KR20130125289A - Multifunctional lord port apparatus - Google Patents

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Abstract

A multifunctional load port apparatus according one embodiment of the present invention comprises a wafer storage unit storing at least one wafer, and a load port unit which makes the wafer storage unit settled, supports a wafer storage unit settled by separating from another wafer storage unit, and injects at least one kind of injection gas into the wafer storage unit or discharges various exhaust gas formed inside the wafer storage unit. The load port unit includes: a port stage part which makes the wafer storage unit settled and supports a wafer storage unit settled by separating from another wafer storage unit; a port main body that is disposed on the lower end of the port stage part and which has the fixed height and area and fixes the port stage part; a gas injection part that is disposed inside the port main body and formed to protrude through the port stage part, and which injects the injection gas into the wafer storage unit when the wafer storage unit is placed on the port stage part; a gas discharge part that is arranged inside the port main body and formed to protrude through the port stage part, and which discharges exhaust gas in the wafer storage unit when the wafer storage unit is placed on the port stage part; an impurity sensing part that is arranged on the gas discharge unit and which senses the impurities included in the exhaust gas; and a differential pressure sensing part that is arranged on the lower end of the port stage part and capable of sensing the condition of the wafer storage unit by sensing differential pressure applied to the wafer storage unit when the wafer storage unit is placed on the port stage part.

Description

다기능 로드 포트 장치{MULTIFUNCTIONAL LORD PORT APPARATUS}[0001] MULTIFUNCTIONAL LORD PORT APPARATUS [0002]

본 발명은 다기능 로드 포트 장치에 관한 것으로, 반도체 제조 공정 중에서 공정 진행 전에 반드시 거쳐야 하는 로드 포트(Load Port)에 다양한 기능을 부여하여, 전/후공정의 공정시 발생한 Fume제거 및 개선과 웨이퍼 수납부의 내부의 수분 및 산소 제거 및 세척 기능 등을 부여하여 수율 향상 및 생산성 향상시킬 수 있는 다기능 로드 포트 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a multi-function load port device, by providing a variety of functions to the load port (Load Port) that must pass through the process in the semiconductor manufacturing process, removing and improving the fume generated during the process of the front and back processes and the wafer storage portion The present invention relates to a multi-function load port device capable of improving yield and improving productivity by providing a function of removing water and oxygen and washing of the inside thereof.

일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼 상에 증착 공정, 연마 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 이온주입 공정, 세정 공정, 검사 공정, 열처리 공정 등이 선택적이면서도 반복적으로 수행되어 제조되며, 이렇게 반도체 소자로 형성되기 위하여 웨이퍼는 각 공정에서 요구되는 특정 위치로 운반되어 진다.Generally, a semiconductor device is manufactured by selectively and repeatedly performing a deposition process, a polishing process, a photolithography process, an etching process, an ion implantation process, a cleaning process, an inspection process, a heat treatment process, and the like on a wafer. To this end, the wafer is transported to a specific location required for each process.

반도체 제조 공정 시에, 가공되는 웨이퍼는 고정밀도의 물품으로 보관 및 운반 시 외부의 오염 물질과 충격으로부터 오염되거나 손상되지 않도록 개구 통합형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)와 같은 웨이퍼 수납 용기에 수납되어 이송하였다.In semiconductor manufacturing processes, processed wafers are housed in wafer storage containers such as Front Opening Unified Pods (FOUPs) to prevent contamination or damage from external contaminants and impacts when stored and transported with high precision articles. Transferred.

이와 같이, 웨이퍼 이송 장치 내로 유입되는 공기는 필터링되어 여과되지만, 밀폐된 풉(FOUP) 내는 필터링되지 않은 공기가 존재하였다. 이러한 공기는 산소(O2), 수분(H2O), 그리고 오존(O3)과 같은 분자성 오염물질들을 포함하고 있다. As such, the air entering the wafer transfer device is filtered and filtered, but there is unfiltered air in the closed FOUP. This air contains molecular contaminants such as oxygen (O2), water (H2O), and ozone (O3).

따라서 밀폐된 풉(FOUP) 내에 존재하는 산소 함유의 가스오염물질들은 밀폐된 풉(FOUP) 내의 웨이퍼 표면을 자연 산화시켜 웨이퍼 상에 자연 산화막(natural oxide)을 형성하였다. 이러한 자연 산화막은 경우에 따라서 양품의 반도체 생산을 저해하는 원인으로 작용하였으며, 밀폐된 풉(FOUP)의 내부 상대 습도가 40%~50%로 놓일 경우, 웨이퍼의 자연 산화막이 활성화됨으로 인해 공정 특성을 변화시켜 반도체 품질을 저하시키는 문제점이 발생하였다.Therefore, the oxygen-containing gas contaminants present in the closed FOUP naturally oxidize the wafer surface in the closed FOUP to form a natural oxide film on the wafer. Such a natural oxide film sometimes acted as a cause of inhibiting the semiconductor production of good products, and when the internal relative humidity of the closed FOUP is set to 40% to 50%, the process of the natural oxide film of the wafer is activated. There has been a problem of changing the semiconductor quality by changing it.

게다가 반도체 선폭이 작아짐에 따라 패턴과 패턴 사이 혹은 홀의 크기가 작아지고 깊이가 깊어졌다. 이에 따라, 웨이퍼 표면에 Fume등이 흡착 될 수 있는 환경이 급격하게 조성되었고, 공정 전/후 FOUP내에 Fume 농도의 현격한 증가를 야기하여 공정 특성 및 품질을 저하시키는 문제점이 발생하였다.
In addition, as semiconductor line widths become smaller, the sizes between the patterns and the patterns or between the holes become smaller and deeper. As a result, an environment in which fumes and the like can be adsorbed on the wafer surface is rapidly formed, causing a sharp increase in the concentration of fumes in the FOUP before and after the process, thereby causing a problem of deteriorating process characteristics and quality.

본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 밀폐된 풉(FOUP) 내에 존재하는 산소 및 수분, 가스오염물질들을 로드 포트에서도 효율적으로 제거함으로써, 웨이퍼 표면상의 증착 이물을 효율적으로 제거할 뿐 아니라 웨이퍼 수납부(FOUP) 표면상의 증착 이물을 효율적으로 제거 할 수 있는 다기능 로드 포트 장치를 제공하는 것이다.
The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, by effectively removing the oxygen, moisture, and gaseous contaminants present in the closed FOUP in the load port, to remove the deposit foreign matter on the wafer surface In addition to the efficient removal, the present invention provides a multifunctional load port device capable of efficiently removing depositing foreign matter on the surface of the wafer storage portion (FOUP).

본 발명의 일실시 예에 따른 다기능 로드 포트 장치는 적어도 하나 이상의 웨이퍼를 수납하는 웨이퍼 수납부와 웨이퍼 수납부를 안착시키거나 웨이퍼 수납부와 분리되면서 안착된 웨이퍼 수납부를 지지하고 적어도 하나 이상의 주입가스를 웨이퍼 수납부에 주입하거나 웨이퍼 수납부의 내부에 형성된 다양한 배출가스를 배출시키는 로드 포트부를 포함하며, 로드 포트부는 웨이퍼 수납부를 안착시키거나 웨이퍼 수납부와 분리되면서 안착된 웨이퍼 수납부를 지지하는 포트 스테이지부, 포트 스테이지부의 하단에 배치되면서 소정의 높이와 면적을 가지면서 포트 스테이지부를 고정하는 포트 본체부, 포트 본체부의 내부에 배치되면서 포트 스테이지부에 돌출되어 형성되고, 포트 스테이지부에 웨이퍼 수납부가 안착되면 웨이퍼 수납부에 주입가스를 주입하는 가스 주입부, 포트 본체부의 내부에 배치되면서 포트 스테이지부에 돌출되어 형성되고, 포트 스테이지부에 웨이퍼 수납부가 안착되면 웨이퍼 수납부의 내부에 있는 배출가스를 배출하는 가스 배출부, 가스 배출부에 배치되어 배출가스에 포함된 불순문을 센싱하는 불순물센싱부 및 포트 스테이지부의 하단에 배치되어 포트 스테이지부에 웨이퍼 수납부가 안착되면 웨이퍼 수납부에 대한 차압을 센싱하여 웨이퍼 수납부의 상태를 체크할 수 있는 차압센싱부를 포함한다.The multi-function load port device according to an embodiment of the present invention supports a wafer accommodating portion accommodating at least one or more wafers and a wafer accommodating portion seated or separated from the wafer accommodating portion, and at least one injection gas is supplied to the wafer accommodating portion. A port port unit which injects into the housing unit or discharges various exhaust gases formed in the wafer housing unit, wherein the load port unit seats the wafer housing unit or separates from the wafer housing unit and supports the seated wafer storage unit; A port main body portion which is disposed at the lower end of the port stage portion and has a predetermined height and area and is fixed to the port stage portion, is formed to protrude from the port stage portion while being disposed inside the port main body portion. Injection gas into the The gas is injected into the gas injection unit and the port main body, and is formed to protrude from the port stage unit. When the wafer storage unit is seated in the port stage unit, the gas discharge unit and the gas discharge unit discharge the exhaust gas inside the wafer storage unit. Disposed at the bottom of the impurity sensing unit for sensing the impurities contained in the exhaust gas and at the bottom of the port stage unit, and when the wafer storage unit is seated in the port stage unit, the differential pressure on the wafer storage unit may be sensed to check the state of the wafer storage unit. And a differential pressure sensing unit.

또한, 차압센싱부는 웨이퍼 수납부에 주입가스를 가득 주입한 상태의 제1 압력과 웨이퍼 수납부로부터 배출가스가 배출된 상태의 제2 압력 간의 차이를 비교하여 웨이퍼 수납부의 상태를 체크할 수 있는 것을 포함할 수 있다.In addition, the differential pressure sensing unit may check the state of the wafer storage unit by comparing a difference between a first pressure in which the injection gas is fully injected into the wafer storage unit and a second pressure in which the discharge gas is discharged from the wafer storage unit. It may include.

또한, 로드 포트부는 웨이퍼 수납부가 포트 스테이지부에 안착되는 동안 웨이퍼 수납부에 체결되어 배출가스를 배출하는 배출가스관에 소정의 압력으로 펌핑하여 웨이퍼 수납부와 배출가스관 간의 차압을 통해 웨이퍼 수납부의 내부표면에 흡착되는 습기와 산소, Fume과 잔존가스를 제거하는 터보펌핑부를 포함할 수 있다.In addition, the load port part is pumped at a predetermined pressure to an exhaust gas pipe which is fastened to the wafer storage part and discharges the exhaust gas while the wafer storage part is seated on the port stage part, and thus the inside of the wafer storage part is formed through the pressure difference between the wafer storage part and the exhaust gas pipe. It may include a turbo pumping unit for removing moisture and oxygen, fumes and residual gas adsorbed on the surface.

또한, 불순물센싱부는 배출가스에 포함된 불순물을 센싱하되, 불순물이 기준값 이상으로 센싱되면, 웨이퍼 수납부의 상태를 점검하도록 하는 제1 점검신호를 출력하는 것을 포함할 수 있다.In addition, the impurity sensing unit may include sensing an impurity contained in the exhaust gas, and outputting a first check signal for checking the state of the wafer accommodating part when the impurity is sensed above a reference value.

또한, 가스 배출부는 웨이퍼 수납부에 주입가스를 가득 주입한 상태에서 배출가스가 배출되는 배출양을 체크하여 배출가스가 배출되는 배출양이 기준양 이하일 경우, 웨이퍼 수납부의 상태를 점검하도록 하는 제2 점검신호를 출력하는 것을 포함할 수 있다.In addition, the gas discharge unit checks the discharge amount from which the discharge gas is discharged while the injection gas is fully injected into the wafer storage unit, and when the discharge amount from which the discharge gas is discharged is equal to or less than the reference amount, a second check for checking the state of the wafer storage unit. Outputting a signal.

또한, 로드 포트부의 외측일면 상단에 배치되어 가스 주입부, 가스 배출부, 불순물 센싱부, 차압센싱부 및 터보펌핑부를 선택하여 턴 온시키거나 턴 오프시킬 수 있는 버튼이 적어도 하나 이상 배치되는 선택버튼부를 포함할 수 있다.In addition, at least one selection button disposed at an upper end of an outer surface of the load port part and configured to turn on or turn off the gas injection part, the gas discharge part, the impurity sensing part, the differential pressure sensing part, and the turbo pumping part is disposed thereon. It may include wealth.

또한, 웨이퍼 수납부의 하단에는 적어도 하나 이상의 장착홀이 형성되고, 포트 스테이지부에는 장착홀과 대응되는 위치에 장착돌기가 형성되는 것을 포함할 수 있다.In addition, at least one mounting hole may be formed at a lower end of the wafer accommodating part, and a mounting protrusion may be formed at a position corresponding to the mounting hole in the port stage part.

또한, 로드 포트부와 연결되어 포트 스테이지부에 웨이퍼 수납부가 안착되는 과정, 포트 스테이지부에 안착된 웨이퍼 수납부에 주입가스가 주입되는 과정, 포트 스테이지부에 안착된 웨이퍼 수납부에 배출가스가 배출되는 과정, 불순물가스를 센싱하는 과정, 웨이퍼 수납부에 대한 차압을 센싱하는 과정과 웨이퍼 수납부를 펌핑하는 과정을 모니터링할 수 있는 FOUP모니터링부를 포함할 수 있다.In addition, the process is connected to the load port portion, the wafer receiving portion is seated on the port stage portion, the injection gas is injected into the wafer receiving portion seated on the port stage portion, the exhaust gas discharged to the wafer receiving portion seated on the port stage portion And a FOUP monitoring unit for monitoring a process of sensing an impurity gas, a process of sensing a differential pressure with respect to a wafer storage unit, and a process of pumping a wafer storage unit.

또한, FOUP모니터링부는 모니터링되는 것에 대한 정보와 기준신호에 대한 정보를 원거리에 있는 관리센터부와 송수신할 수 있는 관리통신부를 포함하고, 관리센터부에서 제공하는 기준값 또는 기준양에 대한 정보를 제공받아 기준값 또는 기준양을 설정할 수 있는 것을 포함할 수 있다.In addition, the FOUP monitoring unit includes a management communication unit for transmitting and receiving information about the monitoring signal and information on the reference signal with a remote control center unit, and receives the information about the reference value or reference amount provided by the management center unit It may include that can set a reference value or a reference amount.

또한, FOUP모니터링부는 터치 스크린으로 형성되어 기준값 또는 기준양에 대한 값을 직접 입력하여 기준값 또는 기준양을 설정할 수 있는 것을 포함할 수 있다.
In addition, the FOUP monitoring unit may be formed of a touch screen and may include setting a reference value or a reference amount by directly inputting a reference value or a value for the reference amount.

본 발명의 실시 예에 따른 다기능 로드 포트 장치는 반도체 제조 공정 중에서 공정 진행 전에 반드시 거쳐야 하는 로드 포트(Load Port)에 다양한 기능을 부여함으로써, 전/후공정의 공정 개선과 웨이퍼 수납부의 내부의 수분 및 산소 제거 및 세척 기능을 할 수 있어 수율과 생산성 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Multifunction load port device according to an embodiment of the present invention by providing a variety of functions to the load port (Load Port) that must pass through the process in the semiconductor manufacturing process, thereby improving the process of the front and back processes and the moisture inside the wafer storage portion And oxygen can be removed and the cleaning function has the effect of improving the yield and productivity.

도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 다기능 로드 포트 장치의 블럭도.
도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 다기능 로드 포트 장치에 대한 간략도.
도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 다기능 로드 포트 장치 중 포트 스테이지부에 대한 간략도.
도 4는 본 발명의 일실시 예에 따른 다기능 로드 포트 장치 중 가스주입부, 불순물센싱부와 터보펌핑부에 대한 간략도.
도 5는 본 발명의 일실시 예에 따라 웨이퍼 수납부가 로드 포트부에 장착한 것에 대한 간략도.
도 6은 본 발명의 일실시 예에 따라 FOUP모니터링부가 디스플레이되는 것을 나타낸 도.1 is a block diagram of a multi-function load port device according to an embodiment of the present invention.
2 is a simplified diagram of a multifunction load port device according to one embodiment of the invention.
Figure 3 is a simplified view of the port stage of the multi-function load port device according to an embodiment of the present invention.
4 is a simplified view of a gas injection unit, an impurity sensing unit and a turbo pumping unit of the multi-function load port device according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a simplified view of the wafer accommodating portion mounted to the load port portion according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing a FOUP monitoring unit is displayed in accordance with an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하되, 본 발명에 따른 동작 및 작용을 이해하는데 필요한 부분을 중심으로 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, with reference to the parts necessary for understanding the operation and operation according to the present invention.

도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 다기능 로드 포트 장치의 블럭도이고, 도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 다기능 로드 포트 장치에 대한 간략도이고, 도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 다기능 로드 포트 장치 중 포트 스테이지부에 대한 간략도이고, 도 4는 본 발명의 일실시 예에 따른 다기능 로드 포트 장치 중 불순물센싱부와 터보펌핑부에 대한 간략도이고, 도 5는 본 발명의 일실시 예에 따라 웨이퍼 수납부가 로드 포트부에 장착한 것에 대한 간략도이고, 도 6은 본 발명의 일실시 예에 따라 FOUP모니터링부가 디스플레이되는 것을 나타낸 도이다.1 is a block diagram of a multi-function load port device according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a simplified diagram of a multi-function load port device according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is an embodiment of the present invention Figure 4 is a simplified view of the port stage portion of the multi-function load port device according to the present invention, Figure 4 is a simplified view of the impurity sensing unit and the turbo pumping unit of the multi-function load port device according to an embodiment of the present invention, Figure 5 According to an embodiment of the present invention, a wafer accommodating part is mounted on the load port part.

도 1 내지 6을 살펴보면 본 발명의 일실시 예에 따른 다기능 로드 포트 장치(100)는 웨이퍼 수납부(110)와 로드 포트부(130)를 포함하여 구성될 수 있다.1 to 6, the multifunction load port device 100 according to an exemplary embodiment may include a wafer accommodating part 110 and a load port part 130.

웨이퍼 수납부(110)는 적어도 하나 이상의 웨이퍼(미도시)를 수납한다. 즉, 웨이퍼 수납부(110)는 적어도 하나 이상의 웨이퍼(미도시)를 수납하고, 하단에는 주입가스가 주입될 수 있는 수납주입홀(미도시)과 내부에 형성되어 있는 배출가스를 배출하는 수납배출홀(미도시)이 형성된다.The wafer accommodating part 110 accommodates at least one wafer (not shown). That is, the wafer accommodating part 110 accommodates at least one wafer (not shown), and at the lower end thereof, an accommodating discharge hole (not shown) through which the injection gas can be injected and a discharge discharged to discharge the exhaust gas formed therein. Holes (not shown) are formed.

이러한 웨이퍼 수납부(110)는 적어도 하나 이상의 웨이퍼를 수납할 수 있도록 실질적으로 직육면체 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 웨이퍼 수납부(110)는 도어(미도시)를 포함함으로써, 웨이퍼 수납부(110)에 유입되는 불순물 기체를 차단하는 동시에 웨이퍼(미도시)를 용이하게 반입하거나 반출할 수 있다.The wafer accommodating part 110 may be formed in a substantially rectangular parallelepiped shape to accommodate at least one wafer. In addition, the wafer accommodating part 110 may include a door (not shown), thereby blocking impurity gas flowing into the wafer accommodating part 110 and at the same time, easily loading or unloading a wafer (not shown).

로드 포트부(130)는 웨이퍼 수납부(110)를 안착시키거나 웨이퍼 수납부(110)와 분리되면서 안착된 웨이퍼 수납부(110)를 지지하고 적어도 하나 이상의 주입가스를 웨이퍼 수납부(110)에 주입하거나 웨이퍼 수납부(110)의 내부에 형성된 다양한 배출가스를 배출시킨다. 이러한 로드 포트부(130)는 포트 스테이지부(131), 포트 본체부(133), 가스 주입부(135), 가스 배출부(137), 불순물센싱부(139) 및 차압센싱부(141)를 포함하여 구성된다.The load port 130 seats the wafer storage unit 110 or supports the seated wafer storage unit 110 while being separated from the wafer storage unit 110 and supplies at least one injection gas to the wafer storage unit 110. Inject or discharge various exhaust gases formed in the wafer accommodating part 110. The load port unit 130 includes a port stage unit 131, a port main body unit 133, a gas injection unit 135, a gas discharge unit 137, an impurity sensing unit 139, and a differential pressure sensing unit 141. It is configured to include.

포트 스테이지부(131)는 웨이퍼 수납부(110)를 안착시키거나 웨이퍼 수납부(110)와 분리되면서 안착된 웨이퍼 수납부(110)를 지지한다. 이러한 포트 스테이지부(131)는 웨이퍼 수납부(110)가 안정적으로 안착되도록 웨이퍼 수납부(110)의 하단보다 더 넓은 면적으로 형성될 수 있다.The port stage unit 131 supports the wafer accommodating part 110 seated on the wafer accommodating part 110 or separated from the wafer accommodating part 110. The port stage part 131 may be formed to have a larger area than the lower end of the wafer accommodating part 110 so that the wafer accommodating part 110 may be stably seated.

또한, 포트 스테이지부(131)에는 웨이퍼 수납부(110)가 안착되는 영역과 중첩되는 영역에 가스 주입부(135), 가스 배출부(137) 및 장착돌기(147b)가 형성될 수 있다. 차압센싱부(141), 가스 주입부(135), 가스 배출부(137)에 대한 자세한 설명은 후술하기로 한다.In addition, the port stage unit 131 may have a gas injection unit 135, a gas discharge unit 137, and a mounting protrusion 147b in a region overlapping with a region where the wafer accommodating unit 110 is seated. Detailed descriptions of the differential pressure sensing unit 141, the gas injection unit 135, and the gas discharge unit 137 will be described later.

장착돌기(147b)는 포트 스테이지부(131)에 일정한 높이로 돌출되어 형성되며, 웨이퍼 수납부(110)의 하단에 형성된 적어도 하나 이상의 장착홀(147a)에 삽입되어 체결될 수 있다. 즉, 장착돌기(147b)는 장착홀(147a)과 대응되는 위치에 형성될 수 있다.The mounting protrusion 147b is formed to protrude to the port stage 131 at a predetermined height, and may be inserted into and fastened to at least one or more mounting holes 147a formed at the lower end of the wafer accommodating part 110. That is, the mounting protrusion 147b may be formed at a position corresponding to the mounting hole 147a.

이와 같이, 장착돌기(147b)와 장착홀(147a)이 형성됨으로써, 포트 스테이지부(131)에 안착된 웨이퍼 수납부(110)가 움직이거나 미끄러지는 것을 미연에 방지할 수 있다. 따라서 포트 스테이지부(131)에 웨이퍼 수납부(110)가 더욱 안정적으로 안착될 수 있다.The mounting protrusions 147b and the mounting holes 147a are formed in this way, so that the wafer receiving portion 110 mounted on the port stage portion 131 can be prevented from moving or sliding. Therefore, the wafer accommodating part 110 may be more stably seated on the port stage part 131.

포트 본체부(133)는 포트 스테이지부(131)의 하단에 배치되면서 소정의 높이와 면적을 가지면서 포트 스테이지부(131)를 고정한다. 이러한 포트 본체부(133)는 실질적으로 직육면체 형상으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 포트 스테이지부(131)의 하단에 배치되어 포트 스테이지부(131)를 고정하고, 후술한 가스 주입부(135), 가스 배출부(137), 불순물센싱부(139) 및 차압센싱부(141)를 내/외부에 배치할 수 있다면 어떠한 형상이라도 무관할 수 있다.The port body 133 is disposed at the lower end of the port stage 131 to fix the port stage 131 while having a predetermined height and area. The port body portion 133 may be formed in a substantially rectangular parallelepiped shape, but is not limited thereto. The port body portion 133 may be disposed at a lower end of the port stage portion 131 to fix the port stage portion 131, and the gas injection portion (to be described later) 135, the gas discharge unit 137, the impurity sensing unit 139 and the differential pressure sensing unit 141 can be any shape as long as it can be disposed inside / outside.

가스 주입부(135)는 포트 본체부(133)의 내부에 배치되면서 포트 스테이지부(131)로부터 돌출되어 형성되고, 포트 스테이지부(131)에 웨이퍼 수납부(110)가 안착되면 웨이퍼 수납부(110)에 주입가스를 주입한다. 이러한 가스 주입부(135)의 일단은 포트 스테이지부(131)로부터 일정한 높이로 돌출되어 형성되며, 타단은 포트 스테이지부(131)의 내부에 형성되되, 주입가스관(135a)과 물리적으로 연결될 수 있다. 이때 가스 주입부(135)는 돌출된 부분이 웨이퍼 수납부(110)에 삽입될 수 있다. 이에 따라, 가스 주입부(135)는 주입가스 공급부(미도시)에서 공급되는 주입가스를 주입가스관(135a)을 통해 제공받아 웨이퍼 수납부(110)에 주입할 수 있다.The gas injection unit 135 is formed inside the port main body 133 and protrudes from the port stage unit 131. When the wafer storage unit 110 is seated on the port stage unit 131, the wafer storage unit ( Inject the injection gas into 110). One end of the gas injection unit 135 is formed to protrude from the port stage unit 131 to a certain height, and the other end is formed inside the port stage unit 131, and may be physically connected to the injection gas pipe 135a. . In this case, the protruding portion of the gas injection unit 135 may be inserted into the wafer storage unit 110. Accordingly, the gas injection unit 135 may receive the injection gas supplied from the injection gas supply unit (not shown) through the injection gas pipe 135a and inject it into the wafer storage unit 110.

가스 배출부(137)는 포트 본체부(133)의 내부에 배치되면서 포트 스테이지부(131)에 돌출되어 형성되고, 포트 스테이지부(131)에 웨이퍼 수납부(110)가 안착되면 웨이퍼 수납부(110)의 내부에 있는 배출가스를 배출한다. 이러한 가스 배출부(137)의 일단은 포트 스테이지부(131)에 일정한 높이로 돌출되어 형성되며, 타단은 포트 스테이지부(131)의 내부에 형성되되, 배출가스관(137b)과 물리적으로 연결될 수 있다. 가스 배출부(137)는 웨이퍼 수납부(110)의 내부에 형성된 배출가스를 배출가스관(137b)을 통해 터보펌핑부(143)에 제공할 수 있다.The gas discharge part 137 is formed inside the port main body 133 and protrudes into the port stage part 131. When the wafer storage part 110 is seated on the port stage part 131, the wafer accommodating part ( Eject the exhaust gas inside the 110). One end of the gas discharge part 137 is formed to protrude to the port stage part 131 to a certain height, and the other end is formed inside the port stage part 131, and may be physically connected to the exhaust gas pipe 137b. . The gas discharge part 137 may provide the discharge gas formed in the wafer accommodating part 110 to the turbo pumping part 143 through the discharge gas pipe 137b.

또한, 가스 배출부(137)는 웨이퍼 수납부(110)에 주입가스를 지속적으로 주입하는 상태에서 배출가스가 배출되는 배출양을 체크하여 배출가스가 배출되는 배출양이 기준양 이하일 경우, 웨이퍼 수납부(110)의 상태를 점검하도록 하는 제2 점검신호를 출력할 수 있다. 즉, 배출가스가 가스 배출부(137)를 통해 배출되는 배출양이 기준양 이하이면, 노후된 웨이퍼 수납부(110)이거나, 패킹 파손의 의한 Sealing 불량에 의해 웨이퍼 수납부(110)가 불량일 확률이 높을 수 있다. 이에 따라 제2 점검신호를 출력함으로써, 웨이퍼 수납부(110)의 불량여부를 용이하게 판별할 수 있다.In addition, the gas discharging part 137 checks the discharge port where the discharge gas is discharged in the state of continuously injecting the injection gas into the wafer storage part 110, and when the discharge amount of the discharge gas is below the reference amount, 110) of the second check signal. That is, if the amount of discharged gas discharged through the gas discharge unit 137 is less than or equal to the reference amount, there is a possibility that the old wafer storage unit 110 is defective or that the wafer storage unit 110 is defective due to a sealing failure due to packing damage. Can be high. Accordingly, by outputting the second check signal, it is possible to easily determine whether the wafer accommodating part 110 is defective.

불순물센싱부(139)는 가스 배출부(137)에 배치되어 배출가스에 포함된 불순문을 센싱한다. 이러한 불순물센싱부(139)는 배출가스에 포함된 불순물을 센싱하되, 불순물이 기준값 이상으로 센싱되면, 불순물이 기준값 이하로 센싱될 때까지 가스 주입과 가스 배출을 유지토록 하는 제1 점검신호를 출력할 수 있다. 즉, 배출가스에 포함된 불순물이 기준값 이상이 센싱되면, 웨이퍼 혹은 수납부 내에 불순물이 파손의 의한 Sealing 불량에 의해 웨이퍼 수납부(110)에 불순물이 유입되었다고 판단될 수 있다. 또는 전 공정에서 과다하게 발생한 불순물이 제거되는 과정에 있다고 판단할 수도 있다. 다시 말해, 웨이퍼 수납부(110)가 불량일 수 있거나,전 공정이 불안정한 확률이 높을 수 있다. 이에 따라 제1 점검신호를 출력함으로써, 웨이퍼 수납부(110)의 불량여부 혹은 전 공정 불안정 등을 용이하게 판별할 수 있다.The impurity sensing unit 139 is disposed in the gas discharge unit 137 to sense the impurity contained in the discharge gas. The impurity sensing unit 139 senses an impurity contained in the exhaust gas, and if an impurity is sensed above the reference value, the impurity sensing unit 139 outputs a first check signal for maintaining gas injection and gas discharge until the impurity is sensed below the reference value. can do. That is, when an impurity contained in the exhaust gas is sensed to be greater than or equal to the reference value, it may be determined that the impurity has flowed into the wafer accommodating part 110 due to a sealing failure caused by breakage of the impurity in the wafer or the accommodating part. Alternatively, it may be determined that the impurities generated in the entire process are removed. In other words, the wafer storage unit 110 may be defective, or the probability that the entire process is unstable may be high. Thus, by outputting the first check signal, it is possible to easily determine whether or not the wafer storage section 110 is defective or unstable in the entire process.

또한, 불순물센싱부(139)를 이용하여 불순물을 용이하게 센싱함으로써, Dry Cleaning Cycle 횟수를 효율적으로 확인할 수 있을 뿐만 아니라 센싱된 불순물을 분석하여 각 Step의 공정 시간을 최적화할 수 있다.In addition, by easily sensing impurities using the impurity sensing unit 139, not only the number of dry cleaning cycles can be efficiently confirmed, but also the sensed impurities can be analyzed to optimize the process time of each step.

차압센싱부(141)는 포트 스테이지부(131)의 하단에 배치되어 포트 스테이지부(131)에 웨이퍼 수납부(110)가 안착되면 웨이퍼 수납부(110)에 대한 압력을 센싱하여 웨이퍼 수납부(110)의 상태를 체크할 수 있다.The differential pressure sensing unit 141 is disposed at the lower end of the port stage unit 131, and when the wafer accommodating unit 110 is seated on the port stage unit 131, the differential pressure sensing unit 141 senses a pressure on the wafer accommodating unit 110 to detect the wafer accommodating unit ( 110 can be checked.

또한, 로드 포트부(130)는 웨이퍼 수납부(110)가 포트 스테이지부(131)에 안착되는 동안 웨이퍼 수납부(110)에 체결되어 배출가스를 배출하는 배출가스관(137b)에 소정의 압력으로 펌핑하여 웨이퍼 수납부(110)와 배출가스관(137b) 간의 차압을 통해 웨이퍼 수납부(110)의 내부표면에 흡착되는 습기와 산소, Fume과 잔존가스를 제거하는 터보펌핑부를 포함할 수 있다.In addition, the load port unit 130 is fastened to the wafer storage unit 110 while the wafer storage unit 110 is seated on the port stage unit 131 at a predetermined pressure in the discharge gas pipe 137b for discharging the exhaust gas. The pump may include a turbo pumping unit for removing moisture, oxygen, fume, and residual gas adsorbed to the inner surface of the wafer accommodating unit 110 through the pressure difference between the wafer accommodating unit 110 and the exhaust gas pipe 137b.

이러한 터보펌핑부(143)는 가스 배출부(137)에 연결되어 배출가스관(137b)에 소정의 압력으로 펌핑하여 빠르게 배출가스를 배기함으로써, 웨이퍼 수납부(110)와 배출가스관(137b) 간에 상대적으로 압력의 차이가 발생될 수 있다.The turbo pumping unit 143 is connected to the gas discharge unit 137 and pumped to the discharge gas pipe 137b at a predetermined pressure to quickly discharge the discharge gas, thereby providing a relative relationship between the wafer accommodating unit 110 and the discharge gas pipe 137b. As a result, a difference in pressure may occur.

즉, 터보펌핑부(143)는 배출가스관(137b)에 소정의 압력으로 펌핑하여 배출가스를 다른 장치 또는 외부로 배기함으로써, 배출가스관(137b)의 내부 압력이 웨이퍼 수납부(110)의 내부 압력보다 상대적으로 낮아질 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼 수납부(110)의 내부 압력이 배출가스관(137b)의 내부 압력보다 높은 압력을 유지할 수 있다.That is, the turbo pumping unit 143 pumps the exhaust gas pipe 137b at a predetermined pressure to exhaust the exhaust gas to another device or the outside, so that the internal pressure of the exhaust gas pipe 137b is internal pressure of the wafer accommodating part 110. Can be relatively lower. Accordingly, the internal pressure of the wafer accommodating part 110 may maintain a pressure higher than the internal pressure of the exhaust gas pipe 137b.

이와 같이, 웨이퍼 수납부(110)의 내부 압력이 배출가스관(137b)의 내부 압력보다 상대적으로 높은 압력을 유지함으로써, 높은 압력에서 낮은 압력으로 배출가스가 빠르게 이동할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 수납부(110)에서 배출가스관(137b)으로 배출가스가 빠르게 유입할 수 있다.As such, since the internal pressure of the wafer accommodating part 110 maintains a pressure that is relatively higher than the internal pressure of the exhaust gas pipe 137b, the exhaust gas may move quickly from a high pressure to a low pressure. Therefore, the exhaust gas may quickly flow into the exhaust gas pipe 137b from the wafer accommodating part 110.

이러한 압력의 차이로 인해 웨이퍼 수납부(110)의 내부에 잔존하는 배출가스가 빠르게 가스 배출부(137)로 유입되어 배기될 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼 수납부(110)의 내부표면에 흡착되는 습기와 산소, Fume과 잔존가스가 효율적으로 제거될 수 있다.Due to the pressure difference, the exhaust gas remaining inside the wafer accommodating part 110 may be rapidly introduced into the gas discharge part 137 and exhausted. Accordingly, moisture, oxygen, fume, and residual gas adsorbed on the inner surface of the wafer accommodating part 110 may be efficiently removed.

또한, 로드 포트부(130)의 외측일면 상단에 배치되어 가스 주입부(135), 가스 배출부(137), 불순물센싱부(139), 차압센싱부(141) 및 터보펌핑부(143)를 선택하여 턴 온(turn on)시키거나 턴 오프(turn off)시킬 수 있는 버튼(145a)이 적어도 하나 이상 배치되는 선택버튼부(145)를 포함할 수 있다. 이러한 선택버튼부(145)는 반도체 공정 시스템에 따라 다르게 배치될 수 있으며, 전원버튼, 리셋버튼, 시작버튼, 정지버튼 등등 다양한 버튼(145a)을 포함하여 배치될 수 있다.The gas injection unit 135, the gas discharge unit 137, the impurity sensing unit 139, the differential pressure sensing unit 141, and the turbo pumping unit 143 may be disposed at an upper end of the outer surface of the load port unit 130. The selection button unit 145 may include at least one button 145a which may be selectively turned on or turned off. The selection button unit 145 may be arranged differently according to the semiconductor process system, and may include various buttons 145a such as a power button, a reset button, a start button, a stop button, and the like.

또한, 선택버튼부(145)는 가스 주입부(135)를 통해 주입가스가 주입되는 시간, 가스 배출부(137)를 통해 배출가스가 배출되는 시간 등을 디스플레이할 수 있는 타이머(145b)를 적어도 하나 이상 배치할 수 있다.The selection button unit 145 is provided with a timer 145b capable of displaying a time for injecting the injection gas through the gas injecting unit 135, a time for discharging the exhaust gas through the gas discharging unit 137, You can place more than one.

또한, 로드 포트부(130)와 연결되어 웨이퍼 수납부(110)가 포트 스테이지부(131)에 안착되어 동작하는 모든 과정을 모니터링할 수 있는 FOUP모니터링부(210)를 포함할 수 있다. 이러한 FOUP모니터링부(210)는 로드 포트부(130)와 전기적으로 연결되어 포트 스테이지부(131)에 웨이퍼 수납부(110)가 안착되는 과정, 포트 스테이지부(131)에 안착된 웨이퍼 수납부(110)에 주입가스가 주입되는 과정, 포트 스테이지부(131)에 안착된 웨이퍼 수납부(110)에 배출가스가 배출되는 과정, 불순물가스를 센싱하는 과정, 웨이퍼 수납부(110)에 대한 차압을 센싱하는 과정 및 웨이퍼 수납부(110)에 펌핑하는 과정을 모니터링할 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, FOUP모니터링부(210)는 포트 스테이지부(131)에 안착된 웨이퍼 수납부(110)에 주입가스가 주입되는 과정과 포트 스테이지부(131)에 안착된 웨이퍼 수납부(110)에 배출가스가 배출되는 과정을 그래프를 통해 용이하게 디스플레이할 수 있다.In addition, the load port unit 130 may include a FOUP monitoring unit 210 that monitors all processes of the wafer receiving unit 110 seated on the port stage unit 131 and operated. The FOUP monitoring unit 210 is electrically connected to the load port unit 130 to allow the wafer storage unit 110 to be seated on the port stage unit 131, and the wafer storage unit mounted to the port stage unit 131. A process of injecting the injected gas into the 110, a process of discharging the exhaust gas into the wafer accommodating part 110 seated on the port stage part 131, a process of sensing impurity gas, and a differential pressure with respect to the wafer accommodating part 110. The process of sensing and the process of pumping the wafer accommodating part 110 may be monitored. 6, the FOUP monitoring unit 210 monitors the process of injecting the injection gas into the wafer storage unit 110 placed in the port stage unit 131 and the process of injecting the wafer into the wafer storage unit 131, The process of discharging the exhaust gas to the exhaust pipe 110 can be easily displayed through the graph.

또한, FOUP모니터링부(210)는 모니터링되는 것에 대한 정보와 기준신호에 대한 정보를 원거리에 있는 관리센터부(230)와 송수신할 수 있는 관리통신부(211)를 포함하고, 관리센터부(230)에서 제공하는 기준값 또는 기준양에 대한 정보를 제공받아 기준값 또는 기준양을 설정할 수 있는 것을 포함할 수 있다. 즉, 관리센터부(230)에서 웨이퍼 수납부(110)가 포트 스테이지에 안착되어 동작하는 모든 과정을 모니터링하면서 주변 환경 또는 제품에 알맞도록 기준값 또는 기준양을 다르게 설정할 수 있다.In addition, the FOUP monitoring unit 210 includes a management communication unit 211 that can transmit and receive information about the monitoring and information on the reference signal with the management center unit 230 in the remote, management center unit 230 It may include receiving the information about the reference value or the reference amount provided by the can set the reference value or reference amount. That is, in the management center unit 230, the wafer accommodating unit 110 monitors all the processes that are mounted and operated on the port stage, and sets the reference value or the reference amount to suit the surrounding environment or the product.

또한, FOUP모니터링부(210)는 터치스크린으로 형성되어 기준값 또는 기준양에 대한 값을 직접 입력하여 기준값 또는 기준양을 설정할 수 있다. 이때, 도시되지 않았지만 FOUP모니터링부(210)는 입력장치를 따로 형성할 수 있다. 즉, 입력장치를 통해 기준값 또는 기준양에 대한 값을 직접 입력하여 기준값 또는 기준양을 설정할 수도 있다. In addition, the FOUP monitoring unit 210 may be formed as a touch screen to directly set a reference value or a reference amount by directly inputting a reference value or a value for the reference amount. In this case, although not shown, the FOUP monitoring unit 210 may separately form an input device. That is, the reference value or the reference amount may be set by directly inputting a value for the reference value or the reference amount through the input device.

여기서 기준값과 기준양은 관리센터부(230)를 통해 원거리통신 또는 네트워크 통신, 수동입력 등등 다양한 방법으로 설정할 수 있다.
Here, the reference value and the reference amount can be set in various ways such as telecommunication or network communication, manual input through the management center unit 230.

한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of various modifications within the scope of the invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the illustrated embodiments, but should be determined by the scope of the appended claims and equivalents thereof.

110: 웨이퍼 수납부 130: 로드 포트부
131: 포트 스테이지부 133: 포트 본체부
135: 가스 주입부 137: 가스 배출부
139: 불순물센싱부 141: 차압센싱부
143: 터보펌핑부 145: 선택버튼부
147a: 장착홀 147b: 장착돌기
210: FOUP모니터링부 211: 관리통신부
230: 관리센터부110: wafer storage portion 130: load port portion
131: port stage portion 133: port body portion
135: gas inlet 137: gas outlet
139: impurity sensing unit 141: differential pressure sensing unit
143: turbo pumping section 145: selection button section
147a: mounting hole 147b: mounting protrusion
210: FOUP monitoring unit 211: management communication unit
230: management center

Claims (10)

적어도 하나 이상의 웨이퍼를 수납하는 웨이퍼 수납부;와
상기 웨이퍼 수납부를 안착시키거나 상기 웨이퍼 수납부와 분리되면서 안착된 상기 웨이퍼 수납부를 지지하고 적어도 하나 이상의 주입가스를 상기 웨이퍼 수납부에 주입하거나 상기 웨이퍼 수납부의 내부에 형성된 다양한 배출가스를 배출시키는 로드 포트부;를 포함하며,
상기 로드 포트부는
상기 웨이퍼 수납부를 안착시키거나 상기 웨이퍼 수납부와 분리되면서 안착된 상기 웨이퍼 수납부를 지지하는 포트 스테이지부;
상기 포트 스테이지부의 하단에 배치되면서 소정의 높이와 면적을 가지면서 상기 포트 스테이지부를 고정하는 포트 본체부;
상기 포트 본체부의 내부에 배치되면서 상기 포트 스테이지부에 돌출되어 형성되고, 상기 포트 스테이지부에 상기 웨이퍼 수납부가 안착되면 상기 웨이퍼 수납부에 상기 주입가스를 주입하는 가스 주입부;
상기 포트 본체부의 내부에 배치되면서 상기 포트 스테이지부에 돌출되어 형성되고, 상기 포트 스테이지부에 상기 웨이퍼 수납부가 안착되면 상기 웨이퍼 수납부의 내부에 있는 상기 배출가스를 배출하는 가스 배출부;
상기 가스 배출부에 배치되어 상기 배출가스에 포함된 불순문을 센싱하는 불순물센싱부; 및
상기 포트 스테이지부의 하단에 배치되어 상기 포트 스테이지부에 상기 웨이퍼 수납부가 안착되면 상기 웨이퍼 수납부에 대한 차압을 센싱하여 상기 웨이퍼 수납부의 상태를 체크할 수 있는 차압센싱부;
를 포함하는 다기능 로드 포트 장치.
A wafer accommodating portion accommodating at least one wafer; and
A rod for seating the wafer accommodating part or supporting the wafer accommodating part seated while being separated from the wafer accommodating part and injecting at least one injection gas into the wafer accommodating part or discharging various exhaust gases formed in the wafer accommodating part. Including a port;
The load port portion
A port stage unit configured to seat the wafer accommodating part or to support the wafer accommodating part seated while being separated from the wafer accommodating part;
A port main body part disposed at a lower end of the port stage part and fixing the port stage part while having a predetermined height and area;
A gas injection part disposed in the port main body part and protruding from the port stage part, and injecting the injection gas into the wafer accommodating part when the wafer accommodating part is seated in the port stage part;
A gas discharge part disposed in the port body part and protruding from the port stage part, and discharging the exhaust gas in the wafer accommodating part when the wafer accommodating part is seated in the port stage part;
An impurity sensing unit disposed in the gas discharge unit and configured to sense an impurity contained in the discharge gas; And
A differential pressure sensing unit disposed at a lower end of the port stage unit and configured to check a state of the wafer storage unit by sensing a differential pressure with respect to the wafer storage unit when the wafer housing unit is seated on the port stage unit;
Multifunction load port device comprising a.
청구항 1에 있어서,
상기 차압센싱부는
상기 웨이퍼 수납부에 상기 주입가스를 가득 주입한 상태의 제1 압력과 상기 웨이퍼 수납부로부터 상기 배출가스가 배출된 상태의 제2 압력 간의 차이를 비교하여 상기 웨이퍼 수납부의 상태를 체크할 수 있는 다기능 로드 포트 장치.
The method according to claim 1,
The differential pressure sensing unit
The state of the wafer accommodating part may be checked by comparing a difference between a first pressure in which the injection gas is fully injected into the wafer accommodating part and a second pressure in a state in which the exhaust gas is discharged from the wafer accommodating part. Multifunction load port device.
청구항 1에 있어서,
상기 로드 포트부는 상기 웨이퍼 수납부가 상기 포트 스테이지부에 안착되는 동안 상기 웨이퍼 수납부에 체결되어 상기 배출가스를 배출하는 배출가스관에 소정의 압력으로 펌핑하여 상기 웨이퍼 수납부와 상기 배출가스관 간의 차압을 통해 상기 웨이퍼 수납부의 내부표면에 흡착되는 습기와 산소, Fume과 잔존가스를 제거하는 터보펌핑부;를 더 포함하는 다기능 로드 포트 장치.
The method according to claim 1,
The load port part is pumped at a predetermined pressure to an exhaust gas pipe which is fastened to the wafer storage part and discharges the exhaust gas while the wafer storage part is seated on the port stage part, and through the differential pressure between the wafer storage part and the exhaust gas pipe. And a turbo pumping unit for removing moisture, oxygen, fumes, and residual gas adsorbed on the inner surface of the wafer accommodating unit.
청구항 1에 있어서,
상기 불순물센싱부는 상기 배출가스에 포함된 불순물을 센싱하되, 상기 불순물이 기준값 이상으로 센싱되면, 상기 웨이퍼 수납부의 상태를 점검하도록 하는 제1 점검신호를 출력하는 다기능 로드 포트 장치.
The method according to claim 1,
The impurity sensing unit senses an impurity contained in the exhaust gas, and outputs a first check signal for checking a state of the wafer accommodating part when the impurity is sensed above a reference value.
청구항 1에 있어서,
상기 가스 배출부는 상기 웨이퍼 수납부에 상기 주입가스를 지속적으로 주입하는 상태에서 상기 배출가스가 배출되는 배출양을 체크하여 상기 배출가스가 배출되는 상기 배출양이 기준양 이하일 경우, 상기 웨이퍼 수납부의 상태를 점검하도록 하는 제2 점검신호를 출력하는 다기능 로드 포트 장치.
The method according to claim 1,
The gas discharge unit checks the discharge amount from which the discharge gas is discharged while continuously injecting the injection gas into the wafer storage unit. When the discharge amount from which the discharge gas is discharged is equal to or less than a reference amount, A multifunction load port device for outputting a second check signal for checking.
청구항 3에 있어서,
상기 로드 포트부의 외측일면 상단에 배치되어 상기 가스 주입부, 상기 가스 배출부, 상기 불순물 센싱부, 상기 차압센싱부 및 상기 터보펌핑부를 선택하여 턴 온시키거나 턴 오프시킬 수 있는 버튼이 적어도 하나 이상 배치되는 다기능 로드 포트 장치.
The method according to claim 3,
At least one button disposed on an upper side of an outer surface of the load port part to select and turn on or turn off the gas injection part, the gas discharge part, the impurity sensing part, the differential pressure sensing part, and the turbo pumping part. Multifunction load port device deployed.
청구항 1에 있어서,
상기 웨이퍼 수납부의 하단에는 적어도 하나 이상의 장착홀이 형성되고,
상기 포트 스테이지부에는 상기 장착홀과 대응되는 위치에 장착돌기가 형성되는 다기능 로드 포트 장치.
The method according to claim 1,
At least one mounting hole is formed at a lower end of the wafer accommodating part,
The port stage unit has a multi-function load port device is provided with a mounting projection in a position corresponding to the mounting hole.
청구항 1 또는 청구항 6에 있어서,
상기 로드 포트부와 연결되어 상기 포트 스테이지부에 상기 웨이퍼 수납부가 안착되는 과정, 상기 포트 스테이지부에 안착된 상기 웨이퍼 수납부에 상기 주입가스가 주입되는 과정, 상기 포트 스테이지부에 안착된 상기 웨이퍼 수납부에 상기 배출가스가 배출되는 과정, 상기 불순물가스를 센싱하는 과정, 상기 웨이퍼 수납부에 대한 차압을 센싱하는 과정 및 상기 웨이퍼 수납부를 펌핑하는 과정을 모니터링할 수 있는 FOUP모니터링부;를 포함하는 다기능 로드 포트 장치.
The method according to claim 1 or 6,
Connecting the load port part to seat the wafer accommodating part on the port stage part, injecting the gas into the wafer accommodating part seated on the port stage part, and number of the wafers seated on the port stage part A FOUP monitoring unit for monitoring a process of discharging the discharge gas to a payment unit, sensing the impurity gas, sensing a differential pressure with respect to the wafer accommodating unit, and pumping the wafer accommodating unit; Load port device.
청구항 8항에 있어서,
상기 FOUP모니터링부는 상기 모니터링되는 것에 대한 정보와 상기 기준신호에 대한 정보를 원거리에 있는 관리센터부와 송수신할 수 있는 관리통신부를 포함하고, 상기 관리센터부에서 제공하는 기준값 또는 기준양에 대한 정보를 제공받아 상기 기준값 또는 상기 기준양을 설정할 수 있는 것을 포함하는 다기능 로드 포트 장치.
The method of claim 8,
The FOUP monitoring unit includes a management communication unit capable of transmitting and receiving information about the monitored and the information on the reference signal with a remote management center unit, and the information on the reference value or reference amount provided by the management center unit The multi-function load port device, comprising receiving the reference value or the reference amount can be set.
청구항 9항에 있어서,
상기 FOUP모니터링부는 터치스크린으로 형성되어 상기 기준값 또는 상기 기준양에 대한 값을 직접 입력하여 상기 기준값 또는 상기 기준양을 설정할 수 있는 것을 포함하는 다기능 로드 포트 장치.The method of claim 9,
And the FOUP monitoring unit is configured as a touch screen to directly input the reference value or the value for the reference amount to set the reference value or the reference amount.
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