KR20130127312A

KR20130127312A - 디스플레이용 인터페이스패널 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR20130127312A
Application number: KR1020120051140A
Authority: KR
Inventors: 최은희
Original assignee: 최은희
Priority date: 2012-05-14
Filing date: 2012-05-14
Publication date: 2013-11-22
Also published as: KR101395182B1

Abstract

본 발명은 디스플레이용 인터페이스패널 및 그 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 투과율 및 시인성이 향상되고 단순한 공정 및 저가로 제조 가능한 디스플레이용 인터페이스패널 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 투명 절연성 기재; 상기 투명 절연성 기재의 일측에 제1 방향을 따라 형성되는 제1 전극층; 및 상기 투명 절연성 기재의 타측에 제2 방향을 따라 형성되는 제2 전극층을 포함하고, 상기 투명 절연성 기재는 경화성 수지를 포함하는 디스플레이용 인터페이스패널 및 그 제조방법을 제공한다.

Description

디스플레이용 인터페이스패널 및 그 제조방법{INTERFACE PANEL FOR DISPLAY AND METHOD OF FABRICATING THEREOF}

본 발명은 디스플레이용 인터페이스패널 및 그 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 투과율 및 시인성이 향상되고 단순한 공정 및 저가로 제조 가능한 디스플레이용 인터페이스패널 및 그 제조방법에 관한 것이다

디스플레이용 인터페이스패널에는 디스플레이 전면에 부착되어 사용자의 터치 입력을 수신하는 장치가 있다. 일반적으로, 이러한 디스플레이용 인터페이스패널은 투명한 플레이트 표면에 도전 라인을 형성하고, 도전 라인을 통하여 사용자의 터치 입력의 위치를 검출한다. 이러한 디스플레이용 인터페이스패널은 저항에 의한 전류의 변화를 감지하는 저항식 패널과 커패시턴스의 변화를 감지하는 정전식 패널로 구분된다. 정전식 패널은 저항식 패널에 비하여 터치감이 우수하여 점점 사용 분야가 증가하고 있다.

상용화된 대부분의 디스플레이용 인터페이스패널은 투명 전도막이 일면에 형성되어 있는 투명 기판을 적어도 하나 포함한다. 투명 전도막은 흔히 ITO(indium tin oxide), TAO(Tin Antimony Oxide) 등의 투명 전도성 물질로 이루어지며, 전기 배선을 통해 사용자가 접속한 디스플레이용 인터페이스패널 상의 위치를 계산하기 위하여 패널 외부에 마련된 센서 회로에 연결된다. 또한, 디스플레이용 인터페이스패널의 패턴을 구현하기 위한 방법으로 투명기판 위에 투명 전도막을 형성하고 금속을 증착한 다음 식각 처리하는 방법이 사용되고 있다. 최근의 기술 동향으로는 투명 전도막 대신에 은나노 와이어를 사용하는 방법, 탄소나노튜브를 사용하는 방법, 전도성 폴리머 등이 사용되고 있다.

그러나 지금까지 이러한 개발된 미세패턴 구현 방법은 원재료인 투명 전도막이 고가이고, 구현 방법이 복잡하며, 양산 적용에의 실현성이 부족하여 조기 적용하는 데에는 한계가 있었다. 또한 이러한 기술 등은 코팅 후에 다시 식각해야 하고, 이로 인해, 제조원가의 상승 등의 문제와 공정이 복잡하고 시인성과 관련된 제조 공정조건의 문제 등이 있었다.

본 발명의 하나의 목적은 투과율 및 시인성이 향상되고 단순한 공정 및 저가로 제조 가능한 디스플레이용 인터페이스패널 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 한 장의 투명 절연성 기재에 전극을 형성함으로써, 디스플레이용 인터페이스패널의 두께를 대폭 감소시킬 수 있어, 가볍고 얇은 디스플레이용 인터페이스패널을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 디스플레이용 인터페이스패널의 베젤부에 형성되는 금속 배선의 선폭 및 선간 거리를 감소시킬 수 있어, 디스플레이용 인터페이스패널의 유효 표시 영역을 실질적으로 확장시킬 수 있고, 이를 통해 보다 다양한 기능을 구현할 수 있어 제품 경쟁력 제고에 기여할 수 있는 디스플레이용 인터페이스패널을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 고가의 ITO를 사용하지 않음으로 인해, 제조 비용을 절감시킬 수 있을 뿐만 아니라 종래와 동등 또는 그 이상의 광학적 특성을 구현할 수 있는 디스플레이용 인터페이스패널을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 종래의 리소그래피 등의 패턴 형성 공정을 생략함에 따라, 제조 공정을 간소화시킬 수 있는 디스플레이용 인터페이스패널의 제조방법을 제공하는 것이다.

이를 위해, 본 발명은 투명 절연성 기재; 상기 투명 절연성 기재의 일측에 제1 방향을 따라 형성되는 제1 전극층; 및 상기 투명 절연성 기재의 타측에 제2 방향을 따라 형성되는 제2 전극층;을 포함하고, 상기 투명 절연성 기재는 경화성 수지를 포함하는 디스플레이용 인터페이스패널을 제공한다.

여기서, 상기 투명 절연성 기재는 자외선 경화성 수지 또는 열 경화성 수지로 이루어질 수 있다.

상기 투명 절연성 기재는 올레핀계, 에폭시계, 아크릴계, 우레탄계 및 실리콘계 수지로 이루어지는 그룹에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.

상기 투명 절연성 기재는, 일면 또는 타면에 상기 제1 전극층이 음각 형태로 형성되어 있는 제1 투명층, 및 상기 제1 투명층에 적층되고, 일면 또는 타면에 상기 제2 전극층이 음각 형태로 형성되어 있는 제2 투명층으로 이루어질 수 있다.

상기 제1 투명층 및 상기 제2 투명층의 경계면에는 상기 제1 전극층 또는 상기 제2 전극층이 배치될 수 있다.

상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은 각각, 스트라이프 패턴으로 형성될 수 있다.

상기 스트라이프 패턴의 단면은 삼각형, 사각형, 반원 및 사다리꼴 중 어느 하나의 형상으로 형성될 수 있다.

상기 스트라이프 패턴의 폭은 10㎛ 이하로도 형성될 수 있다.

상기 제1 전극층의 스트라이프 패턴 중 어느 하나와 상기 제2 전극층의 스트라이프 패턴 중 어느 하나는 전기적으로 접속될 수 있다.

상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은 도전성 입자 및 상기 도전성 입자를 고정하는 바인더를 포함할 수 있다.

상기 도전성 입자는 니켈, 팔라듐, 은, 구리, 금, 주석, 백금, 알루미늄, 산화인듐, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자 및 코발트로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 조합으로 이루어질 수 있다.

상기 바인더는 상기 투명 절연성 기재와 굴절률 차이가 작을수록 바람직하며, 굴절률 차이가 0.5 이내인 물질로 이루어질 수 있다.

한편, 본 발명은, (a) 제1 투명층에 제1 방향을 따라 서로 이격되는 복수개의 제1 트렌치를 형성하는 단계; (b) 상기 복수개의 제1 트렌치 내부에 도전성 물질을 충진시켜 상기 제1 투명층에 제1 전극층을 형성하는 단계; (c) 상기 제1 투명층의 어느 한 표면에 상기 제1 투명층과 동일한 물질로 이루어진 제2 투명층을 적층하는 단계; (d) 상기 제2 투명층에 제2 방향을 따라 서로 이격되는 복수개의 제2 트렌치를 형성하는 단계; 및 (e) 상기 복수개의 제2 트렌치 내부에 상기 도전성 물질을 충진시켜 상기 제2 투명층에 제2 전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 디스플레이용 인터페이스패널 제조방법을 제공한다.

여기서, 상기 (a) 단계 및 상기 (d) 단계는 각각, 바닥면에 요철 패턴이 형성되어 있는 몰드에 경화성 수지로 이루어진 수지물을 충진하는 과정, 상기 수질물을 경화시키는 과정, 및 경화된 상기 수지물을 상기 몰드로부터 이탈시키는 과정을 포함할 수 있다.

상기 (b) 단계 및 상기 (e) 단계는 각각, 도전성 입자와 바인더를 포함하는 도전성 페이스트를 도전성 물질로 준비하는 과정, 상기 복수개의 제1 트렌치 또는 상기 복수개의 제2 트렌치 내부에 상기 도전성 물질을 채워 넣는 과정, 및 상기 도전성 물질을 경화시키는 과정을 포함할 수 있다.

상기 (c) 단계에서는 상기 제1 전극층이 형성된 상기 제1 투명층의 표면에 상기 제2 투명층을 적층할 수 있다.

상기 (c) 단계에서는 상기 제1 전극층이 형성된 상기 제1 투명층의 반대쪽 표면에 상기 제2 투명층을 적층할 수 있다.

상기 요철 패턴은 리소그래피 또는 금속 가공을 통해 형성될 수 있다.

본 발명에 따르면, 한 장의 투명 절연성 기재에 전극을 형성함으로써, 디스플레이용 인터페이스패널의 두께를 대폭 감소시킬 수 있어, 가볍고 얇은 디스플레이용 인터페이스패널을 제조할 수 있고, 디스플레이용 인터페이스패널의 베젤부에 형성되는 금속 배선의 선폭 및 선간 거리를 감소시킬 수 있어, 디스플레이용 인터페이스패널의 유효 표시 영역을 실질적으로 확장시킬 수 있고, 이를 통해 보다 다양한 기능을 구현할 수 있으며, 이는 제품 경쟁력 제고에 기여하게 된다. 그리고 본 발명에 따르면, 고가의 ITO를 사용하지 않음으로 인해, 제조 비용을 절감시킬 수 있을 뿐만 아니라 종래와 동등 또는 그 이상의 광학적 특성을 구현할 수 있으며, 종래의 리소그래피 등의 패턴 형성 공정을 생략함에 따라, 제조 공정을 간소화시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이용 인터페이스패널을 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이용 인터페이스패널을 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이용 인터페이스패널 제조방법을 나타낸 공정 순서도.
도 4 내지 도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이용 인터페이스패널 제조방법을 공정 순으로 나타낸 공정도.

이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이용 인터페이스패널 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명한다.

아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이용 인터페이스패널(100)은 예컨대, 디스플레이의 전면에 부착되어 사용자의 터치 입력을 수신하는 터치스크린 패널일 수 있다. 이러한 디스플레이용 인터페이스패널(100)은 투명 절연성 기재(110), 제1 전극층(120) 및 제2 전극층(130)을 포함한다.

투명 절연성 기재(110)는 경화성 수지를 포함한다. 예를 들어, 투명 절연성 기재(110)는 자외선 경화성 수지 또는 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 구체적으로, 투명 절연성 기재(110)는 올레핀계, 에폭시계, 아크릴계, 우레탄계 및 실리콘계 수지로 이루어지는 그룹에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 이러한 투명 절연성 기재(110)는 제1 전극층(120) 및 제2 전극층(130)의 형성 위치를 제공하고 이를 지지함과 아울러, 디스플레이로부터 생성되는 화면 혹은 영상을 외부로 투영시키는 디스플레이용 인터페이스패널(100)의 최외각 층일 수 있고, 별도의 최외각 층에 의해 보호되는 디스플레이용 인터페이스패널(100)의 중간 층일 수도 있다.

한편, 투명 절연성 기재(110)는 제1 투명층(111)과 제2 투명층(112)로 구분될 수 있다. 제1 투명층(111)과 제2 투명층(112)의 구분은 제조 방법에 따른 구분으로, 제1 투명층(111)과 제2 투명층(112)은 서로 적층된 후 경화되어 일체화된다. 그리고 제1 투명층(111)은 제1 전극층(120)이 형성되는 층이고, 제2 투명층(112)은 제2 전극층(130)이 형성되는 층이다. 이때, 제1 전극층(120)은 제1 투명층(111)의 일면 또는 타면에 형성될 수 있고, 제2 전극층(130)은 제2 투명층(112)의 일면 또는 타면에 형성될 수 있다. 이와 같이, 제1 전극층(120) 및 제2 전극층(130)의 형성 위치를 제공하는 제1 투명층(111) 및 제2 투명층(112)에 대해서는 하기의 제조 방법에서 보다 상세히 설명하기로 한다.

제1 전극층(120)은 투명 절연성 기재(110)의 일측에 제1 방향, 예컨대, 가로 방향을 따라 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 전극층(120)은 제1 투명층(111)의 상면(도면기준)에 형성될 수 있다. 그리고 제1 전극층(120)은 제1 투명층(111)의 상면에 음각 또는 양각 형태로 형성될 수 있다. 제1 전극층(120)이 양각 형태로 형성되는 경우, 그 제조 방법이 식각이나 포토리소그래피 공정 등 복잡한 공정을 수반하게 되므로, 보다 간소한 임프린팅 방법으로 간단하게 형성될 수 있도록, 제1 전극층(120)이 음각 또는 양각의 형태로 형성되는 것이 보다 바람직하다. 그리고 이와 같이, 제1 전극층(120)이 음각 형태로 형성되면, 디스플레이 장치에 요구되는 콤팩트화 및 슬림화를 구현할 수 있다.

도시하진 않았지만, 제1 투명층(111)의 상면에 형성되는 제1 전극층(120)의 평면 구조는 스트라이프 패턴을 이룰 수 있다. 이때, 이 스트라이프 패턴의 단면은 삼각형, 사각형, 반원 및 사다리꼴 중 어느 하나의 형상으로 형성될 수 있고, 이외에도 다양한 도형 형태로도 형성될 수 있다.

여기서, 제1 전극층(120)을 이루는 스트라이프 패턴 중 단위 패턴의 폭은 대략 5㎛ 이하로 형성되는 것이 바람직하다. 만약, 패턴의 폭이 5㎛를 초과하여 형성되면, 디스플레이용 인터페이스패널(100)의 유효 표시 영역에 형성되는 패턴의 폭이 외부로 드러나게 되어, 시인성이 저하될 수 있고, 이에 따라, 전체적인 투과율도 감소되는 등 디스플레이용 인터페이스패널(100)의 품질이 저하될 수 있다. 바람직하게는 상기 단위 패턴의 폭은 0.01 내지 10㎛ 이다.

한편, 이러한 제1 전극층(120)은 도전성 입자 및 도전성 입자를 고정하는 바인더를 포함할 수 있다. 이때, 도전성 입자는 전도성 금속, 상기 금속의 합금, 전도성 고분자, 탄소입자 등이 사용될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 구체 예에서는 상기 도전성 입자는 니켈, 팔라듐, 은, 구리, 금, 주석, 백금, 알루미늄, 산화인듐, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자 및 코발트로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 조합으로 이루어질 수 있다. 상기 도전성 입자의 크기는 1nm에서 5㎛까지 적용할 수 있다.

상기 바인더는 종래 ITO를 투명 전극으로 사용한 디스플레이용 인터페이스패널과 비교하여 동일 또는 그 이상의 투과율을 확보하기 위해, 투명 절연성 기재(110)와 굴절률 정합(index matching)을 이루는 물질을 사용하는 것이 가장 바람직하고, 차선으로 투명 절연성 기재(110)와 굴절률 차이가 대략 0.5 이내, 바람직하게는 0.05 이내, 보다 바람직하게는 0.005 이내인 물질을 사용한다. 이와 같이, 도전성 입자 및 고분자를 사용하여 형성되는 제1 전극층(120)의 형성 방법에 대해서는 하기의 디스플레이용 인터페이스패널 제조방법에서 보다 상세히 설명하기로 한다.

제2 전극층(130)은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이용 인터페이스패널(100)이 터치 패널로 적용되는 경우, 제1 전극층(120)과 함께 외부로부터의 접촉에 대한 전기적 신호를 발생시키는 역할을 한다. 이때, 제1 전극층(120)과 제2 전극층(130) 중 어느 하나는 X축 좌표를, 다른 하나는 Y축 좌표를 감지하게 된다.

이러한 제2 전극층(130)은 투명 절연성 기재(110)의 타측에 제2 방향, 예컨대, 세로 방향을 따라 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2 전극층(130)과 제1 전극층(120)은 평면 상에서 서로 직교하게 형성될 수 있다. 하지만, 제1 전극층(120)과 제2 전극층(130)은 설계 목적에 따라 다양한 각도를 이루도록 형성될 수 있는 바, 본 발명의 실시 예에서 제1 전극층(120)과 제2 전극층(130)의 배치 형태를 특별히 한정하는 것은 아니다.

구체적으로, 제2 전극층(130)은 제2 투명층(112)의 하면(도면기준)에 형성될 수 있다. 그리고 제2 전극층(130)은 제1 전극층(120)과 마찬가지로, 음각 또는 양각 형태로 형성될 수 있는데, 제조 공정 간소화 및 제조 원가 절감, 디스플레이 장치의 콤팩트화 및 슬림화를 위해 제2 투명층(112)의 하면에 음각으로 형성되는 것이 바람직하다.

제2 전극층(130) 또한 제1 전극층(120)과 마찬가지로, 스트라이프 패턴으로 형성될 수 있고, 그 단면은 삼각형, 사각형, 반원 및 사다리꼴을 포함하는 다양한 도형 중 선택되어 형성될 수 있다. 이때, 제2 전극층(130)의 스트라이프 패턴 중 단위 패턴 각각의 단면 형상이 동일할 필요는 없고, 제1 전극층(120)의 패턴 형태와도 다르게 형성되어도 무방하다. 하지만, 제2 전극층(120)을 이루는 스트라이프 패턴 중 단위 패턴의 폭은 상술한 이유에 의해 대략 10㎛ 이하로 형성되는 것이 바람직하다.

한편, 제2 전극층(130)은 제1 전극층(120)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 제2 전극층(130)은 도전성 입자 및 도전성 입자를 고정하는 바인더를 포함할 수 있다. 이때, 도전성 입자는 전도성 금속, 상기 금속의 합금, 전도성 고분자, 탄소입자 등이 사용될 수 있으며, 예를 들면, 니켈, 팔라듐, 은, 구리, 금, 주석, 백금, 알루미늄, 산화인듐, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자 및 코발트로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 조합으로 이루어질 수 있다. 마찬가지로, 바인더도 투명 절연성 기재(110)와 굴절률 차이가 적은 물질을 사용하는 것이 바람직하다.

여기서, 도 1에 도시한 바와 같이, 제1 전극층(120)과 제2 전극층(130)은 투명 절연성 기재(110)를 기준으로 서로 반대되는 면에 형성될 수 있다. 하지만, 도 2에 도시한 바와 같이, 다른 실시 예로, 제2 전극층(130)은 제1 투명층(111)과 제2 투명층(112)의 경계면에 제1 투명층(111)과 제2 투명층(112)에 의해 매립되는 형태로 형성될 수 있다. 이때, 제1 전극층(120)이 제1 투명층(111)과 제2 투명층(112)의 경계면에 형성되고, 제2 전극층(130)이 제2 투명층(112)의 하면에 형성될 수 있음은 물론이다.

한편, 도시하진 않았지만, 제1 전극층(120)의 스트라이프 패턴 중 어느 하나, 예컨대, 최외각 패턴과 제2 전극층(130)의 최외각 패턴은 서로 전기적으로 접속될 수 있다. 이와 같이, 전기적으로 접속되는 패턴들은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이용 인터페이스패널(100)이 터치 패널로 사용될 경우 베젤부에 의해 가려지는 부분의 패턴이 되고, 이러한 패턴은 터치 패널의 금속 배선으로 사용되어 FPCB와 같은 회로부에 접속되어 외부로부터의 접촉에 의해 발생된 전기적 신호를 회로부로 전송시키는 역할을 하게 된다.

이하, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이용 인터페이스패널의 제조방법에 대해 설명하기로 한다.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이용 인터페이스패널 제조방법은, 제1 트렌치 형성단계(S1), 제1 전극층 형성단계(S2), 제2 투명층 형성단계(S3), 제2 트렌치 형성단계(S4) 및 제2 전극층 형성단계(S5)를 포함한다.

먼저, 도 4 및 도 5를 참조하면, 제1 트렌치 형성단계(S1)는 제1 투명층(111)에 제1 방향을 따라 서로 이격되는 복수개의 제1 트렌치(113)를 형성하는 단계이다. 이 단계(S1)에서는 바닥면에 요철 패턴(51)이 형성되어 있는 몰드(50)에 경화성 수지로 이루어진 수지물(101)을 충진한다. 이때, 몰드(50)의 요철 패턴(51)은 공지의 리소그래피 방법이나 금속 가공을 통해 다양한 형태로 형성할 수 있다. 그리고 사용하는 수지물(101)은 자외선 경화성 수지 또는 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 구체적으로, 수지물(101)은 올레핀계, 에폭시계, 아크릴계, 우레탄계 및 실리콘계 수지로 이루어지는 그룹에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 이때, 열 경화성 수지를 사용하는 경우 경화시간의 오래 소요되는 단점이 있으므로, 수지물(101)로는 자외선 경화성 수지를 사용하는 것이 바람직하다.

도시한 바와 같이, 수지물(101)을 몰드(50)에 충진시키고, 자외선을 조사하거나 열을 가할 경우 변형을 방지하기 위해 유리(G)로 수지물(101)이 충진된 몰드(50)의 상부를 덮어 주는 것이 바람직하다. 이와 같이, 수지물(101)을 경화시킨 후 유리(G)를 제거하고 수지물(101)을 몰드(50)로부터 이탈시키면, 도 5에 도시한 바와 같이, 몰드(50)의 요철 패턴(51)에 의해 제1 투명층(111)의 일면에 제1 트렌치(113)가 형성된다. 이러한 제1 트렌치(113)는 제1 전극층(120)을 이루는 도전성 물질(125)의 충진 공간을 제공한다. 그리고 제1 트렌치(113)는 제1 전극층(120)의 형상을 제어하는 역할을 하게 된다. 본 발명의 실시 예에 따른 제1 전극층(120)은 스트라이프 패턴으로 형성되므로, 제1 트렌치(113)를 스트라이프 패턴으로 형성하여야 하고, 이러한 제1 트렌치(113)의 형상은 몰드(50)의 요철 패턴(51)에 의해 결정된다. 이때, 금속 배선을 형성하는 요철 패턴(51)의 선폭이나 선간 거리도 손쉽게 조절할 수 있는데, 이를 통해, 유효 표시 영역을 종래 보다 확장시킬 수 있다.

다음으로, 도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 전극층 형성단계(S2)는 제1 트렌치 형성단계(S1)를 통해 형성된 복수개의 제1 트렌치(113) 내부에 도전성 물질(125)을 충진시켜 제1 투명층(111)의 일면에 제1 전극층(120)을 형성하는 단계이다. 이 단계(S2)에서는, 먼저, 도전성 입자와 바인더를 포함하는 도전성 페이스트를 도전성 물질(125)로 준비한다. 여기서, 도전성 입자로는 니켈, 팔라듐, 은, 구리, 금, 주석, 백금, 알루미늄, 산화인듐, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자 및 코발트로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 사용할 수 있고, 바인더로는 제1 투명층(111)과의 굴절률 차이를 고려하여 물질을 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. 그 다음, 도시한 바와 같이, 복수개의 제1 트렌치(113) 내부에 준비한 도전성 물질(125)을 채워 넣는다. 일 예로, 닥터 블레이드를 이용하여 제1 트렌치(113)가 형성된 제1 투명층(111)의 일면에 도전성 물질(125)을 도포한 후 제1 트렌치(113) 이외의 제1 투명층(111)의 일면에 도포된 도전성 물질(125)을 긁어 내거나 별도의 수단으로 제거하면, 제1 트렌치(113) 내부에만 도전성 물질(125)을 채워 넣을 수 있다. 이와 같은 방법을 통해서는 제1 트렌치(113) 내부에 채워진 도전성 물질(125)의 표면을 동시에 평탄화시킬 수 있다는 장점이 있다. 그리고 다른 예로, 노즐과 같은 주입 수단을 사용하여 처음부터 제1 트렌치(113)의 내부에만 도전성 물질(125)을 채워 넣을 수도 있다. 그 다음, 핫 플레이트나 오븐 등의 가열장치로 열을 가해 도전성 물질(125)을 경화시키면, 제1 투명층(111)의 일면에 스트라이프 패턴의 제1 전극층(120)이 형성된다.

다음으로, 도 8 및 도 9를 참조하면, 제2 투명층 형성단계(S3) 및 제2 트렌치 형성단계(S4)는 제1 투명층(111)의 어느 한 표면에 제2 투명층(112)을 적층하고, 제2 투명층(112)에 제2 방향을 따라 서로 이격되는 복수개의 제2 트렌치(114)를 형성하는 단계이다. 여기서, 제2 투명층 형성단계(S3) 및 제2 트렌치 형성단계(S4)의 구분은 설명의 편의를 위한 것으로, 그 방법은 제1 트렌치 형성단계(S1)와 동일하다. 먼저, 제2 투명층 형성단계(S3)에서는 도시한 바와 같이, 제1 전극층(120)이 형성된 제1 투명층(111)의 표면에 제2 투명층(112)이 적층되도록 수지물(101)을 몰드(50)에 충진시킬 수 있다. 하지만, 제1 전극층(120)이 형성된 제1 투명층(111)의 반대쪽 표면에 제2 투명층(112)이 적층되도록 몰드(50)에 제1 투명층(111)이 놓이는 방향을 바꿀 수도 있다. 여기서, 이들 단계(S3, S4)에 사용되는 몰드(50)는 제1 트렌치 형성단계(S1)에 사용된 몰드(50)와는 요철 패턴(51)이 다른 형태일 수 있다.

이와 같이, 바닥면에 요철 패턴(51)이 형성되어 있는 몰드(50)에 제1 트렌치 형성단계(S1)와 동일한 수지물(101)을 충진하고, 경화시킨 다음, 제1 투명층(111)에 경화되어 부착된 수지물(101)을 몰드(50)로부터 이탈시키면, 제2 트렌치(114)를 가지는 제2 투명층(112)이 형성된다.

마지막으로, 도 10 및 도 11을 참조하면, 제2 전극층 형성단계(S5)는 복수개의 제2 트렌치(114) 내부에 도전성 물질(125)을 충진시켜 제2 투명층(112)에 제2 전극층(130)을 형성하는 단계이다. 이 단계(S5)는 제1 전극층 형성단계(S2)와 동일한 공정으로 진행된다. 즉, 이 단계(S5)에서는 먼저, 도전성 입자와 바인더를 포함하는 도전성 페이스트를 도전성 물질(125)로 준비한다. 여기서, 도전성 입자로는 니켈, 팔라듐, 은, 구리, 금, 주석, 백금, 알루미늄, 산화인듐, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자 및 코발트로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 사용할 수 있고, 바인더로는 제1 투명층(112)과의 굴절률 차이가 대략 0.5 이내, 바람직하게는 0.05 이내, 보다 바람직하게는 0.005 이내인 물질을 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. 그 다음, 도시한 바와 같이, 복수개의 제2 트렌치(114) 내부에 준비한 도전성 물질(125)을 채워 넣는다. 그 다음, 핫 플레이트나 오븐 등의 가열장치로 열을 가해 도전성 물질(125)을 경화시키면, 제2 투명층(112)의 일면에 제1 전극층(120)의 스트라이프 패턴과 직교하거나 교차하는 스트라이프 패턴의 제2 전극층(130)이 형성된다.

이와 같이, 제2 투명층(112)에 제2 전극층(130)을 형성하면, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이용 인터페이스패널(100)의 제조가 완료된다.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.

그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

100: 디스플레이용 인터페이스패널 101: 수지물
111: 제1 투명층 112: 제2 투명층
113: 제1 트렌치 114: 제2 트렌치
120: 제1 전극층 125: 도전성 물질
130: 제2 전극층 50: 몰드
51: 요철 패턴

Claims

투명 절연성 기재;
상기 투명 절연성 기재의 일측에 제1 방향을 따라 형성되는 제1 전극층; 및
상기 투명 절연성 기재의 타측에 제2 방향을 따라 형성되는 제2 전극층;
을 포함하고,
상기 투명 절연성 기재는 경화성 수지를 포함하는 디스플레이용 인터페이스패널.
제1항에 있어서,
상기 투명 절연성 기재는 자외선 경화성 수지 또는 열 경화성 수지로 이루어지는 디스플레이용 인터페이스패널.
제2항에 있어서,
상기 투명 절연성 기재는 올레핀계, 에폭시계, 아크릴계, 우레탄계 및 실리콘계 수지로 이루어지는 그룹에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 디스플레이용 인터페이스패널.
제1항에 있어서,
상기 투명 절연성 기재는,
일면 또는 타면에 상기 제1 전극층이 음각 형태로 형성되어 있는 제1 투명층, 및
상기 제1 투명층에 적층되고, 일면 또는 타면에 상기 제2 전극층이 음각 형태로 형성되어 있는 제2 투명층으로 이루어지는 디스플레이용 인터페이스패널.
제4항에 있어서,
상기 제1 투명층 및 상기 제2 투명층의 경계면에는 상기 제1 전극층 또는 상기 제2 전극층이 배치되는 디스플레이용 인터페이스패널.
제5항에 있어서,
상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은 각각, 스트라이프 패턴으로 형성되는 디스플레이용 인터페이스패널.
제6항에 있어서,
상기 스트라이프 패턴의 단면은 삼각형, 사각형, 반원 및 사다리꼴 중 어느 하나의 형상으로 형성되는 디스플레이용 인터페이스패널.
제7항에 있어서,
상기 스트라이프 패턴의 폭은 10㎛ 이하로 형성되는 디스플레이용 인터페이스패널.
제8항에 있어서,
상기 제1 전극층의 스트라이프 패턴 중 어느 하나와 상기 제2 전극층의 스트라이프 패턴 중 어느 하나는 전기적으로 접속되는 디스플레이용 인터페이스패널.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은 도전성 입자 및 상기 도전성 입자를 고정하는 바인더를 포함하는 디스플레이용 인터페이스패널.
제10항에 있어서,
상기 도전성 입자는 니켈, 팔라듐, 은, 구리, 금, 주석, 백금, 알루미늄, 산화인듐, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자 및 코발트로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 조합으로 이루어지는 디스플레이용 인터페이스패널.
제11항에 있어서,
상기 바인더는 상기 투명 절연성 기재와 굴절률 차이가 0.5 이내인 물질로 이루어지는 디스플레이용 인터페이스패널.
(a) 제1 투명층에 제1 방향을 따라 서로 이격되는 복수개의 제1 트렌치를 형성하는 단계;
(b) 상기 복수개의 제1 트렌치 내부에 도전성 물질을 충진시켜 상기 제1 투명층에 제1 전극층을 형성하는 단계;
(c) 상기 제1 투명층의 어느 한 표면에 상기 제1 투명층과 동일한 물질로 이루어진 제2 투명층을 적층하는 단계;
(d) 상기 제2 투명층에 제2 방향을 따라 서로 이격되는 복수개의 제2 트렌치를 형성하는 단계; 및
(e) 상기 복수개의 제2 트렌치 내부에 상기 도전성 물질을 충진시켜 상기 제2 투명층에 제2 전극층을 형성하는 단계;
를 포함하는 디스플레이용 인터페이스패널의 제조방법.
제13항에 있어서,
상기 (a) 단계 및 상기 (d) 단계는 각각,
바닥면에 요철 패턴이 형성되어 있는 몰드에 경화성 수지로 이루어진 수지물을 충진하는 과정,
상기 수질물을 경화시키는 과정, 및
경화된 상기 수지물을 상기 몰드로부터 이탈시키는 과정,
을 포함하는 디스플레이용 인터페이스패널의 제조방법.
제13항에 있어서,
상기 (b) 단계 및 상기 (e) 단계는 각각,
도전성 입자와 바인더를 포함하는 도전성 페이스트를 도전성 물질로 준비하는 과정,
상기 복수개의 제1 트렌치 또는 상기 복수개의 제2 트렌치 내부에 상기 도전성 물질을 채워 넣는 과정, 및
상기 도전성 물질을 경화시키는 과정,
을 포함하는 디스플레이용 인터페이스패널의 제조방법.
제13항에 있어서,
상기 (c) 단계에서는 상기 제1 전극층이 형성된 상기 제1 투명층의 표면에 상기 제2 투명층을 적층하는 디스플레이용 인터페이스패널의 제조방법.
제13항에 있어서,
상기 (c) 단계에서는 상기 제1 전극층이 형성된 상기 제1 투명층의 반대쪽 표면에 상기 제2 투명층을 적층하는 디스플레이용 인터페이스패널의 제조방법.
제14항에 있어서,
상기 요철 패턴은 리소그래피 또는 금속 가공을 통해 형성되는 디스플레이용 인터페이스패널의 제조방법.