JP2007019500A - Apparatus and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing contaminant from flowing into a container when a wafer is moved between the container and a process chamber. <P>SOLUTION: The apparatus is provided for manufacturing a semiconductor substrate. The apparatus includes: a load port at which the container is placed for accommodating a substrate; a frame arranged between the load port and a process facility, and in which a conveying robot is installed for moving the substrate between the container placed at the load port and the process facility; and a gas supply member for supplying a nitrogen gas or an inactive gas into the inside of the container placed at the load port through a flow inlet formed on the wall of the container, so that the gas flows in the direction from the inside of the container toward the frame. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は半導体素子を製造する装置及び方法に係り、さらに詳細にはウェーハを収容する容器と工程設備間にウェーハを移送する装置及び方法に関することである。   The present invention relates to an apparatus and method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to an apparatus and method for transferring a wafer between a container for accommodating the wafer and a process facility.

半導体チップの大きさと回路線幅のデザインルールが微細化されることによって、汚染防止の重要性が大きく増加されている。従来に半導体製造工程は比較的に高い清浄度で維持される清浄室内で進行され、ウェーハの貯蔵及び運搬のために開放型容器が主に使われた。しかし、最近は清浄室の維持費用を減らすために工程チャンバ内部及び工程チャンバと関する一部のチャンバ内部だけで高い清浄度が維持され、残りの領域では比較的に低い清浄度が維持されている。また、容器は低い清浄度が維持される領域で、その内部に収納されたウェーハが大気中の異物質などによって汚染されることを防止するために、開放型容器に代わり密閉型容器が使われており、このような密閉型容器の代表的な例で前面開放一体式容器（ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）がある。   With the miniaturization of the design rules for the size and circuit line width of semiconductor chips, the importance of preventing contamination has been greatly increased. Conventionally, the semiconductor manufacturing process is performed in a clean room maintained at a relatively high cleanliness, and an open container is mainly used for storing and transporting wafers. However, recently, in order to reduce the maintenance cost of the clean room, high cleanliness is maintained only inside the process chamber and some chambers related to the process chamber, and relatively low cleanliness is maintained in the remaining areas. . In addition, the container is an area where low cleanliness is maintained, and a sealed container is used instead of an open container to prevent the wafers contained in the container from being contaminated by foreign substances in the atmosphere. A typical example of such a sealed container is a front open unified pod.

ウェーハの直径が２００ｍｍから３００ｍｍに増加されることによって、工程チャンバの前方には容器から工程チャンバ内にウェーハを移送するためのモジュールで、チャンバ前方端部モジュール（ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ ｍｏｄｕｌｅ、以下、ＥＦＥＭ）のような基板移送システムが提供される。基板移送システムは上述のように、局部的に高清浄度で維持されるフレーム９１０を有し、フレーム９１０内にはウェーハＷを容器９２０から工程チャンバ(図示しない)に移送するロボット９４０と容器９２０のドアを開閉するドア開閉器（図示しない）が配置される。フレーム９１０内の上部には空気をフレーム９１０内から下方向に送風する送風ファン９５２と汚染物質を除去するフィルタ９５４が設置される。   By increasing the diameter of the wafer from 200 mm to 300 mm, the front of the process chamber is a module for transferring the wafer from the container into the process chamber, and the front end module (hereinafter referred to as EFEM) of the chamber. A substrate transfer system is provided. As described above, the substrate transfer system includes the frame 910 that is locally maintained at high cleanliness, and the robot 940 and the container 920 that transfer the wafer W from the container 920 to the process chamber (not shown) are included in the frame 910. A door switch (not shown) for opening and closing the door is disposed. A blower fan 952 that blows air downward from the inside of the frame 910 and a filter 954 that removes contaminants are installed in the upper part of the frame 910.

容器９２０と工程チャンバ間のウェーハＷの移送が行われる間に図１に図示されるように、フレーム９１０内の空気の一部は容器９２０内に流入される。フレーム９１０内の空気には多量の汚染物質が存在する。これらはフレーム９１０内に流入される空気中に含まれ、フィルタ９５４によって濾過が行われない分子性の汚染物質と工程チャンバからフレーム９１０内に流入される汚染物質を含む。これら容器９２０内に流入される空気に含有される汚染物質はウェーハＷ上に形成された膜質特性に悪影響を及ぼす。   While the transfer of the wafer W between the container 920 and the process chamber is performed, a part of the air in the frame 910 flows into the container 920 as illustrated in FIG. There is a large amount of contaminants in the air in the frame 910. These are contained in the air that flows into the frame 910 and includes molecular contaminants that are not filtered by the filter 954 and contaminants that flow into the frame 910 from the process chamber. Contaminants contained in the air flowing into the container 920 adversely affect the film quality characteristics formed on the wafer W.

また、容器９２０内にウェーハＷのローディングが完了された以後、容器９２０が他の工程を実行するために移動される時、容器９２０内に含有される空気によってウェーハＷ上に自然酸化膜が形成される。   In addition, after the loading of the wafer W into the container 920 is completed, a natural oxide film is formed on the wafer W by the air contained in the container 920 when the container 920 is moved to perform another process. Is done.

本発明は容器と工程チャンバ間でウェーハが移動される時、汚染物質が容器内に流入されることを防ぐことができる半導体素子製造装置及び方法を提供することを目的にする。   It is an object of the present invention to provide a semiconductor device manufacturing apparatus and method capable of preventing contaminants from flowing into a container when the wafer is moved between the container and a process chamber.

本発明は半導体基板製造に使われる装置を提供する。本発明の装置は、基板を収容する容器が置かれるロードポート、前記ロードポートと工程設備との間に配置されて前記容器と前記工程設備間で基板を移動する移送ロボットが設置されるフレームと、前記ロードポートに置かれる前記容器内部から前記フレームに向かう方向に流れるように前記容器の壁に形成された流入口を通じて前記容器の内部に窒素ガスまたは非活性ガスを供給するガス供給部材と、を含む。上述の構造によって、前記容器と前記設備間で基板が移送される時、前記フレーム内の空気が前記容器内に流入されることを防止することができる。   The present invention provides an apparatus for use in manufacturing a semiconductor substrate. The apparatus of the present invention includes a load port in which a container for storing a substrate is placed, a frame disposed between the load port and the process equipment, and a transfer robot for moving the substrate between the container and the process equipment. A gas supply member that supplies nitrogen gas or inert gas to the inside of the container through an inlet formed in the wall of the container so as to flow in a direction from the inside of the container to the frame placed in the load port; including. With the above-described structure, when the substrate is transferred between the container and the equipment, it is possible to prevent the air in the frame from flowing into the container.

一実施形態によると、前記流入口は前記容器の下部壁に形成され、前記ガス供給部材は前記ロードポート上に置かれる前記容器の流入口に窒素ガスまたは非活性ガスを供給するように前記ロードポート内に形成されたガスラインを有する。   According to an embodiment, the inlet is formed in a lower wall of the container, and the gas supply member supplies the nitrogen gas or the inert gas to the inlet of the container placed on the load port. It has a gas line formed in the port.

また、前記装置は前記流入口を開閉する開閉部材をさらに含む。前記開閉部材は前記容器の内部に設置される支持板、前記流入口を開閉する遮断板、前記遮断板が弾性力によって前記容器の流入口を遮断するように前記支持板と前記遮断板を連結する弾性体、および前記ロードポート上に設置され、前記容器が前記ロードポート上に置かれる時、前記流入口が開くように前記遮断板を押す押出突起を含む。前記容器が前記ロードポートに置かれる状態で前記押出突起の側壁の前記容器内に挿入される部分には噴射口が形成され、前記ガスラインは前記噴射口まで延長されることができる。   The apparatus further includes an opening / closing member that opens and closes the inlet. The opening / closing member is a support plate installed inside the container, a blocking plate that opens and closes the inlet, and the support plate and the blocking plate are connected so that the blocking plate blocks the inlet of the container by elastic force And an extrusion protrusion that is installed on the load port and pushes the blocking plate to open the inlet when the container is placed on the load port. An injection port is formed in a portion of the side wall of the extrusion protrusion inserted into the container in a state where the container is placed in the load port, and the gas line can be extended to the injection port.

上述の構造によって、前記容器が前記ロードポート上に置かれれば、前記容器の流入口が開いてガスが流入される通路が提供され、前記容器が前記ロードポートから移動されたら、前記容器の流入口が閉めて容器内部が外部から密閉される。   According to the above-described structure, when the container is placed on the load port, an inlet of the container is opened to provide a passage through which gas flows, and when the container is moved from the load port, the container flows. The inlet is closed and the inside of the container is sealed from the outside.

一実施形態によると、前記容器は基板を収容し、前方が開放された空間を有する容器本体と前記空間の前方を開閉するドアを有し、前記装置には前記フレームに設置され、前記体から前記ドアを脱着するドア開閉器が設置される。   According to an embodiment, the container contains a substrate, and has a container body having a space opened forward and a door that opens and closes the front of the space. The apparatus is installed on the frame and is separated from the body. A door switch for installing and removing the door is installed.

まは、前記装置は前記ロードポート上に前記容器が置かれているか否かを感知するセンサと前記センサから信号を伝送され、前記ガスラインに窒素ガスまたは非活性ガスを供給する供給管上に設置されるバルブを開閉する制御器をさらに含むことができる。   Alternatively, the apparatus has a sensor for detecting whether or not the container is placed on the load port, and a signal transmitted from the sensor to supply a nitrogen gas or an inert gas to the gas line. A controller for opening and closing the installed valve may be further included.

まは、本発明は容器が置かれるロードポート及びロードポートと工程設備との間に配置されて前記容器と前記工程設備間で基板を移送する移送ロボットが設置されるフレームを有する半導体素子製造装置を使って半導体素子を製造する方法を提供する。本発明によると、前記容器と前記工程設備間で基板が移送される間に前記容器内部に窒素ガスまたは非活性ガスが供給され、前記窒素ガスまたは非活性ガスは、前記フレーム内の汚染物質が前記容器に流入されることを防止するために、前記容器から前記フレームに向かう方向に流れるように前記容器の壁に形成された流入口を通じて供給される。前記流入口は前記容器の下部壁に形成されることができる。   Alternatively, the present invention provides a semiconductor device manufacturing apparatus having a load port in which a container is placed and a frame that is disposed between the load port and the process equipment and in which a transfer robot for transferring a substrate between the container and the process equipment is installed. A method of manufacturing a semiconductor device using a semiconductor device is provided. According to the present invention, a nitrogen gas or an inert gas is supplied into the container while the substrate is transferred between the container and the process equipment, and the nitrogen gas or the inert gas contains contaminants in the frame. In order to prevent inflow into the container, the liquid is supplied through an inlet formed in the wall of the container so as to flow in a direction from the container toward the frame. The inlet may be formed in a lower wall of the container.

一実施形態によると、前記窒素ガスまたは非活性ガスは前記容器のドアが開く前に、前記容器内に供給され始め、前記容器のドアが閉められた後に供給が中断される。   According to one embodiment, the nitrogen gas or the inert gas begins to be supplied into the container before the container door is opened, and the supply is interrupted after the container door is closed.

一実施形態によると、前記容器には前記流入口を開閉する遮断板が提供され、前記容器が前記ロードポートに置かれる前またはロードポートから移動された後には前記遮断板と結合された弾性体の弾性力によって前記流入口を遮断し、前記容器が前記ロードポートに置かれれば、前記ロードポートに提供された押出突起によって前記遮断板が押されることによって前記流入口が開放され、前記容器に窒素ガスまたは非活性ガスを供給するガスラインは前記ロードポート内に形成されることができる。   According to an embodiment, the container is provided with a blocking plate for opening and closing the inlet, and the elastic body is coupled to the blocking plate before the container is placed in the load port or after being moved from the load port. When the inlet is blocked by the elastic force of the container and the container is placed in the load port, the inlet is opened by pushing the blocking plate by an extrusion protrusion provided to the load port, and the container is opened. A gas line for supplying nitrogen gas or inert gas can be formed in the load port.

また、本発明の他の実施形態によると、本発明の基板製造方法は容器が前記ロードポート上に置かれる段階、前記容器内に窒素ガスまたは非活性ガスが供給される段階、前記容器のドアが開く段階、前記容器と前記工程設備間の前記移送ロボットによって基板が移送される段階、前記容器のドアが閉まる段階、および前記容器内に窒素ガスまたは非活性ガスの供給を中断する段階を含み、前記窒素ガスまたは非活性ガスは、前記フレーム内の汚染物質が前記容器に流入されることを防止するために、前記容器から前記フレームに向かう方向に流れるように前記容器に提供される壁に形成された流入口を通じて供給される。   According to another embodiment of the present invention, the substrate manufacturing method of the present invention includes a step of placing a container on the load port, a step of supplying nitrogen gas or an inert gas into the container, and a door of the container. Opening the substrate, transferring the substrate by the transfer robot between the container and the process equipment, closing the container door, and interrupting the supply of nitrogen gas or inert gas into the container. The nitrogen gas or the inert gas is supplied to the wall provided to the container so as to flow in a direction from the container toward the frame in order to prevent contaminants in the frame from flowing into the container. Supplied through the formed inlet.

前記方法は前記容器が前記ロードポート上に置かれているか否かを感知する段階をさらに含むことができる。一実施形態によると、前記容器内に窒素ガスまたは非活性ガスが供給される段階は、前記容器が前記ロードポート上に置かれることを感知した後に実行される。また、一実施形態によると、前記容器内に窒素ガスまたは非活性ガスの供給を中断する段階は、前記容器が前記ロードポートから移動されることを感知した以後に実行される。   The method may further include sensing whether the container is placed on the load port. According to one embodiment, supplying nitrogen gas or inert gas into the container is performed after sensing that the container is placed on the load port. According to an embodiment, the step of interrupting the supply of nitrogen gas or inert gas into the container is performed after sensing that the container is moved from the load port.

本発明によると、容器と工程設備間でウェーハが移送される時、フレーム内の空気が容器内部に流入されることを防止することができる。   According to the present invention, when the wafer is transferred between the container and the process equipment, the air in the frame can be prevented from flowing into the container.

また、本発明によると、容器が移動中に容器内部を窒素ガスまたは非活性ガス雰囲気で満たすことができる。   Further, according to the present invention, the interior of the container can be filled with nitrogen gas or an inert gas atmosphere while the container is moving.

以下、本発明の実施形態を添付する、図２ないし図６を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は色々な形態に変更されることができ、本発明の範囲が下で詳述する実施形態に限定されるものと解釈されない。本実施形態は当業界で平均的な知識を持つ者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。従って、図面での要素の形状はさらに明確な説明のために誇張されたものである。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 2 to 6. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention is not construed to be limited to the embodiments described in detail below. This embodiment is provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of the elements in the drawings is exaggerated for a clearer description.

また、本実施形態で基板はウェーハを例に挙げて説明する。しかし、基板はそれ以外に集積回路製造のために使われる他の種類の基板であることができる。   In the present embodiment, the substrate will be described by taking a wafer as an example. However, the substrate can be other types of substrates that are otherwise used for integrated circuit fabrication.

図２は本発明の一実施形態による半導体素子製造装置１を概略的に示す図面である。装置１は容器２０と工程設備１０間でウェーハＷを移送する基板移送システム４０を有する。容器２０は前方が開放され、空間が提供された容器本体２１とこれを開閉するドア２２を有する。容器本体２１の内側壁にはウェーハＷのへりの一部が挿入されるスロットが形成される。ウェーハＷが互いに水平方向に並んで置かれることができるように、スロットは内側壁に層になる構造で形成される。容器２０は移動中に外部の空気が流入されないようにドア２２によって密閉される。容器２０は前面開放一体式容器（ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ、ＦＯＵＰ）が使われることができる。   FIG. 2 is a drawing schematically showing a semiconductor device manufacturing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The apparatus 1 includes a substrate transfer system 40 that transfers a wafer W between the container 20 and the process equipment 10. The container 20 has a container body 21 that is open at the front and provided with a space, and a door 22 that opens and closes the container body 21. A slot into which a part of the edge of the wafer W is inserted is formed on the inner wall of the container body 21. The slots are formed in a layered structure on the inner wall so that the wafers W can be placed horizontally side by side. The container 20 is sealed by a door 22 so that external air does not flow in during movement. The container 20 may be a front open unified pod (FOUP).

基板移送システム４０は工程設備１０の前方に位置する。工程設備１０はロードロックチャンバと工程チャンバを有する。工程チャンバは化学気相蒸着、エッチング、フォト、測定、または、洗浄工程などのような工程を実行するチャンバであることができる。   The substrate transfer system 40 is located in front of the process equipment 10. The process equipment 10 has a load lock chamber and a process chamber. The process chamber can be a chamber that performs processes such as chemical vapor deposition, etching, photo, measurement, or cleaning processes.

基板移送システム４０は容器２０が置かれるロードポート１００と内部が局部的に高い清浄度で維持されるフレーム２００を有する。例えば、基板移送システムには設備前方端部モジュール（ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ ｍｏｄｕｌｅ、以下、ＥＦＥＭ）が使われることができる。   The substrate transfer system 40 has a load port 100 in which the container 20 is placed and a frame 200 in which the interior is locally maintained at a high cleanliness. For example, an equipment front end module (hereinafter referred to as EFEM) may be used in the substrate transfer system.

ロードポート１００はおおよそ平たい上部面を有し、フレーム２００の前方でフレーム２００に結合される。ロードポート１００は一つまたは複数個が提供されることができる。容器２０は移送装置（図示しない）によってロードポート１００上に置かれる。移送装置はオーバーヘッドトランスファ（ｏｖｅｒｈｅａｄ ｔｒａｎｓｆｅｒ：ＯＨＴ）、オーバーヘッドコンベヤ（ｏｖｅｒｈｅａｄ ｃｏｎｖｅｙｏｒ：ＯＨＣ）、または自動案内車両（ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｇｕｉｄｅｄ ｖｅｈｉｃｌｅ：ＡＧＶ）などが使われることができる。フレーム２００は工程設備１０とロードポート１００との間に位置する。   The load port 100 has a generally flat top surface and is coupled to the frame 200 in front of the frame 200. One or a plurality of load ports 100 can be provided. The container 20 is placed on the load port 100 by a transfer device (not shown). As the transfer device, an overhead transfer (OHT), an overhead conveyor (OHC), an automatic guided vehicle (AGV), or the like can be used. The frame 200 is located between the process equipment 10 and the load port 100.

フレーム２００の内部にはロードポート１００上に置かれる容器２０と工程設備１０間でウェーハＷを移送する移送ロボット２８０が一つまたは複数個が配置される。フレーム２００はおおよそ直六面体の形状を有し、工程設備１０と隣接する側面であるフレーム２００の後面２４０にはフレーム２００と工程設備１０間にウェーハが移送される通路である搬入口２４２が形成される。ロードポート１００と隣接する側面であるフレーム２００の前面２２０には容器２０とフレーム２００間のウェーハが移送される通路である開口部２２２が形成される。フレーム２２０内には容器２０のドア２２を開閉するためのドア開閉器２９０が設置される。ドア開閉器２９０は容器のドア２２に結合されて容器２０からドア２２を分離するドアホルダ２９２とこれを移動させるアーム２９４を有する。   One or a plurality of transfer robots 280 for transferring the wafer W between the container 20 placed on the load port 100 and the process equipment 10 are arranged in the frame 200. The frame 200 has an approximately rectangular parallelepiped shape, and a loading port 242 that is a passage through which a wafer is transferred between the frame 200 and the process equipment 10 is formed on the rear surface 240 of the frame 200 that is adjacent to the process equipment 10. The An opening 222 which is a passage through which a wafer between the container 20 and the frame 200 is transferred is formed on the front surface 220 of the frame 200 which is a side surface adjacent to the load port 100. A door switch 290 for opening and closing the door 22 of the container 20 is installed in the frame 220. The door switch 290 has a door holder 292 that is coupled to the container door 22 and separates the door 22 from the container 20, and an arm 294 that moves the door holder 292.

フレーム２００の上部面にはファンフィルタユニット２５０が設置される。ファンフィルタユニット２５０はモータによって回転され、外部の空気をフレーム２００内から下方向に送風する送風ファン２５２とその下に配置されてフレーム２００の内部に導入される空気から汚染物質を濾過するフィルタ２５４を含む。フレーム２００の下部面にはフレーム２００内に流入された空気が抜ける排気口が形成された排気板（図示略）が設置される。   A fan filter unit 250 is installed on the upper surface of the frame 200. The fan filter unit 250 is rotated by a motor, and a blower fan 252 that blows external air downward from the inside of the frame 200 and a filter 254 that is disposed under the fan and filters air from the air introduced into the frame 200. including. An exhaust plate (not shown) having an exhaust port through which air that has flowed into the frame 200 is removed is installed on the lower surface of the frame 200.

容器２０がロードポート１００にローディングされたら、ドア開閉器２９０によってドア２２が開く。容器２０内のウェーハＷは移送ロボット２８０によって工程設備１０に移送され、工程設備１０で工程が完了されたウェーハＷは移送ロボット２８０によって再び容器２０内に移送される。ウェーハＷが全部容器２０内に移送されたら、ドア開閉器２９０によってドア２２が閉まる。フレーム２００内には多様な汚染物質が存在する。汚染物質はファンフィルタユニット２５０によって外部から流入された空気内に含有された分子性汚染物質であり、搬入口２４２を通じて工程設備１０から流入された汚染物質であることができる。容器２０のドア２２が開く間に、フレーム２００内に存在する汚染物質が容器２０内に流入されることができる。これはウェーハＷ上に蒸着された薄膜の特性に悪影響を及ぼし、ドア２２が閉じた状態で容器２０が移動される時、ウェーハＷに自然酸化膜を形成する。   When the container 20 is loaded into the load port 100, the door 22 is opened by the door switch 290. The wafer W in the container 20 is transferred to the process facility 10 by the transfer robot 280, and the wafer W that has been processed in the process facility 10 is transferred again into the container 20 by the transfer robot 280. When all the wafers W are transferred into the container 20, the door 22 is closed by the door switch 290. There are various contaminants in the frame 200. The contaminant is a molecular contaminant contained in the air introduced from the outside by the fan filter unit 250, and may be a contaminant introduced from the process facility 10 through the carry-in port 242. While the door 22 of the container 20 is opened, contaminants present in the frame 200 can flow into the container 20. This adversely affects the properties of the thin film deposited on the wafer W, and forms a natural oxide film on the wafer W when the container 20 is moved with the door 22 closed.

これを防ぐために、基板移動システム４０にはガス供給部材３００が提供される。ガス供給部材３００は容器２０内に窒素ガスまたは非活性ガスを供給する。以下、窒素ガスまたは非活性ガスを簡略的にガスと呼ぶ。容器本体２１の壁には流入口２４が形成され、ガス供給部材３００は流入口２４を通じて容器２０内にガスを供給する。容器２０内に流入されたガスは容器２０からフレーム２００に向かう方向に流れる。これはフレーム２００内の空気が容器２０内に流入されることを防ぐ。ガス供給部材３００は容器２０のドア２２が開く間に容器２０に継続的にガスを供給する。ガス供給部材３００は容器２０のドア２２が開く前に、容器２０内にガスを供給し始め、工程が完了されて容器２０のドア２２が閉まった以後に容器２０内へのガスの供給を中断する。   In order to prevent this, the substrate supply system 40 is provided with a gas supply member 300. The gas supply member 300 supplies nitrogen gas or inactive gas into the container 20. Hereinafter, nitrogen gas or inactive gas is simply referred to as gas. An inlet 24 is formed in the wall of the container body 21, and the gas supply member 300 supplies gas into the container 20 through the inlet 24. The gas that has flowed into the container 20 flows in a direction from the container 20 toward the frame 200. This prevents air in the frame 200 from flowing into the container 20. The gas supply member 300 continuously supplies gas to the container 20 while the door 22 of the container 20 is opened. The gas supply member 300 starts supplying gas into the container 20 before the door 22 of the container 20 opens, and interrupts the supply of gas into the container 20 after the process is completed and the door 22 of the container 20 is closed. To do.

一実施形態によると、ガス供給部材３００は容器２０がロードポート１００に置かれれば、容器２０内にガスを供給し、容器２０がロードポート１００から移動されれば、容器２０内にガスの供給を中断する。   According to one embodiment, the gas supply member 300 supplies gas into the container 20 when the container 20 is placed in the load port 100, and supplies gas into the container 20 when the container 20 is moved from the load port 100. Interrupt.

次に、ガス供給部材３００から容器２０内にガスを供給するための構造の一例を挙げて説明する。図３は容器２０の内部構造を概略的に示す図面であり、図４はロードポート１００の構造を概略的に示す図面である。流入口２４は容器本体２１の下部壁２１ａに形成され、ガス供給部材３００はロードポート１００に提供される。流入口２４は一つまたは複数個が提供され、容器２０内に収容されたウェーハＷにガスが直接噴射されることを最小化するように下部壁２１ａのへり領域に形成される。流入口２４は容器２０の下部壁２１ａ角の各々に形成されることができる。容器２０が移動中には容器２０内部の空間が外部から密閉されるように流入口２４は遮断される。流入口２４は開閉部材４００によって開放及び遮断される。   Next, an example of a structure for supplying gas from the gas supply member 300 into the container 20 will be described. FIG. 3 is a drawing schematically showing the internal structure of the container 20, and FIG. 4 is a drawing schematically showing the structure of the load port 100. The inflow port 24 is formed in the lower wall 21 a of the container body 21, and the gas supply member 300 is provided to the load port 100. One or a plurality of inflow ports 24 are provided, and are formed in the edge region of the lower wall 21 a so as to minimize the direct injection of gas onto the wafer W accommodated in the container 20. The inflow port 24 can be formed in each of the corners of the lower wall 21 a of the container 20. While the container 20 is moving, the inlet 24 is blocked so that the space inside the container 20 is sealed from the outside. The inlet 24 is opened and closed by the opening / closing member 400.

開閉部材４００は支持板４４０、弾性体４６０、遮断板４８０そして押出突起４９０を有する。支持板４４０、遮断板４８０、そして弾性体４６０は容器２０に提供され、押出突起４９０はロードポート１００に提供される。容器本体２１は下部壁２１ａの流入口２４が形成された領域の周りには互いに離隔されるように位置された複数の支持ロッド４２０が位置される。支持ロッド４２０は容器本体２１の下部壁２１ａと垂直するように容器本体２１内部に突出される。各支持ロッド４２０の最後端には支持板４４０が固定設置される。支持板４４０は流入口２４と向き合うように位置される。支持板４４０と流入口２４との間には流入口２４と向き合うように配置される遮断板４８０が位置される。遮断板４８０は流入口２４より広い面積を有するように提供されて遮断板４８０のへり領域が流入口２４の周辺領域と密着されるようにする。遮断板４８０はスプリング４６０のような弾性体によって支持板４４０に固定結合される。即ち、スプリング４６０の一端は遮断板４８０と固定され、スプリング４６０の他端は支持板４４０に固定される。外部から力を加えない状態で遮断板４８０が弾性力によって流入口２４を遮断するようにスプリング４６０は圧縮された状態で支持板４４０及び遮断板４８０と結合される。   The opening / closing member 400 includes a support plate 440, an elastic body 460, a blocking plate 480, and an extrusion protrusion 490. The support plate 440, the blocking plate 480, and the elastic body 460 are provided on the container 20, and the extrusion protrusion 490 is provided on the load port 100. The container body 21 is provided with a plurality of support rods 420 that are spaced apart from each other around a region where the inlet 24 of the lower wall 21a is formed. The support rod 420 protrudes into the container body 21 so as to be perpendicular to the lower wall 21 a of the container body 21. A support plate 440 is fixedly installed at the rear end of each support rod 420. The support plate 440 is positioned to face the inflow port 24. Between the support plate 440 and the inflow port 24, a blocking plate 480 disposed to face the inflow port 24 is positioned. The blocking plate 480 is provided to have a larger area than the inlet 24 so that the edge region of the blocking plate 480 is in close contact with the peripheral region of the inlet 24. The blocking plate 480 is fixedly coupled to the support plate 440 by an elastic body such as a spring 460. That is, one end of the spring 460 is fixed to the blocking plate 480 and the other end of the spring 460 is fixed to the support plate 440. The spring 460 is coupled to the support plate 440 and the blocking plate 480 in a compressed state so that the blocking plate 480 blocks the inflow port 24 by an elastic force when no force is applied from the outside.

押出突起４９０はロードポート１００の上部面に、これから上部に突出されるように設置される。押出突起４９０は容器２０がロードポート１００に置かれる時、流入口２４と対応される位置に流入口２４と同一な数で提供される。容器２０がロードポート１００に置かれれば、押出突起４９０は遮断板４８０を押す。スプリング４６０はさらに圧縮され、遮断板４８０は容器本体２１の下部壁２１ａから離隔される。押出突起４９０は容器本体２１内に十分に挿入されることができる長さを有する。   The extrusion protrusion 490 is installed on the upper surface of the load port 100 so as to protrude upward. Extrusion protrusions 490 are provided in the same number as the inlets 24 at locations corresponding to the inlets 24 when the container 20 is placed in the load port 100. When the container 20 is placed on the load port 100, the push projection 490 pushes the blocking plate 480. The spring 460 is further compressed, and the blocking plate 480 is separated from the lower wall 21 a of the container body 21. The extrusion protrusion 490 has a length that can be sufficiently inserted into the container body 21.

ロードポート１００内にはガスが供給されるガスライン３２０が形成される。ガスライン３２０は供給管３４０を通じて外部のガス貯蔵部（図示しない）からガスを供給される。供給管３４０にはその内部通路を開閉し、または流量を調節するバルブ３４２が設置される。バルブ３４２には電気的信号によって制御することができるソレノイドバルブが使われることができる。押出突起４９０の側壁には一つまたは複数の噴射口４９２が形成され、ガスライン３２０は押出突起４９０に提供される噴射口４９２まで延長される。供給管３４０及びガスライン３２０を通じて供給されるガスは押出突起４９０に形成される噴射口４９２を通じて外部に噴射される。噴射口４９２は押出突起４９０の側壁の容器２内に挿入された高さに形成される。   A gas line 320 for supplying gas is formed in the load port 100. The gas line 320 is supplied with gas from an external gas storage unit (not shown) through a supply pipe 340. The supply pipe 340 is provided with a valve 342 that opens and closes its internal passage or adjusts the flow rate. The valve 342 may be a solenoid valve that can be controlled by an electrical signal. One or more injection ports 492 are formed on the side wall of the extrusion protrusion 490, and the gas line 320 extends to the injection opening 492 provided to the extrusion protrusion 490. The gas supplied through the supply pipe 340 and the gas line 320 is injected outside through an injection port 492 formed in the extrusion protrusion 490. The injection port 492 is formed at a height inserted into the container 2 on the side wall of the extrusion protrusion 490.

ロードポート１００上にはセンサ５２０が装着される。センサ５２０はロードポート１００に容器２０が置かれているかを感知し、これを制御器５４０に伝送する。センサ５２０は圧力センサまたは光センサなど、多様な種類のセンサが使われることができる。制御器５４０はセンサ５２０から信号を受け、上述の供給管３４０に設置されたバルブ３４２を制御する。ロードポート１００に容器２０が置かれたことをセンサ５２０が感知すれば、制御器５４０はバルブ３４２を開放してガスライン３２０にガスが供給されるようにする。容器２０がロードポート１００から移動されたことをセンサ５２０が感知すれば、制御器５４０はバルブ３４２を遮断してガスライン３２０にガスが供給されることを遮断する。   A sensor 520 is mounted on the load port 100. Sensor 520 senses whether container 20 is in load port 100 and transmits this to controller 540. Various types of sensors such as a pressure sensor or an optical sensor can be used as the sensor 520. The controller 540 receives a signal from the sensor 520 and controls the valve 342 installed in the supply pipe 340 described above. If the sensor 520 senses that the container 20 has been placed in the load port 100, the controller 540 opens the valve 342 so that gas is supplied to the gas line 320. If the sensor 520 senses that the container 20 has been moved from the load port 100, the controller 540 shuts off the valve 342 and shuts off the supply of gas to the gas line 320.

容器２０内部に供給される十分な量のガスを供給して、容器２０内部がフレーム２００内部より高い圧力を維持できるようにする。これはフレーム２００内の空気が容器２０内に流入されることを防止する。また、ドア２２が閉まる時まで、容器２０内に継続的にガスを供給し、容器２０が閉まった後、容器２０内部が窒素ガスまたは非活性ガス雰囲気を有するようにする。これは容器２０が他の設備に移動中に、容器２０内に収容されたウェーハＷに自然酸化膜が形成されることを防止する。   A sufficient amount of gas supplied to the inside of the container 20 is supplied so that the inside of the container 20 can maintain a higher pressure than the inside of the frame 200. This prevents air in the frame 200 from flowing into the container 20. Further, gas is continuously supplied into the container 20 until the door 22 is closed, and after the container 20 is closed, the inside of the container 20 has a nitrogen gas or an inert gas atmosphere. This prevents a natural oxide film from being formed on the wafer W accommodated in the container 20 while the container 20 is moved to another facility.

図５は容器２０がロードポート１００に置かれた状態でガスの流れを示す図面である。容器２０がロードポート１００に置かれれば、流入口２４が開放され、押出突起４９０は容器２０内に挿入される。ガスライン３２０を通じて供給されたガスは押出突起４９０の噴射口４９２を通じて容器２０内部に流入される。一部のガスはウェーハＷの内側壁を乗って上に上昇しながら、ウェーハＷとの間に提供された空間を通じてフレーム２００の内部に向かう方向に流れる。これはフレーム２００と容器２０の境界領域で流体の流れが容器２０からフレーム２００に向かう方向に流れるようにしてフレーム２００内の空気が容器２０内に流入されることを防止する。   FIG. 5 is a view showing a gas flow in a state where the container 20 is placed in the load port 100. When the container 20 is placed in the load port 100, the inlet 24 is opened and the extrusion protrusion 490 is inserted into the container 20. The gas supplied through the gas line 320 flows into the container 20 through the injection port 492 of the extrusion protrusion 490. A part of the gas travels in a direction toward the inside of the frame 200 through a space provided with the wafer W while rising on the inner wall of the wafer W. This prevents the air in the frame 200 from flowing into the container 20 such that the fluid flows in the direction from the container 20 toward the frame 200 in the boundary region between the frame 200 and the container 20.

次に、図６を参照して本発明の装置の動作過程を説明する。始めに容器２０がロードポート１００に置かれる前に、容器２０の流入口２４は遮断板４８０によって閉まった状態を維持する。容器２０が移送装置によってロードポート１００に置かれる(ステップＳ１０)。容器２０がロードポート１００に置かれれば、押出突起４９０によって流入口２４が開放され、押出突起４９０は容器２０内に挿入される。この時、センサ５２０は容器２０がロードポート１００に置かれているのを感知し、これに該当する信号を制御器５４０に伝送する。制御器５４０はガスライン３２０に窒素ガスまたは非活性ガスが供給されるようにバルブ３４２を開放する。ガスは押出突起４９０に提供される噴射口４９２を通じて容器２０内に噴射される。容器２０内部はフレーム２００内部に比べて高い圧力で維持される(ステップＳ２０)。   Next, the operation process of the apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. Before the container 20 is initially placed in the load port 100, the inlet 24 of the container 20 is kept closed by the blocking plate 480. The container 20 is placed on the load port 100 by the transfer device (step S10). When the container 20 is placed in the load port 100, the inlet 24 is opened by the extrusion protrusion 490, and the extrusion protrusion 490 is inserted into the container 20. At this time, the sensor 520 senses that the container 20 is placed in the load port 100 and transmits a corresponding signal to the controller 540. The controller 540 opens the valve 342 so that the nitrogen gas or the inert gas is supplied to the gas line 320. The gas is injected into the container 20 through an injection port 492 provided to the extrusion protrusion 490. The inside of the container 20 is maintained at a higher pressure than the inside of the frame 200 (step S20).

以後、容器２０のドア２２が開き、容器本体２１の前方が開放される（ステップＳ３０）。容器２０内のガスはフレーム２００内部に向かう方向に流れ、フレーム２００内の空気が容器本体２１内部に流入されることを遮断する。移送ロボット２８０によって容器２０内のウェーハが順次的に工程設備１０に移送され、工程チャンバ内で該当工程が実行される。工程が完了されたウェーハＷは移送ロボットによって再び容器２０内に移送される（ステップＳ４０）。容器２０内の全てのウェーハに対して工程が完了されたら、ドア２２が閉まる（ステップＳ５０）。   Thereafter, the door 22 of the container 20 is opened, and the front of the container body 21 is opened (step S30). The gas in the container 20 flows in a direction toward the inside of the frame 200 and blocks the air in the frame 200 from flowing into the container main body 21. The wafer in the container 20 is sequentially transferred to the process equipment 10 by the transfer robot 280, and the corresponding process is executed in the process chamber. The wafer W for which the process has been completed is transferred again into the container 20 by the transfer robot (step S40). When the process is completed for all the wafers in the container 20, the door 22 is closed (step S50).

容器２０内部は窒素ガスまたは非活性ガスの雰囲気で満たされ、容器２０は他の工程設備１０に移動される。容器２０がロードポート１００から離隔されれば、遮断板４８０は弾性力によって容器２０の下部壁２１ａと密着されて流入口２４を遮断する。センサ５２０はロードポート１００から容器２０が移動されたことを感知し、該当信号を制御器５４０に伝送する。制御器５４０はバルブ３４２を遮断してガスライン３２０にガスが供給されることを中断する(ステップＳ６０)。   The inside of the container 20 is filled with an atmosphere of nitrogen gas or inactive gas, and the container 20 is moved to another process facility 10. When the container 20 is separated from the load port 100, the blocking plate 480 is brought into close contact with the lower wall 21 a of the container 20 by the elastic force and blocks the inlet 24. The sensor 520 detects that the container 20 has been moved from the load port 100 and transmits a corresponding signal to the controller 540. The controller 540 shuts off the valve 342 and interrupts the supply of gas to the gas line 320 (step S60).

容器と工程設備間で基板を移送するために一般的に使われる装置を概略的に示す図面である。1 is a diagram schematically illustrating an apparatus generally used for transferring a substrate between a container and a process facility. 本発明の半導体素子製造装置を概略的に示す図面である。1 is a drawing schematically showing a semiconductor element manufacturing apparatus of the present invention. 容器に設置される開閉部材の一例を概略的に示すための図面である。It is drawing for showing roughly an example of an opening-and-closing member installed in a container. ロードポートに設置される開閉部材の一例を概略的に示すための図面である。It is drawing for showing roughly an example of an opening-and-closing member installed in a load port. 容器がロードポート上に置かれた状態でガスの流れを示す図面である。It is drawing which shows the flow of gas in the state in which the container was set | placed on the load port. 本発明の半導体素子製造方法を順次的に示すフローチャートである。3 is a flowchart sequentially illustrating a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０ 工程設備
２０ 容器
４０ 基板移送システム
１００ ロードポート
２００ フレーム
３００ ガス供給部材
３２０ ガスライン
３４２ バルブ
４００ 開閉部材
４４０ 支持板
４６０ スプリング
４８０ 遮断板
４９０ 押し部材
５２０ センサ
５４０ 制御器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Process equipment 20 Container 40 Substrate transfer system 100 Load port 200 Frame 300 Gas supply member 320 Gas line 342 Valve 400 Opening / closing member 440 Support plate 460 Spring 480 Shut-off plate 490 Push member 520 Sensor 540 Controller

Claims (18)

半導体素子を製造する装置において、
基板を収容する容器が置かれるロードポートと、
前記ロードポートと工程設備との間に配置され、前記ロードポートに置かれる容器と前記工程設備間で基板を移送する移送ロボットが設置されるフレームと、
前記ロードポートに置かれる容器内部から前記フレームに向かう方向に流れるように前記容器の壁に形成される流入口を通じて前記容器の内部に窒素ガスまたは非活性ガスを供給するガス供給部材と、を含むことを特徴とする半導体素子製造装置。 In an apparatus for manufacturing a semiconductor element,
A load port in which a container for containing a substrate is placed;
A frame disposed between the load port and the process equipment, and a container on which the transfer robot for transferring a substrate between the process equipment and a container placed in the load port is installed;
A gas supply member that supplies nitrogen gas or an inert gas to the inside of the container through an inlet formed in the wall of the container so as to flow in a direction from the inside of the container placed in the load port toward the frame. A semiconductor device manufacturing apparatus. 前記流入口は前記容器の下部壁に形成され、
前記ガス供給部材は前記ロードポート内に形成され、前記ロードポート上に置かれる前記容器の流入口に窒素ガスまたは非活性ガスを供給するガスラインを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造装置。 The inlet is formed in the lower wall of the container;
2. The gas supply member according to claim 1, wherein the gas supply member includes a gas line that is formed in the load port and supplies nitrogen gas or an inert gas to an inlet of the container placed on the load port. Semiconductor device manufacturing equipment. 前記装置は前記容器の流入口を開閉する開閉部材をさらに含み、
前記開閉部材は、
前記容器に設置される支持板と、
前記容器に設置され、前記流入口を開閉する遮断板と、
前記遮断板が弾性力によって前記容器の流入口を遮断するように前記支持板と前記遮断板を連結する弾性体と、
前記ロードポート上に設置され、前記容器が前記ロードポート上に置かれる時、前記流入口が開くように前記遮断板を押す押出突起と、を含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子製造装置。 The apparatus further includes an opening / closing member that opens and closes the inlet of the container,
The opening / closing member is
A support plate installed in the container;
A blocking plate installed in the container and opening and closing the inlet;
An elastic body connecting the support plate and the blocking plate so that the blocking plate blocks the inlet of the container by elastic force;
The semiconductor device according to claim 2, further comprising: an extrusion protrusion that is installed on the load port and pushes the blocking plate to open the inlet when the container is placed on the load port. Element manufacturing equipment. 前記容器が前記ロードポートに置かれた状態で前記押出突起の側壁の前記容器内に挿入される部分には噴射口が形成され、
前記ガスラインは前記噴射口まで延長されることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子製造装置。 In a state where the container is placed in the load port, a portion of the side wall of the extrusion protrusion inserted into the container is formed with an injection port,
The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 3, wherein the gas line is extended to the injection port. 前記容器は、
基板を収容し、前方が開放された空間を有する容器本体と、
前記空間の前方を開閉するドアと、を有し、
前記装置は前記フレームに設置され、前記容器本体から前記ドアを脱着するドア開閉器をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子製造装置。 The container is
A container main body that contains a substrate and has a space open at the front;
A door for opening and closing the front of the space,
The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 2, further comprising a door switch installed on the frame and configured to detach the door from the container body. 前記装置は、
前記ロードポート上に前記容器が置かれるか否かを感知するセンサと、
前記センサから信号を伝送され、前記ガスラインに窒素ガスまたは非活性ガスを供給する供給管上に設置されたバルブを開閉する制御器と、をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子製造装置。 The device is
A sensor for sensing whether the container is placed on the load port;
The controller according to claim 2, further comprising a controller that opens and closes a valve installed on a supply pipe that receives a signal from the sensor and supplies nitrogen gas or inert gas to the gas line. Semiconductor device manufacturing equipment. 前記流入口は前記下部壁のへり領域に一つまたは複数個形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子製造装置。   3. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 2, wherein one or a plurality of the inlets are formed in the edge region of the lower wall. 容器が置かれるロードポート及び前記ロードポートと工程設備との間に配置されて前記容器と前記工程設備間で基板を移送する移送ロボットが設置されるフレームを有する半導体素子製造装置で基板を移送する方法において、
前記容器と前記工程設備間で基板が移送される間に前記容器内部に窒素ガスまたは非活性ガスを供給し、
前記窒素ガスまたは非活性ガスは、前記フレーム内の汚染物質が前記容器に流入されることを防ぐために、前記容器から前記フレームに向かう方向に流れるように、前記容器の壁に形成された流入口を通じて前記容器内に供給されることを特徴とする半導体素子製造方法。 A substrate is transferred by a semiconductor device manufacturing apparatus having a load port in which a container is placed and a frame disposed between the load port and the process equipment and having a transfer robot for transferring the substrate between the container and the process equipment. In the method
Supplying nitrogen gas or inert gas into the container while the substrate is transferred between the container and the process equipment;
Inlet formed in the wall of the container so that the nitrogen gas or the inert gas flows in a direction from the container toward the frame in order to prevent contaminants in the frame from flowing into the container. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the semiconductor device is supplied into the container. 前記窒素ガスまたは非活性ガスは前記容器のドアが開く前に、前記容器内に供給され始め、前記容器のドアが閉まった後に、供給が中断されることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子製造方法。   9. The nitrogen gas or the inert gas starts to be supplied into the container before the container door is opened, and the supply is interrupted after the container door is closed. Semiconductor element manufacturing method. 前記流入口は前記容器の下部壁に形成されることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子製造方法。   9. The method of claim 8, wherein the inlet is formed in a lower wall of the container. 前記容器には前記流入口を開閉する遮断板が提供され、前記容器が前記ロードポートに置かれる前または前記ロードポートから移動された後には、前記遮断板と結合された弾性体の弾性力によって前記流入口を遮断し、前記容器が前記ロードポートに置かれれば、前記ロードポートに提供された押出突起によって前記遮断板が押されることによって、前記流入口が開放され、
前記容器に窒素ガスまたは非活性ガスを供給するガスラインは前記ロードポート内に形成されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子製造方法。 The container is provided with a blocking plate that opens and closes the inflow port, and before the container is placed on the load port or after being moved from the load port, an elastic force of an elastic body coupled to the blocking plate is provided. If the inlet is blocked and the container is placed in the load port, the inlet is opened by pushing the blocking plate by an extrusion protrusion provided to the load port,
11. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 10, wherein a gas line for supplying nitrogen gas or inert gas to the container is formed in the load port. 容器が置かれるロードポート及び前記ロードポートと工程設備との間に配置され、前記容器と前記工程設備間で基板を移送する移送ロボットが設置されるフレームを有する半導体素子製造装置で、
容器が前記ロードポート上に置かれる段階と、
前記容器内に窒素ガスまたは非活性ガスが供給される段階と、
前記容器のドアが開く段階と、
前記容器と前記工程設備間の前記移送ロボットによって基板が移送される段階と、
前記容器のドアが閉まる段階と、
前記容器内に窒素ガスまたは非活性ガスの供給を中断する段階と、を含み、
前記窒素ガスまたは非活性ガスは、前記フレーム内の汚染物質が前記容器に流入されることを防ぐために前記容器から前記フレームに向かう方向に流れるように前記容器に提供される壁に形成される流入口を通じて供給されることを特徴とする半導体素子製造方法。 A semiconductor device manufacturing apparatus having a load port in which a container is placed and a frame that is disposed between the load port and the process equipment and in which a transfer robot for transferring a substrate between the container and the process equipment is installed.
Placing a container on the load port;
Supplying nitrogen gas or inert gas into the container;
Opening the container door;
A substrate is transferred by the transfer robot between the container and the process equipment;
Closing the container door;
Interrupting the supply of nitrogen gas or inert gas into the vessel,
The nitrogen gas or the inert gas is formed in a wall provided to the container so as to flow in a direction from the container toward the frame in order to prevent contaminants in the frame from flowing into the container. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the semiconductor device is supplied through an inlet. 前記方法は前記容器が前記ロードポート上に置かれているか否かを感知する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子製造方法。   The method of claim 12, wherein the method further comprises sensing whether the container is placed on the load port. 前記容器内に窒素ガスまたは非活性ガスが供給される段階は、前記容器が前記ロードポート上に置かれたことを感知した後に実行されることを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子製造方法。   The method of claim 13, wherein the step of supplying nitrogen gas or inert gas into the container is performed after sensing that the container is placed on the load port. Method. 前記容器内に窒素ガスまたは非活性ガスの供給を中断する段階は、前記容器が前記ロードポートから移動されたことを感知した以後に実行されることを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子製造方法。   14. The semiconductor device according to claim 13, wherein the step of interrupting the supply of the nitrogen gas or the inert gas into the container is performed after detecting that the container is moved from the load port. Production method. 前記流入口が形成された壁は前記容器の下部壁であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子製造方法。   13. The method of claim 12, wherein the wall on which the inlet is formed is a lower wall of the container. 前記容器には前記流入口を開閉する遮断板が提供され、前記容器が前記ロードポートに置かれる前または前記ロードポートから移動された後には前記遮断板と結合された弾性体の弾性力によって前記流入口を遮断し、前記容器が前記ロードポートに置かれれば、前記ロードポートに提供される押出突起によって前記遮断板が押されることによって前記流入口が開放され、
前記容器に窒素ガスまたは非活性ガスを供給するガスラインは、前記ロードポート内に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の半導体素子製造方法。 The container is provided with a blocking plate for opening and closing the inlet, and the container is moved by the elastic force of an elastic body coupled to the blocking plate before the container is placed on the load port or after being moved from the load port. If the inlet is blocked and the container is placed in the load port, the inlet is opened by pushing the blocking plate by an extrusion protrusion provided to the load port,
The method of claim 16, wherein a gas line for supplying nitrogen gas or inert gas to the container is formed in the load port. 前記容器が前記ロードポートに置かれる状態で前記押出突起の側壁の前記容器内に挿入される部分には噴射口が形成され、
前記ガスラインは前記噴射口まで延長されることを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子製造方法。 An injection port is formed in a portion of the side wall of the extrusion protrusion inserted into the container in a state where the container is placed in the load port,
The method of claim 17, wherein the gas line is extended to the injection port.
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