KR20130122824A - Liquid crystal display device and method of fabricating the same - Google Patents
Liquid crystal display device and method of fabricating the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130122824A KR20130122824A KR1020120045896A KR20120045896A KR20130122824A KR 20130122824 A KR20130122824 A KR 20130122824A KR 1020120045896 A KR1020120045896 A KR 1020120045896A KR 20120045896 A KR20120045896 A KR 20120045896A KR 20130122824 A KR20130122824 A KR 20130122824A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pixel
- data line
- liquid crystal
- electrode
- data
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Abstract
Description
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 특히, 시야각 색 편차를 보상함과 동시에, 전계 왜곡(Disclination) 영역을 감소시킬 수 있는 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, capable of compensating a viewing angle color deviation and reducing a field distortion region.
정보화 사회가 발전함에 따라 표시 장치에 대한 요구도 다양한 형태로 점증하고 있으며, 이에 부응하여 근래에는 LCD(Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등 여러 가지 평판 표시 장치가 연구되어 왔고, 일부는 이미 여러 장비에서 표시 장치로 활용되고 있다.(PDP), Electro Luminescent Display (ELD), Vacuum Fluorescent (VFD), and the like have been developed in recent years in response to the demand for display devices. Display) have been studied, and some of them have already been used as display devices in various devices.
그 중에, 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 특징 및 장점으로 인하여 이동형 화상 표시 장치의 용도로 CRT(Cathode Ray Tube)를 대체하면서 액정 표시 장치가 가장 많이 사용되고 있으며, 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형의 용도 이외에도 방송 신호를 수신하여 디스플레이하는 텔레비젼 및 컴퓨터의 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.Among them, the liquid crystal display is the most widely used, replacing the CRT (Cathode Ray Tube) for mobile image display due to the excellent image quality, light weight, thinness, and low power consumption. In addition to the mobile use, various developments have been made for televisions and monitors for receiving and displaying broadcast signals.
이러한 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 어레이가 형성된 하부 기판, 컬러 필터 어레이가 형성된 상부 기판 및 하부, 상부 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 이루어진다. 하부 기판에는 교차하는 게이트 배선과 데이터 배선이 복수 개의 서브 화소를 정의하고, 각 서브 화소에 형성되어 데이터 신호가 개별적으로 공급되는 다수의 화소 전극 및 화소 전극을 개별적으로 구동하기 위한 박막 트랜지스터가 형성된다. 그리고, 상부 기판에는 각 서브 화소에 형성된 컬러 필터, 빛샘 방지를 위한 블랙 매트릭스 및 하부 기판과 상부 기판 사이의 간격을 유지하기 위한 컬럼 스페이서가 형성된다.The liquid crystal display includes a lower substrate on which a thin film transistor array is formed, an upper substrate on which a color filter array is formed, and a liquid crystal layer formed between the lower and upper substrates. In the lower substrate, a plurality of sub-pixels intersecting gate lines and data lines define a plurality of sub-pixels, and a plurality of pixel electrodes to which data signals are individually supplied and thin film transistors for individually driving pixel electrodes are formed. . The upper substrate is provided with a color filter formed in each sub-pixel, a black matrix for preventing light leakage, and column spacers for maintaining a gap between the lower substrate and the upper substrate.
상기와 같은 액정 표시 장치에서 가장 많이 사용되는 대표적인 구동 모드(Mode)는 액정 방향자가 90°트위스트 되도록 배열한 후 전압을 가하여 액정 방향자를 제어하는 TN(Twisted Nematic) 모드와, 한 기판 상에 나란하게 배열된 화소 전극과 공통 전극 간의 수평 전계에 의해 액정이 구동되는 횡전계(In-Plane Switching) 모드 등이 있다.The typical driving mode used in the above-described liquid crystal display is a twisted nematic (TN) mode in which the liquid crystal directors are arranged so that the liquid crystal directors are twisted by 90 °, and then the voltage is applied to control the liquid crystal directors. There is an in-plane switching mode in which the liquid crystal is driven by a horizontal electric field between the arranged pixel electrodes and the common electrode.
특히, 횡전계 모드는 화소 전극과 공통 전극을 하부 기판에 서로 교번하도록 형성하여, 화소 전극과 공통 전극 사이에 발생하는 횡전계에 의해 액정이 배향되도록 한 것이다. 그런데, 횡전계 모드 액정 표시 장치는 시야각은 넓으나 개구율 및 투과율이 낮아 프린지 전계(Fringe Field Switching; FFS) 모드 액정 표시 장치가 제안되었다.In particular, in the transverse electric field mode, the pixel electrode and the common electrode are alternately formed on the lower substrate so that the liquid crystal is aligned by the transverse electric field generated between the pixel electrode and the common electrode. By the way, the lateral field mode liquid crystal display has a wide field of view but a low aperture ratio and a low transmittance, so a fringe field switching (FFS) mode liquid crystal display has been proposed.
프린지 전계 모드 액정 표시 장치는 화소 전극과 공통 전극이 절연막을 사이에 두고 프린지 전계를 형성하여, 액정 분자를 동작시키는 것으로, 액정 분자를 정밀하게 제어하여, 높은 명암비(Contrast Ratio)를 얻을 수 있으며, 횡전계 모드 액정 표시 장치에 비해 높은 화면품질을 구현할 수 있다.In the fringe field mode liquid crystal display, the pixel electrode and the common electrode form a fringe electric field with an insulating film interposed therebetween to operate the liquid crystal molecules, thereby precisely controlling the liquid crystal molecules, thereby obtaining a high contrast ratio. Compared to the transverse electric field mode liquid crystal display, high screen quality can be realized.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 일반적인 액정 표시 장치를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a general liquid crystal display will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1a는 일반적인 액정 표시 장치의 평면도이며, 도 1b는 일반적인 액정 표시 장치의 전계 왜곡(Disclination) 영역을 나타낸 평면도이다.FIG. 1A is a plan view of a general liquid crystal display, and FIG. 1B is a plan view illustrating a field distortion region of the general liquid crystal display.
도 1a와 같이, 일반적인 액정 표시 장치는 기판 상에 서로 교차하여 복수 개의 서브 화소를 정의하는 복수의 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL), 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)의 교차 영역에 형성되는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함한다. 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(10), 소스, 드레인 전극(13a, 13b) 및 반도체층(12)을 포함한다. 특히, 프린지 전계 모드 액정 표시 장치는 통전극 형태의 화소 전극(15)과 슬릿 형태의 공통 전극(16)이 절연막(미도시)을 사이에 두고 프린지 전계를 형성한다.As shown in FIG. 1A, a general liquid crystal display device includes a plurality of gate lines GL, data lines DL, gate lines GL, and data lines DL crossing each other on a substrate to define a plurality of sub-pixels. A thin film transistor (TFT) is formed in the region. The thin film transistor TFT includes a
이 때, 프린지 전계 액정 표시 장치는 화소 전극(15)과 공통 전극(16)을 기울어지게 형성함으로써, 시야각 색 편차를 보상할 수 있다. 그런데, 이 경우, 도 1b와 같이, 데이터 배선(DL)과 화소 전극(15)의 각도 차이에 의해 액정이 비정상적으로 구동되는 전계 왜곡(Disclination) 영역(A)이 발생하여, 액정 표시 장치의 투과율이 감소된다.In this case, the fringe field liquid crystal display may compensate the viewing angle color deviation by forming the
구체적으로, 데이터 배선(DL)은 게이트 배선(GL)과 수직이나, 화소 전극(15)과 공통 전극(16)만 기울어지게 형성되므로, 서브 화소 내의 화소 전극(15)과 공통 전극(16)이 형성되지 않는 영역 즉, 화소 영역의 모서리에서 전계가 왜곡된다. 특히, 데이터 배선(DL)을 기준으로 인접한 서브 화소의 화소 전극(15) 및 공통 전극(16)은 서로 대칭으로 형성되므로, 각 서브 화소는 적어도 2개의 전계 왜곡 영역(A)을 가지며, 3개의 서브 화소가 하나의 단위 화소를 이루는 경우, 각 단위 화소는 적어도 6개의 전계 왜곡 영역(A)을 갖는다.Specifically, since the data line DL is perpendicular to the gate line GL, only the
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 인접한 단위 화소 사이의 데이터 배선을 기준으로, 좌측에 위치하는 단위 화소 내에 위치하는 데이터 배선과 우측에 위치하는 단위 화소의 데이터 배선이 대칭으로 형성되어, 전계 왜곡(Disclination) 영역을 줄일 수 있는 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는데, 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and the data wirings located in the unit pixel on the left side and the data wirings of the unit pixel on the right side are symmetrically based on the data wiring between adjacent unit pixels. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display and a method of manufacturing the same, which are formed to reduce a field distortion region.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정 표시 장치는 기판 상에 형성되는 게이트 배선; 상기 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선; 및 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차로 마련된 영역마다 형성되는 복수 개의 서브 화소로 이루어진 단위 화소를 구비하며, 동일한 상기 게이트 라인과 접속되는 상기 단위 화소 사이에 위치하는 상기 데이터 배선을 기준으로 좌측에 위치하는 제 1 단위 화소 내에 위치하는 상기 데이터 배선들은 제 1 방향으로 기울어지게 형성되고, 상기 데이터 배선을 기준으로 우측에 위치하는 제 2 단위 화소 내에 위치하는 상기 데이터 배선들은 제 2 방향으로 기울어지게 형성되며, 상기 제 1 방향과 제 2 방향은 상기 데이터 배선을 기준으로 대칭이다.The liquid crystal display device of the present invention for achieving the above object is a gate wiring formed on a substrate; A data line crossing the gate line; And a unit pixel including a plurality of sub-pixels formed in each of the regions provided at the intersection of the gate line and the data line, and positioned on the left side of the data line positioned between the unit pixels connected to the same gate line. The data lines positioned in the first unit pixel are inclined in the first direction, and the data lines positioned in the second unit pixel positioned on the right side with respect to the data line are inclined in the second direction. The first direction and the second direction are symmetrical with respect to the data line.
상기 제 1 단위 화소와 제 2 단위 화소 사이의 데이터 배선은 상기 게이트 배선과 수직이다.The data line between the first unit pixel and the second unit pixel is perpendicular to the gate line.
상기 서브 화소는 상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 형성된 제 1 절연막; 상기 제 1 절연막 상에 형성되며, 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 화소 전극; 상기 화소 전극 상에 형성되는 제 2 절연막; 및 상기 제 2 절연막을 사이에 두고 상기 화소 전극과 프린지 전계를 이루는 공통 전극을 포함한다.The sub pixel may include a thin film transistor formed on the substrate; A first insulating film formed to cover the thin film transistor; A pixel electrode formed on the first insulating film and connected to the thin film transistor; A second insulating film formed on the pixel electrode; And a common electrode forming a fringe electric field with the pixel electrode with the second insulating layer therebetween.
상기 화소 전극과 공통 전극은 상기 데이터 배선과 평행한 방향으로 기울어진다.The pixel electrode and the common electrode are inclined in a direction parallel to the data line.
또한, 동일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계; 상기 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차로 마련된 영역마다 형성되는 복수 개의 서브 화소로 이루어진 단위 화소를 구비하는 단계를 포함하며, 동일한 상기 게이트 라인과 접속되는 상기 단위 화소 사이에 위치하는 상기 데이터 배선을 기준으로 좌측에 위치하는 제 1 단위 화소 내에 위치하는 상기 데이터 배선들을 제 1 방향으로 기울어지게 형성하고, 상기 데이터 배선을 기준으로 우측에 위치하는 제 2 단위 화소 내에 위치하는 상기 데이터 배선들을 제 2 방향으로 기울어지게 형성하며, 상기 제 1 방향과 제 2 방향은 상기 데이터 배선을 기준으로 대칭이다.In addition, the manufacturing method of the liquid crystal display device of the present invention for achieving the same object comprises the steps of forming a gate wiring on a substrate; Forming a data line crossing the gate line; And a unit pixel including a plurality of sub-pixels formed in each region formed at the intersection of the gate line and the data line, and based on the data line positioned between the unit pixels connected to the same gate line. The data lines positioned in the first unit pixel positioned on the left side are inclined in the first direction, and the data lines positioned in the second unit pixel positioned on the right side in the second unit pixel are inclined in the second direction. The first direction and the second direction are symmetrical with respect to the data line.
상기 제 1 단위 화소와 제 2 단위 화소 사이의 데이터 배선을 상기 게이트 배선과 수직인 방향으로 형성한다.A data line between the first unit pixel and the second unit pixel is formed in a direction perpendicular to the gate line.
상기 서브 화소는 상기 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 제 1 절연막을 형성하는 단계; 상기 제 1 절연막 상에 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 화소 전극 상에 제 2 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 절연막을 사이에 두고 상기 화소 전극과 프린지 전계를 이루는 공통 전극을 형성하는 단계를 통해 형성된다.Forming a thin film transistor on the substrate; Forming a first insulating film to cover the thin film transistor; Forming a pixel electrode connected to the thin film transistor on the first insulating film; Forming a second insulating film on the pixel electrode; And forming a common electrode forming a fringe electric field with the pixel electrode with the second insulating layer therebetween.
상기 화소 전극과 공통 전극은 상기 데이터 배선과 평행한 방향으로 기울어지도록 형성한다.The pixel electrode and the common electrode are formed to be inclined in a direction parallel to the data line.
상기와 같은 본 발명의 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법은 단위 화소의 화소 전극, 공통 전극 및 데이터 배선을 기울어지게 형성한다. 특히, 데이터 배선을 기준으로 좌측에 위치하는 단위 화소의 화소 전극, 공통 전극 및 데이터 배선이 제 1 방향으로 기울어지고, 우측에 위치하는 단위 화소의 화소 전극, 공통 전극 및 데이터 배선은 제 2 방향으로 기울어져, 제 1 방향과 제 2 방향이 데이터 배선을 기준으로 대칭을 이루어, 전계 왜곡(Disclination) 영역을 줄일 수 있다. 이에 따라, 액정 표시 장치의 개구율 및 투과율을 향상시킬 수 있다.The liquid crystal display of the present invention and a method of manufacturing the same according to the present invention form the pixel electrode, the common electrode, and the data wiring of the unit pixel to be inclined. In particular, the pixel electrode, the common electrode, and the data wiring of the unit pixel positioned on the left side are inclined in the first direction with respect to the data wiring, and the pixel electrode, the common electrode, and the data wiring of the unit pixel located on the right side of the unit line in the second direction. The first direction and the second direction are symmetrical with respect to the data line to reduce the field distortion area. Thereby, the aperture ratio and transmittance of the liquid crystal display device can be improved.
도 1a는 일반적인 액정 표시 장치의 평면도.
도 1b는 일반적인 액정 표시 장치의 전계 왜곡(Disclination) 영역을 나타낸 평면도.
도 2a는 본 발명의 액정 표시 장치의 평면도.
도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단하여 도시한 단면도.
도 3은 본 발명의 액정 표시 장치의 전계 왜곡(Disclination) 영역을 나타낸 평면도.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 액정 표시 장치의 제조 단계를 나타낸 공정 단면도이며, 도 5a와 도 5f는 본 발명의 액정 표시 장치의 제조 단계를 나타낸 공정 평면도.1A is a plan view of a general liquid crystal display device.
1B is a plan view illustrating a field distortion region of a general liquid crystal display.
2A is a plan view of the liquid crystal display of the present invention.
FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2A;
3 is a plan view illustrating a field distortion region of the liquid crystal display of the present invention.
4A to 4F are process cross-sectional views showing manufacturing steps of the liquid crystal display device of the present invention, and FIGS. 5A and 5F are process plan views showing manufacturing steps of the liquid crystal display device of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 액정 표시 장치를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a liquid crystal display of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2a는 본 발명의 액정 표시 장치의 평면도이며, 도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단하여 도시한 단면도이다.FIG. 2A is a plan view of the liquid crystal display of the present invention, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2A.
도 2a 및 도 2b와 같이, 본 발명의 액정 표시 장치는 기판(100) 상에 형성되는 게이트 배선(GL), 게이트 배선(GL)과 교차하는 데이터 배선(DL), 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)의 교차로 마련된 영역마다 서브 화소가 형성되며, 복수 개의 서브 화소가 하나의 단위 화소를 구성한다. 이 때, 동일한 게이트 라인(GL)과 접속되는 단위 화소 사이에 위치하는 데이터 배선(DL)을 기준으로 좌측에 위치하는 제 1 단위 화소 내에 위치하는 데이터 배선(DL)들은 제 1 방향으로 기울어지게 형성되고, 데이터 배선(DL)을 기준으로 우측에 위치하는 제 2 단위 화소 내에 위치하는 데이터 배선(DL)들은 제 2 방향으로 기울어지게 형성되며, 제 1 방향과 제 2 방향은 데이터 배선(DL)을 기준으로 대칭이다.As shown in FIGS. 2A and 2B, the liquid crystal display of the present invention includes a gate line GL formed on the
구체적으로, 게이트 배선(GL)은 게이트 드라이버(미도시)로부터의 스캔 신호를, 데이터 배선(DL)은 데이터 드라이버(미도시)로부터의 비디오 신호를 공급한다. 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)은 게이트 절연막(111)을 사이에 두고 교차하여 각 서브 화소를 정의하며, 각 서브 화소의 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)의 교차 영역에는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다.Specifically, the gate line GL supplies a scan signal from a gate driver (not shown), and the data line DL supplies a video signal from a data driver (not shown). The gate line GL and the data line DL cross each other with the gate insulating layer 111 interposed therebetween to define each sub pixel, and a thin film is formed in the intersection area between the gate line GL and the data line DL of each sub pixel. The transistor TFT is formed.
박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 배선(GL)의 스캔 신호에 응답하여 데이터 배선(DL)의 비디오 신호가 화소 전극(150)에 충전되어 유지되게 한다. 상기와 같은 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(110), 서로 이격된 소스 전극(130a)과 드레인 전극(130b) 및 액티브층(120a)과 오믹콘택층(120b)이 차례로 적층된 구조의 반도체층(120)을 포함한다. 이 때, 게이트 전극(110)은 게이트 배선(GL)에서 돌출 형성될 수도 있고, 도시된 바와 같이, 게이트 배선(GL)의 일부 영역으로 정의될 수도 있다.The thin film transistor TFT keeps the video signal of the data line DL charged and maintained in the
액티브층(120a)은 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질로 형성된 게이트 절연막(111)을 사이에 두고 게이트 전극(110)과 중첩된다. 그리고, 액티브층(120a) 상에 형성된 오믹콘택층(120b)은 소스, 드레인 전극(130a, 130b)과 액티브층(120a) 사이의 전기 접촉 저항을 감소시키며, 소스, 드레인 전극(130a, 130b)의 이격된 구간에 대응되는 오믹콘택층(120b)이 제거되어 채널이 형성된다. 소스 전극(130a)은 데이터 배선(DL)과 접속되어 데이터 배선(DL)의 화소 신호를 인가 받으며, 드레인 전극(130b)은 채널을 사이에 두고 소스 전극(130a)과 일정 간격 이격되어 마주하도록 형성된다.The
상기와 같은 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 게이트 절연막(111) 전면에 제 1, 제 2 보호막(140a, 140b)이 차례로 형성된다. 이 때, 제 1 보호막(140a)은 무기 보호막이며, 제 2 보호막(140b)은 유기 보호막인 것이 바람직하다. 그리고, 제 1, 제 2 보호막(140a, 140b)을 선택적으로 제거하여 형성된 드레인 콘택홀(140h)은 드레인 전극(130b)을 노출시키며, 드레인 콘택홀(140h)을 따라 드레인 전극(130b) 전기적으로 접속되는 화소 전극(150)이 형성된다. 화소 전극(150)은 통전극 형태로 형성되며, TO(Tin Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등과 같은 투명 전도성 물질로 형성된다.First and
화소 전극(150)을 덮도록 절연막(160)이 형성되며, 절연막(160) 상에 상기와 같은 투명 전도성 물질로 공통 전극(170)이 형성된다. 공통 전극(170)은 복수 개의 슬릿 형태로 형성되어 절연막(160)을 사이에 두고 화소 전극(150)과 프린지 전계를 형성한다. 그리고, 프린지 전계에 의해 액정 분자들이 유전 이방성에 의해 회전하며, 액정 분자들의 회전 정도에 따라 서브 화소를 투과하는 광 투과율이 달라져 화상이 구현된다.The insulating
한편, 도시하지는 않았으나, 제 2 보호막(140b) 상에 통 전극 형태의 공통 전극(170)이 형성되고, 절연막(160) 상에 복수 개의 슬릿 형태의 화소 전극(150)이 형성되어도 무방하다. 그리고, 이 경우, 드레인 콘택홀(140h)은 제 1, 제 2 보호막(140a, 140b) 및 절연막(160)을 선택적으로 제거하여 형성된다.Although not shown, a
그런데, 일반적인 액정 표시 장치와 같이 시야각 색 편차를 보상하기 위해 화소 전극(150)과 공통 전극(170)을 기울어지게 형성하는 경우, 데이터 배선(DL)과 화소 전극(150) 및 공통 전극(170)의 각도 차이에 의해 서브 화소의 모서리에서 액정이 비정상적으로 구동되는 전계 왜곡(Disclination) 영역이 발생한다. 그리고, 이로 인해, 액정 표시 장치의 투과율 및 개구율이 저하된다.However, when the
이에 따라, 본 발명의 액정 표시 장치는 화소 전극(150)과 공통 전극(170)뿐만 아니라, 데이터 배선(DL) 역시 기울어지게 형성함으로써, 전계 왜곡 영역을 감소시킬 수 있다.Accordingly, in the liquid crystal display of the present invention, not only the
구체적으로, 본 발명의 액정 표시 장치는 동일한 게이트 배선(GL)과 접속되는 복수 개의 서브 화소가 하나의 단위 화소를 구성할 때, 인접한 단위 화소 사이의 데이터 배선(DL)이 게이트 배선(GL)과 수직이다. 그리고, 데이터 배선(DL)을 기준으로 좌측에 위치하는 제 1 단위 화소 내의 데이터 배선(DL)은 제 1 방향으로 기울어지게 형성되며, 데이터 배선(DL)을 기준으로 우측에 위치하는 제 2 단위 화소 내의 데이터 배선(DL)은 제 2 방향으로 기울어지게 형성된다.Specifically, in the liquid crystal display of the present invention, when a plurality of sub-pixels connected to the same gate line GL form one unit pixel, the data line DL between adjacent unit pixels is connected to the gate line GL. Vertical. The data line DL in the first unit pixel positioned on the left side with respect to the data line DL is formed to be inclined in the first direction, and the second unit pixel positioned on the right side with respect to the data line DL. The data line DL is formed to be inclined in the second direction.
특히, 하나의 단위 화소를 구성하는 복수 개의 서브 화소는 R, G, B 서브 화소인 것이 바람직하며, 서브 화소의 배열은 R 서브 화소와 B 서브 화소 사이에 G 서브 화소가 위치한 것이 바람직하다. 즉, G 서브 화소는 평행사변형 모양이며, R 서브 화소와 B 서브 화소는 사다리꼴 모양이다.In particular, it is preferable that the plurality of sub pixels constituting one unit pixel are R, G, and B sub pixels, and the arrangement of the sub pixels preferably includes a G sub pixel between the R sub pixel and the B sub pixel. That is, the G subpixels have a parallelogram shape, and the R subpixels and the B subpixels have a trapezoidal shape.
또한, 제 1 단위 화소를 구성하는 복수 개의 서브 화소의 화소 전극(150) 및 공통 전극(170)도 데이터 배선(DL)과 같이 제 1 방향으로 기울어지게 형성되며, 제 2 단위 화소를 구성하는 복수 개의 서브 화소의 화소 전극(150) 및 공통 전극(160) 역시 제 2 방향으로 기울어지게 형성된다. 이 때, 제 1 방향과 제 2 방향은 단위 화소를 구분하는 데이터 배선(DL)을 기준으로 대칭이며, 제 1 방향과 제 2 방향은 단위 화소를 구분하는 데이터 배선(DL)과 약 5° ~ 7°정도의 각도를 갖는다.In addition, the
도 3은 본 발명의 액정 표시 장치의 전계 왜곡(Disclination) 영역을 나타낸 평면도이다.3 is a plan view illustrating a field distortion region of the liquid crystal display of the present invention.
도 3과 같이, G 서브 화소의 화소 전극(150) 및 공통 전극(170)은 인접한 데이터 배선(DL)과 평행한 방향으로 형성되므로, G 서브 화소에서는 전계 왜곡(Disclination)이 발생하지 않는다. 그리고, R 서브 화소 및 B 서브 화소는 게이트 배선(GL)과 수직인 데이터 배선(DL)과 인접하므로, R 서브 화소 및 B 서브 화소는 화소 전극(150)과 공통 전극(170)이 형성되지 않는 영역 즉, 단위 화소를 구분하는 데이터 배선(DL)과 인접한 영역에서 전계가 왜곡된다.As shown in FIG. 3, the
즉, 상기와 같은 본 발명의 액정 표시 장치는 단위 화소 내의 화소 전극(150) 및 공통 전극(170)이 데이터 배선(DL)과 평행한 방향으로 형성된다. 따라서, 단위 화소의 가운데 서브 화소, 즉, 일반적으로, R 서브 화소 및 B 서브 화소에 비해 휘도 향상에 가장 크게 기여하는 G 서브 화소의 화소 전극(150) 및 공통 전극(170)은 G 서브 화소 양 측의 데이터 배선(DL)과 평행한 방향으로 형성되므로, 전계 왜곡(Disclination) 영역을 갖지 않는다. 그리고, 단위 화소의 양 측의 서브 화소, 즉, R 서브 화소와 B 서브 화소의 가장자리에서만 전계 왜곡 영역(A)이 발생하므로, 하나의 단위 화소 에서 2개의 전계 왜곡 영역만을 갖는다.That is, in the liquid crystal display of the present invention as described above, the
이에 따라, 본 발명의 액정 표시 장치는 전계 왜곡 영역(A)을 감소시켜, 전계 왜곡 영역(A)으로 인해 액정 표시 장치의 개구율 및 투과율이 감소하는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, the liquid crystal display of the present invention can reduce the electric field distortion region A, thereby preventing the aperture ratio and transmittance of the liquid crystal display apparatus from decreasing due to the electric field distortion region A. FIG.
특히, 해상도가 312ppi(Pixel Per Inch)인 일반적인 액정 표시 장치는 R, G, B 서브 화소가 모두 2개의 전계 왜곡 영역을 가지며, 모두 동일한 모양으로 형성되므로, 투과율이 동일하다. 그러나, 해상도가 312ppi인 본 발명의 액정 표시 장치는 R, G, B 서브 화소의 투과율이 일반적인 액정 표시 장치의 R, G, B 서브 화소보다 높다. 이는, 본 발명의 액정 표시 장치는 G 서브 화소는 전계 왜곡 영역을 갖지 않고, R 서브 화소와 B 서브 화소만이 각각 1개의 전계 왜곡 영역을 갖기 때문이다.In particular, in a general liquid crystal display having a resolution of 312 ppi (Pixel Per Inch), since the R, G, and B sub-pixels have two field distortion regions, all are formed in the same shape, the transmittance is the same. However, in the liquid crystal display device of the present invention having a resolution of 312 ppi, the transmittance of the R, G, and B sub pixels is higher than that of the R, G, and B sub pixels of a general liquid crystal display device. This is because in the liquid crystal display of the present invention, the G subpixel does not have an electric field distortion region, and only the R subpixel and the B subpixel have one electric field distortion region.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 액정 표시 장치의 제조 방법 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a manufacturing method of a liquid crystal display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 액정 표시 장치의 제조 단계를 나타낸 공정 단면도이며, 도 5a와 도 5f는 본 발명의 액정 표시 장치의 제조 단계를 나타낸 공정 평면도이다.4A to 4F are process cross-sectional views showing the manufacturing steps of the liquid crystal display of the present invention, and FIGS. 5A and 5F are process plan views showing the manufacturing steps of the liquid crystal display of the present invention.
도 4a, 도 5a와 같이, 기판(100) 상에 게이트 배선(GL)과 게이트 전극(110)을 형성한다. 게이트 전극(110)은 게이트 배선(GL)에서 돌출 형성되거나 게이트 배선(GL)의 일부 영역으로 정의된다. 그리고, 도 4b, 도 5b와 같이, 게이트 배선(GL)과 게이트 전극(110)을 포함한 기판(100) 전면에 게이트 절연막(111)을 형성하고, 게이트 절연막(111) 상에 액티브층(120a)과 오믹콘택층(120b)이 차례로 적층된 구조의 반도체층(120)을 형성한다.As shown in FIGS. 4A and 5A, a gate line GL and a
이어, 도 4c, 도 5c와 같이, 반도체층(120)을 포함한 게이트 절연막(111) 전면에 데이터 금속층을 형성하고, 데이터 금속층을 패터닝하여, 데이터 배선(DL), 데이터 배선(DL)과 접속된 소스 전극(130a), 소스 전극(130a)과 일정 간격 이격된 드레인 전극(130b)을 형성하고, 소스 전극(130a)과 드레인 전극(130b)의 이격된 구간에 대응되는 오믹접촉층(120b)을 제거하여 채널을 형성한다. 도시하지는 않았으나, 반도체층(120), 데이터 배선(DL), 소스 전극(130a) 및 드레인 전극(130b)은 하나의 마스크를 이용하여 형성하여도 무방하다.4C and 5C, a data metal layer is formed on the entire surface of the gate insulating layer 111 including the
데이터 배선(DL)은 게이트 절연막(111)을 사이에 두고 게이트 배선(GL)과 서로 교차하도록 형성되어, 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)의 교차로 마련된 영역마다 서브 화소가 형성된다. 이로써, 각 서브 화소에 게이트 전극(110), 게이트 절연막(111), 반도체층(120), 소스 전극(130a) 및 드레인 전극(130b)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다.The data line DL is formed to intersect the gate line GL with the gate insulating layer 111 interposed therebetween, so that the sub-pixels are formed in each region provided at the intersection of the gate line GL and the data line DL. As a result, a thin film transistor TFT including a
특히, 동일한 게이트 배선(GL)과 접속되는 복수 개의 서브 화소가 하나의 단위 화소를 구성하며, 인접한 단위 화소 사이의 데이터 배선(DL)은 게이트 배선(GL)과 수직 교차하도록 형성한다. 그리고, 데이터 배선(DL)을 기준으로 좌측에 위치하는 제 1 단위 화소 내의 데이터 배선(DL)을 제 1 방향으로 기울어지게 형성하며, 데이터 배선(DL)을 기준으로 우측에 위치하는 제 2 단위 화소 내의 데이터 배선을 제 2 방향으로 기울어지게 형성한다. 이 때, 제 1 방향과 제 2 방향은 게이트 배선(GL)과 수직인 데이터 배선(DL)을 기준으로 대칭인 것이 바람직하다.In particular, a plurality of sub-pixels connected to the same gate line GL form one unit pixel, and the data line DL between adjacent unit pixels is formed to vertically cross the gate line GL. The data line DL in the first unit pixel positioned on the left side of the data line DL is inclined in the first direction and the second unit pixel positioned on the right side of the data line DL. The data wirings are formed to be inclined in the second direction. In this case, the first direction and the second direction are preferably symmetric with respect to the data line DL perpendicular to the gate line GL.
이어, 도 4d, 도 5d와 같이, 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 차례로 제 1, 제 2 보호막(140a, 140b)을 형성한다. 이 때, 제 1 보호막(140a)은 무기 보호막이며, 제 2 보호막(140b)은 유기 보호막인 것이 바람직하다. 그리고, 제 1, 제 2 보호막(140a, 140b)을 선택적으로 제거하여, 드레인 전극(130b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(140h)을 형성한다.Next, as shown in FIGS. 4D and 5D, the first and
도 4e, 도 5e와 같이, 제 2 보호막(140b) 전면에 TO(Tin Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등과 같은 투명 전도성 물질을 형성하고, 투명 전도성 물질을 패터닝하여, 드레인 콘택홀(140h)을 통해 드레인 전극(130b)과 접속하는 화소 전극(150)을 형성한다. 화소 전극(150)은 통전극 형태로 형성되며, 제 1 단위 화소 내의 화소 전극(150)은 제 1 단위 화소의 데이터 배선(DL)과 같이 제 1 방향으로 기울어지게 형성하며, 제 2 단위 화소 내의 화소 전극(150)은 데이터 배선(DL)과 같이 제 2 방향으로 기울어지게 형성한다.As shown in FIGS. 4E and 5E, a transparent conductive material such as tin oxide (TO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium tin zinc oxide (ITZO) is formed on the entire surface of the second passivation layer 140b. The transparent conductive material is patterned to form the
그리고, 도 4f, 도 5f와 같이, 화소 전극(150)을 덮도록 절연막(160)을 형성하고, 절연막(160) 상에 화소 전극(150)과 중첩되는 복수 개의 슬릿 형태의 공통 전극(170)을 형성한다. 이 때, 제 1 단위 화소 내의 공통 전극(170)은 제 1 단위 화소의 데이터 배선(DL)과 같이 제 1 방향으로 기울어지게 형성하며, 제 2 단위 화소 내의 공통 전극(170) 역시, 데이터 배선(DL)과 같이 제 2 방향으로 기울어지게 형성한다.4F and 5F, the insulating
공통 전극(170)은 절연막(160)을 사이에 두고 화소 전극(150)과 프린지 전계를 형성한다. 그리고, 프린지 전계에 의해 액정 분자들이 유전 이방성에 의해 회전하며, 액정 분자들의 회전 정도에 따라 서브 화소를 투과하는 광 투과율이 달라져 화상이 구현된다. 한편, 도시하지는 않았으나, 제 2 보호막(140b) 상에 통 전극 형태의 공통 전극(170)이 형성되고, 절연막(160) 상에 복수 개의 슬릿 형태의 화소 전극(150)이 형성되어도 무방하다.The
상기와 같은 본 발명의 액정 표시 장치는 단위 화소 내의 화소 전극(150) 및 공통 전극(170)이 데이터 배선(DL)과 평행한 방향으로 형성된다. 따라서, 단위 화소의 가운데 서브 화소의 화소 전극(150) 및 공통 전극(170)은 서브 화소 양 측의 데이터 배선(DL)과 평행한 방향으로 형성되므로, 전계 왜곡(Disclination) 영역을 갖지 않고, 단위 화소의 양 측의 서브 화소는 게이트 배선(GL)과 수직인 데이터 배선(DL)과 인접하므로, 가장자리에서 전계 왜곡 영역(A)이 발생한다.In the liquid crystal display of the present invention as described above, the
즉, 본 발명의 액정 표시 장치는 하나의 단위 화소에서 2개의 전계 왜곡 영역만을 갖는다. 이에 따라, 본 발명의 액정 표시 장치는 전계 왜곡 영역(A)을 감소시켜, 전계 왜곡 영역(A)으로 인해 액정 표시 장치의 개구율 및 투과율이 감소하는 것을 방지할 수 있다.That is, the liquid crystal display of the present invention has only two field distortion regions in one unit pixel. Accordingly, the liquid crystal display of the present invention can reduce the electric field distortion region A, thereby preventing the aperture ratio and transmittance of the liquid crystal display apparatus from decreasing due to the electric field distortion region A. FIG.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Will be apparent to those of ordinary skill in the art.
DL: 데이터 배선 GL: 게이트 배선
100: 기판 110: 게이트 전극
111: 게이트 절연막 120: 반도체층
120a: 액티브층 120b: 오믹콘택층
130a: 소스 전극 130b: 드레인 전극
140a: 제 1 보호막 140b: 제 2 보호막
140h: 드레인 콘택홀 150: 화소 전극
160: 절연막 170: 공통 전극DL: Data line GL: Gate line
100: substrate 110: gate electrode
111: gate insulating film 120: semiconductor layer
120a:
130a:
140a: first protective film 140b: second protective film
140h: drain contact hole 150: pixel electrode
160: insulating film 170: common electrode
Claims (8)
상기 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선; 및
상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차로 마련된 영역마다 형성되는 복수 개의 서브 화소로 이루어진 단위 화소를 구비하며,
동일한 상기 게이트 라인과 접속되는 상기 단위 화소 사이에 위치하는 상기 데이터 배선을 기준으로 좌측에 위치하는 제 1 단위 화소 내에 위치하는 상기 데이터 배선들은 제 1 방향으로 기울어지게 형성되고,
상기 데이터 배선을 기준으로 우측에 위치하는 제 2 단위 화소 내에 위치하는 상기 데이터 배선들은 제 2 방향으로 기울어지게 형성되며,
상기 제 1 방향과 제 2 방향은 상기 데이터 배선을 기준으로 대칭인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.A gate wiring formed on the substrate;
A data line crossing the gate line; And
A unit pixel including a plurality of sub-pixels formed in each region provided at the intersection of the gate wiring and the data wiring;
The data wires positioned in the first unit pixel on the left side are formed to be inclined in a first direction with respect to the data wires positioned between the unit pixels connected to the same gate line.
The data lines positioned in the second unit pixel positioned on the right side of the data line are inclined in the second direction.
And the first and second directions are symmetrical with respect to the data line.
상기 제 1 단위 화소와 제 2 단위 화소 사이의 데이터 배선은 상기 게이트 배선과 수직인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.The method of claim 1,
And a data line between the first unit pixel and the second unit pixel is perpendicular to the gate line.
상기 서브 화소는 상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터를 덮도록 형성된 제 1 절연막;
상기 제 1 절연막 상에 형성되며, 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 화소 전극;
상기 화소 전극 상에 형성되는 제 2 절연막; 및
상기 제 2 절연막을 사이에 두고 상기 화소 전극과 프린지 전계를 이루는 공통 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.The method of claim 1,
The sub pixel may include a thin film transistor formed on the substrate;
A first insulating film formed to cover the thin film transistor;
A pixel electrode formed on the first insulating film and connected to the thin film transistor;
A second insulating film formed on the pixel electrode; And
And a common electrode forming a fringe electric field with the pixel electrode with the second insulating layer therebetween.
상기 화소 전극과 공통 전극은 상기 데이터 배선과 평행한 방향으로 기울어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.The method of claim 3, wherein
And the pixel electrode and the common electrode are inclined in a direction parallel to the data line.
상기 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선을 형성하는 단계; 및
상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차로 마련된 영역마다 형성되는 복수 개의 서브 화소로 이루어진 단위 화소를 구비하는 단계를 포함하며,
동일한 상기 게이트 라인과 접속되는 상기 단위 화소 사이에 위치하는 상기 데이터 배선을 기준으로 좌측에 위치하는 제 1 단위 화소 내에 위치하는 상기 데이터 배선들을 제 1 방향으로 기울어지게 형성하고,
상기 데이터 배선을 기준으로 우측에 위치하는 제 2 단위 화소 내에 위치하는 상기 데이터 배선들을 제 2 방향으로 기울어지게 형성하며,
상기 제 1 방향과 제 2 방향은 상기 데이터 배선을 기준으로 대칭인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.Forming a gate wiring on the substrate;
Forming a data line crossing the gate line; And
Comprising the step of having a unit pixel consisting of a plurality of sub-pixels formed for each area provided at the intersection of the gate wiring and the data wiring,
The data lines positioned in the first unit pixel on the left side are inclined in a first direction with respect to the data lines positioned between the unit pixels connected to the same gate line,
The data lines positioned in the second unit pixel positioned on the right side of the data line are inclined in the second direction.
And the first direction and the second direction are symmetrical with respect to the data line.
상기 제 1 단위 화소와 제 2 단위 화소 사이의 데이터 배선을 상기 게이트 배선과 수직인 방향으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 5, wherein
And forming a data line between the first unit pixel and the second unit pixel in a direction perpendicular to the gate line.
상기 서브 화소는 상기 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터를 덮도록 제 1 절연막을 형성하는 단계;
상기 제 1 절연막 상에 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 화소 전극을 형성하는 단계;
상기 화소 전극 상에 제 2 절연막을 형성하는 단계; 및
상기 제 2 절연막을 사이에 두고 상기 화소 전극과 프린지 전계를 이루는 공통 전극을 형성하는 단계를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 5, wherein
Forming a thin film transistor on the substrate;
Forming a first insulating film to cover the thin film transistor;
Forming a pixel electrode connected to the thin film transistor on the first insulating film;
Forming a second insulating film on the pixel electrode; And
And forming a common electrode constituting a fringe electric field with the pixel electrode with the second insulating film interposed therebetween.
상기 화소 전극과 공통 전극은 상기 데이터 배선과 평행한 방향으로 기울어지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 7, wherein
The pixel electrode and the common electrode are formed to be inclined in a direction parallel to the data line.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120045896A KR101888446B1 (en) | 2012-05-01 | 2012-05-01 | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120045896A KR101888446B1 (en) | 2012-05-01 | 2012-05-01 | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130122824A true KR20130122824A (en) | 2013-11-11 |
KR101888446B1 KR101888446B1 (en) | 2018-08-16 |
Family
ID=49852354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120045896A KR101888446B1 (en) | 2012-05-01 | 2012-05-01 | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101888446B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10365517B2 (en) | 2015-01-19 | 2019-07-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050040621A (en) * | 2003-10-29 | 2005-05-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | In plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method threrof |
KR20050053098A (en) * | 2003-12-02 | 2005-06-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | In-plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same |
KR20050096753A (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | In plane switching mode liquid crystal display device preventing light leakage |
KR20050111967A (en) * | 2004-05-24 | 2005-11-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | An array substrate for in-plane switching mode lcd |
KR20080102045A (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display panel of horizontal electronic fileld applying type and method of fabricating the same |
-
2012
- 2012-05-01 KR KR1020120045896A patent/KR101888446B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050040621A (en) * | 2003-10-29 | 2005-05-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | In plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method threrof |
KR20050053098A (en) * | 2003-12-02 | 2005-06-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | In-plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same |
KR20050096753A (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | In plane switching mode liquid crystal display device preventing light leakage |
KR20050111967A (en) * | 2004-05-24 | 2005-11-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | An array substrate for in-plane switching mode lcd |
KR20080102045A (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display panel of horizontal electronic fileld applying type and method of fabricating the same |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10365517B2 (en) | 2015-01-19 | 2019-07-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101888446B1 (en) | 2018-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101611923B1 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
US8125603B2 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
KR101888422B1 (en) | Thin film transistor substrate and method of fabricating the same | |
US8493523B2 (en) | Liquid crystal display with two sub-pixel regions and a storage capacitor | |
KR101622655B1 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
KR100643039B1 (en) | In-Plane Switching Mode Liquid Crystal Display Device | |
US8570465B2 (en) | Liquid crystal display | |
KR102605983B1 (en) | Display apparatus | |
KR20080049366A (en) | Thin film transistor substrate and display device having the same | |
US20110090417A1 (en) | Liquid crystal display with improved side visibility and fabrication method thereof | |
US8432501B2 (en) | Liquid crystal display with improved side visibility | |
US20150055043A1 (en) | Liquid crystal display device | |
KR101283365B1 (en) | Liquid crystal display device | |
KR102000042B1 (en) | Liquid crystal display device | |
KR20080076466A (en) | Array substrate and display panel having the same | |
KR101888446B1 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
KR102294632B1 (en) | Fringe field switching mode liquid crystal display device | |
KR101903604B1 (en) | Array substrate for In-Plane switching mode liquid crystal display device | |
KR100989165B1 (en) | In-Plane Switching Mode Liquid Crystal Display device and method for fabricating the same | |
KR20130019570A (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
KR100918651B1 (en) | Liquid Crystal Display Device in In-Plane Switching mode and method for Manufacturing the same | |
KR20060001248A (en) | Liquid crystal display device | |
KR20080077733A (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
KR100628270B1 (en) | In-Plane Switching mode Liquid Crystal Display and method of Manufacturing the same | |
JP2012234212A (en) | Active matrix substrate and liquid crystal panel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |