KR20130126267A - Substrate tray for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus having the same - Google Patents

Substrate tray for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus having the same Download PDF

Info

Publication number
KR20130126267A
KR20130126267A KR1020120050241A KR20120050241A KR20130126267A KR 20130126267 A KR20130126267 A KR 20130126267A KR 1020120050241 A KR1020120050241 A KR 1020120050241A KR 20120050241 A KR20120050241 A KR 20120050241A KR 20130126267 A KR20130126267 A KR 20130126267A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
magnetic force
substrate processing
holding assembly
mask
Prior art date
Application number
KR1020120050241A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
양호식
김건
방승덕
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 원익아이피에스 filed Critical 주식회사 원익아이피에스
Priority to KR1020120050241A priority Critical patent/KR20130126267A/en
Publication of KR20130126267A publication Critical patent/KR20130126267A/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering

Abstract

The present invention relates to a substrate processing device, and more particularly, to a substrate processing device having a substrate holding assembly for processing a substrate while the substrate is attached to a mask. The present invention comprises the following: an external frame having an opening; a body having a opposed surface opposing a substrate processing surface, as a substrate holding assembly of the substrate processing device processing substrate; one or more first magnetic force creating parts attaching the pattern forming part onto the substrate processing surface by the magnetic force; and one or more second magnetic force creating parts attaching the outer frame onto the substrate processing surface by the magnetic force in order for the present invention to correspond to the outer frame.

Description

기판홀딩어셈블리 및 그를 가지는 기판처리장치 {Substrate tray for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus having the same}Substrate tray for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus having the same

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 마스크를 밀착시킨 상태에서 기판처리를 수행하는 기판홀딩어셈블리 및 그를 가지는 기판처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate holding assembly for performing substrate processing in a state in which a mask is in close contact with a substrate, and a substrate processing apparatus having the same.

평판표시소자(Flat Panel Display)는 액정표시소자 (Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이소자(Plasma Display Panel), 유기발광소자 (Organic Light Emitting Diodes) 등이 대표적이다. Flat panel displays include liquid crystal displays, plasma display panels, and organic light emitting diodes.

이 중에서 유기발광소자는 빠른 응답속도, 기존의 액정표시소자보다 낮은 소비 전력, 고휘도, 경량성 등의 특성이 있으며, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요 없어 초박형으로 만들 수 있는 점 등의 장점을 지니고 있는바, 차세대 디스플레이 소자로서 각광받고 있다.Among them, organic light emitting diodes have characteristics such as fast response speed, lower power consumption, higher brightness, and lighter weight than conventional liquid crystal display devices, and can be made ultra thin without the need for a separate back light device. It has been in the spotlight as a next generation display device.

한편, 평판표시소자의 기판에 박막을 형성하는 일반적인 방법으로는, 증발증착법(Evaporation)과, 이온 플레이팅법(Ion-plating) 및 스퍼터링법(Sputtering)과 같은 물리증착법(PVD)과, 가스반응에 의한 화학기상증착법(CVD) 등이 있다. 이 중에서, 유기발광소자의 유기물층, 무기물층 등과 같은 박막형성에 증발증착법이 사용될 수 있다.On the other hand, as a general method for forming a thin film on a substrate of a flat panel display device, evaporation, physical vapor deposition (PVD) such as ion-plating and sputtering, and gas reaction Chemical vapor deposition (CVD). Among them, an evaporation deposition method may be used to form a thin film such as an organic material layer and an inorganic material layer of the organic light emitting device.

상기와 같은 기판처리방법들에 있어서, 기판처리 종류에 따라서 소정의 패턴을 형성하는 하나 이상의 개구가 형성된 마스크를 기판에 밀착시켜 기판표면에 패턴을 형성하는 기판처리를 수행할 수 있다. In the above substrate processing methods, a substrate treatment may be performed to form a pattern on the surface of the substrate by closely contacting a mask having one or more openings that form a predetermined pattern according to the substrate treatment type to the substrate.

여기서 상기 마스크는 개구부를 형성하는 외곽프레임과, 외곽프레임의 개구부에 설치되어 기판표면에 패턴 형성을 위한 개구를 형성하는 패턴형성부를 포함하며, 클립, 전자석, 영구자석 등의 부재를 사용하여 기판에 밀착된다.The mask may include an outer frame forming an opening, and a pattern forming part installed in the opening of the outer frame to form an opening for forming a pattern on the surface of the substrate, and using a member such as a clip, an electromagnet, or a permanent magnet. Close contact.

한편 처리대상인 기판의 크기가 대형화되면서 마스크를 이루는 패턴형성부 및 외곽프레임 또한 대형화되고 자중(패턴형성부 및 외곽프레임의 자중 증가)이 증가하여 기존 구조로는 마스크를 안정적으로 지지할 수 없는 문제점이 있다.On the other hand, as the size of the substrate to be processed increases in size, the pattern forming part and the outer frame forming the mask also become larger and the self weight (increasing the self weight of the pattern forming part and the outer frame) increases, so that the mask cannot be stably supported by the existing structure. have.

특히 마스크 중 외곽프레임이 안정적으로 지지되지 않는 경우 외곽프레임에서 기판에 밀착되지 않아 기판에 휨 등이 발생하여 기판처리의 불량의 원인으로 작용할 수 있는 문제점이 있다.In particular, when the outer frame of the mask is not stably supported, there is a problem in that the outer frame is not in close contact with the substrate may cause warpage of the substrate, which may act as a cause of a defect in substrate processing.

또한 마스크의 지지에 있어서, 전자석 또는 영구자석을 사용하는 경우 전자석 또는 영구자석의 자기력이 기판에까지 미쳐 기판처리의 종류, 특히 자기력에 민감한 스퍼터링의 경우 기판처리에 영향을 미칠 수 있다.In the support of the mask, when an electromagnet or a permanent magnet is used, the magnetic force of the electromagnet or the permanent magnet extends to the substrate, which may affect the substrate treatment in the case of sputtering sensitive to a kind of substrate treatment, particularly magnetic force.

특히 마스크 지지를 위한 전자석 또는 영구자석의 자기력이 기판에 영향이 미치는 경우 양호한 기판처리의 수행이 불가능하거나 기판 표면상에 불균일한 기판처리를 야기할 수 있는 문제점이 있다.In particular, when the magnetic force of the electromagnet or permanent magnet for the mask support affects the substrate, there is a problem that it is impossible to perform good substrate treatment or cause uneven substrate treatment on the surface of the substrate.

또한 기판이 대형화됨에 따라 마스크 또한 크기가 증가하고, 마스크의 자중 또한 크기 증가에 의하여 증가하게 되며, 마스크 지지를 위한 전자석 또는 영구자석의 자기력이 높아져야 하며, 높아진 자기력에 의하여 기판처리에 미치는 영향에 기인하는 자기력의 문제점이 더 극대화되고 있다.In addition, as the size of the substrate increases, the mask also increases in size, the weight of the mask also increases due to the increase in size, the magnetic force of the electromagnet or permanent magnet for mask support must be increased, and the influence of the increased magnetic force on the substrate treatment The problem of magnetic force is being maximized.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 마스크를 기판에 밀착시킴에 있어서, 마스크 중 외곽프레임까지 기판에 밀착시킴으로써 기판에 대한 마스크의 처짐이나 미끄럼 없이 마스크를 기판에 안정적으로 밀착시킬 수 있는 기판홀딩어셈블리 및 그를 가지는 기판처리장치를 제공하는데 있다.In order to solve the above problems, in order to close the mask to the substrate, the mask can be stably adhered to the substrate without sagging or slipping of the mask against the substrate by closely contacting the substrate to the outer frame of the mask. A substrate holding assembly and a substrate processing apparatus having the same are provided.

본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 마스크 지지를 위한 전자석 또는 영구자석의 사용을 최소화함으로써 전자석 또는 영구자석의 자기력이 기판처리에 미치는 영향을 최소화할 수 있는 기판홀딩어셈블리 및 그를 가지는 기판처리장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to solve the above problems, by minimizing the use of electromagnets or permanent magnets for supporting the mask substrate holding assembly that can minimize the effect of the magnetic force of the electromagnets or permanent magnets on the substrate treatment and The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 또 다른 목적은 마스크 지지를 위한 전자석 또는 영구자석의 사용을 최소화함으로써 마스크를 기판에 밀착시키기 위한 기판홀딩어셈블리의 제조비용을 최소화할 수 있는 기판홀딩어셈블리 및 그를 가지는 기판처리장치를 제공하는데 있다. It is still another object of the present invention to provide a substrate holding assembly and a substrate processing apparatus having the same, which can minimize the manufacturing cost of the substrate holding assembly for closely contacting the mask to the substrate by minimizing the use of electromagnets or permanent magnets for supporting the mask. have.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 개구부를 형성하는 외곽프레임과, 외곽프레임의 개구부에 결합되어 패턴화된 개구가 형성된 패턴형성부를 가지는 마스크를 기판의 기판처리면에 밀착시킨 상태에서 기판처리를 수행하는 기판처리장치의 기판홀딩어셈블리로서, 상기 기판처리면의 반대면에 대향되는 대향면을 가지는 본체와; 상기 본체에 설치되어 상기 패턴형성부를 상기 기판의 기판처리면에 자기력에 의하여 밀착시키는 하나 이상의 제1자력발생부와; 상기 외곽프레임에 대응되도록 상기 본체에 설치되어 상기 외곽프레임을 상기 기판의 기판처리면에 자기력에 의하여 밀착시키는 하나 이상의 제2자력발생부를 포함하는 기판처리장치의 기판홀딩어셈블리를 개시한다.The present invention was created in order to achieve the object of the present invention as described above, the present invention is a mask having a pattern forming portion formed with the outer frame forming the opening, the patterned opening is coupled to the opening of the outer frame of the substrate A substrate holding assembly of a substrate processing apparatus for performing substrate processing in a state of being in close contact with a substrate processing surface, the substrate holding assembly comprising: a main body having an opposite surface opposite to the opposite surface of the substrate processing surface; At least one first magnetic force generating portion provided in the main body to closely contact the pattern forming portion by a magnetic force on a substrate processing surface of the substrate; Disclosed is a substrate holding assembly of a substrate processing apparatus including one or more second magnetic force generating parts installed on the main body to correspond to the outer frame and closely contacting the outer frame to a substrate processing surface of the substrate by magnetic force.

상기 패턴형성부는 직사각형의 개구들을 형성하도록 격자형상을 가지며, 상기 본체는 상기 패턴형성부의 형상에 대응되어 격자형상을 가질 수 있다.The pattern forming unit may have a grid shape to form rectangular openings, and the main body may have a grid shape corresponding to the shape of the pattern forming unit.

상기 본체는 평면형상이 실질적으로 직사각형을 이루며, 서로 대향되는 변에 외측으로 돌출되도록 형성된 하나 이상의 탭이 설치될 수 있다.The main body may have one or more tabs having a substantially rectangular shape in planar shape and protruding outwardly on opposite sides of the main body.

상기 제1자력발생부는 상기 패턴형성부 중 개구되지 않은 부분에 대응되는 위치에 위치될 수 있다.The first magnetic force generating unit may be located at a position corresponding to an unopened portion of the pattern forming unit.

상기 패턴형성부 중 개구되지 않은 부분은 기판처리면 중 기판처리 후 사용되지 않는 무효영역에 대응되는 위치에 형성된다.An unopened portion of the pattern forming portion is formed at a position corresponding to an invalid area of the substrate processing surface that is not used after substrate processing.

상기 제2자력발생부가 상기 외곽프레임에 작용하는 단위면적당 자기력은 상기 제1자력발생부가 상기 패턴형성부에 작용하는 단위면적당 자기력보다 같거나 작은 것이 바람직하다.The magnetic force per unit area acting on the outer frame by the second magnetic force generating unit is preferably equal to or smaller than the magnetic force per unit area acting on the pattern forming unit.

상기 제2자력발생부는 상기 제1자력발생부들 중 적어도 일부와 일체로 설치될 수 있다.The second magnetic force generator may be integrally installed with at least some of the first magnetic force generators.

상기 제1자력발생부는 복수개로 설치되며, 상기 복수개의 제1자력발생부들은 상기 대향면의 평면 위치에 따라서 상이한 자기력이 작용하도록 배치될 수 있다.The first magnetic force generating unit may be provided in plural numbers, and the plurality of first magnetic force generating units may be arranged such that different magnetic forces act according to the planar position of the opposing surface.

상기 본체는 상기 대향면의 반대면인 배면에 상기 제1자력발생부 및 상기 제2자력발생부가 각각 삽입되는 복수의 자석삽입부들이 형성될 수 있다.The main body may be provided with a plurality of magnet insertion portions into which the first magnetic force generating portion and the second magnetic force generating portion are inserted, respectively, on the rear surface opposite to the opposite surface.

상기 본체는 상기 제1자력발생부 및 상기 제2자력발생부가 상기 자석삽입부에 삽입된 후 상기 자석삽입부를 복개하는 하나 이상의 복개부가 결합될 수 있다.The main body may be coupled to one or more cover parts for covering the magnet insertion part after the first magnetic force generation part and the second magnetic force generation part are inserted into the magnet insertion part.

상기 자석삽입부는 상기 제1자력발생부 및 상기 제2자력발생부의 상부 및 하부 중 적어도 어느 하나에 하나 이상의 스페이서가 설치될 수 있다.One or more spacers may be installed on at least one of upper and lower portions of the first magnetic force generating portion and the second magnetic force generating portion.

상기 복수의 제1자력발생부들은 상기 대향면의 가장자리부분보다 중앙부분의 자기력의 세기가 큰 것이 바람직하다.It is preferable that the plurality of first magnetic force generating portions have a greater strength of the magnetic force at the center portion than the edge portion of the opposing surface.

상기 복수의 제1자력발생부들은 이웃하는 제1자력발생부와의 피치가 상기 대향면을 기준으로 중앙부분보다 가장자리부분에서 더 큰 것이 바람직하다.Preferably, the plurality of first magnetic force generating portions have a larger pitch with an adjacent first magnetic force generating portion at an edge portion than a central portion with respect to the opposing surface.

상기 복수의 제1자력발생부들은 상기 패턴형성부의 위치에 따라서 작용하는 자기력이 상이하도록 상기 대향면으로부터 설치높이를 달리하여 설치될 수 있다.The plurality of first magnetic force generating units may be installed with different installation heights from the opposing surface such that magnetic forces acting according to the position of the pattern forming unit are different.

상기 복수의 제1자력발생부들은 형성하는 자속밀도의 크기가 서로 다른 것이 바람직하다.Preferably, the plurality of first magnetic force generating units have different magnitudes of magnetic flux densities.

상기 복수의 제1자력발생부들은 상기 마스크에 작용하는 자기력이 상이하도록 두께가 서로 다른 것이 바람직하다.The plurality of first magnetic force generating parts may have different thicknesses so that magnetic forces acting on the mask are different from each other.

상기 복수의 제1자력발생부들은 상기 대향면을 향하는 면의 표면적의 크기가 서로 다른 것이 바람직하다.It is preferable that the plurality of first magnetic force generating portions have different sizes of surface areas of the surfaces facing the opposing surfaces.

본 발명은 또한 개구부를 형성하는 외곽프레임과, 외곽프레임에 결합되어 패턴화된 개구가 형성된 패턴형성부를 가지는 마스크를 기판의 기판처리면에 밀착시킨 상태에서 기판처리를 수행하는 기판처리장치로서, 상기 마스크를 기판의 기판처리면에 밀착시키도록 상기 기판홀딩어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention also provides a substrate processing apparatus for performing a substrate treatment in a state in which a mask having an outer frame forming an opening and a pattern forming portion coupled to the outer frame and having a patterned opening formed thereon is brought into close contact with the substrate processing surface of the substrate. Disclosed is a substrate processing apparatus comprising the substrate holding assembly to closely adhere a mask to a substrate processing surface of the substrate.

상기 기판홀딩어셈블리는 상기 기판의 기판처리면이 하측을 향하도록 상기 진공챔버의 상부에 위치될 수 있다.The substrate holding assembly may be positioned above the vacuum chamber so that the substrate processing surface of the substrate faces downward.

상기 기판홀딩어셈블리는 상기 본체의 대향면이 지면에 대하여 수직 또는 경사를 이룰 수 있다.In the substrate holding assembly, an opposite surface of the main body may be perpendicular or inclined with respect to the ground.

상기 진공챔버 내에 설치되어 기판에 증착될 물질로 이루어진 스퍼터링타켓부를 포함하며, 상기 기판홀딩어셈블리는 상기 스퍼터링타겟에 대향되어 위치될 수 있다.And a sputtering target portion formed of a material to be deposited on a substrate in the vacuum chamber, wherein the substrate holding assembly may be positioned to face the sputtering target.

상기 스퍼터링타겟부는 상기 진공챔버의 하부에 위치되고 상기 기판홀딩어셈블리는 상기 스퍼터링타겟부의 상부에 위치될 수 있다.The sputtering target portion may be positioned under the vacuum chamber and the substrate holding assembly may be positioned above the sputtering target portion.

상기 진공챔버 내에 설치되어 증발에 의하여 기판에 증착될 물질이 담긴 증발원을 포함하며, 상기 증발원은 상기 진공챔버의 하부에 위치되고 상기 기판홀딩어셈블리는 상기 증발원의 상부에 위치될 수 있다.An evaporation source may be installed in the vacuum chamber to contain a material to be deposited on a substrate by evaporation. The evaporation source may be located below the vacuum chamber and the substrate holding assembly may be located above the evaporation source.

상기 마스크를 지지하여 이송하는 이송트레이를 더 포함하며, 기판의 기판처리면이 상기 마스크를 향하도록 상기 이송트레이에 안착된 후 상기 기판홀딩어셈블리가 상기 마스크를 상기 기판의 기판처리면에 밀착시킨 상태에서 기판처리를 수행할 수 있다.And a transfer tray for supporting and transferring the mask, wherein the substrate holding assembly is in close contact with the substrate processing surface of the substrate after the substrate processing surface of the substrate is seated on the transfer tray to face the mask. Substrate treatment can be performed at.

상기 기판홀딩어셈블리는 상기 기판의 기판처리면이 하측을 향하도록 상기 진공챔버의 상부에 위치되거나, 상기 본체의 대향면이 지면에 대하여 수직 또는 경사를 이룰 수 있다.The substrate holding assembly may be positioned above the vacuum chamber so that the substrate processing surface of the substrate faces downward, or the opposite surface of the main body may be perpendicular or inclined with respect to the ground.

상기 이송트레이에 의하여 기판이 이송되면서 기판처리가 수행될 수 있다.Substrate processing may be performed while the substrate is transferred by the transfer tray.

상기 기판홀딩어셈블리는 상기 진공챔버 내에 설치되며, 상기 기판이 상기 기판홀딩어셈블리 및 상기 마스크 사이에 위치되었을 때 상기 마스크를 상기 기판홀딩어셈블리에 대하여 상대이동에 의하여 근접시켜 상기 기판홀딩어셈블리가 상기 마스크를 상기 기판의 기판처리면에 밀착시킬 수 있다.The substrate holding assembly is installed in the vacuum chamber, and when the substrate is positioned between the substrate holding assembly and the mask, the mask is brought close to the substrate holding assembly by moving relative to the substrate holding assembly. It may be in close contact with the substrate processing surface of the substrate.

상기 외곽프레임은 상기 패턴형성부의 가장자리 외측으로 상측으로 더 돌출될 수 있다.The outer frame may further protrude upward toward the outer edge of the pattern forming portion.

본 발명에 따른 기판홀딩어셈블리 및 그를 가지는 기판처리장치는 마스크의 지지 및 기판에 밀착시킴에 있어서 패턴화된 개구를 가지는 패턴형성부는 물론 패턴형성부가 결합되는 외곽프레임까지 자석에 의하여 지지함으로써 마스크가 기판에 보다 안정적으로 밀착될 수 있는 이점이 있다.In the substrate holding assembly and the substrate processing apparatus having the same, the mask is supported by a magnet by supporting the mask and the outer frame to which the pattern forming portion is coupled, as well as the pattern forming portion having the patterned opening. There is an advantage that can be in close contact with more stable.

특히 본 발명에 따른 기판홀딩어셈블리 및 그를 가지는 기판처리장치는 패턴형성부에 비하여 더 큰 중량물인 외곽프레임까지 지지하여 기판에 밀착시킴과 아울러 외곽프레임에서의 기판홀딩어셈불리 쪽으로의 가압력에 의하여, 마스크의 지지시 외곽프레임의 처짐을 방지하여 궁극적으로 마스크를 기판에 대하여 보다 견고하게 밀착시켜 기판의 휨을 방지할 수 있는 이점이 있다.In particular, the substrate holding assembly and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention support the outer frame, which is a larger weight than the pattern forming portion, to adhere to the substrate and to press the mask toward the substrate holding assembly in the outer frame. Preventing the deflection of the outer frame when the support of the ultimately has the advantage that the mask can be more firmly adhered to the substrate to prevent the bending of the substrate.

또한 본 발명에 따른 기판홀딩어셈블리 및 그를 가지는 기판처리장치는 기판처리면을 향하는 대향면을 기준으로 위치에 따라서 마스크를 기판에 밀착시키기 위한 자력발생부의 자기력을 서로 다르게 구성함으로써 마스크 밀착을 위한 자력발생부의 사용을 최소화하여 제조비용을 절감할 수 있다.In addition, the substrate holding assembly according to the present invention and the substrate processing apparatus having the same by generating a magnetic force for the mask adhesion by differently configuring the magnetic force of the magnetic force generation portion for contacting the mask to the substrate in accordance with the position on the opposite surface facing the substrate processing surface Manufacturing costs can be reduced by minimizing the use of wealth.

특히 본 발명에 따른 기판홀딩어셈블리 및 그를 가지는 기판처리장치는 마스크가 중앙부분에서 처짐이 가장 크게 발생함을 고려하여, 복수의 자력발생부들을 배치함에 있어 중앙부분에서 자기력을 가장 크게 하고 상대적으로 작은 자기력이 필요한 가장자리부분에서의 자기력을 작게 함으로써 자력발생부의 사용을 최소화하여 이송트레이의 제조비용을 최소화할 수 있다.In particular, the substrate holding assembly according to the present invention and the substrate processing apparatus having the same have the largest magnetic force at the center and relatively small in the arrangement of the plurality of magnetic force generating parts in consideration of the greatest occurrence of the deflection at the central portion of the mask. By minimizing the magnetic force at the edge portion requiring magnetic force it is possible to minimize the use of the magnetic force generating portion to minimize the manufacturing cost of the transfer tray.

더 나아가 본 발명에 따른 기판홀딩어셈블리 및 그를 가지는 기판처리장치는 마스크를 밀착시키기 위한 자기력을 최소화함으로써 자기력이 기판처리에 미치는 영향을 최소화하여 보다 양호하고 균일한 기판처리의 수행이 가능하도록 할 수 있다.Furthermore, the substrate holding assembly and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention can minimize the influence of magnetic force on the substrate processing by minimizing the magnetic force to bring the mask into close contact, thereby enabling better and more uniform substrate processing. .

이는 자기에 민감한 스퍼터링을 이용한 기판처리에 있어서 본 발명은 기판처리에 미치는 영향을 최소화하여 보다 양호하고 균일한 기판처리의 수행이 가능하도록 할 수 있다.This is because the present invention in substrate processing using magnetic-sensitive sputtering can minimize the effect on the substrate processing to enable better and more uniform substrate processing.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 일예를 보여주는 개념도이다.
도 2는 도 1의 기판처리장치에 사용되는 마스크의 일예를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판처리장치에 사용되는 마스홀딩어셈블리를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 1의 기판처리장치에서 마스크가 마스크홀딩어셈블리에 의하여 기판에 밀착된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4에서 마스크홀딩어셈블리의 다른 예들을 보여주는 일부단면도들이다.1 is a conceptual diagram illustrating an example of a substrate processing apparatus according to the present invention.
2 is a plan view illustrating an example of a mask used in the substrate processing apparatus of FIG. 1.
3 is a plan view illustrating a mas holding assembly used in the substrate treating apparatus of FIG. 1.
4 is a cross-sectional view illustrating a state in which a mask is in close contact with a substrate by a mask holding assembly in the substrate processing apparatus of FIG. 1.
5A through 5C are partial cross-sectional views illustrating other examples of the mask holding assembly in FIG. 4.

이하 본 발명에 따른 기판홀딩어셈블리 및 그를 가지는 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate holding assembly and a substrate processing apparatus having the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 일예에 따른 기판처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 진공챔버(100) 내에서 기판홀딩어셈블리(200)를 사용하여 기판(10)의 기판처리면에 마스크(300)를 밀착시킨 상태에서 기판처리를 수행하는 것을 특징으로 한다.As shown in FIG. 1, a substrate treating apparatus according to an embodiment of the present invention uses a substrate holding assembly 200 in a vacuum chamber 100 to form a closed processing space S. The substrate treatment may be performed in a state in which the mask 300 is in close contact with the processing surface.

상기 진공챔버(100)는 기판처리의 수행을 위하여 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The vacuum chamber 100 is a configuration for forming a closed processing space (S) for performing the substrate treatment can be a variety of configurations.

일예로서, 상기 진공챔버(100)는 챔버본체(120)와 서로 탈착가능하게 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 리드(110)를 포함하여 구성될 수 있다.As an example, the vacuum chamber 100 may include a lid 110 that is detachably coupled with the chamber body 120 to form a sealed processing space (S).

그리고 상기 진공챔버(100)는 처리공간(S)에서 기판처리의 조건에 맞춰 압력유지 및 배기를 위한 배기관(미도시), 처리공간(S) 내로 가스를 공급하는 가스공급부(미도시) 등 기판처리의 종류에 따라서 다양한 부재, 모듈 등이 설치될 수 있다.The vacuum chamber 100 is a substrate such as a gas supply unit (not shown) for supplying gas into the exhaust pipe (not shown) for maintaining and exhausting pressure in accordance with the conditions of substrate processing in the processing space (S) and the processing space (S). Various members, modules, and the like may be installed depending on the type of processing.

또한 상기 진공챔버(100)는 기판(10)의 입출을 위한 하나 이상의 게이트(미도시)가 형성될 수 있다. 도 1에서는 게이트는 기판홀딩어셈블리(200)의 배면 및/또는 전면에 위치될 수 있는바 도시되지 않았다.In addition, the vacuum chamber 100 may be formed with one or more gates (not shown) for entering and exiting the substrate 10. In FIG. 1, the gate is not shown as it may be located on the back and / or the front of the substrate holding assembly 200.

한편 상기 진공챔버(100)는 증착 등의 기판처리 수행을 위한 기판처리모듈(130)이 설치될 수 있다.The vacuum chamber 100 may be provided with a substrate processing module 130 for performing substrate processing such as deposition.

상기 기판처리모듈(130)은 기판처리가 증발에 의하여 기판(10)에 박막형성을 수행하는 기판처리의 경우 증발물질이 담긴 증발원, 기판처리가 스퍼터링에 의하여 이루어지는 경우 기판(10)에 증착될 물질로 이루어진 스퍼터링타겟부 등 기판처리의 종류에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The substrate processing module 130 is an evaporation source containing an evaporation material in the case of a substrate treatment in which the substrate treatment is performed to form a thin film on the substrate 10 by evaporation, and a material to be deposited on the substrate 10 when the substrate treatment is performed by sputtering. Various configurations are possible depending on the type of substrate treatment such as a sputtering target portion.

여기서 상기 기판처리모듈(130)이 스퍼터링타겟부를 포함하는 경우 진공챔버(100)는 처리공간(S) 내로 가스를 분사하는 가스분사부가 설치될 수 있다. 그리고 상기 스퍼터링타겟부는 기판(10)에 증착될 물질로 이루어지거나, 타겟물질 및 자석으로 구성되는 등 다양한 구성이 가능하다.Here, when the substrate processing module 130 includes the sputtering target portion, the vacuum chamber 100 may be provided with a gas injection unit for injecting gas into the processing space (S). The sputtering target unit may be made of a material to be deposited on the substrate 10, or may be configured in a target material and a magnet.

또한 상기 기판처리모듈(130)은 진공챔버(100)의 하측에 위치되고, 후술하는 기판홀딩어셈블리(200)는 기판처리모듈(130)의 상부에 위치됨이 바람직하다.In addition, the substrate processing module 130 is located under the vacuum chamber 100, the substrate holding assembly 200 to be described later is preferably located above the substrate processing module 130.

한편 상기 진공챔버(100)는 후술하는 마스크(300)를 이송하기 위한 이송부(140)가 설치될 수 있다.Meanwhile, the vacuum chamber 100 may be provided with a transfer unit 140 for transferring the mask 300 to be described later.

상기 이송부(140)는 마스크(300)를 이송하기 위한 구성으로서, 그 이송방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The transfer unit 140 is a configuration for transferring the mask 300, various configurations are possible according to the transfer method.

일례로서, 상기 마스크(300)의 이송방향을 따라서 배치되는 복수개의 롤러(310)들과, 롤러(310)들 중 적어도 일부를 회전구동하는 회전구동부(330)를 포함하여 구성될 수 있다.For example, the roller 300 may include a plurality of rollers 310 disposed along the conveying direction of the mask 300, and a rotation driving part 330 for rotating at least some of the rollers 310.

또한 상기 이송부(140)는 기판(10)의 도입시 마스크(300) 및 마스크홀딩어셈블리(200) 사이에 기판(10)이 위치될 수 있도록 마스크홀딩어셈블리(200)와 분리된 마스크(300)를 하측으로 이동시키는 등 진공챔버(100) 내에서 상하이동이 가능하도록 설치될 수 있다.In addition, the transfer part 140 may include a mask 300 separated from the mask holding assembly 200 so that the substrate 10 may be positioned between the mask 300 and the mask holding assembly 200 when the substrate 10 is introduced. It may be installed to be movable in the vacuum chamber 100, such as to move downward.

또한 상기 이송부(140)는 마스크(300)를 직접 지지하거나 별도의 트레이(미도시)를 통하여 지지하여 이송하는 등 다양한 방식에 의하여 마스크(300)를 지지하여 이송할 수 있다.In addition, the transfer unit 140 may support and transfer the mask 300 by various methods, such as directly supporting the mask 300 or by supporting and transferring the mask 300 through a separate tray (not shown).

여기서 물론 상기 마스크홀딩어셈블리(200)를 상하로 이동시키는 상하이동장치(미도시)가 설치되는 등 기판(10)의 도입시 기판(10)을 마스크(300) 및 마스크홀딩어셈블리(200) 사이에 위치시키기 위한 다양한 구성이 설치될 수 있다.Here, of course, when the substrate 10 is introduced, such as a moving device (not shown) for moving the mask holding assembly 200 up and down is installed between the mask 300 and the mask holding assembly 200. Various configurations may be installed for positioning.

한편 상기 마스크(300)는 그 종류에 따라서 기판표면에 화소영역, 전극영역 등 요구되는 패턴으로 기판(10)에 증착이 이루어지도록 하기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.On the other hand, the mask 300 may be configured in such a manner that the deposition is performed on the substrate 10 in a required pattern such as a pixel region, an electrode region, etc. on the substrate surface.

일예로서, 상기 마스크(300)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 개구부(311)를 형성하는 외곽프레임(310)과, 외곽프레임(310)의 개구부(311)에 결합되어 패턴화된 하나 이상의 개구가 형성된 패턴형성부(320)를 포함하여 구성될 수 있다.For example, as illustrated in FIGS. 1 and 2, the mask 300 is coupled to the outer frame 310 forming the opening 311 and the opening 311 of the outer frame 310 to be patterned. One or more openings may be formed to include the pattern forming part 320.

상기 외곽프레임(310)은 시트 등과 같이 얇은 부재의 패턴형성부(320)를 지지하는 부재로서, 충분한 구조를 가지도록 구성됨이 바람직하다.The outer frame 310 is a member supporting the pattern forming unit 320 of a thin member such as a sheet, it is preferably configured to have a sufficient structure.

아울러, 후술하는 제2자력발생부(420)의 자력에 의하여 지지될 수 있도록 스테인레스 스틸 등 자성을 가지는 자성체의 재질을 가진다.In addition, it has a material of a magnetic material having magnetic properties such as stainless steel so as to be supported by the magnetic force of the second magnetic force generating unit 420 to be described later.

상기 패턴형성부(320)는 기판(10)의 기판처리면에 패턴화된 기판처리가 가능하거나 기판(10)을 지지하기 위하여 패턴화된 하나 이상의 개구가 형성되는 구성으로서 증착될 부분으로 이루어진 패턴이 형성된 시트부재, 띠형부재 등으로 다양하게 구성될 수 있다.The pattern forming unit 320 may be patterned on a substrate processing surface of the substrate 10, or may be formed of a portion to be deposited as one or more patterned openings are formed to support the substrate 10. The sheet member, the belt-shaped member and the like can be variously configured.

또한 상기 패턴형성부(320)는 일예로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 직사각형의 개구(321)들로 이루어진 패턴을 형성하도록 격자형상을 가지는 등 다양한 구조로 이루어질 수 있다.In addition, the pattern forming unit 320 may be formed in various structures, for example, having a lattice shape to form a pattern formed of rectangular openings 321, as shown in FIG. 2.

여기서 상기 패턴형성부(320) 중 개구되지 않은 부분-특히 기판지지를 목적으로 하는 경우-은 기판(10)의 기판처리면 중 기판처리 후 절단부위 등 기판처리 후 사용되지 않는 무효영역에 대응되는 위치에 형성됨이 바람직하다.Here, the unopened portion of the pattern forming portion 320, particularly in the case of supporting the substrate, corresponds to an invalid area that is not used after the substrate treatment, such as a cut portion after the substrate treatment, of the substrate treatment surface of the substrate 10. It is preferably formed in position.

한편 상기 패턴형성부(320)는 후술하는 제1자력발생부(410)의 자력에 의하여 기판(10)에 밀착될 수 있도록 스테인레스 스틸 등 자성을 가지는 자성체의 재질을 가진다.The pattern forming unit 320 may be formed of a magnetic material having magnetic properties such as stainless steel so as to be in close contact with the substrate 10 by the magnetic force of the first magnetic force generating unit 410 which will be described later.

또한 상기 패턴형성부(320)는 용접, 볼팅 등 다양한 방식에 의하여 외곽프레임(310)과 결합될 수 있으며, 결합 후 변형이 가장 작은 용접에 의하여 결합됨이 가장 바람직하다.In addition, the pattern forming unit 320 may be combined with the outer frame 310 by a variety of methods, such as welding, bolting, it is most preferable that the deformation after coupling is combined by the smallest welding.

또한 상기 패턴형성부(320) 및 외곽프레임(310)의 결합된 상태에서 그 상면은 편평한 평면을 이룸이 바람직하다.In addition, the upper surface of the pattern forming unit 320 and the outer frame 310 in a combined state is preferably a flat plane.

다만, 상기 외곽프레임(310)은 패턴형성부(320) 가장자리 외측으로 후술하는 마스크홀딩어셈블리(200)의 상측으로 더 돌출될 수 있다.However, the outer frame 310 may further protrude to the upper side of the mask holding assembly 200 to be described later outside the edge of the pattern forming unit 320.

특히 상기 외곽프레임(310)은 패턴형성부(320) 가장자리 외측으로 후술하는 마스크홀딩어셈블리(200)의 본체(210)의 저면, 즉 대향면(201)과 면접하도록 상측으로 더 돌출되는 것이 보다 바람직하다.In particular, the outer frame 310 is more preferably protruded upward to the bottom of the main body 210 of the mask holding assembly 200 to be described later to the outside of the edge of the pattern forming part 320, that is, the opposite surface 201. Do.

한편 상기 마스크(300)는 후술하는 제1자력발생부(410) 및 제2자력발생부(420)에 의하여 기판(10)에 밀착됨과 아울러, 그 가장자리 부분이 클립, 핀 등에 의하여 기판홀딩어셈블리(200)에 추가로 지지될 수 있다.On the other hand, the mask 300 is in close contact with the substrate 10 by the first magnetic force generating portion 410 and the second magnetic force generating portion 420 to be described later, the edge portion of the mask holding assembly (clip, pin, etc.) 200 may be further supported.

상기 기판홀딩어셈블리(200)는 기판처리의 종류, 기판(10)의 종류에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 마스크(300)를 기판(10)의 기판처리면에 밀착시키는 구성으로서, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 기판처리면의 반대면에 대향되는 대향면(201)을 가지는 본체(210)와; 본체(210)에 설치되어 패턴형성부(320)를 기판(10)의 기판처리면에 자기력에 의하여 밀착시키는 하나 이상의 제1자력발생부(410)와; 외곽프레임(310)에 대응되도록 본체(210)에 설치되어 외곽프레임(310)을 기판(10)의 기판처리면에 자기력에 의하여 밀착시키는 하나 이상의 제2자력발생부(420)를 포함한다. The substrate holding assembly 200 may be configured in various ways according to the type of substrate processing and the type of the substrate 10. The substrate holding assembly 200 is in close contact with the substrate processing surface of the substrate 10. 4, the main body 210 having an opposing surface 201 opposite to an opposing surface of the substrate processing surface of the substrate 10; At least one first magnetic force generating unit 410 installed in the main body 210 to closely contact the pattern forming unit 320 by the magnetic force to the substrate processing surface of the substrate 10; It includes one or more second magnetic force generating portion 420 is installed on the main body 210 to correspond to the outer frame 310 to adhere the outer frame 310 to the substrate processing surface of the substrate 10 by magnetic force.

참고로 도 3에 표시된 I-I는 도 1에 도시된 기판홀딩어셈블리(200)가 I-I방향의 단면임을 표시함이고, Ⅳ-Ⅳ는 도 4에 도시된 기판홀딩어셈블리(200)가 Ⅳ-Ⅳ방향의 단면임을 표시한 것이다.For reference, II in FIG. 3 indicates that the substrate holding assembly 200 shown in FIG. 1 is a cross section in the II direction, and IV-IV indicates that the substrate holding assembly 200 shown in FIG. 4 is in the IV-IV direction. It is a cross section.

상기 본체(210)는 제1자력발생부(410), 제2자력발생부(420)의 설치 및 마스크(300)를 기판(10)에 밀착시킬 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The main body 210 may have any configuration as long as the first magnetic force generator 410 and the second magnetic force generator 420 are installed and the mask 300 is in close contact with the substrate 10.

또한 상기 본체(210)는 알루미늄, 알루미늄합금 등 자기력이 작용하지 않는 비자성체의 재질이 바람직하며, 대향면(201)의 반대면인 배면(202)에 제1자력발생부(410) 및 제2자력발생부(420)가 각각 삽입되는 복수의 자석삽입부(221, 222)들이 형성된다.In addition, the main body 210 is preferably made of a nonmagnetic material such as aluminum, aluminum alloy does not have a magnetic force, the first magnetic force generating portion 410 and the second on the back surface 202, which is the opposite surface of the opposite surface 201 A plurality of magnet inserting portions 221 and 222 into which the magnetic force generating portion 420 is inserted are formed.

또한 상기 본체(210)의 형상은 마스크(300)를 기판(10)에 안정적으로 밀착시킬 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며, 마스크(300) 및 기판(10)을 얼라인하기 위하여 그 표지를 인식하기 위한 비전카메라가 마스크(300) 및 기판(10)을 촬영하는데 간섭되지 않도록 상하로 관통형성된 다수의 개구부(미도시)들이 형성될 수 있다.In addition, the shape of the main body 210 may be any configuration as long as the mask 300 can be stably adhered to the substrate 10, and the cover may be aligned to align the mask 300 and the substrate 10. A plurality of openings (not shown) may be formed to penetrate up and down so that the vision camera for recognizing does not interfere with photographing the mask 300 and the substrate 10.

특히 상기 본체(210)는 충분한 강성을 가지는 것을 전제로 복수의 프레임부재(미도시)들이 용접 등에 의하여 형성될 수 있으며, 특히 그 평면형상이 마스크(200)의 평면형상과 유사한 형상으로 형성될 수 있다.In particular, a plurality of frame members (not shown) may be formed by welding or the like, provided that the main body 210 has sufficient rigidity, and in particular, the planar shape may be formed in a shape similar to the planar shape of the mask 200. have.

예로써 상기 본체(210)는 마스크(300)의 패턴형성부(320)가 도 2에 도시된 바와 같이, 패턴이 직사각형의 개구(321)들을 형성하도록 격자형상을 가지는 경우, 패턴형성부(320)의 격자형상에 대응되어 격자형상을 가질 수 있다.For example, when the pattern forming part 320 of the mask 300 has a lattice shape such that the pattern forms rectangular openings 321 as shown in FIG. 2, the main body 210 has a pattern forming part 320. ) May have a lattice shape corresponding to the lattice shape.

물론 상기 본체(210)는 마스크(300)의 구조에 관계없이 격자형상을 가질 수 있음은 물론이다. 이때 상기 격자를 형성하는 부분은 패턴형성부(320) 중 개구되지 않은 부분에 대응되어 형성됨이 바람직하다.Of course, the main body 210 may have a grid shape regardless of the structure of the mask 300. At this time, the portion forming the grating is preferably formed corresponding to the unopened portion of the pattern forming portion 320.

상기와 같이 상기 본체(210)가 패턴형성부(320) 중 개구되지 않은 부분에 대응되어 형성되는 경우 마스크(300)를 안정적으로 지지함과 아울러 기판홀딩어셈블리(200)의 전체 중량이 줄여 그 이송이 편리하며 제조비용도 절감할 수 있다.As described above, when the main body 210 is formed to correspond to an unopened portion of the pattern forming part 320, the mask 300 is stably supported and the overall weight of the substrate holding assembly 200 is reduced to transfer the main body 210. This is convenient and reduces the manufacturing cost.

상기 본체(210)는 기판(10)을 지지함에 있어서 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 기판처리면의 반대면과 직접 접촉에 위하여 직접 지지하거나, 지지프레임(미도시)이 개재된 상태로 기판(10)을 간접적으로 지지하는 등 다양한 형태로 기판(10)을 지지할 수 있다.1 and 4, the main body 210 directly supports the substrate 10 for direct contact with an opposite surface of the substrate processing surface of the substrate 10 or a support frame (not shown). The substrate 10 may be supported in various forms, such as indirectly supporting the substrate 10 with the intervening ()).

또한 상기 본체(210)는 기판홀딩어셈블리(200)가 마스크(300)를 기판(10)의 기판처리면에 밀착시키는 것이 주목적인 바, 기판지지 없이 기판(10)이 개재된 상태로 마스크(300)를 기판(10)의 기판처리면에 밀착시킬 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.In addition, the main body 210 is a substrate holding assembly 200, the main purpose of the mask 300 is in close contact with the substrate processing surface of the substrate 10 bar, the substrate 10 without the substrate supporting the mask 300 ) Can be any structure as long as the structure can be brought into close contact with the substrate processing surface of the substrate 10.

한편 상기 본체(210)는 기판(10)이 마스크(300)와 대향면(201) 사이에 위치될 때, 분리장치 등에 의하여 마스크(300)와 분리될 수 있도록 가장자리 끝단에서 외측으로 돌출된 복수의 탭(240)들이 설치될 수 있다.Meanwhile, when the substrate 10 is positioned between the mask 300 and the opposing surface 201, the main body 210 includes a plurality of protruding outwards from the edge end so that the substrate 10 can be separated from the mask 300 by a separation device or the like. Tabs 240 may be installed.

상기 자석삽입부(221, 222)는 후술하는 제1자력발생부(410) 및 제2자력발생부(420)가 설치될 수 있도록 본체(210)에 형성되는 구성으로서, 제1자력발생부(410) 및 제2자력발생부(420)의 크기 및 형상에 따라서 다양하게 형성될 수 있다.The magnet inserting portions 221 and 222 are formed in the main body 210 so that the first magnetic force generating portion 410 and the second magnetic force generating portion 420 to be described later are installed, and the first magnetic force generating portion ( 410 and the second magnetic force generating unit 420 may be formed in various ways.

이때 상기 본체(210)는 제1자력발생부(410) 및 제2자력발생부(420)가 자석삽입부(221, 222)에 삽입된 후 자석삽입부(221, 222)를 복개하는 하나 이상의 복개부(230)가 추가로 결합될 수 있다.In this case, the main body 210 may include one or more first magnetic force generating parts 410 and second magnetic force generating parts 420 inserted into the magnetic insertion parts 221 and 222 and then covering the magnetic insertion parts 221 and 222. The abdomen 230 may be further coupled.

상기 복개부(230)는 제1자력발생부(410) 및 제2자력발생부(420)가 자석삽입부(221, 222)에 삽입된 후 자석삽입부(221, 222)를 복개함으로써 제1자력발생부(410) 및 제2자력발생부(420)를 본체(210)에 고정시키기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The cover part 230 is the first magnetic force generating portion 410 and the second magnetic force generating portion 420 is inserted into the magnet insertion portion (221, 222) and then the magnet insertion portion (221, 222) by covering the first Various configurations are possible as a structure for fixing the magnetic force generating unit 410 and the second magnetic force generating unit 420 to the main body 210.

여기서 상기 복개부(230)는 볼트(231) 등을 이용하여 본체(210)와 결합되는 등 다양한 방법에 의하여 결합될 수 있다.Here, the cover part 230 may be coupled by various methods, such as coupled to the main body 210 using a bolt 231 or the like.

상기 제1자력발생부(410)는 자기력에 의하여 패턴형성부(320)를 기판(10)에 밀착-기판(10)이 없는 경우 본체(210)의 대향면(201)에 밀착-시키기 위한 구성으로서 자기력을 발생시킬 수 있는 구성이면 전자석, 영구자석 등 모두 가능하며, 제조의 편의상 영구자석이 바람직하다.The first magnetic force generating unit 410 is configured to closely contact the pattern forming unit 320 to the substrate 10 by the magnetic force to the opposite surface 201 of the main body 210 when there is no substrate 10. As a configuration capable of generating magnetic force, both electromagnets, permanent magnets, and the like are possible, and for convenience of manufacture, permanent magnets are preferred.

상기 제1자력발생부(410)의 형상은 블록 형태로 원기둥, 사각기둥 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1자력발생부(410)의 형상은 대향면(201)을 위에서 볼 때 사각링 등의 링형상을 가지거나, 직사각형의 대향면(201)에 대응되어 띠형상을 이루는 등 보다 다양한 형상을 가질 수 있다.The shape of the first magnetic force generating unit 410 may be formed in various shapes, such as a cylinder, a square pillar in the form of a block. In addition, the shape of the first magnetic force generating unit 410 may have a ring shape such as a square ring when the facing surface 201 is viewed from above, or may have a band shape corresponding to the rectangular facing surface 201. May have

또한 상기 제1자력발생부(410)는 자기력을 발생시켜 패턴형성부(320)에 인력으로서 작용하여 대향면(201)으로 밀착시키는바, 자기력효과를 극대화하고자 패턴형성부(320) 중 개구되지 않은 부분에 대응되는 위치에 위치됨이 바람직하다.In addition, the first magnetic force generating unit 410 generates a magnetic force and acts as a attraction force to the pattern forming unit 320 to be in close contact with the opposite surface 201, so that the opening of the pattern forming unit 320 to maximize the magnetic force effect It is preferable to be located at a position corresponding to the non-part.

한편 상기 제1자력발생부(410)는 자석삽입부(221)에 삽입, 특히 압입되어 설치되는 등 다양하게 설치될 수 있다.On the other hand, the first magnetic force generating unit 410 may be installed in various ways, such as being inserted into the magnet inserting portion 221, in particular press-fitted.

또한 상기 제1자력발생부(410)는 앞서 설명한 본체(210)와 별도의 부재로 자석홀딩부(미도시)에 설치된 후 본체(210)와 결합되는 등 다양한 방식에 의하여 설치될 수 있다.In addition, the first magnetic force generating unit 410 may be installed by various methods such as being coupled to the main body 210 after being installed in a magnet holding unit (not shown) as a separate member from the main body 210 described above.

한편 상기 제1자력발생부(410)는 자기력를 이용하여 패턴형성부(320)를 기판(10)에 밀착시키는바 제1자력발생부(410)의 자기력이 공정에 미치는 영향을 최소화시킬 필요가 있다.On the other hand, the first magnetic force generating unit 410 is to close the pattern forming unit 320 to the substrate 10 by using a magnetic force bar it is necessary to minimize the effect of the magnetic force of the first magnetic force generating unit 410 on the process. .

따라서 상기 복수의 제1자력발생부(410)는 대향면(201)의 평면 위치에 따라서 상이한 자기력이 작용하도록 배치되는 것이 바람직하다.Therefore, it is preferable that the plurality of first magnetic force generating portions 410 are arranged to apply different magnetic forces depending on the planar position of the opposing surface 201.

특히 상기 복수의 제1자력발생부(410)는 패턴형성부(320)가 중앙부분에서의 지지가 불가함에 따라 처짐이 더 큰 점을 고려하여 가장자리부분보다 대향면(201)의 중앙부분에서 자기력의 세기가 더 큰 것이 더욱 바람직하다. In particular, the plurality of first magnetic force generating portion 410 has a magnetic force at the center portion of the opposing surface 201 than the edge portion in consideration of the larger deflection as the pattern forming portion 320 is not supported in the center portion It is more preferable that the intensity of is larger.

한편 상기 제1자력발생부(410)는 패턴형성부(320)의 평면 위치에 따라서 상이한 자기력이 작용하도록 복수개로 설치될 수 있으며, 복수개의 제1자력발생부(410)는 다양한 방식에 의하여 배치될 수 있다.Meanwhile, the first magnetic force generator 410 may be provided in plural numbers so that different magnetic forces may be applied according to the planar position of the pattern forming unit 320, and the plurality of first magnetic force generators 410 may be arranged by various methods. Can be.

상기 복수의 제1자력발생부(410)의 배치의 일 예로서, 복수의 제1자력발생부(410)는 도 2에 도시된 바와 같이, 패턴형성부(320)에 작용하는 자기력이 상이하도록 위치에 따라서 영구자석의 두께가 서로 다르게 구성될 수 있다.As an example of the arrangement of the plurality of first magnetic force generating units 410, as shown in FIG. 2, the plurality of first magnetic force generating units 410 may have different magnetic forces acting on the pattern forming unit 320. Depending on the location, the permanent magnet may have a different thickness.

여기서 상기 복수의 제1자력발생부(410)는 패턴형성부(320)의 중앙부분에서의 제1자력발생부(410)가 가장자리 부분에 위치된 제1자력발생부(410)의 두께보다 두껍게 하여 가장자리부분보다 중앙부분의 자기력의 세기가 더 크게 할 수 있다.Here, the plurality of first magnetic force generators 410 is thicker than the thickness of the first magnetic force generator 410 at the edge portion of the first magnetic force generator 410 in the center portion of the pattern forming unit 320. Therefore, the strength of the magnetic force in the center portion can be greater than the edge portion.

또한 상기 각 제1자력발생부(410)의 두께를 달리하는 방법으로서, 각 위치에 동일한 크기, 예를 들면 코인형상의 영구자석의 숫자를 변화시키면서 각 제1자력발생부(410)의 두께를 달리할 수 있다.In addition, as a method of varying the thickness of each of the first magnetic force generating portion 410, the thickness of each first magnetic force generating portion 410 while varying the number of permanent magnets of the same size, for example, coin-shaped at each position It can be different.

한편 상기 각 제1자력발생부(410)의 두께가 다른 경우 자석삽입부(221)에 빈 공간이 형성되는바 제1자력발생부(410)의 고정을 위하여, 자석삽입부(221)는 삽입된 제1자력발생부(410)의 상부 및 하부 중 적어도 어느 하나에 하나 이상의 스페이서(422)가 설치될 수 있다.On the other hand, when the thickness of each of the first magnetic force generating portion 410 is different, the empty space is formed in the magnet inserting portion 221 bar for fixing the first magnetic force generating portion 410, the magnet inserting portion 221 is inserted One or more spacers 422 may be installed on at least one of the upper and lower portions of the first magnetic force generating unit 410.

상기 복수의 제1자력발생부(410)의 배치의 다른 예로서, 도 5a에 도시된 바와 같이, 복수의 제1자력발생부(410)는 패턴형성부(320)에 작용하는 자기력이 상이하도록 대향면(201)으로부터 설치높이를 달리하여 설치될 수 있다.As another example of the arrangement of the plurality of first magnetic force generating units 410, as illustrated in FIG. 5A, the plurality of first magnetic force generating units 410 may have different magnetic forces acting on the pattern forming unit 320. It can be installed by varying the installation height from the opposing surface 201.

여기서 상기 복수의 제1자력발생부(410)는 패턴형성부(320)의 중앙부분에서의 제1자력발생부(410)가 가장자리 부분에 위치된 제1자력발생부(410)보다 설치높이를 낮게 하여 중앙부분의 자기력이 가장자리부분보다 크게 할 수 있다.Here, the plurality of first magnetic force generators 410 has an installation height higher than that of the first magnetic force generator 410 in which the first magnetic force generator 410 in the center portion of the pattern forming unit 320 is located at the edge portion. By lowering it, the magnetic force in the center part can be made larger than the edge part.

또한 상기 자석삽입부(221)는 제1자력발생부(410)의 설치위치의 고정을 위하여 제1자력발생부(410)의 하부 및 상부 중 적어도 어느 하나의 적절한 위치에 하나 이상의 스페이서(422)가 설치될 수 있다.In addition, the magnet inserting portion 221 is one or more spacers 422 at a suitable position of at least one of the lower and upper portions of the first magnetic force generating portion 410 to fix the installation position of the first magnetic force generating portion 410 Can be installed.

상기 복수의 제1자력발생부(410)의 배치의 또 다른 예로서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 복수의 제1자력발생부(410)는 이웃하는 제1자력발생부(410)와의 피치가 패턴형성부(320)를 기준으로 중앙부분보다 가장자리부분에서 더 크게 할 수 있다.As another example of the arrangement of the plurality of first magnetic force generators 410, as illustrated in FIG. 5B, the plurality of first magnetic force generators 410 may have a pitch with neighboring first magnetic force generators 410. Can be made larger at the edge portion than at the center portion with respect to the pattern forming portion 320.

즉, 상기 패턴형성부(320)의 중앙부분에서의 제1자력발생부(410) 간의 피치가 가장자리 부분에의 제1자력발생부(410) 간의 피치보다 작게 하여 중앙부분의 자기력이 가장자리부분보다 크게 할 수 있다.That is, the pitch between the first magnetic force generating portion 410 in the center portion of the pattern forming unit 320 is smaller than the pitch between the first magnetic force generating portion 410 to the edge portion, the magnetic force of the central portion than the edge portion I can make it big.

상기 복수의 제1자력발생부(410)의 배치의 또 다른 예로서, 도 5c에 도시된 바와 같이, 복수의 제1자력발생부(410)는 패턴형성부(320)를 향하는 면의 표면적의 크기가 서로 다르게 배치될 수 있다.As another example of the arrangement of the plurality of first magnetic force generators 410, as illustrated in FIG. 5C, the plurality of first magnetic force generators 410 may have a surface area of a surface facing the pattern forming unit 320. The sizes may be arranged differently.

여기서, 상기 패턴형성부(320)의 중앙부분에서의 제1자력발생부(410)의 표면적이 가장자리 부분에의 제1자력발생부(410)의 표면적보다 크게 하여 중앙부분의 자기력이 가장자리부분보다 크게 할 수 있다.Here, the surface area of the first magnetic force generating portion 410 at the center portion of the pattern forming portion 320 is larger than the surface area of the first magnetic force generating portion 410 at the edge portion so that the magnetic force at the center portion is larger than the edge portion. I can make it big.

한편 상기 복수의 제1자력발생부(410)의 배치의 또 다른 예로서, 형성하는 자속밀도의 크기가 서로 다르게 할 수 있다.On the other hand, as another example of the arrangement of the plurality of first magnetic force generating portion 410, the magnitude of the magnetic flux density to be formed may be different.

상기와 같은 구성을 가지는 기판처리장치의 기판홀딩어셈블리(200)는 마스크(300)가 중앙부분에서 처짐이 가장 크게 발생함을 고려하여, 복수의 제1자력발생부(410)들을 배치함에 있어 중앙부분에서 자기력을 가장 크게 하고 상대적으로 작은 자기력이 필요한 가장자리부분에서의 자기력을 작게 함으로써 제1자력발생부(410)의 사용을 최소화하여 기판홀딩어셈블리(200)의 제조비용을 최소화할 수 있다.In the substrate holding assembly 200 of the substrate processing apparatus having the above configuration, the mask 300 has the largest deflection in the central portion thereof, and thus the center of the plurality of first magnetic force generating portions 410 is disposed in the center. By increasing the magnetic force at the portion and reducing the magnetic force at the edge portion where a relatively small magnetic force is required, the use of the first magnetic force generator 410 can be minimized to minimize the manufacturing cost of the substrate holding assembly 200.

또한 상기 패턴형성부(320)를 밀착시키기 위한 자기력을 최소화함으로써 자기력이 기판처리에 미치는 영향을 최소화하여 보다 양호하고 균일한 기판처리의 수행이 가능하도록 할 수 있다.In addition, by minimizing the magnetic force for the close contact with the pattern forming unit 320 may minimize the effect of the magnetic force on the substrate processing to enable better and uniform substrate processing.

상기 제2자력발생부(420)는 외곽프레임(310)에 대응되도록 본체(210)에 설치되어 외곽프레임(310)을 기판(10)의 기판처리면에 자기력에 의하여 밀착시키는 구성으로서, 외곽프레임(310)을 자기력에 의하여 기판(10)에 밀착시키는 것 이외에는 제1자력발생부(410)와 실질적으로 동일 또는 유사하다.The second magnetic force generating unit 420 is installed on the main body 210 so as to correspond to the outer frame 310 and the outer frame 310 is in close contact with the substrate processing surface of the substrate 10 by a magnetic force, the outer frame It is substantially the same as or similar to the first magnetic force generating unit 410 except that 310 is in close contact with the substrate 10 by magnetic force.

여기서 상기 제2자력발생부(420)는 상대적으로 중량물인 외곽프레임(310)을 자력에 의하여 지지하는바 상대적으로 큰 자기력을 발생시키도록 구성됨이 바람직하다.The second magnetic force generating unit 420 is preferably configured to generate a relatively large magnetic force bar to support the outer frame 310, which is a relatively heavy material by a magnetic force.

또한 상기 제2자력발생부(420)는 제1자력발생부(410)가 복수로 설치된 경우 최외곽에 설치된 제1자력발생부(410)와 부분적으로 일체-예를 들면 그 직하방이 외곽프레임(310) 및 패턴형성부(320)의 일부를 포함하도록 설치될 수도 있다.In addition, when the plurality of first magnetic force generators 410 are installed in a plurality, the second magnetic force generator 420 may be partially integrated with the first magnetic force generator 410 installed at the outermost part thereof, for example, directly below the outer frame ( 310 may be installed to include a portion of the pattern forming unit 320.

특히 상기 마스크(300)의 외곽프레임(310)을 제2자력발생부(420)에 의하여 지지함으로써 마스크(300)를 기판(10)에 밀착시킴에 있어서 패턴형성부(320)와 결합되는 외곽프레임(310)을 제2자력발생부(420)에 의하여 지지함으로써 외곽프레임(310)의 자중에 의한 처짐으로 인한 가장자리 부근의 기판(10)의 처짐을 방지하여 보다 안정적으로 마스크(300)를 기판(10)에 밀착시킬 수 있다.In particular, the outer frame 310 of the mask 300 is supported by the second magnetic force generating unit 420 so that the outer frame coupled to the pattern forming part 320 in close contact with the substrate 10. By supporting the 310 by the second magnetic force generating unit 420, the mask 300 is more stably prevented from sagging of the substrate 10 near the edge due to sagging due to the self-weight of the outer frame 310. 10).

한편 상기 마스크(300) 및 기판홀딩어셈블리(200)는 내부 및 외부를 순환하여 이동되거나, 진공챔버(100) 내부에 설치되는 등 다양하게 설치될 수 있다.The mask 300 and the substrate holding assembly 200 may be circulated inside and outside, or may be installed in various ways, such as being installed inside the vacuum chamber 100.

상기 마스크(300) 및 기판홀딩어셈블리(200)의 설치예로서, 상기 마스크(300) 및 기판홀딩어셈블리(200)는 내부 및 외부를 순환하여 이동할 수 있다.As an example of installation of the mask 300 and the substrate holding assembly 200, the mask 300 and the substrate holding assembly 200 may circulate inside and outside.

구체적으로 마스크(300) 및 기판홀딩어셈블리(200) 사이에 기판(10)을 위치(기판도입)시킨다. 여기서 기판홀딩어셈블리(200)는 마스크(300)와의 상대 상하이동에 의하여 서로 분리된다.Specifically, the substrate 10 is positioned (substrate introduced) between the mask 300 and the substrate holding assembly 200. Herein, the substrate holding assemblies 200 are separated from each other by relative movement between the mask 300.

여기서 상기 마스크(300) 및 기판홀딩어셈블리(200) 간의 상대 상하이동은 도시되지는 않았지만 선형구동부 및 기판홀딩어셈블리(200)의 홀딩 및 해제를 수행하는 홀딩부 등을 사용하여 다양한 형태로 상대 상하이동을 구현할 수 있다.Although the relative shank movement between the mask 300 and the substrate holding assembly 200 is not shown, the relative shank movement may be formed in various forms using a linear driving unit and a holding unit for holding and releasing the substrate holding assembly 200. Can be implemented.

그리고 기판도입 후 마스크(300) 및 기판홀딩어셈블리(200) 사이의 상대 상하이동에 의하여 마스크(300)를 기판(10)에 밀착(마스크 및 기판 밀착)시킨다. 여기서 마스크 및 기판 밀착 전에 마스크 및 기판의 얼라인이 수행됨이 바람직하다,After the substrate is introduced, the mask 300 is brought into close contact with the substrate 10 by the relative movement between the mask 300 and the substrate holding assembly 200. Here, it is preferable that alignment of the mask and the substrate is performed before the mask and the substrate are closely attached.

그리고 기판(10)에 밀착된 마스크(300)는 도 1에 도시된 바와 같이, 진공챔버(100) 내로 도입되고 진공챔버(100) 내에서 기판처리가 수행(도입 후 기판처리)된다.As shown in FIG. 1, the mask 300 in close contact with the substrate 10 is introduced into the vacuum chamber 100, and the substrate treatment is performed (substrate processing after the introduction) in the vacuum chamber 100.

한편 기판처리를 마친 후에는 상기와 같은 과정들의 역순으로 마스크(300) 및 기판홀딩어셈블리(200) 사이에서 기판처리를 마친 기판(10)이 배출(기판배출)되고 기판도입 과정 내지 기판배출 과정이 반복하여 수행된다.On the other hand, after the substrate is finished, the substrate 10 after the substrate treatment is discharged (substrate discharge) between the mask 300 and the substrate holding assembly 200 in the reverse order of the above processes, and the substrate introduction process or the substrate discharge process is performed. It is performed repeatedly.

또한 상기 기판도입 과정 및 마스크 및 기판밀착 과정은 이물질 등의 유입 등을 고려하여 진공챔버(100)와 연결되는 밀폐된 챔버(미도시) 내에서 수행됨이 바람직하다.In addition, the substrate introduction process, the mask and the substrate adhesion process is preferably performed in a closed chamber (not shown) connected to the vacuum chamber 100 in consideration of the inflow of foreign matters.

한편 본 발명에 따른 기판처리장치는 기판(10)에 밀착된 마스크(30)가 이동하면서 기판처리를 수행하거나 기판(10)에 밀착된 마스크(30)가 정지된 상태에서 기판처리가 수행하는 등 다양한 형태의 기판처리가 가능하다.On the other hand, the substrate processing apparatus according to the present invention performs the substrate treatment while the mask 30 in close contact with the substrate 10, or the substrate treatment is performed in a state in which the mask 30 in close contact with the substrate 10 is stopped. Various types of substrate processing are possible.

상기 마스크(300) 및 기판홀딩어셈블리(200)의 다른 설치예로서, 마스크(300) 및 기판홀딩어셈블리(200)가 진공챔버(100) 내에 설치되고, 앞서 설명한 기판 도입 내지 기판배출 과정 모두가 진공챔버(100) 내에서 이루어 질 수 있다.As another example of the installation of the mask 300 and the substrate holding assembly 200, the mask 300 and the substrate holding assembly 200 are installed in the vacuum chamber 100. It may be made in the chamber 100.

이때 상기 마스크(300)는 진공챔버(100) 내에 설치된 별도의 마스크지지프레임(미도시)에 의하여 지지될 수 있으며, 마스크지지프레임은 기판(10)의 도입 및 배출이 용이하도록 상하로 이동가능하도록 설치될 수 있다.In this case, the mask 300 may be supported by a separate mask support frame (not shown) installed in the vacuum chamber 100, and the mask support frame is movable up and down to facilitate the introduction and discharge of the substrate 10. Can be installed.

특히 상기 마스크지지프레임은 기판(10)의 도입 및 배출시 기판(10) 쪽을 향하거나 반대로 이동하도록 설치되며, 기판(10)이 도입된 후 상측으로 이동하여 마스크(300)를 기판홀딩어셈블리(200)로 근접시켜 자기력에 의하여 마스크(300)를 기판(10)의 기판처리면에 밀착시키도록 구성될 수 있다.In particular, the mask support frame is installed to move toward or away from the substrate 10 when the substrate 10 is introduced and discharged. The mask support frame moves upwards after the substrate 10 is introduced to move the mask 300 to the substrate holding assembly. 200, the mask 300 may be in close contact with the substrate processing surface of the substrate 10 by magnetic force.

그리고 상기 진공챔버(100)는 기판홀딩어셈블리(200) 및 마스크지지프레임을지지하기 위한 지지프레임으로서 기판홀딩어셈블리(200) 및 마스크(300)의 구조 및 지지형태에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The vacuum chamber 100 is a support frame for supporting the substrate holding assembly 200 and the mask support frame. Accordingly, the vacuum chamber 100 may be configured in various ways according to the structure and the support form of the substrate holding assembly 200 and the mask 300.

또한 상기 기판홀딩어셈블리(200)는 균일한 기판처리의 수행을 위하여 진공챔버(100) 내에서 회전, 수평이동 등 다양한 형태로 이동이 이루어질 수 있다.
In addition, the substrate holding assembly 200 may be moved in various forms such as rotation and horizontal movement in the vacuum chamber 100 to perform uniform substrate processing.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

100 : 진공챔버 200 : 이송트레이
300 : 마스크
410 : 제1자력발생부 420 : 제2자력발생부100: vacuum chamber 200: transfer tray
300: mask
410: the first magnetic generating unit 420: the second magnetic generating unit

Claims (21)

개구부를 형성하는 외곽프레임과, 외곽프레임의 개구부에 결합되어 패턴화된 개구가 형성된 패턴형성부를 가지는 마스크를 기판의 기판처리면에 밀착시킨 상태에서 기판처리를 수행하는 기판처리장치의 기판홀딩어셈블리로서,
상기 기판처리면의 반대면에 대향되는 대향면을 가지는 본체와;
상기 본체에 설치되어 상기 패턴형성부를 상기 기판의 기판처리면에 자기력에 의하여 밀착시키는 하나 이상의 제1자력발생부와;
상기 외곽프레임에 대응되도록 상기 본체에 설치되어 상기 외곽프레임을 상기 기판의 기판처리면에 자기력에 의하여 밀착시키는 하나 이상의 제2자력발생부를 포함하는 기판처리장치의 기판홀딩어셈블리.A substrate holding assembly of a substrate processing apparatus for performing substrate processing in a state in which a mask having an outer frame forming an opening and a pattern forming portion coupled to the opening of the outer frame and having a patterned opening are in close contact with the substrate processing surface of the substrate. ,
A main body having an opposing surface opposite to an opposing surface of the substrate processing surface;
At least one first magnetic force generating portion provided in the main body to closely contact the pattern forming portion by a magnetic force on a substrate processing surface of the substrate;
And at least one second magnetic force generating unit installed on the main body to correspond to the outer frame to adhere the outer frame to the substrate processing surface of the substrate by magnetic force. 청구항 1에 있어서,
상기 패턴형성부는 직사각형의 개구들을 형성하도록 격자형상을 가지며,
상기 본체는 상기 패턴형성부의 형상에 대응되어 격자형상을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 기판홀딩어셈블리.The method according to claim 1,
The pattern forming portion has a lattice shape to form rectangular openings,
And the main body has a lattice shape corresponding to the shape of the pattern forming part. 청구항 1에 있어서,
상기 본체는 평면형상이 실질적으로 직사각형을 이루며, 서로 대향되는 변에 외측으로 돌출되도록 형성된 하나 이상의 탭이 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 기판홀딩어셈블리.The method according to claim 1,
The main body of the substrate holding assembly of the substrate processing apparatus, characterized in that the planar shape is substantially rectangular, the one or more tabs are formed to protrude outward on the sides opposite to each other. 청구항 1에 있어서,
상기 제1자력발생부는 상기 패턴형성부 중 개구되지 않은 부분에 대응되는 위치에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 기판홀딩어셈블리.The method according to claim 1,
And the first magnetic force generating portion is located at a position corresponding to an unopened portion of the pattern forming portion. 청구항 1에 있어서,
상기 패턴형성부 중 개구되지 않은 부분은 기판처리면 중 기판처리 후 사용되지 않는 무효영역에 대응되는 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 기판홀딩어셈블리.The method according to claim 1,
The non-opening portion of the pattern forming portion is formed at a position corresponding to an invalid area of the substrate processing surface that is not used after the substrate processing. 청구항 1에 있어서,
상기 제2자력발생부는 상기 제1자력발생부들 중 적어도 일부와 일체로 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 기판홀딩어셈블리.The method according to claim 1,
And the second magnetic force generator is integrally installed with at least some of the first magnetic force generators. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제1자력발생부는 복수개로 설치되며,
상기 복수개의 제1자력발생부들은 상기 패턴형성부의 평면 위치에 따라서 상이한 자기력이 작용하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 기판홀딩어셈블리.The method according to any one of claims 1 to 6,
The first magnetic force generating unit is provided in plurality,
The substrate holding assembly of the substrate processing apparatus of claim 1, wherein the plurality of first magnetic force generating units are arranged to apply different magnetic forces depending on a planar position of the pattern forming unit. 청구항 7에 있어서,
상기 복수의 제1자력발생부들은 상기 패턴형성부의 가장자리부분보다 중앙부분의 자기력의 세기가 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 기판홀딩어셈블리.The method of claim 7,
The substrate holding assembly of the substrate treating apparatus, wherein the plurality of first magnetic force generating portions have a greater strength of the magnetic force at the center portion than the edge portion of the pattern forming portion. 개구부를 형성하는 외곽프레임과, 외곽프레임에 결합되어 패턴화된 개구가 형성된 패턴형성부를 가지는 마스크를 기판의 기판처리면에 밀착시킨 상태에서 기판처리를 수행하는 기판처리장치로서,
상기 마스크를 기판의 기판처리면에 밀착시키도록 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 따른 기판홀딩어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A substrate processing apparatus for performing a substrate treatment in a state in which a mask having an outer frame forming an opening and a pattern forming portion coupled to the outer frame and having a patterned opening are formed in close contact with the substrate processing surface of the substrate,
A substrate processing apparatus comprising a substrate holding assembly according to any one of claims 1 to 6 to bring said mask into close contact with a substrate processing surface of a substrate. 청구항 9에 있어서,
상기 기판홀딩어셈블리는 상기 기판의 기판처리면이 하측을 향하도록 상기 진공챔버의 상부에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 9,
And the substrate holding assembly is positioned above the vacuum chamber so that the substrate processing surface of the substrate faces downward. 청구항 9에 있어서,
상기 기판홀딩어셈블리는 상기 본체의 대향면이 지면에 대하여 수직 또는 경사를 이루는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 9,
The substrate holding assembly is a substrate processing apparatus, characterized in that the opposite surface of the main body is perpendicular or inclined with respect to the ground. 청구항 9에 있어서,
상기 진공챔버 내에 설치되어 기판에 증착될 물질로 이루어진 스퍼터링타켓부를 포함하며,
상기 기판홀딩어셈블리는 상기 스퍼터링타겟에 대향되어 위치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 9,
Is installed in the vacuum chamber and comprises a sputtering target portion made of a material to be deposited on a substrate,
And the substrate holding assembly is positioned opposite to the sputtering target. 청구항 12에 있어서,
상기 스퍼터링타겟부는 상기 진공챔버의 하부에 위치되고 상기 기판홀딩어셈블리는 상기 스퍼터링타겟부의 상부에 위치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 12,
And the sputtering target portion is positioned below the vacuum chamber and the substrate holding assembly is positioned above the sputtering target portion. 청구항 9에 있어서,
상기 진공챔버 내에 설치되어 증발에 의하여 기판에 증착될 물질이 담긴 증발원을 포함하며,
상기 증발원은 상기 진공챔버의 하부에 위치되고 상기 기판홀딩어셈블리는 상기 증발원의 상부에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 9,
Is installed in the vacuum chamber includes an evaporation source containing a material to be deposited on the substrate by evaporation,
And the evaporation source is located under the vacuum chamber and the substrate holding assembly is located above the evaporation source. 청구항 9에 있어서,
상기 마스크를 지지하여 이송하는 이송트레이를 더 포함하며,
기판의 기판처리면이 상기 마스크를 향하도록 상기 이송트레이에 안착된 후 상기 기판홀딩어셈블리가 상기 마스크를 상기 기판의 기판처리면에 밀착시킨 상태에서 기판처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 9,
Further comprising a transfer tray for supporting and transporting the mask,
And the substrate holding assembly performs substrate processing in a state where the substrate holding assembly is in close contact with the substrate processing surface of the substrate after the substrate processing surface of the substrate is seated on the transfer tray facing the mask. 청구항 15에 있어서,
상기 기판홀딩어셈블리는
상기 기판의 기판처리면이 하측을 향하도록 상기 진공챔버의 상부에 위치되거나,
상기 본체의 대향면이 지면에 대하여 수직 또는 경사를 이루는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.16. The method of claim 15,
The substrate holding assembly is
It is located above the vacuum chamber so that the substrate processing surface of the substrate faces downward,
Substrate processing apparatus, characterized in that the opposite surface of the main body is perpendicular or inclined with respect to the ground. 청구항 15에 있어서,
상기 이송트레이에 의하여 기판이 이송되면서 기판처리가 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.16. The method of claim 15,
Substrate processing apparatus characterized in that the substrate processing is performed while the substrate is transferred by the transfer tray. 청구항 9에 있어서,
상기 기판홀딩어셈블리는 상기 진공챔버 내에 설치되며,
상기 기판이 상기 기판홀딩어셈블리 및 상기 마스크 사이에 위치되었을 때 상기 마스크를 상기 기판홀딩어셈블리에 대하여 상대이동에 의하여 근접시켜 상기 기판홀딩어셈블리가 상기 마스크를 상기 기판의 기판처리면에 밀착시키는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 9,
The substrate holding assembly is installed in the vacuum chamber,
When the substrate is positioned between the substrate holding assembly and the mask, the mask is brought into close proximity to the substrate holding assembly by relative movement so that the substrate holding assembly adheres the mask to the substrate processing surface of the substrate. Substrate processing apparatus. 청구항 9에 있어서,
상기 외곽프레임은 상기 패턴형성부의 가장자리 외측으로 상측으로 더 돌출된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 9,
The outer frame is a substrate processing apparatus, characterized in that further protruding upward toward the outer edge of the pattern forming portion. 청구항 9에 있어서,
상기 제1자력발생부는 복수개로 설치되며,
상기 복수개의 제1자력발생부들은 상기 패턴형성부의 평면 위치에 따라서 상이한 자기력이 작용하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 9,
The first magnetic force generating unit is provided in plurality,
And the plurality of first magnetic force generating units are arranged such that different magnetic forces act according to planar positions of the pattern forming unit. 청구항 20에 있어서,
상기 복수의 제1자력발생부들은 상기 패턴형성부의 가장자리부분보다 중앙부분의 자기력의 세기가 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 20,
And the plurality of first magnetic force generating portions have a greater strength of a magnetic force in a central portion than an edge portion of the pattern forming portion.
KR1020120050241A 2012-05-11 2012-05-11 Substrate tray for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus having the same KR20130126267A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120050241A KR20130126267A (en) 2012-05-11 2012-05-11 Substrate tray for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120050241A KR20130126267A (en) 2012-05-11 2012-05-11 Substrate tray for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus having the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130126267A true KR20130126267A (en) 2013-11-20

Family

ID=49854399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120050241A KR20130126267A (en) 2012-05-11 2012-05-11 Substrate tray for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus having the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130126267A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101659948B1 (en) * 2016-07-25 2016-10-10 주식회사 엠더블유와이 Grid open mask sheet for thin film deposition, manufacturing apparatus of open mask assembly, and open mask assembly therefrom

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101659948B1 (en) * 2016-07-25 2016-10-10 주식회사 엠더블유와이 Grid open mask sheet for thin film deposition, manufacturing apparatus of open mask assembly, and open mask assembly therefrom

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210164087A1 (en) Mask frame assembly and evaporation device
JP5296263B2 (en) Vapor deposition equipment
US9640372B2 (en) Method and system for maintaining an edge exclusion shield
US20140116337A1 (en) Apparatus of depositing organic material
US9557638B2 (en) Method for manufacturing photo mask and photo mask manufactured with same
KR20160138313A (en) Carrier for substrates
US9666346B2 (en) Magnet plate assembly, deposition apparatus including the same, and method of deposition using the same
KR20140021832A (en) Substrate transfer module
CN206721352U (en) A kind of mask plate
KR20170000266U (en) Substrate edge masking system
KR20130126267A (en) Substrate tray for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus having the same
KR20140021313A (en) Align module, and method for aligning substrate and mask
CN115418605B (en) Mask plate frame and mask plate assembly
KR102195796B1 (en) Method for non-contact floating masking device
KR20130102835A (en) Subtrate tray for substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus having the same
KR101649905B1 (en) Evaporation Apparatus For Organic Light Emitting Display
KR101570073B1 (en) Substrate transferring carrier and substrage transferring apparatus using the same
KR102553751B1 (en) Mask handling module for in-line substrate processing system and method for mask transfer
KR20130039013A (en) Mask frame assembly
KR101988336B1 (en) Inline sputtering apparatus
KR101818421B1 (en) Apparatus for manufacturing OLED substrate and method for manufacturing OLED substrate
KR20140021316A (en) Substrate transfer module
KR20140021831A (en) Substrate transfer module
KR20190078717A (en) Depositing apparatus and method for fabricating display device using the same
KR20210033529A (en) Material deposition apparatus, vacuum deposition system, and method of processing large area substrates

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment