KR20130121402A - 반도체 패키지 모듈 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 일면에 접속 패드가 형성된 회로 기판, 하우징 외부로 돌출된 리드 단자를 포함하는 반도체 패키지 및 회로 기판과 반도체 패키지 사이에 위치하며, 회로 기판과 반도체 패키지를 상호 이격시키는 몸체와 접속 패드 및 리드 단자와 접촉되는 탄성부재를 포함하는 인터포저를 포함하는 반도체 패키지 모듈이 제공될 수 있다.

Description

반도체 패키지 모듈{SEMICONDUCTOR PACKAGE MODULE}
본 발명은 반도체 패키지 모듈에 관한 것이다.
반도체 패키지는 하나 이상의 반도체 칩을 리드 프레임이나 인쇄회로기판상에 탑재하고 봉합 수지 또는 하우징으로 내부를 보호하도록 형성될 수 있다. 이와 같은 반도체 패키지는 메인 보드(Main Board), PCB(Printed Circuit Board, 인쇄회로기판) 또는 PBA(Printed Board Assembly, 회로 기판 어셈블리) 등과 같은 회로 기판에 실장될 수 있다. 종래에는 반도체 패키지의 외부 리드 단자가 회로 기판의 접속 패드에 관통 삽입하여 반도체 패키지와 회로 기판은 결합된다. 또한, 반도체 패키지의 외부 리드 단자를 회로 기판의 접속 패드에 납땜하여 반도체 패키지와 회로 기판은 결합된다. 종래에는 이와 같은 방법에 의해서 반도체 패키지와 회로 기판이 결합됨으로써, 반도체 패키지와 회로 기판이 전기적으로 연결된다.(미국 등록 특허 제4980753호)
본 발명은 비솔더링 방식으로 반도체 패키지와 회로 기판을 전기적으로 연결할 수 있는 반도체 패키지 모듈에 관한 것이다.
본 발명은 비솔더링 방식으로 반도체 패키지와 회로 기판을 결합함으로써, 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있는 반도체 패키지 모듈에 관한 것이다.
본 발명은 비솔더링 방식으로 반도체 패키지와 회로 기판을 결합함으로써, 외부의 물리적 충격에 대한 내구성을 향상시킬 수 있는 반도체 패키지 모듈에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 일면에 접속 패드가 형성된 회로 기판, 하우징 외부로 돌출된 리드 단자를 포함하는 반도체 패키지 및 상기 회로 기판과 상기 반도체 패키지 사이에 위치하며, 상기 회로 기판과 상기 반도체 패키지를 상호 이격시키는 몸체와 상기 접속 패드 및 상기 리드 단자와 접촉되는 탄성부재를 포함하는 인터포저를 포함하는 반도체 패키지 모듈이 제공될 수 있다.
상기 몸체는 상기 탄성부재가 장착되는 탄성부재 장착부를 포함할 수 있다.
상기 탄성부재 장착부는 상기 몸체를 관통하는 관통홀 형태일 수 있다.
상기 탄성부재 장착부는, 상기 탄성부재가 고정되는 탄성부재 고정부를 포함할 수 있다.
상기 탄성부재 고정부는 상기 탄성부재 장착부의 양측 내벽으로부터 중앙으로 돌출되는 한 쌍으로 형성될 수 있다.
상기 탄성부재는 상기 회로 기판의 상기 접속 패드와 접촉되는 패드 접속부, 상기 반도체 패키지의 상기 리드 단자가 삽입되는 리드 삽입부 및 상기 몸체의 상기 탄성부재 고정부에 고정되는 고정부를 포함할 수 있다.
상기 탄성부재는 일체형으로 형성될 수 있다.
상기 탄성부재의 상기 패드 접속부, 상기 리드 삽입부 및 상기 고정부는 상호 절곡되어 연결될 수 있다.
상기 탄성부재는 상기 탄성부재 장착부의 일측 내벽에 형성된 상기 탄성부재 고정부인 제1 탄성부재 고정부의 하면에 고정되는 제1 하고정부, 상기 제1 하고정부의 일측에서 상방향 내측으로 절곡되는 제1 절곡부, 상기 제1 절곡부의 일측에서 하방향 외측으로 절곡되는 제2 절곡부, 상기 제2 절곡부의 일측에서 상방향 외측으로 절곡되며, 상기 제1 탄성부재 고정부 상면에 고정되는 제1 상고정부, 상기 제1 상고정부의 일측에서 내측으로 절곡되는 제1 패드 접속부, 상기 탄성부재 장착부의 타측 내벽에 형성된 상기 탄성부재 고정부인 제2 탄성부재 고정부의 하면에 고정되는 제2 하고정부, 상기 제2 하고정부의 일측에서 상방향 내측으로 절곡되는 제3 절곡부, 상기 제3 절곡부의 일측에서 하방향 외측으로 절곡되는 제4 절곡부, 상기 제4 절곡부의 일측에서 상방향 외측으로 절곡되며, 상기 제2 탄성부재 고정부의 상면에 고정되는 제2 상고정부 및 상기 제2 상고정부의 일측에서 내측으로 절곡되며, 일측이 상기 제1 패드 접속부의 일측과 연결되는 제2 패드 접속부를 포함할 수 있다.
상기 탄성부재는 상기 제2 절곡부와 상기 제4 절곡부 사이에 상기 반도체 패키지의 상기 리드 단자가 삽입 고정될 수 있다.
상기 제1 패드 접속부 및 상기 제2 패드 접속부는 상기 회로 기판의 상기 접속 패드와 접촉될 수 있다.
상기 몸체는 절연 물질로 형성되며, 상기 탄성부재는 전도성 물질로 형성될 수 있다.
상기 몸체는 상면 및 하면 중 적어도 일면에서 두께 방향으로 돌출되도록 형성된 한 개 이상의 돌기를 더 포함할 수 있다.
상기 반도체 패키지는 전력 소자 및 제어 소자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 반도체 패키지는 전력 소자 및 하우징 외부로 돌출된 상기 리드 단자를 포함하는 제1 반도체 패키지 및 제어 소자 및 상기 리드 단자와 전기적으로 연결되는 제어 기판을 포함하는 제2 반도체 패키지를 포함할 수 있다.
상기 리드 단자는 상기 제어 기판에 관통 삽입될 수 있다.
상기 제어 소자는 상기 인터포저의 몸체 내부에 삽입될 수 있다.
상기 반도체 패키지의 하부에 형성되는 방열 수단을 더 포함할 수 있다.
상기 회로 기판, 반도체 패키지, 인터포저 및 방열 수단은 체결 수단에 의해서 상호 고정될 수 있다.
상기 체결 수단은 볼트일 수 있다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 패키지 모듈은 비솔더링 방식으로 반도체 패키지와 회로 기판을 결합함으로써, 열팽창 계수 차이에 의한 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 패키지 모듈은 비솔더링 방식으로 반도체 패키지와 회로 기판을 결합함으로써, 반도체 패키지 및 회로 기판이 열에 의해서 손상되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 패키지 모듈은 비솔더링 방식으로 반도체 패키지와 회로 기판을 결합함으로써, 외부의 물리적 충격에 대한 내구성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 패키지 모듈을 나타낸 예시도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 인터포저의 단면을 나타낸 예시도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 탄성부재를 나타낸 예시도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 리드 단자 및 접속 패드와 접촉된 탄성부재를 나타낸 예시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 패키지 모듈을 나타낸 예시도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 반도체 패키지 모듈을 나타낸 예시도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 반도체 패키지 모듈을 나타낸 예시도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 반도체 패키지 모듈을 나타낸 예시도이다.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시 예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, "제1", "제2", "일면", "타면" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다. 이하, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지 기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 패키지 모듈을 나타낸 예시도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 패키지 모듈은 회로 기판(100), 반도체 패키지(200) 및 인터포저(300)를 포함할 수 있다.
회로 기판(100)은 회로층이 형성된 인쇄회로 기판일 수 있다. 또는 회로 기판(100)은 회로층이 형성된 기판에 반도체 칩이 구비된 형태일 수 있다. 여기서, 반도체 칩은 회로층과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 회로 기판(100)은 PBA(Printed Board Assembly)일 수 있다. 회로 기판(100)은 일면에는 접속 패드(110)가 형성될 수 있다. 접속 패드(110)는 회로 기판(100)에 형성된 회로층 또는 반도체 칩과 전기적으로 연결될 수 있다.
반도체 패키지(200)는 전력 소자 또는 제어 소자를 포함할 수 있다. 반도체 패키지(200)는 하우징(210) 내부에 전력 소자, 제어 소자 또는 인쇄회로 기판 등과 같은 구성부를 위치시켜 패키징하는 형태가 될 수 있다. 전력 소자 및 제어 소자는 와이어(Wire) 또는 리드 프레임(Lead Frame)에 의해서 반도체 패키지(200) 내부의 인쇄회로 기판과 전기적으로 연결될 수 있다.
반도체 패키지(200)는 하우징(210) 내부에서 외부로 돌출되도록 형성된 리드 단자(220)를 포함할 수 있다. 리드 단자(220)는 반도체 패키지(200)의 내부 구성부와 외부 구성부를 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 리드 단자(220)를 통해서 반도체 패키지(200) 내부의 구성부와 회로 기판(100) 또는 인터포저(300)의 탄성부재(320)가 전기적으로 연결될 수 있다.
인터포저(300)는 반도체 패키지(200)와 회로 기판(100)을 전기적으로 연결하기 위한 구성부이다. 인터포저(300)는 몸체(310) 및 탄성부재(320)를 포함할 수 있다. 몸체(310)는 절연 물질로 형성될 수 있다. 몸체(310)는 반도체 패키지(200)와 회로 기판(100)을 일정 거리 이격시킬 수 있다. 몸체(310)는 상면 및 하면에 돌기(311)가 형성될 수 있다. 돌기(311)는 몸체(310)의 상면 및 하면에서 두께 방향으로 돌출되도록 형성될 수 있다. 돌기(311) 역시, 반도체 패키지(200) 또는 회로 기판(100) 간의 이격 거리를 유지하기 위해서 형성될 수 있다. 돌기(311)는 한 개 이상 형성될 수 있다.
탄성부재(320)는 몸체(310) 내부에 장착될 수 있다. 또한, 탄성부재(320)는 전도성 물질로 형성될 수 있다. 탄성부재(320)는 반도체 패키지(200)의 리드 단자(220)와 접촉될 수 있다. 또한, 탄성부재(320)는 회로 기판(100)의 접속 패드(110)와 접촉될 수 있다. 탄성부재(320)는 리드 단자(220)와 접속 패드(110)에 각각 접촉됨으로써, 리드 단자(220)와 접속 패드(110)를 전기적으로 연결할 수 있다. 즉, 탄성부재(320)에 의해서 반도체 패키지(200)와 회로 기판(100)이 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 패키지 모듈은 인터포저(300)에 의해서 반도체 패키지(200)와 회로 기판(100)이 비솔더링 방식으로 연결될 수 있다. 즉, 반도체 패키지(200)의 리드 단자(220) 및 회로 기판(100)의 접속 패드(110)가 전도성 물질인 탄성부재(320)와 각각 접촉됨으로써, 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 같이 인터포저(300)에 의해서 반도체 패키지(200)와 회로 기판(100)에 솔더링에 의한 열적 손상을 방지할 수 있다. 또한, 인터포저(300)는 종래의 솔더링 방식에 의해 반도체 패키지(200)와 회로 기판(100) 간의 열팽창계수의 차이에 의한 크랙 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 인터포저(300)는 반도체 패키지(200)와 회로 기판(100)에 각각 접촉되어 전기적으로 연결되는 것이므로, 외부적인 충격 등에 의해서 반도체 패키지(200)와 회로 기판(100) 간의 전기적 연결 불량을 감소시킬 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 인터포저의 단면을 나타낸 예시도이다.
인터포저(300)는 반도체 패키지(200)와 회로 기판(100)을 전기적으로 연결하기 위한 구성부이다.
도 2를 참조하면, 인터포저(300)는 몸체(310) 및 탄성부재(320)를 포함할 수 있다. 몸체(310)는 반도체 패키지(200)와 회로 기판(100)을 일정 거리 이격시킬 수 있다. 몸체(310)는 탄성부재(320)가 장착되는 탄성부재 장착부(312)를 포함할 수 있다. 탄성부재 장착부(312)는 몸체(310)를 관통하는 관통홀 형태로 형성될 수 있다. 이와 같이 관통홀 형태의 탄성부재 장착부(312)에 탄성부재(320)가 삽입 장착될 수 있다. 탄성부재 장착부(312)에는 삽입된 탄성부재(320)를 고정하기 위한 탄성부재 고정부(313)를 포함할 수 있다. 탄성부재 고정부(313)는 탄성부재 장착부(312)의 양측 내벽으로부터 중앙으로 돌출되는 한 쌍으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 탄성부재 고정부(313)는 탄성부재 장착부(312)의 일측 내벽에 형성되는 제1 탄성부재 고정부(314)를 포함할 수 있다. 또한, 탄성부재 고정부(313)는 탄성부재 장착부(312)의 타측 내벽에 형성되는 제2 탄성부재 고정부(315)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 탄성부재 고정부(314)와 제2 탄성부재 고정부(315)는 상호 대향 되도록 형성될 수 있다. 제1 탄성부재 고정부(314)는 탄성부재(320)의 일측 일부에 삽입됨으로써, 탄성부재(320)의 일측과 제1 탄성부재 고정부(314)가 상호 장착 및 고정될 수 있다. 또한, 제2 탄성부재 고정부(315)는 탄성부재(320)의 타측 일부에 삽입됨으로써, 탄성부재(320)의 타측과 제2 탄성부재 고정부(315)가 상호 장착 및 고정될 수 있다.
몸체(310)는 상면 및 하면에 돌기(311)가 형성될 수 있다. 돌기(311)는 몸체(310)의 상면 및 하면에서 외부로 돌출되도록 형성될 수 있다. 돌기(311)는 반도체 패키지(200) 또는 회로 기판(100) 간의 이격 거리를 유지하기 위해서 형성될 수 있다. 돌기(311)는 한 개 이상 형성될 수 있다.
이와 같이 형성되는 몸체(310)는 절연 물질로 형성될 수 있다.
몸체(310)는 반도체 패키지(200)와 회로 기판(100) 간의 일정 거리 이격뿐만 아니라, 탄성부재(320)가 일정한 압력을 유지할 수 있도록 할 수 있다. 탄성부재(320)가 반도체 패키지(200)의 리드 단자(220)를 삽입 고정시키기 위해서는 양 측면으로부터 일정한 압력이 가해져야 한다. 만약, 몸체(310)에 의해서 탄성부재(320)의 양 측면에 일정한 압력이 가해지지 않는다면, 탄성부재(320)에 삽입된 리드 단자(220)를 고정하기 어려울 것이다. 또한, 리드 단자(220)가 탄성부재(320)에 삽입 고정되지 않는다면, 상호 전기적 연결이 어려울 것이다. 이와 같이, 탄성부재(320)는 몸체(310)에 의해서 양 측면에 일정한 압력을 유지함으로써, 반도체 패키지(200)의 리드 단자(220)와 신뢰성 있는 접촉을 유지할 수 있다.
또한, 몸체(310)가 탄성부재(320)의 양 측면에 일정한 압력을 가함으로써, 탄성부재(320)가 일정한 높이를 유지할 수 있다. 만약, 몸체(310)에 의해서 탄성부재(320)의 양 측면에 일정한 압력이 가해지지 않는다면, 추후 반도체 패키지 모듈의 나사 체결 시, 상부 및 하부에서 발생하는 압력에 의해서, 탄성부재(320)는 일정한 높이를 유지하기 어려울 것이다. 탄성부재(320)가 일정한 높이를 유지하기 어려운 경우, 탄성부재(320)의 상부에 위치한 회로 기판(100)의 접속 패드(110)와 신뢰성 있는 전기적 연결이 어려울 것이다. 이와 같이, 탄성부재(320)가 몸체(310)에 의해서 일정한 높이를 유지함으로써, 회로 기판(100)의 접속 패드(110)와 신뢰성 있는 접촉을 유지할 수 있다.
탄성부재(320)는 몸체(310)의 탄성부재 장착부(312)에 삽입 장착될 수 있다. 탄성부재(320)는 회로 기판(100)과 반도체 패키지(200)를 전기적으로 연결할 수 있다. 즉, 탄성부재(320)는 탄성부재 장착부(312)의 하부로 삽입된 반도체 패키지(200)의 리드 단자(220)와 접촉될 수 있다. 또한, 탄성부재(320)는 탄성부재 장착부(312)의 상부에 위치하는 회로 기판(100)의 접속 패드(110)와 접촉될 수 있다. 이와 같이 탄성부재(320)에 리드 단자(220)와 접속 패드(110)에 각각 접촉됨으로써, 반도체 패키지(200)와 회로 기판(100)을 전기적으로 연결할 수 있다. 탄성부재(320)는 전도성 물질로 형성될 수 있다. 또한, 탄성부재(320)는 탄성 물질로 형성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 탄성부재를 나타낸 예시도이다.
도 3을 참조하면, 탄성부재(320)는 기능에 따라 패드 접속부(331), 리드 삽입부(340) 및 고정부(350)를 포함할 수 있다.
패드 접속부(331)는 회로 기판(100)의 접속 패드(110)와 접촉될 수 있다.
리드 삽입부(340)는 반도체 패키지(200)의 리드 단자(220)가 삽입될 수 있다.
고정부(350)는 몸체(310)의 탄성부재 고정부(313)에 고정될 수 있다.
또한, 탄성부재(320)는 일체형으로 형성될 수 있다. 즉, 패드 접속부(331), 리드 삽입부(340) 및 고정부(350)는 일체형으로 형성될 수 있다. 또한, 패드 접속부(331), 리드 삽입부(340) 및 고정부(350)는 일체형으로 형성되되, 각각 절곡되어 연결될 수 있다.
고정부(350)는 제1 하고정부(351), 제2 하고정부(353), 제1 상고정부(352) 및 제2 상고정부(354)를 포함할 수 있다.
또한, 리드 삽입부(340)는 제1 절곡부(341), 제2 절곡부(342), 제2 절곡부(342), 제3 절곡부(343) 및 제4 절곡부(344)를 포함할 수 있다.
또한, 패드 접속부(331)는 제1 패드 접속부(331) 및 제2 패드 접속부(332)를 포함할 수 있다.
제1 하고정부(351)의 타측은 제1 탄성부재 고정부(314)의 하면에 고정될 수 있다.
제1 절곡부(341)는 제1 하고정부(351)의 일측에서 상방향 내측으로 절곡되는 형태로 형성될 수 있다.
제2 절곡부(342)는 제1 절곡부(341)의 일측에서 하방향 외측으로 절곡되는 형태로 형성될 수 있다.
제1 상고정부(352)는 제2 절곡부(342)의 일측에서 상방향 외측으로 절곡되는 형태로 형성될 수 있다. 또한, 제1 상고정부(352)는 제1 탄성부재 고정부(314)의 상면에 고정될 수 있다.
제1 패드 접속부(331)는 제1 상고정부(352)의 일측에서 내측으로 절곡되는 형태로 형성될 수 있다.
제2 하고정부(353)의 타측은 제2 탄성부재 고정부(315)의 하면에 고정될 수 있다.
제3 절곡부(343)는 제2 하고정부(353)의 일측에서 상방향 내측으로 절곡되는 형태로 형성될 수 있다.
제4 절곡부(344)는 제3 절곡부(343)의 일측에서 상방향 외측으로 절곡되는 형태로 형성될 수 있다.
제2 상고정부(354)는 제4 절곡부(344)의 일측에서 상방향 외측으로 절곡되는 형태로 형성될 수 있다. 또한, 제2 상고정부(354)는 제2 탄성부재 고정부(315)의 상면에 고정될 수 있다.
제2 패드 접속부(332)는 제2 상고정부(354)의 일측에서 내측으로 절곡되는 형태로 형성될 수 있다. 제2 패드 접속부(332)는 제1 패드 접속부(331)와 연결될 수 있다. 즉, 제1 패드 접속부(331)와 제2 패드 접속부(332)가 상호 연결됨으로써, 제1 절곡부(341) 일부와 제3 절곡부(343)의 일부는 상호 접촉된 상태이거나, 소정 간격 이격되도록 형성될 수 있다. 여기서 소정 간격은 리드 단자(220)의 두께 이하의 간격이 될 수 있다.
탄성부재(320)는 탄성 물질로 형성됨에 따라 제1 하고정부(351)는 상방향으로 탄성력이 발생하고, 제1 상고정부(352)는 하방향으로 탄성력이 발생할 수 있다. 이와 같은 탄성력에 의해서 제1 하고정부(351) 및 제1 상고정부(352) 사이에 제1 탄성부재 고정부(314)가 삽입 및 고정될 수 있다. 또한, 제2 하고정부(353)는 상방향으로 탄성력이 발생하고, 제2 상고정부(354)는 하방향으로 탄성력이 발생할 수 있다. 이와 같은 탄성력에 의해서 제2 하고정부(353) 및 제2 상고정부(354) 사이에 제2 탄성부재 고정부(315)가 삽입 및 고정될 수 있다.
이와 같이 제1 하고정부(351), 제2 하고정부(353), 제1 상고정부(352), 제2 상고정부(354), 제1 절곡부(341), 제2 절곡부(342), 제2 절곡부(342), 제3 절곡부(343), 제4 절곡부(344), 제1 패드 접속부(331) 및 제2 패드 접속부(332)가 상호 연결된 일체형으로 형성됨으로써, 도 3에 도시된 바와 같은 형태의 탄성부재(320)가 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 리드 단자 및 접속 패드와 접촉된 탄성부재를 나타낸 예시도이다.
도 4를 참조하면, 몸체(310)에 장착된 탄성부재(320)에는 반도체 패키지(200)의 리드 단자(220)가 삽입될 수 있다.
예를 들어, 리드 단자(220)는 몸체(310) 하부에서 탄성부재 장착부(312)로 삽입될 수 있다. 탄성부재 장착부(312)에 삽입된 리드 단자(220)는 탄성부재(320)의 제1 절곡부(341)와 제3 절곡부(343) 사이에 삽입될 수 있다. 제1 절곡부(341)와 제3 절곡부(343)는 상호 접촉된 상태이거나, 리드 단자(220)의 두께 이하의 간격 정도 이격되도록 형성될 수 있다. 제1 절곡부(341)와 제3 절곡부(343)는 탄성력을 갖기 때문에 이 사이에 리드 단자(220)가 삽입될 수 있다. 또한, 제1 절곡부(341)와 제3 절곡부(343)의 탄성력에 의해서 이 사이에 삽입된 리드 단자(220)가 탄성부재(320)에 고정될 수 있다.
또한, 몸체(310)에 장착된 탄성부재(320)는 회로 기판(100)의 접속 패드(110)와 접촉될 수 있다.
예를 들어, 인터포저(300)의 상부에 회로 기판(100)이 장착되는 경우, 탄성부재(320)의 제1 패드 접속부(331) 및 제2 패드 접속부(332)는 회로 기판(100)의 접속 패드(110)와 접촉될 수 있다. 이때, 탄성부재(320)가 장착된 몸체(310)의 두께는 탄성부재(320)의 제1 패드 접속부(331) 및 제2 패드 접속부(332)가 회로 기판(100)의 접속 패드(110)와 접촉될 수 있는 정도로 형성될 수 있다. 또는 몸체(310)에 장착된 탄성부재(320)는 제1 패드 접속부(331) 및 제2 패드 접속부(332)가 회로 기판(100)의 접속 패드(110)와 접촉될 수 있는 정도의 높이를 갖도록 형성될 수 있다.
이와 같이, 반도체 패키지(200)의 리드 단자(220)와 회로 기판(100)의 접속 패드(110)와 접촉되는 탄성부재(320)는 전도성 물질로 형성될 수 있다. 따라서, 탄성부재(320)는 도 4에 도시된 바와 같이 리드 단자(220)를 삽입 고정함으로써 접촉되며, 접속 패드(110)와 접촉함으로써, 반도체 패키지(200)와 회로 기판(100)을 전기적으로 연결할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 패키지 모듈을 나타낸 예시도이다.
도 5를 참조하면, 반도체 패키지 모듈은 회로 기판(100), 제1 반도체 패키지(230), 제2 반도체 패키지(240) 및 인터포저(300)를 포함할 수 있다.
회로 기판(100)은 회로층이 형성되거나 반도체 칩이 PBA(Printed Board Assembly)일 수 있다. 회로 기판(100)은 일면에는 접속 패드(110)가 형성될 수 있다. 접속 패드(110)는 회로 기판(100)에 형성된 회로층 또는 반도체 칩과 전기적으로 연결될 수 있다. 회로 기판(100) 하부에는 인터포저(300)가 형성될 수 있다.
제1 반도체 패키지(230)는 전력 소자를 포함할 수 있다. 제1 반도체 패키지(230)는 제1 하우징(231) 내부에 전력 소자 및 인쇄회로 기판 등과 같은 구성부를 위치시켜 패키징하는 형태가 될 수 있다. 제1 반도체 패키지(230)는 제1 하우징(231) 외부로 돌출되도록 형성된 리드 단자(232)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 리드 단자(232)의 일단은 제1 하우징(231) 내부의 전력 소자 또는 인쇄회로 기판과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 리드 단자(232)의 타단은 제1 하우징(231) 외부로 돌출되도록 형성될 수 있다. 제1 반도체 패키지(230) 상부에는 제2 반도체 패키지(240)가 형성될 수 있다.
제2 반도체 패키지(240)는 제어 소자를 포함할 수 있다. 제2 반도체 패키지(240)는 제어 기판(242) 상부에 제어 소자가 실장될 수 있다. 여기서, 제어 소자는 제2 하우징(242)에 의해서 패키징 될 수 있다. 제어 기판(242)은 인쇄회로 기판으로 회로 패턴이 형성될 수 있다. 제어 기판(242)은 제어 소자와 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 반도체 패키지(230)와 제2 반도체 패키지(240)는 상호 전기적으로 연결될 수 있다. 리드 단자(232)가 제어 기판(242)에 관통 삽입되어 전기적으로 연결됨으로써, 제1 반도체 패키지(230)와 제2 반도체 패키지(240)가 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 반도체 패키지(240) 상부에는 인터포저(300)가 형성될 수 있다.
인터포저(300)는 제1 반도체 패키지(230), 제2 반도체 패키지(240) 및 회로 기판(100)을 상호 전기적으로 연결하기 위한 구성부이다. 인터포저(300)는 몸체(310) 및 탄성부재(320)를 포함할 수 있다. 몸체(310)는 절연 물질로 형성될 수 있다. 몸체(310)는 제2 반도체 패키지(240)와 회로 기판(100)을 일정 거리 이격시킬 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 몸체(310)에 돌기(311)가 형성될 수 있다. 돌기(311)는 회로 기판(100)과 제2 반도체 패키지(240) 간의 이격 거리를 유지하기 위해 형성될 수 있다. 본 발명의 실시 예에서는 돌기(311)가 몸체(310) 상면에만 형성되어 있음을 도시하였지만, 이에 한정되지 않는다. 몸체(310)는 상면 또는 하면 중 적어도 하나에 돌기(311)가 형성될 수 있다.
탄성부재(320)는 몸체(310) 내부에 장착될 수 있다. 또한, 탄성부재(320)는 전도성 물질로 형성될 수 있다. 탄성부재(320)는 제1 반도체 패키지(230)의 리드 단자(232)와 접촉될 수 있다. 또한, 탄성부재(320)는 회로 기판(100)의 접속 패드(110)와 접촉될 수 있다. 탄성부재(320)는 리드 단자(232)와 접속 패드(110)에 각각 접촉됨으로써, 리드 단자(232)와 접속 패드(110)를 전기적으로 연결할 수 있다. 즉, 탄성부재(320)에 의해서 제1 반도체 패키지(230), 제2 반도체 패키지(240) 및 회로 기판(100)이 전기적으로 연결될 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 반도체 패키지 모듈을 나타낸 예시도이다.
도 6을 참조하면, 반도체 패키지 모듈은 회로 기판(100), 제1 반도체 패키지(230), 제2 반도체 패키지(240) 및 인터포저(300)를 포함할 수 있다.
회로 기판(100)은 회로층이 형성되거나 반도체 칩이 PBA(Printed Board Assembly)일 수 있다. 회로 기판(100)은 일면에는 접속 패드(110)가 형성될 수 있다. 접속 패드(110)는 회로 기판(100)에 형성된 회로층 또는 반도체 칩과 전기적으로 연결될 수 있다. 회로 기판(100) 하부에는 인터포저(300)가 형성될 수 있다.
제1 반도체 패키지(230)는 전력 소자를 포함할 수 있다. 제1 반도체 패키지(230)는 제1 하우징(231) 내부에 전력 소자 및 인쇄회로 기판 등과 같은 구성부를 위치시켜 패키징하는 형태가 될 수 있다. 제1 반도체 패키지(230)는 제1 하우징(231) 외부로 돌출되도록 형성된 리드 단자(232)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 리드 단자(232)의 일단은 제1 하우징(231) 내부의 전력 소자 또는 인쇄회로 기판과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 리드 단자(232)의 타단은 제1 하우징(231) 외부로 돌출되도록 형성될 수 있다. 제1 반도체 패키지(230) 상부에는 제2 반도체 패키지(240)가 형성될 수 있다.
제2 반도체 패키지(240)는 제어 소자를 포함할 수 있다. 제2 반도체 패키지(240)는 제어 기판(242) 상부에 제어 소자가 실장되며, 제어 소자가 패키징 된 것일 수 있다. 제어 기판(242)은 인쇄회로 기판으로 회로 패턴이 형성될 수 있다. 제어 기판(242)은 제어 소자와 전기적으로 연결될 수 있다. 본 발명의 실시 예에서는 제2 반도체 패키지(240)의 일부가 인터포저(300)의 몸체(310)에 삽입될 수 있다. 예를 들어, 제2 반도체 패키지(240)의 제어 소자가 제어 기판(242)에 상태로 인터포저(300)의 몸체(310)에 삽입되어 패키징 될 수 있다.
제1 반도체 패키지(230)와 제2 반도체 패키지(240)는 상호 전기적으로 연결될 수 있다. 리드 단자(232)가 제어 기판(242)에 관통 삽입되어 전기적으로 연결됨으로써, 제1 반도체 패키지(230)와 제2 반도체 패키지(240)가 전기적으로 연결될 수 있다.
인터포저(300)는 제1 반도체 패키지(230), 제2 반도체 패키지(240) 및 회로 기판(100)을 상호 전기적으로 연결하기 위한 구성부이다. 인터포저(300)는 몸체(310) 및 탄성부재(320)를 포함할 수 있다. 몸체(310)는 절연 물질로 형성될 수 있다. 몸체(310)에는 제2 반도체 패키지(240)의 일부가 삽입될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 몸체(310)의 상면에 돌기(311)가 형성될 수 있다. 돌기(311)는 회로 기판(100)과 제2 반도체 패키지(240) 간의 이격 거리를 유지하기 위해 형성될 수 있다.
탄성부재(320)는 몸체(310) 내부에 장착될 수 있다. 또한, 탄성부재(320)는 전도성 물질로 형성될 수 있다. 탄성부재(320)는 제1 반도체 패키지(230)의 리드 단자(232)와 접촉될 수 있다. 또한, 탄성부재(320)는 회로 기판(100)의 접속 패드(110)와 접촉될 수 있다. 탄성부재(320)는 리드 단자(232)와 접속 패드(110)에 각각 접촉됨으로써, 리드 단자(232)와 접속 패드(110)를 전기적으로 연결할 수 있다. 즉, 탄성부재(320)에 의해서 제1 반도체 패키지(230), 제2 반도체 패키지(240) 및 회로 기판(100)이 전기적으로 연결될 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 반도체 패키지 모듈을 나타낸 예시도이다.
도 7을 참조하면, 반도체 패키지 모듈은 회로 기판(100), 반도체 패키지(200) 및 인터포저(300)를 포함할 수 있다.
회로 기판(100)은 회로층이 형성되거나 반도체 칩이 실장된 PBA(Printed Board Assembly)일 수 있다. 회로 기판(100)은 일면에는 접속 패드(110)가 형성될 수 있다. 접속 패드(110)는 회로 기판(100)에 형성된 회로층 또는 반도체 칩과 전기적으로 연결될 수 있다. 회로 기판(100) 하부에는 인터포저(300)가 형성될 수 있다.
반도체 패키지(200)는 전력 소자 또는 제어 소자를 포함할 수 있다. 반도체 패키지(200)는 하우징(210) 내부에 전력 소자, 제어 소자 또는 인쇄회로 기판 등과 같은 구성부를 위치시켜 패키징하는 형태가 될 수 있다. 전력 소자 및 제어 소자는 와이어(Wire) 또는 리드 프레임(Lead Frame)에 의해서 반도체 패키지(200) 내부의 인쇄회로 기판과 전기적으로 연결될 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 반도체 패키지(200)는 적층형 구조로 형성될 수 있다. 즉, 반도체 패키지(200) 내부 구성부인 전력 소자와 제어 소자가 수직 적층형 형태로 위치할 수 있다. 도 7에는 전력 소자가 하부 제어 소자가 상부에 위치함을 도시하였지만, 전력 소자와 제어 소자 간의 배열 위치는 이에 한정되지 않는다.
반도체 패키지(200)는 하우징(210) 외부로 돌출되도록 형성된 리드 단자(220)를 포함할 수 있다. 리드 단자(220)는 반도체 패키지(200)의 내부 구성부와 외부 구성부를 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 리드 단자(220)를 통해서 반도체 패키지(200) 내부의 구성부와 회로 기판(100) 또는 인터포저(300)의 탄성부재(320)가 전기적으로 연결될 수 있다. 반도체 패키지(200) 상부에는 인터포저(300)가 형성될 수 있다.
인터포저(300)는 반도체 패키지(200) 및 회로 기판(100)을 상호 전기적으로 연결하기 위한 구성부이다. 인터포저(300)는 몸체(310) 및 탄성부재(320)를 포함할 수 있다. 몸체(310)는 절연 물질로 형성될 수 있다. 몸체(310)는 반도체 패키지(200)와 회로 기판(100)을 일정 거리 이격 시킬 수 있다. 본 발명의 실시 예에서 몸체(310)에 돌기(311)가 형성될 수 있다. 몸체(310)의 돌기(311) 역시, 회로 기판(100)과 반도체 패키지(200) 간의 이격 거리를 유지하기 위해 형성될 수 있다. 본 발명의 실시 예에서는 돌기(311)가 몸체(310) 상면에만 형성되어 있음을 도시하였지만, 이에 한정되지 않는다. 몸체(310)는 상면 또는 하면 중 적어도 하나에 돌기(311)가 형성될 수 있다.
탄성부재(320)는 몸체(310) 내부에 장착될 수 있다. 또한, 탄성부재(320)는 전도성 물질로 형성될 수 있다. 탄성부재(320)는 반도체 패키지(200)의 리드 단자(220)와 접촉될 수 있다. 또한, 탄성부재(320)는 회로 기판(100)의 접속 패드(110)와 접촉될 수 있다. 탄성부재(320)는 리드 단자(220)와 접속 패드(110)에 각각 접촉됨으로써, 리드 단자(220)와 접속 패드(110)를 전기적으로 연결할 수 있다. 즉, 탄성부재(320)에 의해서 반도체 패키지(200) 및 회로 기판(100)이 전기적으로 연결될 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 반도체 패키지 모듈을 나타낸 예시도이다.
도 8을 참조하면, 반도체 패키지 모듈은 회로 기판(100), 반도체 패키지(200), 인터포저(300), 방열 수단(400) 및 체결 수단(500)을 포함할 수 있다.
회로 기판(100)은 회로층이 형성되거나 반도체 칩이 실장 된 PBA(Printed Board Assembly)일 수 있다. 회로 기판(100)은 일면에는 접속 패드(110)가 형성될 수 있다. 접속 패드(110)는 회로 기판(100)에 형성된 회로층 또는 반도체 칩과 전기적으로 연결될 수 있다. 회로 기판(100) 하부에는 인터포저(300)가 형성될 수 있다.
반도체 패키지(200)는 전력 소자 또는 제어 소자를 포함할 수 있다. 반도체 패키지(200)는 하우징(210) 내부에 전력 소자, 제어 소자 또는 인쇄회로 기판 등과 같은 구성부를 위치시켜 패키징하는 형태가 될 수 있다. 전력 소자 및 제어 소자는 와이어(Wire) 또는 리드 프레임(Lead Frame)에 의해서 반도체 패키지(200) 내부의 인쇄회로 기판과 전기적으로 연결될 수 있다.
반도체 패키지(200)는 하우징(210) 외부로 돌출되도록 형성된 리드 단자(220)를 포함할 수 있다. 리드 단자(220)는 반도체 패키지(200)의 내부 구성부와 외부 구성부를 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 리드 단자(220)를 통해서 반도체 패키지(200) 내부의 구성부와 회로 기판(100) 또는 인터포저(300)의 탄성부재(320)가 전기적으로 연결될 수 있다. 반도체 패키지(200) 상부에는 인터포저(300)가 형성될 수 있다.
인터포저(300)는 반도체 패키지(200) 및 회로 기판(100)을 상호 전기적으로 연결하기 위한 구성부이다. 인터포저(300)는 몸체(310) 및 탄성부재(320)를 포함할 수 있다. 몸체(310)는 절연 물질로 형성될 수 있다. 몸체(310)는 반도체 패키지(200)와 회로 기판(100)을 일정 거리 이격 시킬 수 있다. 본 발명의 실시 예에서 몸체(310)의 상면 및 하면에 돌기(311)가 형성될 수 있다. 몸체(310)의 돌기(311) 역시, 회로 기판(100)과 반도체 패키지(200) 간의 이격 거리를 유지하기 위해 형성될 수 있다. 본 발명의 실시 예에서 돌기(311)가 몸체(310)의 상면 및 하면에 형성됨이 도시되어 있지만, 돌기(311)는 생략될 수 있다.
탄성부재(320)는 몸체(310) 내부에 장착될 수 있다. 또한, 탄성부재(320)는 전도성 물질로 형성될 수 있다. 탄성부재(320)는 반도체 패키지(200)의 리드 단자(220)와 접촉될 수 있다. 이때, 탄성부재(320)에 리드 단자(220)가 삽입될 수 있다. 탄성부재(320)는 몸체(310)에 의해서 양 측면으로부터 압력을 받아 삽입된 리드 단자(220)를 고정시키면서, 접촉될 수 있다. 또한, 탄성부재(320)는 회로 기판(100)의 접속 패드(110)와 접촉될 수 있다. 탄성부재(320)는 리드 단자(220)와 접속 패드(110)에 각각 접촉됨으로써, 리드 단자(220)와 접속 패드(110)를 전기적으로 연결할 수 있다. 즉, 탄성부재(320)에 의해서 반도체 패키지(200) 및 회로 기판(100)이 전기적으로 연결될 수 있다.
방열 수단(400)은 반도체 패키지(200) 하부에 형성될 수 있다. 방열 수단(400)은 반도체 패키지(200)에서 발생하는 열을 외부로 방출함으로써, 반도체 패키지(200)를 냉각시키는 역할을 하는 구성부이다. 예를 들어 방열 수단(400)은 히트 싱크(Heat Sink) 등이 될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 반도체 패키지 모듈을 구성하는 구성부는 체결 수단(500)에 의해서 상호 고정될 수 있다. 예를 들어 체결 수단(500)은 볼트가 될 수 있다. 이와 같이, 반도체 패키지 모듈이 체결 수단(500)에 체결됨에 따라, 반도체 패키지 모듈의 상부 및 하부로 상호 압력이 발생할 수 있다. 즉, 인터포저(300)의 탄성부재(320)는 상부 및 하부로부터 압력을 받을 수 있다. 이와 같은 압력에 의해서 탄성부재(320)의 상면과 회로 기판(100)의 접속 패드(110)가 접촉될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 패키지 모듈에 의하면, 인터포저를 이용한 비솔더링 방식으로 반도체 패키지와 회로 기판을 전기적으로 연결할 수 있다. 또한, 반도체 패키지 모듈은 비솔더링 방식으로 반도체 패키지와 회로 기판을 전기적으로 연결함으로써, 열팽창 계수의 차이에 의한 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 반도체 패키지 모듈은 비솔더링 방식으로 반도체 패키지와 회로 기판을 기구적 접촉 방식으로 연결함으로써 외부의 물리적 충격에 관한 내구성이 향상될 수 있다. 이에 따라, 반도체 패키지 모듈은 열적 또는 물리적인 스트레스에 대한 신뢰성이 향상될 수 있다.
이상 본 발명을 구체적인 실시 예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
100: 회로 기판
110: 접속 패드
200: 반도체 패키지
210: 하우징
220, 232: 리드 단자
230: 제1 반도체 패키지
231: 제1 하우징
240: 제2 반도체 패키지
241: 제2 하우징
242: 제어 기판
300: 인터포저
310: 몸체
311: 돌기
312: 탄성부재 장착부
313: 탄성부재 고정부
314: 제1 탄성부재 고정부
315: 제2 탄성부재 고정부
320: 탄성부재
330: 패드 접속부
331: 제1 패드 접속부
332: 제2 패드 접속부
340: 리드 삽입부
341: 제1 절곡부
342: 제2 절곡부
343: 제3 절곡부
344: 제4 절곡부
350: 고정부
351: 제1 하고정부
352: 제1 상고정부
353: 제2 하고정부
354: 제2 상고정부
400: 방열 수단
500: 체결 수단

Claims (20)

  1. 일면에 접속 패드가 형성된 회로 기판;
    하우징 외부로 돌출된 리드 단자를 포함하는 반도체 패키지; 및
    상기 회로 기판과 상기 반도체 패키지 사이에 위치하며, 상기 회로 기판과 상기 반도체 패키지를 상호 이격시키는 몸체와 상기 접속 패드 및 상기 리드 단자와 접촉되는 탄성부재를 포함하는 인터포저;
    를 포함하는 반도체 패키지 모듈.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 몸체는 상기 탄성부재가 장착되는 탄성부재 장착부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 탄성부재 장착부는 상기 몸체를 관통하는 관통홀 형태인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 탄성부재 장착부는,
    상기 탄성부재가 고정되는 탄성부재 고정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 탄성부재 고정부는 상기 탄성부재 장착부의 양측 내벽으로부터 중앙으로 돌출되는 한 쌍으로 형성되는 반도체 패키지 모듈.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 탄성부재는
    상기 회로 기판의 상기 접속 패드와 접촉되는 패드 접속부;
    상기 반도체 패키지의 상기 리드 단자가 삽입되는 리드 삽입부; 및
    상기 몸체의 상기 탄성부재 고정부에 고정되는 고정부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 탄성부재는 일체형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 탄성부재의 상기 패드 접속부, 상기 리드 삽입부 및 상기 고정부는 상호 절곡되어 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 탄성부재는
    상기 탄성부재 장착부의 일측 내벽에 형성된 상기 탄성부재 고정부인 제1 탄성부재 고정부의 하면에 고정되는 제1 하고정부;
    상기 제1 하고정부의 일측에서 상방향 내측으로 절곡되는 제1 절곡부;
    상기 제1 절곡부의 일측에서 하방향 외측으로 절곡되는 제2 절곡부;
    상기 제2 절곡부의 일측에서 상방향 외측으로 절곡되며, 상기 제1 탄성부재 고정부 상면에 고정되는 제1 상고정부;
    상기 제1 상고정부의 일측에서 내측으로 절곡되는 제1 패드 접속부;
    상기 탄성부재 장착부의 타측 내벽에 형성된 상기 탄성부재 고정부인 제2 탄성부재 고정부의 하면에 고정되는 제2 하고정부;
    상기 제2 하고정부의 일측에서 상방향 내측으로 절곡되는 제3 절곡부;
    상기 제3 절곡부의 일측에서 하방향 외측으로 절곡되는 제4 절곡부;
    상기 제4 절곡부의 일측에서 상방향 외측으로 절곡되며, 상기 제2 탄성부재 고정부의 상면에 고정되는 제2 상고정부; 및
    상기 제2 상고정부의 일측에서 내측으로 절곡되며, 일측이 상기 제1 패드 접속부의 일측과 연결되는 제2 패드 접속부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 탄성부재는
    상기 제2 절곡부와 상기 제4 절곡부 사이에 상기 반도체 패키지의 상기 리드 단자가 삽입 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 제1 패드 접속부 및 상기 제2 패드 접속부는 상기 회로 기판의 상기 접속 패드와 접촉되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 몸체는 절연 물질로 형성되며, 상기 탄성부재는 전도성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 몸체는 상면 및 하면 중 적어도 일면에서 두께 방향으로 돌출되도록 형성된 한 개 이상의 돌기를 더 포함하는 것을 특징으로 반도체 패키지 모듈.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 반도체 패키지는 전력 소자 및 제어 소자 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 반도체 패키지는
    전력 소자 및 하우징 외부로 돌출된 상기 리드 단자를 포함하는 제1 반도체 패키지; 및
    제어 소자 및 상기 리드 단자와 전기적으로 연결되는 제어 기판을 포함하는 제2 반도체 패키지;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈;
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 리드 단자는 상기 제어 기판에 관통 삽입되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  17. 청구항 15에 있어서,
    상기 제어 소자는 상기 인터포저의 몸체 내부에 삽입되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  18. 청구항 1에 있어서,
    상기 반도체 패키지의 하부에 형성되는 방열 수단을 더 포함하는 반도체 패키지 모듈.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 회로 기판, 반도체 패키지, 인터포저 및 방열 수단은 체결 수단에 의해서 상호 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
  20. 청구항 19에 의해서,
    상기 체결 수단은 볼트인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.
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