로 하는 방법.
6. The method according to any of the first to fifth additional features, wherein the contact point defines a first line that intersects each of the contact points.

7. 제1 추가 특징 내지 제6 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 접촉점이 상기 테스트 샘플과 접촉하기 전에 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 상기 제4 접촉 요소, 및 상기 하나 이상의 추가 접촉 요소의 상기 접촉점이 각각의 상기 접촉점과 교차하는 제1 라인을 정의하는 것을 특징으로 하는 방법.
7. The method according to any one of the first to sixth additional features, wherein The contact points of the first contact element, the second contact element, the third contact element, the fourth contact element, and the one or more additional contact elements before each contact point with the test sample intersect with each of the contact points. Defining a first line.

8. 제7 추가 특징에 있어서, 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및 상기 제4 접촉 요소의 상기 접촉점은 상기 제1 라인을 따라 소정의 순서로 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.
8. The seventh further feature, wherein the contact points of the first contact element, the second contact element, the third contact element, and the fourth contact element are arranged in a predetermined order along the first line. How to feature.

9. 제8 추가 특징에 있어서, 상기 제5 접촉 요소, 상기 제6 접촉 요소, 상기 제7 접촉 요소, 및 상기 제8 접촉 요소의 상기 접촉점은 상기 제1 라인을 따라 소정의 순서로 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.
9. The eighth further feature, wherein the contact points of the fifth contact element, the sixth contact element, the seventh contact element, and the eighth contact element are arranged in a predetermined order along the first line. How to feature.

10. 제8 추가 특징 및 제9 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 제1 및 제2 접촉 요소, 상기 제2 및 제3 접촉 요소, 및 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접촉 요소들 간의 간격은 대략 제1 간격 값(s1)과 같은 것을 특징으로 하는 방법.
10. The contact element of any of the eighth and ninth additional features, wherein the first and second contact elements, the second and third contact elements, and the contact elements of the third and fourth contact elements. Wherein the spacing is approximately equal to the first spacing value s 1 .

11. 제8 추가 특징 내지 제10 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 제5 및 제6 접촉 요소, 상기 제6 및 제7 접촉 요소, 및 상기 제7 및 제8 접촉 요소의 상기 접촉 요소들 간의 간격은 대략 제2 간격 값(s2)과 같은 것을 특징으로 하는 방법.
11. The contact element of any of the eighth to tenth additional features, wherein the fifth and sixth contact elements, the sixth and seventh contact elements, and the contact elements of the seventh and eighth contact elements. Wherein the spacing is approximately equal to the second spacing value s 2 .

12. 제11 추가 특징 및 상기 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 대체하는 대안예에 있어서, 상기 제1 관계식은 △RBB'/△RBB' ,2=fD(y,s1,s2)와 같고, 여기서 △RBB'는 상기 제1 저항차를 나타내고, △RBB'2는 상기 제2 저항차를 나타내며, fD는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y, 상기 제1 간격 값 s1, 및 상기 제2 간격 값 s2를 포함하는 함수인 것을 특징으로 하는 방법.
12. Eleventh Additional Features and remind In an alternative alternative to steps (i.xii) to (i.xx), the first relation is equal to ΔR BB ′ / ΔR BB ′ , 2 = f D (y, s 1 , s 2 ) Where ΔR BB ′ represents the first resistance difference, ΔR BB′2 represents the second resistance difference, f D is the distance y between the first position and the electrical boundary, and the first spacing value s 1 , and the second interval value s 2 .

13. 제12 추가 특징에 있어서, 상기 제1 관계식 △RBB'/△RBB' ,2=fD(y,s1,s2)에서 상기 함수 fD(y,s1,s2)는

Figure pct00178
와 같은 것을 특징으로 하는 방법.
13. The method of claim 12 further feature, the first relational expression △ R BB '/ △ R BB ', 2 = f D (y, s 1, s 2) from the function f D (y, s 1, s 2) Is
Figure pct00178
And characterized in that.

14. 제2 추가 특징 내지 제13 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 제2 관계식은

Figure pct00179
Figure pct00180
과 같고, 여기서 RP , 1는 상기 제1 의사 시트 저항을 나타내고,
Figure pct00181
는 상기 제1 저항 평균이고,
Figure pct00182
은 상기 제3 저항 평균이며, 상기 제3 관계식은
Figure pct00183
과 같고, 여기서 RP ,2는 상기 제2 의사 시트 저항을 나타내고,
Figure pct00184
는 상기 제2 저항 평균이며,
Figure pct00185
는 상기 제4 저항 평균인 것을 특징으로 하는 방법.
14. The feature of any of the second to thirteenth additional features, wherein the second relationship is
Figure pct00179
Figure pct00180
Wherein R P , 1 represents the first pseudo sheet resistance,
Figure pct00181
Is the first resistance average,
Figure pct00182
Is the third resistance average, and the third relational expression is
Figure pct00183
, Where R P , 2 represents the second pseudo sheet resistance,
Figure pct00184
Is the second resistance average,
Figure pct00185
Is the fourth resistance average.

15. 제2 추가 특징 내지 제14 추가 특징 중 어느 한 특징 및 상기 단계 (iii.xlix)를 포함하는 대안예에 있어서, 상기 제4 관계식은 RP ,1/RP ,2=gD(y,s1,s2)와 같고, 여기서 RP , 1는 상기 제1 의사 시트 저항을 나타내고, RP ,2는 상기 제2 의사 시트 저항을 나타내며, gD는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y, 상기 제1 간격 값 s1, 및 상기 제2 간격 값 s2를 포함하는 함수를 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
15. A feature comprising any of the second to fourteenth additional features and the step (iii.xlix) above. In an alternative embodiment, the fourth relationship is equal to R P , 1 / R P , 2 = g D (y, s 1 , s 2 ), where R P , 1 represents the first pseudo sheet resistance, R P , 2 represents the second pseudo sheet resistance, g D is a function comprising the distance y between the first position and the electrical boundary, the first spacing value s 1 , and the second spacing value s 2 Characterized in that the method.

16. 제2 추가 특징 내지 제14 추가 특징 중 어느 한 특징 및 상기 단계 (iii.xlix)를 대체하는 대안예에 있어서, 상기 제1 관계식은 △RBB'/△RBB',2=fD(y,y2,s1,s2)이고, 여기서 △RBB'는 상기 제1 저항차를 나타내고, △RBB'2는 상기 제2 저항차를 나타내며, fD는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y 및 상기 추가 거리 y2, 상기 제1 간격 값 s1, 및 상기 제2 간격 값 s2를 포함하는 함수인 것을 특징으로 하는 방법.
16. Any of the second to fourteenth additional features and the step (iii.xlix) above In an alternative alternative, the first relationship is ΔR BB ′ / ΔR BB ′, 2 = f D (y, y 2 , s 1 , s 2 ), where ΔR BB ′ is the first resistor. DELTA R BB'2 represents the second resistance difference, f D represents the distance y and the additional distance y 2 between the first position and the electrical boundary, the first spacing value s 1 , and the And a second interval value s 2 .

17. 제12 추가 특징에 있어서, 상기 제1 관계식 △RBB'/△RBB' ,2=fD(y,y2,s1,s2)에서 상기 함수 fD(y,y2,s1,s2)는

Figure pct00186
와 같은 것을 특징으로 하는 방법.
17. The twelfth additional feature, the function f D (y, y 2 ,) in the first relation ΔR BB ′ / ΔR BB ′ , 2 = f D (y, y 2 , s 1 , s 2 ) s 1 , s 2 )
Figure pct00186
And characterized in that.

18. 제2 추가 특징 내지 제14 추가 특징 중 어느 한 특징 및 상기 단계 (iii.xlix)를 대체하는 대안예에 있어서, 상기 제4 관계식은 RP,1/RP,2=gD(y,y2,s1,s2)와 같고, RP , 1는 상기 제1 의사 시트 저항을 나타내고, RP ,2는 상기 제2 의사 시트 저항을 나타내며, gD는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y 및 상기 추가 거리 y2, 상기 제1 간격 값 s1, 및 상기 제2 간격 값 s2를 포함하는 함수를 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
18. Any one of the second to fourteenth additional features and replacing step (iii.xlix) above In an alternative embodiment, the fourth relationship is equal to R P, 1 / R P, 2 = g D (y, y 2 , s 1 , s 2 ), where R P , 1 represents the first pseudo sheet resistance , R P , 2 represents the second pseudo sheet resistance, g D is the distance y and the additional distance y 2 between the first position and the electrical boundary, the first spacing value s 1 , and the second spacing A function comprising a value s 2 .

19. 제6 추가 특징 내지 제18 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 전기적 경계는 대략 선형 부분을 가지며 상기 제1 위치와 상기 선형 부분 상의 추가점 간의 거리는 상기 제1 위치와 상기 선형 부분 외부의 상기 전기적 경계 상의 어떤 추가점 간의 거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 방법.
19. The feature of any of the sixth through eighteenth features, wherein the electrical boundary is approximately a linear portion. And the distance between the first location and the additional point on the linear portion is shorter than the distance between the first location and any additional point on the electrical boundary outside the linear portion.

20. 제19 추가 특징에 있어서,20. The nineteenth additional feature of

(vi.i) 상기 멀티 추가 포인트 프로브를 상기 선형 부분과 평행한 관계를 갖고 상기 제1 라인에 위치하도록 배향시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
(vi.i) orienting the multi additional point probe to be in the first line in a parallel relationship with the linear portion.

21. 제1 추가 특징 내지 제20 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 제1 및 제2 접촉 요소, 상기 제2 및 제3 접촉 요소, 및 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접속점들 간의 간격은 대략 같은 것을 특징으로 하는 방법.
21. The method according to any of the first to twentieth features, wherein the first and second contact elements, the second and third contact elements, and the connection points of the third and fourth contact elements are between. Wherein the spacing is about the same.

22. 제1 추가 특징 내지 제21 추가 특징 중 어느 한 특징 및 상기 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 포함하는 대안예에 있어서, 상기 제1 관계식은 △RCC'/△RBB'=f(y,s)와 같고, 여기서 △RBB'는 상기 제1 저항차를 나타내고, △RCC'는 상기 제2 저항차를 나타내며, f는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y 및 상기 접촉점들 간의 상기 간격 s을 파라미터로서 포함하는 함수인 것을 특징으로 하는 방법.
22. Any of the first to twenty-first additional features and remind Comprising steps (i.xii) to (i.xx) In an alternative embodiment, the first relation is equal to ΔR CC ′ / ΔR BB ′ = f (y, s), where ΔR BB ′ represents the first resistance difference, and ΔR CC ′ represents the first relationship. 2 represents a resistance difference, and f is a function comprising as a parameter the distance y between the first position and the electrical boundary and the spacing s between the contact points.

23. 제22 추가 특징에 있어서, 상기 관계식 △RCC'/△RBB'=f(y,s)에서 상기 제1 저항차 △RBB'

Figure pct00187
Figure pct00188
와 같고, 여기서 △RBB'는 상기 추가적인 제1 저항차(△RBB')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, 상기 관계식 △RCC'/△RB B'=f(y,s)에서 상기 제2 저항차 △RCC'
Figure pct00189
Figure pct00190
와 같고, 여기서 △RCC'는 상기 추가적인 제2 저항차(△R CC' )를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
23. Article according to a further feature 22, wherein the relational expression △ R CC '/ △ R BB ' = f (y, s) of the first resistance difference △ R BB 'from
Figure pct00187
Figure pct00188
ΔR BB ′ denotes the additional first resistance difference ΔR BB ′ , y denotes the distance y, and a denotes the distance between the contact points of the first and second contact elements. B denotes an interval between the contact points of the second and third contact elements, c denotes an interval between the contact points of the third and fourth contact elements, and the relationship ΔR CC ′ / ΔR B B ′ At f (y, s), the second resistance difference ΔR CC ′ is
Figure pct00189
Figure pct00190
ΔR CC ′ represents the additional second resistance difference ΔR CC ′ , y represents the distance y, and a represents the distance between the contact points of the first and second contact elements. And b represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements.

24. 제1 추가 특징 내지 제23 추가 특징 중 어느 한 특징 및 상기 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 포함하는 대안예에 있어서,24. Any one of the first to twenty-third additional features and the above In an alternative comprising the steps (i.xii) to (i.xx),

(i.xxiii) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제5 전류를 발생시키는 단계,(i.xxiii) applying a fifth potential across the first and fourth contact elements to generate a fifth current in the surface portion at the first location,

(i.xxiv) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제5 전류를 측정하는 단계,(i.xxiv) measuring the fifth current through the first or fourth contact element,

(i.xxv) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 제5 전압을 측정하는 단계,(i.xxv) measuring a fifth voltage across the second and third contact elements,

(i.xxvi) 상기 제5 전류 및 상기 제5 전압에 기초하여 제5 저항값(RA)을 계산하는 단계,(i.xxvi) calculating a fifth resistance value R A based on the fifth current and the fifth voltage,

(i.xxvii) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제6 전류를 발생시키는 단계,(i.xxvii) applying a sixth potential across the second and third contact elements to generate a sixth current in the surface portion at the first location,

(i.xxviii) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제6 전류를 측정하는 단계,(i.xxviii) Measuring the sixth current through the second or third contact element,

(i.xxix) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 제6 전압을 측정하는 단계,(i.xxix) measuring a sixth voltage across the first and fourth contact elements,

(i.xxx) 상기 제6 전류 및 상기 제6 전압에 기초하여 제6 저항값(RA')을 계산하는 단계,(i.xxx) calculating a sixth resistance value R A ′ based on the sixth current and the sixth voltage,

(i.xxxi) 상기 제5 저항값과 상기 제6 저항값 간의 차에 기초하여 제3 저항차(△RAA')을 계산하는 단계,(i.xxxi) calculating a third resistance difference ΔR AA ′ based on the difference between the fifth resistance value and the sixth resistance value,

(i.xxxii) 상기 제1 관계식(f)을 정의할 때, 상기 제3 저항차(△RAA')를 나타내는 제4 파라미터를 상기 제1 관계식(f)에 더 포함시키는 단계, 및(i.xxxii) when defining the first relation f, further including a fourth parameter representing the third resistance difference ΔR AA ′ in the first relation f, and

(i.xxxiii) 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리(y)를 결정할 때, 상기 제1 관계식에서 상기 제1 및 상기 제2 파라미터로서 이용되는 상기 제1 및 상기 제2 저항차(△RBB', △RCC') 외에 상기 제3 저항차 (△RAA')를 상기 제4 파라미터로서 이용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
(i.xxxiii) when determining the distance y between the first position and the electrical boundary, the first and second resistance differences (Δ) used as the first and second parameters in the first relational equation. R BB ' , ΔR CC' ) using the third resistance difference ΔR AA ' as the fourth parameter It further comprises a method.

25. 제1 추가 특징 내지 제24 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 접촉점들은 일렬로 배치되고, 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격 및 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격은 대략 같은 것을 특징으로 하는 방법.
25. The device of any of the first to twenty-fourth additional features , wherein the contact points are disposed in line, the spacing between the contact points of the first and second contact elements, and of the second and third contact elements. And the spacing between the contact points is approximately equal.

26. 제1 추가 특징 내지 제25 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 접촉점들은 일렬로 배치되고, 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격은 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격과 다른 것을 특징으로 하는 방법.
26. The method according to any of the first to twenty-fifth additional features, wherein the contact points are arranged in line and the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements is greater than that of the first and second contact elements. And a gap between the contact points.

27. 제26 추가 특징에 있어서, 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격은 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격보다 범위 1.1-3.7, 1.2-3.3, 1.3-2.9, 1.4-2.5, 1.5-2.1, 및 1.6-1.7 중 하나 이상, 및/또는 범위 1.2-1.3, 1.3-1.4, 1.4-1.5, 1.5-1.6, 1.6-1.7, 1.7-1.8, 1.8-1.9, 1.9-2.0, 2.0-2.2, 2.2-2.4, 2.4-2.6, 2.6-2.8, 2.8-3.0, 3.0-3.3, 3.3-3.6, 3.6-3.9 중 하나 내의 팩터, 및/또는 대략 5를 3으로 나눈 것, 또는 범위 1.2-3.8, 1.6-3.4, 1.8-3.2, 2.0-3.0, 2.2-2.8, 및 2.4-2.6 중 하나 이상, 및/또는 범위 1.2-1.3, 1.3-1.4, 1.4-1.5, 1.5-1.6, 1.6-1.7, 1.7-1.8, 1.8-1.9, 1.9-2.0, 2.0-2.2, 2.2-2.4, 2.4-2.6, 2.6-2.8, 2.8-3.0, 3.0-3.3, 3.3-3.6, 3.6-3.9 중 하나 내의 팩터, 및/또는 대략 5를 2로 나눈 것만큼 큰 것을 특징으로 하는 방법.
27. The additional aspect 26, wherein the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements is in the range 1.1-3.7, 1.2-3.3, 1.3- than the spacing between the contact points of the first and second contact elements. At least one of 2.9, 1.4-2.5, 1.5-2.1, and 1.6-1.7, and / or in the range 1.2-1.3, 1.3-1.4, 1.4-1.5, 1.5-1.6, 1.6-1.7, 1.7-1.8, 1.8-1.9, A factor within one of 1.9-2.0, 2.0-2.2, 2.2-2.4, 2.4-2.6, 2.6-2.8, 2.8-3.0, 3.0-3.3, 3.3-3.6, 3.6-3.9, and / or approximately 5 divided by 3, or one or more of the ranges 1.2-3.8, 1.6-3.4, 1.8-3.2, 2.0-3.0, 2.2-2.8, and 2.4-2.6, and / or 1.2-1.3, 1.3-1.4, 1.4 -1.5, 1.5-1.6, 1.6-1.7, 1.7-1.8, 1.8-1.9, 1.9-2.0, 2.0-2.2, 2.2-2.4, 2.4-2.6, 2.6-2.8, 2.8-3.0, 3.0-3.3, 3.3-3.6 , Factor within one of 3.6-3.9, and / or as large as about five divided by two.

28. 제1 추가 특징 내지 제27 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격은 범위 1-5㎛, 5-10㎛, 10-15㎛, 15-20㎛, 20-25㎛, 25-30㎛, 30-40㎛, 40-50㎛, 50-500㎛ 중 하나, 및/또는 범위 1-50㎛, 5-40㎛, 10-30㎛, 15-25㎛ 중 하나 이상 내에 있는 것을 특징으로 하는 방법.
28. The method according to any of the first to 27th additional features, wherein the spacing between the contact points of the first and second contact elements is in the range of 1-5 μm, 5-10 μm, 10-15 μm, 15 -20 μm, 20-25 μm, 25-30 μm, 30-40 μm, 40-50 μm, 50-500 μm, and / or range 1-50 μm, 5-40 μm, 10-30 μm, And at least one of 15-25 μm.

29. 제24 추가 특징 내지 제28 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 제1 관계식은 (△RAA'+α△RCC')/△RBB'= f(y,a,b,c)와 같고, 여기서 △RBB'는 상기 제1 저항차이고, △RCC'는 상기 제2 저항차이고, △RAA'는 상기 제3 저항차이고, α는 -10부터 10까지 범위 내에 있는 튜닝 팩터이며, f는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y를 포함하는 함수이고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 상기 간격이고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 상기 간격이며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 상기 간격인 것을 특징으로 하는 방법.
29. The method of any one of items 24 to 28, wherein the first relationship is (ΔR AA ′ + αΔR CC ′ ) / ΔR BB ′ = f (y, a, b, c ΔR BB ′ is the first resistance difference, ΔR CC ′ is the second resistance difference, ΔR AA ′ is the third resistance difference, and α is a tuning factor in the range of −10 to 10. F is a function including the distance y between the first position and the electrical boundary, a is the spacing between the contact points of the first and second contact elements, and b is the second and third contacts The spacing between the contact points of the element, and c is the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements.

30. 제29 추가 특징에 있어서, 상기 튜닝 팩터 α는 대략 1 또는 대략 -1인 것을 특징으로 하는 방법.
30. The method of further 29, wherein the tuning factor α is about 1 or about −1.

31. 제29 추가 특징 및 제30 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 관계식 (△RAA'+α△RCC')/△RBB'= f(y,a,b,c)에서 상기 제1 저항차 △RBB'

Figure pct00191
Figure pct00192
와 같고, 여기서 △RBB'는 상기 추가적인 제1 저항차(△RAA')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, 상기 관계식(△RAA'+α△RCC')/△RBB'= f(y,a,b,c)에서 상기 제2 저항차 △RCC'
Figure pct00193
Figure pct00194
와 같고, 여기서 △RCC'는 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, 상기 관계식(△RAA'+α△RCC')/△RBB'= f(y,a,b,c)에서 상기 제3 저항차 △RAA'
Figure pct00195
Figure pct00196
와 같고, 여기서 △RAA'는 상기 추가적인 제3 저항차(△RAA')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 상기 간격을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
31. The method according to any one of the 29th additional feature and the 30th additional feature, wherein in the relation (ΔR AA ′ + αΔR CC ′ ) / ΔR BB ′ = f (y, a, b, c) The first resistance difference ΔR BB ′ is
Figure pct00191
Figure pct00192
ΔR BB ′ represents the additional first resistance difference ΔR AA ′ , y represents the distance y, and a represents the distance between the contact points of the first and second contact elements. B denotes the spacing between the contact points of the second and third contact elements, c denotes the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements, and the relationship (ΔR AA ′ + αΔR CC) ' ) / ΔR BB' = the second resistance difference at f (y, a, b, c) ΔR CC ' is
Figure pct00193
Figure pct00194
ΔR CC ′ represents the additional second resistance difference ΔR CC ′ , y represents the distance y, and a represents the distance between the contact points of the first and second contact elements. B denotes the spacing between the contact points of the second and third contact elements, c denotes the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements, and the relationship (ΔR AA ′ + αΔR CC) ' ) / ΔR BB' = f (y, a, b, c), the third resistance difference ΔR AA ' is
Figure pct00195
Figure pct00196
ΔR AA ′ represents the additional third resistance difference ΔR AA ′ , y represents the distance y, and a represents the distance between the contact points of the first and second contact elements. And b represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements.

32. 제1 추가 특징 및 제31 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 상기 간격은 범위 0.1-100㎛, 1-90㎛, 10-80㎛, 20-70㎛, 30-60㎛, 및 40-50㎛ 중 하나 이상, 및/또는 범위 0.1-1㎛, 1-10㎛, 10-20㎛, 20-30㎛, 30-40㎛, 40-50㎛, 50-60㎛, 60-70㎛, 70-80㎛, 80-90㎛, 90-100㎛, 또는 100-500㎛ 중 하나 내에 있는 것을 특징으로 하는 방법.
32. The method of any one of the first additional feature and the thirty-first additional feature, wherein the spacing between the contact points of the first and second contact elements ranges from 0.1-100 μm, 1-90 μm, 10-80 μm, At least one of 20-70 μm, 30-60 μm, and 40-50 μm, and / or range 0.1-1 μm, 1-10 μm, 10-20 μm, 20-30 μm, 30-40 μm, 40- And 50-60 μm, 60-70 μm, 70-80 μm, 80-90 μm, 90-100 μm, or 100-500 μm.

33. 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치에서 전기적 특성을 결정하는 방법으로서, 상기 전기적으로 전도성인 표면부는 전기적 경계를 가지며, 상기 방법은,33. A method of determining electrical properties at a first location on an electrically conductive surface portion of a test sample, wherein the electrically conductive surface portion has an electrical boundary, the method comprising:

(a) 제1 추가 특징 내지 제32 추가 특징 중 어느 한 특징에 따른 상기 테스트 샘플의 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 상기 전기적 경계 간의 거리(y)를 결정하는 단계, (a) a distance y between said first position on said electrically conductive surface portion of said test sample according to any one of the first to thirty-second additional features and said electrical boundary of said electrically conductive surface portion; Determining the,

(b) 상기 전기적 특성 및 상기 거리(y)를 나타내는 제15 파라미터를 포함하는 제5 관계식을 정의하는 단계, 및(b) defining a fifth relational expression comprising a fifteenth parameter indicative of said electrical characteristic and said distance y, and

(c) 상기 제5 관계식에서 상기 추가 거리(y)를 상기 제15 파라미터로서 이용하여 상기 전기적 특성을 결정하는 단계를 포함하고,(c) determining the electrical property using the additional distance y in the fifth relation as the fifteenth parameter,

또는 대안으로 상기 방법은,Or in the alternative,

(a) 제2 추가 특징 내지 제32 추가 특징 중 어느 한 특징에 따른 상기 테스트 샘플의 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 상기 전기적 경계 간의 추가 거리(y2)를 결정하는 단계,(a) an additional distance y between the first position on the electrically conductive surface portion of the test sample according to any one of the second to thirty-second additional features and the electrical boundary of the electrically conductive surface portion y; 2 ) determining,

(b) 상기 전기적 특성 및 상기 추가 거리(y2)를 나타내는 제15 파라미터를 포함하는 제5 관계식을 정의하는 단계, 및(b) defining a fifth relationship comprising a fifteenth parameter indicative of said electrical characteristic and said additional distance y 2 , and

(c) 상기 제5 관계식에서 상기 거리(y2)를 상기 제15 파라미터로서 이용하여 상기 전기적 특성을 결정하는 단계를 포함하는 방법.
and (c) determining said electrical property using said distance y 2 in said fifth relation as said fifteenth parameter.

34. 제33 추가 특징에 있어서, 상기 제5 관계식은 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및/또는 상기 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 상기 간격을 더 포함하고,34. The 33rd further feature, wherein the fifth relation further comprises the spacing between the contact points of the first contact element, the second contact element, the third contact element, and / or the fourth contact element; ,

(b') 상기 제5 관계식을 정의할 때, 상기 제5 관계식은 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및/또는 상기 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내는 제16 파라미터를 더 포함하고,(b ') When defining the fifth relation, the fifth relation defines the distance between the contact points of the first contact element, the second contact element, the third contact element, and / or the fourth contact element. Further comprising a sixteenth parameter indicating,

(c') 상기 전기적 특성을 결정할 때, 상기 제5 관계식에서 상기 제1 거리(y) 또는 상기 추가 거리(y2) 외에 상기 간격이 상기 제16 파라미터로 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
(c ') In determining the electrical property, the interval is used as the sixteenth parameter in addition to the first distance y or the additional distance y 2 in the fifth relation. Lt; / RTI >

35. 제33 추가 특징 및 제34 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 전기적 특성은 홀 시트 저항(RH)이고 상기 제5 관계식(f1,f2)은 추가적인 제1 저항차(△RBB')를 나타내는 제17 파라미터를 더 포함하며, 상기 방법은,35. The method of any one of the thirty-third additional feature and the thirty-fourth additional feature, wherein the electrical property is a hole sheet resistance R H and the fifth relation f 1 , f 2 is an additional first resistance difference ΔR. BB ′ ) further comprises a seventeenth parameter, wherein the method includes:

(d) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단에 추가적인 제1 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제1 전류를 발생시키는 단계,(d) applying an additional first potential across the first and third contact elements to generate an additional first current in the surface portion at the first location,

(e) 상기 제1 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제1 전류를 측정하는 단계,(e) measuring the additional first current through the first or third contact element,

(f) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제1 전압을 측정하는 단계, 및(f) measuring an additional first voltage across the second and fourth contact elements, and

(g) 상기 추가적인 제1 전류 및 상기 추가적인 제1 전압에 기초하여 추가적인 제1 저항값(RB)을 계산하는 단계, 또는(g) calculating an additional first resistance value R B based on the additional first current and the additional first voltage, or

(g') 상기 거리를 추가적인 제1 저항값(RB)으로 결정하는 단계로부터 상기 제1 저항값(RB)을 보유하는 단계, 및(g ') the step of retaining said first resistance value (R B) from the step of determining the distance to the additional first resistance value (R B), and

(h) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제2 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제2 전류를 발생시키는 단계,(h) applying an additional second potential across the second and fourth contact elements to generate an additional second current at the surface portion at the first location,

(i) 상기 제2 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제2 전류를 측정하는 단계,(i) measuring the additional second current through the second or fourth contact element,

(j) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단의 추가적인 제2 전압을 측정하는 단계, 및(j) measuring an additional second voltage across the first and third contact elements, and

(k) 상기 추가적인 제2 전류 및 상기 추가적인 제2 전압에 기초하여 추가적인 제2 저항값(RB')을 계산하는 단계, 또는(k) calculating an additional second resistance value R B ' based on the additional second current and the additional second voltage, or

(k') 상기 거리를 추가적인 제2 저항값(RB')으로 결정하는 단계로부터 상기 제2 저항값(RB')을 보유하는 단계, 및(k ') the step of retaining said second resistance value (R B') from the step of determining the distance further second resistance value (R B 'to), and

(l) 상기 추가적인 제1 저항값과 상기 추가적인 제2 저항값 간의 차에 기초하여 상기 추가적인 제1 저항차(△RBB')를 계산하는 단계, 또는(l) calculating the additional first resistance difference ΔR BB ′ based on the difference between the additional first resistance value and the additional second resistance value, or

(l') 상기 거리를 상기 추가적인 제1 저항차(△RBB')로 결정하는 단계로부터 상기 제1 저항차(RBB')를 보유하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
(l ') retaining the first resistance difference (R BB ′ ) from determining the distance as the additional first resistance difference (ΔR BB ′ ).

36. 제35 추가 특징에 있어서, 상기 제5 관계식은

Figure pct00197
Figure pct00198
와 같고, 여기서 △RBB'는 상기 추가적인 제1 저항차(△RBB')를 나타내고, y는 상기 거리(y) 또는 상기 추가 거리를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
36. The additional aspect 35, wherein the fifth relation is
Figure pct00197
Figure pct00198
ΔR BB ′ represents the additional first resistance difference ΔR BB ′ , and y represents the distance y or remind Represents an additional distance, a represents the spacing between the contact points of the first and second contact elements, b represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c is the third and fourth contacts A distance between the contact points of the elements.

37. 제35 추가 특징 및 제36 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 전기적 특성은 홀 시트 저항(RH)이고 상기 제5 관계식(f2,f3)은 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 나타내는 제17 파라미터를 더 포함하며, 상기 방법은,37. The method of any one of the thirty-five additional features and the thirty-sixth additional features, wherein the electrical characteristic is a hole sheet resistance R H and the fifth relation f 2 , f 3 is an additional second resistance difference ΔR CC ' ) further includes a seventeenth parameter, wherein the method includes:

(d) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단에 추가적인 제3 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제3 전류를 발생시키는 단계,(d) applying an additional third potential across the first and second contact elements to generate an additional third current at the surface portion at the first location,

(e) 상기 제1 또는 상기 제2 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제3 전류를 측정하는 단계,(e) measuring the additional third current through the first or second contact element,

(f) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제3 전압을 측정하는 단계,(f) measuring an additional third voltage across the third and fourth contact elements,

(g) 상기 추가적인 제3 전류 및 상기 추가적인 제3 전압에 기초하여 추가적인 제3 저항값(RC)을 계산하는 단계, 또는 상기 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 포함하는 대안예에서,(g) calculating an additional third resistance value R C based on the additional third current and the additional third voltage, or the steps (i.xii) to (i.xx) In the alternative,

(g') 상기 거리를 추가적인 제3 저항값(RC)으로 결정하는 단계로부터 상기 제3 저항값(RC)을 보유하는 단계, (g ') the step of holding the third resistance value (R C) from the step of determining the distance to an additional third resistance value (R C),

(h) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제4 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제4 전류를 발생시키는 단계,(h) applying an additional fourth potential across the third and fourth contact elements to generate an additional fourth current in the surface portion at the first location,

(i) 상기 제3 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제4 전류를 측정하는 단계,(i) measuring the additional fourth current through the third or fourth contact element,

(j) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단의 추가적인 제4 전압을 측정하는 단계, 및(j) measuring an additional fourth voltage across the first and second contact elements, and

(k) 상기 추가적인 제4 전류 및 상기 추가적인 제4 전압에 기초하여 추가적인 제4 저항값(RC')을 계산하는 단계, 또는 상기 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 포함하는 대안예에서,(k) calculating an additional fourth resistance value R C ′ based on the additional fourth current and the additional fourth voltage, or remind Comprising steps (i.xii) to (i.xx) In the alternative,

(k') 상기 거리를 추가적인 제4 저항값(RC ' )으로 결정하는 단계로부터 상기 제4 저항값(RC')을 보유하는 단계, 및(k ') retaining the fourth resistance value R C' from determining the distance as an additional fourth resistance value R C ' , and

(l) 상기 추가적인 제3 저항값과 상기 추가적인 제4 저항값 간의 차에 기초하여 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 계산하는 단계, 또는 상기 단계 (i.xii) 내지 (i.xx)를 포함하는 대안예에서,(l) calculating the additional second resistance difference ΔR CC ′ based on the difference between the additional third resistance value and the additional fourth resistance value, or Comprising steps (i.xii) to (i.xx) In the alternative,

(l') 상기 거리를 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')로 결정하는 단계로부터 상기 제2 저항차(△RCC')를 보유하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
(l '), characterized in that it comprises the step of holding said second resistance difference (△ R CC') from the step of determining in the second additional resistance difference (△ R CC the distance ") more.

38. 제37 추가 특징에 있어서, 상기 제5 관계식은

Figure pct00199
Figure pct00200
와 같고, 여기서 △RCC'는 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 나타내고, y는 상기 거리(y) 또는 상기 추가 거리를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
38. The additional aspect 37, wherein the fifth relation is
Figure pct00199
Figure pct00200
ΔR CC ′ represents the additional second resistance difference ΔR CC ′ , y represents the distance y or the additional distance, and a is the contact point of the first and second contact elements. Represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements. ≪ / RTI >

39. 제33 추가 특징 및 제34 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 전기적 특성은 홀 시트 저항(RH)이고 상기 제5 관계식(f1)은 추가적인 제3 저항차(△RAA')를 나타내는 제17 파라미터를 더 포함하며, 상기 방법은,39. The method of any one of the thirty-third additional feature and the thirty-fourth additional feature, wherein the electrical property is a hole sheet resistance R H and the fifth relation f 1 is an additional third resistance difference ΔR AA ′ . Further comprising a seventeenth parameter, wherein the method,

(d) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제5 전류를 발생시키는 단계,(d) applying an additional fifth potential across the first and fourth contact elements to generate an additional fifth current at the surface portion at the first location,

(e) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제5 전류를 측정하는 단계, (e) measuring the additional fifth current through the first or fourth contact element,

(f) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 추가적인 제5 전압을 측정하는 단계, 및(f) measuring an additional fifth voltage across the second and third contact elements, and

(g) 상기 추가적인 제5 전류 및 상기 추가적인 제5 전압에 기초하여 추가적인 제5 저항값(RA)을 계산하는 단계, 또는(g) calculating an additional fifth resistance value R A based on the additional fifth current and the additional fifth voltage, or

(g') 상기 거리를 추가적인 제5 저항값(RA)으로 결정하는 단계로부터 상기 제5 저항값(RA)을 보유하는 단계, 및(g ') a step of holding the fifth resistance (R A) from the step of determining the distance to an additional fifth resistance (R A), and

(h) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 추가적인 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제6 전류를 발생시키는 단계,(h) applying an additional sixth potential across the second and third contact elements to generate an additional sixth current in the surface portion at the first location,

(i) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제6 전류를 측정하는 단계,(i) measuring the additional sixth current through the second or third contact element,

(j) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제6 전압을 측정하는 단계, 및(j) measuring an additional sixth voltage across the first and fourth contact elements, and

(k) 상기 추가적인 제6 전류 및 상기 추가적인 제6 전압에 기초하여 추가적인 제6 저항값(RA')을 계산하는 단계, 또는(k) calculating an additional sixth resistance value R A ' based on the additional sixth current and the additional sixth voltage, or

(k') 상기 거리를 추가적인 제5 저항값(RA')으로 결정하는 단계로부터 상기 제6 저항값(RA')을 보유하는 단계, 및(k ') holding the sixth resistance value R A' from determining the distance as an additional fifth resistance value R A ' , and

(l) 상기 추가적인 제5 저항값과 상기 추가적인 제6 저항값 간의 차에 기초하여 상기 추가적인 제3 저항차(△RAA')를 계산하는 단계, 또는(l) calculating the additional third resistance difference ΔR AA ′ based on the difference between the additional fifth resistance value and the additional sixth resistance value, or

(l') 상기 거리를 상기 추가적인 제3 저항차(△RAA')로 결정하는 단계로부터 상기 제3 저항차(△RAA')를 보유하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
(l '), characterized in that it comprises the step of holding the third resistance difference (△ R AA') from the step of determining by said additional third resistance difference (△ R AA the distance ") more.

40. 제39 추가 특징에 있어서, 상기 제5 관계식은

Figure pct00201
Figure pct00202
와 같고, 여기서 △RAA'는 상기 추가적인 제3 저항차(△RAA')를 나타내고, y는 상기 거리(y) 또는 상기 추가 거리를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
40. The additional feature of clause 39, wherein the fifth relational expression is
Figure pct00201
Figure pct00202
ΔR AA ′ represents the additional third resistance difference ΔR AA ′ , y represents the distance y or the additional distance, and a is the contact point of the first and second contact elements. The distance between them, b represents the distance between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the distance between the contact points of the third and fourth contact elements.

41. 제33 추가 특징 및 제34 추가 특징 중 어느 한 특징에 있어서, 상기 전기적 특성은 시트 저항(R0)이고 상기 제5 관계식(g)은 의사 시트 저항(RP)을 나타내는 제17 파라미터를 더 포함하며, 상기 방법은,41. The feature of any one of the thirty-third additional feature and the thirty-fourth additional feature, wherein the electrical characteristic is a sheet resistance R 0 and the fifth relation g is a seventeenth parameter representing a pseudo sheet resistance R P. Further comprising, the method,

(d) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제5 전류를 발생시키는 단계,(d) applying an additional fifth potential across the first and fourth contact elements to generate an additional fifth current at the surface portion at the first location,

(e) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제5 전류를 측정하는 단계, (e) measuring the additional fifth current through the first or fourth contact element,

(f) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 추가적인 제5 전압을 측정하는 단계,(f) measuring an additional fifth voltage across the second and third contact elements,

(g) 상기 추가적인 제5 전류 및 상기 추가적인 제5 전압에 기초하여 추가적인 제5 저항값(RA)을 계산하는 단계, 또는(g) calculating an additional fifth resistance value R A based on the additional fifth current and the additional fifth voltage, or

(g') 상기 거리를 추가적인 제5 저항값(RA)으로 결정하는 단계로부터 상기 제5 저항값(RA)을 보유하는 단계, 및(g ') a step of holding the fifth resistance (R A) from the step of determining the distance to an additional fifth resistance (R A), and

(h) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 추가적인 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제6 전류를 발생시키는 단계,(h) applying an additional sixth potential across the second and third contact elements to generate an additional sixth current in the surface portion at the first location,

(i) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제6 전류를 측정하는 단계,(i) measuring the additional sixth current through the second or third contact element,

(j) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제6 전압을 측정하는 단계, (j) measuring an additional sixth voltage across the first and fourth contact elements,

(k) 상기 추가적인 제6 전류 및 상기 추가적인 제6 전압에 기초하여 추가적인 제6 저항값(RA')을 계산하는 단계, 또는(k) calculating an additional sixth resistance value R A ' based on the additional sixth current and the additional sixth voltage, or

(k') 상기 거리를 추가적인 제5 저항값(RA')으로 결정하는 단계로부터 상기 제6 저항값(RA')을 보유하는 단계, 및(k ') holding the sixth resistance value R A' from determining the distance as an additional fifth resistance value R A ' , and

(l) 상기 추가적인 제5 저항값(RA') 및 상기 추가적인 제6 저항값(RA')의 제5 저항 평균(

Figure pct00203
)을 계산하는 단계, (l) a fifth resistance average of the additional fifth resistance value R A ′ and the additional sixth resistance value R A ′ (
Figure pct00203
),

(d") 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단에 추가적인 제1 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제1 전류를 발생시키는 단계,(d ") applying an additional first potential across said first and third contact elements to generate an additional first current in said surface portion at said first location,

(e") 상기 제1 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제1 전류를 측정하는 단계, (e ") measuring said additional first current through said first or third contact element,

(f") 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제1 전압을 측정하는 단계,(f ") measuring an additional first voltage across said second and fourth contact elements,

(g") 상기 추가적인 제1 전류 및 상기 추가적인 제1 전압에 기초하여 추가적인 제1 저항값(RB)을 계산하는 단계, 또는(g ") calculating an additional first resistance value R B based on said additional first current and said additional first voltage, or

(g''') 상기 거리를 추가적인 제1 저항값(RB)으로 결정하는 단계로부터 상기 제1 저항값(RB)을 보유하는 단계, 및(g ''') comprising: holding the first resistance value (R B) from the step of determining the distance to the additional first resistance value (R B), and

(h") 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제2 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제2 전류를 발생시키는 단계,(h ") applying an additional second potential across said second and fourth contact elements to generate an additional second current in said surface portion at said first location,

(i") 상기 제2 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제2 전류를 측정하는 단계,(i ") measuring said additional second current through said second or fourth contact element,

(j") 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단의 추가적인 제2 전압을 측정하는 단계, (j ") measuring an additional second voltage across said first and third contact elements,

(k") 상기 추가적인 제2 전류 및 상기 추가적인 제2 전압에 기초하여 추가적인 제2 저항값(RB')을 계산하는 단계, 또는(k ″) calculating an additional second resistance value R B ′ based on the additional second current and the additional second voltage, or

(k''') 상기 거리를 추가적인 제2 저항값(RB')으로 결정하는 단계로부터 상기 제2 저항값(RB')을 보유하는 단계, 및(k ''') retaining the second resistance value R B' from determining the distance as an additional second resistance value R B ' , and

(l") 상기 추가적인 제1 저항값(RB) 및 상기 추가적인 제2 저항값(RB')의 제6 저항 평균(

Figure pct00204
)을 계산하는 단계, 및(l ″) a sixth resistance average of the additional first resistance value R B and the additional second resistance value R B ′ (
Figure pct00204
), And

(m) 상기 제5 저항 평균(

Figure pct00205
), 상기 제6 저항 평균(
Figure pct00206
), 및 상기 의사 시트 저항(RP)을 각각 나타내는 제18, 제19, 및 제20 파라미터를 포함하는 제6 관계식을 정의하는 단계,(m) the fifth resistance average (
Figure pct00205
), The sixth resistance average (
Figure pct00206
), And defining a sixth relationship including the eighteenth, nineteenth, and twentieth parameters representing the pseudo sheet resistance R P , respectively.

(n) 상기 제6 관계식에서 상기 제5 저항 평균(

Figure pct00207
) 및 상기 제6 저항 평균(
Figure pct00208
)을 각각 상기 제18 파라미터 및 상기 제19 파라미터로서 이용하여 상기 의사 시트 저항(RP)을 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
(n) the fifth resistance average in the sixth equation (
Figure pct00207
) And the sixth resistance average (
Figure pct00208
) Determining the pseudo sheet resistance R P using the eighteenth parameter and the nineteenth parameter, respectively.

42. 제41 추가 특징에 있어서, 상기 제6 관계식은

Figure pct00209
와 같고, 여기서 RP는 상기 의사 시트 저항이고,
Figure pct00210
는 상기 제1 저항 평균이며,
Figure pct00211
는 상기 제2 저항 평균인 것을 특징으로 하는 방법.
42. The additional feature of clause 41 wherein the sixth relation is
Figure pct00209
, Wherein R P is the pseudo sheet resistance,
Figure pct00210
Is the first Resistance average,
Figure pct00211
Is the second A resistance average.

43. 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 전기적 경계 간의 거리를 결정하는 장치로서, 43. An apparatus for determining a distance between a first location on an electrically conductive surface portion of a test sample and an electrical boundary of the electrically conductive surface portion;

제1 접촉 요소, 제2 접촉 요소, 제3 접촉 요소, 및 제4 접촉 요소를 포함하는 멀티 추가 포인트 프로브 - 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점을 정의함 -, 및A multi additional point probe comprising a first contact element, a second contact element, a third contact element, and a fourth contact element, each contact element defining a contact point for establishing electrical contact with the test sample; and

제1 추가 특징 내지 제32 추가 특징 중 어느 한 특징에 따른 상기 거리 또는 추가 거리를 결정하는 방법을 수행하도록 구성된 제어 유닛Any of the first to thirty-second additional features A control unit configured to perform a method of determining the distance or an additional distance according to a feature

을 포함하는 장치.
/ RTI >

44. 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치에서 전기적 특성을 결정하는 장치로서,44. An apparatus for determining electrical properties at a first location on an electrically conductive surface of a test sample, wherein

제1 접촉 요소, 제2 접촉 요소, 제3 접촉 요소, 및 제4 접촉 요소를 포함하는 멀티 추가 포인트 프로브 - 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점을 정의함 -, 및A multi additional point probe comprising a first contact element, a second contact element, a third contact element, and a fourth contact element, each contact element defining a contact point for establishing electrical contact with the test sample; and

제33 추가 특징 내지 제42 추가 특징 중 어느 한 특징에 따른 상기 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치에서 전기적 특성을 결정하는 방법을 수행하도록 구성된 제어 유닛을 포함하는 장치. An apparatus comprising a control unit configured to perform a method of determining electrical characteristics at a first location on an electrically conductive surface portion of the test sample according to any one of the 33rd to 42nd additional features.

12: 제2 접촉 요소
14: 제3 접촉 요소
16: 제4 접촉 요소
18: 프로브 몸체
20: 제1 접촉 요소의 접촉점
22: 제2 접촉 요소의 접촉점
24: 제3 접촉 요소의 접촉점
26: 제4 접촉 요소의 접촉점
30: 테스트 샘플
32: 표면부
33: 측면
34: 전기적 경계
36: 멀티 포인트 프로브
40: 공통 라인
42: 선형 부분
44: 전기적으로 비전도성인 표면부
50-62: 접촉 요소
70-82: 접촉점
90: 공통 라인
12: second contact element
14: third contact element
16: fourth contact element
18: probe body
20: contact point of the first contact element
22: contact point of the second contact element
24: contact point of the third contact element
26: contact point of the fourth contact element
30: test sample
32: surface portion
33: Side
34: electrical boundaries
36: multi-point probe
40: common line
42: linear part
44: Electrically nonconductive surface
50-62: contact element
70-82: contact point
90: common line

Claims (48)

테스트 샘플(test sample)의 전기적으로 전도성(electrically conducting)인 표면부 상의 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 전기적 경계(electrical boundary) 간의 거리를 제1 접촉 요소(contact element), 제2 접촉 요소, 제3 접촉 요소, 및 제4 접촉 요소를 포함하는 멀티 포인트 프로브(multi-point probe)에 의해 결정하는 방법으로서 - 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점(contact point)을 정의함 - ,
(i.i) 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치에서 상기 테스트 샘플을 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및 상기 제4 접촉 요소와 접촉시키는 단계,
(i.ii) 상기 제1 위치에서 상기 전기적으로 전도성인 표면부에 수직인 주 자기장 성분(major field component)을 갖는 자기장(magnetic field)을 인가하는 단계,
(i.iii) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단에 제1 전위(electrical potential)를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제1 전류를 발생시키는 단계,
(i.iv) 상기 제1 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제1 전류를 측정하는 단계,
(i.v) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단의 제1 전압을 측정하는 단계,
(i.vi) 상기 제1 전류 및 상기 제1 전압에 기초하여 제1 저항값(RB)을 계산하는 단계,
(i.vii) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단에 제2 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제2 전류를 발생시키는 단계,
(i.viii) 상기 제2 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제2 전류를 측정하는 단계,
(i.ix) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단의 제2 전압을 측정하는 단계,
(i.x) 상기 제2 전류 및 상기 제2 전압에 기초하여 제2 저항값(RB')을 계산하는 단계,
(i.xi) 상기 제1 저항값과 상기 제2 저항값 간의 차에 기초하여 제1 저항차(△RBB')를 계산하는 단계,
(i.xii) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단에 제3 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제3 전류를 발생시키는 단계,
(i.xiii) 상기 제1 또는 상기 제2 접촉 요소를 통과하는 상기 제3 전류를 측정하는 단계,
(i.xiv) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단의 제3 전압을 측정하는 단계,
(i.xv) 상기 제3 전류 및 상기 제3 전압에 기초하여 제3 저항값(RC)을 계산하는 단계,
(i.xvi) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단에 제4 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제4 전류를 발생시키는 단계,
(i.xvii) 상기 제3 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제4 전류를 측정하는 단계,
(i.xviii) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단의 제4 전압을 측정하는 단계,
(i.xix) 상기 제4 전류 및 상기 제4 전압에 기초하여 제4 저항값(RC')을 계산하는 단계,
(i.xx) 상기 제3 저항값과 상기 제4 저항값 간의 차에 기초하여 제2 저항차(△RCC')를 계산하는 단계,
(i.xxi) 상기 제1 저항차, 상기 제2 저항차, 및 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리를 각각 나타내는 제1, 제2, 및 제3 파라미터를 포함하는 제1 관계식(f)을 정의하는 단계, 및
(i.xxii) 상기 제1 관계식에서 상기 제1 및 제2 저항차(△RBB', △RCC', △RBB',2)를 각각 상기 제1 및 제2 파라미터로서 이용하여 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리(y)를 나타내는 상기 제3 파라미터를 결정하는 단계
를 포함하는 방법.
The distance between the first position on the electrically conducting surface portion of the test sample and the electrical boundary of the electrically conductive surface portion is determined by a first contact element, a second contact. A method of determining by a multi-point probe comprising an element, a third contact element, and a fourth contact element, each contact element having a contact point for establishing electrical contact with the test sample. )-,
(ii) the test sample with the first contact element, the second contact element, the third contact element, and the fourth contact element at the first location on the electrically conductive surface portion. Contacting,
(i.ii) applying a magnetic field having a major field component perpendicular to the electrically conductive surface portion at the first position,
(i.iii) applying a first electrical potential across the first and third contact elements to generate a first current in the surface portion at the first location,
(i.iv) passing through the first or third contact element Measuring the first current;
(iv) measuring a first voltage across the second and fourth contact elements,
(i.vi) calculating a first resistance value R B based on the first current and the first voltage,
(i.vii) applying a second potential across the second and fourth contact elements to generate a second current in the surface portion at the first position,
(i.viii) measuring the second current through the second or fourth contact element,
(i.ix) measuring a second voltage across the first and third contact elements,
(ix) calculating a second resistance value R B ′ based on the second current and the second voltage,
(i.xi) calculating a first resistance difference ΔR BB ′ based on a difference between the first resistance value and the second resistance value,
(i.xii) applying a third potential across the first and second contact elements to generate a third current in the surface portion at the first location,
(i.xiii) measuring the third current through the first or second contact element,
(i.xiv) measuring a third voltage across the third and fourth contact elements,
(i.xv) calculating a third resistance value R C based on the third current and the third voltage,
(i.xvi) applying a fourth potential across the third and fourth contact elements to generate a fourth current in the surface portion at the first position,
(i.xvii) measuring the fourth current through the third or fourth contact element,
(i.xviii) measuring a fourth voltage across the first and second contact elements,
(i.xix) calculating a fourth resistance value R C ′ based on the fourth current and the fourth voltage,
(i.xx) calculating a second resistance difference ΔR CC ′ based on the difference between the third resistance value and the fourth resistance value,
(i.xxi) A first relation f comprising first, second, and third parameters representing the first resistance difference, the second resistance difference, and the distance between the first position and the electrical boundary, respectively. ), And
(i.xxii) wherein the using in the first equation of the first and second resistance difference (△ R BB ', △ R CC', △ R BB ', 2) to each of the first and a second parameters Determining the third parameter representing the distance y between one location and the electrical boundary
≪ / RTI >
테스트 샘플(test sample)의 전기적으로 전도성(electrically conducting)인 표면부 상의 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 전기적 경계(electrical boundary) 간의 거리를 제1 접촉 요소(contact element), 제2 접촉 요소, 제3 접촉 요소, 및 제4 접촉 요소를 포함하는 멀티 포인트 프로브(multi-point probe)에 의해 결정하는 방법으로서 - 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점(contact point)을 정의함 - ,
(i.i) 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치에서 상기 테스트 샘플을 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및 상기 제4 접촉 요소와 접촉시키는 단계,
(i.ii) 상기 제1 위치에서 상기 전기적으로 전도성인 표면부에 수직인 주 자기장 성분(field component)을 갖는 자기장(magnetic field)을 인가하는 단계,
(i.iii) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단에 제1 전위(electrical potential)를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제1 전류를 발생시키는 단계,
(i.iv) 상기 제1 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제1 전류를 측정하는 단계,
(i.v) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단의 제1 전압을 측정하는 단계,
(i.vi) 상기 제1 전류 및 상기 제1 전압에 기초하여 제1 저항값(RB)을 계산하는 단계,
(i.vii) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단에 제2 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제2 전류를 발생시키는 단계,
(i.viii) 상기 제2 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제2 전류를 측정하는 단계,
(i.ix) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단의 제2 전압을 측정하는 단계,
(i.x) 상기 제2 전류 및 상기 제2 전압에 기초하여 제2 저항값(RB')을 계산하는 단계,
(i.xi) 상기 제1 저항값과 상기 제2 저항값 간의 차에 기초하여 제1 저항차(△RBB')를 계산하는 단계 - 상기 멀티 포인트 프로브는 복수의 접촉 요소를 포함하고, 상기 복수의 접촉 요소는 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 상기 제4 접촉 요소 및 하나 이상의 추가 접촉 요소를 포함하고, 상기 하나 이상의 추가 접촉 요소 각각은 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점을 정의함 -,
(ii.xii) 상기 복수의 접촉 요소 중 제1 구성의 접촉 요소를 정의하는 단계 - 상기 제1 구성의 접촉 요소는 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및 상기 제4 접촉 요소로 구성됨 -,
(ii.xiii) 상기 복수의 접촉 요소 중 제2 구성의 접촉 요소를 정의하는 단계 - 상기 제2 구성의 접촉 요소는 제5 접촉 요소, 제6 접촉 요소, 제7 접촉 요소, 및 제8 접촉 요소로 구성되고, 상기 제2 구성의 접촉 요소 중 적어도 하나의 접촉 요소는 상기 하나 이상의 추가 접촉 요소의 접촉 요소임 -,
(ii.xiv) 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치에서 상기 테스트 샘플을 상기 제2 구성의 접촉 요소 중 상기 접촉 요소와 접촉시키는 동시에 상기 테스트 샘플을 상기 제1 구성의 접촉 요소 중 상기 접촉 요소와 접촉시키는 단계,
(ii.xv) 상기 제5 및 제7 접촉 요소 양단에 제3 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제3 전류를 발생시키는 단계,
(ii.xvi) 상기 제5 또는 상기 제7 접촉 요소를 통과하는 상기 제3 전류를 측정하는 단계,
(ii.xvii) 상기 제6 및 제8 접촉 요소 양단의 제3 전압을 측정하는 단계,
(ii.xviii) 상기 제3 전류 및 상기 제3 전압에 기초하여 제3 저항값(RB ,2)을 계산하는 단계,
(ii.xix) 상기 제6 및 제8 접촉 요소 양단에 제4 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제4 전류를 발생시키는 단계,
(ii.xx) 상기 제6 또는 상기 제8 접촉 요소를 통과하는 상기 제4 전류를 측정하는 단계,
(ii.xxi) 상기 제5 및 제7 접촉 요소 양단의 제4 전압을 측정하는 단계,
(ii.xxii) 상기 제4 전류 및 상기 제4 전압에 기초하여 제4 저항값(RB' ,2)을 계산하는 단계,
(ii.xxiii) 상기 제3 저항값과 상기 제4 저항값 간의 차에 기초하여 제2 저항차(△RBB' ,2)를 계산하는 단계,
(i.xxi) 상기 제1 저항차, 상기 제2 저항차, 및 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리를 각각 나타내는 제1, 제2, 및 제3 파라미터를 포함하는 제1 관계식(f)을 정의하는 단계, 및
(i.xxii) 상기 제1 관계식에서 상기 제1 및 제2 저항차(△RBB', △RCC', △RBB',2)를 각각 상기 제1 및 제2 파라미터로서 이용하여 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리(y)를 나타내는 상기 제3 파라미터를 결정하는 단계
를 포함하는 방법.
The distance between the first position on the electrically conducting surface portion of the test sample and the electrical boundary of the electrically conductive surface portion is determined by a first contact element, a second contact. A method of determining by a multi-point probe comprising an element, a third contact element, and a fourth contact element, each contact element having a contact point for establishing electrical contact with the test sample. )-,
(ii) contacting the test sample with the first contact element, the second contact element, the third contact element, and the fourth contact element at the first location on the electrically conductive surface portion,
(i.ii) applying a magnetic field having a field component perpendicular to the electrically conductive surface portion at the first position,
(i.iii) applying a first electrical potential across the first and third contact elements to generate a first current in the surface portion at the first location,
(i.iv) measuring the first current through the first or third contact element,
(iv) measuring a first voltage across the second and fourth contact elements,
(i.vi) calculating a first resistance value R B based on the first current and the first voltage,
(i.vii) applying a second potential across the second and fourth contact elements to generate a second current in the surface portion at the first position,
(i.viii) measuring the second current through the second or fourth contact element,
(i.ix) measuring a second voltage across the first and third contact elements,
(ix) calculating a second resistance value R B ′ based on the second current and the second voltage,
(i.xi) calculating a first resistance difference ΔR BB ′ based on the difference between the first resistance value and the second resistance value, wherein the multi-point probe includes a plurality of contact elements, and The plurality of contact elements includes the first contact element, the second contact element, the third contact element, the fourth contact element and one or more additional contact elements, each of the one or more additional contact elements being associated with the test sample. Defines a contact point for establishing electrical contact with
(ii.xii) defining a contact element of a first configuration of the plurality of contact elements, wherein the contact element of the first configuration comprises the first contact element, the second contact element, the third contact element, and the Consisting of the fourth contact element-,
(ii.xiii) defining a contact element of a second configuration of the plurality of contact elements, wherein the contact element of the second configuration is a fifth contact element, a sixth contact element, a seventh contact element, and an eighth contact element. Wherein at least one of the contact elements of the second configuration is a contact element of the one or more additional contact elements,
(ii.xiv) contacting said test sample with said contact element of said second configuration at said first location on said electrically conductive surface portion while simultaneously bringing said test sample into said contact element of said first configuration; Contacting with the contact element,
(ii.xv) applying a third potential across the fifth and seventh contact elements to generate a third current in the surface portion at the first position,
(ii.xvi) measuring the third current through the fifth or seventh contact element,
(ii.xvii) measuring a third voltage across the sixth and eighth contact elements,
(ii.xviii) calculating a third resistance value R B , 2 based on the third current and the third voltage,
(ii.xix) applying a fourth potential across the sixth and eighth contact elements to generate a fourth current in the surface portion at the first position,
(ii.xx) measuring the fourth current through the sixth or eighth contact element,
(ii.xxi) measuring a fourth voltage across the fifth and seventh contact elements,
(ii.xxii) calculating a fourth resistance value R B ′ , 2 based on the fourth current and the fourth voltage,
(ii.xxiii) calculating a second resistance difference ΔR BB ′ , 2 based on the difference between the third resistance value and the fourth resistance value,
(i.xxi) A first relation f comprising first, second, and third parameters representing the first resistance difference, the second resistance difference, and the distance between the first position and the electrical boundary, respectively. ), And
(i.xxii) wherein the using in the first equation of the first and second resistance difference (△ R BB ', △ R CC', △ R BB ', 2) to each of the first and a second parameters Determining the third parameter representing the distance y between one location and the electrical boundary
≪ / RTI >
제2항에 있어서,
(iii.xxiv) 상기 제1 저항값(RB) 및 상기 제2 저항값(RB')의 제1 저항 평균(
Figure pct00212
)을 계산하는 단계,
(iii.xxv) 상기 제3 저항값(RB ,2) 및 상기 제4 저항값(RB' ,2)의 제2 저항 평균(
Figure pct00213
)을 계산하는 단계,
(iii.xxvi) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제5 전류를 발생시키는 단계,
(iii.xxvii) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제5 전류를 측정하는 단계,
(iii.xxviii) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 제5 전압을 측정하는 단계,
(iii.xxix) 상기 제5 전류 및 상기 제5 전압에 기초하여 제5 저항값(RA ,1)을 계산하는 단계,
(iii.xxx) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제6 전류를 발생시키는 단계,
(iii.xxxi) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제6 전류를 측정하는 단계,
(iii.xxxii) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 제6 전압을 측정하는 단계,
(iii.xxxiii) 상기 제6 전류 및 상기 제6 전압에 기초하여 제6 저항값(RA' ,1)을 계산하는 단계,
(iii.xxxiv) 상기 제5 저항값(RA ,1) 및 상기 제6 저항값(RA' ,1)의 제3 저항 평균(
Figure pct00214
)을 계산하는 단계,
(iii.xxxv) 상기 제5 및 제8 접촉 요소 양단에 제7 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제7 전류를 발생시키는 단계,
(iii.xxxvi) 상기 제5 또는 상기 제8 접촉 요소를 통과하는 상기 제7 전류를 측정하는 단계,
(iii.xxxvii) 상기 제6 및 제7 접촉 요소 양단의 제7 전압을 측정하는 단계,
(iii.xxxviii) 상기 제7 전류 및 상기 제7 전압에 기초하여 제7 저항값(RA ,2)을 계산하는 단계,
(iii.xxxix) 상기 제6 및 제7 접촉 요소 양단에 제8 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제8 전류를 발생시키는 단계,
(iii.xl) 상기 제6 또는 상기 제7 접촉 요소를 통과하는 상기 제8 전류를 측정하는 단계,
(iii.xli) 상기 제5 및 제8 접촉 요소 양단의 제8 전압을 측정하는 단계,
(iii.xlii) 상기 제8 전류 및 상기 제8 전압에 기초하여 제8 저항값(RA' ,2)을 계산하는 단계,
(iii.xliii) 상기 제7 저항값(RA ,2) 및 상기 제8 저항값(RA' ,2)의 제4 저항 평균(
Figure pct00215
)을 계산하는 단계,
(iii.xliv) 상기 제1 저항 평균(
Figure pct00216
), 상기 제3 저항 평균(
Figure pct00217
), 및 제1 의사 시트(pseudo sheet) 저항(RP ,1)을 각각 나타내는 제4, 제5, 및 제6 파라미터를 포함하는 제2 관계식을 정의하는 단계,
(iii.xlv) 상기 제2 관계식에서 상기 제1 저항 평균(
Figure pct00218
) 및 상기 제3 저항 평균(
Figure pct00219
)을 각각 상기 제4 파라미터 및 상기 제5 파라미터로서 이용하여 상기 제1 의사 시트 저항(RP ,1)을 나타내는 상기 제6 파라미터를 결정하는 단계,
(iii.xlvi) 상기 제2 저항 평균(
Figure pct00220
), 상기 제4 저항 평균(
Figure pct00221
), 및 제2 의사 시트 저항(RP ,2)을 각각 나타내는 제7, 제8, 및 제9 파라미터를 포함하는 제3 관계식을 정의하는 단계,
(iii.xlvii) 상기 제3 관계식에서 상기 제2 저항 평균(
Figure pct00222
) 및 상기 제4 저항 평균(
Figure pct00223
)을 각각 상기 제7 파라미터 및 상기 제8 파라미터로서 이용하여 상기 제2 의사 시트 저항(RP ,2)을 나타내는 상기 제9 파라미터를 결정하는 단계,
(iii.xlviii) 상기 제1 의사 시트 저항(RP ,1), 상기 제2 의사 시트 저항(RP ,2), 및 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리를 각각 나타내는 제10, 제11, 및 제12 파라미터를 포함하는 제4 관계식(gD)을 정의하는 단계, 및
(iii.xlix) 상기 제4 관계식(gD)에서 상기 제1 및 제2 의사 시트 저항(RP ,1, RP,2)을 각각 상기 제10 및 제11 파라미터로서 이용하여 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 추가 거리(y2)를 나타내는 상기 제12 파라미터를 결정하는 단계
더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
3. The method of claim 2,
(iii.xxiv) a first average resistance of the first resistance value (R B) and said second resistance value (R B ') (
Figure pct00212
),
(iii.xxv) a second resistance average of the third resistance value R B , 2 and the fourth resistance value R B ′ , 2 ;
Figure pct00213
),
(iii.xxvi) applying a fifth potential across the first and fourth contact elements to generate a fifth current in the surface portion at the first location,
(iii.xxvii) measuring the fifth current through the first or fourth contact element,
(iii.xxviii) measuring a fifth voltage across the second and third contact elements,
(iii.xxix) calculating a fifth resistance value R A , 1 based on the fifth current and the fifth voltage,
(iii.xxx) applying a sixth potential across the second and third contact elements to generate a sixth current in the surface portion at the first location,
(iii.xxxi) measuring the sixth current through the second or third contact element,
(iii.xxxii) measuring a sixth voltage across the first and fourth contact elements,
(iii.xxxiii) calculating a sixth resistance value R A ′ , 1 based on the sixth current and the sixth voltage,
(iii.xxxiv) a third resistance average of the fifth resistance value R A , 1 and the sixth resistance value R A ′ , 1 ;
Figure pct00214
),
(iii.xxxv) applying a seventh potential across the fifth and eighth contact elements to generate a seventh current in the surface portion at the first position,
(iii.xxxvi) measuring the seventh current through the fifth or eighth contact element,
(iii.xxxvii) measuring a seventh voltage across the sixth and seventh contact elements,
(iii.xxxviii) calculating a seventh resistance value R A , 2 based on the seventh current and the seventh voltage,
(iii.xxxix) applying an eighth potential across the sixth and seventh contact elements to generate an eighth current in the surface portion at the first position,
(iii.xl) measuring the eighth current through the sixth or seventh contact element,
(iii.xli) measuring an eighth voltage across the fifth and eighth contact elements,
(iii.xlii) calculating an eighth resistance value R A ′ , 2 based on the eighth current and the eighth voltage,
(iii.xliii) a fourth resistance average of the seventh resistance value R A , 2 and the eighth resistance value R A ′ , 2 (
Figure pct00215
),
(iii.xliv) the first resistance average (
Figure pct00216
), The third resistance average (
Figure pct00217
) And a second relationship comprising fourth, fifth, and sixth parameters representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 , respectively,
(iii.xlv) the average of the first resistance in the second relation (
Figure pct00218
) And the third resistance average (
Figure pct00219
Determining each of the sixth parameters representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 using R as the fourth parameter and the fifth parameter, respectively.
(iii.xlvi) the second resistance average (
Figure pct00220
), The fourth resistance average (
Figure pct00221
), And defining a third relationship comprising seventh, eighth, and ninth parameters representing the second pseudo sheet resistance R P , 2 , respectively,
(iii.xlvii) the second resistance mean in the third relation
Figure pct00222
) And the fourth resistance average (
Figure pct00223
Determining the ninth parameter representing the second pseudo sheet resistance R P , 2 using each of the seventh parameter and the eighth parameter,
(iii.xlviii) the tenth and the third representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 , the second pseudo sheet resistance R P , 2 , and the distance between the first position and the electrical boundary, respectively. Defining a fourth relation g D comprising 11, and a twelfth parameter, and
(iii.xlix) the first position using the first and second pseudo sheet resistances R P , 1 , R P, 2 as the tenth and eleventh parameters, respectively , in the fourth relation g D ; Determining the twelfth parameter indicative of an additional distance y 2 between the electrical boundary and the electrical boundary.
To To include more Lt; / RTI >
제3항에 있어서, 상기 제4 관계식은 RP ,1/RP ,2=gD(y)와 같고, 여기서 RP , 1는 상기 제1 의사 시트 저항을 나타내고, RP ,2는 상기 제2 의사 시트 저항을 나타내고, gD는 상기 거리 y를 파라미터로서 포함하는 함수를 나타내며, 상기 함수 gD는 특정 거리에서 피크값을 정의하고, 상기 함수 gD는 상기 거리의 함수가 상기 특정 거리 미만(below)일 때 증가하고 상기 거리의 함수가 상기 특정 거리를 초과할 때 감소하며,
상기 방법은,
(iii.xlx) 상기 거리와 상기 특정 거리를 비교하여 상기 제4 관계식에서 상기 추가 거리가 상기 특정 거리 미만 또는 초과인지를 판단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
The method of claim 3, wherein the fourth relation is equal to R P , 1 / R P , 2 = g D (y), wherein R P , 1 represents the first pseudo sheet resistance, and R P , 2 represents the above Represents a second pseudo sheet resistance, g D represents a function comprising the distance y as a parameter, the function g D defines a peak value at a specific distance, and the function g D is a function of the distance Increases when it is below and decreases when the function of the distance exceeds the specific distance,
The method comprises:
(iii.xlx) comparing the distance with the specific distance to determine whether the additional distance is less than or greater than the specific distance in the fourth relationship.
제2항에 있어서,
(iii.xxiv) 상기 제1 저항값(RB) 및 상기 제2 저항값(RB')의 제1 저항 평균(
Figure pct00224
)을 계산하는 단계,
(iii.xxv) 상기 제3 저항값(RB ,2) 및 상기 제4 저항값(RB' ,2)의 제2 저항 평균(
Figure pct00225
)을 계산하는 단계,
(iii.xxvi) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제5 전류를 발생시키는 단계,
(iii.xxvii) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제5 전류를 측정하는 단계,
(iii.xxviii) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 제5 전압을 측정하는 단계,
(iii.xxix) 상기 제5 전류 및 상기 제5 전압에 기초하여 제5 저항값(RA ,1)을 계산하는 단계,
(iii.xxx) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제6 전류를 발생시키는 단계,
(iii.xxxi) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제6 전류를 측정하는 단계,
(iii.xxxii) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 제6 전압을 측정하는 단계,
(iii.xxxiii) 상기 제6 전류 및 상기 제6 전압에 기초하여 제6 저항값(RA' ,1)을 계산하는 단계,
(iii.xxxiv) 상기 제5 저항값(RA ,1) 및 상기 제6 저항값(RA' ,1)의 제3 저항 평균(
Figure pct00226
)을 계산하는 단계,
(iii.xxxv) 상기 제5 및 제8 접촉 요소 양단에 제7 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제7 전류를 발생시키는 단계,
(iii.xxxvi) 상기 제5 또는 상기 제8 접촉 요소를 통과하는 상기 제7 전류를 측정하는 단계,
(iii.xxxvii) 상기 제6 및 제7 접촉 요소 양단의 제7 전압을 측정하는 단계,
(iii.xxxviii) 상기 제7 전류 및 상기 제7 전압에 기초하여 제7 저항값(RA ,2)을 계산하는 단계,
(iii.xxxix) 상기 제6 및 제7 접촉 요소 양단에 제8 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제8 전류를 발생시키는 단계,
(iii.xl) 상기 제6 또는 상기 제7 접촉 요소를 통과하는 상기 제8 전류를 측정하는 단계,
(iii.xli) 상기 제5 및 제8 접촉 요소 양단의 제8 전압을 측정하는 단계,
(iii.xlii) 상기 제8 전류 및 상기 제8 전압에 기초하여 제8 저항값(RA' ,2)을 계산하는 단계,
(iii.xliii) 상기 제7 저항값(RA ,2) 및 상기 제8 저항값(RA' ,2)의 제4 저항 평균(
Figure pct00227
)을 계산하는 단계,
(iii.xliv) 상기 제1 저항 평균(
Figure pct00228
), 상기 제3 저항 평균(
Figure pct00229
), 및 제1 의사 시트(pseudo sheet) 저항(RP ,1)을 각각 나타내는 제4, 제5, 및 제6 파라미터를 포함하는 제2 관계식을 정의하는 단계,
(iii.xlv) 상기 제2 관계식에서 상기 제1 저항 평균(
Figure pct00230
) 및 상기 제3 저항 평균(
Figure pct00231
)을 각각 상기 제4 파라미터 및 상기 제5 파라미터로서 이용하여 상기 제1 의사 시트 저항(RP ,1)을 나타내는 상기 제6 파라미터를 결정하는 단계,
(iii.xlvi) 상기 제2 저항 평균(
Figure pct00232
), 상기 제4 저항 평균(
Figure pct00233
), 및 제2 의사 시트 저항(RP ,2)을 각각 나타내는 제7, 제8, 및 제9 파라미터를 포함하는 제3 관계식을 정의하는 단계,
(iii.xlvii) 상기 제3 관계식에서 상기 제2 저항 평균(
Figure pct00234
) 및 상기 제4 저항 평균(
Figure pct00235
)을 각각 상기 제7 파라미터 및 상기 제8 파라미터로서 이용하여 상기 제2 의사 시트 저항(RP ,2)을 나타내는 상기 제9 파라미터를 결정하는 단계, 및
(iii.xlviii) 상기 제1 의사 시트 저항(RP ,1), 상기 제2 의사 시트 저항(RP ,2), 및 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리를 각각 나타내는 제10, 제11, 및 제12 파라미터를 포함하는 제4 관계식(gD)을 정의하는 단계 - 상기 제2 구성의 상기 접촉 요소는 상기 테스트 샘플의 상기 전기적으로 전도성인 표면부와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 상기 전기적 경계 간의 추가 거리(y2)를 나타내고, 상기 제1 관계식(fD)은 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 추가 거리를 나타내는 제13 파라미터를 더 포함하고, 상기 제4 관계식(gD)은 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 추가 거리를 나타내는 제14 파라미터를 더 포함함 -
를 더 포함하고,
상기 방법은,
(iv.xlix) 상기 제4 관계식(gD)에서 상기 제1 및 제2 의사 시트 저항(RP ,1, RP,2)을 각각 상기 제10 및 제11 파라미터로서 이용하여 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리(y) 및 상기 추가 거리(y2)를 각각 나타내는 상기 제13 파라미터 및 상기 제14 파라미터를 동시에 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
3. The method of claim 2,
(iii.xxiv) a first average resistance of the first resistance value (R B) and said second resistance value (R B ') (
Figure pct00224
),
(iii.xxv) a second resistance average of the third resistance value R B , 2 and the fourth resistance value R B ′ , 2 ;
Figure pct00225
),
(iii.xxvi) applying a fifth potential across the first and fourth contact elements to generate a fifth current in the surface portion at the first location,
(iii.xxvii) measuring the fifth current through the first or fourth contact element,
(iii.xxviii) measuring a fifth voltage across the second and third contact elements,
(iii.xxix) calculating a fifth resistance value R A , 1 based on the fifth current and the fifth voltage,
(iii.xxx) applying a sixth potential across the second and third contact elements to generate a sixth current in the surface portion at the first location,
(iii.xxxi) measuring the sixth current through the second or third contact element,
(iii.xxxii) measuring a sixth voltage across the first and fourth contact elements,
(iii.xxxiii) calculating a sixth resistance value R A ′ , 1 based on the sixth current and the sixth voltage,
(iii.xxxiv) a third resistance average of the fifth resistance value R A , 1 and the sixth resistance value R A ′ , 1 ;
Figure pct00226
),
(iii.xxxv) applying a seventh potential across the fifth and eighth contact elements to generate a seventh current in the surface portion at the first position,
(iii.xxxvi) measuring the seventh current through the fifth or eighth contact element,
(iii.xxxvii) measuring a seventh voltage across the sixth and seventh contact elements,
(iii.xxxviii) calculating a seventh resistance value R A , 2 based on the seventh current and the seventh voltage,
(iii.xxxix) applying an eighth potential across the sixth and seventh contact elements to generate an eighth current in the surface portion at the first position,
(iii.xl) measuring the eighth current through the sixth or seventh contact element,
(iii.xli) measuring an eighth voltage across the fifth and eighth contact elements,
(iii.xlii) calculating an eighth resistance value R A ′ , 2 based on the eighth current and the eighth voltage,
(iii.xliii) a fourth resistance average of the seventh resistance value R A , 2 and the eighth resistance value R A ′ , 2 (
Figure pct00227
),
(iii.xliv) the first resistance average (
Figure pct00228
), The third resistance average (
Figure pct00229
) And a second relationship comprising fourth, fifth, and sixth parameters representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 , respectively,
(iii.xlv) the average of the first resistance in the second relation (
Figure pct00230
) And the third resistance average (
Figure pct00231
Determining each of the sixth parameters representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 using R as the fourth parameter and the fifth parameter, respectively.
(iii.xlvi) the second resistance average (
Figure pct00232
), The fourth resistance average (
Figure pct00233
), And defining a third relationship comprising seventh, eighth, and ninth parameters representing the second pseudo sheet resistance R P , 2 , respectively,
(iii.xlvii) the second resistance mean in the third relation
Figure pct00234
) And the fourth resistance average (
Figure pct00235
Determining the ninth parameter representing the second pseudo sheet resistance R P , 2 using each of the seventh parameter and the eighth parameter, and
(iii.xlviii) the tenth and the third representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 , the second pseudo sheet resistance R P , 2 , and the distance between the first position and the electrical boundary, respectively. Defining a fourth relation g D comprising an eleventh, and a twelfth parameter, wherein the contact element of the second configuration comprises the electrically conductive surface portion and the electrically conductive surface portion of the test sample; An additional distance y 2 between electrical boundaries, the first relation f D further comprises a thirteenth parameter representing the additional distance between the first position and the electrical boundaries, and the fourth relation g D ) Further comprises a fourteenth parameter representing the additional distance between the first location and the electrical boundary.
Further comprising:
The method comprises:
(iv.xlix) the first position using the first and second pseudo sheet resistances R P , 1 , R P, 2 as the tenth and eleventh parameters, respectively , in the fourth relation g D ; And simultaneously determining the thirteenth parameter and the fourteenth parameter representing the distance y and the additional distance y 2 between the electrical boundary, respectively.
테스트 샘플(test sample)의 전기적으로 전도성(electrically conducting)인 표면부 상의 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 전기적 경계(electrical boundary) 간의 거리를 복수의 접촉 요소(contact elements)를 포함하는 멀티 포인트 프로브(multi-point probe)에 의해 결정하는 방법 - 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점(contact point)을 정의하고, 상기 복수의 접촉 요소는 제1 접촉 요소, 제2 접촉 요소, 제3 접촉 요소, 제4 접촉 요소 및 하나 이상의 추가 접촉 요소를 포함함 - 으로서,
(v.i) 상기 복수의 접촉 요소 중 제1 구성의 접촉 요소를 정의하는 단계 - 상기 제1 구성의 접촉 요소는 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및 상기 제4 접촉 요소로 구성됨 -,
(v.ii) 상기 복수의 접촉 요소 중 제2 구성의 접촉 요소를 정의하는 단계 - 상기 제2 구성의 접촉 요소는 제5 접촉 요소, 제6 접촉 요소, 제7 접촉 요소, 및 제8 접촉 요소로 구성되고, 상기 제2 구성의 접촉 요소 중 적어도 하나의 접촉 요소는 상기 하나 이상의 추가 접촉 요소의 접촉 요소임 -,
(v.iii-iv) 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치에서 상기 테스트 샘플을 상기 제1 및 제2 구성의 접촉 요소의 상기 접촉 요소와 접촉시키는 단계,
(v.v) 상기 제1 위치에서 상기 전기적으로 전도성인 표면부에 수직인 주 자기장 성분(field component)을 갖는 자기장(magnetic field)을 인가하는 단계,
(v.vi) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단에 제1 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제1 전류를 발생시키는 단계,
(v.vii) 상기 제1 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제1 전류를 측정하는 단계,
(v.viii) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단의 제1 전압을 측정하는 단계,
(v.ix) 상기 제1 전류 및 상기 제1 전압에 기초하여 제1 저항값(RB)을 계산하는 단계,
(v.x) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단에 제2 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제2 전류를 발생시키는 단계,
(v.xi) 상기 제2 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제2 전류를 측정하는 단계,
(v.xii) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단의 제2 전압을 측정하는 단계,
(v.viii) 상기 제2 전류 및 상기 제2 전압에 기초하여 제2 저항값(RB')을 계산하는 단계,
(v.xiv) 상기 제1 저항값(RB) 및 상기 제2 저항값(RB')의 제1 저항 평균(
Figure pct00236
)을 계산하는 단계,
(v.xv) 상기 제5 및 제7 접촉 요소 양단에 제3 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제3 전류를 발생시키는 단계,
(v.xvi) 상기 제5 또는 상기 제7 접촉 요소를 통과하는 상기 제3 전류를 측정하는 단계,
(v.xvii) 상기 제6 및 제8 접촉 요소 양단의 제3 전압을 측정하는 단계,
(v.xviii) 상기 제3 전류 및 상기 제3 전압에 기초하여 제3 저항값(RB ,2)을 계산하는 단계,
(v.xix) 상기 제6 및 제8 접촉 요소 양단에 제4 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제4 전류를 발생시키는 단계,
(v.xx) 상기 제6 또는 상기 제8 접촉 요소를 통과하는 상기 제4 전류를 측정하는 단계,
(v.xxi) 상기 제5 및 제7 접촉 요소 양단의 제4 전압을 측정하는 단계,
(v.xxii) 상기 제4 전류 및 상기 제4 전압에 기초하여 제4 저항값(RB' ,2)을 계산하는 단계,
(v.xxv) 상기 제3 저항값(RB ,2) 및 상기 제4 저항값(RB' ,2)의 제2 저항 평균(
Figure pct00237
)을 계산하는 단계,
(v.xxvi) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제5 전류를 발생시키는 단계,
(v.xxvii) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제5 전류를 측정하는 단계,
(v.xxviii) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 제5 전압을 측정하는 단계,
(v.xxix) 상기 제5 전류 및 상기 제5 전압에 기초하여 제5 저항값(RA ,1)을 계산하는 단계,
(v.xxx) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제6 전류를 발생시키는 단계,
(v.xxxi) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제6 전류를 측정하는 단계,
(v.xxxii) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 제6 전압을 측정하는 단계,
(v.xxxiii) 상기 제6 전류 및 상기 제6 전압에 기초하여 제6 저항값(RA' ,1)을 계산하는 단계,
(v.xxxiv) 상기 제5 저항값(RA ,1) 및 상기 제6 저항값(RA' ,1)의 제3 저항 평균(
Figure pct00238
)을 계산하는 단계,
(v.xxxv) 상기 제5 및 제8 접촉 요소 양단에 제7 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제7 전류를 발생시키는 단계,
(v.xxxvi) 상기 제5 또는 상기 제8 접촉 요소를 통과하는 상기 제7 전류를 측정하는 단계,
(v.xxxvii) 상기 제6 및 제7 접촉 요소 양단의 제7 전압을 측정하는 단계,
(v.xxxviii) 상기 제7 전류 및 상기 제7 전압에 기초하여 제7 저항값(RA ,2)을 계산하는 단계,
(v.xxxix) 상기 제6 및 제7 접촉 요소 양단에 제8 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제8 전류를 발생시키는 단계,
(v.xl) 상기 제6 또는 상기 제7 접촉 요소를 통과하는 상기 제8 전류를 측정하는 단계,
(v.xli) 상기 제5 및 제8 접촉 요소 양단의 제8 전압을 측정하는 단계,
(v.xlii) 상기 제8 전류 및 상기 제8 전압에 기초하여 제8 저항값(RA' ,2)을 계산하는 단계,
(v.xliii) 상기 제7 저항값(RA ,2) 및 상기 제8 저항값(RA' ,2)의 제4 저항 평균(
Figure pct00239
)을 계산하는 단계,
(v.xliv) 상기 제1 저항 평균(
Figure pct00240
), 상기 제3 저항 평균(
Figure pct00241
), 및 제1 의사 시트(pseudo sheet) 저항(RP ,1)을 각각 나타내는 제4, 제5, 및 제6 파라미터를 포함하는 제2 관계식을 정의하는 단계,
(v.xlv) 상기 제2 관계식에서 상기 제1 저항 평균(
Figure pct00242
) 및 상기 제3 저항 평균(
Figure pct00243
)을 각각 상기 제4 파라미터 및 상기 제5 파라미터로서 이용하여 상기 제1 의사 시트 저항(RP ,1)을 나타내는 상기 제6 파라미터를 결정하는 단계,
(v.xlvi) 상기 제2 저항 평균(
Figure pct00244
), 상기 제4 저항 평균(
Figure pct00245
), 및 제2 의사 시트 저항(RP ,2)을 각각 나타내는 제7, 제8, 및 제9 파라미터를 포함하는 제3 관계식을 정의하는 단계,
(v.xlvii) 상기 제3 관계식에서 상기 제2 저항 평균(
Figure pct00246
) 및 상기 제4 저항 평균(
Figure pct00247
)을 각각 상기 제7 파라미터 및 상기 제8 파라미터로서 이용하여 상기 제2 의사 시트 저항(RP ,2)을 나타내는 상기 제9 파라미터를 결정하는 단계,
(v.xlviii) 상기 제1 의사 시트 저항(RP ,1), 상기 제2 의사 시트 저항(RP ,2), 및 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리를 각각 나타내는 제10, 제11, 및 제12 파라미터를 포함하는 제4 관계식(gD)을 정의하는 단계, 및
(v.xlix) 상기 제4 관계식(gD)에서 상기 제1 및 제2 의사 시트 저항(RP ,1, RP,2)을 각각 상기 제10 및 제11 파라미터로서 이용하여 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리(y)의 값을 나타내는 상기 제12 파라미터를 결정하는 단계
를 포함하는 방법.
The distance between the first position on the electrically conducting surface portion of the test sample and the electrical boundary of the electrically conductive surface portion is multi-containing a plurality of contact elements. Method determined by multi-point probe, each contact element defining a contact point for establishing electrical contact with the test sample, wherein the plurality of contact elements comprise a first contact element, a first contact element A second contact element, a third contact element, a fourth contact element and one or more additional contact elements, wherein
(vi) defining a contact element of a first configuration of the plurality of contact elements, wherein the contact element of the first configuration comprises the first contact element, the second contact element, the third contact element, and the fourth contact element; Consisting of contact elements-,
(v.ii) defining a contact element of a second configuration of the plurality of contact elements, wherein the contact element of the second configuration comprises a fifth contact element, a sixth contact element, a seventh contact element, and an eighth contact element; Wherein at least one of the contact elements of the second configuration is a contact element of the one or more additional contact elements,
(v.iii-iv) contacting the test sample with the contact element of the contact element of the first and second configurations at the first location on the electrically conductive surface portion,
(vv) applying a magnetic field having a main field component perpendicular to the electrically conductive surface portion at the first location,
(v.vi) applying a first potential across the first and third contact elements to generate a first current in the surface portion at the first location,
(v.vii) measuring the first current through the first or third contact element,
(v.viii) measuring a first voltage across the second and fourth contact elements,
(v.ix) calculating a first resistance value R B based on the first current and the first voltage,
(vx) applying a second potential across the second and fourth contact elements to generate a second current in the surface portion at the first position,
(v.xi) measuring the second current through the second or fourth contact element,
(v.xii) measuring a second voltage across the first and third contact elements,
(v.viii) calculating a second resistance value R B ′ based on the second current and the second voltage,
(v.xiv) a first average resistance of the first resistance value (R B) and said second resistance value (R B ') (
Figure pct00236
),
(v.xv) applying a third potential across the fifth and seventh contact elements to generate a third current at the surface portion at the first position,
(v.xvi) measuring the third current through the fifth or seventh contact element,
(v.xvii) measuring a third voltage across the sixth and eighth contact elements,
(v.xviii) calculating a third resistance value R B , 2 based on the third current and the third voltage,
(v.xix) applying a fourth potential across the sixth and eighth contact elements to generate a fourth current in the surface portion at the first position,
(v.xx) measuring the fourth current through the sixth or eighth contact element,
(v.xxi) measuring a fourth voltage across the fifth and seventh contact elements,
(v.xxii) calculating a fourth resistance value R B ′ , 2 based on the fourth current and the fourth voltage,
(v.xxv) A second resistance average of the third resistance value R B , 2 and the fourth resistance value R B ′ , 2 (
Figure pct00237
),
(v.xxvi) applying a fifth potential across the first and fourth contact elements to generate a fifth current in the surface portion at the first location,
(v.xxvii) measuring the fifth current through the first or fourth contact element,
(v.xxviii) measuring a fifth voltage across the second and third contact elements,
(v.xxix) calculating a fifth resistance value R A , 1 based on the fifth current and the fifth voltage,
(v.xxx) applying a sixth potential across the second and third contact elements to generate a sixth current in the surface portion at the first location,
(v.xxxi) measuring the sixth current through the second or third contact element,
(v.xxxii) measuring a sixth voltage across the first and fourth contact elements,
(v.xxxiii) calculating a sixth resistance value R A ′ , 1 based on the sixth current and the sixth voltage,
(v.xxxiv) a third resistance average of the fifth resistance value R A , 1 and the sixth resistance value R A ′ , 1
Figure pct00238
),
(v.xxxv) applying a seventh potential across the fifth and eighth contact elements to generate a seventh current in the surface portion at the first position,
(v.xxxvi) measuring the seventh current through the fifth or eighth contact element,
(v.xxxvii) measuring a seventh voltage across the sixth and seventh contact elements,
(v.xxxviii) calculating a seventh resistance value R A , 2 based on the seventh current and the seventh voltage,
(v.xxxix) applying an eighth potential across the sixth and seventh contact elements to generate an eighth current in the surface portion at the first position,
(v.xl) measuring the eighth current through the sixth or seventh contact element,
(v.xli) measuring an eighth voltage across the fifth and eighth contact elements,
(v.xlii) calculating an eighth resistance value R A ′ , 2 based on the eighth current and the eighth voltage,
(v.xliii) a fourth resistance average of the seventh resistance value R A , 2 and the eighth resistance value R A ′ , 2 (
Figure pct00239
),
(v.xliv) the first resistance average (
Figure pct00240
), The third resistance average (
Figure pct00241
) And a second relationship comprising fourth, fifth, and sixth parameters representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 , respectively,
(v.xlv) the first resistance average in the second relation
Figure pct00242
) And the third resistance average (
Figure pct00243
Determining each of the sixth parameters representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 using R as the fourth parameter and the fifth parameter, respectively.
(v.xlvi) the second resistance average (
Figure pct00244
), The fourth resistance average (
Figure pct00245
), And defining a third relationship comprising seventh, eighth, and ninth parameters representing the second pseudo sheet resistance R P , 2 , respectively,
(v.xlvii) the second resistance average in the third relation
Figure pct00246
) And the fourth resistance average (
Figure pct00247
Determining the ninth parameter representing the second pseudo sheet resistance R P , 2 using each of the seventh parameter and the eighth parameter,
(v.xlviii) the tenth and the fifth representing the first pseudo sheet resistance R P , 1 , the second pseudo sheet resistance R P , 2 , and the distance between the first position and the electrical boundary, respectively. Defining a fourth relation g D comprising 11, and a twelfth parameter, and
(v.xlix) the first position using the first and second pseudo sheet resistances R P , 1 , R P, 2 as the tenth and eleventh parameters, respectively , in the fourth relation g D ; Determining the twelfth parameter indicative of the value of the distance y between the electrical boundary and the electrical boundary.
≪ / RTI >
제6항에 있어서, 상기 제4 관계식은 RP ,1/RP ,2=gD(y)와 같고, 여기서 RP , 1는 상기 제1 의사 시트 저항을 나타내고, RP ,2는 상기 제2 의사 시트 저항을 나타내고, gD는 상기 거리 y를 파라미터로서 포함하는 함수를 나타내며, 상기 함수 gD는 특정 거리에서 피크값을 나타내고, 상기 함수 gD는 상기 거리의 함수가 상기 특정 거리 미만일 때 증가하고 상기 거리의 함수가 상기 특정 거리를 초과할 때 감소하며,
상기 방법은,
(v.xlx) 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 보조 거리를 나타내는 거리를 결정하는 단계, 및
(v.xlxi) 상기 보조 거리와 상기 특정 거리를 비교하여 상기 제4 관계식에서 상기 거리가 상기 특정 거리 미만 또는 초과인지를 판단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
The method of claim 6, wherein the fourth relation is R P , 1 / R P , 2 = g D (y) and Wherein R P , 1 represents the first pseudo sheet resistance, R P , 2 represents the second pseudo sheet resistance, g D represents a function including the distance y as a parameter, and the function g D Denotes a peak value at a specific distance, and the function g D is when the function of the distance is less than the specific distance Increase and decrease when the function of the distance exceeds the specific distance,
The method comprises:
(v.xlx) determining a distance indicative of an auxiliary distance by a method according to any one of claims 1 to 5, and
(v.xlxi) further comprising comparing the auxiliary distance with the specific distance and determining whether the distance is less than or greater than the specific distance in the fourth relational expression.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접촉점은 각각의 상기 접촉점과 교차하는 제1 라인을 정의하는 것을 특징으로 하는 방법. 8. The method of claim 1, wherein the contact point defines a first line that intersects each of the contact points. 9. 제2항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접촉점이 상기 테스트 샘플과 접촉하기 전에 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 상기 제4 접촉 요소, 및 상기 하나 이상의 추가 접촉 요소의 상기 접촉점이 각각의 상기 접촉점과 교차하는 제1 라인을 정의하는 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 2, wherein the first contact element, the second contact element, the third contact element, the fourth contact element, and the contact point before the contact point contacts the test sample. Said at least one further contact element And a first line defining a contact point intersecting each said contact point. 제9항에 있어서, 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및 상기 제4 접촉 요소의 상기 접촉점은 상기 제1 라인을 따라 주어진 순서로 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.The contact point of claim 9, wherein the contact points of the first contact element, the second contact element, the third contact element, and the fourth contact element are in a given order along the first line. And arranged. 제10항에 있어서, 상기 제5 접촉 요소, 상기 제6 접촉 요소, 상기 제7 접촉 요소, 및 상기 제8 접촉 요소의 상기 접촉점은 상기 제1 라인을 따라 주어진 순서로 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 10, wherein the contact points of the fifth contact element, the sixth contact element, the seventh contact element, and the eighth contact element are disposed along the first line in a given order. . 제10항 및 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 접촉 요소, 상기 제2 및 제3 접촉 요소, 및 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격은 대략 제1 간격 값(s1)과 같은 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 10, wherein the spacing between the first and second contact elements, the second and third contact elements, and the contact points of the third and fourth contact elements is approximately zero. Equal to 1 interval value (s 1 ) ≪ / RTI > 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제5 및 제6 접촉 요소, 상기 제6 및 제7 접촉 요소, 및 상기 제7 및 제8 접촉 요소의 상기 접촉 요소들 간의 간격은 대략 제2 간격 값(s2)과 같은 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 10, wherein the spacing between the fifth and sixth contact elements, the sixth and seventh contact elements, and the contact elements of the seventh and eighth contact elements is approximately. And a second interval value s 2 . 제13항에 있어서, 상기 제1 관계식은 △RBB'/△RBB' ,2=fD(y,s1,s2)와 같고, 여기서 △RBB'는 상기 제1 저항차를 나타내고, △RBB'2는 상기 제2 저항차를 나타내며, fD는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y, 상기 제1 간격 값 s1, 및 상기 제2 간격 값 s2를 포함하는 함수인 것을 특징으로 하는 방법. The method of claim 13, wherein the first relation is equal to ΔR BB ′ / ΔR BB ′ , 2 = f D (y, s 1 , s 2 ), wherein ΔR BB ′ represents the first resistance difference. ΔR BB′2 represents the second resistance difference, and f D includes the distance y between the first position and the electrical boundary, the first interval value s 1 , and the second interval value s 2 Method, characterized in that the function. 제14항에 있어서, 상기 제1 관계식 △RBB'/△RBB' ,2=fD(y,s1,s2)에서 상기 함수 fD(y,s1,s2)는
Figure pct00248
와 같은 것을 특징으로 하는 방법.
The function f D (y, s 1 , s 2 ) in the first relation ΔR BB ′ / ΔR BB ′ , 2 = f D (y, s 1 , s 2 )
Figure pct00248
And characterized in that.
제3항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 관계식은
Figure pct00249
Figure pct00250
과 같고, 여기서 RP , 1는 상기 제1 의사 시트 저항을 나타내고,
Figure pct00251
는 상기 제1 저항 평균이고,
Figure pct00252
은 상기 제3 저항 평균이며, 상기 제3 관계식은
Figure pct00253
과 같고, 여기서 RP,2는 상기 제2 의사 시트 저항이고,
Figure pct00254
는 상기 제2 저항 평균이며,
Figure pct00255
는 상기 제4 저항 평균인 것을 특징으로 하는 방법.
The method of claim 3, wherein the second relational expression is
Figure pct00249
Figure pct00250
Wherein R P , 1 represents the first pseudo sheet resistance,
Figure pct00251
Is the first resistance average,
Figure pct00252
Is the third resistance average, and the third relational expression is
Figure pct00253
, Wherein R P, 2 is the second pseudo sheet resistance,
Figure pct00254
Is the second resistance average,
Figure pct00255
Is the fourth resistance average.
제3항 또는 제3항에 종속하는 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제4 관계식은 RP ,1/RP ,2=gD(y,s1,s2)와 같고, 여기서 RP , 1는 상기 제1 의사 시트 저항을 나타내고, RP ,2는 상기 제2 의사 시트 저항을 나타내며, gD는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y, 상기 제1 간격 값 s1, 및 상기 제2 간격 값 s2를 포함하는 함수를 나타내는 것을 특징으로 하는 방법. Claim 1 according to claim 3 or 3 17. The method of any one of claims 16 to 18, wherein the fourth relation is equal to R P , 1 / R P , 2 = g D (y, s 1 , s 2 ), wherein R P , 1 is the first pseudo Sheet resistance, R P , 2 represents the second pseudo sheet resistance, g D is the distance y between the first position and the electrical boundary, the first spacing value s 1 , and the second spacing value s And a function comprising a two . 제5항 또는 제5항에 종속하는 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 관계식은 △RBB'/△RBB' ,2=fD(y,y2,s1,s2)와 같고, 여기서 △RBB'는 상기 제1 저항차를 나타내고, △RBB' ,2는 상기 제2 저항차를 나타내며, fD는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y 및 상기 추가 거리 y2, 상기 제1 간격 값 s1, 및 상기 제2 간격 값 s2를 포함하는 함수인 것을 특징으로 하는 방법. Claim 1 according to claim 5 or 5 The method according to any one of claims 17 to 17, wherein the first relational formula is equal to ΔR BB ′ / ΔR BB ′ , 2 = f D (y, y 2 , s 1 , s 2 ), wherein ΔR BB ′ Denotes the first resistance difference, ΔR BB ′ , 2 denotes the second resistance difference, f D denotes the distance y and the additional distance y 2 between the first position and the electrical boundary, and the first interval A function comprising a value s 1 and the second interval value s 2 . 제18항에 있어서, 상기 제1 관계식 △RBB'/△RBB' ,2=fD(y,y2,s1,s2)에서 상기 함수 fD(y,y2,s1,s2)는
Figure pct00256
와 같은 것을 특징으로 하는 방법.
The method according to claim 18, wherein the function f D (y, y 2 , s 1 ,) in the first relation ΔR BB ′ / ΔR BB ′ , 2 = f D (y, y 2 , s 1 , s 2 ) s 2 ) is
Figure pct00256
And characterized in that.
제5항 또는 제5항에 종속하는 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제4 관계식은 RP ,1/RP ,2=gD(y,y2,s1,s2)와 같고, RP , 1는 상기 제1 의사 시트 저항을 나타내고, RP ,2는 상기 제2 의사 시트 저항을 나타내며, gD는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y 및 상기 추가 거리 y2, 상기 제1 간격 값 s1, 및 상기 제2 간격 값 s2를 포함하는 함수를 나타내는 것을 특징으로 하는 방법. Claim 1 according to claim 5 or 5 20. The method of any one of claims 19 to 20, wherein the fourth relation is equal to R P , 1 / R P , 2 = g D (y, y 2 , s 1 , s 2 ), wherein R P , 1 is 1 represents a pseudo sheet resistance, R P , 2 represents the second pseudo sheet resistance, g D is the distance y between the first position and the electrical boundary and the additional distance y 2 , the first spacing value s 1 And a second interval value s 2 . 제8항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기적 경계는 대략 선형 부분을 가지며, 상기 제1 위치와 상기 선형 부분 상의 추가점 간의 거리는 상기 제1 위치와 상기 선형 부분 외부의 상기 전기적 경계 상의 임의의 추가점 간의 거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 방법. 21. The electrical boundary of any one of claims 8 to 20, wherein the electrical boundary has an approximately linear portion and the distance between the first position and the additional point on the linear portion is the electrical boundary outside the first position and the linear portion. Shorter than the distance between any additional points on the image. 제21항에 있어서,
(vi.i) 상기 멀티 포인트 프로브를 상기 선형 부분과 평행한 관계를 갖고 상기 제1 라인에 위치하도록 배향시키는 단계를 더 포함하는 방법.
The method of claim 21,
(vi.i) orienting the multi-point probe to be in the first line in a parallel relationship with the linear portion.
제1항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 접촉 요소, 상기 제2 및 제3 접촉 요소, 및 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접속점들 간의 간격이 대략 같은 것을 특징으로 하는 방법.23. The method of any one of claims 1 to 22, wherein the spacing between the first and second contact elements, the second and third contact elements, and the connection points of the third and fourth contact elements are approximately equal. Characterized in that the method. 제23항 및 제1항에 종속하는 제1항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 관계식은 △RCC'/△RBB'=f(y,s)와 같고, 여기서 △RBB'는 상기 제1 저항차를 나타내고, △RCC'는 상기 제2 저항차를 나타내며, f는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y 및 상기 접촉점들 간의 상기 간격 s을 파라미터로서 포함하는 함수인 것을 특징으로 하는 방법. Claim 1 dependent on claims 23 and 1 The method according to any one of claims 23 to 23, wherein the first relational expression is equal to ΔR CC ′ / ΔR BB ′ = f (y, s), wherein ΔR BB ′ represents the first resistance difference, Δ R CC ' represents the second resistance difference, and f is a function comprising as a parameter the distance y between the first position and the electrical boundary and the spacing s between the contact points. 제24항에 있어서, 상기 관계식 △RCC'/△RBB'=f(y,s)에서 상기 제1 저항차 △RBB'
Figure pct00257
Figure pct00258
와 같고, 여기서 △RB B'는 상기 추가적인 제1 저항차(△RBB')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, 상기 관계식 △RCC'/△RBB'=f(y,s)에서 상기 제2 저항차 △RCC'
Figure pct00259
Figure pct00260
와 같고, 여기서 △RC C'는 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
25. The method of claim 24, wherein in the relation ΔR CC ' / ΔR BB' = f (y, s), the first resistance difference ΔR BB ' is
Figure pct00257
Figure pct00258
ΔR B B ′ represents the additional first resistance difference ΔR BB ′ , y represents the distance y, and a is the spacing between the contact points of the first and second contact elements. B denotes an interval between the contact points of the second and third contact elements, c denotes an interval between the contact points of the third and fourth contact elements, and the relation ΔR CC ′ / ΔR BB ′ At f (y, s), the second resistance difference ΔR CC ′ is
Figure pct00259
Figure pct00260
ΔR C C ′ represents the additional second resistance difference ΔR CC ′ , y represents the distance y, and a is the spacing between the contact points of the first and second contact elements. And b represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements.
제1항 또는 제1항에 종속하는 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
(i.xxiii) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제5 전류를 발생시키는 단계,
(i.xxiv) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 제5 전류를 측정하는 단계,
(i.xxv) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 제5 전압을 측정하는 단계,
(i.xxvi) 상기 제5 전류 및 상기 제5 전압에 기초하여 제5 저항값(RA)을 계산하는 단계,
(i.xxvii) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 제6 전류를 발생시키는 단계,
(i.xxviii) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 제6 전류를 측정하는 단계,
(i.xxix) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 제6 전압을 측정하는 단계,
(i.xxx) 상기 제6 전류 및 상기 제6 전압에 기초하여 제6 저항값(RA')을 계산하는 단계,
(i.xxxi) 상기 제5 저항값과 상기 제6 저항값 간의 차에 기초하여 제3 저항차(△RAA')을 계산하는 단계,
(i.xxxii) 상기 제1 관계식(f)을 정의할 때, 상기 제3 저항차(△RAA')를 나타내는 제4 파라미터를 상기 제1 관계식(f)에 더 포함시키는 단계, 및
(i.xxxiii) 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리(y)를 결정할 때, 상기 제1 관계식에서 상기 제1 및 상기 제2 파라미터로 각각 이용되는 상기 제1 및 상기 제2 저항차(△RBB', △RCC') 외에 상기 제3 저항차 (△RAA')를 상기 제4 파라미터로서 이용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
Section 1 or Claim 1 dependent on claim 1 The method according to any one of claims 25 to 25,
(i.xxiii) applying a fifth potential across the first and fourth contact elements to generate a fifth current in the surface portion at the first location,
(i.xxiv) measuring the fifth current through the first or fourth contact element,
(i.xxv) measuring a fifth voltage across the second and third contact elements,
(i.xxvi) calculating a fifth resistance value R A based on the fifth current and the fifth voltage,
(i.xxvii) applying a sixth potential across the second and third contact elements to generate a sixth current in the surface portion at the first location,
(i.xxviii) measuring the sixth current through the second or third contact element,
(i.xxix) measuring a sixth voltage across the first and fourth contact elements,
(i.xxx) calculating a sixth resistance value R A ′ based on the sixth current and the sixth voltage,
(i.xxxi) calculating a third resistance difference ΔR AA ′ based on the difference between the fifth resistance value and the sixth resistance value,
(i.xxxii) when defining the first relation f, further including a fourth parameter representing the third resistance difference ΔR AA ′ in the first relation f, and
(i.xxxiii) when determining the distance y between the first position and the electrical boundary, the first and second resistance differences used as the first and second parameters, respectively, in the first relational expression ( Using the third resistance difference ΔR AA ′ as the fourth parameter in addition to ΔR BB ′ and ΔR CC ′ ). It further comprises a method.
제1항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접촉점들은 일렬로(in-line) 배치되고, 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격 및 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격은 대략 같은 것을 특징으로 하는 방법.27. The device of claim 1, wherein the contact points are disposed in-line, the spacing between the contact points of the first and second contact elements and the second and third contact elements. The spacing between the contact points of is about equal ≪ / RTI > 제1항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접촉점들은 일렬로 배치되고, 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격은 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격과 다른 것을 특징으로 하는 방법.28. The device of any one of claims 1 to 27, wherein the contact points are arranged in line and the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements is between the contact points of the first and second contact elements. Method characterized by being different from the interval. 제28항에 있어서, 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격은 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격보다 범위 1.1-3.7, 1.2-3.3, 1.3-2.9, 1.4-2.5, 1.5-2.1, 및 1.6-1.7 중 하나 이상, 및/또는 범위 1.2-1.3, 1.3-1.4, 1.4-1.5, 1.5-1.6, 1.6-1.7, 1.7-1.8, 1.8-1.9, 1.9-2.0, 2.0-2.2, 2.2-2.4, 2.4-2.6, 2.6-2.8, 2.8-3.0, 3.0-3.3, 3.3-3.6, 3.6-3.9 중 하나 내의 팩터, 및/또는 대략 5를 3으로 나눈 것, 또는 범위 1.2-3.8, 1.6-3.4, 1.8-3.2, 2.0-3.0, 2.2-2.8, 및 2.4-2.6 중 하나 이상, 및/또는 범위 1.2-1.3, 1.3-1.4, 1.4-1.5, 1.5-1.6, 1.6-1.7, 1.7-1.8, 1.8-1.9, 1.9-2.0, 2.0-2.2, 2.2-2.4, 2.4-2.6, 2.6-2.8, 2.8-3.0, 3.0-3.3, 3.3-3.6, 3.6-3.9 중 하나 내의 팩터, 및/또는 대략 5를 2로 나눈 것만큼 큰 것을 특징으로 하는 방법. The method of claim 28, wherein the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements is greater than the spacing between the contact points of the first and second contact elements. One or more of the ranges 1.1-3.7, 1.2-3.3, 1.3-2.9, 1.4-2.5, 1.5-2.1, and 1.6-1.7, and / or the ranges 1.2-1.3, 1.3-1.4, 1.4-1.5, 1.5-1.6, 1.6 Factor within one of -1.7, 1.7-1.8, 1.8-1.9, 1.9-2.0, 2.0-2.2, 2.2-2.4, 2.4-2.6, 2.6-2.8, 2.8-3.0, 3.0-3.3, 3.3-3.6, 3.6-3.9 , And / or approximately 5 divided by 3, or one or more of the ranges 1.2-3.8, 1.6-3.4, 1.8-3.2, 2.0-3.0, 2.2-2.8, and 2.4-2.6, and / or the range 1.2-1.3, 1.3-1.4, 1.4-1.5, 1.5-1.6, 1.6-1.7, 1.7-1.8, 1.8-1.9, 1.9-2.0, 2.0-2.2, 2.2-2.4, 2.4-2.6, 2.6-2.8, 2.8-3.0, 3.0- A factor within one of 3.3, 3.3-3.6, 3.6-3.9, and / or approximately as large as two divided by two. 제1항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 간격은 범위 1-5㎛, 5-10㎛, 10-15㎛, 15-20㎛, 20-25㎛, 25-30㎛, 30-40㎛, 40-50㎛, 50-500㎛ 중 하나, 및/또는 범위 1-50㎛, 5-40㎛, 10-30㎛, 15-25㎛ 중 하나 이상 내에 있는 것을 특징으로 하는 방법.30. The method of any one of the preceding claims, wherein the spacing between the contact points of the first and second contact elements is One of the ranges 1-5 μm, 5-10 μm, 10-15 μm, 15-20 μm, 20-25 μm, 25-30 μm, 30-40 μm, 40-50 μm, 50-500 μm, and / Or in the range 1-50 μm, 5-40 μm, 10-30 μm, 15-25 μm. 제26항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 관계식은 (△RAA'+α△RCC')/△RBB'= f(y,a,b,c)와 같고, 여기서 △RBB'는 상기 제1 저항차이고, △RCC'는 상기 제2 저항차이고, △RAA'는 상기 제3 저항차이고, α는 -10부터 10까지 범위 내에 있는 튜닝 팩터(tuning factor)이며, f는 상기 제1 위치와 상기 전기적 경계 간의 상기 거리 y를 포함하는 함수이고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 상기 간격이고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 상기 간격이며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 상기 간격인 것을 특징으로 하는 방법.31. The method of any one of claims 26 to 30, wherein the first relation is equal to (ΔR AA ′ + αΔR CC ′ ) / ΔR BB ′ = f (y, a, b, c) Where ΔR BB ′ is the first resistance difference, ΔR CC ′ is the second resistance difference, ΔR AA ′ is the third resistance difference, and α is a tuning factor in the range of −10 to 10. F is a function including the distance y between the first position and the electrical boundary, a is the spacing between the contact points of the first and second contact elements, and b is the second and third contacts The spacing between the contact points of the element, and c is the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements. 제31항에 있어서, 상기 튜닝 팩터 α는 대략 1 또는 대략 -1인 것을 특징으로 하는 방법.32. The method of claim 31, wherein the tuning factor α is approximately 1 or approximately -1. 제30항 및 제31항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 관계식 (△RAA'+α△RCC')/△RBB'= f(y,a,b,c)에서 상기 제1 저항차 △RBB'
Figure pct00261
Figure pct00262
와 같고, 여기서 △RBB'는 상기 추가적인 제1 저항차(△RAA')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, 상기 관계식(△RAA'+α△RCC')/△RBB'= f(y,a,b,c)에서 상기 제2 저항차 △RCC'
Figure pct00263
Figure pct00264
와 같고, 여기서 △RCC'는 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, 상기 관계식(△RAA'+α△RCC')/△RBB'= f(y,a,b,c)에서 상기 제3 저항차 △RAA'
Figure pct00265
Figure pct00266
와 같고, 여기서 △RA A'는 상기 추가적인 제3 저항차(△RAA')를 나타내고, y는 상기 거리(y)를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 상기 간격을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
32. The method of any one of claims 30 and 31, wherein the first resistance difference in the relation (ΔR AA ′ + αΔR CC ′ ) / ΔR BB ′ = f (y, a, b, c). △ R BB ' is
Figure pct00261
Figure pct00262
ΔR BB ′ represents the additional first resistance difference ΔR AA ′ , y represents the distance y, and a represents the distance between the contact points of the first and second contact elements. B denotes the spacing between the contact points of the second and third contact elements, c denotes the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements, and the relationship (ΔR AA ′ + αΔR CC) ' ) / ΔR BB' = f (y, a, b, c), the second resistance difference ΔR CC ' is
Figure pct00263
Figure pct00264
ΔR CC ′ represents the additional second resistance difference ΔR CC ′ , y represents the distance y, and a represents the distance between the contact points of the first and second contact elements. B denotes the spacing between the contact points of the second and third contact elements, c denotes the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements, and the relationship (ΔR AA ′ + αΔR CC) ' ) / ΔR BB' = f (y, a, b, c), the third resistance difference ΔR AA ' is
Figure pct00265
Figure pct00266
ΔR A A ′ represents the additional third resistance difference ΔR AA ′ , y represents the distance y, and a is the spacing between the contact points of the first and second contact elements. And b represents the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the spacing between the contact points of the third and fourth contact elements.
제1항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 상기 접촉점들 간의 상기 간격은 범위 0.1-100㎛, 1-90㎛, 10-80㎛, 20-70㎛, 30-60㎛, 및 40-50㎛ 중 하나 이상, 및/또는 범위 0.1-1㎛, 1-10㎛, 10-20㎛, 20-30㎛, 30-40㎛, 40-50㎛, 50-60㎛, 60-70㎛, 70-80㎛, 80-90㎛, 90-100㎛, 또는 100-500㎛ 중 하나 내에 있는 것을 특징으로 하는 방법.34. The method of any one of claims 1 to 33, wherein the spacing between the contact points of the first and second contact elements is in the range 0.1-100 µm, 1-90 µm, 10-80 µm, 20-70 µm. At least one of 30-60 μm, and 40-50 μm, and / or range 0.1-1 μm, 1-10 μm, 10-20 μm, 20-30 μm, 30-40 μm, 40-50 μm, 50 And within one of -60 μm, 60-70 μm, 70-80 μm, 80-90 μm, 90-100 μm, or 100-500 μm. 테스트 샘플(test sample)의 전기적으로 전도성(electrically conducting)인 표면부 상의 제1 위치에서 전기적 특성을 결정하는 방법으로서 - 상기 전기적으로 전도성인 표면부는 전기적 경계(electrical boundary)를 가짐 - ,
(a) 제1항 또는 제1항에 종속하는 제1항 내지 제34항 중 어느 한 항에 따른 상기 테스트 샘플의 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 상기 전기적 경계 간의 거리(y)를 결정하는 단계,
(b) 상기 전기적 특성 및 상기 거리(y)를 나타내는 제15 파라미터를 포함하는 제5 관계식을 정의하는 단계, 및
(c) 상기 제5 관계식에서 상기 거리(y)를 상기 제15 파라미터로서 이용하여 상기 전기적 특성을 결정하는 단계
를 포함하는 방법.
A method for determining electrical properties at a first location on an electrically conducting surface portion of a test sample, the electrically conductive surface portion having an electrical boundary.
(a) the above claim according to any one of claims 1 to 34, wherein The electrically conductive of the test sample Determining a distance y between the first location on the surface portion and the electrical boundary of the electrically conductive surface portion,
(b) defining a fifth relational expression comprising a fifteenth parameter indicative of said electrical characteristic and said distance y, and
(c) determining the electrical property using the distance y as the fifteenth parameter in the fifth relationship
≪ / RTI >
테스트 샘플(test sample)의 전기적으로 전도성(electrically conducting)인 표면부 상의 제1 위치에서 전기적 특성을 결정하는 방법으로서 - 상기 전기적으로 전도성인 표면부는 전기적 경계(electrical boundary)를 가짐 - ,
(a) 제2항 또는 제6항 중 어느 한 항 또는 제2항 또는 제6항에 종속하는 제1항 내지 제34항 중 어느 한 항에 따른 상기 테스트 샘플의 상기 전기적으로 전도성인 표면부 상의 상기 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 상기 전기적 경계 간의 추가 거리(y2)를 결정하는 단계,
(b) 상기 전기적 특성 및 상기 추가 거리(y2)를 나타내는 제15 파라미터를 포함하는 제5 관계식을 정의하는 단계, 및
(c) 상기 제5 관계식에서 상기 추가 거리(y2)를 상기 제15 파라미터로서 이용하여 상기 전기적 특성을 결정하는 단계
를 포함하는 방법.
A method for determining electrical properties at a first location on an electrically conducting surface portion of a test sample, the electrically conductive surface portion having an electrical boundary.
(a) paragraph 2 Or claim 1 according to any one of claims 6 or 2 or 6. Determining an additional distance y 2 between said first location on said electrically conductive surface portion of said test sample and said electrical boundary of said electrically conductive surface portion,
(b) defining a fifth relationship comprising a fifteenth parameter indicative of said electrical characteristic and said additional distance y 2 , and
(c) determining the electrical property using the additional distance y 2 as the fifteenth parameter in the fifth relational equation.
≪ / RTI >
제35항 또는 제36항에 있어서, 상기 제5 관계식은 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및/또는 상기 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 상기 간격을 더 포함하고,
(b') 상기 제5 관계식을 정의할 때, 상기 제5 관계식은 상기 제1 접촉 요소, 상기 제2 접촉 요소, 상기 제3 접촉 요소, 및/또는 상기 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내는 제16 파라미터를 더 포함하고,
(c') 상기 전기적 특성을 결정할 때, 상기 제5 관계식에서 상기 제1 거리(y) 또는 상기 추가 거리(y2) 외에 상기 간격이 상기 제16 파라미터로 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
37. The method of claim 35 or 36, wherein the fifth relation further comprises the spacing between the contact points of the first contact element, the second contact element, the third contact element, and / or the fourth contact element. and,
(b ') When defining the fifth relation, the fifth relation defines the distance between the contact points of the first contact element, the second contact element, the third contact element, and / or the fourth contact element. Further comprising a sixteenth parameter indicating,
(c ') In determining the electrical property, the interval is used as the sixteenth parameter in addition to the first distance y or the additional distance y 2 in the fifth equation.
제35항 내지 제37항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기적 특성은 홀 시트(Hall sheet) 저항(RH)이고 상기 제5 관계식(f1,f2)은 추가적인 제1 저항차(△RBB')를 나타내는 제17 파라미터를 더 포함하며,
상기 방법은,
(d) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단에 추가적인 제1 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제1 전류를 발생시키는 단계,
(e) 상기 제1 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제1 전류를 측정하는 단계,
(f) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제1 전압을 측정하는 단계, 및
(g) 상기 추가적인 제1 전류 및 상기 추가적인 제1 전압에 기초하여 추가적인 제1 저항값(RB)을 계산하는 단계, 또는
(g') 상기 거리를 추가적인 제1 저항값(RB)으로 결정하는 단계로부터 상기 제1 저항값(RB)을 보유하는 단계, 및
(h) 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제2 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제2 전류를 발생시키는 단계,
(i) 상기 제2 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제2 전류를 측정하는 단계,
(j) 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단의 추가적인 제2 전압을 측정하는 단계, 및
(k) 상기 추가적인 제2 전류 및 상기 추가적인 제2 전압에 기초하여 추가적인 제2 저항값(RB')을 계산하는 단계, 또는
(k') 상기 거리를 추가적인 제2 저항값(RB')으로 결정하는 단계로부터 상기 제2 저항값(RB')을 보유하는 단계, 및
(l) 상기 추가적인 제1 저항값과 상기 추가적인 제2 저항값 간의 차에 기초하여 상기 추가적인 제1 저항차(△RBB')를 계산하는 단계, 또는
(l') 상기 거리를 상기 추가적인 제1 저항차(△RBB')로 결정하는 단계로부터 상기 제1 저항차(△RBB')를 보유하는 단계
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
38. The electrical property of any one of claims 35 to 37 wherein the electrical property is a Hall sheet resistance (R H ) and the fifth relation (f 1 , f 2 ) is an additional first resistance difference ΔR. BB ' ) further includes a seventeenth parameter,
The method comprises:
(d) applying an additional first potential across the first and third contact elements to generate an additional first current in the surface portion at the first location,
(e) measuring the additional first current through the first or third contact element,
(f) measuring an additional first voltage across the second and fourth contact elements, and
(g) calculating an additional first resistance value R B based on the additional first current and the additional first voltage, or
(g ') the step of retaining said first resistance value (R B) from the step of determining the distance to the additional first resistance value (R B), and
(h) applying an additional second potential across the second and fourth contact elements to generate an additional second current at the surface portion at the first location,
(i) measuring the additional second current through the second or fourth contact element,
(j) measuring an additional second voltage across the first and third contact elements, and
(k) calculating an additional second resistance value R B ' based on the additional second current and the additional second voltage, or
(k ') the step of retaining said second resistance value (R B') from the step of determining the distance further second resistance value (R B 'to), and
(l) calculating the additional first resistance difference ΔR BB ′ based on the difference between the additional first resistance value and the additional second resistance value, or
(l ') holding the first resistance difference ΔR BB ′ from determining the distance as the additional first resistance difference ΔR BB ′ .
≪ / RTI >
제38항에 있어서,
상기 제5 관계식은
Figure pct00267
Figure pct00268
와 같고, 여기서 △RBB'는 상기 추가적인 제1 저항차(△RBB')를 나타내고, y는 상기 거리(y) 또는 상기 추가 거리를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
The method of claim 38,
The fifth relationship is
Figure pct00267
Figure pct00268
ΔR BB ′ represents the additional first resistance difference ΔR BB ′ , and y represents the distance y or The additional distance, a denotes the spacing between the contact points of the first and second contact elements, b denotes the spacing between the contact points of the second and third contact elements, and c denotes the third and fourth And a distance between the contact points of the contact elements.
제35항 제35항에 종속하는 제37항 내지 제39항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전기적 특성은 홀 시트(Hall sheet) 저항(RH)이고 상기 제5 관계식(f2,f3)은 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 나타내는 제17 파라미터를 더 포함하며,
상기 방법은,
(d) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단에 추가적인 제3 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제3 전류를 발생시키는 단계,
(e) 상기 제1 또는 상기 제2 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제3 전류를 측정하는 단계,
(f) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제3 전압을 측정하는 단계,
(g) 상기 추가적인 제3 전류 및 상기 추가적인 제3 전압에 기초하여 추가적인 제3 저항값(RC)을 계산하는 단계, 또는
(g') 상기 거리를 추가적인 제3 저항값(RC)으로 결정하는 단계로부터 상기 제3 저항값(RC)을 보유하는 단계, 및
(h) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제4 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제4 전류를 발생시키는 단계,
(i) 상기 제3 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제4 전류를 측정하는 단계,
(j) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단의 추가적인 제4 전압을 측정하는 단계, 및
(k) 상기 추가적인 제4 전류 및 상기 추가적인 제4 전압에 기초하여 추가적인 제4 저항값(RC')을 계산하는 단계, 또는
(k') 상기 거리를 추가적인 제4 저항값(RC')으로 결정하는 단계로부터 상기 제4 저항값(RC')을 보유하는 단계, 및
(l) 상기 추가적인 제3 저항값과 상기 추가적인 제4 저항값 간의 차에 기초하여 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 계산하는 단계, 또는
(l') 상기 거리를 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')로 결정하는 단계로부터 상기 제2 저항차(△RCC')를 보유하는 단계
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
Article 35 And The method according to any one of claims 37 to 39, wherein
The electrical property is a Hall sheet resistance (R H ) and the fifth relation (f 2 , f 3 ) further includes a seventeenth parameter representing an additional second resistance difference ΔR CC ′ ,
The method comprises:
(d) applying an additional third potential across the first and second contact elements to generate an additional third current at the surface portion at the first location,
(e) measuring the additional third current through the first or second contact element,
(f) measuring an additional third voltage across the third and fourth contact elements,
(g) calculating an additional third resistance value R C based on the additional third current and the additional third voltage, or
(g ') the step of holding the third resistance value (R C) from the step of determining the distance to an additional third resistance value (R C), and
(h) applying an additional fourth potential across the third and fourth contact elements to generate an additional fourth current in the surface portion at the first location,
(i) measuring the additional fourth current through the third or fourth contact element,
(j) measuring an additional fourth voltage across the first and second contact elements, and
(k) calculating an additional fourth resistance value R C ′ based on the additional fourth current and the additional fourth voltage, or
(k ') the step of holding the fourth resistance (R C') from the step of determining the distance further the fourth resistance (R C 'to), and
(l) calculating the additional second resistance difference ΔR CC ′ based on the difference between the additional third resistance value and the additional fourth resistance value, or
(l ') the step of holding said second resistance difference (△ R CC') from the step of determining in the second additional resistance difference (△ R CC the distance ")
≪ / RTI >
36항 제36항에 종속하는 제37항 내지 제39항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기적 특성은 홀 시트 저항(RH)이고 상기 제5 관계식(f2,f3)은 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 나타내는 제17 파라미터를 더 포함하며,
상기 방법은,
(d) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단에 추가적인 제3 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제3 전류를 발생시키는 단계,
(e) 상기 제1 또는 상기 제2 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제3 전류를 측정하는 단계,
(f) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제3 전압을 측정하는 단계,
(g) 상기 추가적인 제3 전류 및 상기 추가적인 제3 전압에 기초하여 추가적인 제3 저항값(RC)을 계산하는 단계,
(h) 상기 제3 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제4 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제4 전류를 발생시키는 단계,
(i) 상기 제3 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제4 전류를 측정하는 단계,
(j) 상기 제1 및 제2 접촉 요소 양단의 추가적인 제4 전압을 측정하는 단계,
(k) 상기 추가적인 제4 전류 및 상기 추가적인 제4 전압에 기초하여 추가적인 제4 저항값(RC')을 계산하는 단계, 및
(l) 상기 추가적인 제3 저항값과 상기 추가적인 제4 저항값 간의 차에 기초하여 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 계산하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
Section 3 6 And 40. The electrical property of any of claims 37 to 39, wherein the electrical property is a hole sheet resistance (R H ) and the fifth relation (f 2 , f 3 ) is an additional second resistance difference ( Further comprising a seventeenth parameter representing ΔR CC ′ ),
The method comprises:
(d) applying an additional third potential across the first and second contact elements to generate an additional third current at the surface portion at the first location,
(e) measuring the additional third current through the first or second contact element,
(f) measuring an additional third voltage across the third and fourth contact elements,
(g) calculating an additional third resistance value R C based on the additional third current and the additional third voltage,
(h) applying an additional fourth potential across the third and fourth contact elements to generate an additional fourth current in the surface portion at the first location,
(i) measuring the additional fourth current through the third or fourth contact element,
(j) measuring an additional fourth voltage across the first and second contact elements,
(k) calculating an additional fourth resistance value R C ′ based on the additional fourth current and the additional fourth voltage, and
(l) calculating the additional second resistance difference ΔR CC ′ based on the difference between the additional third resistance value and the additional fourth resistance value.
제40항 또는 제41항에 있어서, 상기 제5 관계식은
Figure pct00269
Figure pct00270
와 같고, 여기서 △RCC'는 상기 추가적인 제2 저항차(△RCC')를 나타내고, y는 상기 거리(y) 또는 상기 추가 거리를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
42. The method of claim 40 or 41 wherein the fifth relational formula is
Figure pct00269
Figure pct00270
ΔR CC ′ represents the additional second resistance difference ΔR CC ′ , y represents the distance y or the additional distance, and a is the contact point of the first and second contact elements. The distance between them, b represents the distance between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the distance between the contact points of the third and fourth contact elements.
제35항 및 제36항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기적 특성은 홀 시트 저항(RH)이고 상기 제5 관계식(f1)은 추가적인 제3 저항차(△RAA')를 나타내는 제17 파라미터를 더 포함하며,
상기 방법은,
(d) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제5 전류를 발생시키는 단계,
(e) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제5 전류를 측정하는 단계, 및
(f) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 추가적인 제5 전압을 측정하는 단계,
(g) 상기 추가적인 제5 전류 및 상기 추가적인 제5 전압에 기초하여 추가적인 제5 저항값(RA)을 계산하는 단계, 또는
(g') 상기 거리를 추가적인 제5 저항값(RA)으로 결정하는 단계로부터 상기 제5 저항값(RA)을 보유하는 단계, 및
(h) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 추가적인 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제6 전류를 발생시키는 단계,
(i) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제6 전류를 측정하는 단계,
(j) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제6 전압을 측정하는 단계, 및
(k) 상기 추가적인 제6 전류 및 상기 추가적인 제6 전압에 기초하여 추가적인 제6 저항값(RA')을 계산하는 단계, 또는
(k') 상기 거리를 추가적인 제5 저항값(RA')으로 결정하는 단계로부터 상기 제6 저항값(RA')을 보유하는 단계, 및
(l) 상기 추가적인 제5 저항값과 상기 추가적인 제6 저항값 간의 차에 기초하여 상기 추가적인 제3 저항차(△RAA')를 계산하는 단계, 또는
(l') 상기 거리를 상기 추가적인 제3 저항차(△RAA')로 결정하는 단계로부터 상기 제3 저항차(△RAA')를 보유하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
37. The method of any one of claims 35 and 36, wherein the electrical property is a hole sheet resistance (R H ) and the fifth relation (f 1 ) represents an additional third resistance difference (ΔR AA ′ ). Further includes parameters,
The method comprises:
(d) applying an additional fifth potential across the first and fourth contact elements to generate an additional fifth current at the surface portion at the first location,
(e) measuring the additional fifth current through the first or fourth contact element, and
(f) measuring an additional fifth voltage across the second and third contact elements,
(g) calculating an additional fifth resistance value R A based on the additional fifth current and the additional fifth voltage, or
(g ') a step of holding the fifth resistance (R A) from the step of determining the distance to an additional fifth resistance (R A), and
(h) applying an additional sixth potential across the second and third contact elements to generate an additional sixth current in the surface portion at the first location,
(i) measuring the additional sixth current through the second or third contact element,
(j) measuring an additional sixth voltage across the first and fourth contact elements, and
(k) calculating an additional sixth resistance value R A ' based on the additional sixth current and the additional sixth voltage, or
(k ') adding the distance to the fifth 'From the step of determining the value of the sixth resistance (R A resistance value (R A), comprising: holding a), and
(l) calculating the additional third resistance difference ΔR AA ′ based on the difference between the additional fifth resistance value and the additional sixth resistance value, or
(l '), characterized in that it comprises the step of holding the third resistance difference (△ R AA') from the step of determining by said additional third resistance difference (△ R AA the distance ") more.
제43항에 있어서, 상기 제5 관계식은
Figure pct00272
와 같고, 여기서 △RAA'는 상기 추가적인 제3 저항차(△RAA')를 나타내고, y는 상기 거리(y) 또는 상기 추가 거리를 나타내고, a는 상기 제1 및 제2 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내고, b는 상기 제2 및 제3 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내며, c는 상기 제3 및 제4 접촉 요소의 접촉점들 간의 간격을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
44. The method of claim 43, wherein the fifth relational expression is
Figure pct00272
ΔR AA ′ represents the additional third resistance difference ΔR AA ′ , y represents the distance y or the additional distance, and a is the contact point of the first and second contact elements. The distance between them, b represents the distance between the contact points of the second and third contact elements, and c represents the distance between the contact points of the third and fourth contact elements.
제35항 내지 제37항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기적 특성은 시트 저항(sheet resistance)(R0)이고 상기 제5 관계식(g)은 의사 시트(pseudo sheet) 저항(RP)을 나타내는 제17 파라미터를 더 포함하며,
상기 방법은,
(d) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제5 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제5 전류를 발생시키는 단계,
(e) 상기 제1 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제5 전류를 측정하는 단계,
(f) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단의 추가적인 제5 전압을 측정하는 단계,
(g) 상기 추가적인 제5 전류 및 상기 추가적인 제5 전압에 기초하여 추가적인 제5 저항값(RA)을 계산하는 단계, 또는
(g') 상기 거리를 추가적인 제5 저항값(RA)으로 결정하는 단계로부터 상기 제5 저항값(RA)을 보유하는 단계, 및
(h) 상기 제2 및 제3 접촉 요소 양단에 추가적인 제6 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제6 전류를 발생시키는 단계,
(i) 상기 제2 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제6 전류를 측정하는 단계,
(j) 상기 제1 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제6 전압을 측정하는 단계,
(k) 상기 추가적인 제6 전류 및 상기 추가적인 제6 전압에 기초하여 추가적인 제6 저항값(RA')을 계산하는 단계, 또는
(k') 상기 거리를 추가적인 제5 저항값(RA')으로 결정하는 단계로부터 상기 제6 저항값(RA')을 보유하는 단계, 및
(l) 상기 추가적인 제5 저항값(RA) 및 상기 추가적인 제6 저항값(RA')의 제5 저항 평균(
Figure pct00273
)을 계산하는 단계,
(d") 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단에 추가적인 제1 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제1 전류를 발생시키는 단계,
(e") 상기 제1 또는 상기 제3 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제1 전류를 측정하는 단계,
(f") 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단의 추가적인 제1 전압을 측정하는 단계,
(g") 상기 추가적인 제1 전류 및 상기 추가적인 제1 전압에 기초하여 추가적인 제1 저항값(RB)을 계산하는 단계, 또는
(g''') 상기 거리를 추가적인 제1 저항값(RB)으로 결정하는 단계로부터 상기 제1 저항값(RB)을 보유하는 단계, 및
(h") 상기 제2 및 제4 접촉 요소 양단에 추가적인 제2 전위를 인가하여 상기 제1 위치에서 상기 표면부에 추가적인 제2 전류를 발생시키는 단계,
(i") 상기 제2 또는 상기 제4 접촉 요소를 통과하는 상기 추가적인 제2 전류를 측정하는 단계,
(j") 상기 제1 및 제3 접촉 요소 양단의 추가적인 제2 전압을 측정하는 단계,
(k") 상기 추가적인 제2 전류 및 상기 추가적인 제2 전압에 기초하여 추가적인 제2 저항값(RB')을 계산하는 단계, 또는
(k''') 상기 거리를 추가적인 제2 저항값(R'B)으로 결정하는 단계로부터 상기 제2 저항값(RB')을 보유하는 단계, 및
(l") 상기 추가적인 제1 저항값(RB) 및 상기 추가적인 제2 저항값(RB')의 제6 저항 평균(
Figure pct00274
)을 계산하는 단계,
(m) 상기 제5 저항 평균(
Figure pct00275
), 상기 제6 저항 평균(
Figure pct00276
), 및 상기 의사 시트 저항(RP)을 각각 나타내는 제18, 제19, 및 제20 파라미터를 포함하는 제6 관계식을 정의하는 단계, 및
(n) 상기 제6 관계식에서 상기 제5 저항 평균(
Figure pct00277
) 및 상기 제6 저항 평균(
Figure pct00278
)을 각각 상기 제18 파라미터 및 상기 제19 파라미터로서 이용하여 상기 의사 시트 저항(RP)을 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
38. A method according to any one of claims 35 to 37, wherein the electrical property is sheet resistance R 0 and the fifth relation g represents pseudo sheet resistance R P. Further comprising a seventeenth parameter,
The method comprises:
(d) applying an additional fifth potential across the first and fourth contact elements to generate an additional fifth current at the surface portion at the first location,
(e) measuring the additional fifth current through the first or fourth contact element,
(f) measuring an additional fifth voltage across the second and third contact elements,
(g) calculating an additional fifth resistance value R A based on the additional fifth current and the additional fifth voltage, or
(g ') a step of holding the fifth resistance (R A) from the step of determining the distance to an additional fifth resistance (R A), and
(h) applying an additional sixth potential across the second and third contact elements to generate an additional sixth current in the surface portion at the first location,
(i) measuring the additional sixth current through the second or third contact element,
(j) measuring an additional sixth voltage across the first and fourth contact elements,
(k) calculating an additional sixth resistance value R A ' based on the additional sixth current and the additional sixth voltage, or
(k ') holding the sixth resistance value R A' from determining the distance as an additional fifth resistance value R A ' , and
(l) a fifth resistance average of the additional fifth resistance value R A and the additional sixth resistance value R A ′ (
Figure pct00273
),
(d ") applying an additional first potential across said first and third contact elements to generate an additional first current in said surface portion at said first location,
(e ") measuring said additional first current through said first or third contact element,
(f ") measuring an additional first voltage across said second and fourth contact elements,
(g ") calculating an additional first resistance value R B based on said additional first current and said additional first voltage, or
(g ''') comprising: holding the first resistance value (R B) from the step of determining the distance to the additional first resistance value (R B), and
(h ") applying an additional second potential across said second and fourth contact elements to generate an additional second current in said surface portion at said first location,
(i ") measuring said additional second current through said second or fourth contact element,
(j ") measuring an additional second voltage across said first and third contact elements,
(k ″) calculating an additional second resistance value R B ′ based on the additional second current and the additional second voltage, or
(k ''') holding the second resistance value R B' from determining the distance as an additional second resistance value R ' B , and
(l ″) a sixth resistance average of the additional first resistance value R B and the additional second resistance value R B ′ (
Figure pct00274
),
(m) the fifth resistance average (
Figure pct00275
), The sixth resistance average (
Figure pct00276
And a sixth relationship comprising the eighteenth, nineteenth, and twentieth parameters representing the pseudo sheet resistance R P , respectively; and
(n) the fifth resistance average in the sixth equation (
Figure pct00277
) And the sixth resistance average (
Figure pct00278
) Determining the pseudo sheet resistance R P using the eighteenth parameter and the nineteenth parameter, respectively.
제44항 또는 제45항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제6 관계식은
Figure pct00279
와 같고, 여기서 RP는 상기 의사 시트 저항이고,
Figure pct00280
는 상기 제1 저항 평균이며,
Figure pct00281
는 상기 제2 저항 평균인 것을 특징으로 하는 방법.
46. The method of claim 44 or 45, wherein the sixth relation is
Figure pct00279
, Wherein R P is the pseudo sheet resistance,
Figure pct00280
Is the first resistance average,
Figure pct00281
Is the second resistance average.
테스트 샘플(test sample)의 전기적으로 전도성(electrically conducting)인 표면부 상의 제1 위치와 상기 전기적으로 전도성인 표면부의 전기적 경계(electrical boundary) 간의 거리를 결정하는 장치로서,
제1 접촉 요소(contact element), 제2 접촉 요소, 제3 접촉 요소, 및 제4 접촉 요소를 포함하는 멀티 포인트 프로브(multi-point probe) - 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점(contact point)을 정의함 -, 및
제1항 내지 제34항 중 어느 한 항에 따른 거리 또는 추가 거리를 결정하는 방법을 수행하도록 구성된 제어 유닛
을 포함하는 장치.
An apparatus for determining a distance between a first location on an electrically conducting surface portion of a test sample and an electrical boundary of the electrically conductive surface portion,
Multi-point probe comprising a first contact element, a second contact element, a third contact element, and a fourth contact element, each contact element establishing an electrical contact with the test sample. Define a contact point for
The method according to any one of claims 1 to 34. A control unit configured to carry out a method of determining a distance or an additional distance
/ RTI >
테스트 샘플(test sample)의 전기적으로 전도성(electrically conducting)인 표면부 상의 제1 위치에서 전기적 특성을 결정하는 장치로서,
제1 접촉 요소(contact element), 제2 접촉 요소, 제3 접촉 요소, 및 제4 접촉 요소를 포함하는 멀티 포인트 프로브(multi-point probe) - 각 접촉 요소는 상기 테스트 샘플과의 전기적 접촉을 확립하기 위한 접촉점(contact point)을 정의함 -, 및
제35항 내지 제46항 중 어느 한 항에 따른 테스트 샘플의 전기적으로 전도성인 표면부 상의 제1 위치에서 전기적 특성을 결정하는 방법을 수행하도록 구성된 제어 유닛
을 포함하는 장치.
An apparatus for determining electrical properties at a first location on an electrically conducting surface portion of a test sample, the apparatus comprising:
Multi-point probe comprising a first contact element, a second contact element, a third contact element, and a fourth contact element, each contact element establishing an electrical contact with the test sample. Define a contact point for
47. A method of determining electrical properties at a first location on an electrically conductive surface of a test sample according to any one of claims 35 to 46. Configured control unit
/ RTI >
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170045230A (en) * 2014-07-25 2017-04-26 더 세크러테리 오브 스테이트 포 비즈니스, 이노베이션 & 스킬스 Measurement technique for thin-film characterization
KR20180104007A (en) * 2016-01-15 2018-09-19 레이크 쇼어 크라이오트로닉스 인코포레이티드 High-speed Hall Effect Measurement System

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2871487A1 (en) 2013-11-11 2015-05-13 Capres A/S Small scale measurements of anisotropic sheet conductances
KR102478717B1 (en) 2017-01-09 2022-12-16 카프레스 에이/에스 Position compensation method and system for position compensation for 4 probe resistance measurement
DE102017105317B3 (en) 2017-03-14 2018-05-09 Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf E.V. Device for characterizing the electrical resistance of a test object
US11740279B2 (en) 2020-04-24 2023-08-29 Kla Corporation Measuring temperature-modulated properties of a test sample
CN111707182B (en) * 2020-06-29 2022-06-03 上海中商网络股份有限公司 Product spacing detection system, method and device
CN112878309A (en) * 2021-01-08 2021-06-01 河海大学 Electrolytic desaturation prefabricated pipe pile composite pile foundation and using method

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7008274A (en) 1970-06-06 1971-12-08
JPS5262479A (en) * 1975-11-19 1977-05-23 Agency Of Ind Science & Technol Prove device for measurement
US4857839A (en) 1988-03-02 1989-08-15 Wright State University Method and apparatus for measuring average resistivity and hall-effect of semiconductor wafers
CH682017A5 (en) 1990-02-01 1993-06-30 Radivoje Popovic Appts. for measuring characteristic values of semiconductor wafer - employs homogeneous magnetic field and predefined test current to establish specific resistance and Hall coefft. of sample
US5150042A (en) 1991-09-23 1992-09-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force On-wafer Hall-effect measurement system
GB2276462B (en) 1993-03-23 1997-01-22 Univ Sheffield Method and apparatus for mapping of semiconductor materials
EP1095282B1 (en) 1998-07-08 2007-09-19 Capres Aps Multi-point probe
WO2005022135A1 (en) * 2003-08-27 2005-03-10 Prussin Simon A In situ determination of resistivity, mobility and dopant concentration profiles
KR101170287B1 (en) 2004-06-21 2012-07-31 카프레스 에이/에스 An apparatus and method for providing alignment of a probe, and a testing apparatus for testing electric properties on a specific location of a test sample
EP1775594A1 (en) * 2005-10-17 2007-04-18 Capres A/S Eliminating in-line positional errors for four-point resistance measurement
EP1780550A1 (en) 2005-10-31 2007-05-02 Capres A/S A probe for testing electrical properties of test samples
EP1970714A1 (en) 2007-03-12 2008-09-17 Capres Aps Device including a contact detector
US8907690B2 (en) * 2007-09-03 2014-12-09 Capres A/S Method of determining an electrical property of a test sample
USD602885S1 (en) * 2008-04-04 2009-10-27 Capres A/S Connector for a microchip probe
EP2141503A1 (en) 2008-06-30 2010-01-06 Capres A/S A multi-point probe for testing electrical properties and a method of producing a multi-point probe
EP2237052A1 (en) 2009-03-31 2010-10-06 Capres A/S Automated multi-point probe manipulation
JP5499383B2 (en) * 2010-03-30 2014-05-21 株式会社国際電気セミコンダクターサービス Semiconductor wafer resistivity measuring device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170045230A (en) * 2014-07-25 2017-04-26 더 세크러테리 오브 스테이트 포 비즈니스, 이노베이션 & 스킬스 Measurement technique for thin-film characterization
KR20180104007A (en) * 2016-01-15 2018-09-19 레이크 쇼어 크라이오트로닉스 인코포레이티드 High-speed Hall Effect Measurement System

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