KR20130125458A - 발광소자 패키지 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 발광소자 패키지는 몸체; 상기 몸체에 배치된 제1 리드전극 및 제2 리드전극; 및 상기 몸체에 배치되고 상기 제1 리드전극 및 제2 리드전극과 전기적으로 연결된 발광소자;를 포함하고, 상기 발광소자는, 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형반 도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상의 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상의 제2 전극을 포함하며, 상기 제2 리드전극은 제1 영역 및 상기 제1 영역의 발광소자가 위치하는 면으로부터 상방향으로 확장하여 형성되는 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역은 상기 발광소자의 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 제1 리드전극은 상기 발광소자의 제2 전극과 전기적으로 연결된다.
Description
실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
도 1은 와이어 본딩된 일반적인 발광소자 패키지의 이미지를 나타낸 도면이다.
발광소자는 일반적으로 기판 상에 실장되어 패키지 형태로 사용되며, 외부로부터 전류를 공급받기 위하여 와이어를 이용해 기판과 전기적으로 연결된다.
그러나, 패키지의 제작 공정에서 발광소자와 와이어 간의 부착력이 약화되거나, 패키지의 몰딩 공정에서 사용된 수지의 열적 팽창 또는 수축 등에 의하여 와이어 필링 현상이 빈번하게 발생하는 문제점이 존재하였다.
실시예는 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시키고자 한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 몸체; 상기 몸체에 배치된 제1 리드전극 및 제2 리드전극; 및 상기 몸체에 배치되고 상기 제1 리드전극 및 제2 리드전극과 전기적으로 연결된 발광소자;를 포함하고, 상기 발광소자는, 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형반 도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상의 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상의 제2 전극을 포함하며, 상기 제2 리드전극은 제1 영역 및 상기 제1 영역의 발광소자가 위치하는 면으로부터 상방향으로 확장하여 형성되는 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역은 상기 발광소자의 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 제1 리드전극은 상기 발광소자의 제2 전극과 전기적으로 연결된다.
상기 발광소자의 제1 전극의 상면의 높이는 상기 제2 리드전극의 제2 영역의 상면의 높이와 대응되거나 상기 제2 리드전극의 제2 영역의 상면의 높이보다 낮을 수 있다.
상기 제2 리드전극의 제2 영역과 상기 발광소자 사이에는 패시베이션층이 위치할 수 있다.
상기 제2 리드전극은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 적어도 하나의 절곡부를 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 제1 블록킹부를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 리드전극의 제2 영역 상에 위치하는 제2 블록킹부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전극 및 상기 제2 리드전극의 제2 영역 상에 위치하며, 상기 제1전극 및 상기 제2 리드전극을 전기적으로 연결하는 제1 도전성 부재를 포함할 수 있다.
상기 발광소자는 적어도 일부가 선택적으로 식각되어 형성된 노출면을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 발광소자의 측면을 따라 상기 노출면까지 연장되어 위치할 수 있다.
상기 노출면 상에 위치하는 제1 전극의 상면의 높이는 상기 제2 리드전극의 제2 영역의 상면의 높이와 대응되거나 상기 제2 리드전극의 제2 영역의 상면의 높이보다 낮을 수 있다.
상기 제1 리드전극은 제3 영역 및 상기 제3 영역의 일면에서 확장하여 형성되는 제4 영역을 포함하고, 상기 제4 영역은 상기 발광소자의 제2 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 발광소자의 제2 전극의 상면의 높이는 상기 제1 리드전극의 제4 영역의 상면의 높이와 대응되거나 상기 제1 리드전극의 제4 영역의 상면의 높이보다 낮을 수 있다.
상기 제1 리드전극의 제4 영역과 상기 발광소자 사이에는 패시베이션층이 위치할 수 있다.
상기 제1 리드전극은 상기 제3 영역과 상기 제4 영역 사이에 적어도 하나의 절곡부를 포함할 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하는 제1 블록킹부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 리드전극의 제4 영역 상에 위치하는 제2 블록킹부를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 전극 및 상기 제1 리드전극의 제4 영역 상에 위치하며 상기 제2 전극 및 상기 제1 리드전극을 전기적으로 연결하는 제2 도전성 부재를 포함할 수 있다.
실시예에 따르면 와이어를 사용하지 않고 발광소자와 전극을 연결하므로, 와이어 필링 현상을 방지하여 발광소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 1은 와이어 본딩된 일반적인 발광소자 패키지의 이미지를 나타낸 도면.
도 2는 일실시예에 따른 발광소자 패키지의 측단면도.
도 3은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지 일부를 확대하여 도시한 상면도.
도 4는 도 3의 발광소자 패키지의 측단면도.
도 5는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 일부분을 확대하여 도시한 측단면도.
도 6은 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 일부분을 확대하여 도시한 측단면도.
도 7은 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지의 일부분을 확대하여 도시한 측단면도.
도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 헤드 램프의 일실시예를 도시한 도면.
도 9는 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 도시한 도면.
도 2는 일실시예에 따른 발광소자 패키지의 측단면도.
도 3은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지 일부를 확대하여 도시한 상면도.
도 4는 도 3의 발광소자 패키지의 측단면도.
도 5는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 일부분을 확대하여 도시한 측단면도.
도 6은 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 일부분을 확대하여 도시한 측단면도.
도 7은 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지의 일부분을 확대하여 도시한 측단면도.
도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 헤드 램프의 일실시예를 도시한 도면.
도 9는 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 도시한 도면.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다. 또한 실시예의 설명에 있어서, 제1 리드전극 및 제2 리드전극은 각각 캐소드 및 애노드 전극일 수 있으며, 그 반대로 제1 리드전극 및 제2 리드전극이 각각 애노드 및 캐소드 전극일 수도 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 2는 일실시예에 따른 발광소자 패키지의 측단면도이다.
일실시예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(200)와, 상기 몸체(200)에 배치된 제1 리드전극(300) 및 제2 리드전극(400), 및 상기 몸체(200)에 배치되고 상기 제1 리드전극(300) 및 제2 리드전극(400)과 전기적으로 연결된 발광소자(100)를 포함한다.
몸체(200)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체(200)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 몸체(200)의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1 리드전극(300) 및 제2 리드전극(400) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.
상기 몸체(200)에 발광소자(100)가 배치되며, 몸체(200)에 캐비티(210)가 형성되어 상기 캐비티(210) 내에 발광소자(100)가 위치할 수 있다.
발광소자(100)는 복수의 화합물 반도체층, 예를 들어 3족-5족 원소의 반도체층을 이용한 LED(Light Emitting Diode)를 포함하며, LED는 청색, 녹색 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED이거나 UV LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
제1 리드전극(300) 및 제2 리드전극(400)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광소자(100)에 전류를 공급한다. 또한, 제1 리드전극(300) 및 제2 리드전극(400)은 발광소자(100)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수도 있으며, 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.
실시예에 따르면, 발광소자(100)는 와이어를 사용하지 않고 제1 리드전극(300) 및 제2 리드전극(400)과 전기적으로 연결되며, 이에 관해서는 후술한다.
발광소자(100)는 몸체(200) 상에 위치하거나, 제1 리드전극(300) 상에 위치하여 제1 리드전극(300)과 직접 통전할 수 있다.
몸체(200)에는 상기 발광소자(100)를 포위하는 몰딩부(500)가 형성될 수 있다. 몸체(200)에 캐비티(210)가 있는 경우, 캐비티(210)를 채우도록 몰딩부(500)가 형성될 수 있다.
몰딩부(500)는 발광소자(100)를 보호하며, 형광체를 포함하여 발광소자(100)에서 방출되는 빛의 파장을 변환할 수 있다.
형광체는 가넷(Garnet)계 형광체, 실리케이트(Silicate)계 형광체, 니트라이드(Nitride)계 형광체, 또는 옥시니트라이드(Oxynitride)계 형광체를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 가넷계 형광체는 YAG(Y3Al5O12:Ce3 +) 또는 TAG(Tb3Al5O12:Ce3 +)일 수 있고, 상기 실리케이트계 형광체는 (Sr,Ba,Mg,Ca)2SiO4:Eu2 +일 수 있고, 상기 니트라이드계 형광체는 SiN을 포함하는 CaAlSiN3:Eu2 +일 수 있고, 상기 옥시니트라이드계 형광체는 SiON을 포함하는 Si6 - xAlxOxN8 -x:Eu2 +(0<x<6)일 수 있다.
발광소자(100)에서 발생된 제1 파장 영역의 광이 형광체에 의하여 여기되어 제2 파장 영역의 광으로 변환되고, 상기 제2 파장 영역의 광은 렌즈(미도시)를 통과하면서 광경로가 변경될 수 있다.
이하에서는 상기 도 2의 A 부분을 확대하여 도시한 도면을 참조하여 실시예 별로 설명한다.
도 3은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지 일부를 확대하여 도시한 상면도이고, 도 4는 도 3의 발광소자 패키지의 측단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(200), 상기 몸체(200)에 배치되는 제1 리드전극(300) 및 제2 리드전극(400), 및 상기 몸체(200)에 배치되며 제1 리드전극(300) 및 제2 리드전극(400)과 전기적으로 연결된 발광소자(100)를 포함한다.
발광소자(100)는 제1 도전형 반도체층(112)과 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)을 포함하는 발광 구조물(110)과, 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상의 제1 전극(140)과, 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상의 제2 전극(120)을 포함한다.
발광 구조물(110)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
제1 도전형 반도체층(112)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 등의 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 또한 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(112)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서 Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
제1 도전형 반도체층(112)은 예를 들어, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, AlInP, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(116)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 예를 들어, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, AlInP, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(116)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나 이에 한정하지 않는다.
제1 도전형 반도체층(112)과 제2 도전형 반도체층(116) 사이에 활성층(114)이 위치한다.
활성층(114)은 전자와 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 제1 도전형 반도체층(112)이 n형 반도체층이고 제2 도전형 반도체층(116)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 반도체층(112)으로부터 전자가 주입되고 상기 제2 도전형 반도체층(116)으로부터 정공이 주입될 수 있다.
활성층(114)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(124)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자 우물 구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
활성층(114)이 다중 우물 구조로 형성되는 경우, 활성층(114)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 좁은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
발광 구조물(110)은 그 하부에 위치하는 지지기판(130)에 의해 지지될 수 있다.
지지기판(130)은 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성될 수 있고, 소정의 두께를 갖는 베이스 기판(substrate)일 수 있다.
지지기판(130)은, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 또는 전도성 시트 등을 선택적으로 포함할 수 있다.
제2 도전형 반도체층(116) 상의 제2 전극(120)과 도전성 지지기판(130)은 본딩층(132)에 의해 결합될 수 있다.
본딩층(132)은 예를 들어, Au, Sn, In, Ag, Ni, Nb 및 Cu로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제2 전극(120)은 투명 전극층(122) 또는 반사층(124) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 도전형 반도체층(116)은 불순물 도핑 농도가 낮아 접촉 저항이 높으며 그로 인해 금속과의 오믹 특성이 좋지 못할 수 있으므로, 투명 전극층(122)은 이러한 오믹 특성을 개선하기 위한 것으로 반드시 형성되어야 하는 것은 아니다.
투명 전극층(122)은 투광성 전도층으로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이러한 재료에 한정되지는 않는다.
활성층(114)에서 생성된 빛은 발광소자(100)의 상부로도 진행하지만 발광소자(100)의 하부로도 진행하기 때문에, 발광 구조물(110)의 제2 도전형 반도체층(116) 방향에 반사층(124)이 위치하여 발광소자(100)의 하부로 진행하는 빛을 반사시켜 빛의 진행 경로를 변경할 수 있다.
반사층(124)은 우수한 반사율을 갖는 물질로 형성되며, Ag를 포함하여 이루어질 수 있다.
제1 전극(140)은 제1 도전형 반도체층(112) 상의 적어도 일부에 위치하며, 다양한 패턴으로 형성될 수 있다.
제1 전극(140)은 라인 형상, 루프 형상, 고리 형상 또는 프레임 형상 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
제1 전극(140)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
제1 실시예의 발광소자(100)는 수직형 발광소자이므로, 제1 리드전극(300) 상에 발광소자(100)가 실장되어 제1 리드전극(300)과 발광소자(100)의 제2 전극(120)이 직접 통전된다.
발광소자(100)는 도전성 접착제(302)를 통해 제1 리드전극(300)에 부착되어 제1 리드전극(300)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 리드전극(400)은 제1 영역(410) 및 상기 제1 영역(410)과 연결된 제2 영역(420)을 포함하고, 상기 제2 영역(420)은 제1 도전성 부재(440)에 의해 발광소자(100)의 제1 전극(140)과 전기적으로 연결된다. 상기 제2 영역(420)은 상기 제1 영역(410)의 발광소자(100)가 위치하는 면으로부터 상방향으로 확장되어 형성될 수 있다.
종래에는 와이어를 이용하여 발광소자와 제2 리드전극을 연결하여 와이어 필링 현상이 종종 발생하였으나, 실시예에 따르면 와이어를 사용하지 않고 제2 리드전극(400)을 발광소자(100)의 제1 전극(140) 높이에 대응되도록 형성하여 도전성 부재(440)를 통해 전기적으로 연결하므로 발광소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.
제2 리드전극(400)의 제1 영역(410)은 외부 전원과 연결되는 전극 역할을 하고, 제2 영역(420)은 발광소자(100)의 제1 전극(140)과 전기적으로 연결되어 발광소자(100)에 직접 전류를 공급하는 역할을 할 수 있다.
제2 리드전극(400)의 제1 영역(410)과 제2 영역(420)은 일체로서 형성될 수도 있고, 별개의 영역으로 형성된 후 도전성 접착제에 의해 접착될 수도 있다.
제2 리드전극(400)의 제1 영역(410)은 제1 리드전극(300)과 나란하게 위치하고, 제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)은 발광소자(100)와 나란하게 위치하므로, 상기 제1 영역(410)과 제2 영역(420) 사이에 적어도 하나의 절곡부(450)가 존재할 수 있다.
발광소자(100)의 제1 전극(140)은 제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)과 인접한 발광소자(100)의 단부까지 연장되어 형성되고, 상기 제1 전극(140)과 상기 제2 영역(420) 상에 위치하는 제1 도전성 부재(440)에 의해 제1 전극(140)과 제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)이 전기적으로 연결된다. 제1 도전성 부재(440)는 제1 전극(140)과 적어도 일부 중첩되어 위치할 수 있다.
발광소자(100)의 제1 전극(140)의 상면의 높이는 제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)의 상면의 높이와 대응되거나, 제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)의 상면의 높이보다 낮을 수 있다.
즉, 제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)이 발광소자(100)의 제1 전극(140)의 높이와 동일하거나 이보다 낮게 형성되고, 제1 전극(140)과 제2 영역(420) 상에 제1 도전성 부재(440)가 위치한다.
제1 도전성 부재(440)는 Ag를 포함할 수 있고, 페이스트 형태로 형성될 수 있다.
발광소자(100)의 제1 도전형 반도체층(112) 상에는 제1 도전성 부재(440)의 유동을 방지하는 제1 블록킹부(142)가 형성될 수 있다.
제1 도전성 부재(440)가 발광소자(100)의 중앙 영역까지 흘러 들어갈 우려가 있으므로, 제1 전극(140)보다 높게 단차를 두어 제1 블록킹부(142)를 형성할 수 있다.
실시예에 따라, 제1 블록킹부(142)는 제1 전극(140)과 동일한 물질로 형성될 수 있고, 제1 전극(140)과 동시에 형성될 수 있다.
제2 리드전극(400)의 제2 영역(420) 상에도 제1 도전성 부재(440)의 유동을 방지하는 제2 블록킹부(422)가 형성될 수 있다.
제2 블록킹부(422)는 제2 영역(420)의 가장자리 둘레에 형성되며, 제2 리드전극(400)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
발광소자(100)의 측면 및 상면에는 패시베이션층(150)이 위치할 수 있다.
도 4에는 외부로 노출된 발광소자(100)의 측면 및 상면 전부에 패시베이션층(150)이 형성된 것으로 도시하였으나, 발광소자(100)의 측면 및 상면의 적어도 일부에만 패시베이션층(150)이 형성될 수도 있다.
패시베이션층(150)은 발광소자(100)를 보호하고 층간 전기적 쇼트를 방지하는 역할을 한다. 패시베이션층(150)은 비전도성 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있으며, 일 예로서, 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 또는 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.
제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)과 발광소자(100)는 패시베이션층(150)을 사이에 두고 서로 접하여 배치될 수 있다.
제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)은 발광소자(100)와 이격되어 배치되고 제1 전극(142) 부분에서만 접하여 제1 도전성 부재(440)를 통해 서로 전기적으로 연결될 수도 있으나, 도 4에 도시된 바와 같이, 발광소자(100)의 측면에 위치하는 패시베이션층(150)을 사이에 두고 제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)과 발광소자(100)가 접하여 배치될 수도 있다.
발광소자(100)와 제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)이 접하여 배치되는 경우, 제1 도전성 부재(440)를 통한 전기적 연결이 더욱 견고하게 이루어져 발광소자 패키지의 신뢰성이 더욱 향상될 수 있다.
도 3을 참조하면, 제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)의 상면에, 전극 물질(430)을 얇게 도포한 후 도전성 부재(440)를 형성할 수도 있다. 전극 물질(430)을 도포함으로써 접촉 저항이 낮아져 발광소자(100)로의 전류 주입이 원활해질 수 있다.
전극 물질(430)은 제1 전극(140)으로 사용되는 물질과 동일한 물질일 수 있고, 일반적으로 Au를 포함하여 이루어질 수 있다.
도 5는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 일부분을 확대하여 도시한 측단면도이다. 상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.
제2 실시예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(200), 상기 몸체(200)에 배치되는 제1 리드전극(300) 및 제2 리드전극(400), 및 상기 몸체(200)에 배치되며 제1 리드전극(300) 및 제2 리드전극(400)과 전기적으로 연결된 발광소자(100)를 포함한다.
발광소자(100)는 적어도 일부가 선택적으로 메사 식각될 수 있다. 도 5에는 일 예로서, 발광 구조물(110), 제2 전극(120) 및 본딩층(132)의 일부가 메사 식각된 것으로 도시하였으나, 이는 일 예시에 불과하고, 발광 구조물(110)의 일부만이 메사 식각될 수도 있다.
발광소자(100)의 제1 도전형 반도체층(112) 상의 적어도 일부에 제1 전극(140)이 위치하며, 상기 제1 전극(140)은 발광소자(100)의 측면을 따라, 메사 식각에 의하여 형성된 노출면(160)까지 연장되어 형성될 수 있다.
이때, 제1 전극(140)과 그 외 발광소자(100)의 다른 부분 사이에는 패시베이션층(150)이 위치하여 층간의 전기적 쇼트를 방지할 수 있다.
제2 리드전극(400)은 제1 영역(410) 및 상기 제1 영역(410)과 연결된 제2 영역(420)을 포함하고, 상기 제2 영역(420)은 제1 도전성 부재(440)에 의해 발광소자(100)의 제1 전극(140)과 전기적으로 연결된다.
제2 리드전극(400)의 제1 영역(410)은 외부 전원과 연결되는 전극 역할을 하고, 제2 영역(420)은 발광소자(100)의 제1 전극(140)과 전기적으로 연결되어 발광소자(100)에 직접 전류를 공급하는 역할을 할 수 있다.
제2 리드전극(400)의 제1 영역(410)과 제2 영역(420)은 일체로서 형성될 수도 있고, 별개의 영역으로 형성된 후 도전성 접착제에 의해 접착될 수도 있다.
제2 리드전극(400)의 제1 영역(410)은 제1 리드전극(300)과 나란하게 위치하고, 제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)은 발광소자(100)와 나란하게 위치하므로, 상기 제1 영역(410)과 제2 영역(420) 사이에 적어도 하나의 절곡부(450)가 존재할 수 있다.
메사 식각에 의하여 노출된 발광소자(100)의 노출면 상에 위치한 제1 전극(140)의 상면의 높이는 제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)의 상면의 높이와 대응되거나, 제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)의 상면의 높이보다 낮을 수 있다.
즉, 제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)이 발광소자(100)의 노출면(160) 상의 제1 전극(140)의 높이와 동일하거나 이보다 낮게 형성되고, 제1 전극(140)과 제2 영역(420) 상에 제1 도전성 부재(440)가 위치한다.
제2 리드전극(400)의 제2 영역(420) 상에 제2 블록킹부(422)가 형성될 수 있다. 제2 블록킹부(422)는 제2 영역(420)의 상면보다 높은 단차를 갖고 제2 영역(420)의 가장자리 둘레에 형성되어 제1 도전성 부재(440)의 유동을 방지할 수 있다.
제2 블록킹부(422)는 키소드 전극(400) 또는 제1 리드전극(300)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
도 6은 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 일부분을 확대하여 도시한 측단면도이다. 상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.
제3 실시예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(200), 상기 몸체(200)에 배치되는 제1 리드전극(300) 및 제2 리드전극(400), 및 상기 몸체(200)에 배치되며 제1 리드전극(300) 및 제2 리드전극(400)과 전기적으로 연결된 발광소자(100)를 포함한다.
발광소자(100)는 적어도 일부가 선택적으로 메사 식각될 수 있다. 도 6에는 일 예로서, 발광 구조물(110) 중에서 제1 도전형 반도체층(112)의 일부만이 메사 식각된 것으로 도시하였으나, 이는 일 예시에 불과하고, 그 이외의 부분도 같이 식각될 수도 있다.
발광소자(100)의 제1 도전형 반도체층(112) 상의 적어도 일부에 제1 전극(140)이 위치하며, 상기 제1 전극(140)은 발광소자(100)의 측면을 따라, 메사 식각에 의하여 형성된 노출면(160)까지 연장되어 형성될 수 있다.
이때, 제1 전극(140)과 그 외 발광소자(100)의 다른 부분 사이에는 패시베이션층(150)이 위치하여 층간의 전기적 쇼트를 방지할 수 있다.
제2 리드전극(400)은 제1 영역(410) 및 상기 제1 영역(410)과 연결된 제2 영역(420)을 포함하고, 상기 제2 영역(420)은 제1 도전성 부재(440)에 의해 발광소자(100)의 제1 전극(140)과 전기적으로 연결된다.
제2 리드전극(400)의 제1 영역(410)과 제2 영역(420)은 일체로서 형성되지 않고 별개의 영역으로 형성된 후, 도전성 접착제(402)에 의해 접착될 수 있다.
제3 실시예가 제2 실시예와 다른 점은, 외부로 노출되는 제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)의 상부에 제1 도전성 부재(440)가 위치하는 것이 아니라, 제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)이 상기 발광소자(100)의 노출면(160)의 형상과 부합하도록 "ㄱ"자 단면 형상을 가져서, 상기 노출면(160)과 대응되는 면에 제1 도전성 부재(440)가 위치하여 제1 전극(140)과 제2 리드전극(400)이 전기적으로 연결된다는 점이다.
제2 리드전극(400)의 제2 영역(420)은 패시베이션층(150)을 사이에 두고 발광소자(100)와 접하여 배치될 수 있다. 실시예에 따라, 제2 리드전극(400)의 제1 영역(410)은 발광소자(100)와 이격되어 위치할 수 있다.
도 7은 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지의 일부분을 확대하여 도시한 측단면도이다. 상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.
제4 실시예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(200), 상기 몸체(200)에 배치되는 제1 리드전극(300) 및 제2 리드전극(400), 및 상기 몸체(200)에 배치되며 제1 리드전극(300) 및 제2 리드전극(400)과 전기적으로 연결된 발광소자(100)를 포함한다.
제4 실시예에서, 상기 발광소자(100)는 수평형 발광소자이며, 제2 도전형 반도체층(116)과 활성층(114) 및 제1 도전형 반도체층(112)의 적어도 일부를 선택적으로 메사 식각하여 노출된 제1 도전형 반도체층(112) 상에 제1 전극(140)이 위치하여, 식각되지 않은 제2 도전형 반도체층(116) 상에 제2 전극(170)이 위치한다.
제1 도전형 반도체층(112)과 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)을 포함한 발광 구조물(110)은 성장기판(510) 상에 위치한다.
성장기판(510)은 반도체 물질 성장에 적합한 재료, 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있다. 성장기판(510)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 성장기판(510)에 대해 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다.
발광 구조물(100)과 성장기판(510) 사이에는 버퍼층(520)이 위치할 수 있는데, 버퍼층(520)은 재료의 격자 부정합 및 열팽창 계수의 차이를 완화하기 위한 것이다. 버퍼층(520)의 재료는 3족-5족 화합물 반도체, 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
제2 리드전극(400)은 제1 영역(410) 및 상기 제1 영역(410)과 연결된 제2 영역(420)을 포함하고, 상기 제2 영역(420)은 제1 도전성 부재(440)에 의해 발광소자(100)의 제1 전극(140)과 전기적으로 연결된다.
제2 리드전극(400)과 제1 전극(140)의 연결은 상술한 제1 실시예와 유사하므로 다시 설명하지 않는다.
제1 리드전극(300)은 제3 영역(310) 및 상기 제3 영역(310)의 일면에서 확장하여 형성되는 제4 영역(320)을 포함하고, 상기 제4 영역(320)은 제2 도전성 부재(340)에 의해 발광소자(100)의 제2 전극(170)과 전기적으로 연결된다.
수평형 발광소자의 경우, 종래에는 두 개의 와이어를 사용하여 발광소자와 제1 리드전극 및 제2 리드전극을 각각 전기적으로 연결하였으나, 패키지 제작 과정 및 사용 과정에서 와이어 필링 현상이 종종 발생하였다.
실시예에 따르면, 수평형 발광소자의 경우에도 와이어를 사용하지 않고 제1 리드전극(300)과 제2 리드전극(400)의 높이를 제2 전극(170) 및 제1 전극(140)과 각각 대응되도록 형성하여 도전성 부재(440, 340)를 통해 전기적으로 연결하므로 발광소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.
제1 리드전극(300)의 제3 영역(310)은 외부 전원과 연결되는 전극 역할을 하고, 제4 영역(320)은 발광소자(100)의 제2 전극(170)과 전기적으로 연결되어 발광소자(100)에 직접 전류를 공급하는 역할을 할 수 있다.
제1 리드전극(300)의 제3 영역(310)과 제4 영역(320)은 일체로서 형성될 수도 있고, 별개의 영역으로 형성된 후 도전성 접착제에 의해 접착될 수도 있다.
제1 리드전극(300)의 제3 영역(310)은 제2 리드전극(400)의 제1 영역(410)과 나란하게 위치하고, 제1 리드전극(300)의 제4 영역(320)은 발광소자(100)와 나란하게 위치하므로, 상기 제3 영역(310)과 제4 영역(320) 사이에 적어도 하나의 절곡부(350)가 존재할 수 있다.
발광소자(100)의 제2 전극(170)은 제1 리드전극(300)의 제4 영역(320)과 인접한 발광소자(100)의 단부까지 연장되어 형성되고, 상기 제2 전극(170)과 상기 제4 영역(320) 상에 위치하는 제2 도전성 부재(340)에 의해 제2 전극(170)과 제1 리드전극(300)의 제4 영역(320)이 전기적으로 연결된다. 제2 도전성 부재(340)는 제2 전극(170)과 적어도 일부 중첩되어 위치할 수 있다.
발광소자(100)의 제2 전극(170)의 상면의 높이는 제1 리드전극(300)의 제4 영역(320)의 상면의 높이와 대응거나, 제1 리드전극(300)의 제4 영역(320)의 상면의 높이보다 낮을 수 있다.
즉, 제1 리드전극(300)의 제4 영역(320)이 발광소자(100)의 제2 전극(170)의 높이와 동일하거나 이보다 낮게 형성되고, 제2 전극(170)과 제4 영역(320) 상에 제2 도전성 부재(340)가 위치한다.
제2 도전성 부재(340)는 상기 제1 도전성 부재(440)와 동일한 물질로 형성될 수 있고, Ag를 포함한 페이스트 형태로 형성될 수 있다.
발광소자(100)의 제2 도전형 반도체층(116) 상에는 제2 도전성 부재(340)의 유동을 방지하는 제1 블록킹부(172)가 형성될 수 있다.
제2 도전성 부재(340)가 발광소자(100)의 중앙 영역까지 흘러 들어갈 우려가 있으므로, 제2 전극(170)보다 높게 단차를 두어 제1 블록킹부(172)를 형성할 수 있다.
제1 블록킹부(172)는 제1 도전형 반도체층(112) 상의 제1 블록킹부(142)와 동일한 물질로 형성될 수 있고, 제1 전극(140) 또는 제2 전극(170)과 동일한 물질로 형성될 수도 있다. 제1 블록킹부(172)는 제2 전극(170)과 동시에 형성될수 있다.
제1 리드전극(300)의 제4 영역(320) 상에도 제2 도전성 부재(340)의 유동을 방지하는 제2 블록킹부(322)가 형성될 수 있다.
제2 블록킹부(322)는 제1 리드전극(300)의 제4 영역(320)의 가장자리 둘레에 형성되며, 제1 리드전극(300) 또는 제2 리드전극(400)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제2 블록킹부(322)는 제2 리드전극(400)의 제2 블록킹부(422)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제1 리드전극(300)의 제4 영역(320)과 발광소자(100)는 패시베이션층(150)을 사이에 두고 서로 접하여 배치될 수 있다.
제1 리드전극(300)의 제2 영역(320)은 발광소자(100)와 이격되어 배치되고 제2 전극(170) 부분에서만 접하여 제2 도전성 부재(340)를 통해 서로 전기적으로 연결될 수도 있으나, 도 7에 도시된 바와 같이, 발광소자(100)의 측면에 위치하는 패시베이션층(150)을 사이에 두고 제1 리드전극(300)의 제4 영역(320)과 발광소자(100)가 접하여 배치될 수도 있다.
발광소자(100)와 제1 리드전극(300)의 제4 영역(320)이 접하여 배치되는 경우, 제2 도전성 부재(340)를 통한 전기적 연결이 더욱 견고하게 이루어져 발광소자 패키지의 신뢰성이 더욱 향상될 수 있다.
도 3과 관련해 상술한 바와 같이, 제1 리드전극(300)의 제4 영역(320)의 상면에, 전극 물질을 얇게 도포한 후 제2 도전성 부재(340)를 형성할 수도 있다. 전극 물질을 도포함으로써 접촉 저항이 낮아져 발광소자(100)로의 전류 주입이 원활해질 수 있다.
이하에서는 상술한 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일 실시예로서, 헤드 램프와 백라이트 유닛을 설명한다.
도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 헤드 램프의 일실시예를 도시한 도면이다.
도 8을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 발광 모듈(710)에서 방출된 빛이 리플렉터(720)와 쉐이드(730)에서 반사된 후 렌즈(740)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다.
상기 발광 모듈(710)에는 기판 상에 발광소자가 복수 개로 탑재된 발광소자 패키지를 포함할 수 있고, 상기 기판과 발광소자의 연결은 와이어를 사용하지 않고 상술한 실시예에 따라 이루어질 수 있다.
도 9는 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 도시한 도면이다.
도 9를 참조하면, 실시예에 따른 표시장치(800)는 발광 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(810) 상의 반사판(820)과, 상기 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(840)과, 상기 도광판(840)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(850)와 제2 프리즘시트(860)와, 상기 제2 프리즘시트(860)의 전방에 배치되는 패널(870)과 상기 패널(870)의 전반에 배치되는 컬러필터(880)를 포함하여 이루어진다.
발광 모듈은 회로 기판(830) 상의 상술한 발광소자 패키지(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(835)는 도 11에서 설명한 바와 같다.
상기 바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 상기 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 상기 도광판(840)의 후면이나, 상기 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
도광판(840)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 도광판이 생략되어 반사시트(820) 위의 공간에서 빛이 전달되는 에어 가이드 방식도 가능하다.
상기 제1 프리즘 시트(850)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
상기 제2 프리즘 시트(860)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(870)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.
본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
상기 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.
상기 패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.
표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.
상기 패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 상기 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.
이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 발광소자 200: 몸체
300: 제1 리드전극 310: 제3 영역
210: 제4 영역 400: 제2 리드전극
410: 제1 영역 420: 제2 영역
500: 몰딩부 710: 발광 모듈
720: 리플렉터 730: 쉐이드
800: 표시장치 810: 바텀 커버
820: 반사판 840: 도광판
850: 제1 프리즘시트 860: 제2 프리즘시트
870: 패널 880: 컬러필터
300: 제1 리드전극 310: 제3 영역
210: 제4 영역 400: 제2 리드전극
410: 제1 영역 420: 제2 영역
500: 몰딩부 710: 발광 모듈
720: 리플렉터 730: 쉐이드
800: 표시장치 810: 바텀 커버
820: 반사판 840: 도광판
850: 제1 프리즘시트 860: 제2 프리즘시트
870: 패널 880: 컬러필터
Claims (16)
- 몸체;
상기 몸체에 배치된 제1 리드전극 및 제2 리드전극; 및
상기 몸체에 배치되고 상기 제1 리드전극 및 제2 리드전극과 전기적으로 연결된 발광소자;를 포함하고,
상기 발광소자는, 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형반 도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상의 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상의 제2 전극을 포함하며,
상기 제2 리드전극은 제1 영역 및 상기 제1 영역의 발광소자가 위치하는 면으로부터 상방향으로 확장하여 형성되는 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역은 상기 발광소자의 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 제1 리드전극은 상기 발광소자의 제2 전극과 전기적으로 연결되는 발광소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 발광소자의 제1 전극의 상면의 높이는 상기 제2 리드전극의 제2 영역의 상면의 높이와 대응되거나 상기 제2 리드전극의 제2 영역의 상면의 높이보다 낮은 발광소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 제2 리드전극의 제2 영역과 상기 발광소자 사이에는 패시베이션층이 위치하는 발광소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 제2 리드전극은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 적어도 하나의 절곡부를 포함하는 발광소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 제1 블록킹부를 더 포함하는 발광소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 제2 리드전극의 제2 영역 상에 위치하는 제2 블록킹부를 더 포함하는 발광소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 리드전극의 제2 영역 상에 위치하며, 상기 제1전극 및 상기 제2 리드전극을 전기적으로 연결하는 제1 도전성 부재를 포함하는 발광소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 발광소자는 적어도 일부가 선택적으로 식각되어 형성된 노출면을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 발광소자의 측면을 따라 상기 노출면까지 연장되어 위치하는 발광소자 패키지. - 제 8 항에 있어서,
상기 노출면 상에 위치하는 제1 전극의 상면의 높이는 상기 제2 리드전극의 제2 영역의 상면의 높이와 대응되거나 상기 제2 리드전극의 제2 영역의 상면의 높이보다 낮은 발광소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 리드전극은 제3 영역 및 상기 제3 영역의 일면에서 확장하여 형성되는 제4 영역을 포함하고, 상기 제4 영역은 상기 발광소자의 제2 전극과 전기적으로 연결되는 발광소자 패키지. - 제 10 항에 있어서,
상기 발광소자의 제2 전극의 상면의 높이는 상기 제1 리드전극의 제4 영역의 상면의 높이와 대응되거나 상기 제1 리드전극의 제4 영역의 상면의 높이보다 낮은 발광소자 패키지. - 제 10 항에 있어서,
상기 제1 리드전극의 제4 영역과 상기 발광소자 사이에는 패시베이션층이 위치하는 발광소자 패키지. - 제 10 항에 있어서,
상기 제1 리드전극은 상기 제3 영역과 상기 제4 영역 사이에 적어도 하나의 절곡부를 포함하는 발광소자 패키지. - 제 10 항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하는 제1 블록킹부를 더 포함하는 발광소자 패키지. - 제 10 항에 있어서,
상기 제1 리드전극의 제4 영역 상에 위치하는 제2 블록킹부를 더 포함하는 발광소자 패키지. - 제 10 항에 있어서,
상기 제2 전극 및 상기 제1 리드전극의 제4 영역 상에 위치하며 상기 제2 전극 및 상기 제1 리드전극을 전기적으로 연결하는 제2 도전성 부재를 포함하는 발광소자 패키지.
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| KR1020120048975A KR101943448B1 (ko) | 2012-05-09 | 2012-05-09 | 발광소자 패키지 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101943448B1 (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060084314A (ko) * | 2005-01-19 | 2006-07-24 | 삼성전기주식회사 | Ｅｓｄ보호 능력을 갖는 질화갈륨계 발광 소자 및 그 제조방법 |
| KR20060087620A (ko) * | 2005-01-29 | 2006-08-03 | 서울옵토디바이스주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 탑재한패키지 |
| JP2010283267A (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Sanken Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| KR20120043867A (ko) * | 2010-10-27 | 2012-05-07 | 하나 마이크론(주) | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
-
2012
- 2012-05-09 KR KR1020120048975A patent/KR101943448B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060084314A (ko) * | 2005-01-19 | 2006-07-24 | 삼성전기주식회사 | Ｅｓｄ보호 능력을 갖는 질화갈륨계 발광 소자 및 그 제조방법 |
| KR20060087620A (ko) * | 2005-01-29 | 2006-08-03 | 서울옵토디바이스주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 탑재한패키지 |
| JP2010283267A (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Sanken Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| KR20120043867A (ko) * | 2010-10-27 | 2012-05-07 | 하나 마이크론(주) | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR101943448B1 (ko) | 2019-01-29 |
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